JPH0766971B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電気絶縁層として窒化アルミニウム単結晶層を
有する炭化珪素半導体装置に関する。
有する炭化珪素半導体装置に関する。
（従来の技術） 炭化珪素（SiC）は広い禁制帯幅（2.2〜3.3eV）を有す
る半導体材料であって，熱的，化学的，および機械的に
極めて安定であり，放射線損傷にも強いという優れた特
徴を持っている。また，炭化珪素中における電子の飽和
移動速度は，珪素（Si）などの他の半導体材料に比べて
大きい。一般に，珪素のような従来の半導体材料を用い
た半導体装置は，特に高温，高出力駆動，放射線照射，
高周波動作などの苛酷な条件下では，使用が困難であ
る。従って，炭化珪素を用いた半導体装置は，このよう
な苛酷な条件下でも使用し得る半導体装置として広範な
分野での応用が期待されている。
る半導体材料であって，熱的，化学的，および機械的に
極めて安定であり，放射線損傷にも強いという優れた特
徴を持っている。また，炭化珪素中における電子の飽和
移動速度は，珪素（Si）などの他の半導体材料に比べて
大きい。一般に，珪素のような従来の半導体材料を用い
た半導体装置は，特に高温，高出力駆動，放射線照射，
高周波動作などの苛酷な条件下では，使用が困難であ
る。従って，炭化珪素を用いた半導体装置は，このよう
な苛酷な条件下でも使用し得る半導体装置として広範な
分野での応用が期待されている。
しかしながら，大きな面積を有し，かつ高品質の炭化珪
素単結晶を，生産性を考慮した工業的規模で安定に供給
し得る結晶成長技術は確立されていない。それゆえ，炭
化珪素は，上述のような多くの利点および可能性を有す
る半導体材料であるにもかかわらず，それを用いた半導
体装置の実用化が阻まれている。
素単結晶を，生産性を考慮した工業的規模で安定に供給
し得る結晶成長技術は確立されていない。それゆえ，炭
化珪素は，上述のような多くの利点および可能性を有す
る半導体材料であるにもかかわらず，それを用いた半導
体装置の実用化が阻まれている。
この問題点を解決するために，安価で入手の容易な珪素
単結晶基板上に，大きな面積を有する良質の炭化珪素単
結晶を，化学的気相成長法（CVD法）で形成する方法が
提案されている（特開昭59-203799号）。この方法で
は，炭化珪素単結晶を気相成長させる際に適当な不純物
を添加すれば，得られた炭化珪素単結晶の伝導型や不純
物濃度を制御することができる。それゆえ，この方法で
得られた炭化珪素単結晶を用いて各種の半導体装置が開
発されている。
単結晶基板上に，大きな面積を有する良質の炭化珪素単
結晶を，化学的気相成長法（CVD法）で形成する方法が
提案されている（特開昭59-203799号）。この方法で
は，炭化珪素単結晶を気相成長させる際に適当な不純物
を添加すれば，得られた炭化珪素単結晶の伝導型や不純
物濃度を制御することができる。それゆえ，この方法で
得られた炭化珪素単結晶を用いて各種の半導体装置が開
発されている。
従来，炭化珪素を用いた半導体装置においては，珪素単
結晶基板上に直接成長させた炭化珪素単結晶層に，素子
形成領域が設けられていた。しかしながら，珪素単結晶
の格子定数と，炭化珪素単結晶の格子定数との間に，約
20％の差があるため，珪素単結晶基板上に成長させた炭
化珪素単結晶層内には，格子不整合に起因する多数の結
晶欠陥（例えば，積層欠陥）が存在する。これらの結晶
欠陥は半導体装置におけるリーク電流の発生原因とな
る。リーク電流は，これらの結晶欠陥を介して，炭化珪
素単結晶層内や珪素単結晶基板と炭化珪素単結晶層との
界面内，あるいは珪素単結晶基板内を流れる。リーク電
流が発生すると，半導体装置の特性が低下する。それゆ
え，現在開発されている上記のような構造の炭化珪素半
導体装置は，充分な素子特性を有しておらず，実用化さ
れるまでには至っていない。
結晶基板上に直接成長させた炭化珪素単結晶層に，素子
形成領域が設けられていた。しかしながら，珪素単結晶
の格子定数と，炭化珪素単結晶の格子定数との間に，約
20％の差があるため，珪素単結晶基板上に成長させた炭
化珪素単結晶層内には，格子不整合に起因する多数の結
晶欠陥（例えば，積層欠陥）が存在する。これらの結晶
欠陥は半導体装置におけるリーク電流の発生原因とな
る。リーク電流は，これらの結晶欠陥を介して，炭化珪
素単結晶層内や珪素単結晶基板と炭化珪素単結晶層との
界面内，あるいは珪素単結晶基板内を流れる。リーク電
流が発生すると，半導体装置の特性が低下する。それゆ
え，現在開発されている上記のような構造の炭化珪素半
導体装置は，充分な素子特性を有しておらず，実用化さ
れるまでには至っていない。
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり，その
目的とするところは，リーク電流が充分に低減され，良
好な素子特性を有する炭化珪素半導体装置を提供するこ
とにある。
目的とするところは，リーク電流が充分に低減され，良
好な素子特性を有する炭化珪素半導体装置を提供するこ
とにある。
（課題を解決するための手段および作用） 本発明は半導体基板の上方に形成されたβ型炭化珪素単
結晶層に素子形成領域を設けた炭化珪素半導体装置であ
って，該β型炭化珪素単結晶層が，電気絶縁層として作
用する窒化アルミニウム単結晶層上に形成されており，
そのことにより上記目的が達成される。
結晶層に素子形成領域を設けた炭化珪素半導体装置であ
って，該β型炭化珪素単結晶層が，電気絶縁層として作
用する窒化アルミニウム単結晶層上に形成されており，
そのことにより上記目的が達成される。
炭化珪素には，多くの結晶形（ポリタイプまたは多形と
称される）が存在し，α型とβ型とに大きく分類され
る。α型炭化珪素（α−SiC）が六方晶系や菱面体晶系
に属する結晶構造を持ち，大きい禁制帯幅（2.9〜3.3e
V）を有するのに対し，β型炭化珪素（β−SiC）は立方
晶系に属する閃亜鉛鉱型結晶構造を持ち，炭化珪素の中
で最も小さい禁制帯幅（2.2eV）を有する。他方，窒化
アルミニウム（A1N）は六方晶系に属するウルツ鉱型結
晶構造を持ち，炭化珪素に比べてかなり大きい禁制帯幅
（6.2eV）を有する。
称される）が存在し，α型とβ型とに大きく分類され
る。α型炭化珪素（α−SiC）が六方晶系や菱面体晶系
に属する結晶構造を持ち，大きい禁制帯幅（2.9〜3.3e
V）を有するのに対し，β型炭化珪素（β−SiC）は立方
晶系に属する閃亜鉛鉱型結晶構造を持ち，炭化珪素の中
で最も小さい禁制帯幅（2.2eV）を有する。他方，窒化
アルミニウム（A1N）は六方晶系に属するウルツ鉱型結
晶構造を持ち，炭化珪素に比べてかなり大きい禁制帯幅
（6.2eV）を有する。
一般に，閃亜鉛鉱型結晶構造の〔111〕軸方向と，ウル
ツ鉱型結晶構造のＣ軸とを対比させると，ウルツ鉱型結
晶構造における結合の四面体構造は，閃亜鉛鉱型結晶構
造における同様の四面体構造を，その〔111〕軸方向の
結合のまわりに交互に180°回転した構造に大体対応し
ている。従って，β型炭化珪素単結晶を窒化アルミニウ
ム単結晶層上に成長させれば，両者の結晶構造が類似し
ており，かつその格子定数が比較的近い値を有するの
で，界面における結晶構造の乱れや炭化珪素単結晶層内
における結晶欠陥の発生を低減させることができる。さ
らに，窒化アルミニウムの禁制帯幅は，炭化珪素に比べ
てかなり大きいので，窒化アルミニウム単結晶層を電気
絶縁層として用いれば，炭化珪素単結晶層を半導体基板
から電気的に充分に分離することができる。
ツ鉱型結晶構造のＣ軸とを対比させると，ウルツ鉱型結
晶構造における結合の四面体構造は，閃亜鉛鉱型結晶構
造における同様の四面体構造を，その〔111〕軸方向の
結合のまわりに交互に180°回転した構造に大体対応し
ている。従って，β型炭化珪素単結晶を窒化アルミニウ
ム単結晶層上に成長させれば，両者の結晶構造が類似し
ており，かつその格子定数が比較的近い値を有するの
で，界面における結晶構造の乱れや炭化珪素単結晶層内
における結晶欠陥の発生を低減させることができる。さ
らに，窒化アルミニウムの禁制帯幅は，炭化珪素に比べ
てかなり大きいので，窒化アルミニウム単結晶層を電気
絶縁層として用いれば，炭化珪素単結晶層を半導体基板
から電気的に充分に分離することができる。
このような理由により，本発明の炭化珪素半導体装置
は，リーク電流が充分に低減され，良好な素子特性を有
する。
は，リーク電流が充分に低減され，良好な素子特性を有
する。
（実施例） 以下に本発明の実施例について説明する。
実施例１ 第１図（ａ）は，本発明の炭化珪素半導体装置の一例で
あるn-チャネル反転型のMOS電界効果トランジスタ（MOS
FET）を示す。このMOSFETは以下のようにして作製され
た。
あるn-チャネル反転型のMOS電界効果トランジスタ（MOS
FET）を示す。このMOSFETは以下のようにして作製され
た。
まず，第１図（ｂ）に示すように,CVD法により，（11
1）面方位を有するSi単結晶基板１上にβ−SiC単結晶層
２（層厚約５μｍ）を成長させた。原料ガスとしては，
シラン（SiH4）ガスとプロパン（C3H8）ガスとを用い
た。次いで，第１図（ｃ）に示すように,CVD法により，
β−SiC単結晶層２上に，電気絶縁層として作用するA1N
単結晶層３（層厚約２μｍ）を成長させた。原料ガスと
しては，トリメチルアルミニウム（TMA）ガスとアンモ
ニア（NH3）ガスとを用いた。また，基板の加熱温度は,
1,300℃であった。さらに，第１図（ｃ）に示すように,
CVD法により,A1N単結晶層３上に，ホウ素（Ｂ）をドー
プした高抵抗β−SiC単結晶層４（層厚約３μｍ）を形
成した。原料ガスとしては，SiH4ガスとC3H8ガスとを用
いた。Ｂをドープするための不純物ガスとしては，ジボ
ラン（B2H6）ガスを用いた。なお，得られた高抵抗β−
SiC単結晶層４の抵抗率を測定したところ，約5,000Ω・
cmであった。
1）面方位を有するSi単結晶基板１上にβ−SiC単結晶層
２（層厚約５μｍ）を成長させた。原料ガスとしては，
シラン（SiH4）ガスとプロパン（C3H8）ガスとを用い
た。次いで，第１図（ｃ）に示すように,CVD法により，
β−SiC単結晶層２上に，電気絶縁層として作用するA1N
単結晶層３（層厚約２μｍ）を成長させた。原料ガスと
しては，トリメチルアルミニウム（TMA）ガスとアンモ
ニア（NH3）ガスとを用いた。また，基板の加熱温度は,
1,300℃であった。さらに，第１図（ｃ）に示すように,
CVD法により,A1N単結晶層３上に，ホウ素（Ｂ）をドー
プした高抵抗β−SiC単結晶層４（層厚約３μｍ）を形
成した。原料ガスとしては，SiH4ガスとC3H8ガスとを用
いた。Ｂをドープするための不純物ガスとしては，ジボ
ラン（B2H6）ガスを用いた。なお，得られた高抵抗β−
SiC単結晶層４の抵抗率を測定したところ，約5,000Ω・
cmであった。
続いて,CVD法またはプラズマCVD法により，高抵抗β−S
iC単結晶層４上にSiO2膜を形成した。次いで，ホトリソ
グラフィーを用いて，SiO2膜の素子形成領域に対応する
部分をエッチングにより開口し，フィールド絶縁膜５と
した（第１図（ｄ））。なお，エッチングにはフッ化水
素（HF）溶液を用いた。そして，酸素雰囲気下，約1,10
0℃にて３時間の熱酸化を行うことにより，高抵抗β−S
iC単結晶層４上に熱酸化膜11（膜厚約50nm）を形成した
後，さらにCVD法により，熱酸化膜11上に，リン（Ｐ）
をドープした多結晶Si膜12（膜厚約500nm）を形成し
た。
iC単結晶層４上にSiO2膜を形成した。次いで，ホトリソ
グラフィーを用いて，SiO2膜の素子形成領域に対応する
部分をエッチングにより開口し，フィールド絶縁膜５と
した（第１図（ｄ））。なお，エッチングにはフッ化水
素（HF）溶液を用いた。そして，酸素雰囲気下，約1,10
0℃にて３時間の熱酸化を行うことにより，高抵抗β−S
iC単結晶層４上に熱酸化膜11（膜厚約50nm）を形成した
後，さらにCVD法により，熱酸化膜11上に，リン（Ｐ）
をドープした多結晶Si膜12（膜厚約500nm）を形成し
た。
次いで，第１図（ｅ）に示すように，ホトリソグラフィ
ーを用いて，ソース領域とドレイン領域とに対応する部
分の熱酸化膜11および多結晶Si膜12をエッチングにより
開口してゲート絶縁膜６およびゲート電極７を形成した
後，高抵抗β−SiC単結晶層４に窒素（Ｎ）をイオン注
入することにより,n型のソース領域８およびドレイン領
域９を形成した。注入条件は，加速電圧が160keVであ
り,Nイオン注入量が３×1014cm-2であった。そして,Ar
雰囲気下，約1,100℃にて30分間の熱アニール処理を行
うことにより,Nをイオン注入したソース領域８およびド
レイン領域９を低抵抗化した。最後に，配線材料として
アルミニウム（Al）を真空蒸着した後，ホトリソグラフ
ィーを用いて，配線電極10を形成することにより，第１
図（ａ）に示すようなｎ−チャネル反転型MOSFETを得
た。
ーを用いて，ソース領域とドレイン領域とに対応する部
分の熱酸化膜11および多結晶Si膜12をエッチングにより
開口してゲート絶縁膜６およびゲート電極７を形成した
後，高抵抗β−SiC単結晶層４に窒素（Ｎ）をイオン注
入することにより,n型のソース領域８およびドレイン領
域９を形成した。注入条件は，加速電圧が160keVであ
り,Nイオン注入量が３×1014cm-2であった。そして,Ar
雰囲気下，約1,100℃にて30分間の熱アニール処理を行
うことにより,Nをイオン注入したソース領域８およびド
レイン領域９を低抵抗化した。最後に，配線材料として
アルミニウム（Al）を真空蒸着した後，ホトリソグラフ
ィーを用いて，配線電極10を形成することにより，第１
図（ａ）に示すようなｎ−チャネル反転型MOSFETを得
た。
比較のために,Si単結晶基板上に直接成長させたβ−SiC
単結晶層に素子形成領域を設けた従来のｎ−チャネル反
転型MOSFETを作製した。
単結晶層に素子形成領域を設けた従来のｎ−チャネル反
転型MOSFETを作製した。
このようにして得られた本実施例のMOSFETおよび従来の
MOSFETを，トランジスタ特性（ドレイン電流−ドレイン
電圧特性）について調べた。その結果をそれぞれ第２図
および第３図に示す。これらの図から明らかなように，
本実施例のMOSFETでは，素子形成領域を設けた高抵抗β
−SiC単結晶層４が，電気絶縁層として作用するA1N単結
晶層３上に形成されているので，従来のMOSFETに比べて
リーク電流が大幅に低減され，ドレイン電流の良好な飽
和を示すトランジスタ特性が得られた。例えば，オフ時
（ゲート電圧が0V）におけるリーク電流を比較すると，
ドレイン電圧が5Vの場合，従来のMOSFETでは５μＡであ
ったのに対し，本実施例のMOSFETでは3nAであった。
MOSFETを，トランジスタ特性（ドレイン電流−ドレイン
電圧特性）について調べた。その結果をそれぞれ第２図
および第３図に示す。これらの図から明らかなように，
本実施例のMOSFETでは，素子形成領域を設けた高抵抗β
−SiC単結晶層４が，電気絶縁層として作用するA1N単結
晶層３上に形成されているので，従来のMOSFETに比べて
リーク電流が大幅に低減され，ドレイン電流の良好な飽
和を示すトランジスタ特性が得られた。例えば，オフ時
（ゲート電圧が0V）におけるリーク電流を比較すると，
ドレイン電圧が5Vの場合，従来のMOSFETでは５μＡであ
ったのに対し，本実施例のMOSFETでは3nAであった。
実施例２ 本実施例では,Bをドープした高抵抗β−SiC単結晶層４
（層厚約３μｍ）に代えて,Nをドープしたｎ型のβ−Si
C単結晶層（層厚約0.5μｍ）を用いること以外は実施例
１と同様にして，デプリーションモードのMOSFETを作製
した。このMOSFETは，上記のｎ型β−SiC単結晶層をチ
ャネル層とし，ゲート電圧の印加により該チャネル層に
広がる空乏層を利用して，該チャネル層を流れる電流を
制御するノーマリオン型のMOSFETである。なお，上記の
β−SiC単結晶層にＮをドープするための不純物ガスと
しては，窒素（N2）ガスを用いた。また，得られたｎ型
β−SiC単結晶層のキャリア濃度は,5×1015cm-3であっ
た。
（層厚約３μｍ）に代えて,Nをドープしたｎ型のβ−Si
C単結晶層（層厚約0.5μｍ）を用いること以外は実施例
１と同様にして，デプリーションモードのMOSFETを作製
した。このMOSFETは，上記のｎ型β−SiC単結晶層をチ
ャネル層とし，ゲート電圧の印加により該チャネル層に
広がる空乏層を利用して，該チャネル層を流れる電流を
