JPH10195415A - 熱硬化接着剤付きリードフレーム - Google Patents
熱硬化接着剤付きリードフレームInfo
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 本発明は、耐熱性が高く且つ低不純物イ
オン性、硬化時の体積収縮の無い熱硬化型樹脂をリード
フレーム内のダイパッドへ塗布し、そのまま或いは低温
加熱により半硬化させた塗膜に半導体素子を低圧力で押
しつけ、その後硬化させ接着する事を目的とした接着剤
付きリードフレームを得る。 【構成】 熱硬化型樹脂をダイパッドに塗布したリード
フレーム。
オン性、硬化時の体積収縮の無い熱硬化型樹脂をリード
フレーム内のダイパッドへ塗布し、そのまま或いは低温
加熱により半硬化させた塗膜に半導体素子を低圧力で押
しつけ、その後硬化させ接着する事を目的とした接着剤
付きリードフレームを得る。 【構成】 熱硬化型樹脂をダイパッドに塗布したリード
フレーム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージにお
ける半導体素子に接着するリードフレーム及び当該リー
ドフレームにより接着された半導体素子に関するもので
ある。
ける半導体素子に接着するリードフレーム及び当該リー
ドフレームにより接着された半導体素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】リードフレームと半導体素子との接着剤の
主成分として、熱硬化型樹脂としてはエポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂やその変性樹脂等が使用され、熱可塑樹脂
としてはポリイミド樹脂やその変性樹脂等がある。 こ
れら樹脂を液状あるいはフィルムにしたり、また銀粉を
配合し導電性を持たせたり、接着テープにしてリードフ
レームと半導体素子との接着を行っていた。
主成分として、熱硬化型樹脂としてはエポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂やその変性樹脂等が使用され、熱可塑樹脂
としてはポリイミド樹脂やその変性樹脂等がある。 こ
れら樹脂を液状あるいはフィルムにしたり、また銀粉を
配合し導電性を持たせたり、接着テープにしてリードフ
レームと半導体素子との接着を行っていた。
【０００３】例えば、ダイパッド上へ導電性フィラー配
合のエポキシ系樹脂ペーストを塗布した後、半導体素子
を押し付け、所定の温度によって加熱し硬化接着する方
法や、熱可塑性樹脂をフィルム化しダイパッドと素子と
を接着している。また、インナーリードへの接着剤形成
は、ポリイミド樹脂系フィルムの表裏面に熱硬化型ある
いは熱可塑性接着剤を塗布している接着テープをインナ
ーリードへ仮接着して、その後半導体素子と本接着する
ものが主流である。
合のエポキシ系樹脂ペーストを塗布した後、半導体素子
を押し付け、所定の温度によって加熱し硬化接着する方
法や、熱可塑性樹脂をフィルム化しダイパッドと素子と
を接着している。また、インナーリードへの接着剤形成
は、ポリイミド樹脂系フィルムの表裏面に熱硬化型ある
いは熱可塑性接着剤を塗布している接着テープをインナ
ーリードへ仮接着して、その後半導体素子と本接着する
ものが主流である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】リードフレームと半導
体素子からなる半導体パッケージは配線板のパッド部と
半田によって電気的・機械的に接続される。 この時の
半田付けの温度は２２０〜２６０℃程度の高温になる。
特にリードフレームと半導体素子の接着剤がエポキシ
樹脂の場合は、高温下で熱分解を起こし発生したガスが
パッケージ内の内圧を高め、モールド樹脂に亀裂を発生
させたり、半導体素子とリードフレームとの剥離を起こ
す事がある。また、エポキシ樹脂の多くは主剤と硬化剤
の２液タイプか予め一体形とした１液タイプがあるが、
いずれも放置による自然硬化が進み易く使用環境と使用
