JP2009524264A - シリコン系材料のエッチング方法 - Google Patents
シリコン系材料のエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009524264A JP2009524264A JP2008551860A JP2008551860A JP2009524264A JP 2009524264 A JP2009524264 A JP 2009524264A JP 2008551860 A JP2008551860 A JP 2008551860A JP 2008551860 A JP2008551860 A JP 2008551860A JP 2009524264 A JP2009524264 A JP 2009524264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- silver
- minutes
- salt
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Abstract
【選択図】 なし
Description
本発明は、シリコン系材料のエッチング方法に関する。
シリコンピラーをつくるためのシリコン系材料の選択エッチングは、例えば、リチウム蓄電池の陰極をつくるのに有利であることが知られている。1つのこのようなアプローチは、参照によりここに組み込まれている米国特許第7033936号に記載されている。この文書によると、塩化セシウムの半球状の島をシリコン基板表面上に堆積させることによってマスクをつくり、これら島を含んだ基板表面を膜で被覆し、これら半球状構造体(それらを被覆した膜を含む)をこの表面から除去して、半球体があった領域が露出したマスクをつくることによって、ピラーが製作される。次に、反応性イオンエッチングを使用して基板を先の露出した領域においてエッチングし、レジストを、例えば物理スパッタリングによって除去して、複数のシリコンピラーからなるアレイを、エッチングされていない領域、すなわち、半球体の位置の間の領域に残す。
本発明は、特許請求の範囲において説明されている。
−1乃至40体積%のアルコール、例えば、エタノール,この溶液の典型的なアルコール含有量は、全体の水溶液の総体積に基づき、5乃至40体積%、例えば15乃至40体積%、任意に約5又は6体積%である,と、
−1.5乃至10モル濃度(M)、例えば5乃至7.5M、例えば約6.8Mのフッ化水素酸(典型的な濃度の例は、4.5−9M、例えば6.8乃至7.9Mである。4.5M、6.8M、7.9M及び9MのHF又はフッ化物塩の溶液は、それぞれ、濃(40%)HFを溶液中に20体積%、30体積%、35体積%及び40体積%含んでいることに対応することに気付かれたい)と、
−フッ化物イオンの存在下において、シリコン基板上の離散した領域に無電解堆積する5乃至100mM、例えば10乃至65mMの金属塩,この塩は、任意に、銀塩、例えば硝酸銀であり、この塩の濃度は、12.6乃至24mM、例えば24mMであり得る(12.6乃至22.1mMの溶液は、31.5mMの銀溶液を40乃至70%含有した溶液に相当し、24mM溶液は、0.06M(60mM)の銀溶液を40%含有した溶液に相当することに気付かれたい),と
である。
−フッ化水素酸(HF),フッ化物イオンの濃度は4乃至15M、例えば4.5乃至8Mであり得る,と、
−フッ化物イオンの存在下でシリコンを酸化させることが可能な金属塩,この塩は、任意に、銀塩又は鉄塩であり、好ましくは、銀又は鉄の硝酸塩である。この塩の濃度は、10乃至40mM、例えば20乃至30mMでも良く、例えば約25mMであり得る,と
であり得る。
F =P/[R + P]
ここで、Pは、ピラーとして存在するシリコンの量であり、Rは、除去されたシリコンの量である。
清浄なシリコンサンプル(約1cm2であり2−5オームcmのn型材料であって、上で説明されたようにバックコーティングされている)を、上向きに({100}面)、50mlのエッチング溶液が入ったポリプロピレンビーカー内に置く。このエッチング溶液の組成は、
12.5mlのHF(40%)、
2.5mlのエチルアルコール、
35mlの31.5mMのAgNO3
であり、
5.7MのHF、
5体積%のエチルアルコール、
22mMのAgNO3
を含んだ水溶液に相当する。
代わりのアプローチに従い、
−20mlの0.06MのAgNO3(最終溶液において24mM)と、
−17.5mlの濃HF(最終溶液において7.0M)と、
−2.5mlのEtOH(最終溶液において5体積%)と、
−10mlのH2Oと
からなるマスター溶液(合計で50ml)から始める。次に、以下の手順(a)乃至(c)の1つが行われる。
12.5mlの60mMのFe(NO3)3(aq)及び
17.5mlの40%のHF。
Si + 6F− + 4Ag+ = (SiF6)2− + 4Ag
などのガルバニック交換反応である。
Claims (29)
- シリコン基板をエッチングする方法であって、シリコン基板を、
フッ化物酸又はフッ化物塩と、
フッ化物イオンの存在下における金属の前記シリコン上への無電解堆積が可能な金属塩と、
アルコールと
の水溶液に接触させることを含んだ方法。 - 請求項1記載の方法であって、前記金属塩が、銀塩、任意には硝酸銀である方法。
- 請求項2記載の方法であって、前記溶液の前記硝酸銀の含有量は、0.2乃至16重量%、例えば、0.75重量%乃至0.7重量%の範囲内にある方法。
- 請求項1又は2記載の方法であって、前記溶液の前記金属塩の含有量、例えば前記銀又は硝酸銀の含有量は、5乃至100mM、例えば12.6乃至24mM、例えば12.6乃至22.1mMの範囲内にある方法。
- 請求項1乃至4の何れか1項記載の方法であって、前記フッ化物酸は、フッ化水素を、3乃至20重量%、例えば8乃至20%、例えば10乃至15%、例えば約12又は13.6%の含有量で含有している方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項記載の方法であって、前記エッチング用フッ化物酸は、フッ化水素を、1.5乃至10M、例えば5乃至7.5M、例えば約6.8Mの含有量で含有している方法。
- 請求項1乃至6の何れか1項記載の方法であって、前記アルコールはエタノールである方法。
- 請求項1乃至7の何れか1項記載の方法であって、前記アルコールの含有量は、40体積%以下、例えば3%乃至40%、例えば5乃至40%、例えば15乃至30%の範囲内にある方法。
- 請求項1乃至8の何れか1項記載の方法であって、0℃乃至30℃の範囲にある温度、例えば20℃にある溶液中に前記基板を放置する段階を更に含んだ方法。
- 請求項9記載の方法であって、前記放置する工程は、5乃至50分の範囲内の時間、例えば約10分間に亘って続く方法。
- 請求項1乃至10記載の何れか1項記載の方法であって、前記溶液の温度を、40℃乃至75℃の範囲にある温度へと上昇させることを更に含んだ方法。
- 請求項11記載の方法であって、30乃至100分の範囲内の時間、例えば約45分間に亘って、前記基板が、前記上昇させられた温度にある前記溶液中に放置される方法。
- 請求項1乃至12の何れか1項記載の方法であって、前記方法の進行中に、更なる銀塩、例えば硝酸銀又は鉄塩、例えば硝酸鉄を添加することを更に含んだ方法。
- 請求項13記載の方法であって、添加される前記銀塩又は鉄塩の量は、0.1乃至2重量%の範囲内、例えば約1重量%である方法。
- 請求項13又は14記載の方法であって、前記更なる銀塩又は鉄塩は、前記溶液の前記銀又は鉄の濃度を、2mM乃至6mMだけ、例えば2.85mM乃至5.45mMだけ増加させる量で添加される方法。
- 請求項13乃至15の何れか1項記載の方法であって、請求項11又は12に従属した場合、前記更なる銀塩又は前記鉄塩が、温度を上昇させる際に添加される方法。
- 請求項16記載の方法であって、銀塩又は鉄塩の第1の量が、温度を上昇させる際に添加され、次に、少なくとも1つの更なる量が、例えば10分後及び20分後に添加される方法。
- 請求項1乃至11の何れか1項記載の、シリコン基板をエッチングする方法であって、前記接触させる工程は、第1溶液を使用する第1段階を形成し、前記方法は、
フッ化物酸と鉄塩、例えばFe(NO3)3とを含有した第2溶液に、前記シリコン基板を接触させることを含んだ第2段階
を更に含んだ方法。 - 請求項18記載の方法であって、15分までの範囲内の時間、例えば約10分間に亘り、前記基板が、前記第1溶液中に放置される方法。
- 請求項18又は19記載の方法であって、前記第2段階が、前記第1段階よりも高い温度、例えば、30乃至80℃の範囲内にある温度、例えば45乃至75℃、例えば60°乃至75℃で行われる方法。
- 請求項18乃至20の何れか1項記載の方法であって、前記第2段階は、40乃至50分の範囲内の時間、例えば約45分間に亘って行われる方法。
- 請求項18乃至21の何れか1項記載の方法であって、前記第2溶液が、銀塩を、例えば60mMまでの量で含んでいる方法。
- 請求項18乃至22の何れか1項記載の方法であって、銀塩又は鉄塩、例えばFe(NO3)3及び/又はAgNO3を、前記方法の進行中に前記溶液へと、特には、第2段階の最中に前記第2溶液へと添加することを更に含んだ方法。
- 請求項23記載の方法であって、添加される更なる銀又は鉄の塩の量は、前記溶液の銀又は鉄の濃度を10mM以下、例えば2乃至6mM増加させる量である方法。
- 請求項23又は24記載の方法であって、前記銀又は鉄塩が、前記第2溶液へと、2回以上に亘って添加される方法。
- 請求項18乃至25の何れか1項記載の方法であって、40乃至50分の範囲内の時間、例えば45分間に亘り、前記基板が、前記第2溶液中に放置される方法。
- 請求項1乃至26の何れか1項記載の方法であって、エッチングが、{100}面か又は{110}面か又は{111}面で行われる方法。
- 請求項1乃至27の何れか1項記載の方法によってつくられたエッチングされたシリコン基板。
- 請求項28記載のエッチングされたシリコン基板を含んだ陰極を具備したリチウム蓄電池。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0601318.9 | 2006-01-23 | ||
GBGB0601318.9A GB0601318D0 (en) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | Method of etching a silicon-based material |
PCT/GB2007/000204 WO2007083152A1 (en) | 2006-01-23 | 2007-01-23 | Method of etching a silicon-based material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009524264A true JP2009524264A (ja) | 2009-06-25 |
JP5043041B2 JP5043041B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=36010792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008551860A Expired - Fee Related JP5043041B2 (ja) | 2006-01-23 | 2007-01-23 | シリコン系材料のエッチング方法 |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8585918B2 (ja) |
EP (1) | EP1977443A1 (ja) |
JP (1) | JP5043041B2 (ja) |
KR (1) | KR101182681B1 (ja) |
CN (1) | CN101390198B (ja) |
BR (1) | BRPI0707164A2 (ja) |
CA (1) | CA2637737C (ja) |
GB (1) | GB0601318D0 (ja) |
IL (1) | IL192969A0 (ja) |
MX (1) | MX2008009435A (ja) |
NO (1) | NO20083502L (ja) |
RU (1) | RU2429553C2 (ja) |
TW (1) | TWI446432B (ja) |
WO (1) | WO2007083152A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011519730A (ja) * | 2008-03-25 | 2011-07-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 超格子/量子井戸ナノワイヤ |
JP2012505505A (ja) * | 2008-10-10 | 2012-03-01 | ネグゼオン・リミテッド | シリコン又はシリコン系材料及びそれらの充電式リチウム電池への使用 |
