KR101387660B1 - 표면실장형 광반도체 장치용 반사판의 제조에 적합한 열경화성 수지 조성물 - Google Patents

표면실장형 광반도체 장치용 반사판의 제조에 적합한 열경화성 수지 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표면실장형 광반도체 장치용 반사판(리플렉터)의 제조에 적합한 열경화성 수지 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에폭시 수지, 경화제, 무기충전제 및 백색안료와 함께 경화촉매로서 테트라페닐 포스포늄 할라이드또는 알킬트리페닐 포스포늄 할라이드를 포함하는 열경화성 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 열경화성 수지 조성물은 그 제조시 예비 중합체 제조 공정을 필요로 하지 않아 공정 단순화 및 생산성 향상을 가능하게 하며, 그로부터 제작된 반사판은 고온조건에서 뛰어난 광 특성(반사율) 유지성능을 발휘하기 때문에 광반도체 장치 작동 시 발생하는 열에 의한 열화현상을 개선하고 그에 따른 반사율 감소를 최소화할 수 있으며, 일반 표면실장형 반도체 생산방식과 동일하게 트랜스퍼 성형이 가능하여 광반도체 장치 생산 효율을 높일 수 있다.

Description

표면실장형 광반도체 장치용 반사판의 제조에 적합한 열경화성 수지 조성물{Thermosetting resin composition suitable for manufacturing reflector for surface-mount type photosemiconductor devices}
본 발명은 표면실장형 광반도체 장치용 반사판(리플렉터)의 제조에 적합한 열경화성 수지 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에폭시 수지, 경화제, 무기충전제 및 백색안료와 함께 경화촉매로서 테트라페닐 포스포늄 할라이드또는 알킬트리페닐 포스포늄 할라이드를 포함하는 열경화성 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 열경화성 수지 조성물은 그 제조시 예비 중합체 제조 공정을 필요로 하지 않아 공정 단순화 및 생산성 향상을 가능하게 하며, 그로부터 제작된 반사판은 고온조건에서 뛰어난 광 특성(반사율) 유지성능을 발휘하기 때문에 광반도체 장치 작동 시 발생하는 열에 의한 열화현상을 개선하고 그에 따른 반사율 감소를 최소화할 수 있으며, 일반 표면실장형 반도체 생산방식과 동일하게 트랜스퍼 성형이 가능하여 광반도체 장치 생산 효율을 높일 수 있다.
LED(Light Emitting Diode: 발광다이오드)로 대표되는 광반도체 장치는 기존의 광학장치에 비해 에너지효율이 높고 수명이 길다는 장점 때문에 여러 조명분야에서 지속적으로 그 활용이 확대되고 있다.
이러한 시장확대와 더불어 광반도체 장치의 고 특성화가 진행되면서 최근엔 표면실장형 광반도체 장치에 대한 개발이 늘어나고 있고, 소재분야에도 이에 대응하여 고 특성화 소재에 대한 개발요구가 꾸준히 증가하고 있다.
표면실장형 광반도체 장치 중 반사판(리플렉터)의 소재의 경우, 기존엔 열가소성수지 계열의 PPA(Polyphtalamide: 폴리프탈아미드)가 주로 사용되어 왔다. 그러나, 폴리프탈아미드의 경우 엔지니어링 플라스틱으로 높은 강도, 내열성 및 내약품성을 보유하지만, 반사판에 적용시 이종소재(실리콘 및 리드프레임)와의 접착력이 낮아 패키징 신뢰성이 낮고, 고온에서의 광 특성 또한 취약하여 표면실장형 광반도체 장치에서의 신뢰성 향상에 큰 장애요인으로 작용해 왔다.
이러한 단점을 폴리프탈아미드를 대체하기 위한 신규소재로서 열경화성 방식의 수지 개발이 이루어져 왔으며, 산무수물 형태의 경화제와 트리글리시딜이소시아누레이트로 대표되는 에폭시 수지가 주로 연구되어 왔다(예컨대, 한국공개특허 제10-2010-0075848호, 제10-2011-0086147호 및 제10-2010-0069584호).
그러나, 이러한 선행 기술들은 경화후 황변을 최소화하기 위해 이중결합이 없는 저점도 액상 상태의 산무수물 경화제를 이용하기 때문에 이를 다양한 방법으로 에폭시 수지와 먼저 반응시켜 예비 중합체로 만들어 사용해야 한다. 이러한 예비 중합체 제조는 공정을 복잡하게 만들어 경제성 및 생산성을 낮추는 결과를 가져오며, 또한 예비 중합체 제조시 고온에서 중합 반응을 제어하기 힘들기 때문에 높은 공정기술이 요구되고 반응의 위험성이 있어 안전장치가 요구되는 등의 단점이 있다. 게다가 트리글리시딜이소시아누레이트는 반응속도가 빨라 반응 제어가 어렵고, 경화물의 가교도를 높여 크랙에 취약한 특성을 나타낸다.
상기 문제점들을 피하기 위해 예비 중합 반응을 저온에서 수행할 수도 있지만, 이 경우 원하는 특성의 예비 중합체을 제조하는데 시간이 많이 소요되어 생산성이 낮아진다. 다르게는, 고상의 산무수물을 이용함으로써 에폭시 수지와 산무수물간의 예비 중합체 제조를 생략할 수도 있으나, 고상의 산무수물은 대부분 유독하여 다루기가 어렵고 반응이 느린 단점이 있으며, 또한 반응을 촉진시키기 위해 촉매를 사용할 경우에는 반응 제어에 어려움이 있다. 나아가, 이러한 고상 산무수물은 액상 산무수물들과 비교하여 경화 후 황변에 약한 단점을 가진다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 한 것으로서, 산무수물 계열의 수지를 사용하지 않아 예비 중합체 제조 공정을 필요로 하지 않고 따라서 공정 단순화 및 생산성 향상을 가능하게 하며, 경화물의 내열성이 뛰어나 고온조건에서 광 특성(반사율)을 우수하게 유지할 수 있기 때문에 광반도체 장치 작동 시 발생하는 열에 의한 열화현상을 개선하고 그에 따른 반사율 감소를 최소화할 수 있으며, 일반 표면실장형 반도체 생산방식과 동일하게 트랜스퍼 성형이 가능하여 광반도체 장치 생산 효율을 높일 수 있어 표면실장형 광반도체 장치용 반사판(리플렉터)의 제조에 특히 적합한 열경화성 수지 조성물을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하고자 본 발명은, (A) 에폭시 수지 4~10중량%, (B) 경화제 8~12중량%, (C) 무기충전제 40~70중량%, (D) 백색안료 10~40중량%, 및 (E) 경화촉매로서 테트라페닐 포스포늄 할라이드 또는 알킬트리페닐 포스포늄 할라이드 0.01~1중량%를 포함하는 열경화성 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 그 제조시 예비 중합체 제조 공정을 필요로 하지 않아 공정 단순화 및 생산성 향상을 가능하게 하며, 그로부터 제작된 반사판은 고온조건에서 뛰어난 광 특성(반사율) 유지성능을 발휘하기 때문에 광반도체 장치 작동 시 발생하는 열에 의한 열화현상을 개선하고 그에 따른 반사율 감소를 최소화할 수 있으며, 일반 표면실장형 반도체 생산방식과 동일하게 트랜스퍼 성형이 가능하여 광반도체 장치 생산 효율을 높일 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
(A) 에폭시 수지
본 발명의 열경화성 수지 조성물에 포함되는 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 디글리시딜이소시아누레이트 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트 수지, 비페닐형 에폭시 수지 및 이들의 혼합물로부터 선택된 것을 사용할 수 있다.
바람직하게는 에폭시 수지로서 비스페놀 A형 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 트리글리시딜이소시아누레이트 수지 및 그 외의 일반 에폭시 수지(예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지 등)를 1종이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 바람직한 일 구체예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지가 사용된다.
[화학식 1]
Figure 112012048535068-pat00001
(n은 1~10의 정수이다.)
또한 상기 [화학식 1] 수지에 트리글리시딜이소시아누레이트 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지를 1종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물에는 (A)에폭시 수지가 4~10중량%, 보다 바람직하게는 5~9중량% 포함된다. 조성물 총중량 100중량% 내의 에폭시 수지 함량이 4~10중량% 범위를 벗어나면 트랜스퍼 성형 작업 시 경화성 및 작업성 확보에 문제가 있을 수 있으며, 경화물에 황변 현상이 발생할 수 있다.
(B) 경화제
본 발명의 열경화성 수지 조성물에 포함되는 경화제로는 폴리에스테르형 수지가 바람직하며, 구체적으로는 하이브리드 폴리에스테르 수지, 하이드록실 폴리에스테르 수지, 카르복실 폴리에스테르 수지 및 이들의 혼합물로부터 선택된 것을 사용할 수 있다. 폴리에스테르형 경화제 수지의 산가는 60 이상인 것이 바람직하다.
바람직하게는 경화제로서 카르복실 폴리에스테르 수지를 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 구체예에 따르면, 하기 화학식 2로 표시되는 카르복실 폴리에스테르 수지가 사용된다.
[화학식 2]
Figure 112012048535068-pat00002
또한, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위 내에서, 즉, 에폭시 수지와 경화제의 예비 중합을 필요로 하지 않는 수준에서, 상기 [화학식 2] 수지에 산무수물 경화제, 페놀계 경화제 등을 1종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
산무수물 경화제로는 무수프탈산, 테트라히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 메틸테트라히드로무수프탈산 등을 들 수 있다. 페놀계 경화제로는 페놀, 벤조인, 레졸신, 비스페놀A, 비스페놀F, 페놀노볼락 경화제 등을 들 수 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물에는 (B)경화제가 8~12중량%, 보다 바람직하게는 10~12중량% 포함된다. 조성물 총중량 100중량% 내의 경화제 함량이 8~12중량% 범위를 벗어나면 트랜스퍼 성형 작업 시 경화성 및 작업성 확보에 문제가 있을 수 있으며 경화물에 황변 현상이 발생할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 에폭시 수지와 경화제의 배합비는 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서 반응 가능한 경화제 중의 활성기가 0.7~1.2 당량 범위인 것이 바람직하며, 0.9~1.1 당량 범위인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지 내 에폭시기 1당량에 대한 경화제의 활성기가 0.7당량 미만이면 전체 수지 조성물의 경화 속도가 늦어질 수 있으며, 1.2당량을 넘으면 최종 경화 후의 경화물의 강도가 감소할 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어서 상기 에폭시 수지와 경화제는 예비 중합체를 형성하지 않고 포함되는 것을 특징으로 한다.
(C) 무기충전제
본 발명의 열경화성 수지 조성물에 포함되는 무기충전제로는 용융 실리카, 결정성 실리카, 흄드 실리카, 알루미나, 흄드 알루미나, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄 및 이들의 혼합물로부터 선택된 것을 사용할 수 있다.
무기충전제의 평균입경에는 특별한 제한이 없으나, 광반도체 장치의 트랜스퍼 성형조건을 감안하면, 무기충전제의 최대입경은 120㎛ 이하인 것이 바람직하고, 75㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 일 구체예에 따르면, 무기충전제의 평균입경이 5~30㎛ 수준인 것이 바람직하다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물에는 (C)무기충전제가 40~70중량%, 보다 바람직하게는 45~65중량% 포함된다. 조성물 총중량 100중량% 내의 무기충전제 함량이 40중량% 미만이면 경화 후 강도를 확보하기 어려운 문제가 있을 수 있고, 70중량%를 초과하면 흐름성이 급격히 저하되어 트랜스퍼 성형 작업에 문제가 있을 수 있다.
(D) 백색안료
본 발명의 열경화성 수지 조성물에는 열경화성 수지의 백색도 및 광 반사율을 개선하기 위해 백색안료가 포함된다. 백색안료로는 이산화티타늄, 산화마그네슘, 산화안티몬, 산화지르코늄 및 이들의 혼합물로부터 선택된 것을 사용할 수 있다.
백색안료 또한 평균입경에 특별한 제한은 없으나, 대개 0.05~5㎛ 수준이 바람직하다. 이산화티타늄을 백색안료로 사용하는 경우에는 루틸형이 바람직하다. 아나타제형은 내후성 측면에서 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물에는 (D)백색안료가 10~40중량%, 보다 바람직하게는 20~30중량% 포함된다. 조성물 총중량 100중량% 내의 백색안료 함량이 10중량% 미만이면 일정수준 이상의 백색도 및 반사율을 확보하기가 어렵고, 40중량%를 초과하면 흐름성이 급격히 저하되고 스티킹을 유발할 수 있어 트랜스퍼 성형 작업에 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 조성물 100중량% 내의 상기 무기충전제와 백색안료 합계량은 50~90중량%가 바람직하고, 60~90중량%가 보다 바람직하다. 무기충전제와 백색안료 합계량이 50중량% 미만이면 강도 및 백색도가 불충분할뿐 아니라 광반도체 장치 적용시 신뢰성이 나빠질 수 있으며, 90중량%를 초과하면 점도의 급상승으로 트랜스퍼 성형조건 시 미충전 현상이 일어날 수 있다.
(E) 경화촉매
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 경화촉매로서 테트라페닐 포스포늄 할라이드 또는 알킬(예컨대, C1~C12알킬)트리페닐 포스포늄 할라이드를 포함한다. 이들 경화촉매는 소량의 첨가만으로도 경화물에 내열성을 부여하여 고온에서 경화물의 황변을 억제하는 효과를 나타낸다.
바람직하게는, 테트라페닐 포스포늄 브로마이드, 테트라페닐 포스포늄 클로라이드, 메틸트리페닐 포스포늄 브로마이드, 메틸트리페닐 포스포늄 클로라이드, 에틸트리페닐 포스포늄 브로마이드, 에틸트리페닐 포스포늄 클로라이드, n-부틸트리페닐 포스포늄 브로마이드, n-부틸트리페닐 포스포늄 클로라이드 및 이들의 혼합물로부터 선택된 것을 경화촉매로 사용할 수 있다.
테트라페닐 포스포늄 브로마이드(1), C1~C12알킬트리페닐 포스포늄 브로마이드(2) 및 그 일 예인 에틸트리페닐 포스포늄 브로마이드(3)의 화학 구조식은 각각 다음과 같다.
Figure 112012048535068-pat00003
(1)
Figure 112012048535068-pat00004
(2)
Figure 112012048535068-pat00005
(3) (여기서 R은 탄소수 1~12의 알킬기)
본 발명의 열경화성 수지 조성물에는 (E)경화촉매가 0.01~1중량%, 보다 바람직하게는 0.05~0.5중량% 포함된다. 조성물 총중량 100중량% 내의 백색안료 함량이 0.01중량% 미만이면 충분한 경화 촉진 효과가 얻어지지 않고, 1중량%를 초과하면 급격한 경화반응으로 변색이 발생할 수 있다.
또한, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위 내에서, 본 발명의 수지 조성물은 필요에 따라 추가의 경화촉매 내지 경화촉진제 성분으로서 메틸 이미다졸 등의 이미다졸류, 트리페닐포스핀, 아인산트리페닐 등의 유기 인계 화합물, 유기금속염류, 4급 암모늄염 등 및 이들의 유도체를 적절히 더 포함할 수 있다.
(F) 기타 임의 성분
상기한 성분들 이외에 본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라 열경화성 수지 조성물에 통상 사용되는 다양한 임의의 기타 성분들, 예컨대 첨가제 및 이형제 등을 추가로 포함할 수 있다. 예를 들면, 에폭시실란계, 아미노실란계, 메르캅토실란계, 아크릴실란계, 비닐실란계 등의 커플링제, 산화방지제, 분산제, 난연제, 경화물의 외관 및 표면에 영향을 주는 각종 첨가제, 소포제, 각종 엘라스토머류 등을 수지 조성물에 직접 첨가하거나 무기충전제 또는 백색안료와 미리 혼합하여 첨가하는 등 종래부터 이용되던 방법을 이용하여 첨가할 수 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물의 제조방법 및 조건 등에는 특별한 제한이 없으며, 상기의 각 성분들을 사용하여 공지의 방법에 따라 제조할 수 있다. 예컨대, 상기 성분들을 믹서 등에 동시에 또는 순차적으로 투입한 후 균일하게 교반 및 혼합한 후, 혼합물을 믹싱롤, 압출기 등을 이용하여 혼련하고, 얻어진 혼련물을 냉각, 분쇄하여 트랜스퍼 성형에 적합하게 가공된 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은, 바람직하게는 경화 직후 광반사율이 90% 이상이고, 175℃에서 24시간 방치후 광반사율을 85% 이상으로 유지할 수 있으며, 트랜스퍼 성형이 가능하게 때문에 표면실장형 광반도체 장치용 반사판의 제조에 특히 적합하게 활용될 수 있다.
이하 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명이 이 실시예에 한정되는 것은 결코 아니다.
[ 실시예 1~6 및 비교예 1~5]
다음의 실시예 및 비교예에서 사용한 재료는 다음과 같다.
