JP2008133277A - イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子 - Google Patents

イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子 Download PDF

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Abstract

【課題】イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記化学式1を有するイミダゾピリジン系化合物:
Figure 2008133277

前記化学式1中、RないしR12、L、L、Ar、Ar、p、q、m及びnは、発明の詳細な説明を参照する。これにより、有機発光素子は、低駆動電圧、高効率等の特性を有することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子に関し、さらに詳細には、有機発光素子の電子輸送層への使用に適したイミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子に関する。本発明によるイミダゾピリジン系化合物を含んだ有機膜を具備した有機発光素子は、低駆動電圧、高効率、高輝度、長寿命、低消費電力特性を有することができる。
有機発光素子(organic light emitting diodes)は自発発光素子であり、視野角が広くてコントラストにすぐれるだけではなく、応答時間が早いという長所を有している。また、有機発光素子は、輝度、駆動電圧及び応答速度特性にすぐれて多色化が可能であるという長所を有している。
一般的な有機発光素子は、基板上部にアノードが形成されており、このアノード上部に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及びカソードが順次形成された構造を有する。ここで、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層は、有機化合物からなる有機薄膜である。
前述のような構造を有する有機発光素子の駆動原理は次の通りである。
前記アノード及びカソード間に電圧を印加すると、アノードから注入された正孔は、正孔輸送層を経由して発光層に移動し、カソードから注入された電子は、電子輸送層を経由して発光層に移動する。前記正孔及び電子のようなキャリアは発光層領域で再結合し、励起子(exiton)を生成する。励起子が励起状態から基底状態に変化し、これによって発光層の蛍光性分子が発光する。このうち、電子輸送層の形成材料として、オキサジアゾール類、チアジアゾール類またはピリミジン類のようなヘテロ芳香族系化合物などが周知である(特許文献1参照)。
しかし、従来の有機発光素子は、満足できるほどの駆動電圧、輝度、電流密度、電力効率、寿命特性などを有していなく、これらの改善が必要であった。
米国特許第6,559,256号明細書
本発明は、前述の問題点を解決するために、高い電子輸送能力を有するイミダゾピリジン系化合物を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記イミダゾピリジン系化合物を利用し、高効率、低駆動電圧、高輝度及び長寿命特性を有する有機発光素子を提供することを目的とする。
本発明の第1様態は、下記化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物を提供する。
Figure 2008133277
前記化学式1中、R、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11及びR12は互いに独立的に、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、置換もしくは非置換のC−C30アルキル基、置換もしくは非置換のC−C30アルコキシ基、置換もしくは非置換のC−C30アシル基、置換もしくは非置換のC−C30アルケニル基、置換もしくは非置換のC−C30アルキニル基、置換もしくは非置換のC−C30アリール基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基からなる群から選択され、RないしRのうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和環を形成してもよく、RないしR12のうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和環を形成してもよく、L及びLは互いに独立的に、単一結合、置換もしくは非置換のC−C30アルキレン基、置換もしくは非置換のC−C30アリーレン基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリーレン基からなる群から選択され、Ar及びArは互いに独立的に、置換もしくは非置換のC−C30アリール基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基から選択され、p及びqは互いに独立的に、1ないし5の整数であり、m及びnは互いに独立的に、0ないし4の整数であるが、m及びnが同時に0である場合は除外する。
本発明の第2様態は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に前記イミダゾピリジン系化合物を含んだ有機膜と、を具備した有機発光素子を提供する。
本発明における化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物は、電子輸送性能にすぐれ、これを含んだ有機膜を具備した有機発光素子は、低駆動電圧、高輝度、高効率、低消費電力及び長寿命特性を有する。
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
本発明におけるイミダゾピリジン系化合物は、次のような化学式1で示される構造を有する。
Figure 2008133277
前記化学式1において、アントラセン環の9または10位を除外した1ないし8位のうちの一つ以上には、連結基LまたはLを挟んでイミダゾピリジン環が連結されている。
アントラセン環の9及び10位は、構造的に弱い地点(weak point)であり、アントラセン環の9及び10位に特定機能を有する置換基を結合させた場合、前記置換基は、熱、酸素、水分などによってアントラセン環から容易に脱離してしまう。例えば、電子欠乏性のイミダゾピリジン環がアントラセン環の9及び10位に結合した場合、有機発光素子の有機層を成膜するための工程(例えば、蒸着法など)中、または有機発光素子の駆動時に発生する熱などにより、前記イミダゾピリジン環がアントラセン環から容易に脱離してしまい、発光素子の特性低下を招く。しかし、本願発明における化学式1で示される化合物は、アントラセン環の9及び10位に、アリール基またはヘテロアリール基のような芳香族環(aromatic ring)が導入されており、アントラセン環の1ないし8位には電子欠乏性のイミダゾピリジン環が導入されているため、化合物の構造的安定性が向上する。さらに、このような化合物を使用した電子輸送層は電子移動度が向上する。
前記化学式1において、R、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11及びR12は互いに独立的に、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、置換もしくは非置換のC−C30アルキル基、置換もしくは非置換のC−C30アルコキシ基、置換もしくは非置換のC−C30アシル基、置換もしくは非置換のC−C30アルケニル基、置換もしくは非置換のC−C30アルキニル基、置換もしくは非置換のC−C30アリール基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基からなる群から選択される。このとき、RないしRのうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和環を形成してもよく、RないしR12のうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和環を形成してもよい。
例えば、前記RないしR12は互いに独立的に、水素、置換もしくは非置換のC−C10アルキル基、置換もしくは非置換のC−C10アルケニル基、置換もしくは非置換のC−C12アリール基、または置換もしくは非置換のC−C12ヘテロアリール基からなる群から選択されるが、これらに限定されるものではない。
また、前記RないしRのうち互いに隣接した2以上、または前記RないしR12のうち互いに隣接した2以上が結合し、置換または非置換のC−C12芳香族環を形成してもよいが、これらに限定されるものではない。
前記化学式1において、L及びLは互いに独立的に、単一結合、置換もしくは非置換のC−C30アルキレン基、置換もしくは非置換のC−C30アリーレン基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリーレン基からなる群から選択される。
例えば、前記L及びLは互いに独立的に、置換もしくは非置換のC−C12アリーレン基、または置換もしくは非置換のC−C12ヘテロアリーレン基から選択されるが、これらに限定されるものではない。
前記化学式1において、Ar及びArは互いに独立的に、置換もしくは非置換のC−C30アリール基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基からなる群から選択される。
例えば、前記Ar及びArは互いに独立的に、置換もしくは非置換のC−C12アリール基、または置換もしくは非置換のC−C12ヘテロアリール基から選択されるが、これらに限定されるものではない。
前記化学式1において、p及びqは互いに独立的に、1ないし5の整数、望ましくは1ないし3の整数である。すなわち、LまたはLには,一つ以上のイミダゾピリジン環が連結されるが、これは、LまたはLの化学式構造によって選択することができる。
前記化学式1において、m及びnは互いに独立的に、0ないし4の整数である。このとき、m及びnが同時に0である場合は除外する。すなわち、本発明によるイミダゾピリジン系化合物のアントラセン環の1ないし8位のうちの少なくとも一つ以上は、必ずイミダゾピリジン環と連結する。
例えば、mは0であり、かつnは1であってもよい。また、m及びnが、いずれも1であってもよい。
前記化学式1において、非置換のC−C30アルキル基の具体的な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、sec−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシルなど、直鎖状、分枝状のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記アルキル基の一つ以上の水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボン酸基やその塩、スルホン酸基やその塩、リン酸やその塩、C−C30アルキル基、C−C30アルケニル基、C−C30アルキニル基、C−C30アリール基、C−C20アリールアルキル基、C−C20ヘテロアリール基、またはC−C30ヘテロアリールアルキル基からなる群から選択される置換基で置換されてもよい。
前記化学式1において、非置換のC−C30アルコキシ基の具体的な例として、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ナフチルオキシ、イソプロピルオキシなど、直鎖状、分枝状のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのアルコキシ基の少なくとも一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同様な置換基で置換されてもよい。
前記化学式1において、非置換のC−C30アシル基の具体的な例として、アセチル、プロピオニル、イソブチリル、ベンゾイル、ナフトイル、シクロヘキシルカルボニルなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのアシル基の少なくとも一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同様な置換基で置換されてもよい。
前記化学式1において、非置換のC−C30アルケニル基は、少なくとも1以上の炭素−炭素二重結合を有する炭素数2〜30の直鎖状、分枝状のアルケニル基を意味する。例としては、ビニル、プロペニル、ブテニル、ヘキシニルなどがが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのアルケニル基の少なくとも一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同様な置換基で置換されてもよい。
