JP2013030648A - 表面実装型発光装置 - Google Patents

表面実装型発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013030648A
JP2013030648A JP2011166363A JP2011166363A JP2013030648A JP 2013030648 A JP2013030648 A JP 2013030648A JP 2011166363 A JP2011166363 A JP 2011166363A JP 2011166363 A JP2011166363 A JP 2011166363A JP 2013030648 A JP2013030648 A JP 2013030648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
reflector
light
emitting element
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011166363A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5682497B2 (ja
Inventor
Toshio Shiobara
利夫 塩原
Yusuke Taguchi
雄亮 田口
Tsutomu Kashiwagi
努 柏木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2011166363A priority Critical patent/JP5682497B2/ja
Priority to MYPI2012003283A priority patent/MY164773A/en
Priority to TW101126825A priority patent/TWI535064B/zh
Priority to EP12178090.2A priority patent/EP2551928B1/en
Priority to CN201210329937.4A priority patent/CN102903834B/zh
Priority to KR1020120082151A priority patent/KR101959568B1/ko
Priority to US13/559,676 priority patent/US20130026522A1/en
Publication of JP2013030648A publication Critical patent/JP2013030648A/ja
Priority to US13/956,461 priority patent/US8846420B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5682497B2 publication Critical patent/JP5682497B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent

Abstract

【課題】耐衝撃強度が高く、かつ接着性、耐変色性の良好な表面実装型発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子２と、発光素子を搭載するための第一リード１１と、発光素子と電気的に接続される第二リード１２とを一体成形してなるリフレクター１と、発光素子を被覆する封止樹脂組成物の硬化物４とを有する表面実装型発光装置であって、リフレクターは熱硬化性樹脂組成物で成形され、底面と側面とを持つ凹部が形成されており、凹部の側面の樹脂壁厚みが５０〜５００μｍで、封止樹脂組成物は硬化物の硬度がショアＤで３０以上ある熱硬化性樹脂組成物である。
【選択図】図４

Description

本発明は、衝撃強度に優れ、かつ優れた耐熱性、耐光性を有する表面実装型発光装置に関するものである。
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光半導体素子は、街頭ディスプレイや自動車ランプ、住宅用照明など種々のインジケータや光源として利用されるようになっている。ＬＥＤ用リフレクター材料として、ポリフタルアミド樹脂（ＰＰＡ）等の熱可塑性樹脂が大量に使用されている。また、最近は酸無水物を硬化剤としたエポキシ樹脂等もリフレクター用材料として使用されてきている。一方、最近の液晶テレビのバックライトや一般照明用光源としてＬＥＤ素子の高輝度化が急速にすすんでいる。この用途はＬＥＤの信頼性や耐久性に対する要求も厳しく、従来からリフレクターとして使用されているＰＰＡ等の熱可塑性樹脂や液晶ポリマー、あるいはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂では熱と光を同時に受けるような環境で劣化が激しく、樹脂が変色し光の反射率が低下するためリフレクターとしては使用できない。
ＬＥＤ用リフレクター材料としてシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が使用できることは既に特許文献１〜６、８，９に記載されている。また、マトリックスアレー型リフレクターについては特許文献７に記載されている。
現在、上記の熱硬化性樹脂で製造されたＬＥＤ用リフレクターが実用化されているが、リフレクターを形成する側面の壁の厚みが一層薄くなり、１００μｍ程度のものが多くなってきた。従来から使用されているＰＰＡ等の熱可塑性樹脂や液晶ポリマーのリフレクターの場合、側面の厚みが薄くなっても樹脂そのものが強靭であることから大きな問題とはならなかった。
これに対し、熱硬化性樹脂は一般に熱可塑性樹脂に比べ脆いことから、最近の熱硬化性樹脂で製造されたリフレクターは衝撃により容易に破壊されるといった不具合が発生し、大きな問題となっている。
なお、本発明に関連する従来技術として、上述した文献と共に下記文献が挙げられる。
特開２００６−１５６７０４号公報 特開２００７−３２９２１９号公報 特開２００７−３２９２４９号公報 特開２００８−１８９８２７号公報 特開２００６−１４０２０７号公報 特開２００７−２３５０８５号公報 特開２００７−２９７６０１号公報 特開２００９−２１３９４号公報 特開２００９−１５５４１５号公報
本発明は、上記のような問題点を改善するため、種々検討した結果、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクターと封止樹脂組成物としてショアＤで３０以上の硬化物硬度を持った熱硬化性樹脂組成物を使用することで、衝撃強度に優れ、かつ優れた耐熱性、耐光性を有する表面実装型発光装置を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、熱硬化性樹脂組成物で成形したリフレクターの凹部側面の壁厚みが薄くなると凹部に注入し硬化させたシリコーン樹脂組成物等の封止樹脂組成物の硬化物の硬度によって発光装置の耐衝撃強度が大きく影響されることを見出すと共に、熱硬化性樹脂組成物にて成形したリフレクターの壁厚みを５０〜５００μｍとした場合、封止樹脂組成物の硬化物をショアＤ硬度３０以上とすることにより、耐衝撃強度が高く、しかも接着性、耐変色性の良好な表面実装型発光装置が得られることを知見し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記に示す表面実装型発光装置を提供する。
〔請求項１〕
発光素子と、発光素子を搭載するための第一リードと、発光素子と電気的に接続される第二リードとを一体成形してなるリフレクターと、発光素子を被覆する封止樹脂組成物の硬化物とを有する表面実装型発光装置であって、リフレクターは熱硬化性樹脂組成物で成形され、底面と側面とを持つ凹部が形成されており、凹部の側面の樹脂壁厚みが５０〜５００μｍで、封止樹脂組成物は硬化物の硬度がショアＤで３０以上ある熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とする表面実装型発光装置。
〔請求項２〕
リフレクターが硬化性エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、又はシリコーン・エポキシ混成樹脂組成物を成形することにより形成された請求項１記載の表面実装型発光装置。
〔請求項３〕
封止樹脂組成物が硬化性シリコーン樹脂組成物、又はシリコーン・エポキシ混成樹脂組成物である請求項１記載の表面実装型発光装置。
本発明によれば、耐衝撃強度が高く、かつ接着性、耐変色性の良好な表面実装型発光装置を提供することができる。
成形後のマトリックス型リフレクターの一例を示す斜視図である。 マトリックス型リフレクター基板をダイシングし個片化したリフレクターを示す平面図である。 図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図２のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 発光装置の破壊強度を測定する方法を説明する概略図である。
本発明の表面実装型発光装置において、リフレクターは、熱硬化性樹脂組成物を成形することによって得られる。
本発明のリフレクターの形成に使用する熱硬化性樹脂組成物としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、更にはシリコーン樹脂とエポキシ樹脂の混成樹脂組成物等が例示される。
エポキシ樹脂組成物としては、エポキシ樹脂として、ビスフェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂等、硬化剤として、酸無水物、各種フェノール樹脂、各種アミン化合物等を使用することができる。
なかでも、エポキシ樹脂組成物としてトリアジン誘導体エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を含有する熱硬化性樹脂組成物が耐熱性や耐光性が優れていることから特に望ましいものである。
シリコーン樹脂組成物としては、縮合型や付加型の熱硬化性シリコーン樹脂組成物を代表的なものとして例示することができる。
縮合型のシリコーン樹脂組成物としては、下記平均組成式（１）
Ｒ1 aＳｉ（ＯＲ2）b（ＯＨ）cＯ(4-a-b-c)/2 （１）
（式中、Ｒ1は同一又は異種の炭素数１〜２０の一価の炭化水素基、Ｒ2は同一又は異種の炭素数１〜４の一価の炭化水素基を示し、０．８≦ａ≦１．５、０≦ｂ≦０．３、０．００１≦ｃ≦０．５、０．８０１≦ａ＋ｂ＋ｃ＜２を満たす数である。）
で示されるようなシリコーン樹脂と縮合触媒を含むものが代表的なものである。
付加型シリコーン樹脂組成物は、ビニル基を含有するシリコーン樹脂、硬化剤としてヒドロシリル基を有するシリコーン樹脂、白金触媒を含むシリコーン樹脂組成物を挙げることができる。
シリコーン・エポキシ混成樹脂組成物としては、トリアジン誘導体エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、酸無水物、硬化促進剤を含む熱硬化性エポキシ・シリコーン樹脂組成物が硬化性に優れ、耐熱性、耐光性に優れると共に、良好な強度を有することから望ましい。
この場合、成形性や良好な硬化物物性を得るために、予めエポキシ樹脂及び／又は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有するシリコーン樹脂と酸無水物を予備反応させ、重合度を高めたものを使用することもできる。
特に５００ｎｍ以下の光を発光する高輝度の発光素子を搭載するリフレクターには、シリコーン樹脂やシリコーン樹脂とエポキシ樹脂等の混成樹脂を使用する。エポキシ樹脂や熱可塑性のポリフタルアミド等を使用すると発光時の発熱や短波長の光により樹脂が分解し、変色することで光反射率が低下し、光の取り出し効率が低下する。
このため、耐熱性や耐光性が最も優れているシリコーン樹脂が望ましいものである。シリコーン樹脂の中でもメチル基含有量の多いシリコーン樹脂がよい。
本発明に係るリフレクター形成用熱硬化性樹脂組成物には、無機充填剤を配合することができる。無機充填剤としては、通常樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、溶融球状シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、平均粒径は通常５〜４０μｍである。なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ50（又はメジアン径）として求めることができる。特に溶融シリカ、溶融球状シリカが用いられ、その粒径は特に限定されるものではないが、成形性、流動性からみて、平均粒径は４〜４０μｍ、特には７〜３５μｍが好ましい。
以上のようなリフレクター形成用熱硬化性樹脂組成物としては、市販の熱硬化性樹脂組成物を使用することができる。
なお、リフレクターの強度、靭性を高めるために、リフレクター形成用熱硬化性樹脂組成物には、下記のようなものを配合することもできる。例えば、ガラス繊維やホウ珪酸ガラス、ロックウールのような非晶質繊維、アルミナ繊維のような多結晶繊維、チタン酸カリウム、珪酸カルシウム、珪酸ガラス、ホウ酸アルミニウムのような単結晶繊維、更には硫酸マグネシウム、炭化珪素、窒化珪素等が挙げられ、どのタイプでも構わない。
無機充填剤の配合量は、樹脂１００質量部に対して５０〜１２００質量部、特には３００〜１０００質量部であることが好ましい。
白色のリフレクターを得るためには、下記のような白色顔料を併用してもよい。
