WO2012105609A1 - 半導体装置 - Google Patents

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gate
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佑紀 中野
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    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device.
  • SiC silicon carbide: silicon carbide
  • the SiC power device is used as a switching element of various inverter circuits incorporated in, for example, a motor control system, a power conversion system, or the like.
  • the SiC power device switching element
  • the current flowing through the motor coil is cut off
  • the back electromotive force generated in the motor coil is consumed by the diode due to electromagnetic induction of the motor coil.
  • the current caused by the back electromotive force is caused to flow as a return current to the motor coil by the rectification action of the parasitic diode (body diode) by the pn junction between the p-type channel region and the n-type drain region inherent in the device.
  • high back electromotive force is prevented from being applied to the switching element.
  • a trench reaching the n-type drain region from the n-type source region through the p-type channel region is formed at a position different from the gate trench, and the n-type exposed in the trench.
  • a countermeasure for Schottky junction of the source electrode to the drain region can be considered. According to this measure, when a back electromotive force is generated, a current can be preferentially passed through the Schottky junction, and the current flowing through the pn channel diode may be reduced or eliminated.
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of suppressing an increase in on-resistance and further improving a breakdown voltage.
  • a semiconductor device is a semiconductor device having a semiconductor layer made of a wide bandgap semiconductor, and the semiconductor layer is exposed on the surface side of the semiconductor layer.
  • a first conductivity type source region formed on the semiconductor layer, a second conductivity type channel region formed on and in contact with the source region on the back side of the semiconductor layer, and the channel region.
  • a drain region of a first conductivity type formed on the back side of the semiconductor layer so as to be in contact with the channel region, and penetrating from the surface of the semiconductor layer to the source region and the channel region into the drain region.
  • a source trench having a side surface and a bottom surface, a gate insulating film formed to be in contact with the channel region, and a front through the gate insulating film A gate electrode opposed to the channel region; and a second conductivity type first breakdown voltage holding region selectively formed on the side surface or the bottom surface of the source trench, and is joined to the drain region in the source trench.
  • a barrier forming layer for forming a junction barrier lower than a diffusion potential of a body diode formed by a pn junction between the channel region and the drain region by the junction with the drain region.
  • a semiconductor device employing this wide band gap semiconductor (for example, a band gap Eg of 2 eV or more, preferably 2.5 eV to 7 eV) is used as a switching element, for example.
  • the current flowing through the load is turned on / off by turning on / off the gate voltage in a state where a positive voltage on the drain region side is applied between the source region and the drain region.
  • the load When the load is inductive, when the current flowing through the load is cut off (that is, when the gate voltage is turned off), a back electromotive force is generated in the load. Due to the counter electromotive force, a voltage that is positive on the source region side may be applied between the source region and the drain region. In such a case, current flows preferentially at the junction between the barrier forming layer and the drain region, and the current flowing through the body diode can be reduced or eliminated. The current flowing through the semiconductor device in this way can be supplied to the load as a return current, for example.
  • the off-state current passes through the barrier forming layer, there is almost no carrier movement between the channel region and the drain region. Therefore, recombination of holes and electrons in the drain region can be suppressed or prevented. As a result, expansion of crystal defects in the wide band gap semiconductor can be suppressed, so that an increase in on-resistance of the transistor can be suppressed.
  • the first breakdown voltage holding region is selectively formed in the drain region on the side surface or the bottom surface of the source trench.
  • the body diode formed by the junction (pn junction) between the first breakdown voltage holding region and the drain region can be formed on the back surface side of the semiconductor layer with respect to the junction between the barrier forming layer and the drain region. . Therefore, a depletion layer generated in the body diode can be generated in the vicinity of the source trench. Due to the presence of the depletion layer, a high potential equipotential surface with respect to the gate electrode can be kept away from the gate insulating film. As a result, the electric field applied to the gate insulating film can be reduced, so that dielectric breakdown can be suppressed.
  • the barrier forming layer forms a junction barrier lower than the diffusion potential of the body diode with the drain region by forming a heterojunction or a Schottky junction with the drain region made of a wide band gap semiconductor. It may be.
  • the barrier forming layer is preferably made of Poly-Si.
  • the barrier forming layer is made of a group consisting of Ni, Ti, Al, and Mo. It is preferable that it consists of 1 type selected from.
  • the semiconductor layer includes a lattice-shaped gate trench having a side surface and a bottom surface, penetrating the source region and the channel region from the surface of the semiconductor layer to the drain region, and the lattice-shaped gate trench.
  • a plurality of polygonal columnar unit cells having a plurality of corners, each unit cell including the source region, the channel region, and the drain region; and the gate insulating film is formed of the gate trench.
  • the gate electrode is embedded in the gate trench so as to face the channel region through the gate insulating film, and the first breakdown voltage holding region is , In a part of the source trench so that the drain region is exposed on the bottom surface of the source trench.
  • the side surface and the bottom surface are selectively formed at an edge portion of the source trench, and the barrier forming layer is joined to the drain region exposed at the bottom surface of the source trench. .
  • the present inventors diligently studied the mechanism of dielectric breakdown of the gate insulating film at the time of turn-off in the trench gate type MIS transistor. Specifically, when the semiconductor device is off (that is, the gate voltage is 0 V), the drain region is on the (+) side between the source region and the drain region functioning as the drain (between the source and the drain). Is applied, an electric field is applied to the gate insulating film interposed between the gate electrode and the drain region. This electric field is generated due to a potential difference between the gate electrode and the drain region.
  • the barrier forming layer is joined to the drain region at the bottom surface of the source trench.
  • a body diode can be formed in the vicinity of the edge portion of the source trench by forming the first breakdown voltage holding region at the edge portion of the source trench.
  • the depletion layer generated in the body diode can be expanded between the gate trench and the source trench, so that the equipotential surface between the gate trench and the source trench can be prevented from being concentrated.
  • the electric field applied to the bottom of the gate trench can be reduced, and the electric field applied to the gate insulating film can be reduced. Therefore, the gate insulating film can be prevented from being broken.
  • the semiconductor layer may further include a second conductivity type second breakdown voltage holding region selectively formed at a corner edge portion of the gate trench formed at the corner portion of the unit cell.
  • a second conductivity type second breakdown voltage holding region selectively formed at a corner edge portion of the gate trench formed at the corner portion of the unit cell.
  • the second breakdown voltage holding region When the second breakdown voltage holding region is formed at the corner edge portion of the gate trench, the second breakdown voltage holding region may be formed so as to reach a portion immediately above the corner edge portion in the channel region.
  • a channel is formed along the side surface of the unit cell that forms a part of the side surface of the gate trench by controlling the voltage applied to the gate electrode. That is, a channel is not formed at the corner of the unit cell, or even if it is formed, a small amount of current flows through the channel. Therefore, by forming the second breakdown voltage holding region so as to reach the portion immediately above the corner edge portion in the channel region, the effect of preventing the breakdown of the gate insulating film can be further improved without substantially affecting the performance of the device. it can.
  • the second breakdown voltage holding region When the second breakdown voltage holding region is formed at the corner edge portion of the gate trench, the second breakdown voltage holding region may be selectively formed at the intersection of the lattice-shaped gate trench.
  • the semiconductor layer may further include a second breakdown voltage holding region of a second conductivity type formed on the bottom surface of the linear portion of the lattice-shaped gate trench and having a width narrower than the width of the linear portion. preferable.
  • the electric field generated along the linear portion of the gate trench acts on the gate insulating film, the electric field is relaxed by the depletion layer generated by the junction (pn junction) between the third breakdown voltage holding region and the drain region. can do. As a result, the electric field generated in the gate insulating film can be alleviated evenly.
  • the third breakdown voltage holding region is not formed on the side surface of the linear portion of the gate trench (that is, the portion where the channel is formed in the unit cell), it is possible to prevent the device performance from being deteriorated.
  • the impurity concentration in the third breakdown voltage holding region is preferably higher than the impurity concentration in the second breakdown voltage holding region. Moreover, it is preferable that the thickness of the third breakdown voltage holding region is smaller than the thickness of the second breakdown voltage holding region. With this configuration, an increase in channel resistance can be suppressed.
  • the thicknesses of the second and third breakdown voltage holding regions are, for example, thicknesses along the direction from the front surface to the back surface side of the semiconductor layer.
  • the semiconductor device may include a planar gate type MIS transistor. That is, in the semiconductor device according to one aspect of the present invention, the channel region is formed to be exposed on the surface of the semiconductor layer in a polygonal shape in plan view having a plurality of corners, and the channel region is The channel regions are arranged in a matrix, the source regions are formed in a well shape so as to be exposed on the surface of each channel region, and the gate insulating film is exposed on the surface of the semiconductor layer
  • the first breakdown voltage holding region is formed above, and the side surface and the bottom surface intersect each other in a partial region of the source trench so that the drain region is exposed to the bottom surface of the source trench.
  • the barrier forming layer is selectively formed at an edge portion of the source trench, and the barrier forming layer is formed on the drain region exposed on the bottom surface of the source trench. It may be engaged.
  • the semiconductor layer may include a second conductive layer selectively formed at an inter-channel region extending between adjacent channel regions and a corner portion of the inter-channel region formed at the corner portion of the channel region. It is preferable to further include a fourth breakdown voltage holding region of the mold.
  • the dielectric breakdown of the gate insulating film is particularly likely to occur near the corner of the interchannel region. Therefore, if the fourth breakdown voltage holding region is formed in the corner portion of the inter-channel region, the dielectric breakdown of the gate insulating film in the vicinity of the corner portion can be effectively suppressed.
  • a channel is formed along each side of the channel region by controlling the voltage applied to the gate electrode. That is, a channel is not formed at the corner of the channel region, or even if it is formed, a small amount of current flows through the channel. Therefore, by forming the fourth breakdown voltage holding region at the corner in the inter-channel region, the effect of preventing the gate insulating film from being destroyed can be further improved without substantially affecting the performance of the device.
  • the semiconductor layer preferably further includes a second conductivity type fifth breakdown voltage holding region formed in a linear portion of the inter-channel region and having a width narrower than the width of the linear portion.
  • the drain region preferably has a step portion formed by selectively projecting the bottom surface of the source trench to the surface side of the semiconductor layer.
  • a semiconductor device includes a semiconductor layer made of a wide band gap semiconductor, and a gate portion that is formed in the semiconductor layer and partitions the semiconductor layer into a plurality of cells.
  • a first MIS transistor structure in which a first source trench is formed, the deepest part reaching the drain region through the source region and the channel region from the surface; and a first MIS transistor structure selectively formed on an inner surface of the first source trench.
  • a semiconductor device employing this wide band gap semiconductor (for example, a band gap Eg of 2 eV or more, preferably 2.5 eV to 7 eV) is used as a switching element, for example.
  • the current flowing through the load is turned on / off by turning on / off the gate voltage in a state where a positive voltage on the drain region side is applied between the source region and the drain region.
  • the off-state current passes through the Schottky barrier diode of the Schottky cell, there is almost no carrier movement between the channel region and the drain region. Therefore, recombination of holes and electrons in the drain region can be suppressed or prevented. As a result, expansion of crystal defects in the wide band gap semiconductor can be suppressed, so that an increase in on-resistance of the transistor can be suppressed.
  • the current flowing through the body diode can be reduced or eliminated, loss when the semiconductor device operates can be reduced.
  • the first breakdown voltage holding region is selectively formed on the inner surface of the first source trench.
  • a body diode formed by a junction (pn junction) between the first breakdown voltage holding region and the drain region can be formed. Therefore, a depletion layer generated in the body diode can be generated in the vicinity of the first source trench. Due to the presence of this depletion layer, a high potential equipotential surface can be kept away from the gate portion. As a result, dielectric breakdown in the gate portion can be prevented.
  • the source electrode is formed between the Schottky region and the Schottky region by forming a heterojunction or a Schottky junction with the Schottky region made of a wide band gap semiconductor. May have a barrier forming layer for forming a junction barrier lower than the diffusion potential of the body diode. That is, in the semiconductor device according to another aspect of the present invention, the source electrode is a metal electrode that forms a Schottky barrier by forming a Schottky barrier between the source electrode and a band different from the band gap of the semiconductor layer.
  • any of the semiconductor electrodes which are made of a heterogeneous semiconductor having a gap, and which form a heterojunction diode by heterojunction with the Schottky region (junction forming a potential barrier with the Schottky region using a band gap difference) It is a concept that also includes The Schottky region is a concept that includes a region where a heterojunction is formed with the source electrode.
  • the barrier forming layer when forming a heterojunction, is preferably made of polysilicon.
  • the barrier forming layer when forming a Schottky junction, is made of Ni, Ti, Al, and Mo. It is preferable to consist of one selected.
  • the first breakdown voltage holding region extends from the bottom surface of the first source trench to the channel region along the side surface of the source trench.
  • the pn diode cell further includes a second conductivity type channel contact region formed on the bottom surface of the first source trench and having a higher impurity concentration than the first breakdown voltage holding region.
  • the first source trench includes a first upper layer trench having a depth from the surface of the semiconductor layer to the channel region, and the first source trench.
  • the pn diode cell has a two-stage structure including a first lower trench having a width narrower than that of the upper trench and having a depth from the channel region to the drain region, and the pn diode cell includes the first upper trench and the first trench.
  • the semiconductor device further includes a channel contact region of a second conductivity type formed in the channel region exposed at a step portion with respect to the first lower trench and having a higher impurity concentration than the channel region.
  • the Schottky cell includes a first conductivity type source region and a second conductivity type arranged in this order from the front surface side to the back surface side of the semiconductor layer.
  • a second MIS transistor structure having a channel region and a drain region of the first conductivity type, and a second source trench formed from the surface of the semiconductor layer to the drain region through the source region and the channel region;
  • a second breakdown voltage holding region selectively formed at an edge portion of the second source trench formed by intersecting a side surface and a bottom surface of the second source trench, and the Schottky region includes the second source trench.
  • it is formed on the bottom surface of the second source trench surrounded by the two breakdown voltage holding regions.
  • a body diode formed by the junction (pn junction) between the second breakdown voltage holding region and the drain region can be formed. Therefore, a depletion layer generated in the body diode can be generated in the vicinity of the second source trench. Due to the presence of this depletion layer, a high potential equipotential surface can be kept away from the gate portion. As a result, dielectric breakdown in the gate portion can be prevented.
  • the Schottky region is formed with an area where a depletion layer generated from a junction between the Schottky region and the second breakdown voltage holding region is not connected.
  • the area of the Schottky cell is preferably larger than the area of the pn diode cell.
  • the second source trench in the Schottky cell includes a second upper layer trench having a depth from the surface of the semiconductor layer to the channel region, and the second source trench. It has a two-stage structure including a second lower trench having a width narrower than that of the upper trench and a depth from the channel region to the drain region, and the second breakdown voltage holding region is formed of the second lower trench.
  • the Schottky cell is formed in the channel region exposed at a step portion between the second upper layer trench and the second lower layer trench, and is formed so as to reach the channel region along a side surface. It is preferable to further include a second conductivity type channel contact region having a higher impurity concentration.
  • the gate portion includes a gate trench formed in the semiconductor layer, a gate insulating film formed on an inner surface of the gate trench, and the gate in the gate trench.
  • a gate electrode formed on the inside of the insulating film may be included, or a gate insulating film formed on the semiconductor layer and a gate electrode formed on the gate insulating film may be included.
  • the semiconductor device When the gate trench is formed in a lattice shape, the semiconductor device is formed so as to straddle the pn diode cell and the Schottky cell via the intersection of the gate trench, and the first breakdown voltage holding region It is preferable to further include a second conductivity type relay region that is electrically connected to the second breakdown voltage holding region. According to this configuration, contact can be made with the channel region of the Schottky cell via the relay region.
  • the Schottky cell is preferably surrounded by the pn diode cell.
  • the Schottky cell corresponds to four or nine pn diode cells. It is preferable that it has the area to do.
  • the Schottky cell and the pn diode cell may include a quadrangular cell formed in a square shape, or a hexagonal cell formed in a hexagonal shape. May be included, or stripe cells formed in a stripe shape may be included.
  • FIG. 1A and 1B are schematic plan views of a trench gate type MIS transistor according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is an overall view, and FIG. Each enlarged view is shown.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the trench gate type MIS transistor shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), and shows cross sections along the cutting lines AA and BB in FIG. 1 (b), respectively.
  • 3A is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the trench gate type MIS transistor shown in FIG. 2, and shows a cut surface at the same position as FIG.
  • FIG. 3B is a diagram showing a step subsequent to FIG. 3A.
  • FIG. 3C is a diagram showing a step subsequent to FIG. 3B.
  • FIG. 3D is a diagram showing a step subsequent to FIG. 3C.
  • FIG. 3E is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 3D.
  • FIG. 3F is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 3E.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the trench gate type MIS transistor shown in FIG. 5A and 5B are schematic plan views of a planar gate type MIS transistor according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A is an overall view
  • FIG. 5B is an internal view. Each enlarged view is shown.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the planar gate type MIS transistor shown in FIGS. 5A and 5B, and shows cross sections taken along section lines CC and DD in FIG.
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the planar gate type MIS transistor shown in FIG. 6, and shows a cut surface at the same position as FIG.
  • FIG. 7B is a diagram showing a step subsequent to FIG. 7A.
  • FIG. 7C is a diagram showing a step subsequent to FIG. 7B.
  • FIG. 7D is a diagram showing a step subsequent to FIG. 7C.
  • FIG. 7E is a diagram showing a step subsequent to FIG. 7D.
  • FIG. 7F is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 7E.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the planar gate type MIS transistor shown in FIG. FIGS.
  • FIG. 9A and 9B are schematic plan views of a trench gate type MIS transistor according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9A is an overall view
  • FIG. 9B is an internal view. Each enlarged view is shown.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the trench gate type MIS transistor of FIGS. 9A and 9B, and shows cut planes taken along cutting lines EE, FF, and GG of FIG. 9B, respectively.
  • FIG. 11A is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the trench gate type MIS transistor of FIG. 10, and shows a cut surface at the same position as FIG.
  • FIG. 11B is a diagram showing a step subsequent to FIG. 11A.
  • FIG. 11C is a diagram showing a step subsequent to FIG. 11B.
  • FIG. 11D is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 11C.
  • FIG. 11E is a diagram showing a step subsequent to FIG. 11D.
  • FIG. 11F is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 11E.
  • 12 is a schematic cross-sectional view of a trench gate type MIS transistor according to a fourth embodiment of the present invention, and shows a cut surface at the same position as FIG.
  • FIG. 13A is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the trench gate type MIS transistor of FIG. 12, and shows a cut surface at the same position as FIG.
  • FIG. 13B is a diagram showing a step subsequent to FIG. 13A.
  • FIG. 13A is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the trench gate type MIS transistor of FIG. 12, and shows a cut surface at the same position as FIG.
  • FIG. 13B
  • FIG. 13C is a diagram showing a step subsequent to FIG. 13B.
  • FIG. 13D is a diagram showing a step subsequent to FIG. 13C.
  • FIG. 13E is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 13D.
  • FIG. 13F is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 13E.
  • FIG. 13G is a diagram showing a step subsequent to that in FIG. 13F.
  • 14A and 14B are schematic plan views of a planar gate type MIS transistor according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 14A is an overall view
  • FIG. 14B is an internal view. Each enlarged view is shown.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the planar gate type MIS transistor of FIGS.
  • FIG. 14A and 14B shows cross sections taken along the cutting lines HH and II of FIG. 14B, respectively.
  • 16 (a) and 16 (b) are schematic plan views of a trench gate type MIS transistor according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 (a) is an overall view
  • FIG. 16 (b) is an internal view. Each enlarged view is shown.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the trench gate type MIS transistor shown in FIGS. 16A and 16B, and shows cross sections taken along section lines JJ and KK in FIG. 16B, respectively.
  • 18 (a) and 18 (b) are diagrams showing a modification of the layout of the MIS transistor in FIGS. 9 (a) and 9 (b).
  • FIG. 18 (a) is an overall view
  • FIG. 18 (b) is an internal enlarged view. Each figure is shown.
  • FIGS. 1 (a) and 1 (b) are schematic plan views of a trench gate type MIS transistor according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is an overall view, and FIG. Each enlarged view is shown.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the trench gate type MIS transistor shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), and shows cross sections along the cutting lines AA and BB in FIG. 1 (b), respectively.
  • the MIS transistor 1 is a trench gate type DMISFET (Double-diffused Metal-Insulator-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) employing SiC, and has, for example, a square chip shape in plan view as shown in FIG.
  • the chip-like MIS transistor 1 has a length of about several millimeters in the vertical and horizontal directions on the paper surface of FIG.
  • a source pad 2 is formed on the surface of the MIS transistor 1.
  • the source pad 2 has a substantially square shape in plan view with four corners curved outward, and is formed to cover almost the entire surface of the MIS transistor 1.
  • the source pad 2 has a removal region 3 near the center of one side.
  • the removal region 3 is a region where the source pad 2 is not formed.
  • the MIS transistor 1 includes a substrate 5 made of SiC of n + type (for example, the concentration is 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 21 cm ⁇ 3 ).
  • the substrate 5 functions as the drain of the MIS transistor 1, and its front surface 6 (upper surface) is a Si surface and its rear surface 7 (lower surface) is a C surface.
  • an epitaxial layer 8 made of SiC having n ⁇ type (for example, concentration of 1 ⁇ 10 15 to 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 ) having a lower concentration than that of the substrate 5 is laminated.
  • the thickness of the epitaxial layer 8 as a semiconductor layer is, for example, 1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the epitaxial layer 8 is formed on the substrate 5 by so-called epitaxial growth.
  • the epitaxial layer 8 formed on the surface 6 that is the Si surface is grown with the Si surface as the main growth surface. Therefore, the surface 9 of the epitaxial layer 8 formed by growth is a Si surface, like the surface 6 of the substrate 5.
  • the MIS transistor 1 has an active region 10 that functions as the MIS transistor 1 and is disposed in the center of the epitaxial layer 8 in plan view, and a transistor peripheral region 11 that surrounds the active region 10. Is formed.
  • the p-type (for example, the concentration is 1.0 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 to 1.0 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ) channel region 12 is formed in the row direction and on the surface layer portion of the epitaxial layer 8. A large number are arranged in a matrix (matrix) at a constant pitch in the column direction.
  • Each channel region 12 has a square shape in plan view. For example, the length in the vertical and horizontal directions on the paper surface of FIG. 1B is about 7.2 ⁇ m.
  • the region on the substrate 5 side with respect to the channel region 12 in the epitaxial layer 8 is an n ⁇ -type drain region 13 that is maintained as it is after the epitaxial growth.
  • an n + -type (for example, concentration of 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 21 cm ⁇ 3 ) source region 14 is formed in almost the entire region on the surface 9 side.
  • Gate trenches 15 are formed in a lattice shape so as to surround each channel region 12 from the surface 9 of the epitaxial layer 8 through each source region 14 and channel region 12 to the drain region 13.
  • the gate trench 15 includes a linear portion 16 extending linearly in each of the row direction and the column direction along the four side surfaces of each channel region 12 between the adjacent channel regions 12 and the row trenches 15.
  • intersect are included.
  • the intersecting portion 17 is surrounded by the corners inside the four arranged channel regions 12 and is defined by the extended lines of the four sides of the channel region 12. This is a square portion in plan view.
  • the gate trench 15 has a U-shaped cross section in which a side surface 18 and a bottom surface 19 facing each other are continuous via a curved surface.
  • a large number of rectangular parallelepiped unit cells 21 having four corners 20 are formed in each window portion surrounded by the lattice-like gate trench 15.
  • the depth direction of the gate trench 15 is the gate length direction
  • the circumferential direction of each unit cell 21 orthogonal to the gate length direction is the gate width direction.
  • a gate insulating film 22 made of SiO 2 is formed on the inner surface of the gate trench 15 so as to cover the entire area.
  • the gate electrode 23 is embedded in the gate trench 15 by filling the inside of the gate insulating film 22 with a polysilicon material doped with n-type impurities at a high concentration.
  • a vertical MIS transistor structure is configured in which the source region 14 and the drain region 13 are spaced apart from each other via the channel region 12 in the vertical direction perpendicular to the surface 9 of the epitaxial layer 8.
  • a source trench 24 having a square shape in plan view that reaches the drain region 13 from the surface 9 of the epitaxial layer 8 through the source region 14 and the channel region 12 is formed.
  • the depth of the source trench 24 is the same as that of the gate trench 15 in the first embodiment.
  • the source trench 24 also has a U-shaped cross section in which a side surface 25 and a bottom surface 26 facing each other are continuous via a curved surface.
  • the epitaxial layer 8 is formed with a p-type gate breakdown voltage holding region 27 and a source breakdown voltage holding region 28 as a first breakdown voltage holding region, which are formed by implanting p-type impurities into the epitaxial layer 8. Yes.
  • the gate breakdown voltage holding region 27 is formed along the lattice-shaped gate trench 15, and a first region 29 as a second breakdown voltage holding region formed at the intersection 17 of the gate trench 15 and the line of the gate trench 15. It integrally includes a second region 30 as a third breakdown voltage holding region formed in the shape portion 16.
  • the first region 29 includes a bottom edge 19 of the gate trench 15 at the intersection 17 and a corner edge portion 31 of the gate trench 15 formed below each corner 20 of the four unit cells 21 facing the intersection 17 from the bottom 19. And the channel region 12 immediately above the corner edge 31 is formed. That is, the first region 29 is formed in a square shape slightly larger than the intersecting portion 17 of the gate trench 15 in plan view, and each corner of each of the four unit cells 21 facing the intersecting portion 17 is formed. It has entered each part 20.
  • the concentration of the first region 29 is higher than the concentration of the channel region 12 and higher than the concentration of the drain region 13, for example, 1 ⁇ 10 17 to 9 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 . Further, the thickness T 1 along the direction from the bottom surface of the gate trench 15 to the substrate 5 in the first region 29 is, for example, about 0.8 ⁇ m.
  • the second region 30 is formed in a straight line having a constant width that connects the centers of the sides of the intersecting portions 17 that are adjacent to each other in plan view.
  • the width of the second region 30 is higher than that of the channel region 12 and higher than that of the first region 29.
  • the second thickness T 2 along the direction from the bottom of the gate trench 15 to the substrate 5 in the second region 30, the thickness of the first region 29 T 1 (Ie, T 1 > T 2 ), for example, about 0.7 ⁇ m.
  • the source breakdown voltage holding region 28 has an edge portion 32 of the source trench 24 where the bottom surface 26 and the side surface 25 intersect so that the bottom surface 26 of the source trench 24 is exposed, and a part of the side surface 25 of the source trench 24 from the edge portion 32.
  • the channel region 12 is formed so as to reach the channel region 12.
  • a drain exposed region 33 having a square shape in plan view and formed of a part of the drain region 13 is formed at the center of the bottom surface 26 of the source trench 24.
  • the concentration of the source breakdown voltage holding region 28 is the same as that of the first region 29 of the gate breakdown voltage holding region 27 (for example, 1 ⁇ 10 17 to 9 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 .
  • the thickness T 3 along the direction from the bottom surface of the trench 24 toward the substrate 5 is the same as the thickness T 1 of the first region 29 of the gate breakdown voltage holding region 27 (for example, about 0.8 ⁇ m).
  • the p-type guard ring 34 is spaced from the active region 10 so as to surround the unit cells 21 (active region 10) arranged in a matrix on the surface layer portion of the epitaxial layer 8. Are formed (four in the first embodiment). These guard rings 34 can be formed by the same ion implantation step as the step of forming the p-type channel region 12.
  • Each guard ring 34 is formed in a square shape in plan view along the outer periphery of the MIS transistor 1 in plan view.
  • An interlayer insulating film 35 made of SiO 2 is laminated on the epitaxial layer 8 so as to cover the gate electrode 23.
  • a contact hole 36 having a diameter larger than that of the source trench 24 is formed in the interlayer insulating film 35 and the gate insulating film 22.
  • a source electrode 37 is formed on the interlayer insulating film 35.
  • the source electrode 37 collectively enters the source trenches 24 of all the unit cells 21 through the contact holes 36.
  • the drain exposed region 33, the source It is in contact with the breakdown voltage holding region 28, the channel region 12, and the source region 14. That is, the source electrode 37 is a common wiring for all the unit cells 21.
  • An interlayer insulating film (not shown) is formed on the source electrode 37, and the source electrode 37 is connected to the source pad 2 (see FIG. 1A) via the interlayer insulating film (not shown). ) Is electrically connected.
  • the gate pad 4 (see FIG. 1A) is electrically connected to the gate electrode 23 through a gate wiring (not shown) routed on the interlayer insulating film (not shown). ing.
  • the source electrode 37 has a polysilicon layer 38 as a barrier forming layer, an intermediate layer 39 and a metal layer 40 in order from the contact side with the epitaxial layer 8.
  • the polysilicon layer 38 is a doped layer formed using doped polysilicon doped with impurities, and is, for example, 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 or more, preferably 1 ⁇ 10 19 to 1 ⁇ 10 21 cm. This is a heavily doped layer doped with impurities at a high concentration of ⁇ 3 .
  • Impurities when forming the polysilicon layer 38 as a doped layer include n-type impurities such as N (nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic), Al (aluminum), B A p-type impurity such as (boron) can be used.
  • the thickness of the polysilicon layer 38 is, for example, 5000 to 10,000 mm.
  • the polysilicon layer 38 is formed so as to cover the entire surface of the unit cell 21 exposed in the contact hole 36, and the drain exposed region 33 and the source breakdown voltage holding region are formed in the source trench 24. 28 and all of the source region 14 are in contact. That is, the polysilicon layer 38 is in contact with the source breakdown voltage holding region 28 on the side surface 25 of the source trench 24, and the first portion 41 in contact with the source region 14 on the side surface 25 and the peripheral portion of the source trench 24 on the surface 9 of the epitaxial layer 8. And a second portion 42 in contact with the drain exposed region 33 on the bottom surface 26 of the source trench 24.
  • the first portion 41 forms an ohmic junction between both the source breakdown voltage holding region 28 and the source region 14.
