JP2018524803A - 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス - Google Patents

減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2018524803A
JP2018524803A JP2017562714A JP2017562714A JP2018524803A JP 2018524803 A JP2018524803 A JP 2018524803A JP 2017562714 A JP2017562714 A JP 2017562714A JP 2017562714 A JP2017562714 A JP 2017562714A JP 2018524803 A JP2018524803 A JP 2018524803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorescent
mass
luminescent
light emitting
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017562714A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6662913B2 (ja
Inventor
クリスティアン・レンナルツ
ファルク・マイ
ハンナ・シュテファニエ・マンゴルト
ミンル・ジャン
グラウコ・バッタグリアリン
イローナ・シュテンゲル
トーマス・ウェスリー・ホルコム
シュテファン・メッツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UDC Ireland Ltd
Original Assignee
UDC Ireland Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by UDC Ireland Ltd filed Critical UDC Ireland Ltd
Publication of JP2018524803A publication Critical patent/JP2018524803A/ja
Priority to JP2020022320A priority Critical patent/JP6974519B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6662913B2 publication Critical patent/JP6662913B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H10K50/121—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants for assisting energy transfer, e.g. sensitization
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/135—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising mobile ions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/188—Metal complexes of other metals not provided for in one of the previous groups
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本発明は、(a)アノードと、(i)カソードと、(e)一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差が0.2eVより小さい[ΔES1(X))-(ET1(X))<0.2eV]発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95質量%、蛍光発光体Yを0.05から5.00質量%、及びホスト化合物を0から59.94質量%含む、アノードとカソードの間の発光層であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になり、発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギー(ES1(X))は、蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい[(ES1(X))>ES1(Y)]発光層とを含む有機発光デバイスに関する。例えば、小さいS1-T1分離を有する発光性有機金属錯体を含有する発光層に、蛍光発光体をドープすることにより、エネルギー移動はきわめて効率的になるため、外部量子効率(EQE)を犠牲にすることなく、発光減衰時間を顕著に短くすることができる。

Description

本発明は、(a)アノードと、(i)カソードと、(e)一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差[Δ(ES1(X))-(ET1(X))<0.2eV]が0.2eVより小さい発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95質量%、蛍光発光体Yを0.05から5.00質量%、及びホスト化合物を0から59.94質量%含む、アノードとカソードの間の発光層であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になり、発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギー(ES1(X))は、蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい[(ES1(X))>ES1(Y)]、発光層とを含む有機発光デバイスに関する。
EP1705727Aでは、量子効率が、本来、蛍光青色発光の直接発光の25%に限定されるにもかかわらず、使用される少なくとも1種のリン光発光体の三重項エネルギーより高い三重項エネルギーを有する蛍光青色発光体を使用することで、白色光OLEDの全体の効率は100%に達し得ると概念が記載されている。青色発光層を経た、無放射性三重項励起の、リン光発光体を含有する更なる発光層への拡散により、及び後続の発熱エネルギー移動により、青色発光体の三重項励起は、発光に使用され得る。最後に、この場合には、蛍光成分からリン光成分への移動について記載されている。
WO0108230は、発光層を含む、ルミネッセンスを生成するためのヘテロ構造を含む有機発光デバイス(OLED)に関し、
発光層は、導電性のホスト物質、及び、蛍光発光分子、例えば、前記ホスト物質にドーパントとして存在するDCM2の組合せであり、発光分子は、ヘテロ構造を通して電圧がかけられた場合にルミネッセンスに適合し、
ヘテロ構造は、項間交差分子、例えば、Ir(ppy)3を含み、これは、発光スペクトルが発光分子の吸収スペクトルに実質的に重複する効率的なリン光体である。
図1では、OLEDは、CBP(89%)及びIr(ppy)3(11%)及びCBP(99%)及びDCM2(1%)の薄層(5×)を、それぞれ互い違いにして示されている。
WO2008131750は、有機発光デバイスについて開示しており、発光層は、青又は青緑スペクトル光を主に発光する少なくとも1種の蛍光発光体、及び主に青色ではないスペクトル光で発光する少なくとも1種のリン光発光体を含む。観察された量子効率におけるわずかな低下は、以下のように説明される:三重項励起の多大な蓄積が、蛍光発光層に必須の高い電流密度で生成され、効率のいわゆる「ロールオフ」効果を引き起こすという問題は、1種又はすべての蛍光発光体にこのように形成される三重項は、リン光発光体に直接移動し、三重項-三重項蓄積が生じ得ないので、1種又は複数のリン光発光体の直接的混和により解決される。
US2011108769(WO2010006681)は、いわゆる「一重項ハーベスト」プロセスを提示している。T1状態は、三重項ハーベスト収集の既に公知の効果により占められ、及び通常のT1→S0のリン光が生じるが、好ましくない長い発光寿命を有する。US2011108769に従っての使用について提示されている錯体化合物は、一重項S1及び三重項T1の間のきわめて小さいエネルギー分離ΔEを有する。このケースでは、最初に、きわめて効率的に占有されるT1状態からS1状態へのきわめて効率的な熱的再占有は、室温で発生し得る。記載されている熱的再占有プロセスは、短寿命S1状態から素早い発光チャネルを開き、すべての寿命は顕著に短縮される。
US2011057171は、有機発光デバイスに関し、内部界面を有する発光層を有するデバイスが提供される。第2の有機層における第2のリン光材料の濃度は、第1の有機層における第1のリン光材料の濃度と異なり、界面を生み出す。US2011057171の図6は、基材610、アノード615、第3の有機層620、第1の有機層630及び第2の有機層640を有する発光層、正孔遮断層650、電子輸送層660、及びカソード670を含む有機発光デバイスを示している。第3の有機層620、正孔遮断層650及び電子輸送層660は、任意である。第1の有機層におけるリン光物質の濃度は、3〜50質量パーセントである。第1の有機層における非発光材料の濃度は、10〜97質量パーセントである。第2の有機層640は、第1の有機層630及びカソードの間に配置されており、第1の有機層630と直接接触している。第2の有機層640は、第1のリン光物質及び第1の有機層の非発光材料を含む。第2の層における第1のリン光物質の濃度は、3〜25質量パーセントである。第2の有機層における非発光材料の濃度は、10〜90質量パーセントである。第1の有機層630及び第2の有機層640の両方は、濃度0.1〜12質量パーセント存在するより低いエネルギーの発光材料を含み得る。
M. A. Baldoら、Nature 403(2000年)、750は、蛍光色素を励起するためにリン光性増感剤を使用している。リン光性及び蛍光性分子種の間のエネルギー結合のための機構は、長期間の無放射性のエネルギーであり:蛍光性の内部効率は、100%ほどの高さになり得る。M. A. Baldoら、Nature 403(2000年)、750の図1においては、以下の構造:ガラス基材/インジウムスズ酸化物(アノード)/N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジアミン(TPD、正孔輸送層)/10% Ir(ppy)3/CBP及び1% DCM2/CBPの10回交互層/2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1 ,10-フェナントロリン(BCP、遮断層)/トリス-(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3、電子輸送層)/Mg/Ag(カソード)を有する有機発光デバイスが示されている。分子間エネルギー移動は、供与体のT1状態からの緩やかな移動速度が優位を占める(図1a)。項間交差はきわめて速い(約f秒)ので、一重項状態も最後はT1状態になり、したがって、部分的に禁制の性質のため、移動速度が限定される。増感したエレクトロルミネッセンス(EL)減衰時間は、およそ100nsと測定されている。デバイスにおけるEL減衰時間の測定は、二次的プロセス、例えば電荷輸送(電荷移動度に応じて)、捕捉プロセス及び容量プロセスにより妨げられ、これにより、発光体種の励起状態の放射性減衰時間、とりわけ、200nsに等しい、又はそれより小さい範囲でひずみが生じる。したがって、EL減衰動力学の測定は、本発明における発光減衰時間の測定に有益ではない。
M. A. Baldoら、APPLIED PHYSICS LETTERS 79(2001年)は、蛍光ルモフォアとして[2-メチル-6-[2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イル]エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン]プロパン-ジニトリル(DCM2)と、4,4'-N,N'-ジカルバゾール-ビフェニルホスト中に共ドープされた緑色電子リン光性増感剤であるfac-トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)を用いる、高効率の黄色有機発光デバイス(OLED)について報告している。このデバイスは、それぞれ9%±1%(25cd/A)及び0.01mA/cm2で17±2lm/Wのピーク外部蛍光量子及び電力効率を呈する。蛍光色素の例外的に高い性能は、二重にドープされたホストにおける一重項及び三重項励起状態のいずれも、増感剤としてIr(ppy)3を使用した蛍光材料へとほぼ100%の効率で移動するためである。
X. Zhuら、Journal of Luminescence 132(2012年)12〜15頁は、様々なルブレン濃度を有するPVKベースの単一層リン光性ポリマーOLED(有機発光ダイオード)について開示している。製造されたデバイスの構造は:ITO/PEDOT:PSS/PVK+FIr-pic(ビス[(4,6-ジフルオロフェニル)-ピリジナト-N,C2](ピコリネート)イリジウム(III))+ルブレン(5,6,11,12-テトラフェニルナフタセン)+OXD7/LiF/Alであった。PVK(ポリ(N-ビニルカルバゾール))は、正孔輸送性ホストポリマーとして使用され、OXD7(3-ビス(4-t-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾイル)フェニレン)は、電子輸送性部分として使用される。PVK:OXD7の質量比は2.56:1であり、そしてFIrpicの質量パーセントは、有機物の全量の10質量%であった。ルブレンの量は、FIrpicの0質量%から10質量%に変動した。ルブレンのドープが2%を下回ると、ルブレンからの発光はほとんど検出できなかった。しかし、ルブレンのドープが4%では、FIrpicからルブレンへの著しいエネルギー移動が発生した。
Zisheng Suら、J. Phys. D:Appl. Phys. 41(2008年)125108は、蛍光発光体2,5,8,11-テトラ-t-ブチル-ペリレン(TBPe)の共ドープによる、FIrpicをベースとした青色電子リン光性デバイスの改善された効率及び色純度について報告している。8質量%のFIrpic及び0.15質量%のTBPeで共ドープされた最適化されたデバイスは、11.6cd A-1及び7.3lm W-1の最大電流効率及び電力効率を示し、これは、参照デバイスのものと比較してそれぞれ20%及び40%まで上昇されている。
このデバイスは、ITO/2-TNATA(5nm)/NPB(40nm)/mCP:FIrpic:TBPe(30nm)/Bphen(10nm)/Alq3(20nm)/Lif(0.5nm)/Al(100nm)の構造を有する。EML中のFIrpicのドープ濃度は、8質量%に固定されているが、TBPeの濃度は、0から0.5質量%にまで変動した。
いくつかの例外を除き、適切な前駆励起子からのエネルギー移動によっても形成されうる電子的励起状態は、3つの準安定状態からなる一重項又は三重項状態である。この2つの状態は、一般的に、スピン統計に基づき1:3の比率で占有されるので、蛍光と呼ばれる一重項状態からの発光から、生成された励起子のわずか25%の発光極大しか生じないという結果になる。対照的に、リン光と呼ばれる三重項発光は、すべての励起子を活用し、それらを光(三重項ハーベスト)として変換し、放射し、その結果、このケースでは内部量子効率は100%の値に達し得るが、エネルギーの観点から三重項状態を上回る更に励起された一重項状態が、完全に三重項状態へと緩和し(項間交差、ISC)、また、無放射競合プロセスが依然大勢に影響のないものであることが条件である。
使用される三重項ハーベストに適している三重項発光体は、一般的に、金属が第3周期の遷移金属から選択され、マイクロ秒の範囲の発光寿命を示す遷移金属錯体である。三重項発光体の長い減衰時間は、三重項励起の相互作用(三重項-三重項消滅)、又は三重項-ポーラロン相互作用(三重項-ポーラロン消光)が生じる。これにより、電流密度の上昇に応じて、OLEDデバイスの効率の明らかな低下が生じる(いわゆる「ロールオフ」挙動)。例えば、例えば1000cd/m2を超える高い輝度が必要とされる、長い発光寿命を有する発光体をOLED照明のために使用するケースでは、特に欠点が見出され得る(参照:J.Kidoら、Jap. J. Appl. Phys. 2007年、46、10行目)。更に、電子的励起状態にある分子は、基底状態下よりも化学的に反応性であることが多く、その結果、望ましくない化学反応の可能性は発光寿命の長さに応じて上昇する。そのような望ましくない化学反応の発生は、デバイスの寿命に悪影響を及ぼす。
EP1705727A WO0108230 WO2008131750 US2011108769(WO2010006681) US2011057171 US20070278938 US2008/0106190 US2011/0163302 WO2010002850 WO2012/16601 WO2013/022419 WO2005/019373A2 WO2006/056418A2 WO2005/113704 WO2007/115970 WO2007/115981 WO2008/000727 WO2014/147134 EP1988587 US2008265216 EP2180029 US20100102709 WO2010132236 EP2180029 EP2401254 WO2009050281 WO2009050290 WO2011051404 US2011/057559 WO2011/073149 WO2012/121936A2 US2012/0305894A1 WO2012/170571 WO2012/170461 WO2012/170463 WO2006/121811 WO2007/095118 WO2008/156879 WO2010/068876 US2011/0057559 WO2011/106344 US2011/0233528 WO2012/048266 WO2012/172482 PCT/EP2015/056491 US2013264518 US2013150581 WO2013017675 WO2013007707 WO2013001086 WO2012156378 US2013025649 WO2013072508 EP2543672 WO2014109814 WO2008/034758 WO2009/003919 WO2007108459 WO2008035571A1 JP2010135467 WO2009008100 WO2009008099 WO2008140114 WO2008090912 JP2008084913 WO2007077810 WO201001830 WO2008029729 WO20100443342 JP2009182298 JP2009170764 JP2009135183 WO2009063757 WO2008146838 JP2008207520 JP2008066569 WO2008029652 WO2007114244 JP2010040830 JP2009021336 WO2010090077 WO2010079678 WO2010067746 WO2010044342 JP2010114180 US2009284138 WO2008072596 JP2010021336 WO2010004877 JP2009267255 WO2009104488 WO2009086028 US2009153034 US2009134784 WO2009084413 JP2009114369 JP2009114370 WO2009060742 WO2009060757 WO2009060780 WO2009060779 WO2008156105 JP2009059767 JP2008074939 JP2008021687 WO2007119816 WO2010087222 WO2010095564 WO2007108362 WO2009003898 WO2010040777 US2007240777 US2007224446 WO06128800 WO2012014621 WO2012105310 WO2012/130709、 EP12175635.7 EP12185230.5 EP12191408.9 WO2011137072 WO2012048266 WO2012162325 EP2551932 WO2010079051 US2009066226 EP1885818B1 EP1970976 EP1998388 EP2034538 US2006/0222886 米国特許第5,121,029号 米国特許第5,130,603号 US2007/0092753A1 WO2006/122630 WO2008/006449 WO2007/140847 WO2006/000388 WO2006/058737 WO2006/000389 WO2007/065549 WO2007/115610 US2007/0122656A1 米国特許第7,250,532B2号 EP1957606A1 US2008/0113101A1 DE102005058557A1 CN1583691A JP08053397A 米国特許第6,251,531B1号 US2006/210830A US2007/0252517A1 米国特許第4,769,292号 米国特許第6,020,078 JP06001973 WO2004047499 WO200505950 WO2006098080 WO2006114337 WO2007065678 US20050260442 WO2004092111 US2006251925 WO2007003520 WO2011040607 WO2011059099 WO2011090149 WO2011043083 WO2011086941 WO2011086935 JP002001052870 EP373582 WO06025273 WO2008/059713 WO2010122810 WO2011/052186 WO2013/185871 WO2014/037077 US2012/181520 KR2011/0041725 KR2011/0041728 KR2012/0011336 KR2012/0052499 KR2012/0074722 KR2013/0110347 EP1786050 EP1970371 EP1097981 WO2011/157779 EP1837926B1 EP1837927 EP2246862 JP2008/127326 WO2011/157790 WO2012/114621 WO2012/147397 US2012/0261654 WO2012/115034
