JP3939177B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3939177B2 JP3939177B2 JP2002078119A JP2002078119A JP3939177B2 JP 3939177 B2 JP3939177 B2 JP 3939177B2 JP 2002078119 A JP2002078119 A JP 2002078119A JP 2002078119 A JP2002078119 A JP 2002078119A JP 3939177 B2 JP3939177 B2 JP 3939177B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- light emitting
- emitting device
- light
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 41
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 13
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光装置の製造方法は、図３に示すように、基板１０１上に、Ａｇ（銀）ペースト１０２によって固定した半導体発光素子１０３と、この半導体発光素子１０３にボンディングされると共に図示しない電極に接続された金線１０４と、上記半導体発光素子１０３の周囲に配置されて、その半導体発光素子１０３からの光を反射する２つの反射体１０７を設け、この２つの反射体１０７，１０７の間に樹脂１０９を配置して、この樹脂１０９で上記発光素子１０３および金線１０４を封止している。上記反射体１０７は、上記半導体発光素子１０３からの熱の影響を考慮して、耐熱性が高い液晶ポリマーによって形成し、この反射体１０７の半導体発光素子１０３側の面である光反射面１０７ａは、表面処理を施さないか、あるいは鏡面仕上げを施している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の発光装置の製造方法では、上記反射体の光反射面１０７ａは、表面処理を施さないか、あるいは鏡面仕上げであるので、上記反射体１０７と樹脂１０９との間の密着性が悪い。したがって、この発光装置の取付け時の熱や、発光装置の動作時の熱などによって、反射体１０７と樹脂１０９とが剥離する虞がある。この反射体１０７と樹脂１０９との剥離が進行すると、上記基板１０１と樹脂１０９との剥離を誘発し、その結果、この基板１０１と樹脂１０９との剥離に起因する応力によって、上記半導体発光素子１０３と金線１０４との接続が破壊されるなどの深刻な問題を引き起こす。また、上記反射体１０７と樹脂１０９との間の密着性が悪いと、上記反射体１０７と樹脂１０９との剥離部分に水が侵入するなどの不都合が生じる。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、反射体と樹脂とが剥離し難い発光装置を容易かつ効率的に製造できる発光装置の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の発光装置の製造方法は、
基体上に、発光素子と、この発光素子の出射光を反射する反射体とを取り付け、上記発光素子と反射体の間に樹脂を配置する発光装置の製造方法であって、
上記反射体は、カルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含み、
上記反射体を上記基体に取り付ける前または取り付けた後に、上記反射体の上記発光素子の出射光を反射すべき面に、アルカリ液によって粗面を形成する工程を有することを特徴とする。
【０００６】
本発明の発光装置の製造方法によって製造された発光装置では、上記反射体の少なくとも上記発光素子の出射光を反射すべき面に粗面が形成されているので、この反射体の粗面による上記反射体と樹脂との間の密着力が比較的大きくなる。したがって、例えば発光装置を基板などに取付ける際に発光装置が熱を受け取ったり、発光装置が動作時に発熱しても、上記反射体と樹脂とは剥離し難い。その結果、上記基体と樹脂とが剥離したり、この基体と樹脂との剥離に起因して発光素子に接続されたボンディングワイヤなどが断線したり、反射体と樹脂との間の剥離部から水が侵入して発光装置が故障するといった不都合が、確実に回避される。
【０００７】
また、本発明の発光装置の製造方法では、上記反射体は、液晶ポリマーを含むので、良好な耐熱性能を有して安定した光反射機能を奏する反射体が形成される。
【０００８】
また、本発明の発光装置の製造方法では、上記反射体の上記面に、アルカリ液によって粗面を形成しているので、容易かつ効率的に粗面が形成される。したがって、発光装置が容易かつ効率的に製造される。
【０００９】
また、本発明の発光装置の製造方法では、上記反射体は、カルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含むので、上記アルカリ液によって上記反射体に安定して粗面が形成される。
【００１０】
１実施形態の発光装置の製造方法では、上記アルカリ液は、ＫＯＨ（水酸化カリウム）を２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、温度が５０℃以上であり、このアルカリ液に上記反射体の上記面を１分間以上曝して粗面を形成する。
【００１１】
上記実施形態によれば、上記液晶ポリマーを含む反射体に、適切な粗さの粗面が形成される。
【００１２】
１実施形態の発光装置の製造方法は、上記液晶ポリマーは、上記カルシウム酸化物を０ｗｔ％を越えて５０ｗｔ％以下の割合で含む。
【００１３】
上記実施形態によれば、上記反射体は、カルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含むので、安定して粗面を形成できると共に、樹脂と良好な密着性を有する粗面が形成できる。ここで、上記液晶ポリマーに含まれるカルシウム酸化物の割合が５０ｗｔ％よりも大きいと、反射体の液晶ポリマーの含有率が低下することによって、反射体の耐熱性および強度が低下してしまう。
【００１４】
１実施形態の発光装置の製造方法は、上記液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、上記カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含む。
【００１５】