制御するノーマリオン型のMOSFETである。なお，上記の
β−SiC単結晶層にＮをドープするための不純物ガスと
しては，窒素（N2）ガスを用いた。また，得られたｎ型
β−SiC単結晶層のキャリア濃度は,5×1015cm-3であっ
た。
比較のために,Si単結晶基板上に成長させたｐ型SiC単結
晶層上に形成したｎ型SiC単結晶層に，素子形成領域を
設けた，従来のノーマリオン型MOSFETを作製した。
晶層上に形成したｎ型SiC単結晶層に，素子形成領域を
設けた，従来のノーマリオン型MOSFETを作製した。
このようにして得られた本実施例のMOSFETおよび従来の
MOSFETを，トランジスタ特性（ドレイン電流−ドレイン
電圧特性）について調べた。その結果をそれぞれ第４図
および第５図に示す。これらの図から明らかなように，
本実施例のMOS＝FETでは，素子形成領域を設けたｎ型β
−SiC単結晶層が，電気絶縁層として作用するA1N単結晶
層上に形成されているので，従来のMOSFETに比べてリー
ク電流が著しく低減され，ドレイン電流の良好な飽和を
示すトランジスタ特性が得られた。例えば，オフ時（ゲ
ート電圧が−3V）におけるリーク電流を比較すると，ド
レイン電圧が5Vの場合，従来のMOSFETでは10μＡであっ
たのに対し，本実施例のMOSFETでは15pAであった。
MOSFETを，トランジスタ特性（ドレイン電流−ドレイン
電圧特性）について調べた。その結果をそれぞれ第４図
および第５図に示す。これらの図から明らかなように，
本実施例のMOS＝FETでは，素子形成領域を設けたｎ型β
−SiC単結晶層が，電気絶縁層として作用するA1N単結晶
層上に形成されているので，従来のMOSFETに比べてリー
ク電流が著しく低減され，ドレイン電流の良好な飽和を
示すトランジスタ特性が得られた。例えば，オフ時（ゲ
ート電圧が−3V）におけるリーク電流を比較すると，ド
レイン電圧が5Vの場合，従来のMOSFETでは10μＡであっ
たのに対し，本実施例のMOSFETでは15pAであった。
（発明の効果） 本発明によれば，素子形成領域を設けるβ型炭化珪素単
結晶層が窒化アルミニウム単結晶層上に形成されるの
で，リーク電流が著しく低減され， 非常に良好な素子特性を有する炭化珪素半導体装置が得
られる。このような炭化珪素半導体装置は，珪素のよう
な他の半導体材料を用いた半導体装置では使用が困難な
条件下（例えば，高温，高出力駆動，高周波動作，放射
線照射など）においても使用が可能な半導体装置として
有用である。さらに，本発明の炭化珪素半導体装置は，
従来の炭化珪素半導体装置と同様に珪素基板を用いて作
製することができ、しかも通常の化学的気相成長法（CV
D法）で窒化アルミニウム単結晶層を形成し得るので，
従来の製造方法により工業的規模で生産することが可能
になる。
結晶層が窒化アルミニウム単結晶層上に形成されるの
で，リーク電流が著しく低減され， 非常に良好な素子特性を有する炭化珪素半導体装置が得
られる。このような炭化珪素半導体装置は，珪素のよう
な他の半導体材料を用いた半導体装置では使用が困難な
条件下（例えば，高温，高出力駆動，高周波動作，放射
線照射など）においても使用が可能な半導体装置として
有用である。さらに，本発明の炭化珪素半導体装置は，
従来の炭化珪素半導体装置と同様に珪素基板を用いて作
製することができ、しかも通常の化学的気相成長法（CV
D法）で窒化アルミニウム単結晶層を形成し得るので，
従来の製造方法により工業的規模で生産することが可能
になる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の炭化珪素半導体装置の
一実施例であるｎ−チャネル反転型MOS電界効果トラン
ジスタの製造工程を説明するための断面図，第２図は該
電界効果トランジスタのドレイン電流−ドレイン電圧特
性を示すグラフ，第３図は従来の炭化珪素を用いたｎ−
チャネル反転型MOS電界効果トランジスタのドレイン電
流−ドレイン電圧特性を示すグラフ，第４図は本発明の
他の実施例であるノーマリオン型MOS電界効果トランジ
スタのドレイン電流−ドレイン電圧特性を示すグラフ，
