JP5418592B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
発光素子と、
該発光素子を収納し、450μm〜550μmの深さの凹部を備え、該凹部を形成するその側壁が、前記発光素子からの光を反射させる光反射部と、前記発光素子からの光を外部に透過させる光透過部とで構成され、前記側壁の表面に前記光反射部と光透過部との界面が露出するパッケージとを含むことを特徴とする。
また別の発光装置は、
発光素子と、
該発光素子を収納し、450μm〜550μmの深さの凹部を備え、該凹部を形成するその側壁下部が、前記発光素子からの光を反射させる光反射部によって構成され、かつ前記側壁上部が、前記発光素子からの光を外部に透過させる光透過部によって構成されるパッケージと、前記凹部の内側に充填された透光性封止樹脂とを有することを特徴とする。
前記凹部の内側に、透光性封止樹脂が充填されていることが好ましい。
前記光透過部の高さは、前記光反射部の高さの30%以上であることが好ましい。
前記透光性封止樹脂は、前記光透過部と異なる材料によって形成されていることが好ましい。
図1に、本発明の一実施形態の発光装置100の概略断面図を示す。
図1に示す発光装置は、少なくとも、発光素子101と、発光素子101からの配光を制御し得るパッケージ102とを備える。
パッケージ102は、発光素子101を収納し、内部に発光素子101を収納し、その上から透光性封止樹脂105を充填するための凹部102aを備える。この凹部102aを形成するパッケージ102の側壁には、発光素子101からの光を反射させる光反射部103と、発光素子からの光を外部に透過させる光透過部104とを備えている。
光反射部103と光透過部104とは、必ずしも一体として形成されていなくてもよいが、パッケージにおいて一体として備えていることが好ましい。ここで「一体として備える」とは、光反射部103と光透過部104との双方の部材でパッケージ102の側壁を形成していることを意味する。言い換えると、パッケージ102の凹部102aを形成する側壁自体に、光反射部103と光透過部104との界面が存在していることを意味する。なお、パッケージは、光反射部103と光透過部104とを一体として備えるか否かにかかわらず、光反射部103と光透過部104との端面が、パッケージ102の側壁を略面一となるように配置していることが好ましいが、例えば、曲面を構成していてもよいし、光反射部103と光透過部104とがそれぞれ異なる角度で傾斜していてもよいし、段を有する面を構成していてもよい。光反射部103と光透過部104との界面には、密着力を高めるための凹凸を設けてもよいし、接着材を介在させてもよい。
なお、図1は発光装置の断面図であるが、透光性の部分については図面をわかりやすくするために、断面を示すハッチングを省略して示しており、図3〜図5についても同様である。
パッケージ102では、光反射部103が凹部102aの下部(発光素子搭載面に近い側)に配置し、光透過部104が凹部の上部(発光素子搭載面に遠い側)に配置されている。
パッケージ102の凹部102aは、その深さが深くなるほど、発光面までの距離が遠くなるため、光反射部103と光透過部104とを合わせたパッケージ102の凹部102aの深さは、例えば、450μm〜550μm程度であることが好ましい。これにより、発光装置を小型化しつつ、透光性封止樹脂105を安定して充填することができる。
光反射部103は、発光素子101からの光を反射可能な材料によって形成されていればよい。光反射部103は、発光素子101からの光に対する反射率が60%程度以上であるものが好ましく、80%程度以上、さらに90%程度以上がより好ましい。光反射部103を形成するための好ましい材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂が挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。
また、これら樹脂中に、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどの光反射性物質を含有させてもよい。これによって、発光素子101からの光を効率よく反射させることができる。光反射性物質の充填量は、樹脂成形法や樹脂流動性などの成形条件、反射率や機械強度などの特性によって適宜調整することができる。例えば、光反射部103の全重量に対して、10〜50wt%程度、さらに、20〜35wt%が好ましい。特に、酸化チタンを用いる場合は、光反射部103の全重量に対して、好ましくは20〜40wt%、より好ましくは25〜35wt%である。
光透過部104は、発光素子101からの光を外部に透過可能な材料によって形成されていればよい。光透過部104は、発光素子101からの光の透過率が70%程度以上であることが好ましく、さらに好ましくは90%程度以上である。光透過部104を形成する材料は、光反射部103と同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。異なる材料とは、その種類及び組成が全く同じでないものを意味する。光透過部104を形成するための好ましい材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂が挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。
光透過部104と光反射部103との双方を熱硬化性樹脂で形成することにより、優れた耐光性を有する発光装置とすることができる。特に、この熱硬化性樹脂を、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物とすることが好ましい。
光透過部104は、凹部を形成する側壁全周に形成されていることが好ましい。このように、光透過部104が配置することにより、発光素子からの光の吸収及び乱反射を防止することができ、かつ、配光性をより広げることができる。また、光透過部104は、対向する一対の側壁にのみ設けられてもよい。これにより、所望の方向にのみ配光を広げることが可能となる。
さらに、後述する透光性封止樹脂の充填量が、発光装置ごとにばらつきがあったとしても、透光性封止樹脂が凹部102aから溢れたり、発光面側に突出する凸形状となることを抑制することができる。これによって、凹部102aに充填される透光性封止樹脂105の形状が安定することから、配光のバラツキをより抑制することができる。
(発光素子101)
本発明に用いられる発光素子101は、公知のもののいずれをも利用することができるが、発光素子101として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
本発明の発光装置では、通常、パッケージ102の凹部102aの内側において、透光性封止樹脂105が充填されている。つまり、発光素子101を凹部102a内に載置した状態で、凹部102a内に透光性封止樹脂105でモールドする。これにより、外力や水分等から発光素子101を保護することができるとともに、ワイヤ107等の接続部材を保護することができる。
透光性封止樹脂105に利用できる樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂等の耐候性に優れた透明樹脂又は硝子等が挙げられる。また、例えば、WO2002/59982号に記載されている透明樹脂を利用してもよい。
なお、透光性封止樹脂105は、上述した光透過部104と異なる材料によって形成されていることが好ましく、特に、異なる樹脂によって形成されていることがより好ましい。ここでの異なる材料とは、その種類及び組成が全く同じでないものを意味する。例えば、透光性封止樹脂105が、後述する蛍光物質又はフィラーを含有する所定の樹脂で形成されているとすると、光透過部104は、蛍光物質又はフィラーを含有しない同じ樹脂で形成されていてもよい。
また、透光性封止樹脂105と光透過部104とが、同じ種類及び同じ組成で形成される場合であっても、両者の間に界面が形成されることにより、このような界面をもたない場合と比較して、光の取り出し方向を変化させることができる。
透光性封止樹脂105は、蛍光物質、フィラー、拡散剤等を含有していてもよい。
透光性封止樹脂105に含有される蛍光物質は、発光素子101の一部又は全部の発光を波長変換できるような組み合わせであれば、特に限定されない。
蛍光物質110としては、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体;Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体;アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体;アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体;アルカリ土類ケイ酸塩;アルカリ土類硫化物;アルカリ土類チオガレート;アルカリ土類窒化ケイ素;ゲルマン酸塩;又は;Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩;希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機;及び有機錯体等から選ばれる少なくとも1種又は2種以上が挙げられる。また、例えば、WO2002/59982号に記載されている蛍光物質等を利用してもよい。
なお、フィラー及び拡散剤等としては、特に限定されるものではなく、例えば、WO2002/59982号に記載されているもの等の公知のものを利用することができる。
本発明の発光装置では、通常、発光素子101は、基板108上に載置されている。また、パッケージ102は、発光素子101の周辺を取り囲むように、基板108上に配置されている。このような基板108は、適当な機械的強度と絶縁性とを有する材料であれば、どのような材料で形成されていてもよい。例えば、BTレジン、ガラスエポキシ、セラミックス等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものものでもよい。
実施の形態1の発光装置は、図6(a)〜(e)に示す方法によって製造することができる。
本実施の形態では、複数の発光装置を一括して製造できるように、透光性封止樹脂105を硬化させるまでは複数の基板が集合した集合基板を用いる。この集合基板においては、図6(a)に示すように、基板108の表面に、内部配線106aおよび外部電極106bが形成されている。
次に、図6(b)に示すように、光反射部103をトランスファモールドにて形成する。図6(a)に示したような、集合基板の上下をトランスファモールド用の金型で挟む。下側金型は平坦であり、上側金型には光反射部103を形成するための凹形状を有する金型が設けられている。
上側金型と基板108の間に形成された樹脂の注入口を通じて樹脂を流し込み、硬化させる。
なお、光反射部103を形成するために、トランスファモールドのほか、圧縮成形、射出成形、貼り合わせ、印刷などの方法を用いることもできる。
続いて、光反射部103と同様に、図6(c)に示すように、光透過部104をトランスファモールドにて形成する。このとき、光反射部103と光透過部104とを熱硬化性樹脂で成形すると、界面の剥離が生じるおそれが少なく、耐熱性、耐光性、密着性等に優れたパッケージ102を備える発光装置とすることができるため、好ましい。
上述のように、光反射部103と光透過部104により形成された凹部102aの所定の位置に、図6(d)に示すように発光素子101を載置して、ワイヤ107にて所定の接続をする。
本実施の形態においては、ワイヤ107にて接続を取っているが、ワイヤを用いずにフリップチップ接合してもよい。また、サブマウントを介して実装してもよい。
次に、図6(e)に示すように、パッケージ102の凹部102aの内側に、透光性封止樹脂105をポッティングにより形成する。透光性封止樹脂105の表面は、凹状であっても、凸状であっても、平坦であってもよい。透光性封止樹脂105の量のバラツキによって外形寸法に差が出るのは好ましくないため、わずかに凹状となる程度で充填させることが量産性に優れており、好ましい。
最後に、図6(e)の破線で示す位置、すなわち、基板108、光反射部103、光透過部104を通り、基板108の表面と垂直な方向で集合基板をダイシングし、図1に示すような発光装置を得ることができる。なお、発光装置の形状は、基板108の上面方向から見て、一方向に長い形状であってもよいし、略正方形であってもよい。
図3は、実施の形態2に係る発光装置を示す概略断面図である。この実施の形態2では、基板を用いずに、とリードフレーム109上に、発光素子101を載置し、その発光素子101の周辺を取り囲むように、一部リードフレーム109上において、パッケージ202によって凹部102aを形成していることを除き、実質的に実施の形態1と同じである。
リードフレーム109は、実質的に板状であればよく、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。その厚みは均一であってもよいし、部分的に厚くなる又は薄くなってもよい。リードフレーム109を構成する材料は特に限定されず、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。このような材料で形成することにより、発光素子で発生する熱を効率的に外部に伝達、放熱することができる。例えば、発光装置用に用いられる場合は、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。特に、発光素子101を搭載するリードフレーム109の表面には、搭載される発光素子101からの光を効率よく取り出すために反射メッキが施されていることが好ましい。内部配線106aと同様に、絶縁透明保護膜をこの上に被覆してもよい。なお、このようなリードフレームを使用せず、パッケージ本体の表面に直接発光素子を実装してもよい。
この実施の形態3では、リードフレーム109を用いて、光反射部材303を射出成形し、光反射部材303の上に光透過部材104を配置して、パッケージ302を備えたフレームインサートタイプの発光装置300としていることを除き、実質的に実施の形態1と同じである。
図4(a)は、実施の形態3の発光装置300の断面図であり、(b)は外観を示す斜視図であり、図4(c)は発光面側から見た図である。なお、図4(b)(c)において、透光性封止樹脂は図示しておらず、斜線部は、光反射部303の設けられている箇所を示している。
図4(a)、(b)に示されるように、リードフレーム109は、光反射部303部から外部に突出しており、屈曲して発光装置300の底面(実装面となる面)と側面に配置されている。これにより、側面発光型(いわゆるサイドビュー)の発光装置とすることができ、薄型のバックライトに適した発光装置とすることができる。
その結果、図8に示すように、光透過部を設けずに光反射部のみでパッケージを構成したもの(光透過部/光反射部:0%)に比較して、光透過部を設けた場合に、その取り出し効率が向上することが確認された。
なお、図8では、パッケージ302の凹部102aの深さを450μmに設定しており、光透過部/光反射部=0%は、光透過部が設けられていないことを示し、光透過部/光反射部=13%は光透過部0.05μm/光反射部0.4μm、29%=光透過部0.1μm/光反射部0.35μm、50%=光透過部0.15μm/光反射部0.3μm、80%=光透過部0.2μm/光反射部0.25μm、125%=光透過部0.25μm/光反射部0.2μm、200%=光透過部0.3μm/光反射部0.15μm、350%=光透過部0.35μm/光反射部0.1μmを示す。
また、駆動電流20mAで主波長457.5nmの発光素子(サイズ:700×240μm、厚さ120μm)を搭載し、光反射部は、光反射率93%のポリフタルアミド(PPA)によって形成され、光透過部は、光透過率98%のエポキシ樹脂によって形成されている。なお、この光透過率は、シミュレーションに用いた壁部の厚み(約0.2mm)での透過率である。透光性封止樹脂はシリコーン樹脂を用いた。発光素子端部からパッケージの側壁までの距離は、短手方向:約0.13mm、長手方向:約0.53mmである。
その結果、例えば、光透過部0.2μm/光反射部0.25μmとした発光装置では、図9に示すように、光透過部を設けずに光反射部のみでパッケージを構成したもの(破線)に比較して、光透過部を設けた場合に、光の取り出し方向が広がることが確認された。また、光透過部0.1μm/光反射部0.35μmとした発光装置では、図10に示すように、同様に光の取り出し方向が広がることが確認された。
図5は、実施の形態4に係る発光装置400を示す概略断面図である。なお、この実施の形態4では、実施の形態3と同様に、リードフレーム109を用いて構成されている。光反射部403の、凹部402aにおける露出面以外の周囲が、光透過部404により覆われる構成とされている以外は、実質的に実施の形態3と同じである。
この発光装置400は、図7(a)〜(e)に示す方法によって、リードフレームを埋設して形成するフレームインサートタイプの発光装置として形成することができる。
工程4及び工程5については、前述した発光装置100の製造方法と同様に形成することができるため、詳細な説明は省いている。
まず、図7(a)に示すように、正負の電極となるリードフレーム109を上金型113aと下金型113bとで矢印の方向に挟み込む。
次に、図7(b)に示すように、下金型113bの下部に設けられた樹脂注入口から、樹脂を注入し、射出成形する。
光反射部403を硬化させた後、上金型113aと下金型113bとで形成されるキャビティよりも一回り大きいキャビティを形成可能な上金型114aと下金型114bとを用い、図7(c)に示すように光透過部404を射出成形する。このような、2色成形を射出成形によって容易に行える点で熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。
上述のように、光反射部103と光透過部104により形成されたパッケージ402の凹部402a内であって、リードフレーム109の表面に、図7(d)に示すように発光素子101を載置して、所定の接続をする。
次に、図7(e)に示すように、透光性封止樹脂105をポッティングにより形成する。
最後に、リードフレーム109を所定の長さで切断して、折り曲げて外部端子とする。
図11は、実施の形態1の発光装置にレンズ115を組み合わせたものである。このように、透光性封止樹脂105及び光透過部104を覆うようにレンズ115を設けることで、レンズ115を介して光を取り出す部分と、レンズ115を介さずに、光透過部104を介して横方向から光を取り出す部分とを有する発光装置を得ることができる。
なお、実施の形態2〜4の発光装置についても、同様にレンズを組み合わせることができる。
レンズ115の材料としては、透光性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、メタクリル樹脂(PMMA等)、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリノルボルネン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂等の1種又は2種以上等の樹脂、液晶ポリマー、ガラス等、当該分野で通常用いられる材料から選択することができる。なかでも、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂等が適している。
101 発光素子
102、202、302、402 パッケージ
102a、402a 凹部
103、203、303、403 光反射部
104、404 光透過部
105 透光性封止樹脂
106a 内部配線
106b 外部電極
107 ワイヤ
108 基板
109 リードフレーム
110 蛍光物質
113a、114a 上金型
113b、114b 下金型
115 レンズ
Claims (12)
- 発光素子と、
該発光素子を収納し、450μm〜550μmの深さの凹部を備え、該凹部を形成するその側壁が、前記発光素子からの光を反射させる光反射部と、前記発光素子からの光を外部に透過させる光透過部とで構成され、前記側壁の表面に前記光反射部と光透過部との界面が露出するパッケージとを含むことを特徴とする発光装置。 - 発光素子と、
該発光素子を収納し、450μm〜550μmの深さの凹部を備え、該凹部を形成するその側壁下部が、前記発光素子からの光を反射させる光反射部によって構成され、かつ前記側壁上部が、前記発光素子からの光を外部に透過させる光透過部によって構成されるパッケージと、前記凹部の内側に充填された透光性封止樹脂とを有することを特徴とする発光装置。 - 前記凹部の内側に、透光性封止樹脂が充填されてなる請求項1に記載の発光装置。
- 前記光反射部は白色樹脂で形成され、前記光透過部は光の透過率が70%以上の透明樹脂で形成されてなる請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記光反射部の高さは、前記発光素子の高さの100%以上である請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光透過部の高さは、前記光反射部の高さの30%以上である請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光性封止樹脂に蛍光体が含有されてなる請求項2〜6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光性封止樹脂は、前記光透過部と異なる材料によって形成されている請求項2〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光反射部の高さが100μm〜200μmである請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光透過部は、前記凹部の側壁全周に形成されている請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光透過部は、対向する一対の側壁に設けられている請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光透過部の高さは、前記光反射部の高さの30〜500%である請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光装置。
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JP2012190841A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Panasonic Corp | Ledパッケージ及びled照明装置 |
TWI504026B (zh) * | 2011-07-12 | 2015-10-11 | True Light Corp | 光學指向模組及其光源單元 |
CN102880313B (zh) * | 2011-07-15 | 2016-03-02 | 光环科技股份有限公司 | 光学指向模块及其光源单元 |
JP5682497B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板 |
US8497146B2 (en) * | 2011-08-25 | 2013-07-30 | Micron Technology, Inc. | Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods |
KR101905535B1 (ko) | 2011-11-16 | 2018-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2013179271A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-09-09 | Rohm Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP5962043B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2016-08-03 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
TWI590494B (zh) * | 2012-02-14 | 2017-07-01 | 信越化學工業股份有限公司 | Optical semiconductor device package, its manufacturing method, and optical semiconductor device and its manufacturing method |
JP2013175528A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
KR101949387B1 (ko) * | 2012-09-12 | 2019-02-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 엘이디패키지 및 그 제조방법과 엘이디패키지를 포함하는 액정표시장치 |
JP6056117B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2017-01-11 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び車両用灯具 |
KR102029802B1 (ko) * | 2013-01-14 | 2019-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP6221387B2 (ja) | 2013-06-18 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP6212989B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US9008139B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-04-14 | Jds Uniphase Corporation | Structure and method for edge-emitting diode package having deflectors and diffusers |
DE102013213073A1 (de) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
CN104157775A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-11-19 | 京东方光科技有限公司 | 一种led照明装置及封装方法 |
US9882096B2 (en) * | 2015-03-18 | 2018-01-30 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode structure and method for manufacturing the same |
KR102408616B1 (ko) * | 2015-07-15 | 2022-06-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 |
CN111223975A (zh) | 2015-09-18 | 2020-06-02 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
JP6237826B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法 |
JP6332253B2 (ja) * | 2015-12-09 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
CN109148670B (zh) * | 2016-08-30 | 2020-07-24 | 开发晶照明(厦门)有限公司 | Led倒装芯片封装基板和led封装结构 |
US10388838B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-08-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
TW202239275A (zh) * | 2016-11-11 | 2022-10-01 | 日商京瓷股份有限公司 | 發光元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置 |
JP6837330B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2021-03-03 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
JP7048879B2 (ja) | 2017-10-12 | 2022-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TW201919261A (zh) | 2017-11-05 | 2019-05-16 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置 |
JP6983041B2 (ja) * | 2017-11-16 | 2021-12-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
US20190267526A1 (en) | 2018-02-26 | 2019-08-29 | Semicon Light Co., Ltd. | Semiconductor Light Emitting Devices And Method Of Manufacturing The Same |
TWI698623B (zh) * | 2018-10-15 | 2020-07-11 | 億光電子工業股份有限公司 | 距離感應裝置及顯示裝置 |
TWI703743B (zh) * | 2018-10-31 | 2020-09-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光裝置及發光模組 |
JP7096503B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2022-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009129947A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光半導体用反射体及びそれを用いた光半導体装置 |
JP2009206468A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | 発光装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19549818B4 (de) * | 1995-09-29 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
MY145695A (en) | 2001-01-24 | 2012-03-30 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
JP4174823B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2008-11-05 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
CN100587560C (zh) * | 2003-04-01 | 2010-02-03 | 夏普株式会社 | 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
JP2006012868A (ja) | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子用パッケージおよびそれを用いた半導体発光装置 |
TW200614548A (en) * | 2004-07-09 | 2006-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device |
KR101197046B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2012-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광다이오드를 사용하는 2차원 광원 및 이를 이용한 액정표시 장치 |
JP2007042749A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置とこれを用いた表示装置及び照明装置、並びに発光装置の製造方法 |
JP4945106B2 (ja) | 2005-09-08 | 2012-06-06 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
KR100820529B1 (ko) | 2006-05-11 | 2008-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치 |
KR101488448B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2015-02-02 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
-
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Patent Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2009129947A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光半導体用反射体及びそれを用いた光半導体装置 |
JP2009206468A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | 発光装置 |
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