JP2003124523A - チップ型半導体発光装置 - Google Patents
チップ型半導体発光装置Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ型半導体発光装置において、発光素子
の材料純度を上げることなく発光色の彩度を高くする。
また、不点灯時でも発光色を簡単に認識できるようにす
る。 【解決手段】 表面に電極２，２’を形成した基板１上
に半導体発光素子３を実装したチップ型半導体発光装置
において、基板１の少なくとも半導体発光素子３を搭載
した面側の表面を、半導体発光素子３の発光色と同じ色
相で且つ半導体発光素子３よりも高い彩度の色に着色す
る。
の材料純度を上げることなく発光色の彩度を高くする。
また、不点灯時でも発光色を簡単に認識できるようにす
る。 【解決手段】 表面に電極２，２’を形成した基板１上
に半導体発光素子３を実装したチップ型半導体発光装置
において、基板１の少なくとも半導体発光素子３を搭載
した面側の表面を、半導体発光素子３の発光色と同じ色
相で且つ半導体発光素子３よりも高い彩度の色に着色す
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップ型半導体発光
装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】半導体発光装置は液晶表示装置のバック
ライト、光ファイバ通信用やフォトカプラ用などの装置
内の点光源、家電機器における表示器などにこれまでか
ら広く用いられている。装飾や機能などの観点から彩度
の高い発光色の半導体発光装置が欲しいという市場要求
が近年高まっていた。 【０００３】しかし、半導体発光素子の彩度を高くする
には、半導体発光素子材料としてより純度の高いものを
一般に使用する必要があった。このため、材料費用が一
般に高くなる結果製品価格が高くなっていた。 【０００４】また、半導体発光装置の発光色は点灯時に
は識別できるものの、不点灯時には識別できないものが
大半である。このため、発光色の異なる半導体発光装置
を一つの装置に搭載する場合には特に、各半導体発光装
置の発光色を確認する作業に長時間を要し作業効率の低
下を招いていた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来の問題に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子
の材料純度を上げることなくチップ型半導体発光装置の
発光色の彩度を高くすることをその目的とするものであ
る。 【０００６】また本発明の目的は、チップ型半導体発光
装置の発光色を不点灯時でも簡単に認識できるようにす
ることにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者は、半導体発光
素子から発せられた光は、透光性樹脂からなる封止体を
通過して外部に直接出射するものと、基板に当たって反
射して出射するものとに大きく分かれ、基板で反射する
光の一部は基板で吸収されることに着目し、基板に当た
った光のうち、光波長分布の短波長側および長波長側の
少なくとも一方側の光が基板に吸収されるようにすれ
ば、基板で反射した光の波長を鋭く立ち上がったなもの
とし発光色の彩度を高くできることを見出し本発明をな
すに至った。 【０００８】すなわち本発明では、表面に電極を形成し
た基板上に半導体発光素子を実装したチップ型半導体発
光装置において、前記基板の少なくとも半導体発光素子
を搭載した面側の表面を、前記半導体発光素子の発光色
と同じ色相で且つ前記半導体発光装置よりも高い彩度の
色に着色した構成とした。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、図に基づいて本発明の半導
体発光装置について説明する。図１は、本発明のチップ
型半導体装置の斜視図である。このチップ型半導体発光
装置では、平面視長矩形状をした基板１の上面長手方向
両端にそれぞれ電極部２，２’が形成されている。一方
の電極部２の基板１の表面側にはチップボンディング部
（不図示）が形成され、ここに半導体発光素子３がボン
ディングされている。もう一方の電極２’の表面側には
ワイヤボンディング部（不図示）が形成され、半導体発
