TWI266948B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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TWI266948B
TWI266948B TW094103847A TW94103847A TWI266948B TW I266948 B TWI266948 B TW I266948B TW 094103847 A TW094103847 A TW 094103847A TW 94103847 A TW94103847 A TW 94103847A TW I266948 B TWI266948 B TW I266948B
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Paulus Cornelis Duineveld
Peter Dirksen
Aleksey Yurievic Kolesnychenko
Santen Helmar Van
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Asml Netherlands Bv
Koninkl Philips Electronics Nv
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Description

1266948 φ 九、發明說明: : 【發明所屬之技術領域】 ,- 本發明係關於一種微影裝置及器件製造方法。 【先前技術】 一微影裝置為一種將所要圖案施加於一基板之目標部分 上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。 在彼情況中,一諸如光罩之圖案化構件可用於產生一對應 於ic之個別層之電路圖案,且可使該圖案成像於一位於具 有一輻射敏感材料(光阻)層的基板(例如一石夕晶圓)上之目 標部分(例如包括一或多個晶粒之部分)。大體而言,單一基 板將含有一連續得到曝光之相鄰目標部分之網路。已知之 微影裝置包含:所謂的步進器,其中藉由將整個圖案一次 性曝光至目標部分上而照射每一目標部分;及所謂的掃描 器,其中藉由經由投影射束在一特定方向(”掃描”方向)掃描 圖案,同時平行或逆平行於此方向同步掃描基板而照射每 一目標部分。 已提議過浸沒微影投影裝置中之基板於一具有相對高折 射率之液體中,例如水,以使得填充投影系統之最終元件 與該基板之間的間隙。此可使較小元件成像,因為曝光鲈 射將在液體中具有一較短波長。(該液體之效應亦可視作2 加系統之有效NA且亦增加聚焦之深度。) 然而,將該基板,或基板及基板台浸沒於液 $、 又次泡劑 中(翏看,例如美國專利案4,509,852,該案之全令 ^ ^ ^ 人以引用的 方式併入本文中)意謂有大量液體必須在掃描曝 〜%期間加 99451.doc 1266948 速。此需要額外或更強功率之馬達,且液體中之擾流可導 致不良及不可預測之影響。 一所提議之解決方法為使一液體供給系統僅在基板之局 部化部分域上及在投影系統之最終元件與使用一液體限制 系統之基板之間(該基板通常具有一比投影系統之最終元 件更大的表面面積)提供液體。在W0 99/49504中揭示了一 用於此目的之經提議之方式,其以全文引用的方式倂入本 文中如圖2及3所不’將液體經由至少一入口爪較佳地沿 相對於最終元件之基板之移動方向供給至基板W上,且在 =過投影系統PL下方後經由至少-出口 OUT將液體移除。 思即’當在最終元件正下方以_χ方向掃描基板時,在最終 兀件之+Χ側供給液體且在_χ側將其吸收。圖2示意性展示 了 4配置,其中經由入口爪供給液體且在該元件之另一側 經由:接至-低壓源的出口 OUT將其吸收。在圖2之圖解 才對於最終元件之基板之移動方向供給液體,儘管 情況未:必需如此。定位於最終元件周圍之入口與出:可 有口種疋向及數目。圖3中展示了 一實例,其中在最終元件 周圍:規則圖案提供四組入口及在其任一側之出口。 所提:之另一解決方法係為液體供給系統提供一密封部 一立’ 2沿投影系統之最終元件與基板台之間的間隙之至少 大° _封部件相對於XY平面中之投影系統 <於舲止中,儘管在2方向中(在光軸之方向中)可有一 移動。密封件形成於密封部件與基板之表面之間。 苹乂 Ί土地,兮 女溶主4达 μ *封為一諸如氣體密封件之非接觸密封件。歐 99451.doc 1266948 洲專利申請案£^^420,298^示了該種系統,其以全文引 用的方式併入本文中。 其它類型之密封部件顯然有可能,包含彼等具有不同入 口及出口之配置的密封部件及彼等不對稱之密封部件。 已發現,浸沒微影方法中之困難在於浸沒液體中存在氣 泡。該等氣泡可為任何尺寸,但約幾μιη之氣泡使—特定問 題出現。當幾微米之氣泡位於基板或待成像之感應器的表