前記化学式1において、非置換のC−C30アルキニル基は、少なくとも1以上の炭素−炭素三重結合を含有している炭素数2〜30の直鎖状、分枝状のアルキニル基を意味する。例としては、エチニル、プロピニル、フェニルアセチニル、ナフチルアセチニル、3−メチル−1−ブチニル、3,3−ジメチル−1−ブチニルなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらアルキニル基の少なくとも一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同様な置換基で置換されてもよい。
前記化学式1において、非置換のC−C30アリール基は、一つ以上の芳香族環を含む炭素数6〜30の芳香族環を意味し、前記一つ以上の環は互いに融合してもよく、または単一結合などを介して連結されてもよい。前記アリール基の一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同様な置換基で置換されてもよい。
前記置換または非置換のC−C30アリール基の例としては、フェニル基、C−C10アルキルフェニル基(例えば、エチルフェニル基)、C−C10アルキルビフェニル基(例えば、エチルビフェニル基)、ハロフェニル基(例えば、o−,m−及びp−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基)、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、o−,m−、及びp−トリル基、o−,m−及びp−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、(α,α−ジメチルベンジル)フェニル基、(N,N’−ジメチル)アミノフェニル基、(N,N’−ジフェニル)アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基(例えば、フルオロナフチル基)、C−C10アルキルナフチル基(例えば、メチルナフチル基)、C−C10アルコキシナフチル基(例えば、メトキシナフチル基)、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチル・クリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基などが挙げるが、これらに限定されるものではない。
前記化学式1において、非置換のC−C30ヘテロアリール基は、N、O、PまたはSから選択される1個以上のヘテロ原子を含み、残りの環原子がCである一つ以上の芳香族環を意味し、前記一つ以上の芳香族環は互いに融合したり、または単一結合などを介して連結されてもよい。前記ヘテロアリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
前記化学式1において、非置換のC−C30ヘテロアリール基の例としては、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、インドリル基、キノリニル基、イソキノリニル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
さらに具体的には、前記化学式1において、RないしR12は互いに独立的に、水素、C−C10アルキル基、C−C10ハロアルキル基、C−C10アルケニル基、C−C10ハロアルケニル基、フェニル基、ハロフェニル基、C−C10アルキルフェニル基、C−C10アルコキシフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、C−C10アルキルナフチル基、またはC−C10アルコキシナフチル基からなる群から選択されるが、これらに限定されるものではない。
また、前記化学式1において、L及びLは互いに独立的に、フェニレン基、ハロフェニレン基、C−C10アルキルフェニレン基、C−C10アルコキシフェニレン基、ナフチレン基、ハロナフチレン基、C−C10アルキルナフチレン基、またはC−C10アルコキシナフチレン基からなる群から選択されるが、これらに限定されるものではない。
さらに、前記化学式1において、Ar及びArは互いに独立的に、フェニル基、ハロフェニル基、C−C10アルキルフェニル基、C−C10アルコキシフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、C−C10アルキルナフチル基、C−C10アルコキシナフチル基、ピリジニル基、ハロピリジニル基、C−C10アルキルピリジニル基、C−C10アルコキシピリジニル基、キノリニル基、ハロキノリニル基、C−C10アルキルキノリニル基、C−C10アルコキシキノリニル基、イソキノリニル基、ハロイソキノリニル基、C−C10アルキルイソキノリニル基、またはC−C10アルコキシイソキノリニル基からなる群から選択されるが、これらに限定されるものではない。
さらに具体的に述べれば、本発明によるイミダゾピリジン系化合物は、下記化学式1a、1b、1cまたは1dで示されるものであるが、これらに限定されるものではない。
Figure 2008133277
前記化学式1a、1b、1c及び1dにおいて、RないしR12、Ar及びArに係る詳細な説明は、前述の通りである。
本発明の一具現例によれば、前記化学式1で示される化合物は、下記構造を有する化合物1ないし11であるが、これらに限定されるものではない。
Figure 2008133277
Figure 2008133277
Figure 2008133277
Figure 2008133277
前記化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物は、公知の多様な方法を利用して製造可能であり、従って、当業者であれば本願明細書の記載に基づいて本願発明を容易に実施することができる。
例えば、前記化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物は、下記化学式2を有する化合物を、下記化学式3を有する化合物及び/または下記化学式4を有する化合物と反応させて得ることができる。
Figure 2008133277
Figure 2008133277
Figure 2008133277
前記化学式中、RないしR12、L、L、Ar、Ar、p、q、n及びmに係る定義は、前述の通りである。本発明におけるイミダゾピリジン系化合物の製造方法は、鈴木反応(Suzuki reaction)を利用することができる。
前述のような化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物は、有機発光素子の有機膜に使用することができる。従って、本発明による有機発光素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に前記化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物を含んだ有機膜とを具備する。望ましくは、前記有機膜は、電子輸送層である。一方、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層のうちの一層以上をさらに含むことができる。例えば、本発明による有機発光素子において、前記化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物を含んだ有機膜が電子輸送層である場合、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子注入層をさらに含むことができる。また、リン光材料を利用して発光層を形成する場合、正孔阻止層をさらに含むことができるなど、多様な応用例が実施可能である。
さらに具体的に、本発明における有機発光素子の具現例を図1に示す。図1の有機発光素子は、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極の構造を有する。または、本発明における有機発光素子は、第1電極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極からなる構造を有するか、または、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/第2電極からなる構造を有することができるが、これらに限定されるものではない。このとき、前記電子輸送層は、前記化学式1で示される化合物を含むことができる。
本発明による有機発光素子の発光層は、赤色、緑色、青色または白色を含むリン光または蛍光のドーパントを含むことができる。このうち、前記リン光ドーパントは、Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb及びTmからなる群から選択された一つ以上の元素を含む有機金属化合物であってもよい。
以下、本発明による有機発光素子の製造方法について、図1に図示された有機発光素子を参照しつつ、説明する。
まず、基板上部に大きい仕事関数を有する第1電極用物質を、蒸着法またはスパッタリング法などにより積層して第1電極を形成する。前記第1電極は、所望によりアノードまたはカソードとすることができる。ここで、基板としては、一般的な有機発光素子で使われる基板が使用できるが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれるガラス基板または透明プラスチック基板が望ましい。第1電極用物質としては、透明で伝導性にすぐれる酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などが使用できるが、これらに限定されるものではない。
次に、前記第1電極の上部には、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ラングミュアブロジェット(LB)法のような多様な方法を利用して正孔注入層(HIL)を形成することができる。
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、一般的に、蒸着温度100ないし500℃、真空度10−8ないし10−3torr、蒸着速度0.01ないし100Å/sec、そして膜厚は、一般的に10Åないし5μmの範囲で適切に選択することが望ましい。
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約2,000rpmないし5,000rpmのコーティング速度でコーティングすることが望ましい。また、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約80℃ないし200℃の温度範囲で適切に選択することが望ましい。
前記正孔注入層物質としては特に制限されず、公知の正孔注入層物質から任意に選択することができる。例えば、米国特許第4,356,429号明細書に開示された銅フタロシアニンのようなフタロシアニン化合物またはAdvanced Material, 6, p.677(1994)に記載されているスターバスト型アミン誘導体類であるTCTA、m−MTDATA、m−MTDAPB、溶解性のある伝導性高分子であるポリアニリン・ドデシルベンゼンスルホン酸(Pani/DBSA)またはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)・ポリ(4−スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン・カンファースルホン酸(Pani/CSA)またはポリアニリン・ポリ(4−スチレンスルホン酸)(PANI/PSS)などが使用できる。
Figure 2008133277
前記正孔注入層の厚さは、約100Åないし10,000Å、望ましくは100Åないし1,000Åである。前記正孔注入層の厚さが前述した範囲を満足する場合、優秀な正孔注入特性及び駆動電圧特性を得ることができる。
次に、前記正孔注入層の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような多様な方法を利用して正孔輸送層(HTL)を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択することができる。
前記正孔輸送層物質は特に制限されず、公知の正孔輸送層物質から任意に選択して使用することができる。例えば、N−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールのようなカルバゾール誘導体、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)のような芳香族縮合環を有する一般的なアミン誘導体などを使用することができる。
Figure 2008133277
前記正孔輸送層の厚さは、約50Åないし1,000Å、望ましくは100Åないし600Åである。前記正孔輸送層の厚さが前述した範囲を満足する場合、優秀な正孔輸送特性及び駆動電圧特性を得ることができる。
次に、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような方法を利用して発光層(EML)を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択することができる。
前記発光層は、公知の多様な発光物質を利用して形成できる。例えば、前記発光層は、公知のホスト及びドーパントを利用して形成することができ、ドーパントの場合、公知の蛍光ドーパント及び公知のリン光ドーパントのいずれも使用できる。
例えば、ホストとしては、トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(Alq3)、4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)、(ポリ(n−ビニルカルバゾール(PVK)またはジスチリルアリーレン(DSA)などを使用できるが、それらに限定されるものではない。
ドーパントにおいて、蛍光ドーパントとしては、出光社から購入可能なIDE102、IDE105を使用でき、リン光ドーパントとしては、Ir(ppy)(ppyは、フェニルピリジンの略語である)(緑色)、(4,6−F2ppy)Irpic(参照文献:Chihaya Adachi etc. Appl. Phys. Lett., 79, pp.2082-2084, 2001)、コビオン社のTEB002、白金(II)オクタエチルポルフィリン(PtOEP)、下記化学式5を有する化合物(大韓民国特許公開2005−0078472公報参照)、Firpric、TBPeなどが使用できるが、これらに限定されるものではない。
Figure 2008133277
前記ドーパントの含有量は、発光層の形成材料100重量部(すなわち、ホストとドーパントとの総重量は100重量部である)を基準として、0.1ないし20重量部、特に、0.5〜12重量部であることが望ましい。ドーパントの含有量が0.1重量部以上である場合、ドーパント付加による効果を十分に得ることができ、20重量部以下の場合、リン光でも蛍光でもいずれも濃度クェンチング(quenching)のような濃度消光が実質的に防止される。
前記発光層の厚さは、約100Åないし1,000Å、望ましくは200Åないし600Åである。前記発光層の厚さが前述の範囲を満足する場合、優秀な発光特性及び駆動電圧特性を得ることができる。
発光層がリン光ドーパントを含む場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に拡散する現象を防止するために、正孔阻止層(HBL)を発光層の上部に形成することができる(図1には図示せず)。このとき使用できる正孔阻止層物質は特に制限されず、公知の正孔阻止層物質のうちから任意に選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、または特開平11−329734(A1)に記載されている正孔阻止材料、Balq、BCPなどが利用できる。
前記正孔阻止層の厚さは、約50Åないし1,000Å、望ましくは100Åないし300Åである。前記正孔阻止層の厚さが前述の範囲を満足する場合、優秀な正孔阻止特性及び駆動電圧特性を得ることができる。
次に、電子輸送層(ETL)を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成することができる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲のうちから選択することができる。
前記電子輸送層物質は、前述のような化学式1で示されるイミダゾピリジン系化合物を利用できる。または、キノリン誘導体、特に、トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(Alq3)、TAZのような公知の材料を共に利用することもできる。
前記電子輸送層の厚さは、約100Åないし1,000Å、望ましくは100Åないし500Åである。前記電子輸送層の厚さが前述の範囲を満足する場合、優秀な電子輸送特性及び駆動電圧特性を得ることができる。
また、電子輸送層の上部に、カソードから電子の注入を容易にする物質である電子注入層(EIL)を積層することもできる。
電子注入層としてはLiF、NaCl、CsF、LiO、BaOのような電子注入層形成材料である公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択することができる。
前記電子注入層の厚さは約1Åないし100Å、望ましくは5Åないし90Åである。前記電子注入層の厚さが前述の範囲を満足する場合、優秀な電子注入特性及び駆動電圧特性を得ることができる。
最後に、電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法のような方法を利用して第2電極を形成することができる。前記第2電極は、カソードまたはアノードとして使用することができる。前記第2電極形成用の金属としては、小さな仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びそれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、アルミニウム・リチウム(Al−Li)、カルシウム(Ca)、マグネシウム・インジウム(Mg−In)、マグネシウム・銀(Mg−Ag)などを挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ITO、IZOを使用した透明カソードを使用することもできる。
以下、本発明による化合物1、4及び7の合成例、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子の製造に係る実施例を具体的に例示するが、本発明が下記の合成例及び実施例に限定されるものではない。
合成例1:化合物1の合成
下記反応式1の反応経路によって化合物1を合成した。
Figure 2008133277
中間体1aの合成
臭素酸250mlに臭化銅(10g、44mmol)と2−アミノアントラキノン(8g、35.8mmol)とを入れ、65℃に加熱した。ガス発生終了後、常温に冷却し、反応溶液を20%塩酸水溶液(1,000ml)に添加した後、ジクロロメタンで抽出した。有機層の残留水分を無水硫酸マグネシウムで除去した後、減圧して溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィで精製(ジクロロメタン:ノルマルヘキサン=4:1)し、中間体1aを7.7g(収率75%)得た。
中間体1bの合成
