JP2010258470A - リソグラフィ投影装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置及びデバイス製造方法が、投影レンズの最終要素と基板の間の描画領域の少なくとも一部を充填する、液溜め13の中に閉じ込められた大きな屈折率の液体を利用する。溶解した大気ガスに由来するか又は液体に曝された装置要素からのガス放出に由来する、液体中で発生する気泡が、露光に干渉して基板上の焼き付け欠陥を招かないように検出されかつ除去される。検出は液体中の超音波減衰の周波数依存を測定することによって実行可能であり、気泡除去は、液体の脱気及び加圧を行い、液体を大気から隔離し、低表面張力の液体を使用し、描画領域を通過する連続的な液流を供給し、さらに超音波定常波形の節を移相することによって実施可能である。
【選択図】図4
Description
放射ビームを供給するように配置されている照射システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与することが可能であり、よってパターン形成した放射ビームを提供するパターン形成手段を支持するように構成されている支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
パターン形成した放射ビームを基板の標的部分上に投影するように配置されている投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムと、を備えるリソグラフィ装置が提供されており、
前記液体供給システムは気泡低減手段を備え、さらに前記気泡低減手段は気泡検出手段を備える。
この隔離室中の液体上方の空間は大気圧よりも低い圧力に維持され、以前に溶解したガスが溶液から抜け出て汲み出されるのを促進する。これらの脱気過程によって、溶液から抜け出す溶解大気ガスによる気泡の発生が劇的に低減する。脱気過程の後は、液体を可能な限り通常の大気から隔離しておくことが好ましい。
放射ビームを供給するように配置されている照射システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与することが可能であり、よってパターン形成した放射ビームを提供するパターン形成手段を支持するように構成されている支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
パターン形成した放射ビームを基板の標的部分上に投影するように配置されている投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムと、
光源、光検出器、及び光比較器を含む、前記液体中の不純物を検出するように配置されている検出システムと、を備え、前記光源と前記光検出器は、前記光源によって放射された光が前記液体の一部を通過して前記光源と前記検出器の間を伝搬するように配置され、さらに前記比較器は、前記液体の一部を通過して伝搬した後に、前記検出器に到達する前記放射光の比率の変化を検出するように配置されている、リソグラフィ投影装置が提供される。
少なくとも一部が放射感応材料の層によって被覆されている基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射ビームを供給する工程と、
放射ビームの断面にパターンを付与し、よってパターン形成した放射ビームを提供するパターン形成手段を使用する工程と、
放射感応材料の層の標的部分上にパターン形成した放射ビームを投影する工程と、
投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムを提供する工程と、
前記液体供給システム中の気泡を検出しかつ低減する工程と、を含むデバイス製造方法が提供される。
放射ビームを供給するように配置されている照射システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与することが可能であり、よってパターン形成した放
射ビームを提供するパターン形成手段を支持するように構成されている支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
パターン形成した放射ビームを基板の標的部分上に投影するように配置されている投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムと、
投影装置の動作状態を活動状態と中断状態の間で切り換えできる液質モニタと、を備え、液質が所定のしきい状態を上回っていると測定されるときに前記活動状態を選択し、液質が所定のしきい状態を下回っていると測定されるときに前記中断状態を選択する、リソグラフィ投影装置が提供される。
放射(例えば、紫外線放射又は遠紫外線放射)の投影ビームPBを供給するための照射システム(照射器)IL、
パターン形成手段(例えば、マスク)MAを支持し、かつ要素PLに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第1位置決め手段PMに連結されている第1支持構造(例えば、マスク・テーブル)MT、
基板(例えば、レジスト塗布ウェーハ)Wを保持し、かつ要素PLに対して基板を正確に位置決めするための第2位置決め手段PWに連結されている基板テーブル(例えば、ウェーハ・テーブル)WT、及び
パターン形成手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの標的部分C(例えば、1個又は複数のダイを含む)の上に描画するための投影システム(例えば、屈折投影レンズ)PLを備える。
、照射器ILは、積分器IN及び集光器COなどの様々な他の構成要素を備える。照射器は、投影ビームPBと呼ばれ、その断面に望ましい均一性と強度分布を有する放射の条件ビームを供給する。
1ステップ方式では、投影ビームに付与されたパターン全体を1回の試みで標的部分Cの上に投影する間、マスク・テーブルMTと基板テーブルWTを本質的に静止状態に保持する(すなわち、単一静的露光)。次いで、異なる標的部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動する。ステップ方式では、露光領域の最大の大きさが、単一静的露光で描画される標的部分Cの大きさを限定する。
2.走査方式では、投影ビームに付与されたパターンを標的部分C上に投影する間、マスク・テーブルMTと基板テーブルWTを同期して走査する(すなわち、単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度と方向は、投影システムPLの(縮小/)拡大率と画像反転特徴によって決まる。走査方式では、露光領域の最大の大きさが、単一動的露光における標的部分の幅(非走査方向における)を限定するのに対して、走査の移動長さが標的部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.別の方式では、投影ビームに付与されたパターンを標的部分C上に投影する間、マスク・テーブルMTを本質的に静止状態に保ってプログラム可能なパターン形成手段を保持し、かつ基板テーブルWTを移動又は走査する。この方式では、一般にパルス放射源を使用し、かつプログラム可能なパターン形成手段を、基板テーブルWTのそれぞれの移動後に又は走査時の連続的な放射パルスの合間に、必要に応じて更新する。このような動作方式は、上で言及した種類のプログラマブル・ミラー・アレイなどの、プログラム可能なパターン形成手段を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に応用可能である。
して測定される。これは、広帯域変換器及び励振を使用して実行可能である。単一の周波
数でのみ減衰を測定すると、検出が音波信号の波長と同じ程度の大きさか又はそれよりも
大きい直径を有する気泡に限定される。
C 標的部分
CO 集光器
IL 照射システム(照射器)
IN 積分器
M1、M2 マスク位置合わせ標識
MA パターン形成手段(マスク)
MT マスク・テーブル
P1、P2 基板位置合わせ標識
PB 投影ビーム
PL 投影システム(レンズ)
V 電圧電源
W 基板
WT 基板テーブル
1 液体供給システム
2 気泡
3a、3b 気泡低減手段
4 気泡検出
5a、5b、5c 超音波変換器
6 定常波形
7 定常波形の節領域
8 位相調整手段
9 信号発生器
10 脱気装置
11 隔離室
12 ポンプ
13 液溜め
14 封止部材
15 隔離室の扉
16 非接触封止体
17 封止体
18 弁
19 ピストン
20 圧力計
21 内穴
22 液体加圧器
23 流路
25、26 矢印
27a、27b 電極
28 電源
29 隔離材
30 マイクロ波放射源
31a 気泡
31b より大きな気泡
32 マイクロ波光子
33 粒子入力装置
34 粒子除去装置
35 粒子再生装置
36 領域
37、38 回路
39 光源
40 光検出器
41 光ファイバ
42 散乱光線の経路
43a、43b 矢印
44 光比較器
45 液質モニタ
46 警報システム
47 超音波変換器
50、52、54 電極
56 導管
58 筺体
62、64 筺体のプレート
Claims (23)
- 放射ビームを供給するように配置されている照射システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能であり、よってパターン形成した放射ビームを提供するパターン形成手段を支持するように構成されている支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
前記パターン形成した放射ビームを前記基板の標的部分上に投影するように配置されている投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムと、を備えるリソグラフィ投影装置であって、
前記液体供給システムは気泡低減手段を備え、さらに前記気泡低減手段は気泡検出手段を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記気泡検出手段が少なくとも1つの超音波変換器を備え、前記液体中に存在する気泡に関する情報を得るために、前記液体中の超音波の減衰が前記変換器によって測定されている、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記超音波変換器が周波数の関数として超音波の減衰を測定する、請求項2に記載のリ
- 前記気泡低減手段が気泡除去手段を備える、請求項1から3までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡除去手段が脱気装置を備え、前記脱気装置は隔離室を備え、前記隔離室中の液体上方の空間は大気圧よりも低い圧力に維持され、以前に溶解したガスが溶液から抜け出て汲み出されるのを促進する、請求項4に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡除去手段が、前記液体中の気泡を前記投影システムの前記最終要素と前記基板の間の前記空間の外に搬送するために、前記投影システムの前記最終要素と前記基板の上に連続的な液流を供給する、請求項4又は5に記載のリソグラフィ投影装置。
- 気泡の大きさを最小化して気泡形成ガスが前記液体中に溶解するのを促進するために、前記気泡低減手段が、前記液体を大気圧よりも高圧に加圧する液体加圧装置を備える、前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体の組成が水よりも小さい表面張力を有するように選択される、前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡低減手段が、前記液体を、それが前記投影システムの前記最終要素と前記基板の間の前記空間に供給される前に処理する、前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記処理された液体が封止された容器内に保持され、前記封止容器内の余剰空間に、窒素ガス、アルゴン・ガス、ヘリウム・ガス、又は真空の1つ又は複数が充填されている、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置。
- 超音波変換器がパルス・エコー構成で配置され、前記変換器は、超音波を送信し、かつ反射後に、前記液体を通過する経路に沿って伝搬する間に減衰された超音波を受信するように動作する、請求項2又は3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡検出手段が2つの空間的に離隔した超音波変換器を備え、第1の変換器は超音波を送信し、第2の変換器は、前記2つの変換器の間の前記液体を通過する経路に沿って伝搬する間に減衰された超音波を受信する、請求項2又は3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡除去手段が、気泡を節領域内部に閉じ込める超音波定常波形を前記液体内部で発生するように配置されている2つの空間的に離隔した超音波変換器を含み、前記気泡除去手段は前記変換器と連係する位相調整手段を使用することによって前記気泡を変位するように配置され、前記位相調整手段は節領域とその中に閉じ込められた気泡を空間移動させる、請求項4、5、又は6に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡除去手段が、前記液体に電界を印加するための電界発生器を備え、前記電界は前記基板に付着した気泡を押し退けることができる、請求項4、5、6、又は13に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡除去手段が、温度を選択的に制御し、したがって特定の組成の気泡の大きさを選択的に制御するための選択的加熱器を備える、請求項4、5、6、13、又は14に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記選択的加熱器がマイクロ波源を備える請求項15に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡除去手段が、粒子を前記液体中に導入するための粒子入力装置と、前記粒子を前記液体から除去するための粒子除去装置を備える、請求項4、5、6、13、14、又は15に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記粒子が気泡の付着を促進する特徴を有する表面を備える、請求項17に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記気泡検出手段が、光源、光検出器、及び光比較器を備え、前記光源と前記光検出器は、前記光源によって放射された光が前記液体の一部を通過して前記光源と前記検出器の間を伝搬するように配置され、前記比較器は、前記液体の一部を通過して伝搬した後に前記検出器に到達する前記放射光の比率の変化を検出するように配置されている、前記請求項のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 放射ビームを供給するように配置されている放射システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能であり、よってパターン形成した放射ビームを提供するパターン形成手段を支持するように構成されている支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
前記パターン形成した放射ビームを前記基板の標的部分上に投影するように配置されている投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムと、を備えるリソグラフィ投影装置であって、
光源、光検出器、及び光比較器を含む、前記液体中の不純物を検出するように配置されている検出システムをさらに備え、前記光源と前記光検出器は、前記光源によって放射された光が前記液体の一部を通過して前記光源と前記検出器の間を伝搬するように配置され、前記比較器は、前記液体の一部を通過して伝搬した後に前記検出器に到達する前記放射光の比率の変化を検出するように配置されていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記検出システムが、前記投影システムの前記最終要素と前記基板の間の前記液体中の粒子を検出するように配置されている、請求項20に記載のリソグラフィ投影装置。
- 少なくとも一部が放射感応材料の層によって被覆されている基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射ビームを供給する工程と、
前記放射ビームの断面にパターンを付与し、よってパターン形成した放射ビームを提供するパターン形成手段を使用する工程と、
前記放射感応材料の層の標的部分上に前記パターン形成した放射ビームを投影する工程と、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムを提供する工程と、を含むデバイス製造方法であって、
前記液体供給システム中の気泡を検出しかつ低減する工程をさらに含むことを特徴とする、デバイス製造方法。 - 放射ビームを供給するように配置されている照射システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能であり、よってパターン形成した放射ビームを提供するパターン形成手段を支持するように構成されている支持構造と、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
前記パターン形成した放射ビームを前記基板の標的部分上に投影するように配置されている投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部に液体を充填するように構成されている液体供給システムと、を備えるリソグラフィ投影装置であって、
前記投影装置の動作状態を活動状態と中断状態の間で切り換えできる液質モニタをさらに備え、液質が所定のしきい状態を上回っていると測定されるとき、前記活動状態を選択し、液質が所定のしきい状態を下回っていると測定されるとき、前記中断状態を選択することを特徴とするリソグラフィ投影装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US820227 | 1997-03-18 | ||
EP03253694A EP1489461A1 (en) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP03253694.8 | 2003-06-11 | ||
US10/820,227 US7317504B2 (en) | 2004-04-08 | 2004-04-08 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007247484A Division JP4580968B2 (ja) | 2003-06-11 | 2007-09-25 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010161960A Division JP5166489B2 (ja) | 2003-06-11 | 2010-07-16 | リソグラフィ投影装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258470A true JP2010258470A (ja) | 2010-11-11 |
JP5269836B2 JP5269836B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=34105755
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004172029A Expired - Fee Related JP4199700B2 (ja) | 2003-06-11 | 2004-06-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2007247484A Expired - Fee Related JP4580968B2 (ja) | 2003-06-11 | 2007-09-25 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010151194A Expired - Fee Related JP5269836B2 (ja) | 2003-06-11 | 2010-07-01 | リソグラフィ投影装置 |
JP2010161960A Expired - Fee Related JP5166489B2 (ja) | 2003-06-11 | 2010-07-16 | リソグラフィ投影装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004172029A Expired - Fee Related JP4199700B2 (ja) | 2003-06-11 | 2004-06-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2007247484A Expired - Fee Related JP4580968B2 (ja) | 2003-06-11 | 2007-09-25 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010161960A Expired - Fee Related JP5166489B2 (ja) | 2003-06-11 | 2010-07-16 | リソグラフィ投影装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7684008B2 (ja) |
EP (3) | EP1486827B1 (ja) |
JP (4) | JP4199700B2 (ja) |
KR (1) | KR100695987B1 (ja) |
CN (2) | CN1637608B (ja) |
SG (1) | SG118281A1 (ja) |
TW (1) | TWI253546B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
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- 2004-06-04 EP EP10179589A patent/EP2261741A3/en not_active Withdrawn
- 2004-06-04 US US10/860,662 patent/US7684008B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2004-06-08 SG SG200404065A patent/SG118281A1/en unknown
- 2004-06-10 TW TW093116681A patent/TWI253546B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-10 KR KR1020040042691A patent/KR100695987B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-10 JP JP2004172029A patent/JP4199700B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-11 CN CN2004100490435A patent/CN1637608B/zh active Active
- 2004-06-11 CN CN2010105438777A patent/CN102063018B/zh active Active
-
2007
- 2007-09-25 JP JP2007247484A patent/JP4580968B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-04 US US12/700,602 patent/US8363208B2/en active Active
- 2010-07-01 JP JP2010151194A patent/JP5269836B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-16 JP JP2010161960A patent/JP5166489B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-22 US US13/240,978 patent/US20120008117A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-23 US US13/241,837 patent/US9110389B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-23 US US14/807,458 patent/US9964858B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2261742A2 (en) | 2010-12-15 |
KR20040106242A (ko) | 2004-12-17 |
KR100695987B1 (ko) | 2007-03-15 |
US20100128235A1 (en) | 2010-05-27 |
JP4199700B2 (ja) | 2008-12-17 |
JP4580968B2 (ja) | 2010-11-17 |
TW200510957A (en) | 2005-03-16 |
JP2008010892A (ja) | 2008-01-17 |
EP1486827B1 (en) | 2011-11-02 |
CN102063018B (zh) | 2013-07-10 |
JP5166489B2 (ja) | 2013-03-21 |
CN102063018A (zh) | 2011-05-18 |
SG118281A1 (en) | 2006-01-27 |
JP5269836B2 (ja) | 2013-08-21 |
US9110389B2 (en) | 2015-08-18 |
US9964858B2 (en) | 2018-05-08 |
US20120008117A1 (en) | 2012-01-12 |
CN1637608B (zh) | 2011-03-16 |
US20120013872A1 (en) | 2012-01-19 |
EP1486827A3 (en) | 2005-03-09 |
EP1486827A2 (en) | 2004-12-15 |
US20150331334A1 (en) | 2015-11-19 |
EP2261741A3 (en) | 2011-05-25 |
EP2261742A3 (en) | 2011-05-25 |
JP2005005713A (ja) | 2005-01-06 |
TWI253546B (en) | 2006-04-21 |
JP2010239158A (ja) | 2010-10-21 |
US8363208B2 (en) | 2013-01-29 |
US7684008B2 (en) | 2010-03-23 |
EP2261741A2 (en) | 2010-12-15 |
US20050024609A1 (en) | 2005-02-03 |
CN1637608A (zh) | 2005-07-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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