JP5147618B2 - 評価方法及び露光装置 - Google Patents

評価方法及び露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5147618B2
JP5147618B2 JP2008246329A JP2008246329A JP5147618B2 JP 5147618 B2 JP5147618 B2 JP 5147618B2 JP 2008246329 A JP2008246329 A JP 2008246329A JP 2008246329 A JP2008246329 A JP 2008246329A JP 5147618 B2 JP5147618 B2 JP 5147618B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaluation
original
exposure
optical system
original plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008246329A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010080629A5 (ja
JP2010080629A (ja
Inventor
周 渡辺
正人 羽切
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2008246329A priority Critical patent/JP5147618B2/ja
Priority to KR1020090083824A priority patent/KR101171781B1/ko
Priority to US12/561,536 priority patent/US8319948B2/en
Priority to TW098132301A priority patent/TWI422987B/zh
Publication of JP2010080629A publication Critical patent/JP2010080629A/ja
Publication of JP2010080629A5 publication Critical patent/JP2010080629A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5147618B2 publication Critical patent/JP5147618B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は評価方法及び露光装置に関する。
従来の投影露光装置においては実際に露光される原版を使用した露光結果に基づいて投影光学系のフォーカスやディストーション、その他の収差などの光学性能を評価していた。しかし、原版の大型化に伴い、原版の自重変形(撓み)によって露光性能が劣化し、露光結果にエラーがある場合それが投影光学系に起因するのか原版に起因するのかが判断できなくなった。そこで、特許文献1は、原版の片面に圧力室を形成して圧力室の圧力を調節することによって原版の撓みを補正することを提案している。特許文献2は、投影光学系でフォーカス調整を行って補正することを提案している。
その他の従来技術としては特許文献3がある。
特開平10−92718号公報 特開平10−214780号公報 国際公開03/088329号パンフレット
しかし、原版の大型化に伴い、特許文献1による補正機構では原版の自重変形を除去し難くなってきた。また、原版の大型化により原版の厚みむらやパターン描画誤差量が解像性能に与える影響を無視できなくなってきた。更に、特許文献2のように、原版の誤差を投影光学系の誤差として扱うと高精度な補正が行えない。
本発明は、原版の大型化に起因する誤差を低減し、高精度に投影光学系の光学性能を評価することが可能な評価方法及び露光装置を提供することを例示的な目的とする。
本発明の一側面としての露光装置は、のパターンの像を基板に投影する投影光学系と、露光に使用されるパターンを持つ露光用原版と、前記投影光学系の光学性能価に使用されるパターンを持つ評価用原版と、を搭載する原版ステージと、記原版ステージを走査方向である第1方向に駆動させる第1駆動機構と、前記評価用原版を前記原版ステージ上で駆動させる第2駆動機構と、を有し、前記評価用原版の前記第1方向と直交する方向である第2方向は、前記露光用原版の第2方向のよりも短く、前記第2駆動機構は、前記評価用原版を第2方向に駆動させることを特徴とする。