  • a diffusion potential for example, a pn diode formed by a junction between the channel region 12 and the drain region 13
  • Heterojunction for example, the height of the junction barrier is 1 eV to 1.5 eV
  • a junction barrier smaller than 2.8 eV to 3.2 eV
  • the intermediate layer 39 is a metal layer laminated on the polysilicon layer 38, and is composed of a single layer containing Ti (titanium) or a plurality of layers including a layer containing Ti.
  • the layer containing Ti can be formed using Ti, TiN (titanium nitride), or the like.
  • the thickness of the intermediate layer 39 is, for example, 200 nm to 500 nm.
  • the metal layer 40 is laminated on the intermediate layer 39 and contains, for example, Al (aluminum), Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Mo (molybdenum), alloys thereof, and the like. It can be formed using a metal material.
  • the metal layer 40 is the outermost layer of the source electrode 37.
  • the thickness of the metal layer 40 is, for example, 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the metal layer 40 has a Mo layer. Since Mo has a high melting point, if the Mo layer is included in the metal layer 40, the metal layer 40 can be prevented from being melted by heat generated when a large current flows through the source electrode 37.
  • a drain electrode 44 is formed on the back surface 7 of the substrate 5 so as to cover the entire area.
  • the drain electrode 44 is a common electrode for all the unit cells 21.
  • As the drain electrode 44 for example, a stacked structure (Ti / Ni / Au / Ag) in which Ti, Ni, Au, and Ag are stacked in order from the substrate 5 side can be applied.
  • 3A to 3F are schematic cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the trench gate type MIS transistor shown in FIG. 2, and show a cut surface at the same position as FIG.
  • an n-type impurity for example, N () is formed on the surface 6 (Si surface) of the substrate 5 by an epitaxial growth method such as CVD, LPE, or MBE. SiC crystal is grown while doping nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic) and the like.
  • n - -type epitaxial layer 8 is formed on the substrate 5.
  • p-type impurities for example, Al (aluminum), B (boron), etc.
  • n-type impurities are implanted into the epitaxial layer 8 from the surface 9 of the epitaxial layer 8.
  • the epitaxial layer 8 is heat-treated at 1400 ° C. to 2000 ° C., for example.
  • ions of the p-type impurity and the n-type impurity implanted into the surface layer portion of the epitaxial layer 8 are activated, and the channel region 12, the source region 14, and the guard ring 34 are simultaneously formed according to the implanted locations.
  • a drain region 13 that maintains the state after epitaxial growth is formed in the base layer portion of the epitaxial layer 8.
  • the epitaxial layer 8 is etched using a mask having openings in regions where the gate trench 15 and the source trench 24 are to be formed. Thereby, the epitaxial layer 8 is dry-etched from the surface 9 (Si surface), and the gate trench 15 and the source trench 24 are formed simultaneously. At the same time, a large number of unit cells 21 are formed in the epitaxial layer 8.
  • the etching gas includes, for example, a mixed gas (SF 6 / O 2 gas) containing SF 6 (sulfur hexafluoride) and O 2 (oxygen), SF 6 , O 2, and HBr (hydrogen bromide).
  • a mixed gas (SF 6 / O 2 / HBr gas) can be used.
  • a first resist 45 having an opening exposing the intersection 17 of the gate trench 15 and the edge 32 of the source trench 24 is formed on the epitaxial layer 8.
  • the linear portion 16 of the gate trench 15 and the central portion of the bottom surface 26 of the source trench 24 are covered with the first resist 45.
  • p-type impurities are implanted (implanted) toward the intersection 17 and the source trench 24 of the gate trench 15 exposed from the opening of the first resist 45.
  • the p-type impurity is also implanted into the side faces 18 and 25. It becomes.
  • the linear portion 16 of the gate trench 15 and the central portion of the bottom surface 26 of the source trench 24 are protected by the first resist 45, so that p-type impurities are added to these portions. Injection can be prevented.
  • the epitaxial layer 8 is heat-treated at 1400 ° C. to 2000 ° C., for example.
  • the ions of the p-type impurity implanted into the drain region 13 are activated, and the first region 29 of the gate breakdown voltage holding region 27 and the source breakdown voltage holding region 28 are formed simultaneously.
  • the drain exposed region 33 is formed in the portion of the bottom surface 26 of the source trench 24 that is covered with the first resist 45.
  • a second resist 46 having an opening in a region where the second region 30 of the gate breakdown voltage holding region 27 is to be formed is formed on the epitaxial layer 8.
  • the side surface 18 and the bottom surface 19 of the intersection 17 of the gate trench 15 and the side surface 25 and the bottom surface 26 of the source trench 24 are covered with the second resist 46.
  • p-type impurities are implanted (implanted) toward the linear portion 16 of the gate trench 15 exposed from the opening of the second resist 46.
  • the side surface 18 and the bottom surface 19, and the side surface 25 and the bottom surface 26 are protected by the second resist 46, so that p-type impurity implantation into these portions can be prevented.
  • the epitaxial layer 8 is heat-treated at 1400 ° C. to 2000 ° C., for example. As a result, ions of the p-type impurity implanted into the drain region 13 are activated, and the second region 30 of the gate breakdown voltage holding region 27 is formed.
  • a SiO 2 material is deposited from above the epitaxial layer 8 by a CVD method. Thereby, the gate insulating film 22 is formed.
  • a doped polysilicon material is deposited from above the epitaxial layer 8 by CVD. The deposition of the polysilicon material is continued until at least the gate trench 15 and the source trench 24 are filled. Thereafter, the deposited polysilicon material is etched back until the etch back surface is flush with the surface 9 of the epitaxial layer 8. Subsequently, only the polysilicon material remaining in the source trench 24 is removed by dry etching. Thereby, the gate electrode 23 made of the polysilicon material remaining in the gate trench 15 is formed.
  • SiO 2 material is deposited from above the epitaxial layer 8 by the CVD method.
  • the interlayer insulating film 35 is formed.
  • the interlayer insulating film 35 and the gate insulating film 22 are successively patterned by a known patterning technique. As a result, contact holes 36 are formed in the interlayer insulating film 35 and the gate insulating film 22.
  • a polysilicon material is deposited by CVD until the contact holes 36 are filled.
  • n-type or p-type impurities are implanted into the deposited polysilicon material.
  • the implantation conditions at this time vary depending on the type of impurities, but the acceleration energy is, for example, 10 keV to 100 keV.
  • the MIS transistor 1 shown in FIG. 2 is obtained by forming the intermediate layer 39, the metal layer 40, the drain electrode 44, and the like.
  • the MIS transistor 1 is used as a switching element of a drive circuit (inverter circuit) of an electric motor (an example of an inductive load), for example.
  • a predetermined voltage (gate threshold voltage) is applied to the gate pad 4 while a drain voltage having a positive drain side is applied between the source pad 2 (source electrode 37) and the drain electrode 44 (between the source and drain).
  • the gate trench 15 and the vicinity (for example, the gate trench 15) in the n-type drain region 13. (Side) the majority carrier electrons may recombine with the holes transferred from the p-type channel region 12. Therefore, the SiC crystal defects of the epitaxial layer 8 are expanded in a direction parallel to the stacking direction of the epitaxial layer 8 due to the energy generated by the coupling, and may reach a drain current path (for example, a channel) when turned on. .
  • the MIS transistor 1 performs a switching operation by forming a channel in the vicinity of the side surface 18 of the gate trench 15 in the channel region 12, there is a possibility that the on-resistance increases.
  • the polysilicon layer 38 forms a heterojunction with the drain region 13 (drain exposed region 33). Therefore, current flows preferentially through the heterojunction between the second portion 42 of the polysilicon layer 38 and the drain region 13, and the current flowing through the body diode 43 can be reduced or eliminated.
  • the current flowing through the MIS transistor 1 in this way can be supplied to the electric motor as a return current, for example.
  • the off-state current flows from the second portion 42 of the polysilicon layer 38 formed in the source trench 24 at the center of the unit cell 21 surrounded by the gate trench 15 to the drain region 13. Almost no carrier movement occurs near 15 (that is, between the p-type channel region 12 and the n-type drain region 13). Therefore, recombination of holes and electrons in the drain region 13 can be prevented. As a result, expansion of SiC crystal defects in the epitaxial layer 8 can be suppressed, so that an increase in on-resistance of the transistor 1 can be suppressed.
  • an electric field is applied to the gate insulating film 22 interposed between the gate electrode 23 and the epitaxial layer 8. This electric field is generated due to a potential difference between the gate electrode 23 and the epitaxial layer 8.
  • an equipotential surface with a very high potential is distributed with the gate electrode 23 as a reference (0 V), and an interval between the equipotential surfaces is small, so that a very large electric field is generated.
  • the drain voltage is 900 V
  • an equipotential surface of 900 V is distributed near the back surface 7 of the substrate 5 in contact with the drain electrode 44, and the voltage increases from the back surface 7 of the substrate 5 toward the surface 9 of the epitaxial layer 8.
  • the distance D 1 (see the AA cross section in FIG. 2) of the source trenches 24 adjacent to each other on the diagonal line of the intersecting portion 17 of the gate trench 15 is set so as to sandwich the linear portion 16 of the gate trench 15. It becomes larger than the distance D 2 (see the BB cross section in FIG. 2) between the adjacent source trenches 24 (for example, in the first embodiment, D 1 is 1.4 times D 2 ). Therefore, an equipotential surface enters directly under the corner edge portion 31 of the gate trench 15 having a relatively wide space, and the equipotential surfaces are densely formed. As a result, the dielectric breakdown of the gate insulating film 22 is particularly likely to occur near the corner edge portion 31 of the gate trench 15.
  • the gate breakdown voltage holding region 27 (first region 29) is formed at the corner edge portion 31 of the gate trench 15.
  • the body diode 48 can be formed in the vicinity of the corner edge portion 31 of the gate trench 15 by the junction (pn junction) between the first region 29 and the drain region 13.
  • a source breakdown voltage holding region 28 is formed at the edge portion 32 of the source trench 24 formed in the center portion of each unit cell 21. Therefore, an annular body diode 49 surrounding the edge portion 32 of the source trench 24 can be formed by the junction (pn junction) between the source breakdown voltage holding region 28 and the drain region 13.
  • the presence of the depletion layer generated in these body diodes 48 and 49 can prevent an equipotential surface from entering between the corner edge portion 31 of the gate trench 15 and the edge portion 32 of the source trench 24, and the gate insulating film 22. Can be kept away from As a result, crowding of equipotential surfaces in the vicinity of the corner edge portion 31 of the gate trench 15 can be prevented. As a result, since the electric field applied to the gate insulating film 22 can be reduced, dielectric breakdown can be suppressed. In addition, since the concentration of the first region 29 is higher than the concentration of the drain region 13, the depletion layer generated by the junction (pn junction) between the first region 29 and the drain region 13 is prevented from spreading too much into the epitaxial layer 8. be able to.
  • the first region 29 is formed so as to reach the channel region 12 immediately above the corner edge portion 31 through the corner edge portion 31, but the channel is formed in the corner portion 20 of the unit cell 21. It is not formed or even if it is formed, the current flowing through the channel is very small. Therefore, by forming the gate breakdown voltage holding region 27 (first region 29) so as to reach the portion immediately above the corner edge 31 in the channel region 12, the performance of the gate insulating film 22 is hardly affected. The destruction prevention effect can be further improved.
  • a gate breakdown voltage holding region 27 (second region 30) having a width narrower than the width of the linear portion 16 is formed in the linear portion 16 of the gate trench 15.
  • a depletion layer generated by the junction (pn junction) between the second region 30 and the drain region 13 can be generated along the linear portion 16 of the gate trench 15. Therefore, the electric field generated immediately below the linear portion 16 of the gate trench 15 can be relaxed by the depletion layer. As a result, the electric field generated in the gate insulating film 22 can be alleviated uniformly.
  • the gate breakdown voltage holding region 27 (second region 30) is not formed on the side surface 18 of the linear portion 16 of the gate trench 15 (that is, the portion where the channel is formed in the unit cell 21). Therefore, the channel characteristics can be controlled with high accuracy. Further, the concentration of the second region 30 is higher than the concentration of the first region 29, and the thickness T 2 of the second region 30 is smaller than the thickness T 1 of the first region 29 (T 1 > T 2 ). Therefore, an increase in channel resistance can be prevented.
  • the gate breakdown voltage holding region 27 and the source breakdown voltage holding region 28 can be formed simultaneously.
  • the structure of the MIS transistor 1 for preventing the dielectric breakdown of the gate insulating film 22 can be easily manufactured.
  • the drain exposed region 33 protrudes from the central portion of the bottom surface 26 of the source trench 24 to a position flush with the surface 9 of the epitaxial layer 8 as in the MIS transistor 47 of FIG. parts may have a step S 1 between the (different other parts than the central portion).
  • Such a configuration can be obtained, for example, by forming the source trench 24 in a ring shape in the step shown in FIG. 3B.
  • FIGS. 5A and 5B are schematic plan views of a planar gate type MIS transistor according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A is an overall view, and FIG. Each enlarged view is shown.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the planar gate type MIS transistor shown in FIGS. 5A and 5B, and shows cross sections taken along section lines CC and DD in FIG. 5B, respectively.
  • the MIS transistor 51 is a planar gate type DMISFET adopting SiC, and has, for example, a square chip shape in plan view as shown in FIG.
  • Each of the chip-like MIS transistors 51 has a length of about several millimeters in the vertical and horizontal directions on the paper surface of FIG.
  • a source pad 52 is formed on the surface of the MIS transistor 51.
  • the source pad 52 has a substantially square shape in plan view with four corners curved outward, and is formed so as to cover almost the entire surface of the MIS transistor 51.
  • the source pad 52 has a removal region 53 near the center of one side.
  • the removal region 53 is a region where the source pad 52 is not formed.
  • the MIS transistor 51 includes a substrate 55 made of SiC of n + type (for example, the concentration is 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 21 cm ⁇ 3 ).
  • the substrate 55 functions as the drain of the MIS transistor 51, and its front surface 56 (upper surface) is a Si surface and its rear surface 57 (lower surface) is a C surface.
  • an epitaxial layer 58 made of SiC having an n ⁇ type (for example, concentration of 1 ⁇ 10 15 to 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 ) having a lower concentration than that of the substrate 55 is laminated.
  • the thickness of the epitaxial layer 58 as a semiconductor layer is, for example, 1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the epitaxial layer 58 is formed on the substrate 55 by so-called epitaxial growth.
  • the epitaxial layer 58 formed on the surface 56 that is the Si surface is grown with the Si surface as the main growth surface. Therefore, the surface 59 of the epitaxial layer 58 formed by the growth is a Si surface, like the surface 56 of the substrate 55.
  • the MIS transistor 51 includes an active region 60 that is disposed in the center of the epitaxial layer 58 in plan view and functions as the MIS transistor 51, and a transistor peripheral region 61 that surrounds the active region 60. Is formed.
  • a p-type (for example, a concentration of 1.0 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 to 1.0 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ) channel region 62 is formed in the row direction and on the surface layer of the epitaxial layer 58. A large number are arranged in a matrix (matrix) at a constant pitch in the column direction.
  • Each channel region 62 has a square shape in plan view. For example, the length in the vertical and horizontal directions on the paper surface of FIG. 5B is about 7.2 ⁇ m.
  • the region on the substrate 55 side with respect to the channel region 62 in the epitaxial layer 58 is an n ⁇ -type drain region 63 that is maintained as it is after epitaxial growth.
  • an n + -type (for example, concentration of 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 21 cm ⁇ 3 ) source region 64 is formed in almost the entire region on the surface 59 side.
  • the region between the channel regions 62 arranged in a matrix at a constant pitch has a lattice shape having a constant (for example, 2.8 ⁇ m) width.
  • the inter-channel region 65 includes a linear portion 66 extending linearly in each of the row direction and the column direction along the four side surfaces of each channel region 62 between the adjacent channel regions 62, and It includes an intersecting portion 67 where the linear portion 66 extending in the row direction intersects with the linear portion 66 extending in the column direction.
  • the intersecting portion 67 is surrounded by the corners inside the four arranged channel regions 62, and is defined by the extended lines of the four sides of the channel region 62. This is a square portion in plan view.
  • each unit cell 71 has, for example, a length of about 10 ⁇ m in the vertical and horizontal directions on the paper surface of FIG.
  • the depth direction of the channel region 62 is the gate length direction
  • the circumferential direction of the channel region 62 orthogonal to the gate length direction is the gate width direction.
  • a lattice-like gate insulating film 72 is formed along the interchannel region 65.
  • the gate insulating film 72 straddles between adjacent channel regions 62 and covers a portion surrounding the source region 64 in the channel region 62 (periphery of the channel region 62) and the outer periphery of the source region 64.
  • the gate insulating film 72 is made of SiO 2 and has a thickness of about 400 mm and is almost uniform.
  • a gate electrode 73 is formed on the gate insulating film 72.
  • the gate electrode 73 is formed in a lattice shape along the lattice-shaped gate insulating film 72, and faces the peripheral portion of each channel region 62 with the gate insulating film 72 interposed therebetween.
  • the gate electrode 73 is made of polysilicon and, for example, is doped with an n-type impurity at a high concentration.
  • the thickness of the gate electrode 73 is about 6000 mm, for example.
  • a source trench 74 having a square shape in plan view is formed from the surface 59 of the epitaxial layer 58 through the source region 64 and the channel region 62 to reach the drain region 63.
  • the source trench 74 has a U-shaped cross section in which a side surface 75 and a bottom surface 76 facing each other are continuous via a curved surface.
  • the epitaxial layer 58 includes a p-type gate breakdown voltage holding region 77 and a source breakdown voltage holding region 78 as a first breakdown voltage holding region, which are formed by implanting p-type impurities into the epitaxial layer 58. Yes.
  • the gate breakdown voltage holding region 77 is formed along the lattice-shaped inter-channel region 65, and the first region 79 as the fourth breakdown voltage holding region formed at the intersection 67 of the inter-channel region 65 and the inter-channel region. It integrally includes a second region 80 as a fifth breakdown voltage holding region formed in the 65 linear portions 66.
  • the first region 79 is formed so as to reach the corner portion 81 of the channel region 62 formed at each corner portion 70 of the four unit cells 71 facing the intersecting portion 67. That is, the first region 79 is formed in a square shape slightly larger than the intersecting portion 67 of the inter-channel region 65 in plan view, and each corner of each of the four unit cells 71 facing the intersecting portion 67 is formed. It enters into each corner 70.
  • the concentration of the first region 79 is not less than the concentration of the channel region 62 and higher than the concentration of the drain region 63, for example, 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 . Further, the thickness T 4 along the direction from the surface 59 of the epitaxial layer 58 to the substrate 55 in the first region 79 is, for example, about 0.8 ⁇ m.
  • the second region 80 is formed in a straight line having a constant width that connects the centers of the sides of the intersecting portions 67 adjacent to each other in plan view, and is narrower than the width (for example, 3.0 ⁇ m) of the linear portion 66 ( For example, 1.5 ⁇ m).
  • the concentration of the second region 80 is higher than that of the channel region 62 and higher than that of the first region 79, for example, 2 ⁇ 10 18 to 2 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 .
  • the thickness T 5 along the direction from the surface 59 of the epitaxial layer 58 to the substrate 55 in the second region 80 is equal to or less than the thickness T 4 of the first region 79 (that is, T 4 ⁇ T 5 ).
  • the source breakdown voltage holding region 78 has an edge portion 82 of the source trench 74 where the bottom surface 76 and the side surface 75 intersect so that the bottom surface 76 of the source trench 74 is exposed, and a part of the side surface 75 of the source trench 74 from the edge portion 82.
  • the channel region 62 is formed so as to reach the channel region 62.
  • a drain exposed region 83 having a square shape in plan view and formed of a part of the drain region 63 is formed at the center of the bottom surface 76 of the source trench 74.
  • the concentration of the source breakdown voltage holding region 78 is the same as that of the first region 79 of the gate breakdown voltage holding region 77 (for example, 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ).
  • the thickness T 6 along the direction from the bottom surface of the source trench 74 to the substrate 55 in the source breakdown voltage holding region 78 is, for example, about 0.8 ⁇ m, and the deepest portion of the source breakdown voltage holding region 78 is the gate breakdown voltage holding region.
  • 77 (first region 79 and second region 80) is deeper than the deepest part.
  • a p-type guard ring 84 is provided on the surface layer portion of the epitaxial layer 58 at a distance from the active region 60 so as to surround the unit cells 71 (active regions 60) arranged in a matrix. Are formed (four in the second embodiment). These guard rings 84 can be formed by the same ion implantation step as the step of forming the p-type channel region 62.
  • Each guard ring 84 is formed in a square shape in plan view along the outer periphery of the MIS transistor 51 in plan view.
  • An interlayer insulating film 85 made of SiO 2 is laminated on the epitaxial layer 58 so as to cover the gate electrode 73.
  • a contact hole 86 having a diameter larger than that of the source trench 74 is formed in the interlayer insulating film 85 and the gate insulating film 72.
  • a source electrode 87 is formed on the interlayer insulating film 85.
  • the source electrode 87 enters the source trenches 74 of all the unit cells 71 through the contact holes 86 all together, and in each unit cell 71, the drain exposed region 83, the source It is in contact with the breakdown voltage holding region 78, the channel region 62 and the source region 64. That is, the source electrode 87 is a wiring common to all the unit cells 71.
  • An interlayer insulating film (not shown) is formed on the source electrode 87, and the source electrode 87 is connected to the source pad 52 (see FIG. 5A) via the interlayer insulating film (not shown). ) Is electrically connected.
  • the gate pad 54 (see FIG. 5A) is electrically connected to the gate electrode 73 via a gate wiring (not shown) routed on the interlayer insulating film (not shown). ing.
  • the source electrode 87 includes a polysilicon layer 88, an intermediate layer 89, and a metal layer 90 as barrier forming layers in order from the contact side with the epitaxial layer 58.
  • the polysilicon layer 88 is a doped layer formed using doped polysilicon doped with impurities, and is, for example, 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 or more, preferably 1 ⁇ 10 19 to 1 ⁇ 10 21 cm. This is a heavily doped layer doped with impurities at a high concentration of ⁇ 3 .
  • Impurities when forming the polysilicon layer 88 as a doped layer include n-type impurities such as N (nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic), Al (aluminum), B A p-type impurity such as (boron) can be used. Further, the thickness of the polysilicon layer 88 is, for example, 5000 to 10,000 mm.
  • the polysilicon layer 88 is formed so as to cover the entire surface of the unit cell 71 exposed in the contact hole 86, and the drain exposed region 83 and the source breakdown voltage holding region in the source trench 74. 78 and all of the source region 64 are in contact. That is, the polysilicon layer 88 is in contact with the source breakdown voltage holding region 78 on the side surface 75 of the source trench 74, and the first portion 91 in contact with the source region 64 on the side surface 75 and the peripheral portion of the source trench 74 on the surface 59 of the epitaxial layer 58. And a second portion 92 in contact with the drain exposed region 83 at the bottom surface 76 of the source trench 74.
  • the first portion 91 forms an ohmic junction between both the source breakdown voltage holding region 78 and the source region 64.
  • the diffusion potential of body diode 93 (pn diode formed by the junction of source breakdown voltage holding region 78 and drain region 63) inherent in MIS transistor 51 is between second portion 92 and drain exposed region 83.
  • a heterojunction (for example, the height of the junction barrier is 1 eV to 1.5 eV) having a junction barrier smaller than (for example, 2.8 eV to 3.2 eV) is formed.
  • the intermediate layer 89 is a metal layer stacked on the polysilicon layer 88, and includes a single layer containing Ti (titanium) or a plurality of layers including a layer containing Ti.
  • the layer containing Ti can be formed using Ti, TiN (titanium nitride), or the like. Further, the thickness of the intermediate layer 89 is, for example, 200 nm to 500 nm.
  • the metal layer 90 is laminated on the intermediate layer 89 and contains, for example, Al (aluminum), Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Mo (molybdenum), alloys thereof, and the like. It can be formed using a metal material.
  • the metal layer 90 is the outermost layer of the source electrode 87.
  • the thickness of the metal layer 90 is, for example, 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the metal layer 90 As a combination of the polysilicon layer 88, the intermediate layer 89, and the metal layer 90 as described above, in the second embodiment, Poly-Si (polysilicon layer 88), Ti (intermediate layer 89), TiN (intermediate layer 89) And a laminated structure (Poly-Si / Ti / TiN / Al) in which Al (metal layer 90) is sequentially laminated.
  • the metal layer 90 preferably has a Mo layer. Since Mo has a high melting point, if the Mo layer is included in the metal layer 90, melting of the metal layer 90 due to heat generated when a large current flows through the source electrode 87 can be suppressed.
  • a drain electrode 94 is formed on the back surface 57 of the substrate 55 so as to cover the entire area.
  • the drain electrode 94 is a common electrode for all the unit cells 71.
  • As the drain electrode 94 for example, a stacked structure (Ti / Ni / Au / Ag) in which Ti, Ni, Au, and Ag are stacked in this order from the substrate 55 side can be applied.
  • 7A to 7F are schematic cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the planar gate type MIS transistor shown in FIG. 6, and show a cut surface at the same position as FIG.
  • an n-type impurity for example, N () is formed on the surface 56 (Si surface) of the substrate 55 by an epitaxial growth method such as a CVD method, an LPE method, or an MBE method. SiC crystal is grown while doping nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic) and the like. As a result, an n ⁇ type epitaxial layer 58 is formed on the substrate 55.
  • p-type impurities for example, Al (aluminum), B (boron), etc.
  • n-type impurities are implanted into the epitaxial layer 58 from the surface 59 of the epitaxial layer 58.
  • the epitaxial layer 58 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C.
  • ions of the p-type impurity and the n-type impurity implanted into the surface layer portion of the epitaxial layer 58 are activated, and the channel region 62, the source region 64, and the guard ring 84 are simultaneously formed according to the implanted locations.
  • a drain region 63 that maintains the state after epitaxial growth is formed in the base layer portion of the epitaxial layer 58.
  • the inter-channel region 65 is formed at the same time, and a large number of unit cells 71 are formed in the epitaxial layer 58.
  • the epitaxial layer 58 is etched using a mask having an opening in the region where the source trench 74 is to be formed. Thereby, the epitaxial layer 58 is dry-etched from the surface 59 (Si surface), and the source trench 74 is formed.
  • the etching gas includes, for example, a mixed gas (SF 6 / O 2 gas) containing SF 6 (sulfur hexafluoride) and O 2 (oxygen), SF 6 , O 2, and HBr (hydrogen bromide).
  • SF 6 / O 2 gas containing SF 6 (sulfur hexafluoride) and O 2 (oxygen), SF 6 , O 2, and HBr (hydrogen bromide).
  • a mixed gas SF 6 / O 2 / HBr gas
  • a first resist 95 having an opening exposing the crossing portion 67 of the inter-channel region 65 and the edge portion 82 of the source trench 74 is formed on the epitaxial layer 58.
  • the linear portion 66 of the inter-channel region 65 and the central portion of the bottom surface 76 of the source trench 74 are covered with the first resist 95.
  • the epitaxial layer 58 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C.
  • ions of the p-type impurity implanted into the drain region 63 are activated, and the first region 79 of the gate breakdown voltage holding region 77 and the source breakdown voltage holding region 78 are simultaneously formed. Further, a drain exposed region 83 is formed in a portion of the bottom surface 76 of the source trench 74 that is covered with the first resist 95.
  • a second resist 96 having an opening in a region where the second region 80 of the gate breakdown voltage holding region 77 is to be formed is formed on the epitaxial layer 58.
  • the intersecting portion 67 of the inter-channel region 65 and the side surface 75 and the bottom surface 76 of the source trench 74 are covered with the second resist 96.
  • a p-type impurity is implanted (implanted) toward the linear portion 66 of the inter-channel region 65 exposed from the opening of the second resist 96.
  • the intersecting portion 67 of the inter-channel region 65, the side surface 75, and the bottom surface 76 are protected by the second resist 96, so that p-type impurity implantation into these portions can be prevented.
  • the epitaxial layer 58 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C. As a result, ions of the p-type impurity implanted into the drain region 63 are activated, and the second region 80 of the gate breakdown voltage holding region 77 is formed.
  • a SiO 2 material is deposited from above the epitaxial layer 58 by a CVD method. Thereby, the gate insulating film 72 is formed. Subsequently, a doped polysilicon material is deposited from above the epitaxial layer 58 by CVD. Thereafter, the deposited polysilicon material is patterned by a known patterning technique, whereby the gate electrode 73 is formed.
  • a SiO 2 material is deposited from above the epitaxial layer 58 by a CVD method.
  • an interlayer insulating film 85 is formed.
  • the interlayer insulating film 85 and the gate insulating film 72 are successively patterned by a known patterning technique. As a result, contact holes 86 are formed in the interlayer insulating film 85 and the gate insulating film 72.
  • a polysilicon material is deposited by CVD until the contact hole 86 is filled.
  • n-type or p-type impurities are implanted into the deposited polysilicon material.
  • the implantation conditions at this time vary depending on the type of impurities, but the acceleration energy is, for example, 10 keV to 100 keV.
  • the intermediate layer 89, the metal layer 90, the drain electrode 94, and the like are formed, whereby the MIS transistor 51 shown in FIG. 6 is obtained.
  • the same operational effects as those of the MIS transistor 1 of the first embodiment described above can be exhibited. That is, in the second embodiment, the polysilicon layer 88 forms a heterojunction with the drain region 63 (drain exposed region 83). Therefore, when a back electromotive force is applied between the source and the drain, a current flows preferentially through the heterojunction between the second portion 92 of the polysilicon layer 88 and the drain region 63, and the current flowing through the body diode 93 is reduced. Or can be eliminated.
  • the current flowing through the MIS transistor 51 in this way can be supplied to the electric motor as a return current, for example.
  • the off-state current flows from the second portion 92 of the polysilicon layer 88 formed in the source trench 74 in the center of the unit cell 71 surrounded by the inter-channel region 65 to the drain region 63, so that the channel Almost no carrier movement occurs in the vicinity of the inter-region 65 (that is, between the p-type channel region 62 and the n-type drain region 63). Therefore, recombination of holes and electrons in the drain region 63 can be prevented. As a result, expansion of SiC crystal defects in the epitaxial layer 58 can be suppressed, so that an increase in on-resistance of the transistor 51 can be suppressed.