窒素雰囲気下で、乾燥したTHF100mlに前記中間体1a(10g、34.8mmol)を入れ−78℃に温度を下げた後、2−ナフチルマグネシウムブロミド(0.5M、10mmol)をゆっくり添加した。常温に温度を上げて3時間撹拌した。反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を添加した後、塩化メチレンで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を留去した。得られた混合物を少量のエチルエーテルに溶かした後、石油エーテルを添加して数時間撹拌し、固体化合物を得た。これを濾取後真空乾燥し、ジナフチルジアルコール17.6gを得た。
窒素雰囲気下で前記ジナフチルジアルコール(17.6g、32.4mmol)を酢酸200mlに分散させた後、ヨウ化カリウム(53.4g、330mmol)、次亜リン酸ナトリウム水和物(58g、660mmol)を添加し、3時間撹拌還流した。これを常温に冷却した後で濾過し、水とメタノールとで洗浄した後、真空乾燥し、薄黄色の中間体1bを11.3g得た。
中間体1cの合成
窒素雰囲気下で、乾燥させたTHF70mlに前記中間体1b(5g、9.81mmol)を溶かし、−78℃でブチルリチウム(4.7ml、11.8mmol)を滴加した。同一温度で1時間撹拌した後、ホウ酸トリメチル(2.20ml、29.4mmol)を添加した。常温に温度を上げ、1時間撹拌した後に2N塩酸水溶液を添加して3時間撹拌した。生成した固体化合物をトルエンで洗浄しながら濾過し、薄黄色の中間体1cを得た(3.27g、70%収率)。
中間体1dの合成
エタノール(150ml)に2−アミノピリジン(3.39g、35.98mmol)と2,4’−ジブロモアセトフェノン(10g、35.98mmol)とを溶解し、12時間還流した。常温に冷却すると白色固体が生成され、これをNaHCO飽和水溶液で洗浄した。有機層の残留水分を無水硫酸マグネシウムで除去し、減圧乾燥した後、再結晶(ジクロロメタン・ノルマルヘキサン)により板状の結晶形態を有する中間体1dを得た(8.02g、82%収率)。
化合物1の合成
前記中間体1c(1.85g、3.90mmol)と中間体1d(1g、3.90mmol)とを、炭酸カリウム(2.7g、19.5mmol)水溶液とTHFとの混合溶媒に添加し、撹拌しながらPd(PPh(225mg、0.196mmol)を加え6時間還流した。常温に冷却した後、生成した固体化合物を水、エタノール、及びTHFで洗浄しながら濾過し、薄黄色の粉末状の化合物1を得た(1.73g、71%収率)。
H NMR(400MHz、CDCl)8.13−8.04(7H)、8.01(1H)、7.97−7.92(4H)、7.86−7.82(2H)、7.75(2H)、7.71−7.58(10H)、7.32(2H)、7.15(1H)、6.75(1H)。
合成例2:化合物4の合成
下記反応式2の反応経路によって化合物4を合成した。
Figure 2008133277
中間体4dの合成
イミダゾピリジン化合物1d(前記合成例1参照)5g(18.3mmol)とN−ヨードコハク酸イミド4.12g(18.3mmol)とをアセトニトリルに溶解し常温で1時間撹拌した後、クロロホルム100mlを加え、10%水酸化ナトリウム水溶液で洗浄後、さらにチオ硫酸ナトリウム飽和水溶液と水とで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥して濾過後溶媒を除去した。得られた固体をメタノールで洗浄して濾過し、ヨード化合物を5.8g(収率79%)得た。得られたヨード化合物とホウ酸フェニル1.76g(14.5mmol)とを、炭酸カリウム(10g)水溶液とTHFとの混合溶媒に加えて撹拌しながらPd(PPh(335mg)を添加し、24時間還流した。反応溶液をジクロロメタンで抽出し、有機層の残留水分を無水硫酸マグネシウムで除去した後、減圧して乾燥させた。カラムクロマトグラフィで精製(酢酸エチル:ノルマルヘキサン=2:3)し、中間体4dを2.93g(収率58%)得た。
化合物4の合成
前記合成例1の中間体1dの代わりに中間体4dを利用したという点を除いては、前記合成例1における化合物1の製造方法と同じ方法で化合物4を製造した。中間体1c(10g、21.08mmol)と4d(6.69g、19.16mmol)とを鈴木反応を利用して反応させ、薄黄色の粉末状の化合物4を9.72g(収率73%)得た。
H NMR(400MHz、CDCl)8.08(1H)、8.03−8.01(2H)、7.97−7.88(3H)、7.81(1H)、7.74−7.58(12)、7.51−7.40(10)、7.29−7.23(3H)、7.15(1H)、6.69(1H)。
合成例3:化合物7の合成
下記反応式3の反応経路によって化合物7を合成した。
Figure 2008133277
前記合成例1の中間体1dの合成例において、2−アミノピリジンの代わりに1−アミノイソキノリンEL使用し、前記中間体7dを合成しこれを利用したという点を除いては、前記合成例1と同じ方法で化合物7を製造した。中間体1c(10g、21.08mmol)と7d(6.19g、19.16mmol)とを鈴木反応を利用して反応させ、薄黄色の粉末状の化合物7を9.03g(収率70%)得た。
H NMR(400MHz、CDCl)8.69(1H)、8.12(2H)、8.07−8.02(5H)、7.99−7.95(4H)、7.89−7.84(2H)、7.79−7.75(3H)、7.71−7.65(4H)、7.64−7.54(8H)、7.33(2H)、7.02(1H)。
合成例4:化合物3の合成
下記反応式4の反応経路によって化合物3を合成した。
Figure 2008133277
前記合成例1の中間体1dの合成例において、2,4’−ジブロモアセトフェノンの代わりに、2,4’−ジブロモプロピオフェノンを使用して前記中間体3dを合成し、これを用いたという点を除いては、前記合成例1と同じ方法で化合物3を製造した。中間体1c(5g、10.54mmol)と3d(2.75g、9.75mmol)とを鈴木反応を利用して反応させ、薄黄色の粉末状の化合物3を4.15g(収率68%)得た。
H NMR(400MHz、CDCl)8.12(2H)、8.07−8.02(5H)、7.97−7.95(2H)、7.89−7.84(2H)、7.80−7.71(4H)、7.70−7.66(3H)、7.63−7.60(7H)、7.32(2H)、7.15(1H)、6.83(1H)、2.62(3H)。
合成例5:化合物2の合成
下記反応式5の反応経路によって化合物2を合成した。
Figure 2008133277
前記合成例1の中間体1b及び1cの合成例において、2−ナフチルマグネシウムブロミドの代わりに、フェニルマグネシウムブロミドを用いて前記中間体2cを合成し、これを使用したという点を除いては、前記合成例1と同じ方法で化合物2を製造した。中間体2c(5g、13.36mmol)と1d(3.32g、12.15mmol)とを鈴木反応を利用して反応させ、薄黄色の粉末状の化合物2を4.64g(収率73%)得た。
H NMR(400MHz、CDCl)8.11(1H)、7.99(2H)、7.95(1H)、7.86(1H)、7.64(1H)、7.73−7.70(2H)、7.69(1H)、7.66−7.61(7H)、7.58(2H)、7.56−7.50(4H)、7.34(2H)、7.17(1H)、6.78(1H)。
合成例6:化合物11の合成
下記反応式6の反応経路によって化合物11を合成した
Figure 2008133277
前記合成例5および合成例4と同じ方法で、中間体2cと3dとをそれぞれ合成した後、これらを用いて化合物11を製造した。中間体2c(5g、13.36mmol)と3d(3.49g、12.15mmol)とを鈴木反応を利用して反応させ、薄黄色の粉末状の化合物11を4.72g(収率72%)得た。
H NMR(400MHz、CDCl)7.97(1H)、7.91(1H)、7.85(2H)、7.80(1H)、7.73−7.70(2H)、7.69(1H)、7.66−7.61(7H)、7.58(2H)、7.56−7.50(4H)、7.34(2H)、7.19(1H)、6.86(1H)、2.67(3H)。
実施例1
アノードとしては、コーニング社(Corning)の15Ω/cm(1,200Å)のITOガラス基板を50mm×50mm×0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とでそれぞれ5分間超音波洗浄を行った後、30分間UVオゾン洗浄したものを使用した。前記基板上部に、m−MTDATAを真空蒸着し、750Å厚の正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層の上部にα−NPDを真空蒸着し、150Å厚の正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層の上部に、ホストとしてDSAを97重量%、ドーパントとしてTBPeを3重量%使用して、300Å厚の発光層を形成した。前記発光層の上部に、前記合成例1から得た化合物1を真空蒸着し、200Å厚の電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部にLiFを真空蒸着し、80Å厚の電子注入層を形成した後、Alを真空蒸着し、3,000Å厚のカソードを形成することにより、有機発光素子を作製した。
実施例2ないし6
前記実施例1において、電子輸送層の形成材料として合成例1から得た化合物1の代わりに合成例2ないし6から得た化合物4、7、3、2及び11をそれぞれ使用したという点を除いては、前記実施例1と同じ方法で有機発光素子を作製した。
比較例
前記実施例1において、電子輸送層の形成材料として、合成例1から得た化合物1の代わりに8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体(Alq3)を使用したという点を除いては、前記実施例1と同じ方法で有機発光素子を作製した。
評価例
前記実施例1ないし6の有機発光素子及び比較例の有機発光素子に対し、電流密度(mA/cm)、駆動電圧(V)、輝度(cd/m)、及び効率(Im/W)をPR650(Spectroscan)Source Measurement Unit.(PhotoResearch社製)を利用して評価し、その結果を下記表1に表した。さらに、実施例1ないし6の有機発光素子及び比較例の有機発光素子の、電圧−電流密度グラフ及び輝度−効率グラフをそれぞれ図2及び図3に示した。
Figure 2008133277
実施例1ないし6の有機発光素子は、前記表1、図2及び図3から分かるように、比較例の有機発光素子よりさらに向上した電流密度、駆動電圧、輝度、効率特性を有する。従って、本発明における化学式1で示されるイミダゾピリジン化合物を含んだ有機膜を具備した有機発光素子は、従来の有機発光素子に比べ、高輝度、高効率、低駆動電圧、長寿命特性を有することが分かる。
本発明について、前記合成例及び実施例を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、本発明に属する技術分野の当業者であれば、これらの多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であることを理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によってのみ決まるものである。
本発明におけるイミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
本発明による有機発光素子の一具現例の構造を概略的に表した図面である。 本発明による有機発光素子の一具現例及び従来の有機発光素子の電圧−電流密度特性を示したグラフである。 本発明による有機発光素子の一具現例及び従来の有機発光素子の輝度−効率特性を示したグラフである。

Claims (16)

  1. 下記化学式1で示される構造を有することを特徴とするイミダゾピリジン系化合物:
    Figure 2008133277
    前記化学式1中、
    、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11及びR12は互いに独立的に、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、置換もしくは非置換のC−C30アルキル基、置換もしくは非置換のC−C30アルコキシ基、置換もしくは非置換のC−C30アシル基、置換もしくは非置換のC−C30アルケニル基、置換もしくは非置換のC−C30アルキニル基、置換もしくは非置換のC−C30アリール基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基からなる群から選択され、RないしRのうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和環を形成してもよく、RないしR12のうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和環を形成してもよく、
    及びLは互いに独立的に、単一結合、置換もしくは非置換のC−C30アルキレン基、置換もしくは非置換のC−C30アリーレン基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリーレン基からなる群から選択され、
    Ar及びArは互いに独立的に、置換もしくは非置換のC−C30アリール基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基から選択され、
    p及びqは互いに独立的に、1ないし5の整数であり、
    m及びnは互いに独立的に、0ないし4の整数であるが、m及びnが同時に0である場合は除外する。
  2. 前記RないしR12が互いに独立的に、水素、置換もしくは非置換のC−C10アルキル基、置換もしくは非置換のC−C10アルケニル基、置換もしくは非置換のC−C12アリール基、または置換もしくは非置換のC−C12ヘテロアリール基からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  3. 前記RないしR12が互いに独立的に、水素、C−C10アルキル基、C−C10ハロアルキル基、C−C10アルケニル基、C−C10ハロアルケニル基、フェニル基、ハロフェニル基、C−C10アルキルフェニル基、C−C10アルコキシフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、C−C10アルキルナフチル基、またはC−C10アルコキシナフチル基からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  4. 前記RないしRのうち互いに隣接した2以上、または前記RないしR12のうち互いに隣接した2以上が結合し、置換もしくは非置換のC−C12芳香族環を形成したことを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  5. 前記L及びLが互いに独立的に、置換もしくは非置換のC−C12アリーレン基、または置換もしくは非置換のC−C12ヘテロアリーレン基から選択されることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  6. 前記L及びLが互いに独立的に、フェニレン基、ハロフェニレン基、C−C10アルキルフェニレン基、C−C10アルコキシフェニレン基、ナフチレン基、ハロナフチレン基、C−C10アルキルナフチレン基、またはC−C10アルコキシナフチレン基からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  7. 前記Ar及びArが互いに独立的に、置換または非置換のC−C12アリール基、または置換もしくは非置換のC−C12ヘテロアリール基から選択されることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  8. 前記Ar及びArが互いに独立的に、フェニル基、ハロフェニル基、C−C10アルキルフェニル基、C−C10アルコキシフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、C−C10アルキルナフチル基、C−C10アルコキシナフチル基、ピリジニル基、ハロピリジニル基、C−C10アルキルピリジニル基、C−C10アルコキシピリジニル基、キノリニル基、ハロキノリニル基、C−C10アルキルキノリニル基、C−C10アルコキシキノリニル基、イソキノリニル基、ハロイソキノリニル基、C−C10アルキルイソキノリニル基、またはC−C10アルコキシイソキノリニル基からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  9. mは0であり、nは1であることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  10. m及びnが1であることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
  11. 下記化学式1a、1b、1cまたは1dで示される構造を有することを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物:
    Figure 2008133277
    前記化学式中、
    、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12は互いに独立して、水素、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、置換もしくは非置換のC−C30アルキル基、置換もしくは非置換のC−C30アルコキシ基、置換もしくは非置換のC−C30アシル基、置換もしくは非置換のC−C30アルケニル基、置換もしくは非置換のC−C30アルキニル基、置換もしくは非置換のC−C30アリール基、または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基からなる群から選択され、RないしRのうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和の環を形成してもよく、RないしR12のうち互いに隣接した2以上は、互いに結合して飽和または不飽和の環を形成してもよく、
    Ar及びArは互いに独立して、置換もしくは非置換のC−C30アリール基または置換もしくは非置換のC−C30ヘテロアリール基から選択される。
  12. 下記構造を有する化合物1ないし11のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾピリジン系化合物。
    Figure 2008133277
    Figure 2008133277
    Figure 2008133277
  13. 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に請求項1から請求項の12のいずれか1項に記載の化合物を含んだ有機膜と、を具備したことを特徴とする有機発光素子。
  14. 前記有機膜が電子輸送層であることを特徴とする請求項13に記載の有機発光素子。
  15. 前記第1電極と前記第2電極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層及び電子注入層からなる群から選択された一層以上の層をさらに備えたことを特徴とする請求項13に記載の有機発光素子。
  16. 前記有機膜が電子輸送層であり、前記第1電極と前記第2電極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子注入層をさらに備えたことを特徴とする請求項13に記載の有機発光素子。
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