白色顔料としては二酸化チタンを用いることが好ましく、この二酸化チタンの単位格子はルチル型、アナタース型、ブルカイト型のどれでも構わないが、ルチル型が好ましく使用される。また、平均粒径や形状も限定されないが、平均粒径は通常０．０５〜５．０μｍである。上記二酸化チタンは、樹脂や無機充填剤との相溶性、分散性を高めるため、ＡｌやＳｉ等の含水酸化物などで予め表面処理することができる。
また、白色顔料（白色着色剤）として、二酸化チタン以外にチタン酸カリウム、酸化ジルコン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等を単独で又は二酸化チタンと併用して使用することもできる。
白色顔料の配合量は、樹脂１００質量部に対して１０〜５００質量部、特には５０〜３００質量部であることが好ましい。
上記無機充填剤は、樹脂と無機充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
リフレクター形成用熱硬化性樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々のシリコーンパウダー、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル，グリセリン酸エステル，ステアリン酸亜鉛，ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤などの添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。
上記のような熱硬化性樹脂組成物を硬化させた硬化物の３５０〜８００ｎｍでの光反射率は初期値で８０％以上であることが好ましい。より望ましくは９０％以上である。
本発明の熱硬化性樹脂組成物を用いてリフレクターを成形する最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形や圧縮成形法が挙げられる。なお、本発明の樹脂組成物の成形温度は１３０〜１８５℃で３０〜１８０秒間行うことが望ましい。後硬化は１５０〜１８５℃で１〜８時間行ってもよい。
本発明で使用する発光素子搭載用表面実装型リフレクターの一実施形態を図１〜４に示す。
リフレクター１としては、発光素子２を搭載するための第一リード（ダイパッド）１１と発光素子２と電気的に接続される第二リード（発光素子電極と外部電極とを接続するためのリード）１２を有する金属リードフレーム１０の第一及び第二リード間の空隙部分に上記熱硬化性樹脂組成物を供給し、第一リード表面と第二リードの先端表面部分が露出した底面をなす凹形状を形成するように成形する。このように熱硬化性樹脂組成物で成形されたリフレクターは、金属リードフレーム上に１００〜３００個程度マトリックス状にリフレクターとなる凹部が配列された状態で成形された基板が例示される。
マトリックス状に配列したリフレクター基板の場合は、リフレクター基板を切断する前に、それぞれのリフレクターの凹部に存在する第一リード（ダイパッド）１１上に発光素子２をシリコーンダイボンド剤を用いて固定し、例えば１５０℃で１時間加熱することで発光素子を固着させることができる。その後、金線３で発光素子２と第二リード１２先端を電気的に接続し、封止樹脂組成物４として、透明なシリコーン樹脂組成物、シリコーン・エポキシ混成樹脂組成物、蛍光体等を配合したシリコーン樹脂組成物などをポッティングによりリフレクターの凹部に流し込み、例えば１２０℃で１時間、更に１５０℃で２時間加熱硬化させることで封止する。この種の封止樹脂組成物による封止はポッティングによる方法、あるいはトランスファー成形や圧縮成形等の封止方法を用いることでレンズ形状などを同時に形成することもできる。
その後、ダイシング、レーザー加工、ウォータージェット加工等でマトリックス状に配列した成形基板を切断し、リフレクターを個片、単体化する。
このようにして得ることができる本発明の光素子用リフレクターは、発光素子と、発光素子を搭載するための第一リードと、発光素子と電気的に接続される第二リードとを一体成形してなる熱硬化性樹脂組成物で成形され、底面と側面とを持つ凹部が形成されている。マトリックス状に成形する場合、単位面積当たりできるだけ多数のリフレクターを製造するにはリフレクターの凹部の側面の樹脂厚みを薄くする必要がある。そのため、通常は凹部の側面の樹脂壁厚みが５０〜５００μｍのものである。５０μｍより薄いと樹脂厚が薄すぎて取り扱い時に割れやすく、５００μｍより厚いと単位面積当たりの取り個数が減少してしまうことからコストが高くなる。望ましくは１００〜３００μｍである。
本発明においては、前述したように、高輝度ＬＥＤ等の発光素子の封止を行う封止樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂組成物を用いる。この封止用熱硬化性樹脂組成物としては、シリコーン樹脂組成物、シリコーン・エポキシ混成樹脂組成物等を用いることができ、特に伸びのあるシリコーン樹脂組成物が好ましい。
熱硬化性のシリコーン樹脂組成物としては、ジメチルシリコーン、メチル・フェニル系シリコーン樹脂など各種のシリコーン樹脂を主成分とするものがあり、樹脂の構造によっては硬化物硬度がショアＡで測定できるやわらかいものや、ショアＤで測定できる硬いものまでを製造することができる。この場合、硬化型としては、付加硬化型、有機過酸化物硬化型等のいずれのものでもよく、硬化型に応じた公知の硬化剤が使用し得る。
封止樹脂組成物としては、耐熱性、耐候性、耐光性に優れ、かつ透明性に優れた硬化物を与えるものが望ましく、また封止樹脂組成物には、フィラー、ガラス繊維、拡散材、顔料、発光素子からの光を吸収し、波長変換する蛍光体等からなる群から選択される１種以上を混合することもできる。
上記封止用熱硬化性樹脂組成物としては、その硬化物のショアＤ硬度が３０以上、好ましくは３０〜７０、更に好ましくは３０〜６０のものを使用する。
即ち、従来から多用されている熱可塑性樹脂製のリフレクターを使用した発光装置の封止樹脂組成物としては、硬化物の硬度がショアＤで３０未満のものが耐クラック性やワイヤオープン等の信頼性を維持するために使用されているが、本発明では、熱硬化性樹脂で製造されたリフレクターを使用する場合、発光素子を保護する封止樹脂としてショアＤで３０以上の硬度をもったものでなければならない。ショアＤで３０未満のもので封止した発光装置は外部の衝撃により容易に装置が破壊されてしまう。
この場合、上記熱硬化性樹脂組成物、特にシリコーン樹脂組成物としては、市販品を使用することができ、市販品の中から硬化物のショアＤ硬度が上記値のものを選択して使用することができる。
本発明の表面実装型発光装置は、リフレクターがシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂でできていることから耐熱性、耐光性が優れており、従来のポリフタルアミド（ＰＰＡ）等の熱可塑性樹脂でできているものに比べ高輝度のＬＥＤを収納し、高電流を流しても発光装置の劣化はない。そのため、照明器具、ディスプレイ、液晶テレビのバックライトユニット等に利用できる。
本発明では熱硬化性樹脂で製造されたリフレクターは、リードフレームと強固に接着しているため熱可塑性樹脂に比べてワイヤへの影響も少なく、従来使えなかった硬度の樹脂でも信頼性に問題がないものである。
以下、合成例、参考例、実施例及び比較例で本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
［合成例１］
メチルトリクロロシラン１００質量部、トルエン２００質量部を１Ｌのフラスコに入れ、これらの混合液に、氷冷下で水８質量部、及びイソプロピルアルコール６０質量部の混合液を滴下した。フラスコ内液温−５〜０℃で５〜２０時間かけて滴下し、その後得られた反応液を加熱して還流温度で２０分間撹拌した。それから該反応液を室温まで冷却し、水１２質量部を３０℃以下の温度で３０分間かけて滴下し、その後２０分間撹拌した。得られた混合液に更に水２５質量部を滴下後、４０〜４５℃で６０分間撹拌した。こうして得た混合液に水２００質量部を加えて分離した有機層を採取した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後共沸脱水、濾過、減圧ストリップに供することにより、下記式（２）で示される無色透明の固体（融点７６℃）として３６．０質量部の熱硬化性オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を得た。
（ＣＨ3）1.0Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）0.07（ＯＨ）0.10Ｏ1.4 （２）
［合成例２］
ジメチルジクロロシラン１２９質量部、オクタメチルサイクリックシロキサン１４８３質量部を混合し、発煙硝酸２６質量部を滴下し、３０〜３５℃にて２時間撹拌後、４５〜５５℃で１６時間撹拌し、冷却を行い、下記式（３）で示される両末端ジクロロ直鎖状ポリジメチルシロキサン１，５４８質量部を得た。
ＣｌＭｅ2ＳｉＯ（Ｍｅ2ＳｉＯ）19ＳｉＭｅ2Ｃｌ （３）
（塩素含有率は０．１３ｍｏｌ／１００ｇ、２５℃における動粘度は２５ｍｍ2／ｓ。）
次いで、水３５０質量部を５Ｌのフラスコに入れ、上記式（３）で示される両末端ジクロロ直鎖状ポリジメチルシロキサン３４．７質量部、トリクロロフェニルシラン５８．９質量部、メチルビニルジクロロシラン６．４質量部及びトルエン６５．７質量部の混合液を滴下した。フラスコ内液温２５〜４０℃で３〜５時間かけて滴下し、その後得られた反応液を２５〜４０℃で６０分間撹拌した。該混合液から有機層を採取し、該有機層を中性になるまで洗浄した後、共沸脱水を行い、不揮発分を５０％に調整した。これに２８質量％アンモニア水を０．３質量部加え、２５〜４０℃で３０分間撹拌した後、共沸脱水を行った。その後、氷酢酸０．０６質量部を加えて液性を酸性にし、再度共沸脱水を行った。得られた溶液を濾過、減圧ストリップに供することにより、下記式（４）で示される無色透明の固体を６７．５質量部得た。
［（Ｍｅ2ＳｉＯ）21］0.57（ＰｈＳｉＯ1.5）0.37（ＭｅＶｉＳｉＯ）0.06 （４）
［参考例］
リフレクターの製造（１）
合成例１の熱硬化性シリコーン樹脂８０質量部、合成例２の２０質量部、酸化チタンはルチル型Ｒ−４５Ｍ（堺化学工業（株）製商品名、平均粒径０．２９μｍ）１６０質量部、溶融球状シリカはＭＳＲ−４５００ＴＮ（（株）龍森製商品名、平均粒径４５μｍ）５４０質量部、触媒１質量部、離型剤はステアリン酸カルシウム１質量部を配合し、均一に混合した後、熱二本ロールで混練することで白色のシリコーン樹脂組成物を得た。
このシリコーン樹脂組成物で全面銀メッキした銅リードフレームを用い、図１のマトリックスタイプの凹型リフレクター（１）を下記の成形条件でトランスファー成形し作製した。
成形条件は下記の通り。
成形温度：１７０℃、成形圧力：７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間：３分間
更にポストキュアを１７０℃で２時間行った。
リフレクターの製造（２）
合成例１の熱硬化性シリコーン樹脂３７質量部、トリアジン誘導体エポキシ樹脂（トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート（ＴＥＰＩＣ−Ｓ：日産化学（株）製商品名、エポキシ当量１００））２８質量部、酸無水物（炭素炭素二重結合不含有酸無水物：メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（リカシッドＭＨ：新日本理化（株）製商品名））３５質量部、酸化チタンはルチル型Ｒ−４５Ｍ（堺化学工業（株）製商品名、平均粒径０．２９μｍ）１６０質量部、溶融球状シリカはＭＳＲ−４５００ＴＮ（（株）龍森製商品名、平均粒径４５μｍ）５４０質量部、触媒１質量部、離型剤はステアリン酸カルシウム１質量部を配合し、均一に混合した後、熱二本ロールで混練することで白色のシリコーン樹脂組成物を得た。
このシリコーン樹脂組成物で全面銀メッキした銅リードフレームを用い、図１のマトリックスタイプの凹型リフレクター（２）を下記の成形条件でトランスファー成形し作製した。
成形条件は下記の通り。
成形温度：１７０℃、成形圧力：７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間：３分間
更にポストキュアを１７０℃で２時間行った。
［実施例及び比較例］
成形したマトリックスタイプのリフレクターのそれぞれの凹状の底辺に露出したリードフレーム上に青色ＬＥＤ素子をシリコーンダイボンド剤（品名：ＬＰＳ６３２Ｄ、信越化学工業（株）製）で接着固定し、金線でもう一方のリード部と素子電極を電気的に接続した。その後、表１に示した硬化物の硬度が異なるシリコーン封止樹脂組成物をＬＥＤ素子が配置された凹部開口部内にそれぞれ注入し、１２０℃で１時間、更に１５０℃で１時間硬化させ、封止した。
このマトリックスタイプのリフレクターをダイシングすることで個片化した。
個片化したリフレクターの側面の厚みをダイシングすることで１００μｍ、２００μｍ、３００μｍになるように切断した。リフレクターの側面の厚みを４０μｍで切断しようとしたが、厚みが薄すぎてダイシング時に側面にクラックが発生し、４０μｍの厚みのリフレクターは製造できなかった。
また、比較のため、従来のポリフタルアミド（ＰＰＡ）で製造したリフレクターで側面の厚みが１００μｍのリフレクターを使用して同様の発光装置を製造した。
Figure 2013030648
※ ＫＪＲ９０２２、ＬＰＳ５４００、ＬＰＳ５５４７Ｆ、ＬＰＳ５５５５Ｆ、ＫＪＲ６３２は、いずれも信越化学工業（株）製のシリコーン樹脂組成物である。
シリコーン樹脂組成物の特性は、１２０℃で１時間、１５０℃で１時間硬化させた後、室温で測定した。
発光装置の破壊強度の測定方法
図５に示したように、実施例、比較例で製造した発光装置２０の底面を接着剤２１で基板２２に固定し、リフレクターの側面をプッシュ・プルゲージで加圧することで破壊強度を測定した。加圧速度は１００μｍ／秒で測定した。結果を表２に示す。
リフロー後の接着と変色の評価
これら個片型した実施例１〜７、比較例１〜３で組み立てた発光装置を用い、２５℃，８０％の雰囲気中に４８時間放置した後、２６０℃のリフロー炉に３回通した。その後、リフレクター表面や素子表面と封止樹脂との接着不良を調べた。また、リフロー後のリフレクター表面の変色も観察した。
また、−４０℃／３０分→１００℃／３０分のヒートショックを行い、信頼性を測定した。結果を表２に示す。
Figure 2013030648
（リフロー、ヒートショック試験は各ｎ＝１０で行い、不良率を表す。）
※ 比較例２，３のリフローの不良モードはＡｇメッキ面との剥離であり、ヒートショックの不良モードはワイヤオープンであった。
１ リフレクター
２ 発光素子
３ 金線
４ 発光素子を保護する熱硬化性樹脂組成物
１０ 金属リードフレーム
１１ 第一リード
１２ 第二リード
２０ 発光装置
２１ 接着剤
２２ 基板

Claims (3)

  1. 発光素子と、発光素子を搭載するための第一リードと、発光素子と電気的に接続される第二リードとを一体成形してなるリフレクターと、発光素子を被覆する封止樹脂組成物の硬化物とを有する表面実装型発光装置であって、リフレクターは熱硬化性樹脂組成物で成形され、底面と側面とを持つ凹部が形成されており、凹部の側面の樹脂壁厚みが５０〜５００μｍで、封止樹脂組成物は硬化物の硬度がショアＤで３０以上ある熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とする表面実装型発光装置。
  2. リフレクターが硬化性エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、又はシリコーン・エポキシ混成樹脂組成物を成形することにより形成された請求項１記載の表面実装型発光装置。
  3. 封止樹脂組成物が硬化性シリコーン樹脂組成物、又はシリコーン・エポキシ混成樹脂組成物である請求項１記載の表面実装型発光装置。
JP2011166363A 2011-07-29 2011-07-29 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板 Active JP5682497B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011166363A JP5682497B2 (ja) 2011-07-29 2011-07-29 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
MYPI2012003283A MY164773A (en) 2011-07-29 2012-07-19 Surface-mount light emitting device
TW101126825A TWI535064B (zh) 2011-07-29 2012-07-25 A method of manufacturing a surface mount type light emitting device, and a reflector substrate
EP12178090.2A EP2551928B1 (en) 2011-07-29 2012-07-26 Surface-mount light emitting device
CN201210329937.4A CN102903834B (zh) 2011-07-29 2012-07-27 表面安装的发光器件
KR1020120082151A KR101959568B1 (ko) 2011-07-29 2012-07-27 표면 실장형 발광 장치
US13/559,676 US20130026522A1 (en) 2011-07-29 2012-07-27 Surface-mount light emitting device
US13/956,461 US8846420B2 (en) 2011-07-29 2013-08-01 Surface-mount light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011166363A JP5682497B2 (ja) 2011-07-29 2011-07-29 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013030648A true JP2013030648A (ja) 2013-02-07
JP5682497B2 JP5682497B2 (ja) 2015-03-11

Family

ID=46578934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011166363A Active JP5682497B2 (ja) 2011-07-29 2011-07-29 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20130026522A1 (ja)
EP (1) EP2551928B1 (ja)
JP (1) JP5682497B2 (ja)
KR (1) KR101959568B1 (ja)
CN (1) CN102903834B (ja)
MY (1) MY164773A (ja)
TW (1) TWI535064B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015216192A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2015216197A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2015216206A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2016111210A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 信越化学工業株式会社 ダイボンド材を用いた導電接続方法及び光半導体装置
JP2016115947A (ja) * 2014-07-30 2016-06-23 高玉宇 蛍光複合樹脂基板白色発光ダイオード

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9831407B2 (en) * 2013-11-21 2017-11-28 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package, backlight unit, illumination apparatus, and method of manufacturing light emitting device package
US9691959B2 (en) 2013-12-19 2017-06-27 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device package
JP6457225B2 (ja) * 2014-09-25 2019-01-23 株式会社小糸製作所 発光装置
JP6264366B2 (ja) * 2015-01-30 2018-01-24 日亜化学工業株式会社 キャリアテープ及び梱包体
CN105870293B (zh) * 2015-01-30 2019-12-13 日亚化学工业株式会社 载带以及包装体
JP6517043B2 (ja) * 2015-02-25 2019-05-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 光結合装置、光結合装置の製造方法および電力変換システム
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
JP7065381B2 (ja) * 2016-07-19 2022-05-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光反射体、ベース体、発光装置及びベース体の製造方法
JP6816402B2 (ja) * 2016-08-12 2021-01-20 セイコーエプソン株式会社 表示装置および表示装置の制御方法
CN106356437B (zh) * 2016-09-30 2019-07-26 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led封装器件及其制备方法
CN109950387B (zh) * 2019-03-22 2020-08-04 东莞市谷麦光学科技有限公司 一种大功率led的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003179269A (ja) * 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
JP2007131758A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Kaneka Corp シリコーン系重合体粒子を含有するシリコーン系組成物
JP2007246894A (ja) * 2006-02-20 2007-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 加熱硬化性シリコーン組成物
JP2010031149A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物
JP2010129698A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Toshiba Corp 発光装置、バックライト、および液晶表示装置
JP2010182770A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Apic Yamada Corp Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法、及び金型
JP2010226091A (ja) * 2009-02-24 2010-10-07 Nichia Corp 発光装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
MY145695A (en) 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3939177B2 (ja) * 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
JP4300418B2 (ja) * 2004-04-30 2009-07-22 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
JP5060707B2 (ja) 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US7592399B2 (en) * 2005-12-19 2009-09-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy/silicone hybrid resin composition and optical semiconductor device
JP5232369B2 (ja) 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
EP1820824B1 (en) 2006-02-20 2008-08-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat curable silicone composition
JP2007297601A (ja) 2006-04-06 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
WO2007127029A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
JP2007305844A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Stanley Electric Co Ltd 発光装置とその製造方法
JP2007329219A (ja) 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4611937B2 (ja) 2006-06-07 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置及びその製造方法
KR20090067180A (ko) * 2006-10-17 2009-06-24 씨. 아이. 카세이 가부시기가이샤 상하전극형 발광 다이오드용 패키지 집합체와 그것을 이용한 발광장치의 제조방법
JP2008189827A (ja) 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20080255283A1 (en) 2007-02-06 2008-10-16 Takayuki Aoki Thermosetting epoxy resin composition and semiconductor device
US8436371B2 (en) * 2007-05-24 2013-05-07 Cree, Inc. Microscale optoelectronic device packages
JP2009021394A (ja) 2007-07-12 2009-01-29 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
EP2540776B1 (en) * 2007-09-25 2017-08-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
JP4623322B2 (ja) 2007-12-26 2011-02-02 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法
US8637593B2 (en) * 2008-01-09 2014-01-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
JP4678415B2 (ja) * 2008-03-18 2011-04-27 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース
JP2010018786A (ja) * 2008-06-09 2010-01-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
KR20100096374A (ko) * 2009-02-24 2010-09-02 삼성엘이디 주식회사 발광장치용 봉지재료 및 이를 이용한 발광장치
US8293548B2 (en) * 2009-03-04 2012-10-23 Unilumin Group Co., Ltd. LED light module for street lamp and method of manufacturing same
JP5418592B2 (ja) * 2009-06-22 2014-02-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2010150880A1 (ja) * 2009-06-26 2010-12-29 株式会社朝日ラバー 白色反射材及びその製造方法
JP2011060819A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
CN106449937B (zh) * 2009-10-29 2020-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP2011202154A (ja) * 2010-03-01 2011-10-13 Yokohama Rubber Co Ltd:The 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体封止体
JP5545246B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-09 信越化学工業株式会社 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置
JP2012077235A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP5554680B2 (ja) * 2010-10-15 2014-07-23 スタンレー電気株式会社 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法
US20120098006A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting diode package with photoresist reflector and method of manufacturing
JP2012124249A (ja) * 2010-12-07 2012-06-28 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003179269A (ja) * 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
JP2007131758A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Kaneka Corp シリコーン系重合体粒子を含有するシリコーン系組成物
JP2007246894A (ja) * 2006-02-20 2007-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 加熱硬化性シリコーン組成物
JP2010031149A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物
JP2010129698A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Toshiba Corp 発光装置、バックライト、および液晶表示装置
JP2010182770A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Apic Yamada Corp Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法、及び金型
JP2010226091A (ja) * 2009-02-24 2010-10-07 Nichia Corp 発光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015216192A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2015216197A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2015216206A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2016115947A (ja) * 2014-07-30 2016-06-23 高玉宇 蛍光複合樹脂基板白色発光ダイオード
JP2016111210A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 信越化学工業株式会社 ダイボンド材を用いた導電接続方法及び光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102903834A (zh) 2013-01-30
EP2551928A3 (en) 2014-08-27
EP2551928B1 (en) 2018-08-22
JP5682497B2 (ja) 2015-03-11
US20130026522A1 (en) 2013-01-31
CN102903834B (zh) 2016-12-07
KR20130014401A (ko) 2013-02-07
MY164773A (en) 2018-01-30
US8846420B2 (en) 2014-09-30
EP2551928A2 (en) 2013-01-30
TW201318226A (zh) 2013-05-01
TWI535064B (zh) 2016-05-21
KR101959568B1 (ko) 2019-03-18
US20130312906A1 (en) 2013-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5682497B2 (ja) 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
JP6361761B2 (ja) 発光装置及びその製造方法並びに成形体
US8455899B2 (en) Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit
KR101939408B1 (ko) Ｌｅｄ의 리플렉터용 열경화성 실리콘 수지 조성물, 및 이를 이용한 ｌｅｄ용 리플렉터 및 광반도체 장치
EP2141201B1 (en) Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same
KR101725996B1 (ko) 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물 및 그의 제조 방법, 및 프리몰드 패키지 및 ｌｅｄ 장치
TWI432521B (zh) 白色可熱固化的矽氧樹脂組成物，光電零件的外殼，以及模製方法
JP5608955B2 (ja) 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体
JP5756054B2 (ja) Ｌｅｄのリフレクター用熱硬化性樹脂組成物並びにこれを用いたｌｅｄ用リフレクター及び光半導体装置
JP2011140550A (ja) 光学素子ケース成形用付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
JP2008189827A (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2013209479A (ja) 光半導体装置
JP5143964B1 (ja) 光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに光半導体装置用成形体
JP5281040B2 (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、プレモールドパッケージ、ｌｅｄ装置及び半導体装置
JP5924840B2 (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130726

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140701

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140825

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141229

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5682497

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150