CN102408544A - 光反射用热固化性树脂组合物、用该组合物的光半导体元件搭载用基板及其光半导体装置 - Google Patents

光反射用热固化性树脂组合物、用该组合物的光半导体元件搭载用基板及其光半导体装置 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供树脂固化后的可见光到紫外光区域中的反射率高，耐热老化性或料片模塑性优越，且在传递模塑时难以产生溢料的光反射用热固化性树脂组合物及其制造方法、及使用了该树脂组合物的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。所述光反射用热固化性树脂组合物是含有热固化性成分和白色颜料的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于，在模塑温度100℃～200℃、模塑压力20MPa以下、及模塑时间60～120秒的条件下，传递模塑时产生的溢料长度为5mm以下，热固化后的波长在350nm～800nm下的光反射率为80％以上。配制所述光反射用热固化性树脂组合物，使用树脂组合物，构成光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。

Description

光反射用热固化性树脂组合物、用该组合物的光半导体元件搭载用基板及其光半导体装置
本申请是200780042463.2(国际申请号：PCT/JP2007/072069)的分案申请，原申请的申请日为2007年11月14日，原申请的发明名称为光反射用热固化性树脂组合物及其制造方法、及使用了所述树脂组合物的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。 
技术领域
本发明涉及在组合了光半导体元件和荧光体等波长转换机构的光半导体装置中使用的光反射用热固化性树脂组合物及其制造方法、及使用了所述树脂组合物的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置。 
背景技术
组合了LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等组合了光半导体元件和荧光体的光半导体装置由于高能量效率及长寿命等优点，适用于室外用设备、便携式液晶背光灯及车载用途等各种用途，其需要正在扩大。伴随于此，LED设备的高亮度化在进步，元件的放热量增大引起的集合温度的上升、或直接的光能量的增大引起的元件材料的老化被视为问题，近年来，对热老化及光老化具有耐性的元件材料的开放成为了课题。在日本国特开2006-140207号公报中公开了耐热试验后的光反射特性优越的光半导体元件搭载用基板。 
但是，在使用上述公报中公开的光反射用热固化性树脂组合物，利用传递模塑制造基板的情况下，在模塑时，树脂组合物渗出在模塑模具的上模和下模的间隙中，处于容易发生树脂脏污的倾向。在加热模塑时，发生树脂脏污的情况下，树脂脏污突出在作为光半导体元件搭载区域的基板的开口部(凹部)，成为搭载光半导体元件时的故障。另外，即使在开口部能够搭载光半导体元件，树脂脏污也成为利用引线接合等公知的方法，电连接光半导体元件和金属配线时的故障。即，树脂脏污由于降低在所谓 的元件搭载及引线接合的半导体元件制造时的作业性，因此不优选。在半导体元件制造时，为了不引起上述故障，在基板的开口部存在有树脂脏污的情况下，通常，向光半导体元件搭载用基板的制造工序中追加树脂脏污的除去工序。但是，那样的除去工序成为成本或制造时间的损失，因此，期望改善。 
发明内容
本发明是鉴于上述做成的，其提供树脂固化后的可见光到紫外光区域中的反射率高，而且在传递模塑时难以发生树脂脏污的光反射用热固化性树脂组合物。另外，本发明提供使用上述树脂组合物，从而引线接合性优越，对光老化及热老化具有耐性的苯酚系固化剂搭载用基板及光半导体装置。进而，本发明提供用于效率良好地制造上述光半导体元件搭载用基板及光半导体装置的制造方法。 
即，本发明以以下(1)～(26)所述的事项为特征。 
(1)一种光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于，其是含有热固化性成分和(E)白色颜料的热固化性光反用射树脂组合物， 
在模塑温度100℃～200℃、模塑压力20MPa以下、及模塑时间60～120秒的条件下，传递模塑时产生的溢料长度(バリ長さ)为5mm以下， 
热固化后的波长350nm～800nm下的光反射率为80％以上。 
(2)根据上述(1)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述热固化性成分含有(A)环氧树脂。 
(3)根据上述(2)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述(A)环氧树脂是通过捏合(A’)环氧树脂和(B’)固化剂而得到的，并且含有在100～150℃下的粘度在100～2500mPa·s范围的(G)低聚物。 
(4)根据上述(3)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述热固化性成分还含有与所述(A)环氧树脂一同使用的(B)固化 剂，其中，所述(A)环氧树脂和所述(B)固化剂的配合比为：相对于所述(A)环氧树脂中的环氧基1当量，能够与该环氧基反应的所述(B)固化剂中的活性基成为0.5～0.7当量的比。 
(5)根据上述(4)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述(B)固化剂含有：具有三聚异氰酸骨架的化合物。 
(6)根据上述(5)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述(B)固化剂还含有：具有35℃以上的熔点的酸酐。 
(7)根据上述(4)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述(B)固化剂含有：环己烷三羧酸酐。 
(8)根据上述(7)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述环己烷三羧酸酐为由下述结构式(I)表示的化合物。 
[化1] 
Figure BDA0000098404750000031
(9)根据上述(1)～(8)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
还含有(H)增稠剂，该(H)增稠剂含有中心粒径为1nm～1000nm的纳米粒子填料。 
(10)根据上述(1)～(8)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
还含有(D)无机填充材料，该(D)无机填充材料含有多孔质填充剂 或具有吸油性的化合物。 
(11)根据上述(10)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的形状为选自由圆球状、破碎状、圆盘状、棒状、纤维状构成的组的至少一种。 
(12)根据上述(10)或(11)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的表面被进行了疏水化处理或亲水化处理。 
(13)根据上述(10)～(12)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的视密度为0.4g/cm3以上。 
(14)根据上述(10)～(13)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述(D)无机填充材料中的所述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的含量为0.1体积％～20体积％的范围。 
(15)根据上述(1)～(14)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
进而作为(D)无机填充材料，含有选自由硅石、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡构成的组中的至少一种。 
(16)根据上述(1)～(15)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述(E)白色颜料为选自由氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化钛、氧化锆、无机中空粒子构成的组中的至少一种。 
(17)根据上述(1)～(16)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述(E)白色颜料的中心粒径在0.1～50μm的范围。 
(18)根据上述(1)～(17)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
将所述(D)无机填充材料和所述(E)白色颜料加起来的配合量相对 于树脂组合物总量，在10体积％～85体积％的范围。 
(19)根据上述(1)～(18)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
含有：至少将各种组成成分在捏合(混 
Figure BDA0000098404750000051
)温度20～100℃、捏合时间10～30分钟的条件下进行捏合而得到的捏合物。 
(20)根据上述(19)所述的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于， 
所述捏合物是在所述捏合后，在0～30℃下经过1～72小时熟化而得到的。 
(21)一种光反射用热固化性树脂组合物的制造方法，其特征在于，其是制造上述(1)～(20)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物的方法，包括： 
对树脂组合物的各成分至少进行捏合而形成捏合物的捏合工序； 
将所述捏合物在0～30℃下经过1～72小时而熟化的工序。 
(22)根据上述(21)所述的光反射用热固化性树脂组合物的制造方法，其特征在于， 
在捏合温度20～100℃、及捏合时间10～30分钟的条件下进行所述捏合工序。 
(23)一种光半导体元件搭载用基板，其特征在于， 
其是使用上述(1)～(20)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物来构成的。 
(24)一种光半导体元件搭载用基板，其特征在于，其是形成有一个以上成为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用基板， 
至少所述凹部的内周侧面是由上述(1)～(20)中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物构成的。 
(25)一种光半导体搭载用基板的制造方法，其特征在于， 
所述光半导体搭载用基板是形成有一个以上成为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用基板， 
至少将所述凹部利用使用了权利要求1～20中任一项所述的光反射用热固化性树脂组合物的传递模塑来形成。 
(26)一种光半导体装置，其中，至少具备： 
上述(24)所述的光半导体元件搭载用基板； 
在所述光半导体元件搭载用基板的凹部底面搭载的光半导体元件； 
以覆盖所述光半导体元件的方式在所述凹部内形成的含荧光体透明密封树脂层。 
还有，本申请基于相同申请人在2006年11月15日申请的日本国特愿2006-309052号、相同2007年4月4日申请的日本国特愿2007-098354号主张优先权，通过参照这些说明书，组入本说明书的一部分中。 
附图说明
图1是表示本发明的光半导体元件搭载用基板的一实施方式的图，(a)是立体图，(b)是侧面剖面图。 
图2是说明本发明的光半导体元件搭载用基板的制造方法的概略图，(a)～(c)对应于利用传递模塑制造基板的情况下的各工序。 
图3是表示本发明的光半导体装置的一实施方式的图，(a)及(b)是表示各自装置的结构的侧面剖面图。 
图4是以示意性表示实施例中使用的溢料测定用模具的图，(a)是侧面剖面图，(b)是俯视图。 
图5是以示意性表示使用了图4中所示的溢料测定用模具的模塑时产生的溢料的图，(a)是侧面剖面图，(b)是俯视图。 
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。本发明的光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于，含有热固化性树脂成分及白色颜料，实际上模塑时适用的模塑条件下模塑时的、例如模塑温度100℃～200℃、模塑压力20MPa以下、及模塑时间60～120秒的条件下传递模塑时的溢料长度为5mm以下。另外，这些的热固化后的波长在350nm～800nm下的光反射率为80％以上。 
在本说明书中使用的用语“模塑时的溢料长度”是指：使用图4所示的溢料测定用模具，进行了传递模塑时，从模具中心部的型腔朝向模具的 上模和下模的合箱缝的间隙，向放射方向溢出的树脂固化物的最大长度。若这样的溢料长度大于5mm，则树脂脏污向光半导体元件搭载区域的开口部(凹部)突出，可能成为搭载光半导体元件时的故障。或者，可能成为利用引线接合等公知的方法，电连接光半导体元件和金属配线的故障。从半导体装置制造时的作业性的观点来说，本发明的树脂组合物的溢料长度更优选3mm以下，进而优选1mm以下。 
本发明的固化性反射用树脂组合物优选考虑适用于传递模塑的情况，能够在热固化前，在室温下(0～30℃)下加压模塑。更具体来说，例如，室温下、5～50MPa、1～5秒左右的条件下能够模塑即可。从以光半导体装置的用途使用的观点来说，期望在热固化后，波长在350nm～800mm下的光反射率优选80％以上，更优选90％以上。在光反射率小于80％的情况下，可能对光半导体装置的亮度提高不能充分地发挥作用。 
以下，说明本发明的光反射用热固化性树脂组合物的主要构成成分。 
在本发明的一实施方式中，作为热固化性树脂成分，优选含有(A)环氧树脂。(A)环氧树脂不特别限定，作为环氧树脂型材料，可以使用通常使用的树脂。例如，可以举出：将以苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂为首的苯酚类和醛类的酚醛清漆树脂环氧化的树脂；双酚A、双酚F、双酚S、烷基取代双酚等二缩水甘油基醚；二氨基二苯基甲烷、三聚异氰酸等聚胺、和表氯醇的反应得到的缩水甘油基胺型环氧树脂；用过醋酸等过酸，氧化烯烃键得到的线状脂肪族环氧树脂；及脂环族环氧树脂等。单独使用这些也可，或合用两种以上也可。使用的环氧树脂优选无色或例如淡黄色的未相对着色的树脂。作为那样的环氧树脂，例如，可以举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、二缩水甘油基三聚异氰酸酯、三缩水甘油基三聚异氰酸酯。 
在本发明的一实施方式中，作为(A)环氧树脂，优选使用100～150℃下的粘度为100～2500mPa·s的范围的(G)低聚物。若捏合后的树脂组合物的熔融粘度低，流动性过高，则可能导致模塑模具的气孔堵塞，在模具型腔内残留空气或挥发成分。在型腔内残留的空气或挥发成分成为成形空隙或焊接痕等外观不妥善的原因。另外，伴随模塑次数的增加，在固化物表面残留的单体成分附着于模塑模具，污染模具。在模具堆积单体的 附着物的结果，发生自模具的模塑物的脱模性变差的不妥善情况。相对于此，在本发明中，通过使用具有特定的粘度的(G)低聚物，能够增加捏合后的树脂组合物的熔融粘度，降低流动性。另外，通过使用那样的(G)低聚物，能够减少成为模具的污染原因的残留单体成分。其结果，能够避免在熔融粘度低的情况下发生的不妥善情况，能够提高树脂组合物的传递模塑性，能够得到外观优越的模塑物。 
在本发明中使用的(G)低聚物是通过在固化性光反射用树脂组合物的配制之前，至少配合(A’)环氧树脂及(B’)固化剂、以及根据需要的(C’)固化促进剂而配制。上述(A’)环氧树脂、上述(B’)固化剂、上述(C’)固化促进剂可以分别使用与在先说明的(A)环氧树脂、后述开口部及(C)固化促进剂相同的物质。 
更具体来说，上述(G)低聚物例如可以经过如下所述的工序来得到，即：将(A’)环氧树脂及(B’)固化剂相对于该(A’)环氧树脂中的环氧基1当量，使能够与该环氧基反应的该(B’)固化剂中的活性基(酸酐基或羟基)成为0.3当量以下地配合，捏合至成为粘土状。优选设置将得到的粘土状捏合物接着在温度25～60℃的范围内经过1～6小时熟化的工序。另外，在使用(C’)固化促进剂的的情况下，优选相对于(A’)环氧树脂和(B’)固化剂的总和100重量份，使其成为0.005～0.05重量份地配合。 
如上所述地配制的(G)低聚物为了减小调节模塑时的溢料长度，优选100～150℃下的粘度在100～2500mPa·s的范围。更优选100℃下的粘度在100～2500mPa·s的范围。若(G)低聚物的粘度小于100mPa·s，则在传递模塑时，容易产生溢料。另一方面，若粘度大于2500mPa·s，则处于模塑时的流动性降低，模塑性变得缺乏的倾向。还有，在本说明书中使用的用语“粘度”是通过使用了ICI锥片型(コ一ンプレ一ト)粘度计的测定来得到的值。(G)低聚物通过将其粉碎至其粒径成为1mm以下，在温度0℃以下的环境中保存，能够抑制或停止粘度的上升。低聚物的粉碎方法使用利用陶器制乳钵的粉碎等公知的任意方法。 
在本发明的一实施方式中，作为热固化性树脂成分，含有(A)环氧树脂的同时含有(B)固化剂。(B)固化剂不特别限定，只要是能够与环 氧树脂反应的化合物即可，但优选其分子量100～400左右的固化剂。另外，优选无色或例如淡黄色的未相对着色的物质。作为具体的化合物，可以举出酸酐系固化剂、三聚异氰酸衍生物、苯酚系固化剂等。 
作为酸酐系固化剂，优选具有35℃以上的熔点。作为那样的酸酐，例如，可以举出酞酸酐、马来酸酐、苯偏三酸酐、苯均四酸酐、六氢化酞酸酐、四氢化酞酸酐、甲基降冰片烯二酸酐、降冰片烯二酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、琥珀酸酐、甲基六氢化酞酸酐、甲基四氢化酞酸酐等。 
作为三聚异氰酸衍生物，可以举出1，3，5-三(1-羧基甲基)三聚异氰酸酯、1，3，5-三(2-羧基乙基)三聚异氰酸酯、1，3，5-三(3-羧基丙基)三聚异氰酸酯、1，3-双(2-羧基乙基)三聚异氰酸酯等。 
作为苯酚系固化剂，可以举出：通过将苯酚、甲酚、间苯二酚、儿茶酚、双酚A、双酚F、苯基苯酚、氨基苯酚等苯酚类及/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类、和甲醛、苯醛、水杨基醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下缩合或共缩合得到的酚醛清漆型酚醛树脂；由苯酚类及/或萘酚类、和二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯基合成的苯酚·芳烷基树脂、联苯型苯酚·芳烷基树脂、萘酚·芳烷基树脂等芳烷基型酚醛树脂；利用苯酚类及/或萘酚类和二环戊二烯的共聚来合成的二环戊二烯型苯酚酚醛清漆型树脂、二环戊二烯型萘酚酚醛清漆树脂等二环戊二烯型酚醛树脂；三苯基甲烷型酚醛树脂；萜烯改性酚醛树脂；对二甲苯及/或间二甲苯改性酚醛树脂；蜜胺改性酚醛树脂；环戊二烯改性酚醛树脂；及共聚其中两种以上得到的酚醛树脂等。 
在先例示的固化剂中，优选使用选自由酞酸酐、苯偏三酸酐、六氢化酞酸酐、四氢化酞酸酐、甲基六氢化酞酸酐、甲基四氢化酞酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、及环己烷三羧酸酐构成的组的酸酐、及1，3，5-三(3-羧基丙基)三聚异氰酸酯等三聚异氰酸衍生物的至少一方。这些不仅可以单独使用，也可以合用两种以上。 
在本发明的一实施方式中，作为(B)固化剂，优选至少使用三聚异氰酸衍生物，更优选使用将这些与酸酐尤其具有35℃以上的熔点的酸酐组合而使用。三聚异氰酸衍生物的三嗪骨架与通常的环状亚甲基骨架相比， 具有难以被活性氧氧化的特征。因此，通过使用三聚异氰酸衍生物，向树脂组合物赋予先前的特征，能够提高模塑后的树脂组合物的耐热性。另外，还能够利用三嗪骨架和三官能性反应基团，提高模塑体的机械特性。进而，通过将三聚异氰酸衍生物与酸酐组合，能够增加树脂组合物的熔融粘度，能够在模塑时抑制从模具突出的溢料长度。三聚异氰酸衍生物和酸酐的配合比可以在1∶0～1∶10的范围内适当地调整。从成本削减、和抑制树脂的变黄引起的反射率的降低的观点来说，优选1∶1～1∶3的配合比。 
在本发明的另一实施方式中，作为(B)固化剂，优选至少使用环己烷三羧酸酐。通过环己烷三羧酸酐的使用，能够增加树脂组合物的熔融粘度，能够缩短模塑时的溢料长度。另外，能够缩短化树脂组合物的固化时间，因此，还能够提高模塑效率。作为环己烷三羧酸酐的具体例，可以举出由下述结构式(I)表示的化合物。 
[化2] 
Figure BDA0000098404750000101
与环己烷三羧酸酐一同，作为(B)固化剂，合用在先说明的其他酸酐、三聚异氰酸衍生物及苯酚系固化剂等也可。作为合用的固化剂，从模塑时的流动性及模塑物的着色的观点来说，优选酞酸酐、苯偏三酸酐、六氢化酞酸酐、四氢化酞酸酐、甲基氢化基酞酸酐、甲基四氢化酞酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、或1，3，5-三(3-羧基丙基)三聚异氰酸酯。(B)固化剂中的环己烷三羧酸酐的含有率只要是能够实现本发明的目的，就不特别限定，但优选在5质量％以下且100质量％以下的范围内调节。从成本和性能的平衡的观点来说，上述含有率优选25质量％以上且75质量％以下的范围。 
(A)环氧树脂和(B)固化剂的配合比在(A)环氧树脂不含有(G) 低聚物的情况下，优选相对于(A)环氧树脂中的环氧基1当量，能够与该环氧基反应的(B)固化剂中的活性基(酸酐基或羟基)为0.5～1.5当量的比例。更优选成为0.7～1.2当量的比例。在上述活性基小于0.5当量的情况下，环氧树脂组合物的固化速度变慢，并且，得到的固化物的玻璃化温度降低，有时得不到充分的弹性模量。另外，在上述活性基大于1.2当量的情况下，有时固化后的强度减少。 
另一方面，作为(A)环氧树脂，单独使用(G)低聚物，或合用(G)低聚物和(A)环氧树脂的情况下，(A)环氧树脂(或(G)低聚物)和(B)固化剂的配合比优选相对于(A)环氧树脂中的环氧基1当量，能够与该环氧基反应的(B)固化剂中的活性基(酸酐基或羟基)成为0.5～0.7当量的比例。更优选成为0.6～0.7当量的比例。在上述活性剂小于0.5当量的情况下，环氧树脂组合物的固化速度变慢，并且，得到的固化体的玻璃化温度降低，有时得不到成分的弹性模量。另外，在上述活性基大于0.7当量的情况下，有时固化后的强度减少。还有，(A)环氧树脂含有(G)低聚物的情况下的(B)固化剂的当量数是将在(G)低聚物中含有的(A’)环氧树脂和(A)环氧树脂中分别含有的环氧基的总量设为1，相对于此，将(B’)固化剂和(B)固化剂中含有的上述能够与上述环氧基反应的活性基的总和作为当量数来换算。 
本发明的光反射用热固化性树脂组合物中，根据需要，作为(C)固化促进剂，含有适当的化合物也可。例如，可以使用：1，8-二氮杂-二环(5，4，0)十一碳烯-7、三乙烯二胺及三-2，4，6-二甲基氨基甲基苯酚等叔胺类；2-乙基-4甲基咪唑及2-甲基咪唑等咪唑类；三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、四-正丁基鏻-o，o-二乙基二硫代磷酸盐、四-正丁基鏻-四氟硼酸盐、四-正丁基鏻-四苯基硼酸盐等磷化合物；季铵盐；有机金属盐类；及这些的衍生物等。这些单独使用也可，或合用也可。在这些固化促进剂中，优选使用叔胺类、咪唑类、磷化合物。 
上述(C)固化促进剂的含有率相对于(A)环氧树脂，优选0.01～8.0重量％，更优选0.1～3.0重量％。若固化促进剂的含有率小于0.01重量％，则有时得不到充分的固化促进效果。另外，若含有率大于8.0重量％，则有时在得到的模塑体显现变色。 
本发明的光反射用热固化性树脂组合物为了调节其模塑性，优选含有(D)无机填充材料。(D)无机填充剂不特别限定，但例如，可以使用选自由硅石、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡构成的组中的至少一种。从热传导性、光反射特性及模塑性的观点来说，优选至少含有硅石。另外，为了提高难燃性，优选组合氢氧化铝而使用。 
在本发明的一实施方式中，作为(D)无机填充剂，优选含有多孔质填充剂或具有吸油性的化合物。作为(D)无机填充剂，还可以使用多孔质填充剂或选自由具有吸油性的硅石、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡构成的组中的至少一种。另外，还可以使用具有多孔质结构，还具有吸油性的化合物。作为多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的形状，不特别限定，例如，可以使用圆球状、破碎状、圆盘状、棒状、纤维状等。在考虑传递模塑时的模具内的流动性的情况下，优选圆球状、破碎状，更优选圆球状。 
另外，上述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的表面被进行了物理性或化学性亲水化处理或疏水化处理也可。优选表面被进行了疏水化处理，更优选使吸油量(按照JIS K5101的规定量)成为50ml/100g以上地进行化学性疏水化处理。通过使用表面被进行了疏水化处理的多孔质填充剂或具有吸油性的化合物，增加(A)环氧树脂或(B)固化剂的粘接性，其结果，提高热固化物的机械强度或传递模塑时的流动性。另外，通过使用使吸油量成为50ml/100g以上地表面被进行了疏水化处理的多孔质填充剂或具有吸油性的化合物，能够提高与(A)环氧树脂的粘接性，并且，能够抑制捏合后的树脂组合物的有效时间(pot life)降低。另外，在热固化时，还能够抑制着色。作为实施了这样的疏水化处理的多孔质填充剂，例如，可以举出富士西里西亚(富士シリシア)化学株式会社出售的塞罗河比克(サイロホ一ビツク)702。 
另外，上述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的视密度不特别限定，但优选0.4g/cm3以上，根据权利要求优选0.4～2.0g/cm3。还有，视密度是指：考虑了多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的原材料所占的密度、和微细孔所占的空间(即细孔容积)的密度。在该视密度小于0.4g/cm3的情况下，填充剂粒子的机械强度小，在搅拌辊磨机等产生剪断力的熔融 捏合时，可能导致粒子破坏。另一方面，在视密度大于2.0g/cm3的情况下，在模塑用于传递模塑的料片时，处于在臼模和杵模构成的模具的表面容易附着树脂组合物的倾向。 
另外，上述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的平均粒径优选0.1～100μm，考虑与白色颜料的填料(パツキング)效率的情况下更优选1～10μm的范围。若平均粒径大于100μm，或小于0.1μm，则在传递模塑时的熔融时，处于树脂组合物的流动性变差的倾向。 
另外，上述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的比表面积优选100～1000m2/g，更优选300～700m2/g。若比表面积小于100m2/g，则填充剂引起的树脂的吸油量变小，在料片模塑时，处于在杵模容易附着树脂的倾向，若比表面积大于1000m2/g，则处于在传递模塑时的熔融时，处于树脂组合物的流动性变差的倾向。 
另外，上述多孔质填充剂或具有吸油性的化合物的含量不特别限定，但优选相对于(D)无机填充剂总量为0.1体积％～20体积％的范围。若考虑熔融时的树脂组合物的模塑性，则更优选1体积％～5体积％。在该含量小于0.1体积％的情况下，树脂组合物的一部分容易附着在臼模和杵模的模塑模具的表面，在大于20体积％的情况下，在传递模塑时的熔融时，处于树脂组合物的流动性降低的倾向。例如，作为上述多孔质填充剂，使用上述塞罗河比克702的情况下，其含有从树脂组合物的熔融时的流动性或树脂组合物的强度的观点来说，优选5体积％以下。 
作为在本发明中使用的(E)白色颜料，不特别限定，可以使用公知的白色颜料。例如，可以使用氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化钛、氧化锆、无机中空粒子等。无机中空粒子例如可以举出硅酸钠玻璃、铝硅酸玻璃、硼硅酸钠玻璃、硅橡胶(シラス)等。从热传导性、光反射特性的方面来说，优选至少使用氧化铝或氧化镁，或组合这些而使用。(E)白色颜料的粒径优选中心粒径在0.1～50μm的范围。若该中心粒径小于0.1μm，则处于粒子容易凝聚，分散性变差的倾向。另一方面，若中心粒径超过50μm，则可能不能充分地得到固化物的光反射特性。(E)白色颜料的配合量不特别限定，但优选相对于树脂组合物总量为10体积％～85体积％的范围。 
上述(D)无机填充剂和上述(E)白色颜料的总计配合量不特别限定， 但优选相对于树脂组合物总量为10体积％～85体积％的范围。若该总计配合量小于10体积％，则可能不能充分地得到固化物的光反射特性。另外，若总计配合量大于85体积％，则树脂组合物的模塑性变差，处于难以进行光半导体搭载用基板的制作的倾向。 
在本发明的光反射用热固化性树脂组合物中，可以根据需要，添加(F)偶合剂。(F)偶合剂不特别限定，但例如，可以使用硅烷系偶合剂或钛酸酯系偶合剂等。作为硅烷偶合剂，例如，可以使用环氧硅烷系、氨基硅烷系、阳离子硅烷系、乙烯基硅烷系、丙烯酸硅烷系、巯基硅烷系及这些的复合系等。(F)偶合剂的种类或处理条件不特别限定，适用向树脂组合物中直接添加的方法、或预先混合无机填充剂或白色颜料而添加的方法等从以往开始使用的方法也可。(F)偶合剂的配合量优选相对于树脂组合物为5重量％以下。 
另外，在本发明的光反射用热固化性树脂组合物中，作为熔融粘度调节的目的，添加(H)增稠剂也可。作为(H)增稠剂，不特别限定，但例如，可以使用能够作为由德山(トクヤマ、株)出售的里昂西路(レオロシ一ル)CP-102得到的纳米硅石。作为(H)增稠剂的添加量，优选树脂组合物的总体积的0.15体积％以下。若(H)增稠剂的添加量多于0.15体积％，则损伤树脂组合物的熔融时的流动性，并且，在固化后，可能得不到充分的材料强度。另外，(H)增稠剂优选中心粒径为1nm～1000nm的纳米粒子填料，更优选中心粒径为10nm～1000nm的纳米粒子填料。中心粒径小于1nm的填料处于粒子容易凝聚，且分散性降低的倾向，从特性来说不优选。在使用这样的(H)增稠剂的情况下，作为(D)无机填充剂的一部分，使用纳米硅石也可。另一方面，若添加大于1000nm的填料，则处于溢料长度不减小的倾向，从特性来说不优选。还有，在本发明的树脂组合物中，除了(H)增稠剂以外，根据需要，添加氧化抑制剂、脱模剂、离子补充剂等各种添加剂。 
本发明的光反射用热固化性树脂组合物可以通过均一地分散混合上述各成分而得到，其配制机构或条件等不特别限定。作为通常的方法，可以举出利用搅拌器等，将规定配合量的各种成分充分且均一地搅拌及混合后，使用搅拌辊、挤出机、捏合机、辊及挤压机等进行捏合，进而将得到 的捏合物冷却及粉碎的方法。还有，关于捏合形式，也不特别限定，但优选熔融捏合。熔融捏合的条件可以根据使用的成分的种类或配合量来适当地确定，不特别限定。例如，优选在15～100℃的范围内经过5～40分钟进行熔融捏合，更优选在20～100℃的范围内经过10～30分钟进行熔融捏合。若熔融捏合时的温度小于15℃，则难以熔融捏合各成分，处于分散性也降低的倾向。另一方面，在高于100℃的温度的情况下，树脂组合物的高分子量化进展，可能导致树脂组合物固化。另外，若熔融捏合的时间小于5分钟，则处于不能有效地抑制溢料长度的倾向，若长于40分钟，则树脂组合物的高分子量化进展，可能导致树脂组合物在模塑前固化。 
本发明的光反射用热固化性树脂组合物优选在配合、捏合上述各成分后，出于提高模塑时的熔融粘度的目的，进行老熟放置(熟化)。更具体来说，熟化优选在0℃～30℃下经过1～72小时来实施。熟化更优选在15℃～30℃下经过12～72小时，进而优选在25℃～30℃下经过24～72小时来实施。在短于1小时的时间的熟化的情况下，处于不能有效地抑制溢料长度的倾向，若进行长于2小时的熟化，则在传递模塑时，可能不能确保充分的流动性。另外，在小于0℃的温度下实施了熟化的情况下，导致(C)固化促进剂不活泼化，树脂组合物的三维交联反应不充分地进展，熔融时的粘度可能不上升。另外，在高于30℃的温度下实施了熟化的情况下，树脂组合物吸收水分，处于固化物的强度或弹性模量等机械物性变差的倾向。 
