CN1257567C - 锂电池和可再充电锂电池中用的电极 - Google Patents

锂电池和可再充电锂电池中用的电极 Download PDF

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Abstract

一种用于锂电池的电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，例如通过隔层在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，可以使隔层的材料与活性材料薄膜合金。

Description

锂电池和可再充电锂电池中用的电极
技术领域
本发明涉及在锂电池中使用的一种新颖的电极、利用该电极的锂电池以及可再充电锂电池。
背景技术
近来，加强研究和发展可再充电锂电池的电池性能，例如，充电-放电电压、循环寿命特性或蓄电特性，大多与所使用的电极有关。这已经导致试图通过改进电极活性材料来得到较佳电池性能。
使用金属锂作为负活性材料虽然可能构成具有每单位重量和容积能量密度高的电池，但是存在一个问题，即，在充电时沉积的锂会生成枝状晶体，它可能导致内部短路。
报导一些可再充电锂电池(Solid State Ionics，113-115，p57(1998))，这些电池使用铝、硅、锡等构成的电极，在充电时，与锂通过电化学合金。尤其，硅电极提供特别高的理论容量，而且允许作为高容量负电极。为了这个原因，推荐使用硅作为负电极的各种可再充电锂电池(日本专利平成10-255768号)。然而，这种混合物负电极由于作为电极活性材料的混合物本身在充电和放电时变成粉末而降低了电流收集能力，不能提供足够的循环特性。
发明内容
本申请的发明者已经发现，电极包括由例如微晶或无定形硅薄膜之类的活性材料构成的薄膜，通过例如喷涂或CVD过程之类的薄膜形成过程沉积在集电器(current collector)上，当把这种电极结合在可再充电锂电池中时，展现改进的充电-放电循环特性，如在参考实验1至7中所示，这将在以后描述。
他们还已经发现，当追求这种电极的满意的充电-放电循环特性时，活性材料薄膜和集电器之间的粘合的重要性。
本发明的目的是提供一种用于锂电池的电极，其中，在集电器上提供能够存储和释放锂的活性材料薄膜，通过加强活性材料薄膜对集电器的粘合性可以得到改进的充电-放电循环特性。
本发明是在锂电池中使用的一种电极，其中，通过隔层在集电器上提供能够存储和释放锂的活性材料薄膜，其特征在于，隔层包括可与活性材料薄膜合金的材料。
使用包括可与活性材料薄膜合金的材料的隔层改进了活性材料薄膜对集电器的粘合性。在充电-放电作用期间当薄膜膨胀和收缩时，这种结构防止薄膜与集电器分离，导致获得改进的充电-放电循环特性。
在根据本发明的一个较佳实施例中，使用机械强度高于隔层材料的金属箔或合金箔来构成集电器。
在本发明中，由于活性材料薄膜存储和释放锂时活性材料薄膜的膨胀和收缩，在充电-放电作用期间在集电器中引起应力。应力导致在集电器中形成皱纹，是不可逆的结果，即，塑料变形。皱纹形成不但增加电池的体积，而且还干扰了电极作用的一致性，导致能量密度的降低。为了制止这种皱纹的形成，最好使用例如拉伸强度和拉伸模数之类机械强度优越的材料。然而，如果直接在这种材料上沉积活性材料薄膜作为集电器，则它们之间的粘合性有时会不够，导致不能得到满意的充电-放电循环。既然是这样，在集电器和薄膜之间介入包括可与活性材料薄膜合金的材料的隔层，防止了充电-放电作用期间的薄膜分离以及制止了皱纹的形成。
相应地，对于集电器，使用机械强度比隔层材料高的金属箔或合金箔，有效地制止在集电器中形成皱纹而同时保持满意的充电-放电循环特性。
还是在本发明中，最好在隔层的表面上有凹凸不平。在隔层表面上出现这种凹凸不平增加了隔层和活性材料薄膜的对接接触面积，导致增加了活性材料薄膜和隔层之间的粘合性，因此增加了活性材料薄膜和集电器之间的粘合性。
例如，可以通过使用具有表面凹凸不平的集电器把这些凹凸不平给予隔层的表面。既然是这样，在隔层表面上定义的凹凸不平相当于集电器上的凹凸不平。
在上述情况中，集电器的剖面的算术平均偏差Ra(粗糙度平均值)最好是在0.001-1μm的范围内，更好的是在0.01-1μm的范围内。例如，在日本工业标准(JIS B 0601至1994)中规定的剖面的算术平均偏差Ra可以通过表面粗糙度计测量。
在本发明中，最好集电器的剖面的算术平均偏差Ra满足关系式Ra≤t，其中，t是活性材料的厚度。还最好，集电器的剖面的算术平均偏差Ra和分布的局部峰的平均间隔S满足关系式100Ra≥S。例如，在日本工业标准(JIS B 0601至1994)中规定可以通过表面粗糙度计测量分布的局部峰的平均间隔S。
例如，不特别规定在集电器上的凹凸不平的凸出部分的形状，但是最好基本上是锥形的。
在本发明中，例如，可以从一种能够与锂产生化合物或固溶体的材料来形成活性材料薄膜。例如，从周期表的IIB、IIIB、IVB和VB族的元素中，以及从周期表的周期4、周期5和周期6的过渡金属元素的氧化物和硫化物中，选择的至少一种元素可以说明这种材料。
在本发明中，可以与锂产生化合物或固溶体的周期表的IIB、IIIB、IVB和VB族的元素的例子包括碳、铝、硅、磷、锌、镓、锗、砷、镉、铟、锡、锑、汞、铊、铅和铋。周期表的周期4、周期5和，周期6的过渡金属元素的特别例子包括钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钇、锆、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、镧系列元素、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金和汞。
上面列出的元素中较佳的是从碳、硅、锗、锡、铅、铝、铟、锌、镉、铋和汞中选择的至少一个。硅和/或锗是更佳的。
一般，通过硅的结晶性把硅粗略地分类成无定形(amorphous)硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅。这里所使用的术语“非结晶硅”的意思是包括无定形硅和微晶硅。当拉曼(Raman)光谱测定法检测到确定结晶区域的特征的约520cm-1处基本上没有峰时，把硅识别为无定形硅，当Raman光谱测定法检测到相应于结晶区域的约520cm-1处基本上存在峰时，把硅识别为微晶硅。因此，微晶硅基本上包括结晶区域和无定形区域。当Raman光谱测定法检测到相应于无定形区域的约480cm-1处基本上没有峰时，把硅识别为单晶硅或多晶硅。
在本发明中，最好以微晶或无定形硅薄膜作为活性材料薄膜。
除了上述硅薄膜之外，最好还可以使用锗薄膜或硅-锗合金薄膜作为本发明中的活性材料薄膜。最好使用无定形或微晶形式的锗薄膜。较佳的硅-锗合金薄膜具有微晶或无定形形式。可以相似地使用施加到硅薄膜的上述过程来确定锗和硅-锗合金薄膜的微晶或无定形特性。硅和锗的使用提供优良的结果，如可从将在此后描述的例子明显地看到。由于可以使硅和锗按任意比例相互混合而产生固溶体，所以预期硅-锗混合物可以得到相似的结果。
在硅、锗或硅-锗合金薄膜作为活性材料薄膜的情况下，可以选择铜作为能够与之形成混合物的材料。相应地，当使用这种薄膜时，最好由铜形成隔层。铜的拉伸强度是212.7N/mm2(21.7kgf/mm2，Maruzen公司出版，“金属数据手册，第二次修改”)。可以示出比铜的拉伸强度更高的金属或合金是镍(拉伸强度＝315.6N/mm2＝32.3kgf/mm2，Maruzen公司出版，“金属数据手册，第二次修改”)。相应地，当铜形成隔层时，最好把镍箔用于集电器。对集电器有用的其它材料包括铜合金，例如锡青铜(磷青铜)、硅青铜和铝青铜、镍合金、铁和铁合金以及不锈钢。也可以使用钼、钨和钽来形成集电器。
在本发明中，隔层包括可与活性材料薄膜合金的一种材料。最好，允许隔层成分扩散到活性材料薄膜中。使隔层成分扩散到活性材料薄膜不仅改进了隔层和活性材料薄膜之间的粘合，而且还有效地防止活性材料薄膜与集电器分离。结果，进一步改进了充电-放电循环特性。
如果在集电器上提供的薄膜是由能够与锂形成混合物的活性材料构成的和隔层包括不能够与锂形成混合物的材料的情况下，在锂的存储和释放期间，隔层成分的扩散使位于隔层附近的薄膜部分的膨胀和收缩减少。因此，可以保持活性材料薄膜更有效地粘合在隔层上。
最好，在活性材料薄膜中的隔层成分的浓度比隔层附近高，而在接近活性材料薄膜表面的位置处低。由于存在这种浓度梯度，制止了隔层附近的薄膜的膨胀和收缩，以致可以保持薄膜粘合到隔层上。还有，允许薄膜在薄膜的表面附近包括相当较大的活性材料量，以致保证了高充电-放电容量。
最好，当扩散到薄膜中时，隔层成分形成具有薄膜成分的固溶体来代替金属间化合物。如这里所使用，金属间化合物是指一种化合物，它具有通过按特定比例的金属混合物形成的特定的结晶结构。代替金属间化合物的薄膜成份和隔层成分之间的固溶体的形成改进了薄膜和隔层之间的粘合性，其结果是获得增加的充电-放电容量。
集电器最好具有较小的厚度，最好是金属箔的形式。最好集电器包括不能够与锂形成混合物的材料。在隔层是铜层的上述情况中，集电器最好包括镍箔。
当使用镍箔作为集电器时，有可能使用在表面上具有凹凸不平的镍箔，例如，电解镍箔。
例如，通过把金属鼓浸在包括溶解有镍离子的液体电解质中，并转动该鼓，并在转动该鼓时把电流施加到鼓上，以致使镍沉积在鼓的表面上，然后从鼓表面取下沉积的镍而可以得到电解镍箔。可以使电解镍箔的每一面或两面经受表面弄粗糙或其它表面处理。
另一方面，通过使用电解过程把铜沉积在成卷的镍箔上可以在镍箔的表面涂覆表面粗糙的铜层。
在本发明中，最好通过按活性材料薄膜的厚度方向延伸的方式形成在活性材料薄膜上的间隙把活性材料薄膜分割成柱，而且柱部分的底部紧密地粘合到隔层。还最好，通过这种间隙最好把占据至少一半厚度的薄膜的厚度部分分割成柱。
最好，例如，通过可能由于充电-放电作用而引起的薄膜的膨胀和收缩来形成间隙。相应地，可以在把电极安装到电池中之后或之前通过充电-放电作用形成间隙。示出在经受充电-放电作用之前在活性材料薄膜中形成这种间隙的一种可能的方法，允许在把电极中的活性材料薄膜安装到电池中之前存储锂，然后释放锂等等，以致活性材料薄膜进行体积的膨胀，接着收缩，从而形成间隙。另一方面，可以以使用光刻法形成图案的保护膜而形成清楚的柱来沉积活性材料薄膜，以提供通过间隙分割成柱的活性材料薄膜。
在活性材料薄膜的表面上具有凹凸不平的情况中，可以在薄膜上形成上述间隙，所述间隙从在薄膜表面上的凹凸不平的凹陷处到集电器，在厚度方向上延伸。可以形成在薄膜表面上的凹凸不平，使它的形状和隔层上的凹凸不平的形状相当。即，提供表面凹凸不平的隔层，然后把活性材料薄膜沉积在隔层上，导致在活性材料薄膜的表面上形成相应的凹凸不平。
活性材料薄膜的柱状部分可以具有各种顶部形状，但是最好具有圆形顶部形状。
可以沿事先在薄膜中形成的低密度区域以活性材料薄膜的厚度方向形成间隙。例如，可以使这种低密度区域相互连接如同平面方向上的网，并在厚度方向上向集电器延伸。
在本发明中，可以通过各种方法在隔层上沉积活性材料薄膜，例如，所述各种方法包括CVD、喷涂、蒸气蒸发、溅射和电镀处理。在这种薄膜形成方法中特别推荐的是CVD、喷涂和蒸气蒸发处理。
在本发明中，可以用杂质掺入活性材料薄膜。这种杂质的例子包括周期表的IIIB、IVB和VB族的元素，例如磷、铝、砷、锑、硼、镓、铟、氧和氮。
还有，在本发明中，可以用一系列重叠层来构成活性材料薄膜。根据组成、结晶性、杂质浓度等，这些层可以彼此不同。这些层可以提供在厚度方向分层的薄膜结构。例如，如果正确地安排，则这些层可以提供一种薄膜结构，其中，在它的厚度方向，组成、结晶性、杂质浓度等是改变的。
最好，在本发明中的活性材料薄膜通过形成与锂的合金来存储锂。
在本发明中，可以预先在活性薄膜中结合锂。在沉积活性材料薄膜期间可以增加锂。即，可以通过形成包含-锂薄膜而引入锂。另一方面，可以在沉积薄膜之后增加或存储锂。一种可能的方法是应用电化学机理，从而在活性材料薄膜中增加或存储锂。
在本发明中，为了得到高充电-放电容量的目的，最好活性材料薄膜的厚度是1μm或以上。
在本发明中，不特别指定在集电器上形成隔层所采用的技术。示例的技术包括CVD、喷涂、蒸气蒸发、溅射和电镀(镀覆)处理。
在本发明中，不特别指定隔层的厚度，只要该厚度足以改进隔层对活性材料薄膜的粘合性。最好，厚度范围为0.01至10μm，一般，这个范围允许通过上述技术有效地形成隔层。
隔层材料最好与集电器材料兼容，因此最好是可与之混合的。
本发明的锂电池的特征是包括负电极(所述负电极包括本发明的上述电极)、正电极以及电解质。
这里使用的术语“锂电池”包括一次性锂电池和可再用的锂电池。相应地，本发明的电极可应用于一次性锂电池以及可再用的锂电池。
本发明的可再充电锂电池(可再用的锂电池)的特征是包括负电极(所述负电极包括本发明的上述电极)、正电极以及不含水的电解质。
不特别限定在本发明的可再充电电池中使用的电解溶剂的类型，但是可以通过混合溶剂来示例，所述混合溶剂包括例如碳化乙烯、碳化丙烯或碳化丁烯之类的环状碳化物，还包括例如碳化乙烷、碳化丁酮、或碳化乙醚之类的链状碳化物。还可以应用的是上列环状碳化物和乙醚溶剂的混合溶剂，例如1，2-二甲氧基乙烷或1，2-二乙氧基乙烷或例如γ-丁内酯、环丁砜或醋酸甲酯之类的链状酯。示例电解溶质有LiPF6、LiBF4、LiCF3SO3、LiN(CF3SO2)2、LiN(C2F5SO2)2、LiN(CF3SO2)(C4F9SO2)、LiC(CF3SO2)3、LiC(C2F5SO2)3、LiAsF6、LiClO4、Li2B10Cl10、Li2B12Cl12以及它们的混合物。例如，其它可应用的电解质包括凝胶的聚合物电解质，包括注入例如聚乙烯氧化物、聚丙烯腈或聚乙二烯氟化物之类的聚合物电解质以及例如LiI和Li3N之类的无机固体电解质的电解溶剂。可以使用本发明的可再充电锂电池的电解质而无限制，只要在充电、放电和电池蓄电期间的电压处，作为给予离子导电性的它的溶质的锂化合物，以及溶解和保留锂化合物的电解质的溶剂，保持不分解和保持锂化合物。
用于本发明的正活性材料的例子包括：包含锂的过渡金属氧化物，例如LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiMnO2、LiCo0.5Ni0.5O2以及LiNi0.7Co0.2Mn0.1O2；例如MnO2之类的无锂金属氧化物等。如果其它物质能够用电化学方法加入和释放锂，则还可以使用其它物质而无限制。
附图说明
图1是在在参考例子中制造的可再充电锂电池的示意截面图；
图2是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以2,000X的放大倍数)，示出参考例子中的一个电极，所述电极处于充电和放电之前的状态；
图3是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以5,000X的放大倍数)，示出在参考例子中的一个电极，所述电极处于充电和放电之前的状态；
图4是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以500X的放大倍数)，示出在参考例子中的一个电极，所述电极处于充电和放电之后的状态；
图5是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以2,500X的放大倍数)，示出在参考例子中的一个电极，所述电极处于充电和放电之后的状态；
图6是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的一个电极的硅薄膜；
图7是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以5,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的一个电极的硅薄膜；
图8是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从一个小角度观察时在参考例子中的一个电极的硅薄膜；
图9是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以5,000X的放大倍数)，示出当从一个小角度观察时在参考例子中的一个电极的硅薄膜；
图10是示意截面图，示出在参考例子中通过间隙分割成柱的过程中的硅薄膜；
图11是使用透射式电子显微镜得到的显微照相(以12,500X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a3的硅薄膜的截面；
图12是使用透射式电子显微镜得到的显微照相(以25,000X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a6的硅薄膜的截面；
图13是图11的显微照相的图解表示；
图14是图12的显微照相的图解表示；
图15是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a3的硅薄膜表面；
图16是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a6的硅薄膜表面；
图17是图形表示，示出在参考例子中的电极a6的硅薄膜中的成份元素沿薄膜深度的浓度分布；
图18是示出一种设备的结构的示意图，当在参考例子中使用真空蒸气蒸发技术形成薄膜时，使用所述设备；
图19是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以2,000X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a7，所述电极处于充电和放电之前的状态；
图20是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以10,000X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a7，所述电极处于充电和放电之前的状态；
图21是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以2,000X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a8，所述电极处于充电和放电之前的状态；
图22是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以10,000X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a8，所述电极处于充电和放电之前的状态；
图23是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以500X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a7，所述电极处于充电和放电之后的状态；
图24是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以2,500X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a7，所述电极处于充电和放电之后的状态；
图25是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以500X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a8，所述电极处于充电和放电之后的状态；
图26是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以2,500X的放大倍数)，示出在参考例子中的电极a8，所述电极处于充电和放电之后的状态；
图27是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a7的锗薄膜，所述电极a7的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图28是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以5,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a7的锗薄膜，所述电极a7的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图29是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从一个小角度观察时在参考例子中的电极a7的锗薄膜，所述电极a7的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图30是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以5,000X的放大倍数)，示出当从一个小角度观察时在参考例子中的电极a7的锗薄膜，所述电极a7的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图31是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a8的锗薄膜，所述电极a8的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图32是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以5,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a8的锗薄膜，所述电极a8的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图33是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从一个小角度观察时在参考例子中的电极a8的锗薄膜，所述电极a8的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图34是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以5,000X的放大倍数)，示出当从一个小角度观察时在参考例子中的电极a8的锗薄膜，所述电极a8的锗薄膜处于充电和放电之后的状态；
图35是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a7的锗薄膜，所述电极a7的锗薄膜处于充电和放电之前的状态；
图36是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在参考例子中的电极a8的锗薄膜，所述电极a8的锗薄膜处于充电和放电之前的状态；
图37是图形表示，示出在参考例子中的电极a7的锗薄膜中的成份元素沿薄膜深度的浓度分布；
图38是图形表示，示出在参考例子中的电极a8的锗薄膜中的成份元素沿薄膜深度的浓度分布；
图39是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以2,000X的放大倍数)，示出在充电和放电之前在参考例子中的电极a-11的截面；
图40是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以10,000X的放大倍数)，示出在充电和放电之前在参考例子中的电极a-11的截面；
图41是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在充电和放电之前在参考例子中的电极a-11的硅薄膜；
图42是使用扫描电子显微镜得到的显微照相(以1,000X的放大倍数)，示出当从上面观察时在充电和放电之后在参考例子中的电极a-11的硅薄膜；
图43是使用透射式电子显微镜得到的显微照相(以500,000X的放大倍数)，示出铜箔和硅薄膜和它的邻近物之间的界面；
图44是使用透射式电子显微镜得到的显微照相(以1,000,000X的放大倍数)，示出铜箔与硅薄膜和它的邻近物之间的界面；
图45表示在电极c1中的混合层中的铜和氢沿层的深度的浓度分布图；
图46表示在电极c3中的混合层中的铜和氢沿层的深度的浓度分布图；
图47表示在根据本发明的实验A中的充电-放电循环特性的估计结果图形。
具体实施方式
下面通过例子更详细地描述本发明。可以理解，下面的例子仅说明本发明的实践，而不打算来限制本发明。可以进行合适的变更和修改而不偏离本发明的范围。
下面参考实验1-8示出微晶硅薄膜、无定形硅薄膜和无定形锗薄膜，每个都通过CVD或喷涂过程形成在例如铜箔之类的集电器上，当使用它们作为可再充电锂电池的电极时，提供优良的充电-放电循环特性。
(参考实验1)
(负电极的制造)
通过CVD方法在成卷的铜箔(18μm厚)上形成微晶硅薄膜，使用成卷的铜箔作为衬底，硅烷(SiH4)作为源气体，而氢气作为载体气体。具体而言，把作为衬底的铜箔放置在作用室中的加热器上。抽真空机对作用室的内部抽真空到1Pa或更低的压力。通过源气体入口端引入作为源气体的硅烷气体和作为载体气体的氢(H2)气。使衬底在加热器上加热到180℃。真空泵设备把真空度调节到作用压力。操作RF(射频)电源以激励射频波，经过电极引入所述射频波以诱发辉光放电。在表1中列出薄膜形成的详细条件。在表1中，容积单位sccm表示每分钟在1个大气压(101.33kPa)时在0℃处的液体的容积流率(cm3/分)，是每分钟标准立方厘米的缩写。
                                    表1
  条件   薄膜形成期间
  源气体(SiH4)流率   10sccm
  载体气体(H2)流率   200sccm
  衬底温度   180℃
  作用压力   40Pa
  RF功率   555W
在上述规定条件下沉积微晶硅薄膜到约10μm厚度。通过电子显微镜观察(以2,000,000X的放大倍数)，用安排非结晶区域包围包括微小晶体粒子的结晶区域的方法来确定薄膜的非结晶性。从所产生的样品冲压出直径17mm的一块样品来提供电极a1。使等于电极a1的一块样品在400℃处经受3小时的热处理以提供电极a2。
为了比较的目的，把90份重量的市售单晶硅粉末(10μm的粒子直径)和10分重量的作为黏合剂的聚四氟乙烯混合。在17mm直径的模具中压制这个混合物，以得到园片形的电极b1。
(正电极的制造)
分配初始材料Li2CO3和CoCO3的重量，致使Li和Co的原子比是1∶1，然后在研钵中混合。在17mm直径的模具中压制这个混合物，并在800℃的空气中煅烧24小时，以得到包含LiCoO2的经煅烧的成品。接着，把这个研磨成平均粒子直径为20μm的粒子。
把80份重量的所产生的Li2CO3，10份重量的作为导电材料的乙炔黑以及10份重量的作为黏合剂的聚四氟乙烯混合。在17mm直径的模具中压制这个混合物，以得到园片形的正电极。
(电解溶剂的准备)
1克分子/升的LiPF6溶解在包括等量的碳化乙烯和碳化乙醚的混合溶剂中，以准备在下述电池构成中使用的电解溶剂。
(电池的构成)
使用上面制造的作为负电极的电极a1、a2或b1，以及上面制造的正电极和上面准备的电解溶剂构成硬币型可再充电锂电池。
图1是示意截面图，示出这种构成的可再充电锂电池，它包括正电极1、负电极2、分隔器3、正外壳4、负外壳5、正集电器6、负集电器7以及聚丙烯构成的绝缘垫圈8。
使正电极1和负电极2沉积在分隔器3的相反侧面上。把这些都密封在一个电池盒中，所述电池盒是由正外壳4和负外壳5构成的。通过正集电器6把正电极1连接到正外壳4。通过负集电器7把负电极2连接到负外壳5。这种结构使充电和放电成为可能而成为蓄电池。
结果，分别使用作为负电极的电极a1、a2和b1构成电池A1、A2和B1。
(充电-放电循环寿命特性的测量)
除了电池B1之外，每个电池在25℃时以100μA的电流充电直到负电极容量达到2,000mAh/g，然后放电。记录这个作为一个单位的充电-放电循环。实施循环以对每个电池测量第50次循环的容量保持率。不充电到2,000mAh/g的电池B1经受循环测试，在该测试中，把它充电到4.2V，然后放电。在表2中给出结果。
在表2中，还给出从SIMS测量得到的氢浓度，通过Raman光谱分析确定的约480cm-1和520cm-1的峰强度比，以及从X-射线衍射光谱和Scherrer公式计算的晶体粒子大小，全部都对每个电池的负活性材料求出。还有，通过粉末的粒子直径给出电池B1的负活性材料的晶体粒子大小，因为认为两者彼此几乎具有相等的值。
                                                        表2
  电池   第50次循环容量保持率   氢含量   峰强度比(480cm-1/520cm-1)   晶体粒子大小
  A1   85％   4％   0.1   1nm
  A2   78％   0.01％   0.1   1nm
  B1   5％   0％   0   10μm
从表2中示出的结果可以清楚地看到，与对比电池B1相比，根据本发明的电池A1和A2两者展现明显高的容量保持率。
因此，使用微晶硅薄膜作为负活性材料导致可再充电锂电池的充电-放电循环特性的显著改进。认为这些的原因在于：在微晶硅薄膜中，缓和在存储和释放锂时发生的膨胀和收缩，防止把负活性材料弄成粉末，从而抑制降低电流收集能力的可能性。
(参考实验2)
除了把电解铜箔(18μm厚)用于集电器作为衬底处遵循在参考实验1中构成电池A1所使用的过程。即，把微晶硅薄膜(约10μm厚)沉积在电解铜箔上以制造电极a3。使用这个电极，构成电池A3。
还有，用#400或#120号金刚砂纸使在参考实验1中使用的成卷铜箔经受1一分钟的研磨处理，以提供经研磨的铜箔。除了把这种经研磨的铜箔用于集电器作为衬底。即，把微晶硅薄膜(约10μm厚)沉积在铜箔上以制造电极外，遵循在参考实验1中构成电池A1所使用的过程。指定使用用#400号金刚砂纸研磨的铜箔制造的电极为电极a4，而指定使用用#120号金刚砂纸研磨的铜箔制造的电极为电极a5。用参考实验1中的相同方法，使用这些电极来构成电池A4和A5。
使这些电池A3-A5以及在参考实验1中构成的电池A1和B1在参考实验1中使用的相同条件下经受充电-放电循环测试，以得到对于每种电池的第10次循环容量保持率。在表3中给出结果。对于每个电池A1、B1以及A3-A5，在表3中还给出作为集电器的铜箔的剖面的算术平均偏差Ra以及局部峰S的平均间隔。
每个铜箔的剖面的算术平均偏差Ra以及局部峰S的平均间隔是通过使用针式断面仪Dektak ST(可从ULVAC公司得到)，用2.0mm的扫描距离进行测量所得。在缺损部分校正之后计算剖面的算术平均偏差Ra。缺损部分是使用具有低通＝200μm和高通＝20μm的校正值进行校正。对剖面的算术平均偏差Ra进行自动计算，并从图表中读出。局部峰S的平均间隔。
                                                表3
  电池   第10次循环容量保持率                  集电器(铜箔)
  剖面的算术平均偏差Ra(μm)   平均间隔S(μm)
  A1   97％   0.037   14
  A3   99％   0.188   11
  A4   98％   0.184   9
  A5   99％   0.223   8
  B1   20％   0.037   14
从在表3中给出的结果可以清楚地看到，与使用具有低剖面的算术平均偏差Ra值的铜箔的电池A1相比，使用具有高剖面的算术平均偏差Ra值的铜箔作为集电器的电池A3-A5展现改进的第10次循环容量保持率。认为这是由于下列原因：当使用具有高剖面的算术平均偏差Ra值的铜箔作为集电器时，改进了集电器和活性材料之间的粘合。这个粘合改进减少了结构改变的影响，例如当在锂的存储或释放期间它膨胀或收缩时产生的活性材料的脱落。
(参考实验3)
使分别在参考实验1和2中构成的电池A1和A3在与参考实验1中使用的相同试验条件下进一步经受充电-放电循环测试，以测量第30次循环的容量保持率。在表4中示出结果。
                                   表4
  电池   第30次循环的容量保持率
  A1   91％
  A3   97％
从表4中给出的结果可以清楚地看到，即使在第30次循环时，电池A1和A3仍展现优良的容量保持率。尤其，使用具有高剖面的算术平均偏差Ra值的铜箔作为集电器的电池A3展现优良的容量保持率。
在电子显微镜下观察结合在电池A3中的电极a3，以观察它的硅薄膜的状态。首先，使用扫描电子显微镜观察电极a3，所述电极a3处于在结合到电池中之前的状态。图2和3是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，两者都示出电极a3处于在充电和放电之前的状态。分别以2,000X和5,000X放大倍数来得到图2和图3。
把电极嵌入环氧树脂中，然后切片以提供样品。在图2的上端部分和下端部分，以及图3的上端部分，发现嵌入环氧树脂的层。
在图2和3中，看起来稍亮的部分表示铜箔。在铜箔上的阴暗部分发现所沉积的硅薄膜(约10μm厚)。如在图2和3中所示，在铜箔的表面上形成凹凸不平。尤其，凸出部分一般具有锥形形状。在沉积在铜箔上的硅薄膜表面上形成相似的凹凸不平。相应地，硅薄膜的表面凹凸不平看起来一般符合在铜箔表面上形成的凹凸不平的形状。
其次，在30次循环之后，从电池A3取出电极a3，嵌入环氧树脂，然后以上述相同的方式在扫描电子显微镜下进行观察。这里，在放电之后取出电极a3。因此，所观察的电极a3处于它放电之后的状态。
图4和5是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出在放电之后的电极a3。分别以500X和2,500X放大倍数得到图4和5。
如在图4和5中所示，硅薄膜具有在它的厚度方向延伸的间隙，并把硅薄膜分割成柱。难得发现在平面方向延伸的间隙。发现每个柱部分的底部较好地粘合到作为集电器的铜箔上。还有，每个柱部分具有一个圆顶。因此可以理解，形成这些间隙，使之从凹凸不平的凹陷处开始，在硅薄膜处于它的充电和放电之前的状态时可以在硅薄膜表面上发现这些凹凸不平。
此外，用扫描电子显微镜观察在充电和放电之后的电极a3的硅薄膜的表面。图6和7是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出当从上面观察时的硅薄膜的表面。分别以1,000X和5,000X放大倍数得到图6和7。图8和9是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出当从一个小角度观察时的硅薄膜的表面。分别以1,000X和5,000X放大倍数得到图8和9。
如在图6-9中所示，以包围硅薄膜的柱形部分的方法来形成间隙，以致确定相邻柱形部分之间的空间。在充电时当硅薄膜存储锂时，柱形部分将膨胀并体积增加。然而，可以相信包围柱形部分而提供的这些空间容纳这种体积的增加。在放电时，硅薄膜的柱形部分释放锂，并收缩而减小体积。可以相信体积的减小恢复包围柱形部分的空间。硅薄膜的这种柱形结构对于释放在充电和放电时通过活性材料的膨胀和收缩而引起的应力是有效的，以致可以防止活性硅薄膜从集电器脱落。
一些间隙的形成(所述一些间隙把硅薄膜分割成柱)导致硅薄膜与电解溶剂的接触区域显著地增加。还有，柱形部分的大小几乎是彼此不相上下的。可以相信这样允许在活性材料的薄膜中有效地发生伴随锂存储和释放的充电-放电作用。
如在图4和5中所示，由于硅薄膜的各个柱形部分粘合到集电器，所以在活性材料和集电器之间提供优良的电接触。可以相信这允许有效地发生充电-放电作用。
还如在图6-9中所示，每个柱形部分具有一个圆顶。这提供了一种电极结构，这种电极结构防止局部电流集中，并减少例如锂金属的沉积作用等的发生。
图10是示出一个过程的示意截面图，由该过程通过在硅薄膜上形成的间隙把沉积在铜箔上的硅薄膜分割成柱。
如在图10(a)中所示，铜箔10在它的表面10a上具有凹凸不平。剖面的算术平均偏差Ra值增加的铜箔具有较大的凹凸不平。
图10(b)示出沉积在铜箔10的粗糙表面10a上的非结晶硅薄膜层11。硅薄膜11的表面11a受到铜箔10的表面10a上的凹凸不平的影响而具有相似的凹凸不平。在充电和放电之前，硅薄膜11保持未被分割，如在图10(b)中所示。当实施充电时，硅薄膜11把锂存储在其中，并膨胀体积。在充电期间，硅薄膜11看起来在薄膜的厚度和平面两个方向上膨胀，虽然细节并不清楚。在接着的放电作用期间，硅薄膜11从其中释放锂，并收缩体积。此时，在硅薄膜11中产生拉张应力。大概，这种应力集中在硅薄膜11的表面11a上的凹凸不平的凹陷处11b处，导致间隙12的形成，所述间隙从凹陷处11b开始，并在厚度方向上延伸，如在图10(c)中所示。可以想象，如此形成的间隙12减轻应力，允许硅薄膜11收缩而不会发生从铜箔10的脱落。
在按上述方式分割成柱的硅薄膜中，包围柱形部分而提供的空间的作用是减轻应力，所述应力是在接连的充电-放电循环期间由活性材料的膨胀和收缩产生的。这看来似乎保证重复的充电-放电循环而同时防止活性材料从集电器脱落。
此外，在透射式电子显微镜下观察电极a3，以研究在硅薄膜上形成间隙的机构，所述电极a3结合约10μm厚的、沉积在电解铜箔上的微晶硅薄膜。图11是用透射式电子显微镜得到的显微照相(以12,500X的放大倍数)，示出在充电和放电之前的电极a3的一部分。通过对嵌入环氧树脂的电极切片而准备观察样品。
图13是图11的显微照相的图形表示。在用透射式电子显微镜得到的图11的显微照相中，硅薄膜11沉积在电解铜箔10的表面10a上，如在图13中的图形所示。在用透射式电子显微镜得到的显微照相中，硅薄膜11看起来比铜箔10明亮。在图11中示出的硅薄膜中，在硅薄膜11和铜箔10的表面11a和10a上的凹凸不平的各个凹陷处11b和10b之间延伸的区域中观察到明亮部分。在图13中，通过单-点划线A、B和C来表示这些明亮部分。尤其，在A表示的区域中更清楚地观察到明亮部分。认为这些区域的密度低，即，硅薄膜11的低密度区域。为了更仔细地观察这种低密度区域的目的，在与制造电极a3所使用的相同条件下，在电解铜箔上沉积约2μm厚的微晶硅薄膜而制造电极a6。
图12是透射式电子显微镜得到的显微照相，示出当用上述相同方式观察时的电极a6。以25,000X的放大倍数得到图12。图14是图12的显微照相的图形表示。从图12可以清楚看到，在电极a6的区域D中也观察到低密度区域，它在硅薄膜11和铜箔10的表面11a、10a上的凹凸不平的各个凹陷处11b、10b之间延伸。图12的显微照相的仔细观察显示出在图14中的箭头示出的方向上延伸的许多细线。看来极可能在生成硅薄膜时形成这种线。相应地显示，硅薄膜11一般垂直于铜箔10的表面10a而生成。还显示，在这种方向生成的硅薄膜层在区域D处与在铜箔的邻近倾斜表面上沉积和生成的邻近硅薄膜层碰撞。因此低密度区域D的形成极可能是在区域D处的这种碰撞所引起的。还显示，继续硅薄膜层彼此之间的碰撞直到薄膜形成结束，而低密度区域的形成还是继续，直到到达硅薄膜的表面。
图15是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，示出当从上面观察时的电极a3的硅薄膜的表面。在图15中示出的电极a3处于它充电和放电之前的状态。以1,000X放大倍数观察到图15。在图15中，显示出明亮的部分表示硅薄膜表面上的凸出部分，而显示出阴暗的包围部分表示在硅薄膜表面上的凹陷处。如在图15中所示，使在硅薄膜表面上的凹陷处相互连接成网。相应地，发现低密度区域确定在硅薄膜的平面中的连续网。如在图11和13中所示，这种成网状的低密度区域还向集电器的厚度方向上延伸。在图15中的阴暗部分不表示间隙(空间)。显然，实际上在用扫描电子显微镜得到的图2和3的显微照相中，观察到没有间隙在薄膜的厚度方向上延伸。