  • the inter-channel region 65 is formed in a lattice shape as in the second embodiment, and the window portion of the lattice-shaped inter-channel region 65 is formed.
  • the dielectric breakdown of the gate insulating film 72 occurs particularly in the vicinity of the corner portions 81 of the channel regions 62 formed at the respective corner portions 70 of the unit cells 71.
  • D 4 is 1.4 times D 4 . Therefore, an equipotential surface enters immediately below the corner portion 81 of the channel region 62 having a relatively wide space, and the equipotential surfaces are densely formed. As a result, the dielectric breakdown of the gate insulating film 72 is particularly likely to occur near the corner portion 81 of the channel region 62.
  • the gate breakdown voltage holding region 77 (first region 79) is formed at the corner portion 81 of the channel region 62.
  • the body diode 98 can be formed in the vicinity of the corner portion 81 of the channel region 62 by the junction (pn junction) between the first region 79 and the drain region 63.
  • a source breakdown voltage holding region 78 is formed at the edge portion 82 of the source trench 74 formed in the central portion of each unit cell 71. Therefore, an annular body diode 99 surrounding the edge portion 82 of the source trench 74 can be formed by the junction (pn junction) between the source breakdown voltage holding region 78 and the drain region 63.
  • the presence of the depletion layer generated in these body diodes 98 and 99 can prevent an equipotential surface from entering between the corner portion 81 of the channel region 62 and the edge portion 82 of the source trench 74. You can keep away. As a result, crowding of equipotential surfaces in the vicinity of the corner portion 81 of the channel region 62 can be prevented. As a result, the electric field applied to the gate insulating film 72 can be reduced, so that dielectric breakdown can be suppressed.
  • the concentration of the first region 79 is higher than the concentration of the drain region 63, the depletion layer generated by the junction (pn junction) between the first region 79 and the drain region 63 is prevented from spreading too much into the epitaxial layer 58. be able to.
  • a gate breakdown voltage holding region 77 (second region 80) having a width narrower than the width of the linear portion 66 is formed in the linear portion 66 of the inter-channel region 65. Accordingly, a depletion layer generated by the junction (pn junction) between the second region 80 and the drain region 63 can be generated along the linear portion 66 of the inter-channel region 65. Therefore, an electric field generated immediately below the linear portion 66 of the inter-channel region 65 can be relaxed by the depletion layer. As a result, the electric field generated in the gate insulating film 72 can be alleviated uniformly.
  • the gate breakdown voltage holding region 77 (second region 80) is not formed in the peripheral portion of the channel region 62 (that is, the portion where the channel is formed in the unit cell 71). Therefore, the channel characteristics can be controlled with high accuracy.
  • the drain exposed region 83 protrudes from the center of the bottom surface 76 of the source trench 74 to a position flush with the surface 59 of the epitaxial layer 58 as in the MIS transistor 97 of FIG. parts may have a step S 2 between the (different other parts than the central portion).
  • Such a configuration can be obtained, for example, by forming the source trench 74 annularly in the step shown in FIG. 7B.
  • FIGS. 9A and 9B are schematic plan views of a trench gate type MIS transistor 101 according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9A is an overall view, and FIG. Each internal enlarged view is shown.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the trench gate type MIS transistor 101 of FIGS. 9A and 9B, and shows cross sections along the cutting lines EE, FF, and GG of FIG. 9B. Each is shown.
  • the MIS transistor 101 is a trench gate type DMISFET (Double-diffused Metal-Insulator-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) employing SiC, and has, for example, a square chip shape in plan view as shown in FIG.
  • the chip-like MIS transistor 101 has a length of about several millimeters in the vertical and horizontal directions on the paper surface of FIG.
  • a source pad 102 is formed on the surface of the MIS transistor 101.
  • the source pad 102 has a substantially square shape in plan view with four corners curved outward, and is formed so as to cover almost the entire surface of the MIS transistor 101.
  • the source pad 102 has a removal region 103 near the center of one side. This removal region 103 is a region where the source pad 102 is not formed.
  • the MIS transistor 101 includes a substrate 105 made of SiC of n + type (for example, the concentration is 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 21 cm ⁇ 3 ).
  • the substrate 105 functions as the drain of the MIS transistor 101, and the front surface 106 (upper surface) is a Si surface and the rear surface 107 (lower surface) is a C surface.
  • an epitaxial layer 108 made of SiC having an n ⁇ type (for example, concentration of 1 ⁇ 10 15 to 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 ) having a lower concentration than that of the substrate 105 is laminated.
  • the thickness of the epitaxial layer 108 as a semiconductor layer is, for example, 1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the epitaxial layer 108 is formed on the substrate 105 by so-called epitaxial growth.
  • the epitaxial layer 108 formed on the surface which is the Si surface is grown using the Si surface as a growth main surface. Therefore, the surface 109 of the epitaxial layer 108 formed by growth is a Si surface, like the surface 106 of the substrate 105.
  • the MIS transistor 101 is arranged in the center of the epitaxial layer 108 in plan view, and functions as the MIS transistor 101, and a transistor peripheral region 111 surrounding the active region 110. Is formed.
  • gate trenches 112 are formed in the epitaxial layer 108 in a lattice pattern (see FIG. 9B). By this gate trench 112, the epitaxial layer 108 is partitioned into a plurality of cells 113 each having a square shape (square shape).
  • the plurality of cells 113 includes a Schottky cell 114 and a pn diode cell 115 having a relatively smaller planar area than the Schottky cell 114.
  • the Schottky cell 114 has an area corresponding to four of the pn diode cells 115, and the length of one side of the Schottky cell 114 corresponds to twice the length of one side of the pn diode cell 115.
  • the size of the pn diode cell 115 is about 6 ⁇ m in the vertical and horizontal directions on the paper surface of FIG. 9B, and the size of the Schottky cell 114 is the length in the same direction. Each is about 12 ⁇ m.
  • One Schottky cell 114 and a plurality of pn diode cells 115 (12 pn diode cells 115 in this embodiment) surrounding the Schottky cell 114 constitute one cell group.
  • Cell groups are further arranged in a matrix.
  • the pn diode cell 115 is shared. That is, the pn diode cell 115 surrounding the Schottky cell 114 of a certain cell group is also used as the pn diode cell 115 surrounding the Schottky cell 114 of the cell group adjacent to the cell group.
  • the epitaxial layer 108 has n + -type (for example, a concentration of 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 10 in order from the front surface 109 side to the back surface 116 side. 21 cm ⁇ 3 ) source region 117, p-type (for example, concentration of 1.0 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 to 1.0 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ) channel region 118 and drain region 119.
  • n + -type for example, a concentration of 1 ⁇ 10 18 to 1 ⁇ 10 10 in order from the front surface 109 side to the back surface 116 side. 21 cm ⁇ 3
  • p-type for example, concentration of 1.0 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 to 1.0 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3
  • the drain region 119 is an n ⁇ -type region in which the state after the epitaxial growth is maintained, and is integrally connected at the bottom of all the cells 113 and shared between them. That is, the gate trench 112 defines the cells 113 such that the source region 117 and the channel region 118 are exposed to the side surface 124 and the deepest portion is located in the middle of the drain region 119.
  • Such a gate trench 112 includes a linear portion 120 extending linearly in the row direction and the column direction along the four side surfaces of each cell 113 between adjacent cells 113 and a line extending in the row direction.
  • intersect is included.
  • a gate insulating film 122 is formed on the inner surface of the gate trench 112 so as to cover the entire area. In the gate insulating film 122, the portion on the bottom surface 123 of the gate trench 112 is thicker than the portion on the side surface 124 of the gate trench 112.
  • the gate electrode 125 is embedded in the gate trench 112 by filling the inside of the gate insulating film 122 in the gate trench 112 with polysilicon.
  • the source region 117 and the drain region 119 are arranged apart from each other via the channel region 118 in the vertical direction perpendicular to the surface 109 of the epitaxial layer 108.
  • a vertical MIS transistor 101 structure (first and second MIS transistor structures) is configured.
  • an HD source trench 126 as a second source trench having a square shape in plan view, reaching the drain region 119 from the surface 109 of the epitaxial layer 108 through the source region 117 and the channel region 118. It is formed (see the FF cross section and the GG cross section in FIG. 9B and FIG. 10).
  • the depth of the HD source trench 126 is the same as that of the gate trench 112.
  • a p-type (for example, concentration of 1 ⁇ 10 17 to 9 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ) HD breakdown voltage holding region 127 (second breakdown voltage holding region) is formed.
  • the HD withstand voltage holding region 127 is formed by intersecting the bottom surface 128 and the side surface 129 of the HD source trench 126, and the annular edge portion 130 surrounding the bottom surface 128 and the side surface 129 of the HD source trench 126 from the edge portion 130.
  • An annular shape reaching the exposed channel region 118 is formed.
  • a square-shaped Schottky region 131 in plan view made of a part of the drain region 119 is formed at the center of the bottom surface 128 of the HD source trench 126 surrounded by the HD breakdown voltage holding region 127.
  • the Schottky region 131 is formed with an area where a depletion layer generated from the pn junction (body diode 132) between the Schottky region 131 and the HD breakdown voltage holding region 127 is not connected.
  • the length L 1 of one side thereof Is 4 ⁇ m or more.
  • a Di source trench serving as a first source trench having a square shape in plan view reaching the drain region 119 from the surface 109 of the epitaxial layer 108 through the source region 117 and the channel region 118.
  • 133 is formed (see the EE cross section and the GG cross section in FIG. 9B and FIG. 10).
  • the depth of the Di source trench 133 is the same as that of the gate trench 112.
  • the area of Di source trenches 133, smaller than the Schottky region 131, the length L 2 of one side is about 3 [mu] m.
  • Di breakdown voltage holding region 134 (first breakdown voltage holding region) is formed.
  • the Di withstand voltage holding region 134 is formed on the entire bottom surface 135 of the Di source trench 133, and is further formed by intersecting the bottom surface 135 and the side surface 136. To the channel region 118 exposed on the side surface 136 of the Di source trench 133.
  • the Di source trench 133 has a p + type (for example, a concentration of 1.0 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 to 2.0 ⁇ 10 21) on the surface layer portion of the Di breakdown voltage holding region 134 at the center of the bottom surface 135. cm ⁇ 3 ) bottom channel contact region 138 is formed.
  • a contact can be made (electrically connected) to the channel region 118 of the pn diode cell 115 via the Di breakdown voltage holding region 134.
  • the pn diode cell 115 is formed by a pn junction between the Di breakdown voltage holding region 134 and the drain region 119, and serves as a bottom channel as a contact on the anode side.
  • a body diode 139 having a contact region 138 and having a substrate 105 as a cathode side contact is incorporated.
  • a G breakdown voltage holding region 140 (relay region) is formed at each intersection 121 of the gate trench 112 that partitions the plurality of cells 113.
  • the G withstand voltage holding region 140 is formed on the entire bottom surface 123 of the gate trench 112 at the intersection 121 and is further formed below the corners of the cells 113 facing the intersection 121 from the bottom 123.
  • the corner edge portion 141 is formed so as to reach the channel region 118 immediately above the corner edge portion 141.
  • the G breakdown voltage holding region 140 is formed in a square shape slightly larger than the intersection 121 of the gate trench 112 in plan view, and each corner of each cell 113 facing the intersection 121 is provided. In each.
  • the concentration of the G breakdown voltage holding region 140 is higher than that of the channel region 118 and higher than that of the drain region 119, for example, 1 ⁇ 10 17 to 9 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 .
  • a plurality of p-type guard rings 142 are formed in the surface layer portion of the epitaxial layer 108 so as to surround the active region 110 and spaced from the active region 110.
  • These guard rings 142 can be formed by the same ion implantation step as the step of forming the p-type channel region 118.
  • Each guard ring 142 is formed in a square ring shape in plan view along the outer periphery of the MIS transistor 101 in plan view.
  • An interlayer insulating film 143 made of SiO 2 is laminated on the epitaxial layer 108 so as to cover the gate electrode 125.
  • contact holes 144 and 145 having larger diameters than the HD source trench 126 and the Di source trench 133 are formed.
  • a source electrode 146 is formed on the interlayer insulating film 143.
  • the source electrode 146 enters all the HD source trenches 126 and the Di source trenches 133 through the contact holes 144 and 145 at the same time.
  • the source electrode 146 is in contact with the Schottky region 131, the HD withstand voltage holding region 127, and the source region 117 in order from the bottom side of the HD source trench 126.
  • the bottom channel contact region 138, the Di breakdown voltage holding region 134 and the source region 117 are in contact with each other in order from the bottom side of the Di source trench 133. That is, the source electrode 146 is a common wiring for all the cells 113.
  • An interlayer insulating film 143 (not shown) is formed on the source electrode 146, and the source electrode 146 is connected to the source pad 102 (FIG. 9A) via the interlayer insulating film 143 (not shown). ))) Is electrically connected.
  • the gate pad 104 (see FIG. 9A) is electrically connected to the gate electrode 125 through a gate wiring (not shown) routed on the interlayer insulating film 143 (not shown). Has been.
  • the source electrode 146 has a polysilicon layer 147, an intermediate layer 148, and a metal layer 149 as a barrier forming layer in order from the contact side with the epitaxial layer.
  • the polysilicon layer 147 is a doped layer formed using doped polysilicon doped with impurities, and is, for example, 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 or more, preferably 1 ⁇ 10 19 to 1 ⁇ 10 21 cm. This is a heavily doped layer doped with impurities at a high concentration of ⁇ 3 .
  • Impurities when forming the polysilicon layer 147 as a doped layer include n-type impurities such as N (nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic), Al (aluminum), B A p-type impurity such as (boron) can be used. Further, the thickness of the polysilicon layer 147 is, for example, 5000 mm to 10,000 mm.
  • the polysilicon layer 147 is formed so as to cover the entire surface of the cell 113 exposed in the contact holes 144 and 145, and the Schottky region 131 and the HD breakdown voltage are formed in the HD source trench 126. All of the holding region 127 and the source region 117 are in contact with all of the bottom channel contact region 138, the Di withstand voltage holding region 134 and the source region 117 in the Di source trench 133.
  • the polysilicon layer 147 forms a Schottky junction with the source region 117 in the Schottky cell 114.
  • the polysilicon layer 147 is formed between the Schottky region 131 and the body diode 150 (the pn junction between the channel region 118 and the drain region 119) incorporated in the Schottky cell 114 and the pn diode cell 115, respectively.
  • the heterojunction for example, the height of the junction barrier is 1 eV to 1.5 eV
  • having a junction barrier smaller than the diffusion potential (for example, 2.8 eV to 3.2 eV) of the diode is formed.
  • a heterojunction diode 151 (HD) is formed between the source electrode 146 and the Schottky region 131.
  • the polysilicon layer 147 forms an ohmic contact between the bottom channel contact region 138 and the source region 117 in the pn diode cell 115.
  • the intermediate layer 148 is a metal layer 149 laminated on the polysilicon layer 147, and is composed of a single layer containing Ti (titanium) or a plurality of layers including a layer containing Ti.
  • the layer containing Ti can be formed using Ti, TiN (titanium nitride), or the like. Further, the thickness of the intermediate layer 148 is, for example, 200 nm to 500 nm.
  • the metal layer 149 is laminated on the intermediate layer 148 and contains, for example, Al (aluminum), Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Mo (molybdenum), alloys thereof, and the like. It can be formed using a metal material.
  • the metal layer 149 is the outermost layer of the source electrode 146.
  • the thickness of the metal layer 149 is, for example, 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • polysilicon polysilicon layer 147
  • Ti intermediate layer 148
  • TiN intermediate layer 1448
  • It is a laminated structure (polysilicon / Ti / TiN / Al) in which Al (metal layer 149) is sequentially laminated.
  • the metal layer 149 preferably has a Mo layer. Since Mo has a high melting point, if the Mo layer is included in the metal layer 149, the metal layer 149 can be prevented from being melted by heat generated when a large current flows through the source electrode 146.
  • a drain electrode 152 is formed on the back surface 107 of the substrate 105 so as to cover the entire area.
  • the drain electrode 152 is a common electrode for all the cells 113.
  • As the drain electrode 152 for example, a stacked structure (Ti / Ni / Au / Ag) in which Ti, Ni, Au, and Ag are stacked in this order from the substrate 105 side can be applied.
  • 11A to 11F are schematic cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the trench gate type MIS transistor 101 in FIG.
  • an n-type impurity for example, N () is formed on the surface 106 (Si surface) of the substrate 105 by an epitaxial growth method such as a CVD method, an LPE method, or an MBE method. SiC crystal is grown while doping nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic) and the like. As a result, an n ⁇ -type epitaxial layer 108 is formed on the substrate 105.
  • p-type impurities for example, Al (aluminum), B (boron), etc.
  • n-type impurities are implanted (implanted) from the surface 109 of the epitaxial layer 108 into the epitaxial layer 108.
  • the epitaxial layer 108 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C.
  • ions of the p-type impurity and the n-type impurity implanted into the surface layer portion of the epitaxial layer 108 are activated, and the channel region 118, the source region 117, and the guard ring 142 are simultaneously formed according to the implanted locations.
  • a drain region 119 that maintains the state after epitaxial growth is formed in the base layer portion of the epitaxial layer 108.
  • the epitaxial layer 108 is etched using a mask having openings in regions where the gate trench 112, the HD source trench 126 and the Di source trench 133 are to be formed. Thereby, the epitaxial layer 108 is dry-etched from the surface 109 (Si surface), and the gate trench 112, the HD source trench 126, and the Di source trench 133 are formed simultaneously. At the same time, a large number of cells 113 partitioned by the gate trench 112 are formed in the epitaxial layer 108.
  • the etching gas includes, for example, a mixed gas (SF 6 / O 2 gas) containing SF 6 (sulfur hexafluoride) and O 2 (oxygen), SF 6 , O 2, and HBr (hydrogen bromide).
  • SF 6 / O 2 gas a mixed gas containing SF 6 (sulfur hexafluoride) and O 2 (oxygen), SF 6 , O 2, and HBr (hydrogen bromide).
  • a mixed gas SF 6 / O 2 / HBr gas
  • a resist 153 in which an opening for exposing the intersection 121 of the gate trench 112, the edge 130 of the HD source trench 126, and the bottom surface 135 and the edge 137 of the Di source trench 133 is formed. , Formed on the epitaxial layer 108. Subsequently, p-type impurities are implanted (implanted) toward the intersection 121 of the gate trench 112 exposed from the opening of the resist 153, the HD source trench 126, and the Di source trench 133. At this time, the side surface 124 of the gate trench 112 (intersection 121), the side surface 129 of the HD source trench 126, and the side surface 136 of the Di source trench 133 are not covered with the resist 153.
  • the epitaxial layer 108 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C.
  • ions of the p-type impurity implanted into the drain region 119 are activated, and the G breakdown voltage holding region 140, the HD breakdown voltage holding region 127, and the Di breakdown voltage holding region 134 are formed simultaneously.
  • a Schottky region 131 is formed in the portion covered with the resist 153 on the bottom surface 128 of the HD source trench 126.
  • a resist 154 having an opening in a region where the bottom channel contact region 138 of the Di source trench 133 is to be formed is formed on the epitaxial layer 108.
  • p-type impurities are implanted (implanted) toward the center of the bottom 135 of the Di source trench 133 exposed from the opening of the resist 154 (Di breakdown voltage holding region 134).
  • the epitaxial layer 108 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C.
  • ions of the p-type impurity implanted into the Di breakdown voltage holding region 134 are activated, and the bottom channel contact region 138 is formed.
  • a SiO 2 material is deposited from above the epitaxial layer 108 by CVD. Thereby, the gate insulating film 122 is formed.
  • a doped polysilicon material is deposited from above the epitaxial layer 108 by CVD. After deposition, the polysilicon material is etched back until the etch back surface is flush with the surface 109 of the epitaxial layer 108. Subsequently, only the polysilicon material remaining in the HD source trench 126 and the Di source trench 133 is removed by dry etching. As a result, the gate electrode 125 made of the polysilicon material remaining in the gate trench 112 is formed.
  • a SiO 2 material is deposited from above the epitaxial layer 108 by CVD. Thereby, an interlayer insulating film 143 is formed. Subsequently, the interlayer insulating film 143 and the gate insulating film 122 are successively patterned by a known patterning technique. As a result, contact holes 144 and 145 are formed in the interlayer insulating film 143 and the gate insulating film 122.
  • a polysilicon material is deposited by CVD until the contact holes 144 and 145 are filled. Thereafter, n-type or p-type impurities are implanted into the deposited polysilicon material.
  • the implantation conditions at this time vary depending on the type of impurities, but the acceleration energy is, for example, 10 keV to 100 keV. Thereby, the polysilicon layer 147 is formed.
  • the MIS transistor 101 of FIG. 10 is obtained by forming the intermediate layer 148, the metal layer 149, the drain electrode 152, and the like.
  • the MIS transistor 101 is used as a switching element of a drive circuit (inverter circuit) of an electric motor (an example of an inductive load), for example.
  • a predetermined voltage gate threshold voltage
  • a drain voltage having a positive drain side applied between the source pad 102 (source electrode 146) and the drain electrode 152 (between the source and drain).
  • the gate trench 112 near the n-type drain region 119 (for example, the gate trench 112).
  • the SiC crystal defects in the epitaxial layer 108 may expand in a direction parallel to the stacking direction of the epitaxial layer 108 due to the energy generated by the coupling, and may reach a drain current path (for example, a channel) when turned on. .
  • this MIS transistor 101 performs a switching operation by forming a channel in the vicinity of the side surface 124 of the gate trench 112 in the channel region 118, the on-resistance may increase.
  • the polysilicon layer 147 forms a heterojunction with the drain region 119 (Schottky region 131), and the heterojunction diode 151 is incorporated. Therefore, current flows preferentially through the heterojunction diode 151, and the current flowing through the body diode 150 can be reduced or eliminated.
  • the current flowing through the MIS transistor 101 in this way can be passed to the electric motor as a return current, for example.
  • the off-state current flows to the heterojunction diode 151 formed in the HD source trench 126 in the center of the Schottky cell 114, so that it is near the gate trench 112 (that is, the p-type channel region 118 and the n-type drain). There is almost no carrier movement between the region 119). Therefore, recombination of holes and electrons in the drain region 119 can be prevented. As a result, expansion of SiC crystal defects in the epitaxial layer 108 can be suppressed, so that an increase in on-resistance of the transistor can be suppressed. In addition, since the current flowing through the body diode 150 can be reduced or eliminated, loss when the MIS transistor 101 operates can be reduced.
  • the length L 1 of one side of the Schottky region 131 constituting the heterojunction diode 151 is set so that the depletion layer generated from the body diode 132 is not connected. Therefore, when the heterojunction diode 151 operates, it is possible to prevent the current path from being closed by the depletion layer. As a result, low on-resistance of the heterojunction diode 151 can be achieved.
  • an electric field is applied to the gate insulating film 122 interposed between the gate electrode 125 and the epitaxial layer 108. This electric field is generated due to a potential difference between the gate electrode 125 and the epitaxial layer 108.
  • equipotential surfaces with a very high potential are distributed with the gate electrode 125 as a reference (0 V), and the interval between the equipotential surfaces is small, so a very large electric field is generated.
  • an equipotential surface of 900 V is distributed in the vicinity of the back surface 107 of the substrate 105 in contact with the drain electrode 152, and the voltage increases from the back surface 107 of the substrate 105 toward the surface 109 side of the epitaxial layer 108.
  • an equipotential surface of about several tens of volts is distributed near the bottom surface 123 of the gate trench 112. Therefore, a very large electric field is generated on the bottom surface 123 of the gate trench 112 toward the gate electrode 125 side.
  • each corner of the cell 113 is displayed.
  • the dielectric breakdown of the gate insulating film 122 is particularly likely to occur.
  • the G breakdown voltage holding region 140 is formed in the corner edge portion 141 of the gate trench 112.
  • the body diode 155 can be formed in the vicinity of the corner edge portion 141 of the gate trench 112 by the pn junction between the G breakdown voltage holding region 140 and the drain region 119.
  • an HD breakdown voltage holding region 127 is formed at the edge portion 130 of the HD source trench 126 of the Schottky cell 114, and the Di breakdown voltage is held at the bottom surface 135 of the Di source trench 133 and the edge portion 137 of the pn diode cell 115. Region 134 is formed.
  • an annular body diode 132 surrounding the edge portion 130 of the HD source trench 126 is formed by the pn junction between the HD breakdown voltage holding region 127 and the drain region 119 and the pn junction between the Di breakdown voltage holding region 134 and the drain region 119. be able to.
  • a vessel-shaped body diode 139 covering the bottom of the Di source trench 133 can be formed.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of a trench gate type MIS transistor 161 according to the fourth embodiment of the present invention, and shows a cut surface at the same position as FIG.
  • parts corresponding to the parts shown in FIG. 10 are given the same reference numerals as those given to the respective parts, and description of those parts is omitted.
  • the HD source trench 126 has a planar shape with no step formed on its side surface.
  • the HD source trench 162 of the MIS transistor 161 according to the fourth embodiment is epitaxial.
  • HD upper layer trench 163 (second upper layer trench) having a depth from surface 109 of channel 108 to channel region 118 and HD lower layer having a width narrower than HD upper layer trench 163 and a depth from channel region 118 to drain region 119 Trench 164 (second lower layer trench).
  • the HD source trench 162 has a two-stage structure in which the side surface of the HD upper layer trench 163 extends one step outward from the side surface of the HD lower layer trench 164.
  • a channel region 118 is exposed in a ring shape at a step portion between the HD upper trench 163 and the HD lower trench 164, and a p + type HD channel contact region 165 is formed in the exposed portion.
  • the Di source trench 166 of the MIS transistor 161 is narrower in width than the Di upper layer trench 167 (first upper layer trench) having a depth from the surface 109 of the epitaxial layer 108 to the channel region 118, and the Di upper layer trench 167.
  • Di lower trench 168 (first lower trench) having a depth from channel region 118 to drain region 119 is included. Accordingly, the Di source trench 166 has a two-stage structure in which the side surface of the Di upper layer trench 167 extends one step outward from the side surface of the Di lower layer trench 168.
  • a channel region 118 is exposed in a ring shape at a step portion between the Di upper trench 167 and the Di lower trench 168, and a p + -type Di channel contact region 169 is formed in the exposed portion.
  • 13A to 13G are schematic cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the trench gate type MIS transistor 161 in FIG. 12 in the order of steps, and show a cut surface at the same position as FIG.
  • the n ⁇ type epitaxial layer 108 is formed on the substrate 105 as shown in FIG. 13A by the same method as FIG. A source region 117, a drain region 119, and a guard ring 142 are formed at the same time.
  • the epitaxial layer 108 is etched using a mask having openings in regions where the HD upper trench 163 and the Di upper trench 167 are to be formed. Thereby, the epitaxial layer 108 is dry-etched from the surface 109 (Si surface), and the HD upper layer trench 163 and the Di upper layer trench 167 are simultaneously formed.
  • a resist 170 in which an opening exposing the entire bottom surface of the HD upper layer trench 163 and the Di upper layer trench 167 is formed on the epitaxial layer 108.
  • p-type impurities are implanted (implanted) toward the HD upper layer trench 163 and the Di upper layer trench 167 exposed from the opening of the resist 170.
  • the epitaxial layer 108 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C. Thereby, ions of the p-type impurity implanted into the channel region 118 through the HD upper layer trench 163 and the Di upper layer trench 167 are activated, and the HD channel contact region 165 and the Di channel contact region 169 are formed simultaneously.
  • the epitaxial layer 108 is etched using a mask having openings in regions where the gate trench 112, the HD lower trench 164 and the Di lower trench 168 are to be formed. Thereby, the epitaxial layer 108 is dry-etched from the bottom surfaces of the HD upper trench 163 and the Di upper trench 167, and the HD lower trench 164 and the Di lower trench 168 are simultaneously formed. At the same time, the epitaxial layer 108 is dry-etched from the surface 109 to form the gate trench 112.
  • a resist 171 in which an opening exposing the edge portion 130 of the HD source trench 162 and the bottom surface 135 and the edge portion 137 of the Di source trench 166 is formed on the epitaxial layer 108.
  • p-type impurities are implanted (implanted) toward the HD source trench 162 and the Di source trench 166 exposed from the opening of the resist 171.
  • the epitaxial layer 108 is heat-treated at, for example, 1400 ° C. to 2000 ° C.
  • ions of the p-type impurity implanted in the drain region 119 are activated, and the HD breakdown voltage holding region 127 and the Di breakdown voltage holding region 134 are formed simultaneously.
  • a Schottky region 131 is formed in the portion of the bottom surface 128 of the HD source trench 162 covered with the resist 171.
  • a SiO 2 material is deposited from above the epitaxial layer 108 by CVD. Thereby, the gate insulating film 122 is formed. Thereafter, a gate electrode 125 is formed inside the gate insulating film 122 by a method similar to that shown in FIG. 11E.
  • the interlayer insulating film 143 is formed by the same method as in FIG. 11F, the polysilicon layer 147 is formed. Thereafter, the intermediate layer 148, the metal layer 149, the drain electrode 152, and the like are formed, whereby the MIS transistor 161 of FIG. 12 is obtained.
  • this MIS transistor 161 can achieve the same function and effect as those of the MIS transistor 101 described above. Further, in this MIS transistor 161, each of the trenches 162 and 166 has a two-stage structure, and the HD channel contact region 165 and the Di channel contact region 169 are formed. Therefore, each channel of the Schottky cell 114 and the pn diode cell 115 is provided. Direct contact can be made to region 118. As a result, the potential of the channel region 118 can be precisely controlled.
  • FIGS. 14A and 14B are schematic plan views of a planar gate type MIS transistor 181 according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14A is an overall view, and FIG. Each internal enlarged view is shown.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the planar gate type MIS transistor 181 shown in FIGS. 14A and 14B, and shows cross sections taken along the cutting lines HH and II shown in FIG. 14B.
  • parts corresponding to the parts shown in FIGS. 9 and 10 are denoted by the same reference numerals as those given to the respective parts, and description thereof will be omitted.
  • the present invention is not limited to a planar gate type transistor like the MIS transistor 181 according to the fifth embodiment. Can also be adopted.