本发明的光半导体元件搭载用基板的特征在于，使用本发明的光反射用热固化性树脂组合物来构成。具体来说，可以举出具有成为光半导体元件搭载区域的一个以上的凹部，至少上述凹部的内周侧面是由本发明的光反射用热固化性树脂组合物构成的基板。图1表示本发明的光半导体元件搭载用基板的一实施方式，(a)是立体图，(b)是侧面剖面图。如图1所示，本发明的光半导体元件搭载用基板110的特征在于，具有：反射器103、包含Ni/Ag镀104及金属配线105的配线图案(导线框)被一体化，形成有成为光半导体元件搭载区域的凹部200的结构，至少上述凹部200的内周侧面是由本发明的光反射用热固化性树脂组合物构成。 
本发明的光半导体元件搭载用基板的制造方法不特别限定，但例如， 可以通过传递模塑来说制造本发明的光反射用热固化性树脂组合物或其料片模塑体。图2是说明本发明的光半导体元件搭载用基板的制造方法的概略图，图2(a)～(c)对应于利用传递模塑来制造基板的情况下的各工序。更具体来说，光半导体元件搭载用基板如图2(a)所示，利用冲裁或蚀刻等公知的方法，由金属箔形成金属配线105，其次，在规定形状的模具301配置金属配线105(图2(b))，从模具301的树脂注入口300注入本发明的光反射用热固化性树脂组合物(料片模塑体的熔融物)。优选在模具温度170～190℃、模塑压力2～8MPa下经过60～120秒，使注入的树脂组合物固化后，卸下模具301，在后熟成温度120℃～180℃下经过1～3小时，进行热固化。其次，可以通过在由固化的光反射用热固化性树脂组合物构成的反射器103包围周围的成为光半导体元件搭载区域的凹部200的规定位置实施Ni/Ag镀104而制造(图2(c))。 
使用了本发明的光半导体元件搭载用基板的光半导体装置的特征在于，至少具备：本发明的光半导体元件搭载用基板；搭载于光半导体元件搭载用基板的凹部底面的光半导体元件；以覆盖光半导体元件的方式形成于凹部内的含荧光体透明密封树脂层。图3(a)及图3(b)是分别表示本发明的光半导体装置的一实施方式的侧面剖面图。更具体来说，在图3所示的光半导体装置中，在本发明的光半导体元件搭载用基板110的成为光半导体元件搭载区域的凹部(参照图2的参照符号200)的底部规定位置搭载光半导体元件100，该光半导体元件100和金属配线105利用接合引线102或焊盘107等公知的方法，经由Ni/Ag镀104电连接，利用包含公知的荧光体106的透明密封树脂101，覆盖该光半导体元件100。 
实施例 
以下，通过实施例，详述本发明，但本发明不限定于这些。还有，以下的各实施例及各比较例中使用的成分的详细情况如下所述。 
*1：三缩水甘油基三聚异氰酸酯(环氧当量100、日产化学公司制、商品名TEPIC-S) 
*2：六氢化酞酸酐(和光纯药公司制) 
*3：1，3，5-三(3-羧基丙基)三聚异氰酸酯(四国化成工业公司制、制品名C3CIC酸) 
*4：环己烷三羧酸酐(三菱气体化学公司制、制品名H-TMAn) 
*5：四氢化酞酸酐(阿鲁德利磁(アルドリツチ)公司制) 
*6：甲基氢化酞酸酐(日立化成工业公司制商品名HN5500) 
*7：四-正丁基鏻-0，0-二乙基二硫代磷酸盐(日本化学工业公司制、商品名：西吉科林(ヒシコ一リン)PX-4ET) 
*8：三甲氧基环氧硅烷(东利达科宁(東レダウコ一ニング)公司制、商品名SH6040) 
*9：脂肪酸酯(克莱恩特(クラリアント)公司制、商品名黑吉斯特瓦克斯(ヘキストワツクス)E) 
*10：脂肪族醚(东洋佩特洛莱特(東洋ペトロライト)公司制、商品名尤尼托克斯(ユニトツクス)420) 
*11：熔融硅石(电气化学工业公司制、商品名FB-301) 
*12：熔融硅石(电气化学工业公司制、商品名Fb-950) 
*13：熔融硅石(阿德马迪克斯公司制、商品名SO-25R) 
*14：多孔质球状硅石(富士西里西亚化学公司制、制品名塞罗斯非(サイロスフイア)C-1504)平均粒径：3μm、视密度：0.58g/ml、比表面积：300m2/g) 
*15：多孔质无定形状硅石(富士西里西亚化学公司制、制品名塞罗河比克702、平均粒径：4μm、视密度：0.48g/ml、比表面积：300m2/g) 
*16：多孔质无定形状硅石(富士西里西亚化学公司制、制品名塞利西亚430、平均粒径：4μm、视密度：0.48g/ml、比表面积：300m2/g) 
*17：中空粒子(住友3M公司制、商品名S60-HS) 
*18：氧化铝(阿德马迪克斯公司制、商品名AO-802) 
*19：纳米硅石(德山公司制、CP-102) 
(实施例A1～A16及比较例A1～A7) 
1.光反射用热固化性树脂组合物的配制 
按照下述表A1到表A3所示的配合比例，配合各成分，利用搅拌机，充分地捏合后，利用搅拌辊，在规定条件下，熔融捏合，得到捏合物。进而，通过粉碎捏合物，分别配制实施例A1～A16及比较例A1～A7的光反射用热固化性树脂组合物。还有，表A1～表A3所示的各成分的配合量 的单位为重量份。表中的空栏表示没有相应的成分的配合。 
2.光反射用热固化性树脂组合物的评价 
关于在先配制的实施例A1～A16及比较例A1～A7的各个树脂组合物，按照以下的步骤，测定光反射率及溢料长度。另外，探讨模塑各个树脂组合物得到的基板的引线接合性，并进行评价。这些结果示出在下述表A1～表A3。 
(光反射率) 
在模塑模具温度180℃、模塑压力6.9MPa、固化时间90秒的条件下，传递模塑在先配制的各个光反射用热固化性树脂组合物后，在150℃下经过2小时，进行后固化，由此分别配制厚度1.0mm的试片。其次，使用积分球性分光光度计V-750型(日本分光株式会社制)，测定波长400nm下的各试片的光反射率。 
(溢料长度) 
使用罐，使在先配制的各个光反射用热固化性树脂组合物流入溢料(バリ)测定用模具(参照图4)，其次进行固化，由此模塑树脂组合物。还有，模塑时的模具温度为180℃，模塑压力为6.9MPa，树脂的流入时间(传递时间)为10秒，固化温度为180℃，固化时间为90秒。在模塑后，卸下溢料测定用模具的上模，使用卡尺，测定在模塑时，在模具的上模和下模的间隙中流过而产生的溢料的长度的最大值。 
图4是以示意性表示先前的溢料长度的测定时使用的溢料测定用模具的结构，(a)为侧面剖面图，(b)为俯视图。如图4所示，溢料测定用模具包括一对上模400和下模401，上模400具有树脂注入口402。另外，下模401具有：与树脂注入口402对置的型腔403；从型腔403朝向模具外周部延伸的6条间隙404、405、406、407、408及409。实际上使用的溢料测定用模具的尺寸如图4所示，上模400及下模401的外形为140mm×140mm，树脂注入口402的上径为7mm，下径为4mm，型腔403的直径为30mm，深度为4mm。另外，从型腔403延伸的6条间隙404～409的宽度分别为5mm，深度依次为75、50、30、20、10及2μm。图5是以示意性表示使用了图4所示的溢料测定用模具的模塑时产生的溢料的图，(a)是侧面剖面图，(b)是俯视图。溢料如图5所示，表示树脂组合物 从型腔403的外延沿各间隙流入而固化的部分410。在本发明中规定的“溢料长度”是用卡尺测定由参照符号410表示的溢料的最大值得到的值。 
(引线接合性的评价) 
首先，按照图2所示的制造工序，传递模塑在先配制的各个光反射用热固化性树脂组合物，由此制作光半导体元件搭载用基板。还有，模塑条件为模塑模具温度180℃、模塑压力6.9MPa、固化时间90秒，在150℃下经过2小时，实施后固化。 
其次，在制作的上述基板的成为光半导体元件搭载区域的凹部搭载光半导体元件后，使用引线接合器(HW22U-H、九州松下电器株式会社制、商品名)及直径28μm的接合引线，引线接合光半导体元件和基板，由此将其电连接。引线接合时的基板的加热温度为180℃。引线接合性是使用普特苏特(プルテスタ一)PTR-01(株式会社雷斯卡(レスカ)制、商品名)，测定电连接光半导体元件和基板的引线接合的引线的牵引强度，关于其值，按照下述评价基准来评价。 
引线接合性的评价基准 
◎：牵引强度10g以上 
○：牵引强度4g以上且小于10g 
△：牵引强度小于4g 
×：不能接合 
[表1] 
表A1 
Figure BDA0000098404750000201
表A1(续) 
[表2] 
表A2 
Figure BDA0000098404750000221
表A2(续) 
Figure BDA0000098404750000231
[表3] 
表A3 
Figure BDA0000098404750000241
表A3(续) 
Figure BDA0000098404750000251
根据表A1～表A3可知，实施例A1～A16的树脂组合物显示优越的光反射特性，另外，抑制了传递模塑时的溢料长度，显示优越的引线接合性。从而，使用本发明的光反射用热固化性树脂组合物，制造光半导体元件搭载用基板或光半导体装置的情况下，不需要除去树脂脏污的工序，因此，在成本或制造时间等生产率方面非常有利。 
(实施例B1～B11及比较例B1～B8) 
1.光反射用热固化性树脂组合物的配制 
按照下述表B1及表B2所示的配合比例，配合各成分，利用搅拌机，充分地捏合后，利用搅拌辊，在规定条件下，进行熔融捏合，得到捏合物。进而，根据需要，对得到的捏合物实施熟化后，进行冷却，将其粉碎，由此分别配制实施例B1～B11及比较例B1～B8的光反射用热固化性树脂组合物。 
还有，表B1及B2所示的各成分的配合量的单位为重量份。另外，表中的空栏表示没有相应的成分的配合，或者不实施相应的工序。各实施例的详细情况如下所述。 
实施例B1涉及使用特定的(G)低聚物的方法。 
实施例B2涉及相对于(A)环氧树脂中的环氧基1当量的固化剂中的活性基设为0.5～0.7当量的范围的方法。 
实施例B3涉及作为(H)增稠剂追加纳米填料的方法。 
实施例B4涉及在规定条件下将树脂组合物熟化的方法。 
实施例B5涉及调节熔融捏合条件的方法(捏合时间从15分钟延长至30分钟)。 
实施例B6～B11涉及合用上述方法中的任意两个方法的情况。 
还有，在实施例B1、B6、B7及B9中使用的(G)低聚物是按照以下说明的步骤来配制。另外，对于(G)低聚物的粘度，使用研究设备有限公司(伦敦)制的ICI锥片型粘度计，在试料量0.155±0.01g、100℃下测定的结果为1000mPa·s。 
(低聚物的制作方法) 
按照表B1所示的配合条件，配合各成分，利用搅拌辊，在25℃下经过10分钟，进行熔融捏合。还有，表B1所示的配合成为相对于环氧基1当量，使酸酐基为0.1当量的比例。其次，在55℃下，经过4小时，将利用熔融捏合得到的粘土状组合物(捏合物)进行熟化。在那样的熟化后，使用口径30mm的陶瓷制乳钵，将捏合物粉碎至粒径成为1mm以下，由此得到期望的低聚物。在温度0℃以下的环境下保存得到的低聚物。 
2.光反射用热固化性树脂组合物的评价 
关于在先配制的实施例B1～B6及比较例B1～B8的各个光反射用热固化性树脂组合物，与先前的实施例相同地，测定光反射率及溢料长度。另外，与先前的实施例相同地，探讨模塑各个树脂组合物得到的基板的引线接合性，按照以下的基准，进行评价。那些结果示出在下述表B1及表B2中。 
(引线接合性的评价基准) 
◎：牵引强度10g以上 
○：牵引强度4g以上且小于10g 
△：牵引强度小于4g 
×：不能接合 
[表4] 
表B1 
Figure BDA0000098404750000271
表B1(续1) 
Figure BDA0000098404750000281
表B1(续2) 
Figure BDA0000098404750000291
[表5] 
表B2 
表B2(续) 
Figure BDA0000098404750000311
根据表B1及表B2可知，实施例B1～A11的树脂组合物显示优越的光反射特性，另外，抑制了传递模塑时的溢料长度，显示优越的引线接合性。因此，使用本发明的光反射用热固化性树脂组合物，制造光半导体元件搭载用基板或光半导体装置的情况下，不需要除去树脂脏污的工序，因此，在成本或制造时间等生产率方面非常有利。另外，使用了(G)低聚物的情况下，能够减少单体成分的残留量，因此，除了能够提高引线接合性之外，还能够避免所谓的基板模塑时的模具脏污及模塑品的脱模性的降低的不妥善情况，得到具有优越的外观的模塑基板。 
(实施例C1～C3及比较例C1、C2) 
1.光反射用热固化性树脂组合物的配制 
按照下述表C1所示的配合比例，配合各成分，利用搅拌机，充分地捏合后，利用搅拌辊，进行熔融捏合，由此得到捏合物。进而，将得到的捏合物冷却至室温，将其粉碎，由此分别配制实施例C1～C3、比较例C1及C2的光反射用热固化性树脂组合物。还有，表C1所示的各成分的配合量的单位为重量份。另外，表中的空栏表示没有相应的成分的配合。 
2.光反射用热固化性树脂组合物的评价 
关于在先配制的实施例C1～C3及比较例C1、C2的光反射用热固化性树脂组合物，与先前的实施例相同地，测定光反射率及溢料长度。另外，与先前的实施例相同地，探讨模塑各个树脂组合物得到的基板的引线接合性，按照以下的基准，进行评价。那些结果示出在下述表C1中。 
(引线接合性的评价基准) 
◎：牵引强度10g以上 
○：牵引强度4g以上且小于10g 
△：牵引强度小于4g 
×：不能接合 
[表6] 
表C1 
表C(续) 
Figure BDA0000098404750000341
注释：(*)模具内的树脂的流动性不良，因此，不能测定。 
根据表C1可知，实施例C1～C3的光反射用热固化性树脂组合物显示优越的光反射特性，另外，抑制了传递模塑时的溢料长度，显示优越的引线接合性。C3CIC酸由于其特征性化学结构，明确的是，不仅能够提高模塑体的机械强度，而且，这些还有效地抑制溢料。但是，作为固化剂，单独使用C3CIC酸的情况下，处于组合物的流动性变差的倾向，因此可知，优选与HHPA等其他固化剂组合使用。使用本发明的光反射用热固化性树脂组合物，制造光半导体元件搭载用基板或光半导体装置的情况下，不需要除去树脂脏污的工序，因此，在成本或制造时间等生产率方面非常有利。 
(实施例D1～D5及比较例D1～D3) 
1.光反射用热固化性树脂组合物的配制 
按照下述表D1所示的配合比例，配合各成分，利用搅拌机，充分地捏合后，利用搅拌辊，进行熔融捏合，由此得到捏合物。进而，将得到的捏合物冷却至室温，将其粉碎，由此分别配制实施例D1～D5、比较例D1～D3的光反射用热固化性树脂组合物。还有，表D1所示的各成分的配合量的单位为重量份。另外，表中的空栏表示没有相应的成分的配合。 
2.光反射用热固化性树脂组合物的评价 
关于在先配制的实施例D1～D5及比较例D1～D3的光反射用热固化性树脂组合物，与先前的实施例相同地，测定光反射率及溢料长度。还有，为了探讨耐久性，光反射率的测定是在试片的模塑后、和在150℃下加热 72小时后实施。另外，与先前的实施例相同地，探讨模塑各个树脂组合物得到的基板的引线接合性，按照以下的基准，进行评价。那些结果示出在下述表D1中。 
(引线接合性的评价基准) 
◎：牵引强度10g以上 
○：牵引强度4g以上且小于10g 
△：牵引强度小于4g 
×：不能接合 
[表7] 
表D1 
Figure BDA0000098404750000361
表D1(续) 
Figure BDA0000098404750000371
根据表D1可知，实施例D1～D5的光反射用热固化性树脂组合物显示优越的光反射特性，另外，抑制了传递模塑时的溢料长度，显示优越的引线接合性。进而还可知，固化物(模塑基板)的光反射特性难以老化。因此，使用本发明的光反射用热固化性树脂组合物，制造光半导体元件搭载用基板或光半导体装置的情况下，不需要除去树脂脏污的工序，因此，在成本或制造时间等生产率方面非常有利。另外还可知，通过使用本发明的光反射用热固化性树脂组合物，还能够效率良好地制造能够在可见光到近紫外线区域中保持高的反射率的光半导体元件搭载用基板。 
(实施例E1～E8) 
按照表E1所示的配合比例，配合各成分，利用搅拌机，充分地捏合后，利用搅拌辊，进行熔融捏合，由此得到捏合物。进而，将得到的捏合物冷却至室温，将其粉碎，由此分别配制实施例E1～E8的光反射用热固化性树脂组合物。还有，表E1所示的各成分的详细情况如上所述，各配合量的单位为重量份。 
关于在先配制的实施例E1～E8的光反射用热固化性树脂组合物，与先前的实施例相同地，测定光反射率及溢料长度。另外，与先前的实施例相同地，探讨模塑各个树脂组合物得到的基板的引线接合性，按照以下的基准，进行评价。那些结果示出在下述表E1中。 
(引线接合性的评价基准) 
◎：牵引强度10g以上 
○：牵引强度4g以上且小于10g 
△：牵引强度小于4g 
×：不能接合 
[表8] 
表E1 
Figure BDA0000098404750000391
表E1(续) 
Figure BDA0000098404750000401
根据表E1可知，实施例E1～E8的光反射用热固化性树脂组合物显示优越的光反射特性，另外，传递模塑时的溢料的抑制效果高，显示更优越的引线接合性。这样，通过适当地组合配合各构成成分，还能够进一步条引线接合性。从而，使用本发明的光反射用热固化性树脂组合物，制造光半导体元件搭载用基板或光半导体装置的情况下，不需要除去树脂脏污的工序，因此，在成本或制造时间等生产率方面非常有利。 
从以上的说明明确可知，在不违背本发明的精神和范围的情况下，可以构成广泛地不同的实施方式，除了本发明的限定于请求的范围之外，不限制于其特定的实施方式。 

Claims (5)

1.一种光反射用热固化性树脂组合物，其特征在于，含有(A)环氧树脂、与所述(A)环氧树脂一同使用的(B)固化剂和(E)白色颜料，
所述(B)固化剂含有环己烷三羧酸酐，
所述环己烷三羧酸酐为由下述结构式(I)表示的化合物，
Figure FDA0000098404740000011
2.一种光半导体元件搭载用基板，其特征在于，
其是使用权利要求1所述的光反射用热固化性树脂组合物来构成的。
3.一种光半导体元件搭载用基板，其特征在于，其是形成有一个以上成为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用基板，
至少所述凹部的内周侧面是由权利要求1所述的光反射用热固化性树脂组合物构成的。
4.一种光半导体搭载用基板的制造方法，其特征在于，
所述光半导体搭载用基板是形成有一个以上成为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用基板，
至少将所述凹部利用使用了权利要求1所述的光反射用热固化性树脂组合物的传递模塑来形成。
5.一种光半导体装置，其中，至少具备：
权利要求3所述的光半导体元件搭载用基板；
在所述光半导体元件搭载用基板的凹部底面搭载的光半导体元件；以覆盖所述光半导体元件的方式在所述凹部内形成的含荧光体透明密封树脂层。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1594426A (zh) * 2003-06-30 2005-03-16 三菱瓦斯化学株式会社 热固性树脂组合物及其应用
JP2005089710A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2005042630A2 (en) * 2003-11-04 2005-05-12 Huntsman Advanced Materials (Switzerland) Gmbh Two component curable compositions
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1594426A (zh) * 2003-06-30 2005-03-16 三菱瓦斯化学株式会社 热固性树脂组合物及其应用
JP2005089710A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2005042630A2 (en) * 2003-11-04 2005-05-12 Huntsman Advanced Materials (Switzerland) Gmbh Two component curable compositions
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。

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