JP2006313866A - 露光装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 TTRキャリブレーション精度を高める露光装置及び方法を提供する。
【解決手段】 レチクルのパターンの像を被露光体に投影する投影光学系と、前記投影光学系と前記被露光体との合焦を行うために前記投影光学系を介して所定のマークを検出する検出系と、前記検出系の検出動作時に前記投影光学系よりも前記レチクル側に配置された部材を駆動制御する制御部とを有することを特徴とする露光装置を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 レチクルのパターンの像を被露光体に投影する投影光学系と、前記投影光学系と前記被露光体との合焦を行うために前記投影光学系を介して所定のマークを検出する検出系と、前記検出系の検出動作時に前記投影光学系よりも前記レチクル側に配置された部材を駆動制御する制御部とを有することを特徴とする露光装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、一般には、レチクル(マスク)に描画されたパターンをウェハやガラスプレートなどの被露光体に露光する露光方法及び装置に係り、特に、投影露光装置の位置合わせ(アライメント)及び合焦(フォーカシング)などのためのキャリブレーションに関する。本発明は、例えば、投影光学系の最終面と被露光体の表面とを液体に浸漬し、投影光学系及び液体を介して被露光体に露光するいわゆる液浸露光装置に使用されるアライメントに好適である。
レチクルパターンを投影光学系によってウェハに露光する投影露光装置は従来から使用され、近年ではステップアンドスキャン方式の投影露光装置が主流になっている。露光装置は、レチクルを駆動するレチクルステージと、ウェハを駆動するウェハステージと、アライメント及びフォーカシングのためのキャリブレーション系を有する。近年の解像度と重ね合わせ精度の向上のために高精度なキャリブレーションが益々要求されている。
キャリブレーション光学系の中には投影光学系を利用するTTR(Through The Reticle)又はTTL(Through The Lens)光学系が存在する。かかるTTRキャリブレーション系は計測方法によって2種類に分類できるが、従来はいずれの種類も測定時にウェハステージをXYZ方向に駆動する点で共通する。
第1のTTRキャリブレーション系は、レチクル又はレチクルステージに設けたレチクル側基準板上のアライメントマーク(以下、「Rマーク」と称する。)とウェハ又はウェハステージに設けたウェハ側基準板142上のアライメントマーク(以下、「Wマーク」と称する。)とを透過した光の光量を検出する光量検出型であり、Rマークに対するWマークの位置を投影光学系を介して検出する。第2のTTRキャリブレーション系は画像検出型であり、レチクル上部に設けられた(CCDを備えた)アライメントスコープによって、レチクル及び投影光学系を介してWマークの画像を観察する。
従来技術としては、例えば、特許文献1及び2がある。
特開平08−298238号公報
特開2004−193160号公報
従来のTTRキャリブレーション系は、いずれも測定時にウェハステージを駆動していたが、かかる方式では近年のキャリブレーションに求められる精度を満足できなくなってきた。即ち、ステップアンドスキャン方式では露光中にウェハステージは駆動するが、スループットの低下を防止するためにキャリブレーションではそれよりもはるかに早い速度でウェハステージが駆動される。かかる高速駆動によって投影光学系の最終面とウェハとの間にある空気が揺らいで測定精度を低下させる。特に、投影光学系の最終面とウェハとの間を液体で満たす液浸投影露光装置では液体の撹乱によって測定精度は大幅に低下する。また、たとえ投影光学系の最終面とウェハとの間の気体や液体が揺らがなくてもTTRキャリブレーション系のキャリブレーション精度を高める需要が存在する。
そこで、本発明は、TTRキャリブレーション精度を高める露光装置及び方法を提供することを例示的目的とする。
本発明の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンの像を被露光体に投影する投影光学系と、前記投影光学系と前記被露光体との合焦を行うために前記投影光学系を介して所定のマークを検出する検出系と、前記検出系の検出動作時に前記投影光学系よりも前記レチクル側に配置された部材を駆動制御する制御部とを有することを特徴とする。