面時尤其如此,因為在此位置中氣泡純影射束具有最大 干擾影響。 【發明内容】 、本發明之-目標係降低浸沒液體中之氣泡對浸沒微影方 法中之成像品質的影響。 根據本發明之-態樣,提供一種微影裝置,包括·· 一用以提供輻射之-投影射束之照明系統; 一用以支撐圖案化構件之古# 支撐…構,该圖案化構件用以 在該投影射束之截面巾μ該投影射束-圖案; 一用以固持一基板之基板台; 一用以將圖案化射束投影 系統· ’、边基板之一目標部分之投影 一用以用一浸沒液體至少 开填充该投影系統之最終 與该基板之間的間隙的液體供給系統;及 :用以將一第一電位施加於—有效 氣泡及/或粒μ ρ % ㈣^ 、又辰^之 向而施加一力 以此方式’可以朝向或遠離第一物件之方 99451.doc 1266948 於浸沒液體中之氣泡上。此係因為浸沒液體中之氣泡將具 有一自然電動電位,其為氣泡表面與液體中之完全解離之 離子/辰度之間的電位差。因此,藉由將該第一電位選擇為 與氣泡之電動電位極性相同或相反,可判定該氣泡是否朝 向或返離該第一物件移動。因此,該系統可用於將浸沒液 體中之氣泡移動至其對該裝置之成像品質之影響降至最低 之處。本發明對較小粒子起作用之方式與其對氣泡起作用 之方式相同。
^佳地,該第一物件形成該間隙之一邊、緣,使得間隙夺 。亥〜又液體中之氣泡的位置可受到控制。或者,該第一彩 件可與間隙上游的供給通道中之浸沒液體接觸。以此方# 可避免在該間隙中產生過多電位場,由於在該投影系统7 之物件的有限空間,其可對間隙中之感應器 以安排。 此辨 一 2 ]以將一第二電位施加於-與浸沒液體接觸的 一物件之第二構件是右 、 勺。以此方式,由於可使兮楚 電位有效排斥氣泡而可使該第—+ ^ + + & 弟一電位有效吸引氣泡,或 之亦然,氣泡上之力可增加。 〆 在一實施財,可㈣基板作 斥在另一貫施例中,可使第-物 作為該投弟—物 此遠離該基板…第^传氧泡可被吸引向此並 田然弟一與第二物件可互換。 在m例中’第—物件仍形 之 位於遠離該裝置之光 '、邊緣,但 匕方式,軋泡可自該裝置之 99451.doc
1266948 :射括〜外(UV)輻射(例如,具有祕·m、ί93 _或126 nm之波長)。 本文中所用之街古五”岡安 w,、構件’應廣泛地理解為可用 在该投影射束之截面中賦 用於 辦于°亥投衫射束一圖案之構件,諸 土反之目標部分創建一圖案。應注意,騎予投影射束 二圖^可不完全對應於基板之目標部分中所要之圖案。大 -而:’賦予投影射束之圖案將對應於一創建於目標部分 之益件中之特定功能層,諸如一積體電路。 人圖案化構件可為透射或反射性的。圖案化構件之實例包 各光罩、T程式化鏡面陣列及可程式化lcd面板。在微影 方法中’已熟知光罩,I包含例如二進制、交變相移及衰 減相移之光罩類型以及各種混合光罩類型。一可程式化鏡 面陣列之實例使用小鏡面之矩陣排列,其每_者可獨立: 傾斜以使得以不同方向反射入射輻射射束;以此方式,圖 案化經反射之射束。在圖案化構件之每一實例中,支撐結 構可為一框架或台,例如其按要求可固定或可移動且其可 確保該圖案化構件處於所要位置,例如相對於該投影系 統。可認為本文中之術語”主光罩"或"光罩,,之任何用更 常用之術語’’圖案化構件”同義。 本文中所用之術語,,投影系統”應廣泛地理解為涵蓋各種 類型之投影系統,包含折射光學系統、反射光學系統及反 射折射光學系統(catadioptric optical system),適於(例如) 所使用之曝光輻射或其它諸如浸沒液體之使用或真空之使 用的因素。可認為本文中之術語”透鏡”之任何用法與更常 99451.doc -11 - 1266948 用之術語"投影系統,,同義。 照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件,包含用以偵 :’則、成形或控制輻射之投影射束的折射、反射及反射折射 光學組件,且該等組件亦可在下文中共同或單個地稱為"透 . 鏡π 〇 該微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及 /或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在該等,,多平臺,,機器中 Τ並打使用額外台,或可在—或多個臺上執行預備步驟, 同時一或多個其它台用於曝光。 【實施方式】 圖1示意性地描述了根據本發明之一特定實施例之微影 裝置。該裝置包括: 一用以提供輻射(例如UV輻射)之一投影射束ΡΒ之照明 系統(照明器)IL。 用以支樓圖案化構件(例如一光罩)MA之第一支撐結 φ 構(例如一光罩台)MT,並連接至用以相對於物件pL準確定 位该圖案化構件之第一定位構件PM ; 一用以固持一基板(如一塗覆有光阻之晶圓)界之基板台 (例如一晶圓臺)WT,並連接至用以相對於物件?乙準確定位 該基板之第二定位構件PW ;及 一用以藉由圖案化構件MA將賦予投影射束pB之圖案成 像至基板W的目標部分C (例如包括一或多個晶粒)上之投影 系統(例如一折射投影透鏡)PL。 如此處所述,该裝置為一透射之類型(例如使用一透射光 99451.doc -12- 1266948 罩)。或者,該裝置可為—反射之類型(例如使用—如上文所 述之類型之可程式化鏡面陣列)。 照明器IL自輕射源以接收輕射之射束。例如當源為準分 子雷射器時,該源及微影裝置可為獨立實體。在該等狀況 下,不認為該源形成微影裝置之部分,且輕射射束在一包 括(例如)適當之指向鏡及/或射束放大器之射束傳遞系統Ex 輔助下自源LA穿過而至照明訊。