WO2012157179A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2012243851A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2013026571A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2013058091A1 (ja) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | 日産自動車株式会社 | 電気デバイス用負極活物質 |
JP2013523588A (ja) * | 2010-04-09 | 2013-06-17 | ネグゼオン・リミテッド | シリコン又はシリコン系材料からなる構造化粒子の製造方法及びそのリチウム二次電池での使用 |
JP2013143531A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2015504568A (ja) * | 2011-10-06 | 2015-02-12 | ネグゼオン・リミテッドNexeon Ltd | エッチングされたシリコン構造、エッチングされたシリコン構造を形成する方法及びそれらの使用 |
JP2015509283A (ja) * | 2011-12-23 | 2015-03-26 | ネグゼオン・リミテッドNexeon Ltd | エッチングされたシリコン、エッチングされたシリコン構造を形成する方法及びその使用 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0601319D0 (en) | 2006-01-23 | 2006-03-01 | Imp Innovations Ltd | A method of fabricating pillars composed of silicon-based material |
FR2914925B1 (fr) | 2007-04-13 | 2009-06-05 | Altis Semiconductor Snc | Solution utilisee dans la fabrication d'un materiau semi-conducteur poreux et procede de fabrication dudit materiau |
GB0709165D0 (en) | 2007-05-11 | 2007-06-20 | Nexeon Ltd | A silicon anode for a rechargeable battery |
GB0713896D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | Method |
GB0713898D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US7816031B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-10-19 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Nanowire battery methods and arrangements |
US8815104B2 (en) | 2008-03-21 | 2014-08-26 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Copper-assisted, anti-reflection etching of silicon surfaces |
US8729798B2 (en) | 2008-03-21 | 2014-05-20 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Anti-reflective nanoporous silicon for efficient hydrogen production |
US20090236317A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Midwest Research Institute | Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions |
GB2464157B (en) * | 2008-10-10 | 2010-09-01 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material |
US20100285358A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Amprius, Inc. | Electrode Including Nanostructures for Rechargeable Cells |
GB2470056B (en) | 2009-05-07 | 2013-09-11 | Nexeon Ltd | A method of making silicon anode material for rechargeable cells |
GB2470190B (en) | 2009-05-11 | 2011-07-13 | Nexeon Ltd | A binder for lithium ion rechargeable battery cells |
GB0908089D0 (en) | 2009-05-11 | 2009-06-24 | Nexeon Ltd | A binder for lithium ion rechargaable battery cells |
US9853292B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-12-26 | Nexeon Limited | Electrode composition for a secondary battery cell |
US8450012B2 (en) | 2009-05-27 | 2013-05-28 | Amprius, Inc. | Interconnected hollow nanostructures containing high capacity active materials for use in rechargeable batteries |
EP2697820B1 (en) | 2009-11-11 | 2018-04-04 | Alliance for Sustainable Energy, LLC | Wet-chemical method for producing a black silicon substrate |
US9061902B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-06-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Crystalline-amorphous nanowires for battery electrodes |
US9780365B2 (en) | 2010-03-03 | 2017-10-03 | Amprius, Inc. | High-capacity electrodes with active material coatings on multilayered nanostructured templates |
KR101906606B1 (ko) | 2010-03-03 | 2018-10-10 | 암프리우스, 인코포레이티드 | 활물질을 증착하기 위한 템플릿 전극 구조체 |
US9172088B2 (en) | 2010-05-24 | 2015-10-27 | Amprius, Inc. | Multidimensional electrochemically active structures for battery electrodes |
GB201009519D0 (en) | 2010-06-07 | 2010-07-21 | Nexeon Ltd | An additive for lithium ion rechargeable battery cells |
US8828765B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-09-09 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Forming high efficiency silicon solar cells using density-graded anti-reflection surfaces |
KR20120001589A (ko) * | 2010-06-29 | 2012-01-04 | 고려대학교 산학협력단 | 실리콘 태양전지의 전면전극 형성용 유리상 형성제, 이를 포함한 금속 잉크 및 이를 이용한 실리콘 태양전지 |
GB201014706D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Porous electroactive material |
GB201014707D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Electroactive material |
WO2012067943A1 (en) | 2010-11-15 | 2012-05-24 | Amprius, Inc. | Electrolytes for rechargeable batteries |
CN110289320A (zh) | 2011-03-08 | 2019-09-27 | 可持续能源联盟有限责任公司 | 蓝光响应增强的高效黑硅光伏器件 |
KR101114492B1 (ko) * | 2011-04-15 | 2012-02-24 | 세진이노테크(주) | 리튬 이차전지용 음극 활물질, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 |
GB2492167C (en) | 2011-06-24 | 2018-12-05 | Nexeon Ltd | Structured particles |
WO2013006583A2 (en) | 2011-07-01 | 2013-01-10 | Amprius, Inc. | Template electrode structures with enhanced adhesion characteristics |
WO2013114095A1 (en) | 2012-01-30 | 2013-08-08 | Nexeon Limited | Composition of si/c electro active material |
GB2499984B (en) | 2012-02-28 | 2014-08-06 | Nexeon Ltd | Composite particles comprising a removable filler |
GB201205178D0 (en) * | 2012-03-23 | 2012-05-09 | Nexeon Ltd | Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof |
GB2502625B (en) | 2012-06-06 | 2015-07-29 | Nexeon Ltd | Method of forming silicon |
US9206523B2 (en) * | 2012-09-28 | 2015-12-08 | Intel Corporation | Nanomachined structures for porous electrochemical capacitors |
CN104756260B (zh) * | 2012-10-25 | 2016-12-28 | 韩国生产技术研究院 | 具有硅基板上的纳微复合结构的太阳能电池的制备方法及由此制备的太阳能电池 |
GB2507535B (en) | 2012-11-02 | 2015-07-15 | Nexeon Ltd | Multilayer electrode |
KR101460438B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2014-11-12 | 고려대학교 산학협력단 | 알루미늄 표면 처리 방법 |
CN104465375B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-09-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | P型鳍式场效应晶体管的形成方法 |
US20150108632A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-23 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Thin film with negative temperature coefficient behavior and method of making thereof |
KR101567203B1 (ko) | 2014-04-09 | 2015-11-09 | (주)오렌지파워 | 이차 전지용 음극 활물질 및 이의 방법 |