期間に制約があった。
体素子からなる半導体パッケージは配線板のパッド部と
半田によって電気的・機械的に接続される。 この時の
半田付けの温度は２２０〜２６０℃程度の高温になる。
特にリードフレームと半導体素子の接着剤がエポキシ
樹脂の場合は、高温下で熱分解を起こし発生したガスが
パッケージ内の内圧を高め、モールド樹脂に亀裂を発生
させたり、半導体素子とリードフレームとの剥離を起こ
す事がある。また、エポキシ樹脂の多くは主剤と硬化剤
の２液タイプか予め一体形とした１液タイプがあるが、
いずれも放置による自然硬化が進み易く使用環境と使用
期間に制約があった。
【０００５】しかし、比較的熱分解の発生量が低く、保
存安定性と耐熱性に優れた熱可塑性樹脂であるポリイミ
ド樹脂は３００℃以上の高温で高圧力下でしか満足な接
着性が得られない。 使用される半導体素子は微細な配
線に加え不純物ドープ濃度等温度に敏感な構造または材
質で構成されているため、一時的にも３００℃以上の高
温に曝されるのは望ましくない。 また、リードフレー
ムの材質が銅または銅合金の場合は高温に曝される事に
より表面に脆い酸化層が形成し易く、モールド樹脂で封
止する際にリードフレームのリード部との界面が密着不
良となる。よって、低温で硬化接着が行える樹脂である
必要があった。
存安定性と耐熱性に優れた熱可塑性樹脂であるポリイミ
ド樹脂は３００℃以上の高温で高圧力下でしか満足な接
着性が得られない。 使用される半導体素子は微細な配
線に加え不純物ドープ濃度等温度に敏感な構造または材
質で構成されているため、一時的にも３００℃以上の高
温に曝されるのは望ましくない。 また、リードフレー
ムの材質が銅または銅合金の場合は高温に曝される事に
より表面に脆い酸化層が形成し易く、モールド樹脂で封
止する際にリードフレームのリード部との界面が密着不
良となる。よって、低温で硬化接着が行える樹脂である
必要があった。
【０００６】本発明の目的は高温下でもガスの発生が無
く、保存安定性に優れ、リードフレームと半導体素子と
を低温下で良好な接着可能な樹脂である熱硬化型接着剤
が塗布されたリードフレームまたはこれに接着された半
導体素子を得る事にある。
く、保存安定性に優れ、リードフレームと半導体素子と
を低温下で良好な接着可能な樹脂である熱硬化型接着剤
が塗布されたリードフレームまたはこれに接着された半
導体素子を得る事にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち上記の課題を解
決するための本発明は、（１） 一般式（１）（化２）
決するための本発明は、（１） 一般式（１）（化２）
【０００８】
【化２】 （式中、Ｒ１は水素原子または炭素数１から３０のアル
キル基、アニケニル基、アルキニル基、フェニル基やナ
フチル基などの芳香族基、Ｒ２は炭素数１から３０のア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、フェニ
レン基やナフチレン基などのニ価の芳香族基、Ｒ３は炭
素数１から３０のアルキレン基、アルケニレン基、アル
キニレン基、フェニレン基やナフチレン基などのニ価の
芳香族基、芳香族基が直接または架橋員を通して連結し
た基、または芳香族基が炭素数１から３０のアルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基と直接またはメチ
レン基、イソプロピリデン基、エーテル基、カルボニル
基、スルフィド基、シラネデル基などの架橋員を通して
連結した基であり、Ｒ１Ｒ２Ｒ３の各基はハロゲン元
素、水酸基、アミノ基、カルボキシル基などの置換基を
含んでもよい。ｍ、ｎは０または１である。）で表され
る含珪素高分子化合物を用い、タックしない未硬化状態
で、被着物を密着させた後５０〜３００℃に加熱して得
られる熱硬化型接着剤、（２） （１）記載の熱硬化型
接着剤をリードフレーム内のダイパッド部へ塗布した熱
硬化型接着剤付きリードフレーム、（３） 上記（１）
記載の熱硬化型接着剤をリードフレーム内のインナーリ
