JP6338296B2 - 老朽化したプリント回路基板のリサイクル方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、Svitlana Grigorenko及びAndre Brosseauの、「Method of Selective Recovery of Precious Metals by the Use of Ultrasonic Irradiation」と題した2010年4月15日出願の米国仮特許出願第61/324,390号、Svitlana Grigorenko及びAndre Brosseauの、「Methods of Removal of Components on Populated Circuit Boards by Means of Selective Recovery of Tin, Lead and/or Lead-Tin Solder Intensified by the Application of Ultrasound」と題した2010年8月24日出願の米国仮特許出願第61/376,549号、Andre Brosseau及びSvitlana Grigorenkoの、「Methods for Recycling of Obsolete Printed Circuit Boards」と題した2010年11月10日出願の米国仮特許出願第61/412,390号、Michael B. Korzenski及びPing Jiangの、「Processes for Reclaiming Precious Metals and Copper from Printed Wire Boards」と題した2010年7月7日出願の米国仮特許出願第61/362,118号、Michael B. Korzenski及びPing Jiangの、「Processes for Reclaiming Precious Metals and Copper from Printed Wire Boards」と題した2010年7月28日出願の米国仮特許出願第61/368,360号、Michael B. Korzenski及びPing Jiangの、「Processes for Reclaiming Prccious Mctals and Copper from Printed Wire Boards」と題した2010年9月23日出願の米国仮特許出願第61/385,586号、Ping Jiang及びMichael B, Korzenskiの、「Formulation and Method for Leaching Gold from Material」と題した2010年10月1日出願の米国仮特許出願第61/388,643号、及びAndre Brosseau、Svitlana Grigorenko、Ping Jiang及びMichael B. Korzenskiの、「Method for Recycling of Printed Circuit Boards」と題した2010年11月11日出願の米国仮特許出願第61/412,628号に対する優先権を主張し、上記各出願は参照により全体を本明細書に組み込むものとする。
(a)PWBから少なくとも1つの構成部品を分離することと、
(b)PWBから少なくとも1つの金属、少なくとも1つの構成部品、又はその両方を除去することと、を含む。
(a)PWBから構成部品をはずす。
(b)PWB及び/又はPWBの構成部品から貴金属を回収する。
(c)PWBから卑金属を回収する。
[0047] 構成部品は通常、鉛、スズ又は鉛とスズのはんだでPWBの表面に取り付けられ、これは通常、70Sn/30Pb、60Sn/40Pb又は63Sn/37Pbの組合せになる。特定の用途では、Ag−Snはんだが使用される。現在、構成部品除去のためのPWBのはんだ除去は、はんだを融点まで加熱することを含み、これにより遊離した構成部品がPWBから分離し、液体はんだが収集される。PWBのリサイクルに適用されるこの方法には、主に2つの欠点がある。すなわち、(i)鉛及びスズは低揮発金属であるので、このような加熱及び溶解は大気に対して高レベルの汚染排出物質を生成し、(ii)熱は構成部品を損傷し、再使用に不適格なものにする。
[0057] 第2の態様では、貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだ(例えば鉛及び/又はスズ含有材料)を選択的に除去する第1の組成物について説明する。はんだを除去する第1の組成物は、以下の性質を有する。
1.鉛及びスズのみを溶解するために可能な限り選択的である。PWBは、銅、亜鉛、アルミニウム及び鉄など、大量の様々な金属を含有している。望ましくない金属は第1の組成物を飽和することになり、それによってターゲット金属の溶解に対する効果が低下する。
2.第1の組成物は、はんだの溶解に効果的であり、したがって装着された構成部品をPWBの表面から迅速に引き離すことができる。
3.装着された構成部品は販売可能な状態で回収される。すなわち、第1の組成物によって損傷又は腐食しないことが好ましい。例えば、チップをPWBの表面に接続するはんだによって覆われた微小なリード線は影響されないことが好ましい。
4.第1の組成物は、第1の態様のプロセス中に金メッキを除去する。PWBは、ニッケル及び銅上に薄いメッキの形態で存在し、いわゆる「ゴールドフィンガー」を形成する金属金を含有する。したがって、理想的な第1の組成物は金メッキを無影響のままにする。
[0076] 第3の態様では、貴金属、例えば金を表面から除去する方法について説明する。当技術分野では、PWBは「ゴールドフィンガー」を含み、これは、はんだ及び構成部品(例えばトランジスタ、コンデンサ、ヒートシンク、IC、抵抗器、集積スイッチ、プロセッサなど)をPWBから除去した後、即座に露出することが周知である。(金のコネクタ又は「ゴールドフィンガー」としての)金は、銅及び/又はニッケル含有層などの卑金属に重なっている。
[0083] 第4の態様では、貴金属(例えば金)に対して銅及び/又はニッケル含有材料などの卑金属を選択的に除去する第2の組成物について説明し、上記組成物は少なくとも1つの酸化剤を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。第2の組成物はさらに、少なくとも1つの卑金属錯化剤、少なくとも1つの有機溶媒及び/又は貴金属を不動態化する少なくとも1つの不動態化剤を含むことができる。したがって一実施形態では、第2の組成物は少なくとも1つの卑金属錯化剤及び少なくとも1つの酸化剤を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。別の実施形態では、第2の組成物は少なくとも1つの酸化剤及び貴金属を不動態化する少なくとも1つの不動態化剤を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。さらに別の実施形態では、第2の組成物は少なくとも1つの酸化剤及び少なくとも1つの有機溶媒を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。さらに別の実施形態では、第2の組成物は少なくとも1つの卑金属錯化剤、少なくとも1つの酸化剤、及び貴金属を不動態化する少なくとも1つの不動態化剤を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。別の実施形態では、第2の組成物は少なくとも1つの卑金属錯化剤、少なくとも1つの酸化剤、及び少なくとも1つの有機溶媒を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。第2の組成物の別の実施形態は少なくとも1つの卑金属錯化剤、少なくとも1つの酸化剤、及び少なくとも1つの有機溶媒を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成され、組成物には実質的に過酸化水素がない。さらに別の実施形態では、第2の組成物は少なくとも1つの有機溶媒、少なくとも1つの酸化剤、及び貴金属を不動態化する少なくとも1つの不動態化剤を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。さらに別の実施形態では、第2の組成物は少なくとも1つの卑金属錯化剤、少なくとも1つの酸化剤、少なくとも1つの有機溶媒、及び貴金属を不動態化する少なくとも1つの不動態化剤を含む、それらで構成される、又は基本的にそれらで構成される。卑金属に選択的なイオン交換樹脂を第2の組成物と化合させて使用し、浴の寿命を延長することができる。第2の組成物は水性組成物であることを認識されたい。
[0097] 第5の態様では、貴金属、例えば金を貴金属含有材料から回収する組成物及び方法について説明し、この方法は、三ヨウ化物を含む浸出組成物に貴金属含有材料を投入することを含む。上記貴金属含有材料は、金のスクラップ、鉱石及び他の採掘尾鉱及び電子廃棄物(e廃棄物)、例えばPWB及び/又はPWBの構成部品を含むが、これらに限定されない。一実施形態では、第5の態様の上記方法は、容器内で三ヨウ化物を含む浸出組成物に貴金属含有材料を投入すること、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーションを生成することを含み、上記浸出組成物は三ヨウ化物を含み、貴金属は上記貴金属含有材料から実質的に除去される。貴金属は金を含むことが好ましい。例えば、はんだを除去し、(例えば第1の態様の方法又はその同等物に従って)PWBの表面から構成部品をはずした後、光学システム又は何らかの他の手段を使用して構成部品を部分に分離することができ、それにより再使用可能な構成部品を、貴金属を含有する構成部品の部分、卑金属を含有する構成部品の部分、及び任意選択でタンタルを含有する構成部品の部分から分離することができる。一実施形態では、貴金属を含有する構成部品の部分をさらに処理し、PWBの構成部品の部分から貴金属を浸出させる。
[00112] 第5の態様のさらに別の実施形態では、金又は他の貴金属をe廃棄物から除去する組成物及び方法について説明し、この方法は、金又は他の貴金属を上記e廃棄物から浸出させるために、e廃棄物を浸出組成物と接触させることを含み、浸出組成物の超音波照射を施す。所望の効果を以下の方法で達成することができる。すなわち、a)貴金属に対する選択的浸出液として働くことができる三ヨウ化物浸出組成物を使用すること、b)卑金属の溶解を最小化するために、浸出組成物のpHをわずかに酸性に(好ましくは少なくともほぼpH=5に、及びさらに好ましくは酸性・中性付近に)、酸化還元電位電位(ORP)を100mVと900mVの間に維持すること、c)卑金属の溶解を防止するために、第2の燐酸アンモニウム又は第2の燐酸カリウム/燐酸などの特殊な化学物質を添加すること、及びd)卑金属は捕捉するが、三ヨウ化物及び貴金属は通過させる市販の強酸陽イオン交換樹脂に組成物を通すことである。
[00120] 別の実施形態では、e廃棄物、例えばPWB及び/又はPWBの構成部品から金又は他の貴金属を除去する方法について説明し、この方法は、現場で生成したヨウ素を含む浸出組成物を形成するために、ヨウ素(I2)を現場で生成すること、及びPWB及び/又はPWBの構成部品から金又は他の貴金属を浸出させるために、PWB及び/又はPWBの構成部品を浸出組成物と接触させることを含む。PWB及び/又はPWBの構成部品は、浸出組成物に接触する前に破砕することが好ましい。好ましい実施形態では、上記方法は、金又は他の貴金属を含む浸出組成物をe廃棄物から分離することをさらに含む。浸出組成物中で金又は他の貴金属を(例えばこのような目的に適した還元剤で)還元することにより、固体金属を入手することができる。上記方法は室温で実行することができるので有利である。金は、e廃棄物から分離された貴金属であることが好ましい。
[00147] (例えば第1の態様の方法で説明されているように)PWBの構成部品及び(例えば第3又は第5の態様の方法で説明されているように)貴金属を除去した後、通常、元のPWBは剥がされて、エポキシなどの接着剤によって相互に保持されたガラス繊維層及び銅板を含む「裸基板」になっている。裸基板をさらに処理して、銅からガラス繊維−エポキシ層を遊離させることができる。
[00150] 第7の態様の一実施形態は、図1で一般化されているように、例えばPWBなどの表面から少なくとも1つの構成部品を除去するプロセスに対応し、この方法は、
(a)第1の態様の方法、及び
(b)第3の態様の方法を含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)表面から卑金属を除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットすることを含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品を除去し、さらに、
(b)上記表面上に存在する貴金属に対して卑金属を選択的に除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットするために、容器内で上記表面を第2の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器中ではんだを第1の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成することを含み、それによりはんだの除去が表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)表面から卑金属を除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットすることを含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器内ではんだを第1の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成することを含み、はんだの除去が表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)上記表面上に存在する貴金属に対して卑金属を選択的に除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットするために、容器内で上記表面を第2の組成物に接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成することを含む。
(a)第1の態様の方法、
(b)第3の態様の方法、及び
(c)第6の態様の方法を含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)ガラス繊維及び銅を含む裸基板を産出するために、表面から卑金属を除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットすること、及び
(c)裸基板のガラス繊維及び銅を分離することを含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)上記表面上に存在する貴金属に対して卑金属を選択的に除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットして、ガラス繊維及び銅を含む裸基板を産出するために、容器内で上記表面を第2の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成すること、及び
(c)裸基板のガラス繊維及び銅を分離することを含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器内ではんだを第1の組成物に接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成することを含み、はんだが除去されると、少なくとも1つの構成部品が表面からはずされ、はんだの除去が表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)ガラス繊維層及び銅を含む裸基板を産出するために、表面から卑金属を除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットすること、及び
(c)裸基板のガラス繊維層及び銅を分離することを含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器内ではんだを第1の組成物に接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成することを含み、はんだが除去されると、少なくとも1つの構成部品が表面からはずされ、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)上記表面上に存在する貴金属に対して卑金属を選択的に除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットして、ガラス繊維層及び銅を含む裸金属を産出するために、容器内で上記表面を第2の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成すること、及び
(c)裸基板のガラス繊維層及び銅を分離することを含む。
(a)第3の態様の方法、及び
(b)第6の態様の方法を含む、
又は
(a)ガラス繊維層及び銅を含む裸基板を産出するために、表面から卑金属を除去し、それにより表面から貴金属をアンダーカットすること、
(b)裸基板のガラス繊維材料及び銅を分離することを含む、
又は
(a)上記表面上に存在する貴金属に対して卑金属を選択的に除去し、それによりガラス繊維及び銅を含む裸基板を産出するために、容器内で上記表面を第2の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成すること、
(b)裸基板のガラス繊維材料及び銅を分離することを含む。
(a)第1の態様の方法、及び
(b)第5の態様の方法を含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)上記表面及び/又は上記少なくとも1つの構成部品から貴金属を浸出させることを含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)容器内で表面及び/又は少なくとも1つの構成部品を浸出組成物に投入する、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含み、上記浸出組成物は、上記表面及び/又は上記少なくとも1つの構成部品から貴金属を実質的に除去するために三ヨウ化物を含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器内ではんだを第1の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)上記表面及び/又は上記少なくとも1つの構成部品から貴金属を浸出させることを含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器内ではんだを第1の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)容器内で表面及び/又は上記少なくとも1つの構成部品を浸出組成物に投入する、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含み、上記浸出組成物は三ヨウ化物を含み、上記表面及び/又は上記少なくとも1つの構成部品から貴金属を除去する。
(a)第1の態様の方法、
(b)第5の態様の方法、及び
(c)第6の態様の方法を含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)ガラス繊維層及び銅を含む裸基板を産出するために、上記表面から貴金属を浸出させること、及び
(c)裸基板のガラス繊維層及び銅を分離することを含む、
又は
(a)表面からはんだを除去することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)容器内で表面を浸出組成物に投入する、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含み、上記浸出組成物は、上記表面から貴金属を実質的に除去し、ガラス繊維層及び銅を含む裸基板を産出するために三ヨウ化物を含み、さらに、
(c)裸基板のガラス繊維層及び銅を分離することを含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器内ではんだを第1の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)ガラス繊維層及び銅を含む裸金属を産出するために、上記表面から貴金属を浸出させること、及び
(c)裸基板のガラス繊維層及び銅を分離することを含む、
又は
(a)上記表面上に同時に存在する貴金属、タンタル含有金属、及び/又は卑金属に対してはんだを選択的に除去するために、容器内ではんだを第1の組成物と接触させる、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は攪拌手段を生成することを含み、はんだの除去は表面から少なくとも1つの構成部品をはずし、さらに、
(b)容器内で表面を浸出組成物に投入する、及び任意選択で上記容器内で超音波キャビテーション又は他の攪拌手段を生成することを含み、上記浸出組成物は三ヨウ化物を含み、上記表面から貴金属を実質的に除去して、ガラス繊維層及び銅を含む裸金属を産出し、さらに
(c)裸基板のガラス繊維層及び銅を分離することを含む。
[00161] 3つの組成物を比較した。すなわち、1:1v/vのHEDP/30wt%のH2O2の溶液(配合A)、1:1v/vのEDDS/30wt%のH2O2の溶液(配合B)、及び1:1v/vのHEIDA/30wt%のH2O2の溶液(配合C)である。約0.3gの銅線、ニッケル箔、顆粒状スズ、鉛箔、アルミニウム線、鉄粉及び顆粒状亜鉛を個別に、及び静的に清浄な配合A〜Cに40℃で30分間浸漬した。残りの固体を除去した後、溶液を誘導結合プラズマ(ICP)分析にかけて、各溶液中の各金属の濃度を(ppmで)割り出した。結果が表1〜3に要約されている。
[00163] 組成物を下記の表4に示すように調製した。銅線、鉛箔、顆粒状スズ、ニッケル箔、アルミニウム線、鉄粉及び顆粒状亜鉛を個別に、及び静的に各配合に40℃で30分間浸漬した。残りの固体を除去した後、溶液を誘導結合プラズマ(ICP)分析にかけて、各溶液中の各金属の濃度を(ppmで)割り出した。結果が表4に要約されている。
[00166] 250mLの70%メタンスルホン酸及び250mLの脱イオン(DI)水を含む水性第1の組成物を調製した。廃棄ビデオカードNVIDIAモデルP118をサイレント浸出モードで第1の組成物に浸漬した。装着された構成部品は4日で分離し、金メッキは影響を受けず、分離した構成部品上の幾つかのピンは腐食し、スラッジ及び気体形成は検出されなかった。同じ溶液に3分間超音波を照射したが、構成部品の分離に顕著な結果はなかった。
[00170] 組成物A及びBを配合した。
組成物A:10gのKI、2.5gの過硫酸ナトリウム、25mLの水
組成物B:10gのKI、2.5gの過硫酸アンモニウム、25mLの水
[00172] 組成物C〜Gを配合した。
組成物C:40.08gのKI、10.03gのI2、100gの水
組成物D:40gのKI、10.02gのHNO3(70%)、100gの水
組成物E:40.08gのKI、9.98gのHIO4、0.04gのHCl(37%)、90.08gの水
組成物F:39.99gのKI、10.00gのオキソン、100.04gの水
組成物G:40.10gのIK、9.99gのNaOCl、10.06gのHCl(37%)、89.96gの水
[00174] 浸出速度、浴処理量及び浴寿命を、(a)KI、過硫酸ナトリウム、及び水、(b)KI、過硫酸アンモニウム、及び水、及び(c)KI、オキソン、及び水を含有する溶液について比較し、各溶液のヨウ化物塩、酸化剤及び水の量は同じであった。0.05%〜0.5%の金でコーティングしたプリント配線板(2cm×2cm未満)を、室温で各組成物に浸漬し、ICP−OESを使用して30分で金の溶解程度をモニタした。幾つかの金属について、浸出結果が表6に示してある。
[00176] プリント配線板の部片を室温及び40℃で組成物Fに浸漬し、ICP−OESを使用して間隔をあけて金属の溶解程度をモニタした。各サンプルは、分析前に水で50倍に希釈した。結果が表7に示してある。
[00177] 目に見える金メッキがあり、総重量380gの裸プリント回路基板の部片を2リットルのガラスのビーカーに入れ、1リットルのヨウ化カリウム水溶液(100mLの脱イオン水当たり72.5gの固体ヨウ化カリウム)を添加した。実験は21℃の周囲温度に保持された。超音波装置UIP 1000hd(20kHz、1000W、Heilscher Ultrasonics GmbH製)のソノトロードをビーカーに入れ、溶液に浸漬されてPWBに接触しないような方法で位置決めした。20kHzの超音波周波数及び25ミクロンの振幅で超音波装置を2分間操作し、その後にビーカーから超音波ホーンを取り出した。溶液体積に超音波照射を加えると強力なキャビテーションが発生し、これは液体の体積中に形成された強力なキャビテーション泡として目に見えた。溶液は透明から茶色に変色し、これは三ヨウ化物イオンの形成を示した。1mLの70%硝酸を溶液に添加した。処理した基盤の表面を目視検査することにより、目に見える金メッキの残りは検出されず、同時に卑金属は影響を受けていなかった。基板の部片をビーカーから取り出し、溶液を1810 Whatman Acid-Treated Low Metal TCLPフィルタに通して濾過し、固体不純物を全て除去した。次に貴液を重亜硫酸ナトリウムの飽和水溶液と混合し、機械的混合機で30分間攪拌した。溶液は透明な黄色に変色し、金属金のブラウンの微粉末が析出した。粉末を濾過して除去し、脱イオン水ですすいで乾燥した。回収した析出物の別個の分析は、99.2±0.2%の金を示した。析出物を磁製るつぼに入れて1200℃で加熱し、それにより金属金のボタンを形成した。
[00180] 廃棄電子機器の機械的リサイクルの結果として生じた200gの「レッドメタル」濃縮物を、実施例8で説明したものと同じであるが、燐酸二水素カリウム/水酸化ナトリウムで衝剤してpH=5.6にした浸出組成物で処理した。濃縮物は、混合した電子廃棄物に粉砕及び研削作業を加え、その後に磁気及び渦電流で分離し、振盪機テーブル上で濃縮した出力材料を表す。粒子サイズ0.4〜1mmの最初の金属混合物の組成が表8に示してある。
Claims (30)
- はんだ及び少なくとも1つの貴金属を含むプリント配線板(PWB)から少なくとも1つの貴金属を回収する方法であって、
(a)第1の組成物を前記PWBの表面に接触させることであって、前記PWB及び前記第1の組成物は第1の容器内にあることと、
(b)前記第1の容器内を撹拌することと、
(c)前記第1の組成物に前記はんだを溶解又は可溶化させることであって、前記第1の組成物は前記少なくとも1つの貴金属に対して選択的に前記はんだを除去することと、
(d)すすぎにより前記PWBから前記第1の組成物を除去することと、
(e)前記PWBを乾燥させることと、
(f)三ヨウ化物イオンを含む浸出組成物を前記PWBに接触させることであって、前記PWB及び前記浸出組成物は第2の容器内にあることと、
(g)前記第2の容器内において撹拌を生じさせることと、
(h)前記浸出組成物に前記少なくとも1つの貴金属を溶解又は可溶化させることと、
(i)すすぎにより前記PWBから前記浸出組成物を除去することと、
(j)前記浸出組成物から前記少なくとも1つの貴金属を回収することと、
を含む、方法。 - 少なくとも1つの構成部品が前記PWBの表面に取り付けられており、前記少なくとも1つの構成部品は、トランジスタ、コンデンサ、ヒートシンク、集積回路、抵抗器、集積スイッチ、チップ、プロセッサ、及びこれらの組合せからなる群から選択されるものである、
請求項1に記載の方法。 - 前記はんだは、鉛、スズ、又は鉛/スズ合金を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記第1の組成物は、少なくとも1つの酸化剤、任意選択で少なくとも1つの鉛及び/又はすず錯化剤、任意選択で少なくとも1つの有機溶媒、及び任意選択で貴金属を不動態化させる少なくとも1つの不動態化剤を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの酸化剤は、硝酸、オゾン、気泡、シクロヘキシルアミノスルホン酸、過酸化水素、オキソン、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、次亜塩素酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、ヨウ素酸アンモニウム、過ホウ酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、過ヨウ素酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、次亜塩素酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸カリウム、過硫酸カリウム、次亜塩素酸カリウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過硫酸テトラメチルアンモニウム、ペルオキソ一硫酸テトラブチルアンモニウム、ペルオキソ一硫酸、過酸化尿素、過酢酸、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸アンモニウム、メタンスルホン酸(MSA)、エタンスルホン酸、2−ヒドロキシエタンスルホン酸、n−プロパンスルホン酸、イソプロパンスルホン酸、イソブテンスルホン酸、n−ブタンスルホン酸、n−オクタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、4−メトキシベンゼンスルホン酸、4−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、4−アミノベンゼンスルホン酸、4−ニトロベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、ヘプチルベンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ノニルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ウンデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、トリデシルベンゼンスルホン酸、テトラデシルベンゼンスルホン酸、ヘキサデシルベンゼンスルホン酸、3−ニトロベンゼンスルホン酸、2−ニトロベンゼンスルホン酸、2−ニトロナフタレンスルホン酸、3−ニトロナフタレンスルホン酸、2,3−ジニトロベンゼンスルホン酸、2,4−ジニトロベンゼンスルホン酸、2,5−ジニトロベンゼンスルホン酸、2,6−ジニトロベンゼンスルホン酸、3,5−ジニトロベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリニトロベンゼンスルホン酸、3−アミノベンゼンスルホン酸、2−アミノベンゼンスルホン酸、2−アミノナフタレンスルホン酸、3−アミノナフタレンスルホン酸、2,3−ジアミノベンゼンスルホン酸、2,4−ジアミノベンゼンスルホン酸、2,5−ジアミノベンゼンスルホン酸、2,6−ジアミノベンゼンスルホン酸、3,5−ジアミノベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリアミノベンゼンスルホン酸、3−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、2−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、2−ヒドロキシナフタレンスルホン酸、3−ヒドロキシナフタレンスルホン酸、2,3−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,4−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,5−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,6−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、3,5−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,3,4−トリヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,3,5−トリヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,3,6−トリヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,4,5−トリヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリヒドロキシベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,3,4,5−テトラヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,3,4,6−テトラヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,3,5,6−テトラヒドロキシベンゼンスルホン酸、2,4,5,6−テトラヒドロキシベンゼンスルホン酸、3−メトキシベンゼンスルホン酸、2−メトキシベンゼンスルホン酸、2,3−ジメトキシベンゼンスルホン酸、2,4−ジメトキシベンゼンスルホン酸、2,5−ジメトキシベンゼンスルホン酸、2,6−ジメトキシベンゼンスルホン酸、3,5−ジメトキシベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリメトキシベンゼンスルホン酸、及びこれらの組合せのいずれかを含む、
請求項4に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの酸化剤は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、2−ヒドロキシエタンスルホン酸、n−プロパンスルホン酸、イソプロパンスルホン酸、イソブテンスルホン酸、n−ブタンスルホン酸、及びn−オクタンスルホン酸からなる群から選択されるアルカンスルホン酸を含む、
請求項4に記載の方法。 - 前記第1の組成物は、少なくとも1つの不動態化剤をさらに含み、前記少なくとも1つの不動態化剤は、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−フェニル−ベンゾトリアゾール、5−ニトロ−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、2−(5−アミノ−ペンチル)−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1−アミノ−5−メチル−1,2,3−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、5−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロゲン−ベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール、及び、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾールからなる群から選択されるトリアゾール誘導体を含む、
請求項4に記載の方法。 - 前記第1の組成物は、少なくとも1つの錯化剤、少なくとも1つの有機溶媒、又は、少なくとも1つの錯化剤と少なくとも1つの有機溶媒の両方を含む、
請求項4に記載の方法。 - 前記第1の組成物には、実質的にエチレン基を含む有機溶媒がない、
請求項4に記載の方法。 - 貴金属に対して卑金属を選択的に溶解する第2の組成物を使用して、少なくとも1つの卑金属を溶解させることを含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記貴金属は金を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記浸出組成物を使用して前記少なくとも1つの構成部品から少なくとも1つの貴金属が除去される、
請求項2に記載の方法。 - 前記浸出組成物に接触させる前に、前記構成部品を破砕するステップをさらに含む、
請求項12に記載の方法。 - 前記貴金属は金を含み、前記金は、不均化反応、還元剤を使用して、又は電解採取によって回収される、
請求項1に記載の方法。 - 前記PWBは、ガラス繊維層、銅膜、及び接着剤を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記接着剤は劣化して、前記銅膜を前記ガラス繊維層から遊離させる、
請求項15に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの構成部品は再使用可能又はリサイクル可能であり、それに従って分離される、
請求項2に記載の方法。 - 前記三ヨウ化物イオンは現場で生成される、
請求項1に記載の方法。 - 前記浸出組成物は、少なくとも1つの酸化剤、少なくとも1つのヨウ化物塩又はヨウ化水素酸、水、及び少なくとも1つの金属不動態化剤を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの酸化剤は、オキソン、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、硝酸、過酸化水素、塩化第二鉄、硝酸第二鉄、過ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、又はこれらの組合せからなる群から選択される種を含み、
前記少なくとも1つのヨウ化物塩は、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化アンモニウム、ヨウ化カルシウム、ヨウ化マグネシウム、及びヨウ化テトラアルキルアンモニウムからなる群から選択される種を含み、ここで、アルキル基は相互に同じ、又は異なってよく、直鎖C1−C6アルキル及び分枝C1−C6アルキルからなる
群から選択され、
前記少なくとも1つの不動態化剤は、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−フェニル−ベンゾトリアゾール、5−ニトロ−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、2−(5−アミノ−ペンチル)−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1−アミノ−5−メチル−1,2,3−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、5−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロゲン−ベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール、及び、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、アスコルビン酸、モリブデン酸ナトリウム、及び、これらの組合せからなる群から選択される種を含む、
請求項19に記載の方法。 - 前記浸出組成物には実質的に王水及びシアン化物含有成分がない、
請求項1に記載の方法。 - 前記卑金属は、ニッケル、銅、又はこれらの組合せを含む、
請求項10に記載の方法。 - 前記第2の組成物は、少なくとも1つの酸化剤、任意選択で少なくとも1つの卑金属錯化剤、任意選択で少なくとも1つの有機溶媒、及び任意選択で貴金属を不動態化させる少なくとも1つの不動態化剤を含む、
請求項10に記載の方法。 - 前記第2の組成物は、少なくとも1つの卑金属錯化剤をさらに含み、前記少なくとも1つの卑金属錯化剤は、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム、硫酸アンモニウム、塩酸、硫酸、及びこれらの組合せからなる群から選択される種を含む、
請求項23に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの酸化剤は、アルカンスルホン酸、オゾン、硝酸、気泡、シクロヘキシルアミノスルホン酸、過酸化水素、オキソン、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、次亜塩素酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、ヨウ素酸アンモニウム、過ホウ酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、過ヨウ素酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、次亜塩素酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸カリウム、過硫酸カリウム、次亜塩素酸カリウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過硫酸テトラメチルアンモニウム、ペルオキソ一硫酸テトラブチルアンモニウム、ペルオキソ一硫酸、過酸化尿素、過酢酸、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸アンモニウム、ベンゼンスルホン酸誘導体からなる群から選択される種を含む、
請求項23に記載の方法。 - 前記第1の組成物には、
(i)実質的にフッ化塩、硝酸第二鉄及び他の第二鉄塩、チタニウム(IV)塩、及び研磨剤がない、
(ii)実質的にフッ化塩、硝酸第二鉄及び他の第二鉄塩、チタニウム(IV)塩、及びフルオロホウ酸がない、
(iii)実質的にフッ化塩、硝酸第二鉄及び他の第二鉄塩、研磨剤、及びフルオロホウ酸がない、
(iv)実質的にフッ化塩、チタニウム(IV)塩、研磨剤、及びフルオロホウ酸がない、
(v)硝酸第二鉄及び他の第二鉄塩、チタニウム(IV)塩、研磨剤、及びフルオロホウ酸がない、又は、
(vi)実質的にフッ化塩、硝酸第二鉄及び他の第二鉄塩、チタニウム(IV)塩、研磨剤、及びフルオロホウ酸がない、
請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの構成部品がはんだにより前記PWBの表面に取り付けられており、前記第1の組成物への前記はんだの溶解又は可溶化は前記PWBから前記少なくとも1つの構成部品の分離を生じさせる、
請求項2に記載の方法。 - 前記第1の組成物は、少なくとも1つの酸化剤、硝酸、及び、少なくとも1つの不動態化剤を含み、前記少なくとも1つの不動態化剤は、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−フェニル−ベンゾトリアゾール、5−ニトロ−ベンゾトリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、2−(5−アミノ−ペンチル)−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1−アミノ−5−メチル−1,2,3−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、5−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロゲン−ベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、及び、4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオールからなる群から選択されるトリアゾール誘導体を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの構成部品に前記浸出組成物を接触させて、前記浸出組成物に少なくとも1つの貴金属を溶解又は可溶化させることを含む、
請求項28に記載の方法。 - 前記第1の組成物は、
(i)メタンスルホン酸、硝酸、ベンゾトリアゾール及び水、
(ii)メタンスルホン酸、硝酸、1,2,4−トリアゾール及び水、
(iii)メタンスルホン酸、硝酸、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール及び水、
(iv)メタンスルホン酸、硝酸、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール及び水、
(v)メタンスルホン酸、硝酸、1−アミノ−5−メチル−1,2,3−トリアゾール及び水、
(vi)メタンスルホン酸、硝酸、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール及び水、
(vii)メタンスルホン酸、硝酸、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール及び水、
(viii)メタンスルホン酸、硝酸、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール及び水、
(ix)メタンスルホン酸、硝酸、5−アミノテトラゾール及び水、
(x)メタンスルホン酸、硝酸、2,4−ジアミノ−6−メチル−1,3,5−トリアジン及び水、
(xi)メタンスルホン酸、硝酸、アスコルビン酸及び水、
(xii)メタンスルホン酸、硝酸、モリブデン酸ナトリウム及び水、又は、
(xiii)メタンスルホン酸、硝酸、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール及び水、
を含む、請求項1に記載の方法。
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