KR101604352B1 (ko) | 2014-04-22 | 2016-03-18 | (주)오렌지파워 | 음극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 |
KR102535137B1 (ko) | 2014-05-12 | 2023-05-22 | 암프리우스, 인코포레이티드 | 나노와이어 상에 구조적으로 제어된 실리콘의 증착 |
GB2533161C (en) | 2014-12-12 | 2019-07-24 | Nexeon Ltd | Electrodes for metal-ion batteries |
US10292384B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-05-21 | International Business Machines Corporation | Nanostructures fabricated by metal assisted chemical etching for antibacterial applications |
RU2624839C1 (ru) * | 2016-03-24 | 2017-07-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) | Способ формирования нитей кремния металл-стимулированным травлением с использованием серебра |
CN106206779A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-07 | 中国科学院高能物理研究所 | 以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法 |
CN108459054B (zh) * | 2017-02-20 | 2020-06-19 | 天津大学 | 一种硅纳米线—聚吡咯复合材料的制备方法 |
WO2018156775A1 (en) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | The Board Of Regents For Oklahoma State University | Hierarchical nanostructured silicon-based anodes for use in a lithium-ion battery |
KR102311328B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2021-10-14 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US11233288B2 (en) * | 2018-07-11 | 2022-01-25 | International Business Machines Corporation | Silicon substrate containing integrated porous silicon electrodes for energy storage devices |
CN111785944B (zh) * | 2020-07-20 | 2023-04-28 | 昆明理工大学 | 等离子活化切割硅废料制备多孔硅/碳/纳米金属复合负极材料的方法 |
CN114012103B (zh) * | 2021-10-21 | 2023-03-07 | 云南省产品质量监督检验研究院 | 一种在硅表面制备尺寸可控银纳米粒子的方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06342784A (ja) * | 1991-02-15 | 1994-12-13 | Canon Inc | 多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法 |
US20010023986A1 (en) * | 2000-02-07 | 2001-09-27 | Vladimir Mancevski | System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors |
JP2003303586A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 二次電池用電極 |
JP2004127561A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Hitachi Maxell Ltd | 微細パターン化薄膜電極と、これを負極とするリチウム二次電池 |
WO2004042851A2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Imperial College Innovations Limited | Structured silicon anode |
JP2004525352A (ja) * | 2000-12-22 | 2004-08-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 特に可動質量体を有する半導体構成素子を製作するための方法ならびに該方法により製作された半導体構成素子 |
WO2004114437A2 (fr) * | 2003-06-25 | 2004-12-29 | HYDRO-QUéBEC | Procede de preparation d'electrode a partir d'un materiau poreux, electrode ainsi obtenue et systeme electrochimique correspondant |
JP2005183505A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Kansai Tlo Kk | 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 |
JP2005277208A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (208)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB980513A (en) | 1961-11-17 | 1965-01-13 | Licentia Gmbh | Improvements relating to the use of silicon in semi-conductor devices |
US3351445A (en) | 1963-08-07 | 1967-11-07 | William S Fielder | Method of making a battery plate |
GB1014706A (en) | 1964-07-30 | 1965-12-31 | Hans Ohl | Improvements in or relating to devices for controlling the dosing of a plurality of different pourable substances for the production of mixtures |
US4002541A (en) | 1972-11-03 | 1977-01-11 | Design Systems, Inc. | Solar energy absorbing article and method of making same |
SU471402A1 (ru) | 1973-03-02 | 1975-05-25 | Предприятие П/Я Г-4671 | Травильный раствор |
SU544019A1 (ru) | 1975-07-22 | 1977-01-25 | Одесский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.И.И.Мечникова | Травитель дл полупроводниковых материалов |
US4436796A (en) | 1981-07-30 | 1984-03-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | All-solid electrodes with mixed conductor matrix |
JPS63215041A (ja) | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | 結晶欠陥評価用エツチング液 |
US4950566A (en) | 1988-10-24 | 1990-08-21 | Huggins Robert A | Metal silicide electrode in lithium cells |
JP2717890B2 (ja) * | 1991-05-27 | 1998-02-25 | 富士写真フイルム株式会社 | リチウム二次電池 |
DE4202454C1 (ja) | 1992-01-29 | 1993-07-29 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
US5660948A (en) * | 1995-09-26 | 1997-08-26 | Valence Technology, Inc. | Lithium ion electrochemical cell |
US5907899A (en) | 1996-06-11 | 1999-06-01 | Dow Corning Corporation | Method of forming electrodes for lithium ion batteries using polycarbosilanes |
JP3713900B2 (ja) | 1996-07-19 | 2005-11-09 | ソニー株式会社 | 負極材料及びこれを用いた非水電解液二次電池 |
US6022640A (en) | 1996-09-13 | 2000-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state rechargeable lithium battery, stacking battery, and charging method of the same |
JP3296543B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2002-07-02 | スズキ株式会社 | めっき被覆アルミニウム合金、及びそのシリンダーブロック、めっき処理ライン、めっき方法 |
US6337156B1 (en) | 1997-12-23 | 2002-01-08 | Sri International | Ion battery using high aspect ratio electrodes |
JP4399881B2 (ja) | 1998-12-02 | 2010-01-20 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池 |
JP3624088B2 (ja) | 1998-01-30 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 粉末材料、電極構造体、それらの製造方法、及びリチウム二次電池 |
JPH11283603A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Noritake Co Ltd | 電池用セパレーター及びその製造方法 |
US6235427B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-05-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Nonaqueous secondary battery containing silicic material |
JP2948205B1 (ja) | 1998-05-25 | 1999-09-13 | 花王株式会社 | 二次電池用負極の製造方法 |
US6063995A (en) * | 1998-07-16 | 2000-05-16 | First Solar, Llc | Recycling silicon photovoltaic modules |
KR100276656B1 (ko) * | 1998-09-16 | 2001-04-02 | 박찬구 | 박막형 복합 재료 양극으로 구성된 고체형 이차 전지 |
EP1052712B1 (en) * | 1998-12-02 | 2010-02-24 | Panasonic Corporation | Non-aqueous electrolyte secondary cell |
AU5449900A (en) * | 1999-06-03 | 2000-12-28 | Penn State Research Foundation, The | Deposited thin film void-column network materials |
GB9919479D0 (en) * | 1999-08-17 | 1999-10-20 | Imperial College | Island arrays |