上記実施形態によれば、上記液晶ポリマーによって、良好な強度と光反射率を有する反射体が形成できると共に、この反射体に安定して粗面が形成でき、また、この粗面と樹脂 との間に良好な密着性が得られる。ここで、上記ガラスの割合が５ｗｔ％よりも小さいと、反射体の強度が不十分になり、上記ガラスの割合が２５ｗｔ％よりも大きいと、反射体の光透過率が上昇して、発光装置の輝度の不足や発光装置側面への光の漏れなどの不都合が生じる。また、上記酸化チタンの割合が５ｗｔ％よりも小さいと、反射体の光反射率が低下し、上記酸化チタンの割合が２５ｗｔ％よりも大きいと、反射体の成型時の樹脂の流れが悪化して、反射体が安定して形成し難くなる。また、上記カルシウム酸化物の割合が５ｗｔ％よりも小さいと、反射体に安定して粗面が形成し難くなり、上記カルシウム酸化物の割合が２５ｗｔ％よりも大きいと、反射体の耐熱性および強度が低下する。
【００１６】
上記反射体の上記粗面は、算術平均粗さが１μｍ以上２０μｍ以下であるのが望ましい。
【００１７】
その場合、この反射体の粗面による反射体と樹脂との間の密着力が、適切な大きさになる。ここで、上記粗面の算術平均粗さが１μｍよりも小さいと、反射体と樹脂との密着力が不十分になって、反射体と樹脂との剥離などの問題が回避できない。一方、上記粗面の算術平均粗さが２０μｍよりも大きいと、この粗面が形成された反射面での光の反射量が不十分になって、発光装置が出射する光の輝度が不十分になる。
【００１８】
上記液晶ポリマーは、ガラスを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含むのが望ましい。
【００１９】
その場合、上記反射体は、ガラスを含む液晶ポリマーを含むので、良好な強度の反射体が得られる。ここで、上記液晶ポリマーに含まれるガラスの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、この反射体を透過する発光素子の出射光が増大して発光装置の輝度が低下したり、発光装置の側面に光の漏れが生じる虞があり、また、この反射体を例えば射出成型によって作成する場合、金型の摩耗が著しくなるという不都合がある。
【００２０】
上記液晶ポリマーは、酸化チタンを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含むのが望ましい。
【００２１】
その場合、上記反射体は、酸化チタンを含む液晶ポリマーを含むので、光の反射率が向上する。ここで、上記液晶ポリマーに含まれる酸化チタンの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、この反射体の例えば射出成型による作成時に、上記酸化チタンおよび液晶ポリマーを含む樹脂の流れが悪くなり、安定して成型できなくなる。
【００２２】
上記液晶ポリマーは、ガラスを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含むのが望ましい。
【００２３】
その場合、上記液晶ポリマーによって、良好な強度と光反射率を有する反射体が得られる。ここで、上記ガラスの割合が２０ｗｔ％よりも小さいと、反射体の耐熱性および機械的強度が低下してしまい、上記ガラスの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、反射体の光透過量が増大して発光装置の輝度が低下したり、発光装置の側面に光の漏れが生じたり、反射体の成型時に金型の摩耗が著しくなる。また、上記酸化チタンの割合が２０ｗｔ％よりも小さいと、反射体の光の反射率が低下すると共に強度が低下し、上記酸化チタンの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、反射体の成型時の液晶ポリマーおよび酸化チタンを含む樹脂の流れが悪化して、安定して反射体が作成できなくなる。
【００２４】
上記樹脂は、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂であるのが望ましい。
【００２５】
その場合、上記樹脂は、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂であるので、良好な耐温度サイクル性と耐リフロー性が得られる。また、上記樹脂の線膨張率を反射体の線膨張率と略同じにできるので、発光装置の温度が上昇しても、上記樹脂と反射体との間に剥離が生じ難い。ここで、上記ガラス転移温度が４０℃よりも小さいと、一般的な環境における発光装置の使用で樹脂が変形する虞があり、上記ガラス転移温度が１００℃よりも大きいと、耐リフロー性が悪化する虞がある。
【００２６】
上記発光素子は金線によってワイヤボンディングされており、上記金線は常温における破断強度が１００ｍＮ以上であるのが望ましい。
【００２７】
その場合、上記破断強度が１００ｍＮ以上の金線は耐温度サイクル性能が良好であるので、この金線によって発光素子がワイヤボンディングされた上記発光装置は、発光装置の動作が繰り返されて温度の上昇と下降が繰り返される状態の下で、長期に亘って性能が安定に保持される。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態の発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す図である。この発光装置は、基体としての樹脂基板１上に、Ａｇペースト２によって半導体発光素子３を固定している。この半導体発光素子３は、金線４によってワイヤボンディングされて、図示しない電極に接続されている。上記金線４は、常温における破断強度が１００ｍＮ以上である。上記基板１上に、上記半導体発光素子３の図１において左右両側に位置するように、この半導体発光素子３からの光を反射して上方に導く２つの反射体７，７を配置している。この反射体７は、液晶ポリマーによって形成されており、この液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含む。この反射体７の上記半導体発光素子３側の面である反射面７ａ，７ａは、算術平均粗さが１μｍ以上２０μｍ以下の粗面に形成されている。上記反射体７，７は、上記基板１にエポキシ接着剤によって貼り付けられている。上記基板１上、かつ上記２つの反射体７，７の間に、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下であって透明のエポキシ樹脂９を配置して、このエポキシ樹脂９によって上記発光素子３および金線４を封止している。
【００３０】
