TW202239275A - 發光元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置 - Google Patents

發光元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202239275A
TW202239275A TW111122164A TW111122164A TW202239275A TW 202239275 A TW202239275 A TW 202239275A TW 111122164 A TW111122164 A TW 111122164A TW 111122164 A TW111122164 A TW 111122164A TW 202239275 A TW202239275 A TW 202239275A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mounting
package
light
base
emitting element
Prior art date
Application number
TW111122164A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI845964B (zh
Inventor
山元泉太郎
古久保洋二
岡本征憲
東登志文
Original Assignee
日商京瓷股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/JP2017/028988 external-priority patent/WO2018030486A1/ja
Application filed by 日商京瓷股份有限公司 filed Critical 日商京瓷股份有限公司
Publication of TW202239275A publication Critical patent/TW202239275A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI845964B publication Critical patent/TWI845964B/zh

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

電氣元件搭載用封裝體具備：平板狀的基板(10)；和1個以上的基座(11)，是從基板(10)的表面(10a)突出，且具有供搭載電氣元件的搭載面(11a)，基板(10)與基座(11)係以陶瓷一體地形成。電氣元件搭載用封裝體具備：元件用端子(12a)，設置於基座(11)的搭載面(11a)；側面導體(13)，設置於基座(11)的側面(11b)，且延伸於基座(11)的厚度方向；和基板側通路導體(15a)，設置於基板(10)的內部，且延伸於基板(10)的厚度方向；元件用端子(12a)和側面導體(13)和基板側通路導體(15a)係連接著。

Description

發光元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置
所揭示的實施形態係有關於電氣元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置。
以往，作為用以搭載電氣元件的電氣元件搭載用封裝體，已知有一種封裝體，其係具備將熱放出外部的金屬基底、和以黏著劑等的接合材固定於金屬基底上的陶瓷製副載具(sub mount)，且在副載具上搭載有電氣元件(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1 日本特開2014-116514號公報
[發明欲解決之課題]
實施形態的一態樣之電氣元件搭載用封裝體係具備：平板狀的基板；和從前述基板的表面突出，且具有供搭載電氣元件的搭載面之1個以上的基座，前述基板與前述基座係以陶瓷一體地形成。
又，實施形態的一態樣之陣列型封裝體，係連結有複數個上述的電氣元件搭載用封裝體。
又，實施形態的一態樣之電氣裝置，係具備：上述記載的電氣元件搭載用封裝體；和電氣元件，搭載於前述電氣元件搭載用封裝體的前述搭載面。 [發明之效果]
根據實施形態的一態樣，可提供散熱性高的電氣元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置。
[用以實施發明的形態]
以往的電氣元件搭載用封裝體中，產生自電氣元件熱放出外部的散熱性很低。這是因為副載具與接合材的界面之熱阻、以及接合材與金屬基底的界面的熱阻都很大，熱沒有以良好效率從副載具傳送到金屬基底的緣故。
實施形態的一態樣係有鑑於上述問題而研創者，目的在於提供一種散熱性高的電氣元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置。
以下，參照附圖，針對本發明所揭示之電氣元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置的實施形態進行說明。此外，以下，作為電氣元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置的例子，雖顯示將發光元件適用在電氣元件的形態(以下，表記為發光元件搭載用封裝體、發光裝置。)，但本發明並不限定於發光元件，可適用於具有發熱性的電氣元件全體乃無庸贅述。
在此，以具有發熱性的電氣元件而言，可列舉：大型積體電路(LSI：Large Scale Integrated circuit)、電荷耦合元件(CCD：Charge Coupled Device)、雷射二極體(Laser Diode)及發光二極體(LED：Light Emitting Diode)等。以下所示各實施形態尤其作為雷射二極體用是有用的。 ＜第1實施形態＞
首先，使用圖1A及圖1B，說明關於第1實施形態之發光元件搭載用封裝體A1的概要。
如圖1A等所示，第1實施形態的發光元件搭載用封裝體A1具備：平板狀的基板10；以及從基板10的表面10a朝上方突出的基座11。又，在基座11的上面設置搭載面11a，在此搭載面11a搭載發光元件30。
在此，實施形態的發光元件搭載用封裝體A1中，基板10和基座11係以陶瓷形成一體。亦即，在發光元件搭載用封裝體A1中，在供發光元件30搭載的基座11與具有將熱放出外部之功能的基板10之間，未設有由不同種材料彼此構成且會產生大的熱阻之界面。
藉此，由於可將基板10與基座11之間的熱阻減小，可將熱有效率地從基座11傳送到基板10。因此，能夠實現散熱性高的發光元件搭載用封裝體A1。
再者，發光元件搭載用封裝體A1不需要將基板10與基座11之間接合的步驟，而且也不需要黏著劑等的接合材。因此，可實現製造成本低的發光元件搭載用封裝體A1。
此處，如圖1B所示，在發光元件搭載用封裝體A1中，可在基座11的側面11b設置側面導體13，在基板10的內部設置基板側通路導體15a。而且，可將此側面導體13和基板側通路導體15a接線連接於發光元件搭載用封裝體A1的厚度方向。
藉此，可使搭載於搭載面11a的發光元件30所產生的熱，經由延伸於厚度方向的側面導體13和基板側通路導體15a，以最短距離散逸到表面積大且散熱性高之基板10的背面10b。因此，可使發光元件搭載用封裝體A1的散熱性提升。
於此情況，側面導體13的面積只要相對於設有此側面導體13之基座11的一個側面11b的面積為10%以上、尤其為50%以上即可。再者，側面導體13的面積越接近於側面11b的面積越好，亦可與側面11b的面積相等。
此外，如圖1B所示，側面導體13與基板側通路導體15a之間係使用平面導體14連接著，惟亦可不使用平面導體14，而將側面導體13與基板側通路導體15a直接連接。
接著，參照圖1A～圖1C，說明關於發光元件搭載用封裝體A1之更詳細的構成。
發光元件搭載用封裝體A1係藉由陶瓷形成。作為此陶瓷，係適用例如：氧化鋁、氧化矽、富鋁紅柱石、堇青石(cordierite)、鎂橄欖石(forsterite)、氮化鋁、氮化矽、碳化矽或玻璃陶瓷等。又，由熱傳導率高且熱膨脹率接近發光元件30這點來看，發光元件搭載用封裝體A1係以含有氮化鋁(AlN)作為主成分較佳。
