JP4726409B2 - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)上面に、複数のバリアメタル層13を有する半導体基板11と、バリアメタル層13に1対1に対応する複数の開口を有した印刷マスク16とを準備し、
(2)次に、印刷マスク16の開口17がバリアメタル層13上に位置するように印刷マスク16を半導体基板11上に配置し(図4(a))、
(3)続いて、印刷マスク16上に供給された半田ペースト15’を、スキージ等を用いて開口17を介してバリアメタル層13上に印刷・塗布し(図4(b))、
(4)最後に、塗布した半田ペースト15’を加熱して球状の半田バンプ15を形成し、半導体基板11を所定形状に加工することによってフリップチップ型ICが完成する(図4(c))。
2・・・回路配線
3・・・バリアメタル層
4・・・パッシベーション層
5・・・バンプ
5’・・・ペースト
6・・・印刷マスク
7・・・開口
Claims (8)
- 半導体基板と、
該半導体基板上に形成され、Ni及びPを含むバリアメタル層と、
該バリアメタル層上に形成され、少なくともCuを含有する半田バンプとを備えた半導体素子において、
前記半田バンプは、前記バリアメタル層上に形成された下層バンプと、該下層バンプ上に形成された上層バンプとを備えており、
前記下層バンプおよび前記上層バンプは少なくともCuを含有し、該上層バンプは、前記下層バンプよりもCu含有率が小さくなっており、
前記下層バンプのCu含有率が0.5重量%以上であり、前記上層バンプのCu含有率が0.5重量%未満であることを特徴とする半導体素子。 - 前記下層バンプのCu含有率が、0.5重量%以上、1.5重量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記上層バンプのCu含有率が、0.3重量%以上、0.5重量%未満であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。
- 前記バリアメタル層中のP含有率が6重量%〜12重量%であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体素子。
- 上面に、Ni及びPを含有するバリアメタル層を備えた半導体基板を準備し、前記バリアメタル層上にCuを含有する半田ペーストを塗布し、これを加熱して、Cu含有率が0.5重量%以上に設定された下層バンプを形成する第1の工程と、
該下層バンプ上に、該下層バンプよりもCuの含有率が小さい半田ペーストを塗布し、これを加熱して、少なくともCuを含有し、Cu含有率が0.5重量%未満に設定された上層バンプを形成する第2の工程と、
を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記下層バンプのCu含有率が、0.5重量%以上、1.5重量%以下に設定されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記上層バンプのCu含有率が、0.3重量%以上、0.5重量%未満に設定されていることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記バリアメタル層中のP含有率が6重量%〜12重量%であることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
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