本発明の一側面としての評価方法は、露光用原版の露光用パターンの像を投影光学系で基板に投影し、前記露光用原版及び前記基板を走査方向である第1方向に移動して前記基板を走査露光する露光装置の前記投影光学系の光学性能を評価する評価方法であって、前記投影光学系の光学性能価に使用される評価用パターンを持つ評価用原版を前記第1方向と直交する第2方向に移動するステップと、前記評価用パターンの像を前記投影光学系で投影するステップと、を有し、前記評価用原版の第2方向のは、前記露光用原版の第2方向のよりも短いことを特徴とする。
本発明によれば、原版の大型化に起因する誤差を低減し、高精度に投影光学系の光学性能を評価することが可能な評価方法及び露光装置を提供することができる。
図1は本実施例の露光装置10の斜視図、図2はその断面図である。本実施例の露光装置10は、ステップアンドスキャン方式の露光装置であり、照明装置12と、原版ステージ20と、投影光学系30と、基板ステージ40と、を有する。露光装置10は、光源からの光束を利用して原版M1を照明装置12で照明して投影光学系30を介してパターンを基板Pに走査露光する投影露光装置である。
照明装置12は、原版M1又はM2を照明し、露光光ELとしての光束を射出する光源と、原版を均一に照明する照明光学系と、を有する。光源としては、起高圧水銀ランプやエキシマレーザーを使用することができる。本実施例の照明光学系は、照明領域である円弧形状の露光スリットを形成するが、照明領域の形状はそれに限定されず、矩形形状やその他の形状を有してもよい。原版M1又はM2は、露光スリットにより走査方向であるY軸方向に走査される。照明光学系は、照明領域を規定するマスキングブレードやスリット部材を有する。
原版ステージ20は、原版M1及び原版M2を支持する。また、原版ステージ20には、走査方向であるY軸方向(第1方向)に原版ステージ20を駆動する駆動機構(第1駆動機構)21が設けられている。原版ステージ20には、原版M2を保持する保持機構22と、保持機構22及び原版M2を走査方向に直交する方向であるX軸方向(第2方向)に駆動する駆動機構(第2駆動機構)23が更に設けられている。駆動機構23は、原版M1をX軸方向には移動せず(静止させた状態で)原版M2のみをX軸方向に移動する。この結果、原版M2は、駆動機構21及び23により、XY平面内の任意の場所に二次元的に移動することができる。
本実施例では、露光用の原版M1を搭載している原版ステージ20が評価用の原版M2を更に搭載している。但し、原版ステージ20は、評価時に原版M1を取り外し、空いた空間に原版M2と保持機構22と駆動機構23を取り付け、評価終了後露光前に原版M2と保持機構22と駆動機構23を取り外してより大きい原版M1を取り付けてもよい。あるいは、両原版を別々の原版ステージに設けて、露光に使用される原版ステージと光学性能の評価に使用される原版ステージを分けてもよい。
原版M1は、実際の露光される回路パターン(露光用パターン)を有する矩形形状の露光用原版(マスク又はレチクル)である。原版M1は、大型であるため、原版M1が投影光学系30の光学性能を評価するのにも使用されると、原版M1の自重変形、厚み変化、パターン描画誤差が露光結果に影響を与える。この結果、露光結果にエラーがある場合にそれが投影光学系30の光学性能に起因するのか原版M1に起因するのか判断できなくなる。
なお、本実施例では、実際の露光に使用される原版M1の寸法は自重変形の影響が無視できない寸法を有する。具体的には、矩形形状の原版M1の短辺が250mmよりも大きい寸法(長さ)を有する。また、本実施例の原版M1は透過型原版である。透過型原版は、周囲の四辺又は対向する二辺が保持されるので重力による自重変形が特に発生し易い。
一方、原版M2は、投影光学系30の光学性能(フォーカスやディストーションなどの収差)を評価するのに使用される評価用パターン(十字パターン、縦パターンなど)を有する矩形形状の評価用原版(マスク又はレチクル)である。例えば、ディストーション用のパターンは基準格子パターンである。本実施例の原版M2は透過型原版である。
原版の自重変形の露光に与える影響はその寸法が小さくなるにつれて減少し、寸法が十分小さい原版では自重変形の影響が無視できる。従って、原版M2の寸法は原版M1の寸法よりも小さく、自重変形の影響が原版M1よりも抑えられている。少なくとも原版M2のX軸方向の辺の長さ(幅)は、原版M1のX軸方向の長さよりも短いことが必要であり、好ましくは、原版M1の照明領域のX軸方向の長さよりも短い。つまり、評価用原版M2のY軸方向(第1方向)と直交する方向であるX軸方向(第2方向)の幅は、露光用原版M1の第2方向よりも短い。また、原版M2のY軸方向のは、原版M1のY軸方向のよりも短い。本実施例では、矩形形状を有する原版M2の長い方の辺(長辺)は自重変形の影響が無視できる程度に小さい寸法、具体的には、250mm以下に設定されている。また、矩形形状を有する原版M2の短い方の辺(短辺)は、評価用パターンが描画可能な程度に大きい寸法、具体的には、保持部を考慮すると50mm以上に設定されている。この結果、原版M2の一辺は50mm以上250mm以下に設定されている。なお、このとき、原版M2上の露光領域の短辺は5mm以上、長辺は205mm以下に設定されることになる。
図3は、照明装置12の照明光学系がX軸方向に750mm、Y軸方向に100mmの寸法を有する円弧形状の露光スリットEAを形成する場合の例を示す平面図である。この場合、110mm四方にパターンが描画されている6インチ角の原版M2を使用すればよい。
保持機構22がX軸方向に移動することで発生するY軸方向とZ軸方向の位置誤差は原版ステージ20や保持機構22を組み立てる際に性能評価を行い、露光結果に反映される。例えば、保持機構22がX軸方向に移動することによって発生するZ軸方向の誤差はフォーカス値に変換され、基板ステージ40のZ軸方向の移動量で補正される。また、保持機構22がX軸方向に走ることで発生するY軸方向の誤差はディストーションの値に変換され、投影光学系30に設けられているディストーション補正用の光学素子駆動機構35の駆動量で補正される。
投影光学系30は、原版と基板Pとを光学的に共役に維持し、原版パターンの像を基板P上に投影する。本実施例では、図2に示すように、反射屈折型光学系として構成され、台形ミラー31、凸ミラー32、凹面ミラー33と、非球面レンズ34を有する。但し、本発明は投影光学系30の構成を特に限定せず、投影光学系30として屈折系又は反射系を代わりに使用してもよい。また、本実施例では、投影光学系30の投影倍率は等倍であるが、本発明は縮小倍率を有する投影光学系にも適用することができる。
基板ステージ40は基板Pを支持してこれをXYZの各軸の方向及び各軸周りの方向に駆動する。基板Pは、本実施例では、液晶基板であるが、本発明は基板の種類を限定しない。また、基板Pの平坦度を予め計測しておいて基板Pに起因する誤差をフォーカス値に変換して基板ステージ40のZ軸方向の移動量で補正しておく。
図4は、評価方法及び補正方法を説明するためのフローチャートである。「S」はステップを表す。S102〜S108までが評価方法であり、S102〜S110が補正方法である。
評価を行う前提として、原版M1と必要な部材を原版ステージ20から取り外し、原版M2、保持機構22及び駆動機構23を原版ステージ20に取り付けておく。また、原版M2を駆動する駆動機構21、23を含む投影光学系以外の部材が露光結果に与える影響を相殺するように投影光学系を予め調節しておく(S102)。
次に、原版M2を投影光学系30の露光で使用される範囲内の被測定位置に対応する位置に移動する(S104)。原版ステージ20が駆動機構21によりY軸方向に移動し、保持機構22が駆動機構23によりX軸方向に移動する。
次に、原版M2を照明装置12の露光用の光源で露光する(S106)。即ち、原版M2を透過した露光光ELは、投影光学系30の一部の領域に入射し、投影光学系30は、原版M2のパターンの像を基板P上に投影する。この場合、照明装置12のマスキングブレードやスリット部材を使用して、原版M2に合わせて原版M2を照明する照明領域を原版M1を照明する照明領域(図3に示す露光スリットEA)よりも制限する。これにより、不要な光が基板Pに入射するのを防止することができる。
次に、露光結果に基づいて投影光学系30の光学性能を評価する(S108)。上述したように、原版M2に起因する誤差は抑えられており、駆動機構21及び23に起因する誤差と基板Pに起因する誤差は補正されている。この結果、投影光学系30の光学性能を高精度に測定して評価することができる。なお、投影光学系30の露光に使用される全範囲の光学性能を評価する代わりに特定の範囲の光学性能を評価してもよい。
評価後、露光前に、評価結果に基づいて投影光学系30の光学素子の位置や姿勢を補正して光学性能を補正する(S110)。また、原版M2、保持機構22及び駆動機構23を原版ステージ20から取り外して、原版M1と必要な部材を原版ステージ20に取り付ける。
露光において、原版M1を透過した露光光ELは、投影光学系30に入射し、投影光学系30は、原版M1のパターンの像を基板P上に投影する。投影光学系30は、評価結果に基づいて補正されているので高い結像性能を維持することができる。
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、前述の露光装置を使用して感光剤を塗布した基板(ウエハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
本発明の露光装置は、ステップアンドリピート方式の露光装置にも適用可能であるが、その場合には、原版M2をY軸方向に移動する機構が必要である。
本実施例の露光装置の斜視図である。 図1に示す露光装置の断面図である。 図1に示す露光装置の原版の平面図である。 本実施例の評価方法のフローチャートである。
符号の説明
10 露光装置
20 原版ステージ
30 投影光学系
40 基板ステージ
M1、M2 原版