光素子３の上面電極（不図示）とボンディングワイヤ４
によって結線されている。そして、半導体発光素子３お
よびボンディングワイヤ４は透光性樹脂５で封止されて
いる。 【００１０】このようなチップ型半導体発光装置におい
て、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）で形
成された基板１は通常は乳白色であるが、図１のチップ
型半導体発光装置ではＢＴレジンに着色剤６を分散混合
し、半導体発光素子３と同じ色相で且つ半導体発光素子
３よりも高い彩度に基板１を着色している。このため、
半導体発光素子３から発せられた光が基板１に当たる
と、光波長分布における裾野の部分の光が基板１に吸収
される結果、反射光は鋭く立ち上がった波長分布の光と
なる。これによって半導体発光装置からの光の彩度が全
体として高くなる。 【００１１】図１の半導体発光装置では基板１全体を着
色しているが、必ずしも基板１全体を着色する必要はな
く、少なくとも半導体発光素子３から発せられた光が当
たる部分、すなわち半導体発光素子３を搭載した面側の
表面を着色すればよい。このとき、半導体発光装置から
の光の彩度を上げる観点から、基板１表面に形成されて
いる電極２，２’も同時に着色するのがよい。 【００１２】基板１を所定の色に着色する方法として
は、基板１に着色剤６を含有させる以外に例えば、エポ
キシ樹脂などの樹脂に着色剤を分散混合し、これを基板
表面に塗布する方法、あるいは着色剤を分散混合したシ
ートを基板表面に貼着する方法など従来公知の方法を用
いることができる。なお、基板の上面を透光性樹脂で封
止する場合には百数十度程度まで加熱されるので、着色
剤を分散混合した樹脂およびシートはこの加熱に耐える
ものである必要がある。基板表面に着色剤を混合分散し
た樹脂を塗布する方法としては、例えばシルク印刷、吹
き付け、刷毛塗り、カーテンフローコータ、グラビアコ
ート、ロールコート、バーコートなどの従来公知の方法
が挙げられる。 【００１３】本発明で使用する基板としては、前記ＢＴ
レジンの他、ガラス繊維を含有したエポキシ樹脂など従
来公知のものが使用できる。 【００１４】本発明で使用する着色剤としては従来公知
のものを用いることができ、例えば、黄色顔料として、
黄鉛、亜鉛黄、カドミウムイエロー、黄色酸化鉄、ミネ
ラルファストイエロー、ニッケルチタンイエロー、ネー
ブルスイエロー、ナフトールイエローＳ、ハンザイエロ
ーＧ、ハンザイエロー１０Ｇ、ベンジジンイエローＧ、
ベンジジンイエローＧＲ、キノリンイエローレーキ、パ
ーマンネントイエローＮＣＧ、タートラジンレーキ；橙
色顔料として、赤口黄鉛、モリブテンオレンジ、パーマ
ネントオレンジＧＴＲ、ピラゾロンオレンジ、バルカン
オレンジ、インダスレンブリリアントオレンジＲＫ、ベ
ンジジンオレンジＧ、インダスレンブリリアントオレン
ジＧＫ；赤色顔料として、ベンガラ、カドミウムレッ
ド、鉛丹、硫化水銀カドミウム、パーマネントレッド４
Ｒ、リソールレッド、ピラゾロンレッド、ウオッチング
レッドカルシウム塩、レーキレッドＤ、ブリリアントカ
ーミン６Ｂ、エオシンレーキ、ローダミンレーキＢ、ア
リザリンレーキ、ブリリアントカーミン３Ｂ；紫色顔料
として、マンガン紫、ファストバイオレットＢ、メチル
バイオレットレーキ；青色顔料として、紺青、コバルト
ブルー、アルカリブルーレーキ、ビクトリアブルーレー
キ、フタロシアニンブルー、無金属フタロシアニンブル
ー、フタロシアニンブルー部分塩素化物、ファーストス
カイブルー、インダスレンブルーＢＣ；緑色顔料とし
て、クロムグリーン、酸化クロム、ピグメントグリーン
Ｂ、マラカイトグリーンレーキ、ファナルイエローグリ
ーンＧ；白色顔料として、亜鉛華、酸化チタン、アンチ
モン白、硫化亜鉛；白色顔料として、バライト粉、炭酸
バリウム、クレー、シリカ、ホワイトカーボン、タル
ク、アルミナホワイト等が使用できる。具体的に使用す
る着色剤は半導体発光素子の発光色に合わせて適宜決定
すればよい。着色剤を基板に含有させて使用する場合、
着色剤は基板当たり２〜２０重量％、特に５〜１５重量
％の範囲で使用するのが好ましい。 【００１５】本発明で用いる半導体発光素子としては特
に限定はなく、従来公知のものが使用できる。例えばＧ
ａＮ系やＳｉＣ系などの青色発光素子や、ＧａＡｓ系、
ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＩｎＰ系などの赤
色発光素子や緑色発光素子などが挙げられる。 【００１６】本発明のチップ型半導体発光装置は例えば
液晶表示装置のバックライト、光ファイバ通信用やフォ
トカプラ用などの装置内の点光源、家電機器における表
示器などに用いることができる。 【００１７】 【実施例】（半導体発光装置の作製）発明者の手元にあ
る光波長測定装置がリード型半導体発光装置の光波長を
測定する装置であったため、チップ型半導体発光装置の
代わりにリード型半導体発光装置を作製することとし、
基板を着色する代わりに半導体発光素子などを封止する
透光性樹脂に着色剤を含有させてその光波長を測定し
た。具体的には次のようにしてリード型半導体発光装置
を作製した。図２に示すように、緑色発光素子７３を第
１のリード７２の先端に導通可能に固着し、緑色発光素
子７３の上面電極と第２のリード７２’の先端とを金属
細線７４で接続した。そして、緑色発光素子７３および
金属細線７４、第１のリード７２、第２のリード７２’
の先端部分を、緑色着色剤７６を６重量％分散混合した
エポキシ樹脂７５で封止し直径３ｍｍのリード型半導体
発光装置を作製した。これを半導体発光装置Ａとする。
一方、透光性樹脂７５に緑色着色剤７６を分散混合しな
かった以外は前記と同様の作製方法で半導体発光装置を
作製した。これを半導体発光装置Ｂとする。 【００１８】（光波長の測定）図２に示す光波長測定装
置において、前記作製した半導体発光装置Ａ及びＢをそ
れぞれ測定部８に装着し、第１のリード７２と第２のリ
ード７２’との間に１０ｍＡを通電し、測定部８の上面
に設置した光波長測定器（「ＭＣＰＤ3600」）９でその
光波長を測定した。測定結果を表１に示す。 【００１９】 【表１】 【００２０】表１から明らかなように、エポキシ樹脂に
緑色着色剤を分散混合させなかった半導体発光装置Ｂで
は、主波長が５７０．８ｎｍ、ピーク波長が５６３．５
ｎｍであったのに対し、エポキシ樹脂に緑色着色剤を分
散混合させた半導体発光装置Ａでは、主波長が５６７．
１ｎｍ、ピーク波長が５６０．６ｎｍと半導体発光装置
Ｂに比べてそれぞれ３．７ｎｍ、２．９ｎｍ短波長側に
ズレて、彩度が高くなっていた。これは、緑色発光素子
から発せられた光の光波長分布うち長波長側の裾野部分
が緑色着色剤によって吸収されたため、主波長及びピー
ク波長が短波長側にズレて彩度が高くなったものと考え
られる。 【００２１】 【発明の効果】本発明のチップ型半導体発光装置では、
表面に電極を形成した基板上に半導体発光素子を実装
し、基板の少なくとも半導体発光素子を搭載した面側の
表面を、半導体発光素子の発光色と同じ色相で且つ半導
体発光素子よりも高い彩度の色に着色したので、発光素
子の材料純度を上げることなく発光色の彩度を高くでき
る。 【００２２】また本発明のチップ型半導体発光装置で
は、半導体発光素子の発光色と同じ色相に基板を着色し
たので不点灯時でも発光色を簡単に認識できる。
装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】半導体発光装置は液晶表示装置のバック
ライト、光ファイバ通信用やフォトカプラ用などの装置
内の点光源、家電機器における表示器などにこれまでか
ら広く用いられている。装飾や機能などの観点から彩度
の高い発光色の半導体発光装置が欲しいという市場要求
が近年高まっていた。 【０００３】しかし、半導体発光素子の彩度を高くする
には、半導体発光素子材料としてより純度の高いものを
一般に使用する必要があった。このため、材料費用が一
般に高くなる結果製品価格が高くなっていた。 【０００４】また、半導体発光装置の発光色は点灯時に
は識別できるものの、不点灯時には識別できないものが
大半である。このため、発光色の異なる半導体発光装置
を一つの装置に搭載する場合には特に、各半導体発光装
置の発光色を確認する作業に長時間を要し作業効率の低
下を招いていた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来の問題に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子