(A) 에폭시 수지
A-1: 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시당량: 660)(N8020, KCC)
A-2: 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시당량: 650)(KD-6812, 국도화학)
A-3: 비스페놀 F형 에폭시 수지(에폭시당량: 475)(YDF-2001, 국도화학)
(B) 경화제
B-1: 카르복실 폴리에스테르형 수지(산가: 65)(CNF36418, KCC)
B-2: 카르복실 폴리에스테르형 수지(산가: 25)(CNF33169, KCC)
(C) 무기충전제: 구상 용융 실리카 (MSR-8000, Tatsumori)
(D) 백색안료: 이산화티타늄 (R-706, Dufont)
(E) 경화촉매
E-1: 테트라페닐 포스포늄 브로마이드
E-2: 에틸트리페닐 포스포늄 브로마이드
E-3: n-헥실트리페닐 포스포늄 브로마이드
E-4: 트리페닐포스핀(TPP, Hokko)
E-5: 메틸이미다졸계 촉매(2MZ-A, Shikoku chemicals)
E-6: 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔(DBN)(KN-100, KS Lab)
(F) 첨가제 및 이형제
F-1: 실리콘 플루이드(KF-1002, ShinEtsu)
F-2: 아마이드 왁스(CERAFLOUR 960, BYK)
F-3: 메타아크릴옥시프로필트리에톡시실란(KBM-503, ShinEtsu)
표 1 및 표 2에 나타낸 조성비로 재료들을 혼합하고 미세하게 분쇄하여 파우더를 만든 후, 가열된 압출기를 이용하여 혼련을 하고 냉각시킨 후 재분쇄하여 실시예 및 비교예의 열경화성 수지 조성물들을 제조하였다. 제조된 파우더 타입 조성물을 트랜스퍼 성형방식으로 가공하여 시편을 제조하고, 제조된 시편에 대해 하기 방법으로 물성들을 측정 내지 평가하였으며, 그 결과를 표 1(실시예) 및 표 2(비교예)에 나타내었다.
흐름성
EMMI-1-66에 준하는 평가용 금형을 사용하여 175℃, 70kgf/cm2 조건에서 트랜스퍼 몰딩프레스를 이용하여 흐름성을 측정하였다.
경화시간
핫플레이트를 175℃로 세팅하고, 제조된 파우더를 도포하여 경화되는 시간을 측정하였다.
반사율
175℃, 70kgf/cm2 조건에서 트랜스퍼 몰딩프레스를 이용하여 직경 30mm, 두께 2mm의 시편을 제작하고, 색채측정기를 사용하여 시편의 반사율을 몰딩 직후및 175℃, 24시간 베이킹후 각각 측정하였다.
몰드작업성
MQFP-244용 북몰드를 사용하여 연속 성형하여 작업성을 비교하였다.
[◎: 매우 양호, ○: 양호, △: 보통, X: 작업불가]
Figure 112012048535068-pat00006
Figure 112012048535068-pat00007
상기 표 1 및 표 2의 결과 비교로부터 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 실시예 조성물로 제조된 열경화 시편은 고온에서의 반사율 감소 정도가 비교예 대비 현저히 줄어들었으며, 해당 고온조건에서 88% 이상의 우수한 반사율을 유지하였다. 또한 몰드작업성도 우수하였으며, 트랜스퍼 성형이 가능하여 높은 생산성을 나타낼 수 있다.

Claims (12)

  1. (A) 에폭시 수지 4~10중량%, (B) 하이브리드 폴리에스테르 수지, 하이드록실 폴리에스테르 수지, 카르복실 폴리에스테르 수지 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 경화제 8~12중량%, (C) 무기충전제 40~70중량%, (D) 백색안료 10~40중량%, 및 (E) 경화촉매로서 테트라페닐 포스포늄 할라이드 또는 알킬트리페닐 포스포늄 할라이드 0.01~1중량%를 포함하는 열경화성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 에폭시 수지가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 디글리시딜이소시아누레이트 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트 수지, 비페닐형 에폭시 수지 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 에폭시 수지가 비스페놀 A형 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 경화제가 카르복실 폴리에스테르 수지인 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 에폭시 수지와 경화제가 예비 중합체를 형성하지 않고 포함되는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 무기충전제가 용융 실리카, 결정성 실리카, 흄드 실리카, 알루미나, 흄드 알루미나, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 백색안료가 이산화티타늄, 산화마그네슘, 산화안티몬, 산화지르코늄 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 경화촉매가 테트라페닐 포스포늄 브로마이드, 테트라페닐 포스포늄 클로라이드, 메틸트리페닐 포스포늄 브로마이드, 메틸트리페닐 포스포늄 클로라이드, 에틸트리페닐 포스포늄 브로마이드, 에틸트리페닐 포스포늄 클로라이드, n-부틸트리페닐 포스포늄 브로마이드, n-부틸트리페닐 포스포늄 클로라이드 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 경화 직후 광반사율이 90% 이상이고, 175℃에서 24시간 방치후 광반사율이 88% 이상인 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 트랜스퍼 성형될 수 있는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  12. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항의 열경화성 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 표면실장형 광반도체 장치용 반사판.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20040061906A (ko) * 2002-12-31 2004-07-07 주식회사 금강고려화학 자외선 경화형 분체도료 조성물
KR20110086143A (ko) * 2006-11-15 2011-07-27 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치

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