此處，所謂「含有氮化鋁作為主成分」係指，發光元件搭載用封裝體A1含有80質量%以上的氮化鋁。當發光元件搭載用封裝體A1所含的氮化鋁小於80質量%時，發光元件搭載用封裝體A1的熱傳導率會降低，有可能會對散熱性產生妨礙。
再者，發光元件搭載用封裝體A1係以含有90質量%以上的氮化鋁較佳。藉由將氮化鋁的含量設為90質量%以上，可將發光元件搭載用封裝體A1的熱傳導率設為150W/mK以上，所以可實現散熱性優異的發光元件搭載用封裝體A1。
發光元件搭載用封裝體A1係如上述具備基板10和基座11，在基座11的搭載面11a設有元件用端子12a。且，如圖1B所示，元件用端子12a係經由上述的側面導體13、和設置於基板10的表面10a之平面導體14、和上述的基板側通路導體15a，而與設於背面10b且連接於外部電源(未圖示)之電源用端子16a電氣連接著。
再者，如圖1A所示，在基板10的表面10a，與基座11鄰接而設置有其他的元件用端子12b。且，如圖1C所示，元件用端子12b亦與元件用端子12a同樣，經由延伸於基板10的厚度方向之別的基板側通路導體15b，而與設於背面10b且連接於外部電源之別的電源用端子16b電性連接著，
在此，元件用端子12a、12b只要以金屬粉末燒結的金屬化膜形成即可。由於能使金屬化膜以高的強度接著於構成基板10和基座11的陶瓷表面，所以能夠實現可靠性高的發光元件搭載用封裝體A1。
又，亦可在此金屬化膜的表面形成Ni等的鍍敷膜。再者，亦可在此鍍敷膜的表面，設置黏著劑或Au-Sn鍍敷膜。
如圖1A所示，在基板10的表面10a，以圍繞基座11及元件用端子12b的方式設置有密封用金屬膜20。當以覆蓋基板10的表面10a的方式設置蓋罩(cap)40時，密封用金屬膜20即為供接合蓋罩40之部位。
於截至目前所說明的發光元件搭載用封裝體A1上，搭載圖1A所示之發光元件30和蓋罩40，而構成發光裝置。
發光元件30係可使用例如半導體雷射(亦稱為雷射二極體)等。發光元件30係以設置於一端面的放射面30a朝向發光元件搭載用封裝體A1的預定方向之方式配置。
發光元件30係使用黏著劑等的導電性接合材接合於基座11的搭載面11a。此時，藉由此導電性接合材，可使設置於發光元件30下面的第1電極(未圖示)、與設置於搭載面11a的元件用端子12a電氣連接。
再者，設置於發光元件30上面的第2電極(未圖示)與鄰接於基座11的元件用端子12b，係使用搭接引線(bonding wire)(未圖示)等電氣連接。
蓋罩40係用以對被發光元件30等的密封用金屬膜20包圍的區域進行氣密密封的構件。蓋罩40係可由金屬材料、陶瓷等構成，例如由耐熱性及散熱性高來看，只要以鐵鎳鈷(Kovar)(Fe-Ni-Co合金)構成即可。
在蓋罩40中，於側面設有橫窗41，於橫窗41嵌入有透明的玻璃。蓋罩40係以橫窗41朝向與發光元件30的放射面30a相同方向的方式配置。且，從放射面30a放射出的光係通過橫窗41放射到外部。
蓋罩40與密封用金屬膜20的接合，亦可使用硬焊材。藉由使用硬焊材作為接合材，由於可提高藉蓋罩40所密封之區域的氣密性，所以可使發光裝置的可靠性提升。 ＜第2實施形態＞
其次，使用圖2A至圖2C，就第2實施形態之發光元件搭載用封裝體A2的構成進行說明。
發光元件搭載用封裝體A2的使用於與外部電源連接之電源用端子16a、16b的配置係與上述之發光元件搭載用封裝體A1者不同。其他點基本上與發光元件搭載用封裝體A1相同，關於共通的構成係標註相同的符號並省略詳細的說明。
如圖2A等所示，發光元件搭載用封裝體A2的電源用端子16a、16b設置於基板10的表面10a。如此，藉由將電源用端子16a、16b設置於基板10的表面10a而不是背面10b，能以與基板10的背面10b整體相接的方式設置散熱器等的散熱構件。因此，能夠使封裝體的散熱性進一步提升。
在此，於基板10的背面10b設置散熱性高的金屬製散熱構件時，為了可使用黏著劑等來接合，可在背面10b設置金屬膜21。藉由使用熱傳導率較高的黏著劑等來接合散熱構件，與利用熱傳導率低的樹脂製接著劑進行接合的情況相比，能夠降低接合部分的熱阻。因此，能夠使封裝體的散熱性進一步提升。
於此情況，背面10b之金屬膜21的面積比例亦可為50%以上，尤其是80%以上。又，金屬膜21的平面形狀亦可為與基板10的背面10b的平面形狀相似的形狀。再者，在金屬膜21的面積小於背面10b的面積時，金屬膜21係可以中央部位於基座11的正下方之方式配置。
以下，作為與上述第1實施形態的相異點，係說明關於設置於基板10的表面10a之電源用端子16a、16b、與設置於密封用金屬膜20內側的元件用端子12a、12b之間的配線構造。
如圖2B所示，與上述之發光元件搭載用封裝體Al同樣，在元件用端子12a，依序接線連接有側面導體13、平面導體14、和基板側通路導體15a。另一方面，基板側通路導體15a並未貫通到基板10的背面10b，而是在基板10的內部與延伸於基板10的面方向之配線導體17a的一端側連接著。
此配線導體17a係以通過密封用金屬膜20的下方，且另一端側到達電源用端子16a的下方之方式延伸。且，配線導體17a的另一端側與電源用端子16a係藉由端子側通路導體18a電氣連接著。
亦即，電源用端子16a係經由端子側通路導體18a、配線導體17a、基板側通路導體15a、平面導體14及側面導體13，而與元件用端子12a電氣連接著。
又，如圖2C所示，電源用端子16b係經由別的端子側通路導體18b、別的配線導體17b及別的基板側通路導體15b，而與元件用端子12b電氣連接著。
如此，發光元件搭載用封裝體A2係構成為配線導體17a、17b與密封用金屬膜20隔介用以構成基板10的至少一層絕緣層，而呈立體交叉。藉此，藉由隔介絕緣層，能夠減少在與配線導體17a、17b呈立體交叉之密封用金屬膜20的表面，形成因配線導體17a、17b的厚度所產生的凹凸。
亦即，在密封用金屬膜20的表面接合蓋罩40時，因為可減少產生於接合面的間隙，所以可提高蓋罩40內部的氣密性。因此，可使發光裝置的可靠性提升。
再者，如圖2B及圖2C所示，配線導體17a、17b係可設置於比基板10的表面10a還接近背面10b的位置。藉由在接近背面10b的位置設置金屬製配線導體17a、17b，在背面10b設置金屬製的放熱構件的情況下，可縮小放熱構件的熱膨脹係數與基板10的熱膨脹係數之差。
藉此，可抑制在放熱構件與背面10b的接合部分，設置於此接合部分的接合材因發光裝置動作時所產生的熱循環而劣化。因此，能夠實現可靠性高的發光元件搭載用封裝體A2。 ＜變形例＞
其次，就實施形態之發光元件搭載用封裝體的各種變形例，使用圖3A～圖7C進行說明。圖3A所示之發光元件搭載用封裝體A3係第1實施形態之發光元件搭載用封裝體Al的變形例，圖3A係對應於圖1B的剖面圖。
發光元件搭載用封裝體A3並不是藉由側面導體13(參照圖1B)，而是藉由設置於基座11的內部且延伸於基座11的厚度方向之基座側通路導體19，而將元件用端子12a與基板側通路導體15a之間電氣連接著。
如此，藉由將體積比薄膜狀的側面導體13大的柱狀基座側通路導體19設置於基座11，可使產生自發光元件30(參照圖1A)的熱更有效率地散逸到基板10的背面10b。因此，可使發光元件搭載用封裝體A3的放熱性進一步提升。
基座側通路導體19可配置於基座11上面的搭載面11a的中央部。藉此，可使基座11中離側面11b較遠之內部的熱更容易地散逸。
再者，如圖3A所示，基座側通路導體19與基板側通路導體15a係可一體地形成為在基座11與基板10的厚度方向貫通。藉此，藉由在後述的製造步驟中所實施的通路填埋步驟，可簡單地形成基座側通路導體19與基板側通路導體15a。因此，可抑制發光元件搭載用封裝體A3之製造成本的上升。
圖3B所示之發光元件搭載用封裝體A4係第2實施形態之發光元件搭載用封裝體A2的變形例，圖3B係對應於圖2B的剖面圖。
發光元件搭載用封裝體A4係與上述變形例同樣，藉由設置於基座11內部的基座側通路導體19，而將元件用端子12a與基板側通路導體15a之間電氣連接著。因此，如上述，可使封裝體的放熱性進一步提升。此情況也同樣地，配置於基板10的背面10b之金屬膜21的形狀和配置，可與上述發光元件搭載用封裝體A2的情況相同。
圖3C所示之發光元件搭載用封裝體A5，係第2實施形態之發光元件搭載用封裝體A2的其他變形例。
在發光元件搭載用封裝體A5中，於基板10的表面10a，以包圍基座11及元件用端子12b(參照圖2A)的方式形成有溝10c，且在此溝10c的底面設置有密封用金屬膜20。
此處，於將蓋罩40(參照圖2A)接合於密封用金屬膜20之際，藉由以卡合於溝10c的方式設置蓋罩40，可將與蓋罩40的接合部分亦擴展到溝10c的側面。藉此，因為可將藉由蓋罩40所密封之區域的氣密性進一步提升，所以發光裝置的可靠性進可進一步提升。
又，藉由在基板10設置溝10c，可將具有放熱功能之基板10的表面積擴大，所以可使封裝體的放熱性進一步提升。
此外，在圖3C中，密封用金屬膜20係設置於溝10c的底面，但密封用金屬膜20的配置並不受限於此。例如，密封用金屬膜20亦可設置成從溝10c的底面擴展到溝10c的側面、或與溝10c鄰接之基板10的表面10a上。
圖3D所示之發光元件搭載用封裝體A6，係圖3B所示之發光元件搭載用封裝體A4的變形例。
發光元件搭載用封裝體A6係與上述之發光元件搭載用封裝體A5同樣，在形成於基板10的表面10a之溝10c的內部設置有密封用金屬膜20。因此，如上述，可使發光裝置的可靠性進一步提升，並且可使封裝體的放熱性進一步提升。
圖4A所示之發光元件搭載用封裝體A7，係第2實施形態之發光元件搭載用封裝體A2的其他變形例。
在發光元件搭載用封裝體A7中，矩形的電源用端子16a、16b之與光的放射方向的相反側(以下，亦稱為「後方側」)的邊緣16c，係設置成與基板10的後方側的端面10d的邊緣對齊。如此，藉由使電源用端子16a、16b偏移到基板10的端部，能夠減少基板10上之無用的基板區，能夠使發光裝置小型化。
再者，發光元件搭載用封裝體A7中，可容易使用FPC(Flexible Printed Circuit：可撓性配線基板)作為與電源用端子16a、16b連接的外部端子。參照圖4B及圖4C，說明其理由。
如圖4B所示，FPC200係從上方依序堆疊覆蓋層薄膜201、銅箔202和基膜(base film)203而形成。藉由使用焊劑(solder)等的導電性接合材將中央層的銅箔202與電源用端子16a、16b接合，使電源用端子16a、16b和FPC200電氣連接著。
在此，如圖4B所示，在電源用端子16a、16b的邊緣16c設置成與端面10d的邊緣對齊的情況下，藉由將下層之基膜203的前端部切除，FPC200可在保持平坦的狀態下，容易地連接於電源用端子16a、16b。
另一方面，如圖4C所示，當電源用端子16a、16b的邊緣16c沒有與端面10d的邊緣對齊時，若沒有另外在FPC200之銅箔202的前端部分設置彎曲部202a，就無法將FPC200連接於電源用端子16a、16b。而且，在此情況下，有可能此彎曲部202a會導致FPC200與電源用端子16a、16b之連接部的耐久性產生問題。
然而，在發光元件搭載用封裝體A7中，FPC200可在保持平坦的狀態下連接於電源用端子16a、16b。因此，可使FPC200與電源用端子16a、16b之連接部的耐久性提升。
圖4D所示之發光元件搭載用封裝體A8係第2實施形態之發光元件搭載用封裝體A2之其他的變形例。
在發光元件搭載用封裝體A8中，與矩形的電源用端子16a、16b之光的放射方向呈垂直方向側(以下，亦稱為「側面側」)的邊緣16d，係設置成與基板10之側面側的端面、即側面10e的邊緣對齊。藉此，由於可提高與FPC200(參照圖4B)等外部端子的連接自由度，所以可使發光裝置的模組設計容易進行。
再者，如上所述，在電源用端子16a、16b的邊緣16d設成與側面10e的邊緣對齊的情況，藉由將基膜203的前端部切除，FPC200可在保持平坦的狀態下，連接於電源用端子16a、16b。因此，可使FPC200與電源用端子16a、16b之連接部的耐久性提升。
圖5A所示之發光元件搭載用封裝體A9，係圖4A所示之發光元件搭載用封裝體A7的變形例。在發光元件搭載用封裝體A9中，矩形的電源用端子16a、16b之後方側的邊緣16c係設置成與基板10之後方側的端面10d的邊緣對齊。
藉此，與圖4A所示之發光元件搭載用封裝體A7同樣，在發光元件搭載用封裝體A9中也是，FPC200可在保持平坦的狀態下連接於電源用端子16a、16b。因此，可使FPC200與電源用端子16a、16b之連接部的耐久性提升。
再者，在發光元件搭載用封裝體A9中，電源用端子16a、16b係設置在比基板10的表面10a低一層的位置。換言之，在基板10的表面10a之後方側的邊緣形成有凹部10f，電源用端子16a、16b係配置於此凹部10f的底面。
藉此，如圖5B所示，將FPC200連接於電源用端子16a、16b時，可將FPC200的前端部推靠到凹部10f的側壁，來設置FPC200。因此，FPC200的對位變容易，並可將FPC200牢固地連接到電源用端子16a、16b。
再者，如圖5B所示，藉由將凹部10f的深度設成與FPC200之覆蓋層薄膜201和銅箔202的厚度的合計值相同程度、或比此合計值更大，可將FPC200的上面設成與基板10的表面10a齊平、或比表面10a更低的位置。
藉此，因為不容易在FPC200產生刮痕等，所以可使發光裝置的耐久性提升。
此外，凹部10f亦可如圖5A所示，設成在基板10的表面10a分離之構成，惟如圖5C所示的發光元件搭載用封裝體A10所示，亦可為將兩處的凹部10f彙整成一個的構造。於此情況，由於係可使電源用端子16a、16b更接近地配置，所以可達成發光元件搭載用封裝體A10及FPC200等外部端子的小型化。
圖5D所示之發光元件搭載用封裝體A11係圖4D所示之發光元件搭載用封裝體A8的變形例。在發光元件搭載用封裝體A11中，矩形的電源用端子16a、16b之側面側的邊緣16d係以與是基板10之側面側的端面之側面10e的邊緣對齊的方式設置。藉此，由於可提高與FPC200等外部端子的連接自由度，所以可容易地進行發光裝置的模組設計。
又，在發光元件搭載用封裝體A11中，與圖5A所示之發光元件搭載用封裝體A9同樣，電源用端子16a、16b係設置在比基板10的表面10a低一層的位置。換言之，在基板10的表面10a之側面側的邊緣形成有凹部10f，電源用端子16a、16b係配置於此凹部10f的底面。
藉此，如上述，在將FPC200連接於電源用端子16a、16b時，係可將FPC200的前端部推靠到凹部10f的側壁，來設置FPC200。因此，FPC200的對位變容易，並可將FPC200牢固地連接到電源用端子16a、16b。
再者，如上述，藉由將凹部10f的深度設成與FPC200之覆蓋層薄膜201和銅箔202的厚度的合計值相同程度、或比此合計值更大，可將FPC200的上面設成與基板10的表面10a齊平、或比表面10a更低的位置。
藉此，因為不容易在FPC200產生刮痕等，所以可使發光裝置的耐久性提升。
圖5E所示之發光元件搭載用封裝體A12係圖5A所示之發光元件搭載用封裝體A9的變形例。在發光元件搭載用封裝體A12中，矩形的電源用端子16a、16b之後方側的邊緣16C係設置成與基板10之後方側的端面10d的邊緣對齊。
藉此，與圖4A所示之發光元件搭載用封裝體A7同樣，在發光元件搭載用封裝體A12中，由於FPC200可在保持平坦的狀態，連接於電源用端子16a、16b。因此，可使FPC200與電源用端子16a、16b之連接部的耐久性提升。
又，在發光元件搭載用封裝體A12中，矩形的電源用端子16a、16b之側面側的邊緣16d係設置成與是基板10之側面側的端面之側面10e的邊緣對齊。藉此，由於可提高與FPC200等外部端子的連接自由度，所以可容易地進行發光裝置的模組設計。
再者，在發光元件搭載用封裝體A12中，電源用端子16a、16b係設置成比基板10的表面10a低一層的位置。換言之，在基板10的表面10a的後方且在側面側的邊緣，形成有凹部10f，電源用端子16a、16b係配置於此凹部10f的底面。
藉此，將FPC200連接於電源用端子16a、16b時，可將FPC200的前端部從斜向推靠到凹部10f的兩個側壁，來設置FPC200。因此，FPC200的對位變容易，而且從斜向也可牢固地連接FPC200。