在其它狀況下,例如當 源為汞燈時,該源可為該裝置之整體部分。源LA與照明I IL以及(若需要)射束傳遞系統Ε χ可稱為輻射系统。 照明1HL可包㈣以調節射束之角強度分佈的調節構件 趨。大體而言,至少在照明器之睛孔平面中的強度分佈之 外部及/或内部徑向範圍(通常分別稱為&外部及㈣部)可 調節。此外,照明器IUt常包括諸如一積光器職聚光器 C〇之各種其它組件。照明器提供_稱為投影射束pB之改良 性之輕射射束,其在其截面中具有一所要之均句性及強度 分佈。 2影射束PB在固持於光罩台MT上之光罩财上為入射。 在穿過光罩MA後’投影射束pB穿過將射束聚焦至基板界之 目標部分C的透鏡PL。在第二定位構件請及位置感應器 列如干涉器件)之辅助下,基板台⑽可準確移動,(例岣 =在射束PB之路徑中定位不同目標部分c。同樣地,第 疋位構件PM及另-位置感應器(其在圖i中未明確描述) 可用於〇j如)當自光罩庫中以機械方式取得之後或在掃描 期間,相對於射束PB之路徑而準確定位光罩财。大體而 99451.doc -13- 1266948 «載物口 MT及WT之移動在形成定位構件pM及pw之部分 之長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精細定位)之輔助下 實現。然而,在步進器(與掃描儀相 MT可僅連接至短衝程致動器或可固定。光罩MA二板; 可使用光罩對準標記]νπ、⑽及基板對準標記ρι、P2對準。 所描述之裝置可以下列較佳模式使用: 1·在步進权式中’光罩台Μτ及基板台资大體上保持固 定’同時賦予投影射束之整個圖案一次性(即單次靜態曝幻 才又心至目分C上。接著,基板台资以乂及/或Y方向移 位’使得-不同目標部分C可被曝光。在步進模式中,曝光 領域之最大尺寸限制在單次靜態曝光中成像之目標部分c 之尺寸。 2·在掃“;’同步掃描光罩台奶及基板台wT,同 時將賦予投影射束之圖案投影至目標部分C上(即-單次動 態曝幻。基板台WT相對於光罩台Μτ之速度及方向由投影 系統PL之放大(縮小)及影像反向特徵判^ 中’曝光部分之最大尺寸限制了—單次動態曝光中之= 部分之見度(在非掃描方向中),而掃描運動之長度判定目標 部分之尚度(在掃描方向中)。 3·在另一模式中,光罩台MT大體上保持固定,固持一可 私式化圖案化構件,且移動或掃描基板台,同時將一賦 予投影射束之圖案投影至目標部分C上。在此模式中,通常 使1脈衝輪射源,且按需要在基板台资每一移動之後或 在知“期間之連㈣射脈衝之間更新可程式化構件。此操 99451.doc -14- 1266948 作模式可不難應用於利用諸如如上述類型的可程式化鏡面 陣列的可程式化圖案化構件之無光罩之微影。 亦可使用上述使用之模式之組合及/或變化或完全不 使用之模式。 5 本發明可應用於任何類型之液體供給系統。該供給系統 可用以供給任何類型之浸沒液體,且可使用任何類型之用 以限制投影系統P L與基板W之間的浸沒液體的系統。 圖4說明了一種液體限制系統類型,儘f本發明不限㈣ 實知例。舉例而言’本發明可應用於圖2及圖3中之液體供 給糸雜.。 ' 圖4中之液體供給系統包括一定位於投影系統札之最铁 凡件之下方及周圍的障壁部件1Q。將液料人投影系統 了方及障壁部件10内之間隙5中。障壁部㈣較佳地在投影 糸統PL之最高元件上方延伸。視需要,可在障壁部㈣之 ^部與基板W之間提供—密封構件。該密封構件可(例如) 為乳體㈣件或靜液壓密封件(h咖咖以“叫。障壁部件 ==透鏡PL或裝置之基底框架或以包含在基板…上 支撐/、自身重量之任何其它方式支撐。 將浸沒液體經由營〗酋^ Λ Μ 的間隙。接著,自該間㈣影系統PL與基板W之間 人隙移除改沒液體。未說明液體之移 牙'二可以任何方式(例如)藉由-低·源移除液體。 微氣泡及小粒子可在m體巾出現,且 =接近基板W之表面,可對投影影像及所得產物之= 不利影響。本發明利用由礦業上在液體中小固體粒子 99451.doc 1266948 f附於氣泡表㈣發現處理該問題。已發現,微米尺寸之 軋泡與固體粒子之間的電力在黏著中起重要作用。已發 2液體中之氣泡在其表面具有一導致氣泡表面與液體中 完全解離之離子濃度之間的電位差的電動(或她)電位。此 亦可應用於小粒子。 θ在本發明中,一電源或電塵供給器v(或電荷、電塵、電 眾或屯位差產生器或供給器)用於將-電位施加於浸沒裝 m多個物件。操作之原則為’若需要排斥,則產生 液體之完全解離之離子濃度與物件之間的電位差,里與液 體中完全解離之離子濃度與氣泡表面之間的電位差具有相 同極性1需要物件與氣泡之間的吸引,則電位差應且有 相同極性。以此方式,可在氣泡上產生朝向或遠離與浸沒 液體接觸之物件(電極)之力。 在圖4中右干不同物件具有一施加於其之電位或電荷。 本發明將對僅該種物件之—者及物件之任何組合起作用, 且確亦可或替代性用於其它未說明之物件。 在取可此用作在193 nm投影射束之波長時的浸沒液體的 純水中,已發現’微米尺寸氣泡之表面電位為大約,. *亥電位將隨氣泡尺寸及浸沒液體之類型變化。然而,與此 處所述之相同之原則可用於其它浸沒液體及氣泡尺寸,且 本發明完全可應用於該等物體。