本発明の一側面としての露光方法は、レチクルステージに支持及び駆動されるレチクルのパターンを投影光学系を介して被露光体に投影する露光装置において、前記投影光学系と前記被露光体との合焦を行う際に、前記投影光学系よりも前記レチクル側に配置された部材を駆動しながら所定のマークを前記投影光学系を介して検出するステップと、前記検出結果に基づいて前記被露光体を移動するステップと、前記被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする。
本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、前記露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とする。デバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、LSIやVLSIなどの半導体チップ、CCD、LCD、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、TTRキャリブレーション精度を高める露光装置及び方法を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
まず、図1を参照して本発明の第1の実施例の露光装置100について説明する。ここで、図1は、露光装置100の構成を示す概略ブロック図である。
露光装置100は、図1に示すように、照明装置110と、レチクルステージ120と、投影光学系130と、ウェハステージ140と、液体Fと、制御系と、オフアクシス光学系160と、受光素子170と、フォーカス計測系172とを有する。露光装置100は、投影光学系130のウェハW側にある最終面が部分的に又は全体的に液体Fに浸漬し、液体Fを介してレチクルRCに形成されたパターンをウェハWに露光する液浸露光装置である。本実施形態の露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャナー)であるが、本発明はステップアンドリピート方式の露光装置(いわゆるステッパー)その他の方式の露光装置に適用することができる。
また、露光装置100は、ウェハステージ140にウェハ側基準板142を設け、表面にレチクルRCとウェハWとの位置合わせの基準となる基準マーク(レチクル側パターン)124を形成し、ウェハ側基準板142と投影光学系130との間も液体Fで浸漬している。このような構成により、レチクルRC又はレチクル側基準板122上のRマーク124とWマーク144とを、投影光学系130により結像関係としている。従って、露光光を利用して、投影光学系130を介してRマーク124とWマーク144との位置関係を検出することができ、ベースライン計測などのキャリブレーションを実施することができる。
照明装置110は、転写用の回路パターンが形成されたレチクルRCを照明し、光源部と、照明光学系とを有する。
光源部は、例えば、光源としてレーザーを使用する。レーザーは、波長約193nmのArFエキシマレーザー、波長約248nmのKrFエキシマレーザー、波長約157nmのF2レーザーなどのパルスレーザーからの光を使用することができる。レーザーの種類、個数は限定されず、光源部の種類も限定されない。
照明光学系は、光源部からの光をレチクルRCに導光する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや2組のシリンドリカルレンズアレイ(又はレンチキュラーレンズ)板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。照明光学系は、軸上光、軸外光を問わず使用することができる。
レチクルRCは、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン(又は像)が形成され、レチクルステージ120に支持及び駆動される。レチクルRCから発せられた回折光は、投影光学系130を介して、ウェハW上に投影される。レチクルRCとウェハWとは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置100はスキャナーであるため、レチクルRCとウェハWを走査することにより、レチクルRCのパターンをウェハW上に転写する。なお、ステッパーであれば、レチクルRCとウェハWとを静止させた状態で露光を行う。
レチクルステージ120は、レチクルRCを支持して図示しない駆動機構に接続され、レチクルRCを駆動制御する。レチクルステージ120及び投影光学系130は、例えば、床等に載置されたベースフレームにダンパ等を介して支持される鏡筒定盤上に設けられる。図示しない駆動機構は、リニアモータなどで構成され、XY方向にレチクルステージ120を駆動することでレチクルRCを移動することができる。
