JP6221387B2 - 発光装置とその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子とパッケージとを備える発光装置とその製造方法に関する。

従来、液晶テレビ用バックライト、照明器具、或いは光通信用デバイスなどの光源として発光装置が広く用いられている。発光装置は、発光素子と、発光素子を収容する凹部を有するパッケージと、を備える（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０−１５３６２４号公報

ところで、発光装置の耐久性を向上させるために、光と熱の影響を受けやすい凹部の内周面を被覆膜で覆うことが有効だと考えられる。

しかしながら、被覆膜で内周面を被覆すると、光と熱によって樹脂材料が分解されて生成される物質がパッケージ内部にとどまりやすいため、パッケージが変色するおそれがある。また、被覆膜によってパッケージ内部への酸素の供給が遮られると、パッケージの構成材料の分解が進むことで一時的にパッケージが変色してしまうおそれもある。

本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、パッケージの耐久性を向上しつつ、パッケージの変色を抑制できる発光装置とその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る発光装置は、少なくとも一つの発光素子と、パッケージと、被覆膜と、リードと、を備える。パッケージは、発光素子が収容される凹部の内周面の少なくとも一部を形成する。被覆膜は、凹部の内周面を形成するパッケージの少なくとも一部を覆い、透光性と絶縁性を有する。リードは、凹部の底面に配置され、発光素子と電気的に接続される。パッケージの少なくとも一部は、樹脂を含む基材と、基材と異なる熱膨張係数を有する複数の粒子と、によって構成される。複数の粒子は、少なくとも凹部の内周面付近に配置される。

本発明によれば、パッケージの耐久性を向上しつつ、パッケージの変色を抑制できる発光装置とその製造方法を提供することができる。

発光装置の概略平面図 図１のＡ−Ａ線における概略断面図 パッケージと被覆膜の概略断面図 被覆膜の表面のＳＥＭ画像 被覆膜の表面の拡大ＳＥＭ画像 発光装置の製造方法を説明するための概略断面図 パッケージと被覆膜の概略断面図 パッケージと被覆膜の概略断面図

次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なっている場合がある。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。

（発光装置１００の構成）
発光装置１００の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、発光装置１００の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａにおける概略断面図である。

本実施形態の発光装置１００は、発光素子１０と、パッケージ２０と、一対のリード３０と、被覆膜４０と、封止部材５０と、を備える。

１．発光素子１０
発光素子１０は、パッケージ２０が少なくともその一部を形成する凹部２２Ｃ内に収容される。発光素子１０は、凹部２２Ｃの底面に載置され、図１に示すように、リード３０上に載置されることができる。発光素子１０は、接着材によって、リード３０に固定される。発光素子１０は、第１ワイヤ１０ａと第２ワイヤ１０ｂを介して、リード３０と電気的に接続される。

発光素子１０は、その一部に発光を行う半導体層を備える。発光素子１０としては、例えば、次の一般式（１）で表される窒化物半導体によって構成される青色や紫外発光のＬＥＤを用いることができる。

Ａｌ_XＧａ_YＩｎ_ZＮ ・・・（１）
なお、一般式（１）において、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１、である。

このような発光素子１０は、例えば、ＭＯＣＶＤ法などの気相成長法によって、基板上にＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮなどの窒化物半導体をエピタキシャル成長させることで形成することができる。

発光素子１０は、窒化物半導体のほか、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等の半導体によって構成されていてもよい。このような半導体は、ｎ型半導体層、発光層（活性層）、ｐ型半導体層が順に形成された積層構造を有していてもよい。発光層には、多重量子井戸構造や単一量子井戸構造をした積層半導体又はダブルへテロ構造の積層半導体を用いることが好ましい。なお、サファイア基板などの透光性基板を用いた場合、不透光性基板を用いた場合に比べて、発光層から側方に向かって光が出射されやすいため、パッケージ２０に対する影響は強まる。

発光素子１０の出射光のピーク波長は、半導体の材料やその混晶（組成比）に応じて、紫外光から赤外光まで選択することができる。出射光のピーク波長は、３５０ｎｍ〜８００ｎｍとすることができ、３６０ｎｍ〜５２０ｎｍであることが好ましく、４２０ｎｍ〜４８０ｎｍ（すなわち、可視光の短波長領域）であることがより好ましい。なお、出射光のピーク波長が短いほど出射光のエネルギーが高まるため、パッケージ２０に対する影響は強まる。

発光素子１０の実装タイプは、フェイスアップ実装やフリップチップ実装のいずれであってもよい。また、発光素子１０では、ｎ側電極とｐ側電極が同一面側に形成されていてもよいし、ｎ側電極とｐ側電極が半導体を挟んでそれぞれ反対側に形成されていてもよい。

２．パッケージ２０
発光装置１００は、発光素子１０を収容するための凹部２２Ｃを有する。パッケージ２０は、この凹部２２Ｃの内周面２２Ｓの少なくとも一部を形成する。凹部２２Ｃは、少なくとも基部２１と、側壁部２２と、を有する。本実施形態においては、パッケージ２０は、発光装置１００の側面を形成するとともに凹部２２Ｃの内周面の全面を形成している。凹部２２Ｃの基部２１と側壁部２２は、パッケージ２０で一体成形されている。

発光素子１０の出射光は、凹部２２Ｃの内周面２２Ｓに反射されることによって、凹部２２Ｃから外部に放出される。凹部２２Ｃは、略四角錐台形に形成されており、凹部２２Ｃの開口側に向かって徐々に広がっている。これによって、発光素子１０の出射光の効率的な発光装置１００外部への放出が図られている。ただし、内周面２２Ｓは、凹部２２Ｃの底面に対して略垂直であってもよい。

凹部２２Ｃの底面に平行な方向において、発光素子１０と側壁部２２（すなわち、内周面２２Ｓ）との間隔ＤＴは、０．０５ｍｍ〜２ｍｍとすることができる。間隔ＤＴが０．５ｍｍ以下である場合、発光素子１０の出射光が側壁部２２に与える影響が大きくなり、側壁部２２は熱と光によって分解されやすい。なお、内周面２２Ｓが凹部２２Ｃの底面に対して略垂直である場合には、発光素子１０と内周面２２Ｓの間隔ＤＴが小さくなりやすいため、発光素子１０の出射光が側壁部２２に与える影響は特に大きくなる。

本実施形態において、パッケージ２０の外形は、直方体形状であるが、これに限らず円柱、三角柱、五角柱以上の多角柱、或いはこれらに近似する形状であってもよい。パッケージ２０は、下記の基材２０ａと粒子２０ｂなどの材料を混合した後に、射出成型法やトランスファーモールド法で成形することによって形成することができる。

本実施形態において、パッケージ２０は、樹脂と任意に含有されるフィラーによって構成される基材２０ａと、基材２０ａに混合される複数の粒子２０ｂと、を含む。

基材２０ａの樹脂としては、どのような種類の樹脂でもよいが、耐光性が高い熱硬化性樹脂が好適である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、トリアジン誘導体エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂などを用いることができる。パッケージ２０に対する樹脂の含有率は、例えば１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％とすることができる。

基材２０ａのフィラーには、光反射部材、無機充填材、硬化触媒、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、光安定剤、離形剤などが含まれうる。本実施形態に係るフィラーは、光反射部材としての二酸化チタンと、無機充填材としての二酸化ケイ素と、を含んでいる。パッケージ２０全体に対する二酸化チタンの含有率は、例えば１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％とすることができる。パッケージ２０全体に対する二酸化ケイ素の含有率は、例えば５０ｗｔ％〜８０ｗｔ％とすることができる。

複数の粒子２０ｂは、基材２０ａに混合されている。複数の粒子２０ｂは、少なくとも凹部の内周面２２Ｓ付近に配置されていればよく、パッケージ２０の全体に含まれていなくてもよい。粒子２０ｂは、基材２０ａと異なる熱膨張係数の材料によって構成される。このような粒子２０ｂの材料としては、例えば、基材２０がエポキシ樹脂である場合にはシリコーンゴムが好適であるが、これに限られるものではない。

粒子２０ｂの断面形状は、円形や楕円形のほか様々な形状を取りうる。粒子２０ｂの円相当径は、例えば１〜１０μｍ程度とすることができる。後述するように、粒子２０ｂが温度変化に応じて膨張収縮することによって、被覆膜４０に微小クラック４０ａが形成される。パッケージ２０全体に対する粒子２０ｂの含有率は、例えば０．５ｗｔ％〜５ｗｔ％とすることができる。

３．リード３０
本実施形態のように、リード３０が凹部２２Ｃの底面に配置されてもよい。リード３０は、通常、第１リード部３１と、第２リード部３２と、を有する。

第１リード部３１と第２リード部３２は、外部電極と発光素子１０を電気的に接続するための正負一対の電極である。第１リード部３１と第２リード部３２は、図１に示すように、凹部２２Ｃの底面に配置され、それぞれが異なる方向に向かって延在する。第１リード部３１と第２リード部３２は、発光装置１００の底面側に露出している。なお、第１リード部３１と第２リード部３２は、パッケージ２０の側面から外部に突出していてもよい。この場合には、発光装置１００の底面側に折り返されていてもよいし、発光装置１００の側面から真っ直ぐ突出してもよい。

リード３０は、例えば、鉄、リン青銅、銅合金などの電気良導体を用いて形成される。リード３０の表面には、発光素子１０の出射光の反射率を高めるためのメッキ層が形成されていることが好ましい。メッキ層は、銀、アルミニウム、銅及び金などを含む材料によって構成することができ、特に反射率の高い銀を含んでいることが好ましい。メッキ層は、リード３０のうち凹部２２Ｃ内に露出した露出面３０だけにメッキ処理することで形成してもよいし、個片化前のリードフレームの表面全体にメッキ処理することで形成してもよい。

４．被覆膜４０
被覆膜４０は、少なくとも、パッケージ２０によって形成された凹部２２Ｃの内周面２２Ｓの一部を被覆する。本実施形態においては、凹部２２Ｃの内周面２２Ｓの全面と、側壁部２２の上面２２Ｔと、リード３０の露出面３０Ｓと、発光素子１０の表面と、を覆う。被覆膜４０の厚みは、３ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。

被覆膜４０は、透光性と絶縁性を有する材料によって構成される。このような材料としては、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛などが挙げられる。本実施形態において、「透光性を有する」とは、発光素子１０の出射光の吸収率が５０％以下であることを意味しており、特に２０％以下であることが好ましい。

被覆膜４０は、従来知られている薄膜形成法によって形成することができる。薄膜形成法としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法を挙げることができる。特に、被覆膜４０の緻密性を向上させたい場合には、ＣＶＤ法のうちＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：原子層堆積）法が特に好適である。

被覆膜４０は、パッケージ２０で形成された凹部２２Ｃの内周面２２Ｓ、特に側壁部２２を保護する保護膜として機能し、側壁部２２の耐久性を向上させる。また、リード３０の表面が銀メッキ層の場合であれば、被覆膜４０は、リード３０の硫化を抑制する硫化抑制膜としても機能しうる。ただし、被覆膜４０がＡＬＤ法によって緻密に形成されている場合やＣＶＤ法で厚めに形成されている場合には、銀の硫化を効果的に抑制できる一方でガス透過性は低くなる。そのため、パッケージ２０が発光素子１０からの出射光や熱によって分解された場合、分解生成物や酸素は被覆膜４０を透過しにくくなる。

ここで、図３は、パッケージ２０と被覆膜４０の断面を模式的に示す概略断面図である。図４は、被覆膜４０のうち内周面２２Ｓを覆う部分のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）画像である。図５は、被覆膜４０の拡大ＳＥＭ画像である。図３では、内周面２２Ｓに垂直な切断面が図示されている。

図３乃至図５に示すように、被覆膜４０には、複数の微小クラック４０ａが形成されている。微小クラック４０ａは、少なくとも、パッケージ２０で形成された凹部２２Ｃの内周面２２Ｓ付近に位置する粒子２０ｂ上に形成される。微小クラック４０ａの幅ＷＤは、０．５μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。微小クラック４０ａの幅ＷＤは、粒子２０ｂのサイズに応じて調整できる。図３乃至図５では、被覆膜４０がめくれて形成された孔状の微小クラック４０ａが図示されているが、封止部材５０で押さえられている場合であれば、微小クラック４０ａはスリット状に形成される。微小クラック４０ａは、特別な工程で形成する必要はなく、後述するように、被覆膜４０の成膜後の降温過程において自然に形成することができる。

複数の微小クラック４０ａの発生頻度は、被覆膜４０の表面において直径５μｍ程度のものが５００個/ｍｍ²以上であることが好ましい。また、被覆膜４０の表面における微小クラック４０ａの面積占有率は、１．５％以上であることが好ましい。これによって、パッケージ２０、特に側壁部２２が出射光の光と熱によって分解された場合に、分解生成物を微小クラック４０ａから外部に効率的に放出できる。その結果、分解生成物によってパッケージ２０が変色することを抑制できる。さらに、微小クラック４０ａを介して内部へ酸素を供給できるため、酸欠状態によって生じる構成材料の分解も抑制することができる。なお、微小クラック４０ａの発生頻度や面積占有率は、パッケージ２０全体に対する粒子２０ｂの含有率を変更することで容易に調整可能である。