第５図は従来の炭化珪素を用いたノーマリオン型MOS電
界効果トランジスタのドレイン電流−ドレイン電圧特性
を示すグラフである。 １…Si単結晶基板,2…β−SiC単結晶層,3…A1N単結晶
層,4…高抵抗β−SiC単結晶層,5…フィールド絶縁膜,6
…ゲート絶縁膜,7…ゲート電極,8…ソース領域,9…ドレ
イン領域,10…配線領域,11…熱酸化膜,12…多結晶Si
膜。
一実施例であるｎ−チャネル反転型MOS電界効果トラン
ジスタの製造工程を説明するための断面図，第２図は該
電界効果トランジスタのドレイン電流−ドレイン電圧特
性を示すグラフ，第３図は従来の炭化珪素を用いたｎ−
チャネル反転型MOS電界効果トランジスタのドレイン電
流−ドレイン電圧特性を示すグラフ，第４図は本発明の
他の実施例であるノーマリオン型MOS電界効果トランジ
スタのドレイン電流−ドレイン電圧特性を示すグラフ，
第５図は従来の炭化珪素を用いたノーマリオン型MOS電
界効果トランジスタのドレイン電流−ドレイン電圧特性
を示すグラフである。 １…Si単結晶基板,2…β−SiC単結晶層,3…A1N単結晶
層,4…高抵抗β−SiC単結晶層,5…フィールド絶縁膜,6
…ゲート絶縁膜,7…ゲート電極,8…ソース領域,9…ドレ
イン領域,10…配線領域,11…熱酸化膜,12…多結晶Si
膜。
フロントページの続き (72)発明者 繁田 光浩 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−188373（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の上方に形成されたβ型炭化珪
素単結晶層に素子形成領域を設けた炭化珪素半導体装置
であって， 該β型炭化珪素単結晶層が，電気絶縁層として作用する
窒化アルミニウム単結晶層上に形成された，炭化珪素半
導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP1145617A JPH0766971B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 炭化珪素半導体装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145617A JPH0766971B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 炭化珪素半導体装置 |
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|---|---|
| JPH039568A JPH039568A (ja) | 1991-01-17 |
| JPH0766971B2 true JPH0766971B2 (ja) | 1995-07-19 |
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ID=15389172
Family Applications (1)
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| JPH0821274B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1996-03-04 | 矢崎総業株式会社 | 圧縮撚線導体の製造装置 |
| JP3146694B2 (ja) * | 1992-11-12 | 2001-03-19 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素ｍｏｓｆｅｔおよび炭化けい素ｍｏｓｆｅｔの製造方法 |
| US5492752A (en) * | 1992-12-07 | 1996-02-20 | Oregon Graduate Institute Of Science And Technology | Substrates for the growth of 3C-silicon carbide |
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