M. A. Baldoら、Nature 403(2000年)、750 M. A. Baldoら、APPLIED PHYSICS LETTERS 79(2001年) X. Zhuら、Journal of Luminescence 132(2012年)12〜15頁 Zisheng Suら、J. Phys. D:Appl. Phys. 41(2008年)125108 J.Kidoら、Jap. J. Appl. Phys. 2007年、46、10行目 M. J. Leitl、V. A. Krylova、P. I. Djurovich、M. E. Thompson、H. Yers、J. Am. Chem. Soc. 2014年、136、16032〜16038 T. Hofbeck, H. Yersin、Inorg. Chem. 2010年、49、9290〜9299頁 J. P. Perdew, Phys. Rev. B 33、8822(1986年) A. Schaefer、H. Horn及びR. Ahlrichs、J. Chem. Phys. 9、2571(1992年) D. Andrae、U. Haeussermann、M. Dolg、H. Stoll及びH. Preuss、Theor. Chim. Acta 77、123(1990年) Becke, A. D.、J. Chem. Phys. 98、5648(1993年) E. van Lenthe及びE. J. Baerends, J. Comp. Chemistry 24、1142(2003年) E. van Lenthe、A. E. Ehlers及びE. J. Baerends、Journal of Chemical Physics 110、8943(1999年) F. Wang及びT. Ziegler、Journal of Chemical Physics 123、154102(2005年) 3. ADF2009. 01、SCM、Theoretical Chemistry、Vrije Universiteit、Amsterdam、The Netherlands、http://www.scm.com R. Ahlrichs、M. Baer、M. Haeser、H. Horn及びC. Coelmel、Chem. Phys. Lett. 162、165(1989年) Nature、第357号、第477〜479頁(1992年6月11日) Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology、第4版、第18巻、837〜860頁、1996年 Nan-Xing Huら、Synth. Met. 111(2000)421 W. Gao、A. Kahn、J. Appl. Phys.、第94巻、2003年、359 A. G. Werner、F. Li、K. Harada、M. Pfeiffer、T. Fritz、K. Leo. Appl. Phys. Lett.、第82巻、第25号、2003年、4495 Pfeifferら、Organic Electronics 2003年、4、89〜103頁 K. Walzer、B. Maennig、M. Pfeiffer、K. Leo、Chem. Soc. Rev. 2007年、107、1233 Kahnら、J. Am. Chem. Soc. 2009年、131(35)、12530〜12531頁 D. L. Dexter、J. Chem. Phys.、21、836(1953年) Hartmut Yersinら、J. Am. Chem. Soc. 136(2014年)16032〜6038頁 M. Hashimotoら、J. Am. Chem. Soc. 133(2011年)10348〜10351頁 S. Harkinsら、J. Am. Chem. Soc. 130(2008年)3478〜3485頁 S. Harkinsら、J. Am. Chem. Soc. 132(2010年)9499〜9508頁 C. H. Chenら:「Recent developments in organic electroluminescent materials」Macromol. Symp. 125(1997年)、1〜48頁 「Recent progress of molecular organic electroluminescent materials and devices」Mat. Sci. and Eng. R、39(2002年)、143〜222頁 J. Kidoら、Chem. Commun.(2008年)、5821〜5823頁 J. Kidoら、Chem. Mater. 20(2008年)5951〜5953頁 Burak Himmetoglu、Alex Marchenko、Ismaila Dabo、及びMatteo Cococcioni、The Journal of Chemical Physics 137、154309(2012年)
したがって、本発明の目的は、100%の三重項励起子を使用し、100ns未満の減衰時間を可能にし、これにより発光システムの安定性を上昇させる発光システムを提供することである。
驚くべきことに、例えば、小さいS1-T1分離を有する発光性有機金属錯体を含有する発光層に蛍光性発光体をドープすることで、エネルギー移動がきわめて効率的なため、外部量子効率(EQE)を犠牲にすることなく、発光減衰時間を、100nsを十分に下回って著しく短縮できることを見出した(図1b)。ここでは、移動は、主に、図1aで示されている筋書きとは異なり、供与体分子の一重項状態から始まる。追加のプラス効果として、改善されたOLED安定性、及び高い輝度でのより低いロールオフが起こりうる。
したがって、本発明は、有機電子デバイス、とりわけ
(a)アノードと、
(i)カソードと、
(e)一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差[Δ(ES1(X))-(ET1(X))<0.2eV]が0.2eVより小さい発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95、とりわけ40.01から90.00質量%、
蛍光発光体Yを0.05から5.00質量%、及び
ホスト化合物を0から59.94、とりわけ5.00から59.94質量%
含む、アノードとカソードの間の発光層であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になり、発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギー(ES1(X))は、蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい[(ES1(X))>ES1(Y)]、発光層と
を含む有機発光デバイスに関する。
S1-T1分離の判定
S1-T1分離を判定するために、励起状態寿命の温度依存性、及び量子化学計算の測定を伴う、組み合わせたアプローチを使用する。
a)実験アプローチ
PMMA(2%)中で、発光性有機金属錯体Xの60μm薄膜を、ドクターブレード法によって、ジクロロメタンから石英基材上に調製した。クライオスタット(Optistat CF、Oxford Instruments社)を、液体ヘリウムによる試料の冷却に使用する。光ルミネッセンス(PL)スペクトル及び発光極大でのPL減衰時間は、分光計(Edinburgh Instruments社、FLS 920P)を用いて以下の温度:4K、10K、20K、30K、50K、75K、100K、150K、200K、250K、300K、350K、375K、400Kにて測定する。
当てはめ:
平均PL減衰時間の温度依存性は、ボルツマン分布に従って占有された様々な状態のエネルギー準位及び減衰速度についての情報を示す(M. J. Leitl、V. A. Krylova、P. I. Djurovich、M. E. Thompson、H. Yers、J. Am. Chem. Soc. 2014年、136、16032〜16038;T. Hofbeck, H. Yersin、Inorg. Chem. 2010年、49、9290〜9299頁)。2つの占有された励起状態を有する系に関しては、測定したデータkav対Tに以下の表現を当てはめることができる。
等式1
3つの占有された励起状態を有する系に関しては、等式2が使用される。
等式2
式中、kavは、測定から判定される減衰速度である、kI、kII、kIIIは、それぞれの励起状態の減衰速度であり、EI,II及びEI,IIIは、最低励起状態と比較した励起状態I及びIIのエネルギーの差であり、kBは、ボルツマン定数であり、Tは温度である。
高い値のk(>2*106s-1)は、それぞれの励起状態が一重項であり得ると示すものである。しかし、励起状態のスピン多重度は、PL測定によって証明できないので、更なる量子化学計算を実行し、測定の当てはめから見出される励起状態レベルと比較した。
b)量子化学アプローチ
最初に、可能性のある供与体分子の三重項構造を、非制限BP86[J. P. Perdew, Phys. Rev. B 33、8822(1986年)及びJ. P. Perdew, Phys. Rev. B 33、8822(1986年)]/SV(P)[A. Schaefer、H. Horn及びR. Ahlrichs、J. Chem. Phys. 9、2571(1992年)]-イリジウム遷移金属錯体のケースでは有効内殻ポテンシャルを含むレベル理論[D. Andrae、U. Haeussermann、M. Dolg、H. Stoll及びH. Preuss、Theor. Chim. Acta 77、123(1990年)]で最適化した。これらの三重項構造に基づいて、相対論的な電子計算をすべて行って、S1-T1分離を判定した。具体的には、筆者らは、B3LYP汎関数[Becke, A. D.、J. Chem. Phys. 98、5648(1993年)]を、二重ゼータ特性の全電子基底系[E. van Lenthe及びE. J. Baerends、J. Comp. Chemistry 24、1142(2003年)]と組み合わせて使用した。スカラー相対論的効果は、ZORAアプローチ[E. van Lenthe、A. E. Ehlers及びE. J. Baerends、Journal of Chemical Physics 110、8943(1999年)]によりSCFレベルで含まれた。それに基づいて、摂動論によるスピン軌道相互作用を含めた、時間依存性の波動関数の密度汎関数計算を行った[F. Wang及びT. Ziegler、Journal of Chemical Physics 123、154102(2005年)]。次いで、S1-T1分離は、最終的には、最低のT1副殻と最初のスピン軌道補正されたS1状態とのエネルギー差として判定される。相対論的計算は、ADFプログラムパッケージ[3. ADF2009. 01、SCM、Theoretical Chemistry、Vrije Universiteit、Amsterdam、The Netherlands、http://www.scm.com]を使用して実行したが、構造最適化のために、TURBOMOLEプログラムパッケージ[R. Ahlrichs、M. Baer、M. Haeser、H. Horn及びC. Coelmel、Chem. Phys. Lett. 162、165(1989年)]を使用した。本発明によれば、一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差は、実験的に判定された値である。
本発明は、一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差が0.2eVより小さく[Δ(ES1(X))-(ET1(X))<0.2eV]且つ蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい[(ES1(X))>ES1(Y)]一重項エネルギー(ES1(X))を有する発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95、とりわけ40.01から90.00質量%及びホスト化合物を0から59.94、とりわけ5.00から59.94質量%含む発光層にドープして、発光性有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物からなる薄膜の、τ0=τv/QYにより計算される発光の減衰時間を100ns未満に短縮するための、蛍光性発光体の使用であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量が合計100質量%になる、使用も対象とする。
一重項エネルギー(Es1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差が0.2eVより小さい発光性有機金属錯体X、及びホスト化合物を含む発光層にドープして、発光寿命τ0を100ns未満に短縮するための蛍光発光体Yの使用。
発光寿命の判定
本発明によれば、発光の減衰時間は、発光性有機金属錯体X(40.01から90.00質量%)、蛍光発光体Y(0.05から5.00質量%)及びホスト化合物(5.00から59.94質量%)からなる薄膜の、τ0=τv/QYにより計算される発光寿命τ0である。調製した薄膜の量子収率(QY)を、積分球法で絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス株式会社、モデルC9920-02)(励起波長:310nm)を使用して測定する。
調製した薄膜の励起状態寿命(τv)は、この薄膜を、10kHzで作動させる310nmの励起波長を有するパルスダイオードレーザを用いて励起させ、時間相関単一光子計数(TCSPC)で発光を検出することによって測定する。
発光寿命τ0は、好ましくは0.1から80ns、より好ましくは0.5から50ns、最も好ましくは0.5から40nsの範囲である。
発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギーと三重項エネルギーの差は、好ましくは0.1eVより小さく、より好ましくは0.05eVより小さい。
好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から90.00質量%、蛍光発光体Yを0.10から5.00質量%及びホスト化合物を5.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。より好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から80.00質量%、蛍光発光体Yを0.10から4.00質量%及びホスト化合物を16.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。最も好ましい発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から80.00質量%、蛍光発光体Yを0.1から3.0質量%及びホスト化合物を17.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。
従来技術に従って使用される蛍光発光体Y(=供与体)及び発光性有機金属錯体X(受容体)に対するエネルギー準位図である。 本発明に従って使用される蛍光発光体Y(=供与体)及び発光性有機金属錯体X(受容体)に対するエネルギー準位図である。
有機発光デバイスの適切な構造は、当業者に知られており、以下で特定されている。
基材は、望ましい構造的な性質を示す、任意の適切な基材であってもよい。基材は、柔軟性であっても剛性であってもよい。基材は、透明であっても、半透明であっても不透明であってもよい。プラスチック及びガラスは、好ましい剛性基材材料の例である。プラスチック及び金属ホイルは、好ましい柔軟性基材材料の例である。基材は、電気回路の製造を促進するための半導体材料であってよい。例えば、基材はシリコンウェーハであってもよく、その基材上に電気回路が製造され、回路は基材に引き続き堆積される有機発光デバイス(OLED)を管理することが可能である。他の基材も使用してもよい。基材の材料及び厚さは、望ましい構造的及び光学的性質を得るように選択してもよい。
好ましい実施形態において、本発明による有機発光デバイスは、以下の順で:
(a)アノード、
(b)任意選択で正孔注入層、
(c)任意選択で正孔輸送層、
(d)任意選択で励起子遮断層
(e)発光性有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物を含む発光層、
(f)任意選択で正孔/励起子遮断層
(g)任意選択で電子輸送層、
(h)任意選択で電子注入層、並びに
(i)カソードを含む。
特に好ましい実施形態では、本発明による有機発光デバイスは、以下の順で:
(a)アノード、
(b)任意選択で正孔注入層、
(c)正孔輸送層、
(d)励起子遮断層
(e)発光性有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物を含む発光層、
(f)正孔/励起子遮断層
(g)電子輸送層及び
(h)任意選択で電子注入層、並びに
(i)カソードを含む。
これらの様々な層の性質及び機能、並びに例示材料は、従来技術から公知であり、好ましい実施形態に基づいて、以下により詳細に記載されている。
アノード(a):
アノードは、正の電荷担体を示す電極である。これは、例えば、金属、異なる金属の混合物、金属合金、金属酸化物又は異なる金属酸化物の混合物を含む材料から構成されていてもよい。或いは、アノードは、導電性ポリマーであってもよい。適切な金属は、元素周期表の第11、4、5及び6族の金属、また、第8から10族の遷移金属も含む。アノードを透明とすべき場合は、元素周期表第12、13及び14族の混合金属酸化物、例えばインジウムスズ酸化物(ITO)が一般的に使用される。同様に、例えば、Nature、第357号、第477〜479頁(1992年6月11日)に記載されているように、アノード(a)は、有機材料、例えばポリアニリンを含むことも可能である。好ましいアノード材料は、導電性金属酸化物、例えばインジウムスズ酸化物(ITO)及び酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化アルミニウム亜鉛(AlZnO)、及び金属を含む。アノード(及び基材)は、ボトムエミッション型デバイスを作成するのに十分なほど、透明であってもよい。好ましい透明な基材及びアノードの組合せは、ガラス又はプラスチック(基材)に堆積させた市販のITO(アノード)である。反射型アノードは、デバイス上部から放出された光の量を増加させるために、一部のトップエミッション型デバイスに好ましいことがある。少なくともアノード又はカソードは、形成された光を放出できるようにするために、少なくとも部分的に透明にすべきである。他のアノード材料及び構造を使用してもよい。
正孔注入層(b):
一般的に、注入層は、ある層、例えば電極又は電荷生成層から隣接した有機層中への電荷担体の注入を向上させ得る材料から構成される。注入層は、電荷輸送作用を実行することもできる。正孔注入層は、アノードから隣接した有機層中への正孔の注入を改善する任意の層であってよい。正孔注入層は、溶液堆積される材料、例えばスピンコーティングしたポリマーを含んでよく、又は蒸着される小分子材料、例えばCuPc又はMTDATAであってよい。ポリマー型の正孔注入材料は、例えばポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、自己ドープ型ポリマー、例えばスルホン化ポリ(チオフェン-3-[2-[(2-メトキシエトキシ)エトキシ]-2,5-ジイル)(Plextronics社から市販されているPlexcore(登録商標)OC Conducting Inks)、及びPEDOT/PSSとも呼ばれるポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレンスルホネート)のコポリマーを使用できる。
正孔輸送層(c):
正孔輸送分子、又はポリマーを、正孔輸送材料として使用してもよい。本発明のOLEDの層(c)のための適切な正孔輸送材料は、例えば、Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology、第4版、第18巻、837〜860頁、1996年、US20070278938、US2008/0106190、US2011/0163302(トリアリールアミンと(ジ)ベンゾチオフェン/(ジ)ベンゾフラン;Nan-Xing Huら、Synth. Met. 111(2000年)421(インドロカルバゾール)、WO2010002850(置換フェニルアミン化合物)及びWO2012/16601(特に、WO2012/16601の16及び17頁で言及されている正孔輸送材料)に開示されている。様々な正孔輸送材料の組み合わせを使用してよい。例えばWO2013/022419が挙げられ、そこでは、
が正孔輸送層を構成する。通例、使用される正孔輸送分子は、
(4-フェニル-N-(4-フェニルフェニル)-N-[4-[4-(N-[4-(4-フェニル-フェニル)フェニル]アニリノ)フェニル]フェニル]アニリン)、
(4-フェニル-N-(4-フェニルフェニル)-N-[4-[4-(4-フェニル-N-(4-フェニルフェニル)アニリノ)フェニル]フェニル]アニリン)、
(4-フェニル-N-[4-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)フェニル)-N-(4-フェニルフェニル)アニリン)、
(1,1',3,3'-テトラフェニルスピロ[1,3,2-ベンゾジアザシロール-2,2'-3a,7a-ジヒドロ-1,3,2-ベンゾジアザシロール])、
(N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-オクタ-キス(p-トリル)-9,9'-スピロビ[フルオレン]-2,2',7,7'-テトラミン)、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル(α-NPD)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-[1,1'-ビ-フェニル]-4,4'-ジアミン(TPD)、1,1-ビス[(ジ-4-トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(TAPC)、N,N'-ビス(4-メチルフェニル)-N,N'-ビス(4-エチルフェニル)-[1,1'-(3,3'-ジメチル)-ビフェニル]-4,4'-ジアミン(ETPD)、テトラキス(3-メチルフェニル)-N,N,N',N'-2,5-フェニレンジアミン(PDA)、α-フェニル-4-N,N-ジフェニルアミノスチレン(TPS)、p-(ジエチルアミノ)ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン(DEH)、トリフェニルアミン(TPA)、ビス[4-(N,N-ジエチルアミノ)-2-メチルフェニル](4-メチルフェニル)メタン(MPMP)、1-フェニル-3-[p-(ジエチルアミノ)スチリル]-5-[p-(ジエチルアミノ)フェニル]ピラゾリン(PPR又はDEASP)、1,2-トランス-ビス(9H-カルバゾール-9-イル)-シクロブタン(DCZB)、N,N,N',N'-テトラキス(4-メチルフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(TTB)、フッ素化合物、例えば2,2',7,7'-テトラ(N,N-ジ-トリル)アミノ-9,9-スピロビフルオレン(スピロ-TTB)、N,N'-ビス(ナフタレン-1-イル)-N,N'-ビス(フェニル)-9,9-スピロビフルオレン(スピロ-NPB)及び9,9-ビス(4-(N,N-ビス-ビフェニル-4-イル-アミノ)フェニル-9H-フルオレン、ベンジジン化合物、例えばN,N'-ビス(ナフタレン-1-イル)-N,N'-ビス(フェニル)ベンジジン及びポルフィリン化合物、例えば銅フタロシアニンからなる群から選択される。更に、ポリマー性正孔注入材料は、例えばポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、自己ドープ型ポリマー、例えばスルホン化ポリ(チオフェン-3-[2-[(2-メトキシエトキシ)エトキシ]-2,5-ジイル)(Plextronics社から市販されているPlexcore(登録商標)OC Conducting Inks)、及びPEDOT/PSSとも呼ばれるポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレンスルホネート)のコポリマーを使用できる。
好ましい実施形態において、金属カルベン錯体を正孔輸送材料として使用することが可能である。適切なカルベン錯体は、例えば、WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727及びWO2014/147134に記載されているカルベン錯体である。適切なカルベン錯体の一例は、式:
を有するIr(DPBIC)3である。別の例示錯体は、式:
を有するIr(ABIC)3である。
正孔輸送層は、使用される材料の輸送性質を改善するために、第1に、層を更に厚くするために(ピンホール/ショートの回避)、また、第2にデバイスの作動電圧を最小限にするために、電子的にドープされていてもよい。電子的ドーピングは、当業者に公知であり、例えば、W. Gao、A. Kahn、J. Appl. Phys.、第94巻、2003年、359(p型ドープされた有機層)、A. G. Werner、F. Li、K. Harada、M. Pfeiffer、T. Fritz、K. Leo. Appl. Phys. Lett.、第82巻、第25号、2003年、4495及びPfeifferら、Organic Electronics 2003年、4、89〜103頁及びK. Walzer、B. Maennig、M. Pfeiffer、K. Leo、Chem. Soc. Rev. 2007年、107、1233で開示されている。例えば、正孔輸送層中で、混合物、詳細には、正孔輸送層の電気的p型ドープを引き起こす混合物を使用することが可能である。p型ドープは、酸化性材料の添加によって達成される。これらの混合物は、例えば以下の混合物:上記正孔輸送材料と、少なくとも1種の金属酸化物、例えばMoO2、MoO3、WOx、ReO3及び/若しくはV2O5、好ましくはMoO3及び/若しくはReO3、より好ましくはMoO3の混合物、又は、上記正孔輸送材料と、7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(F4-TCNQ)、2,5-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、ビス(テトラ-n-ブチルアンモニウム)テトラシアノジフェノキノジメタン、2,5-ジメチル-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、11,11,12,12-テトラシアノナフト-2,6-キノジメタン、2-フルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、2,5-ジフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、ジシアノメチレン-1,3,4,5,7,8-ヘキサフルオロ-6H-ナフタレン-2-イリデン)マロノニトリル(F6-TNAP)、Mo(tfd)3(Kahnら、J. Am. Chem. Soc. 2009年、131(35)、12530〜12531頁において)、EP1988587、US2008265216、EP2180029、US20100102709、WO2010132236、EP2180029に記載される化合物並びにEP2401254に挙げられるキノン化合物から選択される1種以上の化合物の混合物であってよい。好ましい混合物は、前述のカルベン錯体、例えば、カルベン錯体HTM-1及びHTM-2、並びにMoO3及び/又はReCb、とりわけMoO3を含む。特に好ましい一実施形態においては、正孔輸送層は、0.1質量%から10質量%のMoO3と、90質量%から99.9質量%のカルベン錯体、とりわけカルベン錯体HTM-1及びHTM-2を含み、MoO3及びカルベン錯体の合計量は、100質量%である。
励起子遮断層(d):
遮断層は、発光層から放たれる電荷担体(電子若しくは正孔)及び/又は励起子の数を減少させるために使用できる。電子/励起子遮断層(d)は、正孔輸送層(c)の方向で発光層(e)からの電子を遮断するために、発光層(e)と正孔輸送層(c)の間に配置され得る。遮断層は、発光層からの拡散に由来する励起子を遮断するためにも使用され得る。電子/励起遮断子材料として使用するための適切な金属錯体は、例えば、WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727及びWO2014/147134に記載されているカルベン錯体である。ここで、引用されているWO出願の開示は、明らかに参照され、これらの開示は、本出願の内容に組み込まれるとみなされるべきである。適切なカルベン錯体の一例は、化合物HTM-1である。適切なカルベン錯体のもう1つの例は、化合物HTM-2である。
発光層(e)
デバイスは、発光層(e)を含む。
この発光層は、
一重項エネルギーと三重項エネルギーの差が0.2eVより小さい発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95、とりわけ40.01から90.00質量%、
蛍光発光体Yを0.05から5.00質量%、及び
ホスト化合物を0から59.94、とりわけ5.00から59.94質量%
含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になり、発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギー(ES1(X))は、蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい。
発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギーと三重項エネルギーの差は、好ましくは0.1eVより小さく、より好ましくは0.05eVより小さい。
好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から90.00質量%、蛍光発光体Yを0.10から5.00質量%及びホスト化合物を5.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。より好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から80.00質量%、蛍光発光体Yを0.10から4.00質量%及びホスト化合物を16.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。最も好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から80.00質量%、蛍光発光体Yを0.1から3.0質量%及びホスト化合物を17.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。
発光性有機金属錯体(=供与体):
発光性有機金属錯体Xは、一重項励起状態と三重項励起状態の差が、0.2eVより小さい[Δ(ES1(X))-(ET1(X))<0.2eV]、とりわけ0.1eVより小さい、特に、とりわけ0.05eVより小さい。したがって、この基準を満たすすべての有機金属錯体は、原則として、発光性有機金属錯体Xとして適切である。上で明記されている要件を満たす、最も適正な構造を特定する助けとなる基準は、以下に記載されている:
i)供与体から受容体へと素早くエネルギーを移動させるためには、供与体分子中におけるS1状態の顕著な占有率が必要条件である。これは、供与体分子中における非常に小さなS1-T1分離を必要とする。これらのきわめて小さい分離を得るためには、供与体における励起状態の形成に関与するフロンティア軌道(典型的にはHOMO及びLUMO)を、分子の空間的に異なる領域に局在化させなければならず、従って軌道の重なりがなくなるため、交換積分Kが最小限に抑えられる。上に記載した、異なる空間領域に電子を局在化させるように配位子間遷移を誘導するために、モノアニオン性二座配位子を伴うホモレプティックなインジウム錯体に対して、配位子の縮退を解かなければならない。好ましい方法は、C1対称性メリディオナル型錯体の剛性であり、3つ全ての配位子が異なる結合状況を有し、したがって異なるエネルギーを有する。モノアニオン性二座配位子を伴うヘテロレプティックなフェイシャル型インジウム錯体は、異なる電子レベルを有する配位子を選択することによって、配位子間遷移を誘導するために使用することもできる。
量子効率に関する重要な損失チャネルは、供与体分子から蛍光受容体へのT1励起子の直接的な移動による可能性がある。供与体系における顕著な一重項占有率が上記のように予想されるが、依然いくつかの三重項占有率が存在すると考えられる。デクスター機構による三重項移動(D. L. Dexter、J. Chem. Phys.、21、836(1953年))は、供与体と受容体の間の電子交換機構に基づく短距離プロセスである。交換相互作用が大きくなるべき場合には、供与体と受容体のHOMO間の良好な重なりと同時に、供与体及び受容体のLUMOの重なりが必要とされる。この点においても、HOMO及びLUMOの空間的分離は有益である。標準的な量子化学的計算(DFT)は、ここで明らかな誘導を行うことができる。例えば、B3LYP/DZPレベル理論によれば、BE-24の軌道構造は局在化され、Ir(ppy)3の軌道構造は非局在化される。
ii)第1の選択基準に従って有機金属錯体Xを選択した後で、i)S1-T1分離を予測する量子化学計算を実行すべきである。
iii)量子化学的に計算したS1-T1分離を、温度依存性発光寿命測定により検証する。
本発明の実施形態において、発光性有機金属錯体Xは、発光性イリジウム錯体である。適切な発光性イリジウム錯体は、以下の公報:WO2006/056418A2、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404、US2011/057559、WO2011/073149、WO2012/121936A2、US2012/0305894A1、WO2012/170571、WO2012/170461、WO2012/170463、WO2006/121811、WO2007/095118、WO2008/156879、WO2010/068876、US2011/0057559、WO2011/106344、US2011/0233528、WO2012/048266、WO2012/172482及びPCT/EP2015/056491で特定される。
好ましくは、発光性有機金属イリジウム錯体Xは、発光性ホモレプティックなメリディオナル型イリジウムカルベン錯体、又は発光性ヘテロレプティックなイリジウムカルベン錯体である。
発光性イリジウム錯体は、好ましくは式
[式中、
配位子は、それぞれ、二座配位子であり、
R1は、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、1から20個の炭素原子を有する直鎖状又は分岐状アルキル基であり、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、3から20個の炭素原子を有する置換又は非置換シクロアルキル基であり、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、6から30個の炭素原子を有する置換又は非置換アリール基であり、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、合計5から18個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有する置換又は非置換ヘテロアリール基であり、
R2、R3及びR4は、それぞれ独立して、水素、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、1から20個の炭素原子を有する直鎖状又は分岐状アルキル基、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、3から20個の炭素原子を有する置換又は非置換シクロアルキル基、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、6から30個の炭素原子を有する置換又は非置換アリール基、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、合計5から18個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有する置換又は非置換ヘテロアリール基、供与体若しくは受容体作用を有する基であり、或いは
R2及びR3又はR3及びR4は、それらが結合している炭素原子と一緒に、合計5から18個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有する、任意選択で置換されている飽和若しくは不飽和又は芳香族環を形成し、少なくとも1個の更なるヘテロ原子により任意選択で中断され、更に任意選択で置換されており、少なくとも1個の更なるヘテロ原子により任意選択で中断され、合計5から18個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有する、少なくとも1つの飽和若しくは不飽和又は芳香族環と任意選択で縮合していてよく、
R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立して、水素、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、1から20個の炭素原子を有する直鎖状又は分岐状アルキル基、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、3から20個の炭素原子を有する置換又は非置換シクロアルキル基、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、3から20個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有する置換又は非置換ヘテロシクロアルキル基、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、6から30個の炭素原子を有する置換又は非置換アリール基、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断され、任意選択で少なくとも1個の官能基を保有し、合計5から18個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有する置換又は非置換ヘテロアリール基、供与体若しくは受容体作用を有する基であり、或いは、R6及びR7、R7及びR8又はR8及びR9は、それらが結合している炭素原子と一緒に、飽和、不飽和又は芳香族を形成し、少なくとも1個のヘテロ原子により任意選択で中断される任意選択で置換されている環は、合計5から18個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有し、任意選択で、少なくとも1個の更なるヘテロ原子により任意選択で中断され、合計5から18個の炭素原子及び/又はヘテロ原子を有する、任意選択で更に置換されている少なくとも1つの飽和若しくは不飽和又は芳香族環に縮合し得、
Lはモノアニオン性二座配位子であり、
nは、1、2又は3であり、
oは0、1又は2であり、oが2である場合は、L配位子は同一であっても異なっていてもよい]
の化合物であり、例えば、WO2011/073149、US2012/0305894、WO2012121936及びWO2012/172482に記載されている。
ホモレプティックな金属カルベン錯体は、フェイシャル異性体又はメリディオナル異性体の形で存在していてもよく、メリディオナル異性体が好ましい。したがって、特に好ましい本発明の実施形態は、一般式(IXa)、(IXb)又は(IXc)の少なくとも1種のホモレプティックな金属カルベン錯体を発光性有機金属錯体Xとして含むOLEDに関し、式(IXa)、(IXb)又は(IXc)のホモレプティックな金属カルベン錯体は、好ましくは、そのメリディオナル異性体の形で使用される。
ヘテロレプティックな金属カルベン錯体の場合には、4種の異なる異性体が存在していてもよい。
特に好ましい発光性イリジウム錯体の例は、請求項6で示されている化合物(BE-35a)、(BE-1)から(BE-37)である。更に、PCT/EP2015/056491に記載されている発光性イリジウム錯体の中でも、式
[式中、X1及びY1は、互いに独立してCH又はNであるが、但し、X1及びY1の少なくとも1つがNであることが条件であり、R23、R24、R27及びR28は、それぞれ独立して、水素;重水素;メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、OCH3、OCF3;フェニル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、カルバゾリル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ベンゾフラニル及びベンゾチオフェニル、前述の基は、非置換であもよく、又は、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、メトキシ、CF3若しくはフェニルで置換されされていてもよく;F、CF3、CN及びSiPh3から選択される、供与体又は受容体作用を有する基であり、
R25は、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、OCH3、OCF3;フェニル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、前述の基は、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、メトキシ若しくはフェニルで置換されていてもよく、好ましくは一置換されていてもよく、又は非置換であってもよく;CF3及びCNから選択される、供与体又は受容体作用を有する基である]
のイリジウム錯体がより好ましい。
イリジウム錯体の例は、PCT/EP2015/056491に記載されており、これは、有利には、発光性金属錯体として使用され得、以下で示されている。
発光性ホモレプティックなメリディオナル型イリジウムカルベン錯体が、好ましい。
発光性イリジウム錯体(BE-1)から(BE-58)のうち、発光性イリジウム錯体(BE-2)、(BE-3)、(BE-24)及び(BE-25)から(BE-58)がより好ましい。
ホモレプティックな金属カルベン錯体は、フェイシャル異性体又はメリディオナル異性体の形態で存在していてもよく、メリディオナル異性体が好ましい。
本発明の別の好ましい実施形態において、発光性有機金属錯体Xは、一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差が0.2eV、とりわけ0.1eV、特にとりわけ0.05eVより小さい発光性銅錯体である。そのような発光性銅錯体は、例えば、US2013264518、US2013150581、WO2013017675、WO2013007707、WO2013001086、WO2012156378、US2013025649、WO2013072508及びEP2543672に記載されている。
US2013264518及びWO2013007707は、有機発光体分子について開示しており、この分子は、最低の励起一重項状態(S1)及びそれを下回る三重項状態(T1)の間の、2500cm-1未満のΔE(S1-T1)値を有する。
US2013150581は、式
による構造を有する、発光のための中性の単核銅(I)錯体
[式中、
M:Cu(I)であり、
L∩L:二座配位子によって単一で負に荷電しており、
N∩N:R及びFGで置換されているジイミン配位子であり、特に置換2,2'-ビピリジン誘導体(bpy)又は1,10-フェナントロリン誘導体(phen)であり、
R: 励起状態での平坦化に向かう銅(I)錯体の形状変化を予防するための、少なくとも1つの立体的にかさ高い置換基であり、
FG=官能基:電子を導くため及び有機溶媒中の溶解度を上昇させるための少なくとも1個の第2の置換基、又は、正孔を導くため及び有機溶媒中の溶解度を上昇させるための少なくとも1個の第2の置換基であって、官能基は、ジイミン配位子に直接、又は橋を経由して結合している]
であって、
最低の励起一重項(S1)状態と三重項(T1)状態の間のΔE(S1-T1)値が2500cm-1未満であり、
最長20μ秒の発光減衰時間を有し、
40%超の発光量子効率を有し、
少なくとも1g/Lの有機溶剤中の溶解度を有する
銅(I)錯体を開示している。
WO2013017675は、二量体の銅
[式中、Cu:Cu(I)であり、X:CI、Br、I、SCN、CN、及び/又はアルキニルであり、及びN∩P:N-複素環で置換されているホスファン配位子である]
の錯体について開示している。
WO2013072508は、式
[式中、
X*=Cl、Br、I、CN、OCN、SCN、アルキニル及び/又はN3であり、
N*∩Eは、二座配位子であり、Eは、R2E(Rは、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル又はアミドである)の形態のホスファニル/アルセニル/アンチモニル基であり、
N*=ピリジル、ピリダジニル、ピリミジル、ピラジニル、トリアジニル、テトラジニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソオキサゾリル、イソチアゾリル、1,2,3-トリアゾリル、1,2,4-トリアゾリル、1,2,4-オキサジアゾリル、1,2,4-チアジアゾリル、テトラゾリル、1,2,3,4-オキサトリアゾリル、1,2,3,4-チアトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリル及びキナゾリルから選択される芳香族基の成分である官能基であり、これらは、任意選択で、更に置換され、及び/又は縮環され、
「∩」=同様に芳香族基の成分である少なくとも1個の炭素原子であり、前記炭素原子は、アミン窒素原子、並びにリン、ヒ素又はアンチモン原子の両方に直接隣接することが見出され、Lは、特定の一座又は二座の配位子を表す]
の銅(I)錯体、例えば請求項9で示されている銅錯体(Cu-3)、(Cu-4)及び(Cu-5)について記載している。
EP2543672は、式
[式中、
X*:Cl、Br、I、CN及び/又はSCNであり、
N*∩E=二座配位子であり、Eは、R2E(Rは、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシル、フェノキシル又はアミドである)の形態のホスファニル/アルセニル基であり、
N*=オキサゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、イソオキサゾリル、イソチアゾリル、ピラゾリル、1,2,3-トリアゾリル、1,2,3-オキサジアゾリル、1,2,5-オキサジアゾリル、1,2,3-チアジアゾリル、及び1,2,5-チアジアゾリルから選択されるN-ヘテロ芳香族5員環の成分であるイミン官能基であり、
「∩」=同様に芳香族基の成分である少なくとも1個の炭素原子であり、前記炭素原子は、アミン窒素原子と同様にリン原子若しくはヒ素原子の両方と直接的に隣接して存在する]
の銅(I)錯体、例えば、請求項9で示されている銅錯体(Cu-2)について記載している。
WO2013001086は、式
[式中、
X*=Cl、Br、I、CN、SCN、アルキニル及び/又はN3(互いに独立して)であり、
N*∩Eは、二座配位子であり、Eは、R2E(Rは、アルキル、アリール、アルコキシル、フェノキシル又はアミドである)の形態のホスファニル/アルセニル基でありN*=ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、オキサトリアゾール及びチアトリアゾールからなる群から選択されるN-複素芳香族5員環の成分であるイミン官能基であり、
「∩」=同様に芳香族基の成分である少なくとも1個の炭素原子であり、前記炭素原子は、イミン窒素原子並びにリン原子又はヒ素原子の両方に直接隣接して位置している]
の銅(I)錯体に関する。
有利には本発明に従って使用できる発光性銅錯体の例は、請求項10に示されている化合物(Cu-1)から(Cu-9)である。
追加の発光性銅錯体は、例えば、Hartmut Yersinら、J. Am. Chem. Soc. 136(2014年)16032〜6038頁、M. Hashimotoら、J. Am. Chem. Soc. 133(2011年)10348〜10351頁、S. Harkinsら、J. Am. Chem. Soc. 130(2008年)3478〜3485頁及びS. Harkinsら、J. Am. Chem. Soc. 132(2010年)9499〜9508頁に記載されている。
銅錯体(Cu-1)から(Cu-11)は、有利には、蛍光発光体(FE-1)、(FE-2)、(FE-6)、(FE-7)、(FE-8)及び(FE-9)と組み合わせて使用できる。
更に、WO2014109814に記載されている小さいS1-T1分離を有するPd及びPt錯体は、発光性金属錯体として使用される。
ホスト化合物:
効率的な発光のために、ホスト物質の三重項エネルギーは、使用される発光性有機金属錯体Xの三重項エネルギーより大きくすべきである。したがって、使用される発光性有機金属錯体Xに関するこの要件を満たすすべてのホスト物質は、原則として、ホストとして適切である。
ホスト化合物として適切なのは、カルバゾール誘導体、例えば、4,4'-ビス(カルバゾール-9-イル)-2,2'-ジメチルビフェニル(CDBP)、4,4'-ビス(カルバゾール-9-イル)ビフェニル(CBP)、1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン(mCP)、及び以下の出願:WO2008/034758、WO2009/003919で特定されているホスト物質である。
小分子又は言及されている小分子の(コ)ポリマーであってよい更なる適切なホスト物質は、以下の公報で特定されている:WO2007108459(H-1からH-37)、好ましくはH-20からH-22及びH-32からH-37、最も好ましくはH-20、H-32、H-36、H-37、WO2008035571A1(ホスト1からホスト6)、JP2010135467(化合物1から46及びホスト-1からホスト-39及びホスト-43)、WO2009008100の化合物番号1から番号67、好ましくは番号3、番号4、番号7から番号12、番号55、番号59、番号63から番号67、より好ましくは番号4、番号8から番号12、番号55、番号59、番号64、番号65及び番号67、WO2009008099の化合物番号1から番号110、WO2008140114の化合物1-1から1-50、WO2008090912の化合物OC-7からOC-36及びMo-42からMo-51のポリマー、JP2008084913のH-1からH-70、WO2007077810の化合物1から44、好ましくは1、2、4〜6、8、19〜22、26、28〜30、32、36、39〜44、WO201001830のモノマー1-1から1-9、好ましくはモノマー1-3、1-7及び1-9のポリマー、WO2008029729の化合物1-1から1-36(のポリマー)、WO20100443342のHS-1からHS-101及びBH-1からBH-17、好ましくはBH-1からBH-17、JP2009182298のモノマー1から75に基づく(コ)ポリマー、JP2009170764、JP2009135183のモノマー1から14に基づく(コ)ポリマー、WO2009063757の、好ましくはモノマー1-1から1-26に基づく(コ)ポリマー、WO2008146838の化合物a-1からa-43及び1-1から1-46、JP2008207520のモノマー1-1から1-26に基づく(コ)ポリマー、JP2008066569のモノマー1-1から1-16に基づく(コ)ポリマー、WO2008029652のモノマー1-1から1-52に基づく(コ)ポリマー、WO2007114244のモノマー1-1から1-18に基づく(コ)ポリマー、JP2010040830の化合物HA-1からHA-20、HB-1からHB-16、HC-1からHC-23及びモノマーHD-1からHD-12に基づく(コ)ポリマー、JP2009021336、WO2010090077の化合物1から55、WO2010079678の化合物H1からH42、WO2010067746、WO2010044342の化合物HS-1からHS-101及びPoly-1からPoly-4、JP2010114180の化合物PH-1からPH-36、US2009284138の化合物1から111及びH1からH71、WO2008072596の化合物1から45、JP2010021336の化合物H-1からH-38、好ましくはH-1、WO2010004877の化合物H-1からH-60、JP2009267255の化合物1-1から1-105、WO2009104488の化合物1-1から1-38、WO2009086028、US2009153034、US2009134784、WO2009084413の化合物2-1から2-56、JP2009114369の化合物2-1から2-40、JP2009114370の化合物1から67、WO2009060742の化合物2-1から2-56、WO2009060757の化合物1-1から1-76、WO2009060780の化合物1-1から1-70、WO2009060779の化合物1-1から1-42、WO2008156105の化合物1から54、JP2009059767の化合物1から20、JP2008074939の化合物1から256、JP2008021687の化合物1から50、WO2007119816の化合物1から37、WO2010087222の化合物H-1からH-31、WO2010095564の化合物ホスト-1からホスト-61、WO2007108362、WO2009003898、WO2009003919、WO2010040777、US2007240777、US2007224446、WO06128800、WO2012014621、WO2012105310、WO2012/130709、並びに欧州特許出願EP12175635.7及びEP12185230.5及びEP12191408.9(特に、EP12191408.9の25から29頁)。
上述の小分子は、上述の小分子の(コ)ポリマーより好ましい。
更なる適切なホスト物質は、WO2011137072に記載されている(例えば、
であり;前記化合物は
と組み合わせられると、最適な結果が達成される)、WO2012048266(例えば、
)、WO2012162325(例えば
)、及びEP2551932(例えば
)に記載されている。
特に好ましい実施形態では、以下で特定されている一般式(X)
[式中、
Xは、NR、S、O又はPR*であり、
R*はアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであり、
A200は、-NR206R207、-P(O)R208R209、-PR210R211、-S(O)2R212、-S(O)R213、-SR214又は-OR215であり、
R221、R222及びR223は、互いに独立して、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであり、基R221、R222又はR223の少なくとも1つはアリール又はヘテロアリールであり、
R224及びR225は、互いに独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、基A200又は供与体特性若しくは受容体特性を有する基であり、
n2及びm2は、互いに独立して、0、1、2又は3であり、
R206及びR207は、窒素原子と一緒になって、3から10個の環原子を有する環残式基を形成し、この環残式基は、非置換であってもよく、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与体特性若しくは受容体特性を有する基から選択される1個以上の置換基で置換されていてもよく、並びに/又は、3から10個の環原子を有する1個以上の更なる環式残基と縮環されていてもよい環式残基を形成し、縮環された残基は非置換であってもよく、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び供与体若しくは受容体特性を有する基から選択される1個以上の置換基で置換されていてもよく、
R208、R209、R210、R211、R212、R213、R214及びR215は、互いに独立して、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルである]
の1種又は複数の化合物が、ホスト物質として使用される。式Xの化合物、例えば
は、WO2010079051(詳細には19から26頁、及び27から34頁、35から37頁及び42から43頁の表)に記載されている。
ジベンゾフランに基づく追加のホスト物質は、例えばUS2009066226、EP1885818B1、EP1970976、EP1998388及びEP2034538に記載されている。特に好ましいホスト物質の例は、以下に示されている:
上述の化合物において、TはO又はS、好ましくはOである。Tが分子中に1つより多く存在する場合に、基Tはどれも同じ意味を有する。請求項12で示されている化合物SH-1からSH-11が最も好ましい。
蛍光発光体(=受容体):
蛍光発光体は、好ましくは以下:スチリルアミン誘導体、インデノフルオレン誘導体、多環芳香族化合物、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、キサンテン誘導体、ペリレン誘導体、フェニレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールピレン誘導体、アリーレンビニレン誘導体、ルブレン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、キナクリドン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、チオピラン、ポリメチン誘導体、ピリリウム及びチアピリリウム塩、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス(アジニル)イミンボロン化合物、ビス(アジニル)メチン化合物、カルボスチリル化合物、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテル、アリールアミン、インデノフルオレンアミン及びインデノフルオレンジアミン、ベンゾインデノフルオレンアミン、ベンゾインデノフルオレンジアミン、ジベンゾインデノフルオレンアミン、ジベンゾインデノフルオレンジアミン、置換若しくは非置換のトリスチルベンアミン、ジスチリルベンゼン及びジスチリルビフェニル誘導体、トリアリールアミン、トリアゾロ誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、フェナントレン誘導体、ペリレン誘導体、ピレン誘導体、トリアジン誘導体、クリセン誘導体、デカシクレン誘導体、コロネン誘導体、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、ペンタフェニルシクロペンタジエン誘導体、スピロフルオレン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル、ジケトピロロピロール誘導体並びにアクリドン誘導体から選択される。
蛍光発光体化合物は、好ましくは、多環芳香族化合物、例えば9,10-ジ(2-ナフチルアントラセン)及び他のアントラセン誘導体、テトラセン、キサンテン、ペリレンの誘導体、例えば2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレン、フェニレン、例えば4,4'-(ビス(9-エチル-3-カルバゾビニレン)-1,1'-ビフェニル、フルオレン、アリールピレン(US2006/0222886)、アリーレンビニレン(米国特許第5,121,029号、米国特許第5,130,603号)、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドンの誘導体、例えばN,N'-ジメチルキナクリドン(DMQA)、ジシアノメチレンピラン、例えば4-(ジシアノエチレン)-6-(4-ジメチルアミノスチリル-2-メチル)-4H-ピラン(DCM)、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチアピリリウム塩、ペリフランテン、インデノペリレン、ビス(アジニル)イミンボロン化合物(US2007/0092753A1)、ビス(アジニル)メテン化合物並びにカルボスチリル化合物であってもよい。
更に好ましい蛍光発光体化合物は、C. H. Chenら:「Recent developments in organic electroluminescent materials」Macromol. Symp. 125(1997年)、1〜48頁及び「Recent progress of molecular organic electroluminescent materials and devices」Mat. Sci. and Eng. R、39(2002年)、143〜222頁に記載されている発光体であってもよい。
ここでモノスチリルアミンは、1個の置換又は非置換スチリル基及び少なくとも1つの好ましくは芳香族のアミンを含有する化合物である。ジスチリルアミンは、好ましくは2個の置換又は非置換スチリル基、及び少なくとも1つの好ましくは芳香族のアミンを含有する化合物である。トリスチリルアミンは、好ましくは3個の置換又は非置換スチリル基、及び少なくとも1つの好ましくは芳香族のアミンを含有する化合物である。テトラスチリルアミンは、好ましくは4個の置換又は非置換スチリル基、及び少なくとも1つの好ましくは芳香族のアミンを含有する化合物である。前記スチリル基は、特に好ましくはスチルベンであり、これは更に置換されていてもよい。本発明に従って用いられる対応するホスフィン及びエーテルは、アミンと同様に定義される。本発明の目的のためには、アリールアミン又は芳香族アミンは、窒素原子に直接結合された3つの置換若しくは非置換芳香族又はヘテロ芳香族環系を表す。これらの芳香族又はヘテロ芳香族環系の少なくとも1つは、縮合環であってもよい。その好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミン及び芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、1つのジアリールアミン基がアントラセン基へと直接、好ましくは9位で結合されている化合物であってもよい。芳香族アントラセンジアミンは、2つのジアリールアミン基がアントラセン基へと直接、好ましくは9位及び10位で結合されている化合物であってもよい。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミン及びクリセンジアミンはそれらと同様に定義され、ピレン上のジアリールアミン基は、好ましくは1位、又は1位及び6位に結合されている。
更に好ましい蛍光発光体化合物は、例えばWO2006/122630によるインデノフルオレンアミン及びインデノフルオレンジアミン、例えばWO2008/006449によるベンゾインデノフルオレンアミン及びベンゾインデノフルオレンジアミン、並びに例えばWO2007/140847によるジベンゾインデノフルオレンアミン及びジベンゾインデノフルオレンジアミンである。
本発明により用いられ得るスチリルアミンの分類からの更なる蛍光発光体化合物の例は、置換若しくは非置換のトリスチルベンアミン又はWO2006/000388、WO2006/058737、WO2006/000389、WO2007/065549及びWO2007/115610に記載されているものである。ジスチリルベンゼン及びジスチリルビフェニル誘導体は、米国特許第5,121,029号に記載されている。更なるスチリルアミンは、US2007/0122656A1で見出すことができる。特に好ましいスチリルアミン及びトリアリールアミンは、式(183)から(188)の化合物、並びに米国特許第7,250,532B2号、DE102005058557A1、CN1583691A、JP08053397A、米国特許第6,251,531B1号及びUS2006/210830Aに開示される化合物である。
更なる好ましい蛍光発光体化合物は、EP1957606A1及びUS2008/0113101A1で開示されているトリアリールアミンの群から採用することができる。
更に好ましい蛍光発光体化合物は、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、フルオレン、ペリフランテン、インデノペリレン、フェナントレン、ペリレンの誘導体(US2007/0252517A1)、ピレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、ルブレン、クマリンの誘導体(米国特許第4,769,292号、米国特許第6,020,078、US2007/0252517A1)、ピラン、オキサゾン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ピラジン、ケイ皮酸エステル、ジケトピロロピロール、アクリドン及びキナクリドンの誘導体(US2007/0252517A1)から選択され得る。
アントラセン化合物のうち、9,10-置換アントラセン、例えば9,10-ジフェニルアントラセン及び9,10-ビス(フェニルエチニル)アントラセンが好ましい。1,4-ビス(9'-エチニルアントラセニル)ベンゼンも、蛍光発光体化合物として好ましいことがある。
適切な蛍光発光体単位は、更に、以下の表に描写されている構造、並びにJP06001973、WO2004047499、WO200505950、WO2006098080、WO2006114337、WO2007065678、US20050260442、WO2004092111、US2006251925、WO2007003520、WO2011040607、WO2011059099、WO2011090149、WO2011043083、WO2011086941、WO2011086935;JP002001052870、EP373582、WO2006128800、WO2006/000388、WO2006/000389、WO06025273、WO2006/058737、WO2007/065549、WO2007/140847、WO2008/006449、WO2008/059713、WO2010122810、WO2011/052186、WO2013/185871、WO2014/037077、US2012/181520、KR2011/0041725、KR2011/0041728、KR2012/0011336、KR2012/0052499、KR2012/0074722及びKR2013/0110347で開示されている構造である。
蛍光受容体の選択基準
i)スペクトルの重なり
100%の発光極大に対して1%〜3%の発光強度は、発光の開始を判定するために使用される。効率的なエネルギー移動のために、蛍光発光体(受容体)の発光の開始は、発光性有機金属錯体(供与体)の発光の開始に対して0から50nmまで赤方偏移しているべきである。したがって、発光性有機金属錯体Xに対するこの要件を満たす蛍光発光体はすべて、本発明における蛍光発光体として適切である。
ii)T1移動の回避
量子効率に関する重要な損失チャネルは、供与体分子から蛍光受容体へのT1励起子の直接的な移動による可能性がある。供与体系における顕著な一重項占有率が上記のように予想されるが、依然いくつかの三重項占有率が存在すると考えられる。デクスター機構による三重項移動(D. L. Dexter、J. Chem. Phys.、21、836(1953年))は、供与体と受容体の間の電子交換機構に基づく短距離プロセスである。交換相互作用が大きくなるべき場合には、供与体と受容体のHOMO間の良好な重なりと同時に、供与体及び受容体のLUMOの重なりが必要とされる。この望ましくないプロセスをできる限り起きないようにするために、受容体におけるHOMOとLUMOの空間的分離を達成すべきである。標準的な量子化学的計算(DFT)は、ここで明らかな誘導を行うことができる。例えば、BP86/SV(P)レベル理論によれば、FE-7の軌道構造は空間的に隔離されており、FE-1の軌道構造は非局在化される。
別の選択肢は、供与体と受容体の間の良好な重なりを一切避けるための、受容体発色団の立体的遮蔽である。FE-2はこの概念を使用して、空間的に分離されたHOMO/LUMOの欠失を部分的に補う。
本発明に従って有利に使用できる蛍光発光体の例は、以下に示される:
この蛍光発光体は、Luminescence Technology社(Lumtec社)で市販されている。蛍光発光体(FE-3)及び(FE-4)は、有利には、式(XIa)及び(XIb)のイリジウム錯体並びにイリジウム錯体(BE-26)と使用できる。蛍光発光体(FE-5)は、有利にはイリジウム錯体(BE-26)と使用できる。蛍光発光体(FE-1)、(FE-2)、(FE-6)、(FE-7)、(FE-8)及び(FE-9)は、有利には式(XIc)のイリジウム錯体と使用できる。
蛍光発光体(FE-2)及び(FE-7)が好ましく、蛍光発光体(FE-7)が最も好ましい
特に好ましい実施形態では、発光層は、
発光性有機金属錯体Xを40.01から80.00質量%、
蛍光発光体Yを0.10から3.00質量%、及び
ホスト化合物を17.00から59.89質量%
を含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。
ホスト化合物は、1種の化合物であってもよく、又は、2種以上の化合物の混合物であってもよい。有利には、化合物HTM-1及びHTM-2は、共ホストとして添加され得る。
発光層中に使用されるホスト化合物、発光性有機金属錯体X、発光体Yの好ましい組合せは、以下の表に示される:
正孔/励起子遮断層(f):
遮断層は、発光層から放たれる電荷担体(電子若しくは正孔)及び/又は励起子の数を減少させるために使用できる。正孔遮断層は、電子輸送層(g)の方向で脱離層(e)からの正孔を遮断するために、発光層(e)と電子輸送層(g)の間に配置され得る。遮断層は、発光層から放出される励起子を遮断するためにも使用できる。適切な正孔/励起子材料は、原則として、上で言及されているホスト化合物である。ホスト材料に関しても同一の優先が当てはまる。
現在最も好ましい正孔/励起子遮断材料は、化合物SH-1からSH-11である。
電子輸送層(g):
電子輸送層は、電子を輸送できる材料を含み得る。電子輸送層は、真性(非ドープ)であっても、ドープされていてもよい。ドーピングは、伝導性を向上させるために使用してもよい。本発明のOLEDの層(g)に適切な電子輸送材料は、オキシノイド化合物でキレート化された金属、例えばトリス(8-ヒドロキシキノラト)アルミニウム(Alq3)、フェナントロリンに基づく化合物、例えば2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(DDPA=BCP)、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(Bphen)、2,4,7,9-テトラフェニル-1,10-フェナントロリン、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(DPA)又はEP1786050、EP1970371若しくはEP1097981で開示されているフェナントロリン誘導体並びにアゾール化合物、例えば2-(4-ビフェニリル)-5-(4-t-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(PBD)及び3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-t-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール(TAZ)を含む。
同様に、少なくとも2種の材料の混合物を電子輸送層に使用することもでき、その場合、少なくとも1種の材料が電子伝導性である。好ましくは、そのような混合電子輸送層においては、少なくとも1種のフェナントロリン化合物、好ましくはBCP又は以下の式(VIII)による少なくとも1種のピリジン化合物が使用される。より好ましくは、混合電子輸送層においては、少なくとも1種のフェナントロリン化合物に加えて、アルカリ土類金属若しくはアルカリ金属ヒドロキノレート錯体、例えばLiqが使用される。適切なアルカリ土類金属又はアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体は、以下で特定されている(式VII)。WO2011/157779が参照される。
電子輸送層は、使用される材料の輸送性質を改善するために、第1に、層を更に厚くするために(ピンホール/ショートの回避)、また、第2にデバイスの作動電圧を最小限にするために、電子的にドープされていてもよい。電子的ドーピングは、当業者に公知であり、例えばW. Gao、A. Kahn、J. Appl. Phys.、第94巻、第1号、2003年7月1日(p型ドープされた有機層)、A. G. Werner、F. Li、K. Harada、M. Pfeiffer、T. Fritz、K. Leo. Appl. Phys. Lett.、第82巻、第25号、2003年6月23日、及びPfeifferら、Organic Electronics 2003年、4、89〜103頁及びK. Walzer、B. Maennig、M. Pfeiffer、K. Leo、Chem. Soc. Rev. 2007年、107、1233で開示されている。例えば、電子輸送層の電気的n型ドープを引き起こす混合物を使用することが可能である。n型ドープは、還元性材料の添加によって達成される。これらの混合物は、例えば上述の電子輸送材料と、アルカリ金属/アルカリ土類金属又はアルカリ金属塩/アルカリ土類金属塩、例えばLi、Cs、Ca、Sr、Cs2CO3の、アルカリ金属錯体、例えば8-ヒドロキシキノラトリチウム(Liq)と、及びY、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、フタル酸二カリウム、EP1786050からのW(hpp)4又はEP1837926B1、EP1837927、EP2246862及びWO2010132236に記載される化合物との混合物であってよい。
好ましい実施形態において、電子輸送層は、少なくとも、一般式(VII)
[式中
R32及びR33は、それぞれ独立して、F、C1〜C8-アルキル又はC6〜C14-アリールであり、これは、任意選択で1個以上のC1〜C8-アルキル基によって置換されており、又は
2個のR32及び/又はR33置換基は、縮合ベンゼン環を一緒に形成し、この環は、任意選択で1個以上のC1〜C8-アルキル基によって置換されており、
a及びbは、それぞれ独立して、0若しくは1、2若しくは3であり、
M1は、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子であり、
pは、M1がアルカリ金属原子である場合には1であり、pは、M1がアルカリ土類金属原子である場合には2である]
の化合物を含む。
式(VII)の特にきわめて好ましい化合物は、
であり、これは、単一種として存在してもよく、他の形態、例えばLigQg(式中、gは、整数である)、例えばLi6Q6として存在してもよい。Qは、8-ヒドロキシキノレート配位子又は8-ヒドロキシキノレート誘導体である。
更に好ましい実施形態では、電子輸送層は、少なくとも式(VIII)
[式中、
R34、R35、R36、R37、R34'、R35'、R36'及びR37'は、それぞれ独立して、H、C1〜C18-アルキル、Eによって置換されている、及び/又はDによって中断されているC1〜C18-アルキル、C6〜C24-アリール、Gによって置換されているC6〜C24-アリール、C2〜C20-ヘテロアリール又はGによって置換されているC2〜C20-ヘテロアリールであり、
Qは、アリーレン又はヘテロアリーレン基であり、そのそれぞれは、任意選択でGによって置換されており、
Dは、-CO-;-COO-;-S-;-SO-;-SO2-;-O-;-NR40-;-SiR45R46-;-POR47-;-CR38=CR39-又は-C≡C-であり、
Eは、-OR44;-SR44;-NR40R41;-COR43;-COOR42;-CONR40R41;-CN又はFであり、
Gは、E、C1〜C18-アルキル、Dによって中断されているC1〜C18-アルキル、C1〜C18-ペルフルオロアルキル、C1〜C18-アルコキシ又はEによって置換されている、及び/若しくはDによって中断されているC1〜C18-アルコキシであり、
R38及びR39は、それぞれ独立して、H、C6〜C18-アリール、C1〜C18-アルキル若しくはC1〜C18-アルコキシによって置換されているC6〜C18-アリール、C1〜C18-アルキル;又は-O-によって中断されているC1〜C18-アルキルであり、
R40及びR41は、それぞれ独立して、C6〜C18-アリール;C1〜C18-アルキル若しくはC1〜C18-アルコキシによって置換されているC6〜C18-アリール;C1〜C18-アルキル;又は-O-によって中断されているC1〜C18-アルキルである、或いは、
R40及びR41は、一緒に6員環を形成し、
R42及びR43は、それぞれ独立して、C6〜C18-アリール;C1〜C18-アルキル若しくはC1〜C18-アルコキシによって置換されているC6〜C18-アリール;C1〜C18-アルキル;又は-O-によって中断されているC1〜C18-アルキルであり、
R44は、C6〜C18-アリール;C1〜C18-アルキル若しくはC1〜C18-アルコキシによって置換されているC6〜C18-アリールであり; C1〜C18-アルキル;又は-O-によって中断されているC1〜C18-アルキルであり
R45及びR46は、それぞれ独立して、C1〜C18-アルキル、C6〜C18-アリール又はC1〜C18-アルキルによって置換されているC6〜C18-アリールであり、
R47は、C1〜C18-アルキル、C6〜C18-アリール又はC1〜C18-アルキルによって置換されているC6〜C18-アリールである]
化合物を含む。
式(VIII)の好ましい化合物は、式(VIIIa)
[式中、
Qは:
であり、R48は、H又はC1〜C18-アルキルであり
R48'は、H、C1〜C18-アルキル又は
である]
の化合物である。
式
の化合物が特に好ましい。
更に、特にごく好ましい一実施形態においては、電子輸送層は、化合物Liq及び化合物ETM-2を含む。
好ましい実施形態において、電子輸送層は、式(VII)の化合物を、99から1質量%、好ましくは75から25質量%、より好ましくは約50質量%の量で含み、式(VII)の化合物及び式(VIII)の化合物の量は合計100質量%になる。
式(VIII)の化合物の調製は、J. Kidoら、Chem. Commun.(2008年)、5821〜5823頁、J. Kidoら、Chem. Mater. 20(2008年)5951〜5953頁及びJP2008/127326に記載されており、又は、化合物は、前述の文書で開示されているプロセスと同様に調製できる。
電子輸送層において、アルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体、好ましくはLiq及びジベンゾフラン化合物の混合物を使用することができる。WO2011/157790が参照される。WO2011/157790に記載されるジベンゾフラン化合物A-1からA-36及びB-1からB-22が好ましく、ジベンゾフラン化合物
が最も好ましい。
好ましい一実施形態においては、電子輸送層は、Liqを99から1質量%、好ましくは75から25質量%、より好ましくは約50質量%の量で含み、Liqの量及びジベンゾフラン化合物、とりわけETM-1の量は合計100質量%になる。
好ましい実施形態において、電子輸送層は、少なくとも1種のフェナントロリン誘導体及び/又はピリジン誘導体を含む。
更に好ましい実施形態において、電子輸送層は、少なくとも1種のフェナントロリン誘導体及び/又はピリジン誘導体、並びに少なくとも1種のアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体を含む。
更に好ましい実施形態において、電子輸送層は、WO2011/157790に記載されているジベンゾフラン化合物A-1からA-36及びB-1からB-22の少なくとも1種、とりわけETM-1を含む。
更に好ましい実施形態において、電子輸送層は、WO2012/114621、WO2012/147397、WO2012014621に記載されている化合物、例えば、式
の化合物、US2012/0261654に記載されている化合物、例えば、式
の化合物、及びWO2012/115034に記載される化合物、例えば式
の化合物を含む。
電子注入層(h):
電子注入層は、隣接した有機層中への電子の注入を改善する、任意の層であってもよい。リチウムを含む有機金属化合物、例えば8-ヒドロキシキノラトリチウム(Liq)、CsF、NaF、KF、Cs2CO3又はLiFは、駆動電圧を低下させるために、電子輸送層(g)とカソード(i)の間に電子注入層(h)として適用してもよい。
カソード(i):
カソード(i)は、電子又は負の電荷担体を導入する役割を果たす電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有する任意の金属又は非金属であってよい。カソードに適切な材料は、元素の周期律表の第1族のアルカリ金属、例えばLi、Cs、第2族のアルカリ土類金属、第12族の金属からなり、希土類金属並びにランタニド及びアクチニドを含む群から選択される。更に、例えばアルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム及びマグネシウムの金属並びにそれらの組み合わせを使用してもよい。
一般に、様々な層が存在する場合、以下の厚さを有する:
アノード(a):500Å〜5000Å(オングストローム)、好ましくは1000Å〜2000Å、
正孔注入層(b):50Å〜1000Å、好ましくは200Å〜800Å、
正孔輸送層(c):50Å〜1000Å、好ましくは100Å〜900Å、
励起子遮断層(d):10Å〜500Å、好ましくは50Å〜100Å、
発光層(e):10Å〜1000Å、好ましくは50Å〜600Å、
正孔/励起子遮断層(f):10Å〜500Å、好ましくは50Å〜100Å、
電子輸送層(g):50Å〜1000Å、好ましくは200Å〜800Å、
電子注入層(h):10Å〜500Å、好ましくは20Å〜100Å、
カソード(i):200Å〜10000Å、好ましくは300Å〜5000Åを有する。
本発明のOLEDは、当業者に公知の方法によって生成できる。一般に、本発明のOLEDは、適切な基材における個々の層の連続した蒸着によって生成される。適切な基材は、例えばガラス、無機半導体又はポリマーフィルムである。蒸着に関しては、慣例的な技術、例えば熱蒸発、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)を使用することが可能である。代替的な方法においては、OLEDの有機層は、適切な溶剤中の溶液又は分散液から、当業者に公知のコーティング技術を用いて適用できる。
OLEDは、エレクトロルミネッセンスが有用な装置すべてで使用できる。適切なデバイスは、好ましくは据置型及び携帯型視覚表示ユニット及び照明ユニットから選択される。据置型の視覚的表示ユニットは、例えばコンピュータの視覚表示ユニット、テレビ、プリンタにおける視覚表示ユニット、調理家電における視覚表示ユニット、並びに広告パネルにおける視覚表示ユニット、照明及び案内パネルである。携帯型視覚表示ユニットは、例えば携帯電話、タブレットPC、ノートパソコン、デジタルカメラ、MP3プレイヤ、車両並びにバス及び列車の目的地表示の視覚表示ユニットである。本発明のOLEDを使用できる更なる装置は、例えばキーボード、衣類、家具、壁紙である。
したがって、本発明は、少なくとも1つの本発明の有機発光デバイス又は発光層を含む、据置型視覚表示ユニット、例えばコンピュータの視覚表示ユニット、テレビ、プリンタにおける視覚表示ユニット、調理家電における視覚表示ユニット、並びに広告パネルにおける視覚表示ユニット、照明パネル、案内パネルと、携帯型視覚表示ユニット、例えば携帯電話、タブレットPC、ノートパソコン、デジタルカメラ、MP3プレイヤ、車両並びにバス及び列車の目的地表示の視覚表示ユニット、照明ユニット、キーボード、衣類、家具、壁紙からなる群から選択される装置に関する。
本発明の別の態様は、
一重項エネルギーと三重項エネルギーの差が0.2eVより小さい発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95、とりわけ40.01から90.00質量%、
蛍光発光体Yを0.05から5.00質量%、及び
ホスト化合物を0から59.94、とりわけ5.00から59.94質量%
含む発光層であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量が合計100質量%になり、発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギー(ES1(X))が蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい、発光層である。
発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギーと三重項エネルギーの差は、好ましくは0.1eVより小さく、より好ましくは0.05eVより小さい。
好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から90.00質量%、蛍光発光体Yを0.10から5.00質量%及びホスト化合物を5.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。より好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から80.00質量%、蛍光発光体Yを0.10から4.00質量%及びホスト化合物を16.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。最も好ましくは、発光層は、発光性有機金属錯体Xを40.01から80.00質量%、蛍光発光体Yを0.1から3.0質量%及びホスト化合物を17.00から59.89質量%含み、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる。
本発明の別の対象は、一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差が0.2eVより小さく[Δ(ES1(X))-(ET1(X))<0.2eV]且つ蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい一重項エネルギー(ES1(X))[(ES1(X))>ES1(Y)]を有する発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95、とりわけ40.01から90.00質量%、及びホスト化合物を0から59.94、とりわけ5.00から59.94質量%含む発光層にドープして、発光性有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物からなる薄膜の、τ0=τv/QYにより計算される発光減衰時間を100ns未満に短縮するための、蛍光発光体Yの使用であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量は合計100質量%になる、使用である。
発光寿命τ0は、好ましくは0.1から80ns、より好ましくは0.5から50ns、最も好ましくは0.5から40nsの範囲である。
発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギーと三重項エネルギーの差は、好ましくは0.1eVより小さく、より好ましくは0.05eVより小さい。
発光層は、発光電気化学セル(LEEC)、OLED、OLEDセンサに、とりわけ外側から密封されていないガスセンサ及び蒸気センサ、光学的温度センサ、有機太陽電池(OSC;有機太陽光発電、OPV)、有機電界効果トランジスタ、有機ダイオード及び有機光ダイオードに使用できる。
以下の実施例は、例示の目的のためのみに含まれ、特許請求の範囲を限定しない。特に指定のない限り、すべての部及び百分率は、質量に対するものである。
以下の実施例、より詳細には、実施例で詳述されている方法、材料、状態、プロセスパラメータ、装置等は、本発明を裏付けるよう意図されているが、本発明の範囲を制約するよう意図されてはいない。すべての実験は、保護ガス雰囲気中で実行される。以下の実施例で言及されている百分率及び比は、特に明記されていなければ、質量%及び質量比である。BE-38のメリディオナル異性体を実施例で使用する。
量子効率及び発行波長の測定(SH-11マトリックス)
発光供与体分子及び/又は発光受容体分子の光ルミネッセンス(PL)スペクトルは、薄膜で測定する。薄膜は、以下の手順により調製される:2.5mgのホスト分子(SH-11)及び個別量の発光供与体及び/又は発光受容体を、250μlのジクロロメタン中に溶解し、続いて、1時間撹拌する。溶液を、ドクターブレード法で、フィルムアプリケーター(モデル360 2082、Erichsen社)を用いて30μmの間隔で石英基材にキャスティングすることにより、薄膜(厚さ約6μm)が得られる。
これらのフィルムのPLスペクトル及び量子収率(QY)は、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス株式会社、モデルC9920-02)(励起波長:310nm)を使用する積分球法で測定する。
励起状態寿命及び発光寿命τ0の測定
調製されたフィルムの励起状態寿命(τv)を、以下の手順により測定する: 励起のために、10kHzで作動させる310nmの励起波長を有するパルスダイオードレーザを使用する。検出は、時間相関単一光子計数(TCSPC)で実行する。発光寿命τ0は、τ0=τv/QYにより計算される。
様々な試料に対する量子収率(QY)(%)、CIEx,y及び発光寿命τ0(ns)の測定を、表1に示す。QYを測定するために、310nmで励起を実行し、ここでは、吸収はほぼ供与体のみによるものである。
表1から明らかなように、発光寿命τ0は、本発明の概念によって、QYを維持する、又は高めさえしながらも、80nsを優に下回る値にまで短縮し得る。CIEy座標は、発光が受容体から生じる場合、効率的な移動が既に低い濃度で起こることを示している。
S1-T1分離の判定
S1-T1分離を判定するために、筆者らは、励起状態寿命の温度依存性測定、及び量子化学計算を伴う組み合わせたアプローチを使用する。
a)実験アプローチ:
PMMA(2%)中のイリジウム錯体の60μm薄膜を、ドクターブレード法によって、ジクロロメタンから石英基材上に調製する。クライオスタット(Optistat CF、Oxford Instruments社)は、液体ヘリウムによる試料の冷却に使用する。PLスペクトル及び発光極大でのPL減衰時間は、分光計(Edinburgh Instruments社、FLS 920P)を用いて以下の温度:4K、10K、20K、30K、50K、75K、100K、150K、200K、250K、300K、350K、375K、400Kにて測定する。
当てはめ:
平均PL減衰時間の温度依存性は、ボルツマン分布に従って占有された様々な状態のエネルギー準位及び減衰速度についての情報を示す(M. J. Leitl、V. A. Krylova、P. I. Djurovich、M. E. Thompson、H. Yers、J. Am. Chem. Soc. 2014年、136、16032〜16038頁;T. Hofbeck、H. Yersin、Inorg. Chem. 2010年、49、9290〜9299頁)。2つの占有された励起状態を有する系に関しては、測定したデータkav対Tに以下の表現を対して当てはめることができる。
等式2
3つの占有された励起状態を有する系に関しては、等式2が使用される。
等式2
式中、kavは、測定から判定される減衰速度である、kI、kII、kIIIは、それぞれの励起状態の減衰速度であり、EI,II及びEI,IIIは、最低励起状態と比較した励起状態I及びIIのエネルギーの差であり、kBは、ボルツマン定数であり、Tは温度である。
高い値のk(>2*106s-1)は、それぞれの励起状態が一重項であると示すものである。しかし、励起状態のスピン多重度は、PL測定によって証明できないので、更なる量子化学計算を実行し、測定の当てはめから筆者らが見出す励起状態レベルと比較しなければならない。
b)量子化学アプローチ
最初に、可能性のある供与体分子の三重項構造を、非制限BP86[J. P. Perdew, Phys. Rev. B 33、8822(1986年)及びJ. P. Perdew, Phys. Rev. B 33、8822(1986年)]/SV(P)[A. Schaefer、H. Horn及びR. Ahlrichs、J. Chem. Phys. 9、2571(1992年)]-イリジウム遷移金属錯体の場合には有効内殻ポテンシャルを含むレベル理論[D. Andrae、U. Haeussermann、M. Dolg、H. Stoll及びH. Preuss、Theor. Chim. Acta 77、123(1990年)]で最適化した。これらの三重項構造に基づいて、相対論的な電子計算をすべて行って、S1-T1分離を判定した。具体的には、筆者らは、B3LYP汎関数[Becke, A. D.、J. Chem. Phys. 98、5648(1993年)]を、二重ゼータ特性の全電子基底系[E. van Lenthe及びE. J. Baerends、J. Comp. Chemistry 24、1142(2003年)]と組み合わせて使用した。スカラー相対論的効果は、ZORAアプローチ[E. van Lenthe、A. E. Ehlers及びE. J. Baerends、Journal of Chemical Physics 110、8943(1999年)]によりSCFレベルで含まれた。それに基づいて、摂動論によるスピン軌道相互作用を含む、時間依存性の波動関数の密度汎関数計算を実施した[F. Wang及びT. Ziegler、Journal of Chemical Physics 123、154102(2005年)]。次いで、S1-T1分離は、最終的には、最低のT1副殻と最初のスピン軌道補正されたS1状態とのエネルギー差として判定される。相対論的計算は、ADFプログラムパッケージ[3. ADF2009. 01、SCM、Theoretical Chemistry、Vrije Universiteit、Amsterdam、The Netherlands、http://www.scm.com]を使用して実行したが、構造最適化のために、TURBOMOLEプログラムパッケージ[R. Ahlrichs、M. Baer、M. Haeser、H. Horn及びC. Coelmel、Chem. Phys. Lett. 162、165(1989年)]を使用した。
このアプローチの有効性を例証するために、実験的に当てはめたS1-T1値と、計算されたS1-T1値の間の比較を、以下の表2で示す:
計算されたデータと当てはめたデータの間できわめて良好な一致が得られた。BE-24の例外的に小さいS1-T1分離が明らかに示された。Ir(ppy)3及びFIrpicは、比較の拡大のために含まれる。Ir(ppy)3及びFIrpicのS1-T1分離は、Burak Himmetoglu、Alex Marchenko、Ismaila Dabo、及びMatteo Cococcioni、The Journal of Chemical Physics 137、154309(2012年)並びにそこに引用されている文献から得た。Ir(ppy)3及びFIrpicのS1-T1分離は、ピーク波長/吸収の開始から測定されることにより、本質的にきわめて近似であることに留意されたい。理論及び測定のいずれも、0.1eVより有意に大きいS1-T1分離を示す場合、これらの分子に一致する。
BE-24のS1-T1分離の判定
化合物(BE-24)のS1-T1分離を判定するために、量子化学計算並びに低温光ルミネッセンス測定を行う。以下の等式(1)〜(4)
のセットを用いることにより、また、T1速度に対する4Kでの速度を特定することにより、S1発光速度及びS1-T1分離を同時に当てはめることができる。筆者らは、S1状態で330ns、T1状態で10μ秒の発光寿命を得、S1-T1分離に対して0.01eVである。この例外的に低い値により、S1状態のボルツマン占有率が約70%となり、ひいては、先のセクションに記載されているきわめて効率的なエネルギー移動も説明される。この状態のスピン多重度は、PL測定により直接証明できないので、筆者らは、追加の相対論的量子化学計算を実行した。ここでは、筆者らは、上の解釈に従って、0.04eVのきわめて小さいS1-T1分離を見出す。
適用例
アノードとして使用されるITO基材を、最初に、LCD製造用の商用の洗剤(Deconex(商標登録)20NS及び250RGAN-ACID(商標登録)中和剤)を用いて、次いで、超音波浴中のアセトン/イソプロパノール混合物中で清掃した。考えられる有機残渣を取り除くために、基材をオゾンオーブン中の連続オゾン流に更に25分間曝露させた。この処理は、ITOの正孔注入性も改善する。その後、以下で特定されている有機材料を、清掃した基材に、蒸着により、約10-7〜10-9mbarにて、およそ0.5〜5nm/分の速度で適用する。
基材に適用される正孔注入、導体及び励起遮断子は、
であり、厚さ60から100nmの間を有し、そのうち50から90nmにMoO3を用いてドープする。残りの10nmのIr(DPBIC)3は、励起遮断子としての役割を果たす。続いて、発光層(EML)を、発光性有機金属錯体BE-X(40.01から80.00質量%)、蛍光発光体FE-X(0.05〜3.0質量%)及びホスト化合物
(17.00から59.94質量%)の混合物として、蒸着により40nmの厚さに堆積させる。続いて、SH-11又はSH-2は、正孔遮断子として、蒸着により、5nmの厚さに適用される。
次に、電子輸送層として、
(50:50)の混合物を、蒸着により適用する(25から35nm)。次いで、蒸着により4nmのKFの堆積が続き、最終的に熱蒸発により100nm厚のAl電極を堆積した。不活性窒素雰囲気中で、すべての成分をガラス蓋に接着剤で固定した。
(比較適用例1並びに適用例1及び2)
比較デバイス1:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(50:0:50)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
デバイス1:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(50:1:49)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
デバイス2:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(50:2:48)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
OLEDを特徴付けるために、エレクトロルミネッセンススペクトルを様々な電流及び電圧で記録する。更に、電流-電圧の特性は、輝度と組み合わせて測定して、発光効率及び外部量子効率(EQE)を判定する。特に明記されていない限り、駆動電圧U及びEQEは、輝度(L)=1000cd/m2で示され、国際照明委員会(CIE)座標は、5mA cm2で示される。更に、50%寿命(LT50)を、一定電流密度J=25mA cm2で測定し、初期輝度までかかる時間が50%に減少する。比較適用例のEQE及びLT50を100とし、適用例のEQE及びLT50を、比較適用例のものと関連付けて特定した。
(比較適用例2並びに適用例3及び4)
比較デバイス2、並びにデバイス3及び4は、比較適用例1と同様に得られる。比較デバイス2、並びにデバイス3及び4のデバイス構造は、以下に示されている:
比較デバイス2:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(60:0:40)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
デバイス3:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(60:1:39)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
デバイス4:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(60:2:38)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
(比較適用例3並びに適用例5及び6)
比較デバイス3、並びにデバイス5及び6は、比較適用例1と同様に得られる。比較デバイス3、並びにデバイス5 及び6のデバイス構造は以下に示されている:
比較デバイス3:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(70:0:30)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
デバイス5:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(70:1:29)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
デバイス6:
ITO - 90nmのIr(DPBIC)3:MoO3(90:10)- 10nmのIr(DPBIC)3 - 40nmのBE-38/FE-7/SH-11(70:2:28)- 5nmのSH-11 - 25nmのETM-1:Liq(50:50)- 4nmのKF - 100nmのAl
表3から5から明らかなように、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物を含む本発明のデバイスのEQE及び/又は寿命は、有機金属錯体X及びホスト化合物しか含まないデバイスと比較して、増加する。
例えば、小さいS1-T1分離を有する発光性有機金属錯体を含有する発光層に、蛍光発光体をドープすることにより、エネルギー移動はきわめて効率的になるため、外部量子効率(EQE)を犠牲にすることなく、発光減衰時間を顕著に短くすることができる。

Claims (17)

  1. (a)アノードと、
    (i)カソードと、
    (e)一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差が0.2eVより小さい発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95質量%、
    蛍光発光体Yを0.05から5.00質量%、及び
    ホスト化合物を0から59.94質量%
    含む、アノードとカソードの間の発光層であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量が合計100質量%になり、前記発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギー(ES1(X))が、前記蛍光発光体Yの一重項エネルギー(Es1(Y))より大きい、発光層と
    を含む有機発光デバイス。
  2. 前記発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギーと三重項エネルギーの差が、0.1eVより小さい、請求項1に記載の有機発光デバイス。
  3. 前記発光性有機金属錯体Xの一重項エネルギーと三重項エネルギーの差が、0.05eVより小さい、請求項1に記載の有機発光デバイス。
  4. 前記発光性有機金属錯体X(2から40質量%)、蛍光発光体Y(0.05から5.0質量%)及びホスト化合物(0から55.94質量%)からなる薄膜の、τ0=τv/QY[式中、QYは量子収率であり、τvは励起状態寿命である]により計算される発光寿命τ0が、100ns未満である、請求項1から3のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  5. 前記発光性有機金属錯体Xが、発光性イリジウム錯体である、請求項1から4のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  6. 前記発光性イリジウム錯体が、式
    の化合物である、請求項5に記載の有機発光デバイス。
  7. 前記発光性イリジウム錯体が、式
    [式中、
    X1及びY1は、互いに独立してCH又はNであるが、但し、X1及びY1の少なくとも1つがNであることが条件であり、
    R23、R24、R27及びR28は、それぞれ独立して水素;重水素;メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、OCH3、OCF3;フェニル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、カルバゾリル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ベンゾフラニル及びベンゾチオフェニル、前述の基は、非置換であってもよく、又はメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、メトキシ、CF3若しくはフェニルで置換されていてもよく;F、CF3、CN及びSiPh3から選択される、供与体又は受容体作用を有する基であり、
    R25は、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、OCH3、OCF3;フェニル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、前述の基は、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、メトキシ若しくはフェニルで置換されていてもよく、好ましくは一置換されていてもよく、又は非置換であってもよく;CF3及びCNから選択される、供与体又は受容体作用を有する基である]
    の化合物であり、それらが好ましい、請求項5に記載の有機発光デバイス。
  8. 前記発光性有機金属錯体Xが、発光性銅錯体である、請求項1から4のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  9. 前記発光性銅錯体が、式
    の化合物である、請求項8に記載の有機発光デバイス。
  10. 前記蛍光発光体Yが、式
    の化合物である、請求項1から9のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  11. 前記ホスト化合物が、式
    [式中、TはO又はSである]
    の化合物である、請求項1から10のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  12. 前記ホスト化合物が、式
    の化合物である、請求項11に記載の有機発光デバイス。
  13. 以下の順で:
    (a)アノード、
    (b)任意選択で正孔注入層、
    (c)正孔輸送層、
    (d)励起子遮断層
    (e)発光性有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物を含む発光層、
    (f)正孔/励起子遮断層
    (g)電子輸送層、
    (h)任意選択で電子注入層、並びに
    (i)カソード
    を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
  14. 一重項エネルギーと三重項エネルギーの差が0.2eVより小さい発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95質量%、
    蛍光発光体Yを0.05から5.00質量%、及び
    ホスト化合物を0から59.94質量%
    含む発光層であって、前記有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量が合計100質量%になり、前記発光性有機錯体Xの一重項エネルギー(ES1(X))が前記蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい、発光層。
  15. 請求項1から13のいずれか一項に記載の有機発光デバイス又は請求項14に記載の発光層を含む装置であって、コンピュータの視覚表示ユニット、テレビ、プリンタにおける視覚表示ユニット、調理家電における視覚表示ユニット、及び広告パネルにおける視覚表示ユニット、照明、案内パネルなどの据置型視覚表示ユニット、携帯電話、ノートパソコン、デジタルカメラ、MP3プレイヤ、車両並びにバス及び列車の目的地表示の視覚表示ユニットなどの携帯型視覚表示ユニット;照明ユニット;キーボード;衣類;家具;壁紙からなる群から選択される装置。
  16. 請求項14に記載の発光層を含む、発光電気化学セル(LEEC)、有機発光デバイス(OLED)センサ、有機太陽電池(OSC)、有機電界効果トランジスタ、有機ダイオード及び有機光ダイオード。
  17. 一重項エネルギー(ES1(X))と三重項エネルギー(ET1(X))の差が0.2eVより小さく且つ蛍光発光体Yの一重項エネルギー(ES1(Y))より大きい一重項エネルギー(ES1(X))を有する発光性有機金属錯体Xを40.01から99.95質量%及びホスト化合物を0から59.94質量%含む発光層にドープして、前記発光性有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物からなる薄膜の、τ0=τv/QY[式中、QYは量子収率であり、τvは励起状態寿命である]により計算される発光寿命τ0を100ns未満に短縮するための、蛍光発光体Yの使用であって、有機金属錯体X、蛍光発光体Y及びホスト化合物の量が合計100質量%になる、使用。
JP2017562714A 2015-06-03 2016-05-31 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス Active JP6662913B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020022320A JP6974519B2 (ja) 2015-06-03 2020-02-13 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15170489.7 2015-06-03
EP15170489 2015-06-03
PCT/EP2016/062228 WO2016193243A1 (en) 2015-06-03 2016-05-31 Highly efficient oled devices with very short decay times

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020022320A Division JP6974519B2 (ja) 2015-06-03 2020-02-13 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018524803A true JP2018524803A (ja) 2018-08-30
JP6662913B2 JP6662913B2 (ja) 2020-03-11

Family

ID=53274453

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017562714A Active JP6662913B2 (ja) 2015-06-03 2016-05-31 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス
JP2020022320A Active JP6974519B2 (ja) 2015-06-03 2020-02-13 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020022320A Active JP6974519B2 (ja) 2015-06-03 2020-02-13 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180182980A1 (ja)
EP (2) EP4060757A1 (ja)
JP (2) JP6662913B2 (ja)
KR (1) KR102471707B1 (ja)
CN (2) CN111668392B (ja)
WO (1) WO2016193243A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017041636A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光素子
WO2020175624A1 (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 国立大学法人九州大学 化合物、発光材料および有機半導体レーザー素子

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109521397B (zh) 2013-06-13 2023-03-28 巴斯夫欧洲公司 用于光学地检测至少一个对象的检测器
CN109438518B (zh) 2013-07-02 2021-06-15 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于有机发光二级管中的单取代的二氮杂苯并咪唑卡宾金属络合物
CN106662636B (zh) 2014-07-08 2020-12-25 巴斯夫欧洲公司 用于确定至少一个对象的位置的检测器
EP3230841B1 (en) 2014-12-09 2019-07-03 Basf Se Optical detector
JP6841769B2 (ja) 2015-01-30 2021-03-10 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも１個の物体を光学的に検出する検出器
US10955936B2 (en) 2015-07-17 2021-03-23 Trinamix Gmbh Detector for optically detecting at least one object
JP2019523562A (ja) 2016-07-29 2019-08-22 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光学的検出のための光センサおよび検出器
JP7241684B2 (ja) 2016-10-25 2023-03-17 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも１個の対象物の光学的な検出のための検出器
KR102575104B1 (ko) 2016-10-25 2023-09-07 트리나미엑스 게엠베하 집적 필터를 가진 적외선 광학 검출기
US11860292B2 (en) 2016-11-17 2024-01-02 Trinamix Gmbh Detector and methods for authenticating at least one object
US11415661B2 (en) 2016-11-17 2022-08-16 Trinamix Gmbh Detector for optically detecting at least one object
JP7293115B2 (ja) 2017-01-19 2023-06-19 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア オキシメチレンポリマーの製造方法
WO2018167215A1 (en) 2017-03-16 2018-09-20 Trinamix Gmbh Detector for optically detecting at least one object
WO2018199629A1 (ko) * 2017-04-27 2018-11-01 경상대학교산학협력단 신규한 디벤조아자실린 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US11668828B2 (en) 2017-08-28 2023-06-06 Trinamix Gmbh Detector for determining a position of at least one object
WO2019042959A1 (en) 2017-08-28 2019-03-07 Trinamix Gmbh TELEMETER FOR DETERMINING AT LEAST ONE GEOMETRIC INFORMATION
TW202030902A (zh) 2018-09-12 2020-08-16 德商麥克專利有限公司 電致發光裝置
TWI826522B (zh) 2018-09-12 2023-12-21 德商麥克專利有限公司 電致發光裝置
US20220127286A1 (en) 2019-03-04 2022-04-28 Merck Patent Gmbh Ligands for nano-sized materials
US11462692B2 (en) * 2019-03-21 2022-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device
EP3739645B1 (en) * 2019-03-29 2022-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11839138B2 (en) 2019-04-17 2023-12-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and electronic device
KR20210026620A (ko) 2019-08-30 2021-03-10 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR20210067752A (ko) 2019-11-29 2021-06-08 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
CN114787169A (zh) 2019-12-18 2022-07-22 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的芳族化合物
CN114867729A (zh) 2019-12-19 2022-08-05 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的多环化合物
CN115052865A (zh) 2020-01-29 2022-09-13 默克专利有限公司 苯并咪唑衍生物
EP4122028A1 (de) 2020-03-17 2023-01-25 Merck Patent GmbH Heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
EP4121432A1 (de) 2020-03-17 2023-01-25 Merck Patent GmbH Heteroaromatische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
CN115335383A (zh) 2020-03-26 2022-11-11 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的环状化合物
JP2023520710A (ja) 2020-04-06 2023-05-18 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネッセンス素子のための多環式化合物
KR20210136224A (ko) 2020-05-06 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
EP4169082A1 (de) 2020-06-23 2023-04-26 Merck Patent GmbH Verfahren zur herstellung einer mischung
EP4172164A1 (de) 2020-06-29 2023-05-03 Merck Patent GmbH Heteroaromatische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2022002771A1 (de) 2020-06-29 2022-01-06 Merck Patent Gmbh Heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
KR20220039108A (ko) * 2020-09-21 2022-03-29 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
TW202229215A (zh) 2020-09-30 2022-08-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置功能層之結構化的化合物
TW202222748A (zh) 2020-09-30 2022-06-16 德商麥克專利有限公司 用於結構化有機電致發光裝置的功能層之化合物
KR20230088748A (ko) 2020-10-16 2023-06-20 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 디바이스용 헤테로원자를 포함하는 화합물
EP4229064A1 (de) 2020-10-16 2023-08-23 Merck Patent GmbH Heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2022129114A1 (de) 2020-12-18 2022-06-23 Merck Patent Gmbh Stickstoffhaltige verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
EP4263544A1 (de) 2020-12-18 2023-10-25 Merck Patent GmbH Indolo[3.2.1-jk]carbazole-6-carbonitril-derivate als blau fluoreszierende emitter zur verwendung in oleds
EP4263746A1 (de) 2020-12-18 2023-10-25 Merck Patent GmbH Stickstoffhaltige heteroaromaten für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
EP4079742A1 (de) 2021-04-14 2022-10-26 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
WO2022229234A1 (de) 2021-04-30 2022-11-03 Merck Patent Gmbh Stickstoffhaltige, heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
KR20240012506A (ko) 2021-05-21 2024-01-29 메르크 파텐트 게엠베하 적어도 하나의 기능성 물질의 연속 정제 방법 및 적어도 하나의 기능성 물질의 연속 정제를 위한 디바이스
CN117980439A (zh) 2021-09-14 2024-05-03 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的含硼杂环化合物
CN113861206B (zh) * 2021-09-24 2023-09-29 湘潭大学 一种蓝色电致发光材料及其合成方法和应用
WO2023072799A1 (de) 2021-10-27 2023-05-04 Merck Patent Gmbh Bor- und stickstoffhaltige, heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023161168A1 (de) 2022-02-23 2023-08-31 Merck Patent Gmbh Aromatische heterocyclen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023161167A1 (de) 2022-02-23 2023-08-31 Merck Patent Gmbh Stickstoffhaltige heterocyclen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003520391A (ja) * 1999-07-21 2003-07-02 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機発光素子で励起子を効果的に利用するための項間交差剤
JP2008133277A (ja) * 2006-11-24 2008-06-12 Samsung Sdi Co Ltd イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子
JP2009094124A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009176762A (ja) * 2007-01-11 2009-08-06 Fujikura Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び光配線モジュール
JP2011199019A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Canon Inc 有機発光素子およびそれを有する表示装置
US20120175598A1 (en) * 2010-12-06 2012-07-12 E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. Carbazole derivative and organic electroluminescent devices utilizing the same and fabrication method thereof
US20120248968A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US20120319050A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 Basf Se Metal complexes comprising azabenzimidazole carbene ligands and the use thereof in oleds
JP2013513641A (ja) * 2009-12-14 2013-04-22 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ジアザベンゾイミダゾールカルベン配位子を含む金属錯体及び該錯体をｏｌｅｄにおいて用いる使用
JP2014022666A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014041846A (ja) * 2006-12-28 2014-03-06 Universal Display Corp 長寿命リン光発光有機発光デバイス（ｏｌｅｄ）構造
US20140077172A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-20 Universal Display Corporation Phosphorescence-sensitized delayed fluorescence light emitting system
WO2014129330A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 株式会社カネカ 有機ｅｌ素子、ならびにそれを用いた照明器具及びディスプレイ装置
JP2015037138A (ja) * 2013-08-14 2015-02-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子用金属錯体、並びに表示装置及び照明装置

Family Cites Families (194)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH061973B2 (ja) 1985-11-20 1994-01-05 株式会社日立製作所 ブラシレスモ−タ及びその製造方法
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5121029A (en) 1987-12-11 1992-06-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescence device having an organic electroluminescent element
EP0373582B1 (en) 1988-12-14 1995-03-01 Idemitsu Kosan Company Limited Electroluminescence device
US5130603A (en) 1989-03-20 1992-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2686418B2 (ja) 1994-08-12 1997-12-08 東洋インキ製造株式会社 ジアリールアミン誘導体、その製造方法及び用途
EP0765106B1 (en) 1995-09-25 2002-11-27 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US6020078A (en) 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
JP2001052870A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3924648B2 (ja) 1999-11-02 2007-06-06 ソニー株式会社 有機電界発光素子
JP4343528B2 (ja) * 2000-11-30 2009-10-14 キヤノン株式会社 発光素子及び表示装置
CN1896048A (zh) 2001-03-16 2007-01-17 出光兴产株式会社 芳香氨基化合物的生产方法
US20030230980A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
JP4287198B2 (ja) 2002-11-18 2009-07-01 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1612202B1 (en) 2003-04-10 2013-07-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element employing the same
BR0318387A (pt) 2003-07-04 2006-07-25 Pirelli método para determinar uma carga exercida sobre um pneu encaixado em um veìculo durante a marcha do veìculo sobre uma superfìcie de rodagem, método para controlar um veìculo tendo pelo menos um pneu encaixado sobre o mesmo, e, sistema para determinar uma carga exercida sobre um pneu encaixado em um veìculo durante a marcha do veìculo sobre uma superfìcie de rodagem
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
WO2005113704A2 (en) 2004-05-18 2005-12-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
TWI327563B (en) 2004-05-24 2010-07-21 Au Optronics Corp Anthracene compound and organic electroluminescent device including the anthracene compound
CN100368363C (zh) 2004-06-04 2008-02-13 友达光电股份有限公司 蒽化合物以及包括此蒽化合物的有机电致发光装置
TW200613515A (en) 2004-06-26 2006-05-01 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
DE102004031000A1 (de) 2004-06-26 2006-01-12 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP4832304B2 (ja) 2004-08-31 2011-12-07 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102004057072A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Basf Ag Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
TW200639140A (en) 2004-12-01 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
JP4263700B2 (ja) 2005-03-15 2009-05-13 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1705727B1 (de) 2005-03-15 2007-12-26 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
US20060222886A1 (en) 2005-04-04 2006-10-05 Raymond Kwong Arylpyrene compounds
JP4848134B2 (ja) 2005-04-18 2011-12-28 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006114966A1 (ja) 2005-04-18 2006-11-02 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
DE102005020700B3 (de) 2005-04-28 2007-01-11 Faurecia Innenraum Systeme Gmbh Staubehälteranordnung
US8586204B2 (en) 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
US7989644B2 (en) 2005-05-30 2011-08-02 Basf Se Electroluminescent device
WO2007003520A1 (en) 2005-07-05 2007-01-11 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Fluorescent diketopyrrolopyrroles and derivatives
US20070092753A1 (en) 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
DE502005009802D1 (de) 2005-11-10 2010-08-05 Novaled Ag Dotiertes organisches Halbleitermaterial
US7553558B2 (en) 2005-11-30 2009-06-30 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
JP2007182429A (ja) * 2005-12-05 2007-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機金属錯体および前記錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器
DE102005058557A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102005058543A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP1970976B1 (en) 2006-01-05 2017-07-19 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
KR102103062B1 (ko) 2006-02-10 2020-04-22 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
US20090091253A1 (en) 2006-03-17 2009-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
EP1837927A1 (de) 2006-03-22 2007-09-26 Novaled AG Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern
ES2310380T3 (es) 2006-03-21 2009-01-01 Novaled Ag Radical o dirradical heterociclicos, sus dimeros, oligomeros, polimeros, compuestos diespiro y policiclos, su utilizacion, material semiconductor organico asi como componente electronico.
JP5244329B2 (ja) * 2006-03-21 2013-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体及び発光材料
EP2557138B1 (en) 2006-03-23 2016-08-10 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
US20070224446A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
WO2007114244A1 (ja) 2006-03-30 2007-10-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置
DE102006015183A1 (de) 2006-04-01 2007-10-04 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
CN103880891A (zh) 2006-04-04 2014-06-25 巴斯夫欧洲公司 含有一个非碳烯配体和一个或两个碳烯配体的过渡金属配合物及它们在oled中的用途
KR101431844B1 (ko) 2006-04-05 2014-08-25 바스프 에스이 이종 리간드 전이 금속-카르벤 착체 및 이의 유기 발광 다이오드(ｏｌｅｄ)에서의 용도
JP5055818B2 (ja) 2006-04-19 2012-10-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20070247061A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Vadim Adamovich Multiple dopant emissive layer OLEDs
JP5186365B2 (ja) 2006-04-26 2013-04-17 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070252517A1 (en) 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
DE102006025846A1 (de) 2006-06-02 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR20090016684A (ko) 2006-06-02 2009-02-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
WO2008000727A1 (de) 2006-06-26 2008-01-03 Basf Se Verwendung von übergangsmetallcarbenkomplexen, die keine cyclometallierung über nicht-carbene enthalten, in oleds
JP2008021687A (ja) 2006-07-10 2008-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
DE102006031990A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2008023549A1 (fr) 2006-08-23 2008-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dérivés d'amines aromatiques et dispositifs électroluminescents organiques fabriqués à l'aide de ces dérivés
WO2008029729A1 (fr) 2006-09-08 2008-03-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Dispositif électroluminescent organique, dispositif d'éclairage et affichage utilisant un tel dispositif
US8852757B2 (en) 2006-09-08 2014-10-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element, lighting device and display device
JP2008066569A (ja) 2006-09-08 2008-03-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5556014B2 (ja) 2006-09-20 2014-07-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5589251B2 (ja) 2006-09-21 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
EP3457452B1 (de) 2006-09-21 2022-11-02 UDC Ireland Limited Oled-anzeige mit verlängerter lebensdauer
JP5011908B2 (ja) 2006-09-26 2012-08-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2008124156A (ja) 2006-11-09 2008-05-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ材料含有溶液、有機ｅｌ材料の薄膜形成方法、有機ｅｌ材料の薄膜、有機ｅｌ素子
JP5305919B2 (ja) 2006-11-15 2013-10-02 出光興産株式会社 フルオランテン化合物及びこのフルオランテン化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液
JP5063992B2 (ja) 2006-11-20 2012-10-31 ケミプロ化成株式会社 新規なジ（ピリジルフェニル）誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100903102B1 (ko) * 2006-11-24 2009-06-16 삼성모바일디스플레이주식회사 이미다조피리딘계 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한유기 발광 소자
WO2008072596A1 (ja) 2006-12-13 2008-06-19 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5238227B2 (ja) * 2006-12-27 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体および有機金属錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器
CN101669226A (zh) * 2006-12-28 2010-03-10 通用显示公司 长寿命磷光有机发光器件(oled)结构
WO2008090912A1 (ja) 2007-01-23 2008-07-31 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2008207520A (ja) 2007-02-28 2008-09-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜、有機薄膜の製造方法、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
DE102007012794B3 (de) 2007-03-16 2008-06-19 Novaled Ag Pyrido[3,2-h]chinazoline und/oder deren 5,6-Dihydroderivate, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial
EP1988587B1 (de) 2007-04-30 2016-12-07 Novaled GmbH Oxokohlenstoff-, Pseudooxokohlenstoff- und Radialenverbindungen sowie deren Verwendung
WO2008131750A2 (de) 2007-04-30 2008-11-06 Novaled Ag Licht emittierendes bauelement und verfahren zum herstellen
JP5564942B2 (ja) 2007-05-16 2014-08-06 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20080286610A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers
JP5359869B2 (ja) 2007-05-30 2013-12-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
WO2008156105A1 (ja) 2007-06-21 2008-12-24 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
CN101688114B (zh) 2007-07-05 2014-07-16 巴斯夫欧洲公司 包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩s-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩s，s-二氧化物的二甲硅烷基化合物的有机发光二极管
JP5675349B2 (ja) 2007-07-05 2015-02-25 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ カルベン遷移金属錯体発光体、ならびにジシリルカルバゾール、ジシリルジベンゾフラン、ジシリルジベンゾチオフェン、ジシリルジベンゾホスホール、ジシリルジベンゾチオフェンｓ−オキシドおよびジシリルジベンゾチオフェンｓ，ｓ−ジオキシドから選択される少なくとも１つの化合物を含む有機発光ダイオード
US8114530B2 (en) 2007-07-10 2012-02-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device utilizing the same
JP5194596B2 (ja) 2007-07-11 2013-05-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5186843B2 (ja) 2007-08-30 2013-04-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
CN101896494B (zh) 2007-10-17 2015-04-08 巴斯夫欧洲公司 具有桥连碳烯配体的过渡金属配合物及其在oled中的用途
WO2009050281A1 (de) 2007-10-17 2009-04-23 Basf Se Übergangsmetallkomplexe mit verbrückten carbenliganden und deren verwendung in oleds
JP2009114369A (ja) 2007-11-08 2009-05-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5458890B2 (ja) 2007-11-08 2014-04-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2009060757A1 (ja) 2007-11-08 2009-05-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5691170B2 (ja) 2007-11-08 2015-04-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2009060779A1 (ja) 2007-11-08 2009-05-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2009114370A (ja) 2007-11-08 2009-05-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置、照明装置
US20100276637A1 (en) 2007-11-14 2010-11-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, method of manufacturing organic electroluminescent element, display device, and illuminating device
JP2009135183A (ja) 2007-11-29 2009-06-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20090153034A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emittinig diodes
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JPWO2009084413A1 (ja) 2007-12-28 2011-05-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5549053B2 (ja) 2008-01-18 2014-07-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP2009182298A (ja) 2008-02-01 2009-08-13 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5381719B2 (ja) 2008-02-20 2014-01-08 コニカミノルタ株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009267255A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8057712B2 (en) 2008-04-29 2011-11-15 Novaled Ag Radialene compounds and their use
EP2123733B1 (en) 2008-05-13 2013-07-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
US8440326B2 (en) 2008-06-30 2013-05-14 Universal Display Corporation Hole transport materials containing triphenylene
WO2010002848A1 (en) 2008-06-30 2010-01-07 Universal Display Corporation Hole transport materials having a sulfur-containing group
WO2010001830A1 (ja) 2008-07-01 2010-01-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2010004877A1 (ja) 2008-07-10 2010-01-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2010021336A (ja) 2008-07-10 2010-01-28 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
DE102008033563A1 (de) 2008-07-17 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Komplexe mit kleinen Singulett-Triplett-Energie-Abständen zur Verwendung in opto-elektronischen Bauteilen (Singulett-Harvesting-Effekt)
JP5338184B2 (ja) 2008-08-06 2013-11-13 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
CN102246328B (zh) 2008-10-07 2016-05-04 欧司朗光电半导体有限公司 稠环体系取代的噻咯及其在有机电子器件中的用途
WO2010044342A1 (ja) 2008-10-15 2010-04-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
DE102008052065A1 (de) 2008-10-17 2010-04-22 Robert Bosch Gmbh Hubmagnet
EP2180029B1 (en) 2008-10-23 2011-07-27 Novaled AG Radialene compounds and their use
JP5493333B2 (ja) 2008-11-05 2014-05-14 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5707665B2 (ja) 2008-12-03 2015-04-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置
JP5402942B2 (ja) 2008-12-08 2014-01-29 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
US8815415B2 (en) 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
CN102341403B (zh) 2009-01-07 2014-12-03 巴斯夫欧洲公司 选自咔唑类、二苯并呋喃类、二苯并噻吩类和二苯并磷杂环戊二烯类的甲硅烷基和杂原子取代的化合物及其在有机电子器件中的应用
WO2010079678A1 (ja) 2009-01-09 2010-07-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US20110260152A1 (en) 2009-01-28 2011-10-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device, and illumination device
WO2010090077A1 (ja) 2009-02-06 2010-08-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置
WO2010095564A1 (ja) 2009-02-18 2010-08-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置
US8592806B2 (en) 2009-02-26 2013-11-26 Novaled Ag Quinone compounds as dopants in organic electronics
EP2423206B1 (en) 2009-04-24 2014-01-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative, and organic electroluminescent element comprising same
EP2246862A1 (en) 2009-04-27 2010-11-03 Novaled AG Organic electronic device comprising an organic semiconducting material
US8603642B2 (en) 2009-05-13 2013-12-10 Global Oled Technology Llc Internal connector for organic electronic devices
KR101446401B1 (ko) 2009-10-02 2014-10-01 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 유기 전기발광 소자
EP2487991A4 (en) 2009-10-09 2013-04-03 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
KR101216006B1 (ko) 2009-10-16 2012-12-27 에스에프씨 주식회사 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101111120B1 (ko) 2009-10-16 2012-02-13 에스에프씨 주식회사 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
EP2495240A4 (en) 2009-10-26 2013-05-15 Idemitsu Kosan Co FLUORANTHENE COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING THE SAME
EP2493906B1 (de) 2009-10-28 2015-10-21 Basf Se Heteroleptische carben-komplexe und deren verwendung in der organischen elektronik
CN102596907B (zh) 2009-11-16 2014-12-17 出光兴产株式会社 芳香族胺衍生物和使用其的有机电致发光元件
JP5495745B2 (ja) * 2009-12-08 2014-05-21 キヤノン株式会社 新規イリジウム錯体および有機発光素子および画像表示装置
US8803420B2 (en) 2010-01-15 2014-08-12 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP5722238B2 (ja) 2010-01-15 2015-05-20 出光興産株式会社 含窒素複素環誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102010005463A1 (de) 2010-01-20 2011-07-21 cynora GmbH, 76344 Blau-Licht-Emitter mit Singulett-Harvesting-Effekt zur Verwendung in OLEDs und anderen organisch-elektronischen Vorrichtungen
CN102712612A (zh) 2010-01-21 2012-10-03 出光兴产株式会社 芳香族胺衍生物和使用其的有机电致发光元件
US9156870B2 (en) 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
US8334545B2 (en) 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
US8227801B2 (en) 2010-04-26 2012-07-24 Universal Display Corporation Bicarbzole containing compounds for OLEDs
EP2582769B1 (en) 2010-06-18 2014-11-19 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer of a dibenzofurane compound and a 8-hydroxyquinolinolato earth alkaline metal, or alkali metal complex
WO2011157779A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer of a pyridine compound and a 8-hydroxyquinolinolato earth alkaline metal, or alkali metal complex
DE102010025547B4 (de) 2010-06-29 2023-05-11 Samsung Display Co., Ltd. Verwendung einer Zusammensetzung in einer Emitterschicht in einer optoelektronischen Vorrichtung zum Singulett-Harvesting mit organischen Molekülen, optoelektronische Vorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
KR20120011336A (ko) 2010-07-19 2012-02-08 에스에프씨 주식회사 스틸벤 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
DE102010031831A1 (de) 2010-07-20 2012-01-26 Cynora Gmbh Singulett-Harvesting mit löslichen Kupfer(I)-Komplexen für opto-elektronische Vorrichtungen
JP5741581B2 (ja) 2010-07-29 2015-07-01 コニカミノルタ株式会社 透明導電膜、および有機エレクトロルミネッセンス素子
ES2386564B1 (es) 2010-08-06 2013-04-26 Telefónica, S.A. Método para gestionar información de presencia.
US8932734B2 (en) 2010-10-08 2015-01-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101276705B1 (ko) 2010-11-16 2013-06-19 에스에프씨 주식회사 플루오렌 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자.
JP6012024B2 (ja) * 2010-12-13 2016-10-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電子装置用途のためのビスピリミジン
KR101463597B1 (ko) 2010-12-28 2014-11-21 에스에프씨 주식회사 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
CN102617626B (zh) 2011-01-17 2016-12-14 三星显示有限公司 缩合环化合物和包括该缩合环化合物的有机发光二极管
JP2012151322A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Konica Minolta Holdings Inc 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
US20130299744A1 (en) * 2011-01-23 2013-11-14 Cynora Gmbh Metal complexes having adaptable emission colors for optoelectronic devices
WO2012105310A1 (ja) 2011-02-02 2012-08-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
US9368735B2 (en) 2011-02-15 2016-06-14 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element and illumination device
WO2012115034A1 (ja) 2011-02-22 2012-08-30 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US8883322B2 (en) * 2011-03-08 2014-11-11 Universal Display Corporation Pyridyl carbene phosphorescent emitters
KR101951852B1 (ko) 2011-03-25 2019-02-26 유디씨 아일랜드 리미티드 전자장치 응용을 위한 4h-이미다조[1,2-a]이미다졸
WO2012147397A1 (ja) 2011-04-26 2012-11-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
EP2543672A1 (de) 2011-07-08 2013-01-09 cynora GmbH Kupfer(I)komplexe, insbesondere für optoelektronische Bauelemente
KR20140026540A (ko) 2011-05-13 2014-03-05 시노라 게엠베하 구리(i) 착물, 특히 광전자 구성요소용 구리(i) 착물
US8748012B2 (en) 2011-05-25 2014-06-10 Universal Display Corporation Host materials for OLED
KR20120135363A (ko) 2011-06-01 2012-12-13 엘지디스플레이 주식회사 청색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자
CN103596967B (zh) 2011-06-08 2016-12-21 环球展览公司 杂配位铱碳烯络合物及使用其的发光装置
JP6300722B2 (ja) * 2011-06-14 2018-03-28 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド アザベンズイミダゾールカルベン配位子を有する金属錯体および有機発光ダイオードにおける当該金属錯体の使用
EP2540730A1 (de) 2011-06-29 2013-01-02 cynora GmbH Kupfer(I)komplexe, insbesondere für optoelektronische Bauelemente
EP2543673A1 (de) 2011-07-08 2013-01-09 cynora GmbH Kupfer(I)komplexe für opto-elektronische Vorrichtungen
US8409729B2 (en) 2011-07-28 2013-04-02 Universal Display Corporation Host materials for phosphorescent OLEDs
DE102011080240A1 (de) 2011-08-02 2013-02-07 Cynora Gmbh Singulett-Harvesting mit zweikernigen Kupfer(I)-Komplexen für opto-elektronische Vorrichtungen
US9705092B2 (en) 2011-08-05 2017-07-11 Universal Display Corporation Phosphorescent organic light emitting devices combined with hole transport material having high operating stability
EP2594571A1 (de) 2011-11-16 2013-05-22 Cynora GmbH Kupfer-Komplexe für optoelektronische Anwendungen
KR102013400B1 (ko) 2012-03-29 2019-08-22 에스에프씨 주식회사 인데노페난트렌 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
WO2013185871A1 (en) 2012-06-12 2013-12-19 Merck Patent Gmbh Compounds for electronic devices
JP6284940B2 (ja) 2012-09-04 2018-02-28 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための化合物
WO2014109814A2 (en) 2012-10-26 2014-07-17 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Metal complexes, methods, and uses thereof
US10374172B2 (en) 2013-03-20 2019-08-06 Udc Ireland Limited Azabenzimidazole carbene complexes as efficiency booster in OLEDs
EP2991997B1 (en) * 2013-04-29 2018-02-21 UDC Ireland Limited Transition metal complexes with carbene ligands and the use thereof in oleds
DE102013105053A1 (de) * 2013-05-16 2014-11-20 Cynora Gmbh Kupfer(I)- und Silber(I)-Komplexe als Leuchtstoffe in Energiespar- und Leuchtstofflampen
CN109438518B (zh) * 2013-07-02 2021-06-15 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于有机发光二级管中的单取代的二氮杂苯并咪唑卡宾金属络合物
EP3239161A1 (en) * 2013-07-31 2017-11-01 UDC Ireland Limited Luminescent diazabenzimidazole carbene metal complexes
CN105453294B (zh) * 2013-08-14 2018-02-02 国立大学法人九州大学 有机电致发光元件
EP3916822A1 (en) * 2013-12-20 2021-12-01 UDC Ireland Limited Highly efficient oled devices with very short decay times

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003520391A (ja) * 1999-07-21 2003-07-02 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機発光素子で励起子を効果的に利用するための項間交差剤
JP2008133277A (ja) * 2006-11-24 2008-06-12 Samsung Sdi Co Ltd イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子
JP2014041846A (ja) * 2006-12-28 2014-03-06 Universal Display Corp 長寿命リン光発光有機発光デバイス（ｏｌｅｄ）構造
JP2009176762A (ja) * 2007-01-11 2009-08-06 Fujikura Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び光配線モジュール
JP2009094124A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013513641A (ja) * 2009-12-14 2013-04-22 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ジアザベンゾイミダゾールカルベン配位子を含む金属錯体及び該錯体をｏｌｅｄにおいて用いる使用
JP2011199019A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Canon Inc 有機発光素子およびそれを有する表示装置
US20120175598A1 (en) * 2010-12-06 2012-07-12 E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. Carbazole derivative and organic electroluminescent devices utilizing the same and fabrication method thereof
US20120248968A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
WO2012133188A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20120319050A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 Basf Se Metal complexes comprising azabenzimidazole carbene ligands and the use thereof in oleds
JP2014022666A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20150188070A1 (en) * 2012-07-20 2015-07-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US20140077172A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-20 Universal Display Corporation Phosphorescence-sensitized delayed fluorescence light emitting system
WO2014129330A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 株式会社カネカ 有機ｅｌ素子、ならびにそれを用いた照明器具及びディスプレイ装置
JP2015037138A (ja) * 2013-08-14 2015-02-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子用金属錯体、並びに表示装置及び照明装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HIMMETOGLU BURAK ET AL: "Role of electronic localization in the phosphorescence of iridium sensitizing dyes", THE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, vol. Vol. 137, Issue 15, JPN7018001582, 21 October 2012 (2012-10-21), pages 154309, ISSN: 0004039116 *
RAFAL CZERWIENIEC: "BLUE-LIGHT EMISSION OF CU(I) COMPLEXES AND SINGLET HARVESTING", INORGANIC CHEMISTRY, JPN5018003145, 3 August 2011 (2011-08-03), pages 8293 - 8301, ISSN: 0004039115 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017041636A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光素子
US11211564B2 (en) 2015-08-21 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11672173B2 (en) 2015-08-21 2023-06-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11968890B2 (en) 2015-08-21 2024-04-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
WO2020175624A1 (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 国立大学法人九州大学 化合物、発光材料および有機半導体レーザー素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN111668392A (zh) 2020-09-15
EP3304612B1 (en) 2022-05-04
CN111668392B (zh) 2024-01-23
JP2020102633A (ja) 2020-07-02
EP3304612A1 (en) 2018-04-11
EP4060757A1 (en) 2022-09-21
US20180182980A1 (en) 2018-06-28
JP6974519B2 (ja) 2021-12-01
KR20220163510A (ko) 2022-12-09
WO2016193243A1 (en) 2016-12-08
KR102471707B1 (ko) 2022-11-29
JP6662913B2 (ja) 2020-03-11
KR20180014738A (ko) 2018-02-09
CN107735880B (zh) 2020-07-10
CN107735880A (zh) 2018-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6974519B2 (ja) 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なｏｌｅｄデバイス
US11765967B2 (en) Highly efficient OLED devices with very short decay times
TWI637959B (zh) 白色有機發光裝置
CN112640147B (zh) 电致发光装置
KR102661925B1 (ko) 매우 짧은 붕괴 시간을 갖는 고효율 oled 소자
EP3498700A1 (en) Nitrogen-containing heterocyclic derivative, organic electroluminescence element material using the same, and organic electroluminescence element and electronic device using the same
KR20240058993A (ko) 매우 짧은 붕괴 시간을 갖는 고효율 oled 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180813

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6662913

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250