JP4957278B2 - 照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法に関するものである。

従来、例えば半導体素子又は液晶表示パネル等を製造するに当たり、パターンが形成されたマスク等の面を照明する照明光学系と、照明光学系によって照明されることで得られるパターンの像を半導体ウェハあるいはプレート等の面上に投影する投影光学系とを備える露光装置が知られている。

特に、プレートの大型化、あるいは半導体ウェハの大型化に伴い、１つの照明光学系に代わり複数の照明光学系を有する照明光学ユニットを、また１つの投影光学系に代わり複数の投影光学系を有する投影光学ユニットを備える露光装置が検討されている（例えば、特許文献１）。複数の照明光学系を有する照明光学ユニットを用いることで、照明光学系が大きくなることを抑制することができる。複数の投影光学系を有する投影光学ユニットを用いることで、投影光学系が大きくなることを抑制することができる。
米国特許第５７２９３３１号明細書

しかしながら、このように照明光学ユニット及び投影光学ユニットの双方が複数の光学系を有する場合、各光学ユニットの制御が困難になってしまうおそれがある。すなわち、例えば、照明光学ユニットがマスク上のパターン面の所望の領域からずれた領域を照明する場合であっても、投影光学ユニットがプレート等の面上の所望の位置にパターン像を形成してしまう場合がある。これは、照明光学ユニットによって発生する照明領域のずれと、投影光学ユニットによって発生するパターン像のずれとが相殺されることによって起こり得る。このように、最終的に投影されたパターン像の形成位置からだけ判断する場合には、一見問題がないように見えても、実際には所望の像が得られているわけではないという事態が生じうる。

本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、複数の照明領域の位置を検出することができる照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明による照明装置は、複数の投影光学系を有する投影光学ユニットを用いて第１の面の像を第２の面に投影する露光装置に用いられ、第１の面を照明する照明装置であって、複数の照明光学系を有し、第１の面上に複数の照明領域を形成する照明光学ユニットと、第１の面に形成される複数の照明領域の位置を検出する照明領域位置検出ユニットと、を備え、複数の照明光学系のそれぞれは、第１の面上での照明領域を規定する照明視野絞りを有し、照明領域位置検出ユニットは、第１の面に形成される照明視野絞りの像の位置を検出することによって、第１の面に形成される複数の照明領域の位置を検出することを特徴とする。

上記の照明装置は照明光学ユニットを備え、照明光学ユニットは複数の照明光学系を有する。したがって、この照明装置では、各照明光学系を大きくすることなく、第１の面上において広い領域を照明することができる。また、複数の照明光学系はそれぞれ、第１の面上での照明領域を規定する視野絞りを有している。そして、上記の照明装置は、第１の面上に形成された視野絞りの像の位置を検出する照明領域位置検出ユニットを備えている。これにより、上記照明装置では、第１の面に形成される複数の照明領域の位置を検出することが可能となる。

複数の照明光学系が、第１の面内の第１の配列方向に沿って配列されていることが好ましい。この場合、照明装置は、第１の面上に規則的に配列された複数の照明領域を形成することができる。

照明領域位置検出ユニットによって検出された照明視野絞りの像の位置に基づいて、照明視野絞りの位置を当該照明視野絞りの位置における照明光学系の光軸を横切る面内で変更する照明視野絞り位置変更ユニットをさらに備えることが好ましい。照明視野絞り位置変更ユニットが照明視野絞りの位置を変更することによって、第１の面上に形成される照明視野絞りの像の位置は変更される。

照明領域位置検出ユニットが、第１の面上に形成される照明視野絞りの像を撮像する撮像装置を有することが好ましい。これにより、照明領域位置検出ユニットは、容易に第１の面上に形成される照明視野絞りの像の位置を検出できる。

照明領域位置検出ユニットが、撮像装置を第１の面内で二次元方向に移動させる駆動機構をさらに有していてもよい。これにより、撮像装置の数が照明光学系の数より少なくても、第１の面上に形成される複数の照明視野絞りの像の位置を検出することができる。

また、本発明による露光装置は、第１の面の像を第２の面に投影する露光装置であって、上記の照明装置と、該照明装置によって第１の面上に形成される複数の照明領域からの光に基づいて、第２の面上に第１の面の像をそれぞれ形成する複数の投影光学系を備えた投影光学ユニットとを備え、各投影光学系の倍率が１倍より大きいことを特徴とする。

上記の露光装置が備える照明装置は照明光学ユニットを備え、照明光学ユニットは複数の照明光学系を有する。したがって、この露光装置では、各照明光学系を大きくすることなく、第１の面上において広い領域を照明することができる。また、複数の照明光学系はそれぞれ、第１の面上での照明領域を規定する視野絞りを有している。そして、上記の露光装置が備える照明装置は、第１の面上に形成された視野絞りの像の位置を検出する照明領域位置検出ユニットを備えている。これにより、上記露光装置では、第１の面に形成される複数の照明領域の位置を検出することが可能となる。また、各投影光学系の倍率が１倍より大きいため、第１の面に形成される照明領域を大きくすることなく、第２の面上に形成される第１の面の像を大きくすることが可能となる。

複数の投影光学系が、第１の面又は第２の面内の第２の配列方向に沿って配列されていることが好ましい。この場合、投影光学系は、第２の面上に規則的に配列された第１の面の像を形成することができる。

投影光学ユニットによって第２の面上に形成される第１の面の像の位置を検出する投影像位置検出ユニットをさらに備えることが好ましい。これにより、露光装置は、照明光学系によって第１の面上に形成される照明領域の位置と、投影光学系によって第２の面上に形成される第１の面の像の位置とを、それぞれ独立して検出することが可能となる。

投影像位置検出ユニットが、第２の面上に形成される像を撮像する撮像装置を有することが好ましい。これにより、投影像位置検出ユニットは、容易に第２の面上に形成される第1の面の像の位置を検出できる。

投影光学ユニットが、当該投影光学ユニットを介して投影露光される第１の面の像の第２の面上での位置を変化させる像シフト素子を有することが好ましい。この場合、第２の面上に形成される第１の面の像の位置を変更することが可能である。