図２は、上記反射体７を構成する液晶ポリマーに粗面を形成する工程を説明する工程図である。この液晶ポリマーに粗面を形成する工程は、液晶ポリマーがアルカリ溶液と反応し易い性質を利用している。まず、ステップ１において、ＫＯＨを２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の割合で含むと共に温度が５０℃以上のアルカリ溶液に、液晶ポリマーの所定の面であって反射体の反射面７ａに相当する面を１分間以上浸して、その面を粗面化する。このアルカリ溶液に含まれるＫＯＨの割合は、形成すべき粗面の粗さに応じて２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の間で調節すればよく、３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのが好ましい。また、上記アルカリ溶液の温度は、８０℃以上９０℃以下であるのが好ましい。また、上記アルカリ溶液に液晶ポリマーを浸す時間は、３分間以上７分間以下であるのが好ましい。この粗面化工程に先行して、液晶ポリマーの強度保持や寸法安定のために、アニール処理を施してもよい。
【００３１】
続いて、ステップ２に進み、流水によって液晶ポリマーに付着したアルカリ溶液を除去する。
【００３２】
その後、ステップ３に進み、希硫酸などを用いて、ステップ１において液晶ポリマーに残留したアルカリ溶液を中和する。液晶ポリマーにアルカリ溶液が残留したままの状態で発光装置を形成すると、他の電子部品に悪影響を与える虞があるので、残留したアルカリ溶液を中和する工程は不可欠である。
【００３３】
引き続いて、ステップ４では、ステップ３の中和工程で用いられて液晶ポリマーに残留した希硫酸を、水と超音波によって除去する。
【００３４】
最後に、ステップ５において、粗面が形成された液晶ポリマーを乾燥する。
【００３５】
上記液晶ポリマーに粗面を形成する工程は、液晶ポリマーを基板に取付ける前と取付けた後とのいずれの時期に実施してもよい。
【００３６】
上記方法によって粗面が反射体の反射面７ａに形成された発光装置は、この粗面によって、上記反射体７とエポキシ樹脂９とが比較的大きい密着力で密着されている。したがって、この発光装置を所定の基板などに取付ける際や、発光装置の動作時などに、発光装置が熱を受け取っても、上記反射体７とエポキシ樹脂９とが剥離することがない。その結果、発光装置の基板１とエポキシ樹脂９とが剥離したり、基板１とエポキシ樹脂９との剥離に起因して発光素子３に接続された金線４が断線するといった不都合や、反射体７とエポキシ樹脂９との間の剥離部から水が侵入して発光装置が故障する不都合などが、確実に回避される。
【００３７】
上記実施形態において、上記反射体７を形成する液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含んだが、ガラスのみを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含んでもよく、酸化チタンのみを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含んでもよく、また、ガラスを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含むと共に酸化チタンを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含んでもよい。
【００３８】
また、上記反射体７に形成した粗面は、上記反射面７ａのみに限られず、反射体の上面および下面に形成してもよい。この反射体７の上面に粗面を形成した場合、この上面に印刷される配線パターンと反射体７との密着力を、効果的に増加することができる。また、上記反射体７の下面に粗面を形成した場合、この反射体７の下面に接着剤を配置して反射体７と基板１とを接着する場合の接着力を、効果的に増加できる。
【００３９】
また、上記エポキシ樹脂９は、透明に限られず乳白色であってもよく、また、他の色が着色されていてもよい。
【００４０】
上記基板１は樹脂からなるが、金属で形成してもよい。この場合、インサート成形によって、上記金属からなる基板上に液晶ポリマーからなる反射体を効果的に形成できる。
【００４１】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の発光装置の製造方法によれば、反射体と樹脂とが剥離し難い発光装置を容易かつ効率的に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す図である。
【図２】 反射体に粗面を形成する工程を説明する工程図である。
【図３】 従来の発光装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ Ａｇペースト
３ 半導体発光素子
４ 金線
７ 反射体
７ａ 反射面
９ エポキシ樹脂
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光装置の製造方法は、図３に示すように、基板１０１上に、Ａｇ（銀）ペースト１０２によって固定した半導体発光素子１０３と、この半導体発光素子１０３にボンディングされると共に図示しない電極に接続された金線１０４と、上記半導体発光素子１０３の周囲に配置されて、その半導体発光素子１０３からの光を反射する２つの反射体１０７を設け、この２つの反射体１０７，１０７の間に樹脂１０９を配置して、この樹脂１０９で上記発光素子１０３および金線１０４を封止している。上記反射体１０７は、上記半導体発光素子１０３からの熱の影響を考慮して、耐熱性が高い液晶ポリマーによって形成し、この反射体１０７の半導体発光素子１０３側の面である光反射面１０７ａは、表面処理を施さないか、あるいは鏡面仕上げを施している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の発光装置の製造方法では、上記反射体の光反射面１０７ａは、表面処理を施さないか、あるいは鏡面仕上げであるので、上記反射体１０７と樹脂１０９との間の密着性が悪い。したがって、この発光装置の取付け時の熱や、発光装置の動作時の熱などによって、反射体１０７と樹脂１０９とが剥離する虞がある。この反射体１０７と樹脂１０９との剥離が進行すると、上記基板１０１と樹脂１０９との剥離を誘発し、その結果、この基板１０１と樹脂１０９との剥離に起因する応力によって、上記半導体発光素子１０３と金線１０４との接続が破壊されるなどの深刻な問題を引き起こす。また、上記反射体１０７と樹脂１０９との間の密着性が悪いと、上記反射体１０７と樹脂１０９との剥離部分に水が侵入するなどの不都合が生じる。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、反射体と樹脂とが剥離し難い発光装置を容易かつ効率的に製造できる発光装置の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の発光装置の製造方法は、
基体上に、発光素子と、この発光素子の出射光を反射する反射体とを取り付け、上記発光素子と反射体の間に樹脂を配置する発光装置の製造方法であって、
上記反射体は、カルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含み、
上記反射体を上記基体に取り付ける前または取り付けた後に、上記反射体の上記発光素子の出射光を反射すべき面に、アルカリ液によって粗面を形成する工程を有することを特徴とする。
【０００６】
本発明の発光装置の製造方法によって製造された発光装置では、上記反射体の少なくとも上記発光素子の出射光を反射すべき面に粗面が形成されているので、この反射体の粗面による上記反射体と樹脂との間の密着力が比較的大きくなる。したがって、例えば発光装置を基板などに取付ける際に発光装置が熱を受け取ったり、発光装置が動作時に発熱しても、上記反射体と樹脂とは剥離し難い。その結果、上記基体と樹脂とが剥離したり、この基体と樹脂との剥離に起因して発光素子に接続されたボンディングワイヤなどが断線したり、反射体と樹脂との間の剥離部から水が侵入して発光装置が故障するといった不都合が、確実に回避される。
【０００７】
また、本発明の発光装置の製造方法では、上記反射体は、液晶ポリマーを含むので、良好な耐熱性能を有して安定した光反射機能を奏する反射体が形成される。
【０００８】
また、本発明の発光装置の製造方法では、上記反射体の上記面に、アルカリ液によって粗面を形成しているので、容易かつ効率的に粗面が形成される。したがって、発光装置が容易かつ効率的に製造される。
【０００９】
また、本発明の発光装置の製造方法では、上記反射体は、カルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含むので、上記アルカリ液によって上記反射体に安定して粗面が形成される。
【００１０】
１実施形態の発光装置の製造方法では、上記アルカリ液は、ＫＯＨ（水酸化カリウム）を２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、温度が５０℃以上であり、このアルカリ液に上記反射体の上記面を１分間以上曝して粗面を形成する。
【００１１】
上記実施形態によれば、上記液晶ポリマーを含む反射体に、適切な粗さの粗面が形成される。
【００１２】
１実施形態の発光装置の製造方法は、上記液晶ポリマーは、上記カルシウム酸化物を０ｗｔ％を越えて５０ｗｔ％以下の割合で含む。
【００１３】
上記実施形態によれば、上記反射体は、カルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含むので、安定して粗面を形成できると共に、樹脂と良好な密着性を有する粗面が形成できる。ここで、上記液晶ポリマーに含まれるカルシウム酸化物の割合が５０ｗｔ％よりも大きいと、反射体の液晶ポリマーの含有率が低下することによって、反射体の耐熱性および強度が低下してしまう。
【００１４】
１実施形態の発光装置の製造方法は、上記液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、上記カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含む。
【００１５】
上記実施形態によれば、上記液晶ポリマーによって、良好な強度と光反射率を有する反射体が形成できると共に、この反射体に安定して粗面が形成でき、また、この粗面と樹脂 との間に良好な密着性が得られる。ここで、上記ガラスの割合が５ｗｔ％よりも小さいと、反射体の強度が不十分になり、上記ガラスの割合が２５ｗｔ％よりも大きいと、反射体の光透過率が上昇して、発光装置の輝度の不足や発光装置側面への光の漏れなどの不都合が生じる。また、上記酸化チタンの割合が５ｗｔ％よりも小さいと、反射体の光反射率が低下し、上記酸化チタンの割合が２５ｗｔ％よりも大きいと、反射体の成型時の樹脂の流れが悪化して、反射体が安定して形成し難くなる。また、上記カルシウム酸化物の割合が５ｗｔ％よりも小さいと、反射体に安定して粗面が形成し難くなり、上記カルシウム酸化物の割合が２５ｗｔ％よりも大きいと、反射体の耐熱性および強度が低下する。
【００１６】
上記反射体の上記粗面は、算術平均粗さが１μｍ以上２０μｍ以下であるのが望ましい。
【００１７】
その場合、この反射体の粗面による反射体と樹脂との間の密着力が、適切な大きさになる。ここで、上記粗面の算術平均粗さが１μｍよりも小さいと、反射体と樹脂との密着力が不十分になって、反射体と樹脂との剥離などの問題が回避できない。一方、上記粗面の算術平均粗さが２０μｍよりも大きいと、この粗面が形成された反射面での光の反射量が不十分になって、発光装置が出射する光の輝度が不十分になる。
【００１８】
上記液晶ポリマーは、ガラスを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含むのが望ましい。
【００１９】
その場合、上記反射体は、ガラスを含む液晶ポリマーを含むので、良好な強度の反射体が得られる。ここで、上記液晶ポリマーに含まれるガラスの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、この反射体を透過する発光素子の出射光が増大して発光装置の輝度が低下したり、発光装置の側面に光の漏れが生じる虞があり、また、この反射体を例えば射出成型によって作成する場合、金型の摩耗が著しくなるという不都合がある。
【００２０】
上記液晶ポリマーは、酸化チタンを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含むのが望ましい。
【００２１】
その場合、上記反射体は、酸化チタンを含む液晶ポリマーを含むので、光の反射率が向上する。ここで、上記液晶ポリマーに含まれる酸化チタンの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、この反射体の例えば射出成型による作成時に、上記酸化チタンおよび液晶ポリマーを含む樹脂の流れが悪くなり、安定して成型できなくなる。
【００２２】
上記液晶ポリマーは、ガラスを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含むのが望ましい。
【００２３】
その場合、上記液晶ポリマーによって、良好な強度と光反射率を有する反射体が得られる。ここで、上記ガラスの割合が２０ｗｔ％よりも小さいと、反射体の耐熱性および機械的強度が低下してしまい、上記ガラスの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、反射体の光透過量が増大して発光装置の輝度が低下したり、発光装置の側面に光の漏れが生じたり、反射体の成型時に金型の摩耗が著しくなる。また、上記酸化チタンの割合が２０ｗｔ％よりも小さいと、反射体の光の反射率が低下すると共に強度が低下し、上記酸化チタンの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、反射体の成型時の液晶ポリマーおよび酸化チタンを含む樹脂の流れが悪化して、安定して反射体が作成できなくなる。
