JP2003297861A - 半導体装置用接着テープ - Google Patents
半導体装置用接着テープInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ワイヤーボンディング性および耐
リフロー性に優れ層間剥離などの問題がない半導体装置
用接着テープを提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置用接着テープは、絶
縁性フィルムの少なくとも一面に、熱硬化性接着剤層が
積層されてなる半導体装置用接着テープであって、熱硬
化後における前記熱硬化性接着剤層の２００℃における
損失弾性率が５ＭＰａ以上であり、貯蔵弾性率が２０Ｍ
Ｐａ以上であることが好ましく、該熱硬化性接着剤層に
ポリアミド樹脂が含有され、該ポリアミド樹脂が炭素数
３６の不飽和脂肪酸二量体から得られたものが更に好ま
しい。
リフロー性に優れ層間剥離などの問題がない半導体装置
用接着テープを提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置用接着テープは、絶
縁性フィルムの少なくとも一面に、熱硬化性接着剤層が
積層されてなる半導体装置用接着テープであって、熱硬
化後における前記熱硬化性接着剤層の２００℃における
損失弾性率が５ＭＰａ以上であり、貯蔵弾性率が２０Ｍ
Ｐａ以上であることが好ましく、該熱硬化性接着剤層に
ポリアミド樹脂が含有され、該ポリアミド樹脂が炭素数
３６の不飽和脂肪酸二量体から得られたものが更に好ま
しい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの組立
工程に用いられ、デバイスの高密度実装に適したＴＡＢ
(Tape Automated Bonding)方式に用いるＴＡＢ用テー
プ、ＢＧＡ(Ball Grid Array)、ＣＳＰ(Chip Scale Pac
kage)等のインターポーザーに好適なＴＣＰ(Tape Carri
er Package)用テープ、リードフレーム固定用テープ、
及びリードフレームとフィルムキャリアテープをワイヤ
ーボンディングにより接続する方式に用いる半導体装置
用接着テープに関し、特に面実装型半導体装置に好適な
接着テープに関する。
工程に用いられ、デバイスの高密度実装に適したＴＡＢ
(Tape Automated Bonding)方式に用いるＴＡＢ用テー
プ、ＢＧＡ(Ball Grid Array)、ＣＳＰ(Chip Scale Pac
kage)等のインターポーザーに好適なＴＣＰ(Tape Carri
er Package)用テープ、リードフレーム固定用テープ、
及びリードフレームとフィルムキャリアテープをワイヤ
ーボンディングにより接続する方式に用いる半導体装置
用接着テープに関し、特に面実装型半導体装置に好適な
接着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型、薄型、軽量で実装密度の高
い半導体製造装置の要求が高まっており、電子部品の中
核を構成している多ピンのＩＣパッケージは、従来の周
辺接続型からエリア接続型のＢＧＡ、ＣＳＰと呼ばれる
高密度実装可能なＩＣパッケージに変わりつつある。Ｂ
ＧＡ及びＣＳＰはパッケージの裏面に面格子状の半田ボ
ールを外部接続端子として設けている。ＩＣ（半導体集
積回路）は再配線基板によりパッケージに加工され、マ
ザーボードである硬質プリント基板等に実装される。Ｂ
ＧＡは、再配線基板の種類によりプラスチックＢＧＡ
（Ｐ−ＢＧＡ）、テープＢＧＡ（Ｔ−ＢＧＡ）に大別さ
れる。Ｔ−ＢＧＡの中には従来のＴＡＢのＩＬＢ(イン
ナーリードボンディング)を用いた方式やワイヤボンデ
ィング方式によるタイプがあり、後者は特にファインピ
ッチＢＧＡ（ＦＢＧＡ）もしくはテープＣＳＰ（Ｔ−Ｃ
ＳＰ）と呼ばれている。
い半導体製造装置の要求が高まっており、電子部品の中
核を構成している多ピンのＩＣパッケージは、従来の周
辺接続型からエリア接続型のＢＧＡ、ＣＳＰと呼ばれる
高密度実装可能なＩＣパッケージに変わりつつある。Ｂ
ＧＡ及びＣＳＰはパッケージの裏面に面格子状の半田ボ
ールを外部接続端子として設けている。ＩＣ（半導体集
積回路）は再配線基板によりパッケージに加工され、マ
ザーボードである硬質プリント基板等に実装される。Ｂ
ＧＡは、再配線基板の種類によりプラスチックＢＧＡ
（Ｐ−ＢＧＡ）、テープＢＧＡ（Ｔ−ＢＧＡ）に大別さ
れる。Ｔ−ＢＧＡの中には従来のＴＡＢのＩＬＢ(イン
ナーリードボンディング)を用いた方式やワイヤボンデ
ィング方式によるタイプがあり、後者は特にファインピ
ッチＢＧＡ（ＦＢＧＡ）もしくはテープＣＳＰ（Ｔ−Ｃ
ＳＰ）と呼ばれている。
【０００３】従来、前記ＢＧＡパッケージにおける再配
線基板としてはガラスエポキシ基板等の硬質基板が主で
あったが、携帯電話等の普及に伴い、軽量、薄型化の要
求が高まり、かつ一般的に硬質基板よりテープ基板が高
密度の配線を作成し易い事から、近年ではＴ−ＢＧＡ、
ＣＳＰが主流になりつつある。ＴＡＢ技術を利用したＴ
−ＢＧＡは、高密度化が可能で放熱性にも優れる。ＣＳ
ＰはＢＧＡをさらに小型化したパッケージで、その構造
から低インピーダンス、周波数応答の高速性等の優れた
電気特性も有するパッケージである。また、ＬＣＤドラ
イバーに用いられる従来型のＴＡＢ方式の基板と比較し
て、更なる高密度化、小型化が可能なＣＯＦ(chip on f
ilm)と呼ばれるパッケージ形態もある。
線基板としてはガラスエポキシ基板等の硬質基板が主で
あったが、携帯電話等の普及に伴い、軽量、薄型化の要
求が高まり、かつ一般的に硬質基板よりテープ基板が高
密度の配線を作成し易い事から、近年ではＴ−ＢＧＡ、
ＣＳＰが主流になりつつある。ＴＡＢ技術を利用したＴ
−ＢＧＡは、高密度化が可能で放熱性にも優れる。ＣＳ
ＰはＢＧＡをさらに小型化したパッケージで、その構造
から低インピーダンス、周波数応答の高速性等の優れた
電気特性も有するパッケージである。また、ＬＣＤドラ
イバーに用いられる従来型のＴＡＢ方式の基板と比較し
て、更なる高密度化、小型化が可能なＣＯＦ(chip on f
ilm)と呼ばれるパッケージ形態もある。
【０００４】前記ＴＡＢ方式のパッケージ（ＴＣＰ）、
ＦＢＧＡ及びＣＯＦに用いられている基板は、ポリイミ
ドフィルムに接着剤を介して金属箔を積層したものが使
用されている。そして、ここで用いられる接着剤は、可
とう性と接着性が要求されている。また、ワイヤーボン
ディング方式のＣＳＰに関しては、ボンディング時テー
プ上に設置したＩＣチップ上のアルミ電極部とＴＡＢテ
ープ基板上の電極部（パッド部）とを金ワイヤ等で接続
する際に、高温、且つボンディングツールからの圧力が
加わる為、接着剤には高温での硬さが要求されている。
つまりテープ基板がワイヤボンディン性を有するには接
着剤は高温である程度の硬さを有する事が要求されてい
る。また、リフロー工程においても近年の半田ボールの
鉛フリー化に伴って、リフロー温度が従来の２３０〜２
４０℃から２６５℃程度まで上がってきているため、接
着剤にはより高温に耐えうる耐リフロー性の要求が高ま
っている。
ＦＢＧＡ及びＣＯＦに用いられている基板は、ポリイミ
ドフィルムに接着剤を介して金属箔を積層したものが使
用されている。そして、ここで用いられる接着剤は、可
とう性と接着性が要求されている。また、ワイヤーボン
ディング方式のＣＳＰに関しては、ボンディング時テー
プ上に設置したＩＣチップ上のアルミ電極部とＴＡＢテ
ープ基板上の電極部（パッド部）とを金ワイヤ等で接続
する際に、高温、且つボンディングツールからの圧力が
加わる為、接着剤には高温での硬さが要求されている。
つまりテープ基板がワイヤボンディン性を有するには接
着剤は高温である程度の硬さを有する事が要求されてい