投影光学系の倍率を速度比として走査方向に相対的に、投影光学系に同期させて第１の面と第２の面とを移動するステージ機構をさらに備えていることが好ましい。この場合、露光装置は走査型であり、第１の面と第２の面とを移動させつつ露光を行う。そのため、第２の面が大きくなった場合であっても、投影光学系を大きくすることなく第２の面を露光することができる。

また、本発明による調整方法は、上記の露光装置の調整方法であって、第１の面に形成される照明視野絞りの像の位置を検出する工程と、検出された照明視野絞りの像の位置に関する情報に基づいて、第１の面に形成される照明視野絞りの像の位置を調整する工程と、備えていることを特徴とする。

上記の露光装置は照明装置を備えている。そして、この照明装置は照明光学ユニットを備え、照明光学ユニットは複数の照明光学系を有する。複数の照明光学系はそれぞれ、第１の面上での照明領域を規定する視野絞りを有している。そして、上記の露光装置が備える照明装置は、第１の面上に形成された視野絞りの像の位置を検出する照明領域位置検出ユニットを備えている。そのため、上記露光装置の調整方法では、第１の面に形成される複数の照明領域の位置を検出することが可能である。また、第１の面上に形成される照明視野絞りの像の位置を調整することにより、第１の面上の所望の領域を照明装置が照明することが可能となる。

また、本発明によるデバイスの製造方法は、デバイスの製造方法であって、パターンが形成されたマスクを準備する工程と、感光性基板を準備する工程と、上記の露光装置の第１の面にマスクを配置すると共に、第２の面に感光性基板を配置して、マスクのパターンの像を感光性基板上に投影露光する工程と、マスクのパターンの像が投影された感光性基板を現像する工程と、を備えることを特徴とする。

上記の露光装置は照明装置を備えている。そして、この照明装置は照明光学ユニットを備え、照明光学ユニットは複数の照明光学系を有する。複数の照明光学系はそれぞれ、第１の面上での照明領域を規定する視野絞りを有している。そして、上記の露光装置が備える照明装置は、第１の面上に形成された視野絞りの像の位置を検出する照明領域位置検出ユニットを備えている。そのため、上記露光装置を用いたデバイスの製造方法では、第１の面に配置されたマスクに形成される複数の照明領域の位置を検出することが可能である。

感光性基板は１辺又は対角線が５００ｍｍよりも大きい矩形の平板状のプレートであってもよい。

本発明によれば、複数の照明領域の位置を検出することができる照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「左」及び「右」なる語を使用することがあるが、これは各図の左右方向に対応したものである。

図１は、本発明に係る露光装置の実施形態について概略的に示す構成図である。本実施形態による露光装置１は、光源（図示を省略）と、光源から出射された光を導くライトガイド２と、照明光学ユニット１０を有する照明装置ＩＬと、マスクＭを支持するマスクステージ３と、照明視野絞り位置変更ユニット３０と、投影光学ユニット４０と、プレートＰを支持するプレートステージ４と、投影像位置検出ユニット５０とを備える。露光装置１は、照明装置ＩＬによってマスクＭを照明し、投影光学ユニット４０を用いてマスクＭのパターンが形成された面（以下、単に「パターン面」と称する）Ｍａである第１の面の像を、プレートＰ上の投影面Ｐａである第２の面に投影する。特に、露光装置１は、投影光学ユニット４０に対して、マスクＭとプレートＰとを移動させつつ、マスクＭのパターンをプレートＰ上に投影露光するマルチ走査型投影露光装置である。ここで、図１において、マスクのパターン面Ｍａに垂直な方向をＺ軸方向とし、パターン面Ｍａと平行な方向のうちマスクＭ及びプレートＰとを走査する方向をＸ軸方向とし、パターン面Ｍａと平行な方向のうちＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とする。

ライトガイド２は、例えば多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されている。ライトガイド２の一方の端部（図示を省略）は１つである。ライトガイド２の当該一方の端部には、光源から出射された光束が入射される。ライトガイド２の他方の端部は複数に分岐しており、複数の端部２ａを有する。ライトガイド２の各端部２ａは、当該端部２ａから出射される光束が照明光学ユニット１０の複数の照明光学系１１のうちの対応する１つの照明光学系１１に入射されるように配置されている。

照明装置ＩＬは、複数の照明光学系１１を有する照明光学ユニット１０と、照明領域位置検出ユニット２０と、照明視野絞り位置変更ユニット３０とを備える。複数の照明光学系１１は、二次元に配列されており、マスクＭのパターン面Ｍａ内のＹ軸方向である第１の配列方向、及びマスクＭのパターン面Ｍａ内のＸ軸方向に沿って縦横に配列されている。ただし、Ｘ軸方向に配列された照明光学系１１の図示は省略している。また、各照明光学系１１は、その光軸ＡｘがＺ軸方向と平行になるように配置されている。

各照明光学系１１は、インプットレンズ１２と、フライアイレンズ１３と、コンデンサレンズ１４と、照明視野絞り１５と、リレーレンズ１６とを有する。インプットレンズ１２、フライアイレンズ１３、コンデンサレンズ１４、照明視野絞り１５、及びリレーレンズ１６は、光軸が照明光学ユニット１０の光軸Ａｘと一致するように、ライトガイド２の端部２ａ側からこの順でマスクＭ側に向かって配置されている。

インプットレンズ１２には、ライトガイド２の端部２ａから出射された光束が入射される。インプットレンズ１２は、入射した光束を平行光束に変換して、フライアイレンズ１３に出射する。

フライアイレンズ１３には、インプットレンズ１２から出射された平行光束が入射される。フライアイレンズ１３は、複数のレンズ素子が二次元に密に配列されて構成されている。フライアイレンズ１３を構成する複数のレンズ素子は、各レンズ素子の光軸が当該フライアイレンズ１３を含む照明光学系１１の光軸Ａｘと平行となるように配列されている。フライアイレンズ１３は、入射した光に対し波面分割を施し、その後側焦点面にレンズ素子と同数の光源像からなる二次光源を形成する。

コンデンサレンズ１４には、フライアイレンズ１３から出射された光束が入射される。コンデンサレンズ１４は、フライアイレンズ１３と協働して、マスクＭのパターン面Ｍａでの光源からの光束による照度分布を均一にする。

