JP6377228B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
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Description
全般をいい、電気光学装置、半導体回路および電子機器などは全て半導体装置である。
注目されている。該トランジスタは集積回路(IC)や画像表示装置(表示装置)のよう
な半導体装置に広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体膜としてシリコン
系半導体膜が知られているが、近年では酸化物半導体膜が注目されている。
鉛を含む非晶質酸化物半導体膜を用いたトランジスタが開示されている(特許文献1参照
。)。
晶質シリコン膜を用いたトランジスタと比べて動作速度が大幅に向上する。また、非晶質
シリコン膜を用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用することが可能である
ため、設備投資を抑えられるメリットもある。
特許文献2参照。)。なお、酸化物半導体膜は、スパッタリング法などの薄膜形成技術に
よって成膜することが可能である。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、35
0℃以下程度の低温工程にて作製可能である。そのため、酸化物半導体膜を用いたトラン
ジスタは、他のトランジスタに重畳して作製するための制約が少なく、セル面積を縮小す
ることができる。
ャリアが生成され、トランジスタのしきい値電圧(Vth)を負方向へシフトさせてしま
うことがある。そこで、フロントゲート電極に対してバックゲート電極を設けた酸化物半
導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタの構造とすることで、酸化物半導体膜を
用いたトランジスタのVthを制御することが検討されている(特許文献3参照。)。
のゲート電極ともいう。)およびバックゲート電極(第2のゲート電極ともいう。)を形
成するために工程数が増大してしまう。
ことでトランジスタ一つ当たりの面積を縮小することが可能であるが、酸化物半導体層の
上下にゲート電極を有するトランジスタを、他の酸化物半導体層の上下にゲート電極を有
するトランジスタと少なくとも一部を重畳して設ける場合、各トランジスタごとに第2の
ゲート電極を設けることになる。
、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタと重畳する半導体装置におい
て、当該半導体装置の歩留まりを高めることを課題の一とする。また、当該半導体装置を
作製するにあたり、工程数の増大を抑制することを課題の一とする。
当該第1のトランジスタに少なくとも一部を重畳して設けられた酸化物半導体層の上下に
ゲート電極を有する第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタおよび第2のト
ランジスタの第2のゲート電極として機能する導電膜を共通化した半導体装置である。
御するだけではなく、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタそれぞれの第1のゲ
ート電極から印加される電界の干渉を低減する効果も奏する。
当該絶縁膜上に第1のトランジスタと同様の構造を有する第3のトランジスタが設けられ
、第3のトランジスタに少なくとも一部を重畳して第2のトランジスタと同様の構造を有
する第4のトランジスタが設けられ、第3のトランジスタおよび第4のトランジスタの第
2のゲート電極として機能する導電膜を共通化した半導体装置である。
造を複数積層して設けることができる。具体的には、この構造を2段以上10段以下、好
ましくは3段以上20段以下、さらに好ましくは5段以上50段以下の範囲で重畳して設
けてもよい。もちろん、この範囲を超えて当該構造を積層して設けても構わない。
て機能する導電膜を設けることになる。そのため、第2のゲート電極を設けるための工程
数を低減することができる。また、1段につき、第2のゲート電極として機能する導電膜
を1層省くことができる。従って、構造を複数積層して設ける場合、半導体装置の作製途
中での応力による破損を抑制でき、より多くのトランジスタを有する半導体装置を作製す
ることができる。即ち、半導体装置の高集積化および歩留まりの向上が可能となる。そし
て、このように構造を複数積層しても、第2のゲート電極の効果で電界の干渉を低減でき
る。
複数重畳して設けることにより、セル面積を縮小できるためである。
ンジスタと少なくとも一部が重畳して設けられた第2のトランジスタと、を有し、第1の
トランジスタは、第1の導電膜と、第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、第1の
絶縁膜上に設けられた第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜と少なくとも一部
が接して設けられた第2の導電膜および第3の導電膜と、第2の導電膜、第3の導電膜お
よび第1の酸化物半導体膜上に設けられた第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に設けられた
第4の導電膜と、を有し、第2のトランジスタは、第4の導電膜と、第4の導電膜上に設
けられた第3の絶縁膜と、第3の絶縁膜上に設けられた第2の酸化物半導体膜と、第2の
酸化物半導体膜と少なくとも一部を接して設けられた第5の導電膜および第6の導電膜と
、第5の導電膜、第6の導電膜および第2の酸化物半導体膜上に設けられた第4の絶縁膜
と、第4の絶縁膜上に設けられた第7の導電膜と、を有し、第1の酸化物半導体膜は、少
なくとも一部が第1の導電膜および第4の導電膜と重畳し、第2の酸化物半導体膜は、少
なくとも一部が第4の導電膜および第7の導電膜と重畳する半導体装置である。なお、第
2のトランジスタの第7の導電膜および第4の絶縁膜上に、上面の平坦である第5の絶縁
膜が設けられると好ましい。
の構造上に、第1の構造と同様の構造である第2の構造を有する半導体装置である。
機能し、第7の導電膜の少なくとも一部が第2のトランジスタの第1のゲート電極として
機能し、第4の導電膜の少なくとも一部が第1のトランジスタの第2のゲート電極として
機能し、第4の導電膜の少なくとも一部が第2のトランジスタの第2のゲート電極として
機能する。
設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に設けられ、第1の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜上に設けられた第2の導電膜
および第3の導電膜と、第2の導電膜、第3の導電膜および第1の酸化物半導体膜上に設
けられた第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に設けられ、第2の導電膜と少なくとも一部が
重畳する第4の導電膜と、第2の絶縁膜上に設けられ、第1の酸化物半導体膜と少なくと
も一部が重畳する第5の導電膜と、第2の絶縁膜、第4の導電膜および第5の導電膜上に
設けられた第3の絶縁膜と、第3の絶縁膜上に設けられ、第5の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第2の酸化物半導体膜と、第2の酸化物半導体膜上に設けられた第6の導電膜
および第7の導電膜と、第6の導電膜、第7の導電膜および第2の酸化物半導体膜上に設
けられた第4の絶縁膜と、第4の絶縁膜上に設けられ、第6の導電膜と少なくとも一部が
重畳する第8の導電膜と、第4の絶縁膜上に設けられ、第2の酸化物半導体膜と少なくと
も一部が重畳する第9の導電膜と、第4の絶縁膜、第8の導電膜および第9の導電膜上に
設けられた第5の絶縁膜と、第5の絶縁膜上に設けられた第10の導電膜と、を有する半
導体装置である。なお、第2の絶縁膜、第3の絶縁膜、第2の酸化物半導体膜、第7の導
電膜、第4の絶縁膜および第5の絶縁膜は、第3の導電膜に達する開口部を有し、該開口
部を介して、第10の導電膜が第3の導電膜と接する。なお、第10の導電膜上に、上面
の平坦である第6の絶縁膜が設けられると好ましい。
設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に設けられ、第1の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜上に設けられた第2の導電膜
および第3の導電膜と、第2の導電膜、第3の導電膜および第1の酸化物半導体膜上に設
けられた第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に設けられ、第2の導電膜と少なくとも一部が
重畳する第4の導電膜と、第2の絶縁膜上に設けられ、第1の酸化物半導体膜と少なくと
も一部が重畳する第5の導電膜と、第2の絶縁膜、第4の導電膜および第5の導電膜上に
設けられた第3の絶縁膜と、第3の絶縁膜上に設けられ、第4の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第6の導電膜と、第3の絶縁膜上に設けられた第7の導電膜と、第3の絶縁膜
、第6の導電膜および第7の導電膜上に設けられ、第5の導電膜と少なくとも一部が重畳
する第2の酸化物半導体膜と、第6の導電膜、第7の導電膜および第2の酸化物半導体膜
上に設けられた第4の絶縁膜と、第4の絶縁膜上に設けられ、第2の酸化物半導体膜と少
なくとも一部が重畳する第8の導電膜と、第8の導電膜上に設けられた第5の絶縁膜と、
第5の絶縁膜上に設けられた第9の導電膜と、を有する半導体装置である。なお、第2の
絶縁膜、第3の絶縁膜、第2の酸化物半導体膜、第7の導電膜、第4の絶縁膜および第5
の絶縁膜は、第3の導電膜に達する開口部を有し、該開口部を介して、第9の導電膜が第
3の導電膜と接する。なお、第9の導電膜上に、上面の平坦である第6の絶縁膜が設けら
れると好ましい。
電極として機能する導電膜を共通化することで、半導体装置の高集積化および歩留まりの
向上が可能となる。また、当該半導体装置を作製するにあたり、工程数の増大を抑制する
ことができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す
符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターン
を同じくし、特に符号を付さない場合がある。
をソースとする。すなわち、電位の高低によってそれらを区別しない。したがって、ソー
スとされている部分をドレインと読み替えることもできる。
電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である。ま
た、電位VH、電位VDD、電位GNDなどのように電位を表記したとしても、厳密に電
位VH、電位VDD、電位GNDとなっていないことがある。よって、電位VH、電位V
DD、電位GNDは、電位VH近傍、電位VDD近傍、電位GND近傍と置き換えること
ができる。なお、「接地する」と「GNDに接続する」は同義である。
理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名
称を示すものではない。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置について、図1乃至図6を用いて説
明する。
す一点鎖線A−Bに対応する断面A−Bが図1(B)である。図1(A)では、簡単のた
め、重畳して隠れている膜および絶縁膜などを省略して示す。
られた第1の導電膜104aと、第1の導電膜104aおよび第1の絶縁膜102上に設
けられた第2の絶縁膜112aと、第2の絶縁膜112a上に設けられ、第1の導電膜1
04aと少なくとも一部が重畳する第1の酸化物半導体膜106aと、第1の酸化物半導
体膜106a上に設けられた第2の導電膜116aおよび第3の導電膜126aと、第2
の導電膜116a、第3の導電膜126aおよび第1の酸化物半導体膜106a上に設け
られた第3の絶縁膜110aと、第3の絶縁膜110a上に設けられ、第1の酸化物半導
体膜106aおよび第1の導電膜104aと少なくとも一部が重畳する第4の導電膜11
4と、第3の絶縁膜110a上に設けられ、第4の導電膜114と上面の高さが揃ってい
る第4の絶縁膜120aと、第4の導電膜114および第4の絶縁膜120a上に設けら
れた第5の絶縁膜110bと、第5の絶縁膜110b上に設けられ、第4の導電膜114
と少なくとも一部が重畳する第2の酸化物半導体膜106bと、第2の酸化物半導体膜1
06b上に設けられ、第2の導電膜116aの少なくとも一部、および第3の導電膜12
6aの少なくとも一部とそれぞれ重畳する第5の導電膜116bおよび第6の導電膜12
6bと、第5の導電膜116b、第6の導電膜126bおよび第2の酸化物半導体膜10
6b上に設けられた第6の絶縁膜112bと、第6の絶縁膜112b上に設けられ、第2
の酸化物半導体膜106bおよび第4の導電膜114と少なくとも一部が重畳する第7の
導電膜104bと、を有する。なお、第7の導電膜104bおよび第6の絶縁膜112b
上に上面が平坦である第7の絶縁膜120bを設けると好ましい。
104bと、第2の導電膜116a、第3の導電膜126a、第5の導電膜116bおよ
び第6の導電膜126bとが重畳していないが、これに限定されない。例えば、第1の導
電膜104a、第4の導電膜114および第7の導電膜104bと、第2の導電膜116
a、第3の導電膜126a、第5の導電膜116bおよび第6の導電膜126bとが少な
くとも一部において重畳していてもよい。
している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板
などを、基板101として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半
導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI(
Silicon On Insulator)基板などを適用することも可能であり、こ
れらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板101として用いてもよい。
1500mm)、第6世代(1500mm×1800mm)、第7世代(1870mm×
2200mm)、第8世代(2200mm×2500mm)、第9世代(2400mm×
2800mm)、第10世代(2880mm×3130mm)などの大型ガラス基板を用
いる場合、半導体装置の作製工程における加熱処理などで生じる基板101の縮みによっ
て、微細な加工が困難になる場合ある。そのため、前述したような大型ガラス基板を基板
101として用いる場合、縮みの小さいものを用いることが好ましい。例えば、基板10
1として、400℃、好ましくは450℃、さらに好ましくは500℃の温度で1時間加
熱処理を行った後の縮み量が10ppm以下、好ましくは5ppm以下、さらに好ましく
は3ppm以下である大型ガラス基板を用いればよい。
ジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トラン
ジスタを剥離し、可とう性基板である基板101に転置する方法もある。その場合には、
非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。
に影響しないようにするために設ける。ただし、基板101が不純物を含まない場合は、
第1の絶縁膜102を設けなくても構わない。
、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ゲルマニウ
ム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウ
ムおよび酸化タンタルを含む絶縁膜から一種以上選択して、単層で積層で用いればよい。
例えば、酸素が50原子%以上70原子%以下、窒素が0.5原子%以上15原子%以下
、シリコンが25原子%以上35原子%以下、水素が0原子%以上10原子%以下の範囲
で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成において、酸素よりも窒
素の含有量が多いものを示し、例えば、酸素が5原子%以上30原子%以下、窒素が20
原子%以上55原子%以下、シリコンが25原子%以上35原子%以下、水素が10原子
%以上25原子%以下の範囲で含まれるものをいう。ただし、上記範囲は、ラザフォード
後方散乱法(RBS:Rutherford Backscattering Spec
trometry)や、水素前方散乱法(HFS:Hydrogen Forward
scattering Spectrometry)を用いて測定した場合のものである
。また、構成元素の組成は、その合計が100原子%を超えない値をとる。
ンジスタにおいて第1のゲート電極として機能する。例えば、第1の導電膜104aとし
ては、Al、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Mo、Ag、TaおよびWを一
種以上含む、単体、窒化物、酸化物または合金を、単層で積層で用いればよい。または、
少なくともInおよびZnを含む酸化物または酸窒化物を用いても構わない。例えば、I
n−Ga−Zn−O−N化合物などを用いればよい。
の絶縁膜112aとしては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化
窒化シリコン、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン
、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを含む絶縁膜から一種以上選択して
、単層で積層で用いればよい。
を有する。なお、チャネル領域とは、ゲート電極の電界によりチャネルが形成される領域
をいう。チャネルが形成されると、ソースおよびドレイン間に電圧を印加することで電流
が流れる。
い。ここで、金属元素Mは酸素との結合エネルギーがInおよびZnよりも高い元素であ
る。または、In−M−Zn−O化合物から酸素が脱離することを抑制する機能を有する
元素である。金属元素Mの作用によって、酸化物半導体膜の酸素欠損の生成が抑制される
。そのため、酸素欠損に起因するトランジスタの特性の変動を低減することができ、信頼
性の高いトランジスタを得ることができる。
、Y、Zr、Nb、Mo、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、TaまたはWとすればよく、好ましくはAl
、Ti、Ga、Y、Zr、CeまたはHfとする。金属元素Mは、前述の元素から一種ま
たは二種以上選択すればよい。また、金属元素Mの代わりにSiまたはGeを用いても構
わない。
非晶質などの状態をとる。
gned Crystalline Oxide Semiconductor)膜とす
る。
は、非晶質相に非晶質部および結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜で
ある。なお、当該結晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさであること
が多い。また、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electro
n Microscope)による観察像では、CAAC−OS膜に含まれる非晶質部と
結晶部との境界は明確ではない。また、TEMによってCAAC−OS膜には粒界(グレ
インバウンダリーともいう。)は確認できない。そのため、CAAC−OS膜は、粒界に
起因するキャリア移動度の低下が抑制される。
垂直な方向に揃い、かつab面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列
を有し、c軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に
配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれa軸およびb軸の向きが異なっていて
もよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、85°以上95°以下の範囲も含
まれることとする。
C−OS膜の形成過程において、第1の酸化物半導体膜106aの表面側から結晶成長さ
せる場合、被形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがあ
る。また、CAAC−OS膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域におい
て結晶部が非晶質化することもある。
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、CAAC−OS膜の形状(被形成
面の断面形状または表面の断面形状)によっては互いに異なる方向を向くことがある。な
お、結晶部のc軸の方向は、CAAC−OS膜が形成されたときの被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、また
は成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
体膜106b)は、銅、アルミニウム、塩素などの不純物がほとんど含まれない高純度化
されたものであることが好ましい。トランジスタの作製工程において、これらの不純物が
混入または酸化物半導体膜表面に付着する恐れのない工程を適宜選択することが好ましく
、酸化物半導体膜表面に付着した場合には、シュウ酸や希フッ酸などに曝す、またはプラ
ズマ処理(N2Oプラズマ処理など)を行うことにより、酸化物半導体膜表面の不純物を
除去することが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜の銅濃度は、1×1018ato
ms/cm3以下、好ましくは1×1017atoms/cm3以下とする。また、酸化
物半導体膜のアルミニウム濃度は、1×1018atoms/cm3以下とする。また、
酸化物半導体膜の塩素濃度は、2×1018atoms/cm3以下とする。
とすることが好ましい。例えば、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する場
合、成膜ガスの酸素の占める割合が多い条件で成膜することが好ましく、特に酸素雰囲気
で成膜を行うことが好ましい。成膜ガスの酸素の占める割合が多い条件、特に酸素雰囲気
で成膜すると、例えば成膜温度を300℃以上としても、膜中からZn放出がすることが
抑制される。
であることが好ましい。または、十分な酸素が供給されて酸素が過飽和の状態とされたも
のであることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜の水素濃度は5×1020ato
ms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは
5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017atoms/cm3
以下とする。なお、上述の酸化物半導体膜中の水素濃度は、二次イオン質量分析法(SI
MS:Secondary Ion Mass Spectrometry)で測定され
るものである。また、十分な酸素が供給されて酸素が過飽和の状態とするため、酸化物半
導体膜を包みこむように余剰酸素を含む絶縁膜(SiOxなど)を接して設ける。
ある。
て説明する。
り測定した。
厚さ300nm成膜した。
.56MHz)、成膜時の基板温度を100℃として成膜した。
酸素ガス(O2)、重水素ガス(D2)およびアルゴンガス(Ar)の流量が異なる以外
は同様とした。
中の30nmの深さにおけるD(重水素原子)濃度およびH(水素原子)濃度を示す。な
お、各試料の成膜ガス中のD2割合(D2/(O2+Ar+D2))は、試料1が0体積
%、試料2が0.005体積%、試料3が0.50体積%、試料4が2.50体積%とし
た。
とがわかった。
A−Bに対応する断面図を図19(B)に示す。なお、簡単のため、図19(A)におい
ては、保護絶縁膜2118、ゲート絶縁膜2112、絶縁膜2102などを省略して示す
。
酸素を含む絶縁膜2102と、絶縁膜2102上に設けられた酸化物半導体膜2106と
、酸化物半導体膜2106上に設けられた一対の電極2116と、酸化物半導体膜210
6および一対の電極2116を覆って設けられたゲート絶縁膜2112と、ゲート絶縁膜
2112を介して酸化物半導体膜2106と重畳して設けられたゲート電極2104と、
ゲート電極2104およびゲート絶縁膜2112上に設けられた保護絶縁膜2118と、
を有する。
絶縁膜2102の厚さは300nmとした。
Zn=1:1:1[原子数比]ターゲットを用いて成膜したもの)を厚さ20nm、一対
の電極2116はタングステン膜を厚さ100nm、ゲート絶縁膜2112は酸化窒化シ
リコン膜を厚さ30nm、ゲート電極2104は、ゲート絶縁膜2112側から窒化タン
タル膜を厚さ15nmおよびタングステン膜を厚さ135nm、保護絶縁膜2118は酸
化窒化シリコン膜を厚さ300nmとした。
には、チャネル長(L)が10μm、チャネル幅(W)が10μm、ゲート電極2104
と一対の電極2116のチャネル長方向の重なり(Lov)がそれぞれ1μm(合計2μ
m)であるトランジスタを用いた。実施したBTストレス試験の方法を以下に示す。
ト電圧(Vg)を−6Vから6Vに掃引したときのドレイン電流(Id)を測定した。こ
のときのトランジスタの特性を、BT試験前のトランジスタの特性と呼ぶ。ここでは、ソ
ース電位を基準とした電圧を示す。
のIdを測定した。このときのトランジスタの特性を、BTストレス試験後のトランジス
タの特性と呼ぶ。
電界効果移動度(μFE)を表2に示す。なお、表2に示す試料名は、表1に示す試料名
と対応しており、絶縁膜2102の条件は表1の記載を参照する。
。
試料4は他の試料と比べ、Vthのマイナス方向のばらつきが大きくなった。
て、酸化シリコン膜中のD濃度が7.2×1020atoms/cm3であるとき、トラ
ンジスタに特性異常が生じることがわかった。
以上(D濃度が7.2×1020atoms/cm3+H濃度1.9×1019atom
s/cm3以上)である場合には、トランジスタの特性は、バラツキの増大、L長依存性
の増大が見られることがわかる。さらにBTストレス試験において、トランジスタの特性
が大きく劣化するため、余剰酸素を含む絶縁膜の水素濃度は、7.4×1020atom
s/cm3未満とすることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜の水素濃度は5×1
019atoms/cm3以下、かつ、余剰酸素を含む絶縁膜の水素濃度は、7.4×1
020atoms/cm3未満とすることが好ましい。
酸化物半導体膜の酸素の放出を抑えるブロッキング層(AlOxなど)を設けると好まし
い。
半導体膜において化学量論的組成とほぼ一致するような状態、または化学量論的組成より
酸素が多い過飽和の状態とすることができる。例えば、酸化物半導体膜が化学量論的組成
がIn:Ga:Zn:O=1:1:1:4[原子数比]であるIGZOの場合、IGZO
に含まれる酸素の原子数比は4より多い状態となる。
2eV程度であり、少数キャリアが1×10−9個/cm3程度と極めて少なく、多数キ
ャリアはトランジスタのソースから来るのみである。そのため、当該酸化物半導体膜を用
いたトランジスタはアバランシェブレークダウンがない。
ル領域を完全空乏化するため、例えばチャネル長が3μm、チャネル幅が1μmのときの
オフ電流は、85℃〜95℃において1×10−23A以下とすることができ、かつ室温
では1×10−25A以下とすることができる。
は、それぞれ第1の酸化物半導体膜106aを用いたトランジスタのソース電極およびド
レイン電極として機能する。第2の導電膜116aおよび第3の導電膜126aは、第1
の導電膜104aとして示した導電膜から選択して用いればよい。
110aは、第2の絶縁膜112aとして示した絶縁膜から選択して用いればよい。
2のゲート電極として機能する。第4の導電膜114は、第1の導電膜104aとして示
した導電膜から選択して用いればよい。
って、第1の酸化物半導体膜106aにチャネルが形成される場合もあり、形成されない
場合もある。例えば、第4の導電膜114に負の電圧を印加した場合、第1の導電膜10
4aにトランジスタのVthに相当する電圧を印加しても第1の酸化物半導体膜106a
にチャネルは形成されない。この場合、第1の導電膜104aに、トランジスタのVth
よりも第4の導電膜114に印加した負の電圧に相当する分だけ高い電圧を印加するとチ
ャネルが形成される。これは、第4の導電膜114と第1の導電膜104aを置き換えて
も同様である。なお、述べるまでもないが、第1のゲート電極および第2のゲート電極に
印加する電圧のバランスは、ゲート絶縁膜の厚さや誘電率によって変化する。
膜104aまたは第4の導電膜114に、Vthを正にするために十分な負の電圧を印加
することでノーマリーオフ(Vthが正)の特性を得ることができる。好ましくは、第4
の導電膜114によって、トランジスタのVthを制御する。
も上に設けられる膜が、第4の絶縁膜120aよりも下に設けられる膜によって生じる凹
凸の影響を受けにくくなる。そのため、凹凸の影響による耐圧の低下、段切れなどを防止
することができる。即ち、第4の絶縁膜120aは、半導体装置の凹凸を軽減する機能を
有する絶縁膜である。ただし、第4の絶縁膜120aよりも下に設けられる膜によって生
じる凹凸が軽微な場合、第4の絶縁膜120aを設けなくてもよい。
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ゲルマニウム、
酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムお
よび酸化タンタルを含む絶縁膜から一種以上選択して、単層で積層で用いればよい。
用いてもよい。有機樹脂はスピンコート法などで形成可能であるため、比較的平坦な上面
を得やすい。
110bは、第2の絶縁膜112aとして示した絶縁膜から選択して用いればよい。
を有する。第2の酸化物半導体膜106bは、第1の酸化物半導体膜106aとして示し
た化合物膜から選択して用いればよい。
は、それぞれ第2の酸化物半導体膜106bを用いたトランジスタにおいてソース電極お
よびドレイン電極として機能する。第5の導電膜116bおよび第6の導電膜126bは
、第1の導電膜104aとして示した導電膜から選択して用いればよい。
の絶縁膜112aとして示した絶縁膜から選択して用いればよい。
ンジスタにおいて第1のゲート電極として機能する。第7の導電膜104bは、第1の導
電膜104aとして示した導電膜から選択して用いればよい。
って、第2の酸化物半導体膜106bにチャネルが形成される場合もあり、形成されない
場合もある。例えば、第4の導電膜114に負の電圧を印加した場合、第7の導電膜10
4bにトランジスタのVthに相当する電圧を印加しても第2の酸化物半導体膜106b
にチャネルは形成されない。この場合、第7の導電膜104bに、トランジスタのVth
よりも第4の導電膜114に印加した負の電圧に相当する分だけ高い電圧を印加するとチ
ャネルが形成される。これは、第4の導電膜114と第7の導電膜104bを置き換えて
も同様である。
は第4の導電膜114に、Vthを正にするために十分な負の電圧を印加することでノー
マリーオフの特性を得ることができる。
酸化物半導体膜106bのVthを制御することができる。即ち、一つの第2のゲート電
極(ここでは第4の導電膜114)によって、第1の酸化物半導体膜106aを用いたト
ランジスタ、第2の酸化物半導体膜106bを用いたトランジスタごとに第2のゲート電
極を設けたことになる。従って、半導体装置において、酸化物半導体層の上下にゲート電
極を有するトランジスタの第2のゲート電極を共通化することができる。
も上に設けられる膜が、第7の絶縁膜120bよりも下に設けられる膜によって生じる凹
凸の影響を受けにくくなる。そのため、凹凸の影響による耐圧の低下、段切れなどを防止
することができる。即ち、第7の絶縁膜120bは、半導体装置の凹凸を軽減する機能を
有する絶縁膜である。
は、第1の絶縁膜102から第7の絶縁膜120bまで)を複数積層して設けることがで
きる。具体的には、この構造を2段以上10段以下、好ましくは3段以上20段以下、さ
らに好ましくは5段以上50段以下の範囲で積層して設けてもよい。もちろん、この範囲
を超えて当該構造を積層して設けても構わない。
第2のゲート電極として機能する導電膜を設けることになる。そのため、第2のゲート電
極を設けるための工程を低減することができる。また、1段につき、第2のゲート電極と
して機能する導電膜を1層省くことができる。従って、構造を複数積層して設ける場合、
半導体装置の作製途中での応力による破損を抑制でき、より多くのトランジスタを有する
半導体装置を作製することができる。即ち、半導体装置の高集積化および歩留まりの向上
が可能となる。
る。
膜102は、例えば、スパッタリング法、化学気相成長(CVD:Chemical V
apor Deposition)法、分子線エピタキシー(MBE:Molecula
r Beam Epitaxy)法、原子層堆積(ALD:Atomic Layer
Deposition)法またはパルスレーザ堆積(PLD:Pulsed Laser
Deposition)法を用いて成膜すればよい。
)参照。)導電膜は、例えば、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法または
PLD法を用いて成膜すればよい。
ィ工程により形成したレジストマスクを用いて、膜を所望の形状にすることを示す。
、例えば、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成
膜すればよい。
06aを形成する(図2(D)参照。)。酸化物半導体膜は、例えば、スパッタリング法
、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
126aを形成する(図3(A)参照。)。導電膜は、例えば、スパッタリング法、CV
D法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
、例えば、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成
膜すればよい。
。)。導電膜は、例えば、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPL
D法を用いて成膜すればよい。
ピンコート法、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用い
て成膜すればよい。
面の揃った第4の絶縁膜120aおよび第4の導電膜114を形成する(図4(B)参照
。)。なお、絶縁膜130aおよび導電膜124をあらかじめ十分な厚さで設けることに
より、上面の揃った第4の絶縁膜120aおよび第4の導電膜114の形成が容易になる
。
CMP:Chemical Mechanical Polishing)を用いればよ
い。
、例えば、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成
膜すればよい。
06bを形成する(図5(A)参照。)。酸化物半導体膜は、例えば、スパッタリング法
、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
126bを形成する(図5(B)参照。)。導電膜は、例えば、スパッタリング法、CV
D法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
、例えば、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成
膜すればよい。
B)参照。)。導電膜は、例えば、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法ま
たはPLD法を用いて成膜すればよい。
絶縁膜120bは、例えば、スピンコート法、スパッタリング法、CVD法、MBE法、
ALD法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
。
めの加工前後の工程において、100℃以上450℃以下、好ましくは150℃以上40
0℃以下、さらに好ましくは200℃以上350℃以下の温度で加熱処理を行ってもよい
。また、第1の酸化物半導体膜106aまたは第2の酸化物半導体膜106bとなる酸化
物半導体膜を成膜する際、基板温度を100℃以上450℃以下、好ましくは150℃以
上400℃以下、さらに好ましくは200℃以上350℃以下としてもよい。当該加熱処
理または/および成膜方法によって、第1の酸化物半導体膜106aおよび第2の酸化物
半導体膜106b中に含まれる水素、ハロゲン、主成分ではない金属元素、酸素欠損など
を低減することができ、特性および信頼性の優れた半導体装置を作製することができる。
層して設けることができる。例えば、図17(A)に示す第1の絶縁膜102から第7の
絶縁膜120bまでをA構造(図1(B)に相当)としたとき、図17(B)に示すよう
に、A構造を複数積層すればよい。従って、半導体装置の集積度を高めることができる。
また、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタの第2のゲート電極の層
を少なくできるため、同様の構造を複数積層しても応力が高まることを抑制できる。即ち
、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しない。
本実施の形態では、実施の形態1と異なる構造の半導体装置について図7乃至図15を用
いて説明する。
す一点鎖線A−Bに対応する断面A−Bが図7(B)である。図7(A)では、簡単のた
め、重畳して隠れている膜および絶縁膜などを省略して示す。
られた第1の導電膜204aと、第1の導電膜204aおよび第1の絶縁膜202上に設
けられた第2の絶縁膜212aと、第2の絶縁膜212a上に設けられ、第1の導電膜2
04aと少なくとも一部が重畳する第1の酸化物半導体膜206aと、第1の酸化物半導
体膜206a上に設けられた第2の導電膜216aおよび第3の導電膜226aと、第2
の導電膜216a、第3の導電膜226aおよび第1の酸化物半導体膜206a上に設け
られた第3の絶縁膜210aと、第3の絶縁膜210a上に設けられ、第2の導電膜21
6aと少なくとも一部が重畳する第4の導電膜234aと、第3の絶縁膜210a上に設
けられ、第1の酸化物半導体膜206aおよび第1の導電膜204aと少なくとも一部が
重畳する第5の導電膜214と、第3の絶縁膜210a上に設けられ、第4の導電膜23
4aおよび第5の導電膜214と上面の高さが揃っている第4の絶縁膜220aと、第4
の導電膜234a、第5の導電膜214および第4の絶縁膜220a上に設けられた第5
の絶縁膜210bと、第5の絶縁膜210b上に設けられ、第5の導電膜214と少なく
とも一部が重畳する第2の酸化物半導体膜206bと、第2の酸化物半導体膜206b上
に設けられ、第2の導電膜216aの少なくとも一部および第3の導電膜226aの少な
くとも一部とそれぞれ重畳する第6の導電膜216bおよび第7の導電膜226bと、第
6の導電膜216b、第7の導電膜226bおよび第2の酸化物半導体膜206b上に設
けられた第6の絶縁膜212bと、第6の絶縁膜212b上に設けられ、第6の導電膜2
16bと少なくとも一部が重畳する第8の導電膜234bと、第6の絶縁膜212b上に
設けられ、第2の酸化物半導体膜206bおよび第5の導電膜214と少なくとも一部が
重畳する第9の導電膜204bと、第8の導電膜234b、第9の導電膜204bおよび
第6の絶縁膜212b上に設けられた第7の絶縁膜220bと、第7の絶縁膜220b上
に設けられた第10の導電膜260と、を有する。なお、第7の絶縁膜220b、第6の
絶縁膜212b、第7の導電膜226b、第2の酸化物半導体膜206b、第5の絶縁膜
210b、第4の絶縁膜220aおよび第3の絶縁膜210aには、第3の導電膜226
aに達する開口部が設けられており、該開口部を介して第10の導電膜260と第3の導
電膜226aとが接する。なお、第10の導電膜260および第7の絶縁膜220b上に
上面が平坦である第8の絶縁膜225を設けると好ましい。
絶縁膜102の記載を参照する。第1の導電膜204aは第1の導電膜104aの記載を
参照する。第2の絶縁膜212aは第2の絶縁膜112aの記載を参照する。第1の酸化
物半導体膜206aは第1の酸化物半導体膜106aの記載を参照する。第2の導電膜2
16aは第2の導電膜116aの記載を参照する。第3の導電膜226aは第3の導電膜
126aの記載を参照する。第3の絶縁膜210aは第3の絶縁膜110aの記載を参照
する。第5の導電膜214は第4の導電膜114の記載を参照する。第4の絶縁膜220
aは第4の絶縁膜120aの記載を参照する。第5の絶縁膜210bは第5の絶縁膜11
0bの記載を参照する。第2の酸化物半導体膜206bは第2の酸化物半導体膜106b
の記載を参照する。第6の導電膜216bは第5の導電膜116bの記載を参照する。第
7の導電膜226bは第6の導電膜126bの記載を参照する。第6の絶縁膜212bは
第6の絶縁膜112bの記載を参照する。第9の導電膜204bは第7の導電膜104b
の記載を参照する。第7の絶縁膜220bは第7の絶縁膜120bの記載を参照する。
7の導電膜226bと、側面で接する。第10の導電膜260は、第2の導電膜216a
として示した導電膜から選択して用いればよい。
する。
び第2の酸化物半導体膜206bを用いたトランジスタにおいて第2のゲート電極として
機能する。
タにつき1個のトランジスタが設けられるメモリの回路図である。
ド線WL1として機能し、第4の導電膜234aの少なくとも一部は第1の容量線CL1
として機能し、第5の導電膜214の少なくとも一部はバックゲート線BGとして機能し
、第8の導電膜234bの少なくとも一部は第2の容量線CL2として機能し、第9の導
電膜204bの少なくとも一部は第2のワード線WL2として機能し、第10の導電膜2
60の少なくとも一部はビット線BLとして機能する。
キャパシタ270aは、第2の導電膜216aの少なくとも一部、第3の絶縁膜210a
の少なくとも一部および第4の導電膜234aの少なくとも一部から構成される。また、
図8に示すキャパシタC2は、図7(B)に示すキャパシタ270bに相当する。キャパ
シタ270bは、第6の導電膜216bの少なくとも一部、第6の絶縁膜212bの少な
くとも一部および第8の導電膜234bの少なくとも一部から構成される。
する。トランジスタ271aは、第1の導電膜204aの少なくとも一部、第1の酸化物
半導体膜206aの少なくとも一部、第2の導電膜216aの少なくとも一部および第3
の導電膜226aの少なくとも一部、第5の導電膜214の少なくとも一部から構成され
る。また、図8に示すトランジスタTr2は、図7(B)に示すトランジスタ271bに
相当する。トランジスタ271bは、第9の導電膜204bの少なくとも一部、第2の酸
化物半導体膜206bの少なくとも一部、第6の導電膜216bの少なくとも一部および
第7の導電膜226bの少なくとも一部、第5の導電膜214の少なくとも一部から構成
される。
、メモリセルMC2は、トランジスタTr2およびキャパシタC2を有する。
ここで、図7(A)では、メモリセル280のセル面積が2F×4Fであるため8F2と
なるが、これはメモリセルMC1およびメモリセルMC2を含む面積である。従って、メ
モリセルMC1とメモリセルMC2とが完全に重なって設けられる場合、メモリセル1個
あたりのセル面積は、8F2の半分である4F2と見なせる。
る。そのため、図7(B)に示す半導体装置の構造と同様の構造を複数積層して設けるこ
とができる。即ち、図7(B)に示す半導体装置の構造を2段積層する場合、面積8F2
に対しメモリセルが完全に重なって4個設けられることで、メモリセル1個あたりのセル
面積は4分の1である2F2と見なせる。
ル1個あたりのセル面積を縮小することができ、単位面積あたりの記憶容量の大きいメモ
リを作製することができる。また、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しない
。
よびメモリセルMC2を同一平面に複数並べたメモリセルアレイを構成することができる
。
る。
リセルごとに行う。具体的には、任意に選択した行のワード線の電位をVH(トランジス
タのしきい値電圧(Vth)にVDD(電源電位)を加えたよりも高い電位)とし、それ
以外の行のワード線の電位をGND(またはGND以下)とする。次に、任意に選択した
列のビット線をVDDとし、それ以外の列のビット線を浮遊電位(フロート)とする。こ
うすることで、選択した列のビット線と接続する選択した行のメモリセルにあるキャパシ
タにVDDが充電される。次に、選択した行のワード線の電位をGND(またはGND以
下)とすることで、該当するメモリセルにデータが保持される。その後、メモリセルを変
えて、順番にデータを書き込む。以上がメモリセルアレイへのデータの書き込み方法であ
る。
込む場合、1行目のワード線に電位VHを印加した後、データ1を書き込みたいメモリセ
ルのある列のビット線の電位をVDDとし、データ0を書き込みたいメモリセルのある列
のビット線の電位をGNDとする。次に、ワード線の電位をGND(またはGND以下)
にすることで、キャパシタにデータが保持される。この動作を行ごとに行えば、全てのメ
モリセルに対してデータを書き込むことができる。以上がメモリセルアレイへのデータの
書き込み方法である。
ランジスタのオフ電流が小さいため、長い期間に渡って保持することが可能となる。
う。まずは、任意に選択した列のビット線を所定の電位(定電位)とする。次に、任意に
選択した行のワード線をVHとすることで、キャパシタに書き込まれたデータに対応する
電位を選択したビット線に与える。その後、与えられた電位をセンスアンプ(図示せず)
にて読み出す。なお、データは読み出されると同時に失われる。しかし、センスアンプの
動作により増幅されて再度メモリセルにデータが書き込まれる。その後、メモリセルを変
えて、順番にデータを読み出す。
出す場合、全ビット線を所定の電位(定電位)とする。次に、1行目のワード線の電位を
VHとすると、各ビット線の電位がデータに応じて変動する。この動作を行ごとに行うこ
とで、全てのメモリセルのデータを読み出すことができる。以上がメモリセルアレイのデ
ータの読み出し方法である。
B)参照。)。
06aを形成する(図9(D)参照。)。
226aを形成する(図10(A)参照。)。
する(図10(C)参照。)。
などで上面からエッチングし、上面の揃った第4の絶縁膜220a、第4の導電膜234
aおよび第5の導電膜214を形成する(図11(B)参照。)。なお、絶縁膜250a
、導電膜244aおよび導電膜254をあらかじめ十分な厚さで設けることにより、上面
の揃った第4の絶縁膜220a、第4の導電膜234aおよび第5の導電膜214の形成
が容易になる。
06bを形成する(図12(A)参照。)。
226bを形成する(図12(B)参照。)。
204bを形成する(図13(B)参照。)。
化物半導体膜206b、第5の絶縁膜210b、第4の絶縁膜220aおよび第3の絶縁
膜210aの一部をエッチングし、第3の導電膜226aを露出する開口部を設ける(図
14(B)参照。)。
5参照。)。
したように同様の構造を複数積層して設けることができるため、集積度を高めることがで
きる。また、第2のゲート電極の層を少なくできるため、同様の構造を複数積層しても応
力が高まることを抑制できる。即ち、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しな
い。
本実施の形態では、実施の形態1および実施の形態2と異なる構造の半導体装置について
図16を用いて説明する。
に示す一点鎖線A−Bに対応する断面A−Bが図16(B)である。図16(A)では、
簡単のため、重畳して隠れている膜および絶縁膜などを省略して示す。
縁膜210bを含めて、第5の絶縁膜210bから下の構造が共通している。そのため、
基板201から第5の絶縁膜210bまでの説明は実施の形態2を参照する。
けられた第1の導電膜204aと、第1の導電膜204aおよび第1の絶縁膜202上に
設けられた第2の絶縁膜212aと、第2の絶縁膜212a上に設けられ、第1の導電膜
204aと少なくとも一部が重畳する第1の酸化物半導体膜206aと、第1の酸化物半
導体膜206a上に設けられた第2の導電膜216aおよび第3の導電膜226aと、第
2の導電膜216a、第3の導電膜226aおよび第1の酸化物半導体膜206a上に設
けられた第3の絶縁膜210aと、第3の絶縁膜210a上に設けられ、第2の導電膜2
16aと少なくとも一部が重畳する第4の導電膜234aと、第3の絶縁膜210a上に
設けられ、第1の酸化物半導体膜206aの少なくとも一部および第1の導電膜204a
の少なくとも一部と重畳する第5の導電膜214と、第3の絶縁膜210a上に設けられ
、第4の導電膜234aおよび第5の導電膜214と上面の高さが揃っている第4の絶縁
膜220aと、第4の導電膜234a、第5の導電膜214および第4の絶縁膜220a
上に設けられた第5の絶縁膜210bと、第5の絶縁膜210b上に設けられ、第2の導
電膜216aの少なくとも一部および第3の導電膜226aの少なくとも一部とそれぞれ
重畳する第6の導電膜216cおよび第7の導電膜226cと、第6の導電膜216c、
第7の導電膜226cおよび第5の絶縁膜210b上に設けられ、第5の導電膜214と
少なくとも一部が重畳する第2の酸化物半導体膜206cと、第2の酸化物半導体膜20
6c上に設けられた第6の絶縁膜212cと、第6の絶縁膜212c上に設けられ、第2
の酸化物半導体膜206cの少なくとも一部および第5の導電膜214の少なくとも一部
と重畳する第8の導電膜204cと、第8の導電膜204cおよび第6の絶縁膜212c
上に設けられた第7の絶縁膜220cと、第7の絶縁膜220c上に設けられた第9の導
電膜261と、を有する。なお、第7の絶縁膜220c、第6の絶縁膜212c、第7の
導電膜226c、第2の酸化物半導体膜206c、第5の絶縁膜210b、第4の絶縁膜
220aおよび第3の絶縁膜210aには、第3の導電膜226aに達する開口部が設け
られており、該開口部を介して第9の導電膜261と第3の導電膜226aとが接する。
なお、第9の導電膜261および第7の絶縁膜220c上に上面が平坦である第8の絶縁
膜226を設けると好ましい。
導電膜226cは第7の導電膜226bの記載を参照する。また、第2の酸化物半導体膜
206cは第2の酸化物半導体膜206bの記載を参照する。また、第6の絶縁膜212
cは第6の絶縁膜212bの記載を参照する。また、第8の導電膜204cは第9の導電
膜204bの記載を参照する。また、第7の絶縁膜220cは第7の絶縁膜220bの記
載を参照する。また、第9の導電膜261は第10の導電膜260の記載を参照する。ま
た、第8の絶縁膜226は第8の絶縁膜225の記載を参照する。
。キャパシタ270aは、第2の導電膜216aの少なくとも一部、第3の絶縁膜210
aの少なくとも一部および第4の導電膜234aの少なくとも一部から構成される。また
、図8に示すキャパシタC2は、図16(B)に示すキャパシタ270cに相当する。キ
ャパシタ270cは、第6の導電膜216cの少なくとも一部、第5の絶縁膜210bの
少なくとも一部および第4の導電膜234aの少なくとも一部から構成される。即ち、図
8において、容量線CL2が設けられず、キャパシタC2が容量線CL1に接続される構
成となる。
当する。トランジスタ271aは、第1の導電膜204aの少なくとも一部、第1の酸化
物半導体膜206aの少なくとも一部、第2の導電膜216aの少なくとも一部および第
3の導電膜226aの少なくとも一部、第5の導電膜214の少なくとも一部から構成さ
れる。また、図8に示すトランジスタTr2は、図16(B)に示すトランジスタ271
cに相当する。トランジスタ271cは、第8の導電膜204cの少なくとも一部、第2
の酸化物半導体膜206cの少なくとも一部、第6の導電膜216cの少なくとも一部お
よび第7の導電膜226cの少なくとも一部、第5の導電膜214の少なくとも一部から
構成される。
と比べ、導電膜を1層少なくできる。なお、セル面積はメモリセル280とメモリセル2
81で同様である。
ればよい。
したように同様の構造を複数積層して設けることができる。従って、半導体装置の集積度
を高めることができる。また、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタ
の第2のゲート電極の層を少なくできるため、同様の構造を複数積層しても応力が高まる
ことを抑制できる。即ち、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しない。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3の少なくともいずれかを適用した電子
機器の例について説明する。
00と、ボタン9301と、マイクロフォン9302と、表示部9303と、スピーカ9
304と、カメラ9305と、を具備し、携帯型電話機としての機能を有する。本発明の
一態様は、表示部9303およびカメラ9305に適用することができる。また、図示し
ないが、本体内部にある演算装置、無線回路または記憶回路に本発明の一態様を適用する
こともできる。
ラは、筐体9320と、ボタン9321と、マイクロフォン9322と、表示部9323
と、を具備する。本発明の一態様は、デジタルスチルカメラ内部に設けられた記憶回路に
適用することができる。
携帯情報端末は、筐体9630、表示部9631a、表示部9631b、留め具9633
、操作スイッチ9638、を有する。
ネルとすることができ、表示された操作キーに触れることでデータ入力などを行うことが
できる。
高めることができる。
102 第1の絶縁膜
104a 第1の導電膜
104b 第7の導電膜
106a 第1の酸化物半導体膜
106b 第2の酸化物半導体膜
110a 第3の絶縁膜
110b 第5の絶縁膜
112a 第2の絶縁膜
112b 第6の絶縁膜
114 第4の導電膜
116a 第2の導電膜
116b 第5の導電膜
120a 第4の絶縁膜
120b 第7の絶縁膜
124 導電膜
126a 第3の導電膜
126b 第6の導電膜
130a 絶縁膜
201 基板
202 第1の絶縁膜
204a 第1の導電膜
204b 第9の導電膜
204c 第8の導電膜
206a 第1の酸化物半導体膜
206b 第2の酸化物半導体膜
206c 第2の酸化物半導体膜
210a 第3の絶縁膜
210b 第5の絶縁膜
212a 第2の絶縁膜
212b 第6の絶縁膜
212c 第6の絶縁膜
214 第5の導電膜
216a 第2の導電膜
216b 第6の導電膜
216c 第6の導電膜
220a 第4の絶縁膜
220b 第7の絶縁膜
220c 第7の絶縁膜
225 第8の絶縁膜
226 第8の絶縁膜
226a 第3の導電膜
226b 第7の導電膜
226c 第7の導電膜
234a 第4の導電膜
234b 第8の導電膜
244a 導電膜
250a 絶縁膜
254 導電膜
260 第10の導電膜
261 第9の導電膜
270a キャパシタ
270b キャパシタ
270c キャパシタ
271a トランジスタ
271b トランジスタ
271c トランジスタ
280 メモリセル
281 メモリセル
2100 基板
2102 絶縁膜
2104 ゲート電極
2106 酸化物半導体膜
2112 ゲート絶縁膜
2116 一対の電極
2118 保護絶縁膜
9300 筐体
9301 ボタン
9302 マイクロフォン
9303 表示部
9304 スピーカ
9305 カメラ
9320 筐体
9321 ボタン
9322 マイクロフォン
9323 表示部
9630 筐体
9631a 表示部
9631b 表示部
9633 留め具
9638 操作スイッチ
Claims (1)
- 第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に重なる第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜上に重なる第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上に重なる第2の酸化物半導体膜と、
前記第2の酸化物半導体膜上に重なる第3の導電膜と、
前記第3の導電膜上の第4の導電膜と、を有するメモリを有し、
前記第1の酸化物半導体膜は、第1のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第2の酸化物半導体膜は、第2のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第1の導電膜は、前記第1のトランジスタの第1のゲート電極としての機能と、前記メモリの第1のワード線としての機能とを有し、
前記第2の導電膜は、前記第1のトランジスタの第2のゲート電極としての機能と、前記第2のトランジスタの第1のゲート電極としての機能とを有し、
前記第3の導電膜は、前記第2のトランジスタの第2のゲート電極としての機能と、前記メモリの第2のワード線としての機能とを有し、
前記第4の導電膜は、前記メモリのビット線としての機能を有し、且つ前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
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