レチクルステージ120上のレチクルRC近傍の所定の範囲には、レチクル側基準板122が、レチクル側基準板122のパターン面とレチクルRCのパターン面との高さを略一致されるように固設される。レチクル側基準板122のパターン面には、複数の位置合わせ用のRマーク124が形成されている。なお、Rマーク124は、図2に示すWマーク144と投影光学系130の倍率分だけ大きさの異なるが同様の構造を有するため、説明は省略する。投影光学系130、露光波長、照明σなどの露光条件により、図2に示すパターンの線幅、遮光幅、パターン本数などを最適化することが可能である。
投影光学系130は、レチクルRCに形成されたパターンを経た回折光をウェハW上に結像する機能を有する。投影光学系130は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系(カタディオプトリック光学系)、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値(アッベ値)の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
ウェハWは、被処理体であり、フォトレジストが基板上に塗布されている。ウェハWは、別の実施形態では、液晶基板やその他の被処理体に置換される。ウェハWは、ウェハステージ140に支持される。
ウェハステージ140は、ウェハWを支持して、ウェハWを駆動制御する。ウェハステージ140は、リニアモータを利用してXYZ方向にウェハWを移動する。レチクルRCとウェハWは、例えば、同期して走査され、レチクルステージ120とウェハステージ140の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウェハステージ140は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられる。
ウェハステージ140上のウェハW近傍の所定の範囲には、ウェハ側基準板142が、ウェハ側基準板142のパターン面とウェハWの上面(即ち、投影光学系130の結像面)との高さを略一致させるように固設される。
ウェハ側基準板142のパターン面には、複数の位置合わせ用のWマーク144が形成されている。Wマーク144は、図2に示すように、遮光部144aと透過部144bの繰り返しパターンで構成され、本実施形態では、遮光部144a及び透過部144bの線幅、ピッチなどを投影光学系130の倍率分だけ異なるように構成している。ここで、図2は、ウェハ側基準板142に形成するWマーク144の一例を示す平面図である。
液体Fには、投影光学系130の最終面が浸漬され、露光波長の透過率がよく、投影光学系130に汚れを付着させず、レジストプロセスとのマッチングが良い物質が選択される。液体Fは、投影光学系130のNAを大きくするために、屈折率が1よりも大きいものが選択される。なお、液体Fと投影光学系130の最終面を有する屈折部材(レンズ)間の屈折率の違いは、コーティングでカバーすることが好ましい。
また、液体Fは、上述したように、投影光学系130の最終面とウェハ側基準板142上のWマーク144との間も満たしており、Rマーク124とWマーク144とを投影光学系130を介して結像関係にする機能を有する。
露光装置100は、レチクルRC上のパターンをウェハW上に投影露光する際に、レチクルRCとウェハWとを位置合わせ(アライメント)する必要がり、アライメント機構が設けられている。アライメント機構は、ウェハW又はウェハ側基準板142上のWマーク144を検出するオフアクシスアライメント光学系160と、レチクルRC又はレチクル側基準板122上のRマーク124に対するウェハW又はウェハ側基準板142上のWマーク144の位置を、投影光学系130を介して検出する光量検出型のキャリブレーション系から構成される。
オフアクシスアライメント光学系160は、ウェハWの位置を検出する機能を有し、図示しないアライメント光源と、ファイバ161と、照明部162と、対物レンズ163と、リレーレンズ164と、撮像素子165とを有する。
オフアクシスアライメント光学系160は、アライメント光源が射出する非露光光をファイバ161を用いて照明部162に導光し、Wマークを照明する。照明されたWマークを対物レンズ163及びリレーレンズ164により拡大して、CCDなどの撮像素子165に結像させる。オフアクシスアライメント光学系160は、Wマークの位置の変化に伴い撮像素子165上の像の位置も変化することを利用して、ウェハWの位置を検出する。但し、オフアクシスアライメント光学系160では、露光位置と異なる位置でウェハWのアライメントを行うため、露光位置とアライメント位置の関係(ベースライン)が環境変化等により変化すると、正確にアライメントを行うことができない。