添加劑可添加於浸沒液 體,以改變表面電位之作用。為此目的,CaC^NaCi為適 當之候選加成劑。 在圖4中,說明了可將電位或電壓或電荷施加於其之隨 99451.doc -16- 1266948 不同物件。較佳地,該等物件與浸沒液體接觸,雖然原則 上不必要如此。此等物件之一者為基板w,其較佳地充電 至使其電位與氣泡表面之電位同極。以此方式,氣泡在其 上具有-直接遠離基板w之力,使得其對投影影像之影響 降至最低。與在基板之負電位組合,或其單獨,㈣ 系統之最終元件或—接近投影系統pL之最終元件2〇之物件 J充电至與氣泡表面之電位反極的電位。此將具有吸引 氣泡朝向投料統PL之最終元件2G並進而遠離基板以的作 用接近投影系統PL之最終元件2〇的物件(例如電極)可為 任何形狀。其可為類似盤狀或環狀,使得投影射束職由 物件之中心穿過。 立或者’待充電或具有一施加於其之電壓的物件可附接至 障壁部件1G之表面。在圖4中,此等物件附接至障壁1()之内 表面。如說明1電極12、14各出現於障壁部件之對側, 亚^電至相反電位。以此方式,氣泡可被引至電極12、14 之-或另一,可能以浸沒液體出口之方向。或I,可在密 封部件__(與浸沒液體接觸)提供—或多個物件,其充 電至-與氣泡表面之電位不同極性之電位。以此方式,在 投影系統PL之最終元件2〇與基板w之間的間隙5中的浸沒 液體中之氣泡將被引離穿詈 、之先軸,進而使投影射束抑至 基板W之路徑大體上不被氣泡阻礙。 2用本發明之另一處為液體供給系統中之投影系統PL之 ::π 4牛20與基板w之間的間隙5之上游。在此狀況下,當 ❸又液體沿管道3〇經由外殼4〇穿過時,當浸沒液體處於間 99451.doc -17- 1266948 隙5中打,反向充電及相對板(例如電極)42、44在氣泡上產 生一有效使氣泡移動之力,使得氣泡較未施加電場於間隙5 之上游時更遠離基板W。該具有高濃度之氣泡之浸沒液體 (即位於電極44附近)甚至可被移除或不供給至間隙5。被移 除之液體在&體供給系、统中再循環之前可經受氣泡移除處 理。 在以上所有實例中,由電壓產生器V施加之電壓愈高,在 氣泡上之力愈大。在物件上之電位不應如此高使得導致浸 沒液體之解離,但應足夠高以提供一在氣泡上之力,使得 本發明有效。對一主要包括水的浸沒液體而言,施加於物 件之典型電位差為511^至5 V,較佳為1〇111¥至5〇〇11^。歸 因於電位之施加,一5 mV/mm至500 mv/mm之電場受到青 昧0 在圖5中,提供一第二電源/電壓供給/電荷/電壓/電場或 電位差產生器或供給器V2。第二電源¥2供給或產生一與由 鲁 电源V供給或產生之電位極性相反之第二電位。第二電位可 與氣泡及/或浸沒液體中的粒子之表面之電動電位同極。儘 官展示電源V將電位施加於物件12、20、42、44,且展示第 二電源V2為將第二電位施加於物件W、14,應瞭解第一及 • 第二電源v、V2可將電位施加於任何組合之物件。 雖然上文已描述本發明之具體實施例,應瞭解本發明亦 ▼ 可以不同於所描述之實施方法實施。本說明不希望限制本 ' 發明。 【圖式簡單說明】 99451.doc -18- 1266948 圖1描述了根據本發明之一實施例之微影裝置; 圖2以截面說明了根據本發明之一實施例之液體供給系 統; 圖3以平面說明了圖2之液體供給系統;及 圖4說明了本發明之一實施例;及 圖5說明了本發明之另一實施例。 【主要元件符號說明】
AM 調節構件 C 目標部分 CO 聚光器 Ex 射束傳遞系統 IF 位置感應器 IL 照明器 IN 積光器 LA 輻射源 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化構件 MT 光罩台 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 V 第一電源 V2 第二電源 WT 基板台 99451.doc

Claims (1)

  1. W年^月Κ日修(更)正本 I266$4^1G3847號專利申請案 .中文申請專利範圍替換本(95年2月) 十、申請專利範圍·· , 1 · 一種微影裴置,其包括: ‘ 一用以提供一輻射之投影射束之照明系統; 一’用以支撐圖案化構件之支撐結構,該圖案化構件用 以在該投影射束之截面中賦予該投影射束一圖案; 一用以固持一基板之基板台; 用以將遠圖案化射束投影至該基板之一目標部分之 投影系統; • 一用以由一浸沒液體至少部分地填充該投影系統與該 基板之間的一間隙的液體供給系統;及 用以在由該液體供給系統供給之該浸沒液體兩端施 加第一電位以移動該浸沒液體中之氣泡及/或粒子的電 源。 2.如明求項1之裝置,其中該第一電位係施加於一第一物 件。 3 .如咕求項2之裝置 > 其中該第一物件與該浸沒液體接觸。 春4·如明求項2之裝置,其中該第一物件形成該間隙之一邊 緣。 5 ·如咕求項1之裝置,其中該第一電位係施加在該間隙中之 該浸沒液體兩端。 • 6· 士明求項2之裝置,其中該第一物件與在該間隙上游之一 供給通道中之該浸沒液體接觸。 7· 士明求項1之裝置,其中該第一電位係施加在該間隙以外 之該浸沒液體兩端。 8·如請求項7之裝置,其中該第一電位係施加在該液體供給 99451-950216.doc i^b6948 _丨丨_ 丨物
    系統中之該浸沒液體兩端。 如凊求項1之裝置,复 向古4 一中该第一電位以一遠離該基板之方 °有政地在該浸沒液體 10·如請求们之裝ϋ 一氣泡及/或粒子上施加一力。 为_唾 ^包括用以在該浸沒液體兩端施 σ 一第二電位之第二構件。 •如印求項10之裝置, 相反。 八中該第一電位與該第二電位極性 12·如請求項10之梦罟,甘& ._ /、中該第二電位係施加在該間隙中 <該浸沒液體兩端。 1 3 ·如請求項j 〇之梦晉,甘 . 、 /、中該第二電位係施加在該間隙以 外之該浸沒液體兩端。 14·如請求項1〇之裝置,复 从 ,、中该第二電位係施加於一第二物 件0 15.:明求項14之裝置,其中該第二物件形成該間隙之一邊 以如請求項14之裝置,其中該第二物件與在該間隙上游之 一供給通道中之該浸沒液體接觸。 月求項1之裝置,其中該第一電位有效地在該浸沒液體 中之氣泡及/或粒子上施加一力,該力之一方向使得當在 :間隙中時,該等氣泡及/或粒子將比若不施加電位時更 退離該基板。 18·如請求们之裝置’其中該第—電位為在士⑽與士$ v之 間’較佳地在10瓜卩與500 mV之間。 19.如請求们之裝置,其中該第一電位有效設定一高達5〇〇 99451-950216.doc 1266948 20. 21. 22. 23.
    24. 25. 26. 27.
    1?^ ^:π| :Κ;,ίΕ;^ I 1 XJ t 一.一「” '…™'...,…… mV/mm之電場。 ::求項1之裝置’其中該第一電位與在該浸沒液體中之 I及/或粒子之該表面的該電動電位極性不同。 如,求項H)之裝置,其中該第二電位與在該浸沒液體中 之乳泡及/或粒子之該電動電位極性相同。 月求項2之裝置’其中該第一物件為該基板。 :請求項1〇之裝置,其中該第二物件為該投影系統之一 最終元件。 如吻求項2之裝置’其中該第一物件位於該裝置之該光 中。 月求員2之裝置,其中該第一物件形成該間隙之一邊 緣,且定位於該裝置之該光軸之末端。 如:月求項2之裝置,其中該第-元件定位於-沿該間隙之 /邊界之至少一部分延伸的障壁部件上。 一種微影裝置,其包括: 用以提供一輻射之投影射束之照明系統; 、一用以支撐圖案化構件之支律結構,該圖案化構件用 、在忒杈衫射束之截面中賦予該投影射束一圖案·, 一用以固持一基板之基板台; 用以將該圖案化射束投影至該基板之一目標部分之 投影系統; 乂由一次沒液體至少部分地填充該投影系統與該 基板之間的-間隙的液體供給系統;及 體供給系統具有用以藉由一電壓之施加而移動由 99451-950216.doc 1266948 ’ ψ ^ \ 该液體供給系統供給的該浸沒液體中之氣泡及/或粒子之 構件。 28· —種微影裝置,其包括: 一用以提供一輻射之投影射束之照明系統; 一用以支撐圖案化構件之支撐結構,該圖案化構件用 以在該投影射束之截面中賦予該投影射束一圖案; 一用以固持一基板之基板台; 一用以將該圖案化射束投影至該基板之一目標部分之 投影系統;及 一用以由一浸沒液體至少部分地填充該投影系統與該 基板之間的一間隙的液體供給系統; 其中該液體供給系統包括用以將一電荷施加於一物件 之構件,該電荷與該浸沒液體中之氣泡之一電動電位的 極性相反,使得由該液體供給系統供給的該浸沒液體中 之氣泡及/或粒子上具有一在一遠離或朝向該物件之方向 上之力。 29· —種微影裝置,其包括: 一用以提供一輻射之投影射束之照明系統; 一用以支撐圖案化構件之支撐結構,該圖案化構件用 以在該投影射束之截面中賦予該投影射束一圖案; 一用以固持一基板之基板台; 一用以將該圖案化射束投影至該基板之一目標部分之 投影系統;及 一用以由一浸沒液體至少部分地填充該投影系統與該 99451-950216.doc 1266948 χ 丨‘ ' 基板之間的一間隙的液體供給系統;及 該液體供給系統具有一用以在由該液體供給系統供給 的該浸沒液體中產生一有效移動該浸沒液體中之氣泡及/ 或粒子之電場的電位場產生器。 30· —種器件製造方法,其包括: 使用一投影系統將一輻射之圖案化射束投影至該基板 之一目標部分上; g 自一液體供給系統將一浸沒液體提供至一在該投影系 統與該基板之間的間隙;及 藉由將一電荷施加於一物件而將一力施加於由該液體 供給系統提供的該浸沒液體中之氣泡及/或粒子上。 3 1 ·如凊求項30之方法,其中該物件形成該間隙之一邊緣。 32.如喷求項3〇之方法,其中該物件與該間隙上游之一供給 通道中之該浸沒液體接觸。
    99451-950216.doc 1266948 第094103847號專利申請案 中文圖式替換頁(95年2月) q坏么月戌日修(叟)正替換頁1
    圖1
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Families Citing this family (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TW201908879A (zh) * 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