また、複数の微小クラック４０ａの発生頻度は、被覆膜４０の表面において、６０００個/ｍｍ²以下であることが好ましい。また、被覆膜４０の表面における微小クラック４０ａの面積占有率は、5％以下であることが好ましい。

５．封止部材５０
本実施形態では、封止部材５０は、凹部２２Ｃに充填され、発光素子１０を封止する。封止部材５０の材料は特に限定されるものではないが、透光性、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。このような樹脂としては、前述した各種の熱硬化性樹脂が挙げられる。

封止部材５０は、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質などの公知の添加剤を含有していてもよい。拡散剤としては、例えばチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素などが好適である。

封止部材５０は、発光素子１０の出射光を吸収して波長変換する蛍光物質を含有していてもよい。蛍光物質としては、例えば、Ｅｕ、Ｃｅなどのランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、Ｅｕなどのランタノイド系、Ｍｎなどの遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、Ｃｅなどのランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、Ｅｕなどのランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等が挙げられる。

このような封止部材５０の一部は、微小クラック４０ａの中に入り込んで設けられてもよく、微小クラック４０ａの開口部を塞ぐように設けられてもよい。

（発光装置１００の製造方法）
発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６は、発光装置１００の製造方法を説明するための概略断面図である。

まず、図６（ａ）に示すように、リード３０を金型内にセットして、パッケージ２０の材料を流し込んで固めることによって、パッケージ２０とリード３０を一体成形する。この際、パッケージ２０には、発光素子１０を収容するための凹部２２Ｃが形成される。また、凹部２２Ｃの底面には、リード３０が露出する。

次に、図６（ｂ）に示すように、接着材によって、発光素子１０をリード３０に機械的に接続する。

次に、第１ワイヤ１０ａと第２ワイヤ１０ｂによって、発光素子１０をリード３０に電気的に接続する。

次に、図６（ｃ）に示すように、薄膜形成法を用いて、凹部２２Ｃの内周面２２Ｓと、側壁部２２の上面２２Ｔと、リード３０の露出面３０Ｓと、発光素子１０の表面と、を被覆膜４０によって覆う。具体的に、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜を形成する手法を説明する。まず、Ｈ₂Ｏガスをチャンバー内に導入して、被覆する対象物（本実施形態においては、側壁部２２、リード３０及び発光素子１０）表面にＯＨ基を形成させる。次に余剰ガスを排気した後に、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガスをチャンバー内に導入して、被覆膜４０で被覆する対象物（本実施形態においては、側壁部２２、リード３０及び発光素子１０）表面のＯＨ基とＴＭＡを反応（第１反応）させる。次に、Ｈ₂Ｏガスをチャンバー内に導入して、ＯＨ基と結合したＴＭＡとＨ₂Ｏを反応（第２反応）させる。次に、余剰ガスを排気した後に、第１反応と第２反応を繰り返して所望の厚みの緻密な酸化アルミニウム膜を形成する。この際、被覆膜４０の成膜後に室温まで降温させる過程において、側壁部２２内の粒子２０ｂが膨張収縮することによって複数の微小クラック４０ａが形成される。

次に、凹部２２Ｃに封止部材５０を充填して、封止部材５０を加熱することによって硬化させる。

以上によって発光装置１００が完成する。

（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

上記実施形態において、凹部２２Ｃに１個の発光素子１０が収容されることとしたが、これに限られるものではない。凹部２２Ｃには、複数個の発光素子１０が収容されていてもよい。この場合、全ての発光素子１０が同種類であってもよく、発光素子１０ごとに発光ピーク波長が異なっていてもよい。従って、凹部２２Ｃには、例えば赤・緑・青の発光色を示す３個の発光素子を収容することもできる。

上記実施形態においては、凹部２２Ｃの基部２１と側壁部２２との両方が粒子２０ｂを含有するパッケージ２０で一体に形成されることとしたが、これに限られない。例えば、凹部２２Ｃのうち、側壁部２２のみがパッケージ２０によって構成され、基部２１はそれと異なる部材で構成されてもよい。

上記実施形態において、微小クラック４０ａは、成膜後の降温過程で形成されることとしたが、これに限られるものではない。例えば、封止部材５０の硬化工程や発光装置１００を二次実装する際のリフロー工程においても微小クラック４０ａを形成できる。また、硬化工程やリフロー工程のようにパッケージ２０を加熱する工程だけでなく、パッケージ２０を冷却する工程を入れることによっても微小クラック４０ａを形成できる。