  • the gate insulating film 182 is formed on the surface 109 of the epitaxial layer 108 instead of being formed on the inner surface of the gate trench 112, and the gate electrode 183 is formed thereon.
  • FIGS. 16A and 16B are schematic plan views of a trench gate type MIS transistor 191 according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16A is an overall view, and FIG. Each internal enlarged view is shown.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the trench gate type MIS transistor 191 shown in FIGS. 16A and 16B, and shows cross sections taken along the cutting lines JJ and KK of FIG. 16 and FIG. 17, parts corresponding to the parts shown in FIG. 9 and FIG. 10 are given the same reference numerals as those given to the respective parts, and the description of those parts is omitted.
  • the Schottky cell 114 has an area larger than that of the pn diode cell 115.
  • the area of the Schottky cell 114 and the pn diode cell 115 may be the same.
  • Schottky cells 114 and pn diode cells 115 having a square shape in plan view and having the same size are arranged in a matrix (matrix shape), and the Schottky cell 114 is a pn diode. It is surrounded by the cell 115.
  • the MIS transistor 101 structure having the source region 117, the channel region 118, and the drain region 119 and having the HD source trench 126 formed therein is not formed.
  • the Schottky region 131 appears on the same plane as the surface 109 of the epitaxial layer 108.
  • this MIS transistor 191 can also achieve the same effects as those of the MIS transistor 101 described above.
  • the MIS transistor 191 does not require a space for forming the MIS transistor structure, the Schottky region 131 having a sufficient area can be exposed even if the cell 113 is not large. Low resistance can be achieved.
  • this invention can also be implemented with another form.
  • the source electrodes 37 and 87 do not need to have a laminated structure of polysilicon layers 38 and 88, intermediate layers 39 and 89, and metal layers 40 and 90, and may be formed of only a metal layer, for example.
  • the material of the metal layer is preferably made of one selected from the group consisting of Ni, Ti, Al, and Mo, for example.
  • a configuration in which the conductivity type of each semiconductor portion of MIS transistors 1, 47, 51, 97, 101, 161, 181, 191 is inverted may be employed.
  • the p-type portion may be n-type and the n-type portion may be p-type.
  • Each unit cell 21 is not limited to a rectangular parallelepiped shape (quadrangular columnar shape), and may be other polygonal columnar shapes such as a triangular prism shape, a pentagonal column shape, and a hexagonal column shape.
  • Each unit cell 71 is not limited to a square (square shape) in plan view, and may be other polygonal shapes in plan view such as a triangle in plan view, a pentagon in plan view, and a hexagon in plan view.
  • each cell 113 is not limited to a square (rectangular shape) in plan view, and may be, for example, another plan view polygonal shape such as a plan view triangle, a plan view pentagon, a plan view hexagon, and a stripe shape. .
  • the Schottky cell 114 has an area corresponding to, for example, nine of the pn diode cells 115, and the length of one side of the Schottky cell 114. May correspond to three times the length of one side of the pn diode cell 115.
  • the source electrode 146 for example, the polysilicon layer 147 and the intermediate layer 148 are omitted, and a single layer structure of the metal layer 149 can be used to form a Schottky junction with the Schottky region 131.
  • a Schottky barrier diode can be formed instead of the heterojunction diode 151.
  • the semiconductor power device of the present invention is, for example, a power used for an inverter circuit constituting a drive circuit for driving an electric motor used as a power source for an electric vehicle (including a hybrid vehicle), a train, an industrial robot, and the like. Can be incorporated into modules. It can also be incorporated into a power module used in an inverter circuit that converts electric power generated by a solar cell, wind power generator, or other power generation device (especially an in-house power generation device) to match the power of a commercial power source.
  • first 2 areas 31 ... (gate train Corner edge portion, 32... (Source trench) edge portion, 33... Drain exposed region, 37... Source electrode, 38... Polysilicon layer, 41. First part, 42 ... second part (of polysilicon layer), 43 ... body diode, 47 ... MIS transistor, 51 ... MIS transistor, 55 ... substrate, 58 ... Epitaxial layer, 59... (Epitaxial layer) surface, 62... Channel region, 63... Drain region, 64... Source region, 65. Linear portion of the inter-region, 67... Crossing of the inter-channel region, 70... Corner of the unit cell, 71... Unit cell, 72. ..Gate electrodes, 74 Source trench, 75 ... (source trench) side surface, 76 ...

Abstract

　本発明の半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層は、前記半導体層の表面側から順に形成された第１導電型のソース領域、第２導電型のチャネル領域および第１導電型のドレイン領域と、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して前記ドレイン領域に達するソーストレンチと、前記チャネル領域に接するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極と、前記ソーストレンチの側面または底面に選択的に形成された第２導電型の第１耐圧保持領域とを含み、前記ソーストレンチ内において前記ドレイン領域に接合され、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とのｐｎ接合により形成されるボディダイオードの拡散電位よりも低い接合障壁を、前記ドレイン領域との接合により形成する障壁形成層を含む。

Description

半導体装置
　本発明は、半導体装置に関する。
　近年、Ｓｉ半導体に代わるパワーデバイス材料として、Ｓｉ半導体に比べて高耐圧化、大電流化、低オン抵抗化などを実現できるＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）半導体が注目されている（たとえば、特許文献１参照）。
　ＳｉＣパワーデバイスは、たとえば、モータ制御システム、電力変換システムなどに組み込まれる各種インバータ回路のスイッチング素子として利用される。
　モータ制御回路などでは、ＳｉＣパワーデバイス（スイッチング素子）をオフにしてモータコイルに流れる電流を遮断したとき、モータコイルの電磁誘導により、モータコイルに発生する逆起電力をダイオードにより消費させる。
　具体的には、デバイスに内在するｐ型チャネル領域とｎ型ドレイン領域とのｐｎ接合による寄生ダイオード（ボディダイオード）の整流作用により、逆起電力に起因する電流を還流電流としてモータコイルに流すことで、高い逆起電力がスイッチング素子に印加されることを防止している。
特開２００７－２５８４６５号公報
　ｐｎボディダイオードのｐ型チャネル領域からｎ型ドレイン領域に正孔（ホール）が移動して電流が流れる際、ｎ型ドレイン領域内では、多数キャリヤの電子と、ｐ型チャネル領域から移動した正孔とが再結合する場合がある。そして、結合時に生じるエネルギーによってＳｉＣの結晶欠陥が拡張し、ＳｉＣパワーデバイスのオン抵抗が上昇するおそれがある。また、ＳｉＣのｐｎボディダイオードはＶｆ（順方向電圧）が高いため、損失が高いという不具合もある。
　そこで本発明者の研究によれば、ゲートトレンチとは異なる位置において、ｎ型ソース領域からｐ型チャネル領域を貫通してｎ型ドレイン領域に達するトレンチを形成し、当該トレンチ内に露出するｎ型ドレイン領域に対してソース電極をショットキー接合させる対策が考えられる。この対策によれば、逆起電力が生じた際に、当該ショットキー接合に優先的に電流を流すことができ、ｐｎチャネルダイオードに流れる電流を少なくするか、またはなくすことができるかもしれない。
　しかしながら、ドレイン領域におけるソース電極との接触面はソース電極と同電位になるため、当該接触面周辺では、等電位線の間隔が非常に狭くなる。その結果、ゲート絶縁膜に電界が集中して、ゲート絶縁膜の絶縁破壊を生じるおそれがある。
　本発明の目的は、オン抵抗の上昇を抑制することができ、さらに耐圧を向上させることができる半導体装置を提供することである。
　上記目的を達成するための本発明の一の局面に係る半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層は、前記半導体層の表面側に露出するように形成された第１導電型のソース領域と、前記ソース領域に対して前記半導体層の裏面側に前記ソース領域に接するように形成された第２導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域に対して前記半導体層の前記裏面側に前記チャネル領域に接するように形成された第１導電型のドレイン領域と、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して前記ドレイン領域に達し、側面および底面を有するソーストレンチと、前記チャネル領域に接するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極と、前記ソーストレンチの前記側面または前記底面に選択的に形成された第２導電型の第１耐圧保持領域とを含み、前記ソーストレンチ内において前記ドレイン領域に接合され、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とのｐｎ接合により形成されるボディダイオードの拡散電位よりも低い接合障壁を、前記ドレイン領域との接合により形成する障壁形成層を含む。
　このワイドバンドギャップ半導体（たとえば、バンドギャップＥｇが２ｅＶ以上、好ましくは、２．５ｅＶ～７ｅＶ）が採用された半導体装置は、たとえば、スイッチング素子として利用される。この場合、ソース領域－ドレイン領域間にドレイン領域側が正となる電圧が印加された状態で、ゲート電圧がオン／オフされることによって、負荷に流す電流がオン／オフされる。
　負荷が誘導性であるときには、負荷に流れる電流を遮断すると（つまり、ゲート電圧がオフにされると）、負荷に逆起電力が発生する。この逆起電力に起因して、ソース領域側が正となる電圧が、ソース領域－ドレイン領域間にかかる場合がある。
　このような場合に、障壁形成層とドレイン領域との接合部に優先的に電流が流れ、ボディダイオードに流れる電流を少なくするか、またはなくすことができる。こうして半導体装置を流れた電流は、たとえば、還流電流として負荷に流すことができる。
　このように、オフ時の電流は、障壁形成層を通るから、チャネル領域とドレイン領域との間でのキャリヤの移動はほとんど生じない。そのため、ドレイン領域内での正孔と電子との再結合を抑制または防止することができる。その結果、ワイドバンドギャップ半導体の結晶欠陥の拡張を抑制することができるので、トランジスタのオン抵抗の上昇を抑制することができる。
　しかも本発明の一の局面に係る半導体装置では、ソーストレンチの側面または底面において、第１耐圧保持領域がドレイン領域に選択的に形成されている。これにより、第１耐圧保持領域とドレイン領域との接合（ｐｎ接合）により形成されるボディダイオードを、障壁形成層とドレイン領域との接合部に対して半導体層の裏面側に形成することができる。したがて、当該ボディダイオードに生じる空乏層を、ソーストレンチの付近に発生させることができる。この空乏層の存在により、ゲート電極を基準とする高い電位の等電位面をゲート絶縁膜から遠ざけることができる。その結果、ゲート絶縁膜にかかる電界を小さくすることができるので、絶縁破壊を抑制することができる。
　前記障壁形成層は、ワイドバンドギャップ半導体からなる前記ドレイン領域に対してヘテロ接合またはショットキー接合を形成することにより、ドレイン領域との間にボディダイオードの拡散電位よりも低い接合障壁を形成する層であってもよい。たとえば、ヘテロ接合を形成する場合、前記障壁形成層は、Ｐｏｌｙ－Ｓｉからなることが好ましく、一方、ショットキー接合を形成する場合、前記障壁形成層は、Ｎｉ、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｏからなる群から選択される１種からなることが好ましい。
　また、前記半導体層は、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して前記ドレイン領域に達し、側面および底面を有する格子状のゲートトレンチと、格子状の前記ゲートトレンチにより区画され、複数の角部を有する多角柱状の単位セルを複数含み、当該各単位セルが、前記ソース領域、前記チャネル領域および前記ドレイン領域を有しており、前記ゲート絶縁膜は、前記ゲートトレンチの前記側面および前記底面上に形成されており、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するように、前記ゲートトレンチに埋め込まれており、前記第１耐圧保持領域は、前記ドレイン領域を前記ソーストレンチの前記底面に露出させるように、前記ソーストレンチの一部の領域において、前記側面と前記底面とが交わる前記ソーストレンチのエッジ部に選択的に形成されており、前記障壁形成層は、前記ソーストレンチの前記底面に露出する前記ドレイン領域に接合されていることが好ましい。
　この構成に関して、本発明者らは、トレンチゲート型ＭＩＳトランジスタにおいて、ターンオフ時におけるゲート絶縁膜の絶縁破壊のメカニズムについて、鋭意検討した。
　具体的には、半導体装置がオフの状態（つまり、ゲート電圧が０Ｖの状態）において、ソース領域と、ドレインとして機能するドレイン領域との間（ソース－ドレイン間）にドレイン領域が（＋）側となる電圧が印加されると、ゲート電極とドレイン領域との間に介在するゲート絶縁膜に電界がかかる。この電界は、ゲート電極とドレイン領域との電位差に起因して生じるものである。そして、ゲートトレンチの底部においては、ゲート電極を基準（０Ｖ）として非常に高い電位の等電位面が分布し、しかも等電位面の間隔が小さいため、非常に大きな電界が生じる。そのため、デバイス耐圧ほどの電圧がソース－ドレイン間に印加され続けると、ゲート絶縁膜におけるゲートトレンチの底部上の箇所が、その大きさの電界集中に耐え切れず、絶縁破壊を起こすといったメカニズムである。
　そこで、この半導体装置では、ソーストレンチの底面において障壁形成層をドレイン領域に接合させている。一方、第１耐圧保持領域をソーストレンチのエッジ部に形成することにより、ソーストレンチのエッジ部付近にボディダイオードを形成することができる。これにより、当該ボディダイオードに発生する空乏層をゲートトレンチとソーストレンチとの間に広げることができるので、ゲートトレンチとソーストレンチとの間における等電位面の密集を防止することができる。その結果、ゲートトレンチの底部にかかる電界を小さくでき、ゲート絶縁膜にかかる電界を小さくすることができる。よって、ゲート絶縁膜の破壊を抑制することができる。
　また、前記半導体層は、前記単位セルの前記角部に形成された前記ゲートトレンチのコーナーエッジ部に選択的に形成された第２導電型の第２耐圧保持領域をさらに含むことが好ましい。
　ゲートトレンチが格子状に形成されており、当該格子状のゲートトレンチの窓部に多角柱状の単位セルが配列されている場合は、単位セルの角部に形成されたゲートトレンチのコーナーエッジ部付近において、ゲート絶縁膜の絶縁破壊が特に発生しやすい。したがって、第２耐圧保持領域がコーナーエッジ部に形成されていれば、そのコーナーエッジ部付近におけるゲート絶縁膜の絶縁破壊を効果的に抑制することができる。
　第２耐圧保持領域がゲートトレンチのコーナーエッジ部に形成される場合、当該第２耐圧保持領域は、チャネル領域におけるコーナーエッジ部直上の部分に至るように形成されていてもよい。
　多角柱状の単位セルでは、ゲート電極に印加する電圧を制御することにより、ゲートトレンチの側面の一部を形成する単位セルの側面に沿ってチャネルが形成される。すなわち、単位セルの角部には、チャネルが形成されないか、形成されても当該チャネルを流れる電流は微量である。したがって、チャネル領域におけるコーナーエッジ部直上の部分に至るように第２耐圧保持領域を形成することにより、デバイスの性能にほとんど影響を与えずに、ゲート絶縁膜の破壊防止効果を一層向上させることができる。
　また、第２耐圧保持領域がゲートトレンチのコーナーエッジ部に形成される場合、当該第２耐圧保持領域は、格子状の前記ゲートトレンチの交差部に選択的に形成されていてもよい。
　また、前記半導体層は、格子状の前記ゲートトレンチの線状部の底面に形成され、当該線状部の幅よりも狭い幅を有する第２導電型の第３耐圧保持領域をさらに含むことが好ましい。
　この構成により、ゲートトレンチの線状部に沿って生じる電界がゲート絶縁膜に作用しても、第３耐圧保持領域とドレイン領域との接合（ｐｎ接合）により生じる空乏層により、当該電界を緩和することができる。その結果、ゲート絶縁膜に生じる電界を、満遍なく緩和することができる。
　しかも、第３耐圧保持領域がゲートトレンチの線状部の側面（つまり、単位セルにおいてチャネルが形成される部分）に形成されていないので、デバイスの性能の低下を防止することもできる。
　また、前記第３耐圧保持領域の不純物濃度は、第２耐圧保持領域の不純物濃度よりも高いことが好ましい。また、前記第３耐圧保持領域の厚さは、前記第２耐圧保持領域の厚さよりも小さいことが好ましい。
　この構成により、チャネル抵抗の上昇を抑制することができる。なお、第２および第３耐圧保持領域の厚さとは、たとえば、前記半導体層の前記表面から前記裏面側に向かう方向に沿う厚さのことである。
　また、前記半導体装置は、プレーナゲート型ＭＩＳトランジスタを含んでいてもよい。すなわち、本発明の一の局面に係る半導体装置において、前記チャネル領域は、複数の角部を有する平面視多角形状で前記半導体層の前記表面に露出するように形成されており、当該チャネル領域がマトリクス状に配列されており、前記ソース領域は、各前記チャネル領域の表面に露出するようにウェル状に形成されており、前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面に露出する前記チャネル領域上に形成されており、前記第１耐圧保持領域は、前記ドレイン領域を前記ソーストレンチの前記底面に露出させるように、前記ソーストレンチの一部の領域において、前記側面と前記底面とが交わる前記ソーストレンチのエッジ部に選択的に形成されており、前記障壁形成層は、前記ソーストレンチの前記底面に露出する前記ドレイン領域に接合されていてもよい。
　また、前記半導体層は、隣り合う前記チャネル領域の各間を延びるチャネル間領域と、前記チャネル領域の前記角部に形成された前記チャネル間領域のコーナー部に選択的に形成された第２導電型の第４耐圧保持領域とをさらに含むことが好ましい。
　チャネル領域がマトリクス状に形成されているプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタでは、チャネル間領域のコーナー部付近において、ゲート絶縁膜の絶縁破壊が特に発生しやすい。したがって、第４耐圧保持領域がチャネル間領域のコーナー部に形成されていれば、そのコーナー部付近におけるゲート絶縁膜の絶縁破壊を効果的に抑制することができる。
　しかも、平面視多角形状のチャネル領域では、ゲート電極に印加する電圧を制御することにより、チャネル領域の各辺に沿ってチャネルが形成される。すなわち、チャネル領域の角部には、チャネルが形成されないか、形成されても当該チャネルを流れる電流は微量である。したがって、チャネル間領域におけるコーナー部に第４耐圧保持領域を形成することにより、デバイスの性能にほとんど影響を与えずに、ゲート絶縁膜の破壊防止効果を一層向上させることができる。
　また、前記半導体層は、前記チャネル間領域の線状部に形成され、当該線状部の幅よりも狭い幅を有する第２導電型の第５耐圧保持領域をさらに含むことが好ましい。
　この構成により、チャネル間領域の線状部に沿って生じる電界がゲート絶縁膜に作用しても、第５耐圧保持領域とドレイン領域との接合（ｐｎ接合）により生じる空乏層により、当該電界を緩和することができる。その結果、ゲート絶縁膜に生じる電界を、満遍なく緩和することができる。
　しかも、第５耐圧保持領域がチャネル間領域の線状部の側面（つまり、単位セルにおいてチャネルが形成される部分）に形成されていないので、デバイスの性能の低下を防止することもできる。
　また、前記ドレイン領域は、前記ソーストレンチの前記底面が選択的に前記半導体層の前記表面側に突出することにより形成された段部を有していることが好ましい。
　これにより、障壁形成層とドレイン領域との接合面積を大きくすることができるので、障壁形成層にかかる電界を小さくすることができる。その結果、障壁形成層とドレイン領域との間でのリーク電流の発生を減らすことができる。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層と、前記半導体層に形成され、前記半導体層を複数のセルに区画するゲート部とを含み、前記セルは、前記半導体層の表面側から裏面側へ向かってこの順に配置された第１導電型のソース領域、第２導電型のチャネル領域および第１導電型のドレイン領域を有し、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して最深部が前記ドレイン領域に達する第１ソーストレンチが形成された第１ＭＩＳトランジスタ構造と、前記第１ソーストレンチの内面に選択的に形成された第２導電型の第１耐圧保持領域を有し、当該第１耐圧保持領域と前記ドレイン領域とのｐｎ接合により構成されたｐｎダイオードとを含むｐｎダイオードセルと、前記ドレイン領域と一体な第１導電型のショットキー領域が選択的に露出したショットキーセルとを含み、前記ｐｎダイオードセルおよび前記ショットキーセルに跨って形成され、前記ソース領域に対してオーミック接触を形成し、前記ショットキー領域に対して、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とのｐｎ接合により形成されるボディダイオードの拡散電位よりも低いショットキー障壁を形成するソース電極をさらに含む。
　このワイドバンドギャップ半導体（たとえば、バンドギャップＥｇが２ｅＶ以上、好ましくは、２．５ｅＶ～７ｅＶ）が採用された半導体装置は、たとえば、スイッチング素子として利用される。この場合、ソース領域－ドレイン領域間にドレイン領域側が正となる電圧が印加された状態で、ゲート電圧がオン／オフされることによって、負荷に流す電流がオン／オフされる。
　負荷が誘導性であるときには、負荷に流れる電流を遮断すると（つまり、ゲート電圧がオフにされると）、負荷に逆起電力が発生する。この逆起電力に起因して、ソース領域側が正となる電圧が、ソース領域－ドレイン領域間にかかる場合がある。
　このような場合に、ショットキー領域とソース電極との接合部（ショットキーバリアダイオード）に優先的に電流が流れ、ボディダイオードに流れる電流を少なくするか、またはなくすことができる。こうして半導体装置を流れた電流は、たとえば、還流電流として負荷に流すことができる。
　このように、オフ時の電流は、ショットキーセルのショットキーバリアダイオードを通るから、チャネル領域とドレイン領域との間でのキャリヤの移動はほとんど生じない。そのため、ドレイン領域内での正孔と電子との再結合を抑制または防止することができる。その結果、ワイドバンドギャップ半導体の結晶欠陥の拡張を抑制することができるので、トランジスタのオン抵抗の上昇を抑制することができる。また、ボディダイオードに流れる電流を少なくするか、またはなくすことができるので、半導体装置が動作する際の損失を低減することができる。
　しかも本発明の半導体装置では、第１ソーストレンチの内面に第１耐圧保持領域が選択的に形成されている。これにより、第１耐圧保持領域とドレイン領域との接合（ｐｎ接合）により形成されるボディダイオードを形成することができる。従って、当該ボディダイオードに生じる空乏層を、第１ソーストレンチの付近に発生させることができる。この空乏層の存在により、高い電位の等電位面をゲート部から遠ざけることができる。その結果、ゲート部における絶縁破壊を防止することができる。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ソース電極は、ワイドバンドギャップ半導体からなる前記ショットキー領域に対してヘテロ接合またはショットキー接合を形成することにより、ショットキー領域との間にボディダイオードの拡散電位よりも低い接合障壁を形成する障壁形成層を有していてもよい。
　つまり、本発明の他の局面に係る半導体装置においてソース電極は、ショットキー領域との間にショットキー障壁を形成してショットキーバリアダイオードを形成する金属電極、半導体層のバンドギャップとは異なるバンドギャップを有する異種半導体からなり、ショットキー領域に対してヘテロ接合（バンドギャップ差を利用してショットキー領域との間に電位障壁を形成する接合）してヘテロ接合ダイオードを形成する半導体電極のいずれをも含む概念である。また、ショットキー領域とは、ソース電極との間にヘテロ接合を形成する領域も含む概念である。
　たとえば、ヘテロ接合を形成する場合、前記障壁形成層は、ポリシリコンからなることが好ましく、一方、ショットキー接合を形成する場合、前記障壁形成層は、Ｎｉ、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｏからなる群から選択される１種からなることが好ましい。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ｐｎダイオードセルにおいて前記第１耐圧保持領域は、前記第１ソーストレンチの底面から前記ソーストレンチの側面に沿って前記チャネル領域に至るように形成されており、前記ｐｎダイオードセルは、前記第１ソーストレンチの前記底面に形成され、前記第１耐圧保持領域よりも不純物濃度が高い第２導電型のチャネルコンタクト領域をさらに含むことが好ましい。
　この構成により、第１耐圧保持領域を介してｐｎダイオードセルのチャネル領域に対してコンタクトをとることができる（電気的に接続することができる）。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ｐｎダイオードセルにおいて前記第１ソーストレンチは、前記半導体層の前記表面から前記チャネル領域までの深さの第１上層トレンチと、前記第１上層トレンチよりも幅が狭く、前記チャネル領域から前記ドレイン領域までの深さの第１下層トレンチとを含む２段構造を有しており、前記ｐｎダイオードセルは、前記第１上層トレンチと前記第１下層トレンチとの段差部分に露出する前記チャネル領域に形成され、前記チャネル領域よりも不純物濃度が高い第２導電型のチャネルコンタクト領域をさらに含むことが好ましい。
　この構成により、ｐｎダイオードセルの第１ＭＩＳトランジスタ構造のチャネル領域に対して直接コンタクトをとることができる。その結果、チャネル領域の電位を精密に制御することができる。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ショットキーセルは、前記半導体層の表面側から裏面側へ向かってこの順に配置された第１導電型のソース領域、第２導電型のチャネル領域および第１導電型のドレイン領域を有し、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して前記ドレイン領域に達する第２ソーストレンチが形成された第２ＭＩＳトランジスタ構造と、前記第２ソーストレンチの側面と底面とが交わって形成された前記第２ソーストレンチのエッジ部に選択的に形成された第２耐圧保持領域とをさらに含み、前記ショットキー領域は、前記第２耐圧保持領域で取り囲まれた前記第２ソーストレンチの底面に形成されていることが好ましい。
　これにより、第２耐圧保持領域とドレイン領域との接合（ｐｎ接合）により形成されるボディダイオードを形成することができる。従って、当該ボディダイオードに生じる空乏層を、第２ソーストレンチの付近に発生させることができる。この空乏層の存在により、高い電位の等電位面をゲート部から遠ざけることができる。その結果、ゲート部における絶縁破壊を防止することができる。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ショットキー領域は、当該ショットキー領域と前記第２耐圧保持領域との接合部から発生する空乏層が繋がらない面積で形成されていることが好ましく、たとえば、前記ショットキーセルの面積が、前記ｐｎダイオードセルの面積よりも大きいことが好ましい。
　この構成によれば、ショットキーバリアダイオード（ヘテロ接合ダイオード）が動作するときに、その電流路が当該空乏層で閉じられることを防止することができる。その結果、ショットキーバリアダイオード（ヘテロ接合ダイオード）の低オン抵抗化を達成することができる。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ショットキーセルにおいて前記第２ソーストレンチは、前記半導体層の前記表面から前記チャネル領域までの深さの第２上層トレンチと、前記第２上層トレンチよりも幅が狭く、前記チャネル領域から前記ドレイン領域までの深さの第２下層トレンチとを含む２段構造を有しており、前記第２耐圧保持領域は、前記第２下層トレンチの側面に沿って前記チャネル領域に至るように形成されており、前記ショットキーセルは、前記第２上層トレンチと前記第２下層トレンチとの段差部分に露出する前記チャネル領域に形成され、前記チャネル領域よりも不純物濃度が高い第２導電型のチャネルコンタクト領域をさらに含むことが好ましい。
　この構成により、ショットキーセルの第２ＭＩＳトランジスタ構造のチャネル領域に対して直接コンタクトをとることができる。その結果、チャネル領域の電位を精密に制御することができる。また、第２耐圧保持領域にコンタクトをとることもできる。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ゲート部は、前記半導体層に形成されたゲートトレンチと、前記ゲートトレンチの内面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲートトレンチにおいて前記ゲート絶縁膜の内側に形成されたゲート電極とを含んでいてもよいし、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と含んでいてもよい。
　前記ゲートトレンチが格子状に形成されている場合、前記半導体装置は、前記ゲートトレンチの交差部を介して前記ｐｎダイオードセルおよび前記ショットキーセルに跨るように形成され、前記第１耐圧保持領域と前記第２耐圧保持領域とを電気的に接続する第２導電型の中継領域をさらに含むことが好ましい。
　この構成によれば、中継領域を介してショットキーセルのチャネル領域にコンタクトをとることができる。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ショットキーセルは、前記ｐｎダイオードセルに取り囲まれていることが好ましい。
　また、前記ゲート部が、前記ｐｎダイオードセルを互いに同じ大きさで行列状に配列させる格子状に形成されている場合、前記ショットキーセルは、前記ｐｎダイオードセル４つ分または９つ分に相当する面積を有していることが好ましい。
　また、本発明の他の局面に係る半導体装置では、前記ショットキーセルおよび前記ｐｎダイオードセルは、四角状に形成された四角形セルを含んでいてもよいし、六角形に形成された六角形セルを含んでいてもよいし、ストライプ状に形成されたストライプセルを含んでいてもよい。
図１（ａ）（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な平面図であって、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。 図２は、図１（ａ）（ｂ）に示すトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの断面図であって、図１（ｂ）の切断線Ａ－ＡおよびＢ－Ｂでの切断面をそれぞれ示す。 図３Ａは、図２に示すトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの製造工程の一部を示す模式的な断面図であって、図２と同じ位置での切断面を示す。 図３Ｂは、図３Ａの次の工程を示す図である。 図３Ｃは、図３Ｂの次の工程を示す図である。 図３Ｄは、図３Ｃの次の工程を示す図である。 図３Ｅは、図３Ｄの次の工程を示す図である。 図３Ｆは、図３Ｅの次の工程を示す図である。 図４は、図２に示すトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの変形例を示す模式的な断面図である。 図５（ａ）（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係るプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な平面図であって、図５（ａ）は全体図、図５（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。 図６は、図５（ａ）（ｂ）に示すプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの断面図であって、図５（ｂ）の切断線Ｃ－ＣおよびＤ－Ｄでの切断面をそれぞれ示す。 図７Ａは、図６に示すプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの製造工程の一部を示す模式的な断面図であって、図６と同じ位置での切断面を示す。 図７Ｂは、図７Ａの次の工程を示す図である。 図７Ｃは、図７Ｂの次の工程を示す図である。 図７Ｄは、図７Ｃの次の工程を示す図である。 図７Ｅは、図７Ｄの次の工程を示す図である。 図７Ｆは、図７Ｅの次の工程を示す図である。 図８は、図６に示すプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの変形例を示す模式的な断面図である。 図９（ａ）（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な平面図であって、図９（ａ）は全体図、図９（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。 図１０は、図９（ａ）（ｂ）のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの断面図であって、図９（ｂ）の切断線Ｅ－Ｅ、Ｆ－ＦおよびＧ－Ｇでの切断面をそれぞれ示す。 図１１Ａは、図１０のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの製造工程の一部を示す模式的な断面図であって、図１０と同じ位置での切断面を示す。 図１１Ｂは、図１１Ａの次の工程を示す図である。 図１１Ｃは、図１１Ｂの次の工程を示す図である。 図１１Ｄは、図１１Ｃの次の工程を示す図である。 図１１Ｅは、図１１Ｄの次の工程を示す図である。 図１１Ｆは、図１１Ｅの次の工程を示す図である。 図１２は、本発明の第４実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な断面図であって、図１０と同じ位置での切断面を示す。 図１３Ａは、図１２のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの製造工程の一部を示す模式的な断面図であって、図１２と同じ位置での切断面を示す。 図１３Ｂは、図１３Ａの次の工程を示す図である。 図１３Ｃは、図１３Ｂの次の工程を示す図である。 図１３Ｄは、図１３Ｃの次の工程を示す図である。 図１３Ｅは、図１３Ｄの次の工程を示す図である。 図１３Ｆは、図１３Ｅの次の工程を示す図である。 図１３Ｇは、図１３Ｆの次の工程を示す図である。 図１４（ａ）（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な平面図であって、図１４（ａ）は全体図、図１４（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。 図１５は、図１４（ａ）（ｂ）のプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの断面図であって、図１４（ｂ）の切断線Ｈ－ＨおよびＩ－Ｉでの切断面をそれぞれ示す。 図１６（ａ）（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な平面図であって、図１６（ａ）は全体図、図１６（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。 図１７は、図１６（ａ）（ｂ）のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの断面図であって、図１６（ｂ）の切断線Ｊ－ＪおよびＫ－Ｋでの切断面をそれぞれ示す。 図１８（ａ）（ｂ）は、図９（ａ）（ｂ）のＭＩＳトランジスタのレイアウトの変形例を示す図であって、図１８（ａ）は全体図、図１８（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。
　以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
　図１（ａ）（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な平面図であって、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。図２は、図１（ａ）（ｂ）に示すトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの断面図であって、図１（ｂ）の切断線Ａ－ＡおよびＢ－Ｂでの切断面をそれぞれ示す。
　ＭＩＳトランジスタ１は、ＳｉＣが採用されたトレンチゲート型ＤＭＩＳＦＥＴ（Double diffused Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）であり、たとえば、図１（ａ）に示すように、平面視正方形のチップ状である。チップ状のＭＩＳトランジスタ１は、図１（ａ）の紙面における上下左右方向の長さがそれぞれ数ｍｍ程度である。
　ＭＩＳトランジスタ１の表面には、ソースパッド２が形成されている。ソースパッド２は、四隅が外方へ湾曲した平面視略正方形状であり、ＭＩＳトランジスタ１の表面のほぼ全域を覆うように形成されている。このソースパッド２には、その一辺の中央付近に除去領域３が形成されている。この除去領域３は、ソースパッド２が形成されていない領域である。
　除去領域３には、ゲートパッド４が配置されている。ゲートパッド４とソースパッド２との間には間隔が設けられており、これらは互いに絶縁されている。
　次に、ＭＩＳトランジスタ１の内部構造について説明する。
　ＭＩＳトランジスタ１は、ｎ+型（たとえば、濃度が１×１０18～１×１０21ｃｍ-3）のＳｉＣからなる基板５を備えている。基板５は、第１実施形態では、ＭＩＳトランジスタ１のドレインとして機能し、その表面６（上面）がＳｉ面であり、その裏面７（下面）がＣ面である。
　基板５の表面６には、基板５よりも低濃度のｎ-型（たとえば、濃度が１×１０15～１×１０17ｃｍ-3）のＳｉＣからなるエピタキシャル層８が積層されている。半導体層としてのエピタキシャル層８の厚さは、たとえば、１μｍ～１００μｍである。エピタキシャル層８は、基板５上に、いわゆるエピタキシャル成長によって形成されている。Ｓｉ面である表面６上に形成されるエピタキシャル層８は、Ｓｉ面を成長主面として成長させられる。したがって、成長により形成されるエピタキシャル層８の表面９は、基板５の表面６と同様、Ｓｉ面である。
　ＭＩＳトランジスタ１には、図１（ａ）に示すように、平面視でエピタキシャル層８の中央部に配置され、ＭＩＳトランジスタ１として機能する活性領域１０と、この活性領域１０を取り囲むトランジスタ周辺領域１１が形成されている。
　活性領域１０において、エピタキシャル層８の表層部には、ｐ型（たとえば、濃度が１．０×１０16ｃｍ-3～１．０×１０19ｃｍ-3）のチャネル領域１２が、行方向および列方向に一定のピッチで行列状（マトリクス状）に配列されて多数形成されている。各チャネル領域１２は、平面視正方形状であり、たとえば、図１（ｂ）の紙面における上下左右方向の長さがそれぞれ７．２μｍ程度である。
　一方、エピタキシャル層８における、チャネル領域１２に対して基板５側の領域は、エピタキシャル成長後のままの状態が維持された、ｎ-型のドレイン領域１３となっている。
　各チャネル領域１２には、その表面９側のほぼ全域にｎ+型（たとえば、濃度が１×１０18～１×１０21ｃｍ-3）のソース領域１４が形成されている。
　そして、各チャネル領域１２を取り囲むように、エピタキシャル層８の表面９から各ソース領域１４およびチャネル領域１２を貫通してドレイン領域１３に達するゲートトレンチ１５が格子状に形成されている。
　具体的には、ゲートトレンチ１５は、隣り合うチャネル領域１２の各間を、各チャネル領域１２の４つの側面に沿って行方向および列方向のそれぞれに直線状に延びる線状部１６と、行方向に延びる線状部１６と列方向に延びる線状部１６とが交差する交差部１７とを含んでいる。交差部１７は、平面視で２行２列に配列されたチャネル領域１２に着目したとき、配列された４つのチャネル領域１２の内側の角に取り囲まれ、チャネル領域１２の四辺の延長線により区画される平面視正方形状の部分である。また、ゲートトレンチ１５は、互いに対向する側面１８と底面１９とが湾曲面を介して連続する断面Ｕ字状である。
　これにより、エピタキシャル層８には、格子状のゲートトレンチ１５で取り囲まれる各窓部分に、４つの角部２０を有する直方体形状（平面視正方形状）の単位セル２１が多数形成されている。単位セル２１では、ゲートトレンチ１５の深さ方向がゲート長方向であり、そのゲート長方向に直交する各単位セル２１の周方向がゲート幅方向である。
　ゲートトレンチ１５の内面には、その全域を覆うように、ＳｉＯ2からなるゲート絶縁膜２２が形成されている。
　そして、ゲート絶縁膜２２の内側をｎ型不純物が高濃度にドーピングされたポリシリコン材料で埋め尽くすことにより、ゲートトレンチ１５内にゲート電極２３が埋設されている。こうして、ソース領域１４とドレイン領域１３とが、エピタキシャル層８の表面９に垂直な縦方向にチャネル領域１２を介して離間して配置された、縦型ＭＩＳトランジスタ構造が構成されている。
　また、各単位セル２１の中央部には、エピタキシャル層８の表面９から各ソース領域１４およびチャネル領域１２を貫通してドレイン領域１３に達する、平面視正方形状のソーストレンチ２４が形成されている。ソーストレンチ２４の深さは、第１実施形態では、ゲートトレンチ１５と同じである。また、ソーストレンチ２４も、ゲートトレンチ１５同様、互いに対向する側面２５と底面２６とが湾曲面を介して連続する断面Ｕ字状である。
　また、エピタキシャル層８には、エピタキシャル層８にｐ型不純物をインプランテーションすることにより形成された、ｐ型のゲート耐圧保持領域２７および第１耐圧保持領域としてのソース耐圧保持領域２８が形成されている。
　ゲート耐圧保持領域２７は、格子状のゲートトレンチ１５に沿って形成されており、ゲートトレンチ１５の交差部１７に形成された第２耐圧保持領域としての第１領域２９と、ゲートトレンチ１５の線状部１６に形成された第３耐圧保持領域としての第２領域３０とを一体的に含んでいる。
　第１領域２９は、交差部１７におけるゲートトレンチ１５の底面１９および当該底面１９から交差部１７に臨む４つの単位セル２１の各角部２０の下部に形成されたゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１を経て、コーナーエッジ部３１直上のチャネル領域１２に至るように形成されている。すなわち、第１領域２９は、平面視では、ゲートトレンチ１５の交差部１７よりもやや大きい正方形状に形成されていて、その各角が、当該交差部１７に臨む４つの単位セル２１の各角部２０にそれぞれ入り込んでいる。また、第１領域２９の濃度は、チャネル領域１２の濃度よりも高く、ドレイン領域１３の濃度よりも高く、たとえば、１×１０17～９×１０19ｃｍ-3である。また、第１領域２９におけるゲートトレンチ１５の底面から基板５へ向かう方向に沿う厚さＴ1は、たとえば、０．８μｍ程度である。
　第２領域３０は、平面視で隣り合う交差部１７の各辺中央同士を繋ぐ一定幅の直線状に形成されていて、線状部１６の幅（互いに向き合うゲートトレンチ１５の側面間の距離（たとえば、１μｍ）よりも狭い幅（たとえば、０．８μｍ）を有している。また、第２領域３０の濃度は、チャネル領域１２の濃度よりも高く、第１領域２９よりも高く、たとえば、２×１０17～１×１０20ｃｍ-3である。また、第２領域３０におけるゲートトレンチ１５の底面から基板５へ向かう方向に沿う厚さＴ2は、第１領域２９の厚さＴ1よりも小さく（すなわち、Ｔ1＞Ｔ2）、たとえば、０．７μｍ程度である。
　ソース耐圧保持領域２８は、ソーストレンチ２４の底面２６を露出させるように、当該底面２６と側面２５とが交わるソーストレンチ２４のエッジ部３２および当該エッジ部３２からソーストレンチ２４の側面２５の一部を形成するチャネル領域１２に至るように形成されている。
　これにより、ソーストレンチ２４の底面２６の中央部には、ドレイン領域１３の一部からなる平面視正方形状のドレイン露出領域３３が形成されている。
　また、ソース耐圧保持領域２８の濃度は、ゲート耐圧保持領域２７の第１領域２９と同じである（たとえば、１×１０17～９×１０19ｃｍ-3。また、ソース耐圧保持領域２８におけるソーストレンチ２４の底面から基板５へ向かう方向に沿う厚さＴ3は、ゲート耐圧保持領域２７の第１領域２９の厚さＴ1と同じである（たとえば、０．８μｍ程度）。
　また、トランジスタ周辺領域１１において、エピタキシャル層８の表層部には、マトリクス状に配列された単位セル２１（活性領域１０）を取り囲むように、活性領域１０から間隔を開けてｐ型のガードリング３４が複数本（第１実施形態では、４本）形成されている。これらのガードリング３４は、ｐ型のチャネル領域１２を形成する工程と同一のイオン注入工程で形成することができる。
　各ガードリング３４は、平面視において、ＭＩＳトランジスタ１の外周に沿う平面視四角環状に形成されている。
　エピタキシャル層８上には、ゲート電極２３を被覆するように、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜３５が積層されている。
　層間絶縁膜３５およびゲート絶縁膜２２には、ソーストレンチ２４よりも大径のコンタクトホール３６が形成されている。これにより、コンタクトホール３６内には、各単位セル２１のソーストレンチ２４の全体（すなわち、ソーストレンチ２４の側面２５および底面２６）およびエピタキシャル層８の表面９におけるソーストレンチ２４の周縁部が露出していて、表面９と底面２６との高低差に応じた段差が形成されている。
　層間絶縁膜３５上には、ソース電極３７が形成されている。ソース電極３７は、各コンタクトホール３６を介して、すべての単位セル２１のソーストレンチ２４に一括して入り込んでいて、各単位セル２１において、ソーストレンチ２４の底側から順にドレイン露出領域３３、ソース耐圧保持領域２８、チャネル領域１２およびソース領域１４に接触している。すなわち、ソース電極３７は、すべての単位セル２１に対して共通の配線となっている。
　そして、このソース電極３７上には層間絶縁膜（図示せず）が形成されており、その層間絶縁膜（図示せず）を介して、ソース電極３７がソースパッド２（図１（ａ）参照）に電気的に接続されている。一方、ゲートパッド４（図１（ａ）参照）は、当該層間絶縁膜（図示せず）上に引き回されたゲート配線（図示せず）を介して、ゲート電極２３に電気的に接続されている。
　また、ソース電極３７は、エピタキシャル層８との接触側から順に、障壁形成層としてのポリシリコン層３８、中間層３９およびメタル層４０を有している。
　ポリシリコン層３８は、不純物がドーピングされたドープトポリシリコンを用いて形成されたドープ層であり、たとえば、１×１０15ｃｍ-3以上、好ましくは、１×１０19～１×１０21ｃｍ-3の高濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層である。ポリシリコン層３８をドープ層（高濃度ドープ層を含む）として形成するときの不純物としては、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ひ素）などのｎ型不純物、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ホウ素）などのｐ型不純物を用いることができる。また、ポリシリコン層３８の厚さは、たとえば、５０００Å～１００００Åである。
　また、ポリシリコン層３８は、第１実施形態では、コンタクトホール３６内に露出する単位セル２１の表面全域を覆うように形成されていて、ソーストレンチ２４内でドレイン露出領域３３、ソース耐圧保持領域２８およびソース領域１４の全てに接触している。
　すなわち、ポリシリコン層３８は、ソーストレンチ２４の側面２５においてソース耐圧保持領域２８に接し、側面２５およびエピタキシャル層８の表面９におけるソーストレンチ２４の周縁部においてソース領域１４に接する第１部分４１と、ソーストレンチ２４の底面２６においてドレイン露出領域３３に接する第２部分４２とを有している。
　そして、ポリシリコン層３８は、第１部分４１が、ソース耐圧保持領域２８およびソース領域１４の両方との間にオーミック接合を形成している。一方で、第２部分４２が、ドレイン露出領域３３との間に、ＭＩＳトランジスタ１に内在するボディダイオード４３（チャネル領域１２とドレイン領域１３との接合により形成されるｐｎダイオード）の拡散電位（たとえば、２．８ｅＶ～３．２ｅＶ）よりも接合障壁の小さいヘテロ接合（たとえば、接合障壁の高さが１ｅＶ～１．５ｅＶ）を形成している。
　中間層３９は、ポリシリコン層３８上に積層されたメタル層であり、Ｔｉ（チタン）を含有する層の単層またはＴｉを含有する層を含む複数の層からなる。Ｔｉを含有する層は、Ｔｉ、ＴｉＮ（窒化チタン）などを用いて形成することができる。また、中間層３９の厚さは、たとえば、２００ｎｍ～５００ｎｍである。
　メタル層４０は、中間層３９上に積層されており、たとえば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、それらの合金およびそれらを含有するメタル材料を用いて形成することができる。メタル層４０は、ソース電極３７の最表層をなしている。また、メタル層４０の厚さは、たとえば、１μｍ～５μｍである。
　上記のようなポリシリコン層３８、中間層３９およびメタル層４０の組み合わせとしては、第１実施形態では、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ（ポリシリコン層３８）、Ｔｉ（中間層３９）、ＴｉＮ（中間層３９）およびＡｌ（メタル層４０）が順に積層される積層構造（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ）である。また、これらに加えて、メタル層４０がＭｏ層を有していることが好ましい。Ｍｏは融点が高いので、メタル層４０にＭｏ層が含まれていれば、ソース電極３７に大電流が流れたときに生じる熱によるメタル層４０の溶損を抑制することができる。
　基板５の裏面７には、その全域を覆うようにドレイン電極４４が形成されている。このドレイン電極４４は、すべての単位セル２１に対して共通の電極となっている。ドレイン電極４４としては、たとえば、基板５側から順にＴｉ、Ｎｉ、ＡｕおよびＡｇが積層された積層構造（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ）を適用することができる。
　図３Ａ～図３Ｆは、図２に示すトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタの製造工程の一部を示す模式的な断面図であって、図２と同じ位置での切断面を示す。
　ＭＩＳトランジスタ１を製造するには、図３Ａに示すように、ＣＶＤ法、ＬＰＥ法、ＭＢＥ法などのエピタキシャル成長法により、基板５の表面６（Ｓｉ面）上に、ｎ型不純物（たとえば、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ひ素）等）をドーピングしながらＳｉＣ結晶が成長させられる。これにより、基板５上に、ｎ-型のエピタキシャル層８が形成される。
　続いて、ｐ型不純物（たとえば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ホウ素）等）が、エピタキシャル層８の表面９からエピタキシャル層８の内部にインプランテーション（注入）される。
　続いて、ｎ型不純物が、エピタキシャル層８の表面９からエピタキシャル層８の内部にインプランテーション（注入）される。
　続いて、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層８が熱処理される。これにより、エピタキシャル層８の表層部に注入されたｐ型不純物およびｎ型不純物のイオンが活性化され、注入された箇所に応じて、チャネル領域１２、ソース領域１４およびガードリング３４が同時に形成される。また、エピタキシャル層８の基層部には、エピタキシャル成長後のままの状態を維持するドレイン領域１３が形成される。
　次に、図３Ｂに示すように、エピタキシャル層８が、ゲートトレンチ１５およびソーストレンチ２４を形成すべき領域に開口を有するマスクを用いてエッチングされる。これにより、エピタキシャル層８が表面９（Ｓｉ面）からドライエッチングされて、ゲートトレンチ１５およびソーストレンチ２４が同時に形成される。それとともに、エピタキシャル層８に多数の単位セル２１が形成される。なお、エッチングガスとしては、たとえば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）およびＯ2（酸素）を含む混合ガス（ＳＦ6／Ｏ2ガス）、ＳＦ6、Ｏ2およびＨＢｒ（臭化水素）を含む混合ガス（ＳＦ6／Ｏ2／ＨＢｒガス）を用いることができる。
　次に、図３Ｃに示すように、ゲートトレンチ１５の交差部１７およびソーストレンチ２４のエッジ部３２を露出させる開口を有する第１レジスト４５が、エピタキシャル層８上に形成される。これにより、ゲートトレンチ１５の線状部１６およびソーストレンチ２４の底面２６の中央部（ドレイン露出領域３３を形成すべき部分）は、第１レジスト４５で覆われることとなる。
　続いて、第１レジスト４５の開口から露出するゲートトレンチ１５の交差部１７およびソーストレンチ２４へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。この際、ゲートトレンチ１５（交差部１７）の側面１８およびソーストレンチ２４の側面２５はいずれも第１レジスト４５で覆われていないので、ｐ型不純物は、側面１８，２５にも注入されることとなる。一方、ゲートトレンチ１５の線状部１６およびソーストレンチ２４の底面２６の中央部（ドレイン露出領域３３を形成すべき部分）は第１レジスト４５で保護されるので、これらの部分へのｐ型不純物の注入を防止することができる。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層８が熱処理される。これにより、ドレイン領域１３に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、ゲート耐圧保持領域２７の第１領域２９およびソース耐圧保持領域２８が同時に形成される。また、ソーストレンチ２４の底面２６における第１レジスト４５で覆われていた部分に、ドレイン露出領域３３が形成される。
　次に、図３Ｄに示すように、ゲート耐圧保持領域２７の第２領域３０を形成すべき領域に開口を有する第２レジスト４６が、エピタキシャル層８上に形成される。これにより、ゲートトレンチ１５の交差部１７の側面１８および底面１９、ならびにソーストレンチ２４の側面２５および底面２６は、第２レジスト４６で覆われることとなる。
　続いて、第２レジスト４６の開口から露出するゲートトレンチ１５の線状部１６へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。この際、側面１８および底面１９、ならびに側面２５および底面２６は第２レジスト４６で保護されるので、これらの部分へのｐ型不純物の注入を防止することができる。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層８が熱処理される。これにより、ドレイン領域１３に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、ゲート耐圧保持領域２７の第２領域３０が形成される。
　次に、図３Ｅに示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2材料がエピタキシャル層８の上方から堆積される。これにより、ゲート絶縁膜２２が形成される。
　続いて、ＣＶＤ法により、ドーピングされたポリシリコン材料がエピタキシャル層８の上方から堆積される。ポリシリコン材料の堆積は、少なくともゲートトレンチ１５およびソーストレンチ２４が埋め尽くされるまで続けられる。その後、堆積したポリシリコン材料が、エッチバック面がエピタキシャル層８の表面９に対して面一になるまでエッチバックされる。続いて、ソーストレンチ２４内に残存するポリシリコン材料のみがドライエッチングにより除去される。これにより、ゲートトレンチ１５内に残存するポリシリコン材料からなるゲート電極２３が形成される。
　次に、図３Ｆに示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2材料がエピタキシャル層８の上方から堆積される。これにより、層間絶縁膜３５が形成される。続いて、公知のパターニング技術により、層間絶縁膜３５およびゲート絶縁膜２２が連続してパターニングされる。これにより、層間絶縁膜３５およびゲート絶縁膜２２にコンタクトホール３６が形成される。
　続いて、ＣＶＤ法により、ポリシリコン材料がコンタクトホール３６を埋め尽くすまで堆積される。この後、堆積されたポリシリコン材料に対してｎ型またはｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。このときの注入条件は、不純物の種類により異なるが、たとえば、加速エネルギーが１０ｋｅＶ～１００ｋｅＶである。
　この後、中間層３９、メタル層４０、ドレイン電極４４などが形成されることにより、図２に示すＭＩＳトランジスタ１が得られる。
　このＭＩＳトランジスタ１は、たとえば、電動モータ（誘導性負荷の一例）の駆動回路（インバータ回路）のスイッチング素子として利用される。この場合、ソースパッド２（ソース電極３７）とドレイン電極４４との間（ソース－ドレイン間）にドレイン側が正となるドレイン電圧が印加された状態で、ゲートパッド４に所定の電圧（ゲート閾値電圧以上の電圧）がオン／オフされることによって、電動モータに流す電流をオン／オフするスイッチングを行なう。
　電動モータに流れる電流を遮断すると（つまり、ゲート電圧がオフにされると）、電動モータのモータコイルに逆起電力が発生する。この逆起電力に起因して、ソース側が正となる電圧が、ソース－ドレイン間にかかる場合がある。
　このような場合に、ボディダイオード４３の整流作用により、電流が、たとえば還流電流としてモータコイルに流れると、以下の不具合がある。
　つまり、ボディダイオード４３を構成するｐ型チャネル領域１２からｎ型ドレイン領域１３に正孔（ホール）が移動して電流が流れると、ｎ型ドレイン領域１３においてゲートトレンチ１５付近（たとえば、ゲートトレンチ１５の側方）では、多数キャリヤの電子と、ｐ型チャネル領域１２から移動した正孔とが再結合する場合がある。そのため、その結合により生じるエネルギーによって、エピタキシャル層８のＳｉＣの結晶欠陥が、エピタキシャル層８の積層方向に平行な方向に拡張し、オン時のドレイン電流の経路（たとえば、チャネル）に達するおそれがある。そうすると、このＭＩＳトランジスタ１が、チャネル領域１２におけるゲートトレンチ１５の側面１８付近にチャネルを形成してスイッチング動作する際、オン抵抗が上昇するおそれがある。
　そこで、第１実施形態では、ポリシリコン層３８がドレイン領域１３（ドレイン露出領域３３）に対してヘテロ接合を形成している。そのため、ポリシリコン層３８の第２部分４２とドレイン領域１３とのヘテロ接合部に優先的に電流が流れ、ボディダイオード４３に流れる電流を少なくするか、またはなくすことができる。こうしてＭＩＳトランジスタ１を流れた電流は、たとえば還流電流として電動モータに流すことができる。
　このように、オフ時の電流は、ゲートトレンチ１５で取り囲まれた単位セル２１の中央のソーストレンチ２４内に形成されたポリシリコン層３８の第２部分４２からドレイン領域１３へ流れるから、ゲートトレンチ１５付近（すなわち、ｐ型チャネル領域１２とｎ型ドレイン領域１３との間）でのキャリヤの移動はほとんど生じない。そのため、ドレイン領域１３内での正孔と電子との再結合を防止することができる。その結果、エピタキシャル層８におけるＳｉＣの結晶欠陥の拡張を抑制することができるので、トランジスタ１のオン抵抗の上昇を抑制することができる。
　また、オフ状態（つまり、ゲート電圧が０Ｖの状態）においては、ゲート電極２３とエピタキシャル層８との間に介在するゲート絶縁膜２２に電界がかかる。
　この電界は、ゲート電極２３とエピタキシャル層８との電位差に起因して生じるものである。そして、ゲートトレンチ１５の底面１９においては、ゲート電極２３を基準（０Ｖ）として非常に高い電位の等電位面が分布し、しかも等電位面の間隔が小さいため、非常に大きな電界が生じる。たとえば、ドレイン電圧が９００Ｖであれば、ドレイン電極４４に接する基板５の裏面７付近では９００Ｖの等電位面が分布しており、基板５の裏面７からエピタキシャル層８の表面９側へ向かうにつれて電圧降下を生じるが、ゲートトレンチ１５の底面１９付近では、数十Ｖ程度の等電位面が分布する。そのため、ゲートトレンチ１５の底面１９では、ゲート電極２３側へ向かう非常に大きな電界が生じる。とりわけ、第１実施形態のように、ゲートトレンチ１５が格子状に形成されており、格子状のゲートトレンチ１５の窓部に四角柱状の単位セル２１が配列されている場合は、単位セル２１の各角部２０に形成されたゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１付近において、ゲート絶縁膜２２の絶縁破壊が特に発生しやすい。
　具体的には、ゲートトレンチ１５の交差部１７の対角線上で互いに隣り合うソーストレンチ２４の距離Ｄ1（図２のＡ－Ａ断面参照）は、ゲートトレンチ１５の線状部１６を挟んで互いに隣り合うソーストレンチ２４の距離Ｄ2（図２のＢ－Ｂ断面参照）に比べて大きくなる（たとえば、第１実施形態では、Ｄ1はＤ2の１．４倍）。そのため、相対的に広いスペースがあるゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１の直下に等電位面が入り込み、等電位面の密集を生じる。その結果、ゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１付近において、ゲート絶縁膜２２の絶縁破壊が特に発生しやすい。
　そこで、第１実施形態のＭＩＳトランジスタ１では、ゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１にゲート耐圧保持領域２７（第１領域２９）が形成されている。これにより、第１領域２９とドレイン領域１３との接合（ｐｎ接合）により、ゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１付近にボディダイオード４８を形成することができる。さらにこのＭＩＳトランジスタ１では、各単位セル２１の中央部に形成されたソーストレンチ２４のエッジ部３２に、ソース耐圧保持領域２８が形成されている。そのため、このソース耐圧保持領域２８とドレイン領域１３との接合（ｐｎ接合）により、ソーストレンチ２４のエッジ部３２を取り囲む環状のボディダイオード４９を形成することができる。
　これらのボディダイオード４８，４９に発生する空乏層の存在により、ゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１とソーストレンチ２４のエッジ部３２との間に等電位面が入り込むことを防止でき、ゲート絶縁膜２２から遠ざけることができる。その結果、ゲートトレンチ１５のコーナーエッジ部３１付近における等電位面の密集を防止することができる。その結果、ゲート絶縁膜２２にかかる電界を小さくすることができるので、絶縁破壊を抑制することができる。また、第１領域２９の濃度がドレイン領域１３の濃度よりも高いので、第１領域２９とドレイン領域１３との接合（ｐｎ接合）により生じる空乏層がエピタキシャル層８内に広がり過ぎることを防止することができる。
　また、ＭＩＳトランジスタ１では、第１領域２９がコーナーエッジ部３１を経て、コーナーエッジ部３１直上のチャネル領域１２に至るように形成されているが、単位セル２１の角部２０には、チャネルが形成されないか、形成されても当該チャネルを流れる電流は微量である。したがって、チャネル領域１２におけるコーナーエッジ部３１直上の部分に至るようにゲート耐圧保持領域２７（第１領域２９）を形成することにより、デバイスの性能にほとんど影響を与えずに、ゲート絶縁膜２２の破壊防止効果を一層向上させることができる。
　一方、ゲートトレンチ１５の線状部１６には、線状部１６の幅よりも狭い幅のゲート耐圧保持領域２７（第２領域３０）が形成されている。これにより、第２領域３０とドレイン領域１３との接合（ｐｎ接合）により生じる空乏層を、ゲートトレンチ１５の線状部１６に沿って発生させることができる。そのため、ゲートトレンチ１５の線状部１６の直下に生じる電界を、当該空乏層により緩和することができる。その結果、ゲート絶縁膜２２に生じる電界を、全体にわたって満遍なく緩和することができる。
　しかも、ゲート耐圧保持領域２７（第２領域３０）がゲートトレンチ１５の線状部１６の側面１８（つまり、単位セル２１においてチャネルが形成される部分）に形成されていない。よって、チャネル特性の制御を精度よく行うこともできる。
　また、第２領域３０の濃度が第１領域２９の濃度よりも高く、さらに、第２領域３０の厚さＴ2が第１領域２９の厚さＴ1よりも小さい（Ｔ1＞Ｔ2）ので、チャネル抵抗の上昇を防止することもできる。
　また、上記の製造方法によれば、ゲート耐圧保持領域２７およびソース耐圧保持領域２８を同時に形成することができる。その結果、ゲート絶縁膜２２の絶縁破壊を防止するためのＭＩＳトランジスタ１の構造を簡単に作製することができる。
　なお、ドレイン露出領域３３は、図４のＭＩＳトランジスタ４７のように、ソーストレンチ２４の底面２６の中央部をエピタキシャル層８の表面９と面一になる位置まで突出させることにより、底面２６の周縁部（中央部とは異なる他の部分）との間に段差Ｓ1を有していてもよい。このような構成は、たとえば、図３Ｂに示す工程において、ソーストレンチ２４を環状に形成することにより得ることができる。
　この場合には、ポリシリコン層３８とドレイン露出領域３３との接合面積を大きくすることができるので、ポリシリコン層３８にかかる電界を小さくすることができる。その結果、ポリシリコン層３８とドレイン露出領域３３との間でのリーク電流の発生を減らすことができる。
＜第２実施形態＞
　図５（ａ）（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係るプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの模式的な平面図であって、図５（ａ）は全体図、図５（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。図６は、図５（ａ）（ｂ）に示すプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの断面図であって、図５（ｂ）の切断線Ｃ－ＣおよびＤ－Ｄでの切断面をそれぞれ示す。
　ＭＩＳトランジスタ５１は、ＳｉＣが採用されたプレーナゲート型ＤＭＩＳＦＥＴであり、たとえば、図５（ａ）に示すように、平面視正方形のチップ状である。チップ状のＭＩＳトランジスタ５１は、図５（ａ）の紙面における上下左右方向の長さがそれぞれ数ｍｍ程度である。
　ＭＩＳトランジスタ５１の表面には、ソースパッド５２が形成されている。ソースパッド５２は、四隅が外方へ湾曲した平面視略正方形状であり、ＭＩＳトランジスタ５１の表面のほぼ全域を覆うように形成されている。このソースパッド５２には、その一辺の中央付近に除去領域５３が形成されている。この除去領域５３は、ソースパッド５２が形成されていない領域である。
　除去領域５３には、ゲートパッド５４が配置されている。ゲートパッド５４とソースパッド５２との間には間隔が設けられており、これらは互いに絶縁されている。
　次に、ＭＩＳトランジスタ５１の内部構造について説明する。
　ＭＩＳトランジスタ５１は、ｎ+型（たとえば、濃度が１×１０18～１×１０21ｃｍ-3）のＳｉＣからなる基板５５を備えている。基板５５は、第２実施形態では、ＭＩＳトランジスタ５１のドレインとして機能し、その表面５６（上面）がＳｉ面であり、その裏面５７（下面）がＣ面である。
　基板５５の表面５６には、基板５５よりも低濃度のｎ-型（たとえば、濃度が１×１０15～１×１０17ｃｍ-3）のＳｉＣからなるエピタキシャル層５８が積層されている。半導体層としてのエピタキシャル層５８の厚さは、たとえば、１μｍ～１００μｍである。エピタキシャル層５８は、基板５５上に、いわゆるエピタキシャル成長によって形成されている。Ｓｉ面である表面５６上に形成されるエピタキシャル層５８は、Ｓｉ面を成長主面として成長させられる。したがって、成長により形成されるエピタキシャル層５８の表面５９は、基板５５の表面５６と同様、Ｓｉ面である。
　ＭＩＳトランジスタ５１には、図５（ａ）に示すように、平面視でエピタキシャル層５８の中央部に配置され、ＭＩＳトランジスタ５１として機能する活性領域６０と、この活性領域６０を取り囲むトランジスタ周辺領域６１が形成されている。
　活性領域６０において、エピタキシャル層５８の表層部には、ｐ型（たとえば、濃度が１．０×１０16ｃｍ-3～１．０×１０19ｃｍ-3）のチャネル領域６２が、行方向および列方向に一定のピッチで行列状（マトリクス状）に配列されて多数形成されている。各チャネル領域６２は、平面視正方形状であり、たとえば、図５（ｂ）の紙面における上下左右方向の長さがそれぞれ７．２μｍ程度である。
　一方、エピタキシャル層５８における、チャネル領域６２に対して基板５５側の領域は、エピタキシャル成長後のままの状態が維持された、ｎ-型のドレイン領域６３となっている。
　各チャネル領域６２には、その表面５９側のほぼ全域にｎ+型（たとえば、濃度が１×１０18～１×１０21ｃｍ-3）のソース領域６４が形成されている。
　また、活性領域６０において、一定のピッチで行列状に配列されたチャネル領域６２の各間の領域（チャネル間領域６５）は、一定（たとえば、２．８μｍ）幅を有する格子状である。
　具体的には、チャネル間領域６５は、隣り合うチャネル領域６２の各間を、各チャネル領域６２の４つの側面に沿って行方向および列方向のそれぞれに直線状に延びる線状部６６と、行方向に延びる線状部６６と列方向に延びる線状部６６とが交差する交差部６７とを含んでいる。交差部６７は、平面視で２行２列に配列されたチャネル領域６２に着目したとき、配列された４つのチャネル領域６２の内側の角に取り囲まれ、チャネル領域６２の四辺の延長線により区画される平面視正方形状の部分である。
　これにより、エピタキシャル層５８には、格子状のチャネル間領域６５で取り囲まれる各窓部分に、４つの角部７０を有する平面視正方形状の単位セル７１が多数形成されている。すなわち、チャネル間領域６５の幅方向中央に単位セル７１間の境界が設定されている。各単位セルは、たとえば、図５（ｂ）の紙面における上下左右方向の長さがそれぞれ１０μｍ程度である。各単位セル７１では、チャネル領域６２の深さ方向がゲート長方向であり、そのゲート長方向に直交するチャネル領域６２の周方向がゲート幅方向である。
　チャネル間領域６５上には、チャネル間領域６５に沿って、格子状のゲート絶縁膜７２が形成されている。ゲート絶縁膜７２は、隣り合うチャネル領域６２の間に跨っていて、チャネル領域６２におけるソース領域６４を取り囲む部分（チャネル領域６２の周縁部）およびソース領域６４の外周縁を覆っている。ゲート絶縁膜７２は、ＳｉＯ2からなり、その厚さは４００Å程度でほぼ一様である。
　ゲート絶縁膜７２上には、ゲート電極７３が形成されている。ゲート電極７３は、格子状のゲート絶縁膜７２に沿って格子状に形成されていて、ゲート絶縁膜７２を挟んで、各チャネル領域６２の周縁部に対向している。ゲート電極７３は、ポリシリコンからなり、たとえば、ｎ型不純物が高濃度にドーピングされている。また、ゲート電極７３の厚さは、たとえば、６０００Å程度である。
　各単位セル７１の中央部には、エピタキシャル層５８の表面５９から各ソース領域６４およびチャネル領域６２を貫通してドレイン領域６３に達する、平面視正方形状のソーストレンチ７４が形成されている。ソーストレンチ７４は、互いに対向する側面７５と底面７６とが湾曲面を介して連続する断面Ｕ字状である。
　また、エピタキシャル層５８には、エピタキシャル層５８にｐ型不純物をインプランテーションすることにより形成された、ｐ型のゲート耐圧保持領域７７および第１耐圧保持領域としてのソース耐圧保持領域７８が形成されている。
　ゲート耐圧保持領域７７は、格子状のチャネル間領域６５に沿って形成されており、チャネル間領域６５の交差部６７に形成された第４耐圧保持領域としての第１領域７９と、チャネル間領域６５の線状部６６に形成された第５耐圧保持領域としての第２領域８０とを一体的に含んでいる。
　第１領域７９は、交差部６７に臨む４つの単位セル７１の各角部７０に形成されたチャネル領域６２のコーナー部８１に至るように形成されている。すなわち、第１領域７９は、平面視では、チャネル間領域６５の交差部６７よりもやや大きい正方形状に形成されていて、その各角が、当該交差部６７に臨む４つの単位セル７１の各角部７０にそれぞれ入り込んでいる。また、第１領域７９の濃度は、チャネル領域６２の濃度以上で、ドレイン領域６３の濃度よりも高く、たとえば、１×１０18～１×１０19ｃｍ-3である。また、第１領域７９におけるエピタキシャル層５８の表面５９から基板５５へ向かう方向に沿う厚さＴ4は、たとえば、０．８μｍ程度である。
　第２領域８０は、平面視で隣り合う交差部６７の各辺中央同士を繋ぐ一定幅の直線状に形成されていて、線状部６６の幅（たとえば、３．０μｍ）よりも狭い幅（たとえば、１．５μｍ）を有している。また、第２領域８０の濃度は、チャネル領域６２の濃度よりも高く、第１領域７９よりも高く、たとえば、２×１０18～２×１０19ｃｍ-3である。また、第２領域８０におけるエピタキシャル層５８の表面５９からから基板５５へ向かう方向に沿う厚さＴ5は、第１領域７９の厚さＴ4以下（すなわち、Ｔ4≧Ｔ5）である。
　ソース耐圧保持領域７８は、ソーストレンチ７４の底面７６を露出させるように、当該底面７６と側面７５とが交わるソーストレンチ７４のエッジ部８２および当該エッジ部８２からソーストレンチ７４の側面７５の一部を形成するチャネル領域６２に至るように形成されている。
　これにより、ソーストレンチ７４の底面７６の中央部には、ドレイン領域６３の一部からなる平面視正方形状のドレイン露出領域８３が形成されている。
　また、ソース耐圧保持領域７８の濃度は、ゲート耐圧保持領域７７の第１領域７９と同じである（たとえば、１×１０18～１×１０19ｃｍ-3）。また、ソース耐圧保持領域７８におけるソーストレンチ７４の底面から基板５５へ向かう方向に沿う厚さＴ6は、たとえば、０．８μｍ程度であり、ソース耐圧保持領域７８の最深部が、ゲート耐圧保持領域７７（第１領域７９および第２領域８０）の最深部よりも深い位置にある。
　また、トランジスタ周辺領域６１において、エピタキシャル層５８の表層部には、マトリクス状に配列された単位セル７１（活性領域６０）を取り囲むように、活性領域６０から間隔を開けてｐ型のガードリング８４が複数本（第２実施形態では、４本）形成されている。これらのガードリング８４は、ｐ型のチャネル領域６２を形成する工程と同一のイオン注入工程で形成することができる。
　各ガードリング８４は、平面視において、ＭＩＳトランジスタ５１の外周に沿う平面視四角環状に形成されている。
　エピタキシャル層５８上には、ゲート電極７３を被覆するように、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜８５が積層されている。
　層間絶縁膜８５およびゲート絶縁膜７２には、ソーストレンチ７４よりも大径のコンタクトホール８６が形成されている。これにより、コンタクトホール８６内には、各単位セル７１のソーストレンチ７４の全体（すなわち、ソーストレンチ７４の側面７５および底面７６）およびエピタキシャル層５８の表面５９におけるソーストレンチ７４の周縁部が露出していて、表面５９と底面７６との高低差に応じた段差が形成されている。
　層間絶縁膜８５上には、ソース電極８７が形成されている。ソース電極８７は、各コンタクトホール８６を介して、すべての単位セル７１のソーストレンチ７４に一括して入り込んでいて、各単位セル７１において、ソーストレンチ７４の底側から順にドレイン露出領域８３、ソース耐圧保持領域７８、チャネル領域６２およびソース領域６４に接触している。すなわち、ソース電極８７は、すべての単位セル７１に対して共通の配線となっている。
　そして、このソース電極８７上には層間絶縁膜（図示せず）が形成されており、その層間絶縁膜（図示せず）を介して、ソース電極８７がソースパッド５２（図５（ａ）参照）に電気的に接続されている。一方、ゲートパッド５４（図５（ａ）参照）は、当該層間絶縁膜（図示せず）上に引き回されたゲート配線（図示せず）を介して、ゲート電極７３に電気的に接続されている。
　また、ソース電極８７は、エピタキシャル層５８との接触側から順に、障壁形成層としてのポリシリコン層８８、中間層８９およびメタル層９０を有している。
　ポリシリコン層８８は、不純物がドーピングされたドープトポリシリコンを用いて形成されたドープ層であり、たとえば、１×１０15ｃｍ-3以上、好ましくは、１×１０19～１×１０21ｃｍ-3の高濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層である。ポリシリコン層８８をドープ層（高濃度ドープ層を含む）として形成するときの不純物としては、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ひ素）などのｎ型不純物、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ホウ素）などのｐ型不純物を用いることができる。また、ポリシリコン層８８の厚さは、たとえば、５０００Å～１００００Åである。
　また、ポリシリコン層８８は、第２実施形態では、コンタクトホール８６内に露出する単位セル７１の表面全域を覆うように形成されていて、ソーストレンチ７４内でドレイン露出領域８３、ソース耐圧保持領域７８およびソース領域６４の全てに接触している。
　すなわち、ポリシリコン層８８は、ソーストレンチ７４の側面７５においてソース耐圧保持領域７８に接し、側面７５およびエピタキシャル層５８の表面５９におけるソーストレンチ７４の周縁部においてソース領域６４に接する第１部分９１と、ソーストレンチ７４の底面７６においてドレイン露出領域８３に接する第２部分９２とを有している。
　そして、ポリシリコン層８８は、第１部分９１が、ソース耐圧保持領域７８およびソース領域６４の両方との間にオーミック接合を形成している。一方で、第２部分９２が、ドレイン露出領域８３との間に、ＭＩＳトランジスタ５１に内在するボディダイオード９３（ソース耐圧保持領域７８とドレイン領域６３との接合により形成されるｐｎダイオード）の拡散電位（たとえば、２．８ｅＶ～３．２ｅＶ）よりも接合障壁の小さいヘテロ接合（たとえば、接合障壁の高さが１ｅＶ～１．５ｅＶ）を形成している。
　中間層８９は、ポリシリコン層８８上に積層されたメタル層であり、Ｔｉ（チタン）を含有する層の単層またはＴｉを含有する層を含む複数の層からなる。Ｔｉを含有する層は、Ｔｉ、ＴｉＮ（窒化チタン）などを用いて形成することができる。また、中間層８９の厚さは、たとえば、２００ｎｍ～５００ｎｍである。
　メタル層９０は、中間層８９上に積層されており、たとえば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、それらの合金およびそれらを含有するメタル材料を用いて形成することができる。メタル層９０は、ソース電極８７の最表層をなしている。また、メタル層９０の厚さは、たとえば、１μｍ～５μｍである。
　上記のようなポリシリコン層８８、中間層８９およびメタル層９０の組み合わせとしては、第２実施形態では、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ（ポリシリコン層８８）、Ｔｉ（中間層８９）、ＴｉＮ（中間層８９）およびＡｌ（メタル層９０）が順に積層される積層構造（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ）である。また、これらに加えて、メタル層９０がＭｏ層を有していることが好ましい。Ｍｏは融点が高いので、メタル層９０にＭｏ層が含まれていれば、ソース電極８７に大電流が流れたときに生じる熱によるメタル層９０の溶損を抑制することができる。
　基板５５の裏面５７には、その全域を覆うようにドレイン電極９４が形成されている。このドレイン電極９４は、すべての単位セル７１に対して共通の電極となっている。ドレイン電極９４としては、たとえば、基板５５側から順にＴｉ、Ｎｉ、ＡｕおよびＡｇが積層された積層構造（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ）を適用することができる。
　図７Ａ～図７Ｆは、図６に示すプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタの製造工程の一部を示す模式的な断面図であって、図６と同じ位置での切断面を示す。
　ＭＩＳトランジスタ５１を製造するには、図７Ａに示すように、ＣＶＤ法、ＬＰＥ法、ＭＢＥ法などのエピタキシャル成長法により、基板５５の表面５６（Ｓｉ面）上に、ｎ型不純物（たとえば、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ひ素）等）をドーピングしながらＳｉＣ結晶が成長させられる。これにより、基板５５上に、ｎ-型のエピタキシャル層５８が形成される。
　続いて、ｐ型不純物（たとえば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ホウ素）等）が、エピタキシャル層５８の表面５９からエピタキシャル層５８の内部にインプランテーション（注入）される。
　続いて、ｎ型不純物が、エピタキシャル層５８の表面５９からエピタキシャル層５８の内部にインプランテーション（注入）される。
　続いて、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層５８が熱処理される。これにより、エピタキシャル層５８の表層部に注入されたｐ型不純物およびｎ型不純物のイオンが活性化され、注入された箇所に応じて、チャネル領域６２、ソース領域６４およびガードリング８４が同時に形成される。また、エピタキシャル層５８の基層部には、エピタキシャル成長後のままの状態を維持するドレイン領域６３が形成される。また、チャネル間領域６５が同時に形成されて、エピタキシャル層５８に多数の単位セル７１が形成される。
　次に、図７Ｂに示すように、エピタキシャル層５８が、ソーストレンチ７４を形成すべき領域に開口を有するマスクを用いてエッチングされる。これにより、エピタキシャル層５８が表面５９（Ｓｉ面）からドライエッチングされて、ソーストレンチ７４が形成される。なお、エッチングガスとしては、たとえば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）およびＯ2（酸素）を含む混合ガス（ＳＦ6／Ｏ2ガス）、ＳＦ6、Ｏ2およびＨＢｒ（臭化水素）を含む混合ガス（ＳＦ6／Ｏ2／ＨＢｒガス）を用いることができる。
　次に、図７Ｃに示すように、チャネル間領域６５の交差部６７およびソーストレンチ７４のエッジ部８２を露出させる開口を有する第１レジスト９５が、エピタキシャル層５８上に形成される。これにより、チャネル間領域６５の線状部６６およびソーストレンチ７４の底面７６の中央部（ドレイン露出領域８３を形成すべき部分）は、第１レジスト９５で覆われることとなる。
　続いて、第１レジスト９５の開口から露出するチャネル間領域６５の交差部６７およびソーストレンチ７４へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。この際、ソーストレンチ７４の側面７５は第１レジスト９５で覆われていないので、ｐ型不純物は、側面７５にも注入されることとなる。一方、チャネル間領域６５の線状部６６およびソーストレンチ７４の底面７６の中央部（ドレイン露出領域８３を形成すべき部分）は第１レジスト９５で保護されるので、これらの部分へのｐ型不純物の注入を防止することができる。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層５８が熱処理される。これにより、ドレイン領域６３に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、ゲート耐圧保持領域７７の第１領域７９およびソース耐圧保持領域７８が同時に形成される。また、ソーストレンチ７４の底面７６における第１レジスト９５で覆われていた部分に、ドレイン露出領域８３が形成される。
　次に、図７Ｄに示すように、ゲート耐圧保持領域７７の第２領域８０を形成すべき領域に開口を有する第２レジスト９６が、エピタキシャル層５８上に形成される。これにより、チャネル間領域６５の交差部６７、ならびにソーストレンチ７４の側面７５および底面７６は、第２レジスト９６で覆われることとなる。
　続いて、第２レジスト９６の開口から露出するチャネル間領域６５の線状部６６へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。この際、チャネル間領域６５の交差部６７、ならびに側面７５および底面７６は第２レジスト９６で保護されるので、これらの部分へのｐ型不純物の注入を防止することができる。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層５８が熱処理される。これにより、ドレイン領域６３に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、ゲート耐圧保持領域７７の第２領域８０が形成される。
　次に、図７Ｅに示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2材料がエピタキシャル層５８の上方から堆積される。これにより、ゲート絶縁膜７２が形成される。
　続いて、ＣＶＤ法により、ドーピングされたポリシリコン材料がエピタキシャル層５８の上方から堆積される。その後、公知のパターニング技術により、堆積したポリシリコン材料がパターニングされることにより、ゲート電極７３が形成される。
　次に、図７Ｆに示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2材料がエピタキシャル層５８の上方から堆積される。これにより、層間絶縁膜８５が形成される。続いて、公知のパターニング技術により、層間絶縁膜８５およびゲート絶縁膜７２が連続してパターニングされる。これにより、層間絶縁膜８５およびゲート絶縁膜７２にコンタクトホール８６が形成される。
　続いて、ＣＶＤ法により、ポリシリコン材料がコンタクトホール８６を埋め尽くすまで堆積される。この後、堆積されたポリシリコン材料に対してｎ型またはｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。このときの注入条件は、不純物の種類により異なるが、たとえば、加速エネルギーが１０ｋｅＶ～１００ｋｅＶである。
　この後、中間層８９、メタル層９０、ドレイン電極９４などが形成されることにより、図６に示すＭＩＳトランジスタ５１が得られる。
　このＭＩＳトランジスタ５１の構造によっても、前述の第１実施形態のＭＩＳトランジスタ１と同様の作用効果を発現することができる。
　すなわち、第２実施形態では、ポリシリコン層８８がドレイン領域６３（ドレイン露出領域８３）に対してヘテロ接合を形成している。そのため、ソース－ドレイン間に逆起電力がかかった場合、ポリシリコン層８８の第２部分９２とドレイン領域６３とのヘテロ接合部に優先的に電流が流れ、ボディダイオード９３に流れる電流を少なくするか、またはなくすことができる。こうしてＭＩＳトランジスタ５１を流れた電流は、たとえば還流電流として電動モータに流すことができる。
　このように、オフ時の電流は、チャネル間領域６５で取り囲まれた単位セル７１の中央のソーストレンチ７４内に形成されたポリシリコン層８８の第２部分９２からドレイン領域６３へ流れるから、チャネル間領域６５付近（すなわち、ｐ型チャネル領域６２とｎ型ドレイン領域６３との間）でのキャリヤの移動はほとんど生じない。そのため、ドレイン領域６３内での正孔と電子との再結合を防止することができる。その結果、エピタキシャル層５８におけるＳｉＣの結晶欠陥の拡張を抑制することができるので、トランジスタ５１のオン抵抗の上昇を抑制することができる。
　また、オフ状態（つまり、ゲート電圧が０Ｖの状態）においては、とりわけ、第２実施形態のように、チャネル間領域６５が格子状に形成されており、格子状のチャネル間領域６５の窓部に平面視四角形状の単位セル７１が配列されている場合は、単位セル７１の各角部７０に形成されたチャネル領域６２のコーナー部８１付近において、ゲート絶縁膜７２の絶縁破壊が特に発生しやすい。
　具体的には、チャネル間領域６５の交差部６７の対角線上で互いに隣り合うソーストレンチ７４の距離Ｄ3（図６のＣ－Ｃ断面参照）は、チャネル間領域６５の線状部６６を挟んで互いに隣り合うソーストレンチ７４の距離Ｄ4（図６のＤ－Ｄ断面参照）に比べて大きくなる（たとえば、第２実施形態では、Ｄ3はＤ4の１．４倍）。そのため、相対的に広いスペースがあるチャネル領域６２のコーナー部８１の直下に等電位面が入り込み、等電位面の密集を生じる。その結果、チャネル領域６２のコーナー部８１付近において、ゲート絶縁膜７２の絶縁破壊が特に発生しやすい。
　そこで、第２実施形態のＭＩＳトランジスタ５１では、チャネル領域６２のコーナー部８１にゲート耐圧保持領域７７（第１領域７９）が形成されている。これにより、第１領域７９とドレイン領域６３との接合（ｐｎ接合）により、チャネル領域６２のコーナー部８１付近にボディダイオード９８を形成することができる。さらにこのＭＩＳトランジスタ５１では、各単位セル７１の中央部に形成されたソーストレンチ７４のエッジ部８２に、ソース耐圧保持領域７８が形成されている。そのため、このソース耐圧保持領域７８とドレイン領域６３との接合（ｐｎ接合）により、ソーストレンチ７４のエッジ部８２を取り囲む環状のボディダイオード９９を形成することができる。
　これらのボディダイオード９８，９９に発生する空乏層の存在により、チャネル領域６２のコーナー部８１とソーストレンチ７４のエッジ部８２との間に等電位面が入り込むことを防止でき、ゲート絶縁膜７２から遠ざけることができる。その結果、チャネル領域６２のコーナー部８１付近における等電位面の密集を防止することができる。その結果、ゲート絶縁膜７２にかかる電界を小さくすることができるので、絶縁破壊を抑制することができる。また、第１領域７９の濃度がドレイン領域６３の濃度よりも高いので、第１領域７９とドレイン領域６３との接合（ｐｎ接合）により生じる空乏層がエピタキシャル層５８内に広がり過ぎることを防止することができる。
　一方、チャネル間領域６５の線状部６６には、線状部６６の幅よりも狭い幅のゲート耐圧保持領域７７（第２領域８０）が形成されている。これにより、第２領域８０とドレイン領域６３との接合（ｐｎ接合）により生じる空乏層を、チャネル間領域６５の線状部６６に沿って発生させることができる。そのため、チャネル間領域６５の線状部６６の直下に生じる電界を、当該空乏層により緩和することができる。その結果、ゲート絶縁膜７２に生じる電界を、全体にわたって満遍なく緩和することができる。
　しかも、ゲート耐圧保持領域７７（第２領域８０）がチャネル領域６２の周縁部（つまり、単位セル７１においてチャネルが形成される部分）に形成されていない。よって、チャネル特性の制御を精度よく行うこともできる。
　なお、ドレイン露出領域８３は、図８のＭＩＳトランジスタ９７のように、ソーストレンチ７４の底面７６の中央部をエピタキシャル層５８の表面５９と面一になる位置まで突出させることにより、底面７６の周縁部（中央部とは異なる他の部分）との間に段差Ｓ2を有していてもよい。このような構成は、たとえば、図７Ｂに示す工程において、ソーストレンチ７４を環状に形成することにより得ることができる。
　この場合には、ポリシリコン層８８とドレイン露出領域８３との接合面積を大きくすることができるので、ポリシリコン層８８にかかる電界を小さくすることができる。その結果、ポリシリコン層８８とドレイン露出領域８３との間でのリーク電流の発生を減らすことができる。
＜第３実施形態＞
　図９（ａ）（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１０１の模式的な平面図であって、図９（ａ）は全体図、図９（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。図１０は、図９（ａ）（ｂ）のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１０１の断面図であって、図９（ｂ）の切断線Ｅ－Ｅ、Ｆ－ＦおよびＧ－Ｇでの切断面をそれぞれ示す。
　ＭＩＳトランジスタ１０１は、ＳｉＣが採用されたトレンチゲート型ＤＭＩＳＦＥＴ（Double diffused Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）であり、たとえば、図９（ａ）に示すように、平面視正方形のチップ状である。チップ状のＭＩＳトランジスタ１０１は、図９（ａ）の紙面における上下左右方向の長さがそれぞれ数ｍｍ程度である。
　ＭＩＳトランジスタ１０１の表面には、ソースパッド１０２が形成されている。ソースパッド１０２は、四隅が外方へ湾曲した平面視略正方形状であり、ＭＩＳトランジスタ１０１の表面のほぼ全域を覆うように形成されている。このソースパッド１０２には、その一辺の中央付近に除去領域１０３が形成されている。この除去領域１０３は、ソースパッド１０２が形成されていない領域である。
　除去領域１０３には、ゲートパッド１０４が配置されている。ゲートパッド１０４とソースパッド１０２との間には間隔が設けられており、これらは互いに絶縁されている。
　次に、ＭＩＳトランジスタ１０１の内部構造について説明する。
　ＭＩＳトランジスタ１０１は、ｎ+型（たとえば、濃度が１×１０18～１×１０21ｃｍ-3）のＳｉＣからなる基板１０５を備えている。基板１０５は、第３実施形態では、ＭＩＳトランジスタ１０１のドレインとして機能し、その表面１０６（上面）がＳｉ面であり、その裏面１０７（下面）がＣ面である。
　基板１０５の表面１０６には、基板１０５よりも低濃度のｎ-型（たとえば、濃度が１×１０15～１×１０17ｃｍ-3）のＳｉＣからなるエピタキシャル層１０８が積層されている。半導体層としてのエピタキシャル層１０８の厚さは、たとえば、１μｍ～１００μｍである。エピタキシャル層１０８は、基板１０５上に、いわゆるエピタキシャル成長によって形成されている。Ｓｉ面である表面上に形成されるエピタキシャル層１０８は、Ｓｉ面を成長主面として成長させられる。したがって、成長により形成されるエピタキシャル層１０８の表面１０９は、基板１０５の表面１０６と同様、Ｓｉ面である。
　ＭＩＳトランジスタ１０１には、図９（ａ）に示すように、平面視でエピタキシャル層１０８の中央部に配置され、ＭＩＳトランジスタ１０１として機能する活性領域１１０と、この活性領域１１０を取り囲むトランジスタ周辺領域１１１が形成されている。
　活性領域１１０において、エピタキシャル層１０８にはゲートトレンチ１１２が格子状に形成されている（図９（ｂ）参照）。このゲートトレンチ１１２によりエピタキシャル層１０８は、それぞれが四角状（正方形状）の複数のセル１１３に区画されている。
　複数のセル１１３は、ショットキーセル１１４と、ショットキーセル１１４よりも相対的に平面面積の小さいｐｎダイオードセル１１５とを含む。たとえばショットキーセル１１４は、ｐｎダイオードセル１１５の４つ分に相当する面積を有していて、ショットキーセル１１４の一辺の長さはｐｎダイオードセル１１５の一辺の長さの２倍に相当する。具体的には、ｐｎダイオードセル１１５の大きさは、図９（ｂ）の紙面における上下左右方向の長さがそれぞれ６μｍ程度であり、ショットキーセル１１４の大きさは、同方向の長さがそれぞれ１２μｍ程度である。
　そして、１つのショットキーセル１１４と、そのショットキーセル１１４を包囲する複数のｐｎダイオードセル１１５（この実施形態では、１２個のｐｎダイオードセル１１５）により１つのセル群が構成されており、このセル群がさらに行列状に配列されている。互いに隣り合うセル群において、ｐｎダイオードセル１１５は共有されている。つまり、或るセル群のショットキーセル１１４を包囲するｐｎダイオードセル１１５は、当該セル群の隣のセル群のショットキーセル１１４を包囲するｐｎダイオードセル１１５としても用いられている。
　ショットキーセル１１４およびｐｎダイオードセル１１５に共通する要素として、エピタキシャル層１０８には、その表面１０９側から裏面１１６側へ向かって順に、ｎ+型（たとえば、濃度が１×１０18～１×１０21ｃｍ-3）ソース領域１１７、ｐ型（たとえば、濃度が１．０×１０16ｃｍ-3～１．０×１０19ｃｍ-3）チャネル領域１１８およびドレイン領域１１９を有している。
　ドレイン領域１１９は、エピタキシャル成長後のままの状態が維持された、ｎ-型の領域であり、全てのセル１１３の底部で一体的に繋がっており、それらの間で共有されている。つまり、ゲートトレンチ１１２は、ソース領域１１７およびチャネル領域１１８を側面１２４に露出させ、その最深部がドレイン領域１１９の途中部に位置するように各セル１１３を区画している。
　このようなゲートトレンチ１１２は、隣り合うセル１１３の各間を、各セル１１３の４つの側面に沿って行方向および列方向のそれぞれに直線状に延びる線状部１２０と、行方向に延びる線状部１２０と列方向に延びる線状部１２０とが交差する交差部１２１とを含んでいる。
　ゲートトレンチ１１２の内面には、その全域を覆うようにゲート絶縁膜１２２が形成されている。ゲート絶縁膜１２２は、ゲートトレンチ１１２の底面１２３上の部分が、ゲートトレンチ１１２の側面１２４上の部分よりも厚くなっている。
　そして、ゲートトレンチ１１２におけるゲート絶縁膜１２２の内側をポリシリコンで埋め尽くすことにより、ゲートトレンチ１１２内にゲート電極１２５が埋設されている。こうして、各ショットキーセル１１４およびｐｎダイオードセル１１５には、ソース領域１１７とドレイン領域１１９とが、エピタキシャル層１０８の表面１０９に垂直な縦方向にチャネル領域１１８を介して離間して配置された、縦型ＭＩＳトランジスタ１０１構造（第１および第２ＭＩＳトランジスタ構造）が構成されている。
　ショットキーセル１１４の中央部には、エピタキシャル層１０８の表面１０９からソース領域１１７およびチャネル領域１１８を貫通してドレイン領域１１９に達する、平面視正方形状の第２ソーストレンチとしてのＨＤソーストレンチ１２６が形成されている（図９（ｂ）および図１０のＦ－Ｆ断面、Ｇ－Ｇ断面参照）。ＨＤソーストレンチ１２６の深さは、ゲートトレンチ１１２と同じである。
　このＨＤソーストレンチ１２６には、ｐ型（たとえば、濃度が１×１０17～９×１０19ｃｍ-3）のＨＤ耐圧保持領域１２７（第２耐圧保持領域）が形成されている。ＨＤ耐圧保持領域１２７は、ＨＤソーストレンチ１２６の底面１２８と側面１２９とが交わって形成され、当該底面１２８の周囲を取り囲む環状のエッジ部１３０および当該エッジ部１３０からＨＤソーストレンチ１２６の側面１２９に露出するチャネル領域１１８に至る環状に形成されている。これにより、ＨＤ耐圧保持領域１２７に囲まれるＨＤソーストレンチ１２６の底面１２８の中央部には、ドレイン領域１１９の一部からなる平面視正方形状のショットキー領域１３１が形成されている。
　ショットキー領域１３１は、ショットキー領域１３１とＨＤ耐圧保持領域１２７とのｐｎ接合部（ボディダイオード１３２）から発生する空乏層が繋がらない面積で形成されており、たとえば、その一辺の長さＬ1が４μｍ以上である。
　一方、ｐｎダイオードセル１１５の中央部には、エピタキシャル層１０８の表面１０９からソース領域１１７およびチャネル領域１１８を貫通してドレイン領域１１９に達する、平面視正方形状の第１ソーストレンチとしてのＤｉソーストレンチ１３３が形成されている（図９（ｂ）および図１０のＥ－Ｅ断面、Ｇ－Ｇ断面参照）。Ｄｉソーストレンチ１３３の深さは、ゲートトレンチ１１２と同じである。また、Ｄｉソーストレンチ１３３の面積は、ショットキー領域１３１よりも小さくて、その一辺の長さＬ2が３μｍ程度である。
　このＤｉソーストレンチ１３３には、ｐ型（たとえば、１×１０17～９×１０19ｃｍ-3の濃度）のＤｉ耐圧保持領域１３４（第１耐圧保持領域）が形成されている。Ｄｉ耐圧保持領域１３４は、Ｄｉソーストレンチ１３３の底面１３５全面に形成され、さらに、底面１３５と側面１３６とが交わって形成され、当該底面１３５の周囲を取り囲む環状のエッジ部１３７および当該エッジ部１３７からＤｉソーストレンチ１３３の側面１３６に露出するチャネル領域１１８に至る器状に形成されている。
　また、Ｄｉソーストレンチ１３３には、その底面１３５の中央部におけるＤｉ耐圧保持領域１３４の表層部に、ｐ+型（たとえば、濃度が１．０×１０18ｃｍ-3～２．０×１０21ｃｍ-3）の底部チャネルコンタクト領域１３８が形成されている。底部チャネルコンタクト領域１３８に電極をオーミック接触させることにより、Ｄｉ耐圧保持領域１３４を介してｐｎダイオードセル１１５のチャネル領域１１８に対してコンタクトをとることができる（電気的に接続することができる）。
　そして、Ｄｉソーストレンチ１３３にＤｉ耐圧保持領域１３４が形成されていることにより、ｐｎダイオードセル１１５は、Ｄｉ耐圧保持領域１３４とドレイン領域１１９とのｐｎ接合により構成され、アノード側のコンタクトとして底部チャネルコンタクト領域１３８を有し、カソード側のコンタクトとして基板１０５を有するボディダイオード１３９を内蔵している。
　また、複数のセル１１３を区画するゲートトレンチ１１２の各交差部１２１には、Ｇ耐圧保持領域１４０（中継領域）が形成されている。
　Ｇ耐圧保持領域１４０は、交差部１２１におけるゲートトレンチ１１２の底面１２３全面に形成され、さらに、当該底面１２３から交差部１２１に臨む各セル１１３の各角部の下部に形成されたゲートトレンチ１１２のコーナーエッジ部１４１をおよびコーナーエッジ部１４１直上のチャネル領域１１８に至るように形成されている。
　すなわち、Ｇ耐圧保持領域１４０は、平面視では、ゲートトレンチ１１２の交差部１２１よりもやや大きい正方形状に形成されていて、その各角が、当該交差部１２１に臨む各セル１１３の各角部にそれぞれ入り込んでいる。また、Ｇ耐圧保持領域１４０の濃度は、チャネル領域１１８の濃度よりも高く、ドレイン領域１１９の濃度よりも高く、たとえば、１×１０17～９×１０19ｃｍ-3である。
　このＧ耐圧保持領域１４０の中継により、図１０のＧ－Ｇ断面の実線矢印に示すように、底部チャネルコンタクト領域１３８→Ｄｉ耐圧保持領域１３４→ｐｎダイオードセル１１５のチャネル領域１１８→Ｇ耐圧保持領域１４０→ショットキーセル１１４のチャネル領域１１８を介して、ショットキーセル１１４のＨＤ耐圧保持領域１２７に対してコンタクトをとることができる。
　トランジスタ周辺領域１１１において、エピタキシャル層１０８の表層部には活性領域１１０を取り囲むように、活性領域１１０から間隔を開けてｐ型のガードリング１４２が複数本（第３実施形態では、４本）形成されている。これらのガードリング１４２は、ｐ型のチャネル領域１１８を形成する工程と同一のイオン注入工程で形成することができる。各ガードリング１４２は、平面視において、ＭＩＳトランジスタ１０１の外周に沿う平面視四角環状に形成されている。
　エピタキシャル層１０８上には、ゲート電極１２５を被覆するように、ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜１４３が積層されている。
　層間絶縁膜１４３およびゲート絶縁膜１２２には、ＨＤソーストレンチ１２６およびＤｉソーストレンチ１３３よりも大径のコンタクトホール１４４，１４５が形成されている。
　層間絶縁膜１４３上には、ソース電極１４６が形成されている。ソース電極１４６は、各コンタクトホール１４４，１４５を介して、すべてのＨＤソーストレンチ１２６およびＤｉソーストレンチ１３３に一括して入り込んでいる。
　ソース電極１４６は、ショットキーセル１１４において、ＨＤソーストレンチ１２６の底側から順にショットキー領域１３１、ＨＤ耐圧保持領域１２７およびソース領域１１７に接触している。また、ｐｎダイオードセル１１５において、Ｄｉソーストレンチ１３３の底側から順に底部チャネルコンタクト領域１３８、Ｄｉ耐圧保持領域１３４およびソース領域１１７に接触している。すなわち、ソース電極１４６は、すべてのセル１１３に対して共通の配線となっている。
　そして、このソース電極１４６上には層間絶縁膜１４３（図示せず）が形成されており、その層間絶縁膜１４３（図示せず）を介して、ソース電極１４６がソースパッド１０２（図９（ａ）参照）に電気的に接続されている。一方、ゲートパッド１０４（図９（ａ）参照）は、当該層間絶縁膜１４３（図示せず）上に引き回されたゲート配線（図示せず）を介して、ゲート電極１２５に電気的に接続されている。
　また、ソース電極１４６は、エピタキシャル層１０８との接触側から順に、障壁形成層としてのポリシリコン層１４７、中間層１４８およびメタル層１４９を有している。
　ポリシリコン層１４７は、不純物がドーピングされたドープトポリシリコンを用いて形成されたドープ層であり、たとえば、１×１０15ｃｍ-3以上、好ましくは、１×１０19～１×１０21ｃｍ-3の高濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層である。ポリシリコン層１４７をドープ層（高濃度ドープ層を含む）として形成するときの不純物としては、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ひ素）などのｎ型不純物、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ホウ素）などのｐ型不純物を用いることができる。また、ポリシリコン層１４７の厚さは、たとえば、５０００Å～１００００Åである。
　また、ポリシリコン層１４７は、第３実施形態では、コンタクトホール１４４，１４５内に露出するセル１１３の表面全域を覆うように形成されていて、ＨＤソーストレンチ１２６内でショットキー領域１３１、ＨＤ耐圧保持領域１２７およびソース領域１１７の全て、Ｄｉソーストレンチ１３３内で底部チャネルコンタクト領域１３８、Ｄｉ耐圧保持領域１３４およびソース領域１１７の全てに接触している。
　そして、ポリシリコン層１４７は、ショットキーセル１１４においてソース領域１１７との間にショットキー接合を形成している。これにより、ポリシリコン層１４７は、ショットキー領域１３１との間に、ショットキーセル１１４およびｐｎダイオードセル１１５にそれぞれ内蔵されたボディダイオード１５０（チャネル領域１１８とドレイン領域１１９とのｐｎ接合により形成されるダイオード）の拡散電位（たとえば、２．８ｅＶ～３．２ｅＶ）よりも接合障壁の小さいヘテロ接合（たとえば、接合障壁の高さが１ｅＶ～１．５ｅＶ）を形成している。これにより、ショットキーセル１１４においては、ソース電極１４６とショットキー領域１３１との間にヘテロ接合ダイオード１５１（ＨＤ）が形成されている。
　また、ポリシリコン層１４７は、ｐｎダイオードセル１１５において底部チャネルコンタクト領域１３８およびソース領域１１７との間にオーミック接触を形成している。
　中間層１４８は、ポリシリコン層１４７上に積層されたメタル層１４９であり、Ｔｉ（チタン）を含有する層の単層またはＴｉを含有する層を含む複数の層からなる。Ｔｉを含有する層は、Ｔｉ、ＴｉＮ（窒化チタン）などを用いて形成することができる。また、中間層１４８の厚さは、たとえば、２００ｎｍ～５００ｎｍである。
　メタル層１４９は、中間層１４８上に積層されており、たとえば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、それらの合金およびそれらを含有するメタル材料を用いて形成することができる。メタル層１４９は、ソース電極１４６の最表層をなしている。また、メタル層１４９の厚さは、たとえば、１μｍ～５μｍである。
　上記のようなポリシリコン層１４７、中間層１４８およびメタル層１４９の組み合わせとしては、第３実施形態では、ポリシリコン（ポリシリコン層１４７）、Ｔｉ（中間層１４８）、ＴｉＮ（中間層１４８）およびＡｌ（メタル層１４９）が順に積層される積層構造（ポリシリコン／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ）である。また、これらに加えて、メタル層１４９がＭｏ層を有していることが好ましい。Ｍｏは融点が高いので、メタル層１４９にＭｏ層が含まれていれば、ソース電極１４６に大電流が流れたときに生じる熱によるメタル層１４９の溶損を抑制することができる。
　基板１０５の裏面１０７には、その全域を覆うようにドレイン電極１５２が形成されている。このドレイン電極１５２は、すべてのセル１１３に対して共通の電極となっている。ドレイン電極１５２としては、たとえば、基板１０５側から順にＴｉ、Ｎｉ、ＡｕおよびＡｇが積層された積層構造（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ）を適用することができる。
　図１１Ａ～図１１Ｆは、図１０のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１０１の製造工程の一部を工程順に示す模式的な断面図であって、図１０と同じ位置での切断面を示す。
　ＭＩＳトランジスタ１０１を製造するには、図１１Ａに示すように、ＣＶＤ法、ＬＰＥ法、ＭＢＥ法などのエピタキシャル成長法により、基板１０５の表面１０６（Ｓｉ面）上に、ｎ型不純物（たとえば、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ひ素）等）をドーピングしながらＳｉＣ結晶が成長させられる。これにより、基板１０５上に、ｎ-型のエピタキシャル層１０８が形成される。
　続いて、ｐ型不純物（たとえば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ホウ素）等）が、エピタキシャル層１０８の表面１０９からエピタキシャル層１０８の内部にインプランテーション（注入）される。
　続いて、ｎ型不純物が、エピタキシャル層１０８の表面１０９からエピタキシャル層１０８の内部にインプランテーション（注入）される。
　続いて、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層１０８が熱処理される。これにより、エピタキシャル層１０８の表層部に注入されたｐ型不純物およびｎ型不純物のイオンが活性化され、注入された箇所に応じて、チャネル領域１１８、ソース領域１１７およびガードリング１４２が同時に形成される。また、エピタキシャル層１０８の基層部には、エピタキシャル成長後のままの状態を維持するドレイン領域１１９が形成される。
　次に、図１１Ｂに示すように、エピタキシャル層１０８が、ゲートトレンチ１１２、ＨＤソーストレンチ１２６およびＤｉソーストレンチ１３３を形成すべき領域に開口を有するマスクを用いてエッチングされる。これにより、エピタキシャル層１０８が表面１０９（Ｓｉ面）からドライエッチングされて、ゲートトレンチ１１２、ＨＤソーストレンチ１２６およびＤｉソーストレンチ１３３が同時に形成される。また、それと同時に、エピタキシャル層１０８に、ゲートトレンチ１１２で区画された多数のセル１１３が形成される。なお、エッチングガスとしては、たとえば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）およびＯ2（酸素）を含む混合ガス（ＳＦ6／Ｏ2ガス）、ＳＦ6、Ｏ2およびＨＢｒ（臭化水素）を含む混合ガス（ＳＦ6／Ｏ2／ＨＢｒガス）を用いることができる。
　次に、図１１Ｃに示すように、ゲートトレンチ１１２の交差部１２１、ＨＤソーストレンチ１２６のエッジ部１３０、およびＤｉソーストレンチ１３３の底面１３５およびエッジ部１３７を露出させる開口が形成されたレジスト１５３が、エピタキシャル層１０８上に形成される。
　続いて、レジスト１５３の開口から露出するゲートトレンチ１１２の交差部１２１、ＨＤソーストレンチ１２６およびＤｉソーストレンチ１３３へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。この際、ゲートトレンチ１１２（交差部１２１）の側面１２４、ＨＤソーストレンチ１２６の側面１２９およびＤｉソーストレンチ１３３の側面１３６はいずれもレジスト１５３で覆われていないので、ｐ型不純物は、側面１２４，１２９，１３６にも注入されることとなる。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層１０８が熱処理される。これにより、ドレイン領域１１９に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、Ｇ耐圧保持領域１４０、ＨＤ耐圧保持領域１２７およびＤｉ耐圧保持領域１３４が同時に形成される。また、それと同時に、ＨＤソーストレンチ１２６の底面１２８におけるレジスト１５３で覆われていた部分に、ショットキー領域１３１が形成される。
　次に、図１１Ｄに示すように、Ｄｉソーストレンチ１３３の底部チャネルコンタクト領域１３８を形成すべき領域に開口が形成されたレジスト１５４が、エピタキシャル層１０８上に形成される。
　続いて、レジスト１５４の開口から露出するＤｉソーストレンチ１３３の底面１３５中央部（Ｄｉ耐圧保持領域１３４）へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層１０８が熱処理される。これにより、Ｄｉ耐圧保持領域１３４に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、底部チャネルコンタクト領域１３８が形成される。
　次に、図１１Ｅに示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2材料がエピタキシャル層１０８の上方から堆積される。これにより、ゲート絶縁膜１２２が形成される。
　続いて、ＣＶＤ法により、ドーピングされたポリシリコン材料がエピタキシャル層１０８の上方から堆積される。堆積後、ポリシリコン材料が、エッチバック面がエピタキシャル層１０８の表面１０９に対して面一になるまでエッチバックされる。続いて、ＨＤソーストレンチ１２６およびＤｉソーストレンチ１３３内に残存するポリシリコン材料のみがドライエッチングにより除去される。これにより、ゲートトレンチ１１２内に残存するポリシリコン材料からなるゲート電極１２５が形成される。
　次に、図１１Ｆに示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2材料がエピタキシャル層１０８の上方から堆積される。これにより、層間絶縁膜１４３が形成される。続いて、公知のパターニング技術により、層間絶縁膜１４３およびゲート絶縁膜１２２が連続してパターニングされる。これにより、層間絶縁膜１４３およびゲート絶縁膜１２２にコンタクトホール１４４，１４５が形成される。
　続いて、ＣＶＤ法により、ポリシリコン材料がコンタクトホール１４４，１４５を埋め尽くすまで堆積される。この後、堆積されたポリシリコン材料に対してｎ型またはｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。このときの注入条件は、不純物の種類により異なるが、たとえば、加速エネルギーが１０ｋｅＶ～１００ｋｅＶである。これにより、ポリシリコン層１４７が形成される。
　この後、中間層１４８、メタル層１４９、ドレイン電極１５２などが形成されることにより、図１０のＭＩＳトランジスタ１０１が得られる。
　このＭＩＳトランジスタ１０１は、たとえば、電動モータ（誘導性負荷の一例）の駆動回路（インバータ回路）のスイッチング素子として利用される。この場合、ソースパッド１０２（ソース電極１４６）とドレイン電極１５２との間（ソース－ドレイン間）にドレイン側が正となるドレイン電圧が印加された状態で、ゲートパッド１０４に所定の電圧（ゲート閾値電圧以上の電圧）がオン／オフされることによって、電動モータに流す電流をオン／オフするスイッチングを行なう。
　電動モータに流れる電流を遮断すると（つまり、ゲート電圧がオフにされると）、電動モータのモータコイルに逆起電力が発生する。この逆起電力に起因して、ソース側が正となる電圧が、ソース－ドレイン間にかかる場合がある。
　このような場合に、ボディダイオード１５０の整流作用により、電流が、たとえば還流電流としてモータコイルに流れると、以下の不具合がある。
　つまり、ボディダイオード１５０を構成するｐ型チャネル領域１１８からｎ型ドレイン領域１１９に正孔（ホール）が移動して電流が流れると、ｎ型ドレイン領域１１９においてゲートトレンチ１１２付近（たとえば、ゲートトレンチ１１２の側方）では、多数キャリヤの電子と、ｐ型チャネル領域１１８から移動した正孔とが再結合する場合がある。そのため、その結合により生じるエネルギーによって、エピタキシャル層１０８のＳｉＣの結晶欠陥が、エピタキシャル層１０８の積層方向に平行な方向に拡張し、オン時のドレイン電流の経路（たとえば、チャネル）に達するおそれがある。そうすると、このＭＩＳトランジスタ１０１が、チャネル領域１１８におけるゲートトレンチ１１２の側面１２４付近にチャネルを形成してスイッチング動作する際、オン抵抗が上昇するおそれがある。
　そこで、このＭＩＳトランジスタ１０１では、ポリシリコン層１４７がドレイン領域１１９（ショットキー領域１３１）に対してヘテロ接合を形成していて、ヘテロ接合ダイオード１５１が内蔵されている。そのため、このヘテロ接合ダイオード１５１に優先的に電流が流れ、ボディダイオード１５０に流れる電流を少なくするか、またはなくすことができる。こうしてＭＩＳトランジスタ１０１を流れた電流は、たとえば還流電流として電動モータに流すことができる。
　このように、オフ時の電流は、ショットキーセル１１４の中央のＨＤソーストレンチ１２６内に形成されたヘテロ接合ダイオード１５１へ流れるから、ゲートトレンチ１１２付近（すなわち、ｐ型チャネル領域１１８とｎ型ドレイン領域１１９との間）でのキャリヤの移動はほとんど生じない。そのため、ドレイン領域１１９内での正孔と電子との再結合を防止することができる。その結果、エピタキシャル層１０８におけるＳｉＣの結晶欠陥の拡張を抑制することができるので、トランジスタのオン抵抗の上昇を抑制することができる。また、ボディダイオード１５０に流れる電流を少なくするか、またはなくすことができるので、ＭＩＳトランジスタ１０１が動作する際の損失を低減することができる。
　しかもＭＩＳトランジスタ１０１では、ヘテロ接合ダイオード１５１を構成するショットキー領域１３１の一辺の長さＬ1が、ボディダイオード１３２から発生する空乏層が繋がらないように設定されている。そのため、ヘテロ接合ダイオード１５１が動作するときに、その電流路が当該空乏層で閉じられることを防止することができる。その結果、ヘテロ接合ダイオード１５１の低オン抵抗化を達成することができる。
　また、オフ状態（つまり、ゲート電圧が０Ｖの状態）においては、ゲート電極１２５とエピタキシャル層１０８との間に介在するゲート絶縁膜１２２に電界がかかる。
　この電界は、ゲート電極１２５とエピタキシャル層１０８との電位差に起因して生じるものである。そして、ゲートトレンチ１１２の底面１２３においては、ゲート電極１２５を基準（０Ｖ）として非常に高い電位の等電位面が分布し、しかも等電位面の間隔が小さいため、非常に大きな電界が生じる。たとえば、ドレイン電圧が９００Ｖであれば、ドレイン電極１５２に接する基板１０５の裏面１０７付近では９００Ｖの等電位面が分布しており、基板１０５の裏面１０７からエピタキシャル層１０８の表面１０９側へ向かうにつれて電圧降下を生じるが、ゲートトレンチ１１２の底面１２３付近では、数十Ｖ程度の等電位面が分布する。そのため、ゲートトレンチ１１２の底面１２３では、ゲート電極１２５側へ向かう非常に大きな電界が生じる。とりわけ、このＭＩＳトランジスタ１０１のように、ゲートトレンチ１１２が格子状に形成されており、格子状のゲートトレンチ１１２の窓部に四角柱状のセル１１３が配列されている場合は、セル１１３の各角部に形成されたゲートトレンチ１１２のコーナーエッジ部１４１付近において、ゲート絶縁膜１２２の絶縁破壊が特に発生しやすい。
　そこで、このＭＩＳトランジスタ１０１では、ゲートトレンチ１１２のコーナーエッジ部１４１にＧ耐圧保持領域１４０が形成されている。これにより、Ｇ耐圧保持領域１４０とドレイン領域１１９とのｐｎ接合により、ゲートトレンチ１１２のコーナーエッジ部１４１付近にボディダイオード１５５を形成することができる。さらにこのＭＩＳトランジスタ１０１では、ショットキーセル１１４のＨＤソーストレンチ１２６のエッジ部１３０にＨＤ耐圧保持領域１２７が形成され、ｐｎダイオードセル１１５のＤｉソーストレンチ１３３の底面１３５およびエッジ部１３７にＤｉ耐圧保持領域１３４が形成されている。そのため、ＨＤ耐圧保持領域１２７とドレイン領域１１９とのｐｎ接合、およびＤｉ耐圧保持領域１３４とドレイン領域１１９とのｐｎ接合により、ＨＤソーストレンチ１２６のエッジ部１３０を取り囲む環状のボディダイオード１３２を形成することができる。また、Ｄｉソーストレンチ１３３の底部を覆う器状のボディダイオード１３９を形成することができる。
　これらのボディダイオード１３２，１３９に発生する空乏層の存在により、ゲートトレンチ１１２とＨＤソーストレンチ１２６との間、およびゲートトレンチ１１２とＤｉソーストレンチ１３３との間に等電位面が入り込むことを防止でき、ゲート絶縁膜１２２から遠ざけることができる。その結果、ゲートトレンチ１１２のコーナーエッジ部１４１付近における等電位面の密集を防止することができる。その結果、ゲート絶縁膜１２２にかかる電界を小さくすることができるので、絶縁破壊を防止することができる。
　また、ＭＩＳトランジスタ１０１では、Ｇ耐圧保持領域１４０がコーナーエッジ部１４１直上のチャネル領域１１８に至るように形成されているが、セル１１３の角部には、チャネルが形成されないか、形成されても当該チャネルを流れる電流は微量である。したがって、チャネル領域１１８におけるコーナーエッジ部１４１直上の部分に至るようにＧ耐圧保持領域１４０を形成することにより、デバイスの性能にほとんど影響を与えずに、ゲート絶縁膜１２２の破壊防止効果を一層向上させることができる。
＜第４実施形態＞
　図１２は、本発明の第４実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１６１の模式的な断面図であって、図１０と同じ位置での切断面を示す。図１２において、図１０に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
　前述の第３実施形態では、ＨＤソーストレンチ１２６は、その側面に段差が形成されていない平面状のものであったが、この第４実施形態に係るＭＩＳトランジスタ１６１のＨＤソーストレンチ１６２は、エピタキシャル層１０８の表面１０９からチャネル領域１１８までの深さのＨＤ上層トレンチ１６３（第２上層トレンチ）と、ＨＤ上層トレンチ１６３よりも幅が狭く、チャネル領域１１８からドレイン領域１１９までの深さのＨＤ下層トレンチ１６４（第２下層トレンチ）とを含む。これによりＨＤソーストレンチ１６２では、ＨＤ上層トレンチ１６３の側面がＨＤ下層トレンチ１６４の側面よりも外側に一段広がった２段構造を有している。
　そして、ＨＤ上層トレンチ１６３とＨＤ下層トレンチ１６４との段差部分には、チャネル領域１１８が環状に露出しており、その露出した部分に、ｐ+型のＨＤチャネルコンタクト領域１６５が形成されている。
　同様に、ＭＩＳトランジスタ１６１のＤｉソーストレンチ１６６は、エピタキシャル層１０８の表面１０９からチャネル領域１１８までの深さのＤｉ上層トレンチ１６７（第１上層トレンチ）と、Ｄｉ上層トレンチ１６７よりも幅が狭く、チャネル領域１１８からドレイン領域１１９までの深さのＤｉ下層トレンチ１６８（第１下層トレンチ）とを含む。これによりＤｉソーストレンチ１６６では、Ｄｉ上層トレンチ１６７の側面がＤｉ下層トレンチ１６８の側面よりも外側に一段広がった２段構造を有している。
　そして、Ｄｉ上層トレンチ１６７とＤｉ下層トレンチ１６８との段差部分には、チャネル領域１１８が環状に露出しており、その露出した部分に、ｐ+型のＤｉチャネルコンタクト領域１６９が形成されている。
　図１３Ａ～図１３Ｇは、図１２のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１６１の製造工程の一部を工程順に示す模式的な断面図であって、図１２と同じ位置での切断面を示す。
　ＭＩＳトランジスタ１６１を製造するには、図１１Ａと同様の方法により、図１３Ａに示すように、基板１０５上にｎ-型のエピタキシャル層１０８が形成された後、エピタキシャル層１０８に、チャネル領域１１８、ソース領域１１７、ドレイン領域１１９およびガードリング１４２が同時に形成される。
　次に、図１３Ｂに示すように、エピタキシャル層１０８が、ＨＤ上層トレンチ１６３およびＤｉ上層トレンチ１６７を形成すべき領域に開口を有するマスクを用いてエッチングされる。これにより、エピタキシャル層１０８が表面１０９（Ｓｉ面）からドライエッチングされて、ＨＤ上層トレンチ１６３およびＤｉ上層トレンチ１６７が同時に形成される。
　次に、図１３Ｃに示すように、ＨＤ上層トレンチ１６３およびＤｉ上層トレンチ１６７の底面全面を露出させる開口が形成されたレジスト１７０が、エピタキシャル層１０８上に形成される。
　続いて、レジスト１７０の開口から露出するＨＤ上層トレンチ１６３およびＤｉ上層トレンチ１６７へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層１０８が熱処理される。これにより、ＨＤ上層トレンチ１６３およびＤｉ上層トレンチ１６７を介してチャネル領域１１８に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、ＨＤチャネルコンタクト領域１６５およびＤｉチャネルコンタクト領域１６９が同時に形成される。
　次に、図１３Ｄに示すように、エピタキシャル層１０８が、ゲートトレンチ１１２、ＨＤ下層トレンチ１６４およびＤｉ下層トレンチ１６８を形成すべき領域に開口を有するマスクを用いてエッチングされる。これにより、エピタキシャル層１０８がＨＤ上層トレンチ１６３およびＤｉ上層トレンチ１６７の底面からドライエッチングされて、ＨＤ下層トレンチ１６４およびＤｉ下層トレンチ１６８が同時に形成される。また、それと同時に、エピタキシャル層１０８が表面１０９からドライエッチングされて、ゲートトレンチ１１２が形成される。
　次に、図１３Ｅに示すように、ＨＤソーストレンチ１６２のエッジ部１３０、およびＤｉソーストレンチ１６６の底面１３５およびエッジ部１３７を露出させる開口が形成されたレジスト１７１が、エピタキシャル層１０８上に形成される。
　続いて、レジスト１７１の開口から露出するＨＤソーストレンチ１６２およびＤｉソーストレンチ１６６へ向けて、ｐ型不純物がインプランテーション（注入）される。その後、たとえば、１４００℃～２０００℃でエピタキシャル層１０８が熱処理される。これにより、ドレイン領域１１９に注入されたｐ型不純物のイオンが活性化され、ＨＤ耐圧保持領域１２７およびＤｉ耐圧保持領域１３４が同時に形成される。また、それと同時に、ＨＤソーストレンチ１６２の底面１２８におけるレジスト１７１で覆われていた部分に、ショットキー領域１３１が形成される。
　次に、図１３Ｆに示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2材料がエピタキシャル層１０８の上方から堆積される。これにより、ゲート絶縁膜１２２が形成される。その後、図１１Ｅと同様の方法により、ゲート絶縁膜１２２の内側にゲート電極１２５が形成される。
　次に、図１３Ｇに示すように、図１１Ｆと同様の方法により、層間絶縁膜１４３が形成された後、ポリシリコン層１４７が形成される。この後、中間層１４８、メタル層１４９、ドレイン電極１５２などが形成されることにより、図１２のＭＩＳトランジスタ１６１が得られる。
　以上のように、このＭＩＳトランジスタ１６１によっても、前述のＭＩＳトランジスタ１０１と同様の作用効果を達成することができる。
　さらに、このＭＩＳトランジスタ１６１では、各トレンチ１６２，１６６が２段構造であり、ＨＤチャネルコンタクト領域１６５およびＤｉチャネルコンタクト領域１６９が形成されているので、ショットキーセル１１４およびｐｎダイオードセル１１５それぞれのチャネル領域１１８に対して直接コンタクトをとることができる。その結果、チャネル領域１１８の電位を精密に制御することができる。
　また、ｐｎダイオードセル１１５の底部チャネルコンタクト領域１３８や、ゲートトレンチ１１２の交差部１２１のＧ耐圧保持領域１４０を省略することができる。
＜第５実施形態＞
　図１４（ａ）（ｂ）は、本発明の第５実施形態に係るプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタ１８１の模式的な平面図であって、図１４（ａ）は全体図、図１４（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。図１５は、図１４（ａ）（ｂ）のプレーナゲート型ＭＩＳトランジスタ１８１の断面図であって、図１４（ｂ）の切断線Ｈ－ＨおよびＩ－Ｉでの切断面をそれぞれ示す。図１４および図１５において、図９および図１０に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
　前述の第３および第４実施形態では、トレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１０１，１６１の例をとりあげたが、本発明は、この第５実施形態に係るＭＩＳトランジスタ１８１のように、プレーナゲート型のトランジスタにも採用することができる。
　プレーナ型ＭＩＳトランジスタ１８１では、ゲート絶縁膜１８２は、ゲートトレンチ１１２の内面に形成される代わりに、エピタキシャル層１０８の表面１０９に形成され、その上に、ゲート電極１８３が形成されている。
　以上のように、このＭＩＳトランジスタ１８１によっても、前述のＭＩＳトランジスタ１０１と同様の作用効果を達成することができる。
＜第６実施形態＞
　図１６（ａ）（ｂ）は、本発明の第６実施形態に係るトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１９１の模式的な平面図であって、図１６（ａ）は全体図、図１６（ｂ）は内部拡大図をそれぞれ示す。図１７は、図１６（ａ）（ｂ）のトレンチゲート型ＭＩＳトランジスタ１９１の断面図であって、図１６（ｂ）の切断線Ｊ－ＪおよびＫ－Ｋでの切断面をそれぞれ示す。図１６および図１７において、図９および図１０に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
　前述の第３～第５実施形態では、ショットキーセル１１４がｐｎダイオードセル１１５よりも面積が大きい例をとりあげたが、ショットキーセル１１４とｐｎダイオードセル１１５の面積は同じであってもよい。
　この第６実施形態に係るＭＩＳトランジスタ１９１では、互いに同じ大きさの平面視四角形のショットキーセル１１４およびｐｎダイオードセル１１５が行列状（マトリクス状）に配列されており、ショットキーセル１１４はｐｎダイオードセル１１５に包囲されている。
　また、ショットキーセル１１４において、ソース領域１１７、チャネル領域１１８およびドレイン領域１１９を有し、ＨＤソーストレンチ１２６が形成されたＭＩＳトランジスタ１０１構造が形成されていない。ショットキー領域１３１は、エピタキシャル層１０８の表面１０９と同一平面上に現れている。
　以上のように、このＭＩＳトランジスタ１９１によっても、前述のＭＩＳトランジスタ１０１と同様の作用効果を達成することができる。
　さらに、このＭＩＳトランジスタ１９１では、ＭＩＳトランジスタ構造の形成するためのスペースが必要ないので、セル１１３が大きくなくても十分な面積のショットキー領域１３１を露出させることができるので、ヘテロ接合ダイオード１５１の低抵抗化を達成することができる。
　以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
　たとえば、ソース電極３７，８７は、ポリシリコン層３８，８８、中間層３９，８９およびメタル層４０，９０の積層構造である必要はなく、たとえば、メタル層のみで構成されていてもよい。この場合、そのメタル層の材料としては、たとえば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏからなる群から選択される１種からなることが好ましい。
　たとえば、ＭＩＳトランジスタ１，４７，５１，９７，１０１，１６１，１８１，１９１の各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。たとえば、ＭＩＳトランジスタ１において、ｐ型の部分がｎ型であり、ｎ型の部分がｐ型であってもよい。
　また、ＭＩＳトランジスタ１，４７，５１，９７，１０１，１６１，１８１，１９１において、半導体層を構成する層は、ＳｉＣからなるエピタキシャル層に限らず、ＳｉＣ以外のワイドバンドギャップ半導体、たとえば、ＧａＮ（バンドギャップＥｇGaN＝約３．４ｅＶ）、ダイヤモンド（バンドギャップＥｇdia＝約５．５ｅＶ）からなる層などであってもよい。
　また、各単位セル２１は、直方体形状（四角柱状）に限らず、たとえば、三角柱状、五角柱状、六角柱状等の他の多角柱状であってもよい。
　また、各単位セル７１は、平面視正方形（四角形状）に限らず、たとえば、平面視三角形、平面視五角形、平面視六角形等の他の平面視多角形状であってもよい。
　また、各セル１１３は、平面視正方形（四角形状）に限らず、たとえば、平面視三角形、平面視五角形、平面視六角形等の他の平面視多角形状、さらにはストライプ状であってもよい。
　また、ショットキーセル１１４は、図１８（ａ）（ｂ）に示すように、たとえば、ｐｎダイオードセル１１５の９つ分に相当する面積を有していて、ショットキーセル１１４の一辺の長さがｐｎダイオードセル１１５の一辺の長さの３倍に相当していてもよい。
　また、ソース電極１４６としては、たとえば、ポリシリコン層１４７および中間層１４８を省略して、メタル層１４９の単層構造にすることにより、ショットキー領域１３１に対してショットキー接合させることができる。これにより、ショットキーセル１１４において、ヘテロ接合ダイオード１５１に代えて、ショットキーバリアダイオードを形成することができる。
　本発明の半導体パワーデバイスは、たとえば、電気自動車（ハイブリッド車を含む）、電車、産業用ロボットなどの動力源として利用される電動モータを駆動するための駆動回路を構成するインバータ回路に用いられるパワーモジュールに組み込むことができる。また、太陽電池、風力発電機その他の発電装置（とくに自家発電装置）が発生する電力を商用電源の電力と整合するように変換するインバータ回路に用いられるパワーモジュールにも組み込むことができる。
　本発明の実施形態は、本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
　また、本発明の各実施形態において表した構成要素は、本発明の範囲で組み合わせることができる。
　本出願は、２０１１年２月２日に日本国特許庁に提出された特願２０１１－０２０７３１号および２０１１年１０月１１日に日本国特許庁に提出された特願２０１１－２２４１１９号に対応しており、これらの出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
　１・・・ＭＩＳトランジスタ、５・・・基板、８・・・エピタキシャル層、９・・・（エピタキシャル層の）表面、１２・・・チャネル領域、１３・・・ドレイン領域、１４・・・ソース領域、１５・・・ゲートトレンチ、１６・・・（ゲートトレンチの）線状部、１７・・・（ゲートトレンチの）交差部、１８・・・（ゲートトレンチの）側面、１９・・・（ゲートトレンチの）底面、２０・・・（単位セルの）角部、２１・・・単位セル、２２・・・ゲート絶縁膜、２３・・・ゲート電極、２４・・・ソーストレンチ、２５・・・（ソーストレンチの）側面、２６・・・（ソーストレンチの）底面、２７・・・ゲート耐圧保持領域、２８・・・ソース耐圧保持領域、２９・・・第１領域、３０・・・第２領域、３１・・・（ゲートトレンチの）コーナーエッジ部、３２・・・（ソーストレンチの）エッジ部、３３・・・ドレイン露出領域、３７・・・ソース電極、３８・・・ポリシリコン層、４１・・・（ポリシリコン層の）第１部分、４２・・・（ポリシリコン層の）第２部分、４３・・・ボディダイオード、４７・・・ＭＩＳトランジスタ、５１・・・ＭＩＳトランジスタ、５５・・・基板、５８・・・エピタキシャル層、５９・・・（エピタキシャル層の）表面、６２・・・チャネル領域、６３・・・ドレイン領域、６４・・・ソース領域、６５・・・チャネル間領域、６６・・・（チャネル間領域の）線状部、６７・・・（チャネル間領域の）交差部、７０・・・（単位セルの）角部、７１・・・単位セル、７２・・・ゲート絶縁膜、７３・・・ゲート電極、７４・・・ソーストレンチ、７５・・・（ソーストレンチの）側面、７６・・・（ソーストレンチの）底面、７７・・・ゲート耐圧保持領域、７８・・・ソース耐圧保持領域、７９・・・第１領域、８０・・・第２領域、８１・・・（チャネル領域の）コーナー部、８２・・・（ソーストレンチの）エッジ部、８３・・・ドレイン露出領域、８７・・・ソース電極、８８・・・ポリシリコン層、９１・・・（ポリシリコン層の）第１部分、９２・・・（ポリシリコン層の）第２部分、９３・・・ボディダイオード、９７・・・ＭＩＳトランジスタ、１０１・・・ＭＩＳトランジスタ、１０５・・・基板、１０８・・・エピタキシャル層、１０９・・・（エピタキシャル層の）表面、１１２・・・ゲートトレンチ、１１３・・・セル、１１４・・・ショットキーセル、１１５・・・ｐｎダイオードセル、１１６・・・（エピタキシャル層の）裏面、１１７・・・ソース領域、１１８・・・チャネル領域、１１９・・・ドレイン領域、１２２・・・ゲート絶縁膜、１２３・・・（ゲートトレンチの）底面、１２４・・・（ゲートトレンチの）側面、１２５・・・ゲート電極、１２６・・・ＳＢＤソーストレンチ、１２７・・・ＳＢＤ耐圧保持領域、１２８・・・（ＳＢＤソーストレンチの）底面、１２９・・・（ＳＢＤソーストレンチの）側面、１３０・・・（ＳＢＤソーストレンチの）エッジ部、１３１・・・ショットキー領域、１３２・・・ボディダイオード、１３３・・・Ｄｉソーストレンチ、１３４・・・Ｄｉ耐圧保持領域、１３５・・・（Ｄｉソーストレンチの）底面、１３６・・・（Ｄｉソーストレンチの）側面、１３７・・・（Ｄｉソーストレンチの）エッジ部、１３８・・・底部チャネルコンタクト領域、１３９・・・ボディダイオード、１４０・・・Ｇ耐圧保持領域、１４１・・・（ゲートトレンチの）コーナーエッジ部、１５０・・・ボディダイオード、１５１・・・ショットキーバリアダイオード、１５２・・・ドレイン電極、１５５・・・ボディダイオード、１６１・・・ＭＩＳトランジスタ、１６２・・・ＳＢＤソーストレンチ、１６３・・・ＳＢＤ上層トレンチ、１６４・・・ＳＢＤ下層トレンチ、１６５・・・ＳＢＤチャネルコンタクト領域、１６６・・・Ｄｉソーストレンチ、１６７・・・Ｄｉ上層トレンチ、１６８・・・Ｄｉ下層トレンチ、１６９・・・Ｄｉチャネルコンタクト領域、１８１・・・ＭＩＳトランジスタ、１８２・・・ゲート絶縁膜、１８３・・・ゲート電極、１９１・・・ＭＩＳトランジスタ

Claims (29)

  1. 　ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層を有する半導体装置であって、
    　前記半導体層は、
    　前記半導体層の表面側に露出するように形成された第１導電型のソース領域と、
    　前記ソース領域に対して前記半導体層の裏面側に前記ソース領域に接するように形成された第２導電型のチャネル領域と、
    　前記チャネル領域に対して前記半導体層の前記裏面側に前記チャネル領域に接するように形成された第１導電型のドレイン領域と、
    　前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して前記ドレイン領域に達し、側面および底面を有するソーストレンチと、
    　前記チャネル領域に接するように形成されたゲート絶縁膜と、
    　前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極と、
    　前記ソーストレンチの前記側面または前記底面に選択的に形成された第２導電型の第１耐圧保持領域とを含み、
    　前記ソーストレンチ内において前記ドレイン領域に接合され、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とのｐｎ接合により形成されるボディダイオードの拡散電位よりも低い接合障壁を、前記ドレイン領域との接合により形成する障壁形成層を含む、半導体装置。
  2. 　前記障壁形成層が、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｏおよびＰｏｌｙ－Ｓｉからなる群から選択される１種からなる、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記半導体層は、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して前記ドレイン領域に達し、側面および底面を有する格子状のゲートトレンチと、
    　格子状の前記ゲートトレンチにより区画され、複数の角部を有する多角柱状の単位セルを複数含み、当該各単位セルが、前記ソース領域、前記チャネル領域および前記ドレイン領域を有しており、
    　前記ゲート絶縁膜は、前記ゲートトレンチの前記側面および前記底面上に形成されており、
    　前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するように、前記ゲートトレンチに埋め込まれており、
    　前記第１耐圧保持領域は、前記ドレイン領域を前記ソーストレンチの前記底面に露出させるように、前記ソーストレンチの一部の領域において、前記側面と前記底面とが交わる前記ソーストレンチのエッジ部に選択的に形成されており、
    　前記障壁形成層は、前記ソーストレンチの前記底面に露出する前記ドレイン領域に接合されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　前記半導体層は、前記単位セルの前記角部に形成された前記ゲートトレンチのコーナーエッジ部に選択的に形成された第２導電型の第２耐圧保持領域をさらに含む、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記第２耐圧保持領域は、前記チャネル領域における前記コーナーエッジ部直上の部分に至るように形成されている、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第２耐圧保持領域は、格子状の前記ゲートトレンチの交差部に選択的に形成されている、請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 　前記半導体層は、格子状の前記ゲートトレンチの線状部の底面に形成され、当該線状部の幅よりも狭い幅を有する第２導電型の第３耐圧保持領域をさらに含む、請求項３～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 　前記第３耐圧保持領域の不純物濃度は、前記第２耐圧保持領域の不純物濃度よりも高い、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記第３耐圧保持領域の厚さは、前記第２耐圧保持領域の厚さよりも小さい、請求項７または８に記載の半導体装置。
  10. 　前記チャネル領域は、複数の角部を有する平面視多角形状で前記半導体層の前記表面に露出するように形成されており、当該チャネル領域がマトリクス状に配列されており、
    　前記ソース領域は、各前記チャネル領域の表面に露出するようにウェル状に形成されており、
    　前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面に露出する前記チャネル領域上に形成されており、
    　前記第１耐圧保持領域は、前記ドレイン領域を前記ソーストレンチの前記底面に露出させるように、前記ソーストレンチの一部の領域において、前記側面と前記底面とが交わる前記ソーストレンチのエッジ部に選択的に形成されており、
    　前記障壁形成層は、前記ソーストレンチの前記底面に露出する前記ドレイン領域に接合されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
  11. 　前記半導体層は、隣り合う前記チャネル領域の各間を延びるチャネル間領域と、前記チャネル領域の前記角部に形成された前記チャネル間領域のコーナー部に選択的に形成された第２導電型の第４耐圧保持領域とをさらに含む、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記半導体層は、前記チャネル間領域の線状部に形成され、当該線状部の幅よりも狭い幅を有する第２導電型の第５耐圧保持領域をさらに含む、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記ドレイン領域は、前記ソーストレンチの前記底面が選択的に前記半導体層の前記表面側に突出することにより形成された段部を有している、請求項１～１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
  14. 　ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層と、
    　前記半導体層に形成され、前記半導体層を複数のセルに区画するゲート部とを含み、
    　前記セルは、
    　前記半導体層の表面側から裏面側へ向かってこの順に配置された第１導電型のソース領域、第２導電型のチャネル領域および第１導電型のドレイン領域を有し、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して最深部が前記ドレイン領域に達する第１ソーストレンチが形成された第１ＭＩＳトランジスタ構造と、前記第１ソーストレンチの内面に選択的に形成された第２導電型の第１耐圧保持領域を有し、当該第１耐圧保持領域と前記ドレイン領域とのｐｎ接合により構成されたｐｎダイオードとを含むｐｎダイオードセルと、
    　前記ドレイン領域と一体な第１導電型のショットキー領域が選択的に露出したショットキーセルとを含み、
    　前記ｐｎダイオードセルおよび前記ショットキーセルに跨って形成され、前記ソース領域に対してオーミック接触を形成し、前記ショットキー領域に対して、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とのｐｎ接合により形成されるボディダイオードの拡散電位よりも低いショットキー障壁を形成するソース電極をさらに含む、半導体装置。
  15. 　前記ソース電極は、前記ショットキー領域との接触部分に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏおよびポリシリコンからなる群から選択される１種からなる障壁形成層を有する、請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記ｐｎダイオードセルにおいて前記第１耐圧保持領域は、前記第１ソーストレンチの底面から前記ソーストレンチの側面に沿って前記チャネル領域に至るように形成されており、
    　前記ｐｎダイオードセルは、前記第１ソーストレンチの前記底面に形成され、前記第１耐圧保持領域よりも不純物濃度が高い第２導電型のチャネルコンタクト領域をさらに含む、請求項１４または１５に記載の半導体装置。
  17. 　前記ｐｎダイオードセルにおいて前記第１ソーストレンチは、前記半導体層の前記表面から前記チャネル領域までの深さの第１上層トレンチと、前記第１上層トレンチよりも幅が狭く、前記チャネル領域から前記ドレイン領域までの深さの第１下層トレンチとを含む２段構造を有しており、
    　前記ｐｎダイオードセルは、前記第１上層トレンチと前記第１下層トレンチとの段差部分に露出する前記チャネル領域に形成され、前記チャネル領域よりも不純物濃度が高い第２導電型のチャネルコンタクト領域をさらに含む、請求項１４または１５に記載の半導体装置。
  18. 　前記ショットキーセルは、前記半導体層の表面側から裏面側へ向かってこの順に配置された第１導電型のソース領域、第２導電型のチャネル領域および第１導電型のドレイン領域を有し、前記半導体層の前記表面から前記ソース領域および前記チャネル領域を貫通して前記ドレイン領域に達する第２ソーストレンチが形成された第２ＭＩＳトランジスタ構造と、前記第２ソーストレンチの側面と底面とが交わって形成された前記第２ソーストレンチのエッジ部に選択的に形成された第２耐圧保持領域とをさらに含み、
    　前記ショットキー領域は、前記第２耐圧保持領域で取り囲まれた前記第２ソーストレンチの底面に形成されている、請求項１４～１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  19. 　前記ショットキー領域は、当該ショットキー領域と前記第２耐圧保持領域との接合部から発生する空乏層が繋がらない面積で形成されている、請求項１８に記載の半導体装置。
  20. 　前記ショットキーセルの面積が、前記ｐｎダイオードセルの面積よりも大きい、請求項１４～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
  21. 　前記ショットキーセルにおいて前記第２ソーストレンチは、前記半導体層の前記表面から前記チャネル領域までの深さの第２上層トレンチと、前記第２上層トレンチよりも幅が狭く、前記チャネル領域から前記ドレイン領域までの深さの第２下層トレンチとを含む２段構造を有しており、前記第２耐圧保持領域は、前記第２下層トレンチの側面に沿って前記チャネル領域に至るように形成されており、
    　前記ショットキーセルは、前記第２上層トレンチと前記第２下層トレンチとの段差部分に露出する前記チャネル領域に形成され、前記チャネル領域よりも不純物濃度が高い第２導電型のチャネルコンタクト領域をさらに含む、請求項１８または１９に記載の半導体装置。
  22. 　前記ゲート部は、前記半導体層に形成されたゲートトレンチと、前記ゲートトレンチの内面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲートトレンチにおいて前記ゲート絶縁膜の内側に形成されたゲート電極とを含む、請求項１４～２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  23. 　前記ゲートトレンチが格子状に形成されており、
    　前記半導体装置は、前記ゲートトレンチの交差部を介して前記ｐｎダイオードセルおよび前記ショットキーセルに跨るように形成され、前記第１耐圧保持領域と前記第２耐圧保持領域とを電気的に接続する第２導電型の中継領域をさらに含む、請求項１８または１９に記載の半導体装置。
  24. 　前記ゲート部は、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と含む、請求項１４～２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  25. 　前記ショットキーセルは、前記ｐｎダイオードセルに取り囲まれている、請求項１４～２４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  26. 　前記ゲート部は、前記ｐｎダイオードセルを互いに同じ大きさで行列状に配列させる格子状に形成されており、
    　前記ショットキーセルは、前記ｐｎダイオードセル４つ分または９つ分に相当する面積を有している、請求項１４～２５のいずれか一項に記載の半導体装置。
  27. 　前記ショットキーセルおよび前記ｐｎダイオードセルは、四角状に形成された四角形セルを含む、請求項１４～２６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  28. 　前記ショットキーセルおよび前記ｐｎダイオードセルは、六角形に形成された六角形セルを含む、請求項１４～２７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  29. 　前記ショットキーセルおよび前記ｐｎダイオードセルは、ストライプ状に形成されたストライプセルを含む、請求項１４～２８のいずれか一項に記載の半導体装置。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013243207A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Toyota Central R&D Labs Inc 炭化珪素単結晶を主材料とする半導体装置
JP2014127555A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置
EP2851944A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2015076592A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2015198228A (ja) * 2014-04-03 2015-11-09 富士電機株式会社 半導体装置
JP2016009712A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置
WO2017010164A1 (ja) * 2015-07-15 2017-01-19 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
CN106876471A (zh) * 2017-03-31 2017-06-20 西安电子科技大学 双槽umosfet器件
CN107425065A (zh) * 2012-09-19 2017-12-01 英特尔公司 有源栅极之上的栅极触点结构及其制造方法
US20180012974A1 (en) * 2014-11-18 2018-01-11 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2018107168A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2018182234A (ja) * 2017-04-20 2018-11-15 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2020087958A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2022044099A1 (ja) * 2020-08-25 2022-03-03 三菱電機株式会社 半導体装置、電力変換装置、および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5616665B2 (ja) * 2010-03-30 2014-10-29 ローム株式会社 半導体装置
US9024379B2 (en) 2012-02-13 2015-05-05 Maxpower Semiconductor Inc. Trench transistors and methods with low-voltage-drop shunt to body diode
WO2014021199A1 (ja) * 2012-08-01 2014-02-06 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置とその製造方法
JP5961563B2 (ja) * 2013-01-25 2016-08-02 株式会社豊田中央研究所 半導体装置の製造方法
JP6135364B2 (ja) * 2013-07-26 2017-05-31 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US9331197B2 (en) 2013-08-08 2016-05-03 Cree, Inc. Vertical power transistor device
US10868169B2 (en) * 2013-09-20 2020-12-15 Cree, Inc. Monolithically integrated vertical power transistor and bypass diode
US10600903B2 (en) 2013-09-20 2020-03-24 Cree, Inc. Semiconductor device including a power transistor device and bypass diode
US20150118810A1 (en) * 2013-10-24 2015-04-30 Madhur Bobde Buried field ring field effect transistor (buf-fet) integrated with cells implanted with hole supply path
CN204966510U (zh) * 2014-06-20 2016-01-13 意法半导体股份有限公司 宽带隙高密度半导体开关器件
DE102014117780B4 (de) 2014-12-03 2018-06-21 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einer Grabenelektrode und Verfahren zur Herstellung
DE102014119465B3 (de) 2014-12-22 2016-05-25 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung mit streifenförmigen trenchgatestrukturen, transistormesas und diodenmesas
US9324807B1 (en) * 2015-07-10 2016-04-26 United Silicon Carbide, Inc. Silicon carbide MOSFET with integrated MOS diode
DE102015224965A1 (de) * 2015-12-11 2017-06-14 Robert Bosch Gmbh Flächenoptimierter Transistor mit Superlattice-Strukturen
KR101786668B1 (ko) * 2015-12-14 2017-10-18 현대자동차 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10141415B2 (en) * 2016-01-12 2018-11-27 Infineon Technologies Americas Corp. Combined gate and source trench formation and related structure
DE112017000441B4 (de) * 2016-01-20 2023-03-09 Rohm Co., Ltd. Halbleiterbauteil
EP3223316A1 (en) * 2016-03-24 2017-09-27 ABB Technology AG Wide bandgap power semiconductor device and method for manufacturing such a device
WO2018029796A1 (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 日産自動車株式会社 半導体装置
KR101896332B1 (ko) 2016-12-13 2018-09-07 현대자동차 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2018139556A1 (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 ローム株式会社 半導体装置
EP3712952A4 (en) * 2017-11-13 2021-06-23 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH WIDE GAP
JP6554614B1 (ja) * 2017-12-14 2019-07-31 新電元工業株式会社 ワイドギャップ半導体装置
CN110047908B (zh) * 2018-01-16 2023-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其制造方法
DE102018103973B4 (de) 2018-02-22 2020-12-03 Infineon Technologies Ag Siliziumcarbid-halbleiterbauelement
DE102019111308A1 (de) 2018-05-07 2019-11-07 Infineon Technologies Ag Siliziumcarbid halbleiterbauelement
JPWO2020031971A1 (ja) * 2018-08-07 2021-08-10 ローム株式会社 ＳｉＣ半導体装置
CN109192779B (zh) * 2018-08-28 2021-10-26 电子科技大学 一种碳化硅mosfet器件及其制造方法
DE102018124740A1 (de) 2018-10-08 2020-04-09 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem sic halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
US10985248B2 (en) 2018-11-16 2021-04-20 Infineon Technologies Ag SiC power semiconductor device with integrated Schottky junction
US10903322B2 (en) 2018-11-16 2021-01-26 Infineon Technologies Ag SiC power semiconductor device with integrated body diode
US10586845B1 (en) 2018-11-16 2020-03-10 Infineon Technologies Ag SiC trench transistor device and methods of manufacturing thereof
WO2020121508A1 (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 サンケン電気株式会社 半導体装置
CN110828555A (zh) * 2019-11-18 2020-02-21 重庆大学 一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率mos器件
DE102020202034A1 (de) 2020-02-18 2021-08-19 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Vertikaler Feldeffekttransistor, Verfahren zum Herstellen desselben und Bauelement aufweisend vertikale Feldeffekttransistoren
US11569375B2 (en) * 2020-04-17 2023-01-31 Hrl Laboratories, Llc Vertical diamond MOSFET and method of making the same
US11411084B2 (en) 2020-07-09 2022-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator
KR20220124944A (ko) * 2021-03-04 2022-09-14 현대자동차주식회사 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조 방법
WO2022200338A1 (en) * 2021-03-22 2022-09-29 Hitachi Energy Switzerland Ag Power semiconductor device
CN114122139B (zh) * 2021-11-30 2024-01-26 电子科技大学 具有集成二极管的碳化硅mosfet器件及制造方法
CN114284345B (zh) * 2021-12-23 2023-09-15 电子科技大学 一种优化导通电阻的集成肖特基vdmos器件
US20230411446A1 (en) * 2022-06-21 2023-12-21 Wolfspeed, Inc. Gate trench power semiconductor devices having trench shielding patterns formed during the well implant and related methods

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0282580A (ja) * 1988-09-19 1990-03-23 Sanyo Electric Co Ltd 縦型ｍｏｓｆｅｔ
JPH05102487A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Nippondenso Co Ltd 縦型半導体装置
JPH08204179A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Fuji Electric Co Ltd 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ
JP2003017701A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Denso Corp 半導体装置
JP2003318398A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Nissan Motor Co Ltd 炭化珪素半導体装置
JP2005285913A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009253139A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009260253A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2010171418A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010171417A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Rohm Co Ltd 半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6998678B2 (en) * 2001-05-17 2006-02-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement with a MOS-transistor and a parallel Schottky-diode
US7282739B2 (en) 2002-04-26 2007-10-16 Nissan Motor Co., Ltd. Silicon carbide semiconductor device
DE102004057235B4 (de) * 2004-11-26 2007-12-27 Infineon Technologies Ag Vertikaler Trenchtransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2007013377A1 (ja) * 2005-07-26 2007-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体素子及び電気機器
JP5167593B2 (ja) 2006-03-23 2013-03-21 富士電機株式会社 半導体装置
JP5036569B2 (ja) * 2008-01-09 2012-09-26 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2010109221A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Rohm Co Ltd 半導体装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0282580A (ja) * 1988-09-19 1990-03-23 Sanyo Electric Co Ltd 縦型ｍｏｓｆｅｔ
JPH05102487A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Nippondenso Co Ltd 縦型半導体装置
JPH08204179A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Fuji Electric Co Ltd 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ
JP2003017701A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Denso Corp 半導体装置
JP2003318398A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Nissan Motor Co Ltd 炭化珪素半導体装置
JP2005285913A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009260253A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009253139A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2010171418A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010171417A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Rohm Co Ltd 半導体装置

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013243207A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Toyota Central R&D Labs Inc 炭化珪素単結晶を主材料とする半導体装置
CN107425065A (zh) * 2012-09-19 2017-12-01 英特尔公司 有源栅极之上的栅极触点结构及其制造方法
JP2014127555A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置
EP2851944A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
US10141439B2 (en) 2013-09-20 2018-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2015076592A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2015198228A (ja) * 2014-04-03 2015-11-09 富士電機株式会社 半導体装置
JP2016009712A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置
US11189709B2 (en) 2014-11-18 2021-11-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US20180012974A1 (en) * 2014-11-18 2018-01-11 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JPWO2017010164A1 (ja) * 2015-07-15 2018-01-25 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
WO2017010164A1 (ja) * 2015-07-15 2017-01-19 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP2018107168A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6996082B2 (ja) 2016-12-22 2022-01-17 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN106876471A (zh) * 2017-03-31 2017-06-20 西安电子科技大学 双槽umosfet器件
CN106876471B (zh) * 2017-03-31 2019-12-17 西安电子科技大学 双槽umosfet器件
JP2018182234A (ja) * 2017-04-20 2018-11-15 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2020087958A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US10896980B2 (en) 2018-11-15 2021-01-19 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US11276784B2 (en) 2018-11-15 2022-03-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
JP7101101B2 (ja) 2018-11-15 2022-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP7399222B2 (ja) 2018-11-15 2023-12-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2022044099A1 (ja) * 2020-08-25 2022-03-03 三菱電機株式会社 半導体装置、電力変換装置、および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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