の材料純度を上げることなくチップ型半導体発光装置の
発光色の彩度を高くすることをその目的とするものであ
る。 【０００６】また本発明の目的は、チップ型半導体発光
装置の発光色を不点灯時でも簡単に認識できるようにす
ることにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者は、半導体発光
素子から発せられた光は、透光性樹脂からなる封止体を
通過して外部に直接出射するものと、基板に当たって反
射して出射するものとに大きく分かれ、基板で反射する
光の一部は基板で吸収されることに着目し、基板に当た
った光のうち、光波長分布の短波長側および長波長側の
少なくとも一方側の光が基板に吸収されるようにすれ
ば、基板で反射した光の波長を鋭く立ち上がったなもの
とし発光色の彩度を高くできることを見出し本発明をな
すに至った。 【０００８】すなわち本発明では、表面に電極を形成し
た基板上に半導体発光素子を実装したチップ型半導体発
光装置において、前記基板の少なくとも半導体発光素子
を搭載した面側の表面を、前記半導体発光素子の発光色
と同じ色相で且つ前記半導体発光装置よりも高い彩度の
色に着色した構成とした。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、図に基づいて本発明の半導
体発光装置について説明する。図１は、本発明のチップ
型半導体装置の斜視図である。このチップ型半導体発光
装置では、平面視長矩形状をした基板１の上面長手方向
両端にそれぞれ電極部２，２’が形成されている。一方
の電極部２の基板１の表面側にはチップボンディング部
（不図示）が形成され、ここに半導体発光素子３がボン
ディングされている。もう一方の電極２’の表面側には
ワイヤボンディング部（不図示）が形成され、半導体発
光素子３の上面電極（不図示）とボンディングワイヤ４
によって結線されている。そして、半導体発光素子３お
よびボンディングワイヤ４は透光性樹脂５で封止されて
いる。 【００１０】このようなチップ型半導体発光装置におい
て、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）で形
成された基板１は通常は乳白色であるが、図１のチップ
型半導体発光装置ではＢＴレジンに着色剤６を分散混合
し、半導体発光素子３と同じ色相で且つ半導体発光素子
３よりも高い彩度に基板１を着色している。このため、
半導体発光素子３から発せられた光が基板１に当たる
と、光波長分布における裾野の部分の光が基板１に吸収
される結果、反射光は鋭く立ち上がった波長分布の光と
なる。これによって半導体発光装置からの光の彩度が全
体として高くなる。 【００１１】図１の半導体発光装置では基板１全体を着
色しているが、必ずしも基板１全体を着色する必要はな
く、少なくとも半導体発光素子３から発せられた光が当
たる部分、すなわち半導体発光素子３を搭載した面側の
表面を着色すればよい。このとき、半導体発光装置から
の光の彩度を上げる観点から、基板１表面に形成されて
いる電極２，２’も同時に着色するのがよい。 【００１２】基板１を所定の色に着色する方法として
は、基板１に着色剤６を含有させる以外に例えば、エポ
キシ樹脂などの樹脂に着色剤を分散混合し、これを基板
表面に塗布する方法、あるいは着色剤を分散混合したシ
ートを基板表面に貼着する方法など従来公知の方法を用
いることができる。なお、基板の上面を透光性樹脂で封
止する場合には百数十度程度まで加熱されるので、着色
剤を分散混合した樹脂およびシートはこの加熱に耐える
ものである必要がある。基板表面に着色剤を混合分散し
た樹脂を塗布する方法としては、例えばシルク印刷、吹
き付け、刷毛塗り、カーテンフローコータ、グラビアコ
ート、ロールコート、バーコートなどの従来公知の方法
が挙げられる。 【００１３】本発明で使用する基板としては、前記ＢＴ
レジンの他、ガラス繊維を含有したエポキシ樹脂など従
来公知のものが使用できる。 【００１４】本発明で使用する着色剤としては従来公知
のものを用いることができ、例えば、黄色顔料として、
黄鉛、亜鉛黄、カドミウムイエロー、黄色酸化鉄、ミネ
ラルファストイエロー、ニッケルチタンイエロー、ネー
ブルスイエロー、ナフトールイエローＳ、ハンザイエロ
ーＧ、ハンザイエロー１０Ｇ、ベンジジンイエローＧ、
ベンジジンイエローＧＲ、キノリンイエローレーキ、パ
ーマンネントイエローＮＣＧ、タートラジンレーキ；橙
色顔料として、赤口黄鉛、モリブテンオレンジ、パーマ
ネントオレンジＧＴＲ、ピラゾロンオレンジ、バルカン
オレンジ、インダスレンブリリアントオレンジＲＫ、ベ
ンジジンオレンジＧ、インダスレンブリリアントオレン
ジＧＫ；赤色顔料として、ベンガラ、カドミウムレッ
ド、鉛丹、硫化水銀カドミウム、パーマネントレッド４
Ｒ、リソールレッド、ピラゾロンレッド、ウオッチング
レッドカルシウム塩、レーキレッドＤ、ブリリアントカ
ーミン６Ｂ、エオシンレーキ、ローダミンレーキＢ、ア
リザリンレーキ、ブリリアントカーミン３Ｂ；紫色顔料
として、マンガン紫、ファストバイオレットＢ、メチル
バイオレットレーキ；青色顔料として、紺青、コバルト
ブルー、アルカリブルーレーキ、ビクトリアブルーレー
キ、フタロシアニンブルー、無金属フタロシアニンブル
ー、フタロシアニンブルー部分塩素化物、ファーストス
カイブルー、インダスレンブルーＢＣ；緑色顔料とし
て、クロムグリーン、酸化クロム、ピグメントグリーン
Ｂ、マラカイトグリーンレーキ、ファナルイエローグリ
ーンＧ；白色顔料として、亜鉛華、酸化チタン、アンチ
モン白、硫化亜鉛；白色顔料として、バライト粉、炭酸
バリウム、クレー、シリカ、ホワイトカーボン、タル
ク、アルミナホワイト等が使用できる。具体的に使用す
る着色剤は半導体発光素子の発光色に合わせて適宜決定
すればよい。着色剤を基板に含有させて使用する場合、
着色剤は基板当たり２〜２０重量％、特に５〜１５重量
％の範囲で使用するのが好ましい。 【００１５】本発明で用いる半導体発光素子としては特
に限定はなく、従来公知のものが使用できる。例えばＧ
ａＮ系やＳｉＣ系などの青色発光素子や、ＧａＡｓ系、
ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＩｎＰ系などの赤
色発光素子や緑色発光素子などが挙げられる。 【００１６】本発明のチップ型半導体発光装置は例えば
液晶表示装置のバックライト、光ファイバ通信用やフォ
トカプラ用などの装置内の点光源、家電機器における表
示器などに用いることができる。 【００１７】 【実施例】（半導体発光装置の作製）発明者の手元にあ
る光波長測定装置がリード型半導体発光装置の光波長を
測定する装置であったため、チップ型半導体発光装置の
代わりにリード型半導体発光装置を作製することとし、
基板を着色する代わりに半導体発光素子などを封止する
透光性樹脂に着色剤を含有させてその光波長を測定し
た。具体的には次のようにしてリード型半導体発光装置
を作製した。図２に示すように、緑色発光素子７３を第
１のリード７２の先端に導通可能に固着し、緑色発光素
子７３の上面電極と第２のリード７２’の先端とを金属
細線７４で接続した。そして、緑色発光素子７３および
金属細線７４、第１のリード７２、第２のリード７２’
の先端部分を、緑色着色剤７６を６重量％分散混合した
エポキシ樹脂７５で封止し直径３ｍｍのリード型半導体
発光装置を作製した。これを半導体発光装置Ａとする。
一方、透光性樹脂７５に緑色着色剤７６を分散混合しな
かった以外は前記と同様の作製方法で半導体発光装置を
作製した。これを半導体発光装置Ｂとする。 【００１８】（光波長の測定）図２に示す光波長測定装
置において、前記作製した半導体発光装置Ａ及びＢをそ
れぞれ測定部８に装着し、第１のリード７２と第２のリ
ード７２’との間に１０ｍＡを通電し、測定部８の上面
に設置した光波長測定器（「ＭＣＰＤ3600」）９でその
光波長を測定した。測定結果を表１に示す。 【００１９】 【表１】 【００２０】表１から明らかなように、エポキシ樹脂に
緑色着色剤を分散混合させなかった半導体発光装置Ｂで
は、主波長が５７０．８ｎｍ、ピーク波長が５６３．５
ｎｍであったのに対し、エポキシ樹脂に緑色着色剤を分
散混合させた半導体発光装置Ａでは、主波長が５６７．
１ｎｍ、ピーク波長が５６０．６ｎｍと半導体発光装置
Ｂに比べてそれぞれ３．７ｎｍ、２．９ｎｍ短波長側に
ズレて、彩度が高くなっていた。これは、緑色発光素子
から発せられた光の光波長分布うち長波長側の裾野部分
が緑色着色剤によって吸収されたため、主波長及びピー
ク波長が短波長側にズレて彩度が高くなったものと考え
られる。 【００２１】 【発明の効果】本発明のチップ型半導体発光装置では、
表面に電極を形成した基板上に半導体発光素子を実装
し、基板の少なくとも半導体発光素子を搭載した面側の
表面を、半導体発光素子の発光色と同じ色相で且つ半導
体発光素子よりも高い彩度の色に着色したので、発光素
子の材料純度を上げることなく発光色の彩度を高くでき
る。 【００２２】また本発明のチップ型半導体発光装置で
は、半導体発光素子の発光色と同じ色相に基板を着色し
たので不点灯時でも発光色を簡単に認識できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のチップ型半導体発光装置の一例を示
す斜視図である。 【図２】 半導体発光装置の光波長を測定する装置の概
説図である。 【符号の説明】 １ 基板 ２，２’，７２，７２’ 電極 ３，７３ 半導体発光素子 ４，７４ 金属細線 ５，７５ 透光性樹脂 ６，７６ 着色剤
す斜視図である。 【図２】 半導体発光装置の光波長を測定する装置の概
説図である。 【符号の説明】 １ 基板 ２，２’，７２，７２’ 電極 ３，７３ 半導体発光素子 ４，７４ 金属細線 ５，７５ 透光性樹脂 ６，７６ 着色剤
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 表面に電極を形成した基板上に半導体発
光素子を実装したチップ型半導体発光装置において、 前記基板の少なくとも半導体発光素子を搭載した面側の
表面を、前記半導体発光素子の発光色と同じ色相で且つ
前記半導体発光素子よりも高い彩度の色に着色したこと
を特徴としたチップ型半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001321481A JP2003124523A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | チップ型半導体発光装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001321481A JP2003124523A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | チップ型半導体発光装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001321481A Pending JP2003124523A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | チップ型半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014195106A (ja) * | 2006-11-15 | 2014-10-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | Ｌｅｄ装置の製造方法およびｌｅｄ装置 |
| US9387608B2 (en) | 2006-11-15 | 2016-07-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
-
2001
- 2001-10-19 JP JP2001321481A patent/JP2003124523A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014195106A (ja) * | 2006-11-15 | 2014-10-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | Ｌｅｄ装置の製造方法およびｌｅｄ装置 |
| US9387608B2 (en) | 2006-11-15 | 2016-07-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
| US10381533B2 (en) | 2006-11-15 | 2019-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection |
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