【００２４】
上記樹脂は、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂であるのが望ましい。
【００２５】
その場合、上記樹脂は、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂であるので、良好な耐温度サイクル性と耐リフロー性が得られる。また、上記樹脂の線膨張率を反射体の線膨張率と略同じにできるので、発光装置の温度が上昇しても、上記樹脂と反射体との間に剥離が生じ難い。ここで、上記ガラス転移温度が４０℃よりも小さいと、一般的な環境における発光装置の使用で樹脂が変形する虞があり、上記ガラス転移温度が１００℃よりも大きいと、耐リフロー性が悪化する虞がある。
【００２６】
上記発光素子は金線によってワイヤボンディングされており、上記金線は常温における破断強度が１００ｍＮ以上であるのが望ましい。
【００２７】
その場合、上記破断強度が１００ｍＮ以上の金線は耐温度サイクル性能が良好であるので、この金線によって発光素子がワイヤボンディングされた上記発光装置は、発光装置の動作が繰り返されて温度の上昇と下降が繰り返される状態の下で、長期に亘って性能が安定に保持される。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態の発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す図である。この発光装置は、基体としての樹脂基板１上に、Ａｇペースト２によって半導体発光素子３を固定している。この半導体発光素子３は、金線４によってワイヤボンディングされて、図示しない電極に接続されている。上記金線４は、常温における破断強度が１００ｍＮ以上である。上記基板１上に、上記半導体発光素子３の図１において左右両側に位置するように、この半導体発光素子３からの光を反射して上方に導く２つの反射体７，７を配置している。この反射体７は、液晶ポリマーによって形成されており、この液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含む。この反射体７の上記半導体発光素子３側の面である反射面７ａ，７ａは、算術平均粗さが１μｍ以上２０μｍ以下の粗面に形成されている。上記反射体７，７は、上記基板１にエポキシ接着剤によって貼り付けられている。上記基板１上、かつ上記２つの反射体７，７の間に、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下であって透明のエポキシ樹脂９を配置して、このエポキシ樹脂９によって上記発光素子３および金線４を封止している。
【００３０】
図２は、上記反射体７を構成する液晶ポリマーに粗面を形成する工程を説明する工程図である。この液晶ポリマーに粗面を形成する工程は、液晶ポリマーがアルカリ溶液と反応し易い性質を利用している。まず、ステップ１において、ＫＯＨを２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の割合で含むと共に温度が５０℃以上のアルカリ溶液に、液晶ポリマーの所定の面であって反射体の反射面７ａに相当する面を１分間以上浸して、その面を粗面化する。このアルカリ溶液に含まれるＫＯＨの割合は、形成すべき粗面の粗さに応じて２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の間で調節すればよく、３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのが好ましい。また、上記アルカリ溶液の温度は、８０℃以上９０℃以下であるのが好ましい。また、上記アルカリ溶液に液晶ポリマーを浸す時間は、３分間以上７分間以下であるのが好ましい。この粗面化工程に先行して、液晶ポリマーの強度保持や寸法安定のために、アニール処理を施してもよい。
【００３１】
続いて、ステップ２に進み、流水によって液晶ポリマーに付着したアルカリ溶液を除去する。
【００３２】
その後、ステップ３に進み、希硫酸などを用いて、ステップ１において液晶ポリマーに残留したアルカリ溶液を中和する。液晶ポリマーにアルカリ溶液が残留したままの状態で発光装置を形成すると、他の電子部品に悪影響を与える虞があるので、残留したアルカリ溶液を中和する工程は不可欠である。
【００３３】
引き続いて、ステップ４では、ステップ３の中和工程で用いられて液晶ポリマーに残留した希硫酸を、水と超音波によって除去する。
【００３４】
最後に、ステップ５において、粗面が形成された液晶ポリマーを乾燥する。
【００３５】
上記液晶ポリマーに粗面を形成する工程は、液晶ポリマーを基板に取付ける前と取付けた後とのいずれの時期に実施してもよい。
【００３６】
上記方法によって粗面が反射体の反射面７ａに形成された発光装置は、この粗面によって、上記反射体７とエポキシ樹脂９とが比較的大きい密着力で密着されている。したがって、この発光装置を所定の基板などに取付ける際や、発光装置の動作時などに、発光装置が熱を受け取っても、上記反射体７とエポキシ樹脂９とが剥離することがない。その結果、発光装置の基板１とエポキシ樹脂９とが剥離したり、基板１とエポキシ樹脂９との剥離に起因して発光素子３に接続された金線４が断線するといった不都合や、反射体７とエポキシ樹脂９との間の剥離部から水が侵入して発光装置が故障する不都合などが、確実に回避される。
【００３７】
上記実施形態において、上記反射体７を形成する液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含んだが、ガラスのみを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含んでもよく、酸化チタンのみを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含んでもよく、また、ガラスを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含むと共に酸化チタンを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含んでもよい。
【００３８】