再者，如上述，藉由將凹部10f的深度設成與FPC200之覆蓋層薄膜201和銅箔202的厚度的合計值相同程度、或比此合計值更大，可將FPC200的上面設成與基板10的表面10a齊平、或比表面10a更低的位置。
藉此，因為不容易在FPC200產生刮痕等，所以可使發光裝置的耐久性提升。
圖5F所示之發光元件搭載用封裝體A13係圖4A所示之發光元件搭載用封裝體A7的變形例。在發光元件搭載用封裝體A13中，密封用金屬膜20內側的區域除了基座11的部分以外，係比基板10的表面10a還凹陷。換言之，在密封用金屬膜20的內側的區域形成有凹部10g，基座11係配置於凹部10g的底面。此處，基座11的搭載面11a係配置在比基板10的表面10a高的位置。
藉此，在發光元件搭載用封裝體A13中，由於可將位於最高位置的搭載面11a的位置降低，所以發光裝置可進一步低背化。
此處，為了發光元件搭載用封裝體的低背化，在沒有形成凹部10g而僅降低基座的高度之情況下，於密封用金屬膜之內側的區域，搭載面與基板的表面之距離會變近。亦即，在密封用金屬膜之內側的區域，搭載於搭載面的發光元件與表面的距離變近。
藉此，由於從發光元件的放射面朝斜下方向放射的光多照射在密封用金屬膜之內側的區域的表面，所以在表面朝既定的照射方向以外的方向反射之光的量也會變多。因此，發光裝置內部之發光效率降低等的不良情形容易產生。
然而，在發光元件搭載用封裝體A13中，由於在密封用金屬膜20之內側的區域形成有凹部10g，所以在密封用金屬膜20之內側的區域，可確保搭載面11a與位於搭載面11a周圍之屬於基板10的表面10a側的面之凹部10g的距離。因此，可抑制光自密封用金屬膜20之內側的區域中的表面10a側的面反射。
亦即，根據發光元件搭載用封裝體A13，可同時達成發光裝置的進一步低背化、與抑制光自表面10a側的面反射。
圖5G所示的發光元件搭載用封裝體A14係圖5F所示的發光元件搭載用封裝體A13的變形例。在發光元件搭載用封裝體A14中，密封用金屬膜20之內側的區域除了基座11的部分外，係比基板10的表面10a還凹陷。藉此，可同時達到發光裝置的進一步低背化、與抑制光自表面10a側的面反射。
又，在發光元件搭載用封裝體A14中，矩形的電源用端子16a、16b之後方側的邊緣16c係設置成與基板10之後方側的端面10d的邊緣對齊。
藉此，與圖5E所示之發光元件搭載用封裝體A12同樣，在發光元件搭載用封裝體A14中，由於FPC200可在保持平坦的狀態，連接於電源用端子16a、16b。因此，可使FPC200與電源用端子16a、16b之連接部的耐久性提升。
再者，在發光元件搭載用封裝體A14中，矩形的電源用端子16a、16b之側方側的邊緣16d係設置成與基板10之側方側的端面、即側面10e的邊緣對齊。藉此，由於可提高與FPC200等外部端子之連接自由度，所以可使發光裝置的模組設計容易進行。
再者，在發光元件搭載用封裝體A14中，電源用端子16a、16b係設置在比基板10的表面10a低一層的位置。換言之，在基板10的表面10a之後方且在側方側的邊緣形成有凹部10f，電源用端子16a、16b係配置於此凹部10f的底面。
藉此，將FPC200連接於電源用端子16a、16b時，可將FPC200的前端部從斜向推靠到凹部10f的兩個側壁，來設置FPC200。因此，FPC200的對位變容易，而且從斜向也可牢固地連接FPC200。
再者，如上述，藉由將凹部10f的深度設成與FPC200之覆蓋層薄膜201和銅箔202的厚度之合計値相同程度、或比此合計値更大，可將FPC200的上面設成與基板10的表面10a齊平、或比表面10a更低的位置。
藉此，因為不容易在FPC200產生刮痕等，所以可使發光裝置的耐久性提升。
圖6A所示之發光元件搭載用封裝體A15係圖4A所示之發光元件搭載用封裝體A7的變形例。在發光元件搭載用封裝體A15中，於密封用金屬膜20之內側的區域，設置有複數個(圖中為兩個)基座11。
藉此，在密封用金屬膜20之內側的區域，可搭載複數個發光元件30。亦即，由於在發光裝置中可多晶片化，所以發光裝置可小型化。
在發光元件搭載用封裝體A15中，例如，將基座11排列配置在與光的放射方向垂直的方向，並在此複數個基座11的搭載面11a分別搭載發光元件30。此時，只要以放射面30a全部面向光的放射方向之方式，配置全部的發光元件30即可。
此外，在實施形態中，係顯示關於設有兩個基座11的例子，惟亦可設置三個以上的基座11。又，在實施形態中，係在與光的放射方向垂直的方向排列配置基座11。然而，若設成複數個發光元件30中的一個發光元件30所照射出的光不會與其他發光元件30或基座11等相衝突，則未必要排列在與光的放射方向垂直之方向。
圖6B及圖6C所示之發光元件搭載用封裝體A16係圖6A所示之發光元件搭載用封裝體A15的變形例。在發光元件搭載用封裝體A16中，於密封用金屬膜20之內側的區域，設置有用以搭載屬於發光元件30的一例之雷射二極體31的第1基座11A、與用以搭載光二極體(photodiode)32的第2基座11B。
將此第1基座11A與第2基座11B組合，而形成有混合基座11C。在此混合基座11C中，於光的照射方向側配置有第1基座11A，在光的照射方向之相反側配置有第2基座11B。又，第2基座11B的高度比第1基座11A的高度低。
搭載於此混合基座11C之雷射二極體31係例如寬度0.3mm×長度l.0mm×高度0.lmm，光二極體32係例如寬度0.5mm×長度0.5mm×高度0.3mm。在此，「寬度」係指在水平方向且與光的放射方向大致垂直的方向之一邊的尺寸，「長度」係指在水平方向且與光的放射方向大致平行的方向之一邊的尺寸(此外，以下的記載亦相同)。
又，如圖6C所示，雷射二極體31的放射面31a係配置成朝向光的照射方向，光二極體32的檢測面32a係配置成朝向上方。且，光Ll係從雷射二極體31的放射面3la的上部，以單側30°左右的寬度被放射出。此光Ll係從發光裝置朝外部發光之光。
再者，微弱的光L2係從雷射二極體31之放射面31a的相反側的面的上部，以單側30°左右的寬度被放射出。此光L2的光量係因應光Ll的光量而增減。
在此，於實施形態中，如圖6C所示，藉由使第2基座11B的高度低於第1基座11A，即便在使用高度比雷射二極體31高的光二極體32之情況，也能使用上部的檢測面32a來檢測光L2。
藉此，來自雷射二極體31的光L2可藉光二極體32的檢測面32a檢測，且此檢測結果可回饋至雷射二極體31的控制部。因此，根據實施形態，可對自雷射二極體31所發出之光Ll的光量進行回饋控制。
圖6D所示之發光元件搭載用封裝體A17，係圖6B及圖6C所示之發光元件搭載用封裝體A16的變形例。在發光元件搭載用封裝體A17中，於密封用金屬膜20的內側區域，設置有3組混合基座11C。又，於密封用金屬膜20之內側的區域設置有光學元件25、26，該等光學元件25、26具有將所入射的光合成並朝預定方向射出之功能。
此等光學元件25、26係以沿著光的照射方向(圖中為右方)排列的方式配置，光學元件26配置在比光學元件25更靠近光的照射方向側。
又，3組混合基座11C具有：用以搭載紅色雷射二極體31R的紅色用混合基座11C1；用以搭載綠色雷射二極體31G的綠色用混合基座11C2；和用以搭載藍色雷射二極體31B的藍色用混合基座11C3。
紅色用混合基座11C1的第1基座11A和第2基座11B係以朝向光學元件25的方式沿著光的照射方向排列配置。在紅色用混合基座11C1的第1基座11A與第2基座11B，可分別搭載紅色雷射二極體31R和紅色雷射檢測用的光二極體32R。
綠色用混合基座11C2的第1基座11A和第2基座11B，係以朝向光學元件25的方式沿著與光的照射方向垂直的方向排列配置。且，在綠色用混合基座11C2的第1基座11A和第2基座11B，分別搭載綠色雷射二極體31G和綠色雷射檢測用的光二極體32G。
藍色用混合基座11C3的第1基座11A和第2基座11B，係以朝向光學元件26的方式沿著與光的照射方向垂直的方向排列配置。且，在藍色用混合基座11C3的第1基座11A和第2基座11B，分別搭載藍色雷射二極體31B和藍色雷射檢測用的光二極體32B。
在具有此種構成的實施形態中，紅色的光L R係從紅色雷射二極體31R照射到光學元件25，綠色的光L G係從綠色雷射二極體31G照射到光學元件25。且，在光學元件25中，光L R與光L G被合成，所合成的光L RG朝光學元件26射出。