图16是用扫描电子显微镜以1,000的放大倍数得到的显微照相(二次电子成象)，示出当从上面观察时的电极a6的硅薄膜表面，所述电极a6处于它在充电和放电之前的状态。从图16明显地看到，也使电极a6上的凹陷处相互连接成网。相应地，发现把低密度区域安排成在平面方向上连续的网。
图17是曲线图，示出沿电极a6中的硅薄膜的厚度方向的成份元素的浓度分布。使用O2 +作为喷射源，通过SIMS经由铜(63Cu+)和硅(Si2+)的浓度测量而得到成份元素的浓度分布。在图17中，横坐标表示从硅薄膜表面的深度，而纵坐标表示每个成份元素的强度(计数)。
从图17可以明白，发现集电器的成份元素，铜(Cu)，扩散到硅薄膜中邻近集电器的位置处。在较接近硅薄膜表面的位置处，铜(Cu)浓度降低。还发现铜(Cu)浓度是以连续方式改变的。这表示在铜(Cu)扩散区域中形成了硅和铜的固溶体，代替了其上的金属间化合物。
根据上述讨论，所得结果极可能说明一种机构，由该机构在充电和放电期间当硅薄膜膨胀和收缩时，在硅薄膜上形成在它的厚度方向上延伸的间隙。即，硅薄膜的体积膨胀或收缩引起的应力集中在硅薄膜表面上的凹凸不平的凹陷处，如上参考图10所说明。还有，在硅薄膜中，起初存在从凹陷处向集电器延伸的低密度区域，这些区域的机械强度相当差。作为上述情况的结果，有可能沿这些低密度区域形成间隙(间隔)。
还有，如在图17中所示，集电器的成份元素，铜，扩散到硅薄膜中，在其中产生铜的浓度梯度，以致在较接近集电器的位置处，铜的浓度高，而在较接近硅薄膜的位置处，铜的浓度低。相应地，在较接近集电器的位置处存在与锂不起作用的高浓度的铜和与锂起作用的低浓度的硅。在集电器的附近，可以相信硅薄膜存储和释放较少的锂，进行较少的膨胀和收缩，因此产生较小的应力，这导致减少间隙(间隔)的形成，这些间隙偶然可能使硅薄膜从集电器脱落或剥落。
即使在充电-放电循环期间，由这种间隙分割成柱的硅薄膜保持对集电器的较强粘合。还有，所提供的包围柱形部分的间隔的作用是缓解由与充电-放电循环一起发生的薄膜的膨胀和收缩所引起的应力。可以相信这些对优良的充电-放电循环特性有贡献。
(参考实验4)
(电极a7的制造)
使用一种电解铜箔作为集电器的衬底，该电解铜箔与在电极a3的制造中使用的电解铜箔相似。通过RF喷涂技术在该铜箔上形成无定形锗薄膜(约2μm厚)以制造电极a7。
在100sccm的喷涂气体(Ar)流率、环境衬底温度(不加热)、0.1Pa的作用压力以及200W的RF功率中，用锗作为靶而形成薄膜。
通过Raman光谱分析法来分析所产生的锗薄膜，检测到在约274cm-1处出现峰，和在约300cm-1处不出现峰。这展现了锗薄膜的无定形特性。
(电极a8的制造)
通过使用蒸气蒸发技术在电解铜箔上形成无定形锗薄膜(约2μm厚)以制造电极a8，所述电解铜箔的形状与电极a7的集电器的形状相似。
具体而言，利用图18所示结构的设备在衬底上沉积锗薄膜。参考图18，ECR等离子体源21包括等离子体发生箱22，把微波功率25和Ar气体26提供给所述等离子体发生箱。当把微波功率25提供给等离子体发生箱22时，产生Ar等离子体。引导这个Ar等离子体23从等离子体箱22输出，并轰击衬底20。通过使用来自放置在衬底20下面的电子束(EB)枪的电子束，可以使锗薄膜沉积在衬底20上。
在把锗薄膜沉积在电解铜箔衬底上之前，通过Ar等离子体照射而预先处理电解铜箔衬底。把作用箱中的真空度调节到约0.05Pa(约5×10-4Torr)。在40sccm的Ar气体流率和200W的所提供微波功率的条件下，使衬底暴露在Ar等离子体中。在Ar等离子体照射期间，把-100V的偏置电压施加到衬底上。把衬底暴露在Ar等离子体中15分钟而完成预处理。
其次，使用电子束枪，以1nm/sec(10/sec)的沉积速率沉积锗薄膜。衬底温度是环境温度(不加热)。
通过Raman光谱分析法分析所产生的锗薄膜，展现锗薄膜的无定形特性，与电极a7相似。
(电极b2的制造)
把80份重量具有平均粒子直径为10μm的锗粉末，10份重量作为导电材料的乙炔黑以及10份重量作为黏合剂的聚四氟乙烯混合。在17mm直径的模具中压制这个混合物，以得到园片形的电极b2。
(电池的构成)
除了用于作为负电极的上述电极a7、a8和b2之外，重复参考实验的过程，以构成电池A7、A8和B2。
(充电-放电循环特性的估计)
在25℃时以0.1mA电流对每个电池充电到4.2V，然后放电到2.75V。重复这个标准充电-放电循环以测量在第10次循环上的容量保持率。在表5中给出测量结果。
                         表5
  电池   第10次循环容量保持率
  A7   96％
  A8   93％
  B2   39％
从表5可以明白，使用根据本发明的电极，即，结合形成在集电器上的锗薄膜的电极，作为负电极的电池A7和A8与使用锗粉末作为负电极的电池B2相比，展现明显改进的容量保持率。
(用电子显微镜观察)
图19和20是用扫描电子显微镜得到的显微照相(反射电子成象)，每个示出电极a7的一部分，所述电极a7处于它在充电和放电之前的状态。分别以2,000X和10,000X的放大倍数得到图19和20。
把每个电极嵌入环氧树脂，然后切片以提供样品。观察到嵌入环氧树脂为位于图19中的上端部分和下端部分的层以及位于图20中的上端部分的层。
在图19和20中，相对于其它部分，铜箔和锗薄膜显得较亮。重叠铜箔的薄层是锗薄膜。在铜箔的表面上确定凹凸不平。在锗薄膜的表面上也发现相似的凹凸不平。这暗示形成在锗薄膜上的凹凸不平以符合在铜箔表面上确定的凹凸不平的形状。
在图20中，观察到阴暗部分，所述阴暗部分位于重叠铜箔的最左边的凹陷处和向薄膜的厚度方向延伸的锗薄膜区域中。这个部分极可能是表示低密度的区域，即，锗薄膜的低密度区域。
图21和22是用扫描电子显微镜得到的显微照相(反射电子成象)，每个示出电极a8的一部分，所述电极a8处于它在充电和放电之前的状态。分别以2,000X和10,000X的放大倍数得到图21和22。象图19和20中示出的电极a7一样，在环氧树脂中嵌入这个电极的样品。
在图21和22中，较亮的部分表示铜箔，而在其上稍暗的部分是锗薄膜(约2μm厚)。在电极a8的锗薄膜和铜箔的两个表面上确定凹凸不平，与电极a7类似。
图23和24是用扫描电子显微镜得到的显微照相(反射电子成象)，每个示出在10次循环之后从电池A7取出的电极a7的一部分。图25和26是用扫描电子显微镜得到的显微照相(反射电子成象)，每个示出在10次循环之后从电池A8取出的电极a8的一部分。在每种情况中，把电极嵌入环氧树脂，然后切片以提供样品。以500X的放大倍数得到图23和25两者。以2,500X的放大倍数得到图24和26两者。
在图23-26中，在锗薄膜表面上展现白色的一部分是在把它嵌入环氧树脂中以前在其上镀的金。提供金的镀层，以防止在锗薄膜和环氧树脂之间发生任何作用，还确定它们之间的清楚的边界。
从图23-26可以清楚地看到，充电-放电循环导致间隙的形成，所述间隙在锗薄膜的厚度方向上延伸，并把薄膜分割成柱，与硅薄膜的情况相似。虽然对比作为集电器的铜箔之间有小的差异，而且锗薄膜使之难于区分它们之间的边界，但是仔细的观察显示在集电器的凸出部分上存在锗薄膜的柱状部分，因此，锗薄膜较佳地粘合到集电器。
与硅薄膜的情况不一样，在锗薄膜中还观察到横向延伸的间隙。然而，极可能当在进行部分观察而对锗薄膜抛光时形成这种间隙。
还有，发现在锗薄膜中相邻柱状部分之间的间隙(间隔)的宽度要大于在硅薄膜中的间隙宽度。在充电-放电循环之后，测量到柱状部分的高度约为6μm，这大约是在充电-放电循环之前的锗薄膜的初始薄膜厚度，2μm，的3倍。认为这表示由于在充电期间薄膜存储锂而已经膨胀之后，在放电而薄膜收缩，主要在横向方向上发生收缩，即在平面方向上发生收缩。相应地，可以相信锗薄膜在它的厚度方向上的百分比较小的收缩导致在柱状部分之间的宽的间隙(间隔)。
图27和28是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出当从上面观察时电极a7的锗薄膜，所述电极a7处于它在充电和放电之后的状态。分别以1,000X和5,000X的放大倍数得到图27和28。图29和30是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出当从一个小角度观察时电极a7的锗薄膜，所述电极a7处于它在充电和放电之后的状态。分别以1,000X和5,000X的放大倍数得到图29和30。
图31和32是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出当从上面观察时电极a8的锗薄膜，所述电极a8处于它在充电和放电之后的状态。分别以1,000X和5,000X的放大倍数得到图31和32。图33和34是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出当从一个小角度观察时电极a8的锗薄膜，所述电极a8处于它在充电和放电之后的状态。分别以1,000X和5,000X的放大倍数得到图33和34。
如在图27-34中所示，以如此方式形成间隙(间隔)来包围锗薄膜的柱状部分，从而确定相邻柱状部分之间的间隔。可以相信这些间隔的作用是缓解在充电和放电期间由活性材料的膨胀和收缩引起的应力，也如同在以前硅薄膜的情况中所述。
图35是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，示出当从上面观察时电极a7的锗薄膜的表面，所述电极a7处于它在充电和放电之前的状态。图36是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，示出当从上面观察时电极a8的锗薄膜的表面，所述电极a8处于它在充电和放电之前的状态。以1,000X的放大倍数得到图35和36两者。
如在图35和36中所示，锗薄膜在它的表面上具有凹凸不平，这些凹凸不平仿效在下面的电解铜箔上所确定的那些凹凸不平。使锗薄膜的凹陷处相互连接成网。可以理解，间隙沿这种凹陷处的深度延伸，以确定在锗薄膜中的柱状部分。
(沿深度的浓度分布的SIMS分析)
图37是图形表示，示出在把电极a7结合到电池中之前，即，在充电和放电之前，电极a7中的成份元素在沿电极a7的深度方向上的浓度分布。图38是图形表示，示出在充电和放电之前，电极a8中的成份元素在沿电极a8的深度方向上的浓度分布。通过二次离子质量光谱测定法(SIMS)而得到成份元素的浓度分布，其中，使用O2 +作为喷射源，沿从薄膜表面的深度测量铜(63Cu-)和硅(73Ge-)的浓度。横坐标表示从锗薄膜表面的深度(μm)，而纵坐标表示每个成份元素的强度(计数)。
从图37和38可以清楚地看到，铜(Cu)作为集电器的成份，扩散到锗薄膜中邻近集电器的位置处，并示出在较接近锗薄膜表面的位置处，浓度低。
如上所述，锗薄膜包括扩散在其中的集电器成份，铜，在集电器附近具有高的铜浓度，并且具有浓度梯度，致使在接近锗薄膜表面的位置处，铜浓度变成低。因此，邻近集电器的锗薄膜包括与锂无作用的高浓度的铜，以及与锂有作用的低浓度的锗。因此可以相信，在集电器的附近，锗薄膜存储和释放较少的锂，进行较小的膨胀和收缩，并产生低强度的应力。这可能导致减少间隙(间隔)(所述间隙(间隔)可以导致锗薄膜从集电器脱落或剥落)的形成，以致可以保持锗薄膜的柱状部分的底部粘合在集电器上。
如上所述，在分割成柱状的情况中，锗薄膜保持对于集电器的强粘合，甚至在充电-放电循环期间。还有，以包围柱状部分的方式形成的间隙的作用是缓解在充电-放电期间由膨胀和收缩引起的应力。因此得到优良的充电-放电循环特性。
(参考实验5)
(电极a9的制造)
把电解铜箔(18μm厚)用于集电器作为衬底。通过RF喷涂技术在这个电解铜箔上形成硅薄膜。在100sccm的喷涂气体(Ar)流率、环境衬底温度(不加热)、0.1Pa(1.0×10-3Torr)的作用压力以及200W的RF功率中实施喷涂。使硅薄膜沉积到约2μm的厚度。
通过Raman光谱分析法来分析所产生的硅薄膜，检测到在约480cm-1处出现峰，和在约520cm-1处不出现峰。这展现了硅薄膜的无定形特性。
在硅薄膜沉积在电解铜箔上之后，把它切割成2cm×2cm大小，以准备电极a9。
使用针式断面仪Dektat3ST(可从ULVAC公司得到)，用2.0mm的扫描距离，测量电解铜箔的剖面的算术平均偏差Ra和平均间隔S。分别确定剖面的算术平均偏差Ra和平均间隔S为0.188μm和11μm。
(电极a10的制造)
把与制造电极a9相似的电解铜箔用于集电器作为衬底。在制造参考实验1的电极a1所使用的相同条件下，在电解铜箔上形成硅薄膜到约2μm厚度。按照准备电极a9所使用的过程来准备电极a10。
通过Raman光谱分析法来分析所产生的硅薄膜，检测到在约480cm-1处和在约520cm-1处出现峰。这展现了硅薄膜的微晶特性。
(比较电极b3的制造)
把在上述参考实验1中使用的成卷铜箔用于集电器作为衬底。遵循制造电极a9所使用的过程，通过RF喷涂技术，在成卷的铜箔上形成无定形硅薄膜(约2μm厚)。
使所产生的无定形硅薄膜经受650℃的1-小时煅烧。然后通过Raman光谱分析法分析经煅烧的硅薄膜，显示约480cm-1的峰消失，并在约520cm-1检测到唯一的峰。这表示煅烧导致多晶硅薄膜的形成。
按照用于准备电极a9的过程，从在成卷铜箔上形成的多晶硅薄膜准备电极b3。
利用上述过程来测量成卷铜箔的剖面的算术平均偏差Ra和平均间隔S。成卷铜箔展现0.037μm的剖面的算术平均偏差Ra和14μm的平均间隔S。
(充电-放电特性的测量)
使用如上制造的电极a9、a10和b3的每一个作为工作电极。相对电极和基准电极两者都使用金属锂。使用这些电极构成参考实验用电池。电解溶剂和在上述参考实验1中使用的电解溶剂相同。在单电极电池中，工作电极的减少是充电作用，而它的氧化是放电作用。
在25℃时以0.5mA的恒定电流对每个参考实验电池进行充电，直到相对于基准电极的电位达到0V，然后放电到2V。记录这个作为单位充电-放电循环。实施循环以测量第1循环和第5循环放电容量和充电-放电效率。在表6中给出结果。
                                                                 表6
  电极a9   电极a10   电极b3
             衬底   电解铜箔   电解铜箔   成卷铜箔
             硅薄膜厚度   2μm   2μm   2μm
             煅烧   无   无   650℃，1时
             硅薄膜结晶性   无定形   微晶   多晶
  充电-放电特性 第1循环   放电容量(mAh/g)   3980   4020   1978
  充电-放电效率(％)   100   96   83
第5循环   放电容量(mAh/g)   3990   4020   731
  充电-放电效率(％)   100   100   75
从在表6中所示的结果可以明白，即使在第5循环上，根据本发明的，使用无定形硅薄膜作为电极活性材料的电极a9，以及使用微晶硅薄膜作为电极活性材料的电极a10相对于比较电极b3展现高的放电容量以及优越的充电-放电效率。
(参考实验6)
(参考例子1至7以及比较参考例子1-2)
(集电器的制造)
把在表7中规定的样品用于集电器作为衬底。样品1相似于电极b3的集电器使用的成卷铜箔。根据下面过程准备样品2-4：用#100、#400或#1000号金刚砂纸研磨成卷铜箔，以使它的表面粗糙，用纯净水清洗，然后干燥。
                                               表7
 样品编号   1   2   3   4
 铜箔厚度(μm)   18   18   18   18
 剖面的算术平均偏差Ra(μm)   0.037   0.1   0.18   1
使用上述铜箔的每一种作为衬底。借助RF氩喷涂设备，在表8-10中规定的条件下在衬底上沉积硅薄膜。在对比参考例子2中，使所沉积的薄膜接着经受热处理(煅烧)。在参考例子1至7和比较参考例子1中，在薄膜沉积之前预先处理每个衬底。执行预先处理如下：在独立安装的等离子体发生器中产生ECR等离子体，并引导等离子体使之以200W的微波功率和0.06Pa的氩气部分压力轰击衬底达10分钟。
通过Raman光谱分析法分析而识别每种硅薄膜的特性。在表8-10中示出结果。
(充电-放电特性的测量)
把在参考例子1至7和比较参考例子1-2中得到的沉积硅的铜箔切割成2cm×2cm的块，然后用于以上述参考实验5中相同的方法来构成参考实验用电池。对于每种电池，以上述参考实验5中相同的方法执行充电-放电试验，以测量第1、第5和第20循环的放电容量和充电-放电效率。在表8-10中示出结果。
                                                  表8
  参考例子1   参考例子2   参考例子3   参考例子4
  衬底   衬底类型   样品2   样品3   样品4   样品3
  剖面的算术平均偏差Ra   0.1   0.18   1   0.18
  衬底厚度   18μm   18μm   18μm   18μm
  薄膜形成条件   硅薄膜厚度   2μm   2μm   2μm   2μm
  薄膜形成过程   喷涂   喷涂   喷涂   喷涂
  喷涂气体   氩   氩   氩   氩
  Ar流速率   100sccm   100sccm   100sccm   100sccm
  靶   99.999％硅单晶   99.999％硅单晶   99.999％硅单晶   99.999％硅单晶
  喷涂大气压   0.10Pa   0.10Pa   0.10Pa   0.10Pa
  喷涂功率   200W   200W   200W   200W
  衬底温度   20℃   20℃   20℃   200℃
  预处理   有   有   有   有
  喷涂时间   2小时   2小时   2小时   2小时
  热处理条件   热处理   无   无   无   无
  热处理时间   -   -   -   -
结晶性的识别   480cm-1处的Raman峰   有   有   有   有
  520cm-1处的Raman峰   无   无   无   无
  结晶性   无定形   无定形   无定形   无定形
  第1循环   放电容量(mAh/g)   3980   3978   3975   3980
  充电-放电效率(％)   100   100   100   100
  第5循环   放电容量(mAh/g)   3990   3981   3980   3990
  充电-放电效率(％)   100   100   100   100
  第20循环   放电容量(mAh/g)   3990   3980   3981   3990
  充电-放电效率(％)   100   100   100   100
                                                             表9
  参考例子5   参考例子6   参考例子7
  衬底   衬底类型   样品3   样品3   样品3
  剖面的算术平均偏差Ra   0.18   0.18   0.18
  衬底厚度   18μm   18μm   18μm
  薄膜形成条件   硅薄膜厚度   2μm   2μm   2μm
  薄膜形成过程   喷涂   喷涂   喷涂
  喷涂气体   氩   氩   氩
  Ar流速率   100sccm   100sccm   100sccm
  靶   99.999％硅单晶   99.999％硅单晶   99.999％硅单晶
  喷涂大气压   0.10Pa   1.0Pa   10Pa
  喷涂功率   200W   200W   200W
  衬底温度   50℃   20℃   20℃
  预处理   有   有   有
  喷涂时间   2小时   1.5小时   2.5小时
  热处理条件   热处理   无   无   无
  热处理时间   -   -   -
  结晶性的识别   480cm-1处的Raman峰   有   有   有
  520cm-1处的Raman峰   无   无   无
  结晶性   无定形   无定形   无定形
  第1循环   放电容量(mAh/g)   4060   3585   2500
  充电-放电效率(％)   100   100   100
  第5循环   放电容量(mAh/g)   4060   3592   2505
充电-放电效率(％) 100 100 100
  第20循环   放电容量(mAh/g)   4060   3590   2505
  充电-放电效率(％)   100   100   100
                                                           表10
 对比参考例子1  对比参考例子2
  衬底   衬底类型  样品3  样品1
  剖面的算术平均偏差Ra  0.18  0.037
  衬底厚度  18μm  18μm
  薄膜形成条件   硅薄膜厚度  2μm  2μm
  薄膜形成过程  喷涂  喷涂
  喷涂气体  氩  氩
  Ar流速率  100sccm  100sccm
  靶  99.999％硅单晶  99.999％硅单晶
  喷涂大气压  0.10Pa  0.10Pa
  喷涂功率  200W  200W
  衬底温度  450℃  20℃
  预处理  有  无
  喷涂时间  2小时  2小时
  热处理条件   热处理  无  650℃
  热处理时间  -  1小时
  结晶性的识别   480cm-1处的Raman峰  无  无
  520cm-1处的Raman峰  有  有
  结晶性  多晶  多晶
  第1循环   放电容量(mAh/g)  1250  1978
  充电-放电效率(％)  81  83
  第5循环   放电容量(mAh/g)  900  731
  充电-放电效率(％)  75  75
  第20循环   放电容量(mAh/g)  700  350
  充电-放电效率(％)   69   59
可以从表8-10中的结果清楚地看到，相对于利用通过对比参考例子1-2(所述对比参考例子使用多晶硅薄膜作为电极活性材料)得到的电极，利用通过参考例子1至7得到的电极，获得了放电容量的增加和充电-放电循环特性的改进，所述参考例子1至7使用根据本发明的无定形硅薄膜作为电极活性材料。
(参考实验7)
通过RF喷涂技术在电解铜箔(18μm厚，剖面的算术平均偏差Ra＝0.188μm，平均间隔S＝6μm)上形成无定形硅薄膜(约3μm厚)以制造电极a-11。以100sccm的喷涂气体(Ar)流速率、环境衬底温度(不加热)、0.1Pa的作用压力以及200W RF功率，使用单晶硅作为靶沉积薄膜。
通过Raman光谱分析法分析所产生的硅薄膜，检测到约480cm-1存在峰，而约520cm-1没有峰。这显示硅薄膜的无定形特性。
以与上述参考实验1的相同方法，用如此得到的电极a-11来构成电池A11。在与上述参考实验1相同的条件下，使电池经受充电-放电循环试验，以测量第30循环的容量保持率。在表11中，也示出电池A1和A3的结果。
                                 表11
  电池   第30-循环容量保持率
  A1   91％
  A3   97％
  A11   97％
从表11中示出的结果可以明白，与使用微晶硅薄膜作为活性材料的那些电池A1和A3比较，使用喷涂沉积无定形硅薄膜作为活性材料的电池A11也展现优良的容量保持率。
使用电子显微镜观察在电极a-11中的硅薄膜的状态。首先，用扫描电子显微镜观察电极a-11在其充电和放电之前的一部分。图39和40是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，每个示出在充电和放电之前的电极a-11的一部分。分别以2,000X和10,000X的放大倍数得到图39和40。按照在图2和3中示出的用于准备样品的过程来准备样品，即，把电极嵌入环氧树脂，然后把嵌入环氧树脂的电极切成片。
在图39和40中，看起来相当明亮的一部分表示电解铜箔。发现所沉积的硅薄膜(约3μm厚)是在铜箔上的阴暗部分。如在图39和40中所示，在电解铜箔的表面上确定凹凸不平。尤其，凸出部分具有总体上为锥形的形状。在沉积在铜箔上的硅薄膜表面上也形成具有这种锥形凸出部分的相似的凹凸不平。相应地，硅薄膜的表面凹凸不平显示出与铜箔表面上确定的那些凹凸不平一致的形状。
图41是用扫描电子显微镜得到的显微照相(二次电子成象)，示出当以1,000X的放大倍数观察时在电极a-11中的硅薄膜表面。如在图41中所示，在硅薄膜表面上形成许多凸出部分。如在图39和40中所示，以仿效铜箔表面上确定的那些凸出部分的方法来形成这些凸出部分。
图42是用扫描电子显微镜得到的显微照相(反射电子成象)，示出在充电-放电试验中，在30次循环之后，从电池A11取出的电极a-11的表面。图42是以1,000X的放大倍数得到的。
如在图42中所示，在硅薄膜中形成在它的厚度方向延伸的间隙(间隔)，并且这些间隙(间隔)把硅薄膜分割成柱。在图6-9中所示的硅薄膜中，如此形成间隙，以致在该薄膜上确定分别包围单个凸出部分的多个柱状部分。另一方面，在图42中所示的硅薄膜中，如此形成间隙，以致在该薄膜确定分别包围多个凸出部分的多个柱状部分。还发现，在图42中所示的硅薄膜中的间隙(间隔)比在图6-9中所示的硅薄膜中的间隙(间隔)较宽。
电池A11展现与电池A3相似的优良的容量保持。可以相信，表示以一种方法提供的包围柱状部分的间隔的作用是缓解活性材料的膨胀和收缩导致的应力，以致即使在确定每个柱状部分包围薄膜表面上的多个凸出部分的情况中，可以重复充电-放电循环而不会发生活性材料从集电器脱落。
(参考实验8)
在参考实验1中制造电极a1所使用的相同的薄膜形成条件下，在成卷铜箔和电解铜箔(18μm厚)两者上形成约厚2μm的微晶硅薄膜。然后，从每个样品冲压出17mm直径的块，以提供结合形成在成卷铜箔上的硅薄膜的电极c1以及结合形成在电解铜箔上的硅薄膜的电极c3。使与电极c1和c3相等的块在400℃时进行热处理3小时，以分别提供电极c2和c4。
除了使用电极c1-c4作为负电极，以构成可再充电锂电池C1-C4外，按照参考实验1的过程进行。以与参考实验1中相同的方法测量这些电池的充电-放电循环寿命特性。还有，以与参考实验1中相同的方法对每个电极的硅薄膜测量氢含量、Raman峰强度比(480cm-1/520cm-1)以及晶体粒子大小。在表12中示出结果。
                                                          表12
  电池   第50-循环容量保持率   氢含量   峰强度比(480cm-1/520cm-1)   晶体粒子大小
  C1   90％   4％   0.1   1nm
  C2   85％   0.01％   0.1   1nm
  C3   91％   4％   0.1   1nm
  C4   87％   0.01％   0.1   1nm
如在表12中所示的结果表示，具有约2μm厚度的微晶硅薄膜的电池C1-C4也得到明显高的容量保持率。
把结合形成在成卷铜箔上的微晶硅薄膜的电极c1按它的厚度方向切成片以提供样品，接着用透射式电子显微镜观察该样品。
图43和44是用透射式电子显微镜得到的显微照相，示出在电极c1中铜箔和硅薄膜之间的界面以及它的附近。分别以500,000X和1,000,000X的放大倍数得到图43和44。发现铜箔在每张显微照相的下部，而硅薄膜在上部。
在图43和44中，明亮的下部看来象铜箔部分。位于铜箔和硅薄膜之间的边界附近的一部分看起来向上变暗。该部分(约30nm-约100nm)看来是混合层的一部分，在所述混合层中，从铜箔到硅的铜的扩散是特别重要的。在该混合层中，铜(Cu)可能与硅(Si)混合。还有，在图43和44中，在象混合层和铜箔之间的界面附近观察到一个特殊部分。发现这个特殊部分是作为铜(Cu)扩散到硅(Si)中的结果而确定沿界面的凹凸不平的分布的。
其次，观察沿混合层的深度的成份元素的浓度分布。为了这个目的，使用O2 +作为喷涂源，通过SIMS测量铜(63Cu+)和氢(1H+)的浓度。图45示出每种成份元素的浓度分布。横坐标表示深度(μm)，而纵坐标表示原子密度(原子数/cm3)。
如在图45中所示，在较深位置处，即，在接近铜箔的位置处，混合层中的铜(Cu)的浓度增加。如果定义混合层为硅薄膜中的一个层，所述硅薄膜包括至少1％(1020原子/cm3，如果以原子密度表示)的集电器材料，则发现混合层存在于从约1.9μm的深度延伸到约2.7μm深度的厚度区域中。
相似地，对于结合形成在电解铜箔上的约2μm厚的微晶硅薄膜的电极c3，使用SIMS观察沿混合层深度的每个成份元素的浓度分布。在图46中示出结果。如在图46中所示，在电极c3中的硅薄膜的表面处，铜的原子密度已经超过1020原子/cm3。这清楚地表示，越过硅薄膜到它的表面而扩散的铜，使硅薄膜变成在它的整体中的混合层的形式。还有，使用这个电极c3的电池C3展现优良的充电-放电循环特性。这表示即使把硅薄膜变成在它的整体中的混合层的形式，硅薄膜仍起电极活性材料的作用。
从图45和46可以清楚地看到，铜浓度越过硅薄膜而连续地变化。这相应地表示在硅薄膜中存在的铜不是以金属间化合物的形式，而是以具有硅的固溶体的形式。
如上所述，可以确定，在铜箔中的铜与在硅薄膜中的硅混合的混合层是形成在铜箔和硅薄膜之间的界面的。可以相信，这个混合层的存在改进了硅薄膜和铜箔的粘合，即使在充电和放电时硅薄膜经受膨胀和收缩，也能防止硅薄膜与作为衬底的铜箔脱落，并提供优良的充电-放电循环特性。
(实验A)
下列例子示出根据本发明的电极，它是从在集电器上形成隔层和接着在隔层上沉积活性材料薄膜而产生的。
电极d1是根据本发明的电极，而电极d2和d3是对比电极。
(电极d1的制造)
通过RF喷涂技术在氩(Ar)气中在剖面的算术平均偏差Ra为0.072μm的电解镍箔(厚度20μm)的粗糙表面上形成作为隔层的0.3μm厚的铜层。使用下列薄膜形成条件：200W的RF功率，60sccm的氩(Ar)气流速率，0.1Pa的箱内压力以及环境基础温度(不加热)。
接着，使用RF喷涂技术在氩(Ar)气中在铜层上沉积硅薄膜。在300W的RF功率，50sccm的氩(Ar)气流速率，0.1Pa的箱内压力以及环境基础温度(不加热)的条件下，使用单晶硅作为目标而沉积薄膜。通过Raman光谱测定法分析所沉积的硅薄膜，它揭示了所述硅薄膜的无定形特性。发现硅薄膜的厚度为2μm。
把所产生的硅薄膜与镍箔一起切成2cm×2cm的大小，以提供电极d1。
(电极d2的制造)
使用剖面的算术平均偏差Ra为0.188μm的电解铜箔(厚18μm)。在与上述相同的薄膜形成条件下在电解铜箔的粗糙表面上喷涂沉积硅薄膜而不是铜层。发现硅薄膜为2μm厚。以上述相同的方式，把所产生的硅薄膜切成电极d2。
(电极d3的制造)
遵循制造电极d1所使用的过程，除了把硅薄膜直接沉积在电解镍箔的粗糙表面上而不介入铜层，以制造电极d3。
(测量充电-放电循环特性)
使用如上得到的作为工作电极的电极d1、d2和d3构成的测试电池和用于计数器和参考电极两者的金属锂。使用在参考实验1中准备的电解溶液。在这种单个电极测试电池中，在充电期间发生工作电极的低，而在放电期间发生工作电极的氧化。
在25℃处以0.5mA的恒定电流对每个测试电池充电直到它相对参考电极的电位达到0V，然后放电到2V。重复这个单位充电-放电循环，以从第一到第八循环测量在每次循环上的容量保持率。在图47中给出结果。
如在图47中所示，具有沉积在电解镍箔上的硅薄膜的电极d1通过铜隔层展现出与具有直接在电解铜箔上沉积硅薄膜的电极d2的循环性能可比拟的循环性能。对比之下，发现没有铜隔层介入的，具有直接沉积在电解镍箔上的硅薄膜的电极d3在第二循环上展现突然的容量降低。这最可能是由于当在充电-放电作用期间硅薄膜的膨胀和收缩引起硅薄膜与集电器分离。因此，提供与硅薄膜是混合物的，由铜构成的隔层保证防止硅薄膜的分离，结果提供优良的充电-放电循环。
虽然在上述例子中描述使集电器的一个表面粗糙，但是可以使集电器的两个表面都粗糙。在这种情况中，可以在集电器的相对的粗糙表面上沉积活性材料薄膜以提供电极。
虽然在上述例子中利用喷涂技术来形成铜隔层，但是本发明不限于此。也可以利用其它技术，包括汽-相薄膜形成技术，例如CVD、喷射和蒸汽蒸发以及例如电镀之类的电化学技术。
在工业中的利用
根据本发明，隔层包括可与在集电器上形成的活性材料薄膜合金的材料，然后在隔层上沉积活性材料薄膜。这种电极结构防止活性材料薄膜与集电器分离，增加集电的能力，并提供满意的充电-放电循环。因此，对于用于可再充电锂电池的电极，根据本发明用于锂电池的电极是有用的。

Claims (35)

1.一种用于锂电池的电极，其中通过隔层在集电器上提供能够存储和释放锂的活性材料薄膜，其特征在于，
所述隔层包括可与所述活性材料薄膜合金的材料，以向它的厚度方向延伸的方式在其上形成间隙，通过所述间隙把活性材料薄膜分割成柱，而所述柱形部分的底部粘合到隔层，
其中，所述活性材料薄膜由能够与锂形成混合物的活性材料构成。
2.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，
所述集电器包括机械强度比所述隔层材料的机械强度高的金属或合金制成的箔。
3.如权利要求1或2所述的用于锂电池的电极，其特征在于，
所述隔层在它与所述活性材料薄膜接触的表面上具有凹凸不平。
4.如权利要求3所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述集电器在它的表面上具有凹凸不平，并且所述隔层具有的表面凹凸不平与所述集电器的那些凹凸不平相匹配。
5.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述集电器具有范围为0.001-1μm的剖面的算术平均偏差Ra。
6.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述集电器具有范围为0.01-1μm的剖面的算术平均偏差Ra。
7.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述活性材料薄膜是硅、锗或硅-锗合金薄膜。
8.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述活性材料薄膜是微晶或无定形硅薄膜。
9.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述活性材料薄膜是微晶或无定形锗薄膜。
10.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述活性材料薄膜是微晶或无定形硅-锗合金薄膜。
11.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述集电器包括从铜、铜合金、镍、镍合金、铁、铁合金、不锈钢、钼、钨和钽中所选择的至少一种。
12.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述隔层是铜层。
13.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述隔层的成分扩散到所述活性材料薄膜。
14.如权利要求13所述的用于锂电池的电极，其特征在于，
在活性材料薄膜中的所述隔层成分的浓度比接近隔层的位置处的浓度高，而比在接近所述活性材料薄膜的表面的位置处的浓度低。
15.如权利要求13或14所述的用于锂电池的电极，其特征在于，
在所述活性材料薄膜中，扩散的隔层成分与活性材料薄膜的成分形成固溶体。
16.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，通过活性材料薄膜的充电-放电作用形成所述间隙。
17.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，通过CVD、喷涂、蒸气蒸发、溅射和电镀处理沉积所述活性材料薄膜。
18.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，所述活性材料薄膜通过形成与锂的合金而存储锂。
19.如权利要求1所述的用于锂电池的电极，其特征在于，锂是预先存储或结合在所述活性材料薄膜中的。
20.一种包括负电极的锂电池，其特征在于，
包括如权利要求1所述的电极、正电极以及无水电解质。
21.一种包括负电极的可再充电锂电池，其特征在于，
包括如权利要求1所述的电极、正电极以及无水电解质。
22.如权利要求21所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述正电极包括能够存储和释放锂的氧化物作为活性材料。
23.如权利要求21所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述正电极包括含锂的氧化物作为活性材料。
24.一种可再充电锂电池，包括具有能够存储和释放锂并沉积在负集电器上的活性材料薄膜的负电极、正电极和无水电解质，其特征在于，
在所述负集电器上提供包括可与所述活性材料薄膜合金的材料的隔层，通过以向活性材料薄膜的厚度方向延伸的方式在其上形成间隙，通过所述间隙把活性材料薄膜分割成柱，而所述柱形部分的底部粘合到隔层。
25.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
通过CVD、喷涂、蒸气蒸发、或溅射处理沉积所述活性材料薄膜。
26.如权利要求24或25所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述活性材料薄膜是硅、锗或硅-锗合金薄膜。
27.如权利要求26所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述硅薄膜是微晶或无定形硅薄膜。
28.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述隔层是铜层。
29.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述集电器包括机械强度比所述隔层材料的机械强度高的金属或合金制成的箔。
30.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述集电器在它的表面上具有凹凸不平，并且所述隔层具有的凹凸不平与所述集电器的那些凹凸不平相匹配。
31.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述集电器具有范围为0.001-1μm的剖面的算术平均偏差Ra。
32.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述集电器具有范围为0.01-1μm的剖面的算术平均偏差Ra。
33.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
所述集电器包括从铜、铜合金、镍、镍合金、铁、铁合金、不锈钢、钼、钨和钽中所选择的至少一种。
34.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
通过活性材料薄膜的充电-放电作用形成所述间隙。
35.如权利要求24所述的可再充电锂电池，其特征在于，
使所述活性材料薄膜沉积在所述隔层上，使隔层的成分扩散到活性材料薄膜中。
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