WO2005006816A1 - 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

白色系有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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unsubstituted
white organic
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Masahide Matsuura
Kenichi Fukuoka
Hiroshi Yamamoto
Chishio Hosokawa
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Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a white organic electroluminescent element, and more particularly, to a white organic electroluminescent element which has a high luminous efficiency, a long life, and no chromaticity change despite low voltage. It is about. Background art
  • white organic EL devices have attracted attention as devices that can perform full-color display using color filters, in addition to lighting applications such as monocolor display and pack lighting.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-093583 proposes a light-emitting layer-stacked device having a plurality of light-emitting layers.
  • This light-emitting layer-stacked organic EL device emits white light by doping a dopant for each light-emitting layer, and can emit light other than white by changing the type of dopant. Element.
  • the driving voltage is high, the light emission life is short, and the chromaticity change is easily caused. Disclosure of the invention
  • the energy gap E g (Host 1 i) of the host compound contained in each light emitting layer satisfies the following formula (I),
  • the device configuration of (6) to (9) is preferable, and the device configuration of (6) in which a blue light emitting layer is laminated on the anode side and green to red light emitting layers are laminated on the cathode side.
  • the white light-emitting layer means a light-emitting layer which emits light in a white region in white or CIE chromaticity coordinates.
  • the white light emitting layer means a light emitting layer having a wide half width (80 nm or more) or emitting light in a white region in CIE chromaticity coordinates.
  • Fig. 2 shows the definition of white light in CIE coordinates. Specific examples include the “blue light-emitting layer Z green to red light-emitting layer” described above and
  • Multilayer type such as “green-red light-emitting layer / blue light-emitting layer” —a light-emitting material having a wide half-width of light emission or a dopant as described in JP-A-8-315893 And the like used.
  • E g (Host — i) represents the energy gap of the host compound contained in the i-th light-emitting layer counted from the electron transport layer side (i is an integer from 1 to n).) Energy gap of the nitrogen-containing heterocyclic derivative or silicon-containing heterocyclic derivative contained in the electron transport layer. (E g (E TM)) satisfies the following formula (II),
  • Formula (III) preferably satisfies I p (E TM) ⁇ I p (H ost — 1) + 0.2 eV, and I p (E TM) ⁇ I p (H ost — l) + 0. More preferably, it is 1 eV.
  • the organic EL device of the present invention includes the energy gap E g (Host-i) of the host compound contained in each light emitting layer and the electron transport layer in addition to the above formulas (I) to (III).
  • the energy gap (E g (ETM)) of the nitrogen-containing heterocyclic derivative or silicon-containing heterocyclic derivative is represented by the following formula (IV).
  • the organic EL device of the present invention includes a dopant in which at least one light emitting layer has an energy gap E g (D op-i) of 2.9 eV or less (i is 1 force, an integer of n, etc.). It is preferable that the energy gap Eg of the light emitting layer forming an interface with the electron transport layer is less than 2.65 eV, or that the interface forms an interface with the electron transport layer not forming an interface with the electron transport layer. At least one of the light-emitting layers in which i is 2 or more contains a dopant, and the following formula (V)
  • the energy gap of the dopant in at least one of the light-emitting layers having i of 2 or more that does not form an interface with the electron transport layer satisfies the above formula (V), whereby the anode side When light is extracted, the change in color can be reduced by re-absorption light emission at the dopant.
  • each light emitting layer in the present invention is not necessarily required to be one kind for high efficiency and color adjustment, and may have a plurality of dopants as needed.
  • Examples of the form include (1) a form of partial doping of the same host compound, (2) a combination of different host compounds and different dopants, and (2) and (3).
  • blue light-emitting materials include anthracene derivatives, styrene derivatives, aromatic amines, and mixed ligands such as aluminum-based materials. And carpazole derivatives.
  • Examples of the mixed ligand aluminum chelate include, for example, bis (R s —8—quinolinolato) (phenolato) aluminum (ill) chelate represented by the following formula [V iii] Can be.
  • Eg (ETM) 3.6 eV
  • Examples of the anthracene derivative include compounds represented by the following general formulas [i] to [v].
  • R 1 ′ to R 1 ° each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms.