照明視野絞り１５は、六角形状に開口し、コンデンサレンズ１４から出射された光束に対し、マスクＭを照明する光量を制限する。すなわち、照明視野絞り１５は、マスクＭのパターン面Ｍａ上での照明領域を規定する。

リレーレンズ１６は、２つのレンズ１６ａ、１６ｂによって構成されている。リレーレンズ１６は、マスクＭのパターン面Ｍａ上に照明視野絞り１５の像ＭＩを形成する。

ここで、照明視野絞り１５とフライアイレンズ１３の入射面とは、共役の関係にある。さらに、照明視野絞り１５とマスクＭとは、共役の関係にある。

照明領域位置検出ユニット２０は、第１の検出光学系対物レンズ２１（図１では図示を省略）と、第１の撮像装置２２と、第１の駆動ステージ２３と、第１の駆動装置２４と、第１の制御部２５（図１では図示を省略）と、第１の表示部２６（図１では図示を省略）とを有する。

図２は、第１の検出光学系対物レンズ２１、第１の撮像装置２２、第１の制御部２５、及び第１の表示部２６の構成を模式的に説明するための図である。図２に示すように、第１の検出光学系対物レンズ２１は、マスクＭのパターン面Ｍａ近傍に形成された照明視野絞り１５の像ＭＩからの光ｌ_１に基づいて、第１の撮像装置２２の撮像面上に結像する。第１の撮像装置２２は、撮像面上に結像された照明視野絞り１５の像を撮像する。第１の撮像装置２２として、例えばＣＣＤを用いる。第１の制御部２５は、第１の撮像装置２２によって得られた画像情報に基づいてマスクＭのパターン面Ｍａに形成される照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を検出する。これにより、照明装置ＩＬにおいて、第１の面に形成される複数の照明領域の位置が検出される。第１の表示部２６は、第１の撮像装置２２によって撮像された画像を表示する。

再び図１に戻って、照明領域位置検出ユニット２０の構成の説明を続ける。第１の駆動ステージ２３は、Ｙ軸方向に沿って伸びる。第１の撮像装置２２は、第１の駆動ステージ２３上を移動可能なように、第１の駆動ステージ２３上に配置される。

第１の駆動装置２４は、第１の撮像装置２２に接続され、第１の撮像装置２２の第１の駆動ステージ２３上での移動を制御する。第１の撮像装置２２は、第１の駆動装置２４によって、マスクＭのパターン面Ｍａと平行な面内で第１の駆動ステージ２３上をＹ軸方向に移動させられる。すなわち、第１の駆動ステージ２３及び第１の駆動装置２４は、第１の撮像装置２２をＹ軸方向に移動させる駆動機構として機能する。

照明視野絞り位置変更ユニット３０は、照明光学系１１の照明視野絞り１５の照明領域位置検出ユニット２０によって検出された照明視野絞り１５の像ＭＩの位置に基づいて、照明視野絞り１５の位置をＸＹ平面と平行な面内で変更する。照明視野絞り位置変更ユニット３０には、照明領域位置検出ユニット２０によって検出された照明視野絞り１５の像ＭＩの位置についての情報が、第１の制御部２５から入力される。ここで、ＸＹ平面は、照明視野絞り１５の位置における照明光学系１１の光軸Ａｘを横切る面に相当する。

マスクステージ３には、マスクＭが載置される。マスクステージ３には、マスクステージ３を移動させるマスクステージ走査駆動系３ｂ及び一対のアライメント駆動系（図１では図示を省略）が設けられている。マスクステージ走査駆動系３ｂは、マスクＭのパターン面Ｍａが投影光学ユニット４０に対してマスクＭのパターン面Ｍａと平行な面内でＸ軸方向に移動するように、マスクステージ３をＸ軸方向に移動させる。アライメント駆動系は、マスクステージ３を走査方向に直交する方向であるＹ軸方向に沿って微小量だけ移動させるとともに、Ｚ軸廻りに微小量だけ回転させる。

マスクステージ３には、さらに、マスクステージ３の移動量を計測するレーザ干渉計３ａが設けられている。レーザ干渉計３ａは、マスクステージ３の位置座標を移動鏡を用いて計測し、計測された位置座標に基づいてマスクステージ３の位置を制御する。

露光装置１では、第１の撮像装置２２は、第１の駆動ステージ２３、第１の駆動装置２４及びマスクステージ走査駆動系３ｂによって、マスクＭのパターン面Ｍａと平行な面内でマスクＭのパターン面Ｍａに対して相対的に二次元方向に移動することが可能となる。

投影光学ユニット４０は、複数の投影光学系４１を有する。複数の投影光学系４１は、マスクＭのパターン面Ma及びプレートＰの投影面（第２の面）Ｐａ内の第２の配列方向であるＹ軸方向、及びＸ軸方向に沿って縦横に配列されている。

各投影光学系４１は、照明装置ＩＬによってマスクＭのパターン面Ｍａ上に形成される複数の照明領域からの光に基づいて、プレートＰの投影面Ｐａ上に第１の面の像ＰＩを形成する。また、各投影光学系４１は、１倍より大きい倍率（例えば、２倍の倍率）を有する。

各投影光学系４１は、像シフト素子４２を有する。像シフト素子４２は、投影光学ユニット４０を介して投影露光されるマスクＭのパターン面Ｍａの像のプレートＰの投影面Ｐａ上での位置を変化させる。像シフト素子４２として、例えば、平行平面板、あるいはミラーなどが用いられる。

投影像位置検出ユニット５０は、複数の第２の検出光学系対物レンズ５１（図１では図示を省略）と、複数の第２の撮像装置５２と、第２の制御部５３（図１では図示を省略）と、第２の表示部５４（図１では図示を省略）とを有する。複数の第２の撮像装置５２は、Ｙ軸方向に沿って配列されている。第２の検出光学系対物レンズ５１と第２の撮像装置５２とは組を成している。第２の検出光学系対物レンズ５１及び第２の撮像装置５２の各組間の間隔は、投影光学系４１のＹ軸方向での間隔と同じである。

