TWI572711B - 半導體製程用的清洗組成物及清洗方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種清洗組成物及清洗方法，且特別是有關於一種用於半導體製程的清洗組成物及清洗方法。
在超大型積體電路(VLSI)製程中，化學機械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)製程可提供晶圓表面全面性之平坦化(global planarization)，尤其當半導體製程進入次微米(sub-micron)領域後，化學機械研磨法更是一項不可或缺的製程技術。
在CMP製程的所有衡量效能的項目中，缺陷存在與否為重要項目之一。化學機械研磨製程中的缺陷包括有機殘留物、小顆粒、微刮痕及腐蝕等。舉例而言，若在清洗步驟時，無法將因研磨後而在研磨墊或晶圓上產生的殘留物或污痕等汙染物清洗乾淨，將會使得研磨墊的效能降低，進而影響到膜層移除率的均一性，且亦會影響元件的電性效能。
在先前技術中，使用具有例如氫氧化四甲基氫銨(TMAH)的清洗液，以達到去除晶圓表面之汙染物的效果。然而，氫氧化四甲基氫銨具毒性，在操作上存在危險性。因此，亟需一種可有效清除晶圓表面殘留污染物，且能維持晶圓表面之平坦度並具操作安全性的清洗液。
本發明提供一種清洗組成物，其具有好的溼潤能力及清洗效率。
本發明提供一種清洗方法，可使進行清洗的晶圓具有好的表面輪廓。
本發明提出一種清洗組成物，此清洗組成物包括至少一多胺多羧酸或其鹽類、至少一溶劑、至少一經取代或未經取代的苯乙胺以及水。其中，溶劑選自由二醇類所構成的族群。
在本發明之一實施例中，上述之多胺多羧酸例如是三胺五乙酸(triamine pentaacetic acid)。
在本發明之一實施例中，上述之三胺五乙酸例如是選自由乙三胺五乙酸(ethylene triamine pentaacetic acid)、二乙烯三胺五乙酸(diethylene triamine pentaacetic acid)及三乙烯三胺五乙酸(triethylene triamine pentaacetic acid)所構成的族群。
在本發明之一實施例中，上述之多胺多羧酸的鹽類例如是選自由鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽及銨鹽所構成的族群。
在本發明之一實施例中，上述多胺多羧酸或其鹽類的含量相對於清洗組成物的總重例如是0.001重量%至10重量%。
在本發明之一實施例中，上述之溶劑例如是選自由2-甲氧基乙醇(2-methoxyethanol)、2-乙氧基乙醇(2-ethoxyethanol)、2-丙氧基乙醇(2-propoxyethanol)、
2-異丙氧基乙醇(2-isopropoxyethanol)、2-丁氧基乙醇(2-butoxyethanol)、2-苯氧基乙醇(2-phenoxyethanol)、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇(2-(2-methoxyethoxy)ethanol)、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇(2-(2-ethoxyethoxy)ethanol)、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇(2-(2-butoxyethoxy)ethanol)、2-異丁氧基乙醇(2-isobutoxyethanol)、1,2-丙二醇(1,2-propylene glycol)、1,3-丙二醇(1,3-propylene glycol)、二乙二醇(diethylene glycol)、三乙二醇(triethylene glycol)、1,4-丁二醇(1,4-butanediol)、1,5-戊二醇(1,5-pentanediol)、1,6-己二醇(1,6-hexanediol)、1,7-庚二醇(1,7-heptanediol)、2,3-二甲基-2,3-丁二醇(2,3-dimethyl-2,3-butanediol)及其衍生物所構成的族群。
在本發明之一實施例中，上述溶劑的含量相對於清洗組成物的總重例如是0.001重量%至10重量%。
在本發明之一實施例中，上述經取代或未經取代的苯乙胺包括由一般式(1)表示的化合物，其：
其中R2、R3、R4、R5、Rα、Rβ及RN各自獨立為氫原子、羥基、烷基或羥烷基。
在本發明之一實施例中，上述經取代或未經取代的苯乙胺的含量相對於清洗組成物的總重例如是0.001重量%至10重量%。
在本發明之一實施例中，上述水的含量相對於清洗組成物的總重例如是70重量%至99.997重量%。
在本發明之一實施例中，上述清洗組成物的酸鹼值例如是8至12。
本發明提出一種清洗方法，包括使用上述清洗組成物對晶圓進行清洗。
在本發明之一實施例中，上述清洗方法更包括對進行化學機械研磨後的該晶圓進行清洗。
基於上述，本發明所提供的清洗組成物具有好的溼潤能力及清洗效率。此外，本發明所提供的清洗方法利用所提出的清洗組成物對晶圓進行清洗，因此可使受清洗的晶圓具有低的表面粗糙度，而具有較佳的表面輪廓。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本實施例提供一種清洗組成物，其適用於在進行如化學機械研磨等半導體製程後，對於晶圓、基板及研磨墊等元件的清洗製程中，但並不用以限制本發明之應用範圍。
上述清洗組成物包括至少一多胺多羧酸或其鹽類、至少一溶劑、至少一經取代或未經取代的苯乙胺以及水。以下將詳細敘述清洗組成物的各個成份。