JP3702223B2 (ja) * | 1999-10-22 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | リチウム電池用電極材料の製造方法 |
CN1257567C (zh) | 1999-10-22 | 2006-05-24 | 三洋电机株式会社 | 锂电池和可再充电锂电池中用的电极 |
US7192673B1 (en) * | 1999-10-22 | 2007-03-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery |
CA2388713C (en) | 1999-10-22 | 2012-10-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode for use in lithium battery and rechargeable lithium battery |
WO2001035473A1 (en) | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Nanogram Corporation | Electrodes including particles of specific sizes |
JP2000348730A (ja) | 2000-01-01 | 2000-12-15 | Seiko Instruments Inc | 非水電解質二次電池 |
US6353317B1 (en) | 2000-01-19 | 2002-03-05 | Imperial College Of Science, Technology And Medicine | Mesoscopic non-magnetic semiconductor magnetoresistive sensors fabricated with island lithography |
US6835332B2 (en) * | 2000-03-13 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing an electrode material for a rechargeable lithium battery, an electrode structural body for a rechargeable lithium battery, process for producing said electrode structural body, a rechargeable lithium battery in which said electrode structural body is used, and a process for producing said rechargeable lithium battery |
JP2001291514A (ja) | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 非水電解質二次電池用負極材料とその製造方法 |
US6399246B1 (en) * | 2000-05-05 | 2002-06-04 | Eveready Battery Company, Inc. | Latex binder for non-aqueous battery electrodes |
US6334939B1 (en) | 2000-06-15 | 2002-01-01 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Nanostructure-based high energy capacity material |
JP4137350B2 (ja) | 2000-06-16 | 2008-08-20 | 三星エスディアイ株式会社 | リチウム二次電池用の負極材料及びリチウム二次電池用の電極及びリチウム二次電池並びにリチウム二次電池用の負極材料の製造方法 |
NL1015956C2 (nl) | 2000-08-18 | 2002-02-19 | Univ Delft Tech | Batterij en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke batterij. |
AU2001282569A1 (en) | 2000-09-01 | 2002-03-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Negative electrode for lithium secondary cell and method for producing the same |
CN1474953A (zh) | 2000-09-25 | 2004-02-11 | ��������ķ������ | 人工构成的介电材料 |
WO2002047185A2 (en) | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Huggins Robert A | Improved electrodes for lithium batteries |
KR100545613B1 (ko) * | 2001-01-18 | 2006-01-25 | 산요덴키가부시키가이샤 | 리튬 이차 전지 |
JP2002279974A (ja) | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 二次電池用電極の製造方法 |
US7141859B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-11-28 | Georgia Tech Research Corporation | Porous gas sensors and method of preparation thereof |
JP2002313319A (ja) | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池 |
US6887623B2 (en) | 2001-04-09 | 2005-05-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery |
EP1258937A1 (en) | 2001-05-17 | 2002-11-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Micro silicon fuel cell, method of fabrication and self-powered semiconductor device integrating a micro fuel cell |
JP4183401B2 (ja) | 2001-06-28 | 2008-11-19 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池 |
US7070632B1 (en) | 2001-07-25 | 2006-07-04 | Polyplus Battery Company | Electrochemical device separator structures with barrier layer on non-swelling membrane |
KR100382767B1 (ko) | 2001-08-25 | 2003-05-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 2차 전지용 음극 박막 및 그의 제조방법 |
EP1313158A3 (en) | 2001-11-20 | 2004-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode material for rechargeable lithium battery, electrode comprising said electrode material, rechargeable lithium battery having said electrode , and process for the production thereof |
US7252749B2 (en) | 2001-11-30 | 2007-08-07 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Deposition method for nanostructure materials |
JP4035760B2 (ja) | 2001-12-03 | 2008-01-23 | 株式会社ジーエス・ユアサコーポレーション | 非水電解質二次電池 |
US20030135989A1 (en) | 2002-01-19 | 2003-07-24 | Huggins Robert A. | Electrodes for alkali metal batteries |
WO2003063271A1 (en) | 2002-01-19 | 2003-07-31 | Huggins Robert A | Improved electrodes for alkali metal batteries |
JP4199460B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2008-12-17 | パナソニック株式会社 | 角形密閉式電池 |
US7147894B2 (en) | 2002-03-25 | 2006-12-12 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Method for assembling nano objects |
US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
US8236443B2 (en) | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
US6916679B2 (en) | 2002-08-09 | 2005-07-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Methods of and device for encapsulation and termination of electronic devices |
US20080003496A1 (en) | 2002-08-09 | 2008-01-03 | Neudecker Bernd J | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
JP2004095264A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Mitsubishi Materials Corp | リチウムイオン二次電池用負極及び該負極を用いて作製したリチウムイオン二次電池 |
WO2004022484A1 (ja) | 2002-09-05 | 2004-03-18 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 金属酸化物、金属窒化物又は金属炭化物コート炭素微粉末、その製造方法、当該炭素微粉末を用いたスーパーキャパシター及び二次電池 |
AU2003266021A1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-04-30 | California Institute Of Technology | High-capacity nanostructured silicon and lithium alloys thereof |
JP4614625B2 (ja) | 2002-09-30 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池の製造方法 |
CA2411695A1 (fr) | 2002-11-13 | 2004-05-13 | Hydro-Quebec | Electrode recouverte d'un film obtenu a partir d'une solution aqueuse comportant un liant soluble dans l'eau, son procede de fabrication et ses utilisations |
JP3664252B2 (ja) | 2002-11-19 | 2005-06-22 | ソニー株式会社 | 負極およびそれを用いた電池 |
JP4088957B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2008-05-21 | ソニー株式会社 | リチウム二次電池 |
JP4025995B2 (ja) | 2002-11-26 | 2007-12-26 | 信越化学工業株式会社 | 非水電解質二次電池負極材及びその製造方法並びにリチウムイオン二次電池 |
JP2006513048A (ja) | 2002-12-09 | 2006-04-20 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ナノ構造を含む材料を集めるおよび分類する方法および関連する物品 |
US7491467B2 (en) | 2002-12-17 | 2009-02-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery and nonaqueous electrolyte secondary battery using the same |
CN100349311C (zh) | 2003-01-06 | 2007-11-14 | 三星Sdi株式会社 | 可再充电锂电池的负极活性材料和可再充电锂电池 |
JP3827642B2 (ja) | 2003-01-06 | 2006-09-27 | 三星エスディアイ株式会社 | リチウム二次電池用負極活物質及びその製造方法並びにリチウム二次電池 |
CN100452493C (zh) * | 2003-01-06 | 2009-01-14 | 三星Sdi株式会社 | 再充电锂电池用的负极活性材料、其制法和再充电锂电池 |
JP2004281317A (ja) | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用電極材料とその製造方法、ならびにそれを用いた非水電解質二次電池 |
US20040185346A1 (en) | 2003-03-19 | 2004-09-23 | Takeuchi Esther S. | Electrode having metal vanadium oxide nanoparticles for alkali metal-containing electrochemical cells |
US6969690B2 (en) | 2003-03-21 | 2005-11-29 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles |
CN1322611C (zh) | 2003-03-26 | 2007-06-20 | 佳能株式会社 | 电极材料、具有该材料的构造体和具有该构造体的二次电池 |
JP4027255B2 (ja) | 2003-03-28 | 2007-12-26 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池用負極及びその製造方法 |
US20040241548A1 (en) | 2003-04-02 | 2004-12-02 | Takayuki Nakamoto | Negative electrode active material and non-aqueous electrolyte rechargeable battery using the same |
CN100347885C (zh) | 2003-05-22 | 2007-11-07 | 松下电器产业株式会社 | 非水电解质二次电池及其制造方法 |
US7094499B1 (en) | 2003-06-10 | 2006-08-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Carbon materials metal/metal oxide nanoparticle composite and battery anode composed of the same |
JP4610213B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2011-01-12 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池及びその製造方法 |
WO2005000956A2 (en) | 2003-06-23 | 2005-01-06 | A123 Systems, Inc. | Polymer composition for encapsulation of electrode particles |
JP4095499B2 (ja) | 2003-06-24 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | リチウム二次電池用の電極材料、電極構造体及びリチウム二次電池 |
WO2005006469A1 (ja) | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Itochu Corporation | 集電構造体及び電極構造体 |
KR100595896B1 (ko) | 2003-07-29 | 2006-07-03 | 주식회사 엘지화학 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질 및 그의 제조 방법 |
KR100496306B1 (ko) | 2003-08-19 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 금속 애노드의 제조방법 |
KR100497251B1 (ko) | 2003-08-20 | 2005-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 설퍼 전지용 음극 보호막 조성물 및 이를 사용하여제조된 리튬 설퍼 전지 |
DE10347570B4 (de) | 2003-10-14 | 2015-07-23 | Evonik Degussa Gmbh | Anorganische Separator-Elektroden-Einheit für Lithium-Ionen-Batterien, Verfahren zu deren Herstellung, Verwendung in Lithium-Batterien und Lithium-Batterien mit der anorganischen Separator-Elektroden-Einheit |
JP4497899B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池 |
US7816032B2 (en) | 2003-11-28 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Energy device and method for producing the same |
US7348102B2 (en) | 2004-03-16 | 2008-03-25 | Toyota Motor Corporation | Corrosion protection using carbon coated electron collector for lithium-ion battery with molten salt electrolyte |
US7521153B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-04-21 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Corrosion protection using protected electron collector |
US7468224B2 (en) | 2004-03-16 | 2008-12-23 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Battery having improved positive electrode and method of manufacturing the same |
US7790316B2 (en) | 2004-03-26 | 2010-09-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon composite particles, preparation thereof, and negative electrode material for non-aqueous electrolyte secondary cell |
US8231810B2 (en) | 2004-04-15 | 2012-07-31 | Fmc Corporation | Composite materials of nano-dispersed silicon and tin and methods of making the same |
US7781102B2 (en) | 2004-04-22 | 2010-08-24 | California Institute Of Technology | High-capacity nanostructured germanium-containing materials and lithium alloys thereof |
CA2564220A1 (en) | 2004-04-30 | 2005-12-15 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for nanowire growth and harvesting |
CN1839497B (zh) | 2004-05-17 | 2010-06-30 | 株式会社Lg化学 | 电极及其制备方法 |
US20060019115A1 (en) | 2004-05-20 | 2006-01-26 | Liya Wang | Composite material having improved microstructure and method for its fabrication |
RU2391330C9 (ru) * | 2004-07-01 | 2011-05-10 | Басф Акциенгезельшафт | Способ получения акролеина, или акриловой кислоты, или их смеси из пропана |
FR2873854A1 (fr) | 2004-07-30 | 2006-02-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une electrode lithiee, electrode lithiee susceptible d'etre obtenue par ce procede et ses utilisations |
US20060088767A1 (en) | 2004-09-01 | 2006-04-27 | Wen Li | Battery with molten salt electrolyte and high voltage positive active material |
US20060051670A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary cell negative electrode material and metallic silicon power therefor |
US7955735B2 (en) | 2004-11-15 | 2011-06-07 | Panasonic Corporation | Non-aqueous electrolyte secondary battery |
US7635540B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-12-22 | Panasonic Corporation | Negative electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery and non-aqueous electrolyte secondary battery comprising the same |
US7939218B2 (en) * | 2004-12-09 | 2011-05-10 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
JP4824394B2 (ja) | 2004-12-16 | 2011-11-30 | パナソニック株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極、その製造方法、およびそれを用いたリチウムイオン二次電池 |
KR100738054B1 (ko) | 2004-12-18 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극 활물질, 그 제조 방법 및 이를 채용한 음극과 리튬전지 |
JP4229062B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2009-02-25 | ソニー株式会社 | リチウムイオン二次電池 |
US20090004564A1 (en) | 2004-12-22 | 2009-01-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composite Negative Electrode Active Material, Method For Producing The Same And Non-Aqueous Electrolyte Secondary Battery |