  • Alkylthio group substituted or unsubstituted arylthio group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, unsubstituted carbon atom having 5 to 30 carbon atoms 30 simple groups, substituted Or an unsubstituted fused polycyclic group having 10 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms.
  • Ar 1 ′ and Ar 2 ′ each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted carbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • An alkenyl group, wherein the substituent is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 30 carbon atoms.
  • Arylthio group substituted or unsubstituted arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, unsubstituted monocyclic group having 5 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon atom 1 It is a fused polycyclic group having 0 to 30 or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 30 carbon atoms.
  • a r 3 'and A r 4 each independently, properly be substituted unsubstituted Ariru group or a substituted or unsubstituted alkenyl group having a carbon number of 1-2 0 carbon atoms 6-3 0
  • the substituent is Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted 6 to 3 carbon atoms 0 aryloxy group, substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted A substituted arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, an unsubstituted monocyclic group having 5 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted fused polycyclic group
  • L 1 is a single bond —O—, 1 S—, —N (R) 1 (R represents an alkyl group or an aryl group which may be substituted) or an arylene group.
  • the alkoxyl group is a group represented by 1 O Y, wherein Y is the same as the above-mentioned alkyl group.
  • alkyl group examples include benzyl, 1-phenylene, 2—phenylene / ethylene, 1-phenylene-isopropyl, 2-phenylene-propyl, 7-phenylene, Pheninole t-Ptinole group, ⁇ -naphthinolemethyl group, 1-n-naphthylethyl group, 2—1-naphthyl-chinole group, 1-n-naphthynoleyl isopropyl group, 2— ⁇ -naphthylisopropyl group, 1-naphthylmethyl group, 1 1—Naphthylethyl group, 2—; 8—Naphthylethyl group, 1—11 Naphthyrylsopropyl group, 2——Naphthyrylsopropyl group, 1—Pyrrolylmethyl group, 2— (1—Pyrrolyl) ethyl
  • condensed polycyclic group examples include anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetrathrene, coronene, thalicene, fluorescein, and perylene.
  • Heteroaryl groups include 1-aza-indridin-1 2--yl group, 1-aza-indridin-1 3--yl group, 1-aza-indridin-1-5-inole group, 1 — Other resin 6 — Oil group, 1 Other resin — 7 — Oil group, 1 Other resin 8 — Oil group, 2 — Other resin 1 1 Group, 2—azaindolidine 3—yl group, 2—azaindolidine 1—5—yl group, 2—azaindolidine 1—6—yl group, 2—azaindolidine 1-7-yl group, 2-azaindridin 1-8-yl group, 6-azaindridin-1-yl group, 6-azaindridin-1 -yl group, 6-aza —Indylidine— 3 —Yield group, 6 —Aziridine group 5 —Yield group, 6 —Alziridine group 7 —yl group 6 —azaindridin 8 —yl group, 7
  • alkyl group examples include a butyl group, an aryl group, a 1-butenyl group, 2 —butenyl group, 3 —butenyl group, 1,3 —butanenyl group, 1 —methinolebininole group, styryl group, 2,2 —diphenyl-rubyl group, 2,2 —ditrirubier group, 1, 2—divinyl vinyl group, 1-methylaryl group, 1—dimethylaryl group, 2—methylaryl group, 1-phenolyl group, 2—furyl group, 3—phenyl Eninorealyl group, 3,3-diphenylaryl group, 1,2-dimethylaryl group, 1-phenyl-1-butenyl group, 3-phenylenbutenyl group and the like.
  • cycloalkyl group examples include a cyclopropyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentinole group, a cyclohexynole group, and a 4-methynolecyclohexyl group.
  • arylamino group examples include a diphenylamino group, a ditriamino group, a dinaphthylamino group, a naphthylphenylamino group, and the like.
  • alkylamino group examples include a dimethylamino group, a methylamino group, a dihexylamino group, and the like.
  • Examples of the styrene derivative and the aromatic amine include compounds represented by the following general formulas [vi] to [Vii].
  • Ar 1 D ′ and Ar 12 ′ each independently represent a substituted or unsubstituted divalent aromatic group having 6 to 40 carbon atoms.
  • a 8 ' ⁇ A r 1 4' may include a styryl group or a styrene Li alkylene group, h and k are integers each 0-2.
  • dopant that can be added to the light emitting layer in the organic EL device of the present invention will be described.
  • examples of such dopants include blue dopants and yellow to red dopants.
  • Examples of the styrylamine and the amine-substituted styryl compound include, for example, compounds represented by the following general formulas (ix) to (X); and condensed aromatic ring-containing compounds, for example, the following general formula (ix) And the compounds represented by
  • a r 1 ,,, A r 2 '' and A r 3 ' each independently, properly be substituted carbon atoms 6-4 0 represents a non-substituted aromatic group, Re their At least one of them contains a styryl group, and p, represents an integer of 1 to 3.
  • aromatic group examples include those described above.
  • E 1 and E each independently represent an aryl or alkyl group having 6 to 30 carbon atoms, a hydrogen atom or a cyano group, and q ′ represents 1 to 3 Indicates an integer.
  • U and / or V are substituents containing an amino group, and the amino group is preferably an arylamino group.
  • arylene group examples include those in which the specific examples of the aryl group described above are converted to divalent groups, and the like. Specific examples of the aryl group, the alkyl group, and the arylamino group are described above. And the like.
  • A is an alkyl or alkoxy group having 1 to 16 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 30 substituted or unsubstituted alkylamino groups or substituted or unsubstituted arylamino groups having 6 to 30 carbon atoms
  • B is a condensed aromatic ring having 10 to 40 carbon atoms
  • r represents an integer of 1 to 4.
  • alkyl group alkoxyl group, aryl group, alkylamino group and arylamino group
  • alkyl group, alkoxyl group, aryl group, alkylamino group and arylamino group examples include those described above.
  • a fluorescein derivative a perylene derivative, a tamarin derivative, or the like can be used.
  • X 1 to X 2 Each independently represents a hydrogen atom, a straight-chain, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a straight-chain, branched or cyclic substitution or Is an unsubstituted alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 30 carbon atoms.
  • adjacent substituents and X 1 to: X 2 . May combine to form a cyclic structure. When adjacent substituents are aryl groups, the substituents may be the same. ]
  • alkyl group examples include those described above.
  • arylalkylamino group examples include those in which hydrogen of an amino group is substituted with the above-described alkyl group and aryl group.
  • R 1 '''! ⁇ 4 ''' is each independently a substituted or unsubstituted alkyl having 1 to 20 carbon atoms.
  • the electron transport layer in the organic EL device of the present invention has the following general formula (1)
  • HA r is a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic group
  • a r 1 is a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 carbon atoms
  • a 2 Is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms
  • L is a single bond or a substituted or unsubstituted aryl group. It represents an unsubstituted arylene group.
  • R is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms, substituted or unsubstituted Is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, n is an integer of 0 to 5, and when n is 2 or more, May be the same as or different from each other, and a plurality of Rs may combine with each other to form a ring structure.
  • each R 1 is independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 6 to 40 carbon atoms.
  • aryl group examples include those described above.
  • Examples of the substituent of the carbazolyl group include the same as those described above for R ′.
  • the HA r is represented by the following (25) to (44)
  • L is the following general formula (45) or (4) 6)
  • R 2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms, A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, m is an integer of 0 to 4, and m is 2 or more.
  • a plurality of R 2 s may be the same or different from each other, and a plurality of R 2 s may combine with each other to form a ring structure.
  • aryl group examples include those described above.
  • the Ar 2 is represented by the following general formulas (47) to (53)
  • R 3 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms, A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, p is an integer of 0 to 9, and q is 0 to 5 is an integer, not less than p or p + q force, a plurality of R 3 may be the same or different, it may be bonded to R 3 each other multiple to form a ring structure.) either It is preferable that this is a group represented by
  • aryl group examples include those described above.
  • Ar 1 is a group represented by the following general formula (54) or (55)
  • R 4 to R 17 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 40 carbon atoms, 40 aryloxy groups, substituted or unsubstituted carbon atoms 3 to 40 heteroaryl groups, substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms or substituted or unsubstituted carbon atoms
  • Ar 3 and Ar 4 are a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms or a substituted or unsubstituted carbon atom having 3 to 40 carbon atoms.
  • the heteroaryl group is preferably a group represented by the following formula:
  • aryl group examples include those described above.
  • halogen atom examples include fluorine, chlorine, bromine and iodine.
  • silicon-containing heterocyclic derivative contained in the electron transport layer in the present invention include compounds described in JP-A-09-94487.
  • silasite-opened pentadiene derivative as shown below may be mentioned.
  • X and Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkoxy-alkoxy group, an alkynyloxy group, a substituted or unsubstituted group.
  • the hole injection layer and the electron injection layer are not necessarily required, but the device having these layers has the advantage of improving the light emission performance.
  • a hole transport layer (hole injection layer), a light emitting layer, and an electron injection layer may be interposed between a pair of electrodes.
  • a mixed layer may be prepared using a binder such as a polymer compound.
  • the sheet resistance as an electrode is preferably several hundreds of ohms or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 to 50 nm, preferably 50 to 200 nm. It is.
  • the luminous efficiency is advantageously improved.
  • the above-described host material is used.
  • the host material in addition to the dopant described above, any one of conventionally known light emitting materials can be selected and used.
  • luminescent materials include polycyclic fused aromatic compounds, fluorescent whitening agents such as benzoxazoles, benzothiazoles, and benzoimidazoles, metal chelated oxanoide compounds, and distyrylbenzenes.
  • a compound having a good thin-film forming property such as a system compound can be used.
  • the polycyclic fused aromatic compound includes, for example, a fused ring light-emitting substance having a skeleton of anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, thalylene, or perylene, or about eight fused rings.
  • fused ring luminescent materials Can be mentioned.
  • 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene, 4,4,1- (2,2-diphenylvinyl) bibule and the like can be used.
  • This light-emitting layer may be composed of one or more of these light-emitting materials, or may be a laminate of light-emitting layers made of a compound different from the light-emitting layer. .
  • the hole transport layer (hole injection layer) in the organic EL device of the present invention is made of a hole transport compound, and has a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer.
  • the hole injection layer By interposing the hole injection layer between the anode and the light emitting layer, many holes are injected into the light emitting layer by applying a lower electric field.
  • electrons injected from the cathode or the electron injection layer into the light emitting layer are transported to the interface within the light emitting layer by the electron barrier existing on the interface between the light emitting layer and the hole transport layer (hole injection layer).
  • an element having excellent light emitting performance such as improvement in light emitting efficiency can be obtained.
  • the hole transporting compound used for such a hole transporting layer is disposed between two electrodes to which an electric field is applied, and when holes are injected from the anode, the hole transporting compound is formed.
  • a shall bovine transferring holes to properly light emitting layer for example, has a 1 0 4 -1 0 at least at 6 V / cm of electric field application 1 0 one 6 cm hole mobility of 2 / V ⁇ sec Those are preferred.
  • the hole transporting compound is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties.
  • a material commonly used as a hole charge injection / transport material, an organic EL device, or the like is used. Any of the known materials used for the hole transport layer (hole injection layer) of the device can be selected and used.
  • Examples of the hole transporting compound include copper phthalocyanine, N, N, N ', N'-tetrafin-4,4'-diaminophenol and N, N'-diphenyl N, N 'page (3—methinorefue- 1,4, jiaminobiferu (TPDA), 2,2 -vis (4j1! 1) : — Trilaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'tetra p-trile-1,4,4'-aminoaminophenyl. Crystals and amorphous materials of inorganic semiconductors such as Si, SiC, and CdS can also be used.
  • the hole injection layer may be composed of one or more of these hole injection materials, or may be a hole injection layer of a compound different from the hole injection layer. Layered layers may be used.
  • the organic EL device of the present invention there is a device containing a reducing dopant in a region for transporting electrons or an interface region between a cathode and an organic compound layer.
  • an organic EL device containing a reducing compound in the compound of the present invention is preferable.
  • a reducing dopant is defined as a substance that can reduce an electron-transporting compound. Therefore, various substances having a certain reducing property can be used.
  • Alkaline earth metal Rare earth metal, Alkali metal oxide, Alkali metal halide, Alkaline earth metal oxide, Alkaline earth metal halide, Rare earth metal oxide, It is preferably at least one substance selected from the group consisting of a rare earth metal halide, an alkali metal organic complex, an alkaline earth metal organic complex and a rare earth metal organic complex.