キャリブレーション系は、ベースラインの安定性よりも高い精度で位置合わせを行うためにベースラインを測定する。まず、レチクルRCとの相対位置が保証されたレチクル側基準板122又はレチクルRC上のRマーク124を照明装置110により露光光で照明し、投影光学系130を介してウェハステージ140に設けたWマーク144に投影する。
ウェハ側基準板142のWマーク144が形成されている面の裏面142b側には、Wマーク144を透過した光を受光する受光素子170が配置されている。受光素子170は、本実施形態では、Wマーク144を透過した光の光量を検出するフォトダイオードなどの光量センサーである。受光素子170は、投影光学系130によりRマーク124がWマーク144に投影される際に、ウェハ側基準板142を通過した光量を検出する。
制御系は、主制御系150と、レチクルステージ駆動制御系152と、フォーカス制御系154と、ウェハステージ駆動制御系158とを有する。主制御系150は各制御系と交信してこれらを制御する。例えば、主制御系54は、レチクルパターンをウェハWに露光する際にフォーカス計測系52の出力に基づいて、露光面位置制御まで含めた走査露光時のレチクルステージ120とウェハステージ140の同期走査制御を行う。次に、主制御部150は、Rマーク124を照明光学系110により露光光で照明し、投影光学系130を介してWマーク上に投影する。また、主制御系150はキャリブレーション値を計算する。レチクルステージ駆動制御系152は、レチクルステージ120の駆動を制御する。フォーカス制御系154は、フォーカス計測系155を制御する。フォーカス計測系155は、被検出面に光束を斜入射し、非検出面からの反射光を用いて被検出面の高さと傾きを算出する。ウェハステージ駆動制御系158はウェハステージ140の駆動を制御する。
Rマーク124を、投影光学系130を介して、Wマーク144に投影し、レチクルステージ120をX方向に移動させながWマーク144を透過した光を受光素子170で検出する。ウェハステージ140の代わりにレチクルステージ120を駆動している点で従来の露光装置と相違する。これにより、計測時に液体Fを攪拌せず、光量検出方式の高精度なキャリブレーションを実施する。
図3は、受光素子170が検出したWマーク144を透過した光の光量変化を示すグラフである。同図は、縦軸に光量を、横軸にウェハステージ140の位置を採用している。図3を参照するに、Rマーク124の像とWマーク144の位置が一致したところで光量が最大となることが分かる。これにより、Rマーク124の投影光学系130による露光位置を正確に測定することができる。同様に、RマークとWマークの両方をXY平面上にて90度回転させ、レチクルステージ120をY方向に移動させた場合には、Rマークの投影光学系130による露光位置をY方向に正確に測定することができる。
次に、ウェハステージ140を駆動し、オフアクシスアライメント光学系160を用いて、Wマーク144の位置を検出することで、Rマーク124とオフアクシスアライメント光学系160の位置(ベースライン)を算出し、レチクルRCとウェハWとの位置合わせをすることができる。なお、オフアクシスアライメント光学系160は、Wマーク144の代わりに、Wマーク144との位置が保証された別のパターンを検出してもよい。
なお、オフアクシスアライメント光学系160を用いてWマーク144を検出する際には、オフアクシスアライメント光学系160とWマーク144との間を液体Fによって液浸するかどうかは選択的である。但し、液浸する場合には、オフアクシスアライメント光学系160とウェハWとの間も液浸することが望ましく、液浸しない場合には、オフアクシスアライメント光学系160とウェハWとの間も液浸しないことが望ましい。換言すれば、オフアクシスアライメント光学系160を用いて、ウェハWの位置を検出する状態と同じ状態でウェハ側基準板142の位置を検出することが望ましい。
キャリブレーション系でRマーク124の像とWマーク144とをXY方向に合わせた状態で、投影光学系130の光軸方向(Z方向)にウェハステージ140を駆動した場合にも、受光素子170によって、Wマーク144を透過した光の光量変化を得ることができる。かかる光量変化は、Rマーク124がWマーク144上にピントを結ぶベストフォーカス位置で光量が最大となるため、投影光学系130の焦点位置を検出することができる。
更に、ウェハステージ140を駆動させたときの光量変化を詳細に測定することで、投影光学系130の収差(結像性能)を算出することも可能である。例えば、投影光学系130に球面収差が存在すると、Z方向にウェハステージ140を移動させたとき、図4に示すように、光量変化が非対称を示す。かかる非対称性の程度を評価することで、投影光学系130の球面収差を算出することができる。また、Y又はZ方向にウェハステージ140を移動させたときの光量変化の非対称性を評価することで、コマ収差を算出することも可能である。
ウェハステージ140にウェハ側基準板142を設け、投影光学系130とWマーク144(ウェハ側基準板142)との間を液体Fで液浸することにより、Rマーク124の像をWマーク144に良好に結像させることが可能となり、従来と同様に(従来と同じ方法で)高精度なキャリブレーションを行うことが可能となる。ウェハ側基準板142と投影光学系130との間を、ウェハWと投影光学系130との間と同様な状態で液体Fによる液浸を可能とするために、ウェハステージ140上に液浸保持板LPを設けてもよい。液浸保持板LPは、ウェハWとウェハ側基準板142との間の間隙を埋める機能を有し、ウェハ側基準板142のパターン面とウェハWの上面との高さとを同じにする部材で構成される。ウェハWとウェハ側基準板142との間の間隙が存在しなくなるように、ウェハ側基準板142をウェハWに近接して配置してもよい。
露光装置100は、ウェハステージ140上にウェハ側基準板142を設け、投影光学系130とウェハ側基準板142との間を液体Fで液浸することでRマーク124とWマーク144とが結像関係となり、高精度なキャリブレーションを行うことが可能となる。
しかし、露光装置100では、ウェハ側基準板142と受光素子170との間に空気や真空などの屈折率が1の領域が存在する。このため、NAが1を超える光でレチクル側基準板122上のRマーク124をウェハ側基準板142上のWマーク144に結像させた場合、ウェハ側基準板142の裏面142bでNAが1を超える光が全反射してしまい、受光素子170に入射することができない。このため、計測値にオフセットが生じたり、計測再現性が悪化したりするなどして、正しい計測値を得ることができない。特に、ウェハ側基準板142を投影光学系130の光軸方向(Z方向)に移動させることによって投影光学系130の合焦位置を検出する場合に、フォーカス変化に最も敏感なNAの大きな光が受光素子170に入射しないことになるため、計測精度が低下することになる。そこで、ウェハ側基準板142の裏面142bと受光素子170との間も液体を満たすことが好ましい。かかる液体は、液体Fと同一のものを用いてもよいし、裏面142bで露光光が全反射しない範囲で異なるものを用いることも可能である。
露光装置100は、図5に示す露光装置100Aに置換可能である。露光装置100Aでは、不図示の露光光源からの光をファイバ171でウェハステージ140に設けた光照射部172に導光し、Wマーク144を照明する。Wマーク144の透過光の光量は、投影光学系130、Rマーク124を通過し、受光素子170にて検出される。この場合、受光素子170は、投影光学系130によりWマーク144がRマーク124に投影される際に、レチクル側基準板122を通過した光量を検出する。
以上のように、ウェハステージ140を駆動する代わりにレチクルステージ120を駆動して光量検出方式のキャリブレーションを実施することにより、液体Fを攪拌することなくRマークとWマークを良好に検出して液浸型露光装置100及び100Aを高精度なキャリブレーションすることができる。
次に、図6を参照して、本発明の第2の実施例の露光装置100Bを説明する。 ここで、図6は、露光装置100Bの概略ブロック図である。なお、図6において、図1及び図5と同一の部材には同様の参照符号を付して説明は省略する。
露光装置100Bは、対物レンズ182やリレーレンズ183、などのアライメントスコープ180を用いて、Rマーク122やWマーク144を撮像素子184上に結像させ、レチクルステージ120を駆動することにより、Rマーク124とWマーク144との位置関係を画像検出方式で検出している点で露光装置100及び100Aと異なる。これにより、液体Fをキャリブレーション系による測定中に攪拌せず、画像検出方式の高精度なキャリブレーションを実施することが可能となる。
アライメントスコープ180の光源としては、露光波長と同じ波長が望ましく、通常、露光光源がそのまま用いられる。不図示の露光光源からの光をファイバ171光照射部172に導光し、Wマーク145を照明する。照明されたWマーク145を投影光学系130、ミラー181、対物レンズ182、リレーレンズ183により拡大して、CCDなどの撮像素子184に結像させる。
Wマーク145の一例を図7に示す。U1は撮像素子184の観察領域である。145aは非透過部で145bは透過部である。投影光学系130、露光波長、照明σなどの露光条件により、遮光部形状、透過部形状、遮光部本数などを最適化することが可能である。更に、対物レンズ182やリレーレンズ184に加え、別の光学系を付加して拡大倍率を向上させる場合もある。また、ウェハ側基準板142のマーク部以外を透過し投影光学系130を通った光で、Rマーク125を照明する。
Rマーク125の一例を図8に示す。U2は撮像素子184の観察領域である。125aは非透過部で125bは透過部である。投影光学系130、露光波長、照明σなどの露光条件により、遮光部形状、透過部形状、遮光部本数などを最適化することが可能である。照明されたRマーク125を対物レンズ182、リレーレンズ183を用いて、撮像素子184に拡大して結像させる。露光光を用いているので、Rマーク125とWマーク145は露光時と同様の結像関係である。また、図7及び図8のように、Rマーク125とWマーク145とを、撮像素子184の視野内で別の位置に結像するように配置しておくことで、同一の光学系で同時に検出することができる。この結果、光学系の誤差等の影響を気にせず高精度でRマーク125の露光位置を正確に測定することができる。
また、画像観察方式のキャリブレーション系においては、Rマーク125の像とWマーク145の像のそれぞれを撮像素子に対して合焦させた状態で計測を実施するのが計測精度上望ましい。これには、リレーレンズ183の位置を変化させることにより、Rマーク125の像及びWマーク145の像の焦点位置を撮像素子上で観察可能である。このレチクル側、ウェハ側それぞれの焦点位置の相対関係を求めることにより、液体Fを攪拌することなくRマーク125の像をウェハ側基準板142上に良好に結像させて高精度なキャリブレーションが可能となる。
また、レチクルステージ120をZ方向に駆動されることにより、Rマーク125を撮像素子184上に合焦させることも可能である。更に、リレーレンズ183駆動とレチクルステージ120のZ方向駆動を組み合わせて、Rマーク125とWマーク145のそれぞれを撮像素子184上に合焦させることもできる。
Rマーク125、Wマーク145を撮像素子184上に合焦させた後の画像検出方式のキャリブレーション系においては、基本的にウェハステージ140及びレチクルステージ120の駆動を行うことなしに、Wマーク145、Rマーク125の位置合わせ計測を実施することができる。しかし、Rマーク125、Wマーク145が撮像素子の検出範囲外に存在する場合、もしくは、高精度に計測したい場合などには、撮像素子の精密検出領域にWマーク145、Rマーク125を駆動した後、位置合わせ計測を実施する。その際、ウェハステージ140を駆動する代わりにレチクルステージ120、撮像素子184又はアライメントスコープ180自体をZ方向とは垂直方向に駆動させる。これにより、Wマーク145、Rマーク125を撮像素子の精密検出範囲内にて観察し、かつ、液体Fを攪拌することなく高精度なキャリブレーション系を実施することができる。
キャリブレーション後に、実施例1と同様に、ウェハステージ140を駆動し、オフアクシスアライメント検出系160でWマーク144の位置を検出する。これにより、ベースラインを保証し、レチクルRCとウェハWとを位置合わせすることができる。
更に、撮像素子184上のRマーク125、Wマーク145の投影像を詳細に計測することで、投影光学系130の結像性能を評価することができる。即ち、Rマーク125の検出像によってTTRアライメント系180の結像性能が観察でき、Wマーク145の検出像によりTTRアライメント系180を介した投影光学系130の結像性能が観察できる。Rマーク125とWマーク145の検出像からそれぞれの光学性能を算出することにより、投影光学系130のみの光学性能を算出することができる。例えば、投影光学系130、TTRアライメント系180に球面収差が存在すると、Rマーク125、Wマーク145の透過部1本の撮像素子184上での強度分布における最低出力値が増大する。この撮像素子184の最低出力値の変化を評価することで、投影光学系130の球面収差を計測することができる。また、Rマーク125、Wマーク145の透過部1本の撮像素子184上での強度分布の非対称性を評価することで、コマ収差を計測することも可能である。
以下、図9を参照して、本発明の第3の実施例の露光装置100Cを説明する。ここで、図9は、露光装置100Cの概略ブロック図である。なお、図9において、図6と同一の部材には同様の参照符号を付して説明は省略する。露光装置100Cは、アライメントスコープ180の照明光の配置をウェハステージ140側からアライメントスコープ180内に変更した点で露光装置100Bと異なる。
不図示の露光光源からの光をファイバ171でTTRアライメント光学系内部に設けた光照射部172に導光し、ハーフミラー185を透過させ、Rマーク125を照明する。照明されたRマーク125からの反射光は、ハーフミラー185、対物レンズ182、リレーレンズ183により拡大して撮像素子184に結像させる。対物レンズ182やリレーレンズ183に加え、別の光学系を付加して拡大倍率を向上させる場合もある。ハーフミラー185の代わりに偏光ビームスプリッターなどを用いてもよい。
ここで、本実施例においては、図7の145−aを反射部、145−bを透過部とし、図8の125−aを反射部、125−bを非反射部とした検出マーク、145、125を用いる。非反射部125bを透過し、投影光学系130を通った光はWマーク145を照明する。照明されたWマーク145の反射光は、投影光学系130、アライメントスコープ180の対物レンズ182、リレーレンズ184により、撮像素子184上に拡大して結像される。露光光を用いているのでRマーク125とWマーク145は露光時と同様の結像関係である。Rマーク125とWマーク145とを撮像素子184の視野内で別の位置に結像するように配置しておくことで同一の光学系で同時に検出することができる。この結果、光学系の誤差等の影響を気にせず高精度でRマーク125の露光位置を正確に測定することができる。露光装置100Bと同様に、Rマーク125とWマーク145を撮像素子184に結像し、ウェハステージ140を駆動せずに高精度なキャリブレーションを実施することができる。
上記実施例は液浸露光装置の例について述べたが、本発明は液体Fを使用しない通常の露光装置にも有効である。通常の露光装置のキャリブレーション時には、ウェハステージの駆動及び制御のために、斜入射方式の光検出ウェハステージ面位置測定系や干渉計型のウェハステージ制御系が用いられる。ウェハステージ面位置計測系及び制御系は光路中の空気揺らぎの影響を受けやすい。このため、ウェハステージを駆動時にウェハステージ周辺の空気を攪拌すると、結果としてキャリブレーション精度を悪化する。本実施例のキャリブレーション系は、ウェハステージの代わりにレチクルステージを駆動するため、ウェハステージ周辺の空気を攪乱することなく高精度なキャリブレーションが可能となる。また、ウェハステージとレチクルステージの駆動誤差及び制御誤差が同等である場合、投影レンズ倍率分だけレチクルステージの駆動誤差及び制御誤差の方がキャリブレーション精度への影響度が小さくなる。更に、レチクルステージにウェハステージと同等の駆動系を使用して駆動系のみに着目すれば、投影光学系の縮小倍率の逆数分(例えば、4倍)だけ高精度なキャリブレーションが実現できる。よって、通常の露光装置においてもレチクルステージを駆動する方式でのキャリブレーション系を実施することにより高精度なキャリブレーションが可能となる。なお、ステップアンドスキャン方式ではウェハステージを駆動する際の液体や気体の揺らぎの影響を抑えるように予定されている。本実施例では、露光時よりも高速にステージを駆動する必要があるキャリブレーション時においてウェハステージをその速度で駆動することを防止することによってキャリブレーション精度を維持しようとするものである。
上述のキャリブレーション系が最適なウェハWの位置が検出すると、主制御部150は、レチクルRCやリレーレンズ183(又はアライメントスコープ180)を露光位置に戻し、代わりに検出量の投影光学系の縮小倍率分だけウェハステージ140を駆動する。レチクルステージやリレーレンズ184(又はアライメントスコープ180)の駆動をウェハステージ140の駆動と同時に行うことによってスループットの低下を防止することができる。
次に、主制御部150は露光を行う。露光において、照明装置110から発せられた露光光は、レチクルRCをケーラー照明する。レチクルRCを通過してレチクルパターンを反映する光は、投影光学系130によりウェハWに結像される。露光装置100等は、高精度なキャリブレーションを実現しているので精度よくレチクルRCとウェハWの位置合わせとウェハWと投影光学系130の合焦、投影光学系の収差補正が行われているため、従来よりも高品位なデバイス(半導体素子、LCD素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供することができる。
次に、図10及び図11を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図10は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ3(ウェハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図11は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、上述の露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、上述した露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
100−100C 露光装置
130 投影光学系
150 主制御部
130 投影光学系
150 主制御部
Claims (11)
- レチクルのパターンの像を被露光体に投影する投影光学系と、
前記投影光学系と前記被露光体との合焦を行うために前記投影光学系を介して所定のマークを検出する検出系と、
前記検出系の検出動作時に前記投影光学系よりも前記レチクル側に配置された部材を駆動制御する制御部とを有することを特徴とする露光装置。 - 前記露光装置は、前記レチクルを支持及び駆動するレチクルステージを更に有し、前記部材は前記レチクルステージであることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記検出系は、
前記レチクルを支持及び駆動するレチクルステージ上に配置され、パターンを有するレチクル側基準板と、
前記被露光体を支持及び駆動する被露光体ステージ上に配置され、パターンを有する被露光体側基準板と、
前記被露光体側基準板を通過した光量を検出する光量検出器と、を有し、
前記光量検出器は、前記投影光学系により前記レチクル側基準板のパターンが前記被露光体側基準板のパターン上に投影される際に、前記被露光体側基準板を通過した光量を検出することを特徴とする請求項2記載の露光装置。 - 前記検出系は、
前記レチクルを支持及び駆動するレチクルステージ上に配置され、パターンを有するレチクル側基準板と、
前記被露光体を支持及び駆動する被露光体ステージ上に配置され、パターンを有する被露光体側基準板と、
前記レチクル側基準板を通過した光量を検出する光量検出器と、を有し、
前記光量検出器は、前記投影光学系により前記被露光体側基準板のパターンが前記レチクル側基準板のパターン上に投影される際に、前記レチクル側基準板を通過した光量を検出することを特徴とする請求項2記載の露光装置。 - 前記検出系は、前記レチクルと前記被露光体との位置合わせに使用されるアライメントスコープを有し、
当該アライメントスコープは、前記所定のマークを撮像する撮像素子と前記所定のマークの光学像を前記撮像素子にリレーするリレーレンズを含み、
前記部材は、前記アライメントスコープ又は前記リレーレンズであることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記検出系は、前記投影投影光学系の結像性能を検出することを特徴とする請求項3乃至5のうちいずれか一項記載の露光装置。
- 前記投影光学系の最終面と前記被露光体との間に液体が存在し、前記投影光学系と前記液体を介して前記被露光体を露光することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- レチクルステージに支持及び駆動されるレチクルのパターンを投影光学系を介して被露光体に投影する露光装置において、前記投影光学系と前記被露光体との合焦を行う際に、前記投影光学系よりも前記レチクル側に配置された部材を駆動しながら所定のマークを前記投影光学系を介して検出するステップと、
前記検出結果に基づいて前記被露光体を移動するステップと、
前記被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。 - 前記レチクルを露光位置に移動するステップを更に有することを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 前記被露光体を移動するステップと同時に前記レチクルを露光位置に移動するステップを更に有することを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 請求項1乃至7のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、
前記露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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