TW202100735A - 洗淨液、洗淨方法及半導體晶圓之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種洗淨液，其係於研磨步驟後使用，含有成分(A)：下述通式(1)所表示之化合物、成分(B)：鹼性化合物及成分(C)：水，且界面活性劑之含有率為0.001質量%以下。
上述通式(1)中，R1
、R2
分別獨立地表示羥基或酚基。
Description
本發明係關於一種洗淨液、洗淨方法及半導體晶圓之製造方法。
近年來，於半導體裝置製造步驟中，伴隨半導體裝置之高速化及高積體化，愈發嚴格要求半導體晶圓表面之淨化。一般而言，為了淨化半導體晶圓表面，而進行使用洗淨液之洗淨。尤其是由於在研磨步驟後之半導體晶圓表面會殘留使半導體裝置之特性變差之各種污染物質，故而半導體晶圓表面之洗淨之重要度較高。
作為供於半導體裝置製造步驟中之研磨步驟後之洗淨步驟之洗淨液，例如於專利文獻1中揭示有一種含有界面活性劑之洗淨液。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2003-289060號公報
[發明所欲解決之問題]
以化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing，以下，有時簡稱為「CMP」)步驟或背面研磨步驟為代表之研磨步驟具有如下問題：由於金屬成分或研磨微粒子等會殘留於半導體晶圓表面，故而使半導體裝置之特性變差。
雖藉由洗淨液將所殘留之金屬成分或研磨微粒子等洗淨，但於洗淨液為酸性水溶液之情形時有如下問題：於該水溶液中，以膠體二氧化矽為代表之研磨微粒子帶正電，半導體晶圓表面帶負電，電性引力發揮作用，導致研磨微粒子之去除較為困難。相對於此，於洗淨液為鹼性水溶液之情形時，於該水溶液中，由於富存氫氧離子，故而以膠體二氧化矽為代表之研磨微粒子與半導體晶圓表面均帶負電，電性斥力發揮作用，而變得易進行研磨微粒子之去除。
又，考慮將含有界面活性劑之洗淨液用於去除所殘留之金屬成分或研磨微粒子等，但具有如下問題：附著有有機化合物之研磨微粒子與界面活性劑配位，有機化合物變得不易溶解於洗淨液，而研磨微粒子之去除較為困難，並且界面活性劑本身易殘留於半導體晶圓表面，而導致半導體裝置之特性變差。專利文獻1中所揭示之洗淨液由於含有界面活性劑，故而微粒子去除性較差。
本發明係鑒於此類問題而完成者，本發明之目的在於提供一種不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異之洗淨液。又，本發明之另一目的在於提供一種不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異之洗淨方法。
[解決問題之技術手段]
先前以來研究了含有各種成分之洗淨液，但本發明人等反覆進行了銳意研究，結果發現組合下述成分(A)～成分(C)而成之洗淨液，且發現該洗淨液不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異。
即，本發明之主旨如下所述。
[1]一種洗淨液，其係於研磨步驟後使用，含有以下成分(A)～成分(C)，且界面活性劑之含有率為0.001質量%以下。
成分(A)：下述通式(1)所表示之化合物
成分(B)：鹼性化合物
成分(C)：水
[化1]
上述通式(1)中，R1
、R2
分別獨立地表示羥基或酚基。
[2]一種洗淨液，其係於研磨步驟後使用，含有以下成分(A)～成分(C)，且實質上不含有界面活性劑。
成分(A)：下述通式(1)所表示之化合物
成分(B)：鹼性化合物
成分(C)：水
[化2]
上述通式(1)中，R1
、R2
分別獨立地表示羥基或酚基。
[3]如[1]或[2]所記載之洗淨液，其中上述成分(A)含有乙二胺二鄰羥基苯乙酸。
[4]如[1]至[3]中任一項所記載之洗淨液，其中上述成分(B)含有選自由氨及四級銨氫氧化物所組成之群中之至少1種。
[5]如[4]所記載之洗淨液，其中上述四級銨氫氧化物含有選自由四乙基氫氧化銨、三羥乙基甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三乙基甲基氫氧化銨、二乙基二甲基氫氧化銨及二乙基甲基丙基氫氧化銨所組成之群中之至少1種。
[6]如[1]至[5]中任一項所記載之洗淨液，其中上述成分(A)之質量相對於上述成分(B)之質量之比為0.001～0.5。
[7]如[1]至[6]中任一項所記載之洗淨液，其pH值為9～14。
[8]如[1]至[7]中任一項所記載之洗淨液，其中上述研磨步驟為化學機械研磨步驟。
[9]如[1]至[7]中任一項所記載之洗淨液，其中上述研磨步驟為背面研磨步驟。
[10]如[1]至[9]中任一項所記載之洗淨液，其用於洗淨露出含有矽之化合物之面。
[11]一種洗淨方法，其包括使用如[1]至[10]中任一項所記載之洗淨液將半導體晶圓洗淨之步驟。
[12]一種半導體晶圓之製造方法，其包括使用如[1]至[10]中任一項所記載之洗淨液將半導體晶圓洗淨之步驟。
[13]如[12]所記載之半導體晶圓之製造方法，其進而包括使上述半導體晶圓變薄之步驟。
[發明之效果]
本發明之洗淨液及洗淨方法不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異。
又，本發明之半導體晶圓之製造方法包括不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異之洗淨步驟，因此可抑制半導體裝置之動作不良。
以下，對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於以下之實施形態，可於其主旨之範圍內進行各種變更並實施。再者，於本說明書中使用「～」之表現之情形時，作為包括其前後之數值或物性值之表現來使用。
(洗淨液)
本發明之洗淨液(以下，有時簡稱為「洗淨液」)包含下述本發明之第1實施形態之洗淨液及本發明之第2實施形態之洗淨液。
本發明之第1實施形態之洗淨液含有以下成分(A)～成分(C)，且界面活性劑之含有率為0.001質量%以下。
成分(A)：下述通式(1)所表示之化合物
成分(B)：鹼性化合物
成分(C)：水
若界面活性劑之含有率為0.001質量%以下，則可防止於研磨步驟中研磨微粒子與界面活性劑配位而去除變得困難。界面活性劑之含有率較佳為0.0001質量%以下，更佳為0.00001質量%以下，進而較佳為0質量%。
又，本發明之第2實施形態之洗淨液含有上述成分(A)～成分(C)，且實質上不含有界面活性劑。所謂洗淨液實質上不含有界面活性劑，係指洗淨液100質量%中之界面活性劑之含有率為0質量%～0.00001質量%。
若實質上不含有界面活性劑，則可防止於研磨步驟中研磨微粒子與界面活性劑配位而去除變得困難。
所謂界面活性劑，係於分子內具有親水基及親油基(疏水基)之物質，例如可列舉：烷磺酸及其鹽、烷基苯磺酸及其鹽、烷基二苯醚二磺酸及其鹽、烷基甲基牛磺酸及其鹽、磺基琥珀酸二酯及其鹽、聚氧伸烷基烷基醚及其鹽等。
(成分(A))
成分(A)係下述通式(1)所表示之化合物。
[化3]
上述通式(1)中，R1
、R2
分別獨立地表示羥基或酚基。
若本發明之洗淨液含有成分(A)，則成分(A)之結構中之胺基、羧基及羥基與金屬離子配位，捕捉殘留於半導體晶圓表面之金屬離子，而促進溶解於洗淨液。因此，本發明之洗淨液之金屬去除性優異。
上述通式(1)中，R1
、R2
分別獨立地為羥基或酚基，就洗淨液之金屬去除性優異之方面而言，較佳為R1
與R2
兩者為羥基，或R1
與R2
兩者為酚基，更佳為R1
與R2
兩者為酚基。
酚基只要為含有苯基與羥基者即可，羥基可為單數亦可為複數。苯基亦可除羥基以外亦具有取代基。
作為成分(A)之具體例，例如可列舉：乙二胺二鄰羥基苯基乙酸、乙二胺-N,N'-雙[(2-羥基-5-甲基苯基)乙酸]、乙二胺-N,N'-雙[(2-羥基-5-氯苯基)乙酸]、乙二胺-N,N'-雙[(2-羥基-5-磺基苯基)乙酸]等。該等成分(A)可單獨地使用1種，亦可併用2種以上。
該等成分(A)之中，就洗淨液之微粒子去除性、金屬去除性優異之方面而言，較佳為乙二胺二鄰羥基苯基乙酸、乙二胺-N,N'-雙[(2-羥基-5-磺基苯基)乙酸]，更佳為乙二胺二鄰羥基苯乙酸。
(成分(B))
成分(B)係鹼性化合物。
若本發明之洗淨液含有成分(B)，則可使氫氧離子富存於洗淨液中，從而以膠體二氧化矽為代表之研磨微粒子與半導體晶圓表面均帶負電。因此，電性斥力發揮作用，本發明之洗淨液之微粒子去除性優異。
作為成分(B)，例如可列舉：無機鹼、有機鹼等。該等成分(B)可單獨地使用1種，亦可併用2種以上。
該等成分(B)之中，就洗淨液之微粒子去除性優異之方面而言，較佳為氨、四級銨氫氧化物，更佳為氨、四乙基氫氧化銨、三羥乙基甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三乙基甲基氫氧化銨、二乙基二甲基氫氧化銨、二乙基甲基丙基氫氧化銨，就洗淨液之金屬去除性優異之方面而言，進而較佳為氨、四乙基氫氧化銨，就洗淨液之鐵之去除性優異之方面而言，特佳為氨。
(成分(C))
成分(C)係水。
本發明之洗淨液藉由含有成分(C)，而洗淨液之金屬去除性及微粒子去除性優異。
作為水，例如可列舉：離子交換水、蒸餾水、超純水等，其等之中，就更加提高金屬去除性及微粒子去除性之觀點而言，較佳為超純水。
本發明之洗淨液較佳為不含有成分(A)～成分(C)以外之其他成分，但若為不會對本發明之效果造成影響之程度，則亦可微量地含有其他成分。其他成分之含有率於洗淨液100質量%中，較佳為0.001質量%以下，更佳為實質上不含有。所謂洗淨液實質上不含有其他成分，係指洗淨液100質量%中之其他成分之含有率為0質量%～0.00001質量%。
(洗淨液之物性)
洗淨液之pH值較佳為9～14，更佳為10～13，進而較佳為11～12。若pH值為下限值以上，則洗淨液之微粒子去除性更加優異。又，若pH值為上限值以下，則洗淨液之調配成分之種類之選擇或調配比之設定自由度較高，可降低洗淨液中之成分(B)之含有率，而可減少洗淨液之原料費用。
(洗淨液之成分之質量比)
成分(A)之質量相對於成分(B)之質量之比(成分(A)之質量/成分(B)之質量)較佳為0.001～0.5，更佳為0.003～0.2。若該比為下限值以上，則洗淨液之金屬去除性更加優異。又，若該比為上限值以下，則洗淨液之微粒子去除性更加優異。
(洗淨液之各成分之含有率)
成分(A)之含有率於洗淨液100質量%中，較佳為0.0001質量%～10質量%，更佳為0.0005質量%～6質量%，進而較佳為0.001質量%～1質量%。若成分(A)之含有率為下限值以上，則洗淨液之金屬去除性更加優異。又，若成分(A)之含有率為上限值以下，則洗淨液之微粒子去除性更加優異。
成分(B)之含有率於洗淨液100質量%中，較佳為0.001質量%～50質量%，更佳為0.005質量%～30質量%，進而較佳為0.01質量%～5質量%。若成分(B)之含有率為下限值以上，則洗淨液之微粒子去除性更加優異。又，若成分(B)之含有率為上限值以下，則可不損害本發明之效果而調整洗淨液之pH值。
成分(C)之含有率較佳為設為成分(C)以外之成分(成分(A)及成分(B))之剩餘部分。
(洗淨液之製造方法)
本發明之洗淨液之製造方法並無特別限定，可藉由混合成分(A)～成分(C)而進行製造。
混合之順序並無特別限定，可一次性地混合所有成分，亦可預先混合一部分成分後混合剩餘之成分。
本發明之洗淨液之製造方法亦可將各成分以成為適於洗淨之含有率之方式進行調配，但就可抑制運輸或保管等之成本之方面而言，亦可於製備以高含有率含有成分(C)以外之各成分之洗淨液後，於洗淨前利用成分(C)進行稀釋而製備洗淨液。
稀釋倍率可視洗淨對象而適當設定，較佳為20倍～160倍，更佳為40倍～120倍。
(洗淨對象)
作為本發明之洗淨液之洗淨對象，例如可列舉：半導體、玻璃、金屬、陶瓷、樹脂、磁體、超導體等半導體晶圓。該等洗淨對象之中，就可利用短時間之洗淨去除金屬成分或研磨微粒子之方面而言，較佳為具有露出含有矽之化合物之面之半導體晶圓，更佳為矽晶圓。
本發明之洗淨液由於對於金屬表面亦微粒子去除性優異，故而亦可較好地用於具有露出金屬或含有金屬之化合物之面之半導體晶圓。
作為金屬，例如可列舉：鎢、銅、鈦、鉻、鈷、鋯、鉿、鉬、釕、金、鉑、銀等。作為含有金屬之化合物，例如可列舉：上述金屬之氮化物、上述金屬之金屬矽化物等。該等金屬、金屬化合物之中，就洗淨液之微粒子去除性優異之方面而言，較佳為鎢。
(洗淨步驟之種類)
本發明之洗淨液由於不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異，故而於研磨步驟後使用。
作為研磨步驟，例如可列舉：化學機械研磨(CMP)步驟、背面研磨步驟等。該等研磨步驟之中，就於研磨後需要金屬去除及微粒子去除之方面而言，較佳為CMP步驟、背面研磨步驟，就於研磨後更加需要金屬去除之方面而言，更佳為背面研磨步驟。
(CMP步驟)
所謂CMP步驟，係指對半導體晶圓之表面進行機械加工而使其平坦化之步驟。通常，於CMP步驟中，使用專用之裝置，使半導體晶圓之背面吸附於稱為壓板之治具，將半導體晶圓之表面壓抵於研磨墊，將含有研磨微粒子之研磨劑隨意排放至研磨墊上，而對半導體晶圓之表面進行研磨。
CMP係使用研磨劑，使被研磨體與研磨墊摩擦而進行。
作為研磨劑，例如可列舉：膠體二氧化矽(SiO2
)、薰製二氧化矽(SiO2
)、氧化鋁(Al2
O3
)、氧化鈰(CeO2
)等研磨微粒子。該等研磨微粒子會成為被研磨體之微粒子污染之主要原因，但由於本發明之洗淨液具有去除附著於被研磨體之微粒子，使之分散於洗淨液中並且防止再附著之作用，故而對於微粒子污染之去除顯示出較高之效果。
於研磨劑中亦可除研磨微粒子以外，還含有氧化劑、分散劑等添加劑。
(背面研磨步驟)
所謂背面研磨步驟，係指以實現高密度封裝之方式於半導體晶圓表面形成圖案後，將半導體晶圓加工成規定厚度之步驟。通常，於背面研磨步驟中，使用金剛石磨輪，對半導體晶圓表面進行研削及研磨。
背面研磨步驟中所使用之加工裝置由於包含各種金屬，故而半導體晶圓表面會被各種金屬所污染。例如有來自不鏽鋼構件之鐵或鎳等之污染、及來自半導體晶圓保持具之鋁或鈣等之污染。因該等污染而引起半導體裝置之動作不良，因此利用金屬去除性優異之本發明之洗淨液之洗淨意義較大。
(洗淨條件)
對於洗淨對象之洗淨方法較佳為使本發明之洗淨液與洗淨對象直接接觸之方法。
作為使本發明之洗淨液與洗淨對象直接接觸之方法，例如可列舉：於洗淨槽中填滿本發明之洗淨液並浸漬洗淨對象之浸漬式；一面使本發明之洗淨液自噴嘴於洗淨對象上流過，一面使洗淨對象高速旋轉之旋轉式；向洗淨對象噴霧本發明之洗淨液來進行洗淨之噴霧式等。該等方法之中，就可於短時間內實現更有效率之污染去除之方面而言，較佳為旋轉式、噴霧式。
作為用於進行此類洗淨之裝置，例如可列舉：將收容於盒子中之複數片洗淨對象同時洗淨之分批式洗淨裝置、將1個洗淨對象安裝於保持器來進行洗淨之單片式洗淨裝置等。該等裝置之中，就可實現洗淨時間之縮短、本發明之洗淨液之使用減少之方面而言，較佳為單片式洗淨裝置。
關於對於洗淨對象之洗淨方法，就可進而提高附著於洗淨對象之微粒子之去除性，實現洗淨時間之縮短之方面而言，較佳為利用物理力之洗淨方法，更佳為使用洗淨刷之洗刷洗淨、頻率0.5兆赫以上之超音波洗淨，就對於CMP步驟或背面研磨步驟後之洗淨更好之方面而言，進而較佳為使用樹脂製刷之洗刷洗淨。
樹脂製刷之材質並無特別限定，就樹脂製刷本身之製造較為容易之方面而言，較佳為聚乙烯醇、聚乙烯醇縮甲醛。
洗淨溫度可為20℃～30℃之室溫，亦可於不損害半導體晶圓之性能之範圍內加溫至30～70℃。
(洗淨方法)
本發明之洗淨方法係包括使用本發明之洗淨液將半導體晶圓洗淨之步驟的方法，且如上所述。
(半導體晶圓之製造方法)
本發明之半導體晶圓之製造方法係包括使用本發明之洗淨液將半導體晶圓洗淨之步驟的方法，且如上所述。
本發明之半導體晶圓之製造方法較佳為進而包括使半導體晶圓變薄之步驟。使半導體晶圓變薄之步驟只要使用上述背面研磨步驟即可，該步驟中較佳為使半導體晶圓變薄至厚度100 μm以下。
實施例
以下，使用實施例對本發明進一步具體地進行說明。本發明只要不脫離其主旨，則並不限定於以下實施例之記載。
(原料)
成分(A-1)：乙二胺二鄰羥基苯基乙酸(東京化成工業股份有限公司製造)
成分(A'-1)：乙二胺四乙酸(Fuji Film Wako Pure Chemical Industries)
成分(B-1)：氨(東京化成工業股份有限公司製造)
成分(B-2)：四乙基氫氧化銨(東京化成工業股份有限公司製造)
成分(X-1)：聚氧乙烯月桂醚(東京化成工業股份有限公司製造)
成分(X-2)：十二烷基苯磺酸鈉(東京化成工業股份有限公司製造)
成分(C-1)：水
(pH值測定)
將實施例及比較例中所獲得之洗淨液於25℃之恆溫槽中使用磁力攪拌器進行攪拌，並且藉由pH計(機種名「D-24」，堀場製作所股份有限公司製造)測定pH值。
(腐蝕性測定)
將二氧化矽以膜厚0.3 μm進行蒸鍍，將所得之矽基板(Advantec股份有限公司製造)切割成20 mm見方，使基板於25℃之條件下浸漬於實施例及比較例中所獲得之洗淨液20 mL中4小時。其後，取出基板，利用光干涉式膜厚測定裝置(機種名「VM-1020S」，SCREEN Semiconductor Solutions股份有限公司製造)測定浸漬後之基板之厚度。根據所測得之基板之厚度，算出於4小時內溶出之二氧化矽之溶出速度(Å/分鐘)，評價腐蝕性。
(金屬去除性測定)
向實施例及比較例中所獲得之洗淨液，以各金屬之濃度成為1 ppb之方式添加「ICP multi-element standard solution IV」(商品名，Merck公司製造，23元素稀硝酸溶液)。將所獲得之含有微量金屬之洗淨液以1.2 L/分鐘供給於矽基板(Advantec股份有限公司製造)之表面，並且於40℃下施加1分鐘超音波，利用超純水對矽基板進行1分鐘洗淨，進行旋轉乾燥，而獲得試驗用矽基板。利用含有氫氟酸0.1質量%及硝酸1質量%之水溶液回收試驗用矽基板之表面之殘留物，利用感應耦合電漿質譜儀(機種名「ELEMENT2」、Thermo Fisher Scientific公司製造，ICP-MS)測定金屬(鋁、鐵、鋅、鉛)量，算出殘留於試驗用矽基板之表面之金屬濃度(atoms/cm2
)，評價金屬去除性。
(微粒子去除性測定)
將膠體二氧化矽之漿料(商品名「PL-3」，扶桑化學工業股份有限公司製造)100 mL供給於直徑8英吋之矽基板(Advantec股份有限公司製造)上，使用多旋轉器(機種名「KSSP-201」，KAIJO股份有限公司製造)，進行旋轉乾燥。其後，使用雷射表面檢查裝置(機種名「LS-6600」，日立高新技術股份有限公司製造)，確認到於矽基板之表面附著有固定數量以上之0.06 μm以上之二氧化矽粒子。向附著有二氧化矽粒子之矽基板之表面供給實施例及比較例中所獲得之洗淨液，使用多旋轉器，於23℃下對矽基板進行1分鐘超音波洗淨，去除附著於矽基板之表面之二氧化矽粒子。其後，利用超純水對矽基板進行1分鐘洗淨，進行旋轉乾燥，獲得試驗用矽基板。使用雷射表面檢查裝置，測定所獲得之試驗用矽基板之表面之0.06 μm以上之二氧化矽粒子數(缺陷數)，評價微粒子去除性。
[實施例1]
以洗淨液100質量%中，成分(A-1)成為0.0015質量%、成分(B-1)成為0.3500質量%、成分(C-1)成為剩餘部分之方式混合各成分，而獲得洗淨液。
將所獲得之洗淨液之評價結果示於表1。
[實施例2～4、比較例1～6]
將原料之種類及含有率示於表1，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得洗淨液。
將所獲得之洗淨液之評價結果示於表1。
再者，比較例6由於成分(A-1)不溶於成分(C-1)，故而無法實施評價。
[表1]
| 表1 | |||||||||||||
| 成分(A) | 成分(B) | 界面活性劑 | 二氧化矽之溶出速度(Å/分鐘) | 殘留金屬濃度(atoms/cm2 ) | 二氧化矽 | ||||||||
| 種類 | 含有率 (質量%) | 種類 | 含有率 (質量%) | 種類 | 含有率 (質量%) | pH值 | 鋁 | 鐵 | 鋅 | 鉛 | 粒子數(個) | ||
| 實施例1 | (A-1) | 0.0015 | (B-1) | 0.3500 | - | - | 11.3 | 0.1 | ＜0.5 | ＜0.2 | 1.1 | ＜0.05 | 204 |
| 實施例2 | (A-1) | 0.0038 | (B-2) | 0.0250 | - | - | 11.2 | 0.0 | ＜0.5 | 0.5 | ＜0.2 | ＜0.05 | 99 |
| 實施例3 | (A-1) | 0.0038 | (B-2) | 0.0063 | - | - | 10.2 | 0.0 | ＜0.5 | ＜0.2 | ＜0.2 | ＜0.05 | 111 |
| 實施例4 | (A-1) | 0.0038 | (B-2) | 0.3125 | - | - | 12.3 | 0.0 | ＜0.5 | ＜0.2 | ＜0.2 | ＜0.05 | 155 |
| 比較例1 | (A'-1) | 0.0015 | (B-1) | 0.3500 | - | - | 11.3 | 0.1 | 36 | 0.6 | ＜0.2 | ＜0.05 | 104 |
| 比較例2 | (A-1) | 0.0015 | (B-1) | 0.3500 | (X-1) | 0.0125 | 11.3 | 0.1 | ＜0.5 | ＜0.2 | ＜0.2 | ＜0.05 | 390 |
| 比較例3 | (A-1) | 0.0015 | (B-1) | 0.3500 | (X-1) | 0.0625 | 11.3 | 0.1 | 0.8 | 0.3 | 0.2 | ＜0.05 | 555 |
| 比較例4 | (A-1) | 0.0015 | (B-1) | 0.3500 | (X-2) | 0.0125 | 11.3 | 0.1 | 0.5 | 0.3 | 0.8 | 0.08 | 569 |
| 比較例5 | - | - | (B-1) | 0.3500 | - | - | 11.4 | 0.1 | 45 | 85 | 110 | 26 | 55 |
| 比較例6 | (A-1) | 0.0015 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
根據表1可知，實施例1～4中所獲得之洗淨液不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異。
另一方面，含有界面活性劑之比較例2～4中所獲得之洗淨液雖不會腐蝕矽且金屬去除性優異，但微粒子去除性較差。又，不含有成分(A)之比較例1及5中所獲得之洗淨液雖不會腐蝕矽且微粒子去除性優異，但金屬去除性較差。進而，不含有成分(B)之比較例6中，由於成分(A-1)不溶於成分(C-1)，故而無法實施評價。
已詳細且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但對於業者而言明確可不脫離本發明之精神與範圍而施加各種變更或修正。本申請係基於2019年4月15日提出申請之日本專利申請(專利申請2019-076762)者，其內容係作為參照引入至此。
[產業上之可利用性]
本發明之洗淨液由於不會腐蝕矽且金屬去除性及微粒子去除性優異，故而可較好地於研磨步驟後使用，尤其是可較好地於CMP步驟或背面研磨步驟之後使用。
Claims (13)
- 一種洗淨液，其係於研磨步驟後使用，含有以下成分(A)～成分(C)，且界面活性劑之含有率為0.001質量%以下； 成分(A)：下述通式(1)所表示之化合物 成分(B)：鹼性化合物 成分(C)：水 [化1]上述通式(1)中，R1 、R2 分別獨立地表示羥基或酚基。
- 一種洗淨液，其係於研磨步驟後使用，含有以下成分(A)～成分(C)，且實質上不含有界面活性劑； 成分(A)：下述通式(1)所表示之化合物 成分(B)：鹼性化合物 成分(C)：水 [化2]上述通式(1)中，R1 、R2 分別獨立地表示羥基或酚基。
- 如請求項1或2之洗淨液，其中上述成分(A)含有乙二胺二鄰羥基苯基乙酸。
- 如請求項1至3中任一項之洗淨液，其中上述成分(B)含有選自由氨及四級銨氫氧化物所組成之群中之至少1種。
- 如請求項4之洗淨液，其中上述四級銨氫氧化物含有選自由四乙基氫氧化銨、三羥乙基甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三乙基甲基氫氧化銨、二乙基二甲基氫氧化銨及二乙基甲基丙基氫氧化銨所組成之群中之至少1種。
- 如請求項1至5中任一項之洗淨液，其中上述成分(A)之質量相對於上述成分(B)之質量之比為0.001～0.5。
- 如請求項1至6中任一項之洗淨液，其pH值為9～14。
- 如請求項1至7中任一項之洗淨液，其中上述研磨步驟為化學機械研磨步驟。
- 如請求項1至7中任一項之洗淨液，其中上述研磨步驟為背面研磨步驟。
- 如請求項1至9中任一項之洗淨液，其用於洗淨露出含有矽之化合物之面。
- 一種洗淨方法，其包括使用如請求項1至10中任一項之洗淨液將半導體晶圓洗淨之步驟。
- 一種半導體晶圓之製造方法，其包括使用如請求項1至10中任一項之洗淨液將半導體晶圓洗淨之步驟。
- 如請求項12之半導體晶圓之製造方法，其進而包括使上述半導體晶圓變薄之步驟。
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