ード部へ塗布した熱硬化型接着剤付きリードフレーム、
（４） 上記の（２）または（３）に記載のリードフレ
ームにより接着させて得られた半導体素子である。
キル基、アニケニル基、アルキニル基、フェニル基やナ
フチル基などの芳香族基、Ｒ２は炭素数１から３０のア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、フェニ
レン基やナフチレン基などのニ価の芳香族基、Ｒ３は炭
素数１から３０のアルキレン基、アルケニレン基、アル
キニレン基、フェニレン基やナフチレン基などのニ価の
芳香族基、芳香族基が直接または架橋員を通して連結し
た基、または芳香族基が炭素数１から３０のアルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基と直接またはメチ
レン基、イソプロピリデン基、エーテル基、カルボニル
基、スルフィド基、シラネデル基などの架橋員を通して
連結した基であり、Ｒ１Ｒ２Ｒ３の各基はハロゲン元
素、水酸基、アミノ基、カルボキシル基などの置換基を
含んでもよい。ｍ、ｎは０または１である。）で表され
る含珪素高分子化合物を用い、タックしない未硬化状態
で、被着物を密着させた後５０〜３００℃に加熱して得
られる熱硬化型接着剤、（２） （１）記載の熱硬化型
接着剤をリードフレーム内のダイパッド部へ塗布した熱
硬化型接着剤付きリードフレーム、（３） 上記（１）
記載の熱硬化型接着剤をリードフレーム内のインナーリ
ード部へ塗布した熱硬化型接着剤付きリードフレーム、
（４） 上記の（２）または（３）に記載のリードフレ
ームにより接着させて得られた半導体素子である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明使用の熱硬化型接着剤とし
ては、一般式（１）で表される含ケイ素高分子化合物と
は、繰り返し単位中に少なくとも１個のＳｉ−Ｈ結合と
少なくとも１個のＣ≡Ｃ結合を有するものであって、こ
の繰り返し部分が少なくとも全高分子の１／３以上を占
める。具体的には、くり返し構造単位（２）（化３）
ては、一般式（１）で表される含ケイ素高分子化合物と
は、繰り返し単位中に少なくとも１個のＳｉ−Ｈ結合と
少なくとも１個のＣ≡Ｃ結合を有するものであって、こ
の繰り返し部分が少なくとも全高分子の１／３以上を占
める。具体的には、くり返し構造単位（２）（化３）
【００１０】
【化３】 くり返し構造単位（３）（化４）
【００１１】
【化４】 くり返し構造単位（４）（化５）
【００１２】
【化５】 くり返し構造単位（５）（化６）
【００１３】
【化６】 くり返し構造単位（６）（化７）
【００１４】
【化７】 くり返し構造単位（７）（化８）
【００１５】
【化８】 くり返し構造単位（８）（化９）
【００１６】
【化９】 くり返し構造単位（９）（化１０）
【００１７】
【化１０】 くり返し構造単位（１０）（化１１）
【００１８】
【化１１】 くり返し構造単位（１１）（化１２）
【００１９】
【化１２】 くり返し構造単位（１２）（化１３）
【００２０】
【化１３】 くり返し構造単位（１３）（化１４）
【００２１】
【化１４】 くり返し構造単位（１４）（化１５）
【００２２】
【化１５】 くり返し構造単位（１５）（化１６）
【００２３】
【化１６】 くり返し構造単位（１６）（化１７）
【００２４】
【化１７】 くり返し構造単位（１７）（化１８）
【００２５】
【化１８】 くり返し構造単位（１８）（化１９）
【００２６】
【化１９】 くり返し構造単位（１９）（化２０）
【００２７】
【化２０】 くり返し構造単位（２０）（化２１）
【００２８】
【化２１】 くり返し構造単位（２１）（化２２）
【００２９】
【化２２】 くり返し構造単位（２２）（化２３）
【００３０】
【化２３】 くり返し構造単位（２３）（化２４）
【００３１】
【化２４】 くり返し構造単位（２４）（化２５）
【００３２】
【化２５】 くり返し構造単位（２５）（化２６）
【００３３】
【化２６】 くり返し構造単位（２６）（化２７）
【００３４】
【化２７】 くり返し構造単位（２７）（化２８）
【００３５】
【化２８】 くり返し構造単位（３８）（化２９）
【００３６】
【化２９】 くり返し構造単位（２９）（化３０）
【００３７】
【化３０】 くり返し構造単位（３０）（化３１）
【００３８】
【化３１】 くり返し構造単位（３１）（化３２）
【００３９】
【化３２】 くり返し構造単位（３２）（化３３）
【００４０】
【化３３】 くり返し構造単位（３３）（化３４）
【００４１】
【化３４】 くり返し構造単位（３４）（化３５）
【００４２】
【化３５】 くり返し構造単位（３５）（化３６）
【００４３】
【化３６】 くり返し構造単位（３６）（化３７）
【００４４】
【化３７】 くり返し構造単位（３７）（化３８）
【００４５】
【化３８】 くり返し構造単位（３８）（化３９）
【００４６】
【化３９】 くり返し構造単位（３９）（化４０）
【００４７】
【化４０】 くり返し構造単位（４０）（化４１）
【００４８】
【化４１】 くり返し構造単位（４１）（化４２）
【００４９】
【化４２】 くり返し構造単位（４２）（化４３）
【００５０】
【化４３】 くり返し構造単位（４３）（化４４）
【００５１】
【化４４】 くり返し構造単位（４４）（化４５）
【００５２】
【化４５】 くり返し構造単位（４５）（化４６）
【００５３】
【化４６】 またはくり返し構造単位（４６）（４７）（化４７）
【００５４】
【化４７】 などがある。重量平均分子量に特に制限はないが、好ま
しくはく５００〜１００００００、より好ましくは５０
０〜５０００００の範囲である。形態は液状又は固体状
である。これらの含ケイ素高分子化合物の製造方法は、
例えば反応式（４８）（化４８）
しくはく５００〜１００００００、より好ましくは５０
０〜５０００００の範囲である。形態は液状又は固体状
である。これらの含ケイ素高分子化合物の製造方法は、
例えば反応式（４８）（化４８）
【００５５】
【化４８】 のような方法を採用できるが、本発明はこれらの製造方
法に特に限定されるものではない。
法に特に限定されるものではない。
【００５６】上記の製造方法では塩基性金属酸化物を触
媒として用いているので、反応終了後に濾過するだけで
容易に触媒を分離することができ、非常に高純度な含ケ
イ素高分子化合物を得ることができる。この含珪素高分
子化合物をリードフレームのダイパッド上やインナーリ
ード上へ印刷Ｔまたはディスペンサーにより積層し接着
剤として使用する。
媒として用いているので、反応終了後に濾過するだけで
容易に触媒を分離することができ、非常に高純度な含ケ
イ素高分子化合物を得ることができる。この含珪素高分
子化合物をリードフレームのダイパッド上やインナーリ
ード上へ印刷Ｔまたはディスペンサーにより積層し接着
剤として使用する。
【００５７】リードフレームとしては、ニッケル−鉄合
金（４２アロイ）や銅または銅合金、アルミニウム合金
を金型による打ち抜きプレスや腐食によってダイパッド
やインナーリードを有するリードフレームの形状へと成
形したものである。接着剤の形態としては、含珪素高分
子化合物をそのまま使用したり、接着目的に応じてフィ
ラーを配合させる事が出来る。 例えば、ダイパッドと
半導体素子との電気的導通を取るために銀粉を配合した
りする。
金（４２アロイ）や銅または銅合金、アルミニウム合金
を金型による打ち抜きプレスや腐食によってダイパッド
やインナーリードを有するリードフレームの形状へと成
形したものである。接着剤の形態としては、含珪素高分
子化合物をそのまま使用したり、接着目的に応じてフィ
ラーを配合させる事が出来る。 例えば、ダイパッドと
半導体素子との電気的導通を取るために銀粉を配合した
りする。
【００５８】銀粉は鱗片状または球状で、平均粒子径が
１〜３μｍのものを使用し、配合は接着性を損なわない
程度に止める配慮が必要であるが、当該樹脂に対し重量
比で６０％〜９０％、望ましくは７５〜８５％の銀粉を
ロールミル等の混練機で均一に混合したペーストによっ
て満足する。 ここで、良好な接着とは接着された半導
体素子を水平方向へと押し、剥離するまでの応力を測定
しその時の強度が４Ｋｇｆ以上である事とする。
１〜３μｍのものを使用し、配合は接着性を損なわない
程度に止める配慮が必要であるが、当該樹脂に対し重量
比で６０％〜９０％、望ましくは７５〜８５％の銀粉を
ロールミル等の混練機で均一に混合したペーストによっ
て満足する。 ここで、良好な接着とは接着された半導
体素子を水平方向へと押し、剥離するまでの応力を測定
しその時の強度が４Ｋｇｆ以上である事とする。
【００５９】このペーストを既存の銀粉配合のエポキシ
樹脂と同様にディスペンサーによってダイパッド上へと
塗布出来る。また、スクリーン印刷によるダイパッドま
たはインナーリードへの塗布も可能である。印刷法を用
いる事から樹脂に粘度を持たせる必要がある。その手法
としては、フィラーを配合するのが簡便である。フィラ
ーはアルミナ、タルク、酸化珪素等の微粒子が挙げられ
る。
樹脂と同様にディスペンサーによってダイパッド上へと
塗布出来る。また、スクリーン印刷によるダイパッドま
たはインナーリードへの塗布も可能である。印刷法を用
いる事から樹脂に粘度を持たせる必要がある。その手法
としては、フィラーを配合するのが簡便である。フィラ
ーはアルミナ、タルク、酸化珪素等の微粒子が挙げられ
る。
【００６０】粘度は特に規定しないが、好ましくはＥＨ
Ｄ型回転粘度計（東京計器社製）で２．５ｒｐｍ時にお
いて、２５℃雰囲気中で粘度が５，０００〜５０，００
０ｃｐｓ、好ましくは１０，０００〜４０，０００ｃｐ
ｓの範囲が良い。印刷法としては、スクリーン印刷やメ
タルマスクによる印刷を用いる。スクリーン印刷ではメ
ッシュ番定、乳材厚みは樹脂の粘度や所望する塗膜厚み
によって調整する。良好な範囲としては、メッシュは１
００〜３５０メッシュ、望ましくは１６０〜２５０メッ
シュである。
Ｄ型回転粘度計（東京計器社製）で２．５ｒｐｍ時にお
いて、２５℃雰囲気中で粘度が５，０００〜５０，００
０ｃｐｓ、好ましくは１０，０００〜４０，０００ｃｐ
ｓの範囲が良い。印刷法としては、スクリーン印刷やメ
タルマスクによる印刷を用いる。スクリーン印刷ではメ
ッシュ番定、乳材厚みは樹脂の粘度や所望する塗膜厚み
によって調整する。良好な範囲としては、メッシュは１
００〜３５０メッシュ、望ましくは１６０〜２５０メッ
シュである。
【００６１】塗工された接着剤と半導体素子を接着する
方法は、半導体素子を上面から０．０５ｇｆ以上、望ま
しくは０．１ｇｆ以上の圧力でリードフレームに対し垂
直に押しつけ、５０〜３００℃、望ましくは１００〜２
５０℃の温度で加熱する事によって接着される。また、
塗布した接着剤を一時的にタックしない状態にしてお
き、後に接着する手法も可能である。乾燥条件として
は、塗工したリードフレームを１５０〜２００℃、望ま
しくは１６０〜１８０℃の範囲で乾燥させる。
方法は、半導体素子を上面から０．０５ｇｆ以上、望ま
しくは０．１ｇｆ以上の圧力でリードフレームに対し垂
直に押しつけ、５０〜３００℃、望ましくは１００〜２
５０℃の温度で加熱する事によって接着される。また、
塗布した接着剤を一時的にタックしない状態にしてお
き、後に接着する手法も可能である。乾燥条件として
は、塗工したリードフレームを１５０〜２００℃、望ま
しくは１６０〜１８０℃の範囲で乾燥させる。
【００６２】上記手法で得られる熱硬化接着剤付きリー
ドフレームは、熱示差天秤において２６０℃雰囲気下で
の加熱減量が０．５％以下の熱硬化接着剤を有し、加熱
減量５％以上であるエポキシ樹脂と比較し、アウトガス
による半導体パッケージのクラック発生が無く、同等の
加熱減量を示すポリイミド樹脂と比較しエポキシ樹脂並
みの低温、低圧力下での接着が可能であり、信頼性の高
い半導体パッケージを提供できる。
ドフレームは、熱示差天秤において２６０℃雰囲気下で
の加熱減量が０．５％以下の熱硬化接着剤を有し、加熱
減量５％以上であるエポキシ樹脂と比較し、アウトガス
による半導体パッケージのクラック発生が無く、同等の
加熱減量を示すポリイミド樹脂と比較しエポキシ樹脂並
みの低温、低圧力下での接着が可能であり、信頼性の高
い半導体パッケージを提供できる。
【００６３】実施例１ ４２アロイを基材とするダイパッド付きリードフレーム
のダイパッド部に、前記式（６）の含珪素高分子化合物
を内径０．５ｍｍのシリンジを持つディスペンサーにて
吐出圧力０．８Ｋｇ／ｃｍ2、０．５秒で滴下し、厚み
０．２ｍｍ、面積が１０ｍｍ四方の半導体素子を片面を
２０００番の紙ヤスリで研磨し、１００ｇの圧力でダイ
パッドに対し垂直に押しつけた。 その後、窒素雰囲気
下で２３０℃、１０分の加熱処理を行い、硬化させた。
（図１） この時、半導体素子に対し水平に荷重を掛け、剥離する
時の強度をプッシュプルゲージにて測定した所、強度は
２１Ｋｇｆであり良好な強度を得た。また、２６０℃の
半田浴に１分間浸漬させても樹脂のクラックや半導体素
子との剥離は見られなかった。
のダイパッド部に、前記式（６）の含珪素高分子化合物
を内径０．５ｍｍのシリンジを持つディスペンサーにて
吐出圧力０．８Ｋｇ／ｃｍ2、０．５秒で滴下し、厚み
０．２ｍｍ、面積が１０ｍｍ四方の半導体素子を片面を
２０００番の紙ヤスリで研磨し、１００ｇの圧力でダイ
パッドに対し垂直に押しつけた。 その後、窒素雰囲気
下で２３０℃、１０分の加熱処理を行い、硬化させた。
（図１） この時、半導体素子に対し水平に荷重を掛け、剥離する
時の強度をプッシュプルゲージにて測定した所、強度は
２１Ｋｇｆであり良好な強度を得た。また、２６０℃の
半田浴に１分間浸漬させても樹脂のクラックや半導体素
子との剥離は見られなかった。
【００６４】実施例２ ４２アロイを基材とするダイパッド付きリードフレーム
のダイパッド部に、前記式（５）の含珪素高分子化合物
２２部に対し、球状で平均粒子径が２μｍの銀粉を７８
部配合させた硬化後の導電度が１×１０-4Ω・ｃｍであ
る銀ペーストを内径０．５ｍｍのシリンジを持つディス
ペンサーにて吐出圧力２Ｋｇ／ｃｍ2、０．５秒で滴下
し、１０ｃｍ四方の半導体素子を１００ｇの圧力でダイ
パッドに対し垂直に押しつけた。 その後、窒素雰囲気
下で２３０℃、１０分の加熱処理を行い、硬化させた。
この時、実施例１と同様の強度を測定した結果、９．７
Ｋｇｆを示し良好な強度であった。また、２６０℃の半
田浴に１分間浸漬させても樹脂のクラックや半導体素子
との剥離は見られなかった。
のダイパッド部に、前記式（５）の含珪素高分子化合物
２２部に対し、球状で平均粒子径が２μｍの銀粉を７８
部配合させた硬化後の導電度が１×１０-4Ω・ｃｍであ
る銀ペーストを内径０．５ｍｍのシリンジを持つディス
ペンサーにて吐出圧力２Ｋｇ／ｃｍ2、０．５秒で滴下
し、１０ｃｍ四方の半導体素子を１００ｇの圧力でダイ
パッドに対し垂直に押しつけた。 その後、窒素雰囲気
下で２３０℃、１０分の加熱処理を行い、硬化させた。
この時、実施例１と同様の強度を測定した結果、９．７
Ｋｇｆを示し良好な強度であった。また、２６０℃の半
田浴に１分間浸漬させても樹脂のクラックや半導体素子
との剥離は見られなかった。
【００６５】実施例３ 実施例１と同様の金属板において、ＬＯＣ型リードフレ
ームのインナーリード（幅は２５０μｍ）の部分に当た
る箇所に、厚み５０μｍのメタルマスクを用い、平均粒
径が０．１μｍのシリカ粉を前記式（６）の含珪素高分
子化合物１００部に対し３部配合させたペーストを印刷
した。（図２） 窒素雰囲気中で１８０℃、８分加熱に
よりタックしない状態にしておき、接着剤付きリードフ
レームを５０枚重ね梱包した後、取り出したが接着剤が
他の部分に付着した形跡はなかった。
ームのインナーリード（幅は２５０μｍ）の部分に当た
る箇所に、厚み５０μｍのメタルマスクを用い、平均粒
径が０．１μｍのシリカ粉を前記式（６）の含珪素高分
子化合物１００部に対し３部配合させたペーストを印刷
した。（図２） 窒素雰囲気中で１８０℃、８分加熱に
よりタックしない状態にしておき、接着剤付きリードフ
レームを５０枚重ね梱包した後、取り出したが接着剤が
他の部分に付着した形跡はなかった。
【００６６】その後、インナーリード部上に形成された
接着剤と半導体素子の回路面全面を保護する目的である
保護膜（厚さ１μｍのＳｉＮ膜）とを２３０℃、５００
ｇ、１０分で接着した。（図３） 実施例１と同様の接
着強度測定の結果、インナーリードが曲がり正しい値が
読み取れなかったが、曲がる寸前の強度は８Ｋｇを示し
ており良好な接着性を示した。また、２６０℃の半田浴
に１分間浸漬させても樹脂のクラックや半導体素子との
剥離は見られなかった。
接着剤と半導体素子の回路面全面を保護する目的である
保護膜（厚さ１μｍのＳｉＮ膜）とを２３０℃、５００
ｇ、１０分で接着した。（図３） 実施例１と同様の接
着強度測定の結果、インナーリードが曲がり正しい値が
読み取れなかったが、曲がる寸前の強度は８Ｋｇを示し
ており良好な接着性を示した。また、２６０℃の半田浴
に１分間浸漬させても樹脂のクラックや半導体素子との
剥離は見られなかった。
【００６７】比較例１ ダイパッドを有するリードフレームのダイパッド部に、
ディスペンサーによってエポキシ樹脂系Ａｇペースト接
着剤を塗布し、半導体素子を５００ｇの荷重で押しつけ
て固定した。 実施例１と同様の強度測定をした結果、
１５Ｋｇｆであり良好な結果を得たが、１５０℃、２４
Ｈｒにて接着剤を硬化接着した後、モールド樹脂にて全
体を封止し２６０℃、１分の半田浴に浸漬した所、硬化
したエポキシ樹脂系Ａｇペーストから出たガスでモール
ド樹脂とリードフレームとの間に亀裂が入った。
ディスペンサーによってエポキシ樹脂系Ａｇペースト接
着剤を塗布し、半導体素子を５００ｇの荷重で押しつけ
て固定した。 実施例１と同様の強度測定をした結果、
１５Ｋｇｆであり良好な結果を得たが、１５０℃、２４
Ｈｒにて接着剤を硬化接着した後、モールド樹脂にて全
体を封止し２６０℃、１分の半田浴に浸漬した所、硬化
したエポキシ樹脂系Ａｇペーストから出たガスでモール
ド樹脂とリードフレームとの間に亀裂が入った。
【００６８】比較例２ ダイパッド上にＮ−メチル２ピロリドンに溶解した熱可
塑性ポリイミド樹脂溶液をディスペンサーにて滴下し、
窒素雰囲気中で２７０℃、５０分の乾燥を行い、半導体
素子と２３０℃、５００ｇの条件で接着を試みたが、全
く接着しなかった。
塑性ポリイミド樹脂溶液をディスペンサーにて滴下し、
窒素雰囲気中で２７０℃、５０分の乾燥を行い、半導体
素子と２３０℃、５００ｇの条件で接着を試みたが、全
く接着しなかった。
【００６９】
【発明の効果】本発明の効果としては、エポキシ系接着
剤と比較し耐熱性があり、ポリイミド系接着剤と比較し
低温且つ低圧力でリードフレームと半導体素子とを接着
できる低不純物耐熱性接着剤が得られた。
剤と比較し耐熱性があり、ポリイミド系接着剤と比較し
低温且つ低圧力でリードフレームと半導体素子とを接着
できる低不純物耐熱性接着剤が得られた。
【図１】リードフレーム内のダイパッド部と半導体素子
とを含珪素高分子化合物で接着した断面図である。
とを含珪素高分子化合物で接着した断面図である。
【図２】含珪素高分子化合物ペーストが印刷されたイン
ナーリードの断面図である。
ナーリードの断面図である。
【図３】含珪素高分子化合物ペーストが印刷されたイン
ナーリード上へ半導体素子を接着した上面図である。
ナーリード上へ半導体素子を接着した上面図である。
【図４】含珪素高分子化合物ペーストが印刷されたイン
ナーリード上へ半導体素子を接着した断面図である。
ナーリード上へ半導体素子を接着した断面図である。
１ リードフレーム ２ ダイパッド ３ インナーリード ４ 含珪素高分子化合物 ５ 含珪素高分子化合物ペースト ６ 半導体素子
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（１） （化１） 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１から３０のアル
キル基、アニケニル基、アルキニル基、フェニル基やナ