また、上記反射体７に形成した粗面は、上記反射面７ａのみに限られず、反射体の上面および下面に形成してもよい。この反射体７の上面に粗面を形成した場合、この上面に印刷される配線パターンと反射体７との密着力を、効果的に増加することができる。また、上記反射体７の下面に粗面を形成した場合、この反射体７の下面に接着剤を配置して反射体７と基板１とを接着する場合の接着力を、効果的に増加できる。
【００３９】
また、上記エポキシ樹脂９は、透明に限られず乳白色であってもよく、また、他の色が着色されていてもよい。
【００４０】
上記基板１は樹脂からなるが、金属で形成してもよい。この場合、インサート成形によって、上記金属からなる基板上に液晶ポリマーからなる反射体を効果的に形成できる。
【００４１】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の発光装置の製造方法によれば、反射体と樹脂とが剥離し難い発光装置を容易かつ効率的に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す図である。
【図２】 反射体に粗面を形成する工程を説明する工程図である。
【図３】 従来の発光装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ Ａｇペースト
３ 半導体発光素子
４ 金線
７ 反射体
７ａ 反射面
９ エポキシ樹脂
Claims (4)
- 基体上に、発光素子と、この発光素子の出射光を反射する反射体とを取り付け、上記発光素子と反射体の間に樹脂を配置する発光装置の製造方法であって、
上記反射体は、カルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含み、
上記反射体を上記基体に取り付ける前または取り付けた後に、上記反射体の上記発光素子の出射光を反射すべき面に、アルカリ液によって粗面を形成する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
上記アルカリ液はＫＯＨを２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、温度が５０℃以上であり、このアルカリ液に上記反射体の上記面を１分間以上曝して粗面を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項１または２に記載の発光装置の製造方法において、
上記液晶ポリマーは、上記カルシウム酸化物を０ｗｔ％を越え５０ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項１または２に記載の発光装置の製造方法において、
上記液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、上記カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078119A JP3939177B2 (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 発光装置の製造方法 |
| US10/390,180 US6803606B2 (en) | 2002-03-20 | 2003-03-18 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078119A JP3939177B2 (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282948A JP2003282948A (ja) | 2003-10-03 |
| JP3939177B2 true JP3939177B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=28449075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002078119A Expired - Lifetime JP3939177B2 (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6803606B2 (ja) |
| JP (1) | JP3939177B2 (ja) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175039A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Kenichiro Miyahara | 発光素子搭載用基板及び発光素子 |
| US6995402B2 (en) * | 2003-10-03 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
| US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
| US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
| US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
| EP1686630A3 (en) * | 2005-01-31 | 2009-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led device having diffuse reflective surface |
| KR101139891B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2012-04-27 | 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 | 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자 |
| WO2006090834A1 (ja) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Kyocera Corporation | 発光装置および照明装置 |
| CN100454590C (zh) * | 2005-03-11 | 2009-01-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管、发光二极管模组及背光系统 |
| US8669572B2 (en) * | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
| KR100712877B1 (ko) | 2005-12-16 | 2007-04-30 | 루미마이크로 주식회사 | 새로운 몰딩 컴파운드에 의한 백색 발광소자의 제조방법 |
