TWI604004B - 光半導體裝置及室外用顯示器 - Google Patents

光半導體裝置及室外用顯示器 Download PDF

Info

Publication number
TWI604004B
TWI604004B TW105120872A TW105120872A TWI604004B TW I604004 B TWI604004 B TW I604004B TW 105120872 A TW105120872 A TW 105120872A TW 105120872 A TW105120872 A TW 105120872A TW I604004 B TWI604004 B TW I604004B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical semiconductor
resin composition
semiconductor device
resin
semiconductor element
Prior art date
Application number
TW105120872A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201636387A (zh
Inventor
小谷勇人
浦崎直之
湯淺加奈子
永井晃
濱田光祥
Original Assignee
日立化成股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成股份有限公司 filed Critical 日立化成股份有限公司
Publication of TW201636387A publication Critical patent/TW201636387A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI604004B publication Critical patent/TWI604004B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/12—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0001—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4014—Nitrogen containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4215—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof cycloaliphatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K3/2279—Oxides; Hydroxides of metals of antimony
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C08K7/28—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/06—Triglycidylisocyanurates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2217—Oxides; Hydroxides of metals of magnesium
    • C08K2003/222—Magnesia, i.e. magnesium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2244—Oxides; Hydroxides of metals of zirconium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

光半導體裝置及室外用顯示器
本發明是關於一種將光半導體元件與螢光體等波長轉換裝置組合而成的光半導體裝置(optical semiconductor device)中所使用的熱硬化性光反射用樹脂組成物(thermosetting light reflective resin composition)、以及使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板(optical semiconductor mounting substrate)及光半導體裝置。
將LED(Light Emitting Diode：發光二極體)等光半導體元件與螢光體組合而成的光半導體裝置由於能量效率高及壽命長等優點，故可應用於室外用顯示器、攜帶液晶背光及車內使用等各種用途，對其的需求正在不斷地擴大。伴隨此情況，LED裝置向高亮度化方面發展，出現因元件的發熱量增大而導致接面溫度上升，或因直接光能量增大而導致元件材料劣化的問題，近年來，開發對於熱劣化及光劣化具有抵抗力(resistance)的元件材料成為課題。日本專利特開2006-140207號公報中揭露一種耐熱試驗後光反射特性優異的光半導體元 件搭載用基板。
然而，藉由使用上述公報中所揭示的熱硬化性光反射用樹脂組成物，進行轉注成型(transfer molding)而製造基板時，存在成型時成型樹脂組成物自模具的上模與下模的間隙滲出，而容易產生樹脂污染的傾向。若於加熱成型時發生樹脂污染，則樹脂污染會延伸至作為光半導體元件搭載區域之基板的開口部(凹部)，而妨礙光半導體元件之搭載。並且，即使可將光半導體元件搭載於開口部，樹脂污染亦會在藉由接線法等眾所周知的方法電性連接光半導體元件與金屬配線時產生阻礙。即，樹脂污染會使搭載元件及打線接合等半導體元件製造時的作業性降低，因此不夠理想。為了在製造半導體元件時不產生上述阻礙，當基板的開口部存在樹脂污染時，通常在光半導體元件搭載用基板的製造製程中追加去除樹脂污染的步驟。然而，上述去除步驟會損耗成本及製造時間，故業界期望此情況可獲得改善。
本發明是鑒於上述情況開發而成，其是提供一種在樹脂硬化後自可見光至近紫外光區域的反射率高，另一方面，轉注成型時難以產生樹脂污染的熱硬化性光反射用樹脂組成物。本發明還提供一種使用上述樹脂組成物製造而成、打線接合性優異且對光劣化及熱劣化具有抵抗力的半導體元件搭載用基板及光半導體裝置。本發明另提供一種用於高效製造上述光半導體元件搭載用基板及光半導體裝置的製造方法。
即，本發明之特徵為以下(1)~(6)中所揭示的事項。
(1)一種熱硬化性光反射用樹脂組成物，用以形成光半導體元件搭載用基板，所述光半導體元件搭載用基板形成有作為光半導體元件搭載區域之一個以上的凹部，且至少所述凹部的內周側面是經由轉注成型所述熱硬化性光反射用樹脂組成物而形成的。所述熱硬化性光反射用樹脂組成物包括(A)環氧樹脂、與該(A)環氧樹脂共同使用的(B)硬化劑、(E)白色顏料及(H)增稠劑，其中(H)增稠劑含有中心粒徑為1nm~1000nm的奈米粒子填充料。
(2)如上述(1)所述之熱硬化性光反射用樹脂組成物，其中上述(A)環氧樹脂與上述(B)硬化劑的調配比例，是相對於上述(A)環氧樹脂中1當量的環氧基，使可與環氧基反應的上述(B)硬化劑中的活性基達到0.5當量~0.7當量的比例。
(3)一種光半導體元件搭載用基板，可使用如上述(1)所述之熱硬化性光反射用樹脂組成物而構成。
(4)一種光半導體元件搭載用基板，其上形成有一個或一個以上之作為光半導體元件搭載區域之凹部，其特徵在於：至少上述凹部的內周側面是由如上述(1)所述之熱硬化性光反射用樹脂組成物所構成。
(5)一種光半導體搭載用基板之製造方法，其為製造形成有一個或一個以上之作為光半導體元件搭載區域之凹部的光半導體搭載用基板的方法，其特徵在於，至少上述凹部是藉由使用如上述(1)所述之光反射用熱硬化性樹脂組成物的轉 注成型而形成。
(6)一種光半導體裝置，至少包括：如上述(4)所述之光半導體元件搭載用基板、搭載在上述光半導體元件搭載用基板之凹部底面上的光半導體元件、以覆蓋上述光半導體元件之方式形成於上述凹部內的含螢光體之透明密封樹脂層。
另外，本申請案是相同申請人根據2006年11月15日提出申請的日本專利特願2006-309052號、2007年4月4日提出申請的日本專利特願2007-098354號而主張優先權者，藉由參照這些說明書而將其引用為本說明書的一部分。
100‧‧‧光半導體元件
101‧‧‧透明密封樹脂
102‧‧‧接線
103‧‧‧反光面
104‧‧‧鍍Ni/Ag
105‧‧‧金屬配線
106‧‧‧螢光體
107‧‧‧焊料凸點
110‧‧‧光半導體元件搭載用基板
200‧‧‧凹部
300、402‧‧‧樹脂注入口
301‧‧‧模具
400‧‧‧上模
401‧‧‧下模
403‧‧‧模穴
404、405、406、407、408、409‧‧‧溝槽
410‧‧‧毛邊
圖1(a)~圖1(b)是表示本發明之光半導體元件搭載用基板的一實施形態的圖，圖1(a)是立體圖，圖1(b)是側面剖面圖。
圖2(a)~圖2(c)是說明本發明之光半導體元件搭載用基板的製造方法的概略圖，圖2(a)~圖2(c)與藉由轉注成型製造基板時的各步驟相對應。
圖3(a)~圖3(b)是表示本發明之光半導體裝置的一實施形態的圖，圖3(a)及圖3(b)分別是模式性表示裝置結構的側面剖面圖。
圖4(a)~圖4(b)是模式性表示實施例中所使用的毛邊測定用模具的圖，圖4(a)是側面剖面圖，圖4(b)是平面圖。
圖5(a)~圖5(b)是示例性表示使用圖4(a)、圖4(b)所示之毛邊測定用模具進行成型時所產生的毛邊的圖，圖5(a)是側面 剖面圖，圖5(b)是平面圖。
以下，說明本發明的實施形態。本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物之特徵在於：含有熱硬化性樹脂成分及白色顏料，在實際應用於成型時的成型條件下進行成型時，例如在成型溫度為100℃~200℃、成型壓力小於等於20MPa、及60秒~120秒的條件下進行轉注成型時的毛邊長度小於等於5mm。並且，其特徵在於，這些組成物在熱硬化後波長為350nm~800nm的光的反射率大於等於80%。
本說明書中所使用的用語「成型時的毛邊長度」，是指使用圖4(a)、圖4(b)所示的毛邊測定用模具進行轉注成型時，自模具中心部的模穴，在模具的上模與下模的分模線的間隙中，向放射方向延伸出的樹脂硬化物的最大長度。若上述毛邊長度超過5mm，則樹脂污染會延伸至光半導體元件搭載區域之開口部(凹部)，在搭載光半導體元件時可能會產生阻礙。或者，利用接線等眾所周知的方法電性連接光半導體元件與金屬配線時，可能會產生阻礙。就製造半導體裝置時的作業性的觀點而言，本發明的樹脂組成物的毛邊長度更好的是小於等於3mm，更好的是小於等於1mm。
考慮到於轉注成型方面的應用，本發明的硬化性光反射用樹脂組成物較理想的是，於熱硬化前可於室溫下(0℃~30℃)加壓成型。更具體而言，例如，可於室溫下、5MPa~50MPa、1秒~5秒左右的條件下進行成型。就用於光半導體裝 置的用途的觀點而言，較理想的是，熱硬化後波長為350nm~800nm的光反射率較佳是大於等於80%，更好的是大於等於90%。於光反射率不足80%時，可能無法充分發揮提高光半導體裝置亮度的作用。
以下，對本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物的主要構成成分加以說明。
於本發明的一實施形態中，熱硬化性樹脂成分較佳是含有(A)環氧樹脂。(A)環氧樹脂並無特別限定，可使用通常用作環氧樹脂成型材料的樹脂。例如，可列舉：將以苯酚(phenol)酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚(orthocresol)酚醛清漆型環氧樹脂為代表之酚類與醛類的酚醛清漆樹脂環氧化而成的樹脂；雙酚A、雙酚F、雙酚S、烷基取代聯苯酚等二縮水甘油醚；藉由二胺基二苯基甲烷、異三聚氰酸等多胺與表氯醇之反應而獲得的縮水甘油胺型環氧樹脂；以過醋酸等過酸氧化烯烴鍵而獲得的線狀脂肪族環氧樹脂；及脂環族環氧樹脂等。這些樹脂可單獨使用，亦可併用兩種或兩種以上。所使用的環氧樹脂較佳是無色或例如較不容易進行著色的淡黃色的樹脂。上述環氧樹脂例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、二縮水甘油基異氰尿酸酯(diglycidyl isocyanurate)、三縮水甘油基異氰尿酸酯。
於本發明的一實施形態中，(A)環氧樹脂較佳是使用在100℃~150℃下的黏度在100mPa．s~2500mPa．s的範圍內的(G)寡聚物。若混練後樹脂組成物的熔融黏度低、流動性過 高，則可能導致成型模具的通氣孔被堵塞，且導致模具模穴內殘留有空氣或揮發成分。殘留在模穴內的空氣或揮發成分成是導致成形空隙或熔接痕等外觀不良的原因。並且，隨著成型次數的增加，殘留於硬化物表面的單體成分附著於成型模具上，而污染模具。單體附著物堆積在模具上，結果會產生成型物自模具的脫模性變差的不良情況。相對於此，本發明中，由於使用具有特定黏度的(G)寡聚物，可能增加混練後樹脂組成物的熔融黏度而降低流動性。並且，藉由使用上述(G)寡聚物，可減少導致模具污染的殘留單體成分。其結果為，可避免於熔融黏度低時所產生的不良，提高樹脂組成物的轉注成型性，而外觀優異的成型物。
在製備硬化性光反射用樹脂組成物之前，至少調配(A')環氧樹脂及(B')硬化劑，還可視需要調配(C')硬化促進劑，藉此可製備本發明中所使用的(G)寡聚物。上述(A')環氧樹脂、上述(B')硬化劑、上述(C')硬化促進劑可分別使用與先前所說明之(A)環氧樹脂、下述(B)硬化劑及(G)硬化促進劑相同者。
更具體而言，上述(G)寡聚物可經過如下步驟而獲得：例如相對於該(A')環氧樹脂中1當量的環氧基，以可與該環氧基反應的該(B')硬化劑中的活性基(酸酐基或羥基)小於等於0.3當量之方式調配(A')環氧樹脂及(B')硬化劑，進行混練直至形成黏土狀為止。較佳是設置如下步驟：將所獲得之黏土狀混練物持續於溫度為25℃~60℃之範圍下熟化1小時~6小時。並且，使用(C')硬化促進劑時，較佳是相對於(A')環氧樹 脂與(B')硬化劑的總和100重量份，調配入0.005重量份~0.05重量份。
為了縮短成型時的毛邊長度，利用上述之方式而製備的(G)寡聚物較佳是在100℃~150℃下的黏度在100mPa．s~2500mPa．s的範圍內。更好的是在100℃下的黏度在100mPa．s~2500mPa．s的範圍內。若(G)寡聚物的黏度不足100mPa．s，則轉注成型時易產生毛邊。另一方面，若黏度超過2500mPa．s，則有成型時流動性降低，成型性不足的傾向。另外，本說明書中所使用的用語「黏度」，是藉由使用ICI錐板型(corn plate)黏度計進行測定而獲得的值。以粒徑達到小於等於1mm之方式將(G)寡聚物粉碎，並將其保存在溫度小於等於0℃的環境下，藉此可抑制或停止黏度的升高。寡聚物的上述粉碎方法可使用以陶器製研缽(mortar)進行的粉碎等所有眾所周知的方法。
於本發明的一實施形態中，熱硬化性樹脂成分除(A)環氧樹脂以外，亦可含有(B)硬化劑。(B)硬化劑並無特別限制，為可與環氧樹脂反應的化合物即可，其分子量較佳是100~400左右。並且，較佳是無色、或例如較不容易進行著色的淡黃色。具體化合物可列舉：酸酐系硬化劑、異三聚氰酸衍生物、酚系硬化劑等。
酸酐系硬化劑較佳是熔點大於等於35℃。此種上述酸酐例如可列舉：苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基耐地 酸酐、耐地酸酐(nasic acid anhydride)、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、琥珀酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐等。
異三聚氰酸衍生物可列舉：1,3,5-三(1-羧基甲基)異氰尿酸酯、1,3,5-三(2-羧基乙基)異氰尿酸酯、1,3,5-三(3-羧基丙基)異氰尿酸酯、1,3-雙(2-羧基乙基)異氰尿酸酯等。
酚系硬化劑可列舉：在酸性觸媒下，將苯酚、甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚類及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類，與甲醛、苯甲醛、柳醛等具有醛基之化合物進行縮合或共縮合而獲得的酚醛清漆型酚樹脂；由酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙(甲氧基甲基)聯苯所合成的苯酚-芳烷基樹脂；伸聯苯基型苯酚-芳烷基樹脂、萘酚-芳烷基樹脂等芳烷基型酚樹脂；酚類及/或萘酚類與二環戊二烯進行共聚而合成的二環戊二烯型苯酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯型萘酚酚醛清漆樹脂等二環戊二烯型酚樹脂；三苯基甲烷型酚樹脂；萜改性酚樹脂；對苯二甲基及/或間苯二甲基改性酚樹脂；三聚氰胺改性酚樹脂；環戊二烯改性酚樹脂；及共聚此等兩種或兩種以上而獲得的酚樹脂等。
先前所例示的硬化劑之中，較佳是使用選自二甲酸酐、偏苯三酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、及環己烷三羧酸酐所組成之群組中的 酸酐，及1,3,5-三(3-羧丙基)異氰尿酸酯等異三聚氰酸衍生物的至少一種。這些硬化劑並不僅可單獨使用，亦可併用兩種或兩種以上。
於本發明的一實施態樣中，(B)硬化劑較佳是至少使用異三聚氰酸衍生物，更好的是將這些硬化劑與酸酐，尤其是熔點大於等於35℃的酸酐組合使用。異三聚氰酸衍生物的三嗪骨架的特徵在於，其與通常的環狀亞甲基骨架相比，難以被活性氧所氧化。因此，可藉由使用異三聚氰酸衍生物，將上述特徵賦予樹脂組成物，而提高成型後樹脂組成物的耐熱性。並且，亦可藉由三嗪骨架及3官能性反應基而提高成型體的機械特性。進而，可藉由將異三聚氰酸衍生物與酸酐組合，而增加樹脂組成物的熔融黏度，可抑制成型時自模具延伸出的毛邊長度。異三聚氰酸衍生物與酸酐的調配比例可在1：0~1：10的範圍內進行適當調整。就削減成本、抑制因樹脂的黃變(yellowing)所引起的反射率降低的觀點而言，調配比例較佳是1：1~1：3。
於本發明的其他實施態樣中，(B)硬化劑較佳是至少使用環己烷三羧酸酐(cyclohexane tricarboxylic acid anhydride)。藉由使用環己烷三羧酸酐，可增加樹脂組成物的熔融黏度，使成型時的毛邊長度變短。並且，可縮短樹脂組成物的硬化時間，故而亦可提高成型效率。環己烷三羧酸酐的具體例可列舉下述結構式(I)所示的化合物。
[化2]
除環己烷三羧酸酐，亦可併用先前作為(B)硬化劑進行說明的其他的酸酐、異三聚氰酸衍生物及酚系硬化劑等。就成型時的流動性及成型物著色的觀點而言，所併用的硬化劑較佳是苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、或1,3,5-三(3-羧基丙基)異氰尿酸酯。製造在可實現本發明之目的的範圍內，則(B)硬化劑的環己烷三羧酸酐的含有率並無特別限定，較佳是調整為大於等於5wt.%、小於等於100wt.%的範圍。就成本與性能之平衡的觀點而言，上述含有率較佳是大於等於25wt.%、小於等於75wt.%的範圍。
於(A)環氧樹脂不含有(G)寡聚物時，(A)環氧樹脂與(B)硬化劑的調配比例，相對於(A)環氧樹脂中1當量的環氧基，較佳是可與該環氧基反應的(B)硬化劑中的活性基(酸酐基或羥基)達到0.5當量~1.5當量的比例。更好的是上述活性基達到0.7當量~1.2當量的比例。上述活性基不足0.5當量時，存在環氧樹脂組成物的硬化速度減慢，所獲得的硬化物的玻璃轉移溫度降低，無法獲得充分的彈性率的情況。另外，當上述 活性基超過1.2當量時，存在硬化後的強度降低的情況。
另一方面，(A)環氧樹脂可單獨使用(G)寡聚物，或併用(G)寡聚物與(A)環氧樹脂，此時，(A)環氧樹脂(或(G)寡聚物)與(B)硬化劑的調配比例，相對於(A)環氧樹脂中1當量的環氧基，較佳是可與該環氧基反應的(B)硬化劑中的活性基(酸酐基或羥基)達到0.5當量~0.7當量的比例。更好的是上述活性基達到0.6當量~0.7當量的比例。上述活性基不足0.5當量時，存在環氧樹脂組成物的硬化速度減慢，並且所獲得的硬化體的玻璃轉移溫度降低，無法獲得充分的彈性率的情況。並且，上述活性基超過0.7當量時，存在硬化後的強度將其的情況。另外，當(A)環氧樹脂含有(G)寡聚物時的(B)硬化劑的當量數，以(G)寡聚物中所含的(A')環氧樹脂與(A)環氧樹脂各自所含的環氧基的總量作為1當量，相對於此，將(B')硬化劑及(B)硬化劑中所含的可與上述環氧基反應的活性基的總和換算為當量數。
本發明之熱硬化性光反射用樹脂組成物，可視需要而含有適當化合物作為(C)硬化促進劑。例如可使用：1,8-二氮雜雙環(5,4,0)十一烯-7、三乙二胺及三-2,4,6-二甲胺基甲基苯酚等3級胺類；2-乙基-4-甲基咪唑及2-甲基咪唑等咪唑類；三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基鏻(tetra-n-butyl phosphonium-o,o-diethyl phosphorodithioate)、四氟硼酸四正丁基鏻、四苯基硼酸四正丁基鏻等磷化合物；4級銨鹽；有機金屬鹽類；及這些化合物 的衍生物等。這些化合物可單獨使用，亦可併用。這些硬化促進劑之中，較佳是使用3級胺類、咪唑類、磷化合物。
相對於(A)環氧樹脂，上述(C)硬化促進劑的含有率較佳是0.01wt.%~8.0wt.%，更好的是0.1wt.%~3.0wt.%。若硬化促進劑的含有率不足0.01wt.%，則存在無法獲得充分的硬化促進效果的情況。並且，若含有率超過8.0wt.%，則存在可在所獲得的成型體上觀察到變色的情況。
為了調整成形性，本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物較佳是含有(D)無機填充材。(D)無機填充劑並無特別限定，例如可使用選自二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇所組成之群組中的至少一種。就熱傳導性、光反射特性及成型性方面而言，較佳是至少含有二氧化矽。並且，為了提高阻燃性，較佳是組合氫氧化鋁而使用。
於本發明的一實施形態中，(D)無機填充劑較佳是含有多孔填充劑或具有吸油性的化合物。(D)無機填充劑亦可使用多孔填充劑、或具有吸油性的選自二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇所組成之群組的至少一種。並且，亦可使用具有多孔結構，進而具有吸油性的化合物。多孔填充劑或具有吸油性的化合物的形狀，並無特別限定，例如可使用圓球狀、破碎狀、圓盤狀、棒狀、纖維狀等。若考慮轉注成型時上述多孔填充劑或具有吸油性的化合物在模具內的流動性，則較佳是圓球狀、破碎狀，更好的是圓球狀。
並且，可對上述多孔填充劑或具有吸油性之化合物 的表面，實施物理性或化學性親水化處理或疏水化處理。較佳是表面經過疏水化處理的化合物，更好的是以吸油量(根據JIS K5101的規定量)達到大於等於50ml/100g的方式進行化學性疏水化處理的化合物。藉由使用表面經過疏水化處理的多孔填充劑或具有吸油性的化合物，可增加與(A)環氧樹脂或(B)硬化劑的黏接性，結果可提高熱硬化物的機械強度或轉注成型時的流動性。並且，藉由使用以吸油量達到大於等於50ml/100g之方式對表面進行疏水化處理的多孔填充劑或具有吸油性的化合物，可提高與(A)環氧樹脂的黏接性，而且可抑制混練後樹脂組成物之可使用時間的縮短，並且，亦可在熱硬化時抑制著色。上述實施有疏水化處理的多孔填充劑例如可列舉Fuji Silysia化學股份有限公司出售的Sylophobic 702。
並且，上述多孔填充劑或具有吸油性之化合物的外觀密度(appearance density)並無特別限定，較佳是大於等於0.4g/cm3，更好的是0.4g/cm3~2.0g/cm3。另外，所謂外觀密度是指考慮多孔填充劑或具有吸油性之化合物的原材料所佔密度與微細孔所佔空間(即孔隙容積)而獲得的密度。該外觀密度不足0.4g/cm3時，填充劑粒子的機械強度小，在使用軋輪機等進行會產生剪切力的熔融混練時，存在破壞粒子的危險。另一方面，外觀密度超過2.0g/cm3時，成型用於轉注成型之片狀物時，存在陰模與陽模所組成之模具表面易於附著樹脂組成物的傾向。
