JP2012049181A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板のp型領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に、化学量論組成よりも酸素量の少ない酸化アルミニウム膜を形成する工程と、酸化アルミニウム膜上に、タンタルと窒素とを含むタンタル窒素含有膜を形成する工程と、タンタル窒素含有膜上に、導電膜を形成する工程と、導電膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして、p型領域にn型不純物を注入する工程と、タンタル窒素含有膜の形成後に、熱処理を行う工程とを有する。
【選択図】図1−4
Description
(付記1)
半導体基板のp型領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、化学量論組成よりも酸素量の少ない第1酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記第1酸化アルミニウム膜上に、タンタルと窒素とを含むタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記タンタル窒素含有膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクとして、前記p型領域にn型不純物を注入する工程と、
前記タンタル窒素含有膜の形成後に、熱処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
(付記2)
半導体基板のp型領域上及びn型領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記p型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、化学量論組成よりも酸素量の少ない第1酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜の酸素量よりも多い酸素量を有する第2酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記第1酸化アルミニウム膜上及び前記第2酸化アルミニウム膜上に、タンタルと窒素とを含むタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記タンタル窒素含有膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングして、前記p型領域上に第1ゲート電極を形成し、前記n型領域上に第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極をマスクとして、前記p型領域にn型不純物を注入する工程と、
前記第2ゲート電極をマスクとして、前記n型領域にp型不純物を注入する工程と、
前記タンタル窒素含有膜の形成後に、熱処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上及び前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜を形成し、
前記p型領域上を覆い前記n型領域上を露出するマスクを用い、前記n型領域上の前記第1酸化アルミニウム膜をエッチングする工程、を含み、
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記n型領域上の前記第1酸化アルミニウム膜をエッチングする工程で露出した、前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第2酸化アルミニウム膜を形成する付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記第2酸化アルミニウム膜の形成後に、前記マスクが前記第1酸化アルミニウム膜を覆った状態のまま、ミキシングアニールを行う工程をさらに有する付記3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記n型領域上及び前記p型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第2酸化アルミニウム膜を形成し、
前記n型領域上を覆い前記p型領域上を露出するマスクを用い、前記p型領域上の前記第2アルミニウム膜をエッチングする工程、を含み、
前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上の前記第2酸化アルミニウム膜をエッチングする工程で露出した、前記p型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜を形成する付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上及び前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜を形成し、
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上を覆い前記n型領域上を露出するマスクを用い、前記n型領域上の前記第1酸化アルミニウム膜を酸化して、前記第2酸化アルミニウム膜を形成する付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
半導体基板のp型領域上及びn型領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記p型領域上及び前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、化学量論組成よりも酸素量の少ない第1酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記第1酸化アルミニウム膜上に、タンタルと窒素とを含むタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記p型領域上を覆い前記n型領域上を露出するマスクを用い、前記n型領域上の前記タンタル窒素含有膜及び前記第1酸化アルミニウム膜を酸化して、前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜の酸素量よりも多い酸素量を有する第2酸化アルミニウム膜を形成するとともに、前記第2酸化アルミニウム膜上に、酸化されたタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記タンタル窒素含有膜上及び前記酸化されたタンタル窒素含有膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングして、前記p型領域上に第1ゲート電極を形成し、前記n型領域上に第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極をマスクとして、前記p型領域にn型不純物を注入する工程と、
前記第2ゲート電極をマスクとして、前記n型領域にp型不純物を注入する工程と、
前記タンタル窒素含有膜及び前記酸化されたタンタル窒素含有膜の形成後に、熱処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記熱処理が、ミキシングアニールを兼ねる付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、Al:Oが1:0.7〜1.2の範囲の前記第1酸化アルミニウム膜を形成する付記1〜8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、Al:Oが1:1.4〜1.6の範囲の前記第2酸化アルミニウム膜を形成する付記2〜8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)
前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、原子層堆積で前記第1酸化アルミニウム膜を形成する付記1〜10のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記12)
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、原子層堆積で前記第2酸化アルミニウム含有膜を形成する付記2〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記13)
前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、厚さ0.3nm〜1.0nmの範囲の前記第1酸化アルミニウム膜を形成する付記1〜12のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記14)
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、厚さ0.3nm〜1.0nmの範囲の前記第2酸化アルミニウム膜を形成する付記2〜8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記15)
前記タンタル窒素含有膜を形成する工程は、前記タンタル窒素含有膜としてTaN膜を形成する付記1〜14のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記16)
前記タンタル窒素含有膜を形成する工程は、厚さ0.1nm〜1.0nmの範囲の前記タンタル窒素含有膜を形成する付記1〜15のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記17)
前記熱処理を行う工程は、850℃〜1100℃の範囲で前記熱処理を行う付記1〜16のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)
前記熱処理を行う工程は、前記n型不純物を注入する工程の後に行なわれて、不純物活性化アニールを兼ねる付記1〜17のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記19)
前記第2酸化アルミニウム膜の形成後、前記熱処理を行う工程の前に、ミキシングアニールを行なう工程をさらに有する付記2〜7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記20)
前記ゲート絶縁膜は、比誘電率がSiO2に比べて高い値を示し、Hf、または、Zr、または、Taと、酸素とを含む誘電体材料の絶縁膜を含む付記1〜19のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
2、52 素子分離絶縁膜
3、53 下地絶縁膜
4、54 高誘電率絶縁膜
5、55a 低酸素組成の酸化アルミニウムキャップ膜
55b 化学量論組成の酸化アルミニウムキャップ膜
6、56 窒化タンタルキャップ膜
56b 酸化窒化タンタルキャップ膜
7、57 第1ゲート導電膜
8、58 第2ゲート導電膜
9、59 ハードマスク膜
10、60n、60p 低濃度領域
11、61 サイドウォールスペーサ
12、62n、62p 高濃度ソース/ドレイン領域
13、63 シリサイド膜
71、72 ハードマスク膜
73 レジストマスク
Claims (12)
- 半導体基板のp型領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、化学量論組成よりも酸素量の少ない第1酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記第1酸化アルミニウム膜上に、タンタルと窒素とを含むタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記タンタル窒素含有膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクとして、前記p型領域にn型不純物を注入する工程と、
前記タンタル窒素含有膜の形成後に、熱処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 半導体基板のp型領域上及びn型領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記p型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、化学量論組成よりも酸素量の少ない第1酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜の酸素量よりも多い酸素量を有する第2酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記第1酸化アルミニウム膜上及び前記第2酸化アルミニウム膜上に、タンタルと窒素とを含むタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記タンタル窒素含有膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングして、前記p型領域上に第1ゲート電極を形成し、前記n型領域上に第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極をマスクとして、前記p型領域にn型不純物を注入する工程と、
前記第2ゲート電極をマスクとして、前記n型領域にp型不純物を注入する工程と、
前記タンタル窒素含有膜の形成後に、熱処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上及び前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜を形成し、
前記p型領域上を覆い前記n型領域上を露出するマスクを用い、前記n型領域上の前記第1酸化アルミニウム膜をエッチングする工程、を含み、
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記n型領域上の前記第1酸化アルミニウム膜をエッチングする工程で露出した、前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第2酸化アルミニウム膜を形成する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2酸化アルミニウム膜の形成後に、前記マスクが前記第1酸化アルミニウム膜を覆った状態のまま、ミキシングアニールを行う工程をさらに有する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記n型領域上及び前記p型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第2酸化アルミニウム膜を形成し、
前記n型領域上を覆い前記p型領域上を露出するマスクを用い、前記p型領域上の前記第2アルミニウム膜をエッチングする工程、を含み、
前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上の前記第2酸化アルミニウム膜をエッチングする工程で露出した、前記p型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜を形成する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上及び前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜を形成し、
前記第2酸化アルミニウム膜を形成する工程は、前記p型領域上を覆い前記n型領域上を露出するマスクを用い、前記n型領域上の前記第1酸化アルミニウム膜を酸化して、前記第2酸化アルミニウム膜を形成する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板のp型領域上及びn型領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記p型領域上及び前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、化学量論組成よりも酸素量の少ない第1酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記第1酸化アルミニウム膜上に、タンタルと窒素とを含むタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記p型領域上を覆い前記n型領域上を露出するマスクを用い、前記n型領域上の前記タンタル窒素含有膜及び前記第1酸化アルミニウム膜を酸化して、前記n型領域上の前記ゲート絶縁膜上に、前記第1酸化アルミニウム膜の酸素量よりも多い酸素量を有する第2酸化アルミニウム膜を形成するとともに、前記第2酸化アルミニウム膜上に、酸化されたタンタル窒素含有膜を形成する工程と、
前記タンタル窒素含有膜上及び前記酸化されたタンタル窒素含有膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングして、前記p型領域上に第1ゲート電極を形成し、前記n型領域上に第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極をマスクとして、前記p型領域にn型不純物を注入する工程と、
前記第2ゲート電極をマスクとして、前記n型領域にp型不純物を注入する工程と、
前記タンタル窒素含有膜及び前記酸化されたタンタル窒素含有膜の形成後に、熱処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、Al:Oが1:0.7〜1.2の範囲の前記第1酸化アルミニウム膜を形成する請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1酸化アルミニウム膜を形成する工程は、原子層堆積で前記第1酸化アルミニウム膜を形成する請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記タンタル窒素含有膜を形成する工程は、前記タンタル窒素含有膜としてTaN膜を形成する請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を行う工程は、850℃〜1100℃の範囲で前記熱処理を行う請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を行う工程は、前記n型不純物を注入する工程の後に行なわれて、不純物活性化アニールを兼ねる請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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