| US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
| US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
| US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
| US11210971B2 (en) | 2009-07-06 | 2021-12-28 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Light emitting diode display with tilted peak emission pattern |
| US7635915B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| CN101449391B (zh) | 2006-05-30 | 2011-02-23 | 株式会社藤仓 | 发光元件安装用基板、光源、照明装置、显示装置、交通信号机及发光元件安装用基板的制造方法 |
| JP2007329219A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
| US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
| JP5380774B2 (ja) | 2006-12-28 | 2014-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
| US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
| US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
| US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
| USD615504S1 (en) | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
| USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
| USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
| US8049230B2 (en) * | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
| WO2010039014A2 (ko) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | 삼성엘이디 주식회사 | 액정고분자를 이용한 발광다이오드 패키지 |
| US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
| US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
| JP2010161234A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Showa Denko Kk | 発光装置の製造方法、発光装置及び照明装置 |
| US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
| US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
| US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
| US8350370B2 (en) | 2010-01-29 | 2013-01-08 | Cree Huizhou Opto Limited | Wide angle oval light emitting diode package |
| CN102844897B (zh) * | 2010-06-15 | 2016-01-13 | 古河电气工业株式会社 | 光半导体装置用引线框架、光半导体装置用引线框架的制造方法以及光半导体装置 |
| EP2418700B1 (en) * | 2010-08-09 | 2017-11-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8455882B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs |
| JP2013004834A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄモジュール |
| JP5682497B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板 |
| US9793456B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-10-17 | Kaneka Corporation | Molded resin body for surface-mounted light-emitting device, manufacturing method thereof, and surface-mounted light-emitting device |
| US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
| CN103178189A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | 顺德工业股份有限公司 | 发光装置的封装支架及其表面处理方法 |
| US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
| US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
| CN108598240A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-09-28 | 江西众光照明科技有限公司 | 一种高反射镜面玻璃板封装的cob光源及封装方法 |
| JP7087996B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2022-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19509262C2 (de) | 1995-03-15 | 2001-11-29 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit Kunststoffumhüllung und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP3504079B2 (ja) * | 1996-08-31 | 2004-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光ダイオード素子の製造方法 |
| JP3951406B2 (ja) | 1998-01-16 | 2007-08-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| JP2001308389A (ja) | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Rohm Co Ltd | 側面発光半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2002050797A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Toshiba Corp | 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法 |
| JP2002261333A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002078119A patent/JP3939177B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-18 US US10/390,180 patent/US6803606B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6803606B2 (en) | 2004-10-12 |
| US20030183852A1 (en) | 2003-10-02 |
| JP2003282948A (ja) | 2003-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3939177B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JP5818149B2 (ja) | 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| TWI442594B (zh) | 發光裝置及發光裝置之製造方法 | |
| TWI596796B (zh) | Light-emitting diode lead frame or substrate, semiconductor device, and light-emitting diode lead frame or substrate manufacturing method | |
| JP2930904B2 (ja) | 樹脂モールド被覆を備えた半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JP5391468B2 (ja) | Ｌｅｄパッケージ | |
| JP2002033517A (ja) | 発光素子とその製造方法 | |
| JP2008502159A (ja) | 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法 | |
| JP6209826B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2012182215A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| WO2010038451A1 (ja) | 光半導体装置用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法 | |
| CN101263612A (zh) | 发光器件 | |
| JP6115671B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 | |
| JP3632507B2 (ja) | 発光装置 | |
| US20130299852A1 (en) | Substrate for optical semiconductor apparatus, method for manufacturing the same, optical semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same | |
| JP5871174B2 (ja) | Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法 | |
| JP2011091311A (ja) | 光半導体装置の製造方法、光半導体素子搭載用基板の製造方法及び光半導体装置 | |
| JP2001230453A (ja) | Ｌｅｄランプ及びその製造方法 | |
| JP5323371B2 (ja) | Ｌｅｄデバイスの製造方法 | |
| JP6167556B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
| JP2013219090A (ja) | Ｌｅｄパッケージ | |
| KR20100083907A (ko) | Ｌｅｄ 패키지 및 이의 제조 방법 | |
| JP5900586B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2003249691A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2011228687A (ja) | Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040728 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070320 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070327 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3939177 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |