JP2003282948A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

発光装置およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射体と樹脂との剥離が防止できる発光装置
を提供すること。 【解決手段】 基板１上に、半導体発光素子３をＡｇペ
ースト２で固定すると共に、常温における破断強度が１
００ｍＮ以上の金線４によってワイヤボンディングす
る。半導体発光素子３の左右両側に反射体７を配置す
る。反射体７は、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下
の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗ
ｔ％以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を５ｗ
ｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含む液晶ポリマーから
なり、反射面７ａ，７ａが、算術平均粗さが１μｍ以上
２０μｍ以下の粗面に形成されている。２つの反射体
７，７の間に、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以
下のエポキシ樹脂９を配置して、発光素子３および金線
４を封止する。粗面によって密着したエポキシ樹脂９と
反射体７との間には、剥離が生じ難い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光装置は、図３に示すように、
基板１０１上に、Ａｇ（銀）ペースト１０２によって固
定した半導体発光素子１０３と、この半導体発光素子１
０３にボンディングされると共に図示しない電極に接続
された金線１０４と、上記半導体発光素子１０３の周囲
に配置されて、その半導体発光素子１０３からの光を反
射する２つの反射体１０７を設け、この２つの反射体１
０７，１０７の間に樹脂１０９を配置して、この樹脂１
０９で上記発光素子１０３および金線１０４を封止して
いる。上記反射体１０７は、上記半導体発光素子１０３
からの熱の影響を考慮して、耐熱性が高い液晶ポリマー
によって形成し、この反射体１０７の半導体発光素子１
０３側の面である光反射面１０７ａは、表面処理を施さ
ないか、あるいは鏡面仕上げを施している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の発光装置は、上記反射体の光反射面１０７ａは、表
面処理を施さないか、あるいは鏡面仕上げであるので、
上記反射体１０７と樹脂１０９との間の密着性が悪い。
したがって、この発光装置の取付け時の熱や、発光装置
の動作時の熱などによって、反射体１０７と樹脂１０９
とが剥離する虞がある。この反射体１０７と樹脂１０９
との剥離が進行すると、上記基板１０１と樹脂１０９と
の剥離を誘発し、その結果、この基板１０１と樹脂１０
９との剥離に起因する応力によって、上記半導体発光素
子１０３と金線１０４との接続が破壊されるなどの深刻
な問題を引き起こす。また、上記反射体１０７と樹脂１
０９との間の密着性が悪いと、上記反射体１０７と樹脂
１０９との剥離部分に水が侵入するなどの不都合が生じ
る。
【０００４】そこで、本発明の目的は、反射体と樹脂と
の剥離が防止できる発光装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の発光装置は、基体上に、発光素子と、この
発光素子の出射光を反射する反射体と、上記発光素子と
反射体の間に配置された樹脂とを備える発光装置におい
て、上記反射体の上記発光素子の出射光を反射する面
が、粗面に形成されていることを特徴としている。
【０００６】上記構成によれば、上記反射体の少なくと
も上記発光素子の出射光を反射する面が粗面に形成され
ているので、この反射体の粗面による上記反射体と樹脂
との間の密着力が比較的大きくなる。したがって、例え
ば発光装置を基板などに取付ける際に発光装置が熱を受
け取ったり、発光装置が動作時に発熱しても、上記反射
体と樹脂とは剥離し難い。その結果、上記基体と樹脂と
が剥離したり、この基体と樹脂との剥離に起因して発光
素子に接続されたボンディングワイヤなどが断線した
り、反射体と樹脂との間の剥離部から水が侵入して発光
装置が故障するといった不都合が、確実に回避される。
【０００７】１実施形態の発光装置は、上記反射体の上
記粗面は、算術平均粗さが１μｍ以上２０μｍ以下であ
る。
【０００８】上記実施形態によれば、上記反射体の上記
粗面の算術平均粗さを１μｍ以上２０μｍ以下に形成し
たので、この反射体の粗面による反射体と樹脂との間の
密着力が、適切な大きさになる。ここで、上記粗面の算
術平均粗さが１μｍよりも小さいと、反射体と樹脂との
密着力が不十分になって、反射体と樹脂との剥離などの
問題が回避できない。一方、上記粗面の算術平均粗さが
２０μｍよりも大きいと、この粗面が形成された反射面
での光の反射量が不十分になって、発光装置が出射する
光の輝度が不十分になる。
【０００９】１実施形態の発光装置は、上記反射体は、
液晶ポリマーを含む。
【００１０】上記実施形態によれば、上記反射体が含む
液晶ポリマーは、耐熱性能が良好である一方、樹脂と密
着し難い。しかしながら、上記反射体は粗面を有するの
で、この粗面を介して反射体と樹脂との間に十分な密着
力が得られる。したがって、発光装置の温度が発光動作
などによって上昇しても、液晶ポリマーからなる反射体
の光反射機能が安定すると共に、反射体と樹脂との剥離
の問題が防止されて、良好な性能を有する発光装置が安
定して得られる。
【００１１】１実施形態の発光装置は、上記液晶ポリマ
ーは、ガラスを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合
で含む。
【００１２】上記実施形態によれば、上記反射体は、ガ
ラスを含む液晶ポリマーを含むので、良好な強度の反射
体が得られる。ここで、上記液晶ポリマーに含まれるガ
ラスの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、この反射体を
透過する発光素子の出射光が増大して発光装置の輝度が
低下したり、発光装置の側面に光の漏れが生じる虞があ
り、また、この反射体を例えば射出成型によって作成す
る場合、金型の摩耗が著しくなるという不都合がある。
【００１３】１実施形態の発光装置は、上記液晶ポリマ
ーは、酸化チタンを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の
割合で含む。
【００１４】上記実施形態によれば、上記反射体は、酸
化チタンを含む液晶ポリマーを含むので、光の反射率が
向上する。ここで、上記液晶ポリマーに含まれる酸化チ
タンの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、この反射体の
例えば射出成型による作成時に、上記酸化チタンおよび
液晶ポリマーを含む樹脂の流れが悪くなり、安定して成
型できなくなる。
【００１５】１実施形態の発光装置は、上記液晶ポリマ
ーは、カルシウム酸化物を０ｗｔ％を越えて５０ｗｔ％
以下の割合で含む。
【００１６】上記実施形態によれば、上記反射体は、カ
ルシウム酸化物を含む液晶ポリマーを含むので、安定し
て粗面を形成できると共に、樹脂と良好な密着性を有す
る粗面が形成できる。ここで、上記液晶ポリマーに含ま
れるカルシウム酸化物の割合が５０ｗｔ％よりも大きい
と、反射体の液晶ポリマーの含有率が低下することによ
って、反射体の耐熱性および強度が低下してしまう。
【００１７】１実施形態の発光装置は、上記液晶ポリマ
ーは、ガラスを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で
含み、かつ、酸化チタンを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以
下の割合で含む。
【００１８】上記実施形態によれば、上記液晶ポリマー
によって、良好な強度と光反射率を有する反射体が得ら
れる。ここで、上記ガラスの割合が２０ｗｔ％よりも小
さいと、反射体の耐熱性および機械的強度が低下してし
まい、上記ガラスの割合が３０ｗｔ％よりも大きいと、
反射体の光透過量が増大して発光装置の輝度が低下した
り、発光装置の側面に光の漏れが生じたり、反射体の成
型時に金型の摩耗が著しくなる。また、上記酸化チタン
の割合が２０ｗｔ％よりも小さいと、反射体の光の反射
率が低下すると共に強度が低下し、上記酸化チタンの割
合が３０ｗｔ％よりも大きいと、反射体の成型時の液晶
ポリマーおよび酸化チタンを含む樹脂の流れが悪化し
て、安定して反射体が作成できなくなる。
【００１９】１実施形態の発光装置は、上記液晶ポリマ
ーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含
み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の
割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２
５ｗｔ％以下の割合で含む。
【００２０】上記実施形態によれば、上記液晶ポリマー
によって、良好な強度と光反射率を有する反射体が形成
できると共に、この反射体に安定して粗面が形成でき、
また、この粗面と樹脂との間に良好な密着性が得られ
る。ここで、上記ガラスの割合が５ｗｔ％よりも小さい
と、反射体の強度が不十分になり、上記ガラスの割合が
２５ｗｔ％よりも大きいと、反射体の光透過率が上昇し
て、発光装置の輝度の不足や発光装置側面への光の漏れ
などの不都合が生じる。また、上記酸化チタンの割合が
５ｗｔ％よりも小さいと、反射体の光反射率が低下し、
上記酸化チタンの割合が２５ｗｔ％よりも大きいと、反
射体の成型時の樹脂の流れが悪化して、反射体が安定し
て形成し難くなる。また、上記カルシウム酸化物の割合
が５ｗｔ％よりも小さいと、反射体に安定して粗面が形
成し難くなり、上記カルシウム酸化物の割合が２５ｗｔ
％よりも大きいと、反射体の耐熱性および強度が低下す
る。
【００２１】１実施形態の発光装置は、上記樹脂は、ガ
ラス転移温度が４０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂
である。
【００２２】上記実施形態によれば、上記樹脂は、ガラ
ス転移温度が４０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂で
あるので、良好な耐温度サイクル性と耐リフロー性が得
られる。また、上記樹脂の線膨張率を反射体の線膨張率
と略同じにできるので、発光装置の温度が上昇しても、
上記樹脂と反射体との間に剥離が生じ難い。ここで、上
記ガラス転移温度が４０℃よりも小さいと、一般的な環
境における発光装置の使用で樹脂が変形する虞があり、
上記ガラス転移温度が１００℃よりも大きいと、耐リフ
ロー性が悪化する虞がある。
【００２３】１実施形態の発光装置は、上記発光素子は
金線によってワイヤボンディングされており、上記金線
は常温における破断強度が１００ｍＮ以上である。
【００２４】上記実施形態によれば、上記破断強度が１
００ｍＮ以上の金線は耐温度サイクル性能が良好である
ので、この金線によって発光素子がワイヤボンディング
された上記発光装置は、発光装置の動作が繰り返されて
温度の上昇と下降が繰り返される状態の下で、長期に亘
って性能が安定に保持される。
【００２５】本発明の発光装置の製造方法は、上記の発
光装置の製造方法であって、液晶ポリマーを含む反射体
に、アルカリ液を曝して粗面を形成する工程を有するこ
とを特徴としている。
【００２６】上記構成によれば、上記液晶ポリマーを含
む反射体に、上記アルカリ液を曝すことによって、容易
かつ効率的に粗面が形成される。
【００２７】１実施形態の発光装置の製造方法は、上記
アルカリ液は、ＫＯＨ（水酸化カリウム）を２０ｗｔ％
以上５０ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、温度が５０℃
以上であり、このアルカリ液に上記液晶ポリマーを含む
反射体を１分間以上曝して粗面を形成する。
【００２８】上記実施形態によれば、上記液晶ポリマー
を含む反射体に、適切な粗さの粗面が形成される。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
により詳細に説明する。
【００３０】図１は、本発明の実施形態の発光装置を示
す図である。この発光装置は、基体としての樹脂基板１
上に、Ａｇペースト２によって半導体発光素子３を固定
している。この半導体発光素子３は、金線４によってワ
イヤボンディングされて、図示しない電極に接続されて
いる。上記金線４は、常温における破断強度が１００ｍ
Ｎ以上である。上記基板１上に、上記半導体発光素子３
の図１において左右両側に位置するように、この半導体
発光素子３からの光を反射して上方に導く２つの反射体
７，７を配置している。この反射体７は、液晶ポリマー
によって形成されており、この液晶ポリマーは、ガラス
を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、酸
化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含み、
かつ、カルシウム酸化物を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下
の割合で含む。この反射体７の上記半導体発光素子３側
の面である反射面７ａ，７ａは、算術平均粗さが１μｍ
以上２０μｍ以下の粗面に形成されている。上記反射体
７，７は、上記基板１にエポキシ接着剤によって貼り付
けられている。上記基板１上、かつ上記２つの反射体
７，７の間に、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以
下であって透明のエポキシ樹脂９を配置して、このエポ
キシ樹脂９によって上記発光素子３および金線４を封止
している。
【００３１】図２は、上記反射体７を構成する液晶ポリ
マーに粗面を形成する工程を説明する工程図である。こ
の液晶ポリマーに粗面を形成する工程は、液晶ポリマー
がアルカリ溶液と反応し易い性質を利用している。ま
ず、ステップ１において、ＫＯＨを２０ｗｔ％以上５０
ｗｔ％以下の割合で含むと共に温度が５０℃以上のアル
カリ溶液に、液晶ポリマーの所定の面であって反射体の
反射面７ａに相当する面を１分間以上浸して、その面を
粗面化する。このアルカリ溶液に含まれるＫＯＨの割合
は、形成すべき粗面の粗さに応じて２０ｗｔ％以上５０
ｗｔ％以下の間で調節すればよく、３５ｗｔ％以上４５
ｗｔ％以下であるのが好ましい。また、上記アルカリ溶
液の温度は、８０℃以上９０℃以下であるのが好まし
い。また、上記アルカリ溶液に液晶ポリマーを浸す時間
は、３分間以上７分間以下であるのが好ましい。この粗
面化工程に先行して、液晶ポリマーの強度保持や寸法安
定のために、アニール処理を施してもよい。
【００３２】続いて、ステップ２に進み、流水によって
液晶ポリマーに付着したアルカリ溶液を除去する。
【００３３】その後、ステップ３に進み、希硫酸などを
用いて、ステップ１において液晶ポリマーに残留したア
ルカリ溶液を中和する。液晶ポリマーにアルカリ溶液が
残留したままの状態で発光装置を形成すると、他の電子
部品に悪影響を与える虞があるので、残留したアルカリ
溶液を中和する工程は不可欠である。
【００３４】引き続いて、ステップ４では、ステップ３
の中和工程で用いられて液晶ポリマーに残留した希硫酸
を、水と超音波によって除去する。
【００３５】最後に、ステップ５において、粗面が形成
された液晶ポリマーを乾燥する。
【００３６】上記液晶ポリマーに粗面を形成する工程
は、液晶ポリマーを基板に取付ける前と取付けた後との
いずれの時期に実施してもよい。
【００３７】上記方法によって粗面が反射体の反射面７
ａに形成された発光装置は、この粗面によって、上記反
射体７とエポキシ樹脂９とが比較的大きい密着力で密着
されている。したがって、この発光装置を所定の基板な
どに取付ける際や、発光装置の動作時などに、発光装置
が熱を受け取っても、上記反射体７とエポキシ樹脂９と
が剥離することがない。その結果、発光装置の基板１と
エポキシ樹脂９とが剥離したり、基板１とエポキシ樹脂
９との剥離に起因して発光素子３に接続された金線４が
断線するといった不都合や、反射体７とエポキシ樹脂９
との間の剥離部から水が侵入して発光装置が故障する不
都合などが、確実に回避される。
【００３８】上記実施形態において、上記反射体７を形
成する液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ
％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上
２５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物
を５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含んだが、ガラ
スのみを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下の割合で含ん
でもよく、酸化チタンのみを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ
％以下の割合で含んでもよく、また、ガラスを２０ｗｔ
％以上３０ｗｔ％以下の割合で含むと共に酸化チタンを
２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の割合で含んでもよい。
【００３９】また、上記反射体７に形成した粗面は、上
記反射面７ａのみに限られず、反射体の上面および下面
に形成してもよい。この反射体７の上面に粗面を形成し
た場合、この上面に印刷される配線パターンと反射体７
との密着力を、効果的に増加することができる。また、
上記反射体７の下面に粗面を形成した場合、この反射体
７の下面に接着剤を配置して反射体７と基板１とを接着
する場合の接着力を、効果的に増加できる。
【００４０】また、上記エポキシ樹脂９は、透明に限ら
れず乳白色であってもよく、また、他の色が着色されて
いてもよい。
【００４１】上記基板１は樹脂からなるが、金属で形成
してもよい。この場合、インサート成形によって、上記
金属からなる基板上に液晶ポリマーからなる反射体を効
果的に形成できる。
【００４２】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の発光
装置によれば、基体上に、発光素子と、この発光素子の
出射光を反射する反射体と、上記発光素子と反射体の間
に配置された樹脂とを備える発光装置において、上記反
射体の上記発光素子の出射光を反射する面が、粗面に形
成されているので、この粗面によって反射体と樹脂との
間の密着力が比較的大きくなって、この反射体と樹脂と
の剥離を効果的に防止できる。したがって、上記基体と
樹脂とが剥離したり、上記発光素子とその発光素子に続
されたボンディングワイヤなどが断線するといった不都
合や、上記反射体と樹脂との間の剥離部から水が侵入し
て発光装置が故障するといった不都合などが、確実に回
避できる。
【００４３】１実施形態の発光装置によれば、上記反射
体の上記粗面は、算術平均粗さが１μｍ以上２０μｍ以
下であるので、この反射体の粗面と樹脂との間に適切な
大きさの密着力が得られる。
【００４４】１実施形態の発光装置によれば、上記反射
体は、液晶ポリマーを含むので、良好な耐熱性能を有し
て安定した光反射機能を奏する反射体が形成できる。
【００４５】１実施形態の発光装置によれば、上記液晶
ポリマーは、ガラスを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％以下
の割合で含むので、良好な強度を有する反射体が形成で
きる。
【００４６】１実施形態の発光装置によれば、上記液晶
ポリマーは、酸化チタンを０ｗｔ％を越えて３０ｗｔ％
以下の割合で含むので、良好な光反射率を有する反射体
が形成できる。
【００４７】１実施形態の発光装置によれば、上記液晶
ポリマーは、カルシウム酸化物を０ｗｔ％を越えて５０
ｗｔ％以下の割合で含むので、反射体に安定して粗面が
形成できると共に、この粗面と樹脂との密着性が良好に
できる。
【００４８】１実施形態の発光装置によれば、上記液晶
ポリマーは、ガラスを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の
割合で含み、かつ、酸化チタンを２０ｗｔ％以上３０ｗ
ｔ％以下の割合で含むので、良好な強度と光の反射率を
有する反射体が得られる。
【００４９】１実施形態の発光装置によれば、上記液晶
ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割
合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％
以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を５ｗｔ％
以上２５ｗｔ％以下の割合で含むので、良好な強度およ
び光反射率を有する反射体が形成でき、かつ、この反射
体の粗面と樹脂との密着性を良好にできる。
【００５０】１実施形態の発光装置によれば、上記樹脂
は、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下のエポキ
シ樹脂であるので、良好な耐温度サイクル性と耐リフロ
ー性が得られ、また、上記樹脂と反射体とを略同じ線膨
張率にできるので、発光装置の温度が上昇しても、上記
樹脂と反射体との間に剥離が生じ難くできる。
【００５１】１実施形態の発光装置によれば、上記発光
素子は金線によってワイヤボンディングされており、上
記金線は常温における破断強度が１００ｍＮ以上である
ので、上記発光装置の発光動作が繰り返されて温度の上
昇と下降が繰り返されても金線の破断などの不都合が生
じ難くて、長期に亘って安定した性能が得られる。
【００５２】本発明の発光装置の製造方法によれば、液
晶ポリマーを含む反射体に、アルカリ液を曝して粗面を
形成する工程を有するので、上記粗面が容易かつ効率的
に形成できる。
【００５３】１実施形態の発光装置の製造方法によれ
ば、上記アルカリ液は、ＫＯＨを２０ｗｔ％以上５０ｗ
ｔ％以下の割合で含み、かつ、温度が５０℃以上であ
り、このアルカリ液に上記液晶ポリマーを含む反射体を
１分間以上曝して粗面を形成するので、上記液晶ポリマ
ーを含む反射体に、適切な粗さの粗面が形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態の発光装置を示す図であ
る。
【図２】 反射体に粗面を形成する工程を説明する工程
図である。
【図３】 従来の発光装置を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ Ａｇペースト ３ 半導体発光素子 ４ 金線 ７ 反射体 ７ａ 反射面 ９ エポキシ樹脂

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体上に、発光素子と、この発光素子の
    出射光を反射する反射体と、上記発光素子と反射体の間
    に配置された樹脂とを備える発光装置において、 上記反射体の上記発光素子の出射光を反射する面が、粗
    面に形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の発光装置において、 上記反射体の上記粗面は、算術平均粗さが１μｍ以上２
    ０μｍ以下であることを特徴とする発光装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の発光装置にお
    いて、 上記反射体は、液晶ポリマーを含むことを特徴とする発
    光装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の発光装置において、 上記液晶ポリマーは、ガラスを０ｗｔ％を越え３０ｗｔ
    ％以下の割合で含むことを特徴とする発光装置。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載の発光装置において、 上記液晶ポリマーは、酸化チタンを０ｗｔ％を越え３０
    ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする発光装置。
  6. 【請求項６】 請求項３に記載の発光装置において、 上記液晶ポリマーは、カルシウム酸化物を０ｗｔ％を越
    え５０ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする発光装
    置。
  7. 【請求項７】 請求項３に記載の発光装置において、 上記液晶ポリマーは、ガラスを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ
    ％以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを２０ｗｔ％以
    上３０ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする発光装
    置。
  8. 【請求項８】 請求項３に記載の発光装置において、 上記液晶ポリマーは、ガラスを５ｗｔ％以上２５ｗｔ％
    以下の割合で含み、かつ、酸化チタンを５ｗｔ％以上２
    ５ｗｔ％以下の割合で含み、かつ、カルシウム酸化物を
    ５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴と
    する発光装置。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１つに記載の
    発光装置において、 上記樹脂は、ガラス転移温度が４０℃以上１００℃以下
    のエポキシ樹脂であることを特徴とする発光装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１つに記載
    の発光装置において、 上記発光素子は金線によってワイヤボンディングされて
    おり、上記金線は常温における破断強度が１００ｍＮ以
    上であることを特徴とする発光装置。
  11. 【請求項１１】 請求項３乃至１０のいずれか１つに記
    載の発光装置の製造方法であって、 液晶ポリマーを含む反射体に、アルカリ液によって粗面
    を形成する工程を有することを特徴とする発光装置の製
    造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の発光装置の製造方
    法において、 上記アルカリ液はＫＯＨを２０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以
    下の割合で含み、かつ、温度が５０℃以上であり、この
    アルカリ液に上記液晶ポリマーを含む反射体を１分間以
    上曝して粗面を形成することを特徴とする発光装置の製
    造方法。
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