並且，上述多孔填充劑或具有吸油性之化合物的平 均粒徑較佳是0.1μm~100μm，若考慮與白色顏料的包裝效率，則更好的是1μm~10μm的範圍。若平均粒徑大於100μm、或小於0.1μm，則存在轉注成型時樹脂組成物在熔融狀態下的流動性變差的傾向。
並且，上述多孔填充劑或具有吸油性之化合物的比表面積較佳是100m2/g~1000m2/g，更好的是300m2/g~700m2/g。若比表面積小於100m2/g，則使用填充劑的樹脂的吸油量變小，存在片狀成型時樹脂易於附著在陽模上的傾向，若比表面積大於1000m2/g，則存在轉注成型時樹脂組成物在熔融狀態下的流動性變差的傾向。
並且，上述多孔填充劑或具有吸油性之化合物的含量並無特別限定，相對於(D)無機填充劑整體，較佳是0.1vol.%~20vol.%的範圍。若考慮熔融時樹脂組成物的成型性，更好的是1vol.%~5vol.%。當此含量小於0.1vol.%時，樹脂組成物的一部分容易附著在陰模及陽模的成型模具的表面，當含量大於20vol.%時，則存在轉注成型時樹脂組成物在熔融狀態下的流動性降低的傾向。例如，當使用上述Sylophobic 702作為上述多孔填充劑時，就樹脂組成物在熔融狀態下的流動性或樹脂硬化物強度的觀點而言，其含量較佳是小於等於5vol.%。
本發明中所使用的(E)白色顏料，並無特別限定，可使用眾所周知的顏料。例如，可使用：氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氧化鈦、氧化鋯、無機中空粒子等，這些化合物可單獨使用，亦可併用。無機中空粒子例如可列舉：矽酸鈉玻璃、鋁矽 酸玻璃、硼矽酸鈉玻璃、白砂等。就熱傳導性、光反射特性方面而言，較佳是至少使用氧化鋁或氧化鎂，或組合使用這些化合物。(E)白色顏料的粒徑較佳是中心粒徑在0.1~50μm的範圍內。若該中心粒徑不足0.1μm，則存在粒子容易凝集而使分散性變差的傾向。另一方面，若中心粒徑超過50μm，則存在無法充分獲得硬化物的光反射特性的危險。(E)白色顏料的調配量並無特別限定，較佳是相對於樹脂組成物的總量，為10vol.%~85vol.%的範圍。
上述(D)無機填充劑與上述(E)白色顏料的總調配量並無特別限定，較佳是相對於樹脂組成物的總量，為10vol.%~85vol.%的範圍。若該總調配量不足10vol.%，則存在無法充分獲得硬化物的光反射特性的危險。並且，若總調配量超過85vol.%，則存在樹脂組成物的成型性變差，難以製作光半導體搭載用基板的傾向。
本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物中，可視需要而添加(F)偶合劑(coupling agent)。(F)偶合劑並無特別限定，例如可使用矽烷系偶合劑或鈦酸酯系偶合劑等。矽烷偶合劑例如可使用：環氧矽烷系、胺基矽烷系、陽離子型矽烷系、乙烯基矽烷系、丙烯基矽烷系、巰基矽烷系及這些的複合系等。(F)偶合劑的種類或處理條件並無特別限定，可應用先前所使用的方法，例如直接添加於樹脂組成物的方法、或預先混合無機填充劑或白色顏料再添加偶合劑的方法等。(F)偶合劑的調配量相對於樹脂組成物，較佳是小於等於5wt.%。
並且，本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物中可添加用於調節熔融黏度的(H)增稠劑。(H)增稠劑並無特別限定，例如可使用奈米二氧化矽，該奈米二氧化矽是購買Tokuyama股份有限公司出售的Rheoloseal CP-102。(H)增稠劑的添加量較佳是小於等於樹脂組成物總體積的0.15vol.%。若(H)增稠劑的添加量大於0.15vol.%，則存在損害樹脂組成物熔融時的流動性，並且在硬化後無法獲得充分的材料強度的危險。並且，(H)增稠劑較佳是中心粒徑為1nm~1000nm的奈米粒子填充料，更好的是中心粒徑為10nm~1000nm的奈米粒子填充料。中心粒徑小於1nm的填充料存在粒子容易凝集而使分散性降低的傾向，故在特性方面不佳。使用上述(H)增稠劑時，(D)無機填充劑的一部分可使用奈米二氧化矽。另一方面，若添加中心粒徑大於1000nm的填充料，則存在不縮短毛邊長度的傾向，故在特性方面不佳。另外，本發明的樹脂組成物中，除(H)增稠劑之外，亦可視需要而添加抗氧化劑、脫模劑、離子補充劑等各種添加劑。
本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物可藉由將上述各成分均勻分散混合而獲得，其製備裝置或條件等並無特別限定。通常方法可列舉如下方法：利用混合機等將預定調配量的各種成分充分均勻攪拌及混合後，使用軋輪機、擠出機、捏合機、輥及擠壓機等加以混練，進而冷卻及粉碎所獲得的混練物。另外，對混練形式亦無特別限定，較佳是熔融混練。熔融混練的條件根據所使用之成分的種類或調配量而適當決定即 可，並無特別限定。例如較佳是在15℃~100℃的範圍內進行5分鐘~40分鐘的熔融混練，更好的是在20℃~100℃的範圍內進行10分鐘~30分鐘的熔融混練。若熔融混練時的溫度不足15℃，則存在難以熔融混練各成分，且分散性亦降低的傾向。另一方面，若為高於100℃的高溫，則存在樹脂組成物成為高分子量，而使樹脂組成物硬化的危險。並且，若熔融混練的時間不足5分鐘，則存在無法有效抑制毛邊長度的傾向，若多於40分鐘，則存在樹脂組成物成分高分子量，而在成型前使樹脂組成物硬化的危險。
本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物，為了在調配、混練上述各成分後，使成型時的熔融黏度上升，較佳是放置熟化(aging)。更具體而言，熟化較佳是在0℃~30℃下進行1小時~72小時。較理想的是，熟化更好的是在15℃~30℃下進行12小時~72小時，更好的是在25℃~30℃下進行24小時~72小時。若熟化時間少於1小時，則存在無法有效抑制毛邊長度的傾向，若熟化長於72小時，則存在轉注成型時無法確保充分的流動性的危險。並且，於不足0℃的溫度下實施熟化時，存在(C)硬化促進劑鈍化，樹脂組成物的三維交聯反應不充分，熔融時黏度不上升的危險。並且，於高於30℃的高溫下實施熟化時，存在樹脂組成物吸收水分，使硬化物的強度或彈性率等機械物性變差的傾向。
本發明的半導體元件搭載用基板的特徵在於，其是使用本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物而構成。具體可列 舉如下基板：具有一個或一個以上之作為光半導體元件搭載區域的凹部，並且至少上述凹部的內周側面是由本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物構成的基板。圖1(a)~圖1(b)表示本發明的光半導體元件搭載用基板的一實施形態，圖1(a)是立體圖，圖1(b)是側面剖面圖。如圖1(a)~圖1(b)所示，本發明的光半導體元件搭載用基板110之特徵在於，其是具有使反光面(reflector)103、與包含鍍Ni/Ag104及金屬配線105的配線圖案(引線框架)一體化而形成作為光半導體元件搭載區域的凹部200的結構，且至少上述凹部200的內周側面是由本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物構成。
本發明的光半導體元件搭載用基板的製造方法並無特別限定，例如可藉由轉注成型而製造本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物或其片狀成型體。圖2(a)~圖2(c)是說明本發明的光半導體元件搭載用基板的製造方法的概略圖，圖2(a)~圖2(c)與藉由轉注成型來製造基板時的各步驟相對應。更具體而言，如圖2(a)所示，光半導體元件搭載用基板是利用打孔或蝕刻等眾所周知的方法，由金屬箔形成金屬配線105，繼而將該金屬配線105配置於預定形狀的模具301內(圖2(b))，自模具301的樹脂注入口300注入本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物(片狀成型體的熔融物)。繼而，使所注入之樹脂組成物，較佳是於模具溫度為170℃~190℃、成形壓力為2MPa~8MPa的條件下硬化60秒~120秒後，拆除模具301，於後硬化溫度為120℃~180℃下熱硬化1小時~3小時。繼而，在 被由經硬化的熱硬化性光反射用樹脂組成物所構成的反光面103包圍的作為光半導體元件搭載區域的凹部200的預定位置上，實施鍍Ni/銀(Ni/Au plating)104，藉此製造本發明的光半導體元件搭載用基板(圖2(c))。
使用本發明的光半導體元件搭載用基板的光半導體裝置之特徵在於至少具備：本發明的光半導體元件搭載用基板、搭載於光半導體元件搭載用基板的凹部底面的光半導體元件、及以覆蓋光半導體元件之方式而形成於凹部內的含螢光體之透明密封樹脂層。圖3(a)及圖3(b)分別是表示本發明的光半導體裝置的一實施形態的側面剖面圖。更具體而言，圖3(a)~圖3(b)所示的光半導體裝置中，於本發明的光半導體元件搭載用基板110的作為光半導體元件搭載區域的凹部(圖2(a)~圖2(c)的參照符號200)的底部預定位置搭載有光半導體元件100，該光半導體元件100與金屬配線105是利用接線102或焊料凸點107等的眾所周知的方法經由鍍Ni/銀104而進行電性連接，該光半導體元件100是由含有眾所周知的螢光體106的透明密封樹脂101所覆蓋。
另外，本發明的室外用顯示器包括上述光半導體裝置。
實施例
以下，利用實施例詳細敍述本發明，但本發明並不限定於這些實施例。另外，以下各實施例及各比較例中所使用的成分的詳細情況如下所述。
*1：三縮水甘油基異氰尿酸酯(環氧當量為100，日產化學 公司製造，商品名TEPIC-S)
*2：六氫苯二甲酸酐(和光純藥公司製造)
*3：1,3,5-三(3-羧基丙基)異氰尿酸酯(四國化成工業公司製造，產品名C3CIC酸)
*4：環己烷三羧酸酐(三菱氣體化學公司製造，產品名H-TMAn)
*5：四氫苯二甲酸酐(Aldrich公司製造)
*6：甲基氫二甲酸酐(日立化成工業公司製造，商品名HN5500)
*7：o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基鏻(日本化學工業公司製造，商品名Hishicolin PX-4ET)
*8：三甲氧基環氧矽烷(Dow corning Toray公司製造，商品名SH6040)
*9：脂肪酸酯(Clariant公司製造，商品名Hoechst wax E)
*10：脂肪族醚(Toyo-Petrolite公司製造，商品名Unitox 420)
*11：熔融二氧化矽(電氣化學工業公司製造，商品名FB-301)
*12：熔融二氧化矽(電氣化學工業公司製造，商品名FB-950)
*13：熔融二氧化矽(Admatechs公司製造，商品名SO-25R)
*14：多孔球狀二氧化矽(Fuji Silysia化學公司製造，產品名SiloSphere C-1504)平均粒徑：3μm，外觀密度：0.58g/ml，比表面積：300m2/g)
*15：多孔無定形二氧化矽(Fuji Silysia化學公司製造，產品名Sylophobic 702，平均粒徑：4μm，外觀密度：0.48g/ml，比表面積：300m2/g)
*16：多孔無定形二氧化矽(Fuji Silysia化學公司製造，產品名Silysia 430，平均粒徑：4μm，外觀密度：0.48g/ml，比表面積：300m2/g)
*17：中空粒子(住友3M公司製造，商品名S60-HS)
*18：氧化鋁(Admatechs公司製造，商品名AO-802)
*19：奈米二氧化矽(Tokuyama公司製造，CP-102)
(實施例A1~A16及比較例A1~A7)
1.熱硬化性光反射用樹脂組成物的製備
依據下述表A1至表A3所示的調配比例調配各成分，利用混合機充分混練後，利用軋輪機於預定條件下進行熔融混練，而獲得混練物。進而，藉由粉碎所獲得的混練物，分別製備實施例A1~A16及比較例A1~A7的熱硬化性光反射用樹脂組成物。另外，表A1至表A3所示的各成分的調配量的單位為重量份。表中空白欄表示未調配此成分。
