JP3968554B2 - バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体チップのパッドにバンプを形成するときに、無電解メッキを用いて金属などからなるバンプを形成する方法が知られている。
【０００３】
しかしながら、無電解メッキでは、金属の高さ方向のみならず幅方向にも成長する（等方成長する）ため、バンプの幅がパッドの幅を超えてしまい、狭ピッチのパッドに対してバンプを形成すること難しかった。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するためのものであり、その目的は、所望な幅で、かつ、簡単にバンプを形成することができるバンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係るバンプの形成方法は、パッドの少なくとも一部を露出させる開口部を絶縁膜に形成し、前記パッドと接続するバンプを形成する方法であって、
前記パッドと少なくとも一部において平面的に重なる貫通穴を有するレジスト層を形成し、
前記絶縁膜に開口部を形成し、前記開口部により露出する前記パッドと接続する金属層を形成する。
【０００６】
本発明によれば、例えば、一度形成したレジスト層の貫通穴を使用して、絶縁膜に開口部を形成し、パッドと接続する金属層を形成するので、簡単な工程でバンプを形成することができる。レジスト層の貫通穴内に金属層を形成した場合は、貫通穴の大きさに応じた形状で、すなわち所望の幅でバンプを形成することができる。
【０００７】
（２）このバンプの形成方法において、
前記貫通穴を、前記パッドの外周を超えないように形成してもよい。
【０００８】
これによれば、パッドの外周を超えないように金属層を形成することができる。したがって、狭ピッチで設けられた複数のパッドのそれぞれに、バンプを形成することができる。
【０００９】
（３）このバンプの形成方法において、
前記絶縁膜は、前記パッドの中央部よりも端部において厚く形成されてもよい。
【００１０】
これによって、半導体チップを厚い絶縁膜で確実に保護することができる。絶縁膜の厚い部分は、複数層で形成してもよい。
【００１１】
（４）このバンプの形成方法において、
前記貫通穴を、前記パッドの外周よりも内側であって、かつ、前記絶縁膜が薄く形成されている前記パッドの中央部よりも外側に形成してもよい。
【００１２】
これによれば、パッドを露出させることなくバンプを形成することができる。
【００１３】
（５）このバンプの形成方法において、
前記金属層は、第１の金属層と、前記第１の金属層の表面に形成されてなる第２の金属層と、からなってもよい。
【００１４】
（６）このバンプの形成方法において、
前記開口部が、前記貫通穴の外周を超えるように形成されることによって、前記第１の金属層が形成される領域と、露出部と、が前記パッドに形成され、前記露出部を覆うように前記パッドに前記第２の金属層を形成してもよい。
【００１５】
これによれば、開口部が貫通穴を超えた形状に形成されても、第２の金属層でパッドの露出部を覆うので、パッドを露出させておくことがない。
【００１６】
（７）このバンプの形成方法において、
前記貫通穴内に、前記第１の金属層を形成した後、
前記レジスト層を除去して、前記第１の金属層を覆うように前記第２の金属層を形成してもよい。
【００１７】
これによれば、第１の金属層の表面が酸化することを防止できる。
【００１８】
（８）このバンプの形成方法において、
前記貫通穴内に、前記第１の金属層を形成した後、
前記レジスト層を残して、前記第１の金属層の上面に第２の金属層を形成してもよい。
【００１９】
これによって、例えば、第２の金属層としてロウ材が付着しやすい材料を選んだ場合、金属層のほぼ上面のみにロウ材を設けることができる。すなわち、例えば、ロウ材が金属層の外側に広がることを防いで、各パッドを短絡させずにロウ材を設けることができる。
【００２０】
（９）このバンプの形成方法において、
前記第１の金属層を、前記貫通穴からあふれ出るように形成し、前記貫通穴の幅よりも大きい幅からなる先端部を有するように形成してもよい。
【００２１】
これによれば、第１の金属層を、その先端部を貫通穴よりも大きい幅で形成する。こうすることで、例えば、バンプにロウ材の一部を蓄える空間を形成することができる。したがって、例えば、ロウ材を、金属層の外側に広げずに、すなわち各パッドを短絡させずに設けることができる。
【００２２】
（１０）このバンプの形成方法において、
前記第２の金属層を、前記貫通穴からあふれ出るように形成し、前記貫通穴の幅よりも大きい幅からなる先端部を有するように形成してもよい。
【００２３】
これによれば、第２の金属層を、その先端部を貫通穴よりも大きい幅で形成する。こうすることで、例えば、バンプにロウ材の一部を蓄える空間を形成することができる。したがって、例えば、ロウ材を、金属層の外側に広げずに、すなわち各パッドを短絡させずに設けることができる。
【００２４】
（１１）このバンプの形成方法において、
前記第１の金属層を無電解メッキによって形成してもよい。
【００２５】
（１２）このバンプの形成方法において、
前記第２の金属層を無電解メッキによって形成してもよい。
【００２６】
（１３）このバンプの形成方法において、
前記金属層にロウ材を設ける工程をさらに含んでもよい。
【００２７】
（１４）このバンプの形成方法において、
前記ロウ材を設ける工程で、
前記金属層の少なくとも上面を避けて周囲に樹脂層を設けて、前記ロウ材を前記金属層の前記樹脂層から露出する部分に設けてもよい。
【００２８】
これによれば、樹脂層によってロウ材をはじくことができるので、適量のロウ材を金属層に設けることができる。すなわち、ロウ材が溶融したときに、金属層の周囲に広がることを防ぐことができる。したがって、例えば、半導体チップの複数のパッドにおいて、ロウ材が隣のパッドと接触することを防ぐことができる。
【００２９】
（１５）このバンプの形成方法において、
前記金属層を前記レジスト層とほぼ面一となるように形成して、前記ロウ材を前記金属層の前記レジスト層からの露出する部分に設けてもよい。
【００３０】
これによれば、金属層を形成するための層と、ロウ材を設けるための層と、を一度形成したレジスト層を使用するので工程の簡略化が図れる。
【００３１】
（１６）このバンプの形成方法において、
前記第１の金属層を、前記レジスト層よりも低く形成し、
前記第２の金属層を、前記レジスト層をマスクとして、印刷法によって設けてもよい。
【００３２】
これによれば、印刷用マスクはレジスト層であるので、マスクの版離れの良し悪しに関係なく、第２の金属層を設けることができる。さらに、改めて印刷用マスクを形成する必要がないので、少ない工程で第２の金属層を設けることができる。
【００３３】
（１７）このバンプの形成方法において、
前記絶縁膜上に、前記貫通穴の外周で前記第１の金属層と電気的に接続する導電膜を形成し、
前記第１の金属層を、前記レジスト層よりも低く形成し、
前記第２の金属層を、前記導電膜を電極として、電解メッキによって設けてもよい。
【００３４】
これによれば、例えば、無電解メッキで形成するよりも、第２の金属層の組成のばらつきを小さくすることができる。これによって、第２の金属層の溶融温度がばらつくことをなくすことができる。
【００３５】
（１８）このバンプの形成方法において、
前記第１の金属層は、ニッケルを含む材料からなるものであってもよい。
【００３６】
（１９）このバンプの形成方法において、
前記第２の金属層は、金を含む材料からなるものであってもよい。
【００３７】
（２０）このバンプの形成方法において、
前記第２の金属層は、ロウ材からなるものであってもよい。
【００３８】
（２１）このバンプの形成方法において、
前記ロウ材は、Ｓｎ又はＳｎにＡｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種の金属を含んでもよい。
【００３９】
（２２）このバンプの形成方法において、
前記第２の金属層は、第１及び第２のＡｕ層で形成し、
前記第１のＡｕ層を、置換メッキで前記第１の金属層の表面に形成し、
前記第２のＡｕ層を、自己触媒メッキで前記第１のＡｕ層の表面に形成してもよい。
【００４０】
これによれば、バンプの表面に、Ａｕ層を厚く形成することができる。したがって、バンプの全体をＡｕで形成した場合と同様にして、第１の金属層の表面にＡｕ層を形成したバンプであっても、例えばリードと直接的に接続することができる。
【００４１】
（２３）このバンプの形成方法において、
前記第２の金属層は、Ａｕ層及びＳｎ層で形成し、
前記Ａｕ層を、置換メッキで前記第１の金属層の表面に形成し、
前記Ｓｎ層を、自己触媒メッキで前記Ａｕ層の表面に形成してもよい。
【００４２】
（２４）このバンプの形成方法において、
前記Ｓｎ層を形成する工程で、
無電解スズメッキ液中にＣｕ又はＡｇの少なくともいずれか一方を含ませ、前記無電解スズメッキ液によって、Ｓｎを析出させるとともに、Ｃｕ又はＡｇの少なくともいずれか一方を析出させてもよい。
【００４３】
これによれば、例えばバンプとリードとを接合する場合に、リードの材料が例えば金以外の材料からなっても、バンプとリードとを良好に接合することができる。
【００４４】
（２５）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記バンプの形成方法によって、半導体チップに形成された前記パッド上に前記金属層を形成する。
【００４５】
（２６）この半導体装置の製造方法において、
それぞれの前記バンプを、いずれかのリードと電気的に接続する工程をさらに含み、
前記バンプにおける前記第２の金属層と、前記リードと、によって共晶を形成してもよい。
【００４６】
（２７）本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【００４７】
（２８）本発明に係る半導体装置は、
複数のパッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成され、少なくとも各前記パッドの端部を覆うように形成された絶縁膜と、
各前記パッド上に形成されたバンプと、
を有し、
前記バンプは、前記開口部の外周よりも内側に形成された第１の金属層と、前記第１の金属層と前記開口部との間に少なくとも一部が形成された第２の金属層と、を有してなる。
【００４８】
（２９）本発明に係る半導体装置は、
複数のパッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成され、少なくとも各前記パッドの端部を覆うように形成された絶縁膜と、
各前記パッド上に形成されたバンプと、
を有し、
前記バンプは、その端部が前記絶縁膜上に形成されるように前記開口部よりも大きく形成され、
前記絶縁膜は、前記半導体チップの面上よりも前記バンプの前記端部下において薄く形成されてなる。
【００４９】
本発明によれば、半導体チップの面を厚い層によって覆い、かつ、バンプの端部下に形成する絶縁膜を薄い層にする。半導体チップの面を厚い層で覆うことで、半導体チップの耐湿性を高めることができる。また、バンプの端部下の絶縁膜による段差を小さくすることで、パッドとバンプとの接続信頼性を高めることができる。
【００５０】
（３０）本発明に係る半導体装置は、
複数のパッドを有する半導体チップと、
それぞれの前記パッドに接続され柱状をなす本体部と、前記本体部に接続され前記本体部の幅よりも大きい幅で形成された先端部と、からなるバンプと、
を含み、
前記バンプは、前記先端部における前記本体部の幅を超える部分と、前記本体部と、の間にロウ材を蓄える空間を有してなる。
【００５１】
本発明によれば、バンプは、ロウ材の一部を蓄える空間を有する。したがって、バンプ上でロウ材を溶融させた場合に、ロウ材を、金属層の外側に広げずに、すなわち各パッドを短絡させずに設けることができる。
【００５２】
（３１）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が搭載されている。
【００５３】
（３２）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００５５】
（第１の参考例）
図１〜図４は、本発明を適用した第１の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。本参考例では、半導体チップにバンプを形成する例を説明するが、本発明に係るバンプの形成方法は、これに限定されるものではなく、配線パターンにバンプを形成するときに適用してもよい。その場合、配線パターンのランドがパッドに相当する。また、本発明は、半導体ウェーハに形成されたパッドにバンプを形成するときに適用してもよい。すなわち、以下に説明する内容は、半導体チップ処理に限定されず、半導体ウェーハ処理においても同様に適用することができる。
【００５６】
本参考例では、図１に示すように、半導体チップ１０を用意する。半導体チップ１０は複数のパッド１２を有する。パッド１２は、半導体チップ１０の内部に形成された集積回路の電極となる。パッド１２は、半導体チップ１０の端部に並んでいても、半導体チップ１０の中央部に並んでいてもよい。また、パッド１２は、半導体チップの１０が矩形をなすときに平行な２辺の端部に沿って並んでいても、４辺の端部に並んでいてもよい。パッド１２は、半導体チップ１０における集積回路が形成された領域に形成されてもよい。パッド１２は、マトリクス状で複数行複数列に並んで形成されてもよい。各パッド１２は、半導体チップ１０に薄く平らに形成されていることが多いが、側面又は縦断面の形状は限定されず、半導体チップ１０の面と面一になっていてもよい。また、パッド１２の平面形状も特に限定されず、円形であっても矩形であってもよい。パッド１２はアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）などで形成される。各パッド１２間のピッチは、設計に応じて自由に決めることができが、本発明は、例えば約４０μｍ以下の狭ピッチのパッド１２を有する半導体チップ１０に対して特に有効である。
【００５７】
半導体チップ１０におけるパッド１２が形成された面には、絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４は、各パッド１２を覆って形成されている。本参考例では絶縁膜１４は、単一層から形成されているが、後述する例に示すように複数層から形成されてもよい。また、絶縁膜１４の厚さは必要に応じて自由に決めることができる。絶縁膜１４は、一般的なパッシベーション膜であってもよい。絶縁膜１４は、例えば、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成することができる。本参考例では、各パッド１４の少なくとも一部を絶縁膜１４から露出させる工程と、パッド１２上にバンプを形成する工程と、を同一のレジスト層２０を使用して行うことができる。詳しくは、レジスト層２０を繰り返し形成することなく、一度形成したレジスト層２０を使用して各工程を行うことができる。
【００５８】
図２（Ａ）に示すように、レジスト層２０を形成する。半導体チップ１０のパッド１２の形成された面に、すなわち絶縁膜１４上に、レジスト層２０を形成する。レジスト層２０は、パッド１２の上方に貫通穴２２を有する。フォトリソグラフィ技術を適用して貫通穴２２を形成してもよい。すなわち、マスクを介して感光性のレジスト層２０にエネルギーを照射、現像して貫通穴２２を形成してもよい。このときに、レジスト層２０はポジ型及びネガ型レジストであることを問わない。なお、レジスト層２０は、２０μｍ程度の厚みで形成してもよい。
【００５９】
あるいは、非感光性のレジスト層２０をエッチングして貫通穴２２を形成してもよい。また、レジスト層２０は、スクリーン印刷又はインクジェット方式を適用して形成してもよい。
【００６０】
貫通穴２２は、パッド１２の外周を超えない形状で形成することが好ましい。これによって、狭ピッチで設けられた複数のパッド１２のそれぞれに、バンプを形成することができる。また、貫通穴２２は、半導体チップ１０の面に対して垂直に立ち上がる壁面にて形成されることが好ましい。こうすることで、垂直に立ち上がるバンプを形成することができる。なお、貫通穴２２の平面形状は、例えば円形又は矩形であってもよく限定されない。
【００６１】
図２（Ｂ）に示すように、レジスト層２０をマスクとして、貫通穴２２内の絶縁膜１４の部分を除去して、パッド１２の少なくとも一部を露出させる開口部１６を形成する。開口部１６は、エッチングによって形成することができる。エッチングの手段は、化学的、物理的又はこれらの性質を組み合わせて利用したもののいずれであっても構わない。また、エッチングの特性は、等方性又は異方性のいずれであってもよい。後述するように、あらゆる方向に等しくエッチングされる等方性のエッチングであっても、本発明を適用することができる。
【００６２】
図２（Ｂ）に示すように、本参考例では、開口部１６を、平面視において貫通穴２２の形状の範囲内に形成する。このような開口部１６は、例えば異方性のエッチングによって形成することができる。これによって、貫通穴２２内に第１の金属層３０を形成すれば、パッド１２の表面を露出させないようにすることができる。また、レジスト層２０に形成した貫通穴２２を使用することで、絶縁膜１４の開口部１６を容易に形成することができる。
【００６３】
図３（Ａ）に示すように、貫通穴２２に第１の金属層３０を形成する。貫通穴２２は開口部１６に連通しているので、貫通穴２２に第１の金属層３０を形成することで、パッド１２に電気的に接続されたバンプを形成することができる。第１の金属層３０は、貫通穴２２の高さを超えないで、すなわち貫通穴２２の内側のみに形成してもよい。あるいは、第１の金属層３０は、レジスト層２０と面一となってもよく、貫通穴２２の高さを超えて形成してもよい。第１の金属層３０は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）などで形成してもよい。また、第１の金属層３０は、図３（Ａ）に示すように単一層であってもよく、これとは別に複数層から形成してもよい。
【００６４】
第１の金属層３０は、無電解メッキ（置換メッキを含む）によって形成してもよい。例えば、パッド１２がアルミニウムで形成されている場合には、アルカリ性亜鉛溶液を使用して、パッド１２上にジンケート処理を施してアルミニウム上の表面を亜鉛（Ｚｎ）に置換析出させる。この場合に、予めレジスト層２０を、２００℃程度に加熱しておくことが好ましい。これによって、レジスト層２０における強アルカリ性の溶液に対する耐性を高めることができる。また、レジスト層２０の熱による変形を防止するために、レジスト層２０に紫外線を照射してもよい。なお、パッド１２の表面に亜鉛を析出させるときに、パッド１２をアルカリ性亜鉛溶液に浸した後に、置換した亜鉛を硝酸によって溶解させ、再びアルカリ性亜鉛溶液に浸してもよい。次に、表面を亜鉛に置換したパッド１２に無電解ニッケルメッキ液を設けて、亜鉛とニッケルの置換反応を経てニッケルからなる第１の金属層３０をパッド１２上に形成する。
【００６５】
なお、パッド１２にジンケート処理を施す前に、半導体チップ１０の絶縁膜１４の残さを所定の溶液（例えば弱フッ酸溶液）で溶解することが好ましい。さらに、絶縁膜１４の残さを溶解した後に、パッド１２をアルカリ性溶液に浸して、パッド１２の露出部の酸化膜を除去することが好ましい。これらによって、パッド１２の表面を、良好にアルミニウムに置換することができる。
【００６６】
なお、例えば、ジンケート処理で第１の金属層３０をパッド１２上に形成する場合に、アルミニウム（パッド１２）上の亜鉛層が一部残っていてもよい。その場合、第１の金属層３０は、亜鉛層も含む。
【００６７】
あるいは、ジンケート処理とは別に、アルミニウムからなるパッド１２にパラジウムなどの還元剤を含む溶液を設けて、その後、無電解ニッケルメッキ液を設け、パラジウムなどを核としてニッケルからなる第１の金属層３０をパッド１２上に析出させてもよい。一般的に、ニッケルは金よりも短時間で形成することができる。なお、第１の金属層３０の厚みは、１５〜２５μｍ程度であってもよい。
【００６８】
図３（Ｂ）に示すように、レジスト層２０を除去する。上述した例に示すように、第１の金属層３０は、貫通穴２２の形状に応じて第１の金属層３０を形成することができる。すなわち、金属が等方成長する無電解メッキを適用しても、横（幅）方向への拡がりを抑えて高さ方向に第１の金属層３０を形成することができる。したがって、狭ピッチで複数のパッド１２が形成されていても、隣同士のパッド１２のショートを防止できるバンプを、それぞれのパッド１２に形成することができる。
【００６９】
図３（Ｃ）に示すように、必要があれば第１の金属層３０の表面に第２の金属層３２を形成する。第２の金属層３２は、第１の金属層３０を覆うように形成する。これによって、第２の金属層３２（ニッケル層）の酸化を防止できる。レジスト層２０を除去した後に形成する第２の金属層３２は、図３（Ｃ）に示すように単一層であってもよく、これとは別に複数層であっても構わない。第２の金属層３２の少なくとも表面層は、金で形成してもよい。金で形成することによって、配線パターン等との電気的接続をさらに確実にすることができる。なお、第１の金属層３０をニッケルで形成した場合には、第１の金属層３０（ニッケル層）に無電解金メッキ液を設けて、その表面に第２の金属層３２（金層）を形成してもよい。
【００７０】
無電解メッキによって第１の金属層３０又は第２の金属層３２を形成するときに、半導体チップ１０を所望の溶液に浸す場合には、半導体チップ１０の裏面や側面を予め保護膜で覆ってもよい。保護膜としてレジスト層を使用してもよい。レジスト層は、非感光性レジストであってもよい。レジスト層は、半導体チップ１０の側面及び裏面に２μｍ程度の厚みで形成してもよい。また、半導体チップ１０を溶液に浸す間は光を遮断することが好ましい。これによって、溶液に半導体チップ１０を浸したことによって起こる溶液中での電極間の電位変化を防止することができる。すなわち、各パッド１２に対する無電解メッキによる金属の析出などの処理を均一化することができる。
【００７１】
なお、パッド１２が銅を含む材料からなる場合には、例えばパッド１２にニッケル層（第１の金属層３０）を形成する場合に、パラジウムなどの還元剤を含む溶液をパッド１２に設けて、その後に無電解ニッケル溶液を設けることによって、パラジウムを核としてニッケル層を形成すればよい。
【００７２】
なお、これまでに記載の金属及び溶液は、一例であって、これに限定されるものではなく、例えば無電解メッキで使用する金属として銅（Ｃｕ）を使用してもよい。
【００７３】
本参考例によれば、一度形成したレジスト層２０を用いて、絶縁膜１４に開口部１６を形成し、パッドと接続する金属層（第１及び第２の金属層３０、３２）を形成するので、簡単な工程でバンプを形成することができる。レジスト層２０の貫通穴２２内に金属層（例えば第１の金属層３０）を形成した場合には、貫通穴２２の大きさに応じた形状で、すなわち所望な幅でバンプを形成することができる。
【００７４】
以上の工程によって、図４に示すように、半導体チップ１０のそれぞれのパッド１２に、第１の金属層３０及び必要に応じて形成する第２の金属層３２からなるバンプ４０を形成することができる。この半導体チップ１０は、フリップチップとして、基板にフェースダウンボンディングすることができる。その場合、基板に形成された配線パターン（ランド）と、バンプ４０と、を電気的に接続する。電気的接続には、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等の異方性導電材料を使用して、導電粒子をバンプ４０と配線パターンとの間に介在させてもよい。あるいは、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ロウ材（ハンダを含む）などによる金属接合や、絶縁樹脂の収縮力によって、バンプ４０と配線パターン（特にランド）とを電気的に接続してもよい。
【００７５】
（第２の参考例）
図５（Ａ）〜図６（Ｂ）は、本発明を適用した第２の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。本参考例では、第１の参考例で示した内容を可能な限り適用することができるので、重複する記載は省略する。なお、本参考例に限らず、以下に示す参考例では、他の参考例の内容を可能な限り適用することができる。
【００７６】
上述の参考例の図２（Ａ）に示したように、貫通穴２２を有するようにレジスト層２０を形成した後、図５（Ａ）に示すように、貫通穴２２を介して、絶縁膜１４の一部を除去する。本参考例では、絶縁膜１４の開口部１８は、レジスト層２０の貫通穴２２を超えた形状で形成されている。例えば、絶縁膜１４の一部を等方性のエッチングによって除去することで、このような開口部１８を形成してもよい。開口部１８は、図５（Ａ）に示すように、パッド１２の外周を超えない大きさで形成されてもよい。
【００７７】
図５（Ｂ）に示すように、貫通穴２２に第１の金属層３０を形成する。この場合に、平面視において開口部１８の形状は貫通穴２２よりも大きいので、開口部１８における貫通穴２２からはみ出す外側の部分に、第１の金属層３０が形成されにくい場合がある。これによって、図６（Ａ）に示すようにレジスト層２０を除去したときに、パッド１２上には、第１の金属層３０の周囲に絶縁膜１４からの露出部１３が形成されてしまう。そこで、本参考例では、図６（Ｂ）に示すように、レジスト層２０を除去した後に、第２の金属層３２を形成して露出部１３を覆う。
【００７８】
例えば、第２の金属層３２は内側及び外側の層３４、３６からなり、図６（Ｂ）に示すように、そのうちの内側の層３４によって露出部１３の表面を覆ってもよい。内側の層３４は、第１の金属層３０と同一部材であってもよく、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）などを使用することができる。こうすることで、パッド１２の表面を露出させることなく、バンプを形成することができる。また、外側の層３６は、金によって形成してもよい。
【００７９】
あるいは、単一層からなる第２の金属層３２によって、露出部１３を覆ってもよい。この場合に第２の金属層３２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）によって形成してもよい。
【００８０】
本参考例に係る半導体装置は、パッド１２を有する半導体チップ１０と、絶縁膜１４と、第１及び第２の金属層３０、３２を有するバンプと、を含む。
【００８１】
絶縁膜１４は、パッド１２の中央部に開口部１８が形成され、半導体チップ１０の面から各パッド１２の端部までを覆うように形成されている。第１の金属層３０は開口部１８の内側に形成され、第１の金属層３０と開口部１８との間に第２の金属層３２の少なくとも一部が形成されている。第２の金属層３２は、図６（Ｂ）に示すように、第１の金属層３０の表面を覆っており、その表面を覆ううちの一部が、第１の金属層３０と開口部１８との間に形成されてもよい。また、これとは別に、第２の金属層３２を、第１の金属層３０と開口部１８との間のみに形成してもよい。いずれにしても、本参考例によって、パッド１２を露出させることのないバンプを形成することができる。
【００８２】
（第３の参考例）
図７（Ａ）〜図８（Ｂ）は、本発明を適用した第３の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【００８３】
本参考例では、図７（Ａ）に示すように、絶縁膜１５が形成された半導体チップ１０を用意する。絶縁膜１５は、パッド１２の中央部を覆う部分が、半導体チップ１０の面からパッド１２の端部を覆う部分よりも薄く形成されている。絶縁膜１５は、単一層から形成されてもよく、複数層から形成されてもよい。例えば、図７（Ａ）に示すように、絶縁膜１５は、上層５０及び下層６０から形成されてもよい。この場合に、下層６０は、パッド１２の中央部に開口部６２を有し、半導体チップ１０の面からパッド１２の端部を覆うように形成される。また、上層５０は、下層６０及びパッド１２の中央部上に形成される。このようにして、パッド１２の中央部に絶縁膜１５の薄い部分１７が形成されていてもよい。
【００８４】
図７（Ａ）に示すように、半導体チップ１０の絶縁膜１５上に、貫通穴２２を有するレジスト層２０を形成する。貫通穴２２は、パッド１２の外周よりも内側であって、絶縁膜１５の薄い部分１７よりも外側に形成してもよい。絶縁膜１５が上層５０及び下層６０からなる場合は、下層６０のうちパッド１２の端部を覆う部分の上方に貫通穴２２の壁面が形成されてもよい。こうすることで、貫通穴２２内の絶縁膜１５の部分を除去した場合に、絶縁膜１５の開口部を、貫通穴２２を超えない形状で形成しやすくすることができる。詳しく言うと、絶縁膜１５の薄い部分１７の少なくとも一部を除去できる程度の時間や処理能力でエッチングすることによって、絶縁膜１５の厚い部分を除去することなく、絶縁膜１５の開口部を貫通穴２２を超えない形状で形成することができる。
【００８５】
また、これとは別に、貫通穴２２を絶縁膜１５の薄い部分１７の領域内に形成してもよい。この場合においても、貫通穴２２内の絶縁膜１５の薄い部分１７の少なくとも一部を除去すれば、絶縁膜１５の開口部を貫通穴２２を超えない形状で形成することができる。
【００８６】
また、さらに別に、貫通穴２２をパッド１２の外周及びその外側に形成しても構わない。このように貫通穴２２を形成しても、絶縁膜１５を除去するときに、例えば絶縁膜１５のパッド１２の端部を覆う部分（例えば下層６０）を除去せずに残すことで、半導体チップ１０及びパッド１２を絶縁膜１５から露出させずにバンプを形成することができる。
【００８７】
図７（Ｂ）に示すように、貫通穴２２を介して、絶縁膜１５の一部を除去する。絶縁膜１５の開口部を、その形状が貫通穴２２の大きさを超えるように形成してもよい。例えば、上層５０の開口部５２を貫通穴２２の形状を超えて形成してもよい。この場合に、下層６０の開口部６２を貫通穴２２を超えない形状で形成すれば、後の工程で形成する第１の金属層３０をパッド１２の表面を露出させずに形成することができる。また、下層６０の開口部６２を貫通穴２２を超えた形状で形成した場合であっても、上述した例に示すように、レジスト層２０を除去した後に、パッド１２における第１の金属層３０の周囲の露出部に、第２の金属層３２（図示しない）の少なくとも一部を形成して、その露出部を覆えばよい。
【００８８】
あるいは、貫通穴２２を超えない形状で絶縁膜１５の開口部を形成してもよい。例えば絶縁膜１５が上層５０及び下層６０からなる場合は、各層の開口部５２、６２を、貫通穴２２を超えない形状で形成してもよい。
【００８９】
図８（Ａ）に示すように、貫通穴２２に第１の金属層３０を形成する。下層６０の開口部６２を貫通穴２２を超えない形状で形成し、上層５０の開口部５２を貫通穴２２を超えた形状で形成した場合は、第１の金属層３０をその端部が下層６０上に載るように形成することができる。すなわち、第１の金属層３０の端部下に形成される絶縁膜１５の部分を、薄く形成することができる。これによって、バンプの端部下の絶縁膜１５による段差を小さくして、バンプとパッド１２との電気的接続を確実に図ることができる。
【００９０】
図８（Ｂ）に示すように、レジスト層２０を除去する。第１の金属層３０をその端部が絶縁膜１５（下層６０）上に載るように形成することで、パッド１２を露出させずに第１の金属層３０を形成することができる。また、第１の金属層３０の表面に第２の金属層（図示しない）を形成してもよい。例えば、上層５０の開口部５２と下層６０の開口部６２の大きさが異なる場合に、下層６０が端部下に形成された第１の金属層３０の表面に、上層５０を端部下に有する第２の金属層を形成してもよい。これによって、第１の金属層３０及び第２の金属層からなるバンプの端部下における絶縁膜１５による段差を階段状にして緩和して、バンプとパッド１２との電気的接続を確実に図ることができる。また、これとは別に、第１の金属層３０の周囲に絶縁膜１５からの露出部が形成される場合には、この露出部を覆うように第２の金属層を形成してもよい。
【００９１】
本参考例に係る半導体装置は、パッド１２を有する半導体チップ１０と、絶縁膜１５と、各パッド１２に形成されたバンプと、を含む。
【００９２】
絶縁膜１５は、パッド１２の中央部に開口部が形成され、半導体チップ１０の面から各パッド１２の端部までを覆うように形成されている。バンプは、その端部が絶縁膜１５上に載るように、絶縁膜１５の開口部よりも大きく形成されている。バンプは、上述した例に示すように第１の金属層３０を有してもよい。また、バンプは、第１の金属層３０の外側に形成された第２の金属層をさらに含んでもよい。絶縁膜１５は、バンプの端部下に形成されてなる薄い層と、半導体チップ１０の面に形成される厚い層と、を有する。例えば図８（Ｂ）に示すように、第１の金属層３０の端部下に、複数層からなる絶縁膜１５の下層６０の一部が入り込んでいてもよい。
【００９３】
これによれば、半導体チップ１０の面を厚い層によって覆い、かつ、バンプの端部下に形成する絶縁膜１５を薄い層にする。半導体チップ１０の面を厚い層で覆うことで、半導体チップ１０の耐湿性を高めることができる。また、バンプの端部下の絶縁膜１５による段差を小さくすることで、パッド１２とバンプとの接続信頼性を高めることができる。
【００９４】
（第４の参考例）
図９は、本発明を適用した半導体装置を示す図である。図９に示す半導体装置１は、上述したバンプ（例えば図３（Ｃ）で示したバンプ４０）がパッド１２上に形成された半導体チップ１０と、配線パターン７２が形成された基板７０と、複数の外部端子８０と、を含む。
【００９５】
この例では、半導体チップ１０は、基板７０に対してフェースダウンボンディングされている。半導体チップ１０と基板７０とは、異方性導電材料７４によって接着されている。そして、バンプ４０と配線パターン７２とは、導電粒子によって電気的に接続されている。
【００９６】
基板７０には、複数の外部端子８０が設けられている。外部端子８０は、図示しないスルーホールなどを介して配線パターン７２に電気的に接続されている。各外部端子８０は、ハンダボールであってもよい。ハンダなどを印刷してリフロー工程を経て外部端子８０を形成してもよい。外部端子８０はハンダのほかに銅などによって形成してもよい。また、積極的に外部端子８０を形成せずにマザーボード実装時にマザーボード側に塗布されるハンダクリームを利用し、その溶融時の表面張力で結果的に外部端子を形成してもよい。この半導体装置は、いわゆるランドグリッドアレイ型の半導体装置である。
【００９７】
（第５の参考例）
図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、第５の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【００９８】
本参考例では、図３（Ａ）に示すように第１の金属層３０を形成した後、図１０（Ａ）に示すように、レジスト層２０を残したまま第２の金属層３３を形成する。すなわち、第２の金属層３３を第１の金属層３０の上面に形成する。第２の金属層３３は、単一層又は複数層のいずれであってもよい。第２の金属層３３は、金（Ａｕ）で形成してもよい。第２の金属層３３が複数層からなる場合には、少なくとも表面の層を金で形成してもよい。第２の金属層３３の厚みは、０．１〜０．２μｍ程度であってもよい。なお、第２の金属層３３は、無電解メッキで形成してもよい。
【００９９】
図１０（Ｂ）に示すように、レジスト層２０を除去する。こうして、第１及び第２の金属層３０、３３を含む金属層４２を形成する。
【０１００】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、必要があれば、金属層４２に、ロウ材４４を設ける。詳しくは、第２の金属層３３にロウ材４４を設ける。ロウ材４４は、半導体チップ１０を図示しないリード（配線を含む）と電気的に接続するために使用する。ロウ材４４は、軟ロウ又は硬ロウのいずれであってもよく、例えばハンダ又は導電ペーストなどであってもよい。
【０１０１】
第２の金属層３３は、第１の金属層３０よりも、ロウ材４４になじみやすい材料で形成されることが好ましい。ロウ材４４としてハンダを使用した場合、第２の金属層３３は、第１の金属層３０よりも、ハンダに濡れやすい材料であることが好ましい。例えば、上述のように、第２の金属層３３の少なくとも表面は、金で形成されてもよい。これによって、ロウ材４４を良好な状態で第２の金属層３３に設けることができる。なお、第２の金属層３３の材料は、金に限定されず、ロウ材４４になじみやすいその他の金属であってもよい。
【０１０２】
金属層４２にハンダを設ける場合、例えば、金属層４２の上面（第２の金属層３３）をハンダ浴に浸すこと、すなわちディップ法で設けてもよい。その場合、ハンダはＡｕ層（第２の金属層３３）に付着しやすいので、容易に金属層４２上にハンダを設けることができる。あるいは、金属層４２を、溶融させたハンダの表面に接触させることで、第２の金属層３３にハンダを付着させてもよい。また、印刷法又はインクジェット方式によって、金属層４２上にハンダを設けてもよい。ハンダは、スズ（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）を含む材料から形成してもよい。金属層４２上に設けるハンダの高さは、例えば１０〜２０μｍ程度であってもよい。なお、本参考例のバンプは、金属層４２（第１及び第２の金属層３０、３３）と、ロウ材４４と、を含む。
【０１０３】
ロウ材４４は、スズ（Ｓｎ）を含む金属であってもよい。あるいは、ロウ材４４は、スズ（Ｓｎ）に銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる１つ又は複数の金属が加えられたものであってもよい。ロウ材４４の膜厚は、隣同士のバンプ間がショートしないように調整すればよい。例えば、バンプと接続する部材（例えばリード）の表面がＡｕの場合には、ロウ材４４の膜厚を約０．１〜３μｍにすれば十分な接合強度を有するＳｎ−Ａｕ共晶接合を形成できる。また、この程度の膜厚であれば、隣同士のバンプ間の距離が極めて近い距離（例えば約７μｍ）であっても、接合時にリフローすることで、バンプ間のショートを防止できる。
【０１０４】
あるいは、上述の例とは別に、第１の金属層３０に直接的に、ロウ材４４（第２の金属層）を設けてもよい。すなわち、バンプは、第１の金属層３０と、ロウ材４４と、を含む。例えば、ニッケル層（第１の金属層３０）にロウ材４４を塗布してバンプを形成してもよい。ロウ材４４は、第１の金属層３０の全体を覆うように形成してもよく、あるいは第１の金属層３０の上面に形成してもよい。
【０１０５】
本参考例では、金属層４２は、その上面に第２の金属層３３を有するので、例えば第２の金属層３３がロウ材４４になじみやすい材料からなる場合に、金属層４２に設けるロウ材４４の量を適量にすることができる。詳しくは、ロウ材４４を、金属層４２の上面のみに設けることができる。これによって、ロウ材４４を溶融させたときに、ロウ材４４が金属層４２の側面から横方向（隣のパッド１２の方向）に広がることを防ぐことができる。したがって、複数のパッド１２が狭ピッチに並んでいる場合でも、溶融したロウ材４４による各パッド１２の短絡をなくすことができる。
【０１０６】
（本発明の実施の形態）
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るバンプの形成方法を示す図である。本工程によって形成するバンプ４６（図１１（Ｂ）参照）は、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）と、ロウ材４４と、を含む。本実施の形態では、ロウ材４４を、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の周囲に、樹脂層２４を形成した状態で設ける。
【０１０７】
図１１（Ａ）に示すように、第１及び第２の金属層３０、３３を形成する。レジスト層２０を残して、第２の金属層３３を、第１の金属層３０の上面に形成してもよい。あるいは、第２の金属層３３は、レジスト層２０を除去した後に、第１の金属層３０の表面を覆うように形成してもよい。なお、第２の金属層３３は、第１の金属層３０よりも、ロウ材４４になじみやすい材料で形成してもよい。言い換えると、第２の金属層３３は、第１の金属層３０よりもロウ材４４が付着しやすい材料で形成してもよい。
【０１０８】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）にロウ材４４を設ける。本工程は、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の周囲に樹脂層２４を設けて行う。
【０１０９】
樹脂層２４は、パッド１２に形成された各金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の一部を避けて設ける。詳しくは、樹脂層２４は、第２の金属層３３の少なくとも一部を露出させて設ける。樹脂層２４は、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の上面を避けて設けてもよい。図示するように、樹脂層２４を金属層（第１及び第２の金属層）の上面とほぼ面一になるように設けてもよい。
【０１１０】
樹脂層２４は、レジスト層２０を除去した後に、改めて金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の周囲に形成してもよい。あるいは、樹脂層２４として、レジスト層２０を残して使用してもよい。後者の場合には、金属層（少なくとも第１の金属層３０）を形成するための層と、ロウ材４４を設けるための層と、を一度形成したレジスト層２０を使用するので工程の簡略化が図れる。なお、樹脂層２４としてレジスト層２０を使用する場合、第２の金属層３３は、レジスト層２０とほぼ面一になるように形成することが好ましい。
【０１１１】
樹脂層２４は、フォトリソグラフィ技術、エッチング、スクリーン印刷、インクジェット方式、ディスペンサーによる塗布などを適用して形成することができる。例えば、ポリイミド樹脂を、半導体チップ１０のパッド１２が形成された面で、複数の金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）を避けて、その上面とほぼ面一になるように塗布して設けてもよい。そして、必要があれば、エッチングなどによって、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の上面を露出させてもよい。この場合に、酸素プラズマを照射して露出させてもよい。なお、エッチングなどによって、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の一部を露出させることで、樹脂層２４の厚みを、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の厚み（高さ）よりも多少薄くしても構わない。
【０１１２】
こうして、樹脂層２４を形成した後に、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）にロウ材４４を設ける。ロウ材４４は、上述に既に説明した内容のものであってもよく、例えば、ハンダ（例えばスズ、銀及び銅を含む合金）であってもよい。また、ロウ材４４は、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の少なくとも樹脂層２４からの露出面を、溶融したハンダの表面に接触させることで設けてもよい。その場合、第２の金属層３３を、ロウ材４４になじみやすい材料で形成すれば、確実に第２の金属層３３にロウ材４４を設けることができる。なお、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）に設けるハンダの高さは、例えば１０〜２０μｍ程度であってもよい。
【０１１３】
これらによれば、樹脂層２４は、ハンダに濡れにくい（ハンダを弾きやすい）ので、金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の露出面のみに適量のハンダを設けることができる。詳しくは、ハンダが半導体チップ搭載時にパッド１２の周囲に余分に流れ出ることのない程度に、少量のハンダを設けることができる。これによって、ハンダ（ロウ材４４）が金属層（第１及び第２の金属層３０、３３）の側面から横方向（隣のパッド１２の方向）に広がることを防ぐことができる。したがって、複数のパッド１２が狭ピッチに並んでいる場合でも、溶融したロウ材４４による各パッド１２の短絡をなくすことができる。
【０１１４】
（第６の参考例）
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、第６の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。本参考例では、第１の金属層９０の形態が上述と異なる。
【０１１５】
図１２（Ａ）に示すように、第１の金属層９０を、レジスト層２０における貫通穴２２の高さを超えて、すなわち外側にはみ出して形成する。言い換えると、第１の金属層９０を、貫通穴２２からあふれ出るように形成する。第１の金属層９０は、無電解メッキで形成する場合には、作業温度及び時間、メッキ液の量及びｐＨ並びにメッキ回数（ターン数）などによって、その厚みをコントロールすればよい。
【０１１６】
第１の金属層９０は、貫通穴２２の外側の部分ではあらゆる方向に成長する。すなわち、第１の金属層９０は、貫通穴２２の外側において高さ方向のみならず幅方向にも成長する。こうして、第１の金属層９０は、その先端部が貫通穴２２の幅を超えて形成される。
【０１１７】
次に、第２の金属層９２を形成する。第２の金属層９２は、図示するように、レジスト層２０を残して形成してもよい。この場合には、第２の金属層９２は、第１の金属層９０の先端部（貫通穴２２の外側の部分）に形成される。あるいは、第２の金属層９２は、レジスト層２０を除去した後に形成してもよい。この場合に第２の金属層９２は、第１の金属層９０の表面を覆って形成してもよい。なお、第１及び第２の金属層９０、９２のその他の形態及び形成方法は、これまでに記載した内容を適用することができる。
【０１１８】
図１２（Ｂ）に示すように、レジスト層２０を除去する。こうして、バンプ１００（第１及び第２の金属層９０、９２）を形成する。バンプ１００は、本体部９４と、先端部９６と、を含む。
【０１１９】
バンプ１００の本体部９４は、パッド１２と接続して設けられている。本体部９４は、柱状（例えば円柱又は角柱）をなす。本体部９４は、貫通穴２２の形状に合わせて形成される。貫通穴２２をパッド１２を超えないように形成した場合には、本体部９４は、半導体チップ１０の平面視においてパッド１２の内側に形成される。また、本体部９４の厚み（高さ）は、レジスト層２０の貫通穴２２の高さに応じて形成される。
【０１２０】
バンプ１００の先端部９６は、本体部９４に接続して設けられる。先端部９６は、本体部９４の幅よりも大きい幅で形成される。例えば、本体部９４が半導体チップ１０の平面視において矩形をなす場合に、先端部９６は、本体部９４の少なくとも１辺（全ての辺であることが好ましい）を超えて形成される。また、１つのパッド１２に形成されるバンプ１００の先端部９６は、半導体チップ１０の平面視において、隣のパッド１２を向く方向と、それとは異なる方向と、にそれぞれ異なる長さで突出してもよい。例えば、先端部９６において、パッド１２を向く方向に本体部９４を超える部分は、それとは異なる方向に本体部９４を超える部分よりも、短く形成されてもよい。これによって、それぞれのパッド１２における先端部９６同士が電気的に接触することを防ぐことができる。なお、先端部９６は、パッド１２の幅よりも大きい幅で形成されてもよく、あるいは、本体部９４の幅よりも大きくてパッド１２の幅よりも小さい幅で形成されてもよい。
【０１２１】
バンプ１００（金属層）に、ロウ材４４を設ける。ロウ材４４は、上述の通りであり、例えばハンダであってもよい。ロウ材４４の形成方法は、既に記載した通りである。バンプ１００は、先端部９６が本体部９４よりも大きく形成されることで、先端部９６における本体部９４を超える部分と、本体部９４と、の間にロウ材４４を蓄える空間９８を有する。例えば、空間９８は、先端部９６におけるパッド１２を向く面と、本体部９４の側面と、で形成される入り隅に形成されてもよい。バンプ１００に設けられたロウ材４４のうち余分な一部を、空間９８に蓄えることで、隣のパッド１２の方向にロウ材４４が流れないようにすることができる。なお、本体部９４及び先端部９６のそれぞれの形態（金属層の幅など）は、ロウ材４４を蓄えやすいように自由に決めることができる。
【０１２２】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示す例とは別に、第２の金属層９２を貫通穴２２からあふれ出るように形成してもよい。すなわち、第１の金属層９０をレジスト層２０を超えない高さで形成し、レジスト層２０を残した状態で、第２の金属層９２をレジスト層２０を超えるように形成してもよい。その場合であっても、上述に示した効果を得ることができる。
【０１２３】
なお、上述の説明では、バンプ１００は、第１及び第２の金属層９０、９２を含むものとしたが、これとは別に、バンプ１００は、第１及び第２の金属層９０、９２と、ロウ材４４と、を含むものとしてもよい。
【０１２４】
本参考例によれば、第１の金属層９０（又は第２の金属層９２）を、貫通穴２２からあふれ出るように形成し、先端部を貫通穴２２よりも大きい幅で形成する。こうすることで、バンプ１００にロウ材４４の一部を蓄える空間９８を形成することができる。したがって、ロウ材４４を、バンプ１００（金属層）の外側に広げずに、すなわち各パッド１２を短絡させずに設けることができる。
【０１２５】
次に、本参考例に係る半導体装置について説明する。半導体装置は、複数のパッド１２を有する半導体チップ１０と、本体部９４及び先端部９６を有するバンプ１００と、を含む。
【０１２６】
バンプ１００については、既に記載した通りである。先端部９６は、第１及び第２の金属層９０、９２又は第２の金属層９２で形成される。また、第２の金属層９２は、先端部９６のみに形成されてもよく、あるいは先端部９６及び本体部９４に形成されてもよい。なお、先端部９６及び本体部９４の形状及び大きさは特に限定されない。
【０１２７】
バンプ１００は、ロウ材４４を蓄える空間９８を有する。詳しくは、バンプ１００は、ロウ材４４の溶融時にその一部が入り込んで蓄えられるような空間９８を有する。空間９８の形態は限定されず、先端部９６と本体部９４とのそれぞれの面によって構成される入り隅に形成されてもよい。
【０１２８】
本参考例に係る半導体装置によれば、例えば、半導体チップ１０をインターポーザ（基板）等にロウ材４４を介して搭載するときに、溶融するロウ材４４を隣のパッド１２の方向に流さずに空間９８に蓄えることができる。すなわち、複数のパッド１２が狭ピッチである場合でも、それぞれのパッド１２を短絡させることがない。したがって、信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【０１２９】
（第７の参考例）
図１３（Ａ）〜図１６（Ｂ）は、本発明を適用した第７の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）は、本参考例における変形例を示す図である。本参考例では、第２の金属層１８０を電解メッキで形成する。
【０１３０】
図１３（Ａ）に示すように、半導体チップ１０に形成された絶縁膜１４上に、導電膜１７０を形成する。導電膜１７０は、第２の金属層１８０を電解メッキによって形成するためのメッキリードとなるものである。導電膜１７０は、少なくとも各パッド１２の上方から、所定の形状で絶縁膜１４上に引き廻される。詳しくは、導電膜１７０は、半導体チップ１０の平面視において、各パッド１４から半導体チップ１０の外周の方向に引き廻される。導電膜１７０は、絶縁膜１４上で、各パッド１２を覆うように形成してもよい。すなわち、導電膜１７０は、各パッド１２の位置に対応して、ランド状に形成してもよい。あるいは、導電膜１７０は、各パッド１２を通るように、ライン状に形成してもよい。導電膜１７０の厚さは、後に形成する第１の金属層３０との電気的接続を考慮して自由に決めることができるが、例えば、５０〜２００ｎｍ程度であってもよい。また、導電膜１７０は、導電部材であればその材料は限定されず、例えばニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）のうちいずれかの材料で形成してもよい。導電膜１７０の形成方法も限定されず、例えばスパッタ法、蒸着法などで形成すればよい。
【０１３１】
図１３（Ｂ）に示すように、導電膜１７０を形成した後、レジスト層２０を形成する。レジスト層２０は、絶縁膜１４上及び絶縁膜１４の導電膜１７０が形成された部分の上に形成する。導電膜１７０の一部がパッド１２の上方にランドとして形成される場合には、レジスト層２０の貫通穴２２を、そのランドの内側に外周が位置するように形成する。これによって、貫通穴２２の平面形状に従って、導電膜１７０に開口部１７２を形成したときに、導電膜１７０と第１の金属層３０との電気的接続を図ることができる。なお、レジスト層２０の厚さは、限定されないが、例えば１５〜４０μｍ程度に形成してもよい。
【０１３２】
図１３（Ｃ）に示すように、それぞれの貫通穴２２の内側にて、絶縁膜１４の開口部１６及び導電膜１７０の開口部１７２を形成する。各開口部１６、１７２は、連通するように形成し、これによって、貫通穴２２の内側にパッド１２の少なくとも一部を露出させる。開口部１６、１７２は、エッチングで形成してもよく、その手段は、ウェットエッチング又はドライエッチングのいずれであってもよい。絶縁膜１４及び導電膜１７０は、一体的に開口させてもよく、あるいは導電膜１７０に開口部１７２を形成した後、絶縁膜１４に開口部１６を形成してもよい。開口部１６、１７２は、図示するように貫通穴２２の外周とほぼ同じ大きさで形成してもよく、あるいは、貫通穴２２の外周を超えない大きさの外周で形成してもよい。
【０１３３】
図１４（Ａ）に示すように、第１の金属層３０を形成する。第１の金属層３０は、無電解メッキで形成してもよい。第１の金属層３０は、貫通穴２２内で、導電膜１７０に至る高さで形成する。例えば、第１の金属層３０を、絶縁膜１４と導電膜１７０の合計の厚さよりも厚く形成する。これによって、第１の金属層３０を、貫通穴２２の外周で導電膜１７０に接続することができる。また、第１の金属層３０は、レジスト層２０よりも低く形成してもよい。こうすれば、第２の金属層１８０を電解メッキで形成する場合、第２の金属層１８０を貫通穴２２の幅で形成することができる。すなわち、第２の金属層１８０が等方成長することを抑制し、所定の幅で第１の金属層３０上に形成することができる。なお、第１の金属層３０の厚さ（高さ）は、限定されないが、例えば１〜３０μｍ程度に形成してもよい。
【０１３４】
なお、第１の金属層３０は、複数層で形成してもよい。第２の金属層１８０をロウ材で形成する場合、第１の金属層３０の第２の金属層１８０と接続する上層は、パッド１２と接続する下層よりも、ロウ材になじみやすい材料で形成してもよい。例えば、第１の金属層３０の上層は、金で形成してもよい。
【０１３５】
図１４（Ｂ）に示すように、第２の金属層１８０を形成する。第２の金属層１８０は、電解メッキで形成する。詳しくは、第１の金属層３０と電気的に接続する導電膜１７０を電極として、電解メッキによって、第１の金属層３０に接続する第２の金属層１８０を形成する。第２の金属層１８０は、図示するようにレジスト層２０のほぼ面一となるように形成してもよく、あるいはレジスト層２０よりも低く形成してもよい。
【０１３６】
ここで、第２の金属層１８０は、ロウ材であってもよい。すなわち、無電解メッキで設けた第１の金属層３０に、ロウ材を設けてもよい。ロウ材は、上述に説明した通りであるが、例えばハンダを使用してもよい。ハンダの組成は、限定されないが、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、ＳｎＺｎなどであってもよい。ハンダを電解メッキで形成すれば、無電解メッキで形成するよりも、その組成のばらつきを小さくすることができる。そのため、ハンダの溶融温度のばらつきを小さくすることができる。さらに、第１の金属層３０は、簡単な工程である無電解メッキで形成するので、全部を電解メッキで形成するよりも簡単に金属層を形成できる。
【０１３７】
図１４（Ｃ）に示すように、レジスト層２０を除去する。レジスト層２０を除去すると、絶縁膜１４上の導電膜１７０が露出する。
【０１３８】
図１５（Ａ）に示すように、導電膜１７０を除去する。導電膜１７０は、ウェットエッチング又はドライエッチングなどで除去することができる。なお、導電膜１７０は、第２の金属層１８０を形成した後に本工程で除去するので、導電膜１７０を予め厚く形成しておいても構わない。
【０１３９】
図１５（Ｂ）に示すように、レジスト層２０及び導電膜１７０を除去した後、必要であれば、リフロー工程を行ってもよい。リフロー工程は、フラックス塗布後に行ってもよく、あるいはフラックスなしで窒素雰囲気中で行なってもよい。フラックスを使用する場合には、リフロー工程終了後に、洗浄工程を行うことが好ましい。リフローの形態は、限定されず、赤外線炉、遠赤外線炉又は熱風炉などのリフロー炉を使用してもよい。また、レーザやハロゲン光などで照射してもよく、スポット照射又は一括照射のいずれであってもよい。なお、上述の例では、レジスト層２０を除去した後にリフロー工程を行うが、これとは別に、レジスト層２０を残した状態でリフロー工程を行ってもよい。その場合、リフロー工程終了後に、レジスト層２０を除去する。
【０１４０】
こうして、各パッド１２に、第１及び第２の金属層３０、１８０を含むバンプ１０２を形成することができる。これによれば、簡単な工程で接続信頼性の高いバンプを形成することができる。
【０１４１】
次に、本参考例における変形例を示す。図１４（Ａ）に示すように第１の金属層３０を形成した後、図１６（Ａ）に示すように第２の金属層１８２を貫通穴２２からあふれ出るように形成する。すなわち、第２の金属層１８２をレジスト層２０よりも高く形成する。その後、図１６（Ｂ）に示すように、レジスト層２０を除去した後、必要に応じてリフロー工程を行う。こうして、各パッド１２に、第１及び第２の金属層３０、１８２を含むバンプ１０４を形成することができる。本変形例においても、上述に説明した効果を得ることができる。
【０１４２】
（第８の参考例）
図１７（Ａ）〜図１８（Ｂ）は、本発明を適用した第８の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。本参考例では、第２の金属層１８４を印刷法によって形成する。
【０１４３】
図１７（Ａ）に示すように、レジスト層２０の貫通穴２２を介して、絶縁膜１４に開口部１６を形成する。これによって、各パッド１２の少なくとも一部を露出させる。
【０１４４】
図１７（Ｂ）に示すように、第１の金属層３０を形成する。第１の金属層３０は、無電解メッキで形成する。第１の金属層３０は、レジスト層２０よりも低く形成する。詳しくは、後の工程で、貫通穴２２を超えない高さで、第２の金属層１８４を形成できるスペースを残すように、第１の金属層３０を低く形成する。
【０１４５】
なお、第１の金属層３０は、複数層で形成してもよい。第２の金属層１８４をロウ材で形成する場合、第２の金属層１８４と接続する上層は、パッド１２と接続する下層よりも、ロウ材になじみやすい材料で形成してもよい。例えば、第１の金属層３０の上層は、金で形成してもよい。
【０１４６】
図１７（Ｃ）に示すように、第２の金属層１８４を印刷法によって形成する。その場合、レジスト層２０を印刷用マスクとして利用する。詳しくは、レジスト層２０よりも低く形成された第１の金属層３０によって生じる段差を、マスクの開口として利用する。ここで、第２の金属層１８４は、上述したハンダなどのロウ材であってもよい。例えば、ペースト状のハンダを、レジスト層２０上にのせて、これを図示しないスキージによって貫通穴２２に充填する。第２の金属層２２（例えばロウ材）の厚さは、レジスト層２０及び第１の金属層３０の厚さを、相対的に考慮して決定することができる。
【０１４７】
図１８（Ａ）に示すように、リフロー工程を行う。リフロー工程は、レジスト層２０を残したままの状態で行ってもよい。例えば、レーザ光などを照射して溶融させ、表面張力によって半ボール状にしてもよい。
【０１４８】
その後、図１８（Ｂ）に示すように、レジスト層２０を除去する。これによれば、レジスト層２０の除去によって、貫通穴２２に形成した第２の金属層１８４（例えばロウ材）との版離れを行うので、マスクの版離れの良し悪しに関係なく、確実に第１の金属層３０上に第２の金属層１８４を設けることができる。また、マスクへの染み出しによって、材料の塗布量が変化することもない。こうして、各パッド１２に第１及び第２の金属層３０、４４を含むバンプ１０６を形成することができる。
【０１４９】
なお、上述の例では、レジスト層２０を残した状態でリフロー工程を行うが、これとは別に、レジスト層２０を除去した後に、リフロー工程を行ってもよい。
【０１５０】
本参考例によれば、改めて印刷用マスクを形成する必要がないので、少ない工程で第２の金属層１８４を設けることができる。また、メタルマスクなどを使用する必要がないので、製造工程に使用する部品点数をなくせるし、マスクの版離れの良し悪しを考慮する必要がない。
【０１５１】
（第９の参考例）
図１９は、本発明を適用した第９の参考例に係る半導体装置を示す図である。半導体装置３は、第８の参考例で説明したバンプを有する半導体チップ１０と、配線パターン７２が形成された基板７０と、複数の外部端子８０と、を含む。なお、半導体チップ１０は、基板７０にフェースダウン実装され、半導体チップ１０と基板７０との間には、アンダーフィル材として樹脂が充填されている。
【０１５２】
バンプは、第１の金属層３０（例えばニッケル層又は銅層）と、第２の金属層１８４（例えばハンダ）と、を含む。そして、第２の金属層１８４によって、各パッド１２上の第１の金属層３０と、配線パターン７２の各配線と、がロウ接されている。半導体チップ１０には、簡単な工程で、かつ、接続信頼性の高いロウ材が設けられている。したがって、低コストかつ高信頼性の半導体装置を提供することができる。
【０１５３】
なお、本参考例で示す半導体装置の形態は、その他の上述の参考例で示した、ロウ材が設けられた半導体チップ１０に適用することができる。
【０１５４】
（本発明の関連技術）
図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）は、本発明の関連技術に係るバンプの形成方法を示す図であり、第２の金属層１１０の形態が上述と異なる。第２の金属層１１０は、複数層であってもよい。図示する例では、第２の金属層１１０は、第１及び第２の層１１２、１１４を含む。
【０１５５】
図２０（Ａ）に示すように、第１の層１１２を、第１の金属層３０に形成する。第１の層１１２は、第１の金属層３０の表面を覆うように形成することが好ましい。あるいは、第１の層１１２は、レジスト層を使用して、第１の金属層３０の上面に形成してもよい。第１の層１１２は、第１の金属層３０をレジスト層の貫通穴によって形成し、レジスト層を除去した後に形成してもよい。第１の金属層３０は、上述の通りであり、例えばニッケル層（Ｎｉ層）であってもよい。第１の層１１２は、金層（Ａｕ層）であってもよい。例えば、金メッキ液を第１の金属層３０（Ｎｉ層）に設けて、Ｎｉ層の表面にＡｕを置換析出させてもよい。この場合に、半導体チップ１０を金メッキ液に浸して行ってもよい。第１の層１１２（Ａｕ層）の厚みは、例えば、０．１〜０．２μｍ程度であってもよい。
【０１５６】
図２０（Ｂ）に示すように、第１の層１１２の表面に第２の層１１４を形成する。第２の層１１４は、金層（Ａｕ層）であってもよい。例えば、所定の還元剤を含む金メッキ液に浸して、すなわち自己触媒メッキで、第２の層１１４（Ａｕ層）を形成してもよい。なお、半導体チップ１０を溶液に浸す場合には、半導体チップ１０への光を遮断することが好ましい。第２の層１１４（Ａｕ層）の厚みは、例えば、第１の層１１２（Ａｕ層）との合計が０．３〜０．７μｍとなるような厚みであってもよい。
【０１５７】
こうして、第１及び第２の金属層３０、１１０からなるバンプ１２０を形成することができる。バンプ１２０は、Ａｕ層（第１及び第２の層１１２、１１４）が外側に形成されている。
【０１５８】
本関連技術によれば、Ａｕ層（第２の金属層１１０）を、複数層に形成することで厚く形成することができる。したがって、バンプ１２０の全体を金で形成した場合と同様にして、ニッケル（第１の金属層３０）の表面にＡｕ層（第２の金属層１１０）を形成したバンプ１２０であっても、例えばリードと直接的に（ロウ材等を使用せずに）接続することができる。
【０１５９】
なお、本関連技術では、第２の金属層１１０を例えば０．３〜０．７μｍ程度に厚く形成できればよく、その形成方法は上述に限定されない。例えば、メッキ浴の組成を適切に選ぶことで、第１の層１１２を、還元剤を使用して（自己触媒メッキで）形成してもよい。
【０１６０】
また、上述の説明では、レジスト層の貫通穴で第１の金属層３０を形成する方法を示したが、パッド１２に開口部１６を形成した後に、第１の金属層３０を等方成長させてもよい。すなわち、第１の金属層３０を高さ方向のみならず幅方向にも成長させてもよい。
【０１６１】
次に、本関連技術に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２１及び図２２は、半導体装置の製造方法を示す図である。
【０１６２】
図２１に示すように、半導体チップ１０のバンプ１２０を、リード１３０に電気的に接続する。本関連技術に示す例では、ＴＡＢ技術を適用した例を示す。リード１３０は、基板１４０（テープ）に形成されている。基板１４０は、デバイスホール１４２を有し、複数のリード１３０がデバイスホール１４２の内側に突出する。半導体チップ１０は、基板１４０のデバイスホール１４２に配置して、それぞれのバンプ１２０を、いずれかのリード１３０の一部（インナーリード１３２）に接合させる。リード１３０は、必要に応じて、先端部においてバンプ１２０に向けて屈曲してもよい。リード１３０の材料は、限定されないが、例えば銅であってもよい。
【０１６３】
リード１３０は、少なくともインナーリード１３２でメッキされている。インナーリード１３２におけるメッキ層１３４の厚みは限定されない。メッキ層１３４は、スズ層（Ｓｎ層）であってもよい。
【０１６４】
バンプ１２０は、第２の金属層１１０（Ａｕ層）が例えば０．３〜０．７μｍ程度に厚く形成されている。したがって、バンプ１２０と、インナーリード１３２と、によって共晶接合を図ることができる。詳しくは、第２の金属層１１０（Ａｕ層）と、インナーリード１３２のメッキ層（Ｓｎ層）と、によって共晶を形成することで、両者を電気的に接続することができる。すなわち、バンプの形成工程によって、第２の金属層１１０（Ａｕ層）を厚く形成することで、第２の金属層１１０（Ａｕ層）を他の導電部材と直接的に（ロウ材等を使用せずに）接合することができる。共晶接合は、バンプ１２０及びインナーリード１３２を例えば４００℃程度に加熱して行う。この場合に、瞬間的に高温で加熱して半導体チップ１０等に過度の熱ストレスを与えないように、予め、半導体チップ１０を例えば２００℃〜４００℃程度にアニールしておくことが好ましい。アニールは、大気、窒素又は真空雰囲気中で行うことができる。
【０１６５】
第２の金属層１１０（Ａｕ層）は、他の導電部材と共晶接合を行える程度に厚く形成されている。これによれば、バンプ１２０を、第１及び第２の金属層３０、１１０の両方を金で形成した場合よりも、低コストでインナーリード１３２との接合を図ることができる。
【０１６６】
なお、インナーリード１３２のメッキ層１３４をＡｕ層で形成し、バンプ１２０の第２の金属層１１０と、メッキ層１３４と、を熱圧着して接合してもよい。
【０１６７】
図２２は、バンプ１２０と、リード１５０と、における接続形態の変形例を示す図である。リード１５０は、基板１６０に形成されている。リード１５０は、配線であり、複数の配線が基板１６０に所定の形状に形成されて、配線パターンが形成される。配線パターンは、バンプ１２０との接続部（ランド１５２）を有する。ランド１５２は、そこに接続されるラインよりも面積が大きく形成される。配線パターンは、少なくともランド１５２においてメッキされている。配線パターンの図示しないメッキ層は、Ｓｎ層であってもよい。
【０１６８】
半導体チップ１０を基板１６０に搭載して、バンプ１２０とランド１５２とを接合する。詳しくは、半導体チップ１０を基板１６０にフェースダウンボンディングする。本変形例の場合でも、バンプ１２０の第２の金属層１１０（Ａｕ層）と、ランド１５２のメッキ層（Ｓｎ層）と、によって共晶を形成することができる。なお、半導体チップ１０と基板１６０との間には図示しない樹脂を設けることが一般的である。この樹脂は、アンダーフィル材として使用してもよい。
【０１６９】
なお、ランド１５２のメッキ層をＡｕ層で形成し、バンプ１２０の第２の金属層１１０と、メッキ層１３４と、を熱圧着して接合してもよい。
【０１７０】
（第１変形例）
次に、本関連技術におけるバンプの形成方法の第１変形例を示す。
【０１７１】
まず、第１の金属層３０（Ｎｉ層）に第１の層１１２（Ａｕ層）を形成する。例えば、金メッキ液を第１の金属層３０に設けて、ニッケルの表面に金を置換析出させてもよい。
【０１７２】
そして、第２の層１１４を第１の層１１２の表面に形成する。この例では、第２の層１１４は、Ｓｎ層である。詳しくは、所定の還元剤を含むスズメッキ液に浸して、すなわち自己触媒メッキで、第２の層１１４（Ｓｎ層）を形成する。スズメッキ液は、ＳｎＣｌ₂を成分として含んでもよい。また、還元剤としてＴｉＣｌ₃を使用してもよい。また、メッキ液中には、錯化剤、緩衝剤及び安定剤が添加される。例えば、メッキ液中には、クエン酸、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）二ナトリウム塩、ニトリロ三酢酸などが含まれてもよい。なお、第２の層１１４（Ｓｎ層）を形成するときに、メッキ液をｐＨ８．５程度にして、８０℃程度に加熱して行ってもよい。
【０１７３】
この例によれば、第２の層１１４（Ｓｎ層）によって、バンプ１２０とリード１３０（１５０）とを共晶接合できる。なお、この例による半導体装置の製造方法において、リード１３０（１５０）のメッキ層は、Ａｕ層であることがこの好ましい。これによれば、Ｓｎ−Ａｕの共晶合金を形成できる。
【０１７４】
あるいは、第１の層１１２はパラジウム層（Ｐｄ層）であり、第２の層１１４はスズ層（Ｓｎ層）であってもよい。この場合には、Ｐｄ層（第１の層１１２）を自己触媒メッキで第１の金属層３０に形成し、さらにその上にＳｎ層（第２の層１１４）を積層させる。
【０１７５】
第２の金属層１１０は、上述した金属に限定されず、例えば、第１の層１１２は、銅層（Ｃｕ層）又は銅とパラジウムを含む層（Ｃｕ＋Ｐｄ層）であってもよい。詳しくは、Ｎｉ層（第１の金属層３０）上に選択的にパラジウム核を設けて、Ｃｕを１〜３μｍ程度で自己触媒メッキによって形成する。もしくは、パラジウム核の上にさらに自己触媒メッキでＰｄを０．２〜０．５μｍ程度に形成し、さらにＣｕを１〜３μｍ程度で自己触媒メッキによって形成する。最終的に、Ｓｎ層を置換メッキによってＣｕ層の表面に形成することでバンプを形成する。
【０１７６】
上述とは別に、第１の金属層３０に、蒸着法でＳｎと、Ａｇ、Ｃｕ、ＢｉもしくはＺｎの少なくとも１つと、を含む金属又はＳｎを含む金属を形成してもよい。これらの合金は、０．２μｍ〜０．３μｍ程度の膜厚で形成してもよい。あるいは、第１の層としてＡｕ層を置換メッキで第１の金属層３０に形成した後に、蒸着法で上述のＳｎ層等を形成してもよい。
【０１７７】
（第２変形例）
次に、本関連技術におけるバンプの形成方法の第２変形例を示す。この例においても、第２の金属層１１０における第２の層１１４の形態が異なる。
【０１７８】
この例では、第２の層１１４を形成するために使用するスズメッキ液中に、Ｃｕ又はＡｇの少なくともいずれか一方を含ませておく。Ｃｕ又はＡｇは、微粒子として、スズメッキ液中に含ませてもよい。粒子の径は、１０〜１００ｎｍ程度であってもよい。例えば、約７０ｎｍの径を有するＡｇ粒子を、メッキ液中に例えば約５ｇ／ｌの量で含ませてもよい。あるいは、約１００ｎｍの径を有するＣｕ粒子を、メッキ液中に例えば約３ｇ／ｌの量で含ませてもよい。これらの粒子は、加熱させたメッキ液中で攪拌させる。
【０１７９】
このようなスズメッキ液を使用して、第２の層１１４を形成する。詳しくは、Ｓｎを析出させるとともに、Ｃｕ又はＡｇの少なくともいずれか一方を析出させる。第２の層１１４は、Ｓｎ層である。詳しくは、第２の層１１４は、スズメッキ液中に混入する粒子によって、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕのいずれかの層に形成される。なお、第２の層１１４の厚みは限定されず、例えば５μｍ程度であってもよい。
【０１８０】
この例によれば、例えばバンプ１２０とリード１３０（１５０）とを接合する場合に、リード１３０（１５０）のメッキ層１３４が例えば金以外の材料からなっても、バンプ１２０とリード１３０（１５０）とを良好に接合することができる。すなわち、バンプ１２０をハンダで形成した場合と同様にして、バンプ１２０とリード１３０（１５０）とを接合することができる。
【０１８１】
なお、バンプ１２０と接合するリード１３０（１５０）のメッキ層の材料は、限定されず、例えば金、スズ又は銅であってもよい。また、バンプ１２０とリード１３０（１５０）との接合は、約２５０℃に両者を加熱して行ってもよい。
【０１８２】
図２３には、本実施の形態に係る半導体装置１を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板１０００には例えばガラスエポキシ基板やポリイミドフィルム等の有機系基板あるいは液晶表示体基板などのガラス基板を用いることが一般的である。回路基板１０００には例えば銅などからなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置１の外部端子８０とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
【０１８３】
そして、本発明を適用した半導体装置１を有する電子機器として、図２４にはノート型パーソナルコンピュータ１２００、図２５には携帯電話１３００が示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、第１の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図２】 図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、第１の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図３】 図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、第１の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図４】 図４は、第１の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図５】 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、第２の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図６】 図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、第２の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図７】 図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、第３の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図８】 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、第３の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図９】 図９は、第４の参考例に係る半導体装置を示す図である。
【図１０】 図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、第５の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１１】 図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１２】 図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、第６の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１３】 図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）は、第７の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１４】 図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、第７の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１５】 図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、第７の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１６】 図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）は、第７の参考例に係るバンプの形成方法の変形例を示す図である。
【図１７】 図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）は、第８の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１８】 図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、第８の参考例に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図１９】 図１９は、第９の参考例に係る半導体装置を示す図である。
【図２０】 図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）は、本発明の実施の形態に適用する技術に係るバンプの形成方法を示す図である。
【図２１】 図２１は、本発明の実施の形態に適用する技術に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２２】 図２２は、本発明の実施の形態に適用する技術に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２３】 図２３は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が搭載された回路基板を示す図である。
【図２４】 図２４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図２５】 図２５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ
１２ パッド
１４ 絶縁膜
１５ 絶縁膜
１６ 開口部
１８ 開口部
２０ レジスト層
２２ 貫通穴
２４ 樹脂層
３０ 第１の金属層
３２ 第２の金属層
３３ 第２の金属層
４０ バンプ
４２ 金属層
４４ ロウ材
４６ バンプ
５０ 上層
５２ 開口部
６０ 下層
６２ 開口部
７０ 基板
７２ 配線パターン
７４ 異方性導電材料
８０ 外部端子
９０ 第１の金属層
９２ 第２の金属層
９４ 本体部
９６ 先端部
９８ 空間
１００ バンプ
１０２ バンプ
１０４ バンプ
１０６ バンプ
１１０ 第２の金属層
１１２ 第１の層
１１４ 第２の層
１２０ バンプ
１３０ リード
１５０ リード
１７０ 導電膜
１７２ 開口部
１８０ 第２の金属層
１８２ 第２の金属層
１８４ 第２の金属層

Claims (2)

1. 開口部を有する絶縁膜がパッドの一部を前記開口部によって露出させて前記開口部からの露出部以外では前記パッドを覆い、金属層が前記パッドの前記絶縁膜からの前記露出部上に配置され、樹脂層が前記金属層の上面を避けて前記金属層の周囲に位置するように、前記パッド、前記絶縁膜、前記金属層及び前記樹脂層を配置する工程と、
   ロウ材を、前記樹脂層に弾かせて、前記金属層の前記上面に設ける工程と、
   を含み、
   前記金属層は、第１の金属層と、前記第１の金属層の表面に形成されてなる第２の金属層と、からなり、
   前記第２の金属層を、無電解メッキによって形成し、
   前記第２の金属層は、第１及び第２のＡｕ層で形成し、
   前記第１のＡｕ層を、置換メッキで前記第１の金属層の表面に形成し、
   前記第２のＡｕ層を、自己触媒メッキで前記第１のＡｕ層の表面に形成するバンプの形成方法。
2. 請求項１に記載のバンプの形成方法によって、半導体チップに形成された前記パッド上に前記金属層を形成する半導体装置の製造方法。

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