JP2006511961A5 - - Google Patents
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Claims (50)
- n型シリコンカーバイドのドリフト層と、
前記ドリフト層に隣接した第1のp型シリコンカーバイド領域と、
前記第1のp型シリコンカーバイド領域内の第1のn型シリコンカーバイド領域と、
前記ドリフト層、前記第1のp型シリコンカーバイド領域および前記第1のn型シリコンカーバイド領域の上の酸化物層と、
前記ドリフト層と前記第1のp型シリコンカーバイド領域との間に配置されたn型シリコンカーバイド制限領域とを備え、
前記n型シリコンカーバイド制限領域は、前記第1のp型シリコンカーバイド領域の底に隣接して配置された第1の部分および前記第1のp型シリコンカーバイド領域の側壁に隣接して配置された第2の部分を含み、前記n型シリコンカーバイド制限領域の前記第1および第2の部分は、キャリア濃度が前記ドリフト層のキャリア濃度より高いことを特徴とするシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。 - 前記n型シリコンカーバイド制限領域の前記第1の部分は、前記第1のp型シリコンカーバイド領域の周辺縁部まで延びることを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記n型制限領域は、前記第1のp型シリコンカーバイド領域の側壁に隣接して配置されることを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記n型制限領域の前記第1の部分は、キャリア濃度が、前記n型制限領域の前記第2の部分のキャリア濃度より高いことを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記第1のp型シリコンカーバイド領域は、アルミニウムを埋め込まれることを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記酸化物層上のゲートコンタクトと、
前記第1のn型シリコンカーバイド領域上のソースコンタクトと、
前記酸化物層とは反対側の前記ドリフト層上のドレインコンタクトと
をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。 - 前記n型制限領域は、前記n型シリコンカーバイドのドリフト層上にシリコンカーバイドのエピタキシャル層を含むことを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記第1のp型領域は、前記シリコンカーバイドのエピタキシャル層中に配置されるが、前記シリコンカーバイドのエピタキシャル層を貫通しないことを特徴とする請求項7に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記n型制限領域は、厚さが、約0.5μmから約1.5μmであり、キャリア濃度が、約1×1015cm−3から約5×1017cm−3であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記ゲートコンタクトは、結晶シリコンまたは金属を含むことを特徴とする請求項6に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記第1のp型シリコンカーバイド領域および前記第1のn型領域の一部分の上にあり、前記第1のn型シリコンカーバイド領域および前記第1のp型シリコンカーバイド領域と前記酸化物層との間に配置されたn型エピタキシャル層をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記n型制限領域は、前記ドリフト層中に埋め込まれたn型領域を含むことを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記ドリフト層と前記ドレインコンタクトとの間に配置されたn型シリコンカーバイド基板をさらに備えたことを特徴とする請求項6に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- 前記第1のp型シリコンカーバイド領域内で前記第1のn型シリコンカーバイド領域に隣接して配置された第2のp型シリコンカーバイド領域をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セル。
- n型シリコンカーバイドのドリフト層と、
前記ドリフト層に隣接したp型シリコンカーバイドの第1の領域と、
前記p型シリコンカーバイドの第1の領域内にあるn型シリコンカーバイドの第1の領域であって、前記n型シリコンカーバイドの第1の領域が、キャリア濃度が前記ドリフト層のキャリア濃度より高く、かつ前記p型シリコンカーバイドの第1の領域の周辺縁部から離間した前記n型シリコンカーバイドの第1の領域と、
前記p型シリコンカーバイドの第1の領域の下に配置された第1の部分と、前記p型シリコンカーバイドの第1の領域間に配置された第2の部分とを含むn型シリコンカーバイド制限領域であって、前記p型シリコンカーバイドの第1の領域の前記周辺縁部まで延びた前記n型シリコンカーバイド制限領域とを備え、
前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分は、キャリア濃度が前記ドリフト層のキャリア濃度より高く、および前記n型シリコンカーバイド制限領域の第2の部分は、キャリア濃度が前記第1の部分のキャリア濃度より低いことを特徴とするシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。 - 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1および第2の部分は、前記ドリフト層上にn型シリコンカーバイドのエピタキシャル層を含み、前記p型シリコンカーバイドの第1の領域は、前記n型シリコンカーバイドのエピタキシャル層中に形成されることを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第2の部分は、キャリア濃度が前記ドリフト層のキャリア濃度に等しいことを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分は、前記ドリフト層中に埋め込まれたn型領域を含むことを特徴とする請求項17に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記ドリフト層、前記n型シリコンカーバイドの第1の領域および前記n型シリコンカーバイド制限領域の上の酸化物層と、
前記n型シリコンカーバイドの第1の領域の一部分の上のソースコンタクトと、
前記酸化物層上のゲートコンタクトと、
前記酸化物層とは反対側の前記ドリフト層上のドレインコンタクトと
をさらに備えたことを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。 - 前記第1のp型領域の上にシリコンカーバイドのn型エピタキシャル層をさらに備えたことを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記ドリフト層の下に、キャリア濃度が前記ドリフト層のキャリア濃度より高いn型シリコンカーバイド層をさらに備えたことを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記n型シリコンカーバイド層は、n型シリコンカーバイド基板を含むことを特徴とする請求項21に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記p型シリコンカーバイドの第1の領域内に配置されたp型シリコンカーバイドの第2の領域をさらに備えたことを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分は、厚さが、約0.5μmから約1.5μmであることを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分は、キャリア濃度が、約1×1015cm−3から約5×1017cm−3であることを特徴とする請求項15に記載のシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- n型シリコンカーバイドのドリフト層を形成するステップと、
前記ドリフト層に隣接して第1のp型シリコンカーバイド領域を形成するステップと、
前記第1のp型シリコンカーバイド領域内に第1のn型シリコンカーバイド領域を形成するステップと、
前記ドリフト層上に酸化物層を形成するステップと、
前記ドリフト層と前記第1のp型シリコンカーバイド領域との間に、n型シリコンカーバイド制限領域を形成するステップであって、前記n型シリコンカーバイド制限領域が、前記第1のp型シリコンカーバイド領域の底に隣接して配置された第1の部分および前記第1のp型シリコンカーバイド領域の側壁に隣接して配置された第2の部分を含み、前記n型制限領域の前記第1および第2の部分のキャリア濃度が、前記ドリフト層のキャリア濃度より高くする前記n型シリコンカーバイド制限領域を形成するステップと
を有することを特徴とするシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ単位セルを製造する方法。 - 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分は、前記第1のp型シリコンカーバイド領域の周辺縁部まで延びていることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記n型制限領域を形成するステップは、前記第1のp型シリコンカーバイド領域の側壁に隣接して前記n型制限領域を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記制限領域の第1の部分は、キャリア濃度が前記制限領域の第2の部分のキャリア濃度より高いことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記第1のp型シリコンカーバイド領域を形成するステップは、
前記p型シリコンカーバイド領域中にアルミニウムを埋め込むステップと、
少なくとも1500℃の温度で、前記p型シリコンカーバイド領域をアニーリングするステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 前記酸化物層上にゲートコンタクトを形成するステップと、
前記第1のn型シリコンカーバイド領域上にソースコンタクトを形成するステップと、
前記酸化物層とは反対側の前記ドリフト層上にドレインコンタクトを形成するステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 前記n型制限領域を形成するステップは、
前記n型シリコンカーバイドのドリフト層上にシリコンカーバイドのn型エピタキシャル層を形成するステップと、
前記エピタキシャル層上にマスクを形成するステップと、
前記エピタキシャル層にパターン形成して、前記n型制限領域を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 前記第1のp型領域を形成するステップは、前記シリコンカーバイドのエピタキシャル層中に前記第1のp型領域を形成するが、前記シリコンカーバイドのエピタキシャル層を貫通しないステップを含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 前記n型制限領域を形成するステップは、前記ドリフト層にn型領域を埋め込むステップを含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記n型制限領域は、厚さが約0.5μmから約1.5μmであり、かつキャリア濃度が約1×1015cm−3から約5×1017cm−3になるように形成されることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記ゲートコンタクトは、結晶シリコンまたは金属を含むことを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 前記第1のp型領域および前記第1のn型領域の一部分の上で、かつ前記第1のn型領域および前記第1のp型領域と前記酸化物層との間に、n型エピタキシャル層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記ドリフト層と前記ドレインコンタクトとの間にn型シリコンカーバイド基板を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 前記第1のp型シリコンカーバイド領域内で、かつ前記第1のn型シリコンカーバイド領域に隣接して第2のp型シリコンカーバイド領域を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- n型シリコンカーバイドのドリフト層を形成するステップと、
前記ドリフト層に隣接してp型シリコンカーバイドの第1の領域を形成するステップと、
前記p型シリコンカーバイドの第1の領域中にn型シリコンカーバイドの第1の領域を形成するステップであって、前記n型シリコンカーバイドの第1の領域が、前記ドリフト層のキャリア濃度より高いキャリア濃度を有し、前記p型シリコンカーバイドの第1の領域の周辺縁部から離間されるn型シリコンカーバイドの第1の領域を形成するステップと、
前記p型シリコンカーバイドの第1の領域と前記ドリフト層との間にn型シリコンカーバイド制限領域を形成するステップであって、前記n型シリコンカーバイド制限領域が、前記p型シリコンカーバイドの第1の領域の下の前記p型シリコンカーバイドの第1の領域の前記周辺縁部まで延びる第1の部分、および前記p型シリコンカーバイドの第1の領域間にある第2の部分を含み、前記第1の部分のキャリア濃度が、前記ドリフト層のキャリア濃度より高く、前記第2の部分のキャリア濃度が、前記第1の部分のキャリア濃度より低くするn型シリコンカーバイド制限領域を形成するステップと
を有することを特徴とするシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法。 - 前記ドリフト層上にn型シリコンカーバイドのエピタキシャル層を形成するステップをさらに備え、前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1および第2の部分は、前記エピタキシャル層から形成され、前記p型シリコンカーバイドの第1の領域は、前記エピタキシャル層中に形成されることを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第2の部分は、キャリア濃度が前記ドリフト層のキャリア濃度に等しいことを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域を形成するステップは、前記ドリフト層中のn型領域に埋め込むことによって前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分を形成するステップを含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。
- 前記ドリフト層、前記n型シリコンカーバイドの第1の領域および前記n型シリコンカーバイド制限領域の上に酸化物層を形成するステップと、
前記n型シリコンカーバイドの第1の領域の一部分の上にソースコンタクトを形成するステップと、
前記酸化物層上にゲートコンタクトを形成するステップと、
前記酸化物層とは反対側の前記ドリフト層上にドレインコンタクトを形成するステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項40に記載の方法。 - 前記第1のp型領域上に、シリコンカーバイドのn型エピタキシャル層を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記ドリフト層の下に、キャリア濃度が前記ドリフト層のキャリア濃度より高いn型シリコンカーバイド層を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記n型シリコンカーバイド層は、n型シリコンカーバイド基板を含むことを特徴とする請求項46に記載の方法。
- 前記第1のp型シリコンカーバイド領域内に第2のp型シリコンカーバイド領域を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分は、厚さが約0.5μmから約1.5μmであることを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記n型シリコンカーバイド制限領域の第1の部分は、キャリア濃度が約1×1015cm−3から約5×1017cm−3であることを特徴とする請求項40に記載の方法。
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