JP2009088552A - リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】純水の中では、微小な気泡は表面電位をもつ。そこで、電圧発生装置が浸漬液と接触している対象物(例えば電極)に電位差を印加し、浸漬液中の気泡表面の運動電位によって、浸漬液中の気泡及び/又は粒子が対象物から引き寄せられる、又ははじかれる。投影システムの最終要素に近い対象物の形は、どんな形でもよい。
【選択図】図4
Description
放射の投影ビームを提供するための照明システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、パターン形成手段が投影ビームの断面にパターンを与える支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部分を浸漬液で満たすための液体供給システムと、
前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子を移動させるのに有効な第1の電位を第1の対象物に印加するための電源と
を有するリソグラフィ装置が提供される。
投影システムを用いて、パターンが形成された放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影するステップと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間に浸漬液を提供するステップと、
前記浸漬液に接触している対象物に電荷を印加することにより、前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子に力を加えるステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
(1)放射の投影ビーム(例えばUV放射)PBを提供するための照明システム(照明器)ILと、
(2)パターン形成手段(例えばマスク)MAを支持するための第1の支持構造(例えばマスク・テーブル)MTであって、部材PLに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造MTと、
(3)基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するための基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTであって、部材PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブルWTと、
(4)パターン形成手段MAによって投影ビームPBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分Cの上に結像させるための投影システム(例えば屈折投影レンズ)PLと
を備えている。
(1)ステップ・モードでは、投影ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cの上に投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを本質的に静止した状態に保つ(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをX及び/又はY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cの上に投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査する(すなわち、ただ1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)率、及び像の反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cの上に投影する間、プログラム可能なパターン形成手段を保持しながらマスク・テーブルMTを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTの移動又は走査を行う。このモードでは、一般にパルス式の放射源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、又は走査中の連続する放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成手段を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
Claims (32)
- 放射の投影ビームを提供するための照明システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、該パターン形成手段が前記投影ビームの断面にパターンを与える支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを前記基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間の少なくとも一部分を浸漬液で満たすための液体供給システムと、
前記液体供給システムによって供給された浸漬液全体に第1の電位を印加して、前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子を移動させるための電源と
を有するリソグラフィ装置。 - 前記第1の電位が第1の対象物に印加される、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の対象物が前記浸漬液と接触する、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の対象物が前記空間に対する境界を形成する、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の電位が前記空間内の浸漬液全体に印加される、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の対象物が前記空間の上流で供給流路内の前記浸漬液と接触する、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の電位が前記空間の外側の浸漬液全体に印加される、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の電位が前記液体供給システム内の浸漬液全体に印加される、請求項7に記載の装置。
- 前記第1の電位が前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子に対して前記基板から遠ざかる方向に力を加えるのに有効である、請求項1に記載の装置。
- 第2の電位を浸漬液全体に印加するための第2の手段をさらに有する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の電位の極性が前記第2の電位と反対である、請求項10に記載の装置。
- 前記第2の電位が前記空間内の浸漬液全体に印加される、請求項10に記載の装置。
- 前記第2の電位が前記空間の外側の浸漬液全体に印加される、請求項10に記載の装置。
- 前記第2の電位が第2の対象物に印加される、請求項10に記載の装置。
- 前記第2の対象物が前記空間に対する境界を形成する、請求項14に記載の装置。
- 前記第2の対象物が前記空間の上流で供給流路内の前記浸漬液と接触する、請求項14に記載の装置。
- 前記第1の電位が前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子に対して前記空間内にあるとき、電位を印加しなかった場合よりも前記気泡及び/又は粒子が前記基板からさらに遠ざかるような方向に力を加えるのに有効である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の電位が±5mVと±5Vの間、好ましくは10mVと500mVの間である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の電位が500mV/mmまでの電場をもたらすのに有効である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の電位が前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子の表面の界面動電位と異なる極性のものである、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の電位が前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子の界面動電位と同じ極性のものである、請求項10に記載の装置。
- 前記第1の対象物が前記基板である、請求項2に記載の装置。
- 前記第2の対象物が投影システムの最終要素である、請求項10に記載の装置。
- 前記第1の対象物が前記装置の光軸に位置する、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の対象物が前記空間の境界を形成し、前記装置の光軸から遠くに配置される、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の対象物が前記空間の境界の少なくとも一部に沿って延びるバリア部材上に配置される、請求項2に記載の装置。
- 放射の投影ビームを提供するための照明システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、該パターン形成手段が前記投影ビームの断面にパターンを与える支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを基前記板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間の少なくとも一部分を浸漬液で満たすための液体供給システムと、
を有するリソグラフィ装置であって、
前記液体供給システムが、電圧を印加することにより、該液体供給システムによって供給された前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子を移動させるための手段を有する、リソグラフィ装置。 - 放射の投影ビームを提供するための照明システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、該パターン形成手段が前記投影ビームの断面にパターンを与える支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを前記基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間の少なくとも一部分を浸漬液で満たすための液体供給システムと、
を有するリソグラフィ装置であって、
前記液体供給システムが対象物に電荷を印可するための手段を有し、前記電荷の極性が前記浸漬液中の気泡の運動電位と反対であり、その結果、該液体供給システムによって供給された前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子が、それ自体に前記対象物から遠ざかる又はそれに向かう方向の力を有するようになる、リソグラフィ装置。 - 放射の投影ビームを提供するための照明システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、該パターン形成手段が前記投影ビームの断面にパターンを与える支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを基前記板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間の少なくとも一部分を浸漬液で満たすための液体供給システムと、
を有するリソグラフィ装置であって、
前記液体供給システムが、該液体供給システムによって供給された前記浸漬液中に、前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子を移動させるのに有効な電位場を発生させるための電場発生装置を有する、リソグラフィ装置。 - 投影システムを用いて、パターンが形成された放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影するステップと、
液体供給システムから前記投影システムと前記基板の間に浸漬液を提供するステップと、
対象物に電荷を印加することにより、前記液体供給システムによって提供された前記浸漬液中の気泡及び/又は粒子に力を加えるステップと
を含む、デバイス製造方法。 - 前記対象物が前記空間の境界を形成する、請求項30に記載の方法。
- 前記対象物が前記空間の上流で供給流路内の浸漬液と接触する、請求項30に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/773,461 US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10/773461 | 2004-02-09 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005030038A Division JP4444135B2 (ja) | 2004-02-09 | 2005-02-07 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010290462A Division JP2011066452A (ja) | 2004-02-09 | 2010-12-27 | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009088552A true JP2009088552A (ja) | 2009-04-23 |
JP2009088552A5 JP2009088552A5 (ja) | 2010-01-21 |
JP4834055B2 JP4834055B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=34679392
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005030038A Expired - Fee Related JP4444135B2 (ja) | 2004-02-09 | 2005-02-07 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2008307465A Expired - Fee Related JP4834055B2 (ja) | 2004-02-09 | 2008-12-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010290462A Pending JP2011066452A (ja) | 2004-02-09 | 2010-12-27 | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005030038A Expired - Fee Related JP4444135B2 (ja) | 2004-02-09 | 2005-02-07 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010290462A Pending JP2011066452A (ja) | 2004-02-09 | 2010-12-27 | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7050146B2 (ja) |
EP (1) | EP1562080B1 (ja) |
JP (3) | JP4444135B2 (ja) |
KR (1) | KR100665383B1 (ja) |
CN (1) | CN100504610C (ja) |
DE (1) | DE602005002155T2 (ja) |
SG (1) | SG114712A1 (ja) |
TW (1) | TWI266948B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3093712A1 (en) | 2015-05-14 | 2016-11-16 | Renesas Electronics Corporation | Photolithographic process for manufacturing a semiconductor device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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CN100470367C (zh) | 2002-11-12 | 2009-03-18 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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- 2005-02-04 SG SG200500722A patent/SG114712A1/en unknown
- 2005-02-05 TW TW094103847A patent/TWI266948B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-07 KR KR1020050011358A patent/KR100665383B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-07 JP JP2005030038A patent/JP4444135B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-08 DE DE602005002155T patent/DE602005002155T2/de active Active
- 2005-02-08 CN CNB2005100542275A patent/CN100504610C/zh not_active Expired - Fee Related
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JP4444135B2 (ja) | 2010-03-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100702 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100929 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |