JP2004014854A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/0504—14th Group
- H01L2924/05042—Si3N4
Abstract
【解決手段】CSP構造がウェハレベルで形成されたウェハレベルパッケージ構造を有する半導体装置であって、半導体基板と、半導体基板の上方に形成された電極パッドと、電極パッドの面積より小さい面積で、電極パッドの上に電気的に接続されて形成されたテール端子とを含む。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に係り、さらに詳しくは、CSP(Chip Size Pakage)プロセスをウエハ上で行うようにしたウェハレベルパッケージ構造を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、マルチメディア機器を実現するためのキーテクノロジーであるLSI技術はデータ伝送の高速化、大容量化に向かって着実に開発が進んでいる。これに伴って、LSIと電子機器とのインターフェイスとなる実装技術の高密度化が進められている。
【0003】
そのような要求に応じるICパッケ−ジとして、チップサイズと略同等の大きさにパッケ−ジされたCSP(チップサイズパッケ−ジ)が知られている。さらには、ウエハ段階でCSP構造に係る成膜や加工などを行い、その後にダイシングして個別のCSPを得るようにしたウエハレベルCSPが知られている。
【0004】
(従来技術1)
図14及び図15は従来技術1のウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図である。図14(a)に示すように、半導体基板100には所定の素子及び多層配線(不図示)が形成されており、多層配線に係る層間絶縁膜102に電極パッド104が埋め込まれ、この層間絶縁膜102上には電極パッド104が露出するようにしてパシベーション膜106が形成されている。
【0005】
従来技術1に係るウェハレベルCSPのバンプ形成方法は、まず、このような構造を有する半導体基板100を用意し、図14(b)に示すように、パシベーション膜106及び電極パッド104上にめっき給電層を兼ねたバリア導電膜108を形成した後、バリア導電膜108上に第1ドライフィルムフォトレジスト110をラミネートする。
【0006】
続いて、図14(c)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト110を露光・現像することにより、電極パッド104を含む領域のバリア導電膜108上に開口部110aを形成する。
【0007】
次いで、図14(d)に示すように、バリア導電膜108をめっき給電層に利用した電解めっきにより、第1ドライフィルムフォトレジスト110の開口部110a内に金(Au)膜又は銅(Cu)膜などを成長して金属バンプ112を形成する。
【0008】
続いて、図15(a)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト110を剥離した後、図15(b)に示すように、金属バンプ112及びバリア導電膜108上に第2ドライフィルムフォトレジストをラミネートし、これを露光・現像することにより、金属バンプ112の上面及び側面をカバーするレジストマスク114aを形成する。
【0009】
次いで、図15(c)に示すように、このレジストマスク114aをマスクに利用して、露出するバリア導電膜108をウェットエッチングする。このとき、バリア導電膜108はレジストマスク114aの内側にサイドエッチングされてバリア膜パターン108aが形成される。
【0010】
その後、図15(d)に示すように、レジストマスク114aを剥離することにより、バリア膜パターン108aを介して電極パッド104に電気的に接続された金属バンプ112が形成される。
【0011】
(従来技術2)
図16は従来技術2のウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図である。従来技術2に係るウェハレベルCSPのバンプ形成方法は、まず、図16(a)に示すように、上記した図14(a)と同様な素子や多層配線などが形成された半導体基板100を用意する。その後、図16(b)に示すように、ワイヤバンプ法により電極パッド104上に先端が尖ったスタッドバンプ112xを形成する。
【0012】
すなわち、ワイヤボンダのキャピラリから金などの金属線を所定長だけ出し、この金属線の先端部を放電により球状に丸め、その後キャピラリを下降して金属線の先端球状部を電極パッド104に接触させ、加熱と超音波振動により電極パッド104に接合する。
【0013】
続いて、キャピラリを引き上げながら金属線をクランパで固定することで金属線を引きちぎる。これにより、電極パッド104に電気的に接続された先端が尖ったスタッドバンプ112xが形成される。
【0014】
(従来技術3)
図17及び図18は従来技術3のウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図である。従来技術3に係るウェハレベルCSPのバンプ形成方法は、まず、図17(a)に示すように、上記した図14(a)と同様な素子や多層配線などが形成された半導体基板100を用意する。続いて、図17(b)に示すように、パシベーション膜106及び電極パッド104上にバリア導電膜108を形成する。
【0015】
その後、図17(c)に示すように、バリア導電膜108上に感光性レジスト膜を塗布し、それを露光・現像することにより、電極パッド104を含む領域のバリア導電膜108上にレジストマスク114aを選択的に形成する。
【0016】
続いて、図17(d)及び図18(a)に示すように、レジストマスク114aをマスクに利用してバリア導電膜108の露出部分をウェットエッチングした後、レジストマスク114aを剥離することにより、電極パッド104に電気的に接続されたバリア膜パターン108aを形成する。
【0017】
次いで、図18(b)に示すように、バリア膜パターン108a上にはんだペースト116をスクリーン印刷などにより塗布する。続いて、図18(c)に示すように、はんだペースト116上にはんだボール112yを配置した後、リフロー加熱する。これにより、図18(d)に示すように、バリア膜パターン108aを介して電極パッド104に電気的に接続されたはんだバンプ112zが形成される。
【0018】
従来、以上説明した従来技術1〜3などの方法により電極パッド104に電気的に接続された金属バンプを形成した後、半導体基板100をダイシングすることによりCSP構造を備えた半導体装置を製造していた。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術1では、金属バンプ112が配線基板の接続パッドに接合される際、金属バンプ112の比較的大きな面積を有する先端面と接続パッドとがはんだペーストなどを介して接合される。このため、必然的に金属バンプ112と接続パッドとに介在するはんだの量が多くなり、その結果、半導体装置と配線基板とが接合された電子部品の厚みが厚くなってしまうという問題がある。
【0020】
さらには、バリア導電膜108をウェットエッチングしてバリア膜パターン108aを形成する際、金属バンプ112に接触している部分のバリア導電膜108のサイドエッチ量が比較的多いため、そのサイドエッチ分を見込んで、金属バンプ112を電極パッド104より大きく形成する必要がある。このため、電極パッド104を狭ピッチ化する際には、容易には対応できず、金属バンプ112同士が接触する恐れがある。
【0021】
また、従来技術2では、スタッドバンプ112xは金属線が圧着されて形成されるため、配線基板の接続パッドとの接合する先端面の面積が小さくなりやすく、このため接合の信頼性が低下する恐れがある。また、ワイヤボンディング装置を使用するため、スタッドバンプ112xを形成できるピッチには限界があり、またスタッドバンプ112x自体を小さくすることにも限界があるため、電極パッド104を狭ピッチ化する際に容易には対応できない。
【0022】
また、従来技術3では、はんだボール112yを使用するため、従来技術1と同様な理由で電子部品の厚みを薄化することが困難である。また、はんだボール112yはリフロー加熱されてバリア膜108に電気的に接合される際、横方向にもリフローして形成されるため、電極パッド104を狭ピッチ化する際に容易には対応できず、はんだバンプ112z同士が接触する恐れがある。
【0023】
なお、特開平2001−57374号公報には、半導体基板のボンド・パッドに接続された導電性バンプを有する半導体部品が記載されているが、上記した問題については何ら考慮されていない。
【0024】
本発明はかかる従来技術の課題を鑑みて創作されたものであり、半導体装置と配線基板とが接合された電子部品の厚みを薄くすることができると共に、電極パッドの狭ピッチ化に容易に対応でき、かつ配線基板との接合の信頼性を向上させることができるウェハレベルCSP構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明は半導体装置に係り、CSP構造がウェハレベルで形成されたウェハレベルパッケージ構造を有する半導体装置であって、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された電極パッドと、前記電極パッドの面積より小さい面積で、前記電極パッドの上に電気的に接続されて形成されたテール端子とを有することを特徴とする。
【0026】
本発明では、半導体装置の電極パッドの上にその面積より小さい面積を有する柱状のテール端子が電極パッドに電気的に接続された状態で形成されている。例えば、テール端子の径は、電極パッドの径の1/3〜2/3程度であって、テール端子は電極パッドの中央部に形成されている。
【0027】
このような構造にすることにより、半導体装置が配線基板に実装される際、テール端子の先端面の面積が小さくなるため、半導体装置のテール端子部と配線基板の接続パッドとを接合させるためのはんだなどの接合材の量を従来技術より少なくすることができる。しかも、接合材はテール端子の側面に回り込んで形成されることから、テール端子の先端面ばかりではなくその側面も接合部となる。つまり、電極パッドの径より小さい径のテール端子を接続電極として使用して接合材の量を少なくしているにも係らず、十分な接合面積を確保することができるようになる。
【0028】
このように、配線基板との接合の信頼性を確保しつつ、半導体装置と配線基板との間に介在する接合材の量を少なくすることができるので、配線基板上に半導体装置が実装された電子部品の厚みを薄くすることができるようになる。
【0029】
また、接合材など導電体が電極パッドの領域から外側に殆どはみ出さない構造とすることができるため、電極パッドのピッチが狭くなる場合においても、電極パッド同士の電気的なショートの発生が防止され、電極パッドの狭ピッチ化に容易に対応できるようになる。
【0030】
一つの好適な態様では、電極パッド及びテール端子はバリア導電膜で被覆されており、またテール端子部及びその近傍が露出するようにして樹脂層が形成されている。
【0031】
これによれば、電極パッド及びテール端子がバリア導電膜によって被覆されているため、接合材とテール端子及び電極パッドとの材料の相互拡散が防止され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0032】
また、テール端子を含む領域が露出するようにしてその外側に樹脂層を設けることにより、電極パッド領域から外側への接合材のはみ出しが物理的に抑制されるようになるので、電極パッドのさらなる狭ピッチ化に対応することができるようになる。
【0033】
あるいは、バリア導電膜が電極パッドとテール端子との間に形成されている構造としてもよい。この場合、電極パッドとテール端子との材料が異なるときにおいても、それらの材料の相互拡散が防止され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0034】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図を参照しながら説明する。
【0035】
(第1の実施の形態)
図1〜図3は本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図、図4(a)は第1実施形態に係るCSP構造を有する半導体ウェハを示す平面図、図4(b)は第1実施形態に係るCSP構造を有する半導体チップを示す斜視図、図5は第1実施形態に係る半導体装置が配線基板に実装された様子を示す断面図である。
【0036】
図1(a)では、半導体基板10に所定の素子及び多層配線(不図示)が形成されており、多層配線に係る層間絶縁膜12と、その中に埋め込まれた複数の銅(Cu)電極パッド14と、Cu電極パッド14が露出する開口部16aを有するパシベーション膜16(保護絶縁膜)とが示されている。
【0037】
このCu電極パッド14はエリアアレイ型のものであり、半導体基板10上方のチップ領域の全面に複数配列されている。またパシベーション膜16は、例えば膜厚が15μm程度のシリコン窒化膜(SiN)からなる。
【0038】
本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法では、まず、図1(a)に示すパシベーション膜16の開口部16aにCu電極パッド14が露出した構造を有する半導体基板10を用意する。その後、図1(b)に示すように、パシベーション膜16及びCu電極パッド14上に膜厚が例えば25〜200μmの第1ドライフィルムフォトレジスト18をラミネートする。
【0039】
続いて、図1(c)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト18を露光・現像することにより、Cu電極パッド14の中央所定部上のドライフィルムフォトレジスト18に開口部18aを形成する。この開口部18aは、Cu電極パッド14の面積より小さい面積で形成される。
【0040】
次いで、図1(d)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト18の開口部18a内に無電解めっきによりCu膜20を成膜して埋め込む(以下、開口部18a内に埋め込まれたCu膜20をテール端子20という)。
【0041】
続いて、図2(a)及び(2a)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト18を剥離することにより、Cu電極パッド14の中央所定部に電気的に接続されて形成されたテール端子20が露出する。
【0042】
このテール端子20はドライフィルムレジスト18の開口部18a内に形成されるため、その高さが25〜200μm程度で形成される。また、テール端子20は、その径がCu電極パッド14の径の1/3〜2/3、最適値としては1/2程度になるようにしてCu電極パッド14の中央部に形成されることが好ましい。
【0043】
なお、テール端子20はCu電極パッド14の面積より小さい面積で形成されるような形態であればよく、またCu電極パッド14の中央部からずれた位置に形成されるようにしてもよい。
【0044】
また、テール端子20の高さは高い方が好ましいが、Cu電極パッド14の面積、テール端子20の面積、半導体装置が実装される電子部品の特性などを考慮して適宜調整される。
【0045】
例えば、Cu電極パッド14が60μ□程度の場合、好適には、テール端子20は、その大きさが30μm□程度、その高さが50μm程度で形成される。
【0046】
次いで、図2(b)に示すように、Cu電極パッド14、テール端子20及びパシベーション膜16上に、スパッタ法により、下から順に、例えば膜厚が1μmのニッケル(Ni)膜22a、膜厚が1μmの白金(Pt)22b膜及び膜厚が1μmの金(Au)膜22cを形成してバリア導電膜22とする。
【0047】
バリア導電膜22は上記した積層膜に限定されるものではなく、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、金(Au)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、タングステン(W)及びパラジウム(Pd)などから選択される金属膜又はそれらの積層膜を使用してもよい。
【0048】
続いて、図2(c)に示すように、バリア導電膜22上に第2ドライフィルムフォトレジスト24をラミネートする。その後、図2(d)に示すように、第2ドライフィルムフォトレジスト24を露光・現像することにより、テール端子20部及びその近傍を覆うレジストマスク24aをバリア導電膜22上に選択的に形成する。
【0049】
次いで、図3(a)及び(b)に示すように、レジストマスク24aをマスクにしてバリア導電膜22をウェットエッチングした後、レジストマスク24aを剥離してCu電極パッド14及びテール端子20を被覆するバリア膜パターン22aを形成する。
【0050】
次いで、図3(c)に示すように、テール端子20及びバリア膜パターン22aの主要部が露出するようにして樹脂層26を形成する。なお、樹脂層26を省略した形態としてもよい。
【0051】
この工程が終了した時点で、図4(a)に示すように、ウェハ状態でCSP構造に係る成膜や加工などが行われた半導体ウェハ1が得られる。その後に、図4(b)に示すように、半導体ウェハ1は、ダイシングされてウェハレベルCSP構造を備えた半導体チップ1aが得られる。なお、図4(a)及び(b)においては、テール端子20などの詳細な構造は描かれておらず、ウェハレベルCSP構造を備えた半導体ウェハ1及び半導体チップ1aが模式的に描かれている。
【0052】
以上により、本発明の第1実施形態のウェハレベルCSP構造を備えた半導体装置が完成する。なお、本発明の第1実施形態の半導体装置としては、CSP構造を備えた半導体ウェハ1であってもよいし、またこの半導体ウェハ1がダイシングされて個片化されたCSP構造を備えた半導体チップ1aであってもよい。
【0053】
次に、このCSP構造を備えた半導体チップ1aを配線基板に実装する方法を説明する。まず、図5に示すように、所定の配線基板30を用意する。この配線基板30の上面には主要部に凹部を有する接続パッド32が形成されている。そして、スクリーン印刷法やディスペンサ法により配線基板30の接続パッド32上にはんだペーストを所定量塗布する。
【0054】
その後、上記したCSP構造を備えた半導体チップ1aのテール端子20部が配線基板30の接続パッド32に対応するようにして半導体チップ1aを配線基板30上にマウントする。
【0055】
次いで、200〜250℃程度の温度でリフローはんだ付けを行うことによりはんだ層34を形成する。これにより、半導体チップ1aのCu電極パッド14及びテール端子20は、バリア膜パターン22aとはんだ層34を介して配線基板30の接続パッド32に電気的に接続される。なお、はんだ層34などの金属ロウ材の代わりに導電性樹脂などの接合材を使用してもよい。
【0056】
以上説明したように、本実施形態に係るCSP構造を備えた半導体チップ1aでは、Cu電極パッド14の上にその面積より小さい柱状のテール端子20がCu電極パッド14に電気的に接続された状態で形成されている。そして、Cu電極パッド14及びテール端子20はバリア膜パターン22aで被覆されており、さらに好ましくは、テール端子20部及びその近傍が露出するようにして樹脂層26が形成されている。
【0057】
このような構造にすることにより、テール端子20部の先端面の面積が小さくなるため、配線基板30の接続パッド32上に塗布されるはんだペーストの量を従来技術より少なくすることができる。しかも、はんだペーストは、テール端子20部の側面と樹脂層26との間に回り込むことではんだ層34が形成されることから、テール端子20部の先端面ばかりではなく全側面が接合部となる。
【0058】
これにより、従来技術より細い柱状のテール端子20部を接続電極として使用し、またはんだペーストの塗布量を少なくしているにも係らず、配線基板30の接続パッド32とのはんだ層34を介した接合に係る面積を大きく確保することができるので、配線基板30との接合の信頼性を向上させることができる。
【0059】
また、半導体チップ1aと配線基板30との間に介在するはんだ層34の膜厚を薄くすることができるため、配線基板30上に半導体チップ1aが実装された電子部品の厚みを薄くすることができるようになる。さらに、はんだ層34、バリア膜パターン22a及びテール端子20がCu電極パッド14領域から外側に殆どはみ出さない構造とすることができるため、Cu電極パッド14のピッチが狭くなる場合においても、Cu電極パッド14同士の電気的なショートの発生が防止され、電極パッド14の狭ピッチ化に容易に対応できるようになる。
【0060】
また、Cu電極パッド14及びテール端子20はバリア膜パターン22aにより被覆されているため、はんだ層34とテール端子20及びCu電極パッド14との材料の相互拡散が防止され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0061】
なお、樹脂層26を省略する場合、リフローはんだ付けを行う際に溶融したはんだの表面張力によってはんだペーストの横方向へのはみ出しはある程度防止されるが、はんだ層34のCu電極パッド14領域から外側へのはみ出しをより抑制してCu電極パッドのさらなる狭ピッチ化に対応させるとういう観点からは、樹脂層26を設けておくことが好ましい。
【0062】
(第2の実施の形態)
図6〜図8は本発明の第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図、図9は第2実施形態に係る半導体装置が配線基板に実装された様子を示す部分断面図である。第2実施形態が第1実施形態と異なる点は、パシベーション膜の開口部をCu膜で埋め込んだ後にテール端子を形成することである。つまり、第2実施形態は、パシベーション膜の開口部の段差をなくすことにより、半導体チップが配線基板に実装される際に使用される接合材の量をさらに減らすことができるようにした形態である。なお、第1実施形態と同一工程においてはその詳しい説明を省略する。
【0063】
第2実施形態の半導体装置の製造方法は、まず、図6(a)に示すように、第1実施形態の図1(a)と同様に、パシベーション膜16の開口部16aにCu電極パッド14が露出する構造を有する半導体基板10を用意する。
【0064】
その後、図6(b)に示すように、無電解めっきにより、Cu電極パッド14上にキャップCu膜36(キャップ導電膜)を選択的に成膜してパシベーション膜16の開口部16aを埋め込んで平坦化する。
【0065】
次いで、図6(c)に示すように、キャップCu膜36及びパシベーション膜16上に第1ドライフィルムフォトレジスト18をラミネートする。その後、図6(d)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト18を露光・現像することにより、キャップCu膜36の一部が露出する開口部18aを形成する。第1ドライフィルムフォトレジスト18の厚さやその開口部18aの寸法は第1実施形態と同様にして形成すればよい。
【0066】
続いて、図7(a)に示すように、第1実施形態と同様な方法により、第1ドライフィルムフォトレジスト18の開口部18a内に無電解めっきによりCu膜からなるテール端子20を形成する。その後、図7(b)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト18を剥離することにより、Cu電極パッド14にキャップCu膜36を介して電気的に接続されたテール端子20が得られる。
【0067】
次いで、図7(c)に示すように、第1実施形態と同様な方法により、パシベーション膜16、キャップCu膜36及びテール端子20上にバリア膜22をスパッタ法により成膜する。
【0068】
次いで、図7(d)及び図8(a)に示すように、第1実施形態と同様な方法により、バリア膜22上に第2ドライフィルムフォトレジスト24をラミネートした後、それを露光・現像を行うことにより、テール端子20部及びその近傍を覆うレジストマスク24aをバリア導電膜22上に選択的に形成する。
【0069】
続いて、図8(b)及び(c)に示すように、第1実施形態と同様な方法で、レジストマスク24aをマスクにしてバリア膜22をウェットエッチングした後、レジストマスク24aを剥離することにより、テール端子20及びキャップCu膜36を被覆するバリア膜パターン22aを形成する。このとき、パシベーション膜16の開口部16aはキャップCu膜36で埋め込まれて平坦化されているため、第1実施形態と違ってテール端子20の下部近傍には凹部が形成されない。
【0070】
次いで、図8(d)に示すように、テール端子20を被覆するバリア膜パターン22aの主要部が露出するようにして樹脂層26を形成する。なお、樹脂層26を省略した形態としてもよい。
【0071】
その後に、第1実施形態と同様に、半導体基板10がダイシングされてCSP構造を備えた個々の半導体チップが得られる。
【0072】
そして、図9に示すように、第1実施形態と同様な方法により、半導体チップ1bのテール端子20部は配線基板30の接続パッド32にはんだ層34を介して電気的に接続されて実装される。
【0073】
第2実施形態の半導体チップ1bでは、第1実施形態と同様な効果を奏すると共に、テール端子20の下部近傍にパシベーション膜16の開口部16に起因する凹部が形成されないようにしたことで、第1実施形態より、はんだペーストの塗布量を減少させることができるため、電子部品の厚みをさらに薄くすることができる。特に、パシベーション膜16を厚膜にする場合に、はんだペーストの塗布量を顕著に減らすことができる。
【0074】
(第3の実施の形態)
図10〜図12は本発明の第3実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図、図13は第3実施形態に係る半導体装置が配線基板に実装された様子を示す部分断面図である。
【0075】
第3実施形態は、半導体装置の電極パッドとしてアルミニウム(Al)又はAlCuなどのAl合金からなるAl系電極パッドを使用する形態を例示するものである。
【0076】
第3実施形態の半導体装置の製造方法は、まず、図10(a)に示すように、Al系電極パッド14aがパシベーション膜16の開口部16a内に露出した構造を有する半導体基板10を用意する。
【0077】
その後、図10(b)に示すように、Al系電極パッド14a及びパシベーション膜16上に金(Au)などからなる膜厚が1μm程度のバリア導電膜25をスパッタ法により成膜する。なお、バリア導電膜25として、金(Au)を使用することが好ましいが、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、金(Au)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、タングステン(W)及びパラジウム(Pd)などから選択される金属膜又はそれらの積層膜を使用してもよい。
【0078】
続いて、図10(c)及び(b)に示すように、バリア導電膜25上に膜厚が25〜200μm程度の第1ドライフィルムフォトレジスト18をラミネートし、露光・現像することにより、Al系電極パッド14aの中央部上のバリア膜25上に、Al系電極パッド14aの面積より小さい面積を有する開口部18aを形成する。この開口部18aの寸法や高さは、第1実施形態の第1ドライフィルムフォトレジスト18の開口部18aと同様にして形成される。
【0079】
次いで、図11(a)及び(b)に示すように、第1ドライフィルムフォトレジスト18の開口部18a内に無電解めっきにより金属膜を成膜した後、第1ドライフィルムフォトレジスト18を剥離することによりテール端子20を形成する。このテール端子20は、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)及び銅(Cu))などの群から選択される1つの金属膜又は複数の金属の積層膜で構成される。またテール端子20の寸法や高さは第1実施形態と同様にして形成される。
【0080】
次いで、図11(c)及び(d)に示すように、テール端子20及びバリア導電膜25上に第2ドライフィルムフォトレジスト24をラミネートし、これを露光・現像することにより、テール端子20部及びその近傍を覆うレジストマスク24aをバリア導電膜25上に選択的に形成する。
【0081】
その後、図12(a)及び(b)に示すように、レジストマスク24aをマスクにしてバリア導電膜25をウェットエッチングすることによりバリア膜パターン25aを形成した後、レジストマスク24aを剥離する。
【0082】
これにより、Al系電極パッド14aにバリア膜パターン25aを介して電気的に接続されたテール端子20が得られる。バリア膜パターン25aは、Al系電極パッド14aとテール端子20との密着性を向上させ、またこれらの材料の相互拡散を防止すると共に、実装時にはんだ層からAl系電極パッド14a側へのはんだの拡散を防止する機能を有する。
【0083】
その後に、第1実施形態と同様に、半導体基板10はダイシングにより個片化されてCSP構造を備えた個々の半導体チップが得られる。
【0084】
そして、図13に示すように、第1実施形態と同様な方法により、半導体チップ1cのテール端子20部は配線基板30の接続パッド32にはんだ層34を介して電気的に接続されて実装される。
【0085】
なお、樹脂層を形成しない形態を例示したが、第1及び第2実施形態のようにテール端子20及びバリア導電膜25の主要部が露出するようにして樹脂層を形成する形態としてもよい。
【0086】
第3実施形態の半導体装置では、第1実施形態と同様な効果を奏すると共に、半導体装置の電極パッドとテール端子との材料が異なる場合においても、それらの間にバリア導電膜を形成するようにしたので、半導体装置の信頼性及び配線基板との接合の信頼性を向上させることができる。
【0087】
なお、第3実施形態の半導体装置では、電極パッドとテール端子との材料が異なる場合を例示したものであって、電極パッドとテール端子の材料は、前述した金属材料に限定されるものではなく、その他の金属材料を使用してもよい。
【0088】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、半導体装置の電極パッドの上にその面積より小さい面積を有する柱状のテール端子が電極パッドに電気的に接続された状態で形成されている。このような構造にすることにより、半導体装置が配線基板に実装される際、テール端子の先端面の面積が小さくなるため、半導体装置と配線基板の接続パッドとを接合させるための接合材の量を従来技術より少なくすることができる。しかも、接合材はテール端子の側面に回り込んで形成されることから、テール端子の先端面ばかりではなく全側面も接合部となって十分な接合面積を確保することができるので、配線基板との接合の信頼性を向上させることができる。
【0089】
このように、半導体装置と配線基板との間に介在する接合材の量を少なくすることで、配線基板上に半導体装置が実装された電子部品の厚みを薄くすることができるようになる。また、接合材など導電体が電極パッドの領域の外側に殆どはみ出さない構造とすることができるため、電極パッド同士の電気的なショートの発生を防止することができ、電極パッドの狭ピッチ化に容易に対応できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その1)である。
【図2】図2は本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その2)である。なお、図2(2a)は図2(a)のテール端子の近傍を平面的にみた部分平面図である。
【図3】図3は本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その3)である。
【図4】図4(a)は第1実施形態に係るCSP構造を有する半導体ウェハを示す平面図、図4(b)は第1実施形態に係るCSP構造を備えた半導体チップを示す斜視図である。
【図5】図5は第1実施形態の半導体装置が配線基板に実装された様子を示す部分断面図である。
【図6】図6は本発明の第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その1)である。
【図7】図7は本発明の第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その2)である。
【図8】図8は本発明の第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その3)である。
【図9】図9は第2実施形態に係る半導体装置が配線基板に実装された様子を示す部分断面図である。
【図10】図10は本発明の第3実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その1)である。
【図11】図11は本発明の第3実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その2)である。
【図12】図12は本発明の第3実施形態の半導体装置の製造方法を示す部分断面図(その3)である。
【図13】図13は第3実施形態に係る半導体装置が配線基板に実装された様子を示す断面図である。
【図14】図14は従来技術1に係るウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図(その1)である。
【図15】図15は従来技術1に係るウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図(その2)である。
【図16】図16は従来技術2に係るウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図である。
【図17】図17は従来技術3に係るウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図(その1)である。
【図18】図18は従来技術3に係るウェハレベルCSPにおけるバンプ形成方法を示す断面図(その2)である。
【符号の説明】
1…CSP構造を備えた半導体ウェハ、1a…CSP構造を備えた半導体チップ、10…半導体基板、12…層間絶縁膜、14…Cu電極パッド、14a…Al系電極パッド、16…パシベーション膜、18…第1ドライフィルムフォトレジスト、16a,18a…開口部、20…テール端子、22a…Ni膜、22b…Pd膜。22c…Au膜、22,25…バリア導電膜、22a,25a…バリア膜パターン、24…第2ドライフィルムフォトレジスト、24a…レジストマスク、26…樹脂層、30…配線基板、32…接続パッド、34…はんだ層、36…キャップCu膜。
Claims (9)
- CSP構造がウェハレベルで形成されたウェハレベルパッケージ構造を有する半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された電極パッドと、
前記電極パッドの面積より小さい面積で、前記電極パッドの上に電気的に接続されて形成されたテール端子とを有することを特徴とする半導体装置。 - CSP構造がウェハレベルで形成されたウェハレベルパッケージ構造を有する半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された電極パッドと、
前記電極パッド上に開口部を備えた保護絶縁膜と、
前記開口部内に埋め込まれて形成され、前記電極パッドに電気的に接続されたキャップ導電膜と、
前記電極パッドの面積より小さい面積で、前記キャップ導電膜の上に電気的に接続されて形成されたテール端子とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記テール端子を含む所定部を被覆するバリア導電膜をさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記テール端子が形成された領域を含む所定部に開口部を備えた樹脂層をさらに有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記電極パッド及び前記テール端子は、銅(Cu)からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記電極パッドと前記テール端子との間にバリア導電膜をさらに有し、前記テール端子は該バリア導電膜を介して前記電極パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記電極パッドは、前記テール端子とは異なる金属材料で構成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記電極パッドは、アルミニウム(Al)又はアルミニウム合金からなり、前記バリア導電膜及び前記テール端子は、金(Au)、白金(Pt)及びニッケル(Ni)の群から選択される単層膜又は積層膜からなることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置。
- 前記テール端子の径は、電極パッドの径の1/3乃至2/3であって、前記テール端子は前記電極パッドの中央部に対応する部分に形成されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
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