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Abstract
【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路、または回路間の接続部が壊れることを低減する表示装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】表示装置を構成する素子基板において、表示部を有する第1の領域と、外部接続電極を有する第2の領域と、走査線側駆動回路を有する第4の領域と、第1の方向に沿う第1の辺と、第2の方向に沿う第2の辺を有する。表示部は、トランジスタと、発光素子を有する。第1の領域と、第2の領域との間にある第3の領域が曲がっていることにより、当該第2の領域が基板の当該第2の領域以外の部分と重なっている構成を有する。【選択図】図3
Description
本発明の技術分野は、表示装置に関する。
近年、デジタル化技術の進歩に伴い、新聞、雑誌などの文字情報や画像情報を電子デー
タとして提供するという提供態様がとられるようになっている。この種の電子データは、
一般に、PCなどが備える表示装置に表示されることで、その内容が閲覧されるという特
徴を有している。
タとして提供するという提供態様がとられるようになっている。この種の電子データは、
一般に、PCなどが備える表示装置に表示されることで、その内容が閲覧されるという特
徴を有している。
しかしながら、PCなどが備える表示装置は、新聞、雑誌などの紙媒体とは大きく異な
り、持ち運びのし難さ等の利便性に問題がある。
り、持ち運びのし難さ等の利便性に問題がある。
一方で、上述の紙媒体との利便性の違いによる問題を解消すべく、可撓性を有する電子
ペーパーが提案されている(例えば、特許文献1参照)。可撓性を有する電子ペーパーの
表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、当該トランジスタを駆動する
ための回路を設ける必要がある。可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等
の素子を用いて形成する場合には、電子ペーパーを折り曲げる(折曲する)ことにより、
回路が破壊されるおそれがある。また可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジス
タ等の素子を用いて形成する場合には、駆動回路により電子ペーパーの折曲が制限される
場合も考えられる。
ペーパーが提案されている(例えば、特許文献1参照)。可撓性を有する電子ペーパーの
表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、当該トランジスタを駆動する
ための回路を設ける必要がある。可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等
の素子を用いて形成する場合には、電子ペーパーを折り曲げる(折曲する)ことにより、
回路が破壊されるおそれがある。また可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジス
タ等の素子を用いて形成する場合には、駆動回路により電子ペーパーの折曲が制限される
場合も考えられる。
開示する発明の一態様では、可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路、または
回路間の接続部が壊れにくい表示装置を提供することを目的の一とする。
回路間の接続部が壊れにくい表示装置を提供することを目的の一とする。
開示する本発明の一態様は、表示装置の素子基板を折曲した折曲部を設ける構成である
。そして当該折曲部に表示装置を駆動するための回路を設ける構成とし、そこから配線を
延設することで表示装置を駆動するための回路が設けられた部分の強度の向上を計り、回
路の破断を低減する。また、外部端子電極と外部接続配線(FPC)との接続部において
素子基板を折曲した形態とし、外部端子電極が形成される基板端部と外部接続配線とを嵌
合するように設けられる構成とし、接続部の強度の向上を図る。
。そして当該折曲部に表示装置を駆動するための回路を設ける構成とし、そこから配線を
延設することで表示装置を駆動するための回路が設けられた部分の強度の向上を計り、回
路の破断を低減する。また、外部端子電極と外部接続配線(FPC)との接続部において
素子基板を折曲した形態とし、外部端子電極が形成される基板端部と外部接続配線とを嵌
合するように設けられる構成とし、接続部の強度の向上を図る。
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示
部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、折曲部は、表示部を駆動する
ための駆動回路を有する表示装置である。
部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、折曲部は、表示部を駆動する
ための駆動回路を有する表示装置である。
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、可撓性を有する封止基板と、
素子基板上に設けられた表示部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、
折曲部は、表示部を駆動するための駆動回路を有し、素子基板は、封止基板をはみ出て設
けられている表示装置である。
素子基板上に設けられた表示部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、
折曲部は、表示部を駆動するための駆動回路を有し、素子基板は、封止基板をはみ出て設
けられている表示装置である。
開示する本発明の一態様において、表示装置は、素子基板を拘持するための支持部を有
する表示装置でもよい。
する表示装置でもよい。
開示する本発明の一態様において、折曲部は、支持部の長軸方向に対し、垂直方向また
は水平方向に設けられている表示装置でもよい。
は水平方向に設けられている表示装置でもよい。
開示する本発明の一態様において、駆動回路及び表示部が有する薄膜トランジスタは、
素子基板上に形成されている表示装置でもよい。
素子基板上に形成されている表示装置でもよい。
開示する本発明の一態様において、素子基板には、外端部と、湾曲部とが設けられてお
り、駆動回路は、外端部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
り、駆動回路は、外端部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
開示する本発明の一態様において、素子基板には、湾曲部が設けられており、駆動回路
は、表示部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
は、表示部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示
部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折曲して設けられ、支持部に内
包された折曲部と、を有し、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配
線とが嵌合して設けられる表示装置である。
部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折曲して設けられ、支持部に内
包された折曲部と、を有し、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配
線とが嵌合して設けられる表示装置である。
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、可撓性を有する封止基板と、
素子基板上に設けられた表示部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折
曲して設けられ、支持部に内包された折曲部と、を有し、素子基板は、封止基板をはみ出
て設けられており、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配線とが嵌
合して設けられる表示装置である。
素子基板上に設けられた表示部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折
曲して設けられ、支持部に内包された折曲部と、を有し、素子基板は、封止基板をはみ出
て設けられており、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配線とが嵌
合して設けられる表示装置である。
開示する本発明の一態様において、支持部は表示部を駆動するための駆動回路を内包し
ており、駆動回路は、外部接続配線に電気的に接続されて設けられる表示装置でもよい。
ており、駆動回路は、外部接続配線に電気的に接続されて設けられる表示装置でもよい。
開示する本発明の一態様において、表示部が有する表示素子は、電気泳動素子、液晶素
子、または発光素子である表示装置でもよい。
子、または発光素子である表示装置でもよい。
開示する発明の一態様によれば、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくく、丈夫
な表示装置を提供することができる。
な表示装置を提供することができる。
以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱するこ
となく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異な
る実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に
説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を
用い、その繰り返しの説明は省略する。
の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱するこ
となく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異な
る実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に
説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を
用い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明
瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定
されない。
瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定
されない。
なお、本明細書にて用いる「第1」、「第2」、「第3」等などの用語は、構成要素の混
同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
(実施の形態1)
図1、図5を参照して、本実施の形態で開示する構成の概略について説明する。
図1、図5を参照して、本実施の形態で開示する構成の概略について説明する。
本実施の形態で示す表示装置は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた
表示部と、可撓性を有する素子基板の一辺を拘持(動かないように拘束した状態で支持す
ること)する支持部と、素子基板を折曲して形成した折曲部と、を有し、折曲部には、表
示部を駆動するための駆動回路、一例としては走査線側駆動回路を具備する構成である。
また、支持部には、一例として、信号線に信号を出力する信号線側駆動回路を有している
。
表示部と、可撓性を有する素子基板の一辺を拘持(動かないように拘束した状態で支持す
ること)する支持部と、素子基板を折曲して形成した折曲部と、を有し、折曲部には、表
示部を駆動するための駆動回路、一例としては走査線側駆動回路を具備する構成である。
また、支持部には、一例として、信号線に信号を出力する信号線側駆動回路を有している
。
図1は、表示装置の一例として、素子基板101の一辺に支持部102を設ける場合を
示している。以下に図1を参照して、表示装置の具体的な構成について説明する。なお、
図1(A)は表示装置の表示部を上側にした斜視図を示し、図1(B)は図1(A)の裏
面側からの斜視図を示している。
示している。以下に図1を参照して、表示装置の具体的な構成について説明する。なお、
図1(A)は表示装置の表示部を上側にした斜視図を示し、図1(B)は図1(A)の裏
面側からの斜視図を示している。
図1(A)、(B)に示す表示装置は、表示部103が設けられた素子基板101と、
素子基板101の一辺を拘持する支持部102と、表示部103の走査線側の表示制御を
行う駆動回路108(走査線駆動回路ともいう)と、表示部103の信号線側の表示制御
を行う駆動回路106(信号線駆動回路ともいう)とを有している。図1(A)、(B)
では、走査線側駆動回路108から延在する複数の走査線105、信号線側駆動回路10
6から延在する複数の信号線104について併せて示している。図1(A)、(B)に示
す表示装置は可撓性を有する表示装置であり、走査線側駆動回路108は可撓性を有する
基板(例えば、プラスチック基板)上で表示面側より走査線105を伝って、図1(B)
の裏面側の折曲部107に設けられるようにする。なお、図1(A)、(B)では図示し
ないが、素子基板101には封止基板が重畳して設けられている。素子基板101は、封
止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部107を素子基板101のみで
構成することができるため、折曲部107の厚みを減らすことができる。そのため素子基
板101として封止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部107の折り
曲げ易さの向上等をはかることが出来る。
素子基板101の一辺を拘持する支持部102と、表示部103の走査線側の表示制御を
行う駆動回路108(走査線駆動回路ともいう)と、表示部103の信号線側の表示制御
を行う駆動回路106(信号線駆動回路ともいう)とを有している。図1(A)、(B)
では、走査線側駆動回路108から延在する複数の走査線105、信号線側駆動回路10
6から延在する複数の信号線104について併せて示している。図1(A)、(B)に示
す表示装置は可撓性を有する表示装置であり、走査線側駆動回路108は可撓性を有する
基板(例えば、プラスチック基板)上で表示面側より走査線105を伝って、図1(B)
の裏面側の折曲部107に設けられるようにする。なお、図1(A)、(B)では図示し
ないが、素子基板101には封止基板が重畳して設けられている。素子基板101は、封
止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部107を素子基板101のみで
構成することができるため、折曲部107の厚みを減らすことができる。そのため素子基
板101として封止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部107の折り
曲げ易さの向上等をはかることが出来る。
なお走査線駆動回路108は素子基板101の表面に設けられればよい。また走査線駆
動回路108は素子基板101に複数設けてもよい。また信号線側駆動回路106は支持
部102の内部に設けられている構成とすることが好ましい。当該構成により、信号線側
駆動回路106の破損の軽減を図ることが出来る。一例として、支持部102を、中空を
有する柱状または円柱状の筐体で設け、当該中空部分に信号線側駆動回路106を設ける
ことができる。また、支持部102を板状の筐体で設ける場合には、当該筐体と重なるよ
うに(例えば、筐体に接して)信号線側駆動回路106を設けることができる。
動回路108は素子基板101に複数設けてもよい。また信号線側駆動回路106は支持
部102の内部に設けられている構成とすることが好ましい。当該構成により、信号線側
駆動回路106の破損の軽減を図ることが出来る。一例として、支持部102を、中空を
有する柱状または円柱状の筐体で設け、当該中空部分に信号線側駆動回路106を設ける
ことができる。また、支持部102を板状の筐体で設ける場合には、当該筐体と重なるよ
うに(例えば、筐体に接して)信号線側駆動回路106を設けることができる。
支持部102は、少なくとも素子基板101より曲がりにくい(剛性が高い)構成とす
ることが好ましい。一例として、支持部102を構成する筐体を、素子基板101より厚
いプラスチックや金属等で形成することができる。この場合、表示装置は、支持部102
以外の部分で曲がる構成とすることができる。
ることが好ましい。一例として、支持部102を構成する筐体を、素子基板101より厚
いプラスチックや金属等で形成することができる。この場合、表示装置は、支持部102
以外の部分で曲がる構成とすることができる。
また、支持部102を設ける場所は特に限定されないが、一例としては、素子基板10
1の一辺に沿って支持部102を設けることができる。例えば、図1(A)、(B)に示
すように、素子基板101を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って(一辺を固定す
るように)支持部102を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸
まっている場合も含むものとする。また支持部102の大きさ、または形状については、
特に限定されない。
1の一辺に沿って支持部102を設けることができる。例えば、図1(A)、(B)に示
すように、素子基板101を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って(一辺を固定す
るように)支持部102を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸
まっている場合も含むものとする。また支持部102の大きさ、または形状については、
特に限定されない。
図1(A)、(B)に示すように、走査線側駆動回路108は、支持部102の長軸方
向に対し、垂直方向に設けられた折曲部107に設けられている。そして、走査線105
は、折曲部107に設けられた走査線側駆動回路108より折曲部を伝って素子基板の裏
面側から表面側に延在させて設ける構成としている。そのため、走査線側駆動回路108
は裏面側に向けて素子基板101が折れ曲がって2重になった領域に設けられることとな
り、走査線側駆動回路108の強度の向上を図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、
その結果丈夫な表示装置とすることができる。また、可撓性を有する基板を曲げて形成し
た折曲部には、素子基板を折り曲げることによる湾曲部(丸みを帯びて湾曲形状となった
箇所)が形成され、指等を滑らせることによる使用者の負傷を低減することができる。
向に対し、垂直方向に設けられた折曲部107に設けられている。そして、走査線105
は、折曲部107に設けられた走査線側駆動回路108より折曲部を伝って素子基板の裏
面側から表面側に延在させて設ける構成としている。そのため、走査線側駆動回路108
は裏面側に向けて素子基板101が折れ曲がって2重になった領域に設けられることとな
り、走査線側駆動回路108の強度の向上を図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、
その結果丈夫な表示装置とすることができる。また、可撓性を有する基板を曲げて形成し
た折曲部には、素子基板を折り曲げることによる湾曲部(丸みを帯びて湾曲形状となった
箇所)が形成され、指等を滑らせることによる使用者の負傷を低減することができる。
なお折曲部107は、素子基板101を折り曲げて形成した領域に相当する。折曲部1
07では、素子基板101を折り曲げて外端部を素子基板101に接着して固定してもよ
いし、別の部材で押さえて固定する構成でもよい。外端部とは、基板の縁のことをいう。
07では、素子基板101を折り曲げて外端部を素子基板101に接着して固定してもよ
いし、別の部材で押さえて固定する構成でもよい。外端部とは、基板の縁のことをいう。
なお、走査線側駆動回路108を設ける折曲部107の設け方は、図1(A)、(B)
に限らない。一例としては、図5(A)に示す素子基板501のように、表示部103の
ある表面側に基板を折り曲げることで、走査線側駆動回路108を折曲部107の基板の
間に内包する構成としてもよい。図5(A)に示す構成においては、素子基板501の内
側に走査線側駆動回路108を設ける構成とすることができるため、走査線側駆動回路1
08の強度の向上をさらに図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、その結果丈夫な表
示装置とすることができる。
に限らない。一例としては、図5(A)に示す素子基板501のように、表示部103の
ある表面側に基板を折り曲げることで、走査線側駆動回路108を折曲部107の基板の
間に内包する構成としてもよい。図5(A)に示す構成においては、素子基板501の内
側に走査線側駆動回路108を設ける構成とすることができるため、走査線側駆動回路1
08の強度の向上をさらに図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、その結果丈夫な表
示装置とすることができる。
なお図1、図5(A)で示す走査線側駆動回路108を設ける折曲部107の断面では、
駆動回路108を、素子基板が折れ曲がることで重畳する領域にくるように設ければよい
。一例としては、図5(B)に示すように、湾曲部502(折曲部にて基板を曲げたこと
により丸みを帯びて湾曲形状となった箇所)と、素子基板の外端部503との間に、駆動
回路108を設けてもよい。また別の一例としては、湾曲部502と、表示部504との
間に、駆動回路108を設けてもよい。
駆動回路108を、素子基板が折れ曲がることで重畳する領域にくるように設ければよい
。一例としては、図5(B)に示すように、湾曲部502(折曲部にて基板を曲げたこと
により丸みを帯びて湾曲形状となった箇所)と、素子基板の外端部503との間に、駆動
回路108を設けてもよい。また別の一例としては、湾曲部502と、表示部504との
間に、駆動回路108を設けてもよい。
また、走査線側駆動回路108と表示部103の各画素を構成する画素回路を同じプロ
セスで可撓性を有する基板上に形成することにより、低コスト化を図ることができる。
セスで可撓性を有する基板上に形成することにより、低コスト化を図ることができる。
表示部103を構成する画素回路及び走査線側駆動回路108を構成する素子としては
、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一方で、信号線側駆動回路106等の高
速動作する回路は、シリコン等の半導体基板やSOI基板を用いて形成されたIC(In
tegrated Circuit)を用いて形成し、当該ICを支持部102の内部に
設けることができる。
、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一方で、信号線側駆動回路106等の高
速動作する回路は、シリコン等の半導体基板やSOI基板を用いて形成されたIC(In
tegrated Circuit)を用いて形成し、当該ICを支持部102の内部に
設けることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
(実施の形態2)
実施の形態1とは別の構成について、図2乃至図4を用いて説明する。
実施の形態1とは別の構成について、図2乃至図4を用いて説明する。
本実施の形態では、図2に示すように、支持部102の向かい側の辺、即ち支持部10
2の長軸方向に対し、平行な方向に折曲部201を設ける表示装置について示している。
また、上記実施の形態と同様に、可撓性を有する素子基板の周辺を折り曲げることによる
湾曲部を形成することができ、表示装置の縁において指等を滑らせることによる使用者の
負傷を低減することができる。
2の長軸方向に対し、平行な方向に折曲部201を設ける表示装置について示している。
また、上記実施の形態と同様に、可撓性を有する素子基板の周辺を折り曲げることによる
湾曲部を形成することができ、表示装置の縁において指等を滑らせることによる使用者の
負傷を低減することができる。
次に図3(A)にて表示装置の平面図を示し、図3(B)にて図3(A)のA-B間の
断面を示し、図3(C)は図3(B)の断面の拡大図を示している。
断面を示し、図3(C)は図3(B)の断面の拡大図を示している。
図3(A)に示す表示装置は、支持部102が中空を有する筐体で形成され、当該筐体
の内部に信号線側駆動回路が設けられている。ここでは、信号線側駆動回路がIC303
で形成され、当該IC303が支持部102の内部に設けられている。IC303は、シ
リコン等の半導体基板やSOI基板等を用いて形成することができる。もちろん、信号線
側駆動回路以外の回路(例えば、CPU、メモリ等)をICに設けることができる。
の内部に信号線側駆動回路が設けられている。ここでは、信号線側駆動回路がIC303
で形成され、当該IC303が支持部102の内部に設けられている。IC303は、シ
リコン等の半導体基板やSOI基板等を用いて形成することができる。もちろん、信号線
側駆動回路以外の回路(例えば、CPU、メモリ等)をICに設けることができる。
また、図3(A)では、支持部102の内部に設けられるIC303を、外部接続配線(
FPC;Flexible Printed Circuit)に実装する場合を示して
いる。より具体的には、表示部103を制御するIC303が外部接続配線301上に設
けられ、当該外部接続配線301がプリント基板302と電気的に接続されている。そし
て素子基板601及び封止基板603を貼り合わせて形成される表示装置と外部接続配線
301との電気的な接続をとるための接続部304にて、外部接続電極を有する素子基板
601での外部接続電極と外部接続配線301とを図3(B)、図3(C)に示すように
、折り曲げて嵌合するように形成し、外部接続電極と外部接続配線が電気的な接続をとる
ようにする。そのため、端子の接触面積の増加、及び接続部の固着強度の向上を図ること
ができ、端子間の接続不良の低減、及び丈夫な表示装置とすることができる。
FPC;Flexible Printed Circuit)に実装する場合を示して
いる。より具体的には、表示部103を制御するIC303が外部接続配線301上に設
けられ、当該外部接続配線301がプリント基板302と電気的に接続されている。そし
て素子基板601及び封止基板603を貼り合わせて形成される表示装置と外部接続配線
301との電気的な接続をとるための接続部304にて、外部接続電極を有する素子基板
601での外部接続電極と外部接続配線301とを図3(B)、図3(C)に示すように
、折り曲げて嵌合するように形成し、外部接続電極と外部接続配線が電気的な接続をとる
ようにする。そのため、端子の接触面積の増加、及び接続部の固着強度の向上を図ること
ができ、端子間の接続不良の低減、及び丈夫な表示装置とすることができる。
なお、素子基板601、封止基板603としては、プラスチックなどの可撓性基板を用い
ることができる。可撓性基板の一例としては、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート
(PEN)樹脂、ポリエーテルサルフォン(PES)樹脂、ポリフェニレンサルファイド
(PPS)樹脂、ポリイミド(PI)樹脂などを用いることができる。また、繊維に有機
樹脂が含浸された構造体であるプリプレグを用いてもよい。
ることができる。可撓性基板の一例としては、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート
(PEN)樹脂、ポリエーテルサルフォン(PES)樹脂、ポリフェニレンサルファイド
(PPS)樹脂、ポリイミド(PI)樹脂などを用いることができる。また、繊維に有機
樹脂が含浸された構造体であるプリプレグを用いてもよい。
なお接続部304での素子基板601と外部接続配線301との接続は、図4(A)に示
すように空間401を設け、所定の間隙のある状態で嵌合する構成としてもよい。図4(
A)の構成とすることで、表示装置の可動領域を広げることが出来る。
すように空間401を設け、所定の間隙のある状態で嵌合する構成としてもよい。図4(
A)の構成とすることで、表示装置の可動領域を広げることが出来る。
また、接続部304での素子基板601と外部接続配線301との接続は、図4(B)に
示すように外端部402まで互いに密着するように設けて嵌合する構成としてもよい。図
4(B)の構成とすることで、素子基板601と外部接続配線301との固着強度を高め
ることができる。
示すように外端部402まで互いに密着するように設けて嵌合する構成としてもよい。図
4(B)の構成とすることで、素子基板601と外部接続配線301との固着強度を高め
ることができる。
また、接続部304での素子基板601と外部接続配線301との接続の周辺を、図4(
C)に示すように、接着部材403によって充填する構成としてもよい。図4(C)の構
成とすることで、素子基板601と外部接続配線301との固着強度をさらに高めること
ができる。
C)に示すように、接着部材403によって充填する構成としてもよい。図4(C)の構
成とすることで、素子基板601と外部接続配線301との固着強度をさらに高めること
ができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
(実施の形態3)
本実施の形態では、表示装置の構造例について斜視図及び断面図を用いて説明する。
本実施の形態では、表示装置の構造例について斜視図及び断面図を用いて説明する。
表示装置としては、電気泳動素子等を表示素子とする電子ペーパー、発光表示装置(EL
(エレクトロルミネッセンス)パネル)、液晶表示装置などを用いることができる。表示
装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルであり、外部から信号が供給される端子
電極(外部端子電極)に、コネクター、例えばFPC(Flexible printe
d circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding
)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)等の外部接続配
線が取り付けられ、駆動回路を含む外部回路と電気的に接続する。駆動回路であるICが
、COG(Chip On Glass)方式により表示装置に直接実装されてもよい。
(エレクトロルミネッセンス)パネル)、液晶表示装置などを用いることができる。表示
装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルであり、外部から信号が供給される端子
電極(外部端子電極)に、コネクター、例えばFPC(Flexible printe
d circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding
)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)等の外部接続配
線が取り付けられ、駆動回路を含む外部回路と電気的に接続する。駆動回路であるICが
、COG(Chip On Glass)方式により表示装置に直接実装されてもよい。
表示装置の一形態について、図6乃至図11に、斜視図及び断面図を示し、説明する。ま
ず図6(A)では、図1(A)で示した表示装置の斜視図について示している。図6(B
)では図6(A)内の点線A-B間の断面図について示し、表示部103及び折曲部10
7の断面構造について示している。なお図6(A)については、図1(A)と同様の図で
あり、図6(A)の裏面側は図1(B)のようになっており、ここでは詳細な説明につい
ては省略する。
ず図6(A)では、図1(A)で示した表示装置の斜視図について示している。図6(B
)では図6(A)内の点線A-B間の断面図について示し、表示部103及び折曲部10
7の断面構造について示している。なお図6(A)については、図1(A)と同様の図で
あり、図6(A)の裏面側は図1(B)のようになっており、ここでは詳細な説明につい
ては省略する。
図6(B)は、画素回路を有する表示部103及び走査線側駆動回路108を有する例で
あり、素子基板601上(第1の基板ともいう)に設けられた表示部103及び走査線側
駆動回路108は、シール材602によって封止基板603(第2の基板ともいう)で封
止されている。
あり、素子基板601上(第1の基板ともいう)に設けられた表示部103及び走査線側
駆動回路108は、シール材602によって封止基板603(第2の基板ともいう)で封
止されている。
また素子基板601上に設けられた表示部103と、走査線側駆動回路108は、薄膜ト
ランジスタを複数有しており、図6(B)では、表示部103に含まれる薄膜トランジス
タ604と、走査線側駆動回路108含まれる薄膜トランジスタ605とを例示している
。薄膜トランジスタ604、605上には絶縁層606、607が設けられている。なお
、薄膜トランジスタ604、605下には下地膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。
ランジスタを複数有しており、図6(B)では、表示部103に含まれる薄膜トランジス
タ604と、走査線側駆動回路108含まれる薄膜トランジスタ605とを例示している
。薄膜トランジスタ604、605上には絶縁層606、607が設けられている。なお
、薄膜トランジスタ604、605下には下地膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。
薄膜トランジスタ604、605は、特に限定されず様々な薄膜トランジスタを適用する
ことができる。図6(B)では、薄膜トランジスタ604、605として、ボトムゲート
構造の逆スタガ薄膜トランジスタを用いる例を示す。薄膜トランジスタ604、605は
チャネルエッチ型を示すが、半導体層上にチャネル保護膜を設けたチャネル保護型の逆ス
タガ薄膜トランジスタを用いてもよい。なお薄膜トランジスタに用いられる半導体層の半
導体材料としては、シリコン、ゲルマニウムの他、有機半導体、化合物半導体、酸化物半
導体等を用いることが出来る。有機半導体を半導体材料に用いた薄膜トランジスタとする
ことで、曲げ、衝撃に対して強くすることができる。また、半導体層に加えて、絶縁膜、
及び/または導電層を有機材料、または導電性高分子材料で構成することにより、曲げ、
衝撃に対して強くすることができる。
ことができる。図6(B)では、薄膜トランジスタ604、605として、ボトムゲート
構造の逆スタガ薄膜トランジスタを用いる例を示す。薄膜トランジスタ604、605は
チャネルエッチ型を示すが、半導体層上にチャネル保護膜を設けたチャネル保護型の逆ス
タガ薄膜トランジスタを用いてもよい。なお薄膜トランジスタに用いられる半導体層の半
導体材料としては、シリコン、ゲルマニウムの他、有機半導体、化合物半導体、酸化物半
導体等を用いることが出来る。有機半導体を半導体材料に用いた薄膜トランジスタとする
ことで、曲げ、衝撃に対して強くすることができる。また、半導体層に加えて、絶縁膜、
及び/または導電層を有機材料、または導電性高分子材料で構成することにより、曲げ、
衝撃に対して強くすることができる。
表示部103に設けられた薄膜トランジスタ604は表示素子と電気的に接続し、表示装
置を構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。図6(B)では、電子ペーパーに用いられる表示方式であるツイス
トボール方式を用い、表示素子にツイストボールを用いた例について示している。他にも
電子ペーパに用いられる表示方式としては、電気泳動方式、粉体系方式(トナーディスプ
レイとも呼ばれる)、液晶方式などが挙げられる。電子ペーパーは、紙と同じ読みやすさ
、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有して
いる。
置を構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。図6(B)では、電子ペーパーに用いられる表示方式であるツイス
トボール方式を用い、表示素子にツイストボールを用いた例について示している。他にも
電子ペーパに用いられる表示方式としては、電気泳動方式、粉体系方式(トナーディスプ
レイとも呼ばれる)、液晶方式などが挙げられる。電子ペーパーは、紙と同じ読みやすさ
、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有して
いる。
図6(B)に示すツイストボール表示方式は、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素
子に用いる電極層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御す
ることにより、表示を行う方法である。
子に用いる電極層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御す
ることにより、表示を行う方法である。
薄膜トランジスタ604と接続する第1の電極層608と、封止基板603に設けられた
第2の電極層609との間には黒色領域610a及び白色領域610bを有し、周りに液
体で満たされているキャビティ611を含む球形粒子612が設けられており、球形粒子
612の周囲は樹脂等の充填材613で充填されている。第2の電極層609が共通電極
(対向電極)に相当する。第2の電極層609は、共通電位線と電気的に接続される。
第2の電極層609との間には黒色領域610a及び白色領域610bを有し、周りに液
体で満たされているキャビティ611を含む球形粒子612が設けられており、球形粒子
612の周囲は樹脂等の充填材613で充填されている。第2の電極層609が共通電極
(対向電極)に相当する。第2の電極層609は、共通電位線と電気的に接続される。
図6(A)、(B)に示す表示装置の周辺を折り曲げた折曲部107の断面では、折れ曲
がった素子基板601を、折れ曲がった封止基板603で外側より覆う構成となっている
。すなわち、素子基板601の曲率が封止基板603の曲率より大きくなっている。その
結果、封止基板603に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部614を形成することができ、
使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
がった素子基板601を、折れ曲がった封止基板603で外側より覆う構成となっている
。すなわち、素子基板601の曲率が封止基板603の曲率より大きくなっている。その
結果、封止基板603に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部614を形成することができ、
使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
また、表示素子としてツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能であ
る。表示部103における表示素子として電気泳動素子を用いる例を図7(A)に示す。
なお図7(A)は、図6(B)と同様に、素子基板601上に設けられた表示部103が
、シール材602によって封止基板603で封止されている断面図について示したもので
ある。したがって図7(A)において、図6(B)と同様の構成については、図示および
説明を省略している。図7(A)に示す表示素子は、透明な液体701と、第1の粒子と
して負に帯電した黒い微粒子702aと、第2の粒子として正に帯電した白い微粒子70
2bとを封入した直径10μm~200μm程度のマイクロカプセル703を用いる。
る。表示部103における表示素子として電気泳動素子を用いる例を図7(A)に示す。
なお図7(A)は、図6(B)と同様に、素子基板601上に設けられた表示部103が
、シール材602によって封止基板603で封止されている断面図について示したもので
ある。したがって図7(A)において、図6(B)と同様の構成については、図示および
説明を省略している。図7(A)に示す表示素子は、透明な液体701と、第1の粒子と
して負に帯電した黒い微粒子702aと、第2の粒子として正に帯電した白い微粒子70
2bとを封入した直径10μm~200μm程度のマイクロカプセル703を用いる。
第1の電極層608と第2の電極層609との間に設けられるマイクロカプセル703は
、第1の電極層608と第2の電極層609によって、電場が与えられると、白い微粒子
702bと、黒い微粒子702aが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができ
る。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、反射
率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部
を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度
表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示装置を遠ざけた場合で
あっても、表示された像を保存しておくことが可能となる。
、第1の電極層608と第2の電極層609によって、電場が与えられると、白い微粒子
702bと、黒い微粒子702aが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができ
る。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、反射
率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部
を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度
表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示装置を遠ざけた場合で
あっても、表示された像を保存しておくことが可能となる。
なお、第1の粒子および第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないも
のである。また、第1の粒子および第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む)とする。
のである。また、第1の粒子および第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む)とする。
上記マイクロカプセル703を溶媒704中に分散させたものが電子インクと呼ばれるも
のであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することが
できる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可
能である。
のであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することが
できる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可
能である。
なお、マイクロカプセル703中の第1の粒子および第2の粒子は、導電体材料、絶縁体
材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、
エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合
材料を用いればよい。
材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、
エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合
材料を用いればよい。
また、粉体系方式として電子粉粒体(登録商標)を用いることも可能である。表示素子と
して電子粉粒体を用いる例を図7(B)に示す。なお図7(B)は、図6(B)と同様に
、素子基板601上に設けられた表示部103が、シール材602によって封止基板60
3で封止されている断面図について示したものである。第1の電極層608、第2の電極
層609、及びリブ751に区切られた空間752に、正に帯電した黒い粉粒体753a
と負に帯電した白い粉粒体753bとを充填する。なお空間752は空気である。
して電子粉粒体を用いる例を図7(B)に示す。なお図7(B)は、図6(B)と同様に
、素子基板601上に設けられた表示部103が、シール材602によって封止基板60
3で封止されている断面図について示したものである。第1の電極層608、第2の電極
層609、及びリブ751に区切られた空間752に、正に帯電した黒い粉粒体753a
と負に帯電した白い粉粒体753bとを充填する。なお空間752は空気である。
第1の電極層608と第2の電極層609によって、電場が与えられると、黒い粉粒体7
53aと、白い粉粒体753bが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる
。粉粒体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。
53aと、白い粉粒体753bが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる
。粉粒体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。
また、表示素子としては、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子(EL素子)を
用いてもよい。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物
であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者
は無機EL素子と呼ばれている。
用いてもよい。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物
であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者
は無機EL素子と呼ばれている。
有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そし
て、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側
の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用
することができる。
て、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側
の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用
することができる。
図8(A)に表示装置として発光表示装置(ELパネル)を用いた例を示す。なお図8(
A)は、図6(B)と同様に、素子基板601上に設けられた表示部103が、シール材
602によって封止基板603で封止されている断面図について示したものである。表示
素子である発光素子801は、表示部103に設けられた薄膜トランジスタ604と電気
的に接続している。なお発光素子801の構成は、第1の電極層608、電界発光層80
2、第2の電極層803の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子80
1から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子801の構成は適宜変えることができ
る。
A)は、図6(B)と同様に、素子基板601上に設けられた表示部103が、シール材
602によって封止基板603で封止されている断面図について示したものである。表示
素子である発光素子801は、表示部103に設けられた薄膜トランジスタ604と電気
的に接続している。なお発光素子801の構成は、第1の電極層608、電界発光層80
2、第2の電極層803の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子80
1から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子801の構成は適宜変えることができ
る。
隔壁804は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特
に感光性の材料を用い、第1の電極層608上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
に感光性の材料を用い、第1の電極層608上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
電界発光層802は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成さ
れていてもどちらでも良い。
れていてもどちらでも良い。
発光素子801に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層8
03及び隔壁804上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸
化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。また、素子基板601、封止基板603
、及びシール材602によって封止された空間には充填材805が設けられ密封されてい
る。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼
り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材でパッケージング(封入)す
ることが好ましい。
03及び隔壁804上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸
化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。また、素子基板601、封止基板603
、及びシール材602によって封止された空間には充填材805が設けられ密封されてい
る。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼
り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材でパッケージング(封入)す
ることが好ましい。
充填材805としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または
熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エチレ
ンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エチレ
ンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板(楕円偏光板を含む)、
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
図8(B)に表示装置として液晶表示装置を用いた例を示す。なお図8(B)は、図6(
B)と同様に、素子基板601上に設けられた表示部103が、シール材602によって
封止基板603で封止されている断面図について示したものである。図8(B)において
、表示素子である液晶素子851は、第1の電極層608、第2の電極層609、及び液
晶層852を含む。なお、液晶層852を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜8
53、絶縁膜854が設けられている。第2の電極層609は封止基板603側に設けら
れ、第1の電極層608と第2の電極層609とは液晶層852を介して積層する構成と
なっている。
B)と同様に、素子基板601上に設けられた表示部103が、シール材602によって
封止基板603で封止されている断面図について示したものである。図8(B)において
、表示素子である液晶素子851は、第1の電極層608、第2の電極層609、及び液
晶層852を含む。なお、液晶層852を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜8
53、絶縁膜854が設けられている。第2の電極層609は封止基板603側に設けら
れ、第1の電極層608と第2の電極層609とは液晶層852を介して積層する構成と
なっている。
また図8(B)では絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ85
5を示しており、スペーサ855は液晶層852の膜厚(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
5を示しており、スペーサ855は液晶層852の膜厚(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
また、図8(B)の液晶表示装置では図示しないが、カラーフィルタ(着色層)、ブラッ
クマトリクス(遮光層)、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材(光学基
板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。
また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。バックライトとして
はELパネルを用いると薄型化できるために好ましい。
クマトリクス(遮光層)、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材(光学基
板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。
また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。バックライトとして
はELパネルを用いると薄型化できるために好ましい。
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つで
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層852に用
いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs~1
00μsと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい
。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層852に用
いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs~1
00μsと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい
。
なお図8(B)は透過型液晶表示装置の例であるが、反射型液晶表示装置でも半透過型液
晶表示装置でも適用できる。
晶表示装置でも適用できる。
なお、図7(A)、(B)、図8(A)、及び(B)において、素子基板601、封止基
板603としては、透光性を有するプラスチックなどを用いることができる。プラスチッ
クとしては、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics
)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリ
ル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポ
リエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
板603としては、透光性を有するプラスチックなどを用いることができる。プラスチッ
クとしては、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics
)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリ
ル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポ
リエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
なお薄膜トランジスタ604上には、保護膜として機能する絶縁層を設けてもよい。なお
、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐた
めのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜、窒
化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜
、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すれば
よい。
、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐた
めのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜、窒
化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜
、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すれば
よい。
また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁層607は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシク
ロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。
また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)、シロキサン系樹脂、PSG
(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これら
の材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
ロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。
また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)、シロキサン系樹脂、PSG
(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これら
の材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
絶縁層607の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、SOG法、
スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン印
刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフ
コーター等を用いることができる。絶縁層として材料液を用いて形成する場合、ベークす
る工程で同時に、半導体層のアニール(200℃~400℃)を行ってもよい。絶縁層の
焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示装置を作製することが可能と
なる。
スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン印
刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフ
コーター等を用いることができる。絶縁層として材料液を用いて形成する場合、ベークす
る工程で同時に、半導体層のアニール(200℃~400℃)を行ってもよい。絶縁層の
焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示装置を作製することが可能と
なる。
表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する表示
部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して
透光性とする。
部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して
透光性とする。
表示素子に電圧を印加する第1の電極層及び第2の電極層(画素電極層、共通電極層、対
向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
第1の電極層608、第2の電極層609は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
また、第1の電極層608、第2の電極層609はタングステン(W)、モリブデン(M
o)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)
、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(
Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、又は
その合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる
。
o)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)
、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(
Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、又は
その合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる
。
また、第1の電極層608、第2の電極層609として、導電性高分子(導電性ポリマー
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、
いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたは
その誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しく
はこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、
いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたは
その誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しく
はこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護
回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい
。
回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい
。
また図6(B)とは異なる表示装置の断面の構造について、図9に示す。図9では図6(
A)内の点線A-B間の断面図について、図6(B)とは異なる断面構造を示している。
図9が図6(B)と異なる点は、折曲部107の断面構造において、シール材602の内
側の領域にある第1の電極層608と第2の電極層609とが挟持された表示素子、及び
封止基板603を折曲部107の断面構造において形成せず、絶縁層607上を封止層9
01で覆った点にある。折曲部107では、表示に寄与する第1の電極層608、第2の
電極層609、及び封止基板603等を削減することができ、表示装置の周辺部の折り曲
げやすさを向上させることができる。
A)内の点線A-B間の断面図について、図6(B)とは異なる断面構造を示している。
図9が図6(B)と異なる点は、折曲部107の断面構造において、シール材602の内
側の領域にある第1の電極層608と第2の電極層609とが挟持された表示素子、及び
封止基板603を折曲部107の断面構造において形成せず、絶縁層607上を封止層9
01で覆った点にある。折曲部107では、表示に寄与する第1の電極層608、第2の
電極層609、及び封止基板603等を削減することができ、表示装置の周辺部の折り曲
げやすさを向上させることができる。
次いで、図6(A)、(B)とは異なる表示装置の構造について、図10(A)、(B)
に示す。まず図10(A)では、図5(A)で示した表示装置の斜視図について示してい
る。図10(B)では図10(A)内の点線A-B間の断面図について示し、表示部10
3及び折曲部107の断面構造について示している。なお図10(A)については、図5
(A)と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。また、図10(B)
の表示部103の構成については、図6(B)の表示部103と同様の図であり、ここで
は詳細な説明については省略する。また、図10(B)の折曲部107の構成について図
6(B)の折曲部107と異なる点は、折れ曲がった封止基板603を、折れ曲がった素
子基板601で外側より覆う構成となっている点にあり、その他の構成については、図6
(B)と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
に示す。まず図10(A)では、図5(A)で示した表示装置の斜視図について示してい
る。図10(B)では図10(A)内の点線A-B間の断面図について示し、表示部10
3及び折曲部107の断面構造について示している。なお図10(A)については、図5
(A)と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。また、図10(B)
の表示部103の構成については、図6(B)の表示部103と同様の図であり、ここで
は詳細な説明については省略する。また、図10(B)の折曲部107の構成について図
6(B)の折曲部107と異なる点は、折れ曲がった封止基板603を、折れ曲がった素
子基板601で外側より覆う構成となっている点にあり、その他の構成については、図6
(B)と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
図10(A)、(B)に示す表示装置の周辺を折り曲げた折曲部107の断面では、折れ
曲がった封止基板603を、折れ曲がった素子基板601で外側より覆う構成となってい
る。すなわち、封止基板603の曲率が素子基板601の曲率より大きくなっている。そ
の結果、素子基板601に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部614を形成することができ
、使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
曲がった封止基板603を、折れ曲がった素子基板601で外側より覆う構成となってい
る。すなわち、封止基板603の曲率が素子基板601の曲率より大きくなっている。そ
の結果、素子基板601に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部614を形成することができ
、使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
なお図10(B)では、図7(A)、図7(B)図8(A)、及び図8(B)と同様に、
表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用いた電気泳動素子
、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能である。
表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用いた電気泳動素子
、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能である。
また図10(B)とは異なる表示装置の断面の構造について、図11に示す。図11では
図10(A)内の点線A-B間の断面図について、図10(B)とは異なる断面構造を示
している。図11が図10(B)と異なる点は、折曲部107の断面構造において、シー
ル材602の内側の領域にある第1の電極層608と第2の電極層609とが挟持された
表示素子、及び封止基板603を折曲部107の断面構造において形成せず、絶縁層60
6上を封止層901で覆った点にある。折曲部107では、図9と同様に、表示に寄与す
る第1の電極層608、第2の電極層609、及び封止基板603等を削減することがで
き、表示装置の周辺の折り曲げやすさを向上させることができる。
図10(A)内の点線A-B間の断面図について、図10(B)とは異なる断面構造を示
している。図11が図10(B)と異なる点は、折曲部107の断面構造において、シー
ル材602の内側の領域にある第1の電極層608と第2の電極層609とが挟持された
表示素子、及び封止基板603を折曲部107の断面構造において形成せず、絶縁層60
6上を封止層901で覆った点にある。折曲部107では、図9と同様に、表示に寄与す
る第1の電極層608、第2の電極層609、及び封止基板603等を削減することがで
き、表示装置の周辺の折り曲げやすさを向上させることができる。
次いで、図6(A)、(B)、図10(A)、(B)とは異なる表示装置の構造について
、図12(A)、(B)に示す。まず図12(A)では、図4(C)で示した表示装置の
断面図について示している。図12(B)では図12(A)の断面図の詳細について示し
、具体的には表示部103及び折曲部1201の断面構造について示している。また図1
2(A)については、図4(C)と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略
する。なお図12(B)の表示部103の構成については、図6(B)、図10(B)の
表示部103と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
、図12(A)、(B)に示す。まず図12(A)では、図4(C)で示した表示装置の
断面図について示している。図12(B)では図12(A)の断面図の詳細について示し
、具体的には表示部103及び折曲部1201の断面構造について示している。また図1
2(A)については、図4(C)と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略
する。なお図12(B)の表示部103の構成については、図6(B)、図10(B)の
表示部103と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
図12(B)の折曲部1201の構成について説明する。図12(B)の折曲部1201
は、表示部103より延びて折れ曲がった素子基板601、素子基板601と嵌合するよ
う設けられた外部接続配線1202、表示部103の画素電極として機能する第1の電極
層608と同時に形成された外部接続電極1203、薄膜トランジスタ604のソース電
極層及びドレイン電極層と同じ導電層で形成された端子電極1204、異方性導電膜12
05を有する。なお図12(B)では、素子基板601上に、外部接続電極1203、端
子電極1204の他に、薄膜トランジスタ604のゲート絶縁膜、及び層間絶縁層に相当
する絶縁層が積層して設けられている。なお外部接続電極1203は、外部接続配線12
02が有する端子と、異方性導電膜1205を介して電気的に接続されている。
は、表示部103より延びて折れ曲がった素子基板601、素子基板601と嵌合するよ
う設けられた外部接続配線1202、表示部103の画素電極として機能する第1の電極
層608と同時に形成された外部接続電極1203、薄膜トランジスタ604のソース電
極層及びドレイン電極層と同じ導電層で形成された端子電極1204、異方性導電膜12
05を有する。なお図12(B)では、素子基板601上に、外部接続電極1203、端
子電極1204の他に、薄膜トランジスタ604のゲート絶縁膜、及び層間絶縁層に相当
する絶縁層が積層して設けられている。なお外部接続電極1203は、外部接続配線12
02が有する端子と、異方性導電膜1205を介して電気的に接続されている。
外部接続配線1202は、単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成されたICが別途用
意された基板に実装されている。なお、別途形成したICと外部接続電極1203との外
部接続配線1202を介した接続方式は、特に限定されるものではなく、COG方式、ワ
イヤボンディング方式、またはTAB方式などを用いることができる。
意された基板に実装されている。なお、別途形成したICと外部接続電極1203との外
部接続配線1202を介した接続方式は、特に限定されるものではなく、COG方式、ワ
イヤボンディング方式、またはTAB方式などを用いることができる。
図12(B)に示す表示装置を折り曲げた折曲部1201の断面では、素子基板601と
外部接続配線1202が互いに嵌合するようにする構成となっている。その結果、素子基
板601と外部接続配線1202との接触面積を大きくとることが出来、固着強度を高め
ることができる。
外部接続配線1202が互いに嵌合するようにする構成となっている。その結果、素子基
板601と外部接続配線1202との接触面積を大きくとることが出来、固着強度を高め
ることができる。
なお図12(B)の表示部103では、図7(A)、図7(B)図8(A)、及び図8(
B)と同様に、表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用い
た電気泳動素子、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能
である。
B)と同様に、表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用い
た電気泳動素子、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能
である。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
(実施の形態4)
本実施の形態では、表示装置が有するトランジスタの例を、図13(A)乃至(D)を用
いて説明する。図13(A)乃至(D)は、実施の形態3における薄膜トランジスタ60
4に用いることのできる薄膜トランジスタの例である。
本実施の形態では、表示装置が有するトランジスタの例を、図13(A)乃至(D)を用
いて説明する。図13(A)乃至(D)は、実施の形態3における薄膜トランジスタ60
4に用いることのできる薄膜トランジスタの例である。
図13(A)乃至(D)において、素子基板601上に絶縁膜1301が形成され、絶縁
膜1301上に薄膜トランジスタ604が設けられている。薄膜トランジスタ604上に
絶縁層1302、絶縁層607が形成され、薄膜トランジスタ604と電気的に接続する
第1の電極層608が設けられている。
膜1301上に薄膜トランジスタ604が設けられている。薄膜トランジスタ604上に
絶縁層1302、絶縁層607が形成され、薄膜トランジスタ604と電気的に接続する
第1の電極層608が設けられている。
図13(A)に図示する薄膜トランジスタ604は、ソース電極層及びドレイン電極層と
して機能する配線層1303a、1303bと半導体層1304とがn+層を介さずに接
する構成である。
して機能する配線層1303a、1303bと半導体層1304とがn+層を介さずに接
する構成である。
図13(B)に図示する薄膜トランジスタ604はボトムゲート型の薄膜トランジスタで
あり、絶縁表面を有する基板である素子基板601、絶縁膜1301上に、ゲート電極層
1305、ゲート絶縁層1307、半導体層1304、ソース領域又はドレイン領域とし
て機能するn+層1306a、1306b、ソース電極層又はドレイン電極層として機能
する配線層1303a、1303bを含む。n+層1306a、1306bは、半導体層
1304より低抵抗な半導体層である。
あり、絶縁表面を有する基板である素子基板601、絶縁膜1301上に、ゲート電極層
1305、ゲート絶縁層1307、半導体層1304、ソース領域又はドレイン領域とし
て機能するn+層1306a、1306b、ソース電極層又はドレイン電極層として機能
する配線層1303a、1303bを含む。n+層1306a、1306bは、半導体層
1304より低抵抗な半導体層である。
なお、n+層1306a、1306bを、ゲート絶縁層1307と配線層1303a、1
303bの間に設ける構造としてもよい。また、n+層をゲート絶縁層及び配線層の間と
、配線層と半導体層の間と両方に設ける構造としてもよい。
303bの間に設ける構造としてもよい。また、n+層をゲート絶縁層及び配線層の間と
、配線層と半導体層の間と両方に設ける構造としてもよい。
図13(C)に図示する薄膜トランジスタ604は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ
であり、薄膜トランジスタ604において、ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層
とが、n+層を介さずに接する構成である。
であり、薄膜トランジスタ604において、ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層
とが、n+層を介さずに接する構成である。
図13(C)に図示する薄膜トランジスタ604は、図13(C)に図示する薄膜トラン
ジスタ604を含む領域全てにおいてゲート絶縁層1307が存在し、ゲート絶縁層13
07と絶縁表面を有する基板である素子基板601の間にゲート電極層1305が設けら
れている。ゲート絶縁層1307上には配線層1303a、1303bが設けられている
。そして、ゲート絶縁層1307、配線層1303a、1303b上に半導体層1304
が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層1307上には配線層1303a
、1303bに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層1304の外周部より外側に延
在している。
ジスタ604を含む領域全てにおいてゲート絶縁層1307が存在し、ゲート絶縁層13
07と絶縁表面を有する基板である素子基板601の間にゲート電極層1305が設けら
れている。ゲート絶縁層1307上には配線層1303a、1303bが設けられている
。そして、ゲート絶縁層1307、配線層1303a、1303b上に半導体層1304
が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層1307上には配線層1303a
、1303bに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層1304の外周部より外側に延
在している。
図13(D)に図示する薄膜トランジスタ604は、トップゲート型の薄膜トランジスタ
である。絶縁表面を有する基板である素子基板601、絶縁膜1301上に、ソース領域
又はドレイン領域として機能するn+層1306a、1306bを含む半導体層1304
、半導体層1304上にゲート絶縁層1307が形成され、ゲート絶縁層1307上にゲ
ート電極層1305が形成されている。またn+層1306a、1306bと接してソー
ス電極層又はドレイン電極層として機能する配線層1303a、1303bが形成されて
いる。n+層1306a、1306bは、半導体層1304より低抵抗な半導体領域であ
る。
である。絶縁表面を有する基板である素子基板601、絶縁膜1301上に、ソース領域
又はドレイン領域として機能するn+層1306a、1306bを含む半導体層1304
、半導体層1304上にゲート絶縁層1307が形成され、ゲート絶縁層1307上にゲ
ート電極層1305が形成されている。またn+層1306a、1306bと接してソー
ス電極層又はドレイン電極層として機能する配線層1303a、1303bが形成されて
いる。n+層1306a、1306bは、半導体層1304より低抵抗な半導体領域であ
る。
本実施の形態では、シングルゲート構造を説明したが、ダブルゲート構造などのマルチゲ
ート構造でもよい。この場合、半導体層の上方及び下方にゲート電極層を設ける構造でも
良く、半導体層の片側(上方又は下方)にのみ複数ゲート電極層を設ける構造でもよい。
ート構造でもよい。この場合、半導体層の上方及び下方にゲート電極層を設ける構造でも
良く、半導体層の片側(上方又は下方)にのみ複数ゲート電極層を設ける構造でもよい。
半導体層に用いられる半導体材料は特に限定されない。薄膜トランジスタの半導体層に用
いることのできる材料の例を説明する。
いることのできる材料の例を説明する。
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材
料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質(アモルファス、以下
「AS」ともいう。)半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して
結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶(セミアモルファス若しくはマイクロクリスタ
ルとも呼ばれる。以下「SAS」ともいう。)半導体などを用いることができる。半導体
層はスパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により成膜することができる
。
料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質(アモルファス、以下
「AS」ともいう。)半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して
結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶(セミアモルファス若しくはマイクロクリスタ
ルとも呼ばれる。以下「SAS」ともいう。)半導体などを用いることができる。半導体
層はスパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により成膜することができる
。
微結晶半導体膜は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安
定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半
導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対
して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマ
ンスペクトルが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている
。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1とアモルファスシリコンを示す480cm
-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手(ダング
リングボンド)を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上
含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含
ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られ
る。
定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半
導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対
して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマ
ンスペクトルが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている
。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1とアモルファスシリコンを示す480cm
-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手(ダング
リングボンド)を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上
含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含
ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られ
る。
この微結晶半導体膜は、周波数が数十MHz~数百MHzの高周波プラズマCVD法、ま
たは周波数が1GHz以上のマイクロ波プラズマCVD装置により形成することができる
。代表的には、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3などの水素化珪素
や、SiCl4、SiF4などのハロゲン化化珪素を水素で希釈して形成することができ
る。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選
ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる
。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を5倍以上200倍以下、好ましくは
50倍以上150倍以下、更に好ましくは100倍とする。
たは周波数が1GHz以上のマイクロ波プラズマCVD装置により形成することができる
。代表的には、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3などの水素化珪素
や、SiCl4、SiF4などのハロゲン化化珪素を水素で希釈して形成することができ
る。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選
ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる
。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を5倍以上200倍以下、好ましくは
50倍以上150倍以下、更に好ましくは100倍とする。
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体と
しては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン(多結晶シリコン)には
、800℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂
高温ポリシリコンや、600℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料と
して用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリ
コンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶
半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
しては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン(多結晶シリコン)には
、800℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂
高温ポリシリコンや、600℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料と
して用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリ
コンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶
半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
また、半導体の材料としてはシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)などの単体のほか
GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、SiGeなどのような化合物半導体も用
いることができる。
GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、SiGeなどのような化合物半導体も用
いることができる。
半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方
法(レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた
熱結晶化法等)を用いれば良い。また、SASである微結晶半導体をレーザ照射して結晶
化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質
珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下500℃で1時間加熱することによって
非晶質珪素膜の含有水素濃度を1×1020atoms/cm3以下にまで放出させる。
これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されて
しまうからである。
法(レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた
熱結晶化法等)を用いれば良い。また、SASである微結晶半導体をレーザ照射して結晶
化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質
珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下500℃で1時間加熱することによって
非晶質珪素膜の含有水素濃度を1×1020atoms/cm3以下にまで放出させる。
これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されて
しまうからである。
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表
面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、CVD
法、プラズマ処理法(プラズマCVD法も含む)、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法
を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整
が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改
善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのUV光
の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等によ
り、酸化膜を成膜することが望ましい。
面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、CVD
法、プラズマ処理法(プラズマCVD法も含む)、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法
を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整
が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改
善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのUV光
の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等によ
り、酸化膜を成膜することが望ましい。
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導
体膜に結晶化を促進する元素(触媒元素、金属元素とも示す)を添加し、熱処理(550
℃~750℃で3分~24時間)により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長(促進)す
る元素としては、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru
)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)
、白金(Pt)、銅(Cu)及び金(Au)から選ばれた一種又は複数種類を用いること
ができる。
体膜に結晶化を促進する元素(触媒元素、金属元素とも示す)を添加し、熱処理(550
℃~750℃で3分~24時間)により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長(促進)す
る元素としては、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru
)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)
、白金(Pt)、銅(Cu)及び金(Au)から選ばれた一種又は複数種類を用いること
ができる。
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に
接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不
純物元素としては、n型を付与する不純物元素、p型を付与する不純物元素や希ガス元素
などを用いることができ、例えばリン(P)、窒素(N)、ヒ素(As)、アンチモン(
Sb)、ビスマス(Bi)、ボロン(B)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴ
ン(Ar)、Kr(クリプトン)、Xe(キセノン)から選ばれた一種または複数種を用
いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半
導体膜を形成し、熱処理(550℃~750℃で3分~24時間)を行う。結晶性半導体
膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性
半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシン
クとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不
純物元素としては、n型を付与する不純物元素、p型を付与する不純物元素や希ガス元素
などを用いることができ、例えばリン(P)、窒素(N)、ヒ素(As)、アンチモン(
Sb)、ビスマス(Bi)、ボロン(B)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴ
ン(Ar)、Kr(クリプトン)、Xe(キセノン)から選ばれた一種または複数種を用
いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半
導体膜を形成し、熱処理(550℃~750℃で3分~24時間)を行う。結晶性半導体
膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性
半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシン
クとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、
熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ
法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
また半導体層に、酸化物半導体を用いてもよい。例えば、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ
(SnO2)なども用いることができる。ZnOを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層
をY2O3、Al2O3、TiO2、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電
極層、ドレイン電極層としては、ITO、Au、Tiなどを用いることができる。また、
ZnOにInやGaなどを添加することもできる。
(SnO2)なども用いることができる。ZnOを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層
をY2O3、Al2O3、TiO2、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電
極層、ドレイン電極層としては、ITO、Au、Tiなどを用いることができる。また、
ZnOにInやGaなどを添加することもできる。
酸化物半導体としてInMO3(ZnO)m(m>0)で表記される薄膜を用いることが
できる。なお、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、マンガン(M
n)及びコバルト(Co)から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えば
Mとして、Gaの場合があることの他、GaとNi又はGaとFeなど、Ga以外の上記
金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金
属元素の他に、不純物元素としてFe、Niその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸
化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてIn-Ga-Zn-O系
非単結晶膜を用いることができる。
できる。なお、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、マンガン(M
n)及びコバルト(Co)から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えば
Mとして、Gaの場合があることの他、GaとNi又はGaとFeなど、Ga以外の上記
金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金
属元素の他に、不純物元素としてFe、Niその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸
化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてIn-Ga-Zn-O系
非単結晶膜を用いることができる。
酸化物半導体層(InMO3(ZnO)m(m>0)膜)としてIn-Ga-Zn-O系
非単結晶膜のかわりに、Mを他の金属元素とするInMO3(ZnO)m(m>0)膜を
用いてもよい。また、酸化物半導体層に適用する酸化物半導体として上記の他にも、In
-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-
Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Z
n-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系、In-Ga-O系の酸化物半導体を適
用することができる。
非単結晶膜のかわりに、Mを他の金属元素とするInMO3(ZnO)m(m>0)膜を
用いてもよい。また、酸化物半導体層に適用する酸化物半導体として上記の他にも、In
-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-
Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Z
n-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系、In-Ga-O系の酸化物半導体を適
用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
(実施の形態5)
本実施の形態では、上記実施の形態で述べた表示装置の応用形態について具体例を示し、
説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で述べた表示装置の応用形態について具体例を示し、
説明する。
図14(A)は携帯情報端末であり、本体3001、表示部3002、3003、記憶媒
体3004、操作スイッチ3005等を含む。上記実施の形態で述べた表示装置は、可撓
性基板で形成される表示部3003を具備する表示装置に適用できる。このように表示部
の形状を自由に設計することができるので、所望な形状の携帯情報端末を作製することが
できる。加えて上記実施の形態で述べた表示装置は、駆動回路、または回路間の接続部を
壊れにくくし、丈夫な表示装置を提供することができる。
体3004、操作スイッチ3005等を含む。上記実施の形態で述べた表示装置は、可撓
性基板で形成される表示部3003を具備する表示装置に適用できる。このように表示部
の形状を自由に設計することができるので、所望な形状の携帯情報端末を作製することが
できる。加えて上記実施の形態で述べた表示装置は、駆動回路、または回路間の接続部を
壊れにくくし、丈夫な表示装置を提供することができる。
図14(B)は、上記実施の形態で述べた表示装置を搭載した電子書籍の例である。第1
の筐体3101は第1の表示部3102を有し、第1の筐体3101は操作ボタン310
3を有し、第2の筐体3104は、第2の表示部3105を有し、第1の筐体3101及
び第2の筐体3104は、支持部3106によって開閉動作が可能となっている。このよ
うな構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となり、加えて上記実施の形態
で述べた表示装置を第1の表示部3102及び第2の表示部3105に適用することで、
駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくくし、丈夫な電子書籍を提供することができ
る。
の筐体3101は第1の表示部3102を有し、第1の筐体3101は操作ボタン310
3を有し、第2の筐体3104は、第2の表示部3105を有し、第1の筐体3101及
び第2の筐体3104は、支持部3106によって開閉動作が可能となっている。このよ
うな構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となり、加えて上記実施の形態
で述べた表示装置を第1の表示部3102及び第2の表示部3105に適用することで、
駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくくし、丈夫な電子書籍を提供することができ
る。
図15(A)は、電車1501などの乗り物の車内広告用途の表示装置1502を示して
いる。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、表
示素子による表示を行う表示装置を用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表
示を変えることができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記
実施の形態で述べた表示装置を表示装置1502に適用することで、駆動回路、または回
路間の接続部を壊れにくく丈夫な広告用途の表示装置を提供することができる。
いる。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、表
示素子による表示を行う表示装置を用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表
示を変えることができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記
実施の形態で述べた表示装置を表示装置1502に適用することで、駆動回路、または回
路間の接続部を壊れにくく丈夫な広告用途の表示装置を提供することができる。
また、図15(B)は、屋外広告用途の表示装置1511を示している。可撓性を有する
基板を用いて作製された表示装置1511を揺動させて表示部の1512の広告媒体とし
の広告効果を高めることができる。広告の交換は人手によって行われるが、表示素子によ
る表示を行う表示装置を用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示
も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を表示
部1512に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくくし丈夫な広
告媒体を提供することができる。
基板を用いて作製された表示装置1511を揺動させて表示部の1512の広告媒体とし
の広告効果を高めることができる。広告の交換は人手によって行われるが、表示素子によ
る表示を行う表示装置を用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示
も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を表示
部1512に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくくし丈夫な広
告媒体を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
101 素子基板
102 支持部
103 表示部
104 信号線
105 走査線
106 駆動回路
106 駆動回路
107 折曲部
108 駆動回路
201 折曲部
301 外部接続配線
302 プリント基板
303 IC
304 接続部
401 空間
402 外端部
403 接着部材
500 窒素雰囲気下
501 素子基板
502 湾曲部
503 外端部
504 表示部
601 素子基板
602 シール材
603 封止基板
604 薄膜トランジスタ
605 薄膜トランジスタ
606 絶縁層
607 絶縁層
608 電極層
609 電極層
610a 黒色領域
610b 白色領域
611 キャビティ
612 球形粒子
613 充填材
614 湾曲部
701 液体
702a 微粒子
702b 微粒子
703 マイクロカプセル
704 溶媒
751 リブ
752 空間
753a 粉粒体
753b 粉粒体
801 発光素子
802 電界発光層
803 電極層
804 隔壁
805 充填材
851 液晶素子
852 液晶層
853 絶縁膜
854 絶縁膜
855 スペーサ
901 封止層
1201 折曲部
1202 外部接続配線
1203 外部接続電極
1204 端子電極
1205 異方性導電膜
1301 絶縁膜
1302 絶縁層
1303a 配線層
1304 半導体層
1305 ゲート電極層
1306a n+層
1307 ゲート絶縁層
1501 電車
1502 表示装置
1511 表示装置
1512 表示部
3001 本体
3002 表示部
3003 表示部
3004 記憶媒体
3005 操作スイッチ
3101 筐体
3102 表示部
3103 操作ボタン
3104 筐体
3105 表示部
3106 支持部
4311 表示装置
102 支持部
103 表示部
104 信号線
105 走査線
106 駆動回路
106 駆動回路
107 折曲部
108 駆動回路
201 折曲部
301 外部接続配線
302 プリント基板
303 IC
304 接続部
401 空間
402 外端部
403 接着部材
500 窒素雰囲気下
501 素子基板
502 湾曲部
503 外端部
504 表示部
601 素子基板
602 シール材
603 封止基板
604 薄膜トランジスタ
605 薄膜トランジスタ
606 絶縁層
607 絶縁層
608 電極層
609 電極層
610a 黒色領域
610b 白色領域
611 キャビティ
612 球形粒子
613 充填材
614 湾曲部
701 液体
702a 微粒子
702b 微粒子
703 マイクロカプセル
704 溶媒
751 リブ
752 空間
753a 粉粒体
753b 粉粒体
801 発光素子
802 電界発光層
803 電極層
804 隔壁
805 充填材
851 液晶素子
852 液晶層
853 絶縁膜
854 絶縁膜
855 スペーサ
901 封止層
1201 折曲部
1202 外部接続配線
1203 外部接続電極
1204 端子電極
1205 異方性導電膜
1301 絶縁膜
1302 絶縁層
1303a 配線層
1304 半導体層
1305 ゲート電極層
1306a n+層
1307 ゲート絶縁層
1501 電車
1502 表示装置
1511 表示装置
1512 表示部
3001 本体
3002 表示部
3003 表示部
3004 記憶媒体
3005 操作スイッチ
3101 筐体
3102 表示部
3103 操作ボタン
3104 筐体
3105 表示部
3106 支持部
4311 表示装置
Claims (1)
- 可撓性を有する素子基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板上に設けられた駆動回路と、を有し、
前記素子基板は、一辺と前記表示部との間に湾曲部を有し、
前記駆動回路は、前記一辺と前記表示部との間に位置する、表示装置。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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JP2009160382 | 2009-07-07 | ||
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---|---|---|---|
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Related Child Applications (1)
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---|---|---|---|
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JP2015189571A Withdrawn JP2016035581A (ja) | 2009-07-07 | 2015-09-28 | 表示装置 |
JP2016187928A Active JP6143398B2 (ja) | 2009-07-07 | 2016-09-27 | 表示装置及び電子機器 |
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JP2018102192A Active JP6407469B2 (ja) | 2009-07-07 | 2018-05-29 | 電子機器 |
JP2018203037A Active JP6541857B2 (ja) | 2009-07-07 | 2018-10-29 | 電子機器 |
JP2018215636A Active JP6541861B2 (ja) | 2009-07-07 | 2018-11-16 | 電子機器 |
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JP2020202090A Active JP6856815B2 (ja) | 2009-07-07 | 2020-12-04 | 電子機器 |
JP2021044635A Active JP7192012B2 (ja) | 2009-07-07 | 2021-03-18 | 表示装置 |
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JP2024033616A Pending JP2024075606A (ja) | 2009-07-07 | 2024-03-06 | 発光装置 |
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JP2014150342A Active JP5816725B2 (ja) | 2009-07-07 | 2014-07-24 | 表示装置 |
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KR101275792B1 (ko) | 2010-07-28 | 2013-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101713277B1 (ko) * | 2010-08-13 | 2017-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반사 방지 필름 및 상기 반사 방지 필름을 채용한 접이식 디스플레이 장치 |
JP5720222B2 (ja) | 2010-12-13 | 2015-05-20 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
TWI434250B (zh) * | 2010-12-15 | 2014-04-11 | Au Optronics Corp | 可撓性顯示面板 |
JP5842089B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2016-01-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機elデバイス |
JP2012174607A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 有機elデバイス |
JP5613590B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-10-29 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイス |
US8716932B2 (en) * | 2011-02-28 | 2014-05-06 | Apple Inc. | Displays with minimized borders |
JP2012215841A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Sony Corp | 表示装置 |
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