JP2012227547A - 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 133
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 105
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 28
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 49
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 49
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 41
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 30
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 30
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 19
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 11
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- MNUSMUGFHGAOIW-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1,2-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1(C(O)=O)C(O)=O MNUSMUGFHGAOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 claims description 4
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- -1 1-carboxymethyl Chemical group 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 9
- 150000007973 cyanuric acids Chemical class 0.000 description 9
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 4
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 4
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- PAVNZLVXYJDFNR-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethyloxane-2,6-dione Chemical compound CC1(C)CCC(=O)OC1=O PAVNZLVXYJDFNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UVYLEXYRTBDZNM-UHFFFAOYSA-N 4,4-diethyloxane-2,6-dione Chemical compound CCC1(CC)CC(=O)OC(=O)C1 UVYLEXYRTBDZNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N glutaric anhydride Chemical compound O=C1CCCC(=O)O1 VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N (3ar,4s,7r,7as)-rel-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methanoisobenzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)[C@@H]2[C@H]1[C@]1([H])C=C[C@@]2([H])C1 KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N 0.000 description 1
- MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethyl)-4-[4-(methoxymethyl)phenyl]benzene Chemical group C1=CC(COC)=CC=C1C1=CC=C(COC)C=C1 MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-dimethylbenzene Chemical group COC1=C(C)C=CC(C)=C1OC BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000008042 Zea mays Species 0.000 description 1
- 235000005824 Zea mays ssp. parviglumis Nutrition 0.000 description 1
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000005822 corn Nutrition 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- OEBRKCOSUFCWJD-UHFFFAOYSA-N dichlorvos Chemical compound COP(=O)(OC)OC=C(Cl)Cl OEBRKCOSUFCWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N hexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21 MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBSZRRSYVTXPNB-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus Chemical class P12P3P1P32 OBSZRRSYVTXPNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成型温度100℃〜200℃、成型圧力20MPa以下、成型時間60〜120秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが5mm以下であり、かつ熱硬化後の、波長350nm〜800nmにおける光反射率が80%以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。
【選択図】図1
Description
(1)熱硬化性成分と(E)白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、
成型温度100℃〜200℃、成型圧力20MPa以下、及び成型時間60〜120秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが5mm以下であり、かつ
熱硬化後の、波長350nm〜800nmにおける光反射率が80%以上である
ことを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(2)上記熱硬化性成分が、(A)エポキシ樹脂を含むことを特徴とする上記(1)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(3)上記(A)エポキシ樹脂が、(A’)エポキシ樹脂と(B’)硬化剤とを混練することによって得られ、かつ100〜150℃における粘度が100〜2500mPa・sの範囲である(G)オリゴマーを含むことを特徴とする上記(2)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(4)上記熱硬化性成分が、上記(A)エポキシ樹脂とともに用いられる(B)硬化剤をさらに含み、上記(A)エポキシ樹脂と上記(B)硬化剤との配合比が、上記(A)エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、該エポキシ基と反応可能な上記(B)硬化剤中の活性基が0.5〜0.7当量となる比であることを特徴とする、上記(3)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(5)上記(B)硬化剤が、イソシアヌル酸骨格を有する化合物を含むことを特徴とする上記(4)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(7)上記(B)硬化剤が、シクロへキサントリカルボン酸無水物を含むことを特徴とする上記(4)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(8)上記シクロへキサントリカルボン酸無水物が、下記構造式(I)で示される化合物であることを特徴とする上記(7)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(10)さらに(D)無機充填剤を含み、該(D)無機充填剤が、多孔質充填剤または吸油性を有する化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(8)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(12)上記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の表面が、疎水化処理または親水化処理されていることを特徴とする上記(10)または(11)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(13)上記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の見掛け密度が、0.4g/cm3以上であることを特徴とする上記(10)〜(12)のいずれか1つに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(14)上記(D)無機充填剤における上記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の含有量が、0.1体積%〜20体積%の範囲であることを特徴とする上記(10)〜(13)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(15)さらに(D)無機充填剤として、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする上記(1)〜(14)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(17)上記(E)白色顔料の中心粒径が、0.1〜50μmの範囲にあることを特徴とする上記(1)〜(16)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(18)上記(D)無機充填剤と上記(E)白色顔料とを合計した配合量が、樹脂組成物全体に対して、10体積%〜85体積%の範囲であることを特徴とする上記(1)〜(17)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(19)少なくとも上記各種構成成分を、混練温度20〜100℃、混練時間10〜30分の条件下で混練することによって得られる混練物を含むことを特徴とする上記(1)〜(18)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(20)上記混練物が上記混練後に0〜30℃で1〜72時間にわたってエージングされたものであることを特徴とする上記(19)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(22)上記混練工程を、混練温度20〜100℃、及び混練時間10〜30分の条件下で行うことを特徴とする上記(21)に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の製造方法。
(23)上記(1)〜(20)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いて構成されることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
(24)光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも上記凹部の内周側面が上記(1)〜(20)のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物から構成されることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
(25)光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも上記凹部を上記(1)〜(20)のいずれかに記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成型によって形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法。
(26)上記(24)に記載の光半導体素子搭載用基板と、上記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、上記光半導体素子を覆うように上記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層とを少なくとも備える光半導体装置。
本発明の一実施形態では、熱硬化性樹脂成分として(A)エポキシ樹脂を含むことが好ましい。(A)エポキシ樹脂は、特に限定されることなく、エポキシ樹脂成型材料として一般に使用されている樹脂を用いることができる。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの; ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、アルキル置換ビフェノール等のジグリシジエーテル; ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂; オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂;及び脂環族エポキシ樹脂等が挙げられる。これらを単独で用いても、または2種以上併用してもよい。使用するエポキシ樹脂は無色または例えば淡黄色の比較的着色していないものが好ましい。そのようなエポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレートを挙げることができる。
本発明で使用する(G)オリゴマーは、硬化性光反射用樹脂組成物の調製に先立って、少なくとも(A’)エポキシ樹脂および(B’)硬化剤、さらに必要に応じて(C’)硬化促進剤を配合することによって調製される。上記(A’)エポキシ樹脂、上記(B’)硬化剤、上記(C’)硬化促進剤は、それぞれ先に説明した(A)エポキシ樹脂、後述する(B)硬化剤および(C)硬化促進剤と同様のものを用いることができる。
フェノール系硬化剤としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂; フェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルとから合成されるフェノール・アラルキル樹脂; ビフェニレン型フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂; フェノール類及び/又はナフトール類とジシクロペンタジエンとの共重合によって合成される、ジシクロベンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂等のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂; トリフェニルメタン型フェノール樹脂; テルペン変性フェノール樹脂; パラキシリレン及び/又はメタキシリレン変性フェノール樹脂; メラミン変性フェノール樹脂; シクロペンタジエン変性フェノール樹脂; およびこれら2種以上を共重合して得られるフェノール樹脂などが挙げられる。
*1:トリグリシジルイソシアヌレート(エポキシ当量100、日産化学社製、商品名TEPIC−S)
*2:ヘキサヒドロ無水フタル酸(和光純薬社製)
*3:1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレート(四国化成工業社製、製品名C3CIC酸)
*4:シクロヘキサントリカルボン酸無水物(三菱ガス化学社製、製品名H−TMAn)
*5:テトラヒドロ無水フタル酸(アルドリッチ社製)
*6:メチルヒドロ無水フタル酸(日立化成工業社製 商品名HN5500)
*7:テトラ−n−ブチルホスホニウム−0,0−ジエチルホスホロジチエート(日本化学工業社製、商品名ヒシコーリンPX−4ET)
*8:トリメトキシエポキシシラン(東レダウコーニング社製、商品名SH6040)
*9:脂肪酸エステル(クラリアント社製、商品名ヘキストワックスE)
*10:脂肪族エーテル(東洋ペトロライト社製、商品名ユニトックス420)
*11:溶融シリカ(電気化学工業社製、商品名FB−301)
*12:溶融シリカ(電気化学工業社製、商品名FB−950)
*13:溶融シリカ(アドマテックス社製、商品名SO−25R)
*14:多孔質球状シリカ(富士シリシア化学社製、製品名サイロスフィアC−1504)平均粒径:3μm、見掛け密度:0.58g/ml、比表面積:300m2/g)
*15:多孔質無定形状シリカ(富士シリシア化学社製、製品名サイロホービック702、平均粒径:4μm 見掛け密度:0.48g/ml、比表面積:300m2/g)
*16:多孔質無定形状シリカ(富士シリシア化学社製、製品名サイリシア430、平均粒径:4μm、見掛け密度:0.48g/ml、比表面積:300m2/g)
*17:中空粒子(住友3M社製、商品名S60−HS)
*18:アルミナ(アドマテックス社製、商品名AO−802)
*19:ナノシリカ(トクヤマ社製、CP−102)
1.熱硬化性光反射用樹脂組成物の調製
下記表A1から表A3に示した配合割合に従って各成分を配合し、ミキサーによって十分に混練した後にミキシングロールによって所定条件下で溶融混練して混練物を得た。さらに、得られた混練物を粉砕することによって、実施例A1〜A16および比較例A1〜A7の熱硬化性光反射用樹脂組成物を各々調製した。なお、表A1から表A3に示した各成分の配合量の単位は重量部である。表における空欄は該当する成分の配合が無いことを意味する。
先に調製した実施例A1〜A16および比較例A1〜A7の各々の樹脂組成物について、以下の手順に従って、光反射率およびバリ長さを測定した。また、各々の樹脂組成物を成型して得られる基板のワイヤボンディング性について検討し、評価した。それらの結果を下記表A1から表A3に示す。
先に調製した各々の熱硬化性光反射用樹脂組成物を、成型金型温度180℃、成型圧力6.9MPa、硬化時間90秒の条件下でトランスファー成型した後、150℃で2時間にわたって後硬化することによって、厚み1.0mmの試験片をそれぞれ作製した。次いで、積分球型分光光度計V−750型(日本分光株式会社製)を用いて、波長400nmにおける各試験片の光反射率を測定した。
先に調製した各々の熱硬化性光反射用樹脂組成物を、ポットを用いて、バリ測定用金型(図4を参照)に流し込み、次いで硬化させることによって樹脂組成物を成型した。なお、成型時の金型温度は180℃、成型圧力は6.9MPa、樹脂の流し込み時間(トランスファー時間)は10秒であり、硬化温度は180℃、硬化時間は90秒とした。成型後、バリ測定用金型の上型を外し、成型時に金型の上型と下型との隙間を流れて生じたバリの長さの最大値を、ノギスを使用して測定した。
最初に、図2に示した製造工程に従い、先に調製した各々の熱硬化性光反射用樹脂組成物をトランスファー成型することによって、光半導体素子搭載用基板を作製した。なお、成型条件は、成型金型温度180℃、成型圧力6.9MPa、硬化時間90秒であり、150℃で2時間にわたって後硬化を実施した。
次に、作製した上記基板の光半導体素子搭載領域となる凹部に光半導体素子を搭載した後、ワイヤボンダ(HW22U−H、九州松下電器株式会社製、商品名)および直径28μmのボンディングワイヤを使用して、光半導体素子と基板とをワイヤボンディングすることによって、電気的に接続した。ワイヤボンディング時の基板の加熱温度は180℃とした。ワイヤボンディング性は、光半導体素子と基板とを電気的に接続するワイヤボンディングするワイヤの引っ張り強度を、プルテスターPTR−01(株式会社レスカ製、商品名)を使用して測定し、その値について下記の評価基準に従って評価した。
◎:引っ張り強度10g以上
○:引っ張り強度4g以上10g未満
△:引っ張り強度4g未満
×:ボンディング不可
1.熱硬化性光反射用樹脂組成物の調製
下記表B1および表B2に示した配合割合に従って各成分を配合し、ミキサーによって十分に混練した後にミキシングロールによって所定条件下で溶融混練して混練物を得た。さらに、得られた混練物に必要に応じてエージングを施した後に冷却し、それらを粉砕することによって、実施例B1〜B11および比較例B1〜B8の熱硬化性光反射用樹脂組成物を各々調製した。
実施例B1は、特定の(G)オリゴマーを使用する手法に関する。
実施例B2は、(A)エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対する硬化剤中の活性基を0.5〜0.7当量の範囲とする手法に関する。
実施例B3は、(H)増粘剤としてナノフィラーを追加する手法に関する。
実施例B4は、樹脂組成物を所定条件下でエージングする手法に関する。
実施例B5は、溶融混練条件を調整する手法(混練時間を15分から30分に延長)に関する。
実施例B6〜B11は、上述の手法のうちいずれか2つの手法を併用した場合に関する。
表B1に示した配合条件に従って各成分を配合し、ミキシングロールによって25℃で10分間にわたって溶融混練を行った。なお、表B1に示した配合は、エポキシ基1当量に対して酸無水物基0.1当量となる割合になっている。次に、溶融混練によって得られた粘土状組成物(混練物)を温度55℃で4時間にわたってエージングした。そのようなエージング後に、混練物を口径300mmの陶器製乳鉢を用いて、粒径が1mm以下になるまで粉砕することにより所望のオリゴマーを得た。得られたオリゴマーは、温度0℃以下の環境下で保存した。
先に調製した実施例B1〜B6および比較例B1〜B8の各々の熱硬化性光反射用樹脂組成物について、先の実施例と同様にして、光反射率およびバリ長さを測定した。また、先の実施例と同様にして、各々の樹脂組成物を成型して得られる基板のワイヤボンディング性について検討し、以下の基準に従って評価した。それらの結果を下記表B1および表B2に示す。
◎:引っ張り強度10g以上
○:引っ張り強度4g以上10g未満
△:引っ張り強度4g未満
×:ボンディング不可
1.熱硬化性光反射用樹脂組成物の調製
下記表C1に示した配合割合に従って各成分を配合し、ミキサーによって十分に混合した後、ミキシングロールによって溶融混練することによって混練物を得た。得られた混練物を室温まで冷却し、それらを粉砕することによって、実施例C1〜C3、比較例C1およびC2の熱硬化性光反射用樹脂組成物を各々調製した。表C1に示した各成分の配合量の単位は重量部である。また、表における空欄は該当する成分の配合が無いことを意味する。
先に調製した実施例C1〜C3および比較例C1、C2の熱硬化性光反射用樹脂組成物について、先の実施例と同様にして、光反射率およびバリ長さを測定した。また、先の実施例と同様にして、各々の樹脂組成物を成型して得られる基板のワイヤボンディング性について検討し、以下の基準に従って評価した。それらの結果を下記表C1に示す。
◎:引っ張り強度10g以上
○:引っ張り強度4g以上10g未満
△:引っ張り強度4g未満
×:ボンディング不可
1.熱硬化性光反射用樹脂組成物の調製
表D1に示した配合割合に従って各成分を配合し、ミキサーによって十分に混合した後、ミキシングロールによって溶融混練することによって混練物を得た。得られた混練物を室温まで冷却し、それらを粉砕することによって、実施例D1〜D5、比較例D1〜D3の熱硬化性光反射用樹脂組成物を各々調製した。なお、表D1に示した各成分の配合量の単位は重量部である。また、表における空欄は該当する成分の配合が無いことを意味する。
先に調製した実施例D1〜D5および比較例D1〜D3の熱硬化性光反射用樹脂組成物について、先の実施例と同様にして、光反射率およびバリ長さを測定した。なお、耐久性について検討するために、光反射率の測定は、試験片の成型後と、150℃で72時間加熱した後に実施した。また、先の実施例と同様にして、各々の樹脂組成物を成型して得られる基板のワイヤボンディング性について検討し、以下の基準に従って評価した。それらの結果を下記表D1に示す。
◎:引っ張り強度10g以上
○:引っ張り強度4g以上10g未満
△:引っ張り強度4g未満
×:ボンディング不可
表E1に示した配合割合に従って各成分を配合し、ミキサーによって十分に混合した後、ミキシングロールによって溶融混練することによって混練物を得た。得られた混練物を室温まで冷却し、それらを粉砕することによって、実施例E1〜E8の熱硬化性光反射用樹脂組成物を各々調製した。なお、表E1に示した各成分の詳細は先に説明したとおりであり、各配合量の単位は重量部である。
◎:引っ張り強度10g以上
○:引っ張り強度4g以上10g未満
△:引っ張り強度4g未満
×:ボンディング不可
Claims (17)
- 光半導体素子搭載用基板と、前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層とを少なくとも備える光半導体装置であって、
前記光半導体素子搭載用基板の少なくとも前記凹部の内周側面が、熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いて構成されたものであり、
前記熱硬化性光反射用樹脂組成物が、熱硬化性成分と、(E)白色顔料と、(D)無機充填剤を含み、成型温度100℃〜200℃、成型圧力20MPa以下、及び成型時間60〜120秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが5mm以下であり、かつ熱硬化後の、波長350nm〜800nmにおける光反射率80%以上であり、
前記(D)無機充填剤が、多孔質充填剤または吸油性を有する化合物を含有することを特徴とする光半導体装置。 - 前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の形状が、真球状、破砕状、円盤状、棒状、繊維状からなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の表面が、疎水化処理または親水化処理されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光半導体装置。
- 前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の見掛け密度が、0.4g/cm3以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記(D)無機充填剤における前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の含有量が、0.1体積%〜20体積%の範囲であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記熱硬化性成分が、(A)エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記(A)エポキシ樹脂が、(A’)エポキシ樹脂と(B’)硬化剤とを混練することによって得られ、かつ100〜150℃における粘度が100〜2500mPa・sの範囲である(G)オリゴマーを含むことを特徴とする請求項6に記載の光半導体装置。
- 前記熱硬化性成分が、前記(A)エポキシ樹脂とともに用いられる(B)硬化剤をさらに含み、前記(A)エポキシ樹脂と前記(B)硬化剤との配合比が、前記(A)エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、該エポキシ基と反応可能な前記(B)硬化剤中の活性基が0.5〜0.7当量となる比であることを特徴とする請求項7に記載の光半導体装置。
- 前記(B)硬化剤が、イソシアヌル酸骨格を有する化合物を含むことを特徴とする請求項8に記載の光半導体装置。
- 前記(B)硬化剤が、35℃以上の融点を有する酸無水物をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の光半導体装置。
- 前記(B)硬化剤が、シクロへキサントリカルボン酸無水物を含むことを特徴とする請求項8に記載の光半導体装置。
- 前記熱硬化性光反射用樹脂組成物が、さらに(D)無機充填剤を含み、前記(D)無機充填剤が、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記(E)白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子からなる群の中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記(E)白色顔料の中心粒径が0.1〜50μmの範囲にあることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記(D)無機充填剤と前記(E)白色顔料とを合計した配合量が、樹脂組成物全体に対して、10体積%〜85体積%の範囲であることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の光半導体装置。
- 前記熱硬化性光反射用樹脂組成物が、少なくとも各種構成成分を、混練温度20〜100℃、混練時間10〜30分の条件下で混練することによって得られる混練物を含むことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012162978A JP5639126B2 (ja) | 2006-11-15 | 2012-07-23 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006309052 | 2006-11-15 | ||
JP2006309052 | 2006-11-15 | ||
JP2007098354 | 2007-04-04 | ||
JP2007098354 | 2007-04-04 | ||
JP2012162978A JP5639126B2 (ja) | 2006-11-15 | 2012-07-23 | 光半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544162A Division JPWO2008059856A1 (ja) | 2006-11-15 | 2007-11-14 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013172250A Division JP5660173B2 (ja) | 2006-11-15 | 2013-08-22 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227547A true JP2012227547A (ja) | 2012-11-15 |
JP5639126B2 JP5639126B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=39401662
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544162A Pending JPWO2008059856A1 (ja) | 2006-11-15 | 2007-11-14 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
JP2012162980A Pending JP2012254633A (ja) | 2006-11-15 | 2012-07-23 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
JP2012162977A Active JP5408310B2 (ja) | 2006-11-15 | 2012-07-23 | 光半導体装置 |
JP2012162979A Pending JP2012212935A (ja) | 2006-11-15 | 2012-07-23 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
JP2012162978A Active JP5639126B2 (ja) | 2006-11-15 | 2012-07-23 | 光半導体装置 |
JP2013005096A Expired - Fee Related JP5408368B2 (ja) | 2006-11-15 | 2013-01-16 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
JP2013172250A Active JP5660173B2 (ja) | 2006-11-15 | 2013-08-22 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
JP2014245646A Active JP5979208B2 (ja) | 2006-11-15 | 2014-12-04 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
JP2016147434A Active JP6365606B2 (ja) | 2006-11-15 | 2016-07-27 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544162A Pending JPWO2008059856A1 (ja) | 2006-11-15 | 2007-11-14 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
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EP (1) | EP2100908B1 (ja) |
JP (9) | JPWO2008059856A1 (ja) |
KR (6) | KR101308199B1 (ja) |
CN (5) | CN102408541B (ja) |
TW (8) | TWI488901B (ja) |
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2007
- 2007-11-14 CN CN201110309960.2A patent/CN102408541B/zh active Active
- 2007-11-14 KR KR1020117013316A patent/KR101308199B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-14 KR KR1020117013315A patent/KR101308263B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-14 EP EP07831799.7A patent/EP2100908B1/en not_active Not-in-force
- 2007-11-14 CN CN201210230392.1A patent/CN102751430B/zh active Active
- 2007-11-14 KR KR1020117013313A patent/KR101308306B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-14 CN CN201110309724.0A patent/CN102408542B/zh active Active
- 2007-11-14 CN CN201110309972.5A patent/CN102516712B/zh active Active
- 2007-11-14 KR KR1020097010100A patent/KR20090077957A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-11-14 US US12/515,182 patent/US9387608B2/en active Active
- 2007-11-14 KR KR1020117013314A patent/KR101308173B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-14 WO PCT/JP2007/072069 patent/WO2008059856A1/ja active Application Filing
- 2007-11-14 JP JP2008544162A patent/JPWO2008059856A1/ja active Pending
- 2007-11-14 CN CN201110309968.9A patent/CN102408543B/zh active Active
- 2007-11-14 KR KR1020117013317A patent/KR101308349B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-15 TW TW102130865A patent/TWI488901B/zh active
- 2007-11-15 TW TW105120872A patent/TWI604004B/zh active
- 2007-11-15 TW TW102130851A patent/TWI648322B/zh active
- 2007-11-15 TW TW103144202A patent/TWI545151B/zh active
- 2007-11-15 TW TW102130862A patent/TWI488900B/zh active
- 2007-11-15 TW TW096143251A patent/TWI422629B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-11-15 TW TW102130857A patent/TWI488899B/zh active
- 2007-11-15 TW TW102130868A patent/TWI488902B/zh active
-
2012
- 2012-07-23 JP JP2012162980A patent/JP2012254633A/ja active Pending
- 2012-07-23 JP JP2012162977A patent/JP5408310B2/ja active Active
- 2012-07-23 JP JP2012162979A patent/JP2012212935A/ja active Pending
- 2012-07-23 JP JP2012162978A patent/JP5639126B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-16 JP JP2013005096A patent/JP5408368B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-22 JP JP2013172250A patent/JP5660173B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-04 JP JP2014245646A patent/JP5979208B2/ja active Active
-
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- 2016-07-11 US US15/206,615 patent/US10381533B2/en active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121217 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130822 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5639126 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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