る。また、リフロー工程においても近年の半田ボールの
鉛フリー化に伴って、リフロー温度が従来の２３０〜２
４０℃から２６５℃程度まで上がってきているため、接
着剤にはより高温に耐えうる耐リフロー性の要求が高ま
っている。
【０００５】従来上記接着剤としては、熱硬化性樹脂を
含有したエポキシ樹脂／ＮＢＲ（アクリロニトリル−ブ
タジエン共重合体）系接着剤やシリコーン系接着剤が使
用されてきた。しかし、エポキシ樹脂／ＮＢＲ系接着剤
は長時間の温度変化や高温高湿度下において、耐リフロ
ー性、ワイヤボンディング性及び絶縁性に問題を有する
ものであった。これは、ＮＢＲがジエン化合物を出発原
料としているために、長時間高温に曝されると主鎖に含
まれる二重結合が酸化により開裂し、次第に弾性を失っ
てしまうためである。その結果、応力緩和効果が無くな
り、ワイヤーボンディング時にパッド部が沈み込み、ワ
イヤーがパッド部に付着しない等、ワイヤボンディング
性に問題を有していた。また、弾性を失う結果、リフロ
ー特性も悪化し積層構成のテープの層間剥離を生ずる問
題を起こしていた。その上、配線基板のファインピッチ
化が進むため高温高湿化において絶縁性に問題を有して
いた。また、シリコーン系接着剤は、耐温度サイクル性
には優れている一方で、接着剤と配線基板やチップとの
貼付の際、貼付温度が前記のエポキシ樹脂／ＮＢＲ系接
着剤に比べ非常に高いことから、製造工程上で問題があ
った。
含有したエポキシ樹脂／ＮＢＲ（アクリロニトリル−ブ
タジエン共重合体）系接着剤やシリコーン系接着剤が使
用されてきた。しかし、エポキシ樹脂／ＮＢＲ系接着剤
は長時間の温度変化や高温高湿度下において、耐リフロ
ー性、ワイヤボンディング性及び絶縁性に問題を有する
ものであった。これは、ＮＢＲがジエン化合物を出発原
料としているために、長時間高温に曝されると主鎖に含
まれる二重結合が酸化により開裂し、次第に弾性を失っ
てしまうためである。その結果、応力緩和効果が無くな
り、ワイヤーボンディング時にパッド部が沈み込み、ワ
イヤーがパッド部に付着しない等、ワイヤボンディング
性に問題を有していた。また、弾性を失う結果、リフロ
ー特性も悪化し積層構成のテープの層間剥離を生ずる問
題を起こしていた。その上、配線基板のファインピッチ
化が進むため高温高湿化において絶縁性に問題を有して
いた。また、シリコーン系接着剤は、耐温度サイクル性
には優れている一方で、接着剤と配線基板やチップとの
貼付の際、貼付温度が前記のエポキシ樹脂／ＮＢＲ系接
着剤に比べ非常に高いことから、製造工程上で問題があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来の
接着剤が有していた問題点、すなわち、ワイヤーボンデ
ィング性および耐リフロー性に優れ層間剥離などの問題
がない半導体装置用接着テープを提供することを目的と
する。
接着剤が有していた問題点、すなわち、ワイヤーボンデ
ィング性および耐リフロー性に優れ層間剥離などの問題
がない半導体装置用接着テープを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用接
着テープは、絶縁性フィルムの少なくとも一面に、熱硬
化性接着剤層が積層されてなる半導体装置用接着テープ
であって、熱硬化後における前記熱硬化性接着剤層の２
００℃における損失弾性率が５ＭＰａ以上であることを
特徴とする。
着テープは、絶縁性フィルムの少なくとも一面に、熱硬
化性接着剤層が積層されてなる半導体装置用接着テープ
であって、熱硬化後における前記熱硬化性接着剤層の２
００℃における損失弾性率が５ＭＰａ以上であることを
特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明を構成する絶縁性フィルム
としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、
ポリオレフィン、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミ
ド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン
等のフィルムが使用できるが、ポリイミドフィルムが最
も絶縁性に優れるので好ましい。絶縁性フィルムは２０
〜２００μｍが好ましく、より好ましくは２５〜１２５
μｍである。絶縁性フィルムの厚さが２０μｍ未満では
半導体装置用接着テープの硬さ不足によりハンドリング
性が悪くなり、２００μｍより厚いと小型の半導体装置
が得られにくくなる。ポリイミドフィルムは市販されて
おり、東レ・デュポン社の商品名：カプトン、宇部興産
社の商品名：ユーピレックス、鐘淵化学工業社の商品
名：アピカル等が好ましく使用される。
としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、
ポリオレフィン、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミ
ド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン
等のフィルムが使用できるが、ポリイミドフィルムが最
も絶縁性に優れるので好ましい。絶縁性フィルムは２０
〜２００μｍが好ましく、より好ましくは２５〜１２５
μｍである。絶縁性フィルムの厚さが２０μｍ未満では
半導体装置用接着テープの硬さ不足によりハンドリング
性が悪くなり、２００μｍより厚いと小型の半導体装置
が得られにくくなる。ポリイミドフィルムは市販されて
おり、東レ・デュポン社の商品名：カプトン、宇部興産
社の商品名：ユーピレックス、鐘淵化学工業社の商品
名：アピカル等が好ましく使用される。
【０００９】本発明を構成する熱硬化性接着剤層は、熱
硬化後における２００℃における損失弾性率が５ＭＰａ
以上でなければならない。特に損失弾性率は５〜５０Ｍ
Ｐａが好ましく、更に１０〜３０ＭＰａが好ましい。５
ＭＰａ未満では、ワイヤーボンディング工程時に金ワイ
ヤーがパッド部に付着しないか、又は金ワイヤーとパッ
ド部とが十分に接続されないため、ワイヤーボンディン
グ工程後金ワイヤーがパッド部から剥がれるという問題
を有し、また、リフロー工程時に膨れや剥がれが生じて
層間剥離の問題が生じる。なお、ここでいう熱硬化後と
は、７０℃程度の低温から所定のプログラムにて温度を
加え、更に１５０〜１７０℃で１〜１０時間程度処理さ
れたものをいう。損失弾性率を５ＭＰａ以上に制御する
ためには、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポ
リイミド樹脂等の低分子量の反応性物質を含有させた
り、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の反応性の硬化性
物質を含有させることにより可能である。また、前記熱
硬化後における熱硬化性接着剤層は、２００℃における
貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上であることが好ましい。特
に貯蔵弾性率は２０〜３００ＭＰａが好ましく、更に５
０〜３００ＭＰａが好ましい。２００℃における貯蔵弾
性率が２０ＭＰａ以上である熱硬化性接着剤層を用いる
ことによって、ワイヤーボンディング性および耐リフロ
ー性に優れ層間剥離などの問題がない半導体装置用接着
テープを得ることができる。貯蔵弾性率を２０ＭＰａ以
上に制御するためには、ポリアミド樹脂やフェノール樹
脂等の架橋点間分子量の小さい常温で弾性率の高い樹脂
を含有させることにより可能である。損失弾性率及び貯
蔵弾性率は、ＤＭＡ(Dynamic Mechanical Analyzer)に
より測定することができる。損失弾性率及び貯蔵弾性率
の測定条件等については実施例において説明する。
硬化後における２００℃における損失弾性率が５ＭＰａ
以上でなければならない。特に損失弾性率は５〜５０Ｍ
Ｐａが好ましく、更に１０〜３０ＭＰａが好ましい。５
ＭＰａ未満では、ワイヤーボンディング工程時に金ワイ
ヤーがパッド部に付着しないか、又は金ワイヤーとパッ
ド部とが十分に接続されないため、ワイヤーボンディン
グ工程後金ワイヤーがパッド部から剥がれるという問題
を有し、また、リフロー工程時に膨れや剥がれが生じて
層間剥離の問題が生じる。なお、ここでいう熱硬化後と
は、７０℃程度の低温から所定のプログラムにて温度を
加え、更に１５０〜１７０℃で１〜１０時間程度処理さ
れたものをいう。損失弾性率を５ＭＰａ以上に制御する
ためには、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポ
リイミド樹脂等の低分子量の反応性物質を含有させた
り、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の反応性の硬化性
物質を含有させることにより可能である。また、前記熱
硬化後における熱硬化性接着剤層は、２００℃における
貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上であることが好ましい。特
に貯蔵弾性率は２０〜３００ＭＰａが好ましく、更に５
０〜３００ＭＰａが好ましい。２００℃における貯蔵弾
性率が２０ＭＰａ以上である熱硬化性接着剤層を用いる
ことによって、ワイヤーボンディング性および耐リフロ
ー性に優れ層間剥離などの問題がない半導体装置用接着
テープを得ることができる。貯蔵弾性率を２０ＭＰａ以
上に制御するためには、ポリアミド樹脂やフェノール樹
脂等の架橋点間分子量の小さい常温で弾性率の高い樹脂
を含有させることにより可能である。損失弾性率及び貯
蔵弾性率は、ＤＭＡ(Dynamic Mechanical Analyzer)に
より測定することができる。損失弾性率及び貯蔵弾性率
の測定条件等については実施例において説明する。
【００１０】熱硬化性接着剤層は、ポリアミド樹脂と硬
化性樹脂を含有する。ポリアミド樹脂は、炭素数４以上
の脂肪族ジアミンと不飽和脂肪酸二量体との縮合により
合成される。この場合の炭素数４以上の脂肪族ジアミン
の具体例としてはブチレンジアミン、ペンタメチレンジ
アミン、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジア
ミン、デカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミン
などがあげられ、中でも炭素数４〜１８の脂肪族ジアミ
ンが好ましく、炭素数４〜１２の脂肪族ジアミンがより
好ましく、さらに好ましくは炭素数６〜１２の脂肪族ジ
アミンが用いられる。このように従来のエチレンジアミ
ンより炭素数の長い脂肪族ジアミンを用いることで、熱
硬化性接着剤層は、高温時においても高い粘度（粘着
性）を示し、かつ高接着力を示すので絶縁性フィルムと
良好な密着力が得られる。さらに、該ポリアミド樹脂を
含む熱硬化性接着剤層は湿熱時にも優れた高絶縁性が得
られるようになり、熱収縮性も低いものとなる。
化性樹脂を含有する。ポリアミド樹脂は、炭素数４以上
の脂肪族ジアミンと不飽和脂肪酸二量体との縮合により
合成される。この場合の炭素数４以上の脂肪族ジアミン
の具体例としてはブチレンジアミン、ペンタメチレンジ
アミン、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジア
ミン、デカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミン
などがあげられ、中でも炭素数４〜１８の脂肪族ジアミ
ンが好ましく、炭素数４〜１２の脂肪族ジアミンがより
好ましく、さらに好ましくは炭素数６〜１２の脂肪族ジ
アミンが用いられる。このように従来のエチレンジアミ
ンより炭素数の長い脂肪族ジアミンを用いることで、熱
硬化性接着剤層は、高温時においても高い粘度（粘着
性）を示し、かつ高接着力を示すので絶縁性フィルムと
良好な密着力が得られる。さらに、該ポリアミド樹脂を
含む熱硬化性接着剤層は湿熱時にも優れた高絶縁性が得
られるようになり、熱収縮性も低いものとなる。
【００１１】不飽和脂肪酸二量体としては炭素数３６の
ものが好ましく使用される。炭素数３６の不飽和脂肪酸
二量体は、炭素数１８の不飽和脂肪酸を縮合させて得る
ことができる。該炭素数１８の不飽和脂肪酸としては、
オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられる。
この中でも特にリノール酸が熱硬化性接着剤層の２００
℃における損失弾性率を５ＭＰａ以上に調整しやすいの
で好ましく、更に９９．１〜８０重量％のリノール酸と
０．１〜２０重量％のオレイン酸又はリノレン酸からな
るものが好ましい。また、上記ポリアミド樹脂を合成す
る際、上記炭素数４以上の脂肪族ジアミンと不飽和脂肪
酸二量体以外に、副成分として少量の三官能以上の酸成
分、三官能以上のアミン成分を用いて分岐状ポリアミド
樹脂を合成することもできる。該副成分はポリアミド樹
脂の２０モル％以内にすることが好ましく、１０モル％
以内がより好ましい。副成分が２０モル％を超えて大き
いと硬化後の熱硬化性接着剤層の可とう性が悪くなる。
ものが好ましく使用される。炭素数３６の不飽和脂肪酸
二量体は、炭素数１８の不飽和脂肪酸を縮合させて得る
ことができる。該炭素数１８の不飽和脂肪酸としては、
オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられる。
この中でも特にリノール酸が熱硬化性接着剤層の２００
℃における損失弾性率を５ＭＰａ以上に調整しやすいの
で好ましく、更に９９．１〜８０重量％のリノール酸と
０．１〜２０重量％のオレイン酸又はリノレン酸からな
るものが好ましい。また、上記ポリアミド樹脂を合成す
る際、上記炭素数４以上の脂肪族ジアミンと不飽和脂肪
酸二量体以外に、副成分として少量の三官能以上の酸成
分、三官能以上のアミン成分を用いて分岐状ポリアミド
樹脂を合成することもできる。該副成分はポリアミド樹
脂の２０モル％以内にすることが好ましく、１０モル％
以内がより好ましい。副成分が２０モル％を超えて大き
いと硬化後の熱硬化性接着剤層の可とう性が悪くなる。
【００１２】該ポリアミド樹脂の重量平均分子量は５０
０〜５００００が好ましく、より好ましくは１０００〜
２００００である。重量平均分子量はゲルパーミュエー
ションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定され
る。また、該ポリアミド樹脂のアミン価は０．５〜６０
が好ましく、より好ましくは５〜６０である。アミン価
が０．５未満では電気絶縁性が不良になりやすく、６０
を超えて大きいと未反応のアミノ基が残り回路が汚染さ
れやすく、ボンディング不良を引き起こすなどの問題が
発生しやすい。また、アミン価の異なる２種類のポリア
ミド樹脂を用いると、硬化した熱硬化性接着剤層の可と
う性を容易に制御できるので好ましい。ここでポリアミ
ド樹脂のアミン価は、ポリアミド樹脂１ｇをトルエン／
ｎ−ブタノール混合溶液に溶解し、指示薬としてブロム
クレゾールグリーンの０．１％メタノール溶液を用い、
滴定液として０．１Ｎ塩酸を用いて行われ、当量の水酸
化カリウムのｍｇで表示する。また、ポリアミド樹脂の
アミド基間の分子量(酸とジアミンの分子量を合計して
２で除したもの)は、２５０〜４００のものが、接着剤
の常温の凝集力が下がり、平坦性が確保され、その結果
半導体用接着テープの常温での熱硬化性接着剤層による