Claims (9)

  1. のパターンの像を基板に投影する投影光学系と、
    露光に使用されるパターンを持つ露光用原版と、前記投影光学系の光学性能価に使用されるパターンを持つ評価用原版と、を搭載する原版ステージと、
    記原版ステージを走査方向である第1方向に駆動させる第1駆動機構と、
    前記評価用原版を前記原版ステージ上で駆動させる第2駆動機構と、
    を有し、
    前記評価用原版の前記第1方向と直交する方向である第2方向は、前記露光用原版の第2方向のよりも短く、
    前記第2駆動機構は、前記評価用原版を第2方向に駆動させることを特徴とする露光装置。
  2. 前記露光用原版の照明領域を照明する照明光学系を更に有し、
    前記評価用原版の第2方向のは、前記露光用原版の照明領域の第2方向のよりも短いことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記評価用原版の第1方向のは、前記露光用原版の第1方向のよりも短いことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
  4. 前記露光用原版は少なくとも250mmよりも大きい辺を有し、前記評価用原版は一辺が50mm以上250mm以下に設定されていることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の露光装置。
  5. 露光用原版の露光用パターンの像を投影光学系で基板に投影し、前記露光用原版及び前記基板を走査方向である第1方向に移動して前記基板を走査露光する露光装置の前記投影光学系の光学性能を評価する評価方法であって、
    前記投影光学系の光学性能価に使用される評価用パターンを持つ評価用原版を前記第1方向と直交する第2方向に移動するステップと、
    前記評価用パターンの像を前記投影光学系で投影するステップと、
    を有し、
    前記評価用原版の第2方向のは、前記露光用原版の第2方向のよりも短いことを特徴とする評価方法。
  6. 前記投影光学系の露光で使用される範囲に前記評価用原版が移動した後、
    前記評価用原版の前記評価用パターンの像を前記投影光学系で投影し、
    前記投影光学系で投影された前記評価用パターンの像に基づいて、前記投影光学系の光学性能を評価することを特徴とする請求項5に記載の評価方法。
  7. 記評価用原版を照明する照明領域前記露光用原版を照明する照明領域よりも小さいことを特徴とする請求項5又は6に記載の評価方法。
  8. 前記評価用原版を駆動する駆動機構を含む前記投影光学系以外の部材が露光結果に与える影響を相殺するように前記投影光学系を予め調節するステップを更に有することを特徴とする請求項5〜7のうちいずれか一項に記載の評価方法。
  9. 請求項1〜4のうちいずれか一項に記載された露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    露光された基板を現像するステップと、
    を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
JP2008246329A 2008-09-25 2008-09-25 評価方法及び露光装置 Expired - Fee Related JP5147618B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008246329A JP5147618B2 (ja) 2008-09-25 2008-09-25 評価方法及び露光装置
KR1020090083824A KR101171781B1 (ko) 2008-09-25 2009-09-07 평가방법 및 노광장치
US12/561,536 US8319948B2 (en) 2008-09-25 2009-09-17 Evaluation method and exposure apparatus
TW098132301A TWI422987B (zh) 2008-09-25 2009-09-24 評估方法及曝光設備

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008246329A JP5147618B2 (ja) 2008-09-25 2008-09-25 評価方法及び露光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010080629A JP2010080629A (ja) 2010-04-08
JP2010080629A5 JP2010080629A5 (ja) 2011-11-10
JP5147618B2 true JP5147618B2 (ja) 2013-02-20

Family

ID=42037309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008246329A Expired - Fee Related JP5147618B2 (ja) 2008-09-25 2008-09-25 評価方法及び露光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8319948B2 (ja)
JP (1) JP5147618B2 (ja)
KR (1) KR101171781B1 (ja)
TW (1) TWI422987B (ja)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335784B2 (en) * 1996-01-16 2002-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JPH1092718A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 投影露光装置
JPH10214780A (ja) 1997-01-28 1998-08-11 Nikon Corp 投影露光装置
JP4264676B2 (ja) * 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6912041B2 (en) * 2001-06-29 2005-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE60232024D1 (de) 2002-04-17 2009-05-28 Canon Kk Retikel und verfahren zur messung optischer eigenschaften
JP4227402B2 (ja) 2002-12-06 2009-02-18 キヤノン株式会社 走査型露光装置
JP2006313866A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Canon Inc 露光装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100035102A (ko) 2010-04-02
US20100073654A1 (en) 2010-03-25
US8319948B2 (en) 2012-11-27
TW201013331A (en) 2010-04-01
TWI422987B (zh) 2014-01-11
JP2010080629A (ja) 2010-04-08
KR101171781B1 (ko) 2012-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI396225B (zh) 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置
JP4929762B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
TW201937313A (zh) 圖案形成裝置、對齊標記檢測方法和圖案形成方法
JP3652329B2 (ja) 走査露光装置、走査露光方法、デバイス製造方法およびデバイス
JP4764161B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20050052633A1 (en) Exposure apparatus and device fabrication method using the same
JP2007184357A (ja) センサユニット、露光装置及びデバイス製造方法
JP5147618B2 (ja) 評価方法及び露光装置
JPH11231192A (ja) 光学素子支持装置及び鏡筒並びに投影露光装置
JP2001201846A (ja) 枠部材、マスクと露光装置
KR20080009629A (ko) 투영 노광 장치
JP2006080444A (ja) 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2004066371A1 (ja) 露光装置
JP2003318095A (ja) フレア計測方法及びフレア計測装置、露光方法及び露光装置、露光装置の調整方法
JP2006287103A (ja) 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP4957278B2 (ja) 照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法
JP4819419B2 (ja) 結像光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2010026398A (ja) マスク基板、マスクブランクス、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2008089941A (ja) マスク、露光方法及び表示素子の製造方法
TWI663482B (zh) 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、遮光裝置、及曝光方法
JP2006108224A (ja) 照明光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JPWO2008078509A1 (ja) マスク、マスクステージ、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2007219138A (ja) マスク及び露光装置
JP2012033925A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2006287140A (ja) 投影光学系の製造方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110922

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110922

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121019

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121030

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121127

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5147618

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees