JP2003520391A - 有機発光素子で励起子を効果的に利用するための項間交差剤 - Google Patents
有機発光素子で励起子を効果的に利用するための項間交差剤Info
- Publication number
- JP2003520391A JP2003520391A JP2001512642A JP2001512642A JP2003520391A JP 2003520391 A JP2003520391 A JP 2003520391A JP 2001512642 A JP2001512642 A JP 2001512642A JP 2001512642 A JP2001512642 A JP 2001512642A JP 2003520391 A JP2003520391 A JP 2003520391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- molecule
- layer
- intersystem crossing
- emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 77
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 55
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical group O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 claims description 34
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 15
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 14
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 13
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 12
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 5
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical group C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002907 osmium Chemical class 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- XXMUCWWTRNHTGM-UHFFFAOYSA-N 2,7-diphenylfluoren-1-one Chemical compound O=C1C2=CC3=CC(C=4C=CC=CC=4)=CC=C3C2=CC=C1C1=CC=CC=C1 XXMUCWWTRNHTGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- -1 brominated polycyclic aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(N)C=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N Acridone Natural products C1=C(O)C=C2N(C)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1O GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTQNEBFZMBRSQ-GEEYTBSJSA-N Chrysoidine Chemical compound Cl.NC1=CC(N)=CC=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 MCTQNEBFZMBRSQ-GEEYTBSJSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N acridone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3NC2=C1 FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N monocrotophos Chemical compound CNC(=O)\C=C(/C)OP(=O)(OC)OC KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 150000002988 phenazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005029 thianthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
- H10K50/121—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants for assisting energy transfer, e.g. sensitization
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/348—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising osmium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
光効率を高める働きをする、別の項間交差(intersystem crossing)(ISC)物
質(entity)を含有する有機発光素子(OLED)に関する。
素子を通じて電圧を印加することによりエレクトロルミネセンスを生じさせるこ
とができる有機材料から構成されている。C.W.タング(Tang)その他、Appl.
Phys. Lett., 51, 913, (1987)。或るOLEDは、LCD系フルカラー平面パネ
ルディスプレイを与える実際的な代替技術として用いるのに充分な輝度、色範囲
、及び作動寿命を有することが示されてきた〔S.R.フォレスト(Forrest)、
P.E.バローズ(Burrows)、及びM.E.トンプソン(Thompson)、Laser Focus
World.Feb. (1995)〕。そのような素子で用いられている有機薄膜の多くは可視
スペクトル領域で透明なので、それらは、赤(R)、緑(G)、及び青(B)の
発光OLEDを、垂直に積層した幾何学的形状に配置し、簡単な製造方法、小さ
なR−G−Bピクセルサイズ、及び大きな充填率(fill factor)を与える全く新
しい型のディスプレイピクセルを実現することができる。国際特許出願No.P
CT/US95/15790。
て有意義な一歩を踏み出した透明OLED(TOLED)が、国際特許出願No
.PCT/US97/02681に報告されており、そのTOLEDは、素子の
スイッチを切った時に71%より大きな透明度を有し、装置のスイッチを入れた
時に大きな効率(1%に近い量子効率)で素子の上及び下の両方の面から光を発
する。そのTOLEDはホール注入電極として透明インジウム−スズ酸化物(I
TO)を使用し、電子注入のためにMg−Ag−ITO電極層を用いている。M
g−Ag−ITO層のITO側が、TOLEDの上に積層された第二の別の着色
発光OLEDのためのホール注入接点として用いられているものが記載されてい
る。その積層OLED(SOLED)中の各層は、独立にアドレスすることがで
き、それ自身の特性色を発光する。この着色発光は隣接して積層された透明で独
立にアドレス可能な有機層(単数又は複数)、透明接点、及びガラス基体を通っ
て伝達され、それにより赤及び青色発光層の相対的出力を変えることにより生ず
ることができるどのような色でも発光することが可能となる。
いて外部電源により強度及び色の両方を独立に変化させ、調節することができる
集積SOLEDが開示されている。このように、PCT/US95/15790
出願は、小型のピクセルによって可能にされた高い解像度を与える集積フルカラ
ーピクセルを達成する原理を例示している。更に、従来の方法と比較して比較的
低いコストの製造技術を、そのような装置を製造するために用いることができる
。
の性質及び相互作用を理解することは、表示器、レーザー、及び他の照明用途に
おけるそれらの潜在的用途のため現在大きな関心が持たれている効果的発光素子
の設計にとって重要である。例えば、励起子の対称性が基底状態のものと異なっ
ていると、励起子の放射性緩和は不可能になり、ルミネセンスは遅く非効果的に
なる。基底状態は通常励起子を含む電子スピンの交換では反対称なので、対称性
励起子の崩壊は対称性を乱す。そのような励起子は三重項として知られており、
この用語はその状態の縮退を反映している。OLEDでの電気的励起により形成
されたどの三つの三重項励起子でも、唯一つの対称状態(即ち、一重項)励起が
生ずる。〔M.A.バルド(Baldo)、D.F.オブライエン(O'Brien)、M.E.
トンプソン(Thompson)、及びS.R.フォレスト(Forrest)、「電気燐光に基づ
く非常に高い効率の緑色有機発光素子」(Very high-efficiency green organic
light-emitting devices based on electrophosphorescence)、Applied Physics
Letters, 75, 4-6, (1999)〕。対称性不可過程からのルミネセンスは、燐光と
して知られている。特徴として、燐光は遷移の確率が低いため、励起後数秒間ま
で持続することがある。これに対し、蛍光は一重項励起の早い崩壊で始まる。こ
の過程は同じ対称性の状態の間で起きるので、それは非常に効果的である。
による効果的室温燐光を出すこともできることが確認されている。つまり、殆ど
の蛍光染料では、三重項状態に含まれているエネルギーは浪費される。しかしな
がら、三重項励起状態の摂動を起こすと、例えば、スピン軌道結合(典型的には
、重金属原子の存在により起きる)により摂動を起こすと、効果的な燐光が一層
起き易くなる。この場合、三重項励起は多少一重項の特性を有し、それは基底状
態へ放射性崩壊する一層大きな確率を有する。実際、これらの性質を有する燐光
染料は、大きな効率のエレクトロルミネセンスを示している。
かしかない。これとは対称的に、多くの蛍光染料が知られており〔C.H.チェ
ン(Chen)、J.シ(Shi)、及びC.W.タング(Tang)、「分子状有機エレクトロ
ルミネセンス材料における最近の発展」(Recent developments in molecular or
ganic electroluminescent materials)、Macromolecular Symposia., 125, 1-48
, (1997);U.ブラックマン(Brackmann)、「ラムダクロム・レーザー染料」(La
mbdachrome Laser Dyes)、ラムダ・フィジーク(Lambda Physik)、ゲッチンゲン
、1997〕、溶液中の蛍光効率が100%に近くなることは異常なことではな
い。(C.H.チェン、1997、上記参照)。蛍光は、大きな励起密度で燐光発光
を減少する三重項−三重項消滅によって影響を受けない〔M.A.バルドその他
、「有機エレクトロルミネセンス装置からの高効率燐光発光」(High efficiency
phosphorescent emission from organic electroluminescent devices)、Natur
e, 395, 151-154, (1998);M.A.バルド、M.E.トンプソン、及びS.R
.フォレスト、「電気燐光装置での三重項−三重項消滅の解析モデル」(An anal
ytic model of triplet-triplet annihilation in electrophosphorescent devi
ces)、1999〕。従って、蛍光材料は多くのエレクトロルミネセンス用途に適して
おり、特に受動マトリックス表示器に適している。
に関する。項間交差剤又は分子とは、項間交差を行わせることができるもののこ
とであり、それは異なったスピン多重度の状態間の分布移動を含んでいる。既知
の項間交差剤又は分子のリストは、A.ギルバート(Gilbert)及びJ.バゴット(
Baggott)、「分子光化学の要点」(Essectials of Molecular Photochemistry)、
(Balckwells Scientific、1991)に与えられている。
項間交差剤を使用する方法に焦点を当てる。ここで我々はホスト材料中に形成さ
れる三重項が浪費されることがなく、その代わり蛍光染料の一重項励起状態へ移
行させる技術を記述する。このやり方で全ての励起状態が用いられ、蛍光の全効
率が4だけ増大する。この態様では、ISC剤は、励起子のエネルギーを捕捉し
、そのエネルギーをフェルスター エネルギー遷移により蛍光エミッタへ移行させる。希望されるエネルギー遷移過
程は次の通りである:
。 上付き文字3及び1は、夫々三重項及び一重項状態を示し、星印は励起状態
を示す。
項間交差剤を用いる方法に焦点を当てる。ここで、我々はISC剤が、ホスト材
料からの励起子を全てそれらの三重項状態へ転化し、次にその励起状態を蛍光エ
ミッタへ移行させる技術を記述する。これは、ISC剤がホストに一重項励起子
だけを捕捉させ、ホスト三重項励起子を直接(ISC剤を通過せずに)燐光エミ
ッタへ移行させる場合を含んでいる。
ように項間交差剤と組合されている:
分子)を表す。上付き文字1は一重項スピン多重度を示し、上付き文字3は三重
項スピン多重度を示し、星印は励起状態を示す。
作用させることにより効率を増大する方法に焦点を当てる。フィルター/転化剤
態様の一つの特徴として、項間交差剤は一重項励起子を三重項励起子へ転化し、
それにより一重項が発光領域へ到達しないようにして光学純度を増大し、効率を
増大している(「フィルター」とは、一重項が除去され、従って一重項発光がな
いことを意味する。「転化」とは、一重項が、発光する三重項へ転化されること
を意味している。)。
なった機構によって作動させることもできる。それら異なった機構を論ずるが、
それらは本発明の範囲を限定するものではない。
論を論ずるのが有効であろう。受容体分子へのエネルギーの移動については一般
に二つの機構が論じられている。デクスター移動〔D.L.デクスター、「固体
中の増感ルミネセンスの理論」(A theory of sensitized luminescence in soli
ds)、21, 836-850, (1953)〕の第一の機構では、励起は一つの分子から次の分子
へ直接跳び移ることができる。これは、隣り合った分子の分子軌道の重複に依存
する短期的な過程である。それは供与体と受容体の対の対称性も保持する〔E.
ウィグナー(Wigner)及びE.W.ウィトマー(Wittmer)、「量子力学による二原
子分子スペクトルの構造」(Uber die Struktur der zweiatomigen Molekelspekt
ren nach der Quantenmechanik)、Zeitschrift fur Physik, 51, 859-886, (192
8);M.クレッシンゲル(Klessinger)及びJ.ミッチェル(Michl)、「有機分子
の励起状態及び光化学」(Excited states and photochemistry of organic mole
cules)(VCH出版社、ニューヨーク、1995)。従って、式(1)のエネル
ギー移動はデクスター機構によっては不可能である。フェルスター移動の第二機
構では〔T.フェルスター、「分子間エネルギー移動及び蛍光」(Zwischenmolek
ulare Energiewanderung and Fluoreszenz)、Annalen der Physik, 2, 55-75 (1
948);T.フェルスター、「有機化合物の蛍光」(Fluoreszenz organischer Ver
bindugen)(Vandenhoek and Ruprecht、ゲッチンゲン、1951)〕、式(1)
のエネルギー移動は可能である。フェルスターの移動では、送信機及びアンテナ
と同様に、供与体及び受容体分子の双極子が結合し、エネルギーは移動すること
ができる。双極子は供与体と受容体の両方の分子中で許容された遷移によって生
ずる。このことは、典型的にはフェルスター機構を一重項状態の間の移動に限定
させることになる。
うに、励起三重項と基底状態一重項との間の対称性の相違により、この移動の確
率は低い。
して、状態の多少の摂動により燐光体が光を発することができる限り、それはフ
ェルスター移動での供与体としての役割も果たすことができる。この過程の効率
は燐光体のルミネセンス効率により決定され〔F.ウィルキンソン(Wilkinson)
、「光化学の進歩」(Advances in Photochemistry)、W.A.ノイズ(Noyes)、
G.ハモンド(Hammond)、及びJ.N.ピッツ(Pitts)編集、Wiley & Sons、ニュ
ーヨーク、1964、pp.241−268〕、即ち、もし非放射性崩壊よりも
放射性遷移の方が一層起き易いならば、エネルギー移動は効果的に行われるであ
ろう。そのような三重項・一重項移動は、フェルスターによって予測されており
〔T.フェルスター、「電子励起の移動機構」(Transfer mechanisms of electr
onic excitation)、Discussions of the Faraday Society, 27, 7-17, (1959)〕
、エルモラエフ(Ermolaev)及びスベシニコワ(Sveshnikova)によって確認されて
おり〔V.L.エルモラエフ及びE.B.スベシニコワ、「三重項状態の芳香族
分子からの誘導共鳴エネルギー移動」(Inductive-resonance transfer of energ
y from aromatic molecules in the triplet state)、Doklady Akademii Nauk S
SSR, 149,1295-1298, (1963)〕、彼らは77K又は90Kで固体媒体中の或る範
囲の燐光供与体及び蛍光受容体を用いてエネルギー移動を検出した。長距離移動
が観察されており、例えば、供与体としてトリフェニルアミン、受容体としてク
リソイジンを用いて、相互作用範囲は52Åである。
ネルギーレベルが共鳴していると仮定して、吸収スペクトルが供与体の発光スペ
クトルと重なり合っていることである。本願の例1では、我々は緑燐光体fac
トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム〔Ir(ppy)3;M.A.バルド
(Baldo)等、Appl. Phys. Lett., 75, 4-6, (1999)〕、赤色蛍光染料、[2−メ
チル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij
]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−イリデン]プロパン−ジ
ニトリル]〔「DCM2」;C.W.タング(Tang)、S.A.ファンスライケ(V
anSlyke)、及びC.H.チェン(Chen)、「ドープした有機フイルムのエレクトロ
ルミネセンス」(Electroluminescence of doped organic films)、J. Appl. Phy
s., 65, 3610-3616, (1989)〕を用いた。DCM2は緑で吸収し、局部的分極場
によりそれはλ=570nmとλ=650nmの間の波長で発光する〔V.ブロ
ビック(Bulovic)等、「分極誘導スペクトル移動に基づく明るい飽和赤〜黄橙色
発光素子」(Bright, saturated, red-to-yellow organic light-emitting devic
es based on polarization-induced spectral shifts)、Chem. Phys. Lett., 28
7, 455-460, (1998)〕。
からフェルスターエネルギー移動を行わせることが可能になる。残念ながら、そ
のような系は、全効率を劣化する競合エネルギー移動機構により影響を受ける。
特に、ホスト及びゲストの密接な近接性が、ホストからゲスト三重項へのデクス
ター移動の可能性を増大する。励起子がゲスト三重項状態に近づくと、それら励
起子は効果的に失われる。なぜなら、これら蛍光染料は極めて非効率的な燐光を
示すのが典型的だからである。
とである。そうすると、次の式(総合して式2とする):
とができる。
れている。デクスター移動は点線の矢印で示されており、フェルスター移動は実
線の矢印で示されている。効率の損失をもたらす移動はXで印されている。図に
示されたエネルギー移動路の外に、ホストと同様、燐光性ドーパントと蛍光性ド
ーパントで直接の電子・ホール再結合が可能である。蛍光染料での電荷再結合の
後の三重項励起子形成は別の潜在的損失機構である。
態へのデクスター移動を最大にすると同時に、蛍光染料の三重項状態への移動を
最小にすることが望ましい。デクスター機構は隣り合った分子間のエネルギーを
移動させるので、蛍光染料の濃度を減少すると、染料への三重項・三重項移動の
確率が減少する。一方、一重項状態への長距離フェルスター移動は影響を受けな
い。これとは対照的に、燐光体の三重項状態への移動はホスト三重項を利用する
のに必要であり、燐光体の濃度を増大することにより改善することができる。多
重項状態移動を実証するため、我々はホストとして4,4′−N, N′−ジカル
バゾール−ビフェニル(CBP)を用い〔D.F.オブライエン、M.A.バル
ド、M.E.トンプソン、及びS.R.フォレスト、「電気燐光装置での増大し
たエネルギー移動」(Improved energy transfer in electrophosphorescent dev
ices)、Appl. Phys. Lett., 74, 442-444, (1999)〕、燐光増感剤としてIr(
ppy)3、及び蛍光染料としてDCM2を用いた。ドーピング濃度はIr(pp
y)3については10%、DCM2については1%であった。
発生効率の改良を示している。次の節では更なる背景を与える。
発光を与える一般的機構に依存している。この機構は捕捉された電荷の放射再結
合に基づいているのが典型的である。特にOLEDは、素子のアノードとカソー
ドを分離する少なくとも二つの薄い有機層を有する。これらの層の一つの材料は
、特に材料のホールを輸送する能力に基づいて選択された「ホール伝達層」(H
TL)であり、他方の層の材料は特に電子を輸送するその能力に従って選択され
た「電子伝達層」(ETL)である。そのような構造により、装置はダイオード
として見ることができ、アノードに印加された電位がカソードに印加された電位
よりも高い時、順方向バイアスとなる。これらのバイアス条件下では、アノード
はホール伝達層中へホール(正電荷キャリヤー)を注入し、一方カソードは電子
伝達層に電子を注入する。これにより、ルミネセンス媒体の、アノードに隣接し
た部分はホール注入及び伝達領域を形成し、一方ルミネセンス媒体の、カソード
に隣接した部分は電子注入及び伝達領域を形成する。注入されたホール及び電子
は、夫々反対に帯電した電極の方へ移動する。同じ分子に電子及びホールが局在
すると、フレンケル(Frenkel)励起子が形成される。この寿命の短い状態の再結
合は、電子がその伝導電位から価電子帯へ落ちた時に可視化され、或る条件下で
は優先的に発光機構により緩和が起きる。典型的な薄層有機素子の作動機構によ
れば、エレクトロルミネセンス層は移動性電荷キャリヤー(電子及びホール)を
各電極から受けるルミネセンス領域を有する。
あり、燐光の利用には問題がある。大きな電流密度では燐光効率は急速に低下す
ることが認められている。長い燐光寿命は発光部位の飽和を起こし、三重項・三
重項消滅も効率の低下を生ずることになる。蛍光と燐光との別の相違点は、伝導
性ホストからルミネセンスゲスト分子への三重項のエネルギー移動が一重項のも
のよりも遅いのが典型的であるということである。一重項のエネルギー移動を支
配する長距離双極子・双極子結合(フェルスター移動)は、(理論的には)スピ
ン対称性保存の原理により三重項に対しては禁止されている。従って、三重項の
場合、エネルギー移動は隣り合った分子への励起子の拡散によって起きるのが典
型的であり(デクスター移動)、供与体と受容体の励起波動関数のかなりの重複
がエネルギー移動には必須である。別の問題は、三重項拡散距離が、約200Å
である典型的な一重項拡散距離と比較して長い(例えば、>1400Å)のが一
般であるということである。従って、もし燐光素子がそれらのポテンシャルを得
なければならない時、素子構造は三重項特性に最適なものになっている必要があ
る。本発明では、外部量子効率を向上させるため長距離三重項拡散の性質を利用
している。
するものである。例えば、燐光の利点は、燐光素子の三重項に基づく(一部)全
ての励起子(EL中でのホールと電子との再結合により形成される)が、或るエ
レクトロルミネセンス材料でエネルギー移動及びルミネセンスに関与できること
である。これに対し一重項に基づく蛍光素子では、励起子の僅かな部分しか蛍光
ルミネセンスを与えない。
。蛍光は原理的には、対称励起状態の3倍大きな数により75%低い効率になる
。本発明のある態様として、我々はこの問題を、蛍光材料を赤色発光OLEDで
励起するように燐光増感剤分子を用いることにより解決した。分子物質間のエネ
ルギー結合の機構は、燐光体から蛍光染料への長距離非放射性エネルギー移動で
ある。この技術を用いて、蛍光の内部効率は100%位高くすることができ、こ
の結果は前には燐光を用いてしかできなかった。例1に示したように、我々はそ
れを用いて蛍光OLEDの効率を殆ど4倍にした。
が存在するので、ヘテロ構造を形成する異なった材料の層が存在する。エレクト
ロルミネセンス発光を生ずる材料は、電子伝達層又はホール伝達層として機能す
る材料と同じである。電子伝達層又はホール伝達層が発光層としても機能するよ
うな素子は、単一ヘテロ構造を有するとして述べられている。別法として、エレ
クトロルミネセンス材料は、ホール伝達層と電子伝達層との間の別の発光層中に
存在し、それは二重ヘテロ構造と呼ばれている。その別の発光層はホスト中へド
ープした発光分子を含んでいてもよく、また発光層は発光分子から本質的になっ
ていてもよい。
として存在し、電荷キャリヤー材料及び発光材料の両方として機能を果たす発光
材料の外に、電荷キャリヤー層中のドーパントとして比較的低い濃度で発光材料
が存在していてもよい。ドーパントが存在する場合には、電荷キャリヤー層中の
主たる材料はホスト化合物又は受容性化合物と呼ぶことができる。ホスト及びド
ーパントとして存在する材料は、ホストからドーパント材料へ高レベルのエネル
ギー遷移を与えるように選択される。更に、これらの材料はOLEDのための許
容可能な電気的性質を生ずることができる必要がある。更に、そのようなホスト
及びドーパント材料は、便利な製造技術を用いて、特に真空蒸着法を用いてOL
ED中に容易に配合することができる材料を用いてOLED中へ導入することが
できることが好ましい。
,044にも既に記載されている)励起子堰層(exciton blocking layer)は、励
起子の拡散を実質的に妨げ、それによって励起子を実質的に発光層内に留め、素
子の効率を増大する。本発明の堰層の材料は、その最低非占有分子軌道(LUM
O)及びその最高占有分子軌道(HOMO)との間のエネルギー差(バンドギャ
ップ)を特徴とする。本発明に従い、このバンドギャップは堰層を通る励起子の
拡散を実質的に防ぐが、完成したエレクトロルミネセンス素子のスイッチを入れ
た電圧で最小の効果しか持たない。従って、そのバンドギャップは発光層中で生
じた励起子のエネルギーレベルよりも大きく、そのような励起子が堰層中に存在
することができないことが好ましい。特に、堰層のバンドギャップは、ホストの
三重項状態と基底状態とのエネルギー差と少なくとも同じ大きさである。
の場合のように)、相対的重要性の順序で列挙した次の特性が求められる。
と基底状態一重項とのエネルギー差よりも大きい。 2.ホスト材料中の三重項は堰層によりクエンチされない。 3.堰層のイオン化ポテンシャル(IP)は、ホストのイオン化ポテンシャル
よりも大きい(ホールはホスト中に保持されることを意味する)。 4.堰層のLUMOのエネルギーレベルと、ホストのLUMOのエネルギーレ
ベルとが、装置の全伝導度の変化が50%より少なくなるようにエネルギーが充
分近接している。 5.堰層は、発光層から隣接層への励起子の移動を効果的に遮断するのに充分
な層厚さを有することを条件として、できるだけ薄くする。 即ち、励起子及びホールを遮断するため、堰層のイオン化ポテンシャルはHT
Lのそれよりも大きくなければならず、同時に堰層の電子親和力は電子の容易な
輸送を可能にするようにETLのそれとほぼ等しくなっているべきである。 [ホール伝達ホストを用いずに放射性(発光)分子を用いた場合には、堰層を
選択するための上記規則は、「ホスト」と言う言葉を「発光分子」によって置き
換えることにより修正される。]
次の特性(重要性の順序で列挙した)が求められる:
と基底状態一重項とのエネルギー差よりも大きい。 2.ホスト材料中の三重項は堰層によりクエンチされない。 3.堰層のLUMOのエネルギーは、(電子伝達)ホストのLUMOのエネル
ギーよりも大きい。(電子がホストに保持されることを意味する)。 4.堰層のイオン化ポテンシャル及びホストのイオン化ポテンシャルは、ホー
ルが障壁からホストへ容易に注入され、素子の全伝導度の変化が50%より小さ
くなるようなものである。 5.堰層は、発光層から隣接層への励起子の移動を効果的に遮断するのに充分
な層厚さを有することを条件として、できるだけ薄くする。 [電子伝達ホストを用いずに放射性(発光)分子を用いた場合には、堰層を選
択するための上記規則は、「ホスト」と言う言葉を「発光分子」によって置き換
えることにより修正される。]
トル領域の近くに中心を有する比較的狭い帯域でエレクトロルミネセンス発光を
与える材料を用いてOLEDを製造し、それらがOLED又はSOLED中の着
色層として用いることができるようにすることが望ましい。そのような化合物は
、真空蒸着法を用いて薄層として容易に蒸着することができ、真空蒸着有機材料
から全て製造されるOLED中に容易にそれらを組み込むことができるようにす
ることも望ましい。
/774,333は、飽和赤色発光を生ずる発光化合物を含有するOLEDに関
する。
層を有する有機発光素子に関する。この場合、ヘテロ構造を通って電圧を印加し
た時にルミネセンスを生ずるのに適合する分子を持つホスト材料(ここで放射性
分子はホスト材料中にドーパントとして存在する)を用い、発光分子は燐光性又
は蛍光性有機分子の群から選択され、素子は項間交差剤(ISC分子)としての
機能を果たす分子を含有し、それはISC分子が存在しない場合と比較して燐光
又は蛍光の効率を向上させる。発光分子と項間交差分子とは異なっているのが好
ましく、発光分子と項間交差分子との間で実質的なスペクトルの重なりが存在す
ることが好ましい。
わせ、その増感剤は項間交差剤として働く。燐光増感剤は、放射性再結合速度が
非放射性再結合速度よりも遥かに大きい材料から選択する。燐光増感剤はシクロ
金属化有機金属化合物からなる群から選択することができる。それらの金属は周
期表第3列の金属(特にW、Pt、Au、Ir、Os)及び強いスピン軌道結合
を示す他の金属又は金属化合物から選択することができる。燐光増感剤は、更に
燐光性有機金属イリジウム又はオスミウム錯体からなる群から選択され、更に燐
光性シクロ金属化イリジウム又はオスミウム錯体からなる群から選択することも
できる。増感剤分子の特別な例は、式:
命名する。 [この図及びここに記載する後の図では、窒素から金属(ここではIr)への
供与結合を直線として描いてある。]
と組み合わせて次の反応が起きるようにする:
分子)を表す。上付き文字1は一重項スピン多重度を示し、上付き文字3は三重
項スピン多重度を示し、星印は励起状態を示す。
LとETLとの間でもよい。そのISC剤の光学吸収スペクトルが、再結合部位
で見出される材料の発光線と強く重複するように、ISC剤を選択する。
び電子伝達層の順になるような配列である。ホール伝導性発光層に対しては、そ
の発光層と電子伝達層との間に励起子堰層を持たせてもよい。電子伝導性発光層
の場合、その発光層とホール伝達層との間に励起子堰層を持たせてもよい。発光
層はホール伝達層と同じでもよく(この場合励起子堰層はアノードの所か又はそ
れに近い所にある)、又は電子輸送層と同じでもよい(この場合励起子堰層はカ
ソードの所か又はそれに近い所にある)。
ができる。ホスト材料は、置換トリ−アリールアミンの群から選択されたホール
伝達マトリックスでもよい。ホスト材料の一例は4,4′−N,N′−ジカルバ
ゾール−ビフェニル(CBP)であり、それは次の式を有する:
有する分極分子を含んでいてもよく、それは前記発光ドーパント分子がルミネセ
ンスを生じた時に発する光の波長に影響を与える。
光層中へ電子を伝達するのに用いられる。電子伝達材料は、金属キノオキソレー
ト、オキシダゾール、及びトリアゾールからなる群から選択された電子伝達マト
リックスでもよい。電子伝達材料の例は、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)
アルミニウム(Alq3)である。
光層中へホールを伝達するために用いる。ホール伝達材料の例は、4,4′−ビ
ス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、(α−NPD
)である。
(バリア層)を使用することは極めて好ましい。ホール伝達ホストの場合、堰層
はルミネセンス層と電子伝達層との間に配置することができる。そのような堰層
のための材料の例は、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェ
ナントロリン〔バソキュプロイン(bathocuproine)又はBCPとも呼ばれている
〕であり、それは次の式を有する。
する別の項間交差(ISC)分子を含有する発光層を有する有機発光素子(OL
ED)に関する。蛍光エミッタ及び燐光エミッタについての発光効率を高める態
様が記載されている。
しい。スペクトルの重なりを測定する一つの方法は、両方のスペクトルが0値に
ならないエネルギー範囲(波数)に亙って吸収及び発光スペクトルを積分するこ
とである。この方法は、A.ショウスティコフ(Shoustikov)、Y.ユー(You)及
びM.E.トンプソンによる「有機発光ダイオード中の染料ドーピングによるエ
レクトロルミネセンス色調整」(Electroluminescence Color Tuning by Dye Dop
ing in Organic Light Emitting Diodes)、IEEE Journal of Special Topic in
Quantum Electronics, 4, 3-14, (1998)、の式2(a)で取られている方法に関
係している。一つの方法は、吸収及び発光スペクトルを一方の積分強度に標準化
することである。両方のスペクトルが0値にならないエネルギー範囲に亙って得
られた標準化スペクトルを積分する。この範囲は波長で180nm〜1.5μm
になるように取ることができる。もしこの値が少なくとも0.01であり、一層
好ましくは少なくとも0.05であるならば、実質的なスペクトルの重複がある
ものとする。
ペクトルの重なりがあることも望ましい。両方のスペクトルが0値にならないエ
ネルギー範囲に亙って得られた標準化スペクトルを積分する。この範囲は波長で
180nm〜1.5μmになるように取ることができる。もしこの値が少なくと
も0.01であり、一層好ましくは少なくとも0.05であるならば、実質的な
スペクトルの重複があるものとする。
れらの態様は単なる具体例であり、本発明がそれらに限定されるものではないこ
とは理解されるであろう。
した時にルミネセンスを生じ、また燐光有機金属錯体の群から選択される、蛍光
発光分子のための燐光増感剤に関し、更に、発光素子の発光を最適にする構造及
びそれら構造体の関連する分子に関する。用語「有機金属」とは、一般に当業者
により、例えば、ガリーL.ミースラー(Gary L. Miessler)及びドナルドA.タ
ール(Donald A. Tarr)による「無機化学」(Inorganic Chemistry)、第2版、Pre
ntice-Hall(1998)に与えられているように理解されている。本発明は、更
に有機発光素子の発光層内の増感剤に関し、それら分子は燐光シクロ金属化イリ
ジウム錯体からなる。CIE図表の説明を含めた色の外観についての論述は、「
色の化学」(Color Chemistry)、VCH出版社、(1991)、及びH.J.A
.ダートナル(Dartnall)、J.K.バウメーカー(Bowmaker)、及びJ.D.モロ
ン(Mollon)、Proc. Roy. Soc. B(London), 220, 115-130, (1983)に見出すこと
ができる。
なガラス基板上に高真空(10-6トール)熱的蒸着により有機層を蒸着した。N
,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル−[1,1′−ビフ
ェニル]−4,4′ジアミン、(TPD)の600Å厚さの層を、ルミネセンス
層へホールを輸送するために用いた。ルミネセンス層は、10%(質量)までI
r(ppy)3をドープしたCBPの10Å厚さの層、及び1%(質量)までDC
M2をドープしたCBPの10Å厚さの層を交互に重ねたものからなっていた。
10枚のドープ層を成長させ、合計100Åの厚さにした。励起子ブロッキング
材料、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(
バソキュプロイン又はBCPとも呼ばれている)の200Å厚の層によりルミネ
センス領域内に励起子を閉じ込めた。電子をルミネセンス領域へ伝達し、カソー
ドでの吸収を減少させるために、電子伝達材料、トリス−(8−ヒドロキシキノ
リン)アルミニウム(Alq3)の300Å厚さの層を用いた。1mm直径の開口
を有するシャドウマスクを用いて、Mg:Ag、25:1の1000Å厚さの層
と500Å厚のキャップとからなるカソードを定めた。化合物Ir(ppy)3(
例1の増感剤/ISC剤)は次の式で表される:
るAlq3で置き換えた以外、例1のように素子を製造したが、室温で観察でき
る燐光はなかった。
に中間エネルギー移動段階を除外した以外、例1のように素子を製造した。
子効率(電子当たりの光子)を図2に示す。燐光増感剤を含有する素子のDCM
2発光効率は、その蛍光類似体よりも著しく高かった。実際、そのピーク効率(
3.3±0.1)%は、以前の研究〔C.H.チェン、C.W.タング、J.シ
、及びK.P.クルベック(Klubeck)「有機ルミネセンス装置のための改良され
た赤色ドーパント」(Improved red dopants for organic luminescent devices)
、Macromolecular Symposia. 125, 49-58, (1997)〕でDCM2について観察さ
れている〜2%の最良の結果よりも著しく高い。このことは、ホスト三重項が例
1の蛍光一重項状態へ移行したことを実証している。増感剤による発光増大のよ
り定量的な比較として、DCM2発光の量子効率の差に注目している。この場合
、燐光増感剤のない例では最大効率は0.9±0.1%であり、燐光増感剤を用
いた例では3.3%であった(図2及び比較例2のCBP:DCM2素子へのA
lq3の添加を参照)。増感した素子と非増感素子の効率の比は、3.7±0.
4であり、この比は一重項と三重項の両方の関与の確率が等しい素子について(
一重項のみ)に対する(一重項+三重項)の発光の間で予想される4の値[即ち
、(1+3)/(1+0)]に近い。
光染料へのエネルギー移動を示している。種々のスペクトルピークの下の面積を
取ることにより、Ir(ppy)3増感剤を含有する素子では光子の約80%がD
CM2により発光されていることを見出した。残余は、λ〜400nmでCBP
ルミネセンス、λ〜420nmでTPDルミネセンス、及びλ〜500nmでI
r(ppy)3ルミネセンスに起因する。10%のAlq3をドープした素子では
、発光ピークはλ〜490nmで観察された。これは、非極性ホスト(CBP)
でのAlq3発光の観察と一致している。〔V.ブロビック(Bulovic)、R.デシ
ュパンデ(Deshpande)、M.E.トンプソン、及びS.R.フォレスト、「固相
溶媒和効果による薄膜分子有機発光素子の着色発光の調整」(Tuning the color
emission of thin film molecular organic light enitting devices by the so
lid state solvation effect)、Chemical Physics Letters (1999)〕。
のDCM2及びIr(ppy)3成分の過渡挙動を例示している。これらのデータ
ーは、エレクトロルミネセンス装置に〜100ns電気パルスを適用することに
より得られた。得られた発光は、画線カメラを用いて測定した。DCM2発光の
フラクションがIr(ppy)3三重項からの移動により開始したならば(式2)
、提案したエネルギー移動は遅延DCM2蛍光を生じなければならない。更に、
DCM2の放射性寿命は、Ir(ppy)3の寿命よりも遥かに短いので、DCM
2の過渡的減衰はIr(ppy)3のそれと一致すべきである。初期ピーク後、最
も可能性の高いものとして、一重項・一重項移動により(式2)、DCM2の減
衰は実際Ir(ppy)3減衰に従う。この系中のIr(ppy)3の過渡寿命は、
DCM2がない場合の〜500nsの寿命に比べて〜100nsであり、〜80
%のエネルギー移動を確認させている。蛍光受容体へのエネルギー移動の結果と
して三重項寿命の減少は有利である。それは系の過渡応答を増大するのみならず
、三重項・三重項消滅の確率が三重項寿命の平方に反比例して変化することを示
している〔M.A.バルド、M.E.トンプソン、及びS.R.フォレスト、「
電気燐光素子における三重項・三重項消滅の分析モデル」(An analytic model o
f triplet-triplet annihilation in electrophosphorescent devices)、(1999)
〕。従って、この多段階エネルギー移動は、三重項状態のクエンチングを減少し
、それにより更に一層高い効率の増感蛍光のためのポテンシャルを増大すること
が予想される。
技術を実証している。この研究のように、薄層中にドーピングするよりもホスト
、燐光増感剤、及び蛍光染料を混合することにより、一層の改良が予期できるが
、この薄層法はホストから三重項が失われる蛍光体への三重項の直接デクスター
移動を阻止する。更に、多重状態エネルギー移動での損失を減少するため、理想
的な系は、低い濃度の立体障害染料を配合してもよい。例えば、DCM2分子に
スペーサー基を添加すると、フェルスター移動への関与又はそのルミネセンス効
率に与える影響を最小にしながら、染料へのデクスター移動の確率を減少するで
あろう。デクスター移動は電子とホールの同時移動として理解することができる
ので、立体障害は蛍光染料上の電荷捕捉の可能性も減少させるであろう。同様な
試みにより、既に変更DCM2での非放射性エキシマ形成が減少している〔チェ
ン、タング、シ、及びクルベック、「有機EL装置のための改良された赤色ドー
パント」(Improved red dopants for organic EL Devices)、Macromolecular Sy
mposia, 125, 49-58, (1997)〕。また、素子構造の最適化もIr(ppy)3発光
を一層低いレベルへ減少させるであろう。
率を増大する場合に関する。
層(ETL)を用いてOLEDを製造した。ETLは大略80%の慣用的電子伝
達材料(例えば、Zrq4)、15%の項間交差剤〔例えば、ベンジル:他のI
SC剤はギルバート(Gilbert)及びバゴット(Baggott)の文献に見出すことができ
る〕、及び5%の燐光エミッタ(例えば、PtOEP、白金オクタエチルポルフ
ィリン)であった。ISC剤は、その吸収スペクトルがETLの蛍光スペクトル
と強く重複するように選択された。ホール・電子再結合はHTL/ETL界面又
はそれに近い所で起き、一重項及び三重項励起子の混合物を発生した。ETLの
一重項励起子は、それらのエネルギーを効果的にISC剤へ移動し、それは、
発光を起こす。ETLで形成された三重項励起子は、ドーパントへ直接移動する
か、又はISC剤へエネルギーを移動し、そのISC剤は、記述したようにその
エネルギーをドーパントへ移動する。この用途でのISC剤は、一重項励起子を
完全にクエンチするように設計され、燐光ドーパントヘ移動される三重項励起子
の良好な生成を与える。
置する。ISC剤は、そのISC剤の光学的吸収スペクトルが、再結合部位で見
出される物質の発光線と強く重複するように選択する。
ISC−F)を用いた。フィルター/転化剤の態様に適したISC剤は、アクリ
ジン、アクリドン、臭素化多環式芳香族化合物、アントラキノン、α−β−ジケ
トン、フェナジン、ベンゾキノン、ビアセチル、フラーレン、チオフェン、ピラ
ジン、キノクサリン、及びチアンスレンからなる群から選択することができる。
れている。第三態様の一例は、ETL層中に蛍光エミッタを有することができる
。
ISC−F/Alq3を有するヘテロ構造から作られている(Alq3層はドープ
されていない)。この素子のIV特性を図6に示す。ここで素子領域は3.14
mm2である。重要な点は低〜中間バイアスでは発光がないことである。この結
果はISCフィルター/転化剤は一重項を確実にクエンチしていることを示して
いる。[非常に高いバイアス(>17V)では弱い緑色の発光を観察することが
できる。この出力のスペクトルは、それがAlq3からのものであることを示し
ている。この発光を説明するため、高いバイアスではAlq3へ漏洩する電子が
あるか、又はISC−FはAlq3の一重項へエネルギーを戻している。]
プする。ドープしたエミッタから生ずる燐光発光のために、三重項励起子が効果
的にAlq3層へ注入されていることが分かった。
が電子をα−NPD/ISC−F界面へ伝達する。この界面又はここに近い所で
のホール/電子再結合は、一重項と三重項の両方の励起子を生ずる。これらの励
起子は、両方共容易にISC−F層へ移動する。ISC−F層へ移動したどの一
重項でも三重項へ迅速に項間交差する。従って、存在する全ての励起子が素子内
で効果的に三重項へ転化する。
Alq3への移動は容易であるべきである。Alq3の三重項エネルギーは正確に
は知られていないが、550〜600nmの間にあると考えられる。これは、I
SC−Fから三重項励起子を効果的にトラップする正確な領域中に確かに存在す
る。このやり方でISC剤を用いることにより、一重項励起子が素子の発光領域
へ近づくのを絶えず防ぐ。発光領域に燐染料をドープすることにより、そのエネ
ルギーをルミネセンスとして効果的に引き出すことができる。ここでISC剤は
、三重項励起子だけがAlq3層中へ注入されるようにするフィルターとして働
いている。そのようなISCフィルター/転化剤のための条件は、それが、再結
合部位又はそれに近い所にある材料(この例ではα−NPD)のエネルギーより
も低い、一重項及び三重項の両方のエネルギーを有し、発光領域(これは再結合
部位であってはならず、この例ではAlq3)よりも高い三重項エネルギーを有
することである。この材料は大きなISC効率を有するはずである。
るべきである。その重なりの性質は素子の用途に依存し、その用途には大画面表
示器、乗り物、コンピューター、テレビ、プリンター、大面積壁、劇場又はスタ
ジアムのスクリーン、掲示板、及び標識が含まれる。本発明の素子の表示器用と
しては、可視スペクトルにスペクトルの重なりがあるべきである。この素子をプ
リントで用いるような他の用途では、人間の明所視応答を与える発光の重なりは
不必要であろう。
ものではない。放射性緩和を可能な過程にするのに充分なスピン軌道結合が存在
する金属錯体を使用することが考えられている。当業者であれば、希望の性質を
得るためにリガンドの中でIr(ppy)3(以下に示す)の有機成分を変性する
ことができる。
できる。R基は、アルキル又はアリールにすることができ、好ましくはリガンド
の3、4、7及び(又は)8位置にある(立体的理由から)。
る。R及びR′は、独立にアルキル又はアリールにすることができる。
のがある:
なり、良好な項間交差効率を有する。R及びR′は、独立にアルキル及びアリー
ルからなる群から選択される。それらは文献には報告されていないと考えられる
。
立にアルキル及びアリール基から選択される。
のホール伝達分子を用いることもできる。
知られている他の分子を用いることもできる。例えば、ホスト材料は、ホール伝
達マトリックスでもよく、置換トリアリールアミン及びポリビニルカルバゾール
からなる群から選択することもできる。
ここに与えた条件を満足する限り、励起子堰層に用いられる他の分子を用いるこ
ともできる。
いることができ、例えば、大画面表示器、乗り物、コンピューター、テレビ、プ
リンター、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、掲示板、又は標識に組
み込むことができるOLEDに用いることができる。
、高効率、集積可能有機発光素子及びその製造方法」(High Reliability, High
Efficiency, Integratable Organic Light Emitting Devices and Methods of P
roducing Same)、米国特許出願Serial No.08/774,119(1
996年12月23日出願);「多色発光ダイオードのための新規な材料」(Mov
el Materials for Multicolor Light Emitting Devices)、Serial No
.08/850,264(1997年5月2日出願);「有機遊離ラジカルに基
づく電子移動及び発光層」(Electron Transporting and Light Emitting Layers
Based on Organic Free Raicals)、Serial No.08/774,12
0(1996年12月23日出願);「多色表示装置」(Multicolor Display De
vices)、Serial No.08/772,333(1996年12月23日
出願);「赤色発光有機発光素子(OLED)」(Red-Emitting Organic Light
Emitting Devices (OLED's))、Serial No.08/774,087(1
996年12月23日出願);「積層有機発光素子のための駆動回路」(Driving
Circuit For Stacked Organic Light Emitting Devices)、Serial No
.08/792,050(1997年2月3日出願);「高効率有機発光素子構
造体」(High Efficiency Organic Light Emitting Device Structures)、Ser
ialNo.08/772,332(1996年12月23日出願);「真空蒸
着非重合体可撓性有機発光素子」(Vacuum Deposited, Non-Polymeric Flexible
Organic Light Emitting Devices)、Serial No.08/789,31
9(1997年1月23日出願);「メサピクセル構造を有する表示器」(Displ
ays Having Mesa Pixel Configuration)、Serial No.08/794,
595(1997年2月3日出願);「積層有機発光素子」(Stacked Organic L
ight Emitting Devices)、Serial No.08/792,046(199
7年2月3日出願);「高コントラスト透明有機発光素子」(High Contrast Tra
nsparent Organic Light Emitting Devices)、Serial No.08/79
2,046(1997年2月3日出願);「高コントラスト透明有機発光素子表
示器」(High Contrast Transparent Organic Light Emitting Device Display)
、Serial No.08/821,380(1997年3月20日出願);
「ホスト材料として5−ヒドロキシ−キノキサリンの金属錯体を含有する有機発
光装置」(Organic Light Emitting Devices Containing A Metal Complex of5-H
ydroxy-Quinoxaline as A Host Material)、Serial No.08/838
,099(1997年4月15日出願);「高輝度を有する発光装置」(Light E
mitting Devices Having High Brightness)、Serial No.08/84
4,353(1997年4月18日出願);「有機半導体レーザー」(Organic S
emiconductor Laser)、Serial No.08/859,468(1997
年5月19日出願);「飽和天然色積層有機発光素子」(Saturated Full Color
Stacked Organic Light Emitting Devices)、Serial No.08/85
8,994(1997年5月20日出願);「伝導性層のプラズマ処理」(Plasm
a Treatment of Conductive Layers)、PCT/US97/10252(199
7年6月12日出願);「多色発光ダイオードのための新規な材料」(Novel Mat
erials for Multicolor Light Emitting Diodes)、Serial No.08/
814,976(1997年3月11日出願);「多色発光ダイオードのための
新規な材料」(Novel Materials for Multicolor Light Emitting Diodes)、Se
rial No.08/771,815(1996年12月23日出願);「有
機多色表示装置を製造するための薄膜パターン化」(Patterning of Thin Films
for theFabrication of Organic Multi-color Displays)、PCT/US97/
10289(1997年6月12日出願);及び「二重ヘテロ構造赤外及び垂直
空洞表面発光有機レーザー」(Double Heterostructure Infrared and Vertical
Cavity Surface Emitting Organic Lasers)、(1997年7月18日出願)(
代理人文書番号No.10020/35)。各係属中の出願は、参考のため全体
的にここに入れてある。
放射性再結合した時、全ての励起子が、その染料の一重項状態へ移行するのが理
想的である。フェルスター移動は実線によって表され、デクスター移動は点線で
表されている。電子・ホール再結合は、ホスト材料中に一重項及び三重項励起子
を生ずる。これらの励起子は、次に燐光増感剤へ移動する。一重項状態へのフェ
ルスター移動、又は三重項状態へのデクスター移動により蛍光染料へ直接移動す
る確率は低い。この後者の機構は損失の原因になり、これはx印により図の中に
示されている。燐光体中の一重項励起子は、次に項間交差(ISC)を受け、三
重項状態へ移行する。この状態からそれら三重項は蛍光染料の一重項状態と双極
子・双極子結合を起こすか、又は別の損失機構としてそれらは三重項状態へデク
スター移動を起こす。燐光体及び蛍光染料でも電子・ホール再結合が可能である
ことにも注意されたい。蛍光染料での三重項の直接の形成は更なる損失になる。
挿入図は、この研究で製造されたエレクトロルミネセンス装置の構造である。多
重ドープ層は、CBP:10%Ir(ppy)3:1%DCM2の混合層にほぼ相
当する。二つの変更したものも作られている。第二素子:中間段階が蛍光を発し
、燐光を発するのではない場合を調べるためにIr(ppy)3をAlq3と交換
した。第三素子:CBPとDCM2との間の直接移動を調べるため、CBP:1
%DCM2のルミネセンス層を有する装置を作った。
らかに効率を改善する。全ての蛍光素子中にAlq3が存在しても、全く又は殆
ど差はないことに注意すべきである。
〜420nm)、Alq3(λ〜490nm)、Ir(ppy)3(λ〜400n
m)、及びDCM2(λ〜590nm)についての特性ピークが示されている。
Ir(ppy)3素子で光子の約80%がDCM2により発光した。全てのスペク
トルは、〜1mA/cm2の電流密度で記録された。
py)3成分の過渡応答。DCM2の過渡寿命は〜1nsであり、従ってIr(p
py)3からのエネルギー移動の場合には、DCM2の応答はIr(ppy)3の過
渡寿命によって支配されるであろう。初期の100nsの広い電気励起パルスの
後、これが明らかに当て嵌まり、エネルギーがIr(ppy)3の三重項状態から
DCM2の一重項状態へ移動することが実証されている。しかし、その励起パル
ス中、DCM2への一重項移動が観察され、過渡応答にリップル(ripple)を与
える結果になっている。これらリップルは、電流密度の変動及びパルスの降下端
でのトラップの放電によるものである。DCM2及びIr(ppy)3過渡応答は
、最終的には僅かに発散する傾向を持つことに注意すべきである。これは、再結
合し、ルミネセンスを生ずるDCM2分子上にトラップされた少量の電荷による
ものである。
Claims (19)
- 【請求項1】 発光層を有し、ルミネセンス発生のためのヘテロ構造を有す
る有機発光素子において、 前記発光層が、ホスト材料と、そのホスト材料中にドーパントとして存在する
発光分子との組合せからなり、 前記ヘテロ構造を通じて電圧が印加された時にルミネセンスを生ずるように前
記発光分子が適合され、 前記ヘテロ構造が項間交差分子を含有し、発光効率が前記項間交差分子の使用
により増大している、 有機発光素子。 - 【請求項2】 項間交差分子の発光スペクトルが、発光分子の吸収スペクト
ルに実質的に重なり合っている、請求項1に記載の有機発光素子。 - 【請求項3】 発光層を有し、ルミネセンス発生のためのヘテロ構造を有す
る有機発光素子において、 前記発光層が、伝導性ホスト材料と、そのホスト材料中のドーパントとして存
在する蛍光発光分子との組合せからなり、 前記ヘテロ構造を通じて電圧が印加された時にルミネセンスを生ずるように前
記発光分子が適合され、そして 前記ヘテロ構造が項間交差分子を含み、その分子が、前記発光分子の吸収スペ
クトルと実質的に重なり合う発光スペクトルを有する効果的燐光体である、有機
発光素子。 - 【請求項4】 項間交差分子が、Ir(ppy)3である、請求項3に記載の
発光層。 - 【請求項5】 蛍光発光分子が、DCM2である、請求項3に記載の素子。
- 【請求項6】 発光分子が燐光を発する、請求項1に記載の素子。
- 【請求項7】 発光分子が燐光を発する、請求項2に記載の素子。
- 【請求項8】 発光分子がPtOEPである、請求項6に記載の素子。
- 【請求項9】 項間交差剤を含む薄層が存在し、前記薄層がホール伝達層と
電子伝達層との間に配置されている、請求項1に記載の素子。 - 【請求項10】 発光分子が燐光を発し、項間交差剤を含有する薄層が、一
重項状態からの発光を阻止する、請求項2に記載の素子。 - 【請求項11】 発光分子が燐光を発し、項間交差剤を含有する薄層が、三
重項発光を増大する、請求項2に記載の素子。 - 【請求項12】 ルミネセンス発生のためのヘテロ構造を有する有機発光素
子において、 ホスト材料及びそのホスト材料中にドーパントとして存在する発光分子からな
り、電圧が前記ヘテロ構造を通じて印加された時にルミネセンスを生ずるように
適合された発光層、 ホール伝達層、 電子伝達層、及び 項間交差剤で、該項間交差剤の発光スペクトルと、前記発光分子の吸収スペク
トルとの間に実質的なスペクトルの重なり合いが存在している項間交差剤、 を有する有機発光素子。 - 【請求項13】 発光効率が、発光分子を有するが、項間交差剤は含まない
素子と比較して増大している、請求項12に記載の素子。 - 【請求項14】 励起子堰層を有する、請求項12に記載の素子。
- 【請求項15】 励起子堰層が、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−
1,10−フェナントロリンを含む、請求項14に記載の素子。 - 【請求項16】 発光分子が蛍光を発し、項間交差剤が、周期表の第3列の
金属を含有する有機金属化合物である、請求項12に記載の素子。 - 【請求項17】 発光分子が燐光を発する、請求項12に記載の素子。
- 【請求項18】 発光分子が燐光を発し、項間交差剤が一重項からの発光を
阻止する、請求項12に記載の素子。 - 【請求項19】 大画面表示器、乗り物、コンピューター、テレビ、プリン
ター、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、掲示板及び標識からなる群
からの一つに使用される、請求項1に記載の有機発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/358,731 US6310360B1 (en) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
US09/358,731 | 1999-07-21 | ||
PCT/US2000/019738 WO2001008230A1 (en) | 1999-07-21 | 2000-07-20 | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003520391A true JP2003520391A (ja) | 2003-07-02 |
JP4571359B2 JP4571359B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=23410802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001512642A Expired - Lifetime JP4571359B2 (ja) | 1999-07-21 | 2000-07-20 | 有機発光素子で励起子を効果的に利用するための項間交差剤 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6310360B1 (ja) |
EP (1) | EP1204994B1 (ja) |
JP (1) | JP4571359B2 (ja) |
KR (1) | KR100858274B1 (ja) |
CN (1) | CN1221040C (ja) |
AT (1) | ATE522939T1 (ja) |
AU (1) | AU6113800A (ja) |
WO (1) | WO2001008230A1 (ja) |
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050483A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | Showa Denko Kk | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光材料 |
JP2003068466A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-07 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2003086376A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよびその製造方法 |
JP2005071986A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
WO2005029923A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electroluminescent device |
JP2005116520A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005190949A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005228733A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-08-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
JP2005267982A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005310766A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005310547A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006066562A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Japan Science & Technology Agency | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2004060026A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2006-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機発光素子 |
JP2006128632A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
JP2006140182A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006172762A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toyota Industries Corp | 有機el素子 |
JP2006351523A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、および発光素子の作製方法 |
JP2007036157A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el素子、有機el表示装置、及び有機el素子の製造方法 |
WO2007029426A1 (ja) | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2005091684A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2008-02-07 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008028408A (ja) * | 2001-11-08 | 2008-02-07 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 赤色有機発光素子 |
JP2008053229A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2008543086A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 燐光発光ダイオードにおけるトリフェニレンホスト |
JP2009094124A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010507922A (ja) * | 2006-10-27 | 2010-03-11 | ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア | 白色発光oledのために一重項及び三重項励起子を効率的に捕獲するための物質及び構造 |
US7947383B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-05-24 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
US8105701B2 (en) | 2004-02-13 | 2012-01-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2012043812A (ja) * | 2005-05-20 | 2012-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
US8153278B2 (en) | 2008-04-24 | 2012-04-10 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
US8187729B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-05-29 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
US8202631B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device |
US8211553B2 (en) | 2003-06-02 | 2012-07-03 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent devices and metal complex compounds |
US8216698B2 (en) | 2008-04-22 | 2012-07-10 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device, novel platinum complex compound and novel compound capable of being a ligand thereof |
US8257838B2 (en) | 2003-05-09 | 2012-09-04 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device and platinum compound |
US8274214B2 (en) | 2008-09-01 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
JP2013533626A (ja) * | 2010-06-29 | 2013-08-22 | シノーラ ゲエムベーハー | 光電子デバイスのための有機分子による一重項捕獲 |
JP2013179088A (ja) * | 2006-06-05 | 2013-09-09 | Trustees Of Princeton Univ | りん光増感蛍光発光層を有する有機発光装置 |
WO2015022974A1 (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-19 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2017502516A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-01-19 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 非常に短い減衰時間を有する高効率のoledデバイス |
JPWO2014157610A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-02-16 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
JP2017152585A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用材料及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2017533593A (ja) * | 2014-10-30 | 2017-11-09 | 中国科学院長春応用化学研究所 | 赤色有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
WO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2018524803A (ja) * | 2015-06-03 | 2018-08-30 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なoledデバイス |
WO2018186101A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2019054261A (ja) * | 2013-08-26 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US11690238B2 (en) | 2017-10-27 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
Families Citing this family (301)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6310360B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
JP3924648B2 (ja) * | 1999-11-02 | 2007-06-06 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4197814B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | Led駆動方法およびled装置と表示装置 |
KR100387166B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2003-06-12 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 |
US6821645B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex |
KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
JP3904793B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2007-04-11 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TW532048B (en) * | 2000-03-27 | 2003-05-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence element |
JP2001284049A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 色変換膜及びそれを用いた発光装置 |
JP4048521B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2008-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
KR20010104215A (ko) * | 2000-05-12 | 2001-11-24 | 야마자끼 순페이 | 발광장치 제작방법 |
TW536836B (en) * | 2000-05-22 | 2003-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and electrical appliance |
US7339317B2 (en) | 2000-06-05 | 2008-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers |
US20030143427A1 (en) * | 2000-06-13 | 2003-07-31 | Mikiko Matsuo | Exciton forming substance, luminescent material using the substance, method for light emission and luminescent element, and device using the element |
US7078725B2 (en) * | 2000-06-30 | 2006-07-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
US7132681B2 (en) * | 2000-06-30 | 2006-11-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
US6911271B1 (en) * | 2000-08-11 | 2005-06-28 | The University Of Southern California | Organometallic platinum complexes for phosphorescence based organic light emitting devices |
US6939624B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Universal Display Corporation | Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence |
US6905784B2 (en) | 2000-08-22 | 2005-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4344494B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2009-10-14 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子及び新規重合体子 |
US6864628B2 (en) | 2000-08-28 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound |
US6893743B2 (en) * | 2000-10-04 | 2005-05-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device |
EP1349435B8 (en) * | 2000-11-30 | 2018-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescent element and display |
SG115435A1 (en) * | 2000-12-28 | 2005-10-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
TW545080B (en) * | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US20020093006A1 (en) * | 2001-01-16 | 2002-07-18 | Vardeny Z. Valy | Performance of organic light-emitting devices using spin-dependent processes |
TW518909B (en) * | 2001-01-17 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device and method of manufacturing same |
TW519770B (en) * | 2001-01-18 | 2003-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US20020139303A1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-10-03 | Shunpei Yamazaki | Deposition apparatus and deposition method |
SG118110A1 (en) * | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
US20030010288A1 (en) * | 2001-02-08 | 2003-01-16 | Shunpei Yamazaki | Film formation apparatus and film formation method |
TWI225312B (en) * | 2001-02-08 | 2004-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
TW550672B (en) * | 2001-02-21 | 2003-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Method and apparatus for film deposition |
SG118118A1 (en) * | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
JP4361273B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2009-11-11 | アメリカ合衆国 | 潜在的な血管形成阻害剤としてのサリドマイド類似体 |
WO2002071813A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | The Trustees Of Princeton University | Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices |
JP4438042B2 (ja) | 2001-03-08 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置 |
JP4307001B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置 |
AU2002306698A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-24 | The Trustees Of Princeton University | Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes |
KR100888424B1 (ko) * | 2001-05-16 | 2009-03-11 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 고효율 다칼라 전기 유기 발광 장치 |
JP2002352960A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Hitachi Ltd | 薄膜電界発光素子 |
CN101355141B (zh) | 2001-06-15 | 2012-02-29 | 佳能株式会社 | 有机电致发光元件 |
US6791258B2 (en) * | 2001-06-21 | 2004-09-14 | 3M Innovative Properties Company | Organic light emitting full color display panel |
US7034339B2 (en) * | 2001-08-09 | 2006-04-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL display device having host compound and phosphorescent luminous compound, and method of driving same |
KR100439648B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR100917347B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2009-09-16 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 금속 착물들을 포함하는 캐리어 블로킹층들을 갖는 유기발광 디바이스들 |
CN100511760C (zh) * | 2001-08-29 | 2009-07-08 | 普林斯顿大学理事会 | 具有含金属配合物的载流子传输层的有机发光元件 |
US6716656B2 (en) * | 2001-09-04 | 2004-04-06 | The Trustees Of Princeton University | Self-aligned hybrid deposition |
JP2003123968A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Univ Toyama | 有機電界発光素子の製造方法 |
JP3823312B2 (ja) * | 2001-10-18 | 2006-09-20 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
US6863997B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-03-08 | The Trustees Of Princeton University | White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission |
EP1353388B1 (en) | 2002-04-12 | 2010-03-17 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element |
US6653654B1 (en) | 2002-05-01 | 2003-11-25 | The University Of Hong Kong | Electroluminescent materials |
US6931132B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-08-16 | Harris Corporation | Secure wireless local or metropolitan area network and related methods |
DE10224021B4 (de) * | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP3902981B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2007-04-11 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子及び表示装置 |
US20030230980A1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-18 | Forrest Stephen R | Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure |
KR100483986B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-04-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 인광 재료의 혼합물을 발광 재료로 사용한 고분자 유기전계 발광 소자 |
US7332739B2 (en) * | 2002-06-20 | 2008-02-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device using mixture of phosphorescent material as light-emitting substance |
US20040097725A1 (en) | 2002-07-10 | 2004-05-20 | Norman Herron | Charge transport compositions and electronic devices made with such compositions |
US6784017B2 (en) * | 2002-08-12 | 2004-08-31 | Precision Dynamics Corporation | Method of creating a high performance organic semiconductor device |
DE60224267T2 (de) * | 2002-08-14 | 2009-01-08 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren zur Bestimmung der Temperatur eines Systems |
TW556446B (en) * | 2002-09-11 | 2003-10-01 | Opto Tech Corp | Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof |
US20040067324A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Lazarev Pavel I | Organic photosensitive optoelectronic device |
CN100449818C (zh) * | 2002-09-20 | 2009-01-07 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件 |
KR100650046B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2006-11-27 | 엘지전자 주식회사 | 고효율의 유기 전계 발광 소자 |
JP2006510231A (ja) * | 2002-12-13 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電界発光デバイス |
WO2004056839A1 (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 有機金属錯体および前記有機金属錯体を用いた電界発光素子、並びに前記電界発光素子を用いた発光装置 |
AU2003290341A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Elam-T Limited | Electroluminescent materials and devices |
JP2006520409A (ja) * | 2003-02-12 | 2006-09-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | カルバゾール化合物及び有機電界発光デバイスにおけるこのような化合物の使用 |
KR100501702B1 (ko) * | 2003-03-13 | 2005-07-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 디스플레이 장치 |
KR101314034B1 (ko) | 2003-03-24 | 2013-10-02 | 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 | Ir의 페닐-피라졸 착물 |
US20040199052A1 (en) | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Scimed Life Systems, Inc. | Endoscopic imaging system |
US7862906B2 (en) | 2003-04-09 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
US7029765B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-04-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage |
US20060099448A1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-05-11 | Zheng-Hong Lu | Top light-emitting devices with fullerene layer |
CN1781198A (zh) * | 2003-04-28 | 2006-05-31 | 吕正红 | 具有富勒烯层的发光器件 |
US8379736B2 (en) | 2003-05-30 | 2013-02-19 | Intellectual Ventures Holding 73 Llc | Ultra-wideband communication system and method |
US20050014019A1 (en) * | 2003-07-18 | 2005-01-20 | Ying Wang | Method of selecting a charge transport and/or anti-quenching material |
US20050025993A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Thompson Mark E. | Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices |
KR101246247B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2013-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치 |
KR100543003B1 (ko) * | 2003-09-15 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
WO2005029606A2 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US6881502B2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-19 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer |
US20050104510A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | General Electric Company | Organic light emitting device capable of white light emissions and method for making the same |
CN100364139C (zh) * | 2003-11-17 | 2008-01-23 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 红光稀土有机配合物电致发光器件的制备方法 |
KR20050050487A (ko) * | 2003-11-25 | 2005-05-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기 전계 발광 소자 |
KR100659530B1 (ko) * | 2003-11-26 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계발광소자 |
US7070867B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-07-04 | The University Of Southern California | OLEDs having n-type doping |
US20050123794A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-09 | Deaton Joseph C. | Organic electroluminescent devices |
US20050137459A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Scimed Life Systems, Inc. | Medical device with OLED illumination light source |
JP4408367B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2010-02-03 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
TWI230026B (en) * | 2003-12-31 | 2005-03-21 | Ritdisplay Corp | Organic electroluminescent material and organic electroluminescent device by using the same |
US20050158582A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
US20050164031A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Thompson Mark E. | Dual emitting dyads of heavy metal complexes as broad band emitters for organic LEDs |
US7151339B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-12-19 | Universal Display Corporation | OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer |
KR100657892B1 (ko) * | 2004-02-11 | 2006-12-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
US7045952B2 (en) * | 2004-03-04 | 2006-05-16 | Universal Display Corporation | OLEDs with mixed host emissive layer |
US7889774B2 (en) * | 2004-03-05 | 2011-02-15 | The Trustees Of Princeton University | Organic polariton laser |
US20050195873A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-08 | Forrest Stephen R. | Organic polariton laser |
US20050214575A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
US7361415B2 (en) * | 2004-04-16 | 2008-04-22 | The University Of Hong Kong | System and method for producing light with organic light-emitting devices |
US20050244672A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Chi-Ming Che | Organic light-emitting devices |
US7534505B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-05-19 | The University Of Southern California | Organometallic compounds for use in electroluminescent devices |
US7582365B2 (en) * | 2005-01-10 | 2009-09-01 | Universal Display Corporation | Reversibly reducible metal complexes as electron transporting materials for OLEDs |
US7393599B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-07-01 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
US7279704B2 (en) | 2004-05-18 | 2007-10-09 | The University Of Southern California | Complexes with tridentate ligands |
US7655323B2 (en) * | 2004-05-18 | 2010-02-02 | The University Of Southern California | OLEDs utilizing macrocyclic ligand systems |
US7445855B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-11-04 | The University Of Southern California | Cationic metal-carbene complexes |
US7598388B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-10-06 | The University Of Southern California | Carbene containing metal complexes as OLEDs |
US7601436B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-10-13 | The University Of Southern California | Carbene metal complexes as OLED materials |
US7491823B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-02-17 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
US7154114B2 (en) * | 2004-05-18 | 2006-12-26 | Universal Display Corporation | Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts |
KR100581539B1 (ko) * | 2004-06-07 | 2006-05-22 | (주)그라쎌 | 적색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는발광소자 |
US20060008670A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Chun Lin | Organic light emitting materials and devices |
US20060008671A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-12 | Raymond Kwong | Electroluminescent efficiency |
EP1763902B1 (en) | 2004-07-07 | 2018-08-29 | Universal Display Corporation | Stable and efficient electroluminescent materials |
US7709100B2 (en) | 2004-07-07 | 2010-05-04 | Universal Display Corporation | Electroluminescent efficiency |
US7316756B2 (en) | 2004-07-27 | 2008-01-08 | Eastman Kodak Company | Desiccant for top-emitting OLED |
US7540978B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
JP2008509565A (ja) | 2004-08-13 | 2008-03-27 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 発光成分用積層体 |
US20060042685A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Ying Wang | Electronic devices having a charge transport layer that has defined triplet energy level |
US9040170B2 (en) * | 2004-09-20 | 2015-05-26 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device with quinazoline complex emitter |
DE602004006275T2 (de) | 2004-10-07 | 2007-12-20 | Novaled Ag | Verfahren zur Dotierung von einem Halbleitermaterial mit Cäsium |
US20060088728A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Raymond Kwong | Arylcarbazoles as hosts in PHOLEDs |
KR100669757B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
DE102004054893A1 (de) * | 2004-11-12 | 2006-05-24 | Micronas Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Kanalfilterung analog oder digital modulierter TV-Signale |
US7776456B2 (en) * | 2004-12-03 | 2010-08-17 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making |
US20060125379A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Au Optronics Corporation | Phosphorescent organic optoelectronic structure |
CN101146814B (zh) * | 2005-03-01 | 2013-01-02 | 新加坡科技研究局 | 经溶液加工的有机金属配合物及其在电致发光器件中的用途 |
US7771845B2 (en) * | 2005-03-14 | 2010-08-10 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
EP1705727B1 (de) * | 2005-03-15 | 2007-12-26 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauelement |
TWI307250B (en) | 2005-03-23 | 2009-03-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent device |
US7683536B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-03-23 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs utilizing direct injection to the triplet state |
US20060251921A1 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-09 | Stephen Forrest | OLEDs utilizing direct injection to the triplet state |
US20060222886A1 (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-05 | Raymond Kwong | Arylpyrene compounds |
DE502005002218D1 (de) | 2005-04-13 | 2008-01-24 | Novaled Ag | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
US9070884B2 (en) | 2005-04-13 | 2015-06-30 | Universal Display Corporation | Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters |
US8057916B2 (en) * | 2005-04-20 | 2011-11-15 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with improved performance |
US7807275B2 (en) * | 2005-04-21 | 2010-10-05 | Universal Display Corporation | Non-blocked phosphorescent OLEDs |
US20060240281A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Eastman Kodak Company | Contaminant-scavenging layer on OLED anodes |
US9051344B2 (en) * | 2005-05-06 | 2015-06-09 | Universal Display Corporation | Stability OLED materials and devices |
US7902374B2 (en) * | 2005-05-06 | 2011-03-08 | Universal Display Corporation | Stability OLED materials and devices |
US7851072B2 (en) * | 2005-05-19 | 2010-12-14 | Universal Display Corporation | Stable and efficient electroluminescent materials |
DE502005009415D1 (de) * | 2005-05-27 | 2010-05-27 | Novaled Ag | Transparente organische Leuchtdiode |
EP2045843B1 (de) * | 2005-06-01 | 2012-08-01 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
US7474048B2 (en) * | 2005-06-01 | 2009-01-06 | The Trustees Of Princeton University | Fluorescent filtered electrophosphorescence |
EP1739765A1 (de) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
US8148891B2 (en) * | 2005-10-04 | 2012-04-03 | Universal Display Corporation | Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs |
US8956738B2 (en) * | 2005-10-26 | 2015-02-17 | Global Oled Technology Llc | Organic element for low voltage electroluminescent devices |
US20070103066A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | D Andrade Brian W | Stacked OLEDs with a reflective conductive layer |
US8021763B2 (en) * | 2005-11-23 | 2011-09-20 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent OLED with interlayer |
US20070122657A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device containing a phenanthroline derivative |
US9666826B2 (en) * | 2005-11-30 | 2017-05-30 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
EP1806795B1 (de) * | 2005-12-21 | 2008-07-09 | Novaled AG | Organisches Bauelement |
US7977862B2 (en) * | 2005-12-21 | 2011-07-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
EP1804309B1 (en) * | 2005-12-23 | 2008-07-23 | Novaled AG | Electronic device with a layer structure of organic layers |
EP1804308B1 (en) * | 2005-12-23 | 2012-04-04 | Novaled AG | An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other |
US7645525B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-01-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
EP1808909A1 (de) * | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
CN101371619B (zh) * | 2006-01-18 | 2013-11-13 | Lg化学株式会社 | 具有堆叠式有机发光单元的oled |
EP2987450B1 (en) | 2006-02-07 | 2019-06-05 | Boston Scientific Limited | Medical device light source |
EP1981898B2 (en) | 2006-02-10 | 2019-04-10 | Universal Display Corporation | Metal complexes of imidazo[1,2-f]phenanthridine ligands for use in OLED devices |
US20070207345A1 (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device including gallium complexes |
CN101454921B (zh) | 2006-04-13 | 2012-05-23 | 南加利福尼亚大学 | 使用邻苯二甲酰亚胺化合物的有机电子器件 |
EP1848049B1 (de) * | 2006-04-19 | 2009-12-09 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauelement |
US8008856B2 (en) * | 2006-04-19 | 2011-08-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting devices with agent to increase the fraction of excitons formed as a singlet |
US8330351B2 (en) * | 2006-04-20 | 2012-12-11 | Universal Display Corporation | Multiple dopant emissive layer OLEDs |
US20070247061A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Vadim Adamovich | Multiple dopant emissive layer OLEDs |
EP2016633A1 (en) | 2006-05-08 | 2009-01-21 | Eastman Kodak Company | Oled electron-injecting layer |
US7724796B2 (en) * | 2006-08-29 | 2010-05-25 | The Trustees Of Princeton University | Organic laser |
US7598381B2 (en) * | 2006-09-11 | 2009-10-06 | The Trustees Of Princeton University | Near-infrared emitting organic compounds and organic devices using the same |
US7800295B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-09-21 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having a microcavity |
DE102006046196A1 (de) | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtmittel |
GB2442724B (en) * | 2006-10-10 | 2009-10-21 | Cdt Oxford Ltd | Light emissive device |
DE102006059509B4 (de) * | 2006-12-14 | 2012-05-03 | Novaled Ag | Organisches Leuchtbauelement |
DE102007019260B4 (de) * | 2007-04-17 | 2020-01-16 | Novaled Gmbh | Nichtflüchtiges organisches Speicherelement |
US7993763B2 (en) * | 2007-05-10 | 2011-08-09 | Universal Display Corporation | Organometallic compounds having host and dopant functionalities |
US20080284318A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds |
US20080284317A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Liang-Sheng Liao | Hybrid oled having improved efficiency |
WO2008144549A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Organic light emitting devices |
JP5127300B2 (ja) | 2007-05-28 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | フルオレン化合物及びそれを用いた有機発光素子並びに表示装置 |
JP5053713B2 (ja) | 2007-05-30 | 2012-10-17 | キヤノン株式会社 | リン光発光材料、それを用いた有機電界発光素子及び画像表示装置 |
KR100858824B1 (ko) * | 2007-05-31 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
US9023490B2 (en) | 2007-06-15 | 2015-05-05 | Versitech Limited | Extended pi-conjugated platinum (II) complexes |
JP5008470B2 (ja) | 2007-06-18 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 有機電界発光素子 |
WO2008156879A1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Universal Display Corporation | Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials |
KR102189768B1 (ko) | 2007-08-08 | 2020-12-14 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 인광성 발광 다이오드의 단일 트리페닐렌 발색단 |
JP2009076865A (ja) | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
EP2193112B1 (en) * | 2007-09-20 | 2012-04-04 | Basf Se | Electroluminescent device |
JP5438941B2 (ja) | 2007-09-25 | 2014-03-12 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
US8067100B2 (en) * | 2007-10-04 | 2011-11-29 | Universal Display Corporation | Complexes with tridentate ligands |
US8383249B2 (en) * | 2007-10-04 | 2013-02-26 | Universal Display Corporation | Complexes with tridentate ligands |
US20090091242A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Liang-Sheng Liao | Hole-injecting layer in oleds |
CN101170852B (zh) * | 2007-11-14 | 2010-05-19 | 电子科技大学 | 一种具有超薄层结构的有机电致发光器件 |
JP5489446B2 (ja) | 2007-11-15 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
US7982216B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-07-19 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same |
JP5438955B2 (ja) | 2007-12-14 | 2014-03-12 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 白金錯体化合物及びこれを用いた有機電界発光素子 |
US20090162612A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Hatwar Tukaram K | Oled device having two electron-transport layers |
WO2009108408A2 (en) * | 2008-01-14 | 2009-09-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid solar concentrator |
JP5243972B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-07-24 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
CN102017214B (zh) * | 2008-03-19 | 2014-03-19 | 密执安州立大学董事会 | 用于红外探测的有机薄膜 |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
KR100924145B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2009-10-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
US8324800B2 (en) * | 2008-06-12 | 2012-12-04 | Global Oled Technology Llc | Phosphorescent OLED device with mixed hosts |
DE102008036062B4 (de) | 2008-08-04 | 2015-11-12 | Novaled Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor |
DE102008036063B4 (de) * | 2008-08-04 | 2017-08-31 | Novaled Gmbh | Organischer Feldeffekt-Transistor |
US8247088B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-08-21 | Global Oled Technology Llc | Emitting complex for electroluminescent devices |
JP5329342B2 (ja) | 2008-09-01 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
EP2161272A1 (en) | 2008-09-05 | 2010-03-10 | Basf Se | Phenanthrolines |
CN103094490B (zh) | 2008-09-25 | 2016-03-09 | 通用显示公司 | 有机硒物质及其在有机发光装置中的用途 |
EP2345096B1 (en) | 2008-10-28 | 2018-10-17 | The Regents of the University of Michigan | Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements |
JP2010153820A (ja) | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP4775865B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2011-09-21 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
US20100139749A1 (en) * | 2009-01-22 | 2010-06-10 | Covalent Solar, Inc. | Solar concentrators and materials for use therein |
JP2010182449A (ja) | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置 |
JP2010186723A (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Fujifilm Corp | 有機el装置及びその製造方法 |
JP2010232163A (ja) | 2009-03-03 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ |
JP2010205650A (ja) | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置 |
EP2413663A1 (en) | 2009-03-27 | 2012-02-01 | FUJIFILM Corporation | Coating solution for organic electroluminescent element |
DE102009018647A1 (de) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
US20100314994A1 (en) * | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Chi Ming Che | Platinum (II) Isoqulinoline-Pyridine-Benzene Based Complexes, Methods for Making Same, and Organic Light-Emitting Diodes Including Such Complexes |
KR101761223B1 (ko) | 2009-06-18 | 2017-07-25 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 전계 발광 소자를 위한 정공 수송 물질로서의 페난트로아졸 화합물 |
KR101235776B1 (ko) | 2009-07-31 | 2013-02-21 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 디바이스용 증착 재료 및 유기 디바이스의 제조 방법 |
JP5779318B2 (ja) | 2009-08-31 | 2015-09-16 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
JP2011060549A (ja) | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機el装置用光学部材及び有機el装置 |
JP5473506B2 (ja) | 2009-09-14 | 2014-04-16 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | カラーフィルタ及び発光表示素子 |
JP5657243B2 (ja) | 2009-09-14 | 2015-01-21 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | カラーフィルタ及び発光表示素子 |
JP2011100944A (ja) | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP2011121876A (ja) | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Canon Inc | 新規イリジウム錯体とそれを有する有機発光素子 |
WO2011093392A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 住友化学株式会社 | 発光性組成物、及びそれを用いた発光素子 |
JP5618753B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2014-11-05 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
JP2013201153A (ja) * | 2010-06-08 | 2013-10-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8673458B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-03-18 | Universal Display Corporation | Delayed fluorescence OLED |
WO2012013271A1 (de) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Merck Patent Gmbh | Organische elektrolumineszenzvorrichtung |
US20120049168A1 (en) | 2010-08-31 | 2012-03-01 | Universal Display Corporation | Cross-Linked Charge Transport Layer Containing an Additive Compound |
MX344784B (es) | 2010-09-29 | 2017-01-06 | Basf Se | Elemento de seguridad. |
JP6016247B2 (ja) | 2010-10-07 | 2016-10-26 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 電子適用のためのフェナントロ[9,10−b]フラン |
US9079872B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-07-14 | Basf Se | Phenanthro[9, 10-B]furans for electronic applications |
GB2485001A (en) * | 2010-10-19 | 2012-05-02 | Cambridge Display Tech Ltd | OLEDs |
JP5677035B2 (ja) | 2010-11-04 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | キサントン化合物およびそれを有する有機発光素子 |
CN103347887A (zh) | 2010-12-02 | 2013-10-09 | 宇部兴产株式会社 | 双核金属络合物及含有其的有机电致发光元件 |
US8940411B2 (en) | 2011-04-25 | 2015-01-27 | General Electric Company | Materials for optoelectronic devices |
US9105860B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-08-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode |
US9023420B2 (en) | 2011-07-14 | 2015-05-05 | Universal Display Corporation | Composite organic/inorganic layer for organic light-emitting devices |
JP2013093541A (ja) | 2011-10-06 | 2013-05-16 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子とそれに用いることができる化合物および有機電界発光素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
JP2013084732A (ja) | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子及び該素子用発光材料並びに発光装置、表示装置及び照明装置 |
JP2013118349A (ja) | 2011-11-02 | 2013-06-13 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子、有機電界発光素子用材料並びに該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
JP5913938B2 (ja) | 2011-11-30 | 2016-05-11 | 富士フイルム株式会社 | 光拡散性転写材料、光拡散層の形成方法、及び有機電界発光装置の製造方法 |
DE102011089687A1 (de) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Hartmut Yersin | Singulett-Harvesting mit speziellen organischen Molekülen ohne Metallzentren für opto-elektronische Vorrichtungen |
JP5981770B2 (ja) | 2012-01-23 | 2016-08-31 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、有機電界発光素子用電荷輸送材料、並びに、該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
JP6118034B2 (ja) | 2012-02-06 | 2017-04-19 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子とそれに用いることができる化合物および有機電界発光素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
US20130240850A1 (en) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultra-high efficiency (125%) phosphorescent organic light emitting diodes using singlet fission |
US9859517B2 (en) | 2012-09-07 | 2018-01-02 | Nitto Denko Corporation | White organic light-emitting diode |
US10957870B2 (en) | 2012-09-07 | 2021-03-23 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device |
KR101965910B1 (ko) * | 2012-10-30 | 2019-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
US9653691B2 (en) * | 2012-12-12 | 2017-05-16 | Universal Display Corporation | Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system |
KR101293690B1 (ko) | 2013-06-14 | 2013-08-06 | 한국해양과학기술원 | 알지비 센서를 이용한 수질측정용 광센서장치 |
US9385348B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-07-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic electronic devices with multiple solution-processed layers |
WO2015031862A1 (en) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic electronic devices with multiple solution-processed layers |
US9666822B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-05-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management |
WO2015134017A1 (en) | 2014-03-05 | 2015-09-11 | Universal Display Corporation | Phosphorescent oled devices |
EP3140871B1 (en) | 2014-05-08 | 2018-12-26 | Universal Display Corporation | Stabilized imidazophenanthridine materials |
WO2016029137A1 (en) * | 2014-08-22 | 2016-02-25 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters |
KR102353647B1 (ko) | 2014-08-29 | 2022-01-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
EP3216066B1 (en) * | 2014-11-05 | 2021-05-26 | Okinawa Institute of Science and Technology School Corporation | Doping engineered hole transport layer for perovskite-based device |
FR3032970B1 (fr) | 2015-02-23 | 2017-03-31 | Centre Nat Rech Scient | Materiaux moleculaires emissifs photopolymerisables |
KR102584846B1 (ko) | 2015-05-05 | 2023-10-04 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 유기 전계발광 재료 및 디바이스 |
US10818853B2 (en) | 2015-06-04 | 2020-10-27 | University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US10665803B2 (en) * | 2016-04-22 | 2020-05-26 | The Trusteees Of Princeton University | Solid-state organic intermediate-band photovoltaic devices |
KR102250191B1 (ko) | 2017-03-06 | 2021-05-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
US11283238B2 (en) | 2017-11-14 | 2022-03-22 | The Penn State Research Foundation | Charged polaron-polaritons in an organic semiconductor microcavity |
EP3492480B1 (en) | 2017-11-29 | 2021-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP7255499B2 (ja) | 2018-01-17 | 2023-04-11 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US12029055B2 (en) | 2018-01-30 | 2024-07-02 | The University Of Southern California | OLED with hybrid emissive layer |
KR20200052208A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US11594691B2 (en) | 2019-01-25 | 2023-02-28 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters |
US11812624B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-11-07 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US11780829B2 (en) * | 2019-01-30 | 2023-10-10 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
US12082428B2 (en) * | 2019-03-12 | 2024-09-03 | Universal Display Corporation | OLED with triplet emitter and excited state lifetime less than 200 ns |
JP2022527591A (ja) | 2019-04-11 | 2022-06-02 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料 |
KR102700520B1 (ko) | 2019-06-13 | 2024-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US20210040129A1 (en) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN112341498B (zh) * | 2019-08-08 | 2024-09-10 | 环球展览公司 | 有机电致发光材料和装置 |
CN110518137B (zh) * | 2019-08-30 | 2022-04-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 有机电致发光器件、阵列基板及显示面板 |
WO2021089450A1 (en) | 2019-11-04 | 2021-05-14 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
TW202134252A (zh) | 2019-11-12 | 2021-09-16 | 德商麥克專利有限公司 | 有機電致發光裝置用材料 |
KR20210096495A (ko) | 2020-01-28 | 2021-08-05 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 소자 |
US20220348596A1 (en) * | 2020-02-28 | 2022-11-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230337537A1 (en) | 2020-03-23 | 2023-10-19 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
WO2022129116A1 (de) | 2020-12-18 | 2022-06-23 | Merck Patent Gmbh | Indolo[3.2.1-jk]carbazole-6-carbonitril-derivate als blau fluoreszierende emitter zur verwendung in oleds |
WO2022129114A1 (de) | 2020-12-18 | 2022-06-23 | Merck Patent Gmbh | Stickstoffhaltige verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
EP4263746A1 (de) | 2020-12-18 | 2023-10-25 | Merck Patent GmbH | Stickstoffhaltige heteroaromaten für organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
US20240246983A1 (en) | 2021-04-30 | 2024-07-25 | Merck Patent Gmbh | Nitrogenous heterocyclic compounds for organic electroluminescent devices |
EP4402221A1 (de) | 2021-09-14 | 2024-07-24 | Merck Patent GmbH | Borhaltige, heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
KR20240091021A (ko) | 2021-10-27 | 2024-06-21 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전계발광 디바이스용 붕소 및 질소 복소환 화합물 |
CN118696106A (zh) | 2022-02-23 | 2024-09-24 | 默克专利有限公司 | 用于有机电致发光器件的含氮杂环化合物 |
CN118647622A (zh) | 2022-02-23 | 2024-09-13 | 默克专利有限公司 | 用于有机电致发光器件的芳族杂环 |
CN115605036A (zh) * | 2022-09-15 | 2023-01-13 | 京东方科技集团股份有限公司(Cn) | 发光器件、显示面板及其制造方法、显示装置 |
WO2024105066A1 (en) | 2022-11-17 | 2024-05-23 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
WO2024204730A1 (ja) * | 2023-03-29 | 2024-10-03 | 株式会社カネカ | 有機el照明デバイス |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11256418A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Free Ride:Kk | ヘルメットの衝撃吸収ライナ及びヘルメット |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0390551B1 (en) * | 1989-03-31 | 1996-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
DE4428450A1 (de) * | 1994-08-11 | 1996-02-15 | Philips Patentverwaltung | Organisches, elektrolumineszentes Bauteil |
US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US6091382A (en) * | 1995-12-30 | 2000-07-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device for performing display operation in accordance with signal light and driving method therefor |
US5811834A (en) * | 1996-01-29 | 1998-09-22 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted |
US6259202B1 (en) | 1996-06-12 | 2001-07-10 | The Trustees Of Princeton University | Plasma treatment of conductive layers |
EP0958617A1 (en) | 1996-06-12 | 1999-11-24 | The Trustees Of Princeton University | Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays |
DE19625993A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Organisches elektrolumineszentes Bauteil mit Ladungstransportschicht |
US6048630A (en) | 1996-07-02 | 2000-04-11 | The Trustees Of Princeton University | Red-emitting organic light emitting devices (OLED's) |
US5844363A (en) | 1997-01-23 | 1998-12-01 | The Trustees Of Princeton Univ. | Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices |
US6045930A (en) | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | Materials for multicolor light emitting diodes |
US6125226A (en) | 1997-04-18 | 2000-09-26 | The Trustees Of Princeton University | Light emitting devices having high brightness |
US5986401A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-16 | The Trustee Of Princeton University | High contrast transparent organic light emitting device display |
US5861219A (en) | 1997-04-15 | 1999-01-19 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting devices containing a metal complex of 5-hydroxy-quinoxaline as a host material |
US6046543A (en) | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same |
US5811833A (en) | 1996-12-23 | 1998-09-22 | University Of So. Ca | Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals |
US6091195A (en) | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
US6013982A (en) | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
US5834893A (en) | 1996-12-23 | 1998-11-10 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency organic light emitting devices with light directing structures |
US5917280A (en) | 1997-02-03 | 1999-06-29 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic light emitting devices |
US5757139A (en) | 1997-02-03 | 1998-05-26 | The Trustees Of Princeton University | Driving circuit for stacked organic light emitting devices |
JPH10231476A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機el素子 |
US6111902A (en) | 1997-05-09 | 2000-08-29 | The Trustees Of Princeton University | Organic semiconductor laser |
US6160828A (en) | 1997-07-18 | 2000-12-12 | The Trustees Of Princeton University | Organic vertical-cavity surface-emitting laser |
US5932895A (en) | 1997-05-20 | 1999-08-03 | The Trustees Of Princeton University | Saturated full color stacked organic light emitting devices |
US6013429A (en) * | 1998-02-27 | 2000-01-11 | Eastman Kodak Company | Photographic element with new singlet oxygen quenchers |
US6097147A (en) | 1998-09-14 | 2000-08-01 | The Trustees Of Princeton University | Structure for high efficiency electroluminescent device |
US6310360B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
-
1999
- 1999-07-21 US US09/358,731 patent/US6310360B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-20 CN CNB008105626A patent/CN1221040C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-20 KR KR1020027000870A patent/KR100858274B1/ko active IP Right Grant
- 2000-07-20 JP JP2001512642A patent/JP4571359B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-20 WO PCT/US2000/019738 patent/WO2001008230A1/en active Application Filing
- 2000-07-20 AT AT00947554T patent/ATE522939T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-07-20 EP EP00947554A patent/EP1204994B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-20 AU AU61138/00A patent/AU6113800A/en not_active Abandoned
-
2001
- 2001-07-25 US US09/915,130 patent/US6515298B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-31 US US10/355,316 patent/US6894307B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11256418A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Free Ride:Kk | ヘルメットの衝撃吸収ライナ及びヘルメット |
Cited By (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050483A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | Showa Denko Kk | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光材料 |
JP2003068466A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-07 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2003086376A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよびその製造方法 |
JP2008028408A (ja) * | 2001-11-08 | 2008-02-07 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 赤色有機発光素子 |
JPWO2004060026A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2006-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機発光素子 |
US8026660B2 (en) | 2002-12-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting element and a light emitting device using the same |
US8624484B2 (en) | 2002-12-26 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
US8786184B2 (en) | 2002-12-26 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
JP4519652B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2010-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機発光素子 |
US9048398B2 (en) | 2002-12-26 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
US9385339B2 (en) | 2002-12-26 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
US8609259B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-12-17 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent device and platinum compound |
US8257838B2 (en) | 2003-05-09 | 2012-09-04 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device and platinum compound |
US10153444B2 (en) | 2003-06-02 | 2018-12-11 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent devices and metal complex compounds |
US10396299B2 (en) | 2003-06-02 | 2019-08-27 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent devices and metal complex compounds |
US11393989B2 (en) | 2003-06-02 | 2022-07-19 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent devices and metal complex compounds |
US8940415B2 (en) | 2003-06-02 | 2015-01-27 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent devices and metal complex compounds |
US8211553B2 (en) | 2003-06-02 | 2012-07-03 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent devices and metal complex compounds |
JP2005071986A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005116520A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US8048535B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-11-01 | Fujifiilm Corporation | Electroluminescent device |
WO2005029923A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electroluminescent device |
JP4521182B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2005190949A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005228733A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-08-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
US8105701B2 (en) | 2004-02-13 | 2012-01-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US8470455B2 (en) | 2004-02-13 | 2013-06-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2005267982A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JPWO2005091684A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2008-02-07 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005310766A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005310547A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006066562A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Japan Science & Technology Agency | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7947383B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-05-24 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
US8202631B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device |
JP2006128632A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
JP2006140182A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP4496948B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2010-07-07 | 株式会社豊田自動織機 | 有機el素子 |
JP2006172762A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toyota Industries Corp | 有機el素子 |
JP2012043812A (ja) * | 2005-05-20 | 2012-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
JP2006351523A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、および発光素子の作製方法 |
JP2008543086A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 燐光発光ダイオードにおけるトリフェニレンホスト |
JP2007036157A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el素子、有機el表示装置、及び有機el素子の製造方法 |
US7608993B2 (en) | 2005-09-05 | 2009-10-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Blue organic electroluminescent device comprising dopants having ultraviolet and visible luminescent properties |
WO2007029426A1 (ja) | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2013179088A (ja) * | 2006-06-05 | 2013-09-09 | Trustees Of Princeton Univ | りん光増感蛍光発光層を有する有機発光装置 |
JP2008053229A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2015015261A (ja) * | 2006-10-27 | 2015-01-22 | ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア | 白色発光oledのために一重項及び三重項励起子を効率的に捕獲するための物質及び構造 |
JP2010507922A (ja) * | 2006-10-27 | 2010-03-11 | ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア | 白色発光oledのために一重項及び三重項励起子を効率的に捕獲するための物質及び構造 |
US8187729B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-05-29 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
JP2009094124A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8216698B2 (en) | 2008-04-22 | 2012-07-10 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device, novel platinum complex compound and novel compound capable of being a ligand thereof |
US8153278B2 (en) | 2008-04-24 | 2012-04-10 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
US8810125B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US8274214B2 (en) | 2008-09-01 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
JP2013533626A (ja) * | 2010-06-29 | 2013-08-22 | シノーラ ゲエムベーハー | 光電子デバイスのための有機分子による一重項捕獲 |
JPWO2014157610A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-02-16 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
JP2015179817A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-10-08 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US11450817B2 (en) | 2013-08-14 | 2022-09-20 | Kyulux, Inc. | Organic electroluminescent device |
US11944010B2 (en) | 2013-08-14 | 2024-03-26 | Kyulux, Inc. | Organic electroluminescent device |
WO2015022974A1 (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-19 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US10862047B2 (en) | 2013-08-14 | 2020-12-08 | Kyushu University, National University Corporation | Organic electroluminescent device |
US11049908B2 (en) | 2013-08-26 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
JP2019054261A (ja) * | 2013-08-26 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US11825718B2 (en) | 2013-08-26 | 2023-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
KR102491669B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2023-01-26 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 매우 짧은 감쇠 시간을 갖는 고효율 oled 장치 |
US11075346B2 (en) | 2013-12-20 | 2021-07-27 | Udc Ireland Limited | Highly efficient OLED devices with very short decay times |
JP2017502516A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-01-19 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 非常に短い減衰時間を有する高効率のoledデバイス |
US11765967B2 (en) | 2013-12-20 | 2023-09-19 | Udc Ireland Limited | Highly efficient OLED devices with very short decay times |
KR20210061470A (ko) * | 2013-12-20 | 2021-05-27 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 매우 짧은 감쇠 시간을 갖는 고효율 oled 장치 |
JP2017533593A (ja) * | 2014-10-30 | 2017-11-09 | 中国科学院長春応用化学研究所 | 赤色有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2018524803A (ja) * | 2015-06-03 | 2018-08-30 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なoledデバイス |
JP2020102633A (ja) * | 2015-06-03 | 2020-07-02 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なoledデバイス |
JP2017152585A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用材料及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JPWO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2019-10-17 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPWO2018186101A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2020-03-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2018186101A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US11690238B2 (en) | 2017-10-27 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
US12048176B2 (en) | 2017-10-27 | 2024-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030178619A1 (en) | 2003-09-25 |
KR100858274B1 (ko) | 2008-09-11 |
US6310360B1 (en) | 2001-10-30 |
US6515298B2 (en) | 2003-02-04 |
JP4571359B2 (ja) | 2010-10-27 |
US20020008233A1 (en) | 2002-01-24 |
EP1204994A4 (en) | 2006-11-15 |
CN1402885A (zh) | 2003-03-12 |
AU6113800A (en) | 2001-02-13 |
ATE522939T1 (de) | 2011-09-15 |
EP1204994A1 (en) | 2002-05-15 |
KR20020059337A (ko) | 2002-07-12 |
CN1221040C (zh) | 2005-09-28 |
EP1204994B1 (en) | 2011-08-31 |
WO2001008230A1 (en) | 2001-02-01 |
US6894307B2 (en) | 2005-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4571359B2 (ja) | 有機発光素子で励起子を効果的に利用するための項間交差剤 | |
KR100934420B1 (ko) | 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치 | |
US6458475B1 (en) | Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter | |
US7901795B2 (en) | OLEDs doped with phosphorescent compounds | |
US6451455B1 (en) | Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties | |
US6645645B1 (en) | Phosphorescent organic light emitting devices | |
CN101584057B (zh) | 用于发白光oled的单重态和三重态激子的有效捕获的材料和构造 | |
JP2003526876A5 (ja) | ||
KR20080027968A (ko) | 인광성 유기금속화합물을 포함하는 유기 발광 장치 | |
JP2004515895A5 (ja) | ||
JP2001307884A (ja) | 発光素子 | |
JP2001297881A (ja) | 発光素子 | |
Suzuki et al. | White light emission from polymer light-emitting devices based on blue and red phosphorescent polymers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060502 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060508 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100318 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100713 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100812 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4571359 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |