JP2014123748A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる
水素や水分（水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半
導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化
物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することが
でき、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に
付着させてもよい。
【選択図】図１

Description

酸化物半導体を用いる半導体装置及びその作製方法に関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を
構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは液晶テレビに代表されるような表示
装置に用いられている。薄膜トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導
体材料が公知であるが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。
酸化物半導体の材料としては、酸化亜鉛又は酸化亜鉛を成分とするものが知られている。
そして、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物（酸化物半導体）
なるもので形成された薄膜トランジスタが開示されている（特許文献１乃至３参照。）。
特開２００６−１６５５２７号公報 特開２００６−１６５５２８号公報 特開２００６−１６５５２９号公報
しかしながら酸化物半導体は薄膜形成工程において化学量論的組成からのずれが生じてし
まう。例えば、酸素の過不足によって酸化物半導体の電気伝導度が変化してしまう。また
、酸化物半導体の薄膜形成中に混入する水素や水分が酸素（Ｏ）−水素（Ｈ）結合を形成
して電子供与体となり、電気伝導度を変化させる要因となる。さらにＯ−Ｈは極性分子な
ので、酸化物半導体によって作製される薄膜トランジスタのような能動デバイスに対して
特性の変動要因となる。
このような問題に鑑み本発明の一形態は、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用
いた半導体装置を提供することを目的とする。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される絶縁層との界面において、変動要因と
なる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物を排除する。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。本明細書において、ハロゲン元素
とは周期表において第１７族元素（フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素
（Ｉ）など）のことを意味し、代表的には、フッ素、塩素を用いることができ、用いるハ
ロゲン元素は一種でも複数種でもよい。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、保護絶縁層となる絶縁
層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処
理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。
ハロゲン元素は成膜中にゲート絶縁層や絶縁層に含まれるように、成膜ガス（スパッタガ
ス）に導入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハ
ロゲン元素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層や絶縁層に添加
してもよい。また、プラズマ処理によって酸化物半導体層との界面に付着させてもよい。
ゲート絶縁層や絶縁層にハロゲン元素を含ませる場合、ゲート絶縁層や絶縁層中における
ハロゲン元素濃度は５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３程度とすればよい。
上記いずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、水分、水酸
基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は絶縁層に拡散させ、上記酸化
物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
また、絶縁層は酸素過剰とし、不対結合手に代表される欠陥を多く含むことが好ましい。
欠陥を多く含む絶縁層は、主に水素に対して束縛エネルギーがより大きくなり、酸化物半
導体層から絶縁層への拡散がより促進され、絶縁層において不純物が安定化させることが
できるため好ましい。
また、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する絶縁層を、クライオ
ポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で、成膜すればよい。
また、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、及び酸化物半導体層に接する絶縁層を、成膜する
際に用いるスパッタガス（ハロゲン元素を含むガスも含め）も水素、水、水酸基又は水素
化物などの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程度まで除去された高純度ガスを用い
ることが好ましい。
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、ゲート電極層と、ゲート電極層上にハロゲン
元素を含むゲート絶縁層と、ハロゲン元素を含むゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸
化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、ソース電極層及
びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する絶縁層を有する半導体装置である。
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、ゲート電極層と、ゲート電極層上にゲー
ト絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及び
ドレイン電極層と、酸化物半導体層、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体
層の一部と接するハロゲン元素を含む絶縁層を有する半導体装置である。
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、ゲート電極層と、ゲート電極層上にハロ
ゲン元素を含むゲート絶縁層と、ハロゲン元素を含むゲート絶縁層上に酸化物半導体層と
、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、ソース電極
層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接するハロゲン元素を含む絶縁層を有
する半導体装置である。
上記構成において、さらに絶縁層を覆う保護絶縁層を有する構成であってもよい。また、
ゲート絶縁層を積層構造とし、ゲート電極層側から窒化物絶縁層、酸化物絶縁層からなる
積層としてもよい。この場合、少なくとも酸化物半導体層と接する酸化物絶縁層にハロゲ
ン元素を含ませるとよい。
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、基板上にゲート電極層を形成し、該基板
をハロゲン元素を含むガスを用いてクリーニング処理し減圧状態に保持された第１の処理
室に導入し、ゲート電極層を覆うハロゲン元素を含むゲート絶縁層を形成した後、該基板
を減圧状態に保持された第２の処理室に導入し、第２の処理室内の残留水分を除去しつつ
水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、第２の処理室内に装着された金属酸化
物のターゲットを用いてハロゲン元素を含むゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成した後、該基板を第３の処理
室に導入し、第３の処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去された酸素を含
むスパッタガスを導入し、第３の処理室内に装着されたシリコンを含むターゲットを用い
て、酸化物半導体層上に、絶縁層を形成し、該基板を１００℃乃至４００℃の温度に加熱
して酸化物半導体層中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含むゲート絶縁層側
に拡散させる半導体装置の作製方法である。
上記構成において、酸化物半導体層中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含む
ゲート絶縁層側に拡散させる加熱処理は、ハロゲン元素を含むゲート絶縁層上に酸化物半
導体層が形成した後であればいつ行ってもよく、絶縁層の形成前に行ってもよい。
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、基板上にゲート電極層及び該ゲート電極
層を覆うゲート絶縁層を形成した後、該基板を減圧状態に保持された第１の処理室に導入
し、第１の処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導
入し、第１の処理室内に装着された金属酸化物のターゲットを用いてゲート絶縁層上に酸
化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成した
後、該基板を第２の処理室に導入し、第２の処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水
分が除去された酸素及びハロゲン元素を含むスパッタガスを導入し、第２の処理室内に装
着されたシリコンを含むターゲットを用いて、酸化物半導体層上に、ハロゲン元素を含む
絶縁層を形成し、該基板を１００℃乃至４００℃の温度に加熱して酸化物半導体層中に含
まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含む絶縁層側に拡散させる半導体装置の作製方
法である。
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、基板上にゲート電極層及び該ゲート電極
層を覆うゲート絶縁層を形成した後、該基板を減圧状態に保持された第１の処理室に導入
し、第１の処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導
入し、第１の処理室内に装着された金属酸化物のターゲットを用いてゲート絶縁層上に酸
化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成した
後、酸化物半導体層にハロゲン元素を含むガス雰囲気下でプラズマ処理を行い酸化物半導
体層表面にハロゲン元素を付着させ、該基板を第２の処理室に導入し、第２の処理室内の
残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去された酸素を含むスパッタガスを導入し、第２
の処理室内に装着されたシリコンを含むターゲットを用いて、酸化物半導体層上に、絶縁
層を形成し、該基板を１００℃乃至４００℃の温度に加熱して酸化物半導体層中に含まれ
る水素若しくは水分を絶縁層側に拡散させる半導体装置の作製方法である。
上記半導体装置の作製方法において、絶縁層を形成する際の基板温度は０℃乃至５０℃の
温度とすることができる。
上記半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁層、及び／又は酸化物半導体層、及び／
又は絶縁層を作製する際に、第１の処理室及び／又は第２の処理室及び／又は第３の処理
室の排気は吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオ
ンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。上記吸着型の真空ポ
ンプは、ゲート絶縁層、及び／又は酸化物半導体層、及び／又は絶縁層に含まれる水素、
水、水酸基又は水素化物の量を低減するように作用する。
上記半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を成膜するためのターゲットは、酸
化亜鉛を主成分として含むものを用いることができる。また、ターゲットとして、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛を含む金属酸化物を用いることができる。
上記半導体装置の作製方法において、絶縁層として酸化シリコン層を成膜するためのシリ
コンを含むターゲットは、シリコン半導体のターゲット又は合成石英のターゲットを用い
ることができる。
上記各構成は、上記課題の少なくとも一つを解決する。
なお、酸化物半導体層としては、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜で
あり、その薄膜を酸化物半導体層として用いた薄膜トランジスタを作製する。なお、Ｍは
、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示
す。例えばＭとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉまたはＧａとＦｅなど、Ｇ
ａ以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとし
て含まれる金属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、または
該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。本明細書においては、ＩｎＭＯ３（Ｚｎ
Ｏ）ｍ（ｍ＞０）で表記される構造の酸化物半導体層のうち、ＭとしてＧａを含む構造の
酸化物半導体をＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とよび、その薄膜をＩｎ−Ｇａ−Ｚ
ｎ−Ｏ系非単結晶膜とも呼ぶ。
また、酸化物半導体層に適用する金属酸化物として上記の他にも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系、Ｉ
ｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ
−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−
Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物を適用することができる
。また上記金属酸化物からなる酸化物半導体層に酸化シリコンを含ませてもよい。
また、酸化物半導体層とソース電極及びドレイン電極の間に、酸化物導電層を形成しても
よい。酸化物導電層とソース電極及びドレイン電極を形成するための金属層は、連続成膜
が可能である。
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線またはソース
線に対して、画素部の薄膜トランジスタの保護用の保護回路を同一基板上に設けることが
好ましい。保護回路は、酸化物半導体層を用いた非線形素子を用いて構成することが好ま
しい。
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を
示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称
を示すものではない。
安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。
半導体装置及び半導体装置の作製方法を説明する図。 半導体装置及び半導体装置の作製方法を説明する図。 半導体装置及び半導体装置の作製方法を説明する図。 半導体装置及び半導体装置の作製方法を説明する図。 半導体装置及び半導体装置の作製方法を説明する図。 半導体装置及び半導体装置の作製方法を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置の画素等価回路を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置を説明する図。 半導体装置の画素等価回路を説明する図。 半導体装置を説明する図。 電子機器を示す図。 電子機器を示す図。 電子機器を示す図。 電子機器を示す図。 電子機器を示す図。 成膜装置の一例を説明する図。 成膜装置の一例を説明する図。 成膜装置の一例を説明する図。 酸化物半導体を用いた逆スタガ型の薄膜トランジスタの縦断面図。 図２５に示すＡ−Ａ’断面におけるエネルギーバンド図（模式図）。 （Ａ）ゲート（Ｇ１）に正の電位（＋ＶＧ）が印加された状態を示し、（Ｂ）ゲート（Ｇ１）に負の電位（−ＶＧ）が印加された状態示す図。 真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体の電子親和力（χ）の関係を示す図。 半導体装置を説明する図。 計算モデルを説明する模式図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図１を用いて説明する
。本実施の形態で示す半導体装置は薄膜トランジスタである。
図１（Ａ）乃至（Ｆ）に半導体装置の断面構造の一例を示す。図１（Ａ）乃至（Ｆ）に示
す薄膜トランジスタ１１０は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジス
タともいう。
図１（Ａ）乃至（Ｆ）に示す薄膜トランジスタ１１０は、絶縁表面を有する基板１００上
に、ゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２、酸化物半導体層１
１２、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電極層１１５ｂを含む。また、薄膜トランジ
スタ１１０を覆い、酸化物半導体層１１２に接する酸化物絶縁層１１６が設けられ、さら
にその上に保護絶縁層１０３が積層されている。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成されるゲート絶縁層及び／又は絶縁層との界
面において、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）な
どの不純物を排除する。具体的には、酸化物半導体層及び、該酸化物半導体層と接して形
成される絶縁層との界面における水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ま
しくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ゲート絶縁層や絶縁層にハロゲン
元素を含ませる場合、ゲート絶縁層や絶縁層中におけるハロゲン元素濃度は５×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度とすればよい。
なお、前記水素濃度及びハロゲン元素濃度は二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎ
ｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）による各濃度の定量結果であ
る。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、絶縁層に含ませて形成
することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物
半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成膜時に
ゲート絶縁層に含ませる、成膜時に絶縁層に含ませる、プラズマ処理により絶縁層との界
面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数行ってもよい。
上記少なくともいずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、
水分、水酸基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は絶縁層に拡散させ
、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
ハロゲン元素が水素などの不純物に与える影響を結合エネルギーの計算により検証した。
ハロゲン元素としてはフッ素（Ｆ）、ハロゲン元素が含まれる絶縁層としては酸化シリコ
ン（ＳｉＯｘ）を用いた。
なお、計算には、Ｇａｕｓｓ基底を用いた密度汎関数法（ＤＦＴ）を用いた。ＤＦＴでは
、交換相関相互作用を電子密度で表現された一電子ポテンシャルの汎関数（関数の関数の
意）で近似しているため、計算は高速かつ高精度である。ここでは、混合汎関数であるＢ
３ＬＹＰを用いて、交換と相関エネルギーに係る各パラメータの重みを規定した。また、
基底関数として、６−３１１Ｇ（それぞれの原子価軌道に三つの短縮関数を用いたｔｒｉ
ｐｌｅ ｓｐｌｉｔ ｖａｌｅｎｃｅ基底系の基底関数）を全ての原子に適用した。上述
の基底関数により、例えば、水素原子であれば、１ｓ〜３ｓの軌道が考慮され、また、酸
素原子であれば、１ｓ〜４ｓ、２ｐ〜４ｐの軌道が考慮されることになる。さらに、計算
精度向上のため、分極基底系として、水素原子にはｐ関数を、水素原子以外にはｄ関数を
加えた。なお、量子化学計算プログラムとしては、Ｇａｕｓｓｉａｎ ０３を使用した。
計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ（ＳＧＩ社製、Ａｌｔｉｘ４７００）を用いて
行った。
以下では、フッ素が点在した酸化シリコン（ＳｉＯ２）中に、水素がマイグレーションし
た場合に、水素がフッ素に結合するか、ＳｉＯ２中の酸素に結合するか、ＳｉＯ２中のシ
リコンに結合するかについて計算を行った。具体的には、フッ素を添加したＳｉＯ２中に
水素が存在するとき、水素がフッ素、酸素とシリコンのどの原子と結合を形成すると安定
化するかを計算した。図３０に計算モデルの模式図を示す。また、表１にＨ−Ｆ、Ｈ−Ｏ
、Ｈ−Ｓｉ結合の結合エネルギーを示す。
Figure 2014123748
表１に示すように、水素は酸素やシリコンと結合するよりも、フッ素と結合しやすい事が
わかる。よって、フッ素が添加されたＳｉＯｘを層間膜に用いる事で、加熱処理によりマ
イグレーションしている水素はＳｉＯｘ中のフッ素と結合して安定化し、捉えられやすい
と言える。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素は電気陰性度が大きいために、不純物である水素
の電気陰性度との差が大きく、ハロゲン元素と水素とはイオン結合の結合力が大きく作用
する。
従って、ゲート絶縁層又は／及び絶縁層に含まれるハロゲン元素により、酸化物半導体層
中の水素や水分（水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物をゲート
絶縁層又は／及び絶縁層へより効果的に拡散し、酸化物半導体層中より排除することがで
きる。
本実施の形態では、ゲート絶縁層にハロゲン元素を含ませる例であり、酸化物半導体層１
１２に接して設けられるゲート絶縁層１３２はハロゲン元素を含む。
図２５は、酸化物半導体を用いた逆スタガ型の薄膜トランジスタの縦断面図を示す。ゲー
ト電極（ＧＥ１）上にゲート絶縁膜（ＧＩ）を介して酸化物半導体層（ＯＳ）が設けられ
、その上にソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）が設けられている。
図２６は、図２５に示すＡ−Ａ’断面におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図
２６（Ａ）はソースとドレインの間の電圧を等電位（ＶＤ＝０Ｖ）とした場合を示し、図
２６（Ｂ）はソースに対しドレインに正の電位（ＶＤ＞０）を加えた場合を示す。
図２７は、図２５におけるＢ−Ｂ’の断面におけるエネルギーバンド図（模式図）である
。図２７（Ａ）はゲート（Ｇ１）に正の電位（＋ＶＧ）が印加された状態であり、ソース
とドレインと間にキャリア（電子）が流れるオン状態を示している。また、図２７（Ｂ）
は、ゲート（Ｇ１）に負の電位（−ＶＧ）が印加された状態であり、オフ状態（少数キャ
リアは流れない）である場合を示す。
図２８は、真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体の電子親和力（χ）の関係
を示す。
常温において金属中の電子は縮退しており、フェルミ準位は伝導帯内に位置する。一方、
従来の酸化物半導体は一般にｎ型であり、その場合のフェルミ準位（ＥＦ）は、バンドギ
ャップ中央に位置する真性フェルミ準位（Ｅｉ）から離れて、伝導帯寄りに位置している
。なお、酸化物半導体において水素はドナーでありｎ型化する一つの要因であることが知
られている。
これに対して本発明に係る酸化物半導体は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導体から除
去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することによ
り真性（ｉ型）とし、又は真性型とせんとしたものである。すなわち、不純物を添加して
ｉ型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたｉ
型（真性半導体）又はそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フェ
ルミ準位（ＥＦ）は真性フェルミ準位（Ｅｉ）と同じレベルにまですることができる。
酸化物半導体のバンドギャップ（Ｅｇ）が３．１５ｅＶである場合、電子親和力（χ）は
４．３ｅＶと言われている。ソース電極及びドレイン電極を構成するチタン（Ｔｉ）の仕
事関数は、酸化物半導体の電子親和力（χ）とほぼ等しい。この場合、金属−酸化物半導
体界面において、電子に対してショットキー型の障壁は形成されない。
すなわち、金属の仕事関数（φＭ）と酸化物半導体の電子親和力（χ）がほぼ等しい場合
、両者が接触すると図２６（Ａ）で示すようなエネルギーバンド図（模式図）が示される
。
図２６（Ｂ）において黒丸（●）は電子を示し、ドレインに正の電位が印加されると、電
子はバリア（ｈ）をこえて酸化物半導体に注入され、ドレインに向かって流れる。この場
合、バリア（ｈ）の高さは、ゲート電圧とドレイン電圧に依存して変化するが、正のドレ
イン電圧が印加された場合には、電圧印加のない図２６（Ａ）のバリアの高さすなわちバ
ンドギャップ（Ｅｇ）の１／２よりもバリア（ｈ）の高さは小さい値となる。
このとき電子は、図２７（Ａ）で示すようにゲート絶縁膜と高純度化された酸化物半導体
との界面における、酸化物半導体側のエネルギー的に安定な最低部を移動する。
また、図２７（Ｂ）において、ゲート電極（Ｇ１）に負の電位（逆バイアス）が印加され
ると、少数キャリアであるホールは実質的にゼロであるため、電流は限りなくゼロに近い
値となる。
例えば、薄膜トランジスタのチャネル幅Ｗが１×１０４μｍでチャネル長が３μｍの素子
であっても、オフ電流が１０−１３Ａ以下であり、サブスレッショルドスイング値（Ｓ値
）が０．１Ｖ／ｄｅｃ．（ゲート絶縁膜厚１００ｎｍ）が得られる。
このように、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化するこ
とにより、薄膜トランジスタの動作を良好なものとすることができる。
また、薄膜トランジスタ１１０はシングルゲート構造の薄膜トランジスタを用いて説明す
るが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
以下、図１（Ａ）乃至（Ｆ）を用い、基板１００上に薄膜トランジスタ１１０を作製する
工程を説明する。
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ
工程及びエッチング工程によりゲート電極層１０１を形成する（図１（Ａ）参照。）。形
成されたゲート電極層の端部はテーパ形状であると、上に積層するゲート絶縁層の被覆性
が向上するため好ましい。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。
レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コ
ストを低減できる。
絶縁表面を有する基板１００に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なく
とも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。バリウムホ
ウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。
また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上
のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、ア
ルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている
。なお、酸化ホウ酸と比較して酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用
的な耐熱ガラスが得られる。このため、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用い
ることが好ましい。
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶
縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。また
、プラスチック基板等も適宜用いることができる。
下地膜となる絶縁膜を基板１００とゲート電極層１０１との間に設けてもよい。下地膜は
、基板１００からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜によ
る積層構造により形成することができる。
また、ゲート電極層１０１の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングス
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とす
る合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
例えば、ゲート電極層１０１の２層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン
層が積層された２層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した２層構造、また
は銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した２層構造、窒化チタン層とモ
リブデン層とを積層した２層構造とすることが好ましい。３層の積層構造としては、タン
グステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアルミ
ニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した積層や、モリブデ
ン層、アルミニウム層、モリブデン層の３層を用いることができる。なお、透光性を有す
る導電膜を用いてゲート電極層を形成することもできる。透光性を有する導電膜としては
、透光性導電性酸化物等をその例に挙げることができる。
次いで、ゲート電極層１０１上にゲート絶縁層を形成する。本実施の形態では、ゲート絶
縁層にハロゲン元素を含ませて形成する。ゲート絶縁層が積層構造の場合、少なくとも酸
化物半導体層に接するゲート絶縁層にハロゲン元素を含ませる。
ゲート絶縁層は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、
窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化アルミニウム層を
単層で又は積層して形成することができる。スパッタリング法により酸化シリコン層を成
膜する場合には、ターゲットとしてシリコンターゲット又は石英ターゲットを用い、スパ
ッタガスとして酸素又は、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
ここで、不純物を除去することによりｉ型化又は実質的にｉ型化された酸化物半導体（高
純度化された酸化物半導体）は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、ゲー
ト絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶
縁層（ＧＩ）は、高品質化が要求される。
例えば、μ波（２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤは、緻密で絶縁耐圧の高
い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲー
ト絶縁層とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすること
ができるからである。
もちろん、ゲート絶縁層として良質な絶縁層を形成できるものであれば、スパッタリング
法やプラズマＣＶＤ法など他の成膜方法を適用することができる。また、成膜後の熱処理
によってゲート絶縁層の膜質、酸化物半導体との界面特性が改質される絶縁層であっても
良い。いずれにしても、ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化
物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるものであれば良い。
さらに、８５℃、２×１０６Ｖ／ｃｍ、１２時間のゲートバイアス・熱ストレス試験（Ｂ
Ｔ試験）においては、不純物が酸化物半導体に添加されていると、不純物と酸化物半導体
の主成分との結合手が、強電界（Ｂ：バイアス）と高温（Ｔ：温度）により切断され、生
成された不対結合手がしきい値電圧（Ｖｔｈ）のドリフトを誘発することとなる。
これに対して、本明細書に開示する発明は、酸化物半導体の不純物、特に水素や水等を極
力除去し、上記のようにゲート絶縁層との界面特性を良好にすることにより、ＢＴ試験に
対しても安定な薄膜トランジスタを得ることを可能としている。
本実施の形態では、ゲート電極層１０１側からゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２
の積層構造でゲート絶縁層を形成する（図１（Ｂ）参照。）。積層するゲート絶縁層は、
ゲート電極層１０１側から窒化シリコン層と酸化シリコン層の積層構造を用いることがで
きる。ゲート絶縁層１３１としてスパッタリング法により膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、ゲート絶縁層１３１上にゲート絶
縁層１３２として膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下のハロゲン元素を含む酸化シリコン層（
ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を積層して、膜厚１００ｎｍのゲート絶縁層とする。
ハロゲン元素は成膜中にゲート絶縁層に含まれるように、成膜ガス（スパッタガス）に導
入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハロゲン元
素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層に添加してもよい。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時にゲート絶縁層に含ませるように成膜することができる。上記のように成
膜と同時にハロゲン元素をゲート絶縁層に添加すると、工程数を増加させずに、ハロゲン
元素を含むゲート絶縁層を形成できる利点がある。
ハロゲン元素を含むガスとしては、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素
（ＣＦ４）、弗化硫黄（ＳＦ６）、弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３
）など）、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）
、塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）などを適宜用いることができ
る。
また、ゲート絶縁層を、成膜する際に用いる成膜ガス（ハロゲン元素を含むガスも含め）
も水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程度まで
除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
また、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２に水素、水酸基及び水分がなるべく含ま
れないようにするために、成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲー
ト電極層１０１が形成された基板１００を２００℃以上の温度で加熱し、基板１００に吸
着した不純物を除去することが好ましい。
次いで、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２上に、膜厚２ｎｍ以上２００ｎｍ以下
の酸化物半導体膜を形成する。
なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入して
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層１３２の表面に付着しているゴミ
を除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴ
ン雰囲気下で基板側にＲＦ電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表
面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用
いてもよい。
酸化物半導体膜はスパッタリング法により成膜する。酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚ
ｎ−Ｏ系非単結晶膜、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−
Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓ
ｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導
体膜を用いる。本実施の形態では、酸化物半導体膜をＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導
体ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。また、酸化物半導体膜は、スパ
ッタガスとして希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、又は希ガス（代表的にはアルゴン
）及び酸素を用いることができ、該スパッタガスの雰囲気下においてスパッタリング法に
より形成することができる。また、スパッタリング法を用いる場合、ＳｉＯ２を２重量％
以上１０重量％以下含むターゲットを用いて成膜を行ってもよい。
酸化物半導体膜を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物な
どの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程度まで除去された高純度ガスを用いること
が好ましい。
酸化物半導体膜をスパッタリング法で作製するためのターゲットとして、酸化亜鉛を主成
分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。また、金属酸化物のターゲット
の他の例としては、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲット（組成比として
、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１
：１：０．５［ａｔ．比］）を用いることができる。また、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む
酸化物半導体ターゲットとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［ａｔｏｍ比］、又はＩ
ｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２［ａｔｏｍ比］の組成比を有するターゲットを用いることも
できる。酸化物半導体ターゲットの充填率は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％
以上９９．９％以下である。充填率の高い酸化物半導体ターゲットを用いることにより、
成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、基板を４００℃未満の温度に加熱する。
そして、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入
し、金属酸化物をターゲットとして基板１００上に酸化物半導体膜を成膜する。処理室内
の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、
クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい
。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであって
もよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子や、Ｈ２Ｏなど水
素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜し
た酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を１００ｍｍ、圧力０．６Ｐａ
、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下の条件が適用さ
れる。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一とな
るために好ましい。酸化物半導体膜は好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。なお、
適用する酸化物半導体材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すれ
ばよい。
上記のようにして酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜することで、二次イオン質量
分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）
による水素濃度の定量結果が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０
１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（さらに好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下）
、に抑制された酸化物半導体膜を得ることができる。
酸化物半導体膜は、成膜時に膜にダメージを与えないようなスパッタリング条件で成膜す
る。また、基板を４００℃未満の温度として成膜することによって、高温の加熱処理によ
る酸化物半導体膜の変質（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜であれば、ＺｎＯ
が膜の外部に析出してしまうなど）を防止することができる。
スパッタリング法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるＲＦスパッタリング法と、Ｄ
Ｃスパッタリング法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスＤＣスパッタリン
グ法もある。ＲＦスパッタリング法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、ＤＣスパッ
タリング法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。
また、材料の異なるターゲットを複数設置できる多元スパッタ装置もある。多元スパッタ
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタリング法を用いるスパッ
タ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるＥＣＲス
パッタリング法を用いるスパッタ装置がある。
また、スパッタリング法を用いる成膜方法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガ
ス成分とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング法
や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。
次いで、酸化物半導体膜を第２のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により島状
の酸化物半導体層１２１に加工する（図１（Ｃ）参照。）。また、島状の酸化物半導体層
１２１を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジスト
マスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低
減できる。
また、ゲート絶縁層１３２にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体
層１２１の形成時に行うことができる。
なお、ここでの酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチン
グでもよく、両方を用いてもよい。
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例え
ば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）、塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣ
ｌ４）など）が好ましい。
また、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、弗化硫黄（ＳＦ
６）、弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ
）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを
添加したガス、などを用いることができる。
ドライエッチング法としては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈ
ｉｎｇ）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導
結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングでき
るように、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加さ
れる電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節する。
ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、ア
ンモニア過水（３１重量％過酸化水素水：２８重量％アンモニア水：水＝５：２：２）な
どを用いることができる。また、ＩＴＯ０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
また、ウェットエッチング後のエッチング液はエッチングされた材料とともに洗浄によっ
て除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を
再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウム等
の材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる
。
所望の加工形状にエッチングできるように、材料に合わせてエッチング条件（エッチング
液、エッチング時間、温度等）を適宜調節する。
なお、次工程の導電膜を形成する前に逆スパッタを行い、酸化物半導体層１２１及びゲー
ト絶縁層１３２の表面に付着しているレジスト残渣などを除去することが好ましい。
次いで、ゲート絶縁層１３２、及び酸化物半導体層１２１上に、導電膜を形成する。導電
膜をスパッタリング法や真空蒸着法で形成すればよい。導電膜の材料としては、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合
金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、マンガン、マグネシウ
ム、ジルコニウム、ベリリウム、トリウムのいずれか一または複数から選択された材料を
用いてもよい。また、金属導電膜は、単層構造でも、２層以上の積層構造としてもよい。
例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層
する２層構造、Ｔｉ膜と、そのＴｉ膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上
にＴｉ膜を成膜する３層構造などが挙げられる。また、Ａｌに、チタン（Ｔｉ）、タンタ
ル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎ
ｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜
、もしくは窒化膜を用いてもよい。
第３のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッ
チングを行ってソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂを形成した後、レジスト
マスクを除去する（図１（Ｄ）参照。）。
なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層１２１は除去されないようにそれぞれ
の材料及びエッチング条件を適宜調節する。
本実施の形態では、導電膜としてＴｉ膜を用いて、酸化物半導体層１２１にはＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いて、エッチャントとして過水アンモニア水（アンモニア、水、
過酸化水素水の混合液）を用いる。
なお、第３のフォトリソグラフィ工程後のエッチング工程では、酸化物半導体層１２１は
一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する酸化物半導体層となることもある。ま
た、ソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂを形成するためのレジストマスクを
インクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフ
ォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過
した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマ
スクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマ
スクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形するこ
とができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる
。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応
するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ
、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。
Ｎ２Ｏ、Ｎ２、またはＡｒなどのガスを用いたプラズマ処理によって露出している酸化物
半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。また、酸素とアルゴンの混合ガ
スを用いてプラズマ処理を行ってもよい。
プラズマ処理を行った場合、大気に触れることなく、酸化物半導体層の一部に接する保護
絶縁膜となる酸化物絶縁層として酸化物絶縁層１１６を形成する。本実施の形態では、酸
化物半導体層１２１がソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂと重ならない領域
において、酸化物半導体層１２１と酸化物絶縁層１１６とが接するように形成する（図１
（Ｅ）参照。）。
酸化物絶縁層１１６として、島状の酸化物半導体層１２１、ソース電極層１１５ａ、ドレ
イン電極層１１５ｂまで形成された基板１００を１００℃未満の温度に加熱し、水素及び
水分が除去された高純度酸素を含むスパッタガスを導入しシリコン半導体のターゲットを
用いて、酸化シリコン層を成膜する。なお、酸化物絶縁層１１６は、欠陥を含む酸化シリ
コン層となるように形成すると好ましい。
酸化物絶縁層１１６を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化
物などの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程度まで除去された高純度ガスを用いる
ことが好ましい。
例えば、純度が６Ｎであり、ボロンがドープされたシリコンターゲット（抵抗値０．０１
Ωｃｍ）を用い、ターゲットと基板との間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を８９ｍｍ、圧力０．
４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源６ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下でパルスＤＣ
スパッタリング法により酸化シリコン層を成膜する。膜厚は３００ｎｍとする。なお、シ
リコンターゲットに代えて石英（好ましくは合成石英）を酸化シリコン層を成膜するため
のターゲットとして用いることができる。なお、スパッタガスとして酸素又は、酸素及び
アルゴンの混合ガスを用いて行う。
この場合において、処理室内の残留水分を除去しつつ酸化物絶縁層１１６を成膜すること
が好ましい。酸化物半導体層１２１及び酸化物絶縁層１１６に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
なお、酸化物絶縁層１１６としては、酸化シリコン層に代えて、酸化窒化シリコン層、酸
化アルミニウム層、または酸化窒化アルミニウム層などを用いることもできる。
次に、ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層であるゲート絶縁層１３２と酸化物半導体層１２
１とを接した状態で１００℃乃至４００℃で加熱処理を行う。この加熱処理によって酸化
物半導体層１２１中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含む酸化物絶縁層であ
るゲート絶縁層１３２に拡散させることができる。ゲート絶縁層１３２はハロゲン元素を
含むため、島状の酸化物半導体層１２１に含まれる水素、水酸基又水分等の不純物は、酸
化物半導体層１２１とゲート絶縁層１３２が接する界面を介して、ゲート絶縁層１３２に
拡散する。具体的には、酸化物半導体層１２１に含まれる水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原
子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物等がゲート絶縁層１３２に拡散し移動し易くな
る。
また、酸化物絶縁層１１６は酸素過剰とし、不対結合手に代表される欠陥を多く含むこと
が好ましい。欠陥を多く含む酸化物絶縁層１１６は、主に水素に対して束縛エネルギーが
より大きくなり、酸化物半導体層から酸化物絶縁層１１６への拡散がより促進され、酸化
物絶縁層１１６において不純物が安定化させることができるため好ましい。
以上の工程で、水素や水分などの不純物を排除し、水素や水分などの不純物を極低濃度と
することによって、酸化物半導体層表層部のバックチャネル側での寄生チャネルの発生を
抑えることができる。
従って水素及び水素化物の濃度が低減された酸化物半導体層１１２を有する薄膜トランジ
スタ１１０を形成することができる（図１（Ｆ）参照。）。
上記のように酸化物半導体膜を成膜するに際し、反応雰囲気中の残留水分を除去すること
で、該酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。それにより
酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。
酸化物絶縁層上に保護絶縁層を設けてもよい。本実施の形態では、保護絶縁層１０３を酸
化物絶縁層１１６上に形成する。保護絶縁層１０３としては、窒化シリコン膜、窒化酸化
シリコン膜、または窒化アルミニウム膜などを用いる。
保護絶縁層１０３として、酸化物絶縁層１１６まで形成された基板１００を１００℃〜４
００℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入
しシリコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。この場合においても
、酸化物絶縁層１１６と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ保護絶縁層１０３を成
膜することが好ましい。
保護絶縁層１０３を形成する場合、保護絶縁層１０３の成膜時に１００℃〜４００℃に基
板１００を加熱することで、酸化物半導体層中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元
素を含むゲート絶縁層に拡散させることができる。よって上記酸化物絶縁層１１６の形成
後に加熱処理を行わなくてもよい。
酸化物絶縁層１１６と保護絶縁層１０３として窒化シリコン層を積層する場合、酸化シリ
コン層と窒化シリコン層を同じ処理室において、共通のシリコンターゲットを用いて成膜
することができる。先に酸素を含むスパッタリングガスを導入して、処理室内に装着され
たシリコンターゲットを用いて酸化シリコン層を形成し、次にスパッタリングガスを窒素
を含むスパッタリングガスに切り替えて同じシリコンターゲットを用いて窒化シリコン層
を成膜する。酸化シリコン層と窒化シリコン層とを大気に曝露せずに連続して形成するこ
とができるため、酸化シリコン層表面に水素や水分などの不純物が吸着することを防止す
ることができる。この場合、酸化物絶縁層１１６と保護絶縁層１０３として窒化シリコン
層を積層した後、酸化物半導体層中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含むゲ
ート絶縁層に拡散させる加熱処理（温度１００℃乃至４００℃）を行えばよい。
保護絶縁層の形成後、さらに大気中、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以
下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよ
いし、室温から、１００℃以上２００℃の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの
降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加熱処理を、酸化物絶縁膜の形成前
に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと、加熱時間を短縮することができ
る。この加熱処理よって、ノーマリーオフとなる薄膜トランジスタを得ることができる。
よって半導体装置の信頼性を向上できる。
基板を加熱して窒化シリコン層を成膜することで、酸化物半導体層からハロゲン元素を含
むゲート絶縁層に水素、水分を拡散させつつ、同時に外気から水分の侵入を防ぐバリア膜
を設けることができる。
また、ゲート絶縁層上にチャネル形成領域とする酸化物半導体層を成膜するに際し、反応
雰囲気中の残留水分を除去することで、該酸化物半導体層中の水素及び水素化物の濃度を
低減することができる。また、酸化物半導体層に接してハロゲン元素を含むゲート絶縁層
を設けることで酸化物半導体層中の水素、水分を酸化シリコン膜へ拡散させ酸化物半導体
層の水素及び水素化合物の濃度を低減することができる。
図２３は酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜を用いた半導体装置の作製に用いることので
きる成膜装置１０００の一例を示す。
成膜装置１０００は、ローダー室１１１０と、アンローダー室１１２０を有し、それぞれ
処理前の基板を収納するカセット１１１１と、処理済みの基板を収納するカセット１１２
１が設置されている。ローダー室１１１０と、アンローダー室１１２０の間には第１の搬
送室１１００があり、基板を搬送する搬送手段１１０１が設置されている。
成膜装置１０００は第２の搬送室１２００を有している。第２の搬送室１２００には搬送
手段１２０１が設置され、ゲートバルブを介して周囲に４つの処理室（第１の処理室１２
１０、第２の処理室１２２０、第３の処理室１２３０、及び第４の処理室１２４０）と接
続されている。なお、第１の処理室１２１０はゲートバルブを介して、一方が第１の搬送
室１１００と接続され、他方が第２の搬送室１２００と接続されている。
第２の搬送室１２００、第１の処理室１２１０、第２の処理室１２２０、第３の処理室１
２３０、及び第４の処理室１２４０には、それぞれ排気手段１２０５、排気手段１２１５
、排気手段１２２５、排気手段１２３５、及び排気手段１２４５が設けられている。また
、これらの排気手段は各処理室の使用用途に応じて適宜排気装置を選定すればよいが、特
にクライオポンプを備えた排気手段が好ましい。また、ターボ分子ポンプにコールドトラ
ップを備えた手段であってもよい。
酸化物半導体膜を成膜する場合、酸化物半導体膜を成膜する処理室はもちろんのこと、酸
化物半導体膜に接する膜、及び酸化物半導体膜の成膜前後の工程において、処理室内に残
留する水分が不純物として混入しないよう、クライオポンプなどの排気手段を用いること
が好ましい。
第１の処理室１２１０には、基板加熱手段１２１１が設けられている。また、第１の処理
室１２１０は、大気圧状態の第１の搬送室１１００から減圧状態の第２の搬送室１２００
に、基板を搬送する受け渡し室の役割を有している。受け渡し室を設けることにより、第
２の搬送室１２００を大気による汚染から守ることができる。
第２の処理室１２２０、第３の処理室１２３０、及び第４の処理室１２４０には、それぞ
れスパッタリング法により窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化物半導体膜を成膜する
ための構成が備えられている。すなわち、各処理室にはターゲット、基板加熱手段が備え
られ、スパッタガスを導入するガス供給手段、グロー放電生成手段が付加されている。
成膜装置１０００の動作の一例について説明する。ここでは、ゲート電極層１０１が形成
された基板にゲート絶縁層と酸化物半導体層を連続成膜する方法について説明する。
搬送手段１１０１が、カセット１１１１から第１の処理室１２１０に、ゲート電極層１０
１が形成された基板１００を搬送する。次いで、ゲートバルブを閉じ第１の処理室１２１
０で基板１００を予備加熱し、基板に吸着した不純物を脱離させ排気する。不純物は、例
えば、水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物などであ
る。
次いで、基板１００を第２の処理室１２２０に搬送して窒化シリコン層を成膜し、その後
基板１００を第３の処理室１２３０に搬送してハロゲン元素を含む酸化シリコン層を成膜
してゲート絶縁層１３１、１３２を形成する。第２の処理室１２２０、及び第３の処理室
１２３０はクライオポンプ等により排気され、成膜室内の不純物濃度が低減されていると
好ましい。不純物が低減された処理室内で積層された窒化シリコン膜と酸化シリコン膜は
、含有する水素、水酸基又は水分等が抑制されたゲート絶縁層１３１、１３２として用い
る。
ゲート絶縁層１３２にハロゲン元素を含ませる工程は、成膜中に、第３の処理室１２３０
にハロゲン元素を含むガスを導入してゲート絶縁層１３２の膜中にハロゲン元素を含ませ
ることができる。また、ゲート絶縁層１３２を成膜する第３の処理室１２３０をハロゲン
元素を含むガスを用いてクリーニング処理し、第３の処理室１２３０にハロゲン元素を残
留させた状態で基板１００を搬送して、その残留させたハロゲン元素を取り込むようにゲ
ート絶縁層１３２を成膜し、ハロゲン元素を含ませてもよい。
次いで、基板１００を第４の処理室１２４０に搬送する。第４の処理室１２４０は、酸化
物半導体用のターゲットを備えており、排気手段としてクライオポンプを有している。第
４の処理室１２４０では、酸化物半導体層を成膜する。
第４の処理室１２４０において酸化物半導体膜を形成する方法を図２２を用いて説明する
。図２２に示すように第４の処理室１２４０は排気室５００２を介してメインバルブによ
って排気手段１２４５と接続され、電源５００３、ドライポンプ５００１、カソード５０
０５、ステージ昇降機構５００６、基板ステージ５００７、ゲートバルブ５００８、冷却
水５００９、流量調節器５０１０、ガスタンク５０１１を有しており、基板ステージ５０
０７上に基板１００が保持され、カソード５００５側に酸化物半導体用のターゲット５０
０４が装着されている。
第４の処理室１２４０はまずドライポンプ５００１によって排気室５００２を介して排気
され、減圧化される。次にクライオポンプである排気手段１２４５によって排気され、第
４の処理室１２４０内の水素、水分、水素化物、水素化合物などの不純物を排気する。な
お、クライオポンプに代えて、ターボ分子ポンプを用い、当該ターボ分子ポンプの吸気口
上に水分等を吸着させるべくコールドトラップを設ける構成としても良い。
ゲート絶縁層１３２まで形成された基板１００をゲートバルブ５００８を通って第４の処
理室１２４０へ搬送し、基板ステージ５００７上に保持する。ガスタンク５０１１から流
量調節器５０１０によって流量を制御しながらスパッタガスを第４の処理室１２４０内に
導入し、電源５００３よりカソードに電圧を印加してプラズマを発生させ、ターゲット５
００４を用いて基板１００上に酸化物半導体膜を形成する。
図２２では第４の処理室を例として説明したが、本明細書における成膜装置のどの処理室
においても図２２の方法が適宜適用できる。
第４の処理室１２４０では室内に残留する水分がクライオポンプにより除去され、酸化物
半導体膜の水素濃度を低減することができる。また、酸化物半導体膜は基板を加熱しなが
ら成膜する。クライオポンプにより処理室内に残留する水分を除去しながらスパッタ成膜
を行うことで、酸化物半導体膜を成膜する際の基板温度は４００℃以下とすることができ
る。
以上のようにして、成膜装置１０００によってゲート絶縁層１３２から酸化物半導体膜を
連続して形成することができる。なお、図２３では、３つ以上の処理室が搬送室を介して
接続する構成を有しているがこれに限られない。例えば、基板の搬入口と搬出口を有し、
各処理室が互いに接続する構成、所謂インライン型の構成としてもよい。
図２４は、図１（Ｅ）（Ｆ）で示すように島状の酸化物半導体層１２１上に、酸化物絶縁
層１１６及び保護絶縁層１０３を形成するための成膜装置３０００の一例を示す。
成膜装置３０００は、ローダー室３１１０と、アンローダー室３１２０を有し、それぞれ
処理前の基板を収納するカセット３１１１と、処理済みの基板を収納するカセット３１２
１が設置されている。
また、成膜装置３０００は第１の搬送室３１００を有している。第１の搬送室３１００に
は搬送手段３１０１が設置され、ゲートバルブを介して周囲に５つの処理室（第１の処理
室３２１０、第２の処理室３２２０、第３の処理室３２３０、第４の処理室３２４０、及
び第５の処理室３２５０）と接続されている。
ローダー室３１１０、アンローダー室３１２０、第１の搬送室３１００、第１の処理室３
２１０、第２の処理室３２２０、第３の処理室３２３０、第４の処理室３２４０、及び第
５の処理室３２５０には、それぞれ排気手段３１１５、排気手段３１２５、排気手段３１
０５、排気手段３２１５、排気手段３２２５、排気手段３２３５、排気手段３２４５、及
び排気手段３２５５が設けられており、減圧状態を実現できる。また、これらの排気手段
は各処理室の使用用途に応じて適宜排気装置を選定すればよいが、特にクライオポンプを
備えた排気手段が好ましい。また、ターボ分子ポンプにコールドトラップを備えた手段で
あってもよい。
ローダー室３１１０、及びアンローダー室３１２０は第１の搬送室３１００に、基板を搬
送する受け渡し室の役割を有している。受け渡し室を設けることにより、第１の搬送室３
１００を大気による汚染から守ることができる。
第１の処理室３２１０及び第４の処理室３２４０には、それぞれ基板加熱手段３２１１、
及び基板加熱手段３２４１が設けられている。第２の処理室３２２０、第３の処理室３２
３０には、それぞれスパッタリング法により酸化シリコン膜、窒化シリコン膜を成膜する
ための構成が備えられている。すなわち、各処理室にはターゲット、基板加熱手段が備え
られ、スパッタガスを導入するガス供給手段、グロー放電生成手段が付加されている。ま
た、第５の処理室３２５０には冷却手段３２５１が設けられている。
成膜装置３０００の動作の一例について説明する。ここでは、島状の酸化物半導体層１２
１上に、酸化物絶縁層１１６及び保護絶縁層１０３を形成する方法について説明する。
はじめに、ローダー室３１１０を排気し、ローダー室３１１０の圧力が第１の搬送室３１
００の圧力と概略等しくなったら、ゲートバルブを開き第１の搬送室３１００を介してロ
ーダー室３１１０から第１の処理室３２１０へ基板１００を搬送する。
次いで、基板１００を第１の処理室３２１０の基板加熱手段３２１１で予備加熱し、基板
に吸着した不純物を脱離し排気することが好ましい。不純物としては、例えば、水素原子
や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物などである。なお、予備
加熱の温度としては、１００℃以上４００℃以下好ましくは１５０℃以上３００℃以下で
ある。なお、第１の処理室３２１０に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。基板
１００に吸着していた不純物が予備加熱により脱離し、第１の処理室３２１０内に拡散す
るため、クライオポンプを用いて不純物を第１の処理室３２１０から排出する必要がある
。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。
次いで、基板１００を第２の処理室３２２０に搬送し、酸化物絶縁層１１６を成膜する。
例えば、酸化物絶縁層１１６として酸化シリコン膜を成膜する。第２の処理室３２２０は
クライオポンプ等により排気され、処理室内の不純物濃度が低減されている。不純物が低
減された処理室内で成膜された酸化物絶縁膜は、不純物濃度が抑制される。具体的には、
酸化物絶縁膜に含まれる水素濃度を低減することができる。また、酸化物絶縁層１１６は
基板１００を加熱しながら成膜しても良いが、酸化物絶縁層１１６に欠陥を含ませるため
０℃乃至５０℃程度の温度、好ましくは室温で成膜することが望ましい。
スパッタリング法により酸化物絶縁層１１６として酸化シリコン膜を成膜する場合、ター
ゲットとして石英ターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。シリコン
ターゲットを用いて、酸素、及び希ガス雰囲気下でスパッタリング法により成膜した酸化
シリコン膜は、シリコン原子または酸素原子の不対結合手（ダングリングボンド）を含ま
せることができる。
酸化物絶縁層にハロゲン元素を含ませる場合は、酸化物絶縁層にハロゲン元素を含ませる
工程は、成膜中に、第２の処理室３２２０にハロゲン元素を含むガスを導入して酸化物絶
縁層の膜中にハロゲン元素を含ませることができる。また、酸化物絶縁層を成膜する第２
の処理室３２２０をハロゲン元素を含むガスを用いてクリーニング処理し、第２の処理室
３２２０にハロゲン元素を残留させた状態で基板１００を搬送して、その残留させたハロ
ゲン元素を取り込むように酸化物絶縁層を成膜し、ハロゲン元素を含ませてもよい。
次いで、基板１００を第３の処理室３２３０に搬送し、酸化物絶縁層１１６上に保護絶縁
層１０３を成膜する。保護絶縁層１０３としては、不純物元素の拡散を防止する機能があ
ればよく、例えば窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などにより形成することができる
。また、第３の処理室３２３０はクライオポンプ等により排気され、処理室内の不純物濃
度が低減されている状態が好ましい。
保護絶縁層１０３は薄膜トランジスタ１１０の外部から不純物が拡散し、侵入することを
防止する。不純物は、水素、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物
などである。
スパッタリング法により保護絶縁層１０３として窒化シリコン膜を成膜する場合、例えば
、シリコンターゲットを用い、第３の処理室３２３０に窒素とアルゴンの混合ガスを導入
して、反応性スパッタリングにより成膜を行う。基板温度を、１００℃以上４００℃以下
例えば２００℃以上３５０℃以下として成膜する。加熱しながら成膜することにより、水
素、水酸基又は水分など水素原子を含む不純物をハロゲン元素を含むゲート絶縁層１３２
に拡散させ、島状の酸化物半導体層１２１における当該不純物濃度を低減させることがで
きる。特に、水素原子の拡散が促進される２００℃以上３５０℃以下の温度範囲が好適で
ある。
また、酸化物絶縁層１１６と保護絶縁層１０３として窒化シリコン層を積層する場合、酸
化シリコン層と窒化シリコン層を同じ処理室において、共通のシリコンターゲットを用い
て成膜することができる。先に酸素を含むスパッタリングガスを導入して、処理室内に装
着されたシリコンターゲットを用いて酸化シリコン層を形成し、次にスパッタリングガス
を窒素を含むスパッタリングガスに切り替えて同じシリコンターゲットを用いて窒化シリ
コン層を成膜する。酸化シリコン層と窒化シリコン層とを大気に曝露せずに連続して形成
することができるため、酸化シリコン層表面に水素や水分などの不純物が吸着することを
防止することができる。この場合、酸化物絶縁層１１６と保護絶縁層１０３として窒化シ
リコン層を積層した後、酸化物半導体層中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を
含むゲート絶縁層１３２に拡散させる加熱処理（温度１００℃乃至４００℃）を行えばよ
い。
なお、水素、水酸基又は水分など水素原子を含む不純物をハロゲン元素を含むゲート絶縁
層１３２に拡散させ、島状の酸化物半導体層１２１における当該不純物濃度を低減させる
ために、保護絶縁層１０３を成膜した後に加熱処理を行っても良い。
例えば、図２４で示すように、基板１００を第４の処理室３２４０に搬送し成膜後の加熱
処理を行う。成膜後の加熱処理において基板温度を１００℃以上４００℃以下とする。加
熱処理により、酸化物半導体層に含まれる不純物を島状の酸化物半導体層１２１とハロゲ
ン元素を含むゲート絶縁層１３２が接する界面を介して、ハロゲン元素を含むゲート絶縁
層１３２に拡散し易くなる。具体的には、島状の酸化物半導体層１２１に含まれる水素原
子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物がハロゲン元素を含むゲート絶縁層１３２に拡散
移動し易くなる。その結果、酸化物半導体層の不純物濃度が低減される。
また、酸化物半導体層中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含むゲート絶縁層
１３２に拡散させる加熱処理は、酸化物絶縁層１１６の形成前に行ってもよい。
加熱処理の後は、基板１００を第５の処理室３２５０に搬送する。成膜後の加熱処理の基
板温度Ｔから、再び水等の不純物が入らないよう、十分低い温度まで冷却する。具体的に
は加熱処理の基板温度Ｔよりも１００℃以上下がるまで徐冷する。冷却は、ヘリウム、ネ
オン、アルゴン等を第５の処理室３２５０に導入して行ってもよい。なお、冷却に用いる
窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないこと
が好ましい。または、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６
Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純
物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
クライオポンプを設けた排気手段を適用した成膜装置３０００を用いることで、処理室内
の不純物を低減できる。処理室の内壁に吸着していた不純物が脱離し、成膜中の基板や、
膜の中に不純物が混入する不具合を低減できる。また、予備加熱中の雰囲気から脱離する
不純物を排気して、基板に再吸着される現象を防ぐことができる。
このようにして形成した酸化物半導体層は、含まれる不純物濃度を低減できる。従って、
例えば、本実施の形態で例示する成膜装置を用いて形成したゲート絶縁層及び酸化物絶縁
層が接して設けられた酸化物半導体層をチャネル形成領域に適用した薄膜トランジスタは
、ゲート電極に電圧を印加しない状態、所謂オフ状態において、チャネル形成領域のキャ
リア濃度が低減されているため、オフ電流が少なく、良好な特性を示す。
なお、図２４では、３つ以上の処理室が搬送室を介して接続する構成を例示したがこれに
限られない。例えば、基板の搬入口と搬出口を有し、各処理室が互いに接続する構成、所
謂インライン型の構成としてもよい。
本実施の形態を用いた工程は、液晶表示パネル、エレクトロルミネセンス表示パネル、電
子インクを用いた表示装置などのバックプレーン（薄膜トランジスタが形成された基板）
の製造に用いることができる。本実施の形態を用いた工程は、４００℃以下の温度で行わ
れるため、厚さが１ｍｍ以下で、一辺が１ｍを超えるガラス基板を用いる製造工程にも適
用することができる。また、４００℃以下の処理温度で全ての工程を行うことができるの
で、表示パネルを製造するために多大なエネルギーを消費しないで済む。
以上のように、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
安定な電気特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例
を示す。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施
の形態を適用することができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は
省略する。
図２（Ａ）乃至（Ｆ）に半導体装置の断面構造の一例を示す。図２（Ａ）乃至（Ｆ）に示
す薄膜トランジスタ１３０は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジス
タともいう。
図２（Ａ）乃至（Ｆ）に示す薄膜トランジスタ１３０は、絶縁表面を有する基板１００上
に、ゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１０２、酸化物半導体層１
１２、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電極層１１５ｂを含む。また、薄膜トランジ
スタ１３０を覆い、酸化物半導体層１１２に接する酸化物絶縁層１３６が設けられ、さら
にその上に保護絶縁層１０３が積層されている。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される酸化物絶縁層（酸化シリコン層）との
界面において、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）
などの不純物を排除する。具体的には、酸化物半導体層及び、該酸化物半導体層と接して
形成される酸化物絶縁層との界面における水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ゲート絶縁層や酸化物絶縁層にハ
ロゲン元素を含ませる場合、ゲート絶縁層や酸化物絶縁層中におけるハロゲン元素濃度は
５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度とすればよい
。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素は電気陰性度が大きいために、不純物である水素
の電気陰性度との差が大きく、ハロゲン元素と水素とはイオン結合の結合力が大きく作用
する。従って、ゲート絶縁層又は／及び酸化物絶縁層に含まれるハロゲン元素により、酸
化物半導体層中の水素や水分（水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不
純物をゲート絶縁層又は／及び酸化物絶縁層へより効果的に拡散し、酸化物半導体層中よ
り排除することができる。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、酸化物絶縁層に含ませ
て形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって
酸化物半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成
膜時にゲート絶縁層に含ませる、成膜時に酸化物絶縁層に含ませる、プラズマ処理により
酸化物絶縁層との界面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数
行ってもよい。
上記少なくともいずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、
水分、水酸基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は酸化物絶縁層に拡
散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
本実施の形態では、保護絶縁層となる酸化物絶縁層１３６にハロゲン元素を含ませる例で
あり、酸化物半導体層１１２に接して設けられる酸化物絶縁層１３６はハロゲン元素を含
む。
また、薄膜トランジスタ１３０はシングルゲート構造の薄膜トランジスタを用いて説明し
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
以下、図２（Ａ）乃至（Ｆ）を用い、基板１００上に薄膜トランジスタ１３０を作製する
工程を説明する。
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ
工程によりゲート電極層１０１を形成する（図２（Ａ）参照。）。
次いで、ゲート電極層１０１上にゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１０２を形成する。
ゲート絶縁層は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、
窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化
窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層を単層で又は積層して形成することができ
る。μ波（２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤは、緻密で絶縁耐圧の高い高
品質な絶縁層を形成できるので好ましい。
本実施の形態では、ゲート電極層１０１側からゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１０２
の積層構造でゲート絶縁層を形成する（図２（Ｂ）参照。）。積層するゲート絶縁層は、
ゲート電極層１０１側から窒化シリコン層と酸化シリコン層の積層構造を用いることがで
きる。ゲート絶縁層１３１としてスパッタリング法により膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、ゲート絶縁層１３１上にゲート絶
縁層１０２として膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化シリコン層（ＳｉＯｘ（ｘ＞０）
）を積層して、膜厚１００ｎｍのゲート絶縁層とする。
また、ゲート絶縁層１３１、１０２を、成膜する際に用いる成膜ガス（ハロゲン元素を含
むガスも含め）も水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度
ｐｐｂ程度まで除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
次いで、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１０２上に、酸化物半導体膜を形成し、第２
のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により島状の酸化物半導体層１２１に加工
する（図２（Ｃ）参照。）。本実施の形態では、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ
−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。
次いで、ゲート絶縁層１０２、及び酸化物半導体層１２１上に、導電膜を形成する。第３
のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチン
グを行ってソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂを形成した後、レジストマス
クを除去する（図２（Ｄ）参照。）。
次いで、ゲート絶縁層１０２、酸化物半導体層１２１、ソース電極層１１５ａ、及びドレ
イン電極層１１５ｂ上に、酸化物絶縁層１３６を形成する（図２（Ｅ）参照。）。
また、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、本
実施の形態では、酸化物絶縁層１３６としてハロゲン元素を含む酸化絶縁層（フッ素を含
む酸化シリコン層）を形成する。
本実施の形態では、酸化物絶縁層１３６として、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電
極層１１５ｂまで形成された基板１００を１００℃未満の温度に加熱し、水素及び水分が
除去された高純度酸素及びハロゲン元素を含むスパッタガスを導入しシリコン半導体のタ
ーゲットを用いて、ハロゲン元素を含む酸化シリコン層を成膜する。
ハロゲン元素は成膜中に、酸化物絶縁層１３６に含まれるように、成膜ガス（スパッタガ
ス）に導入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハ
ロゲン元素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層や酸化物絶縁層
に添加してもよい。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時に、酸化物絶縁層１３６に含ませるように成膜することができる。
ハロゲン元素を含むガスとしては、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素
（ＣＦ４）、弗化硫黄（ＳＦ６）、弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３
）など）、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）
、塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）などを適宜用いることができ
る。
また、酸化物絶縁層１３６を、成膜する際に用いる成膜ガス（ハロゲン元素を含むガスも
含め）も水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程
度まで除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
この場合において、処理室内の残留水分を除去しつつ酸化物絶縁層１３６を成膜すること
が好ましい。酸化物半導体層１２１及び酸化物絶縁層１３６に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
なお、酸化物絶縁層１３６は、酸化シリコン層に代えて、酸化窒化シリコン層、酸化アル
ミニウム層、または酸化窒化アルミニウムなどを用いることもできる。
次に、ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１３６と酸化物半導体層１２１とを接した状態で
１００℃乃至４００℃で加熱処理を行う。この加熱処理によって酸化物半導体層１２１中
に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１３６に拡散させること
ができる。酸化物絶縁層１３６はハロゲン元素を含むため、島状の酸化物半導体層１２１
に含まれる水素、水酸基又水分等の不純物は、酸化物半導体層１２１と酸化物絶縁層１３
６が接する界面を介して、酸化物絶縁層１３６に拡散する。具体的には、酸化物半導体層
１２１に含まれる水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合
物等が酸化物絶縁層１３６に拡散し移動し易くなる。
また、酸化物絶縁層１３６は酸素過剰とし、不対結合手に代表される欠陥を多く含むこと
が好ましい。欠陥を多く含む酸化物絶縁層１３６は、主に水素に対して束縛エネルギーが
より大きくなり、酸化物半導体層から酸化物絶縁層１３６への拡散がより促進され、酸化
物絶縁層１３６において不純物が安定化させることができるため好ましい。
次いで、保護絶縁層１０３を酸化物絶縁層１３６上に形成する。保護絶縁層１０３として
は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または窒化アルミニウムなどを用いる。保護
絶縁層１０３として、酸化物絶縁層１３６まで形成された基板１００を１００℃〜４００
℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入しシ
リコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。
以上の工程で、水素や水分などの不純物を排除し、水素や水分などの不純物を極低濃度と
することによって、酸化物半導体層表層部のバックチャネル側での寄生チャネルの発生を
抑えることができる。
従って水素及び水素化物の濃度が低減された酸化物半導体層１１２を有する薄膜トランジ
スタ１３０を形成することができる（図２（Ｆ）参照。）。
ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１３６を酸化物半導体層１１２に接して設けることによ
り、酸化物半導体層１１２中の水素、水酸基又は水分など水素原子を含む不純物は、ハロ
ゲン元素を含む酸化物絶縁層１３６に拡散でき、酸化物半導体層１１２における電気特性
の変動要因となる当該不純物濃度を低減させることができる。
以上のように、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
安定な電気特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例
を示す。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施
の形態を適用することができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は
省略する。
図３（Ａ）乃至（Ｆ）に半導体装置の断面構造の一例を示す。図３（Ａ）乃至（Ｆ）に示
す薄膜トランジスタ１３５は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジス
タともいう。
図３（Ａ）乃至（Ｆ）に示す薄膜トランジスタ１３５は、絶縁表面を有する基板１００上
に、ゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２、酸化物半導体層１
１２、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電極層１１５ｂを含む。また、薄膜トランジ
スタ１３５を覆い、酸化物半導体層１１２に接する酸化物絶縁層１３６が設けられ、さら
にその上に保護絶縁層１０３が積層されている。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される酸化物絶縁層（酸化シリコン層）との
界面において、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）
などの不純物を排除する。具体的には、酸化物半導体層及び、該酸化物半導体層と接して
形成される酸化物絶縁層との界面における水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ゲート絶縁層や酸化物絶縁層にハ
ロゲン元素を含ませる場合、ゲート絶縁層や酸化物絶縁層中におけるハロゲン元素濃度は
５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度とすればよい
。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素は電気陰性度が大きいために、不純物である水素
の電気陰性度との差が大きく、ハロゲン元素と水素とはイオン結合の結合力が大きく作用
する。従って、ゲート絶縁層又は／及び酸化物絶縁層に含まれるハロゲン元素により、酸
化物半導体層中の水素や水分（水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不
純物をゲート絶縁層又は／及び酸化物絶縁層へより効果的に拡散し、酸化物半導体層中よ
り排除することができる。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、酸化物絶縁層に含ませ
て形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって
酸化物半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成
膜時にゲート絶縁層に含ませる、成膜時に酸化物絶縁層に含ませる、プラズマ処理により
酸化物絶縁層との界面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数
行ってもよい。
上記少なくともいずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、
水分、水酸基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は酸化物絶縁層に拡
散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
本実施の形態では、ゲート絶縁層１３２及び保護絶縁層となる酸化物絶縁層１３６にハロ
ゲン元素を含ませる例であり、酸化物半導体層１１２に接して設けられるゲート絶縁層１
３２及び酸化物絶縁層１３６はハロゲン元素を含む。
また、薄膜トランジスタ１３５はシングルゲート構造の薄膜トランジスタを用いて説明し
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
以下、図３（Ａ）乃至（Ｆ）を用い、基板１００上に薄膜トランジスタ１３５を作製する
工程を説明する。
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ
工程及びエッチング工程によりゲート電極層１０１を形成する（図３（Ａ）参照。）。
次いで、ゲート電極層１０１上にゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２を形成する。
本実施の形態では、ゲート絶縁層にハロゲン元素を含ませて形成する。ゲート絶縁層が積
層構造の場合、少なくとも酸化物半導体層に接するゲート絶縁層にハロゲン元素を含ませ
る。
ゲート絶縁層は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、
窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化
窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層を単層で又は積層して形成することができ
る。μ波（２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤは、緻密で絶縁耐圧の高い高
品質な絶縁層を形成できるので好ましい。
本実施の形態では、ゲート電極層１０１側からゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２
の積層構造でゲート絶縁層を形成する（図３（Ｂ）参照。）。積層するゲート絶縁層は、
ゲート電極層１０１側から窒化シリコン層と酸化シリコン層の積層構造を用いることがで
きる。ゲート絶縁層１３１としてスパッタリング法により膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、ゲート絶縁層１３１上にゲート絶
縁層１３２として膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下のハロゲン元素を含む酸化シリコン層（
ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を積層して、膜厚１００ｎｍのゲート絶縁層とする。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時にゲート絶縁層に含ませるように成膜することができる。上記のように成
膜と同時にハロゲン元素をゲート絶縁層に添加すると、工程数を増加させずに、ハロゲン
元素を含むゲート絶縁層を形成できる利点がある。
ハロゲン元素を含むガスとしては、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素
（ＣＦ４）、弗化硫黄（ＳＦ６）、弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３
）など）、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）
、塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）などを適宜用いることができ
る。
また、ゲート絶縁層１３１、１３２を、成膜する際に用いる成膜ガス（ハロゲン元素を含
むガスも含め）も水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度
ｐｐｂ程度まで除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
次いで、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１３２上に、酸化物半導体膜を形成し、第２
のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により島状の酸化物半導体層１２１に加工
する（図３（Ｃ）参照。）。本実施の形態では、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ
−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。
次いで、ゲート絶縁層１３２、及び酸化物半導体層１２１上に、導電膜を形成する。第３
のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチン
グを行ってソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂを形成した後、レジストマス
クを除去する（図３（Ｄ）参照。）。
次いで、ゲート絶縁層１３２、酸化物半導体層１２１、ソース電極層１１５ａ、及びドレ
イン電極層１１５ｂ上に、酸化物絶縁層１３６を形成する（図３（Ｅ）参照。）。
また、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、本
実施の形態では、酸化物絶縁層１３６としてハロゲン元素を含む酸化絶縁層（フッ素を含
む酸化シリコン層）を形成する。
本実施の形態では、酸化物絶縁層１３６として、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電
極層１１５ｂまで形成された基板１００を１００℃未満の温度に加熱し、水素及び水分が
除去された高純度酸素及びハロゲン元素を含むスパッタガスを導入しシリコン半導体のタ
ーゲットを用いて、ハロゲン元素を含む酸化シリコン層を成膜する。
ハロゲン元素は成膜中に、酸化物絶縁層１３６に含まれるように、成膜ガス（スパッタガ
ス）に導入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハ
ロゲン元素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層や酸化物絶縁層
に添加してもよい。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時に、酸化物絶縁層１３６に含ませるように成膜することができる。
ハロゲン元素を含むガスとしては、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素
（ＣＦ４）、弗化硫黄（ＳＦ６）、弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３
）など）、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）
、塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）などを適宜用いることができ
る。
また、酸化物絶縁層１３６を、成膜する際に用いる成膜ガス（ハロゲン元素を含むガスも
含め）も水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程
度まで除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
この場合において、処理室内の残留水分を除去しつつ酸化物絶縁層１３６を成膜すること
が好ましい。酸化物半導体層１２１及び酸化物絶縁層１３６に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
なお、酸化物絶縁層１３６は、酸化シリコン層に代えて、酸化窒化シリコン層、酸化アル
ミニウム層、または酸化窒化アルミニウムなどを用いることもできる。
次に、ハロゲン元素を含むゲート絶縁層１３２及びハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１３
６と酸化物半導体層１２１とを接した状態で１００℃乃至４００℃で加熱処理を行う。こ
の加熱処理によって酸化物半導体層１２１中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素
を含むゲート絶縁層１３２及びハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１３６に拡散させること
ができる。ゲート絶縁層１３２及び酸化物絶縁層１３６はハロゲン元素を含むため、島状
の酸化物半導体層１２１に含まれる水素、水酸基又水分等の不純物は、酸化物半導体層１
２１とゲート絶縁層１３２又は酸化物絶縁層１３６が接する界面を介して、ゲート絶縁層
１３２又は酸化物絶縁層１３６に拡散する。具体的には、酸化物半導体層１２１に含まれ
る水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物等がゲート絶
縁層１３２及び酸化物絶縁層１３６に拡散し移動し易くなる。
また、酸化物絶縁層１３６は酸素過剰とし、不対結合手に代表される欠陥を多く含むこと
が好ましい。欠陥を多く含む酸化物絶縁層１３６は、主に水素に対して束縛エネルギーが
より大きくなり、酸化物半導体層から酸化物絶縁層１３６への拡散がより促進され、酸化
物絶縁層１３６において不純物が安定化させることができるため好ましい。
次いで、保護絶縁層１０３を酸化物絶縁層１３６上に形成する。保護絶縁層１０３として
は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または窒化アルミニウムなどを用いる。保護
絶縁層１０３として、酸化物絶縁層１３６まで形成された基板１００を１００℃〜４００
℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入しシ
リコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。
以上の工程で、水素や水分などの不純物を排除し、水素や水分などの不純物を極低濃度と
することによって、酸化物半導体層表層部のバックチャネル側での寄生チャネルの発生を
抑えることができる。
従って水素及び水素化物の濃度が低減された酸化物半導体層１１２を有する薄膜トランジ
スタ１３５を形成することができる（図３（Ｆ）参照。）。
ハロゲン元素を含むゲート絶縁層１３２及びハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１３６を酸
化物半導体層１１２に接して設けることにより、酸化物半導体層１１２中の水素、水酸基
又は水分など水素原子を含む不純物は、ハロゲン元素を含むゲート絶縁層１３２及びハロ
ゲン元素を含む酸化物絶縁層１３６に拡散でき、酸化物半導体層１１２における電気特性
の変動要因となる当該不純物濃度を低減させることができる。
以上のように、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
安定な電気特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例
を示す。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施
の形態を適用することができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は
省略する。
図４（Ａ）乃至（Ｄ）に半導体装置の断面構造の一例を示す。図４（Ａ）乃至（Ｄ）に示
す薄膜トランジスタ１８０は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジス
タともいう。
図４（Ａ）乃至（Ｄ）に示す薄膜トランジスタ１８０は、絶縁表面を有する基板１００上
に、ゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１０２、酸化物半導体層１
１２、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電極層１１５ｂを含む。また、薄膜トランジ
スタ１８０を覆い、酸化物半導体層１１２に接する酸化物絶縁層１１６が設けられ、さら
にその上に保護絶縁層１０３が積層されている。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される酸化物絶縁層（酸化シリコン層）との
界面において、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）
などの不純物を排除する。具体的には、酸化物半導体層及び、該酸化物半導体層と接して
形成される酸化物絶縁層との界面における水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素は電気陰性度が大きいために、不純物である水素
の電気陰性度との差が大きく、ハロゲン元素と水素とはイオン結合の結合力が大きく作用
する。従って、ゲート絶縁層又は／及び酸化物絶縁層に含まれるハロゲン元素により、酸
化物半導体層中の水素や水分（水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不
純物をゲート絶縁層又は／及び酸化物絶縁層へより効果的に拡散し、酸化物半導体層中よ
り排除することができる。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、酸化物絶縁層に含ませ
て形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって
酸化物半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成
膜時にゲート絶縁層に含ませる、成膜時に酸化物絶縁層に含ませる、プラズマ処理により
酸化物絶縁層との界面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数
行ってもよい。
上記少なくともいずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、
水分、水酸基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は酸化物絶縁層に拡
散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
本実施の形態では、ハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半
導体層１１２にハロゲン元素１３３を付着させる。
また、薄膜トランジスタ１８０はシングルゲート構造の薄膜トランジスタを用いて説明し
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
以下、図４（Ａ）乃至（Ｄ）を用い、基板１００上に薄膜トランジスタ１８０を作製する
工程を説明する。
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ
工程及びエッチング工程によりゲート電極層１０１を形成する。
次いで、ゲート電極層１０１上にゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１０２の積層構造で
ゲート絶縁層を形成する。積層するゲート絶縁層は、ゲート電極層１０１側から窒化シリ
コン層と酸化シリコン層の積層構造を用いることができる。
次いで、ゲート絶縁層１３１、ゲート絶縁層１０２上に、酸化物半導体膜を形成し、第２
のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層１２１に加工する。本実施の形態
では、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてス
パッタリング法により成膜する。
次いで、ゲート絶縁層１０２、及び酸化物半導体層１２１上に、導電膜を形成する。第３
のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチン
グを行ってソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂを形成した後、レジストマス
クを除去する（図４（Ａ）参照。）。
次に、酸化物半導体層１２１上にハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によ
って、ハロゲン元素１３３を酸化物半導体層１２１に付着させてもよい。
ハロゲン元素を付着させるプラズマ処理は、ソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１
５ｂを形成する際のレジストマスクを除去する前に、形成した状態で行ってもよい。
ハロゲン元素を含むガスとしては、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素
（ＣＦ４）、弗化硫黄（ＳＦ６）、弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３
）など）、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）
、塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）などを適宜用いることができ
る。
次いで、ゲート絶縁層１０２、酸化物半導体層１２１、ソース電極層１１５ａ、及びドレ
イン電極層１１５ｂ上に、酸化物絶縁層１１６を形成する（図４（Ｃ）参照。）。
本実施の形態では、酸化物絶縁層１１６として、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電
極層１１５ｂまで形成された基板１００を１００℃未満の温度に加熱し、水素及び水分が
除去された高純度酸素及びハロゲン元素を含むスパッタガスを導入しシリコン半導体のタ
ーゲットを用いて、ハロゲン元素を含む酸化シリコン層を成膜する。
次に、酸化物絶縁層１１６と酸化物半導体層１２１とをハロゲン元素１３３を界面に有し
て接した状態で１００℃乃至４００℃で加熱処理を行う。この加熱処理によって酸化物半
導体層１２１中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素により酸化物絶縁層１１６に
拡散させることができる。界面に設けられたハロゲン元素のため、島状の酸化物半導体層
１２１に含まれる水素、水酸基又水分等の不純物は、酸化物半導体層１２１と酸化物絶縁
層１１６が接する界面を介して、酸化物絶縁層１１６に拡散する。具体的には、酸化物半
導体層１２１に含まれる水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、炭素原子を含
む化合物等が酸化物絶縁層１１６に拡散し移動し易くなる。
次いで、保護絶縁層１０３を酸化物絶縁層１１６上に形成する。保護絶縁層１０３として
は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または窒化アルミニウムなどを用いる。保護
絶縁層１０３として、酸化物絶縁層１１６まで形成された基板１００を１００℃〜４００
℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入しシ
リコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。
以上の工程で、水素や水分などの不純物を排除し、水素や水分などの不純物を極低濃度と
することによって、酸化物半導体層表層部のバックチャネル側での寄生チャネルの発生を
抑えることができる。
従って水素及び水素化物の濃度が低減された酸化物半導体層１１２を有する薄膜トランジ
スタ１８０を形成することができる（図４（Ｄ）参照。）。
ハロゲン元素を、酸化物絶縁層１１６と酸化物半導体層１１２の界面に設けることにより
、酸化物半導体層１１２中の水素、水酸基又は水分など水素原子を含む不純物は、ハロゲ
ン元素により酸化物絶縁層１１６に拡散でき、酸化物半導体層１１２における電気特性の
変動要因となる当該不純物濃度を低減させることができる。
以上のように、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
安定な電気特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態５）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例
を示す。
本実施の形態の半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図５を用いて説明する
。
図５（Ａ）乃至（Ｅ）に半導体装置の断面構造の一例を示す。図５（Ａ）乃至（Ｅ）に示
す薄膜トランジスタ１６０は、チャネル保護型（チャネルストップ型ともいう）と呼ばれ
るボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される酸化物絶縁層（酸化シリコン層）との
界面において、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）
などの不純物を排除する。具体的には、酸化物半導体層及び、該酸化物半導体層と接して
形成される酸化物絶縁層との界面における水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、酸化物絶縁層に含ませ
て形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって
酸化物半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成
膜時にゲート絶縁層に含ませる、成膜時に酸化物絶縁層に含ませる、プラズマ処理により
酸化物絶縁層との界面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数
行ってもよい。
ゲート絶縁層や酸化物絶縁層にハロゲン元素を含ませる場合、ゲート絶縁層や酸化物絶縁
層中におけるハロゲン元素濃度は５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３程度とすればよい。
上記少なくともいずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、
水分、水酸基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は酸化物絶縁層に拡
散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
また、薄膜トランジスタ１６０はシングルゲート構造の薄膜トランジスタを用いて説明し
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
以下、図５（Ａ）乃至（Ｅ）を用い、基板１５０上に薄膜トランジスタ１６０を作製する
工程を説明する。
まず、絶縁表面を有する基板１５０上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ
工程及びエッチング工程によりゲート電極層１５１を形成する。なお、レジストマスクを
インクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフ
ォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
また、ゲート電極層１５１の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングス
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とす
る合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
次いで、ゲート電極層１５１上にゲート絶縁層１５４、１５２を形成する。ゲート絶縁層
１５２としてハロゲン元素を含む酸化物絶縁層を形成してもよい。
ハロゲン元素は成膜中にゲート絶縁層に含まれるように、成膜ガス（スパッタガス）に導
入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハロゲン元
素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層や酸化物絶縁層に添加し
てもよい。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時にゲート絶縁層に含ませるように成膜することができる。
本実施の形態では、ゲート絶縁層１５４としてスパッタリング法により窒化シリコン層、
ゲート絶縁層１５２としてスパッタリング法により酸化シリコン層を形成する。
次いで、ゲート絶縁層１５２上に、酸化物半導体膜を形成し、第２のフォトリソグラフィ
工程及びエッチング工程により島状の酸化物半導体層１７１に加工する。本実施の形態で
は、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパ
ッタリング法により成膜する。
減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、基板を４００℃未満の温度に加熱する。
そして、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入
し、金属酸化物をターゲットとして基板１５０上に酸化物半導体膜を成膜する。処理室内
の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、
クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい
。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであって
もよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子や、Ｈ２Ｏなど水
素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜し
た酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を１００ｍｍ、圧力０．６Ｐａ
、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下の条件が適用さ
れる。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一とな
るために好ましい。酸化物半導体膜は好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。なお、
適用する酸化物半導体材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すれ
ばよい。
また、酸化物半導体層１７１上にフッ素や塩素などのハロゲン元素を含むガス雰囲気下で
のプラズマ処理によって、フッ素や塩素などのハロゲン元素を酸化物半導体層１７１に付
着させてもよい。
次いで、ゲート絶縁層１５２、及び酸化物半導体層１７１上に、酸化物絶縁層１７３を形
成する（図５（Ｂ）参照。）。
酸化物絶縁層１７３として、島状の酸化物半導体層１７１まで形成された基板１５０を室
温又は１００℃未満の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度酸素を含むスパッ
タガスを導入しシリコン半導体のターゲットを用いて、酸化シリコン層を成膜する。
また、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、本
実施の形態では、酸化物絶縁層１７３としてハロゲン元素を含む酸化物絶縁層を形成する
。
ハロゲン元素は成膜中に、酸化物絶縁層１７３に含まれるように、成膜ガス（スパッタガ
ス）に導入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハ
ロゲン元素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層や酸化物絶縁層
に添加してもよい。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時に、酸化物絶縁層１７３に含ませるように成膜することができる。
また、酸化物絶縁層１７３において、酸素の不対結合手を欠陥として多く含む酸化物絶縁
層１７３であると、より酸化物半導体層１７１から、水素若しくは水素を含む不純物を、
酸化物絶縁層１７３に拡散させることができるために好ましい。
例えば、純度が６Ｎであり、ボロンがドープされたシリコンターゲット（抵抗値０．０１
Ωｃｍ）を用い、ターゲットと基板との間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を８９ｍｍ、圧力０．
４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源６ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下でパルスＤＣ
スパッタリング法により酸化物絶縁層１７３を成膜する。膜厚は３００ｎｍとする。なお
、シリコンターゲットに代えて石英（好ましくは合成石英）を酸化物絶縁層１７３を成膜
するためのターゲットとして用いることができる。また、酸化物絶縁層１７３は基板１５
０を加熱しながら成膜しても良いが、酸化物絶縁層１７３に欠陥を含ませるため０℃乃至
５０℃程度の温度、好ましくは室温で成膜することが望ましい。
この場合において、処理室内の残留水分を除去しつつ酸化物絶縁層１７３を成膜すること
が好ましい。酸化物半導体層１７１及び酸化物絶縁層１７３に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
なお、酸化物絶縁層１７３は、酸化シリコン層に代えて、酸化窒化シリコン層、酸化アル
ミニウム層、または酸化窒化アルミニウムなどを用いることもできる。
次に、ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１７３と酸化物半導体層１７１とを接した状態で
１００℃乃至４００℃で加熱処理を行う。この加熱処理によって酸化物半導体層１７１中
に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１７３に拡散させること
ができる。ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１７３はハロゲン元素を含むため、島状の酸
化物半導体層１７１に含まれる水素、水酸基又水分等の不純物は、酸化物半導体層１７１
と酸化物絶縁層１７３が接する界面を介して、酸化物絶縁層１７３に拡散する。具体的に
は、酸化物半導体層１７１に含まれる水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、
炭素原子を含む化合物等が酸化物絶縁層１７３に拡散移動し易くなる。
水素及び水素化物の濃度が低減された酸化物半導体層１６２を形成することができる。具
体的には、酸化物半導体層１６２及び酸化物絶縁層１７３との界面における水素濃度が５
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下と
することができる。
酸化物絶縁層１７３上に第３のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、
選択的にエッチングを行って酸化物絶縁層１６６を形成した後、レジストマスクを除去す
る（図５（Ｃ）参照。）。
次いで、ゲート絶縁層１５４、１５２、酸化物半導体層１６２、及び酸化物絶縁層１６６
上に、導電膜を形成した後、第４のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成
し、選択的にエッチングを行ってソース電極層１６５ａ、ドレイン電極層１６５ｂを形成
した後、レジストマスクを除去する（図５（Ｄ）参照。）。
ソース電極層１６５ａ、ドレイン電極層１６５ｂの材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述し
た元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、金属導電膜は、単層構造でも、２層
以上の積層構造としてもよい。
以上の工程で、水素及び水素化物の濃度が低減された酸化物半導体層１６２を有する薄膜
トランジスタ１６０を形成することができる（図５（Ｄ）参照。）。
上記のように酸化物半導体膜を成膜するに際し、反応雰囲気中の残留水分を除去すること
で、該酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。それにより
酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。
酸化物絶縁層上に保護絶縁層を設けてもよい。本実施の形態では、保護絶縁層１５３を酸
化物絶縁層１６６、ソース電極層１６５ａ、ドレイン電極層１６５ｂ上に形成する。保護
絶縁層１５３としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または窒化アルミニウム
などを用いる。本実施の形態では、保護絶縁層１５３を、窒化シリコン膜を用いて形成す
る（図５（Ｅ）参照。）。
なお、ソース電極層１６５ａ、ドレイン電極層１６５ｂ、酸化物絶縁層１６６上にさらに
酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層上に保護絶縁層１５３を積層してもよい。また、
保護絶縁層１５３上に平坦化絶縁層を形成してもよい。
酸化物絶縁層上に、基板を加熱して窒化シリコン層を成膜することで、さらに酸化物半導
体層から該酸化物絶縁層に水素、水分を拡散させつつ、同時に外気から水分の侵入を防ぐ
バリア膜を設けることができる。
また、ゲート絶縁層上にチャネル形成領域とする酸化物半導体層を成膜するに際し、反応
雰囲気中の残留水分を除去することで、該酸化物半導体層中の水素及び水素化物の濃度を
低減することができる。また、酸化物半導体層に接してハロゲン元素を含む絶縁層を設け
ることで酸化物半導体層中の水素、水分をハロゲン元素を含む絶縁層へ拡散させ酸化物半
導体層の水素及び水素化合物の濃度を低減することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
以上のように、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
安定な電気特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（実施の形態６）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例
を示す。
本実施の形態の半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図６を用いて説明する
。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される酸化物絶縁層（酸化シリコン層）との
界面において、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）
などの不純物を排除する。具体的には、酸化物半導体層及び、該酸化物半導体層と接して
形成される酸化物絶縁層との界面における水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、酸化物絶縁層に含ませ
て形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって
酸化物半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成
膜時にゲート絶縁層に含ませる、成膜時に酸化物絶縁層に含ませる、プラズマ処理により
酸化物絶縁層との界面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数
行ってもよい。
ゲート絶縁層や酸化物絶縁層にハロゲン元素を含ませる場合、ゲート絶縁層や酸化物絶縁
層中におけるハロゲン元素濃度は５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３程度とすればよい。
上記少なくともいずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、
水分、水酸基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は酸化物絶縁層に拡
散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
また、薄膜トランジスタ１９０はシングルゲート構造の薄膜トランジスタを用いて説明し
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
以下、図６（Ａ）乃至（Ｃ）を用い、基板１４０上に薄膜トランジスタ１９０を作製する
工程を説明する。
まず、絶縁表面を有する基板１４０上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ
工程及びエッチング工程によりゲート電極層１８１を形成する。本実施の形態では、ゲー
ト電極層１８１として、膜厚１５０ｎｍのタングステン膜を、スパッタリング法を用いて
形成する。
次いで、ゲート電極層１８１上にゲート絶縁層１４３、ゲート絶縁層１４２を形成する。
ゲート絶縁層１４２としてハロゲン元素を含む酸化物絶縁層を形成してもよい。
ハロゲン元素は成膜中にゲート絶縁層に含まれるように、成膜ガス（スパッタガス）に導
入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハロゲン元
素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層や酸化物絶縁層に添加し
てもよい。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時にゲート絶縁層に含ませるように成膜することができる。
本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁層１４３として窒化シリコン層、
ゲート絶縁層１４２として酸化シリコン層を形成する。
次いで、ゲート絶縁層１４２に、導電膜を形成し、第２のフォトリソグラフィ工程により
導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層１９５ａ
、ドレイン電極層１９５ｂを形成した後、レジストマスクを除去する。
次に酸化物半導体膜を形成し、第３のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により
島状の酸化物半導体層１４１に加工する（図６（Ａ）参照。）。本実施の形態では、酸化
物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリン
グ法により成膜する。
減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、基板を４００℃未満の温度に加熱する。
そして、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入
し、金属酸化物をターゲットとして基板１４０上に酸化物半導体膜を成膜する。処理室内
の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、
クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい
。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであって
もよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子や、Ｈ２Ｏなど水
素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜し
た酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
成膜条件の一例としては、基板とターゲットとの間の距離を１００ｍｍ、圧力０．６Ｐａ
、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下の条件が適用さ
れる。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一とな
るために好ましい。酸化物半導体膜は好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。なお、
適用する酸化物半導体材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すれ
ばよい。
また、酸化物半導体層１４１上にフッ素や塩素などのハロゲン元素を含むガス雰囲気下で
のプラズマ処理によって、フッ素や塩素などのハロゲン元素を酸化物半導体層１４１に付
着させてもよい。
次いで、ゲート絶縁層１４２、酸化物半導体層１４１、ソース電極層１９５ａ、及びドレ
イン電極層１９５ｂ上に、酸化物絶縁層１９６を形成する。
酸化物絶縁層１９６として、島状の酸化物半導体層１９２まで形成された基板１４０を１
００℃未満の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度酸素を含むスパッタガスを
導入しシリコン半導体のターゲットを用いて、酸化シリコン層を成膜する。
また、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、本
実施の形態では、酸化物絶縁層１９６としてハロゲン元素を含む酸化絶縁層（フッ素を含
む酸化シリコン層）を形成する。
ハロゲン元素は成膜中に、酸化物絶縁層１９６に含まれるように、成膜ガス（スパッタガ
ス）に導入してもよいし、前工程におけるクリーニング処理によって処理室に残留したハ
ロゲン元素を用いて膜中に含ませてもよい。また、成膜後にゲート絶縁層や酸化物絶縁層
に添加してもよい。
成膜ガス（スパッタガス）として成膜中に導入されるハロゲン元素を含むガスとしては、
ＮＦ３などを用いることができる。また、成膜を行う処理室のクリーニング処理に上記Ｎ
Ｆ３のようなハロゲン元素を含むガスを用いて、処理室内に残留するフッ素などのハロゲ
ン元素を成膜時に、酸化物絶縁層１９６に含ませるように成膜することができる。
また、酸化物絶縁層１９６において、酸素の不対結合手を欠陥として多く含む酸化物絶縁
層１９６であると、より酸化物半導体層１４１から、水素若しくは水素を含む不純物を、
酸化物絶縁層１９６に拡散させることができるために好ましい。
例えば、純度が６Ｎであり、ボロンがドープされたシリコンターゲット（抵抗値０．０１
Ωｃｍ）を用い、ターゲットと基板との間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を８９ｍｍ、圧力０．
４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源６ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下でパルスＤＣ
スパッタリング法により酸化物絶縁層１９６を成膜する。膜厚は３００ｎｍとする。なお
、シリコンターゲットに代えて石英（好ましくは合成石英）を酸化物絶縁層１９６を成膜
するためのターゲットとして用いることができる。また、酸化物絶縁層１９６は基板１４
０を加熱しながら成膜しても良いが、酸化物絶縁層１９６に欠陥を含ませるため０℃乃至
５０℃程度の温度、好ましくは室温で成膜することが望ましい。
この場合において、処理室内の残留水分を除去しつつ酸化物絶縁層１９６を成膜すること
が好ましい。酸化物半導体層１４１及び酸化物絶縁層１９６に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
なお、酸化物絶縁層１９６は、酸化シリコン層に代えて、酸化窒化シリコン層、酸化アル
ミニウム層、または酸化窒化アルミニウムなどを用いることもできる。
次いで、保護絶縁層１８３を酸化物絶縁層１９６上に形成する。保護絶縁層１８３として
は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または窒化アルミニウムなどを用いる。保護
絶縁層１８３として、酸化物絶縁層１９６まで形成された基板１４０を１００℃〜４００
℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入しシ
リコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。
保護絶縁層１８３の成膜時に１００℃〜４００℃に基板１４０を加熱することで、酸化物
半導体層中に含まれる水素若しくは水分をハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１９６に拡散
させることができる。ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１９６はハロゲン元素を含むため
、島状の酸化物半導体層１４１に含まれる水素、水酸基又水分等の不純物は、酸化物半導
体層１４１とハロゲン元素を含む酸化物絶縁層１９６が接する界面を介して、ハロゲン元
素を含む酸化物絶縁層１９６に拡散する。具体的には、酸化物半導体層１４１に含まれる
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物や、炭素原子を含む化合物等がハロゲン元
素を含む酸化物絶縁層１９６に拡散移動し易くなる。
以上の工程で、水素及び水素化物の濃度が低減された酸化物半導体層１９２を有する薄膜
トランジスタ１９０を形成することができる（図６（Ｃ）参照。）。具体的には、酸化物
半導体層１４１及び酸化物絶縁層１９６との界面における水素濃度が５×１０１９ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる
。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
以上のように、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
安定な電気特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（実施の形態７）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの例を示
す。
本実施の形態では、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層に透光性を有する導
電材料を用いる例を示す。従って、他は上記実施の形態と同様に行うことができ、上記実
施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する
。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。
例えば、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層の材料として、可視光に対して透
光性を有する導電材料、例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ
−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−
Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ
系、Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物を適用することができ、膜厚は５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
の範囲内で適宜選択する。ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層に用いる金属酸
化物の成膜方法は、スパッタリング法や真空蒸着法（電子ビーム蒸着法など）や、アーク
放電イオンプレーティング法や、スプレー法を用いる。また、スパッタリング法を用いる
場合、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％以下含むターゲットを用いて成膜を行い、透光
性を有する導電膜に結晶化を阻害するＳｉＯｘ（Ｘ＞０）を含ませ、後の工程で行う加熱
処理の際に酸化物半導体膜が結晶化してしまうのを抑制することが好ましい。
なお、透光性を有する導電膜の組成比の単位は原子％とし、電子線マイクロアナライザー
（ＥＰＭＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｘ−ｒａｙ ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｚｅｒ
）を用いた分析により評価するものとする。
また、薄膜トランジスタが配置される画素には、画素電極層、またはその他の電極層（容
量電極層など）や、その他の配線層（容量配線層など）に可視光に対して透光性を有する
導電膜を用いると、高開口率を有する表示装置を実現することができる。勿論、画素に存
在するゲート絶縁層、酸化物絶縁層、保護絶縁層、平坦化絶縁層も可視光に対して透光性
を有する膜を用いることが好ましい。
本明細書において、可視光に対して透光性を有する膜とは可視光の透過率が７５〜１００
％である膜厚を有する膜を指し、その膜が導電性を有する場合は透明の導電膜とも呼ぶ。
また、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層、画素電極層、またはその他の電極
層や、その他の配線層に適用する金属酸化物として、可視光に対して半透明の導電膜を用
いてもよい。可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０〜７５％であることを指す
。
薄膜トランジスタに透光性を持たせると、開口率を向上させることができる。特に１０イ
ンチ以下の小型の液晶表示パネルにおいて、ゲート配線の本数を増やすなどして表示画像
の高精細化を図るため、画素寸法を微細化しても、高い開口率を実現することができる。
また、薄膜トランジスタの構成部材に透光性を有する膜を用いることで、広視野角を実現
するため、１画素を複数のサブピクセルに分割しても高い開口率を実現することができる
。即ち、高密度の薄膜トランジスタ群を配置しても開口率を大きくとることができ、表示
領域の面積を十分に確保することができる。例えば、一つの画素内に２〜４個のサブピク
セルを有する場合、薄膜トランジスタが透光性を有するため、開口率を向上させることが
できる。また、薄膜トランジスタの構成部材と同工程で同材料を用いて保持容量を形成す
ると、保持容量も透光性とすることができるため、さらに開口率を向上させることができ
る。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態８）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの例を示
す。
本実施の形態では、断面から見て酸化物半導体層を窒化物絶縁層で囲む例を図７に示す。
図７は、酸化物絶縁層の上面形状及び端部の位置が図２３と異なる点、ゲート絶縁層の構
成が異なる点以外は同じであるため、同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説
明は省略する。
図７に示す薄膜トランジスタ１３９はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表
面を有する基板１００上に、ゲート電極層１０１、窒化物絶縁層を用いたゲート絶縁層１
３１、ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層を用いたゲート絶縁層１３７、酸化物半導体層１
１２、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電極層１１５ｂを含む。また、薄膜トランジ
スタ１３９を覆い、酸化物半導体層１１２のチャネル形成領域に接するハロゲン元素を含
む酸化物絶縁層１３８が設けられている。酸化物絶縁層１３８上にはさらに窒化物絶縁層
を用いた保護絶縁層１０３が形成されている。保護絶縁層１０３は窒化物絶縁層であるゲ
ート絶縁層１３１と接する構成とする。
本実施の形態では、薄膜トランジスタ１３９においてゲート絶縁層をゲート電極層側から
窒化物絶縁層と酸化物絶縁層との積層構造とする。また、窒化物絶縁層である保護絶縁層
１０３の形成前に、ハロゲン元素を含む酸化物絶縁層である酸化物絶縁層１３８と、ゲー
ト絶縁層１３７を選択的に除去し、窒化物絶縁層であるゲート絶縁層１３１が露出するよ
うに加工する。
少なくとも酸化物絶縁層１３８、ゲート絶縁層１３７の上面形状は、酸化物半導体層１１
２の上面形状よりも広く、薄膜トランジスタ１３９を覆う上面形状とすることが好ましい
。
さらに酸化物絶縁層１３８の上面と、酸化物絶縁層１３８及びゲート絶縁層１３７の側面
とを覆い、かつ窒化物絶縁層であるゲート絶縁層１３１に接して、窒化物絶縁層である保
護絶縁層１０３を形成する。
窒化物絶縁層からなる保護絶縁層１０３及びゲート絶縁層１３１は、スパッタ法やプラズ
マＣＶＤ法で得られる窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アル
ミニウム膜などの水分や、水素イオンや、ＯＨ−などの不純物を含まず、これらが外部か
ら侵入することをブロックする無機絶縁膜を用いる。
本実施の形態では、窒化物絶縁層からなる保護絶縁層１０３として、酸化物半導体層１１
２の下面、上面、及び側面を囲むようにＲＦスパッタ法を用い、膜厚１００ｎｍの窒化珪
素層を設ける。
図７に示す構造とすることで、酸化物半導体層は、接して囲う様に設けられるハロゲン元
素を含むゲート絶縁層１３７及び酸化物絶縁層１３８によって、水素、水分、水酸基又は
水素化物などの不純物は低減され、かつ窒化物絶縁層であるゲート絶縁層１３１及び保護
絶縁層１０３によってさらに外部を覆うように囲まれているので、保護絶縁層１０３の形
成後の製造プロセスにおいて、外部からの水分の侵入を防ぐことができる。また、半導体
装置、例えば表示装置としてデバイスが完成した後にも長期的に、外部からの水分の侵入
を防ぐことができデバイスの長期信頼性を向上することができる。
また、本実施の形態では一つの薄膜トランジスタを窒化物絶縁層で囲む構成を示したが特
に限定されず、複数の薄膜トランジスタを窒化物絶縁層で囲む構成としてもよいし、画素
部の複数の薄膜トランジスタをまとめて窒化物絶縁層で囲む構成としてもよい。少なくと
もアクティブマトリクス基板の画素部の周縁を囲むように保護絶縁層１０３とゲート絶縁
層１３１とが接する領域を設ける構成とすればよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態１乃至８に示した半導体装置において、薄膜トランジスタ
と、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子とを用い、アクティブマトリクス型の
発光表示装置を作製する一例を示す。
エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機
化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子
と呼ばれている。
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。
図８は、半導体装置の例としてデジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す
図である。
デジタル時間階調駆動を適用可能な画素の構成及び画素の動作について説明する。ここで
は酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるｎチャネル型のトランジスタを１つの画素
に２つ用いる例を示す。
画素６４００は、スイッチング用トランジスタ６４０１、駆動用トランジスタ６４０２、
発光素子６４０４及び容量素子６４０３を有している。スイッチング用トランジスタ６４
０１はゲートが走査線６４０６に接続され、第１電極（ソース電極及びドレイン電極の一
方）が信号線６４０５に接続され、第２電極（ソース電極及びドレイン電極の他方）が駆
動用トランジスタ６４０２のゲートに接続されている。駆動用トランジスタ６４０２は、
ゲートが容量素子６４０３を介して電源線６４０７に接続され、第１電極が電源線６４０
７に接続され、第２電極が発光素子６４０４の第１電極（画素電極）に接続されている。
発光素子６４０４の第２電極は共通電極６４０８に相当する。共通電極６４０８は、同一
基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
なお、発光素子６４０４の第２電極（共通電極６４０８）には低電源電位が設定されてい
る。なお、低電源電位とは、電源線６４０７に設定される高電源電位を基準にして低電源
電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖなどが設
定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子６４０４に印加
して、発光素子６４０４に電流を流して発光素子６４０４を発光させるため、高電源電位
と低電源電位との電位差が発光素子６４０４の順方向しきい値電圧以上となるようにそれ
ぞれの電位を設定する。
なお、容量素子６４０３は駆動用トランジスタ６４０２のゲート容量を代用して省略する
ことも可能である。駆動用トランジスタ６４０２のゲート容量については、チャネル領域
とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
ここで、電圧入力電圧駆動方式の場合には、駆動用トランジスタ６４０２のゲートには、
駆動用トランジスタ６４０２が十分にオンするか、オフするかの二つの状態となるような
ビデオ信号を入力する。つまり、駆動用トランジスタ６４０２は線形領域で動作させる。
駆動用トランジスタ６４０２は線形領域で動作させるため、電源線６４０７の電圧よりも
高い電圧を駆動用トランジスタ６４０２のゲートにかける。なお、信号線６４０５には、
（電源線電圧＋駆動用トランジスタ６４０２のＶｔｈ）以上の電圧をかける。
また、デジタル時間階調駆動に代えて、アナログ階調駆動を行う場合、信号の入力を異な
らせることで、図８と同じ画素構成を用いることができる。
アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ６４０２のゲートに発光素子６４０４
の順方向電圧＋駆動用トランジスタ６４０２のＶｔｈ以上の電圧をかける。発光素子６４
０４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なくとも順方向し
きい値電圧を含む。なお、駆動用トランジスタ６４０２が飽和領域で動作するようなビデ
オ信号を入力することで、発光素子６４０４に電流を流すことができる。駆動用トランジ
スタ６４０２を飽和領域で動作させるため、電源線６４０７の電位は、駆動用トランジス
タ６４０２のゲート電位よりも高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子
６４０４にビデオ信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
なお、図８に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図８に示す画素に新たにス
イッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。
次に、発光素子の構成について、図９を用いて説明する。ここでは、駆動用ＴＦＴがｎ型
の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）の半導
体装置に用いられる駆動用ＴＦＴ７００１、７０１１、７０２１は、実施の形態１乃至８
で示す薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態では実施の形態２及び実
施の形態７を適用する例を示し、実施の形態２及び実施の形態７と同様に作製できる、酸
化物半導体層を含む透光性の薄膜トランジスタを用いる例を示す。
駆動用ＴＦＴ７００１、７０１１、７０２１においては、実施の形態２のようにハロゲン
元素を含む絶縁層７０３１、７０４１、７０５１を積層し、加熱処理することにより酸化
物半導体層中に含まれる水素や水は絶縁層７０３１、７０４１、７０５１に拡散され、酸
化物半導体層は水素や水が低減されている。従って、駆動用ＴＦＴ７００１、７０１１、
７０２１は電気的特性の安定な信頼性の高い薄膜トランジスタである。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、絶縁層に含ませて形成
することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物
半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成膜時に
ゲート絶縁層に含ませる、成膜時に絶縁層に含ませる、プラズマ処理により絶縁層との界
面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数行ってもよい。
発光素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよい。そ
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出構造や、基板側の面から発光を取り出す下面射出構造や、基板側及び基板
とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、画素構成はどの射出
構造の発光素子にも適用することができる。
下面射出構造の発光素子について図９（Ａ）を用いて説明する。
駆動用ＴＦＴ７０１１がｎ型で、発光素子７０１２から発せられる光が第１の電極７０１
３側に射出する場合の、画素の断面図を示す。図９（Ａ）では、駆動用ＴＦＴ７０１１の
ドレイン電極層と電気的に接続された透光性を有する導電膜７０１７上に、発光素子７０
１２の第１の電極７０１３が形成されており、第１の電極７０１３上にＥＬ層７０１４、
第２の電極７０１５が順に積層されている。
透光性を有する導電膜７０１７としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸
化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化
チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケ
イ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電膜を用いることができる。
また、発光素子の第１の電極７０１３は様々な材料を用いることができる。例えば、第１
の電極７０１３を陰極として用いる場合には、仕事関数が小さい材料、具体的には、例え
ば、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およ
びこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉなど）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属等
が好ましい。図９（Ａ）では、第１の電極７０１３の膜厚は、光を透過する程度（好まし
くは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）とする。例えば２０ｎｍの膜厚を有するアルミニウム膜を
、第１の電極７０１３として用いる。
なお、透光性を有する導電膜とアルミニウム膜を積層成膜した後、選択的にエッチングし
て透光性を有する導電膜７０１７と第１の電極７０１３を形成してもよく、この場合、同
じマスクを用いてエッチングすることができるため、好ましい。
また、第１の電極７０１３の周縁部は、隔壁７０１９で覆う。隔壁７０１９は、ポリイミ
ド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキ
サンを用いて形成する。隔壁７０１９は、特に感光性の樹脂材料を用い、第１の電極７０
１３上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面と
なるように形成することが好ましい。隔壁７０１９として感光性の樹脂材料を用いる場合
、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
また、第１の電極７０１３及び隔壁７０１９上に形成するＥＬ層７０１４は、少なくとも
発光層を含めば良く、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成さ
れていてもどちらでも良い。ＥＬ層７０１４が複数の層で構成されている場合、陰極とし
て機能する第１の電極７０１３上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホ
ール注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。
また、上記積層順に限定されず、第１の電極７０１３を陽極として機能させ、第１の電極
７０１３上にホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層
してもよい。ただし、消費電力を比較する場合、第１の電極７０１３を陰極として機能さ
せ、第１の電極７０１３上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注
入層の順に積層するほうが、駆動回路部の電圧上昇を抑制でき、消費電力を少なくできる
ため好ましい。
また、ＥＬ層７０１４上に形成する第２の電極７０１５としては、様々な材料を用いるこ
とができる。例えば、第２の電極７０１５を陽極として用いる場合、仕事関数が大きい材
料、例えば、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ等や、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの
透明導電性材料が好ましい。また、第２の電極７０１５上に遮蔽膜７０１６、例えば光を
遮光する金属、光を反射する金属等を用いる。本実施の形態では、第２の電極７０１５と
してＩＴＯ膜を用い、遮蔽膜７０１６としてＴｉ膜を用いる。
第１の電極７０１３及び第２の電極７０１５で、発光層を含むＥＬ層７０１４を挟んでい
る領域が発光素子７０１２に相当する。図９（Ａ）に示した素子構造の場合、発光素子７
０１２から発せられる光は、矢印で示すように第１の電極７０１３側に射出する。
なお、図９（Ａ）ではゲート電極層として透光性を有する導電膜を用い、かつソース電極
層及びドレイン電極層に透光性を有するような薄膜を用いる例を示しており、発光素子７
０１２から発せられる光は、カラーフィルタ層７０３３を通過し、基板を通過して射出さ
せることができる。
カラーフィルタ層７０３３はインクジェット法などの液滴吐出法や、印刷法、フォトリソ
グラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ形成する。
また、カラーフィルタ層７０３３はオーバーコート層７０３４で覆われ、さらに保護絶縁
層７０３５によって覆う。なお、図９（Ａ）ではオーバーコート層７０３４は薄い膜厚で
図示したが、オーバーコート層７０３４は、カラーフィルタ層７０３３に起因する凹凸を
平坦化する機能を有している。
また、保護絶縁層７０３５、絶縁層７０３２、及び絶縁層７０３１に形成され、且つ、ド
レイン電極層に達するコンタクトホールは、隔壁７０１９と重なる位置に配置する。
次に、両面射出構造の発光素子について、図９（Ｂ）を用いて説明する。
図９（Ｂ）では、駆動用ＴＦＴ７０２１のドレイン電極層と電気的に接続された透光性を
有する導電膜７０２７上に、発光素子７０２２の第１の電極７０２３が形成されており、
第１の電極７０２３上にＥＬ層７０２４、第２の電極７０２５が順に積層されている。
透光性を有する導電膜７０２７としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸
化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化
チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケ
イ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電膜を用いることができる。
また、第１の電極７０２３は様々な材料を用いることができる。例えば、第１の電極７０
２３を陰極として用いる場合、仕事関数が小さい材料、具体的には、例えば、ＬｉやＣｓ
等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む
合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉなど）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属等が好ましい。本
実施の形態では、第１の電極７０２３を陰極として用い、その膜厚は、光を透過する程度
（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）とする。例えば２０ｎｍの膜厚を有するアルミニ
ウム膜を、陰極として用いる。
なお、透光性を有する導電膜とアルミニウム膜を積層成膜した後、選択的にエッチングし
て透光性を有する導電膜７０２７と第１の電極７０２３を形成してもよく、この場合、同
じマスクを用いてエッチングすることができ、好ましい。
また、第１の電極７０２３の周縁部は、隔壁７０２９で覆う。隔壁７０２９は、ポリイミ
ド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキ
サンを用いて形成する。隔壁７０２９は、特に感光性の樹脂材料を用い、第１の電極７０
２３上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面と
なるように形成することが好ましい。隔壁７０２９として感光性の樹脂材料を用いる場合
、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
また、第１の電極７０２３及び隔壁７０２９上に形成するＥＬ層７０２４は、発光層を含
めば良く、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていても
どちらでも良い。ＥＬ層７０２４が複数の層で構成されている場合、陰極として機能する
第１の電極７０２３上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層
の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。
また、上記積層順に限定されず、第１の電極７０２３を陽極として用い、陽極上にホール
注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層してもよい。ただし
、消費電力を比較する場合、第１の電極７０２３を陰極として用い、陰極上に電子注入層
、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層するほうが消費電力が少
ないため好ましい。
また、ＥＬ層７０２４上に形成する第２の電極７０２５としては、様々な材料を用いるこ
とができる。例えば、第２の電極７０２５を陽極として用いる場合、仕事関数が大きい材
料、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電性材料を好ましく用いることができ
る。本実施の形態では、第２の電極７０２５を陽極として用い、酸化シリコンを含むＩＴ
Ｏ膜を形成する。
第１の電極７０２３及び第２の電極７０２５で、発光層を含むＥＬ層７０２４を挟んでい
る領域が発光素子７０２２に相当する。図９（Ｂ）に示した素子構造の場合、発光素子７
０２２から発せられる光は、矢印で示すように第２の電極７０２５側と第１の電極７０２
３側の両方に射出する。
なお、図９（Ｂ）ではゲート電極層として透光性を有する導電膜を用い、かつソース電極
層及びドレイン電極層に透光性を有するような薄膜を用いる例を示しており、発光素子７
０２２から第１の電極７０２３側に発せられる光は、カラーフィルタ層７０４３を通過し
、基板を通過して射出させることができる。
カラーフィルタ層７０４３はインクジェット法などの液滴吐出法や、印刷法、フォトリソ
グラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ形成する。
また、カラーフィルタ層７０４３はオーバーコート層７０４４で覆われ、さらに保護絶縁
層７０４５によって覆う。
また、保護絶縁層７０４５、絶縁層７０４２及び、絶縁層７０４１に形成され、且つ、ド
レイン電極層に達するコンタクトホールは、隔壁７０２９と重なる位置に配置する。
ただし、両面射出構造の発光素子を用い、どちらの表示面もフルカラー表示とする場合、
第２の電極７０２５側からの光はカラーフィルタ層７０４３を通過しないため、別途カラ
ーフィルタ層を備えた封止基板を第２の電極７０２５上方に設けることが好ましい。
次に、上面射出構造の発光素子について、図９（Ｃ）を用いて説明する。
図９（Ｃ）に、駆動用ＴＦＴ７００１がｎ型で、発光素子７００２から発せられる光が第
２の電極７００５側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図９（Ｃ）では、駆動用ＴＦ
Ｔ７００１のドレイン電極層と第１の電極７００３と接しており、駆動用ＴＦＴ７００１
と発光素子７００２の第１の電極７００３とを電気的に接続している。第１の電極７００
３上にＥＬ層７００４、第２の電極７００５が順に積層されている。
また、第１の電極７００３は様々な材料を用いることができる。例えば、第１の電極７０
０３を陰極として用いる場合、仕事関数が小さい材料、具体的には、例えば、ＬｉやＣｓ
等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む
合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉなど）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属等が好ましい。
また、第１の電極７００３の周縁部は、隔壁７００９で覆う。隔壁７００９は、ポリイミ
ド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキ
サンを用いて形成する。隔壁７００９は、特に感光性の樹脂材料を用い、第１の電極７０
０３上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面と
なるように形成することが好ましい。隔壁７００９として感光性の樹脂材料を用いる場合
、レジストマスクを形成する工程を省略することができる。
また、第１の電極７００３及び隔壁７００９上に形成するＥＬ層７００４は、少なくとも
発光層を含めば良く、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成さ
れていてもどちらでも良い。ＥＬ層７００４が複数の層で構成されている場合、陰極とし
て用いる第１の電極７００３上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホー
ル注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。
また、上記積層順に限定されず、陽極として用いる第１の電極７００３上にホール注入層
、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層してもよい。
図９（Ｃ）ではＴｉ膜、アルミニウム膜、Ｔｉ膜の順に積層した積層膜上に、ホール注入
層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層し、その上にＭｇ：Ａｇ
合金薄膜とＩＴＯとの積層を形成する。
ただし、駆動用ＴＦＴ７００１がｎ型の場合、第１の電極７００３上に電子注入層、電子
輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層するほうが、駆動回路における
電圧上昇を抑制することができ、消費電力を少なくできるため好ましい。
第２の電極７００５は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成し、例えば酸
化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物
、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウ
ム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透
光性を有する導電膜を用いても良い。
第１の電極７００３及び第２の電極７００５で発光層を含むＥＬ層７００４を挟んでいる
領域が発光素子７００２に相当する。図９（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子７００２
から発せられる光は、矢印で示すように第２の電極７００５側に射出する。
また、図９（Ｃ）において、駆動用ＴＦＴ７００１のドレイン電極層は、絶縁層７０５１
、保護絶縁層７０５２、平坦化絶縁層７０５６、平坦化絶縁層７０５３、及び絶縁層７０
５５に設けられたコンタクトホールを介して第１の電極７００３と電気的に接続する。平
坦化絶縁層７０３６、７０４６、７０５３、７０５６は、ポリイミド、アクリル、ベンゾ
シクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の樹脂材料を用いることができる。また上記樹脂
材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス
）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成
される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁層７０３６、７０４６、７０５３、７
０５６を形成してもよい。平坦化絶縁層７０３６、７０４６、７０５３、７０５６の形成
法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッ
ピング法、スプレー塗布法、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセッ
ト印刷等）、ロールコート法、カーテンコート法、ナイフコート法等を用いることができ
る。
また、第１の電極７００３と、隣り合う画素の第１の電極とを絶縁するために隔壁７００
９を設ける。隔壁７００９は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹
脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。隔壁７００９は、特に感
光性の樹脂材料を用い、第１の電極７００３上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁７００
９として感光性の樹脂材料を用いる場合、レジストマスクを形成する工程を省略すること
ができる。
また、図９（Ｃ）の構造においては、フルカラー表示を行う場合、例えば発光素子７００
２として緑色発光素子とし、隣り合う一方の発光素子を赤色発光素子とし、もう一方の発
光素子を青色発光素子とする。また、３種類の発光素子だけでなく白色発光素子を加えた
４種類の発光素子でフルカラー表示ができる発光表示装置を作製してもよい。
また、図９（Ｃ）の構造においては、配置する複数の発光素子を全て白色発光素子として
、発光素子７００２上方にカラーフィルタなどを有する封止基板を配置する構成とし、フ
ルカラー表示ができる発光表示装置を作製してもよい。白色などの単色の発光を示す材料
を形成し、カラーフィルタや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うこ
とができる。
もちろん単色発光の表示を行ってもよい。例えば、白色発光を用いて照明装置を形成して
もよいし、単色発光を用いてエリアカラータイプの発光装置を形成してもよい。
また、必要があれば、円偏光板などの偏光フィルムなどの光学フィルムを設けてもよい。
なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子について述べたが、発光素子として無機Ｅ
Ｌ素子を設けることも可能である。
なお、発光素子の駆動を制御する薄膜トランジスタ（駆動用ＴＦＴ）と発光素子が電気的
に接続されている例を示したが、駆動用ＴＦＴと発光素子との間に電流制御用ＴＦＴが接
続されている構成であってもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１０）
本実施の形態では、発光表示パネル（発光パネルともいう）の外観及び断面について、図
１０を用いて説明する。図１０（Ａ）は、第１の基板上に形成された薄膜トランジスタ及
び発光素子を、第２の基板との間にシール材によって封止した、パネルの平面図であり、
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＨ−Ｉにおける断面図に相当する。
第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０
３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂを囲むようにして、シール材４５０５
が設けられている。また画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び
走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂの上に第２の基板４５０６が設けられている。よ
って画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５
０４ａ、４５０４ｂは、第１の基板４５０１とシール材４５０５と第２の基板４５０６と
によって、充填材４５０７と共に密封されている。このように外気に曝されないように気
密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィル
ム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
また第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４
５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図１０（Ｂ）では、画素部４５０２に含まれる薄膜トランジスタ４５１０と、信
号線駆動回路４５０３ａに含まれる薄膜トランジスタ４５０９とを例示している。
薄膜トランジスタ４５０９、４５１０は、実施の形態１乃至８のいずれか一の薄膜トラン
ジスタを適宜用いることができ、同様な工程及び材料で形成することができる。薄膜トラ
ンジスタ４５０９、４５１０は、酸化物半導体層にハロゲン元素を含む酸化物絶縁層及び
／又はゲート絶縁層を接して形成し、加熱処理することにより酸化物半導体層中に含まれ
る水素や水は酸化物絶縁層及び／又はゲート絶縁層に拡散され、酸化物半導体層は水素や
水が低減されている。従って、薄膜トランジスタ４５０９、４５１０は電気的特性の安定
な信頼性の高い薄膜トランジスタである。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、絶縁層に含ませて形成
することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物
半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成膜時に
ゲート絶縁層に含ませる、成膜時に絶縁層に含ませる、プラズマ処理により絶縁層との界
面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数行ってもよい。
なお、駆動回路用の薄膜トランジスタ４５０９としては、薄膜トランジスタの酸化物半導
体層のチャネル形成領域と重なる位置に導電層を設けた構造とする。本実施の形態におい
て、薄膜トランジスタ４５０９、４５１０はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
酸化物絶縁層４５４２上において駆動回路用の薄膜トランジスタ４５０９の酸化物半導体
層のチャネル形成領域と重なる位置に導電層４５４０が設けられている。導電層４５４０
を酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、ＢＴ試験前後
における薄膜トランジスタ４５０９のしきい値電圧の変化量を低減することができる。ま
た、導電層４５４０は、電位が薄膜トランジスタ４５０９のゲート電極層と同じでもよい
し、異なっていても良く、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導
電層４５４０の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフローティング状態であってもよい。
また、導電層４５４０は外部の電場を遮蔽する、すなわち外部の電場が内部（薄膜トラン
ジスタを含む回路部）に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮蔽機能）
も有する。導電層の４５４０の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響により薄
膜トランジスタの電気的な特性が変動することを防止することができる。
また、薄膜トランジスタ４５１０の酸化物半導体層を覆う酸化物絶縁層４５４２が形成さ
れている。薄膜トランジスタ４５１０のソース電極層又はドレイン電極層は薄膜トランジ
スタ上に設けられた酸化物絶縁層４５４２及び絶縁層４５５１に形成された開口において
配線層４５５０と電気的に接続されている。配線層４５５０は第１の電極４５１７と接し
て形成されており、薄膜トランジスタ４５１０と第１の電極４５１７とは配線層４５５０
を介して電気的に接続されている。
酸化物絶縁層４５４２はハロゲン元素を含む場合、実施の形態２で示した酸化物絶縁層１
３６と同様な材料及び方法で形成すればよい。
発光素子４５１１の発光領域と重なるようにカラーフィルタ層４５４５が、絶縁層４５５
１上に形成される。
また、カラーフィルタ層４５４５の表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能する
オーバーコート層４５４３で覆う構成となっている。
また、オーバーコート層４５４３上に絶縁層４５４４が形成されている。絶縁層４５４４
は、実施の形態１で示した保護絶縁層１０３と同様に形成すればよく、例えば窒化シリコ
ン膜をスパッタリング法で形成すればよい。
また４５１１は発光素子に相当し、発光素子４５１１が有する画素電極である第１電極４
５１７は、薄膜トランジスタ４５１０のソース電極層またはドレイン電極層と配線層４５
５０を介して電気的に接続されている。なお発光素子４５１１の構成は、第１電極４５１
７、電界発光層４５１２、第２電極４５１３の積層構造であるが、示した構成に限定され
ない。発光素子４５１１から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１１の構成
は適宜変えることができる。
隔壁４５２０は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。
特に感光性の材料を用い、第１電極４５１７上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
電界発光層４５１２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成
されていてもどちらでも良い。
発光素子４５１１に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２電極４５
１３及び隔壁４５２０上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、
窒化酸化シリコン膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。
また、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂ
、または画素部４５０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４５１８ａ、４５１８
ｂから供給されている。
接続端子電極４５１５が、発光素子４５１１が有する第１電極４５１７と同じ導電膜から
形成され、端子電極４５１６は、薄膜トランジスタ４５０９のソース電極層及びドレイン
電極層と同じ導電膜から形成されている。
接続端子電極４５１５は、ＦＰＣ４５１８ａが有する端子と、異方性導電膜４５１９を介
して電気的に接続されている。
発光素子４５１１からの光の取り出し方向に位置する第２の基板は透光性でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリル
フィルムのような透光性を有する材料を用いる。
また、充填材４５０７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶ
Ａ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用い
ればよい。
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板
又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、
映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
シール材は、スクリーン印刷法、インクジェット装置またはディスペンス装置を用いて形
成することができる。シール材は、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化
性の樹脂を含む材料を用いることができる。また、フィラーを含んでもよい。
信号線駆動回路４５０３ａ、４５０３ｂ、及び走査線駆動回路４５０４ａ、４５０４ｂは
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、図１０の構成に限定されない。
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い発光表示装置（表示パネル）を作製す
ることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１１）
半導体装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図１６を用いて
説明する。図１６（Ａ）（Ｃ）は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１、及び液晶素子
４０１３を、第１の基板４００１と第２の基板４００６との間にシール材４００５によっ
て封止した、パネルの平面図であり、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）または図１６（Ｃ）
のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲む
ようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回
路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査
線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６
とによって、液晶層４００８と共に封止されている。また第１の基板４００１上のシール
材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、
ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図１６（Ａ）は
、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図１６（Ｃ）は、ＴＡ
Ｂ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、
薄膜トランジスタを複数有しており、図１６（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜
トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１
とを例示している。薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁層４０４１、４０４
２、４０２１が設けられている。
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、実施の形態１乃至８のいずれか一の薄膜トラン
ジスタを適宜用いることができ、同様な工程及び材料で形成することができる。薄膜トラ
ンジスタ４０１０、４０１１は、酸化物半導体層にハロゲン元素を含む絶縁層４０４１又
は／及びゲート絶縁層４０２０を接して形成し、加熱処理することにより酸化物半導体層
中に含まれる水素や水は酸化物絶縁層及び／又はゲート絶縁層に拡散され、酸化物半導体
層は水素や水が低減されている。従って、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は電気的
特性の安定な信頼性の高い薄膜トランジスタである。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、絶縁層に含ませて形成
することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物
半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成膜時に
ゲート絶縁層に含ませる、成膜時に絶縁層に含ませる、プラズマ処理により絶縁層との界
面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数行ってもよい。
絶縁層４０２１上において、駆動回路用の薄膜トランジスタ４０１１の酸化物半導体層の
チャネル形成領域と重なる位置に導電層４０４０が設けられている。導電層４０４０を酸
化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、ＢＴ試験前後にお
ける薄膜トランジスタ４０１１のしきい値電圧の変化量を低減することができる。また、
導電層４０４０は、電位が薄膜トランジスタ４０１１のゲート電極層と同じでもよいし、
異なっていても良く、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層
４０４０の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフローティング状態であってもよい。
また、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０のソ
ース電極層又はドレイン電極層と電気的に接続されている。そして液晶素子４０１３の対
向電極層４０３１は第２の基板４００６上に形成されている。画素電極層４０３０と対向
電極層４０３１と液晶層４００８とが重なっている部分が、液晶素子４０１３に相当する
。なお、画素電極層４０３０、対向電極層４０３１はそれぞれ配向膜として機能する絶縁
層４０３２、４０３３が設けられ、絶縁層４０３２、４０３３を介して液晶層４００８を
挟持している。
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性基板を用いることがで
き、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶ
Ｆ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルム、またはアクリル樹脂フ
ィルムを用いることができる。
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、
画素電極層４０３０と対向電極層４０３１との間の距離（セルギャップ）を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。また、対向電極層４０３１
は、薄膜トランジスタ４０１０と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続され
る。共通接続部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して対向電極層４０
３１と共通電位線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシール材４０
０５に含有させる。
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つで
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層４００８に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１ｍｓｅｃ
以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。ま
た配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって
引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損
を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
特に、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタは、静電気の影響により薄膜トランジス
タの電気的な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する恐れがある。よって酸化物半導体
層を用いる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置にブルー相の液晶材料を用いることは
より効果的である。
なお透過型液晶表示装置の他に、半透過型液晶表示装置でも適用できる。
また、液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設け、内側に着色層、表示素
子に用いる電極層という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設けてもよい。ま
た、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板及び着色層の材料や
作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、表示部以外にブラックマトリクスとし
て機能する遮光膜を設けてもよい。
薄膜トランジスタ４０１１、４０１０上には、酸化物半導体層に接して絶縁層４０４１が
形成されている。絶縁層４０４１はハロゲン元素を含む場合、実施の形態２で示した酸化
物絶縁層１３６と同様な材料及び方法で形成すればよい。ここでは、絶縁層４０４１とし
て、実施の形態２を用いてスパッタリング法によりハロゲン元素を含む酸化シリコン層を
形成する。また、絶縁層４０４１上に接して絶縁層４０４２を形成する。また、絶縁層４
０４２は実施の形態１で示した保護絶縁層１０３と同様に形成すればよく、例えば窒化シ
リコン層を用いることができる。また、絶縁層４０４２上に薄膜トランジスタの表面凹凸
を低減するため平坦化絶縁膜として機能する絶縁層４０２１で覆う構成となっている。
また、平坦化絶縁膜として絶縁層４０２１を形成する。絶縁層４０２１としては、ポリイ
ミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機
材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）
、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いる
ことができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層
４０２１を形成してもよい。
絶縁層４０２１の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、ス
ピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布法、液滴吐出法（インクジェット法、スク
リーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコート法、カーテンコート法、ナイフコート法
等を用いることができる。絶縁層４０２１の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねること
で効率よく半導体装置を作製することが可能となる。
画素電極層４０３０、対向電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
透光性の導電性材料を用いることができる。
また、画素電極層４０３０、対向電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマー
ともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率
が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例え
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４
００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
接続端子電極４０１５が、液晶素子４０１３が有する画素電極層４０３０と同じ導電膜か
ら形成され、端子電極４０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層
及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介し
て電気的に接続されている。
また図１６においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実
装している例を示しているがこの構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実
装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して
実装しても良い。
また、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学
部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用
いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、マトリクス状に配置された画素電極
を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素
電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極
と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターン
として観察者に認識される。
液晶表示装置の動画表示において、液晶分子自体の応答が遅いため、残像が生じる、また
は動画のぼけが生じるという問題がある。液晶表示装置の動画特性を改善するため、全面
黒表示を１フレームおきに行う、所謂、黒挿入と呼ばれる駆動技術がある。
また、垂直同期周期を通常の１．５倍若しくは２倍以上にすることで応答速度を改善する
、所謂、倍速駆動と呼ばれる駆動技術もある。
また、液晶表示装置の動画特性を改善するため、バックライトとして複数のＬＥＤ（発光
ダイオード）光源または複数のＥＬ光源などを用いて面光源を構成し、面光源を構成して
いる各光源を独立して１フレーム期間内で間欠点灯駆動する駆動技術もある。面光源とし
て、３種類以上のＬＥＤを用いてもよいし、白色発光のＬＥＤを用いてもよい。独立して
複数のＬＥＤを制御できるため、液晶層の光学変調の切り替えタイミングに合わせてＬＥ
Ｄの発光タイミングを同期させることもできる。この駆動技術は、ＬＥＤを部分的に消灯
することができるため、特に一画面を占める黒い表示領域の割合が多い映像表示の場合に
は、消費電力の低減効果が図れる。
これらの駆動技術を組み合わせることによって、液晶表示装置の動画特性などの表示特性
を従来よりも改善することができる。
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、さらに画素部または駆
動回路と同一基板上に保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、酸化物半導体層を
用いた非線形素子を用いて構成することが好ましい。例えば、保護回路は画素部と、走査
線入力端子及び信号線入力端子との間に配設されている。本実施の形態では複数の保護回
路を配設して、走査線、信号線及び容量バス線に静電気等によりサージ電圧が印加され、
画素トランジスタなどが破壊されないように構成されている。そのため、保護回路にはサ
ージ電圧が印加されたときに、共通配線に電荷を逃がすように構成する。また、保護回路
は、走査線に対して並列に配置された非線形素子によって構成されている。非線形素子は
、ダイオードのような二端子素子又はトランジスタのような三端子素子で構成される。例
えば、画素部の薄膜トランジスタと同じ工程で形成することも可能であり、例えばゲート
端子とドレイン端子を接続することによりダイオードと同様の特性を持たせることができ
る。
また、液晶表示モジュールには、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰ
Ｓ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌ
ｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌ
ｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓ
ａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
このように、本明細書に開示される半導体装置としては、特に限定されず、ＴＮ液晶、Ｏ
ＣＢ液晶、ＳＴＮ液晶、ＶＡ液晶、ＥＣＢ型液晶、ＧＨ液晶、高分子分散型液晶、ディス
コティック液晶などを用いることができるが、中でもノーマリーブラック型の液晶パネル
、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置とすることが好ましい
。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏ
ｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅ
ｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることが
できる。
以下にＶＡ型の液晶表示装置の一例を示す。
ＶＡ型の液晶表示装置とは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種であ
る。ＶＡ型の液晶表示装置は、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子
が垂直方向を向く方式である。本実施の形態では、特に画素（ピクセル）をいくつかの領
域（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されている。これを
マルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計という。以下の説明では、マルチドメイン
設計が考慮された液晶表示装置について説明する。
図１２と図１３は、ＶＡ型液晶表示パネルの画素構造を示している。図１３は基板６００
の平面図であり、図中に示す切断線Ｙ−Ｚに対応する断面構造を図１２に表している。以
下の説明ではこの両図を参照して説明する。
この画素構造は、一つの画素に複数の画素電極層が有り、それぞれの画素電極層にＴＦＴ
が接続されている。各ＴＦＴは、異なるゲート信号で駆動されるように構成されている。
すなわち、マルチドメイン設計された画素において、個々の画素電極層に印加する信号を
、独立して制御する構成を有している。
画素電極層６２４は、酸化物絶縁層６２０、及び絶縁膜６２２をそれぞれ貫通するコンタ
クトホール６２３において、配線６１８でＴＦＴ６２８と接続している。また、画素電極
層６２６は、酸化物絶縁層６２０、及び絶縁膜６２２をそれぞれ貫通するコンタクトホー
ル６２７において、配線６１９でＴＦＴ６２９と接続している。ＴＦＴ６２８のゲート配
線６０２と、ＴＦＴ６２９のゲート配線６０３には、異なるゲート信号を与えることがで
きるように分離されている。一方、データ線として機能するソース電極層又はドレイン電
極層６１６は、ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９で共通に用いられている。なお、ゲート配線
６０２、ゲート配線６０３上にはゲート絶縁層６０６ａ、６０６ｂが形成されている。
ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９は実施の形態１乃至８のいずれか一の薄膜トランジスタを適
宜用いることができる。本実施の形態のＴＦＴ６２８及びＴＦＴ６２９においては、実施
の形態３で示した薄膜トランジスタと同様に酸化物半導体層と接するゲート絶縁層６０６
ｂ及び酸化物絶縁層６２０にハロゲン元素を含む例である。ハロゲン元素を含むゲート絶
縁層及び酸化物絶縁層を接して形成し、加熱処理を行うことによって、酸化物半導体層に
含まれる水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物は低減されている。よって、ＴＦ
Ｔ６２８とＴＦＴ６２９は電気的特性の安定な信頼性の高いＴＦＴである。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、絶縁層に含ませて形成
することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物
半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成膜時に
ゲート絶縁層に含ませる、成膜時に絶縁層に含ませる、プラズマ処理により絶縁層との界
面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数行ってもよい。
また、容量配線６９０が設けられ、ゲート絶縁層６０６ａ、６０６ｂの積層を誘電体とし
、画素電極層または画素電極層と電気的に接続する容量電極と保持容量を形成する。
画素電極層６２４と画素電極層６２６の形状は異なっており、スリット６２５によって分
離されている。Ｖ字型に広がる画素電極層６２４の外側を囲むように画素電極層６２６が
形成されている。画素電極層６２４と画素電極層６２６に印加する電圧のタイミングを、
ＴＦＴ６２８及びＴＦＴ６２９により異ならせることで、液晶の配向を制御している。こ
の画素構造の等価回路を図１５に示す。ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９は、共にソース電極
層又はドレイン電極層６１６と接続している。ゲート配線６０２とゲート配線６０３に異
なるゲート信号を与えることで、液晶素子６５１と液晶素子６５２の動作を異ならせるこ
とができる。すなわち、ＴＦＴ６２８とＴＦＴ６２９の動作を個別に制御することにより
、液晶の配向を精密に制御して視野角を広げることができる。
対向基板６０１には、遮光膜６３２、第２の着色膜６３６、対向電極層６４０が形成され
ている。また、第２の着色膜６３６と対向電極層６４０の間にはオーバーコート膜とも呼
ばれる平坦化膜６３７が形成され、液晶の配向乱れを防いでいる。図１４に対向基板側の
構造を示す。対向電極層６４０は異なる画素間で共通化されている電極であるが、スリッ
ト６４１が形成されている。このスリット６４１と、画素電極層６２４及び画素電極層６
２６側のスリットとを交互に咬み合うように配置することで、斜め電界が効果的に発生さ
せて液晶の配向を制御することができる。これにより、液晶が配向する方向を場所によっ
て異ならせることができ、視野角を広げている。
対向電極層６４０は画素部に設けられる第１の対向電極層であり、駆動回路部に設けられ
る開口パターンを有する第２の対向電極層と同電位である。開口パターンを有する第２の
対向電極層を駆動回路部に設けることによって、高信頼性及び低消費電力の半導体装置と
することができる。
画素電極層６２４と液晶層６５０と対向電極層６４０が重なり合うことで、第１の液晶素
子が形成されている。また、画素電極層６２６と液晶層６５０と対向電極層６４０が重な
り合うことで、第２の液晶素子が形成されている。また、一画素に第１の液晶素子と第２
の液晶素子が設けられたマルチドメイン構造である。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１２）
本実施の形態では、本発明の一実施の形態である半導体装置として電子ペーパーの例を示
す。
図１１は、本発明の一実施の形態を適用した半導体装置の例としてアクティブマトリクス
型の電子ペーパーを示す。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ５８１としては、実
施の形態１乃至８のいずれか一の薄膜トランジスタを適宜用いることができ、同様な工程
及び材料で形成することができる。
本実施の形態の薄膜トランジスタ５８１においては、実施の形態１で示した薄膜トランジ
スタと同様に酸化物半導体層と接するゲート絶縁層５８２にハロゲン元素を含む例である
。ハロゲン元素を含むゲート絶縁層を接して形成し、加熱処理を行うことによって、酸化
物半導体層に含まれる水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物は低減されている。
よって、薄膜トランジスタ５８１は電気的特性の安定な信頼性の高い薄膜トランジスタで
ある。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、絶縁層に含ませて形成
することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物
半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成膜時に
ゲート絶縁層に含ませる、成膜時に絶縁層に含ませる、プラズマ処理により絶縁層との界
面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数行ってもよい。
図１１の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイス
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用い、電極層であ
る第１の電極層及び第２の電極層の間に配置し、第１の電極層及び第２の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
基板５８０上に設けられた薄膜トランジスタ５８１はボトムゲート構造の薄膜トランジス
タであり、ソース電極層又はドレイン電極層は、酸化物絶縁層５８３、保護絶縁層５８４
、絶縁層５８５に形成される開口において第１の電極層５８７と接して電気的に接続され
ている。
第１の電極層５８７と第２の電極層５８８との間には黒色領域５９０ａ及び白色領域５９
０ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ５９４を含む球形粒子が設けられて
おり、球形粒子の周囲は樹脂等の充填材５９５で充填されている（図１１参照。）。本実
施の形態においては、第１の電極層５８７が画素電極に相当し、対向基板５９６に設けら
れる第２の電極層５８８が共通電極に相当する。
また、ツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。透明な液体
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径１０μｍ〜２０
０μｍ程度のマイクロカプセルを用いる。第１の電極層と第２の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第１の電極層と第２の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置（単に表示装置、又は表示装置を具備
する半導体装置ともいう）を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこと
が可能となる。
以上の工程により、半導体装置として信頼性の高い電子ペーパーを作製することができる
。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１３）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型
ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられ
る。
図１７（Ａ）は、携帯電話機の一例である携帯電話機１６００を示している。携帯電話機
１６００は、筐体１６０１に組み込まれた表示部１６０２の他、操作ボタン１６０３ａ、
１６０３ｂ、外部接続ポート１６０４、スピーカ１６０５、マイク１６０６などを備えて
いる。
図１７（Ａ）に示す携帯電話機１６００は、表示部１６０２を指などで触れることで、情
報を入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部
１６０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部１６０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部１６０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部１６０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
また、携帯電話機１６００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを
有する検出装置を設けることで、携帯電話機１６００の向き（縦か横か）を判断して、表
示部１６０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部１６０２を触れること、又は筐体１６０１の操作
ボタン１６０３の操作により行われる。また、表示部１６０２に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部１６０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部１６０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部１６０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部１６
０２に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
表示部１６０２には、上記実施の形態に示す半導体装置を適用することができ、例えば画
素のスイッチング素子として、上記他の実施の形態に示す薄膜トランジスタを複数配置す
ることができる。
図１７（Ｂ）も携帯電話機の一例である。図１７（Ｂ）を一例とした携帯型情報端末は、
複数の機能を備えることができる。例えば電話機能に加えて、コンピュータを内蔵し、様
々なデータ処理機能を備えることもできる。
図１７（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、筐体１８００及び筐体１８０１の二つの筐体で構
成されている。筐体１８００には、表示パネル１８０２、スピーカー１８０３、マイクロ
フォン１８０４、ポインティングデバイス１８０６、カメラ用レンズ１８０７、外部接続
端子１８０８などを備え、筐体１８０１には、キーボード１８１０、外部メモリスロット
１８１１などを備えている。また、アンテナは筐体１８０１内部に内蔵されている。
また、表示パネル１８０２はタッチパネルを備えており、図１７（Ｂ）には映像表示され
ている複数の操作キー１８０５を点線で示している。
また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置などを内蔵していてもよい。
上記実施の形態に示す半導体装置は、表示パネル１８０２に用いることができ、使用形態
に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル１８０２と同一面上にカメラ用レ
ンズ１８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー１８０３及びマイ
クロフォン１８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さ
らに、筐体１８００と筐体１８０１は、スライドし、図１７（Ｂ）のように展開している
状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
外部接続端子１８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能
であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部
メモリスロット１８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応でき
る。
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであっても
よい。
図１８（Ａ）は、テレビジョン装置の一例であるテレビジョン装置９６００を示している
。テレビジョン装置９６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表
示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６
０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機９６１０により行うことができる。リモコン操作機９６１０が備える操作キー
９６０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９６０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作機
９６１０から出力する情報を表示する表示部９６０７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
表示部９６０３には、上記実施の形態に示す半導体装置を適用することができ、例えば画
素のスイッチング素子として、上記他の実施の形態に示す薄膜トランジスタを複数配置す
ることができる。
図１８（Ｂ）は、デジタルフォトフレームの一例であるデジタルフォトフレーム９７００
を示している。例えば、デジタルフォトフレーム９７００は、筐体９７０１に表示部９７
０３が組み込まれている。表示部９７０３は、各種画像を表示することが可能であり、例
えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同
様に機能させることができる。
表示部９７０３には、上記実施の形態に示す半導体装置を適用することができ、例えば画
素のスイッチング素子として、上記他の実施の形態に示す薄膜トランジスタを複数配置す
ることができる。
なお、デジタルフォトフレーム９７００は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳ
Ｂケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレーム９７００
の記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して
画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部９７０３に表示させることができ
る。
また、デジタルフォトフレーム９７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
図１９は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成されてお
り、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示部９８８
２が組み込まれ、筐体９８９１には表示部９８８３が組み込まれている。
表示部９８８３には、上記実施の形態に示す半導体装置を適用することができ、例えば画
素のスイッチング素子として、上記他の実施の形態に示す薄膜トランジスタを複数配置す
ることができる。
また、図１９に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９８８４、記録媒体挿入部９８
８６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９８８５、接続端子９８８７、センサ
９８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度
、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、
振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９８８９）等を備
えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細
書に開示する薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けら
れた構成とすることができる。図１９に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されている
プログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通
信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１９に示す携帯型遊技機が有する機能
はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図２１は、上記実施の形態を適用して形成される半導体装置の一例である発光装置を、室
内の照明装置３００１として用いた例である。本明細書に示す発光装置は大面積化も可能
であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、上記実施の形態で示し
た発光装置は、卓上照明器具３００２として用いることも可能である。なお、照明器具に
は天井固定型の照明器具、卓上照明器具の他にも、壁掛け型の照明器具、車内用照明、誘
導灯なども含まれる。
以上のように、実施の形態１乃至１２のいずれか一で示した半導体装置は、上記のような
様々な電子機器の表示パネルに適用することができ、信頼性の高い電子機器を提供するこ
とができる。
（実施の形態１４）
本明細書に開示する半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペー
パーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である
。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍（電子ブック）、ポスター、電車などの乗り
物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる
。電子機器の一例を図２０に示す。
図２０は、電子書籍の一例である電子書籍２７００を示している。例えば、電子書籍２７
００は、筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１
および筐体２７０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸とし
て開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うこ
とが可能となる。
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み
込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部（図２０では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部
（図２０では表示部２７０７）に画像を表示することができる。
また、図２０では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２
７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカ２７２５などを備えている
。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側
面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳＢケ
ーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成と
してもよい。さらに、電子書籍２７００は、電子辞書としての機能を持たせた構成として
もよい。
また、電子書籍２７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１５）
本実施の形態は、本明細書で開示する半導体装置に適用できる薄膜トランジスタの例を示
す。
本実施の形態では、酸化物半導体層に接するゲート絶縁層及び／又は保護絶縁層として窒
化物絶縁層を用いる構成の例を図２９示す。よって、該構成が異なる点以外は同じである
ため、同じ箇所には同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
図２９に示す薄膜トランジスタ１７５はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁
表面を有する基板１００上に、ゲート電極層１０１、ゲート絶縁層１７６、酸化物半導体
層１１２、ソース電極層１１５ａ、及びドレイン電極層１１５ｂを含む。また、薄膜トラ
ンジスタ１７５を覆い、酸化物半導体層１１２のチャネル形成領域に接する保護絶縁層と
して絶縁層１７８が設けられている。
酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するために、酸化物半
導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される絶縁層との界面において、変動要因と
なる水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物を排除する。
具体的には、酸化物半導体層及び、該酸化物半導体層と接して形成される絶縁層との界面
における水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（
水素原子や、Ｈ２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排
除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ゲート絶縁層や絶縁層にハロゲン
元素を含ませる場合、ゲート絶縁層や絶縁層中におけるハロゲン元素濃度は５×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度とすればよい。
ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層、絶縁層に含ませて形成
することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物
半導体層に付着させてもよい。上記ハロゲン元素を半導体装置に含ませる方法（成膜時に
ゲート絶縁層に含ませる、成膜時に絶縁層に含ませる、プラズマ処理により酸化物絶縁層
との界面に付着させる）は、少なくとも１つ以上行えばよく、もちろん複数行ってもよい
。
上記少なくともいずれかの方法でハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素、
水分、水酸基又は水素化物などの不純物を、ゲート絶縁層、及び／又は絶縁層に拡散させ
、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減させる。
本実施の形態では、ゲート絶縁層１７６及び絶縁層１７８にハロゲン元素を含ませる例で
あり、酸化物半導体層１１２に接して設けられるゲート絶縁層１７６及び絶縁層１７８は
ハロゲン元素を含む。
本実施の形態においては、酸化物半導体層と接するゲート絶縁層１７６及び／又は絶縁層
１７８として窒化物絶縁層を用いる。ゲート絶縁層１７６及び絶縁層１７８両方に窒化物
絶縁層を用いてもよいし、どちらか一方に用いて他方には酸化物絶縁層を用いてもよい。
ゲート絶縁層１７６に窒化物絶縁層、絶縁層１７８に酸化物絶縁層を用いる組みあわせ（
例えば、ゲート絶縁層１７６に窒化シリコン層、絶縁層１７８に酸化シリコン層）、ゲー
ト絶縁層１７６に酸化物絶縁層、絶縁層１７８に窒化物絶縁層（例えば、ゲート絶縁層１
７６に酸化シリコン層、絶縁層１７８に窒化シリコン層）を用いる組みあわせなどとする
ことができる。
窒化物絶縁層を用いると外部からの水分の侵入を防ぐことができデバイスの長期信頼性を
向上することができる。
ゲート絶縁層１７６、絶縁層１７８は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用い
ることができ、またμ波（２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤは、緻密で絶
縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。
ゲート絶縁層１７６、絶縁層１７８として用いることのできる窒化物絶縁層としては、窒
化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、又は窒化酸化アルミニウム層
などの単層、又は積層を用いることができる。
ゲート絶縁層１７６、絶縁層１７８として用いることのできる酸化物絶縁層としては、酸
化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、又は酸化窒化アルミニウム層
などの単層、又は積層を用いることができる。
本実施の形態では、ゲート絶縁層１７６を、μ波（２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラ
ズマＣＶＤ法によりハロゲン元素を含む窒化シリコン層により形成し、絶縁層１７８をス
パッタリング法によりハロゲン元素を含む窒化シリコン層により形成する。
ハロゲン元素を含むゲート絶縁層１７６及びハロゲン元素を含む絶縁層１７８を酸化物半
導体層１１２に接して設けることにより、酸化物半導体層１１２中の水素、水酸基又は水
分など水素原子を含む不純物は、ハロゲン元素を含むゲート絶縁層１７６及びハロゲン元
素を含む絶縁層１７８に拡散でき、酸化物半導体層１１２における電気特性の変動要因と
なる当該不純物濃度を低減させることができる。
以上のように、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
安定な電気特性を有し信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。

Claims (6)

  1. ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上の酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上のソース電極層と、
    前記第２の絶縁層上のドレイン電極層と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記酸化物半導体層の一部と接しており、
    前記第２の絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有することを特徴とする発光装置。
  2. ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上の酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上のソース電極層と、
    前記第２の絶縁層上のドレイン電極層と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記酸化物半導体層の一部と接しており、
    前記第２の絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
    前記ハロゲン元素は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であることを特徴とする発光装置。
  3. トランジスタと、発光素子とを有し、
    前記トランジスタは、
    ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上の酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上のソース電極層と、
    前記第２の絶縁層上のドレイン電極層と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記酸化物半導体層の一部と接しており、
    前記第２の絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
    前記トランジスタは、前記発光素子と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
  4. トランジスタと、発光素子とを有し、
    前記トランジスタは、
    ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上の酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上のソース電極層と、
    前記第２の絶縁層上のドレイン電極層と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記酸化物半導体層の一部と接しており、
    前記第２の絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
    前記ハロゲン元素は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であり、
    前記トランジスタは、前記発光素子と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、又は亜鉛を有することを特徴とする発光装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
    前記ハロゲン元素の濃度の値は、二次イオン質量分析によるものであることを特徴とする発光装置。
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