JP2008288227A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】酸化シリコンより比誘電率の高い酸化物を含んで構成されるゲート絶縁膜を備えたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板ＳＵＢの主面上に酸化ハフニウムから構成される高誘電体層ＨＫ１を形成した後、基板ＳＵＢの主面を非酸化性雰囲気中で熱処理する。次いで、高誘電体層ＨＫ１上に、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成され、かつ、高誘電体層ＨＫ１より薄い酸素供給層ＨＫ２を形成し、さらに、窒化タンタルから構成されるキャップ層ＣＬを形成した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理する。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりも比誘電率が高い酸化物を含んで構成されたゲート絶縁膜を有するＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）トランジスタを備えた半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。
近年、半導体集積回路を構成するＭＩＳトランジスタの微細化に伴って、酸化シリコンから構成されるゲート絶縁膜の薄膜化が急速に進んでいる。しかし、ゲート絶縁膜の膜厚が２ｎｍ程度まで薄くなると、ダイレクトトンネリングと呼ばれる量子効果によって、シリコン基板中の電子がゲート絶縁膜を通り抜けてゲート電極に逃げるゲート・リーク現象が顕著になってくる。
そこで、ゲート絶縁膜材料を酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりも比誘電率の高い絶縁材料（高誘電体材料）に置き換える検討が進められている。これは、ゲート絶縁膜を高誘電体膜で構成した場合、酸化シリコン膜厚換算容量が同じであっても、実際の物理膜厚を（高誘電体膜の誘電率/酸化シリコン膜の誘電率）倍だけ厚くできるので、結果としてゲート・リーク電流を低減することができるからである。高誘電体材料としては、Ｈｆ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｈｆ−Ａｌ−Ｏ、Ｈｆ−Ａｌ−Ｏ−Ｎなどのハフニウム系酸化物に代表される酸化物が検討されている。
なお、本発明者は、発明した結果に基づき、高誘電体材料から構成されるゲート絶縁膜と金属材料から構成されるゲート電極を形成する第１の観点、および、ゲート絶縁膜を構成する高誘電体材料をキャップする第２の観点、で先行技術調査を行った。その結果、第１の観点では、特開２００６−０８０１３３号公報（特許文献１）が抽出され、第２の観点では、特開２００６−３１０８０１号公報（特許文献２）が抽出された。
特開２００６−０８０１３３号公報（特許文献１）は、全体として、ゲート絶縁膜を高誘電体材料の酸化ハフニウムを用いた上で、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタのゲート電極を、それぞれの仕事関数に合ったゲート電極材料を用いて形成することを主題とするものであり、そのために金属材料を用いることが記載されている。なお、ゲート絶縁膜を構成する高誘電体膜をキャップするという観点についての記載はない。
特開２００６−３１０８０１号公報（特許文献２）は、全体として、高誘電体膜とゲート電極を構成する多結晶シリコン膜との界面で生じるトラッピングの問題を解決することを主題とするものであり、そのためにゲート電極を形成する前に中間層（いわゆる緩衝層）でゲート絶縁膜上をキャップすることが記載されている。
特開２００６−０８０１３３号公報 特開２００６−３１０８０１号公報
高誘電体材料としてのハフニウム系酸化物などの酸化物から構成されるゲート絶縁膜は、原子層制御成膜（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはスパッタリング法を用いて半導体基板上に堆積される。しかし、このようにして堆積された膜は、原料に起因した炭素等の不純物やＨ２Ｏ酸化剤に起因したＯＨ等の不純物が膜中に残存するために比較的密度が低くなり、その結果、誘電率が低くなってしまう。そこで、酸化物から構成されるゲート絶縁膜の製造では、例えば、酸化物膜を成膜した後に非酸化性雰囲気で急速加熱処理をする、または酸化物膜を成膜した後に酸素雰囲気中で低温度の熱処理をする必要がある。
ところが、非酸化性雰囲気で急速加熱処理して形成した酸化物膜は、緻密化が図られている反面、移動度などのトランジスタ特性（トランジスタ特性）の低下の原因となる欠陥サイトの一つとなりうる酸素欠損を有するという問題がある。一方、酸素雰囲気で熱処理をして形成した酸化物膜は、熱処理における酸素欠損を抑制できる反面、酸素が酸化物中を拡散してシリコン基板にまで到達して界面酸化シリコン層を形成し、その結果、酸化シリコン膜厚換算容量が増大してしまうという問題がある。
このように、半導体基板上に堆積された酸化物を含んで構成されるゲート絶縁膜は、高誘電率化と酸素欠損の低減化とを両立させることが困難であることが本発明者の検討によって明らかとなった。
本発明の目的は、酸化シリコンより比誘電率の高い酸化物を含んで構成されるゲート絶縁膜を備えたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上することのできる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、酸化物膜の高誘電率化と、酸化物膜中の酸素欠損の低減化と、界面酸化シリコン成長の抑制化を達成させる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明の一実施の形態は、まず、（ａ）半導体基板の主面上に、酸化シリコンより高い比誘電率の酸化物から構成される高誘電体層を形成する。次いで、（ｂ）前記半導体基板の主面を非酸化性雰囲気中で熱処理する。次いで、（ｃ）前記高誘電体層上に、前記工程（ｂ）直後の前記高誘電体層中に占める酸素の割合より高い酸化物から構成される酸素供給層を形成する。次いで、（ｄ）前記酸素供給層上に、酸素が拡散するのを抑制する金属から構成されるキャップ層を形成する。次いで、（ｅ）前記半導体基板の主面を熱処理する。
この手段によれば、工程（ｂ）の熱処理によって、前記高誘電体層を緻密化するので、比誘電率の高い前記高誘電体層が得られる。また、工程（ｅ）の熱処理によって、前記酸素供給層中の酸素を前記高誘電体層に供給するので、酸素欠損が低減した前記高誘電体層が得られる。すなわち、酸化物膜の高誘電率化と、酸化物膜中の酸素欠損の低減化と、界面酸化シリコン成長の抑制化を達成した酸化物が得られる。
なお、特開２００６−０８０１３３号公報（特許文献１）および特開２００６−３１０８０１号公報（特許文献２）には、前記高誘電体層に酸素を供給するための前記酸素供給層を形成する記載はない。また、前記キャップ層は、特開２００６−３１０８０１号公報（特許文献２）のように、ゲート絶縁膜とゲート電極との界面で生じるトラッピングを防止するための中間層（いわゆる緩衝層）として用いるものではなく、前記酸素供給層中の酸素が、高誘電体層側とは反対の雰囲気中に拡散するのを防止するためのものである。前記キャップ層によって雰囲気中に酸素が拡散しないため、前記酸素供給層中の酸素が前記高誘電体層に供給されるのである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
この一実施の形態によれば、酸化シリコンより比誘電率の高い酸化物を含んで構成されるゲート絶縁膜を備えたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明をｎチャネル型ＭＩＳトランジスタの製造方法に適用し、図１〜図９を参照して説明する。図１〜図９は製造工程中の半導体装置を模式的に示す断面図であり、このうち図２〜図６は要部を拡大して示している。なお、ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタはｎチャネル型ＭＩＳトランジスタの極性を反対にしたものであり、本発明はｐチャネル型ＭＩＳトランジスタの製造方法にも適用することができる。
まず、図１に示すように、例えばｐ型の単結晶シリコンから構成される半導体基板（以下、「基板」という）ＳＵＢの主面（素子形成面）に周知のＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）技術を用いて素子分離溝ＩＤを形成する。次いで、基板ＳＵＢのｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ形成領域にホウ素をイオン注入した後、ＭＩＳトランジスタのしきい値電圧を調整するための不純物をイオン注入する。次いで、基板ＳＵＢの主面を熱処理し、上記不純物を基板ＳＵＢ中に拡散させることによって、基板ＳＵＢの主面にｐ型ウエルＰＷを形成する。次いで、フッ酸などのウェットエッチング液を用い、基板ＳＵＢ（ｐ型ウエルＰＷ）の表面の自然酸化膜を除去することによって、基板ＳＵＢの表面（シリコン面）を露出させる。
続いて、図２に示すように、基板ＳＵＢの主面（ｐ型ウエルＰＷの表面）上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）から構成される界面層ＩＬを形成した後、界面層ＩＬ上に酸化シリコンより高い比誘電率の酸化物から構成される高誘電体層ＨＫ１を形成する。この高誘電体層ＨＫ１は、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜を構成するものであり、例えば酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）から構成される。界面層ＩＬは、基板ＳＵＢ（単結晶シリコン）上に直接高誘電体層ＨＫ１（酸化ハフニウム）を形成した時に発生する欠陥を低減するために、本実施の形態１では設けられている。また、この界面層ＩＬはゲート絶縁膜に含まれてしまうため、高い比誘電率のゲート絶縁膜を得るためには、その膜厚はできるだけ薄い方が良い。
本実施の形態１では、界面層ＩＬを構成する酸化シリコン（ＳｉＯ２）は、例えば、希釈フッ酸溶液で自然酸化膜を除去した後に、基板ＳＵＢの主面を９５０℃以上の高温度熱処理酸化することによって形成され、その膜厚は例えば０．３ｎｍである。
また、高誘電体層ＨＫ１を構成する酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）は、例えば、Ｈ２Ｏ（水）のＯ（酸素）原料とＴＤＭＡＨ（Tetrakis-Dimethylamido-Hafnium：Ｈｆ（ＮＭｅ２）４）のＨｆ（ハフニウム）原料を用いた原子層制御成膜（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法によって堆積され、その膜厚は例えば２．４ｎｍである。
ここで、高誘電体層ＨＫ１は、酸化ハフニウム（Ｈｆ−Ｏ）の他に、例えば、Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｈｆ−Ａｌ−Ｏ、Ｈｆ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ｈｆ-Ｔａ-Ｏ、Ｈｆ−Ｔｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ｌａ−Ｏ、Ｈｆ−Ｙ−Ｏ、Ｈｆ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ｌａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ｙ−Ｓｉ−Ｏなどの酸化物も適用することができる。このような酸素（Ｏ）とハフニウム（Ｈｆ）を含み、酸化シリコン（ＳｉＯ２）より高い比誘電率のものを本願においては「ハフニウム系酸化物」と称している。
ハフニウム系酸化物を形成するにあたりＡＬＤ法を用いた場合、Ｈ２ＯガスのＯ原料とＴＤＭＡＨ（Ｈｆ（ＮＭｅ２）４）のＨｆ原料の他に、それぞれの原料が用いられる。Ｓｉ（シリコン）原料としては、例えばＴＤＭＡＳ（Trisdimethlaminosilane：ＨＳｉ（ＮＭｅ２）３）である。Ａｌ（アルミニウム）原料としては、例えばＴＭＡ（Trimethylaluminum：ＡｌＭｅ３）である。Ｔａ(タンタル)原料としては、例えばＴＡＩＤＥＡＴ（tertiaryamylimidotris（dimethlamido）tantalum：ＥｔＭｅ２ＣＮＴａ（ＮＭｅ２）３）である。Ｔｉ（チタン）原料としては、例えばＴＤＭＡＴ（Tetrakisdimethylaminotitanium：Ｔｉ（ＮＭｅ２）３）、である。Ｙ（イットリウム）原料としては、例えばTrisethylcyclopentadienylyttrium：Ｙ（ＥｔＣｐ）３である。Ｌａ（ランタン）原料としては、例えばTrisethylcyclopentadienyllanthanum：Ｌａ（ＥｔＣｐ）３である。また、Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ及びＨｆ−Ａｌ−Ｏ−Ｎの窒化は、Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ａｌ−Ｏ膜をＡＬＤ法で堆積した後に、プラズマ窒素による窒化及びアンモンアガスを用いた熱処理による窒化によって作製される。
また、本実施の形態１では、高誘電体層ＨＫ１の形成にあたりＡＬＤ法を適用しているが、これに限らず、スパッタリング法、ＣＶＤ法によって形成されても良い。なお、後の工程でも、ハフニウム系酸化物を堆積して酸素供給層を構成するが、このハフニウム系酸化物は、スパッタリング法、ＣＶＤ法を適用せず、ＡＬＤ法を適用している。
続いて、図３に示すように、酸素濃度がｐｐｍ（parts per million）以下の非酸化性雰囲気（例えば窒素、水素、アルゴンなど）中において６００℃〜１０００℃の範囲で基板ＳＵＢの主面を熱処理する。この工程では高誘電体層ＨＫ１を緻密化する。なお、本願においては、高誘電体層ＨＫ１を緻密化する熱処理を「緻密化アニール」という。
堆積されたままの高誘電体層ＨＫ１は、原料に起因した炭素等の不純物やＨ２Ｏ酸化剤に起因したＯＨ等の不純物が膜中に残存するために比較的密度が低くなり、その結果、誘電率が低い。そこで、成膜後に緻密化アニールを行うことによって、高誘電体層ＨＫ１の緻密化および高誘電率化を図ることができる。
また、非酸化性雰囲気中で緻密化アニールを行うことによって、基板ＳＵＢ（単結晶シリコン）界面におけるＳｉ−Ｏ結合の形成を防止することができる。酸素（Ｏ）を含む雰囲気中で緻密化アニールを行った場合は、外部から酸素が酸化ハフニウムから構成される高誘電体層ＨＫ１中を拡散して酸素が単結晶シリコンから構成される基板ＳＵＢまで到達して、単結晶シリコンから構成される基板ＳＵＢとの界面でＳｉ−Ｏ結合を形成する。その結果、ゲート絶縁膜の一部が酸化シリコン膜になる、すなわち酸化シリコンから構成される界面層ＩＬが厚くなり、ゲート絶縁膜の誘電率が低下してしまう。そこで、非酸化性雰囲気中で緻密化アニールを行うことによって、界面におけるＳｉ−Ｏ結合の形成を防止することができるのである。
さらに、緻密化アニール工程を行うにあたり、非酸化性雰囲気中で、かつ急加熱・急冷（例えば、１０００℃／ｓｅｃ）の急速加熱処理（ＰＤＡ：Post Deposition Annealing）で行う場合、酸化シリコンから構成される界面層ＩＬの膜厚をより厚くすることなく、高誘電体層ＨＫ１を緻密化することができる。
しかしながら、この緻密化アニールを行うことによって、緻密化を保持したまま酸素（Ｏ）が欠損してしまう。図３では、欠損した酸素が雰囲気中に放出されて、高誘電体層ＨＫ１中に酸素欠損部ＤＰが発生する様子が示されている。なお、後述の工程（酸素供給アニール工程）で、この酸素欠損部ＤＰを低減する処理が行われる。
続いて、図４に示すように、緻密化アニール直後の高誘電体層ＨＫ１中に占める酸素の割合より高い酸化物から構成される酸素供給層ＨＫ２を形成する。本実施の形態１では、緻密化アニール直後の酸素欠損している高誘電体層ＨＫ１中に占める酸素の割合より高い酸素供給層ＨＫ２として、例えばＨ２ＯのＯ（酸素）原料とＴＤＭＡＨ（Ｈｆ（ＮＭｅ２）４）のＨｆ（ハフニウム）原料を用いたＡＬＤ法によって堆積されたハフニウム系酸化物膜を適用することができる。ＡＬＤ法はチャンバー内に設置した基板ＳＵＢ上に、原料化合物の分子をモノレイヤごとに表面へ吸着、反応による成膜、パージによる余剰分子の取り除き、Ｈ２Ｏ酸化材との反応による成膜、パージによる余剰分子の取り除き、のサイクルを繰返し行うことによって、原子層を一層ずつ堆積する方法である。このためサイクル数によってハフニウム系酸化物膜から構成される酸素供給層ＨＫ２の膜厚を制御することができる。
ＡＬＤ法によって堆積されたハフニウム系酸化物膜中には、定量的に残留ＯＨ基が含まれる。このため緻密化アニール直後の酸素欠損しているハフニウム系酸化物膜（高誘電体層ＨＫ１）中に占める酸素の割合よりハフニウム系酸化物膜（酸素供給層ＨＫ２）中に占める酸素の割合が高いこととなる。残留した酸素が後述の工程で、高誘電体層ＨＫ１で欠損している酸素を補う（供給する）役割をし、すなわち酸素供給層ＨＫ２は酸素供給源として働き、その膜厚で絶対供給量を調整することができる。このため原子レベルで膜厚を制御することができるＡＬＤ法は、酸素供給層ＨＫ２の形成には有効となる。
例えば、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウム膜中には、原料としてＨ２Ｏを用いるため、約０．５％の残留ＯＨ基が含まれる。図１０にＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウム膜の厚さに対する残留ＯＨ基の含有量を示す。図１０に示すように、サイクル数が増加するに従い、すなわち膜厚が厚くなるに従い、酸化ハフニウム膜中に含まれるＯＨ基が増加することがわかる。したがって、緻密化アニールによって酸素欠損が生じた高誘電体層ＨＫ１に対して充分に酸素を供給できるように、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成される酸素供給層ＨＫ２の膜厚で、絶対供給量を調整する。本実施の形態１では、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウム膜から構成される酸素供給層ＨＫ２の膜厚を例えば４Åと調整している。
ところで、ハフニウム系酸化物を形成する方法にはＡＬＤ法の他に、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法などがある。しかしながら、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法では、堆積された膜中の酸素が過剰とはならず、緻密化アニール直後の酸素欠損している高誘電体層ＨＫ１中に占める酸素の割合より高い酸素供給層ＨＫ２を形成することができない。このため、Ｈ２Ｏを原料としたＡＬＤ法を用いている。
続いて、図５に示すように、酸素供給層ＨＫ２上に、酸素が拡散するのを防止する金属から構成されるキャップ層ＣＬを形成する。言い換えると、酸素供給層ＨＫ２をキャップ層ＣＬによってキャップする。キャップ層ＣＬは、後の工程（酸素供給アニール工程）で基板ＳＵＢの主面を熱処理した場合において、熱処理時の雰囲気中に酸素が放出しないようにする（バリヤする）ために設けられる金属膜（バリアメタル膜）から構成されるものである。本実施の形態１では、キャップ層ＣＬは、例えばスパッタリング法を用いて形成された窒化タンタル（ＴａＮ）から構成され、その膜厚は例えば２０ｎｍである。
続いて、図６に示すように、例えば窒素（Ｎ２）雰囲気中で９５０℃〜１１５０℃の範囲で基板ＳＵＢの主面を熱処理する。この工程では、酸素供給層ＨＫ２中で残存している酸素を、高誘電体層ＨＫ１に供給し、高誘電体層ＨＫ１の酸素欠損を補う。すなわち、図３で説明した緻密化アニールを行うことによって生じた酸素欠損部ＤＰを低減する。なお、本願においては、高誘電体層ＨＫ１に酸素を供給する熱処理を「酸素供給アニール」という。
このようにして酸素が補われた高誘電体層ＨＫ１は、界面層ＩＬ、酸素供給層ＨＫ２も含み、ゲート絶縁膜ＧＩを構成する。本実施の形態１では、酸素供給層ＨＫ２として、ハフニウム系酸化物を用いているが、緻密化アニール直後の高誘電体層ＨＫ１中に占める酸素の割合より高い酸化物であれば良い。しかしながら、高誘電率のゲート絶縁膜ＧＩを得るためには、ハフニウム系酸化物のように、酸素供給層ＨＫ２も酸化シリコンより高い比誘電率の酸化物が望ましい。
緻密化アニールによって高誘電体層ＨＫ１は緻密化を図れる反面、酸素が欠損してしまい、酸素が低密度な膜となる。ゲート絶縁膜ＧＩにこのような酸素が低密度な膜を適用した場合、高密度な膜の場合と比較して高いゲート・リーク電流が流れてしまう。そこで、酸素供給アニールを行うことによって、高誘電体層ＨＫ１の酸素欠損を補い、高密度な膜を形成することができ、ゲート・リーク電流が流れるのを抑制することができる。また、酸素供給アニールにおいて、酸素供給層ＨＫ２の膜厚、すなわち酸素供給量は調整されるため、例えば基板ＳＵＢ（単結晶シリコン）界面にまで酸素が到達せず、界面層ＩＬの厚さを厚くしないこともできる。
これまでの緻密化アニールおよび酸素供給アニールを含む工程によって、ゲート絶縁膜ＧＩを構成する高誘電体層ＨＫ１の高誘電率化と、酸素欠損の低減化とを両立することができる。
続いて、図７に示すように、キャップ層ＣＬを構成するバリアメタル膜をパターニングすることによって、バリアメタル膜から構成されるゲート電極ＧＥを形成し、また、ゲート電極ＧＥ下以外のゲート絶縁膜ＧＩを除去する。なお、本実施の形態１では、酸素供給アニール後に、ゲート電極ＧＥ形成のパターニングを行ったが、その順番が逆になっても良い。
本実施の形態１では、キャップ層ＣＬを構成するバリアメタル膜をパターニングしてゲート電極ＧＥを形成する。このため、キャップ層ＣＬには、酸素が拡散するのを抑制させる役割をし、ゲート電極ＧＥの仕事関数に適したバリアメタルであれば良い。ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタのキャップ層ＣＬとしては窒化タンタルの他に、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などを適用することができる。また、ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタのキャップ層ＣＬとしては、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）などを適用することができる。
また、本実施の形態１では、キャップ層ＣＬおよびゲート電極ＧＥとも窒化タンタルから構成したが、キャップ層ＣＬに窒化タンタルを用いて酸素供給アニールをした後、その窒化タンタルを除去した後、最適な仕事関数の金属材料からゲート電極ＧＥを形成しても良い。
続いて、図８に示すように、ｐ型ウエルＰＷにリンまたはヒ素をイオン注入してｎ−型半導体領域ＳＡ１を形成する。ｎ−型半導体領域ＳＡ１は、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタをＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造にするために形成する。
続いて、図９に示すように、ゲート電極ＧＥの側壁にサイドウォールスペーサＳＳを形成する。サイドウォールスペーサＳＳは、基板ＳＵＢ上にＣＶＤ法で酸化シリコン膜を堆積した後、この酸化シリコン膜を異方性エッチングすることによって形成される。次いで、ｐ型ウエルＰＷにリンまたはヒ素をイオン注入した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理してこれらの不純物を拡散させることにより、ｐ型ウエルＰＷにｎ＋型半導体領域（ソース・ドレイン）ＳＡ２を形成する。その後、配線工程を経て、最終に水素雰囲気下で４００℃の熱処理（ＦＧＡ：Forming Gas Annealing）を行い、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置が完成する。
図１１は、本実施の形態１におけるｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（図１１の説明にあたりＱｎとする）と、本発明者が検討したｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑ’ｎとする）のトランジスタ特性を比較した表である。なお、Ｑ’ｎは、Ｑｎの製造工程のうち酸素供給層ＨＫ２（ＡＬＤ法によって堆積された膜厚４Åの酸化ハフニウム膜）を形成する工程を省略した以外は、同様の工程で製造されたものである。
図１１に示すように、ＱｎおよびＱ’ｎのゲート絶縁膜ＧＩの酸化シリコン換算膜厚（ＥＯＴ）は、それぞれ１．１ｎｍおよび１．０ｎｍと同程度である。したがって、ＱｎおよびＱ’ｎのトランジスタ特性を比較することができる。トランジスタ特性として、ゲート・リーク電流（Ｊｇ）および電子移動度（μ）の比較した場合、Ｑ’ｎに対してＱｎではゲート・リーク電流が３桁程度低く、電子移動度が２倍程度高い。
このように実施の形態１によるＭＩＳトランジスタは、緻密化アニールおよび酸素供給アニールを含む工程によって、ゲート絶縁膜ＧＩを構成する高誘電体層ＨＫ１の高誘電率化と酸素欠損の低減化とを両立することができる。また、酸素欠損を抑制したゲート絶縁膜ＧＩを有するＭＩＳトランジスタを形成することによって、トランジスタ特性を向上することができる。さらに、酸素供給アニール時において、界面層ＩＬの成長を抑制することができるために、ＥＯＴが１ｎｍ以下のゲート絶縁膜ＧＩを有するＭＩＳトランジスタを形成することもできる。
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、酸素供給層を形成する工程では、ＡＬＤ法によって堆積したハフニウム系酸化物を適用して形成する場合について説明したが、本実施の形態２では、ＡＬＤ法によって堆積した酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、または、ＡＬＤ法によって堆積した酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を適用して形成する場合について説明する。なお、その他の工程は前記実施の形態１と同様である。
前記実施の形態１で説明したように、酸素供給層ＨＫ２は、高誘電体層ＨＫ１で欠損している酸素分を補うために、酸素供給アニール時に酸素を高誘電体層ＨＫ１へ供給するものである。このため酸素供給層ＨＫ２には、酸素供給層ＨＫ２中に占める酸素の割合が緻密化アニール直後の酸素欠損している高誘電体層ＨＫ１中に占める酸素濃度より高いものを適用すれば良い。そこで、Ｈ２Ｏを原料として用いるＡＬＤ法によって酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を堆積することによって、酸素供給層ＨＫ２を構成する。
本実施の形態２では、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を、例えば、Ｈ２ＯのＯ（酸素）原料とＡｌ（アルミニウム）原料のＴＭＡ（Trimethylaluminum：ＡｌＭｅ３）を用いたＡＬＤ法によって堆積する。または、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を、例えば、Ｈ２ＯのＯ（酸素）原料とＴａ(タンタル)原料のＴＡＩＤＥＡＴ（Tertiaryamylimidotris(dimethlamido)tantalum：ＥｔＭｅ２ＣＮＴａ（ＮＭｅ２）３）を用いたＡＬＤ法によって堆積する。
図１２は、ＡＬＤ法によって堆積された酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）および酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）に含まれるＯＨ基の含有量を示すグラフである。また、前記実施の形態１において酸素供給層ＨＫ２として用いた酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）に含まれるＯＨ基の含有量も合わせて示す。
図１２に示すように、ＨｆＯ２には約０．５％、Ａｌ２Ｏ３には約０．３％、Ｔａ２Ｏ５には約１％のＯＨ基が含まれることがわかる。これが酸素供給源として働き、緻密化アニール直後の高誘電体層ＨＫ１のある酸素欠損量に対して、膜厚で絶対供給量を調整することができる。なお、ある酸素欠損量の高誘電体層ＨＫ１に対して酸素を供給する場合、約０．５％のＯＨ基が含まれるＨｆＯ２に対して約１％のＯＨ基が含まれるＴａ２Ｏ５は、膜厚がＨｆＯ２の半分程度で良い。
緻密化アニールによって高誘電体層ＨＫ１は緻密化を図れる反面、酸素が欠損してしまい、酸素が低密度な膜となる。酸素供給アニールを行うことによって、高誘電体層ＨＫ１の酸素欠損を補い、高密度な膜を形成することができ、ゲート・リーク電流が流れるのを抑制することができる。すなわち、酸素欠損を抑制したゲート絶縁膜ＧＩを形成することによって、トランジスタ特性を向上することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施の形態では、高誘電体層としてハフニウム系酸化物（Ｈｆ−Ｏ）を例示したが、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）から構成される高誘電体層とした場合にも適用することができる。酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ランタン、および酸化ジルコニウムは、前記実施の形態で示したハフニウム系酸化物と同様に、熱処理によって酸素欠損が発生してしまう。しかしながら、酸素供給層中の酸素が、高誘電体層を構成する酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ランタン、および酸化ジルコニウムに供給されることによって、高誘電体層の高誘電率化と、高誘電体層中の酸素欠損の低減化とを両立することができる。
本発明は、半導体装置の製造業に幅広く利用されるものであり、特に、３２ｎｍテクノロジ以降のトランジスタ特性に優れた半導体装置の製造に利用されるものである。
本発明の実施の形態１における半導体装置の製造工程中の断面図である。 図１に続く半導体装置の製造工程中における拡大断面図である。 図２に続く半導体装置の製造工程中における拡大断面図である。 図３に続く半導体装置の製造工程中における拡大断面図である。 図４に続く半導体装置の製造工程中における拡大断面図である。 図５に続く半導体装置の製造工程中における拡大断面図である。 図６に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。 図７に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。 図８に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。 ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウム膜の厚さに対する残留ＯＨ基の含有量を示すグラフである。 本実施の形態１におけるｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）と、本発明者が検討したｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑ’ｎ）のトランジスタ特性を比較した表である。 本発明の実施の形態２におけるＡＬＤ法によって堆積された種々の酸化物に含まれるＯＨ基の含有量を示すグラフである。
符号の説明
ＣＬ キャップ層
ＤＰ 酸素欠損部
ＧＥ ゲート電極
ＧＩ ゲート絶縁膜
ＨＫ１ 高誘電体層
ＨＫ２ 酸素供給層
ＩＤ 素子分離溝
ＩＬ 界面層
ＰＷ ｐ型ウエル
ＳＡ１ ｎ−型半導体領域
ＳＡ２ ｎ＋型半導体領域（ソース・ドレイン）
ＳＳ サイドウォールスペーサ
ＳＵＢ 基板

Claims (7)

  1. 半導体基板上にＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記ＭＩＳトランジスタのゲート電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
    前記半導体基板上に前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、
    （ａ）前記半導体基板の主面上に、酸化シリコンより高い比誘電率の酸化物から構成される第１層を形成する工程と、
    （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記半導体基板の主面を非酸化性雰囲気中で熱処理する工程と、
    （ｃ）前記第１層上に、前記工程（ｂ）直後の第１層中に占める酸素の割合より高い酸化物から構成される第２層を形成する工程と、
    （ｄ）前記第２層上に、酸素が拡散するのを抑制する金属から構成されるキャップ層を形成する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記半導体基板の主面を熱処理する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記工程（ｃ）では、前記第２層を構成する酸化ハフニウム膜を、酸素原料として水を用いたＡＬＤ法によって、前記第１層上に形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記工程（ｃ）では、前記第２層を構成する酸化アルミニウム膜を、酸素原料として水を用いたＡＬＤ法によって、前記第１層上に形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記工程（ｃ）では、前記第２層を構成する酸化タンタル膜を、酸素原料として水を用いたＡＬＤ法によって、前記第１層上に形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  5. （ｆ）前記キャップ層をパターニングすることによって、前記キャップ層から構成される前記ゲート電極を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記工程（ｂ）では、前記第１層を緻密化することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記工程（ｅ）では、前記第２層から前記第１層へ酸素を供給することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049181A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
JP2022080883A (ja) * 2020-11-18 2022-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 材料構造を改良するための処理
WO2024096231A1 (ko) * 2022-11-03 2024-05-10 (주)이큐테크플러스 고밀도 라디컬을 이용하여 개선된 계면 및 박막을 형성하는 방법

Families Citing this family (379)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US8076237B2 (en) * 2008-05-09 2011-12-13 Asm America, Inc. Method and apparatus for 3D interconnect
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8313994B2 (en) * 2009-03-26 2012-11-20 Tokyo Electron Limited Method for forming a high-K gate stack with reduced effective oxide thickness
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8071452B2 (en) * 2009-04-27 2011-12-06 Asm America, Inc. Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides
JP2010278319A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
JP5241967B2 (ja) * 2010-12-08 2013-07-17 シャープ株式会社 半導体装置および表示装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US8633118B2 (en) * 2012-02-01 2014-01-21 Tokyo Electron Limited Method of forming thin metal and semi-metal layers by thermal remote oxygen scavenging
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8865538B2 (en) 2012-03-30 2014-10-21 Tokyo Electron Limited Method of integrating buried threshold voltage adjustment layers for CMOS processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8921176B2 (en) * 2012-06-11 2014-12-30 Freescale Semiconductor, Inc. Modified high-K gate dielectric stack
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
EP2695966B1 (en) 2012-08-06 2018-10-03 IMEC vzw ALD method
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
KR20140032716A (ko) 2012-09-07 2014-03-17 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8865581B2 (en) 2012-10-19 2014-10-21 Tokyo Electron Limited Hybrid gate last integration scheme for multi-layer high-k gate stacks
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
KR102202603B1 (ko) * 2014-09-19 2021-01-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US11245022B2 (en) 2019-05-24 2022-02-08 Applied Materials, Inc. Integrated dipole flow for transistor
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12112951B2 (en) 2022-02-17 2024-10-08 Applied Materials, Inc. Integrated dipole region for transistor

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466376A (ja) * 1990-07-05 1992-03-02 Nissan Motor Co Ltd 自動車のフード構造
JPH0574037A (ja) * 1991-09-10 1993-03-26 Sony Corp デイスク再生装置
JP2001185548A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2001284345A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Fujitsu Ltd ５酸化タンタル膜の製造方法
JP2002043565A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2003110100A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004088078A (ja) * 2002-07-02 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005064052A (ja) * 2003-08-15 2005-03-10 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体装置の製造方法
WO2005117086A1 (en) * 2004-05-21 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
JP2006086511A (ja) * 2004-08-17 2006-03-30 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2006278488A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3732098B2 (ja) * 2001-02-19 2006-01-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2003273350A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
US6717226B2 (en) * 2002-03-15 2004-04-06 Motorola, Inc. Transistor with layered high-K gate dielectric and method therefor
US20070023842A1 (en) * 2003-11-12 2007-02-01 Hyung-Suk Jung Semiconductor devices having different gate dielectric layers and methods of manufacturing the same
KR100568448B1 (ko) * 2004-04-19 2006-04-07 삼성전자주식회사 감소된 불순물을 갖는 고유전막의 제조방법
US7074680B2 (en) * 2004-09-07 2006-07-11 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
JP4163164B2 (ja) 2004-09-07 2008-10-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
KR100889362B1 (ko) * 2004-10-19 2009-03-18 삼성전자주식회사 다층 유전체막으로 이루어진 트랜지스터 및 그 제조 방법
US20060211259A1 (en) * 2005-03-21 2006-09-21 Maes Jan W Silicon oxide cap over high dielectric constant films
US7544596B2 (en) * 2005-08-30 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of GdScO3 films as gate dielectrics
KR100877100B1 (ko) * 2007-04-16 2009-01-09 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 소자 제조 방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466376A (ja) * 1990-07-05 1992-03-02 Nissan Motor Co Ltd 自動車のフード構造
JPH0574037A (ja) * 1991-09-10 1993-03-26 Sony Corp デイスク再生装置
JP2001185548A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2001284345A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Fujitsu Ltd ５酸化タンタル膜の製造方法
JP2002043565A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2003110100A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004088078A (ja) * 2002-07-02 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005064052A (ja) * 2003-08-15 2005-03-10 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体装置の製造方法
WO2005117086A1 (en) * 2004-05-21 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
JP2006086511A (ja) * 2004-08-17 2006-03-30 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2006278488A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049181A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
JP2022080883A (ja) * 2020-11-18 2022-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 材料構造を改良するための処理
JP7210682B2 (ja) 2020-11-18 2023-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 材料構造を改良するための処理
WO2024096231A1 (ko) * 2022-11-03 2024-05-10 (주)이큐테크플러스 고밀도 라디컬을 이용하여 개선된 계면 및 박막을 형성하는 방법

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