また、上記実施形態において、粒子２０ｂは、側壁部２２を形成するパッケージ２０の内部に一様に分散されることとしたが、粒子２０ｂは、側壁部２２のうち内周面２２Ｓ付近にのみ存在していればよい。

上記実施形態において、被覆膜４０は、パッケージ２０で全面が形成された凹部２２Ｃの内周面２２Ｓおよび側壁部２２の上面２２Ｔと、リード３０の露出面３０Ｓと、発光素子１０の表面と、を覆うこととしたが、凹部の内周面２２Ｓの少なくとも一部を覆っていればよい。この場合であっても、パッケージ２０の保護と変色抑制を図ることができる。

上記実施形態では、分解生成物や酸素が被覆膜４０を通過できるように、被覆膜４０に微小クラック４０ａを設けることとしたが、これに限られるものではない。図７に示すように、被覆膜４０の厚みが、粒子２０ｂ付近において局所的に薄くなっていればよい。この場合には、被覆膜４０のうち肉薄部４０ｂにおいて分解生成物や酸素を透過させることによって、パッケージ２０の変色抑制を図ることができる。なお、肉薄部４０ｂは、ＡＬＤ法で成膜する際に、ＴＭＡガスの一部をシリコーン粒子に吸収させることで形成することができる。そのため、粒子２０ｂとしてシリコーン粒子を用いることによって、肉薄部４０ｂを簡便に形成することができる。

上記実施形態では、被覆膜４０の一部を破ることで微小クラック４０ａを形成したが、これに限られるものではない。例えば、図８に示すように、粒子２０ｂに切り欠きが形成されている場合には、その切り欠きに沿って微小クラック４０ａを形成することができる。この場合には、昇温又は降温工程の有無によらず微小クラック４０ａを簡便に形成することができる。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

１０…発光素子
２０…パッケージ
２０ａ…基材
２０ｂ…粒子
２１…基部
２２…側壁部
２２Ｃ…凹部
２２Ｓ…内周面
２２Ｔ…上面
３０…リード
３０Ｓ…露出面
４０…被覆膜
４０ａ…クラック
４０ｂ…肉薄部
５０…封止部材
１００…発光装置

Claims (11)

1. 発光素子と、
   前記発光素子が収容される凹部の内周面の少なくとも一部を形成するパッケージと、
   前記凹部の底面に配置され、前記発光素子と電気的に接続されるリードと、
   前記凹部の内周面を覆い、透光性と絶縁性を有する被覆膜と、
   を備え、
   前記パッケージは、樹脂を含む基材と、前記基材と異なる熱膨張係数を有し、少なくとも前記内周面付近に配置される複数の粒子と、によって構成され、
   前記被覆膜は、前記複数の粒子上に形成された複数の微小クラックを有する、又は／及び、前記基材上に比べて前記複数の粒子上において厚みが薄く形成されている、
   発光装置。
2. 前記基材は、エポキシ樹脂とフィラーによって構成され、
   前記複数の粒子は、シリコーンによって構成される、
   請求項１に記載の発光装置。
3. 前記フィラーは、二酸化ケイ素と二酸化チタンの少なくとも一方を含む、
   請求項２に記載の発光装置。
4. 前記被覆膜は、前記リードの表面を覆う、
   請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
5. 前記被覆膜は、主成分として酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素を含む、
   請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置。
6. 前記発光素子と前記パッケージが形成する前記内周面の間隔は、２mm以下である、
   請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。
7. 前記発光素子の出射光のピーク波長は、３６０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下である、
   請求項１乃至６のいずれかに記載の発光装置。
8. 発光素子を収容するための凹部の内周面の少なくとも一部を形成し、樹脂を含む基材と前記基材と異なる熱膨張係数を有する複数の粒子とによって構成されるパッケージと、前記凹部の底面に配置されるリードと、を一体成形する工程と、
   前記凹部の内周面を、透光性と絶縁性を有する被覆膜によって覆う工程と、
   前記複数の粒子の膨張収縮によって前記被覆膜のうち前記複数の粒子上に複数の微小クラックを形成する工程、又は／及び、前記基材上に比べて前記複数の粒子上において前記被覆膜の厚みを薄く形成する工程と、
   を備える発光装置の製造方法。
9. 前記被覆膜によって前記内周面を覆う工程では、原子層堆積法によって前記被覆膜を形成する、
   請求項８に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記被覆膜によって前記内周面を覆う工程では、前記リードの表面を前記被覆膜によって覆う、
    請求項８又は９に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記複数の微小クラックを形成する工程では、前記パッケージを加熱又は冷却する、
    請求項８乃至１０に記載の発光装置の製造方法。