多胺多羧酸例如是三胺五乙酸。三胺五乙酸例如是選自由乙三胺五乙酸、二乙烯三胺五乙酸及三乙烯三胺五乙
酸所構成的族群。多胺多羧酸的鹽類例如是選自由鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽及銨鹽所構成的族群。另外，相對於清洗組成物的總重，多胺多羧酸或其鹽類的含量例如是為0.001重量%至10重量%。在一實施例中，相對於清洗組成物的總重，多胺多羧酸或其鹽類的含量例如是0.15重量%。
經取代或未經取代的苯乙胺例如是由下列一般式(1)所表示的化合物：
其中R2、R3、R4、R5、Rα、Rβ及RN各自獨立為氫原子、羥基、烷基或羥烷基。另外，相對於清洗組成物的總重，經取代或未經取代的苯乙胺的含量約為0.001重量%至10重量%。在一實施例中，經取代或未經取代的苯乙胺的含量例如是0.3重量%至1.8重量%。
另外，前述多胺多羧酸的鹽類及經取代或未經取代的苯乙胺可以使得清洗組成物成鹼性。在一實施例中，清洗組成物的酸鹼值例如是8至12。
溶劑例如是選自由二醇類(glycol)所構成的族群。所述溶劑選自由2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丙氧基乙醇、2-異丙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、2-苯氧基乙醇、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇、2-異丁氧基乙醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、
1,6-己二醇、1,7-庚二醇、2,3-二甲基-2,3-丁二醇及其衍生物所構成的族群。另外，相對於清洗組成物的總重，溶劑的含量約為0.001重量%至10重量%。在一實施例中，相對於清洗組成物的總重，溶劑的含量例如是2重量%至5重量%。
此外，相對於清洗組成物的總重，水的含量例如是70重量%至99.997重量%。
以下，藉由實驗例來詳細說明利用上述實施例所提出之清洗組成物對晶圓進行清洗的實驗結果。然而，下列實驗例並非用以限制本發明。
樣品1至樣品9之清洗組成物的組成成分、重量比例及酸鹼值如下表1所示。樣品1與樣品4為比較例，其中樣品1不含2-丁氧基乙醇，而樣品4不含苯乙胺。此外，樣品1至樣品6之清洗組成物包括二乙烯三胺五乙酸(diethylene triamine pentaacetic acid，DTPA)、2-丁氧基乙醇、苯乙胺以及水，其中二乙烯三胺五乙酸作為多胺多羧酸，且2-丁氧基乙醇作為溶劑。另外，樣品7除了使用經取代的苯乙胺外，以與樣品1至樣品6相同的成分來製備。另一方面，樣品8與樣品9除了使用多胺多羧酸的鹽類外，以與樣品1至樣品6相同的成分來製備。
以靜態泡滴法(static sessile drop method)進行樣品1至樣品7之清洗組成物的溼潤能力(wetting force)的量測。
所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下：晶圓：8英吋的銅覆蓋晶圓，其中銅厚度為5000埃，以及8英吋的低介電常數之black diamond II(BDII)覆蓋-晶圓
量測儀器：接觸角量測儀(contact angle meter)
實驗方法：利用接觸角量測儀量測樣品1至樣品7之清洗組成物於銅覆蓋晶圓及BD2晶圓上的接觸角。其接觸角量測結果如下表2所示。
請參照表2，由樣品1至樣品3之清洗組成物的接觸角量測結果可知，不含2-丁氧基乙醇的樣品1具有大的接觸角，而與樣品1相比，由於樣品2與樣品3分別含有2重量%及5重量%的2-丁氧基乙醇，故樣品2與樣品3具有較小的接觸角，因而具有較佳的濕潤能力。此外，隨著2-丁氧基乙醇含量的增加，接觸角會變小，而至含量為2重量%時得到最小接觸角，接著當含量繼續增加時，接觸角變大。另外，由樣品2、樣品4至樣品6之清洗組成物的接觸角量測結果可知，不含苯乙胺的樣品4具有大的接觸角，而隨著苯乙胺含量的增加，使得接觸角變小，並且至含量為0.5重量%時得到最小接觸角，接著當含量繼續增加時，接觸角變大。此外，使用經取代的苯乙胺(3,4-二羥基苯乙胺)的樣品7之清洗組成物的接觸角也很小，同樣具有較佳的溼潤能力。另外，使用二乙烯三胺五乙酸鉀的樣品8及使用二乙烯三胺五乙酸銨的樣品9之清洗組成物的接觸角也很小，同樣具有較佳的溼潤能力。
基於上述，2-丁氧基乙醇含量為2重量%是接觸角量測中的一個轉折點，故提高溶劑含量至2重量%能夠提升清洗組成物於銅薄膜及BD2薄膜上的溼潤能力。另外，基於上述，苯乙胺含量為0.5重量%是接觸角量測中的一個轉折點，故提高苯乙胺含量至0.5重量%能夠提升清洗組成物於銅薄膜及BD2薄膜上的溼潤能力。因此，溶劑與經取代或未經取代的苯乙胺一起使用的清洗組成物對於晶圓具有較佳的溼潤能力，故能有效的對晶圓進行清洗。此外，基於上述，在溶劑與經取代或未經取代的苯乙胺一起使用的情況下，使用多胺多羧酸的鹽類的清洗組成物對於晶圓亦具有較佳的溼潤能力，故能有效的對晶圓進行清洗。
所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下：晶圓：8英吋的圖案化晶圓
研磨液：銅製程研磨液
量測儀器：原子力顯微鏡(atomic force microscopy，AFM)
實驗方法：首先，利用研磨機台(Mirra，產品名)，以銅製程研磨液對圖案化晶圓進行研磨，從而移除銅薄膜及阻障層薄膜。接著，利用後CMP清洗機台(Ontrak，產品名)，以表1中的樣品1至樣品7之清洗組成物在200毫升/分鐘的速率下，對圖案化晶圓進行兩次分別持續50秒的清洗。之後，使圖案化晶圓旋轉乾燥。然後，利用原子力顯
微鏡，對圖案化晶圓在0.18/0.18 μm線寬/線距位置所量測的三個銅表面粗糙度之平均值如下表3所示。
請參照表3，由使用樣品1至樣品3之清洗組成物所得到的銅表面粗糙度量測結果可知，以不含2-丁氧基乙醇的樣品1進行刷洗，使得晶圓產生高的粗糙度，而與樣品1相比，由於樣品2與樣品3內分別含有2重量%及5重量%的2-丁氧基乙醇，故使用樣品2與樣品3得到較低的粗糙度，因而具有較佳的晶圓表面輪廓。此外，隨著2-丁氧基乙醇含量的增加，晶圓之表面粗糙度降低，而至含量為2重量%時得到最低的粗糙度，接著當含量繼續增加時，粗糙度變高。另外，由使用樣品2、樣品4至樣品6之清洗組成物所得到的銅表面粗糙度量測結果可知，以不含苯乙胺的樣品4進行刷洗，使得晶圓產生高的粗糙度，而隨著苯乙胺含量的增加，粗糙度會降低，並且至含量為0.5重量%時得到最低的粗糙度，接著當含量繼續增加時，粗糙度變高。此外，以含有3,4-二羥基苯乙胺的樣品7之
清洗組成物進行刷洗，晶圓表面同樣產生低的粗糙度。另一方面，以含有二乙烯三胺五乙酸鉀的樣品8及含有二乙烯三胺五乙酸銨的樣品9之清洗組成物進行刷洗，晶圓表面同樣產生低的粗糙度。
基於上述，使用含有2重量%的2-丁氧基乙醇及0.5重量%的苯乙胺的樣品2對晶圓進行刷洗，得到晶圓最低的銅表面粗糙度，並且使用含有2重量%的2-丁氧基乙醇及0.6重量%的3,4-二羥基苯乙胺的樣品7也得到較佳的銅表面粗糙度。因此，以溶劑與經取代或未經取代的苯乙胺一起使用的清洗組成物進行清洗，使得晶圓表面的輪廓能得到改善。另外，基於上述，在溶劑與經取代或未經取代的苯乙胺一起使用的情況下，使用含有二乙烯三胺五乙酸鉀或二乙烯三胺五乙酸銨的清洗組成物進行清洗，同樣使得晶圓表面的輪廓能得到改善。
所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下：晶圓：銅晶圓
試劑：1wt%苯並三唑(benzotriazole，BTA)溶液
量測儀器：飛行時間次級離子質譜法(time-of-flight secondary ion mass spectrometry，ToF-SIMS)
實驗方法：首先，將乾淨的銅晶圓在1wt%苯並三唑溶液中浸泡10分鐘，以在晶圓之銅薄膜上產生大量的Cu-BTA有機物種，例如是CuC6H5N3、CuOC6H5N3及
CuC12H8N6。接著，利用飛行時間次級離子質譜法對表面富含Cu-BTA有機物種的銅晶圓進行有機物種濃度的量測。之後，將上述晶圓分別以表1中的樣品1至樣品7之清洗組成物進行刷洗處理。然後，再次利用飛行時間次級離子質譜法對處理後的晶圓進行Cu-BTA有機物種濃度的量測。清洗效率定義為刷洗前的濃度值減去刷洗後的濃度值對刷洗前的濃度值的比例，而各樣品之各物種的清洗效率經計算的結果如下表4所示。
請參照表4，由使用樣品1至樣品3之清洗組成物所得到的結果可知，以不含2-丁氧基乙醇的樣品1進行刷洗，對於有機殘留物的清洗效率是低的，而與樣品1相比，由於樣品2與樣品3內分別含有2重量%及5重量%的2-丁氧基乙醇，故使用樣品2與樣品3得到較佳的清洗效率。此外，隨著2-丁氧基乙醇含量的增加，有機殘留物清洗效率提高，而至含量為2重量%時得到最佳的清洗效率，接著當含量繼續增加時，清洗效率降低。另外，由使用樣品
2、樣品4至樣品6之清洗組成物所得到的結果可知，以不含苯乙胺的樣品4進行刷洗，對於有機殘留物的清洗效率是低的，而隨著苯乙胺含量的增加，清洗效率會提高，並且至含量為0.5重量%時得到最佳的清洗效率，接著當含量繼續增加時，清洗效率降低。此外，以含有3,4-二羥基苯乙胺的樣品7之清洗組成物對晶圓進行刷洗，同樣得到較佳的有機殘留物清洗效率。另一方面，以含有二乙烯三胺五乙酸鉀的樣品8及含有二乙烯三胺五乙酸銨的樣品9之清洗組成物對晶圓進行刷洗，亦能得到較佳的有機殘留物清洗效率。
基於上述，使用含有2重量%的2-丁氧基乙醇及0.5重量%的苯乙胺的樣品2對晶圓進行刷洗，得到最佳的有機殘留物清除效率，並且使用含有2重量%的2-丁氧基乙醇及0.6重量%的3,4-二羥基苯乙胺的樣品7也得到較佳的有機殘留物清除效率。因此，以溶劑與經取代或未經取代的苯乙胺一起使用的清洗組成物進行清洗，能夠達到清洗有機殘留物的增益作用(synergic effect)。另外，基於上述，在溶劑與經取代或未經取代的苯乙胺一起使用的情況下，使用含有二乙烯三胺五乙酸鉀或二乙烯三胺五乙酸銨的清洗組成物進行清洗，同樣能夠達到清洗有機殘留物的增益作用。
綜上所述，上述實施例所提出之清洗組成物及清洗方法對於CMP後的晶圓具有較佳的溼潤能力及清洗效率，以有效地移除晶圓上的殘留物，並使得受清洗的晶圓具有
低的表面粗糙度。此外，當清洗組成物成鹼性時，能有效地對晶圓進行清洗，而不會對其造成傷害。另外，在清洗組成物沒有包含氫氧化四甲基氫銨的情況下，可避免操作清洗處理時的危險性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (7)
- 一種半導體製程用的清洗組成物，包括：至少一多胺多羧酸或其鹽類，該多胺多羧酸包括一三胺五乙酸(triamine pentaacetic acid)，其中該多胺多羧酸或其鹽類的含量相對於該清洗組成物的總重為0.001重量%至10重量%；至少一溶劑，該溶劑選自由二醇類所構成的族群，其中該溶劑的含量相對於該清洗組成物的總重為0.001重量%至10重量%；至少一經取代或未經取代的苯乙胺，該經取代或未經取代的苯乙胺包括由一般式(1)表示的化合物：
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體製程用的清洗組成物，其中該三胺五乙酸為選自由乙三胺五乙酸(ethylene triamine pentaacetic acid)、二乙烯三胺五乙酸 (diethylene triamine pentaacetic acid)及三乙烯三胺五乙酸(triethylene triamine pentaacetic acid)所構成的族群。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體製程用的清洗組成物，其中該多胺多羧酸的鹽類為選自由鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽及銨鹽所構成的族群。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體製程用的清洗組成物，其中該溶劑為選自由2-甲氧基乙醇(2-methoxyethanol)、2-乙氧基乙醇(2-ethoxyethanol)、2-丙氧基乙醇(2-propoxyethanol)、2-異丙氧基乙醇(2-isopropoxyethanol)、2-丁氧基乙醇(2-butoxyethanol)、2-苯氧基乙醇(2-phenoxyethanol)、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇(2-(2-methoxyethoxy)ethanol)、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇(2-(2-ethoxyethoxy)ethanol)、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇(2-(2-butoxyethoxy)ethanol)、2-異丁氧基乙醇(2-isobutoxyethanol)、1,2-丙二醇(1,2-propylene glycol)、1,3-丙二醇(1,3-propylene glycol)、二乙二醇(diethylene glycol)、三乙二醇(triethylene glycol)、1,4-丁二醇(1,4-butanediol)、1,5-戊二醇(1,5-pentanediol)、1,6-己二醇(1,6-hexanediol)、1,7-庚二醇(1,7-heptanediol)、2,3-二甲基-2,3-丁二醇(2,3-dimethyl-2,3-butanediol)及其衍生物所構成的組群。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體製程用的清洗組成物，其中該清洗組成物的酸鹼值為8至12。
- 一種清洗方法，包括： 使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之半導體製程用的清洗組成物對一晶圓進行清洗。
- 如申請專利範圍第6項所述之清洗方法，更包括對進行化學機械研磨後的該晶圓進行清洗。
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| CN113424301A (zh) | 2019-02-19 | 2021-09-21 | 三菱化学株式会社 | 铈化合物去除用清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201122095A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-01 | Uwiz Technology Co Ltd | Cleaning composition |
| TW201144452A (en) * | 2010-04-15 | 2011-12-16 | Advanced Tech Materials | Method for recycling of obsolete printed circuit boards |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5989353A (en) | 1996-10-11 | 1999-11-23 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| US6896826B2 (en) | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
| HK1046424A1 (zh) * | 1999-08-13 | 2003-01-10 | 卡伯特微电子公司 | 化學機械拋光系統及其使用方法 |
| US6723691B2 (en) | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
| US6498131B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-12-24 | Ekc Technology, Inc. | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus |
| MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
| US8003587B2 (en) * | 2002-06-06 | 2011-08-23 | Ekc Technology, Inc. | Semiconductor process residue removal composition and process |
| TWI227271B (en) | 2002-10-04 | 2005-02-01 | Merck Kanto Advanced Chemical | Post chemical mechanical polishing (CMP) cleaning solution |
| AU2003277597A1 (en) | 2002-11-08 | 2004-06-07 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning composition and method of cleaning therewith |
| US7481949B2 (en) | 2002-11-08 | 2009-01-27 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd | Polishing composition and rinsing composition |
| US7435712B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
| US7498295B2 (en) | 2004-02-12 | 2009-03-03 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning comprising tetra alkyl ammonium hydroxide |
| US20050205835A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Tamboli Dnyanesh C | Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions |
| JP2009515055A (ja) * | 2005-11-09 | 2009-04-09 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体材料をその上に有する半導体ウェハをリサイクルするための組成物および方法 |
| TWI516573B (zh) * | 2007-02-06 | 2016-01-11 | 安堤格里斯公司 | 選擇性移除ＴｉＳｉＮ之組成物及方法 |
| JP5575420B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2014-08-20 | 三洋化成工業株式会社 | 磁気ディスク基板用洗浄剤 |
| JP5476388B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-04-23 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド | 酸化銅エッチ残渣除去および、銅電着の防止のための水性の酸性洗浄用組成物 |
| JP5553985B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2014-07-23 | 三洋化成工業株式会社 | 電子材料用洗浄剤 |
| JP5565939B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2014-08-06 | 化研テック株式会社 | 洗浄剤組成物用原液、洗浄剤組成物、および洗浄方法 |
| US8293218B2 (en) * | 2010-07-29 | 2012-10-23 | Conopco, Inc. | Skin care compositions comprising substituted monoamines |
| JP5471957B2 (ja) * | 2010-08-10 | 2014-04-16 | 株式会社リコー | インクジェット記録装置及びインクカートリッジの洗浄液兼充填液、並びに該洗浄液兼充填液を収容したカートリッジ |
| US8889609B2 (en) * | 2011-03-16 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations |
| JP6066552B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2017-01-25 | 関東化學株式会社 | 電子デバイス用洗浄液組成物 |
| US9536730B2 (en) * | 2012-10-23 | 2017-01-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations |
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| TW201122095A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-01 | Uwiz Technology Co Ltd | Cleaning composition |
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