EP1610361B1 (en) * 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) * 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) * 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4315198B2 (ja) * 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
JP4582089B2 (ja) * 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101508809B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1624481A4 (en) * 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
TWI421906B (zh) * 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
CN100541717C (zh) * 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101146962B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1639391A4 (en) * 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
EP2466382B1 (en) * 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005006416A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1650787A4 (en) * 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
EP2264534B1 (en) 2003-07-28 2013-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI439823B (zh) * 2003-08-26 2014-06-01 尼康股份有限公司 Optical components and exposure devices
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101748923B1 (ko) 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101238134B1 (ko) * 2003-09-26 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법
KR101421398B1 (ko) 2003-09-29 2014-07-18 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
KR101332543B1 (ko) 2003-10-22 2013-11-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 디바이스의 제조 방법
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI470371B (zh) 2003-12-03 2015-01-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component
JPWO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2007-07-05 株式会社ニコン 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1706793B1 (en) * 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI402893B (zh) 2004-03-25 2013-07-21 尼康股份有限公司 曝光方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
EP2966670B1 (en) 2004-06-09 2017-02-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE441937T1 (de) 2004-07-12 2009-09-15 Nikon Corp Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren
US7248332B2 (en) * 2004-07-13 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1801853A4 (en) * 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
JP4961709B2 (ja) * 2004-10-13 2012-06-27 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2506289A3 (en) * 2005-01-31 2013-05-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
JP2006269940A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 露光装置及び露光方法
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006122578A1 (en) * 2005-05-17 2006-11-23 Freescale Semiconductor, Inc. Contaminant removal apparatus and method therefor
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
KR100724082B1 (ko) 2005-11-18 2007-06-04 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 메가소닉 담금 리소그래피 노광 장치 및 방법
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7839483B2 (en) * 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101236426B1 (ko) * 2006-02-14 2013-02-22 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 프린트헤드 및 그 기포제거방법
US7893047B2 (en) * 2006-03-03 2011-02-22 Arch Chemicals, Inc. Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives
DE102006021797A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8564759B2 (en) 2006-06-29 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
WO2008029884A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Dispositif et procédé de nettoyage, et procédé de fabrication du dispositif
WO2008053918A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Nikon Corporation Appareil de maintien de liquide, procédé de maintien de liquide, appareil d'exposition, procédé d'exposition et procédé de fabrication du dispositif
US7800731B2 (en) * 2006-11-03 2010-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for removing particles in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US20080204687A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, device fabricating method, and substrate for immersion exposure
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
JP5055549B2 (ja) * 2007-03-22 2012-10-24 国立大学法人宇都宮大学 液浸露光装置
US7900641B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US20090025753A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
NL1036211A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method.
NL1036187A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036273A1 (nl) * 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
NL1036306A1 (nl) 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
GB2470049B (en) 2009-05-07 2011-03-23 Zeiss Carl Smt Ag Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects
US8946514B2 (en) * 2009-12-28 2015-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
CN104238274B (zh) * 2013-06-19 2016-12-28 上海微电子装备有限公司 浸没式光刻机浸没流场维持装置及方法
CN104808325B (zh) * 2014-01-25 2017-10-24 清华大学 一种通过光学显微镜观测纳米结构的方法
CN104808326B (zh) * 2014-01-25 2017-10-24 清华大学 一种光学显微镜的辅助装置
JP6456238B2 (ja) 2015-05-14 2019-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (zh)
DE224448C (zh)
DE221563C (zh)
DE242880C (zh)
US3527684A (en) * 1967-03-13 1970-09-08 Eastman Kodak Co Method of increasing contrast in electrophoretic reproduction
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2424091C3 (de) * 1974-05-17 1980-11-27 Sachs Systemtechnik Gmbh, 8720 Schweinfurt Verfahren zur anodischen Oxidation organischer Belastungsstoffe im Wasser in einer Wirbelschicht aus leitfähigem Adsorbens
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD221263A1 (de) 1983-11-01 1985-04-17 Zeiss Jena Veb Carl Anordnung zur beobachtung einer dosenlibelle fuer nivellierinstrumente
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4569739A (en) * 1984-12-31 1986-02-11 Dorr-Oliver Incorporated Electrofilter using an improved electrode assembly
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6265326U (zh) 1985-10-16 1987-04-23
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (zh) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (zh) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
US5289001A (en) * 1989-08-07 1994-02-22 Hitachi, Ltd. Laser beam scanning apparatus having a variable focal distance device and the variable focal distance device for use in the apparatus
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JP2507153B2 (ja) * 1990-07-31 1996-06-12 松下電器産業株式会社 有機デバイスとその製造方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3319016B2 (ja) 1993-03-11 2002-08-26 石川島播磨重工業株式会社 気泡除去装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5800690A (en) * 1996-07-03 1998-09-01 Caliper Technologies Corporation Variable control of electroosmotic and/or electrophoretic forces within a fluid-containing structure via electrical forces
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JP2834097B2 (ja) 1996-09-03 1998-12-09 山口日本電気株式会社 レチクル洗浄装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JP3620223B2 (ja) * 1997-07-07 2005-02-16 富士ゼロックス株式会社 画像記録方法および画像記録装置
AU1175799A (en) 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000162761A (ja) 1998-09-22 2000-06-16 Mitsui Chemicals Inc ペリクル、その製法及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2000323396A (ja) 1999-05-13 2000-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US6967324B2 (en) * 2000-02-17 2005-11-22 Agilent Technologies, Inc. Micro matrix ion generator for analyzers
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US7101465B2 (en) * 2001-06-18 2006-09-05 Ebara Corporation Electrolytic processing device and substrate processing apparatus
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
KR20050044371A (ko) 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 스폿 그리드 어레이 프린터
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US6913871B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-05 Intel Corporation Fabricating sub-resolution structures in planar lightwave devices
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1586386A4 (en) 2002-12-03 2010-04-21 Nikon Corp METHOD AND DEVICE FOR REMOVING CONTAMINATION AND EXPOSURE METHOD AND DEVICE
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
KR100971440B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
DE60307322T2 (de) 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60308161T2 (de) * 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) * 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
JP2005072404A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101238134B1 (ko) 2003-09-26 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4579927B2 (ja) 2003-12-23 2010-11-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 浸漬リソグラフィのための除去可能なペリクル
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1724815B1 (en) 2004-02-10 2012-06-13 Nikon Corporation Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
EP2966670B1 (en) 2004-06-09 2017-02-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
DE102004033208B4 (de) 2004-07-09 2010-04-01 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils mit einem Immersionsobjektiv
US7307263B2 (en) 2004-07-14 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap
US7224427B2 (en) 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
US7385670B2 (en) 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
WO2006041086A1 (ja) 2004-10-13 2006-04-20 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006120674A (ja) 2004-10-19 2006-05-11 Canon Inc 露光装置及び方法、デバイス製造方法
JP2006134999A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Sony Corp 液浸型露光装置、及び、液浸型露光装置における保持台の洗浄方法
US7362412B2 (en) 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
EP1821337B1 (en) 2004-12-06 2016-05-11 Nikon Corporation Maintenance method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7462850B2 (en) 2005-12-08 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus
US7405417B2 (en) 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20070146658A1 (en) 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7628865B2 (en) 2006-04-28 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus
US7969548B2 (en) 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US20090025753A1 (en) 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method

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