接著，藍色的光L B從藍色雷射二極體31B照射到光學元件26，在光學元件26中，光L RG與光L B被合成。所合成的光L RGB從光學元件26朝光的照射方向出射。
亦即，根據實施形態，藉由將3組混合基座11C設置於密封用金屬膜20的內側的區域，可將紅色的光L R與綠色的光L G與藍色的光L B合成並射出外部。因此，可實現能夠作為顯示器光源使用的光學裝置。
又，實施形態中，紅色雷射檢測用的光二極體32R、綠色雷射檢測用的光二極體32G、和藍色雷射檢測用的光二極體32B分別被搭載於對應的第2基座11B。藉此，可對來自紅色雷射二極體31R之光L R的光量、和來自綠色雷射二極體31G之光L G的光量、和來自藍色雷射二極體31B之光L B的光量分別進行回饋控制。因此，可射出經調整的高品質的光L RGB。
再者，實施形態中，紅色用混合基座11C1與綠色用混合基座11C2的間隔、或紅色用混合基座11C1與藍色用混合基座11C3的間隔中較窄的間隔D1，係比綠色用混合基座11C2與藍色用混合基座11C3的間隔D2還寬的間隔。
藉此，可將容易受到來自其他元件的發熱的影響之紅色雷射二極體31R，與綠色雷射二極體31G及藍色雷射二極體31B分離而配置。因此，可將光L R從紅色雷射二極體31R穩定地射出。
再者，在實施形態中，從紅色雷射二極體31R射出之光L R的朝向、和從綠色雷射二極體31G射出之光L G的朝向、和從藍色雷射二極體31B射出之光L B的朝向，係朝向不會碰撞到3組混合基座11C的方向。藉此，可實現小型且高品質的RGB一體型模組。
此外，目前為止所顯示的發光元件搭載用封裝體A1～A17的尺寸，其寬度及長度只要為2～5mm左右即可，高度只要為0.2～1mm左右即可。
又，目前為止所顯示的發光元件搭載用封裝體A1～A17中，係顯示在基座11的搭載面11a上設置元件用端子12a，另一方面，元件用端子12b配置在與基座11(亦即，搭載面11a)分離的位置之構成。
然而，本實施形態之發光元件搭載用封裝體A1～A17的情況並不限定於此，亦可構成為如圖7A所示使元件用端子12a及元件用端子12b在基座11的搭載面11a上相互以預定的間隔分離而配置。此外，於此情況下，元件用端子12a及元件用端子12b係處於在基座11的搭載面11a上，藉由構成基座11的陶瓷而相互絕緣的狀態。
如此，當將元件用端子12a及元件用端子12b設成在基座11上接近的配置時，可縮短將發光元件30與元件用端子12a、12b(尤其，元件用端子12b)接線連接之連接線的長度。
因此，根據圖7A的例子，可謀求發光元件搭載用封裝體A1～A17的進一步小型化。又，根據圖7A的例子，可減少因輸出輸入的電流所引起的電感(inductance)。
再者，至此為止所示的發光元件搭載用封裝體A1～A17中，如圖7B所示，元件用端子12a及元件用端子12b亦可以具有預定高度的形式立體地形成於基座11的搭載面11a上。
如上述，為了將元件用端子12a、12b立體地形成，例如，如圖7B所示，將相當於元件用端子12a、12b之每一者的面積的小基座11D、11E，以與基座11相同的材質一體地形成於搭載面11a上。
元件用端子12a及元件用端子12b係位在基座11的搭載面11a上比搭載面11a的其他區域更高的位置。換言之，元件用端子12a及元件用端子12b的區域成為凸部，其他區域成為凹部。
如此，若元件用端子12a及元件用端子12b設成在基座11的搭載面11a上以具有預定高度的形式立體地形成的構造時，則發光元件30可設成自搭載面11a浮起的狀態。
藉此，可抑制發射自發光元件30的光在搭載面11a反射或被吸收。因此，根據圖7B的例子，可謀求發光元件30之發光的穩定化。
又，圖7B的例中，如圖7C所示，在元件用端子12a與元件用端子12b中，元件用端子12b相對於搭載面11a的高度h2係以比元件用端子12a相對於搭載面11a的高度h1還高較佳。再者，元件用端子12b的高度h2係以比元件用端子12a的高度h1高出相當於發光元件30的厚度t的量較佳。
藉此，如圖7C所示，可縮短將發光元件30與元件用端子12b接線連接之連接線W的長度。因此，根據圖7C的例子，可減少因輸出輸入的電流所引起的電感。
圖7D係表示實施形態的陣列型封裝體C1之俯視圖。圖7D所示的陣列型封裝體C1係連結有複數個上述的發光元件搭載用封裝體中的發光元件搭載用封裝體A1。 ＜發光元件搭載用封裝體的製造方法＞
其次，說明關於各實施形態之發光元件搭載用封裝體的製造方法。
首先，針對第1實施形態之發光元件搭載用封裝體A1的製造方法，使用圖8及圖9來進行說明。圖8係分別從上方(只有圖8的(d)，是從下方)觀看前半部的各步驟之俯視圖，圖9係分別以側剖視圖觀看後半部的各步驟之剖面圖。
如圖8的(a)所示，準備預先加工成預定形狀的生胚片50。接著，將生胚片50的預定兩處在俯視下衝切成圓形，將所衝切的2個孔部分別用通路導體51a、51b予以填埋(圖8的(b))。
其次，在生胚片50的上面，以與通路導體51a繫接的方式印刷導體圖案52a，以與通路導體51b繫接的方式印刷導體圖案52b。又，同時，以包圍導體圖案52a、52b的方式印刷框狀的導體圖案52c(圖8的(c))。
接著，在生胚片50的下面，以與通路導體51a繫接的方式印刷導體圖案53a，以與通路導體51b繫接的方式印刷導體圖案53b(圖8的(d))。
顯示之後的步驟的圖9係圖8的(d)所示之E-E線的箭頭方向所見的剖面圖。如圖9的(a)所示，使用預定形狀的衝壓模具100，從生胚片50的上方朝下方進行衝壓加工，而形成凸部54(圖9的(b))。
又，同時，使導體圖案52a(參照圖9的(a))變形，形成設置於凸部54的上面之導體圖案52a1、設置於凸部54的側面之導體圖案52a2、和與凸部54鄰接而設置的導體圖案52a3。
在此，凸部54係對應於發光元件搭載用封裝體A1的基座11(參照圖1B)之部位，導體圖案52a1、52a2、52a3係分別對應於元件用端子12a(參照圖1B)、側面導體13(參照圖1B)、平面導體14(參照圖1B)的部位。
又，通路導體51a係與發光元件搭載用封裝體A1的基板側通路導體15a(參照圖1B)對應之部位，導體圖案53a係與電源用端子16a(參照圖1B)對應之部位，導體圖案52c係與密封用金屬膜20(參照圖1B)對應之部位。
再者，圖9的(b)中雖未圖示，但在生胚片50中，通路導體51b(參照圖8的(b))係與發光元件搭載用封裝體A1的基板側通路導體15b(參照圖1C)對應之部位。
又，導體圖案52b(參照圖8的(c))係與發光元件搭載用封裝體A1的元件用端子12b(參照圖1C)對應之部位，導體圖案53b(圖8的(d)參照)係與電源用端子16b(參照圖1C)對應之部位。
接著，在製造步驟的最後，將如圖9的(b)所示般形成的生胚片50在高溫(約1800℃)下燒成，而完成發光元件搭載用封裝體A1。
使用於上述的製造步驟的生胚片50係以無機粉體作為基本構成，該無機粉體係例如在屬於主原料的氮化鋁的粉體，以包含氧化釔(Y 2O 3)、氧化鈣(CaO)、氧化鉺(Er 2O 3)等的粉體作為助燒結劑加以混合而成。然後，在此無機粉體添加混合有機黏合劑、溶劑、溶媒而成為泥漿狀，並且藉由將此使用以往週知的刮刀法(doctor blade method)、壓輥法(calendar roll)而形成生胚片50。
又，導體圖案52a、52b、52c、53a、53b和通路導體51a、51b，係由糊料(paste)形成，該糊料係為例如在屬於主原料的鎢(W)，以氮化鋁、有機黏合劑、溶劑等作為共劑加以混合而成。
接著，針對第2實施形態之發光元件搭載用封裝體A2的製造方法，使用圖10～圖12進行說明。
發光元件搭載用封裝體A2係對兩片生胚片分別實施預定的加工後，積層兩片生胚片，最後將所積層的成形體燒成而形成。
以下，依據圖10的俯視圖來說明兩片生胚片中的上層之生胚片60的前半部的各步驟，依據圖11的俯視圖來說明下層之生胚片70的前半部的各步驟。最後，依據圖12的俯視圖來說明生胚片60、70之後半部的各步驟。
如圖10的(a)所示，準備事先加工成預定形狀的生胚片60。接著，將生胚片60的預定四處在俯視下衝切成圓形，將所衝切的4個孔部分別用通路導體61a、61b、61c、61d予以填埋(圖10的(b))。
其次，在生胚片60的上面，以與通路導體61a繫接的方式印刷導體圖案62a，以與通路導體61b繫接的方式印刷導體圖案62b。又，同時，以包圍導體圖案62a、62b的方式印刷框狀的導體圖案62e。再者，同時，以與通路導體61c繫接的方式印刷導體圖案62c，且以與通路導體61d繫接的方式印刷導體圖案62d(圖10的(c))。
又，如圖11的(a)所示，準備預先加工成預定形狀的生胚片70。接著，在生胚片70的上面，印刷導體圖案71a、71b(圖11的(b))。此外，導體圖案71a係形成於與設在生胚片60的通路導體61a、61c對應的位置，導體圖案71b係形成於與設在生胚片60的通路導體61b、61d對應的位置。
接著，以覆蓋生胚片70的下面之方式，印刷導體圖案72a(圖11的(c))。
顯示之後的步驟的圖12係圖10的(c)所示之F-F線的箭頭方向所見的剖面圖。如圖12的(a)所示，使用預定形狀的衝壓模具101，從生胚片60的上方朝下方進行衝壓加工，而形成凸部63(圖12的(b))。
又，同時，使導體圖案62a(參照圖12的(a))變形，而形成設置於凸部63的上面之導體圖案62a1、設置於凸部63的側面之導體圖案62a2、和與凸部63鄰接設置的導體圖案62a3。
在此，凸部63係與發光元件搭載用封裝體A2的基座11(參照圖2B)對應的部位，導體圖案62a1、62a2、62a3係分別與元件用端子12a(參照圖2B)、側面導體13(參照圖2B)、平面導體14(參照圖2B)對應的部位。
又，通路導體61a、61c係分別與發光元件搭載用封裝體A2的基板側通路導體15a(參照圖2B)、端子側通路導體18a(參照圖2B)對應的部位。再者，導體圖案62c、62e係分別與發光元件搭載用封裝體A2的電源用端子16a(參照圖2B)、密封用金屬膜20(參照圖2B)對應的部位。
接著，如圖12的(c)所示，在經衝壓加工的生胚片60的下側配置生胚片70以進行加熱加壓，而形成積層成形體80(圖12的(d))。
在此，導體圖案71a係與發光元件搭載用封裝體A2的配線導體17a(參照圖2B)對應的部位，導體圖案72a係與金屬膜21(參照圖2B)對應的部位。
再者，圖12的(d)中雖未圖示，惟在積層成形體80中，通路導體61b、61d(參照圖10的(b))係分別與發光元件搭載用封裝體A2的基板側通路導體15b(參照圖2C)、端子側通路導體18b(參照圖2C)對應的部位。
又，導體圖案62b，62d(參照圖10的(c))係分別與發光元件搭載用封裝體A2的元件用端子12b(參照圖2C)、電源用端子16b(參照圖2C)對應之部位，導體圖案71b(參照圖11的(b))係與配線導體17b(參照圖2C)對應之部位。
接著，在製造步驟的最後，將如圖12的(d)所示般形成的積層成形體80在高溫(約1800℃)下燒成，而完成發光元件搭載用封裝體A2。
接著，使用圖13，說明關於圖3A所示之變形例的發光元件搭載用封裝體A3的製造方法。此外，發光元件搭載用封裝體A3的製造步驟基本上係與圖8及圖9所示之發光元件搭載用封裝體A1的製造步驟相同，在此著眼於不同的步驟來說明。
如圖13的(a)所示，在形成有複數個導體圖案、通路導體的生胚片50，使用預定形狀的衝壓模具102，從生胚片50的上方朝下方進行衝壓加工，而形成凸部54(圖13的(b))。
在此，將設置於生胚片50上面的導體圖案52a以僅配置於凸部54的上面之方式進行印刷，將貫通生胚片50的通路導體51a以位於凸部54內部的方式設置。
於是，導體圖案52a係成為與發光元件搭載用封裝體A3的元件用端子12a(參照圖3A)對應的部位，通路導體51a係成為與基座側通路導體19(參照圖3A)及基板側通路導體15a(參照圖3A)對應的部位。藉此，可形成設置基座側通路導體19的發光元件搭載用封裝體A3。
接著，使用圖14，就圖3C所示之發光元件搭載用封裝體A5的製造方法進行說明。此外，發光元件搭載用封裝體A5的製造步驟，基本上係與圖10～圖12所示之發光元件搭載用封裝體A2的製造步驟相同，在此著眼於不同的步驟來說明。
在形成有複數個導體圖案和通路導體的生胚片60，使用預定形狀的衝壓模具103，從生胚片60的上方朝下方進行衝壓加工(圖14的(a))。
在此，由於在衝壓模具103，於與導體圖案62e對應的位置設置有凸部103a，所以藉由此凸部103a，在生胚片60的表面設置溝64，在溝64的內部配置導體圖案62e(圖14的(b))。
在此，溝64係成為與發光元件搭載用封裝體A5的溝10c(參照圖3C)對應之部位，導體圖案62e係成為與密封用金屬膜20(參照圖3C)對應之部位。藉此，可形成在基板10的表面10a形成有溝10c，在溝10c的內部設有密封用金屬膜20的發光元件搭載用封裝體A5。 [實施例]
以下，具體地製作各實施形態及變形例之發光元件搭載用封裝體A1～A6，然後，製得適用此發光元件搭載用封裝體A1～A6的發光裝置。
首先，調製出氧化釔粉末以5質量%的比例，氧化鈣粉末以1質量%的比例混合於氮化鋁粉末94質量%中而成的混合粉末，作為用以形成生胚片的混合粉末。
對於此混合粉末(固體含量)100質量份，添加20質量份的丙烯酸系黏合劑作為有機黏合劑、添加50質量份的甲苯，以調製漿料，接著，使用刮刀法，而製得預定厚度的生胚片。
又，在導體圖案和通路導體等導體的形成方面，係使用在100重量份的鎢(W)粉末添加20重量份的氮化鋁粉末、8重量份的丙烯酸系黏合劑、並適當添加萜品醇(terpineol)而形成的導體。
接著，使用具有上述成分的生胚片及導體，以圖8～圖14所示的製造方法來製作生胚片50(參照圖9的(b)、圖13的(b))和積層成形體80(參照圖12的(d))。
將所製得的生胚片50和積層成形體80在還原氣體環境中，於最高溫度為1800℃的條件下進行2小時的燒成而製得發光元件搭載用封裝體A1～A6。此外，所製得之發光元件搭載用封裝體A1～A6的尺寸，燒成後形狀為寬度2.5mm×長度4.2mm×高度0.6mm，搭載面11a的尺寸為寬度0.5mm×長度0.5mm。
在發光元件搭載用封裝體A1～A6中，以約5μm的厚度形成Ni鍍敷膜，接著以約0.1μm的厚度形成Au鍍敷膜。
接著，在發光元件搭載用封裝體A1～A6的搭載面11a安裝有發光元件30。在此，發光元件30對於搭載面11a的接合係使用Au-Sn黏著劑(熔點：280℃)。
接著，將鐵鎳鈷製的蓋罩40接合於密封用金屬膜20。在此，此接合係使用Ag-Sn黏著劑(熔點：221℃)，蓋罩40的內部環境氣體係以He氣體取代。又，將已施作防反射塗布之預定尺寸的玻璃板，藉由低熔點玻璃糊料在約430℃下接合於蓋罩40的橫窗41。
依此方式，製作適用實施形態的發光元件搭載用封裝體A1～A6之發光裝置。又，作為比較例，亦製作使用了適用習知的金屬基底之發光元件搭載用封裝體的發光裝置。
其次，所製得之各發光裝置的熱阻分別進行評價。在此，針對各構造設定試樣個數n＝5，評價基座11的搭載面11a的溫度與基板10的背面10b的溫度之溫度差。亦即，表示此溫度差的値愈大者，其熱阻愈小，且散熱性佳。
又，在各發光裝置的熱阻評價中，針對基板10的背面10b沒有接合散熱構件的情況、與背面10b接合有散熱構件的情況分別進行評價。關於電源用端子16a、16b設置於基板10的表面10a的試樣，要接合的散熱構件係作成在基板10的背面10b整面貼附有散熱構件的尺寸(寬度2mm×長度3mm×厚度2mm)。
另一方面，關於電源用端子16a、16b設置於基板10的背面10b的試樣，散熱構件係作成扣除電源用端子16a、16b的部分之尺寸。
除了熱阻評價之外，亦就蓋罩40的內部之He氣體的漏洩性進行評價。具體而言，將所製得的發光裝置放入真空容器，藉由氣相色譜儀(gas chromatograph)測定檢測He氣體的時間。又，此評價結果的値，係設為在適用了發光元件搭載用封裝體A1的試樣1且He最先被檢測出的時間設為1.0時的相對時間。
表1顯示各構造的熱阻評價及He氣體的漏洩性評價的結果。
表1
試樣 編號 封裝體構造 熱阻 He漏洩試驗#
電源用 端子的位置 基座的 導體形狀 有無密封環部的溝 無散熱構件 有散熱構件
(℃) (℃) (a.u.)
  1 背面 側面導體 無 40 45 1.0
  2 表面 側面導體 無 35 48 1.0
  3 背面 通路導體 無 50 54 0.9
  4 表面 通路導體 無 45 58 0.9
  5 表面 側面導體 有 38 51 0.95
  6 表面 通路導體 有 47 60 0.95
* 7 金屬基底 20 43 0.9
*記號係表示本發明的範圍外 #:試樣1的He最初被檢測出的時間設為1.0時的相對時間
由適用了習知的金屬基底的試樣7、與適用了各實施形態的發光元件搭載用封裝體A1～A6的試樣1～6之比較得知，本實施形態的發光元件搭載用封裝體A1～A6的散熱性優異。
又，由基座11設有側面導體13的試樣1、2、5、與基座11設有基座側通路導體19的試樣3、4、6之比較得知，藉由在基座11配置基座側通路導體19，散熱性得以進一步提升。
此外，關於適用了發光元件搭載用封裝體A7～A17的試樣，係以同樣方式製作並進行評價。關於這些試樣的熱阻，針對試樣6的熱阻的各値，有散熱構件及無散熱構件均在±1℃的範圍。又，He漏洩試驗的結果亦停止於0.95±0.01的範圍。
以上，就本發明的實施形態進行說明，惟本發明不限於上述實施形態，只要不逸離其旨趣則可進行各種變更。例如，上述的實施形態中，係使用蓋罩40將發光元件30等進行氣密密封，惟氣密密封的構件不限於蓋罩40。例如，亦可將在預定的位置設有橫窗的框狀密封環(密封構件)與板狀的蓋體組合以對發光元件30等進行氣密密封。
如上所述，實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1～A17)具備平板狀的基板10、和從基板10的表面10a突出且具有供搭載電氣元件(發光元件30、雷射二極體31、紅色雷射二極體31R、綠色雷射二極體31G、藍色雷射二極體31B)的搭載面11a之一個以上的基座11，且基板10和基座11係以陶瓷形成一體。藉此，可實現散熱性高的電氣元件搭載用封裝體。
又，實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1、A2、A5、A7～A17)具備設置於基座11的搭載面11a之元件用端子12a、和設置於基座11的側面11b且延伸於基座11的厚度方向之側面導體13、和設置於基板10內部且延伸於基板10的厚度方向之基板側通路導體15a，且元件用端子12a和側面導體13和基板側通路導體15a係連接著。藉此，能夠使電氣元件搭載用封裝體的散熱性。
又，實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A3、A4、A6)具備設置於基座11的搭載面11a之元件用端子12a、和設置於基座11的內部且延伸於基座11的厚度方向之基座側通路導體19、和設置於基板10內部且延伸於基板10的厚度方向之基板側通路導體15a，且元件用端子12a與基座側通路導體19與基板側通路導體15a係連接著。藉此，能夠使電氣元件搭載用封裝體的散熱性進一步提升。
又，實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A2、A4～A17)係具備設置於基板10的內部且延伸於基板10的面方向之配線導體17a，配線導體17a與基板側通路導體15a係連接著。藉此，不僅在基板10的背面10b，在基板10的表面10a也可配置電源用端子16a。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A2、A4～A17)中，配線導體17a係設置在比基板10的表面10a還接近基板10的背面10b的位置。藉此，可實現可靠性高的電氣元件搭載用封裝體。
在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A2、A4～A17)，係具備以包圍基座11的方式設置在基板10的表面10a側之密封用金屬膜20、和設置在密封用金屬膜20的外側之電源用端子16a，電源用端子16a與配線導體17a係連接著。藉此，可使封裝體的散熱性進一步提升。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A5，A6)中，在基板10的表面10a以包圍基座11的方式設有溝10c，密封用金屬膜20係設置於溝10c的內部。藉此，可使電氣裝置的可靠性進一步提升，並且可使封裝體的散熱性進一步提升。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A9～A12、A14)中，電源用端子16a、16b係設置在比基板10的表面10a低的位置。藉此，FPC200的對位變得容易進行。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A12、A14)中，電源用端子16a、16b的外緣具有交叉的兩個直線狀邊緣16c、16d，兩個邊緣16c、16d係配置成分別與基板10的端面10d及側面10e的邊緣對齊。藉此，可使電氣裝置的模組設計變容易。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A13、A14)中，密封用金屬膜20內側的區域，除了基座11的部分以外，係比基板10的表面10a還凹陷。藉此，可同時達成電氣裝置的進一步低背化、與抑制光自表面10a側的面反射。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A15～A17)中，在密封用金屬膜20之內側的區域，設有複數個基座11。藉此，可達成電氣裝置的小型化。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A16、A17)中，於密封用金屬膜20的內側區域，設有具有第1基座11A及第2基座11B的混合基座11C作為基座11，混合基座11C之第2基座11B的高度低於第1基座11A的高度。藉此，可對從雷射二極體31(紅色雷射二極體31R、綠色雷射二極體31G、藍色雷射二極體31B)所發出的光L1(L R、L G、L B)之光量進行回饋控制。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A17)中，於密封用金屬膜20的內側區域設有3組混合基座11C。藉此，能夠實現可將經調整後的高品質的光L RGB射出，並作為顯示器光源使用的光學裝置。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A17)中，3組混合基座11C係包含：具有用於搭載紅色雷射二極體31R的第1基座11A之紅色用混合基座11C1、和具有用於搭載綠色雷射二極體31G的第1基座11A之綠色用混合基座11C2、和具有用於搭載藍色雷射二極體31B的第1基座11A之藍色用混合基座11C3，且紅色用混合基座11C1與綠色用混合基座11C2的間隔、或者紅色用混合基座11C1與藍色用混合基座11C3的間隔中較窄的間隔D1，係比綠色用混合基座11C2與藍色用混合基座11C3的間隔D2還廣的間隔。藉此，可從紅色雷射二極體31R射出穩定的光L R。
又，在實施形態的電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A17)中，3組混合基座11C係配置成從各自搭載的雷射二極體(紅色雷射二極體31R、綠色雷射二極體31G、藍色雷射二極體31B)所射出之光L R、L G、L B的朝向係朝向不會碰撞到3組混合基座11C的方向。藉此，可實現小型且高品質的RGB一體型模組。
又，實施形態的陣列型封裝體C1係聯結有複數個電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1～A17)。藉此，可獲得陣列型的電氣裝置。
又，實施形態的陣列型封裝體C1係將電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1～A17)彼此一體燒結而成。藉此，可獲得高散熱性且高強度的陣列型電氣裝置。
又，實施形態的電氣裝置具備：電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1～A17)；和搭載於電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1～A17)的搭載面11a之電氣元件(發光元件30、雷射二極體31、紅色雷射二極體31R、綠色雷射二極體31G、藍色雷射二極體31B)。藉此，可實現高散熱性的電氣裝置。
又，實施形態的電氣裝置具備：電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1～A17)；搭載於電氣元件搭載用封裝體(發光元件搭載用封裝體A1～A17)的搭載面11a之電氣元件(發光元件30、雷射二極體31、紅色雷射二極體31R、綠色雷射二極體31G、藍色雷射二極體31B)；和具有設置於密封用金屬膜20上的橫窗41之蓋罩40。藉此，可實現高可靠性的電氣裝置。
又，實施形態的電氣裝置具備：陣列型封裝體C1；和搭載於陣列型封裝體C1的搭載面11a之電氣元件(發光元件30、雷射二極體31、紅色雷射二極體31R、綠色雷射二極體31G、藍色雷射二極體31B)。藉此，可獲得高散熱性且高強度的陣列型電氣裝置。
進一步的功效和變形例，對本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言是可容易導出的。因此，本發明更廣泛的態樣並不限定於如以上所示且所描述之特定的詳細內容及代表性的實施形態。因此，在不脫離由附加的申請專利範圍及其均等構成所定義的總括的發明概念的精神或範圍的情況下，可進行各種變更。
A1-A17:發光元件搭載用封裝體 C1:陣列型封裝體 10:基板 10a:表面 10b:背面 10c:溝 10d:端面 10e:側面 10f,10g:凹部 11:基座 11a:搭載面 11b:側面 11A:第1基座 11B:第2基座 11C:混合基座 11C1:紅色用混合基座 11C2:綠色用混合基座 11C3:藍色用混合基座 12a、12b:元件用端子 13:側面導體 14:平面導體 15a,15b:基板側通路導體 16a,16b:電源用端子 16c,16d:邊緣 17a,17b:配線導體 18a,18b:端子側通路導體 19:基座側通路導體 20:密封用金屬膜 21:金屬膜 30:發光元件 30a:放射面 31:雷射二極體 31R:紅色雷射二極體 31G:綠色雷射二極體 31B:藍色雷射二極體 32,32R,32G,32B:光二極體 40:蓋罩 41:橫窗
圖1A係第1實施形態之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖1B係圖1A所示之A-A線之箭頭方向所見的剖面圖。 圖1C係圖1A所示之B-B線之箭頭方向所見的剖面圖。 圖2A係第2實施形態之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖2B係圖2A所示之C-C線之箭頭方向所見的剖面圖。 圖2C係圖2A所示之D-D線之箭頭方向所見的剖面圖。 圖3A係實施形態的變形例1之電氣元件搭載用封裝體的剖面圖。 圖3B係實施形態的變形例2之電氣元件搭載用封裝體的剖面圖。 圖3C係實施形態的變形例3之電氣元件搭載用封裝體的剖面圖。 圖3D係實施形態的變形例4之電氣元件搭載用封裝體的剖面圖。 圖4A係實施形態的變形例5之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖4B係實施形態的變形例5之電氣元件搭載用封裝體的放大剖面圖。 圖4C係電源用端子的邊緣未與端面的邊緣對齊的連接部分之放大剖面圖。 圖4D係實施形態的變形例6之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖5A係實施形態的變形例7之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖5B係實施形態的變形例7之電氣元件搭載用封裝體的放大剖面圖。 圖5C係實施形態的變形例8之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖5D係實施形態的變形例9之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖5E係實施形態的變形例10之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖5F係實施形態的變形例11之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖5G係實施形態的變形例12之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖6A係實施形態的變形例13之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖6B係實施形態的變形例14之電氣元件搭載用封裝體的立體圖。 圖6C係實施形態的變形例14之電氣元件搭載用封裝體的側視圖。 圖6D係實施形態的變形例15之電氣元件搭載用封裝體的放大俯視圖。 圖7A係實施形態的變形例16之基座的立體圖。 圖7B係實施形態的變形例17之基座的立體圖。 圖7C係實施形態的變形例17之基座的側視圖。 圖7D係表示實施形態的陣列型封裝體之俯視圖。 圖8係表示第1實施形態的電氣元件搭載用封裝體之一製造步驟的俯視圖。 圖9係表示第1實施形態的電氣元件搭載用封裝體之另一製造步驟的剖面圖。 圖10係表示第2實施形態的電氣元件搭載用封裝體之一製造步驟的俯視圖。 圖11係表示第2實施形態的電氣元件搭載用封裝體之另一製造步驟的俯視圖。 圖12係表示第2實施形態的電氣元件搭載用封裝體之另一製造步驟的剖面圖。 圖13係表示實施形態的變形例1之電氣元件搭載用封裝體的一製造步驟之剖面圖。 圖14係表示實施形態的變形例3之電氣元件搭載用封裝體的一製造步驟之剖面圖。
A1:發光元件搭載用封裝體
10:基板
10a:表面
11:基座
11a:搭載面
12a,12b:元件用端子
20:密封用金屬膜
30:發光元件
30a:放射面
40:蓋罩
41:橫窗

Claims (21)

  1. 一種發光元件搭載用封裝體，其具備： 平板狀的基板；及 基座，從前述基板的表面突出，且具有供搭載發光元件的搭載面；配線導體，設置於前述基板的內部，且延伸於前述基板的面方向； 在前述基板的前述表面設有電源用端子，前述電源用端子配置在與前述發光元件的放射面所朝向的方向相反的方向。
  2. 如請求項1之發光元件搭載用封裝體，其具備： 元件用端子，設置於前述基座的前述搭載面； 側面導體，設置於前述基座的側面，且延伸於前述基座的厚度方向；和 基板側通路導體，設置於前述基板的內部，且延伸於前述基板的厚度方向， 前述元件用端子和前述側面導體和前述基板側通路導體係連接著。
  3. 如請求項1之發光元件搭載用封裝體，其具備： 元件用端子，設置於前述基座的前述搭載面； 基座側通路導體，設置於前述基座的內部，且延伸於前述基座的厚度方向；和 基板側通路導體，設置於前述基板的內部，且延伸於前述基板的厚度方向， 前述元件用端子和前述基座側通路導體和前述基板側通路導體係連接著。
  4. 如請求項2之發光元件搭載用封裝體，其中前述配線導體和前述基板側通路導體係連接著。
  5. 如請求項3之發光元件搭載用封裝體，其中前述配線導體和前述基板側通路導體係連接著。
  6. 如請求項4之發光元件搭載用封裝體，其具備密封用金屬膜，以包圍前述基座的方式設置於前述基板的前述表面側， 前述電源用端子係設置於前述密封用金屬膜的外側， 前述電源用端子和前述配線導體係連接著。
  7. 如請求項6之發光元件搭載用封裝體，其中於前述基板的前述表面，以包圍前述基座的方式設有溝， 前述密封用金屬膜係設置於前述溝的內部。
  8. 如請求項6之發光元件搭載用封裝體，其中前述電源用端子係設置在比前述基板的前述表面還低的位置。
  9. 如請求項6之發光元件搭載用封裝體，其中前述電源用端子的外緣具有交叉的兩個直線狀邊緣，該兩個邊緣係配置成分別與前述基板的端面及側面的邊緣對齊。
  10. 如請求項6之發光元件搭載用封裝體，其中前述密封用金屬膜的內側的區域，除了前述基座的部分以外，係比前述基板的前述表面還凹陷。
  11. 如請求項6之發光元件搭載用封裝體，其中在前述密封用金屬膜的內側的區域，設有複數個前述基座。
  12. 如請求項11之發光元件搭載用封裝體，其中在前述密封用金屬膜的內側的區域，設有具有第1基座及第2基座的混合基座，作為前述基座， 該混合基座之前述第2基座的高度低於前述第1基座的高度。
  13. 如請求項12之發光元件搭載用封裝體，其中在前述密封用金屬膜的內側的區域，設置有3組前述混合基座。
  14. 如請求項13之發光元件搭載用封裝體，其中3組前述混合基座包含： 紅色用混合基座，具有用以搭載紅色雷射二極體的前述第1基座； 綠色用混合基座，具有用以搭載綠色雷射二極體的前述第1基座；和 藍色用混合基座，具有用以搭載藍色雷射二極體的前述第1基座， 前述紅色用混合基座的前述第1基座與前述綠色用混合基座的前述第1基座的間隔、或者前述紅色用混合基座的前述第1基座與前述藍色用混合基座的前述第1基座的間隔中較窄的間隔，係比前述綠色用混合基座的前述第1基座及前述第2基座與前述藍色用混合基座的前述第1基座及前述第2基座的間隔還寬的間隔。
  15. 如請求項13之發光元件搭載用封裝體，其中3組前述混合基座係配置成由各自搭載的雷射二極體所射出之光的朝向係面對不會碰撞到3組前述混合基座的方向。
  16. 一種陣列型封裝體，其係連結有複數個如請求項1至15中任一項之發光元件搭載用封裝體。
  17. 如請求項16之陣列型封裝體，其係將發光元件搭載用封裝體彼此一體燒結而成。
  18. 一種電氣裝置，其係具備： 如請求項1至15中任一項之發光元件搭載用封裝體；和 發光元件，搭載於前述發光元件搭載用封裝體的前述搭載面。
  19. 一種電氣裝置，其係具備： 如請求項6至15中任一項之發光元件搭載用封裝體； 發光元件，搭載於前述發光元件搭載用封裝體的前述搭載面；和 蓋罩，具有設置於前述密封用金屬膜上的橫窗。
  20. 一種電氣裝置，其具備： 如請求項16之陣列型封裝體；和 發光元件，搭載於該陣列型封裝體的搭載面。
  21. 一種電氣裝置，其具備： 如請求項17之陣列型封裝體；和 發光元件，搭載於該陣列型封裝體的搭載面。
TW111122164A 2016-11-11 2017-11-09 發光元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置 TWI845964B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-221034 2016-11-11
JP2016221034 2016-11-11
PCT/JP2017/028988 WO2018030486A1 (ja) 2016-08-10 2017-08-09 電気素子搭載用パッケージ、アレイ型パッケージおよび電気装置
WOPCT/JP2017/028988 2017-08-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202239275A true TW202239275A (zh) 2022-10-01
TWI845964B TWI845964B (zh) 2024-06-21

Family

ID=63960349

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108122078A TWI765161B (zh) 2016-11-11 2017-11-09 電氣元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置
TW106138728A TWI669029B (zh) 2016-11-11 2017-11-09 Package for mounting an electric component, array package, and electrical device
TW111122164A TWI845964B (zh) 2016-11-11 2017-11-09 發光元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108122078A TWI765161B (zh) 2016-11-11 2017-11-09 電氣元件搭載用封裝體、陣列型封裝體及電氣裝置
TW106138728A TWI669029B (zh) 2016-11-11 2017-11-09 Package for mounting an electric component, array package, and electrical device

Country Status (1)

Country Link
TW (3) TWI765161B (zh)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5177669A (en) * 1992-03-02 1993-01-05 Motorola, Inc. Molded ring integrated circuit package
US6252772B1 (en) * 1999-02-10 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Removable heat sink bumpers on a quad flat package
US6487078B2 (en) * 2000-03-13 2002-11-26 Legacy Electronics, Inc. Electronic module having a three dimensional array of carrier-mounted integrated circuit packages
US20040229051A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
US6778398B2 (en) * 2002-10-24 2004-08-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thermal-conductive substrate package
US6902646B2 (en) * 2003-08-14 2005-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments
TWI245436B (en) * 2003-10-30 2005-12-11 Kyocera Corp Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US20050217796A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Carter Daniel C Techniques for packaging and encapsulating components of diagnostic plasma measurement devices
JP2006005290A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
CN101147270B (zh) * 2005-03-24 2010-05-26 京瓷株式会社 发光装置
JP4882439B2 (ja) * 2006-01-13 2012-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4970924B2 (ja) * 2006-03-28 2012-07-11 三菱電機株式会社 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置
JP4844246B2 (ja) * 2006-06-09 2011-12-28 豊田合成株式会社 発光装置及び液晶表示用バックライト装置
JP2009038160A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2010150754A1 (ja) * 2009-06-22 2010-12-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5472031B2 (ja) * 2010-10-21 2014-04-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US8968588B2 (en) * 2012-03-30 2015-03-03 Tokyo Electron Limited Low electron temperature microwave surface-wave plasma (SWP) processing method and apparatus
JP2015207605A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社ディスコ パッケージ基板の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI765161B (zh) 2022-05-21
TW201831058A (zh) 2018-08-16
TW201940016A (zh) 2019-10-01
TWI669029B (zh) 2019-08-11
TWI845964B (zh) 2024-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6884823B2 (ja) 電気素子搭載用パッケージ、アレイ型パッケージおよび電気装置
JP6893781B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
TWI652867B (zh) Light-emitting element housing member, array member, and light-emitting device
JP2006196565A (ja) 発光素子収納用パッケージ
US11362484B2 (en) Light-emitting-element housing member, array member, and light emitting device
TWI669029B (zh) Package for mounting an electric component, array package, and electrical device
US11978998B2 (en) Substrate for mounting a light-emitting element, array substrate, and light-emitting device
CN111801857A (zh) 发光元件搭载用基板以及发光装置
JP7148276B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
JP2020017704A (ja) セラミック回路基板、パッケージおよび電子装置
US20210410286A1 (en) Wiring board, composite substrate, and electric device