JP2016086059A - 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 - Google Patents
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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Abstract
【解決手段】発光装置100は、発光素子1とパッケージ2とを備えて構成される。ここで、パッケージ2は、凹部22aの底面に配置されるリードフレーム21と、リードフレーム21を支持し凹部22aの側面を形成する樹脂部22と、を持ち、凹部22aの外側面の少なくとも一部が、反射膜23で被覆されている。また、発光装置100は、発光素子1がリードフレーム21と電気的に接続されるようにパッケージ2の凹部22aの底面に実装されている。
【選択図】図1
Description
更に、サイドビューパッケージの白基材の上面をカットし、そのカット面に反射膜を取り付けた発光装置が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
特許文献2に記載の発光装置では、薄板板金の折り曲げや取り付けなどの加工が難しいという事情がある。
特許文献3に記載の発光装置では、製造工程数が増加する上に、パッケージの一部を除去するための精密な加工が必要となる。
また、本実施形態に係る発光装置の製造方法又はパッケージの製造方法によれば、簡便に製造することができる。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、例えば平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
図1〜図3Bを参照して、実施形態に係る発光装置の構成について説明する。図1は、実施形態に係る発光装置の構成を示す斜視図である。図2Aは、実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。図2Bは、実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。図2Cは、実施形態に係る発光装置の構成を示す底面図である。図2Dは、実施形態に係る発光装置の構成を示す右側面図である。図3Aは、実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図2AのIIIA−IIIA線における断面図である。図3Bは、実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図であり、図2AのIIIB−IIIB線における断面図である。
なお、図1〜図3Bの各図には座標軸を示し、便宜的に、Y軸のプラス方向に向かって見た図2Aを正面図、Z軸のマイナス方向に向かって見た図2Bを平面図(上面図)、Z軸のプラス方向に向かって見た図2Cを底面図、X軸のマイナス方向に向かって見た図2Dを右側面図とする。
発光素子1は、パッケージ2の正面に開口を有する凹部22a内に設けられ、発光素子1が発する光は、透光性部材3を介して凹部22aの開口から正面方向(Y軸のマイナス方向)に出射される。発光装置100は、例えば、液晶ディスプレイのバックライト用の光源に適するように、厚さ方向(Z軸方向)に扁平に形成されている。また、凹部22aの厚さ方向の外面に反射膜23が設けられている。
次に、発光装置100の各部について順次に詳細に説明する。
また、発光素子1は、1個のみ搭載されているが、複数搭載することもできる。複数の発光素子は、同じ色又は互いに異なる色を発光するものでもよい。
また、発光素子1は、凹部22aに充填された透光性部材3によって封止されている。
なお、パッケージ2は、サイドビュー型の実装に適したものに限定されず、トップビュー型に適した構成のものであってもよい。
リードフレーム21は、板状の金属を用いて形成され、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。その厚みは均一であってもよいし、部分的に厚くなる又は薄くなってもよい。
発光装置100は、底面を実装基板と対向させ、半田などの導電性の接着部材を用いて、外部リード部21bが実装基板の配線パターンと接合されることで実装される。
また、樹脂部22の背面には、射出成形法で樹脂部22を形成する際の、金型内へ樹脂材料を注入するゲートの痕であるゲート痕22eが形成されている。
また、凹部22a内には透光性部材3が充填されている。
このように、発光装置100は、サイドビュー型の実装に適するようにリードフレーム21が設けられているとともに、サイドビュー型の発光装置100として、より薄型となるように樹脂部22が構成されている。
なお、上壁部22b及び下壁部22cの内側面は、発光装置100がより薄型の構造となるように傾斜を設けずに、凹部22aの底面に対して略垂直な面で構成されている。
このような光反射性物質としては、屈折率が、例えば1.8以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、2.0以上であることが好ましく、2.5以上であることがより好ましい。樹脂材料との屈折率差は、例えば0.4以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、0.7以上であることが好ましく、0.9以上であることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子の平均粒径は、高い効率で光散乱効果を得られるように、0.08μm以上10μm以下であることが好ましく、0.1μm以上5μm以下であることがより好ましい。
また、より良好な反射性を得るために、発光素子1が発する光が可視光の場合には、光反射性物質としてTiO2を用いることが好ましく、紫外光の場合には、光反射性物質としてAl2O3を用いることが好ましい。
が30質量%の含有率で光反射性物質を含有する場合において、その膜厚が50μm以下程度の領域の、少なくとも一部に設けることが好ましい。このような範囲の膜厚部分では、樹脂部22を透過する光量が比較的多いため、反射膜23を設けることで、発光装置100の正面方向からの光取り出し効率の向上に特に貢献することができる。
また、上壁部22bの外面にのみ反射膜23を設けるようにしてもよい。この場合は、発光装置100を実装基板に実装した際に、下壁部22cが対向する実装基板上に白色樹脂層や金属膜などの反射部材を設けることが好ましい。
光反射性物質としては、前記した樹脂部22に含有させるものと同様の物質を用いることができ、可視光領域で良好な反射性が得られるTiO2が特に好ましい。
また、バインダは用いなくてもよいが、反射膜23が樹脂部22から剥がれ難くするために用いることが好ましい。バインダとしては、透光性、耐熱性、耐光性の良好な材料が好ましく、エポキシ系やシリコーン系の樹脂などの有機材料、SiO2,Al2O3,MSiO(Mは、Zn,Ca,Mg,Ba,Sr,Zr,Yなど)などの無機材料を好適に用いることができる。
また、反射膜23の膜厚は、安定した膜厚で形成することができ、かつ良好な反射性が得られるように、0.02μm以上1.0μm以下とすることが好ましい。
なお、透光性部材3に含有させる波長変換物質は複数種類でもよく、波長変換物質に代えて、又は加えて、光拡散性物質を含有させてもよい。
また、光拡散性物質としては、前記した光反射性物質を用いることができる。
次に、図2A〜図3Bを参照して、発光装置100の動作について説明する。
なお、説明の便宜上、発光素子1は青色光を発光し、透光性部材3には青色光を吸収して黄色光を発光する波長変換物質が含有されているものとして説明する。
発光素子1が発した青色光は、透光性部材3を伝播する際に、一部が波長変換物質によって黄色光に変換される。透光性部材3内を厚さ方向(Z軸方向)に伝播する光は、上壁部22b又は下壁部22cによって一部が透光性部材3内に反射され、上壁部22b又は下壁部22cを透過する光は外面に設けられた反射膜23によって透光性部材3内に反射される。また、透光性部材3内を幅方向(X軸方向)に伝播する光は、側壁部22dによって透光性部材3内に反射され、背面方向(Y軸のプラス方向)に伝播する光は、内部リード部21aによって透光性部材3内に反射される。
発光素子1又は波長変換物質から直接に又は前記したように各部材を反射して、透光性部材3内を発光装置100の正面方向(Y軸のマイナス方向)に伝播する光は、青色光と黄色光とが混色した白色光として、凹部22aの開口から出射される。
次に、パッケージ2及び発光装置100の製造方法について説明する。
(パッケージの製造方法)
まず、図4を参照(適宜図1〜図3B参照)して、発光装置100の構成部品であるパッケージ2の製造方法について説明する。図4は、実施形態に係るパッケージの製造方法の手順を示すフローチャートである。
パッケージ2の製造方法は、リードフレーム形成工程S101と、樹脂部形成工程S102と、反射膜形成工程S103とを有している。ここで製造されるパッケージ2は、発光装置100から発光素子1及び透光性部材3を除いたものである。
また、リードフレーム形成工程S101及び樹脂部形成工程S102を合わせて、便宜的に、パッケージ準備工程S201と呼ぶこととする。このパッケージ準備工程S201は、反射膜23を形成する前の状態のパッケージ2を形成する工程である。
パッケージ2を製造する際の反射膜23を形成する工程と、発光素子1をパッケージ2に実装する工程とを行う順序の違いで、発光装置100の製造方法には、次の2つの方法がある。
発光装置100の第1の製造方法について、図4、図5、及び図7A〜図8Fを参照して説明する。図5は、実施形態に係る発光装置の第1の製造方法の手順を示すフローチャートである。図6は、実施形態に係る発光装置の第2の製造方法の手順を示すフローチャートである。図7Aは、実施形態に係る発光装置の製造方法における樹脂部形成工程を示す模式的断面図である。図7Bは、実施形態に係る発光装置の製造方法における樹脂部形成工程を示す模式的断面図である。図7Cは、実施形態に係る発光装置の製造方法における樹脂部形成工程を示す模式的断面図である。図7Dは、実施形態に係る発光装置の製造方法における樹脂部形成工程を示す模式的断面図である。図7A〜図7Dは、樹脂部形成工程S102における4つのサブ工程を示す。図8Aは、実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す模式的断面図である。図8Bは、実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す模式的断面図である。図8Cは、実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す模式的断面図である。
図8Dは、実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す模式的断面図である。図8Eは、実施形態に係る発光装置の製造方法における反射膜形成工程を示す模式的断面図である。図8Fは、実施形態に係る発光装置の製造方法における反射膜形成工程を示す模式的断面図である。
なお、図8A及び図8Cは、図2AのIIIA−IIIA線に相当する位置における断面図である。また、図8B、図8D及び図8Fは、図2AのIIIB−IIIB線に相当する位置における断面図である。また、図8Eは、上面図及び底面図を兼ねた図である。図8Eにおいて、外部リード部21bの記載は省略している。
なお、複数のリードフレーム21が原材料である板金の平面内で接続された状態で形成されてもよい。また、本工程において、外部リード部21bの折り曲げ加工を行うようにしてもよく、樹脂部形成工程S102の後で外部リード部21bの折り曲げ加工を行うようにしてもよい。
なお、樹脂部22は、トランスファー成形法や圧縮成形法、押出成形法などの、金型を用いた他の成形方法で形成することもできる。
次に、第3サブ工程として、上金型51及び下金型52内で、空洞55に注入した樹脂材料24を硬化させ、樹脂部22を形成する。
次に、第4サブ工程として、下金型52を移動させることで成形品から取り外した後、突き出しピン53を成形品の方向に押し出すことで、成形品を上金型51から取り出す。
以上の工程により、リードフレーム21と樹脂部22とが一体に成形されたパッケージ2が形成される。
具体的には、透光性部材3の母体となる樹脂材料に、波長変換物質の粒子や光拡散性物質の粒子などの添加物を含有させたスラリーを、ポッティング法などにより凹部22a内に充填する。その後、樹脂材料を硬化させることで、透光性部材3が形成される。
具体的には、溶媒に光反射性部材の粒子とバインダとを含有させたスラリーを前記した領域に塗布し、当該塗布膜を乾燥させることで反射膜23を形成することができる。反射膜23の形成方法としては、ポッティング法、インクジェット法、スプレー法、刷毛やスポンジを用いた塗布などを挙げることができる。
ここで、反射膜23を形成する方法の具体例について説明する。
(第1の形成方法)
まず、反射膜23の第1の形成方法について、図9A及び図9Bを参照して説明する。図9Aは、実施形態に係る発光装置の製造方法における反射膜形成工程の一例を示す模式的正面図である。図9Bは、実施形態に係る発光装置の製造方法における反射膜形成工程の一例を示す模式的正面図である。
反射膜23の第1の形成方法として、ポッティング法を用いる。ポッティング法は、一面ずつ反射膜23を形成する。
溶媒に光反射性物質の粒子及びバインダを含有させたスラリー62を調整し、マイクロピペットなどのディスペンサ61を用いて、当該スラリー62を所定の領域に滴下して塗布膜を形成する。パッケージ2の上面全体に、スラリー62が上面の端部において表面張力で盛り上がるように塗布膜を形成する。側面から溢れないようにスラリー62を滴下することによって、パッケージ2の正面側などをマスクすることなく、パッケージ2の上面のみに反射膜23を形成することができる。
また、反射膜23を上壁部22bの外面に設けるようにしたが、下壁部22cの外面にも反射膜23を形成することができる。その場合は、前記した手順で上壁部22bの外面に反射膜23を形成した後に、パッケージ2の上下を逆にして、同じ手順で下壁部22cの外面に反射膜23を形成することができる。
次に、反射膜23の第2の形成方法について、図10A〜図10Eを参照して説明する。図10A〜図10Eは、実施形態に係る発光装置の製造方法における反射膜形成工程の他の例を示す模式図である。また、図10B〜図10Dは、図10AのXB−XB線に相当する位置における断面図である。
なお、スラリー62は、第1の形成方法と同様にして調整することができる。
このスラリー62の注入及び乾燥工程は1回に限定されず、注入及び乾燥を複数回繰り返しても良い。注入及び乾燥を複数回繰り返すことで、反射膜23の膜厚を厚くすることができ、光の抜けを防止することができる。
なお、溝部64の幅は、パッケージ2の厚さと、スラリー62を乾燥後に形成される反射膜23の膜厚とを勘案して定めることができる。
なお、第2の形成方法では、反射膜23は、凹部22a取り囲む薄壁部である上壁部22b及び下壁部22cの外面だけでなく、厚壁部である側壁部22dの外面を含めて、樹脂部22の正面側を除く外面全体に形成される。
次に、発光装置100の第2の製造方法について、図6を参照して説明する。図6は、実施形態に係る発光装置の第2の製造方法の手順を示すフローチャートである。
第2の製造方法は、パッケージ準備工程S201及び反射膜形成工程S103を先に行って、パッケージ2を完成させた後で、発光素子実装工程S202と透光性部材形成工程S203とを行う方法である。
次に、反射膜形成工程S103を行って、パッケージ準備工程S201で準備したパッケージ2の樹脂部22の所定の外面領域に、反射膜23を形成する。これによって、パッケージ2が完成する。
次に、発光素子実装工程S202と透光性部材形成工程S203とを順次に行うことで、発光装置100を製造することができる。
なお、第2の製造方法の各工程は、第1の製造方法の同符号の工程と同じであるから、詳細な説明は省略する。
従って、反射膜23を設けたパッケージ2及びそのパッケージ2を用いた発光装置100を簡便に製造することができる。
(実施例1)
図1〜図3Bに示した形状のサイドビュー型の発光装置を、次に示す手順で作製する。
(1)樹脂部22の外面に反射膜23が形成されていない発光装置100を準備する。
なお、準備した発光装置の樹脂部22は、以下に示す条件で作製した。
(樹脂部の作製条件)
・樹脂部22における光反射性物質:平均粒径が0.2μmのTiO2粒子を、含有率が30質量%となるように添加する。
・樹脂部22の樹脂材料:ポリフタルアミド
・上壁部22b及び下壁部22cの膜厚:50μm
(2)以下に示す条件でスラリーを調整する。
(スラリーの調製条件)
・溶媒:トルエン
・光反射性物質:平均粒径が36nmのTiO2粒子を、スラリー中で0.6質量%となるように添加する。
(3)調整したスラリーを、前記した反射膜の第1の形成方法によって、樹脂部22の上壁部22b及び下壁部22cの外面(図8E及び図8Fにおいて、網点のハッチングを施した領域)に滴下し、自然乾燥させることで、反射膜23としてTiO2粒子の凝集膜を形成する。なお、反射膜23の上壁部22bの外面への形成と下壁部22cの外面への形成とは、一面ずつ順次に行う。
反射膜23を形成した発光装置は、反射膜23がない場合と比較して、正面方向からの光束が2%増加し、樹脂部22からの光漏れが低減することを確認した。
樹脂部22の上壁部22b及び下壁部22cの厚さが異なる発光装置を準備し、実施例1と同様にして、反射膜23を形成する。また、実施例1と同様にして、各膜厚の発光装置ごとに、反射膜23を形成した場合と反射膜23がない場合とで、正面方向の光束及び樹脂部22からの光漏れの外観検査を行った。他の条件は、実施例1と同様である。
反射膜23の形成条件において、スラリー中の光反射性物質の含有率と、スラリーの滴下して乾燥させる塗布工程を行う回数を変化させて、反射膜23の形成を行う。また、実施例1と同様にして、各スラリー中の光反射性物質の含有率ごと、及び各塗布工程の回数ごとに、反射膜23を形成した場合と反射膜23がない場合とで、正面方向の光束及び樹脂部22からの光漏れの外観検査を行った。なお、他の条件は、実施例1と同様である。
ポッティング法を用いる第1の形成方法において、スラリー中の光反射性物質の含有率を、0.3質量%とした場合は光束が1.5%増加し、0.6質量%とした場合は光束が2.0%増加した。
スラリーの注入及び乾燥を用いる第2の形成方法において、スラリー中の光反射性物質の含有率を0.6質量%とし、1回塗布した場合は光束が0.1%増加し、3回塗布した場合は光束が0.2%増加し、5回塗布した場合は光束が0.25%増加した。スラリーの注入及び乾燥の1サイクルを1回塗布とする。この塗布回数を増やすことで、光の抜けを防止することができ、光束を増加することができた。
スラリーの調整条件において、バインダとして無機材料系の結着剤となるアルキルシリケートを3質量%添加する。また、実施例1と同様にして、バインダ添加を添加した場合と添加しない場合ごとに、反射膜23を形成した場合と反射膜23がない場合とで、正面方向の光束及び樹脂部22からの光漏れの外観検査を行った。他の条件は、実施例1と同様である。
従って、バインダを添加することで、これらの効果を低減することなく、樹脂部22から剥がれ難い反射膜23を形成することができる。
2 パッケージ
21 リードフレーム
21a 内部リード部
21b 外部リード部
22 樹脂部
22a 凹部
22b 上壁部(薄壁部)
22c 下壁部(薄壁部)
22d 側壁部(厚壁部)
22e ゲート痕
23 反射膜
24 樹脂
3 透光性部材
4 ワイヤ
51 上金型
52 下金型
53 突き出しピン
54 ゲート
55 空洞
61 ディスペンサ
62 スラリー
63 配置台
64 溝部
100 発光装置
Claims (16)
- 凹部の底面に配置されるリードフレームと、前記リードフレームを支持し前記凹部の側面を形成する樹脂部と、を持つパッケージと、
前記リードフレームと電気的に接続される発光素子と、を備え、
前記凹部の外側面の少なくとも一部は、反射膜で被覆されている発光装置。 - 前記反射膜は、第1の光反射性物質の粒子を含有している請求項1に記載の発光装置。
- 前記樹脂部は、透光性を有する樹脂に第2の光反射性物質を含有している請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記凹部内に設けられ、前記発光素子を被覆する透光性部材を更に備えている請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記第1の光反射性物質は、白色顔料の粒子であり、
前記反射膜は、前記樹脂部よりも高い反射率を有する請求項2又は請求項2を引用する請求項3若しくは請求項4の何れか一項に記載の発光装置。 - 前記第1の光反射性物質は、平均粒径が10nm以上300nm以下のナノ粒子であり、
前記反射膜は、前記ナノ粒子の凝集膜である請求項2又は請求項2を引用する請求項3乃至請求項5の何れか一項に記載の発光装置。 - 前記第2の光反射性物質は、平均粒径が0.08μm以上10μm以下の粒子である請求項3又は請求項3を引用する請求項4乃至請求項6の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記第1の光反射性物質は、TiO2である請求項2又は請求項2を引用する請求項3乃至請求項7の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記凹部は、互いに対向して設けられる2つの薄壁部と、前記薄壁部よりも厚く、互いに対向して設けられる2つの厚壁部とで囲まれることによって構成され、
前記反射膜は、前記薄壁部の外側面の少なくとも一部を被覆するように設けられる請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の発光装置。 - 前記リードフレームは、前記凹部の底面から、前記薄壁部の一方の外側面の側まで延びる請求項9に記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、前記発光素子が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有する請求項4又は請求項4を引用する請求項5乃至請求項10の何れか一項に記載の発光装置。
- 凹部の底面に配置されるリードフレームと、前記リードフレームを支持し前記凹部の側面を形成する樹脂部と、を持ち、
前記凹部の外側面の少なくとも一部は、反射膜で被覆されているパッケージ。 - 前記凹部は、互いに対向して設けられる2つの薄壁部と、前記薄壁部よりも厚く、互いに対向して設けられる2つの厚壁部とで囲まれることによって構成され、
前記反射膜は、前記薄壁部の外側面の少なくとも一部を被覆するように設けられる請求項12に記載のパッケージ。 - 凹部の底面に配置されるリードフレームと、前記リードフレームを支持し前記凹部の側面を形成する樹脂部と、を持つパッケージと、前記リードフレームと電気的に接続される発光素子と、を準備する工程と、
前記凹部の外側面の少なくとも一部に、第1の光反射性物質の粒子を含有する反射膜を形成する工程と、
を有する発光装置の製造方法。 - 凹部の底面に配置されるリードフレームと、前記リードフレームを支持し前記凹部の側面を形成する樹脂部と、を持つパッケージを準備する工程と、
前記凹部の外側面の少なくとも一部に、第1の光反射性物質の粒子を含有する反射膜を形成する工程と、
発光素子を前記リードフレームと電気的に接続する工程と、
前記発光素子を透光性部材で被覆する工程と、
を有する発光装置の製造方法。 - 凹部の底面に配置されるリードフレームと、前記リードフレームを支持し前記凹部の側面を形成する樹脂部と、を持つパッケージを準備する工程と、
前記凹部の外側面の少なくとも一部に、第1の光反射性物質の粒子を含有する反射膜を形成する工程と、
を有するパッケージの製造方法。
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JP (1) | JP6387787B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018137274A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10431724B2 (en) | 2017-05-12 | 2019-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
KR102179692B1 (ko) * | 2020-08-03 | 2020-11-17 | 장희관 | 리드갭을 구비한 전장용 사이드뷰 led 패키지 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6582382B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6387787B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 |
JP6757274B2 (ja) * | 2017-02-17 | 2020-09-16 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
US10224358B2 (en) * | 2017-05-09 | 2019-03-05 | Lumileds Llc | Light emitting device with reflective sidewall |
JP6849030B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013144A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Citizen Seimitsu Co Ltd | 光半導体パッケージの製造方法およびその製造方法を用いて製造した光半導体パッケージ。 |
JP2006140207A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
JP2006303397A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007194579A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Everlight Electronics Co Ltd | Led実装構造及びその製造方法 |
WO2008059650A1 (fr) * | 2006-11-14 | 2008-05-22 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Dispositif électroluminescent, son procédé de fabrication et son substrat monté |
JP2008311339A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ及びその製造方法及びそれを用いた発光装置 |
JP2010287837A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用部材及び光半導体装置 |
WO2012102266A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム |
JP2012256848A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-12-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20120326175A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Led package and method for making the same |
JP2012533902A (ja) * | 2009-07-23 | 2012-12-27 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | モールドされた反射側壁コーティングを備える発光ダイオード |
JP2013062500A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-04-04 | Fujifilm Corp | Led発光素子用反射基板およびledパッケージ |
JP2013179273A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-09-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2014158011A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Konica Minolta Inc | Led装置の製造方法 |
CN104100933A (zh) * | 2013-04-04 | 2014-10-15 | 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 | 一种波长转换装置及其制作方法、相关发光装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004127604A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード及びバックライトユニット |
JP2004363503A (ja) | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 光源 |
JP2006285184A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光ユニット、および撮影装置 |
JP4739851B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-08-03 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型半導体装置 |
JP4956977B2 (ja) | 2005-12-05 | 2012-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR100772433B1 (ko) | 2006-08-23 | 2007-11-01 | 서울반도체 주식회사 | 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지 |
JP2008160032A (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置 |
US20100025722A1 (en) | 2006-11-14 | 2010-02-04 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate |
JP2008187030A (ja) | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
TW200843130A (en) * | 2007-04-17 | 2008-11-01 | Wen Lin | Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same |
JP2009032851A (ja) | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JPWO2012131792A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-24 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
WO2013018783A1 (ja) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 株式会社Steq | 半導体装置及びその製造方法 |
US9397274B2 (en) * | 2011-08-24 | 2016-07-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
JPWO2013073181A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2015-04-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュールおよびこれを用いたランプ |
JP2014130903A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Konica Minolta Inc | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP6387787B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 |
-
2014
- 2014-10-24 JP JP2014217285A patent/JP6387787B2/ja active Active
-
2015
- 2015-10-23 US US14/921,706 patent/US9698324B2/en active Active
-
2017
- 2017-05-30 US US15/608,842 patent/US9847466B2/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013144A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Citizen Seimitsu Co Ltd | 光半導体パッケージの製造方法およびその製造方法を用いて製造した光半導体パッケージ。 |
JP2006140207A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
JP2006303397A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007194579A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Everlight Electronics Co Ltd | Led実装構造及びその製造方法 |
WO2008059650A1 (fr) * | 2006-11-14 | 2008-05-22 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Dispositif électroluminescent, son procédé de fabrication et son substrat monté |
JP2008311339A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ及びその製造方法及びそれを用いた発光装置 |
JP2010287837A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用部材及び光半導体装置 |
JP2012533902A (ja) * | 2009-07-23 | 2012-12-27 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | モールドされた反射側壁コーティングを備える発光ダイオード |
WO2012102266A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム |
JP2012256848A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-12-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20120326175A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Led package and method for making the same |
JP2013062500A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-04-04 | Fujifilm Corp | Led発光素子用反射基板およびledパッケージ |
JP2013179273A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-09-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2014158011A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Konica Minolta Inc | Led装置の製造方法 |
CN104100933A (zh) * | 2013-04-04 | 2014-10-15 | 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 | 一种波长转换装置及其制作方法、相关发光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018137274A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10431724B2 (en) | 2017-05-12 | 2019-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
US10700248B2 (en) | 2017-05-12 | 2020-06-30 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
KR102179692B1 (ko) * | 2020-08-03 | 2020-11-17 | 장희관 | 리드갭을 구비한 전장용 사이드뷰 led 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160118558A1 (en) | 2016-04-28 |
JP6387787B2 (ja) | 2018-09-12 |
US9847466B2 (en) | 2017-12-19 |
US20170271565A1 (en) | 2017-09-21 |
US9698324B2 (en) | 2017-07-04 |
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