カールがなく作業性が向上するため好ましい。
０〜５００００が好ましく、より好ましくは１０００〜
２００００である。重量平均分子量はゲルパーミュエー
ションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定され
る。また、該ポリアミド樹脂のアミン価は０．５〜６０
が好ましく、より好ましくは５〜６０である。アミン価
が０．５未満では電気絶縁性が不良になりやすく、６０
を超えて大きいと未反応のアミノ基が残り回路が汚染さ
れやすく、ボンディング不良を引き起こすなどの問題が
発生しやすい。また、アミン価の異なる２種類のポリア
ミド樹脂を用いると、硬化した熱硬化性接着剤層の可と
う性を容易に制御できるので好ましい。ここでポリアミ
ド樹脂のアミン価は、ポリアミド樹脂１ｇをトルエン／
ｎ−ブタノール混合溶液に溶解し、指示薬としてブロム
クレゾールグリーンの０．１％メタノール溶液を用い、
滴定液として０．１Ｎ塩酸を用いて行われ、当量の水酸
化カリウムのｍｇで表示する。また、ポリアミド樹脂の
アミド基間の分子量(酸とジアミンの分子量を合計して
２で除したもの)は、２５０〜４００のものが、接着剤
の常温の凝集力が下がり、平坦性が確保され、その結果
半導体用接着テープの常温での熱硬化性接着剤層による
カールがなく作業性が向上するため好ましい。
【００１３】次に本発明でいう熱硬化性接着剤層を構成
する硬化性樹脂について述べる。該硬化性樹脂は、熱硬
化性、光硬化性など硬化性を有する樹脂であれば使用で
きるが、熱硬化性樹脂、特にフェノール樹脂、エポキシ
樹脂、イミド樹脂が優れた電気絶縁性及び高耐熱性が得
られるので好ましい。該フェノール樹脂としてはアルキ
ルフェノール樹脂、ｐ−フェニルフェノール樹脂、ビス
フェノールＡ型フェノール樹脂等のノボラックフェノー
ル樹脂、及びレゾールフェノール樹脂、ポリフェニルパ
ラフェノール樹脂等が挙げられる。特にレゾールフェノ
ール樹脂は高耐熱性が得られ、下記に述べるエポキシ樹
脂を硬化させる機能を有するので好ましい。フェノール
樹脂は熱硬化性接着剤層の耐熱性を得るために重要な成
分であり、重量平均分子量が２０００〜５００００、好
ましくは２０００〜１５０００、更に好ましくは２００
０〜８０００のものが耐熱性が得られるため好ましい。
また、フェノール樹脂の軟化点は、１５１℃以上のもの
が更に耐熱性が向上するため好ましい。
する硬化性樹脂について述べる。該硬化性樹脂は、熱硬
化性、光硬化性など硬化性を有する樹脂であれば使用で
きるが、熱硬化性樹脂、特にフェノール樹脂、エポキシ
樹脂、イミド樹脂が優れた電気絶縁性及び高耐熱性が得
られるので好ましい。該フェノール樹脂としてはアルキ
ルフェノール樹脂、ｐ−フェニルフェノール樹脂、ビス
フェノールＡ型フェノール樹脂等のノボラックフェノー
ル樹脂、及びレゾールフェノール樹脂、ポリフェニルパ
ラフェノール樹脂等が挙げられる。特にレゾールフェノ
ール樹脂は高耐熱性が得られ、下記に述べるエポキシ樹
脂を硬化させる機能を有するので好ましい。フェノール
樹脂は熱硬化性接着剤層の耐熱性を得るために重要な成
分であり、重量平均分子量が２０００〜５００００、好
ましくは２０００〜１５０００、更に好ましくは２００
０〜８０００のものが耐熱性が得られるため好ましい。
また、フェノール樹脂の軟化点は、１５１℃以上のもの
が更に耐熱性が向上するため好ましい。
【００１４】また、エポキシ樹脂としては、エポキシ基
を２個以上有する樹脂であれば使用できる。具体的には
ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノ
ールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレ
ン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラグリ
シジルフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ジグリシジ
ルフェノールプロパン型エポキシ樹脂、グリシジルアミ
ン型エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エ
ポキシ樹脂等の２官能又は多官能エポキシ樹脂があげら
れ、特に耐熱性に優れる多官能エポキシ樹脂が好ましく
使用される。また、イミド樹脂としてはビスマレイミド
系樹脂等が好ましく使用される。
を２個以上有する樹脂であれば使用できる。具体的には
ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノ
ールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレ
ン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラグリ
シジルフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ジグリシジ
ルフェノールプロパン型エポキシ樹脂、グリシジルアミ
ン型エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エ
ポキシ樹脂等の２官能又は多官能エポキシ樹脂があげら
れ、特に耐熱性に優れる多官能エポキシ樹脂が好ましく
使用される。また、イミド樹脂としてはビスマレイミド
系樹脂等が好ましく使用される。
【００１５】また、本発明を構成する熱硬化性接着剤層
には、上記フェノール樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂
以外の硬化性樹脂成分を併用することもできる。さらに
また、硬化促進剤として、ポリアミン、酸無水物、イミ
ダゾール化合物を含有してもよい。また、本発明を構成
する熱硬化性接着剤層は、前記ポリアミド樹脂が硬化性
樹脂を含めた樹脂成分中に２０〜８０重量％であること
が好ましく、３０〜７０重量％であればより好ましい。
には、上記フェノール樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂
以外の硬化性樹脂成分を併用することもできる。さらに
また、硬化促進剤として、ポリアミン、酸無水物、イミ
ダゾール化合物を含有してもよい。また、本発明を構成
する熱硬化性接着剤層は、前記ポリアミド樹脂が硬化性
樹脂を含めた樹脂成分中に２０〜８０重量％であること
が好ましく、３０〜７０重量％であればより好ましい。
【００１６】また、本発明を構成する熱硬化性接着剤層
には、前記ポリアミド樹脂と硬化性樹脂に加えて、熱可
塑性樹脂を含有してもよい。熱可塑性樹脂を含有させる
ことで硬化後の熱硬化性接着剤層に可とう性を付与する
ことができる。該熱可塑性樹脂には、前記ポリアミド樹
脂の組成とは異なるポリアミド樹脂（例えば、炭素数３
以下の脂肪族ジアミンを縮合成分としたポリアミド樹
脂）、カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体、アミノ基含有アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体、グリシジル基含有アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体等のアクリロニトリル−ブタジエン共重
合体、熱可塑性ポリエステル樹脂、アクリルゴム、スチ
レン−ブタジエン共重合体等があげられ、アミノ基、カ
ルボキシル基、水酸基等の官能基を有する熱可塑性樹脂
であれば可とう性の制御がより容易になるので好ましく
用いられる。
には、前記ポリアミド樹脂と硬化性樹脂に加えて、熱可
塑性樹脂を含有してもよい。熱可塑性樹脂を含有させる
ことで硬化後の熱硬化性接着剤層に可とう性を付与する
ことができる。該熱可塑性樹脂には、前記ポリアミド樹
脂の組成とは異なるポリアミド樹脂（例えば、炭素数３
以下の脂肪族ジアミンを縮合成分としたポリアミド樹
脂）、カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体、アミノ基含有アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体、グリシジル基含有アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体等のアクリロニトリル−ブタジエン共重
合体、熱可塑性ポリエステル樹脂、アクリルゴム、スチ
レン−ブタジエン共重合体等があげられ、アミノ基、カ
ルボキシル基、水酸基等の官能基を有する熱可塑性樹脂
であれば可とう性の制御がより容易になるので好ましく
用いられる。
【００１７】また、本発明を構成する熱硬化性接着剤層
には、平均粒径１μｍ以下のフィラーを含有させてもよ
い。フィラーはシリカ、酸化チタン、アルミナ、窒化ケ
イ素、タルク、石英粉、酸化マグネシウム等の無機フィ
ラー、ポリシロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノー
ル樹脂等の樹脂粉末からなる有機フィラーのいずれでも
使用でき、これらの絶縁性のフィラーが好ましく使用さ
れる。該フィラーの添加量は樹脂固型分１００重量部に
対して、３０重量部までの範囲で添加することができ
る。
には、平均粒径１μｍ以下のフィラーを含有させてもよ
い。フィラーはシリカ、酸化チタン、アルミナ、窒化ケ
イ素、タルク、石英粉、酸化マグネシウム等の無機フィ
ラー、ポリシロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノー
ル樹脂等の樹脂粉末からなる有機フィラーのいずれでも
使用でき、これらの絶縁性のフィラーが好ましく使用さ
れる。該フィラーの添加量は樹脂固型分１００重量部に
対して、３０重量部までの範囲で添加することができ
る。
【００１８】本発明の半導体装置用接着テープを作製す
るには、上記した接着剤層用材料を有機溶剤を用いて溶
解、混合して液状の樹脂組成物とし、該組成物を塗料と
して絶縁性フィルムの少なくとも一面に塗布、積層、乾
燥して熱硬化性接着剤層を形成する。熱硬化性接着剤層
の好ましい乾燥後の厚さは３〜１００μｍ、より好まし
くは８〜４０μmである。熱硬化性接着剤層は乾燥し
て、半硬化状態にしておくことが好ましい。この時、該
組成物を絶縁性フィルムに直接塗工してもよいし、剥離
性フィルム等の仮の支持体に塗工して得られた接着シー
トを絶縁性フィルムに貼り合わせて本発明の半導体装置
用接着テープを作製してもよい。液状の樹脂組成物の作
製に好ましく用いられる有機溶剤としては、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、１，４
−ジオキサン、テトラヒドロフラン、エタノール、イソ
プロパノール、メチルセロソルブ等があげられる。これ
らの有機溶剤は２種以上を併用することもできる。
るには、上記した接着剤層用材料を有機溶剤を用いて溶
解、混合して液状の樹脂組成物とし、該組成物を塗料と
して絶縁性フィルムの少なくとも一面に塗布、積層、乾
燥して熱硬化性接着剤層を形成する。熱硬化性接着剤層
の好ましい乾燥後の厚さは３〜１００μｍ、より好まし
くは８〜４０μmである。熱硬化性接着剤層は乾燥し
て、半硬化状態にしておくことが好ましい。この時、該
組成物を絶縁性フィルムに直接塗工してもよいし、剥離
性フィルム等の仮の支持体に塗工して得られた接着シー
トを絶縁性フィルムに貼り合わせて本発明の半導体装置
用接着テープを作製してもよい。液状の樹脂組成物の作
製に好ましく用いられる有機溶剤としては、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、１，４
−ジオキサン、テトラヒドロフラン、エタノール、イソ
プロパノール、メチルセロソルブ等があげられる。これ
らの有機溶剤は２種以上を併用することもできる。
【００１９】また、熱硬化性接着剤層には保護フィルム
を設けることが好ましく、本発明の半導体装置用接着テ
ープ使用時には剥がして使用する。保護フィルムはポリ
エチレンテレフタレートやポリオレフィン等のフィルム
が使用でき、シリコーン等で剥離処理を施して剥離性を
付与したフィルムが好ましく使用される。
を設けることが好ましく、本発明の半導体装置用接着テ
ープ使用時には剥がして使用する。保護フィルムはポリ
エチレンテレフタレートやポリオレフィン等のフィルム
が使用でき、シリコーン等で剥離処理を施して剥離性を
付与したフィルムが好ましく使用される。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。
［実施例１］剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムからなる保護フィルムの一
面に、下記組成の接着剤層形成用塗料を乾燥後の厚さが
１２μｍになるよう塗布し、１３０℃で５分間乾燥して
接着フィルムを作製した。次いで該接着フィルムに厚さ
７５μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム
を重ね合わせ、１００℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱
圧着して、本発明の半導体装置用接着テープを作製し
た。 （接着剤層形成用塗料） ・９０重量％のリノール酸と１０重量％のオレイン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価２０、重量平均分子量２８００)を２５重量％混合したイソプロピルアルコー ル／トルエン混合溶液 ６４重量部 ・ナフタレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：エピクロ ンＨＰ７２００）を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ６．５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＥＬＳ３７３Ｚ）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １３重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ３重量部
レンテレフタレートフィルムからなる保護フィルムの一
面に、下記組成の接着剤層形成用塗料を乾燥後の厚さが
１２μｍになるよう塗布し、１３０℃で５分間乾燥して
接着フィルムを作製した。次いで該接着フィルムに厚さ
７５μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム
を重ね合わせ、１００℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱
圧着して、本発明の半導体装置用接着テープを作製し
た。 （接着剤層形成用塗料） ・９０重量％のリノール酸と１０重量％のオレイン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価２０、重量平均分子量２８００)を２５重量％混合したイソプロピルアルコー ル／トルエン混合溶液 ６４重量部 ・ナフタレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：エピクロ ンＨＰ７２００）を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ６．５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＥＬＳ３７３Ｚ）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １３重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ３重量部
【００２１】［実施例２］接着剤層形成用塗料として下
記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして本
発明の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・８５重量％のリノール酸と１５重量％のオレイン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価５０、重量平均分子量２３００)を２５重量％混合したイソプロピルアルコー ル／トルエン混合溶液 ４７重量部 ・８０重量％のリノール酸と２０重量％のオレイン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価１５、重量平均分子量８０００)を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶 液 ２０重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ９０８Ａ）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ３３重量部
記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして本
発明の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・８５重量％のリノール酸と１５重量％のオレイン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価５０、重量平均分子量２３００)を２５重量％混合したイソプロピルアルコー ル／トルエン混合溶液 ４７重量部 ・８０重量％のリノール酸と２０重量％のオレイン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価１５、重量平均分子量８０００)を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶 液 ２０重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ９０８Ａ）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ３３重量部
【００２２】［実施例３］接着剤層形成用塗料として下
記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして本
発明の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・８０重量％のリノール酸と２０重量％のリノレン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価２０、重量平均分子量２３００)を２５重量％混合したイソプロピルアルコー ル／トルエン混合溶液 ６４重量部 ・ナフタレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：エピクロ ンＨＰ７２００）を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ６．５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＥＬＳ３７３Ｚ）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １３重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ３重量部
記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして本
発明の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・８０重量％のリノール酸と２０重量％のリノレン酸から得られた不飽和脂肪 酸二量体とヘキサメチレンジアミンとを縮合成分とするポリアミド樹脂（アミン 価２０、重量平均分子量２３００)を２５重量％混合したイソプロピルアルコー ル／トルエン混合溶液 ６４重量部 ・ナフタレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：エピクロ ンＨＰ７２００）を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ６．５重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＥＬＳ３７３Ｚ）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １３重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ３重量部
【００２３】［比較例１］接着剤層形成用塗料として、
下記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして
比較用の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・ポリアミド樹脂(アミン価８、重量平均分子量５５００)を２５重量％混合し たイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液 ４０重量部 ・ポリイミド樹脂（重量平均分子量４００００）を３０重量％混合したテトラ ヒドロフラン溶液 ２２重量部 ・ナフタレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：エピクロ ンＨＰ７２００）を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ２０重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ６．５重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ５重量部
下記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして
比較用の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・ポリアミド樹脂(アミン価８、重量平均分子量５５００)を２５重量％混合し たイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液 ４０重量部 ・ポリイミド樹脂（重量平均分子量４００００）を３０重量％混合したテトラ ヒドロフラン溶液 ２２重量部 ・ナフタレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：エピクロ ンＨＰ７２００）を５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ２０重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 ６．５重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ５重量部
【００２４】［比較例２］接着剤層形成用塗料として、
下記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして
比較用の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・ポリアミド樹脂(ヘンケルジャパン社製、商品名：マクロメイト６９００、 酸価２、アミン価０．５、重量平均分子量５５０００)を２５重量％混合したイ ソプロピルアルコール／トルエン混合溶液 ６３重量部 ・エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）を５０重量 ％混合したメチルエチルケトン溶液 ２０重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １３重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ５重量部
下記組成のものを用いた以外は、実施例１と同様にして
比較用の半導体装置用接着テープを作製した。 （接着剤層形成用塗料） ・ポリアミド樹脂(ヘンケルジャパン社製、商品名：マクロメイト６９００、 酸価２、アミン価０．５、重量平均分子量５５０００)を２５重量％混合したイ ソプロピルアルコール／トルエン混合溶液 ６３重量部 ・エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）を５０重量 ％混合したメチルエチルケトン溶液 ２０重量部 ・ノボラックフェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４００）を ５０重量％混合したメチルエチルケトン溶液 １３重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾールを１重量％混合したメチルエチルケト ン溶液 ５重量部
【００２５】［熱硬化性接着剤層の損失弾性率及び貯蔵
弾性率］前記実施例１〜３及び比較例１及び２の半導体
装置用接着テープの保護フィルムを剥離した後、絶縁性
フィルム及び熱硬化性接着剤層からなる積層体に対して
８０℃に加熱しながら熱硬化性接着剤層を剥離した。次
に熱硬化性接着剤層単体に対して前記試験体を作製した
際に熱硬化性接着剤層を電解銅箔と接着し加熱させた条
件で硬化させた。上記熱硬化後の熱硬化性接着剤層を次
のＤＭＡ(DynamicMechanical Analyzer)を用いて損失弾
性率及び貯蔵弾性率を測定し、その２００℃における結
果を表１に示した。ＤＭＡとしてバイブロン測定器（オ
リエンテック社製、ＲＨＥＯＶＩＢＲＯＮ ＤＤＶ−II
−ＥＰ）を用いて、周波数１１０Ｈｚ、昇温速度３℃／
ｍｉｎ、荷重５．０ｇにて測定を行った。試料は幅０．
５ｃｍ、長さ３ｃｍ及び厚さ１２μｍのものを使用し
た。
弾性率］前記実施例１〜３及び比較例１及び２の半導体
装置用接着テープの保護フィルムを剥離した後、絶縁性
フィルム及び熱硬化性接着剤層からなる積層体に対して
８０℃に加熱しながら熱硬化性接着剤層を剥離した。次
に熱硬化性接着剤層単体に対して前記試験体を作製した
際に熱硬化性接着剤層を電解銅箔と接着し加熱させた条
件で硬化させた。上記熱硬化後の熱硬化性接着剤層を次
のＤＭＡ(DynamicMechanical Analyzer)を用いて損失弾
性率及び貯蔵弾性率を測定し、その２００℃における結
果を表１に示した。ＤＭＡとしてバイブロン測定器（オ
リエンテック社製、ＲＨＥＯＶＩＢＲＯＮ ＤＤＶ−II
−ＥＰ）を用いて、周波数１１０Ｈｚ、昇温速度３℃／
ｍｉｎ、荷重５．０ｇにて測定を行った。試料は幅０．
５ｃｍ、長さ３ｃｍ及び厚さ１２μｍのものを使用し
た。
【００２６】［半導体装置用接着テープの評価］
（１）試験体の作製
前記実施例１〜３及び比較例１及び２の半導体装置用接
着テープの保護フィルムを剥離し、熱硬化性接着剤層面
に１オンスの電解銅箔（平均厚さ３８μｍ）を１３０
℃、１ｋｇ／ｃｍ2の条件で貼り合わせた。その後、更
に７０℃から１６０℃までを８時間かけて等速昇温さ
せ、１７０℃で６時間加熱し、熱硬化性接着剤層を硬化
させた。続いて、銅箔上にフォトレジスト膜を積層し、
パターン露光、エッチングして、ダイパッド部周辺にＩ
ＬＢ（インナーリードボンディング）用のボンディング
パッド部を施した回路を形成し試験体を得た。
着テープの保護フィルムを剥離し、熱硬化性接着剤層面
に１オンスの電解銅箔（平均厚さ３８μｍ）を１３０
℃、１ｋｇ／ｃｍ2の条件で貼り合わせた。その後、更
に７０℃から１６０℃までを８時間かけて等速昇温さ
せ、１７０℃で６時間加熱し、熱硬化性接着剤層を硬化
させた。続いて、銅箔上にフォトレジスト膜を積層し、
パターン露光、エッチングして、ダイパッド部周辺にＩ
ＬＢ（インナーリードボンディング）用のボンディング
パッド部を施した回路を形成し試験体を得た。
【００２７】（２）特性の評価
ワイヤーボンディング性
前記実施例１〜３及び比較例１及び２の試験体における
ダイパッド部上にＩＣチップを設置した後、ＩＣチップ
上のアルミ電極部とテープ上のボンディングパッド部と
をボールボンディング法にて金ワイヤーで接続した。次
に接続した金ワイヤーをワイヤープルテスターにて引張
り、接合強度を測定しワイヤープル強度としてワイヤー
ボンディング性を評価し、その結果を表１に示した。な
お、実用上支障のないワイヤープル強度は８ｇｆ以上で
ある。
ダイパッド部上にＩＣチップを設置した後、ＩＣチップ
上のアルミ電極部とテープ上のボンディングパッド部と
をボールボンディング法にて金ワイヤーで接続した。次
に接続した金ワイヤーをワイヤープルテスターにて引張
り、接合強度を測定しワイヤープル強度としてワイヤー
ボンディング性を評価し、その結果を表１に示した。な
お、実用上支障のないワイヤープル強度は８ｇｆ以上で
ある。
【００２８】耐リフロー性
前記実施例１〜３及び比較例１及び２の試験体からエッ
チングにて銅箔を全面除去した。次に銅箔を取り去った
絶縁性フィルム及び熱硬化性接着剤層からなる積層体の
熱硬化性接着剤層面にモールド樹脂を２ｃｍ角状に塗布
し、１７０℃で５時間にて硬化した後、８５℃で８５％
ＲＨの環境下に１６８時間放置した。次にこのモールド
樹脂付着積層体をＩＲリフロー装置を用いて、温度プロ
ファイル（Ｍａｘ温度２６５℃）において、０．３ｍ／
ｍｉｎの速度にて通過させた。通過後の積層体のポリイ
ミドフィルム面を観察し、熱硬化性接着剤層の膨れ、剥
がれの有無を観察し、その結果を表１に示した。表１に
おいて、○は膨れ及び剥がれがなく、×が膨れ及び剥が
れが発生した、ことを示している。
チングにて銅箔を全面除去した。次に銅箔を取り去った
絶縁性フィルム及び熱硬化性接着剤層からなる積層体の
熱硬化性接着剤層面にモールド樹脂を２ｃｍ角状に塗布
し、１７０℃で５時間にて硬化した後、８５℃で８５％
ＲＨの環境下に１６８時間放置した。次にこのモールド
樹脂付着積層体をＩＲリフロー装置を用いて、温度プロ
ファイル（Ｍａｘ温度２６５℃）において、０．３ｍ／
ｍｉｎの速度にて通過させた。通過後の積層体のポリイ
ミドフィルム面を観察し、熱硬化性接着剤層の膨れ、剥
がれの有無を観察し、その結果を表１に示した。表１に
おいて、○は膨れ及び剥がれがなく、×が膨れ及び剥が
れが発生した、ことを示している。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１から明らかなように、本発明の半導体
装置用接着テープでは、ワイヤープル強度が９ｇｆと強
く実用上問題ないレベルであり、ワイヤーボンディング
性に優れていることが確認され、２６５℃のリフローに
おいても膨れ及び剥がれがなくて層間剥離もなく耐熱性
が優れていることが確認された。一方、損失弾性率が５
ＭＰａ未満の比較例の半導体装置用接着テープでは、ワ
イヤープル強度が実施例に比べて弱く、膨れ及び剥がれ
が発生して耐熱性に劣ることが確認された。
装置用接着テープでは、ワイヤープル強度が９ｇｆと強
く実用上問題ないレベルであり、ワイヤーボンディング
性に優れていることが確認され、２６５℃のリフローに
おいても膨れ及び剥がれがなくて層間剥離もなく耐熱性
が優れていることが確認された。一方、損失弾性率が５
ＭＰａ未満の比較例の半導体装置用接着テープでは、ワ
イヤープル強度が実施例に比べて弱く、膨れ及び剥がれ
が発生して耐熱性に劣ることが確認された。
【００３１】
【発明の効果】本発明の半導体装置用接着テープは、ワ
イヤーボンディング性および耐リフロー性に優れ層間剥
離などの問題がない。したがって、本発明の半導体装置
用接着テープをＢＧＡ、ＣＳＰ等高密度化が進む半導体
パッケージに使用した場合、作業性に優れ、半導体パッ
ケージの信頼性が向上する。
イヤーボンディング性および耐リフロー性に優れ層間剥
離などの問題がない。したがって、本発明の半導体装置
用接着テープをＢＧＡ、ＣＳＰ等高密度化が進む半導体
パッケージに使用した場合、作業性に優れ、半導体パッ
ケージの信頼性が向上する。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｗ
23/12 ５０１ 23/12 ５０１Ｆ
(72)発明者 山田 裕美
静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会社
巴川製紙所技術研究所内
Ｆターム(参考） 4J001 DA01 DB06 EB71 EC01 EC04
EC07 EC08 EC09 EC10 FA01
FB03 FC03 FC06 JA07 JA18
JB01 JB16 JB38
4J004 AA16 AB05 CC02 FA05 FA08
4J040 EG021 JA09 JB02 LA06
LA09 MB03 NA20
5F044 MM06 MM11
5F047 AA11 BA33 BB03
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性フィルムの少なくとも一面に、熱
硬化性接着剤層が積層されてなる半導体装置用接着テー
プであって、熱硬化後における前記熱硬化性接着剤層の
２００℃における損失弾性率が５ＭＰａ以上であること
を特徴とする半導体装置用接着テープ。 - 【請求項２】 前記熱硬化後における熱硬化性接着剤層
の２００℃における貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用接着テ
ープ。 - 【請求項３】 前記熱硬化性接着剤層がポリアミド樹脂
を含有し、該ポリアミド樹脂が炭素数３６の不飽和脂肪
酸二量体を用いて得られたものであることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置用接着テープ。 - 【請求項４】 前記炭素数３６の不飽和脂肪酸二量体が
リノール酸を用いて得られたものであることを特徴とす
る請求項３に記載の半導体装置用接着テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002097080A JP3774419B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 半導体装置用接着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002097080A JP3774419B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 半導体装置用接着テープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297861A true JP2003297861A (ja) | 2003-10-17 |
| JP3774419B2 JP3774419B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=29387600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002097080A Expired - Lifetime JP3774419B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 半導体装置用接着テープ |
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| JP (1) | JP3774419B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205195A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009081440A (ja) * | 2008-10-20 | 2009-04-16 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法に用いる接着シート及び当該方法より得られる半導体装置 |
| US7772040B2 (en) | 2006-09-12 | 2010-08-10 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of semiconductor device, adhesive sheet used therein, and semiconductor device obtained thereby |
| JP2011187900A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ接合用接着剤 |
| US8236614B2 (en) | 2005-02-21 | 2012-08-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2012165003A (ja) * | 2012-04-13 | 2012-08-30 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法、当該方法に用いる接着シート及び当該方法より得られる半導体装置 |
| US8592260B2 (en) | 2009-06-26 | 2013-11-26 | Nitto Denko Corporation | Process for producing a semiconductor device |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002097080A patent/JP3774419B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US8278153B2 (en) | 2006-09-12 | 2012-10-02 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of semiconductor device, adhesive sheet used therein, and semiconductor device obtained thereby |
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| JP2008205195A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
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