フチル基などの芳香族基、Ｒ2は炭素数１から３０のア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、フェニ
レン基やナフチレン基などのニ価の芳香族基、Ｒ3は炭
素数１から３０のアルキレン基、アルケニレン基、アル
キニレン基、フェニレン基やナフチレン基などのニ価の
芳香族基、芳香族基が直接または架橋員を通して連結し
た基、または芳香族基が炭素数１から３０のアルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基と直接またはメチ
レン基、イソプロピリデン基、エーテル基、カルボニル
基、スルフィド基、シラネデル基などの架橋員を通して
連結した基であり、Ｒ1Ｒ2Ｒ3の各基はハロゲン元素、
水酸基、アミノ基、カルボキシル基などの置換基を含ん
でもよい。ｍ、ｎは０または１である。）で表される含
珪素高分子化合物を用い、タックしない未硬化状態で、
被着物を密着させた後５０〜３００℃に加熱して得られ
る熱硬化型接着剤。 - 【請求項２】 請求項１記載の熱硬化型接着剤をリード
フレーム内のダイパッド部へ塗布した熱硬化型接着剤付
きリードフレーム - 【請求項３】 請求項１記載の熱硬化型接着剤をリード
フレーム内のインナーリード部へ塗布した熱硬化型接着
剤付きリードフレーム - 【請求項４】 上記の請求項２または３に記載のリード
フレームにより接着させて得られた半導体素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88797A JPH10195415A (ja) | 1997-01-07 | 1997-01-07 | 熱硬化接着剤付きリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88797A JPH10195415A (ja) | 1997-01-07 | 1997-01-07 | 熱硬化接着剤付きリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10195415A true JPH10195415A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=11486197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP88797A Pending JPH10195415A (ja) | 1997-01-07 | 1997-01-07 | 熱硬化接着剤付きリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10195415A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509557A (ja) * | 1999-09-16 | 2003-03-11 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ポリ（エチニレン−フェニレン−エチニレン−シリレン）およびその調製方法 |
| JP2015002319A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-07 JP JP88797A patent/JPH10195415A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509557A (ja) * | 1999-09-16 | 2003-03-11 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | ポリ（エチニレン−フェニレン−エチニレン−シリレン）およびその調製方法 |
| JP2015002319A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050908 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080415 |