2.熱硬化性光反射用樹脂組成物的評價
對於先前所製備的實施例A1~A16及比較例A1~A7各個樹脂組成物，根據以下順序測定光反射率及毛邊長度。並且，對成型各個樹脂組成物而獲得的基板的打線接合性進行研究、評價。將這些結果示於下述表A1至表A3。
(光反射率)
將先前所製備的各個熱硬化性光反射用樹脂組成物，在成型模具溫度為180℃、成型壓力為6.9MPa、硬化時間為90秒的條件下轉注成型後，於150℃後硬化2小時，藉此分別製作厚度為1.0mm的試驗片。繼而，使用積分球型分光光度計V-750型(日本分光股份有限公司製造)，測定波長為400nm的各試驗片的光反射率。
(毛邊長度)
藉由使用罐子將先前所製備之各個熱硬化性光反射用樹脂組成物澆鑄至毛邊測定用模具(參照圖4(a)~圖4(b))中，繼而是指硬化，藉此使樹脂組成物成型。另外，成型時的模具溫度為180℃、成型壓力為6.9MPa、樹脂的澆鑄時間(轉注時間)為10秒、硬化溫度為180℃、硬化時間為90秒。成型後，拆除毛邊測定用模具的上模，使用游標卡尺測定成型時流入於模具的上模與下模的間隙而產生的毛邊長度的最大值。
圖4(a)~圖4(b)是模式性表示先前測定毛邊長度時所使用的毛邊測定用模具結構的圖，圖4(a)是側面剖面圖，圖4(b)是平面圖。如圖4(a)~圖4(b)所示，毛邊測定用模具包括一對上模400與下模401，上模400具有樹脂注入口402。並且，下模401具有面向樹脂注入口402的模穴403，及自模穴403向模具外周部延伸的6根溝槽404、405、406、407、408及409。如圖4(a)~圖4(b)所示，實際所使用的毛邊測定用模具的尺寸是，上模400及下模401的外形為140mm×140mm，樹脂注入口402的上直徑為7mm及下直徑為4mm，模穴403 的直徑為30mm及深度為4mm。並且，自模穴403延伸出的6根溝槽404至409的各自的寬度為5mm，深度依次為75μm、50μm、30μm、20μm、10μm及2μm。圖5(a)~圖5(b)是模式性表示使用圖4(a)~圖4(b)所示之毛邊測定用模具進行成型時所產生之毛邊的圖，圖5(a)是側面剖面圖，圖5(b)是平面圖。如圖5(a)~圖5(b)所示，毛邊表示樹脂組成物自模穴403的外延側沿各溝槽流入而硬化的部分410。本發明所規定的「毛邊長度」是指利用游標卡尺測定參照符號410所示的毛邊的最大值而獲得的值。
(打線接合性的評價)
最初，依據圖2(a)~圖2(c)所示的製造步驟，轉注成型先前所製備的各個熱硬化性光反射用樹脂組成物，藉此製作光半導體元件搭載用基板。另外，成型條件為：成型模具溫度為180℃、成型壓力為6.9MPa、硬化時間為90秒，於150℃下實施2小時後硬化。
其次，於所製作的上述基板的作為光半導體元件搭載區域的凹部上，搭載光半導體元件後，使用打線接合機(HW22U-H，九州松下電器股份有限公司製造，商品名)及直徑為28μm的接線，將光半導體元件與基板打線接合，藉此進行電性連接。打線連接時，基板的加熱溫度為180℃。打線接合性是使用Pull Tester PTR-01(RESUKA股份有限公司製造，商品名)測定電性連接光半導體元件與基板之打線接合的線的拉伸強度，依據下述評價標準對該值進行評價。
打線接合性的評價標準
◎：拉伸強度大於等於10g
○：拉伸強度大於等於4g、不足10g
△：拉伸強度不足4g
╳：無法焊接
表A1~表A3
根據表A1至表A3可知，實施例A1~A16的樹脂組成物顯示優異的光反射特性，並且抑制轉注成型時的毛邊長度，顯示優異的打線接合性。因此，使用本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物，製造光半導體元件搭載用基板或光半導體裝置時，無需去除樹脂污染的步驟，故而就成本及製造時間等生產性方面而言，非常有利。
(實施例B1~B11及比較例B1~B8)
熱硬化性光反射用樹脂組成物的製備
依據下述表B1及表B2所示的調配比例調配各成分，利用混合機充分混練後，利用軋輪機於預定條件下進行熔融混練，而獲得混練物。進而，視需要對所獲得得混練物實施熟化後進行冷卻，將這些混練物粉碎，藉此分別製備實施例B1~B11及比較例B1~B8的熱硬化性光反射用樹脂組成物。
另外，表B1及B2所示的各成分的調配量單位為重量份。並且，表中空白欄表示未調配此成分，或未實施相關步驟。各實施例的詳細情況如下所述。
實施例B1是關於使用特定(G)寡聚物的方法。
實施例B2是關於相對於(A)環氧樹脂中1當量的環氧基，使硬化劑中的活性基在0.5當量~0.7當量之範圍內的方法。
實施例B3是關於追加奈米填充料作為(H)增稠劑的方法。
實施例B4是關於將樹脂組成物於預定條件下進行熟化的方法。
實施例B5是關於調整熔融混練條件的方法(混練時間自15分鐘延長至30分鐘)。
實施例B6~B11是關於併用上述方法中的任兩種。
另外，實施例B1、B6、B7及B9中所使用的(G)寡聚物是依據以下所說明的順序進行製備。並且，使用Research Equipment LTD.(London)製造之ICI錐板型黏度計，以試料量為0.155±0.01g、100℃之條件下測定(G)寡聚物的黏度，結果為1000mPa．s。
(寡聚物的製作方法)
依據表B1所示的調配條件調配各成分，利用軋輪機於25℃下經過10分鐘進行熔融混練。另外，表B1所示的調配量是相對於1當量環氧基，酸酐基成為0.1當量的比例。其次，將藉由熔融混練而獲得的黏土狀組成物(混練物)於溫度55℃下熟化4小時。上述熟化後，使用口徑為300mm的陶器製研缽，粉碎混練物直至粒徑小於等於1mm，藉此獲得所期望的寡聚物。所獲得的寡聚物是保存在溫度小於等於0℃的環境下。
2.熱硬化性光反射用樹脂組成物的評價
以與上述實施例相同之方式，對先前所製備的實施例B1~B6及比較例B1~B8的各個熱硬化性光反射用樹脂組成物 測定光反射率及毛邊長度。並且，以與先前實施例相同之方式，對成型各個樹脂組成物而獲得的基板的打線接合性進行研究，依據以下標準進行評價。將這些結果示於下述表B1及表B2。
(打線接合性的評價標準)
◎：拉伸強度大於等於10g
○：拉伸強度大於等於4g、不足10g
△：拉伸強度不足4g
╳：無法焊接
表B1及表B2
根據表B1及表B2可知，實施例B1~B11的熱硬化性光反射用樹脂組成物顯示優異的光反射特性，並且抑制轉注成型時的毛邊長度，顯示優異的打線接合性。因此，使用本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物，製造光半導體元件搭載用基板或光半導體裝置時，無需去除樹脂污染的步驟，故而就成本及製造時間等生產性方面而言，非常有利。並且，使用(G)寡聚物時，可降低單體成分的殘留量，故而除提高打線接合性以外，亦可避免基板成型時模具污染及成型品的脫模性降低等不良情況，從而獲得具有優異外觀的成型基板。
(實施例C1~C3及比較例C1、C2)
熱硬化性光反射用樹脂組成物的製備
依據下述表C1所示的調配比例調配各成分，利用混合機充分混合後，利用軋輪機進行熔融混練，藉此獲得混練物。將所獲得的混練物冷卻直至室溫，將這些混練物粉碎，藉此分別製備實施例C1~C3、比較例C1及C2的熱硬化性光反射用樹脂組成物。表C1所示的各成分的調配量單位為重量份。並且，表中空白欄表示未調配此成分。
熱硬化性光反射用樹脂組成物的評價
以與先前實施例相同之方式，對先前所製備的實施例C1~C3及比較例C1、C2的熱硬化性光反射用樹脂組成物測定光反射率及毛邊長度。並且，以與先前實施例相同之方式，對成型各個樹脂組成物而獲得的基板的打線接合性進行研究，依 據以下標準進行評價。將這些結果示於下述表C1。
(打線接合性的評價標準)
◎：拉伸強度大於等於10g
○：拉伸強度大於等於4g、不足10g
△：拉伸強度不足4g
╳：無法焊接
表C1
根據表C1可知，實施例C1~C3的熱硬化性光反射用樹脂組成物顯示優異的光反射特性，並且抑制轉注成型時的毛邊長度，顯示優異的打線接合性。可明確，C3CIC酸由於其特徵化學結構，不僅可提高成型體的機械強度，並且其亦可有效抑制毛邊。然而，若單獨使用C3CIC酸作為硬化劑，則存在組成物的流動性惡化的傾向，故而可知其較佳是與HHPA等其他硬化劑組合使用。使用本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物，製造光半導體元件搭載用基板或光半導體裝置時，無需去除樹脂污染的步驟，故而就成本及製造時間等生產性方面而言，非常有利。
(實施例D1~D5及比較例D1~D3)
熱硬化性光反射用樹脂組成物的製備
依據表D1所示的調配比例調配各成分，利用混合機充分混合後，利用軋輪機熔融混練，藉此獲得混練物。將所獲得的混練物冷卻直至室溫，將這些混練物粉碎，藉此分別製備實施例D1~D5、比較例D1~D3的熱硬化性光反射用樹脂組成物。另外，表D1所示的各成分的調配量單位為重量份。並且，表中空白欄表示未調配此成分。
熱硬化性光反射用樹脂組成物的評價
以與先前實施例相同之方式，對先前所製備的實施例D1~D5及比較例D1~D3的熱硬化性光反射用樹脂組成物測定光反射率及毛邊長度。另外，為了研究耐久性，於試驗片成型 後於150℃下加熱72小時後測定光反射率。並且，以與先前實施例相同之方式，對成型各個樹脂組成物而獲得的基板的打線接合性進行研究，依據以下標準進行評價。將這些結果示於下述表D1。
(打線接合性的評價標準)
◎：拉伸強度大於等於10g
○：拉伸強度大於等於4g、不足10g
△：拉伸強度不足4g
╳：無法焊接
表D1
根據表D1可知，實施例D1~D5的熱硬化性光反射用樹脂組成物顯示優異的光反射特性，並且抑制轉注成型時的毛邊長度，顯示優異的打線接合。進而，亦可知硬化物(成型基板)的光反射特性難以劣化。因此，使用本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物，製造光半導體元件搭載用基板或光半導體裝置時，無需去除樹脂污染的步驟，故而就成本及製造時間等生產性方面而言，非常有利。並且，可知亦可藉由使用本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物，而高效製造可在可見光至近紫外光區域保持高反射率的光半導體元件搭載用基板。
(實施例E1~E8)
依據表E1所示的調配比例調配各成分，利用混合機進行充分混合後，利用軋輪機進行熔融混練，藉此獲得混練物。將所獲得的混練物冷卻直至室溫，粉碎這些混練物，藉此分別製備實施例E1~E8的熱硬化性光反射用樹脂組成物。另外，表E1所示的各成分的詳細如先前所說明，各調配量的單位為重量份。
以與先前實施例相同之方式對所獲得的實施例E1~E8的熱硬化性光反射用樹脂組成物測定光反射率及毛邊長度。並且，以與先前實施例相同之方式，對成型各個樹脂組成物而獲得的基板的打線接合性進行研究，依據以下標準進行評價。將這些結果示於下述表E1。
(打線接合性的評價標準)
◎：拉伸強度大於等於10g
○：拉伸強度大於等於4g、不足10g
△：拉伸強度不足4g
╳：無法焊接
表E1
根據表E1可知，實施例E1~E8的熱硬化性光反射用樹脂組成物顯示優異的光反射特性，抑制轉注成型時之毛邊的效果好，顯示更優異的打線接合性。如此，藉由適當組合各構成成分進行調配，亦可進一步提高打線接合性。因此，使用本發明的熱硬化性光反射用樹脂組成物，製造光半導體元件搭載用基板或光半導體裝置時，無需去除樹脂污染的步驟，故而就成本及製造時間等生產性方面而言，非常有利。
根據以上說明可明瞭，只要不違反本發明的精神與範圍，則可廣泛構成不同的實施態樣，本發明僅受申請專利範圍限制，除此之外，並不受到該特定實施態樣的制約。
103‧‧‧反光面
104‧‧‧鍍Ni/Ag
105‧‧‧金屬配線
110‧‧‧光半導體元件搭載用基板
200‧‧‧凹部

Claims (13)

  1. 一種光半導體裝置，其至少包括：光半導體元件搭載用基板，具有成為光半導體元件搭載區域的凹部；光半導體元件，搭載在上述光半導體元件搭載用基板之上述凹部的底面上；以及透明密封樹脂層，以覆蓋上述光半導體元件之方式形成於上述凹部內；並且至少形成上述凹部的側面的反射器的內周側面是由熱硬化性光反射用樹脂組成物所構成，上述熱硬化性光反射用樹脂組成物含有熱硬化性樹脂成分及白色顏料，在成型溫度為100℃~200℃、成型壓力小於等於20MPa、及成型時間為60秒~120秒的條件下進行轉注成型時產生的毛邊長度小於等於5mm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光半導體裝置，其中上述熱硬化性樹脂成分含有(A)環氧樹脂。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的光半導體裝置，其中上述熱硬化性樹脂成分是由(A')環氧樹脂及(B')硬化劑進行混練所獲得，且更包含100℃~150℃下的黏度在100mPa．s~2500mPa．s的範圍內的(G)寡聚物。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的光半導體裝置，其中上 述熱硬化性光反射用樹脂組成物更包括與上述(A)環氧樹脂共同使用的(B)硬化劑，上述(A)環氧樹脂與上述(B)硬化劑的調配比例是相對於上述(A)環氧樹脂中1當量的環氧基，使可與上述環氧基反應的上述(B)硬化劑中的活性基達到0.5當量~1.5當量的比例。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的光半導體裝置，其中上述(B)硬化劑含有環己烷三羧酸酐。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的光半導體裝置，其中上述熱硬化性光反射用樹脂組成物更包括(H)增稠劑，上述(H)增稠劑含有中心粒徑為1nm~1000nm的奈米粒子填充料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的光半導體裝置，其中上述熱硬化性光反射用樹脂組成物更包括(D)無機填充劑，上述(D)無機填充劑含有多孔填充劑或具有吸油性的化合物。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的光半導體裝置，其中上述熱硬化性光反射用樹脂組成物更包括(D)無機填充劑，上述(D)無機填充劑含有選自二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、及碳酸鋇所組成之群組中的至少一種。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的光半導體裝置，其中上述白色顏料是選自氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氧化鈦、氧化鋯、及無機中空粒子所組成之群組中的至少一種。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的光半導體裝置，其中相對於樹脂組成物的總量，上述(D)無機填充劑與上述白色顏料的總 調配量為10vol.%~85vol.%的範圍。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的光半導體裝置，其中上述熱硬化性光反射用樹脂組成物至少含有將各種構成成分在混練溫度為20℃~100℃、混練時間為10分鐘~30分鐘的條件下進行混練所獲得的混練物。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的光半導體裝置，其中上述混練物在上述混練後，在0℃~30℃下經過1小時~72小時來進行熟化。
  13. 一種室外用顯示器，其包括如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的光半導體裝置。
TW105120872A 2006-11-15 2007-11-15 光半導體裝置及室外用顯示器 TWI604004B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006309052 2006-11-15
JP2007098354 2007-04-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201636387A TW201636387A (zh) 2016-10-16
TWI604004B true TWI604004B (zh) 2017-11-01

Family

ID=39401662

Family Applications (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102130865A TWI488901B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW105120872A TWI604004B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 光半導體裝置及室外用顯示器
TW102130851A TWI648322B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物的製造方法
TW103144202A TWI545151B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW102130862A TWI488900B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW096143251A TWI422629B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物及其製造方法、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW102130857A TWI488899B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW102130868A TWI488902B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102130865A TWI488901B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102130851A TWI648322B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物的製造方法
TW103144202A TWI545151B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW102130862A TWI488900B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW096143251A TWI422629B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物及其製造方法、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW102130857A TWI488899B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置
TW102130868A TWI488902B (zh) 2006-11-15 2007-11-15 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用此樹脂組成物的光半導體元件搭載用基板以及光半導體裝置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9387608B2 (zh)
EP (1) EP2100908B1 (zh)
JP (9) JPWO2008059856A1 (zh)
KR (6) KR101308199B1 (zh)
CN (5) CN102408541B (zh)
TW (8) TWI488901B (zh)
WO (1) WO2008059856A1 (zh)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101496066B1 (ko) 2006-06-02 2015-03-02 히타치가세이가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
CN102408541B (zh) * 2006-11-15 2016-10-05 日立化成株式会社 光反射用热固化性树脂组合物、及使用了所述树脂组合物的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置
JP5421546B2 (ja) * 2007-07-05 2014-02-19 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
EP2540776B1 (en) * 2007-09-25 2017-08-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
US8637593B2 (en) 2008-01-09 2014-01-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
CN102977336B (zh) 2008-01-09 2016-03-30 日立化成株式会社 热固化性树脂组合物、环氧树脂成形材料及多元羧酸缩合体
TWM351985U (en) * 2008-07-25 2009-03-01 Bi Chi Corp LED base structure capable of enhancing effect of mixture of light
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2010100800A (ja) * 2008-09-24 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 光学部材のプリント配線板用樹脂組成物及び銅張積層板
DE112009002625T5 (de) * 2008-09-30 2012-01-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Beschichtungsmittel, Substrat zum Montieren eines optischen Halbleiterelements unter Verwendung desselben und optische Halbleitervorrichtung
JP2010177329A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Sharp Corp 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体
JP6133004B2 (ja) * 2009-03-31 2017-05-24 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
KR20120061832A (ko) 2009-08-10 2012-06-13 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 표면 보호층용 열경화성 수지 조성물
JP2011060819A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
CN102574983B (zh) * 2009-10-09 2015-07-08 日本化药株式会社 可固化树脂组合物及其固化物
WO2011078239A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 三菱化学株式会社 半導体発光装置用樹脂成形体用材料
JP5844252B2 (ja) 2010-04-02 2016-01-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
TWI402922B (zh) * 2010-05-03 2013-07-21 Powertech Technology Inc 半導體晶片之模封方法
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
EP2472578B1 (en) * 2010-12-28 2020-06-03 Nichia Corporation Light emitting device
WO2013008680A1 (ja) * 2011-07-13 2013-01-17 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP5760975B2 (ja) * 2011-11-22 2015-08-12 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物の製造方法
JP2013133406A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Hitachi Ltd 複合絶縁樹脂及びそれを用いた絶縁スペーサ並びにガス絶縁機器
KR101414239B1 (ko) * 2012-02-20 2014-07-03 에스케이씨 주식회사 백색 ｅｖａ 수지층을 포함하는 태양전지 모듈
CN103311400A (zh) * 2012-03-15 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
JP6021416B2 (ja) * 2012-05-01 2016-11-09 日東電工株式会社 光半導体装置用リフレクタ付リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置並びにその製造方法
WO2013172140A1 (ja) * 2012-05-18 2013-11-21 富士電機株式会社 半導体装置
KR101387660B1 (ko) * 2012-06-19 2014-04-24 주식회사 케이씨씨 표면실장형 광반도체 장치용 반사판의 제조에 적합한 열경화성 수지 조성물
DE102012014335A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dispersion, Verfahren zur Beschichtung von Gegenstädenmit dieser Dispersion und Verwendung der Dispersion
JP5831424B2 (ja) * 2012-10-17 2015-12-09 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2014095051A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いたｌｅｄ用リフレクター及びｌｅｄ装置
WO2014109068A1 (ja) * 2013-01-10 2014-07-17 パナソニック株式会社 Ｌｅｄリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ｌｅｄリフレクター、表面実装型ｌｅｄ発光装置、ｌｅｄ照明
JP5308601B1 (ja) * 2013-01-10 2013-10-09 パナソニック株式会社 Ｌｅｄリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ｌｅｄリフレクター、表面実装型ｌｅｄ発光装置、ｌｅｄ照明
JP5602923B1 (ja) * 2013-05-08 2014-10-08 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性組成物、光半導体装置用白色タブレット、光半導体装置用成形体及び光半導体装置
JP6587169B2 (ja) * 2013-05-13 2019-10-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光反射体用熱硬化性樹脂組成物
TWI589637B (zh) 2013-05-28 2017-07-01 Nitto Denko Corp An epoxy resin composition for an optical semiconductor device, a lead frame for an optical semiconductor device produced using the same, a hermetically sealed optical semiconductor device, and an optical semiconductor device
TW201517323A (zh) 2013-08-27 2015-05-01 Glo Ab 模製發光二極體封裝及其製造方法
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
JP6094450B2 (ja) * 2013-10-21 2017-03-15 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄリフレクター用白色熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び該組成物の硬化物を含む光半導体装置
JP2015109337A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 日東電工株式会社 光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
WO2015093543A1 (ja) 2013-12-18 2015-06-25 日本化薬株式会社 熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体装置用反射部材の製造方法、および、光半導体装置
CN104830024B (zh) 2014-01-15 2018-02-06 财团法人工业技术研究院 有机无机混成树脂、包含其的模塑组合物、以及光电装置
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
JP5864031B1 (ja) * 2014-07-24 2016-02-17 日本化薬株式会社 多価カルボン酸およびそれを含有する多価カルボン酸組成物、エポキシ樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、それらの硬化物並びに光半導体装置
WO2016030985A1 (ja) * 2014-08-27 2016-03-03 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性組成物、光半導体装置用白色タブレット、光半導体装置用成形体及び光半導体装置
WO2016136281A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 クラスターテクノロジー株式会社 白色リフレクター成型用硬化性エポキシ樹脂組成物及びその硬化物、光半導体素子搭載用基板、並びに光半導体装置
JP6038236B2 (ja) * 2015-06-17 2016-12-07 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性材料、及び光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
JP6528643B2 (ja) * 2015-10-27 2019-06-12 三菱電機株式会社 波長多重光通信モジュール
JP2017095548A (ja) * 2015-11-19 2017-06-01 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置
TWI570187B (zh) 2015-12-17 2017-02-11 財團法人工業技術研究院 光學固態預聚物與模塑組成物
USD826184S1 (en) * 2016-03-24 2018-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Optical semiconductor element
USD831593S1 (en) * 2016-03-24 2018-10-23 Hamamatsu Photonics K.K Optical semiconductor element
JP1567062S (zh) * 2016-04-18 2017-01-16
USD845918S1 (en) * 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD845917S1 (en) * 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP6686742B2 (ja) * 2016-06-30 2020-04-22 三菱瓦斯化学株式会社 半硬化物及びその製造方法、並びに最終硬化物
JP1581164S (zh) 2016-12-15 2017-07-10
KR102530124B1 (ko) * 2017-06-12 2023-05-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
KR101941888B1 (ko) 2017-08-08 2019-01-25 대주전자재료 주식회사 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 열경화성 광반사용 수지 조성물
WO2021038772A1 (ja) 2019-08-28 2021-03-04 昭和電工マテリアルズ株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JPWO2021038771A1 (zh) 2019-08-28 2021-03-04
CN112054015A (zh) * 2020-08-14 2020-12-08 东莞智昊光电科技有限公司 大功率led支架的制作方法及大功率led支架
JPWO2023281922A1 (zh) 2021-07-05 2023-01-12
KR102556932B1 (ko) * 2023-04-18 2023-07-19 주식회사 유환 인쇄회로기판의 개별 엘이디 소자 주변부에 반사 성형체를 형성시키는 방법

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4798762A (en) * 1985-08-14 1989-01-17 Toray Industries, Inc. Laminate board containing uniformly distributed filler particles and method for producing the same
JP2501804B2 (ja) 1986-11-20 1996-05-29 松下電工株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPS63130623A (ja) 1986-11-21 1988-06-02 Toshiba Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
US5171769A (en) * 1989-03-03 1992-12-15 Ciba-Geigy Corporation Filled thixotropic resin compositions comprising epoxy resin, curing agent, sugar-aldehyde and filler
US5189080A (en) * 1989-04-25 1993-02-23 Robert Bosch Gmbh Epoxy resin composition for encapsulating electric circuit components
JP2780449B2 (ja) 1990-06-28 1998-07-30 日立化成工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
IT1246761B (it) 1990-07-02 1994-11-26 Pirelli Cavi Spa Cavi a fibre ottiche e relativi componenti contenenti una miscela omogenea per proteggere le fibre ottiche dall' idrogeno e relativa miscela barriera omogenea
JPH05239321A (ja) 1992-02-28 1993-09-17 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH0685325A (ja) 1992-08-28 1994-03-25 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄの製造方法
JP2874524B2 (ja) 1992-09-03 1999-03-24 松下電工株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料
JP2691107B2 (ja) 1992-09-28 1997-12-17 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂成形材料の製造方法
JPH06209024A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造法
JP3022135B2 (ja) * 1994-01-26 2000-03-15 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPH08104796A (ja) 1994-10-05 1996-04-23 Hitachi Ltd 半導体封止用樹脂組成物及び該組成物で封止された半導体装置
JP3618133B2 (ja) 1995-01-18 2005-02-09 日東電工株式会社 光半導体装置
JPH08245214A (ja) 1995-03-07 1996-09-24 Denki Kagaku Kogyo Kk シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH08245755A (ja) * 1995-03-13 1996-09-24 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および電子部品封止装置
JP3649535B2 (ja) 1995-11-01 2005-05-18 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3624503B2 (ja) 1995-12-14 2005-03-02 日亜化学工業株式会社 面状光源
EP0927231B1 (en) * 1996-09-23 2003-11-26 Akzo Nobel N.V. Low density, light weight intumescent coating
JP3719801B2 (ja) 1996-12-26 2005-11-24 住友ベークライト株式会社 電子部品封止用樹脂組成物
JPH10292094A (ja) 1997-02-20 1998-11-04 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物、これを用いた樹脂封止型半導体装置、エポキシ樹脂成形材料、およびエポキシ樹脂複合タブレット
KR100580055B1 (ko) * 1997-07-18 2006-05-12 제온 코포레이션 변성 사이클로올레핀계 부가 중합체 및 이를 함유한 경화성 수지 조성물
JP3165078B2 (ja) 1997-07-24 2001-05-14 協和化成株式会社 表面実装部品の製造方法
JPH1143546A (ja) 1997-07-30 1999-02-16 Toray Ind Inc クロスプリプレグおよびハニカム構造体
JP3294803B2 (ja) 1997-08-18 2002-06-24 株式会社日本触媒 熱硬化性樹脂封止材
JP3792870B2 (ja) 1997-12-02 2006-07-05 日東電工株式会社 半導体封止用樹脂組成物
JP3851441B2 (ja) 1998-04-23 2006-11-29 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JPH11340517A (ja) 1998-05-22 1999-12-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2000191890A (ja) 1998-10-20 2000-07-11 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2000169557A (ja) 1998-12-03 2000-06-20 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP2000319633A (ja) 1999-05-12 2000-11-21 C I Kasei Co Ltd エポキシ樹脂系封止材料用シリカ系充填材
JP4606530B2 (ja) 1999-05-14 2011-01-05 株式会社朝日ラバー シート部材およびそれを用いた発光装置
JP3632507B2 (ja) 1999-07-06 2005-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3627592B2 (ja) 1999-10-08 2005-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2001118969A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 封止用成形材料、その製造方法、及び電子部品装置
JP3483817B2 (ja) * 1999-12-01 2004-01-06 電気化学工業株式会社 球状無機質粉末及びその用途
JP4614214B2 (ja) 1999-12-02 2011-01-19 信越化学工業株式会社 半導体装置素子用中空パッケージ
JP3489025B2 (ja) 2000-01-14 2004-01-19 大塚化学ホールディングス株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品
JP3925835B2 (ja) 2000-04-10 2007-06-06 株式会社日立製作所 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途
JP4520003B2 (ja) * 2000-04-14 2010-08-04 株式会社カネカ 硬化性組成物
EP1160212A1 (en) * 2000-05-31 2001-12-05 Asahi Glass Co., Ltd. Hollow glass microspheres and method for producing the same
JP3430150B2 (ja) 2000-12-18 2003-07-28 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP3820886B2 (ja) 2001-01-17 2006-09-13 松下電工株式会社 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
TW574245B (en) 2001-05-17 2004-02-01 Chang Chun Plastics Co Ltd Epoxide containing alicylic hydrocarbon unit, method for producing the same, and application thereof
JP2003124523A (ja) 2001-10-19 2003-04-25 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US6924596B2 (en) 2001-11-01 2005-08-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same
JP4250949B2 (ja) * 2001-11-01 2009-04-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2003171531A (ja) 2001-12-03 2003-06-20 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2003218399A (ja) 2002-01-22 2003-07-31 Rohm Co Ltd 反射ケース付半導体発光装置
JP2003292734A (ja) 2002-04-03 2003-10-15 Mitsui Chemicals Inc エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光学部品
DE10259451A1 (de) * 2002-12-19 2004-07-08 Tesa Ag Haftklebeartikel mit wenigstens einer Schicht aus einer thermisch leitfähigen Haftklebemasse und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2004224929A (ja) 2003-01-23 2004-08-12 Fujikura Ltd 難燃性接着混和物
JP2004224992A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性樹脂成形材料およびその製造方法
MY151065A (en) * 2003-02-25 2014-03-31 Kaneka Corp Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device
JP2004256673A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Sumitomo Chem Co Ltd 反射板用液晶性ポリエステル樹脂
JP4591994B2 (ja) * 2003-05-29 2010-12-01 株式会社カネカ 硬化性組成物
JP4536437B2 (ja) * 2003-06-30 2010-09-01 三菱瓦斯化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物及びその用途
DE602004001096T2 (de) * 2003-06-30 2006-10-19 Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. Hitze-härtbare Harzzusammensetzung und Verwendung davon
JP2005053978A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005089607A (ja) 2003-09-17 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP2005089710A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4774201B2 (ja) 2003-10-08 2011-09-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及び半導体装置
WO2005042630A2 (en) * 2003-11-04 2005-05-12 Huntsman Advanced Materials (Switzerland) Gmbh Two component curable compositions
JP3876251B2 (ja) * 2003-12-12 2007-01-31 スタンレー電気株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び該組成物を封止剤とする発光ダイオード
CN1642385A (zh) 2004-01-08 2005-07-20 合正科技股份有限公司 使用粘合胶的叠合电路板制作方法
KR101102124B1 (ko) 2004-06-10 2012-01-02 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 에폭시 수지 경화제 및 에폭시 수지 조성물
JP4460968B2 (ja) 2004-07-27 2010-05-12 株式会社アドマテックス 樹脂組成物の製造方法
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5060707B2 (ja) * 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4720177B2 (ja) 2004-12-17 2011-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2006176678A (ja) 2004-12-22 2006-07-06 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品
EP1674518A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-28 3M Innovative Properties Company Fire-retardant low-density epoxy composition
JP2006182961A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Stanley Electric Co Ltd 熱硬化性透明樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード
JP2006193570A (ja) 2005-01-12 2006-07-27 Stanley Electric Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード
US8157123B2 (en) 2005-02-23 2012-04-17 The Glad Products Company Container
JP4799883B2 (ja) 2005-03-01 2011-10-26 日東電工株式会社 エポキシ樹脂組成物硬化体およびその製法ならびにそれを用いた光半導体装置
JP4818620B2 (ja) 2005-03-04 2011-11-16 京セラケミカル株式会社 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2006265370A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP4858672B2 (ja) * 2005-04-28 2012-01-18 信越化学工業株式会社 Ｃｏｂ実装用封止材の製造方法
WO2007015426A1 (ja) 2005-08-04 2007-02-08 Nichia Corporation 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材
CN101283016B (zh) * 2005-08-04 2011-05-11 信越化学工业株式会社 热固性环氧树脂组合物及半导体装置
JP5303097B2 (ja) * 2005-10-07 2013-10-02 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
JP5232369B2 (ja) * 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2007297601A (ja) 2006-04-06 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP4788457B2 (ja) 2006-04-18 2011-10-05 三菱瓦斯化学株式会社 プリプレグ並びに銅張積層板
JP5233186B2 (ja) 2006-07-25 2013-07-10 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP5298468B2 (ja) 2006-09-26 2013-09-25 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2008144127A (ja) 2006-11-15 2008-06-26 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
CN102408541B (zh) * 2006-11-15 2016-10-05 日立化成株式会社 光反射用热固化性树脂组合物、及使用了所述树脂组合物的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置
EP2540776B1 (en) * 2007-09-25 2017-08-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
CN102977336B (zh) * 2008-01-09 2016-03-30 日立化成株式会社 热固化性树脂组合物、环氧树脂成形材料及多元羧酸缩合体
DE112009002625T5 (de) * 2008-09-30 2012-01-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Beschichtungsmittel, Substrat zum Montieren eines optischen Halbleiterelements unter Verwendung desselben und optische Halbleitervorrichtung
JP2013172250A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Ricoh Co Ltd 光照射装置、画像読取装置及び画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201636387A (zh) 2016-10-16
EP2100908A4 (en) 2011-10-26
KR20110086145A (ko) 2011-07-27
TWI488901B (zh) 2015-06-21
JP2013127068A (ja) 2013-06-27
CN102516712A (zh) 2012-06-27
CN102408543B (zh) 2014-10-29
KR101308173B1 (ko) 2013-09-12
KR101308199B1 (ko) 2013-09-13
US10381533B2 (en) 2019-08-13
JP5660173B2 (ja) 2015-01-28
JP2017020026A (ja) 2017-01-26
TWI488902B (zh) 2015-06-21
EP2100908A1 (en) 2009-09-16
KR20110086146A (ko) 2011-07-27
TW201412845A (zh) 2014-04-01
TW201514225A (zh) 2015-04-16
CN102408543A (zh) 2012-04-11
KR101308263B1 (ko) 2013-09-13
US9387608B2 (en) 2016-07-12
EP2100908B1 (en) 2014-05-21
KR20090077957A (ko) 2009-07-16
JP2012227547A (ja) 2012-11-15
TW200900448A (en) 2009-01-01
WO2008059856A1 (en) 2008-05-22
KR20110086143A (ko) 2011-07-27
JP2015096611A (ja) 2015-05-21
CN102408544A (zh) 2012-04-11
JP5639126B2 (ja) 2014-12-10
CN102408542B (zh) 2014-10-29
TWI648322B (zh) 2019-01-21
CN102751430B (zh) 2015-04-01
JP5408368B2 (ja) 2014-02-05
TWI545151B (zh) 2016-08-11
KR20110086147A (ko) 2011-07-27
KR101308349B1 (ko) 2013-09-17
JP6365606B2 (ja) 2018-08-01
TW201412847A (zh) 2014-04-01
US20100140638A1 (en) 2010-06-10
TWI422629B (zh) 2014-01-11
US20170040513A1 (en) 2017-02-09
JPWO2008059856A1 (ja) 2010-03-04
KR101308306B1 (ko) 2013-09-17
KR20110086144A (ko) 2011-07-27
CN102408542A (zh) 2012-04-11
TWI488900B (zh) 2015-06-21
JP2012212935A (ja) 2012-11-01
CN102408541B (zh) 2016-10-05
JP5979208B2 (ja) 2016-08-24
JP2013237865A (ja) 2013-11-28
TWI488899B (zh) 2015-06-21
CN102408541A (zh) 2012-04-11
TW201412848A (zh) 2014-04-01
JP2012238876A (ja) 2012-12-06
TW201412846A (zh) 2014-04-01
CN102516712B (zh) 2015-04-22
JP2012254633A (ja) 2012-12-27
TW201414781A (zh) 2014-04-16
JP5408310B2 (ja) 2014-02-05
CN102751430A (zh) 2012-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI604004B (zh) 光半導體裝置及室外用顯示器