図３は、第２の検出光学系対物レンズ５１、第２の撮像装置５２、第２の制御部５３、及び第２の表示部５４の構成を模式的に説明するための図である。図３に示すように、第２の検出光学系対物レンズ５１は、プレートＰの投影面Ｐａに形成された第１の面の像ＰＩからの光ｌ_２に基づいて、、第２の撮像装置５２の撮像面上に結像する。第２の撮像装置５２は、撮像面上に結像された第１の面の像を撮像する。第２の撮像装置５２として、例えばＣＣＤを用いる。第２の制御部５３は、第２の撮像装置５２によって得られた画像情報に基づいてプレートＰの投影面Ｐａに形成される第１の面の像ＰＩの位置を検出する。これにより、露光装置１において、第２の面に形成される第１の面の像の位置が検出される。第２の表示部５４は、第２の撮像装置５２によって撮像された画像を表示する。第２の制御部５３と第２の表示部５４とは、複数の第２の検出光学系対物レンズ５１と第２の撮像装置５２との組に接続されている。

プレートステージ４には、プレートＰが載置される。プレートステージ４には、プレートステージ４を移動させるプレートステージ走査駆動系４ｂ及び一対のアライメント駆動系（図１では図示を省略）が設けられている。プレートステージ走査駆動系４ｂは、プレートＰの投影面Ｐａが投影光学ユニット４０に対してプレートＰの投影面Ｐａと平行な面内でＸ軸方向に移動するように、プレートステージ４をＸ軸方向に移動させる。アライメント駆動系は、プレートステージ４を走査方向に直交する方向であるＹ軸方向に沿って微小量だけ移動させるとともに、Ｚ軸廻りに微小量だけ回転させる。

プレートステージ４には、さらに、プレートステージ４の移動量を計測するレーザ干渉計４ａが設けられている。レーザ干渉計４ａは、プレートステージ４の位置座標を移動鏡を用いて計測し、計測された位置座標に基づいてプレートステージ４の位置を制御する。

露光装置１では、プレート４がプレートステージ走査駆動系４ｂ及びアライメント駆動系によって二次元方向に移動できることから、第２の撮像装置５２はプレートＰの投影面Ｐａと平行な面内でプレートＰの投影面Ｐａに対して相対的に二次元方向に移動することが可能となる。

さらに、露光装置１では、マスクステージ走査駆動系３ｂ及びプレートステージ走査駆動系４ｂが、投影光学系４１の走査方向（Ｘ軸方向）に相対的に、マスクＭのパターン面ＭａとプレートＰの投影面Ｐａとを同期して移動するステージ機構を構成する。

ここで、図４のフローチャートを参照して、露光装置１の調整方法を説明する。まず、マスクＭのパターン面Ｍａに形成される照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を検出する（ステップＳ４０１）。次に、検出された照明視野絞り１５の像の位置に関する情報に基づいて、パターン面Ｍａに形成される照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を調整する（ステップＳ４０２）。

露光装置１の調整方法として、ステップＳ４０１及びステップＳ４０２に続いて、プレートＰの投影面Ｐａに形成される第１の面の像ＰＩの位置を検出し（ステップＳ４０３）、当該検出された第１の面の像ＰＩの位置に関する情報に基づいて、投影面Ｐａに形成される第１の面の像ＰＩの位置を調整（ステップＳ４０４）してもよい。

図５及び図６を参照して、ステップＳ４０１において、照明領域位置検出ユニット２０が、マスクＭのパターン面Ｍａに形成された照明視野絞り１５の像の位置を検出することによって、マスクＭのパターン面Ｍａに形成される複数の照明領域の位置を検出する方法を具体的に説明する。図５は、マスクＭのパターン面Ｍａを照明装置ＩＬ側から見た上面図である。見易さのため、パターン面Ｍａ上に形成された照明視野絞り１５の像ＭＩ_１〜ＭＩ_５の数を５つとする。５つの照明視野絞り１５の像ＭＩ_１〜ＭＩ_５は、パターン面Ｍａ上でＹ軸方向で互いに重なる領域を有さない。図６は、第１の制御部２５が、撮像装置２２で得られた画像から、各像ＭＩ_１〜ＭＩ_５の端点ＭＩ_１１〜ＭＩ_５１、ＭＩ_２２〜ＭＩ_４２の画素位置を計測する方法の一例を具体的に説明するための図である。

図５に示されるように、照明視野絞り１５は六角形であり、マスクＭのパターン面Ｍａ上に形成される照明視野絞り１５の像ＭＩ_１〜ＭＩ_５はそれぞれ六角形状を呈する。第１の撮像装置２２によって、照明視野絞り１５の各像ＭＩ_１〜ＭＩ_５が撮像される。第１の制御部２５は、第１の撮像装置２２で得られた画像に基づいて、各像ＭＩ_１〜ＭＩ_５のＹ軸方向における両端点ＭＩ_１１〜ＭＩ_５１、ＭＩ_２２〜ＭＩ_４２の位置を計測する。これにより、照明視野絞り１５の各像ＭＩ_１〜ＭＩ_５のＹ軸方向での位置が検出される。

また、レーザ干渉計３ａによって、マスクステージ３の移動量が計測される。照明視野絞り１５の各像ＭＩ_１〜ＭＩ_５のＸ軸方向での位置は、計測されたマスクステージ３の移動量に基づいて検出される。これにより、照明視野絞り１５の各像ＭＩ_１〜ＭＩ_５のＸ軸方向での位置が検出される。

ここで、図６を参照して、第１の制御部２５が、撮像装置２２で得られた画像から、各像ＭＩ_１〜ＭＩ_５の端点ＭＩ_１１〜ＭＩ_５１、ＭＩ_２２〜ＭＩ_４２の画素位置を計測する方法の一例を具体的に説明する。図６（ａ）は、照明視野絞り１５の像ＭＩ_２を撮像装置２２で撮像して得られた画像のうち、端点ＭＩ_２１近傍を切り出した画像である。図６（ａ）において、斜線が付された領域が照明領域に相当する。図６（ａ）に表したグラフにおいて、横軸はＹ軸方向における位置（Ｙ軸方向における画素の位置に相当する）を表し、縦軸はＸ軸方向における位置（Ｘ軸方向における画素の位置に相当する）を表す。

図６（ｂ）は、Ｙ軸方向の各位置において画素データをＸ軸方向にわたって加算し、加算画素数で平均化することによって得られる輝度信号強度（以下、Ｙ方向輝度信号強度という。）を、Ｙ軸方向の各位置に対して表したグラフである。図６（ｂ）に示したグラフにおいて、横軸はＹ軸方向における位置（Ｙ軸方向における画素の位置に相当する）を表し、縦軸はＹ方向輝度信号強度を表す。Ｙ方向輝度信号強度の強度変化に基づき、照明視野絞り１５の像ＭＩ_２の端点ＭＩ_２１のＹ軸方向における位置を求めることができる。

本実施形態では、例えば最大有効階調を２５５階調とし、実測される最大強度が２３０階調となるように、ＣＣＤの露光長時間を自動的に決定している。画素数は、５１２×５１２画素である。図６（ｂ）において、最も左側に位置する画素から右方向に向かって１０画素分の領域を領域Ｄとし、最も右側に位置する画素から左方向に向かって１０画素分の領域を領域Ｂとする。ここで、画素数は５１２×５１２画素であるため、図６（ａ）、図６（ｂ）におけるＹは、１〜５１２の値をとる。

領域Ｄでの平均強度をＩＤとし、領域Ｂの平均強度をＩＢとし、Ｙ軸方向における位置ｙ_０でのＹ方向輝度信号強度をＩ（ｙ_０）とすると、以下の式（１）が成り立つ。
Ｉ（ｙ_０＋１）−Ｉ（ｙ_０）＜０．０５×ＩＤ …（１）

ここで、式（１）を満たす領域Ｄ、Ｂが定まらない場合には、マスクステージ３を適宜移動させ、照明領域位置検出ユニット２０の撮像装置２２に対するマスクＭのパターン面Ｍａ上での照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を再設定する。

照明視野絞り１５の像ＭＩ_２の端点ＭＩ_２１のＹ軸方向での位置ＭＩ_２ｙは、以下の式（２）を満たすＭＩ_２ｙのうち、最も小さいＭＩ_２ｙの値とする。
Ｉ（＋５）−Ｉ（−５）＞＝（ＩＢ−ＩＤ）×０．０１５ …（２）
Ｉ（＋５）：図６（ｂ）における左側５画素の平均強度
Ｉ（−５）：図６（ｂ）における右側５画素の平均強度

ＩＢ＝２３０、ＩＤ＝３０の場合、式（２）は式（３）のように表される。
Ｉ（＋５）−Ｉ（−５）＞＝３ …（３）

そして、式（３）を満たすＹの値のうち、最も左側に位置するＹの値がＭＩ_２ｙである。

次に、照明視野絞り１５の像ＭＩ_２の端点ＭＩ_２１のＸ軸方向での位置ＭＩ_２ｘの求め方について説明する。図６（ｃ）は、Ｘ軸方向の各位置において画素データをＹ軸方向にわたって加算し、加算画素数で平均化することによって得られる輝度信号強度（以下、Ｘ方向輝度信号強度という。）を、Ｘ軸方向の各位置に対して表したグラフである。図６（ｃ）に示したグラフにおいて、横軸はＸ軸方向における位置（Ｘ軸方向における画素の位置に相当する）を表し、縦軸はＸ方向輝度信号強度を表す。図６（ｄ）は、Ｘ方向輝度信号強度をＸで微分した信号を表すグラフである。図６（ｄ）に表したグラフにおいて、横軸はＸ軸方向における位置（Ｘ軸方向における画素の位置に相当する）を表し、縦軸はＸ軸方向の各位置におけるＸ方向輝度信号強度の微分値を表す。

図６（ｃ）及び図６（ｄ）に示したように、像ＭＩ_２の端点ＭＩ_２１のＸ軸方向での位置ＭＩ_２ｘでは、Ｘ方向輝度信号強度の微分値は０を横切る。したがって、Ｘ方向輝度信号強度の微分値が正の値となる微分値０近傍のＸ座標をｘ１とし、微分値が負の値となる微分値０近傍のＸ座標をｘ２とした場合、像ＭＩ_２の端点ＭＩ_２１のＸ軸方向での位置ＭＩ_２ｘはｘ１とｘ２との間を直線補完することによって求められる。このように、Ｘ方向輝度信号強度の強度変化に基づき、照明視野絞り１５の像ＭＩ_２の端点ＭＩ_２１のＸ軸方向における位置を求めることができる。

ステップＳ４０２では、こうして検出された各照明視野絞り１５の像ＭＩの位置に基づき、相対的に各照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を調整すべく、照明視野絞り位置変更ユニット３０が各照明光学系１１に含まれる照明視野絞り１５の位置を変更する。具体的には、例えば、視野絞り像の各点ＭＩ_１１〜ＭＩ_５１、ＭＩ_２２〜ＭＩ_４２の位置関係が所定の条件を満たすように、照明視野絞り１５の位置を適宜変更する。

続いて、図７を参照して、ステップＳ４０３において、投影像位置検出ユニット５０が、プレートＰの投影面ＰａにおけるマスクＭのパターン面Ｍａの像、すなわち照明視野絞り１５の２次像の位置を検出する方法を具体的に説明する。図７は、パターン面Ｍａ上に形成された照明視野絞り１５の像ＭＩ_１〜ＭＩ_５が投影されたプレートＰの投影面Ｐａを、投影光学ユニット４０側から見た上面図である。投影光学系４１は１回結像であり、そのため、マスクＭのパターン面Ｍａの像はプレートＰの投影面Ｐａ上でＹ軸方向に反転する。５つの照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_１〜ＰＩ_５は、投影面Ｐａ上でＹ軸方向で互いに重なる領域を有する。

投影像位置検出ユニット５０は第２の検出光学系対物レンズ５１及び第２の撮像装置５２の組を複数有しており、この場合各組が例えば６点の位置を計測する。すなわち、投影像位置検出ユニット５０が第２の検出光学系対物レンズ５１及び第２の撮像装置５２の組を４組有し、これら４組がＹ軸方向に沿って配置されている。図７に示されるように、第２の撮像装置５２ａ〜５２ｄはＹ軸方向に沿って図７の左から右にこの順で配置されている。なお、図７では、第２の検出光学系対物レンズ５１の図示を省略している。

第２の撮像装置５２ａは、照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_１の端点ＰＩ_１１〜ＰＩ_１３、及び照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_２の端点ＰＩ_２１〜ＰＩ_２３を撮像する。第２の撮像装置５２ｂは、照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_２の端点ＰＩ_２４〜ＰＩ_２６、及び照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_３の端点ＰＩ_３１〜ＰＩ_３３を撮像する。第２の撮像装置５２ｃは、照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_３の端点ＰＩ_３４〜ＰＩ_３６、及び照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_４の端点ＰＩ_４１〜ＰＩ_４３を撮像する。第２の撮像装置５２ｄは、照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_４の端点ＰＩ_４４〜ＰＩ_４６、及び照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_５の端点ＰＩ_５１〜ＰＩ_５３を撮像する。このように、投影像位置検出ユニット５０により、照明視野絞り１５の各２次像ＰＩ_１〜ＰＩ_５のＹ軸方向での位置が検出される。

また、レーザ干渉計４ａによって、プレートステージ４の移動量が計測される。照明視野絞り１５の２次像ＰＩ_１〜ＰＩ_５のＸ軸方向での位置は、計測されたプレートステージ４の移動量に基づいて検出される。これにより、照明視野絞り１５の各２次像ＰＩ_１〜ＰＩ_５のＸ軸方向での位置情報が検出される。

ステップＳ４０４では、こうして検出された各照明視野絞り１５の２次像ＰＩの位置情報に基づき、相対的に各照明視野絞り１５の２次像ＰＩの位置を調整すべく投影光学ユニット４０に含まれる像シフト素子４２を調整する。像シフト素子４２として例えば平行平面板を用いることができ、この場合像シフト調整は例えば平行平面板のチルト調整によってなされる。そして、例えば、視野絞りの２次像の各端点ＰＩ_１１〜ＰＩ_１３、ＰＩ_２１〜ＰＩ_２６、ＰＩ_３１〜ＰＩ_３６、ＰＩ_４１〜ＰＩ_４６、ＰＩ_５１〜ＰＩ_５３の位置関係が所定の条件を満たすように、各照明視野絞り１５の２次像ＰＩの位置を適宜変更する。上記所定の条件としては、例えば第２の撮像装置５２ａで撮像された画像について、ＰＩ_１２、ＰＩ_１３、ＰＩ_２１のＹ軸方向での位置、及びＰＩ_１１、ＰＩ_２２、ＰＩ_２３のＹ軸方向での位置が一致する等の条件を採用することができる。

なお、像シフト素子４２として平行平面板を用いる場合、平行平面板のチルト調整によって発生したコマ収差や非点収差については、それらの収差を調整するための他の調整機構によって補正が行われる。また、平行平面板のチルト調整によって発生した横方向の色ずれは、通常露光する線幅を考慮に入れた場合には問題にならない程度である。

次に、図８に示すフローチャートを参照して、本実施形態に係る露光装置１を用いてデバイスを製造する方法について説明する。

まず、パターンが形成されたマスクＭを準備する（ステップＳ８０１）。次いで、感光性基板として例えばレジストが塗布されたガラスプレートＰを準備する（ステップＳ８０２）。この際、感光性基板として、１辺又は対角線が５００ｍｍよりも大きい矩形の平板状のプレートを用いることができる。

準備されたマスクＭを露光装置１のマスクステージ３上に、ガラスプレートＰをプレートステージ４上に載置する（ステップＳ８０３）。そして、露光装置１の照明装置ＩＬによって、マスクＭのパターン面Ｍａを照明する。これにより、パターン面Ｍａ上には、照明視野絞り１５の像ＭＩが形成される。マスクＭのパターン面Ｍａ上に形成された複数の照明視野絞り１５の像ＭＩは、投影光学ユニット４０の複数の投影光学系４１を介して、ガラスプレートＰの投影面Ｐａ上に投影露光される。これにより、マスクＭのパターンの像は、ガラスプレートＰ上に投影露光される（ステップＳ８０３）。

次に、ステップＳ８０３においてマスクＭのパターンの像が投影されたガラスプレートＰを現像する（ステップＳ８０４）。ガラスプレートＰの現像後、さらにエッチング工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることによって、液晶表示素子等のデバイスが製造される。

照明装置ＩＬは、複数の照明光学系１１を有する照明光学ユニット１０を備える。したがって、照明装置ＩＬでは、各照明光学系１１を大きくすることなく、マスクＭのパターン面Ｍａ上において広い領域を照明することができる。

また、複数の照明光学系１１はそれぞれ、照明視野絞り１５を有している。そのため、マスクＭのパターン面Ｍａ上には、照明視野絞り１５の像ＭＩが形成される。そして、照明視野絞り１５の像ＭＩによって、マスクＭのパターン面Ｍａ上の照明領域が規定される。これに対し、照明装置ＩＬの照明領域位置検出ユニット２０は、マスクMのパターン面Ｍａ上に形成された照明視野絞り１５の像の位置を検出する。これにより、照明装置ＩＬでは、第１の面であるマスクＭのパターン面Ｍａに形成される複数の照明領域の位置を検出することが可能となる。

また、照明装置ＩＬは、照明視野絞り位置変更ユニット３０を備えているる。照明視野絞り位置変更ユニット３０は、照明領域位置検出ユニット２０によって検出された照明視野絞り１５の像の位置に基づいて、照明視野絞り１５の位置を変更する。これにより、マスクＭのパターン面Ｍａ上に形成される照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を所望の位置に変更することが可能となる。この結果、照明装置ＩＬでは、マスクＭのパターン面Ｍａの所望の領域を照明することが可能となる。

照明領域位置検出ユニット２０は、マスクＭのパターン面Ｍａ上に形成される照明視野絞り１５の像を撮像する第１の撮像装置２２を有している。このため、照明領域位置検出ユニット２０は、撮像された画像に基づき、容易にパターン面Ｍａ上に形成された照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を検出できる。

第１の駆動ステージ２３及び第１の駆動装置２４は、第１の撮像装置２２をマスクＭのパターン面Ｍａ内で二次元方向に移動させる。そのため、第１の撮像装置２２の数が照明光学ユニット１０内の照明光学系１１の数より少ない場合であっても、照明領域位置検出ユニット２０は、マスクＭのパターン面Ｍａ上に形成される複数の照明視野絞り１５の像ＭＩの位置を検出することができる。

照明光学ユニット１０において、複数の照明光学系１１はマスクＭのパターン面Ｍａ内のＹ軸方向（第１の配列方向）に沿って配列されている。そのため、照明装置ＩＬは、マスクＭのパターン面Ｍａ上に複数の照明領域を規則的に配列された状態で形成することができる。

また、投影光学ユニット４０の各投影光学系４１は、その倍率が１倍より大きい。そのため、マスクＭのパターン面Ｍａに形成される照明領域を大きくすることなく、プレートＰの投影面Ｐａ上に形成されるパターン面Ｍａの像、すなわち照明視野絞り１５の２次像を大きくすることが可能となる。

投影光学系４１が拡大系の場合、光学系が大きくなることを避けるため、１回結像（マスクＭのパターン面Ｍａの一次像をプレートＰの投影面Ｐａ上に形成する）であることが望ましいところ、本実施形態に係る露光装置１は１回結像である。これは、照明光学系１１が照明視野絞り１５を有することなどにより実現される。

投影光学ユニット４０において、複数の投影光学系４１は、マスクＭのパターン面Ｍａ及びプレートＰの投影面Ｐａ内の第２の配列方向であるＹ軸方向に沿って配列されている。そのため、投影光学ユニット４０は、プレートＰの投影面Ｐａ上にマスクＭのパターン面Ｍａの像ＰＩを規則的に配列された状態で形成することができる。

露光装置１では投影像位置検出ユニット５０によって、プレートＰの投影面Ｐａ上に形成されたマスクＭのパターン面Ｍａの像ＰＩ、すなわち照明視野絞り１５の２次像ＰＩの位置が検出される。露光装置１では、照明領域位置検出ユニット２０によってマスクＭのパターン面Ｍａ上の照明視野絞り１５の像ＭＩの位置が検出されるだけでなく、投影像位置検出ユニット５０によってプレートＰの投影面Ｐａ上のパターン面Ｍａの像ＰＩの位置をも、互いに独立に検出することができる。

投影像位置検出ユニット５０は、プレートＰの投影面Ｐａ上に形成されるパターン面Ｍａの像ＰＩを撮像する第２の撮像装置５２を有している。このため、投影像位置検出ユニット５０は、撮像された画像に基づき、容易に投影面Ｐａ上に形成されたパターン面Ｍａの像ＰＩの位置を検出できる。

投影光学ユニット４０は、当該投影光学ユニット４０を介して投影露光されるパターン面Ｍａの像ＰＩの投影面Ｐａ上での位置を変化させる像シフト素子４２を有する。そのため、プレートＰの投影面Ｐａ上に形成されるマスクＭのパターン面Ｍａの像ＰＩの位置を変更することができる。

また、こうしてプレートＰの投影面Ｐａに形成される照明視野絞り１５の２次像ＰＩの位置を適切に調整することにより、隣り合う露光領域の２重露光部分は適切な露光照度で、且つ重ね合わせ可能なように露光される。その結果、露光後に現像したプレートＰにおいて、パターンのムラ等を抑制することが可能となる。

露光装置１は、投影光学系４１の倍率を速度比として走査方向に相対的に、投影光学系４１に同期させてマスクＭのパターン面ＭａとプレートＰの投影面Ｐａとを移動するマスクステージ走査駆動系３ｂ及びプレートステージ走査駆動系４ｂを備えている。この場合、露光装置は走査型であり、第１の面と第２の面とを移動させつつ露光を行う。そのため、第２の面が大きくなった場合であっても、投影光学系を大きくすることなく第２の面を露光することができる。

露光装置１では、マスクステージ走査駆動系３ｂ及びプレートステージ走査駆動系４ｂが、投影光学系４１の走査方向（Ｘ軸方向）に相対的に、投影光学系４１に同期させてマスクＭのパターン面ＭａとプレートＰの投影面Ｐａとを移動するステージ機構を構成する。この場合、露光装置１は走査型であり、パターン面Ｍａと投影面Ｐａとを移動させつつ露光を行う。そのため、投影面Ｐａが大きくなった場合であっても、投影光学系４１を大きくすることなく投影面Ｐａを露光することができる。

本発明による照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法は、上記した実施形態及び構成例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、本実施形態では、照明領域位置検出ユニット２０は撮像装置２２を有しているが、撮像装置によらずに照明領域の位置を検出してもよい。また、照明領域位置検出ユニット２０が、撮像装置２２を移動させる駆動機構を有さず、例えばマスクＭのパターン面Ｍａ全面を一度に撮像できる撮像装置を用いてもよい。

また、照明装置は、照明視野絞り位置変更ユニット３０を有さず、例えば手動で変更してもよい。また、複数の照明光学系１１は、第１の面内の第１の配列方向に沿って配列されていなくてもよい。複数の投影光学系４１は、第１の面又は第２の面内の第２の配列方向に沿って配列されていなくてもよい。

また、露光装置は、投影像位置検出ユニットを備えていなくてもよい。投影像位置検出ユニット５０は、撮像装置によらずに第１の面の像の第２の面上の位置を検出してもよい。投影光学ユニット４０は、像シフト素子４２を有していなくてもよく、例えば投影光学ユニット４０中の１以上の光学素子（典型的にはレンズ、ミラー）の位置や姿勢を変更することで各照明視野絞り１５の２次像の位置を調整してもよい。露光装置は、走査型でなく、例えば一括露光型であってもよい。

また、上述の実施形態では、４つの第２の撮像装置５２をＹ軸方向に沿って並べているが、その数および配列については様々な変形が可能である。したがって、例えば１組の第２の検出光学系対物レンズ５１及び第２の撮像装置５２で像検出を行うこともできる。

また、上述の実施形態では、各投影光学ユニットが屈折型の結像光学系を有するマルチ走査型投影露光装置について本発明を適用しているが、これに限定されることなく、たとえば反射屈折型や反射型の結像光学系を有するマルチ走査型投影露光装置に対して本発明を適用してもよい。

さらに、本発明において、露光波長は、ｇ線、ｈ線、ｉ線などに特に限定されるものではない。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光からの波長２４８ｎｍのレーザ光やＡｒＦエキシマレーザ光の波長１９３ｎｍのレーザ光、紫外半導体レーザや紫外ＬＥＤなどの固体光源からの光やＹＡＧレーザからの高調波（典型的には３５５ｎｍ）などを露光光として用いることができる。

また、上述の実施形態では、マルチ走査型投影露光装置について本発明を説明しているが、複数の投影光学系から構成された投影光学ユニットに対してマスクおよびプレートを移動させることなく静止した状態でマスクのパターンを一括的に露光を行い、プレートを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置について本発明を適用してもよい。

なお、上述の各実施形態の感光性基板としては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、ディスプレイデバイス用の有機材料からなる基板又はフィルム、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等を適用してもよい。

本願実施形態の露光装置１は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

実施形態に係る露光装置を概略的に示す構成図である。 照明領域位置検出ユニットの構成を模式的に説明するための図である。 投影像位置検出ユニットの構成を模式的に説明するための図である。 実施形態に係る露光装置の調整方法を示すフローチャートである。 マスクのパターン面を照明装置側から見た上面図である。 撮像装置で得られた画像から像の画素位置を計測する方法の一例を説明するための図である。 投影像位置検出ユニットが、プレートの投影面における第１の面の位置を検出する方法を説明するための図である。 実施形態に係る露光装置を用いてデバイスを製造する方法を示すフローチャートである。

符号の説明

１…露光装置、２…ライトガイド、３…マスクステージ、４…プレートステージ、ＩＬ…照明装置、１０…照明光学ユニット、１１…照明光学系、１２…インプットレンズ、１３…フライアイレンズ、１４…コンデンサレンズ、１５…照明視野絞り、１６…リレーレンズ、２０…照明領域位置検出ユニット、２１…第１の検出光学系対物レンズ、２２…第１の撮像装置、２３…第１の駆動ステージ、２４…第１の駆動装置、２５…第１の制御部、２６…第１の表示部、３０…照明視野絞り位置変更ユニット、４０…投影光学ユニット、４１…投影光学系、４２…像シフト素子、５０…投影像位置検出ユニット、５１…第２の検出光学系対物レンズ、５２…第２の撮像装置、５３…第２の制御部、５４…第２の表示部、Ｍ…マスク、Ｐ…プレート。

Claims (14)

1. 複数の投影光学系を有する投影光学ユニットを用いて第１の面の像を第２の面に投影する露光装置に用いられ、前記第１の面を照明する照明装置であって、
   複数の照明光学系を有し、前記第１の面上に複数の照明領域を形成する照明光学ユニットと、
   前記第１の面に形成される前記複数の照明領域の位置を検出する照明領域位置検出ユニットと、を備え、
   前記複数の照明光学系のそれぞれは、前記第１の面上での前記照明領域を規定する照明視野絞りを有し、
   前記照明領域位置検出ユニットは、前記第１の面に形成される前記照明視野絞りの像の位置を検出することによって、前記第１の面に形成される前記複数の照明領域の位置を検出することを特徴とする照明装置。
2. 前記複数の照明光学系が、前記第１の面内の第１の配列方向に沿って配列されていることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
3. 前記照明領域位置検出ユニットによって検出された前記照明視野絞りの像の位置に基づいて、前記照明視野絞りの位置を当該照明視野絞りの位置における前記照明光学系の光軸を横切る面内で変更する照明視野絞り位置変更ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項１又は２記載の照明装置。
4. 前記照明領域位置検出ユニットが、前記第１の面上に形成される前記照明視野絞りの像を撮像する撮像装置を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項記載の照明装置。
5. 前記照明領域位置検出ユニットが、前記撮像装置を前記第１の面内で二次元方向に移動させる駆動機構をさらに有することを特徴とする請求項４記載の照明装置。
6. 第１の面の像を第２の面に投影する露光装置であって、
   請求項１〜５の何れか一項記載の照明装置と、
   該照明装置によって前記第１の面上に形成される複数の前記照明領域からの光に基づいて、前記第２の面上に前記第１の面の像をそれぞれ形成する複数の投影光学系を備えた投影光学ユニットとを備え、
   前記各投影光学系の倍率が１倍より大きいことを特徴とする露光装置。
7. 前記複数の投影光学系が、前記第１の面又は前記第２の面内の第２の配列方向に沿って配列されていることを特徴とする請求項６記載の露光装置。
8. 前記投影光学ユニットによって前記第２の面上に形成される前記第１の面の像の位置を検出する投影像位置検出ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項６又は７記載の露光装置。
9. 前記投影像位置検出ユニットが、前記第２の面上に形成される前記像を撮像する撮像装置を有することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
10. 前記投影光学ユニットが、当該投影光学ユニットを介して投影露光される前記第１の面の像の前記第２の面上での位置を変化させる像シフト素子を有することを特徴とする請求項６〜９の何れか一項記載の露光装置。
11. 前記投影光学系の前記倍率を速度比として走査方向に相対的に、前記投影光学系に同期させて前記第１の面と前記第２の面とを移動するステージ機構をさらに備えていることを特徴とする請求項６〜１０の何れか一項記載の露光装置。
12. 請求項６〜１１の何れか一項記載の露光装置の調整方法であって、
    前記第１の面に形成される前記照明視野絞りの像の位置を検出する工程と、
    検出された前記照明視野絞りの像の位置に関する情報に基づいて、前記第１の面に形成される前記照明視野絞りの像の位置を調整する工程と、
    を備えていることを特徴とする調整方法。
13. デバイスの製造方法であって、
    パターンが形成されたマスクを準備する工程と、
    感光性基板を準備する工程と、
    請求項６〜１１の何れか一項記載の露光装置の前記第１の面に前記マスクを配置すると共に、前記第２の面に前記感光性基板を配置して、前記マスクのパターンの像を前記感光性基板上に投影露光する工程と、
    前記マスクのパターンの前記像が投影された前記感光性基板を現像する工程と、
    を備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
14. 前記感光性基板は１辺又は対角線が５００ｍｍよりも大きい矩形の平板状のプレートであることを特徴とする請求項１３記載のデバイスの製造方法。

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