JP4095621B2 (ja) | 2005-03-28 | 2008-06-04 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | 光学画像取得装置、光学画像取得方法、及びマスク検査装置 |
JP2006290938A (ja) | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Nippon Brake Kogyo Kk | 摩擦材 |
CA2506104A1 (en) | 2005-05-06 | 2006-11-06 | Michel Gauthier | Surface modified redox compounds and composite electrode obtain from them |
EP1885653A4 (en) * | 2005-05-09 | 2010-12-22 | Vesta Res Ltd | POROUS SILICON PARTS |
TWI254031B (en) | 2005-05-10 | 2006-05-01 | Aquire Energy Co Ltd | Manufacturing method of LixMyPO4 compound with olivine structure |
US20080138710A1 (en) | 2005-05-10 | 2008-06-12 | Ben-Jie Liaw | Electrochemical Composition and Associated Technology |
US7887954B2 (en) | 2005-05-10 | 2011-02-15 | Advanced Lithium Electrochemistry Co., Ltd. | Electrochemical composition and associated technology |
US7700236B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-04-20 | Aquire Energy Co., Ltd. | Cathode material for manufacturing a rechargeable battery |
US7781100B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-08-24 | Advanced Lithium Electrochemistry Co., Ltd | Cathode material for manufacturing rechargeable battery |
US7799457B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-09-21 | Advanced Lithium Electrochemistry Co., Ltd | Ion storage compound of cathode material and method for preparing the same |
FR2885734B1 (fr) | 2005-05-13 | 2013-07-05 | Accumulateurs Fixes | Materiau nanocomposite pour anode d'accumulateur au lithium |
JP2006351516A (ja) | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Toshiba Corp | 負極活物質及び非水電解質二次電池 |
FR2885913B1 (fr) | 2005-05-18 | 2007-08-10 | Centre Nat Rech Scient | Element composite comprenant un substrat conducteur et un revetement metallique nanostructure. |
JP4603422B2 (ja) | 2005-06-01 | 2010-12-22 | 株式会社タカギセイコー | 樹脂製タンクの表面処理方法 |
US20080113271A1 (en) | 2005-06-03 | 2008-05-15 | Tomohiro Ueda | Non-Aqueous Electrolyte Secondary Battery and Method for Producing Negative Electrode Therefor |
KR100684733B1 (ko) * | 2005-07-07 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지 |
JP4876468B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2012-02-15 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池 |
US8080334B2 (en) | 2005-08-02 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Lithium secondary battery |
CN100438157C (zh) * | 2005-08-29 | 2008-11-26 | 松下电器产业株式会社 | 用于非水电解质二次电池的负极、其制造方法以及非水电解质二次电池 |
US7524529B2 (en) | 2005-09-09 | 2009-04-28 | Aquire Energy Co., Ltd. | Method for making a lithium mixed metal compound having an olivine structure |
US20070065720A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-22 | Masaki Hasegawa | Negative electrode for lithium ion secondary battery and lithium ion secondary battery prepared by using the same |
JP2007123242A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 非水電解質二次電池 |
US7771861B2 (en) | 2005-10-13 | 2010-08-10 | 3M Innovative Properties Company | Method of using an electrochemical cell |
KR100759556B1 (ko) | 2005-10-17 | 2007-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극 활물질, 그 제조 방법 및 이를 채용한 음극과 리튬전지 |
US20070099084A1 (en) | 2005-10-31 | 2007-05-03 | T/J Technologies, Inc. | High capacity electrode and methods for its fabrication and use |
KR100749486B1 (ko) | 2005-10-31 | 2007-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 그의 제조 방법 및 그를포함하는 리튬 이차 전지 |
JP2007128766A (ja) | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Sony Corp | 負極活物質および電池 |
US20070117018A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Huggins Robert A | Silicon and/or boron-based positive electrode |
KR100949330B1 (ko) | 2005-11-29 | 2010-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질 및 그를 포함하는 리튬 이차전지 |
JP2007165079A (ja) | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用負極とそれを用いた非水電解質二次電池 |
US7906238B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Silicon-containing alloys useful as electrodes for lithium-ion batteries |
KR100763892B1 (ko) | 2006-01-20 | 2007-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극 활물질, 그 제조 방법, 및 이를 채용한 음극과 리튬전지 |
GB0601319D0 (en) | 2006-01-23 | 2006-03-01 | Imp Innovations Ltd | A method of fabricating pillars composed of silicon-based material |
US7717968B2 (en) | 2006-03-08 | 2010-05-18 | Yevgen Kalynushkin | Electrode for energy storage device and method of forming the same |
US7972731B2 (en) | 2006-03-08 | 2011-07-05 | Enerl, Inc. | Electrode for cell of energy storage device and method of forming the same |
US7776473B2 (en) | 2006-03-27 | 2010-08-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-silicon oxide-lithium composite, making method, and non-aqueous electrolyte secondary cell negative electrode material |
WO2007114168A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | リチウム二次電池及びその製造方法 |
KR101328982B1 (ko) | 2006-04-17 | 2013-11-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극 활물질 및 그 제조 방법 |
CN100563047C (zh) | 2006-04-25 | 2009-11-25 | 立凯电能科技股份有限公司 | 适用于制作二次电池的正极的复合材料及其所制得的电池 |
KR101483123B1 (ko) | 2006-05-09 | 2015-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속 나노결정 복합체를 포함하는 음극 활물질, 그 제조방법 및 이를 채용한 음극과 리튬 전지 |
JP2007305546A (ja) | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Sony Corp | リチウムイオン電池 |
KR100863733B1 (ko) | 2006-05-15 | 2008-10-16 | 주식회사 엘지화학 | 바인더로서 폴리우레탄을 물리적으로 혼합한폴리아크릴산이 포함되어 있는 전극 합제 및 이를 기반으로하는 리튬 이차전지 |
US20070269718A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | 3M Innovative Properties Company | Electrode composition, method of making the same, and lithium ion battery including the same |
US8080335B2 (en) | 2006-06-09 | 2011-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Powder material, electrode structure using the powder material, and energy storage device having the electrode structure |
JP5200339B2 (ja) | 2006-06-16 | 2013-06-05 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池 |
JP5398962B2 (ja) | 2006-06-30 | 2014-01-29 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池及びその製造方法 |
US7964307B2 (en) | 2006-07-24 | 2011-06-21 | Panasonic Corporation | Negative electrode for lithium ion secondary battery, method for producing the same, and lithium ion secondary battery |
JP2008034266A (ja) | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Canon Inc | リチウム二次電池用負極材料の製造方法 |
US7722991B2 (en) | 2006-08-09 | 2010-05-25 | Toyota Motor Corporation | High performance anode material for lithium-ion battery |
WO2008029502A1 (en) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Unitika Ltd. | Binder for electrode formation, slurry for electrode formation using the binder, electrode using the slurry, secondary battery using the electrode, and capacitor using the electrode |
JP5039956B2 (ja) | 2006-09-07 | 2012-10-03 | トヨタ自動車株式会社 | 負極活物質、負極およびリチウム二次電池 |
US8734997B2 (en) | 2006-10-10 | 2014-05-27 | Panasonic Corporation | Negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery |
US8187754B2 (en) | 2006-10-11 | 2012-05-29 | Panasonic Corporation | Coin-type non-aqueous electrolyte battery |
KR100778450B1 (ko) | 2006-11-22 | 2007-11-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 이의 제조 방법 및 이를포함하는 리튬 이차 전지 |
KR100814816B1 (ko) | 2006-11-27 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질 및 그를 포함하는 리튬 이차전지 |
JP4501081B2 (ja) | 2006-12-06 | 2010-07-14 | ソニー株式会社 | 電極の形成方法および電池の製造方法 |
JP2008171802A (ja) | 2006-12-13 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用負極とその製造方法およびそれを用いた非水電解質二次電池 |
JP4321584B2 (ja) | 2006-12-18 | 2009-08-26 | ソニー株式会社 | 二次電池用負極および二次電池 |
US7709139B2 (en) | 2007-01-22 | 2010-05-04 | Physical Sciences, Inc. | Three dimensional battery |
JP5143437B2 (ja) | 2007-01-30 | 2013-02-13 | 日本カーボン株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極活物質の製造方法、負極活物質及び負極 |
EP2122723B1 (en) | 2007-02-06 | 2017-04-12 | 3M Innovative Properties Company | Electrodes including novel binders and methods of making and using the same |
US20090053589A1 (en) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | 3M Innovative Properties Company | Electrolytes, electrode compositions, and electrochemical cells made therefrom |
US20080206631A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Electrolytes, electrode compositions and electrochemical cells made therefrom |
US20080206641A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Electrode compositions and electrodes made therefrom |
JP2008234988A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sony Corp | 負極およびその製造方法、ならびに電池およびその製造方法 |
KR100859687B1 (ko) | 2007-03-21 | 2008-09-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질 및 그를 포함하는 리튬 이차전지 |
KR100796664B1 (ko) | 2007-03-21 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 |
EP2320512B1 (en) * | 2007-03-27 | 2012-09-12 | Hitachi Vehicle Energy, Ltd. | Lithium secondary battery |
JP4979432B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-07-18 | 三洋電機株式会社 | 円筒型リチウム二次電池 |
US20080241703A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Hidekazu Yamamoto | Nonaqueous electrolyte secondary battery |
US8096147B2 (en) * | 2007-03-28 | 2012-01-17 | Life Bioscience, Inc. | Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures |
JP2008243717A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 非水電解液二次電池及びその製造方法 |
JP2008269827A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気化学素子の電極材料およびその製造方法並びにそれを用いた電極極板および電気化学素子 |
GB0709165D0 (en) | 2007-05-11 | 2007-06-20 | Nexeon Ltd | A silicon anode for a rechargeable battery |
JP5338041B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-11-13 | ソニー株式会社 | 二次電池用負極および二次電池 |
US20090087731A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Atsushi Fukui | Lithium secondary battery |
CN101442124B (zh) | 2007-11-19 | 2011-09-07 | 比亚迪股份有限公司 | 锂离子电池负极用复合材料的制备方法及负极和电池 |
US20090186267A1 (en) * | 2008-01-23 | 2009-07-23 | Tiegs Terry N | Porous silicon particulates for lithium batteries |
KR101406013B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2014-06-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 비수 전해질 2차 전지용 부극재 및 그것의 제조 방법, 및 비수 전해질 2차 전지용 부극 및 비수 전해질 2차 전지 |
JP2009252348A (ja) | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Panasonic Corp | 非水電解質電池 |
US8034485B2 (en) * | 2008-05-29 | 2011-10-11 | 3M Innovative Properties Company | Metal oxide negative electrodes for lithium-ion electrochemical cells and batteries |
US20100085685A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Avx Corporation | Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates |
GB2464158B (en) | 2008-10-10 | 2011-04-20 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
GB2464157B (en) | 2008-10-10 | 2010-09-01 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material |
KR101065778B1 (ko) * | 2008-10-14 | 2011-09-20 | 한국과학기술연구원 | 탄소나노튜브 피복 실리콘-구리 복합 입자 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 이차전지용 음극 및 이차전지 |
JP4952746B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2012-06-13 | ソニー株式会社 | リチウムイオン二次電池およびリチウムイオン二次電池用負極 |
CN101740747B (zh) | 2008-11-27 | 2012-09-05 | 比亚迪股份有限公司 | 一种硅负极和含有该硅负极的锂离子电池 |
US20100285358A1 (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Amprius, Inc. | Electrode Including Nanostructures for Rechargeable Cells |
GB2470190B (en) | 2009-05-11 | 2011-07-13 | Nexeon Ltd | A binder for lithium ion rechargeable battery cells |
GB0908089D0 (en) | 2009-05-11 | 2009-06-24 | Nexeon Ltd | A binder for lithium ion rechargaable battery cells |
ES2910086T3 (es) * | 2009-05-19 | 2022-05-11 | Oned Mat Inc | Materiales nanoestructurados para aplicaciones de batería |
US20100330419A1 (en) * | 2009-06-02 | 2010-12-30 | Yi Cui | Electrospinning to fabricate battery electrodes |
-
2006
- 2006-01-23 GB GBGB0601318.9A patent/GB0601318D0/en not_active Ceased
-
2007
- 2007-01-23 RU RU2008132685/28A patent/RU2429553C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-23 BR BRPI0707164-7A patent/BRPI0707164A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2007-01-23 WO PCT/GB2007/000204 patent/WO2007083152A1/en active Application Filing
- 2007-01-23 US US12/161,657 patent/US8585918B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-23 JP JP2008551860A patent/JP5043041B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-23 MX MX2008009435A patent/MX2008009435A/es unknown
- 2007-01-23 EP EP07704981A patent/EP1977443A1/en not_active Withdrawn
- 2007-01-23 KR KR1020087019666A patent/KR101182681B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-01-23 TW TW096102457A patent/TWI446432B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-01-23 CN CN2007800063282A patent/CN101390198B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-23 CA CA2637737A patent/CA2637737C/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-22 IL IL192969A patent/IL192969A0/en unknown
- 2008-08-13 NO NO20083502A patent/NO20083502L/no not_active Application Discontinuation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06342784A (ja) * | 1991-02-15 | 1994-12-13 | Canon Inc | 多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法 |
US20010023986A1 (en) * | 2000-02-07 | 2001-09-27 | Vladimir Mancevski | System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors |
JP2004525352A (ja) * | 2000-12-22 | 2004-08-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 特に可動質量体を有する半導体構成素子を製作するための方法ならびに該方法により製作された半導体構成素子 |
JP2003303586A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 二次電池用電極 |
JP2004127561A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Hitachi Maxell Ltd | 微細パターン化薄膜電極と、これを負極とするリチウム二次電池 |
WO2004042851A2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Imperial College Innovations Limited | Structured silicon anode |
WO2004114437A2 (fr) * | 2003-06-25 | 2004-12-29 | HYDRO-QUéBEC | Procede de preparation d'electrode a partir d'un materiau poreux, electrode ainsi obtenue et systeme electrochimique correspondant |
JP2005183505A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Kansai Tlo Kk | 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 |
JP2005277208A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011519730A (ja) * | 2008-03-25 | 2011-07-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 超格子/量子井戸ナノワイヤ |
US8878259B2 (en) | 2008-03-25 | 2014-11-04 | International Business Machines Corporation | Super lattice/quantum well nanowires |
JP2012505505A (ja) * | 2008-10-10 | 2012-03-01 | ネグゼオン・リミテッド | シリコン又はシリコン系材料及びそれらの充電式リチウム電池への使用 |
JP2013523588A (ja) * | 2010-04-09 | 2013-06-17 | ネグゼオン・リミテッド | シリコン又はシリコン系材料からなる構造化粒子の製造方法及びそのリチウム二次電池での使用 |
JP2012243851A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2012157179A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
US8883543B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-11-11 | Sumco Corporation | Method of producing wafer for solar cell, method of producing solar cell, and method of producing solar cell module |
JP2013026571A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2015504568A (ja) * | 2011-10-06 | 2015-02-12 | ネグゼオン・リミテッドNexeon Ltd | エッチングされたシリコン構造、エッチングされたシリコン構造を形成する方法及びそれらの使用 |
WO2013058091A1 (ja) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | 日産自動車株式会社 | 電気デバイス用負極活物質 |
CN103875100A (zh) * | 2011-10-17 | 2014-06-18 | 日产自动车株式会社 | 电气器件用负极活性物质 |
US9979016B2 (en) | 2011-10-17 | 2018-05-22 | Nissan Motor Co., Ltd. | Negative electrode active material for electric device |
JP2015509283A (ja) * | 2011-12-23 | 2015-03-26 | ネグゼオン・リミテッドNexeon Ltd | エッチングされたシリコン、エッチングされたシリコン構造を形成する方法及びその使用 |
JP2013143531A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101390198A (zh) | 2009-03-18 |
US20100233539A1 (en) | 2010-09-16 |
RU2008132685A (ru) | 2010-02-27 |
JP5043041B2 (ja) | 2012-10-10 |
GB0601318D0 (en) | 2006-03-01 |
MX2008009435A (es) | 2009-01-13 |
CN101390198B (zh) | 2011-04-13 |
RU2429553C2 (ru) | 2011-09-20 |
WO2007083152A1 (en) | 2007-07-26 |
BRPI0707164A2 (pt) | 2011-08-02 |
IL192969A0 (en) | 2009-02-11 |
TW200735205A (en) | 2007-09-16 |
KR101182681B1 (ko) | 2012-09-14 |
EP1977443A1 (en) | 2008-10-08 |
CA2637737A1 (en) | 2007-07-26 |
KR20090004858A (ko) | 2009-01-12 |
NO20083502L (no) | 2008-08-13 |
TWI446432B (zh) | 2014-07-21 |
CA2637737C (en) | 2016-03-01 |
US8585918B2 (en) | 2013-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043041B2 (ja) | シリコン系材料のエッチング方法 | |
TWI460908B (zh) | 製造由矽或以矽為主的材料構成的結構化粒子的方法及其在鋰可充電電池的用途 | |
TW201201434A (en) | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries | |
TWI484687B (zh) | 一種經事先充電的材料,其製造方法,製造電池電極及鋰充電電池之方法,包含經事先充電的材料之複合電極及其用途。 | |
JP2015514310A (ja) | エッチングされたシリコン構造、エッチングされたシリコン構造を形成する方法およびその使用 | |
WO2009010759A1 (en) | Method | |
EP2764563A1 (en) | Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof | |
CN105612277A (zh) | 用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法以及使用所述硅纳米线和/或纳米带的锂电池和阳极 | |
WO2011015174A1 (de) | Elektrode für lithium-ionen akkumulatoren | |
JP2015512566A (ja) | シリコン表面の銅支援反射防止エッチング | |
WO2011066818A1 (de) | Nanodrahtstruktur mit freiliegenden, regelmässig angeordneten nanodrahtenden und verfahren zur herstellung einer solchen struktur | |
CN103451632A (zh) | 微纳米银、铜或银铜合金薄膜及其制备方法 | |
CN103979487B (zh) | 一种掺杂多孔硅球的制备方法 | |
Elias et al. | ZnO nanowires, nanotubes, and complex hierarchical structures obtained by electrochemical deposition | |
TW201236049A (en) | Wafer for solar cell and fabricating method thereof | |
JP2020059632A (ja) | 表面孔を有するシリコン微粒子の製造方法、及びシリコン微粒子 | |
KR20150025091A (ko) | 실리콘 나노와이어 어레이, 리튬 이온전지용 음극 및 이의 제조방법 | |
Kuo et al. | Photoluminescent or blackened silicon surfaces synthesized with copper-assisted chemical etching: for energy applications | |
JP7224593B2 (ja) | 微細突起を有するシリコン微粒子の製造方法、及びシリコン微粒子 | |
Bodian et al. | New chemical attack of Ag-catalyzed on Si in HF-H2O2-AgNO3 medium. Application to Si solar cells treatment | |
Benoit et al. | Silicon nanowires: condition of synthesis and size selection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100422 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110621 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |