KR20080095538A - 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는평판표시장치 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PLEZGBHMSVTPPQ-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ra+2] Chemical compound [O-2].[Ra+2] PLEZGBHMSVTPPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZSBKSIBHLUBZKB-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+) oxygen(2-) titanium(4+) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Zr+4].[La+3] ZSBKSIBHLUBZKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N strontium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Sr+2].[Ba+2] CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[In+3].[Ce+3] UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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Abstract
본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 산화물을 포함하는 반도체층, 상기 반도체층을 포함하는 기판 상에 위치하는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 일정 영역과 대응되게 위치하는 게이트 전극을 포함하며, 상기 게이트 절연막은 1 내지 60at％의 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는 평판표시장치를 제공한다.
금속 산화물 반도체, 박막 트랜지스터
Description
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터의 단면도.
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 평판표시장치의 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 및 평판표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
300 : 기판 310a : 소오스 전극
310b : 드레인 전극 320 : 반도체층
330 : 게이트 절연막 340 : 절연층
350 : 게이트 전극 370a,370b : 제 1 및 제 2 금속배선
380 : 패시베이션막 390 : 제 1 전극
400 : 절연막 410 : 발광층
420 : 제 2 전극
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는 평판표시장치에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 전계발광표시장치(Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
이들 중, 액정표시장치는 음극선관에 비하여 시인성이 우수하고, 평균소비전력 및 발열량이 작으며, 또한, 전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
평판표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이용한 능동 매트릭스(active matrix) 방식이 있다. 수동 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 매트릭스 방식은 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동하는 방식이다.
평판표시장치를 구동하기 위한 박막 트랜지스터는 이동도, 누설전류 등과 같은 기본적인 박막 트랜지스터의 특성뿐만 아니라, 오랜 수명을 유지할 수 있는 내구성 및 전기적 신뢰성이 매우 중요하다. 여기서, 박막 트랜지스터의 반도체층은 주로 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 형성되는데, 비정질 실리콘은 성막 공정이 간단하고 생산 비용이 적게 드는 장점이 있지만 전기적 신뢰성이 확보되지 못하는 문제가 있다. 또한 다결정 실리콘은 높은 공정 온도로 인하여 대면적 응용이 매우 곤란하며, 결정화 방식에 따른 균일도가 확보되지 못하는 문제점이 있다.
한편, 산화물로 반도체층을 형성할 경우, 낮은 온도에서 성막하여도 높은 이동도를 얻을 수 있으며 산소의 함량에 따라 저항의 변화가 커서 원하는 물성을 얻기가 매우 용이하기 때문에 최근 박막 트랜지스터로의 응용에 있어 큰 관심을 끌고 있다. 특히, 아연 산화물(ZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO) 또는 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO4) 등을 그 예로 들 수 있다.
그러나, 산화물을 포함하는 반도체층은 반도체층 상부에 형성된 게이트 절연막에 의해 전기적 특성이 민감하게 변화되기 때문에, 이와 같은 반도체층의 전기적 특성은 게이트 절연막을 조절함에 따라 최적화하는 것이 중요하다. 이 중 박막 트랜지스터를 형성하는 공정에서 반도체층 이후의 후속공정에서 플라즈마 또는 고온에 의해 상기 반도체층이 손상을 입게 된다. 따라서, 박막 트랜지스터의 중요한 전기적 특성인 히스테리시스, 오프 전류(Off Current), 온 전류(On Current) 및 전하이동도(Mobility)가 저하될 수 있기 때문에 소자에 치명적인 불량이 발생하여 소자 의 신뢰성을 확보할 수 없는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 반도체 특성의 저하를 방지함으로써 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는 평판표시장치를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 산화물을 포함하는 반도체층, 상기 반도체층을 포함하는 기판 상에 위치하는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 일정 영역과 대응되게 위치하는 게이트 전극을 포함하며, 상기 게이트 절연막은 1 내지 60at％의 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 산화물을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층을 포함한 기판 전면에 1 내지 60at％의 산소를 포함하는 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 반도체층의 일정 영역에 대응하며, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 산화물을 포함하는 반도체층, 상기 반도체층을 포함하는 기판 상에 위치하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 일정 영역과 대응되게 위치하는 게이트 전극 및 상기 소오스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 제 1 전극을 포함하며, 상기 게이트 절연막은 1 내지 60％at의 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치를 제공한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다.
<실시예>
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 기판(100) 상에 소오스 전극(110a) 및 드레인 전극(110b)이 위치한다. 상기 소오스 전극(110a) 및 드레인 전극(110b)과 전기적으로 연결되며, 산화물을 포함하는 반도체층(120)이 위치한다. 상기 반도체층(120)은 아연 산화물(ZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO), 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO) 및 아연 주석 산화물(ZnSnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 반도체층(120) 상에는 게이트 절연막(130)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(130)은 1at% 내지 60at%의 산소를 포함하는 것이 바람직하고 예를 들어, 실리 콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 하프늄 산화물(HfOx), 이트륨 산화물(YOx), 티타늄 산화물(TiOx), 스트론튬 산화물(SrOx), 갈륨 산화물(GaOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 라듐 산화물(LaOx), 아연 산화물(ZnOx), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(BaSrTiOx) 및 납 란타늄 지르코늄 티타늄 산화물(PbLaZrTiOx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 게이트 절연막(130)은 산소의 원자량 변화율이 0.1 내지 67%인 것이 바람직하다.
상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 절연층(140)이 위치한다. 상기 절연층(140)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 질산화물(SiOxNy)을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 절연층(140) 상에 상기 반도체층(120)의 일정 영역과 대응되는 게이트 전극(150)이 위치한다.
이상과 같은 구조를 갖는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터는 반도체층 상에 1at% 내지 60at%의 산소를 포함하는 게이트 절연막을 형성하여 박막 트랜지스터의 중요한 전기적 특성인 히스테리시스, 오프 전류(Off Current), 온 전류(On Current) 및 전하이동도(Mobility)가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 소자의 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 제공할 수 있는 이점이 있다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1b를 참조하면, 도 1a에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 기판(100) 상에 위치한다.
상기 박막 트랜지스터는 소오스 전극(110a), 드레인 전극(110b), 산화물을 포함하는 반도체층(120), 게이트 절연막(130), 절연층(140) 및 게이트 전극(150)을 포함한다.
상기 게이트 절연막(130) 및 절연층(140)은 소오스 전극(110a) 및 드레인 전극(110b)을 노출시키는 제 1 및 제 2 비어홀(160a, 160b)이 형성되어 있고, 상기 제 1 및 제 2 비어홀(160a, 160b)을 통해 상기 반도체층(120)에 전기적으로 연결된 제 1 및 제 2 금속배선(170a, 170b)이 위치한다.
상기 박막 트랜지스터상에 제 3 비어홀(185)을 통해 제 2 금속배선(170b)의 일부를 노출시키는 패시베이션막(180)이 위치한다. 또한, 상기 패시베이션막(180) 상에는 상기 제 3 비어홀(185)을 통해 제 2 금속 배선(170b)과 전기적으로 연결되는 제 1 전극(190)이 위치한다.
상기 제 1 전극(190)을 포함하는 기판(100) 상에 절연막(200)이 위치한다. 상기 절연막(200)은 상기 제 1 전극(190)의 일부 영역을 노출시키는 개구부(205)가 형성된다.
상기 절연막(200) 및 개구부(205) 상에 발광층(210)이 위치하고, 상기 발광층(210)을 포함하는 기판(100) 상에 제 2 전극(220)이 위치한다.
본 발명의 일 실시예에서는 제 1 전극(190)과 제 2 전극(210) 사이에 발광층(210)을 포함하는 평판표시장치를 개시하지만, 이와는 달리, 제 1 전극(190)과 제 2 전극(210) 사이에 액정층을 포함하는 액정표시장치에도 적용 가능하다.
이상과 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 평판표시장치는 히스테리시스, 오프 전류(Off Current), 온 전류(On Current) 및 전하이동도(Mobility)가 저하되는 것을 방지할 수 있는 박막 트랜지스터를 구비하여 소자의 신뢰성이 높은 평판표시장치를 제공할 수 있는 이점이 있다.
이하에서는 도 2a 내지 도 2d를 참조하여, 상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 및 평판표시장치의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 2a를 참조하면, 기판(300)이 제공된다. 기판(300)은 절연유리, 플라스틱 또는 도전성 물질을 포함할 수 있으며, 플렉서블 기판일 수 있다. 기판(300) 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 알루미늄(Al) 등과 같은 금속을 적층하고 이를 패터닝하여 소오스 전극(310a) 및 드레인 전극(310b)을 형성한다.
이어, 상기 소오스 전극(310a) 및 드레인 전극(310b) 상에 반도체층(320)을 형성한다. 상기 반도체층(320)은 양측 단부는 각각 소오스 전극(310a) 및 드레인 전극(310b)과 전기적으로 연결된다. 이때, 반도체층(320)은 산화물로 형성할 수 있으며, 아연 산화물(ZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO), 아연 주석 산화물(ZnSnO) 또는 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO4)을 포함하도록 형성할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 반도체층(320)을 포함하는 기판(300) 상에 게이트 절연막(330)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(330)은 1at% 내지 60at%의 산소를 포함하도록 형성하는 것이 바람직하며 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 플루오르화수소 산화물(HfOx), 이트륨 산화물(YOx), 티타늄 산화물(TiOx), 스트론튬 산화물(SrOx), 갈륨 산화물(GaOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 라듐 산화물(LaOx), 아연 산화물(ZnOx), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(BaSrTiOx) 및 납 란타늄 지르코늄 티타늄 산화물(PbLaZrTiOx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 게이트 절연막(330)의 산소가 1at% 이상일 경우에는 박막 트랜지스터의 특성 중 히스테리시스가 발생하는 것을 방지하여 소자의 구동을 안정적으로 유지할 수 있고, 60at% 이하일 경우에는 게이트 절연막(330) 내에 산소 공격자점(vacancy)이 많이 발생되는 것을 방지하여 소자 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(330)은 5nm 내지 500nm의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 게이트 절연막(330)의 두께가 5nm 이상일 경우에는 누설전류(leakage current)가 증가하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 500nm 이하일 경우에는, 증착 공정의 러닝타임 감소에 따른 비용절감과 막 스트레스로 인한 누설전류를 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(330)은 산소의 원자량 변화율이 0.1 내지 67%인 것이 바람직하다. 이는 게이트 절연막(330)을 형성하는 공정 또는 후속 공정에 의 해 상기 게이트 절연막(330)의 막내 산소 농도의 변화를 나타내는 것으로, 상기 게이트 절연막(330)의 산소의 원자량 변화율이 0.1% 이상일 경우에는 박막 트랜지스터의 전하이동도(mobility) 및 문턱전압(threshold voltage) 특성을 향상시킬 수 있고, 67% 이하일 경우에는 게이트 절연막(330) 내에 산소 공격자점(vacancy)이 많이 발생되는 것을 방지하여 소자 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
이어, 상기 게이트 절연막(330) 상에 절연층(340)을 형성한다. 상기 절연층(340)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질산화물(SiOxNy)을 포함할 수 있으며, 5nm 내지 500nm의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
이어, 상기 절연층(340)을 포함하는 기판(300) 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속막을 적층한 다음, 이를 패터닝하여, 게이트 전극(350)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(350)은 상기 반도체층(320)의 일정 영역과 대응되도록 형성하는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 소오스 전극(310a), 드레인 전극(310b), 반도체층(320), 게이트 절연막(330), 절연층(340) 및 게이트 전극(350)을 포함하는 박막 트랜지스터가 제조된다.
본 발명의 일 실시예에서는 게이트 절연막(330) 상에 절연층(340)을 더 형성하는 것을 개시하고 있지만, 이와는 달리, 상기 절연층(340)을 개재하지 않을 수 도 있다.
이어, 도 2c를 참조하면, 상기 게이트 절연막(330) 및 절연층(340)을 식각하 여 상기 소오스 전극(310a) 및 드레인 전극(310b)을 노출시키는 제 1 및 제 2 비어홀(360a, 360b)를 형성한다.
다음, 상기 제 1 및 제 2 비어홀(360a, 360b)을 포함하는 기판(300) 상에 금속 물질을 적층하고 이를 패터닝하여 제 1 및 제 2 금속배선(370a, 370b)을 형성한다. 상기 제 1 및 제 2 금속배선(370a, 370b)은 상기 제 1 및 제 2 비어홀(360a, 360b)을 매우며 상기 소오스 전극(310a) 및 드레인 전극(310b)과 전기적으로 연결된다.
이어서, 도 2d를 참조하면, 상기 제 1 및 제 2 연결배선(370a, 370b)을 포함하는 기판(300) 상에 패시베이션막(380)을 적층한다. 그런 다음, 상기 패시베이션막(380)을 식각하여, 상기 제 2 금속배선(370b)의 일부를 노출시키는 제 3 비어홀(385)을 형성한다.
이어서, 상기 패시베이션막(380) 및 제 3 비어홀(385) 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ICO(Indium Cerium Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide)와 같은 일함수가 높은 도전물질을 적층하고 이를 패터닝하여 제 1 전극(390)을 형성한다.
다음, 상기 제 1 전극(390)을 포함하는 기판(300) 상에 절연막(400)을 형성한다. 상기 절연막(400)은 무기막으로 형성하는 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)를 사용하여 형성하는 것이 바람직하고, 유기막으로 형성하는 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 BCB(benzocyclobutene)을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
이어, 상기 절연막(400)의 일부를 식각하여 상기 제 1 전극(390)의 일부 영역을 노출시키는 개구부(405)를 형성한다. 그리고, 상기 절연막(400) 및 개구부(405) 상에 발광층(410)을 형성한다. 상기 발광층(410)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 발광층(410)을 포함하는 기판(300) 상에 배선 저항 및 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 물질을 적층하여 제 2 전극(420)을 형성하여 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시장치를 완성한다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 및 평판표시장치는 반도체층 상에 1at% 내지 60at%의 산소를 포함하는 게이트 절연막을 형성함으로써, 박막 트랜지스터의 중요한 전기적 특성인 히스테리시스, 오프 전류(Off Current), 온 전류(On Current) 및 전하이동도(Mobility)가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 소자의 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판표시장치를 제공할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발 명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는 평판표시장치는 박막 트랜지스터의 전기적 특성인 히스테리시스, 오프 전류(Off Current), 온 전류(On Current) 및 전하이동도(Mobility)가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 소자의 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판표시장치를 제공할 수 있는 이점이 있다. 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Claims (19)
- 기판;상기 기판 상에 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 산화물을 포함하는 반도체층;상기 반도체층을 포함하는 기판 상에 위치하는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 일정 영역과 대응되게 위치하는 게이트 전극을 포함하며,상기 게이트 절연막은 1 내지 60at％의 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체층은 아연 산화물(ZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO), 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO) 및 아연 주석 산화물(ZnSnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 하프늄 산화물(HfOx), 이트륨 산화물(YOx), 티타늄 산화물(TiOx), 스트론튬 산화물(SrOx), 갈륨 산화물(GaOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 라듐 산화물(LaOx), 아연 산화물(ZnOx), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(BaSrTiOx) 및 납 란타늄 지르코늄 티타늄 산화물(PbLaZrTiOx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 산소의 원자량 변화율이 0.1 내지 67%인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 5nm 내지 500nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연막 상에 절연층을 더 포함하며, 상기 절연층은 실리콘 질화 물(SiNx) 또는 실리콘 질산화물(SiOxNy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 기판 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 산화물을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층을 포함한 기판 전면에 1 내지 60at％의 산소를 포함하는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 반도체층의 일정 영역에 대응하며, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 반도체층은 아연산화물(ZnO), 인듐아연산화물(InZnO), 인듐갈륨아연산화물(InGaZnO) 및 아연주석산화물(ZnSnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 플루오르화수소 산화물(HfOx), 이트륨 산화물(YOx), 티타늄 산화물(TiOx), 스트론튬 산화물(SrOx), 갈륨 산화물(GaOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 라듐 산화물(LaOx), 아연 산화물(ZnOx), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(BaSrTiOx) 및 납 란타늄 지르코늄 티타늄 산화물(PbLaZrTiOx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 게이트 절연막은 산소의 원자량 변화율이 0.1 내지 67% 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 게이트 절연막은 5nm 내지 500nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 게이트 절연막 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징 으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 기판;상기 기판 상에 위치하는 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 산화물을 포함하는 반도체층;상기 반도체층을 포함하는 기판 상에 위치하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 일정 영역과 대응되게 위치하는 게이트 전극; 및상기 소오스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 제 1 전극을 포함하며,상기 게이트 절연막은 1 내지 60at％의 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제 13항에 있어서,상기 제 1 전극 상에 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 발광층 또는 액정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제 13항에 있어서,상기 반도체층은 아연산화물(ZnO), 인듐아연산화물(InZnO), 인듐갈륨아연산화물(InGaZnO) 및 아연주석산화물(ZnSnO)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제 13항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 플루오르화수소 산화물(HfOx), 이트륨 산화물(YOx), 티타늄 산화물(TiOx), 스트론튬 산화물(SrOx), 갈륨 산화물(GaOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 라듐 산화물(LaOx), 아연 산화물(ZnOx), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(BaSrTiOx) 및 납 란타늄 지르코늄 티타늄 산화물(PbLaZrTiOx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제 13항에 있어서,상기 게이트 절연막은 산소의 원자량 변화율이 0.1% 내지 67%인 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제 13항에 있어서,상기 게이트 절연막은 5nm 내지 500nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
- 제 13항에 있어서,상기 게이트 절연막 상에 절연층을 더 포함하며, 상기 절연층은 실리콘 산화물(SiNx) 또는 실리콘 질산화물(SiOxNy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR20080095538A (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8354670B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor, method of manufacturing transistor, and electronic device including transistor |
| US8476106B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-07-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Transparent nonvolatile memory thin film transistor and method of manufacturing the same |
| KR101291488B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2013-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9711651B2 (en) | 2008-12-26 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR20180103797A (ko) * | 2011-06-29 | 2018-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
-
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9711651B2 (en) | 2008-12-26 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US11817506B2 (en) | 2008-12-26 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8476106B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-07-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Transparent nonvolatile memory thin film transistor and method of manufacturing the same |
| KR101291488B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2013-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8642412B2 (en) | 2009-10-21 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an oxide-based semiconductor thin film transistor (TFT) including out diffusing hydrogen or moisture from the oxide semiconductor layer into an adjacent insulating layer which contains a halogen element |
| TWI514571B (zh) * | 2009-10-21 | 2015-12-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9679768B2 (en) | 2009-10-21 | 2017-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing hydrogen from oxide semiconductor layer having insulating layer containing halogen element formed thereover |
| US8354670B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor, method of manufacturing transistor, and electronic device including transistor |
| KR20180103797A (ko) * | 2011-06-29 | 2018-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
| KR20190107639A (ko) * | 2011-06-29 | 2019-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로의 제작 방법 및 구동 회로를 이용한 표시 장치 |
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