  • a preferable reducing dopant preferably has a work function of 2.9 eV or less, and more specifically, Na (work function: 2.36 eV) and K (work function: One or more alkalis selected from the group consisting of 2.28 eV), Rb (work function: 2.16 eV) and Cs (work function: 1.95 eV) Metal or C a (work : 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV) and ⁇ B a (work function: 2.52 eV). More than one kind of alkaline earth metal is included.
  • an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer.
  • an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer.
  • insulators include alkali metal chalcogenides and alkaline earth metal chalcogenides.
  • Al metal halides and alkaline earth metal halides It is preferable to use one or more metal compounds selected from the group consisting of oxides. It is preferable that the electron injecting layer is composed of these metal compounds, since the electron injecting property can be further improved.
  • Preferred alkali metal chalcogenides include, for example, Li 2 O, Li O, Na 2 S, Na 2 Se, and Na O.
  • Preferred alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO, Sro, BeO, BaS, and the like.
  • Preferred halogenated metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiC1, KC1, and NaC1.
  • Is a preferred alkaline earth metal Nono androgenic compound for example, fluorides and the like ca F 2, B a F 2 , S r F 2, M g F 2 ⁇ Pi B e F 2, except fluoride And halogenated compounds thereof.
  • the semiconductors constituting the electron injection layer include B a, C a, S r, Y b, A l, G a, In, L i, N a, C d, M g, S i, One or a combination of two or more of oxides, nitrides, oxynitrides, and the like containing one or more elements selected from the group consisting of Ta, Sb, and Zn are exemplified.
  • the inorganic compound constituting the electron injection layer is preferably a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron injection layer is composed of these inorganic compounds, a more uniform thin film can be formed, and pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the above-mentioned alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal lucogenides, halogenated metal halides, and halides of alkaline earth metal. Is mentioned.
  • the anode hole transport layer Z light emitting layer / electron transport layer / A method for manufacturing a cathode-type organic EL device will be described.
  • a thin film made of a desired electrode material for example, a material for an anode, is deposited and sputtered on a suitable substrate so as to have a thickness of 1 ⁇ or less, preferably in a range of 10 to 200 nm.
  • the anode is formed by a method such as ringing.
  • a hole transport layer, a plurality of light-emitting layers, and an electron transport layer, which are EL element components, are sequentially stacked on this to form a thin film made of each constituent material.
  • the thin film forming method used here there are the spin coating method, the casting method, the vapor deposition method, and the like as described above.However, a uniform film is easily obtained, and it is difficult to form pinholes. From the viewpoint, the vacuum deposition method is preferable. When a vacuum deposition method is used to reduce the thickness, the deposition conditions vary depending on the type of compound used, the target crystal structure of the molecular deposition film, the association structure, and the like.
  • Example 1 (Production of a stacked organic EL device having a blue light emitting layer and a yellow light emitting layer)
  • LiF was vapor-deposited by resistance heating to a thickness of 1 nm to form an electron injection cathode.
  • a 150 nm metal A1 was vapor-deposited on the thin film to form a metal cathode, thereby producing a white organic EL device.
  • Example 2 (Production of stacked organic EL device of blue light emitting layer / yellow light emitting layer / blue light emitting layer)
  • a white organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the light emitting layer was formed as follows.
  • the first light-emitting layer blue light-emitting layer was formed.
  • Example 3 (Production of a stacked organic EL device having a yellow light emitting layer / a blue light emitting layer and a yellow light emitting layer)
  • a white organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the light emitting layer was formed as follows.
  • the obtained organic EL device was subjected to a conduction test. At a voltage of 5.3 V and a current density of 1.1 O mA / cm 2 , white light emission with a luminance of 100 O nit was obtained. The coordinates were (0.32, 0.35), the luminous efficiency was 9.1 cdA, and the 5.4 lumen ZW. The luminance after driving for 150 hours at room temperature at an initial luminance of 1000 nit was 800 ni. Comparative Example 1 (Production of a stacked organic EL device having a blue light emitting layer and a green to red light emitting layer)
  • ITO transparent electrode manufactured by Geomatic
  • the glass substrate with the transparent electrode lines after cleaning is mounted on a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus, and first, a 60 nm-thick film is formed so as to cover the transparent electrodes on the surface on which the transparent electrode lines are formed.
  • a TPD232 film was formed. This TPD232 film functions as a hole injection layer.
  • Example 4 (Production of a stacked organic EL device having a blue light emitting layer and a yellow light emitting layer)
  • the obtained organic EL device was subjected to a conduction test. At a voltage of 5.3 V and a current density of 10 mA cm 2 , white light emission with a luminance of 1150 nit was obtained. (0.28, 0.33), the luminous efficiency was 11.5 cd / A, 6.8 lumen. In addition, the initial luminance was 100 nit, at room temperature, at constant current drive, and the luminance after 150 hours was 78 Oni.
  • Comparative Example 2 (Production of a stacked organic EL device having a blue light emitting layer Z and a green to red light emitting layer)
  • the obtained organic EL device was subjected to a conduction test. At a voltage of 5.0 V and a current density of 1 O mA / cm 2 , white light emission with an emission luminance of 150 nit was obtained. (0.27, 0.33), luminescence The efficiency was 10. S cd ZA 6.6 lumens / W. In addition, the initial luminance was 1000 nits, the luminance was 300 nits at room temperature, at constant current drive, and after time.
  • Example 5 (Production of a stacked organic EL device having a blue light emitting layer, a yellow light emitting layer, and a blue light emitting layer)
  • Example 2 Thereafter, as in Example 1, 150 nm of metal A1 was vapor-deposited to form a metal cathode to produce a white organic EL device.
  • Example 6 (Laminated type of blue light emitting layer Z yellow light emitting layer Z blue light emitting layer Production of organic EL device)
  • Example 2 The procedure was the same as in Example 1 up to the deposition of the second light emitting layer. Thereafter, an electron transporting layer of ETM30 was laminated to a thickness of 10 nm, and further deposited thereon.
  • a 10 nm electron injection mixed cathode was formed. Thereafter, as in Example 1, 150 nm of metal A1 was deposited to form a metal cathode, and a white organic EL device was produced.
  • Comparative Example 3 (Production of a stacked organic EL device having a blue light emitting layer / green to red light emitting layer)
  • Example 5 the one using Na as the electron injection cathode after satisfying the requirements (1), ( ⁇ ) and (1) of the present invention had a luminance of 800 hours after driving for 800 hours.
  • Comparative Example 2 even if Na was used as the electron-injecting cathode, the brightness after 150 hours of driving was not satisfied if the requirement ( ⁇ ) was not satisfied. It turned out to be impractical.
  • Example 6 when the requirements (I), ( ⁇ ) and ( ⁇ ) of the present invention were satisfied, and the Cs was used as the electron injection cathode, the brightness after 150 hours of driving was In the comparative example 3, even if cs was used as the electron injection cathode, if the requirement (m) was not satisfied, the characteristic after the driving of 1500 hours was obtained. The brightness turned out to be impractical. Industrial applicability
  • the white organic EL device of the present invention has a high luminous efficiency, a long life, and no chromaticity change even at a low voltage. For this reason, the white organic EL device of the present invention is highly practical and extremely useful as a light source for various electronic devices.

Abstract

一対の電極間に、２層以上の発光層と、含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体からなる電子輸送層を有する白色系有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層に含まれるホスト材料のエネルギーギャップを特定の範囲とし、電子輸送層に含まれる含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のエネルギーギャップを特定の範囲とし、電子輸送層の含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のイオン化ポテンシャルとそれに接する発光層のホスト材料のイオン化ポテンシャルとが特定の関係を満たす白色系有機エレクトロルミネッセンス素子。　低電圧でありながら発光効率が高く、寿命が長く、色度変化を起こさない白色系有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

Description

明細 白色系有機エレク トロルミ ネ ッセンス素子 技術分野
本発明は、 白色系有機エレク ト ロルミ ネ ッセンス素子に関し、 特に、 低電圧であり ながら発光効率が高く 、 寿命が長く 、 色度変 化を起こ さない白色系有機エ レク ト 口ルミ ネ ッセンス素子に関 するものである。 背景技術
有機物質を使用した有機ェレク トロルミ ネ ッセンス （ E L ) 素 子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子と しての用 途が有望視され、多く の開発が行われている。一般に E L素子は、 発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。 発光は、 両電極間に電界が印加されると、 陰極側から電子が注入 ざれ、 陽極側から正孔が注入される。 さ らに、 この電子が発光層 において正孔と再結合し、 励起状態を生成し、 励起状態が基底状 態に戻る際にエネルギーを光と して放出する現象である。
また、最近では、白色系有機 E L素子が、モノカラー表示用途、 パックライ トなどの照明用途の他、カラーフィルタ一によ り フル カラー表示できる素子と して注目を浴びている。
このよ うな白色系有機 E L素子を製造するために、特開 2 0 0 2 — 0 9 3 5 8 3号公報では複数の発光層を有する発光層積層 型の素子が提案されている。 この発光層積層型有機 E L素子は、 発光層ごとに ドーパン トを ドーピングするこ とで白色発光させ、 ドーパン トの種類を変えることによ り、白色以外の発光も可能な 素子である。 しかし、 発光層積層型素子では、 駆動電圧が高く 、 発光寿命が短く 、また色度変化を起こしやすいといった問題があ つた。 発明の開示
本発明は、 前記の課題を解決するためになされたもので、 低電 圧でありながら発光効率が髙く 、 寿命が長く、 色度変化を起こさ ない白色系有機 E L素子を提供するこ とを目的とする。
本発明らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果, 発光層に含まれるホス ト材料のエネルギーギャップを特定の範 囲と し、電子輸送層に含まれる含窒素複素環誘導体又は含珪素複 素環誘導体のエネルギーギャップを特定の範囲と し、電子輸送層 の含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のイオン化ポテ ンシャルとそれに接する発光層のホス ト材料のイオン化ポテン シャルとが特定の関係を満たすことによ り 、前記の目的を達成す ることを見出し本発明を完成したものである。
すなわち、 本発明は、 一対の電極間に、 2層以上の発光層と、 含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体からなる電子輸送 層を有する白色系有機 E L素子であって、
それぞれの発光層に含まれるホス ト化合物のエネルギーギヤッ プ E g (H o s t 一 i ) が下記式 （ I ) を満たし、
2. 9 e V≤ E g (H o s t — i ) · · ( I ) (式中、 E g (H o s t 一 i ) は、 電子輸送層側から数えて i 層 目 （ i は 1 から nの整数） の発光層に含まれるホス ト化合物のェ ネルギーギャップを表わす。 ） かつ、 電子輸送層に含まれる含窒 素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のエネルギーギャ ップ (E g ( E TM) ) が下記式 （II) を満たし、 2. 9 e V < E g (E TM) · · (II) かつ、電子輸送層に接する発光層に含まれるホス ト化合物のィォ ン化ポテンシャル （ I p (H 0 s t - 1 ) ) と電子輸送層に含ま れる含窒素複秦環誘導体又は含珪素複素環誘導体のイオン化ポ テンシャル （ I p ( E T M) ) が下記式（III)
I p ( E T M) ≤ I p (H o s t — 1 ) + 0. 3 e V · - (III) の関係を満たすこ と を特徴とする白色系有機 E L素子を提供す るものである。 図面の簡単な説明
第 1図は、本発明の白色系有機ェレク トロルミ ネ ッセンス素子 の構成の一例を示す図である。
第 2図は、 C I E色度座標における白色光の定義領域を示す図 である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の白色系有機 E L素子の層構成と しては、第 1図に示す よ うな構成が挙げられ、 例えば、
(1) 陽極 発光層/電子輸送層 （ノ電子注入層） /陰極
(2) 陽極ノ（正孔注入層 Z)正孔輸送層/発光層 Z電子輸送層（Z 電子注入層） Z陰極
(3) 陽極/赤色系発光層/青色系発光層 Z電子輸送層（/電子注 入層） /陰極
(4) 陽極ノ （正孔注入層ノ） 正孔輸送層 緑〜赤色系発光層 Z青 色系発光層/電子輸送層 （Z電子注入層） Z陰極
(5) 陽極/ (正孔注入層ノ） 正孔輸送層/緑〜赤色系発光層/白 色系発光層 電子輸送層 (Z電子注入層) ノ陰極 (6) 陽極/青色系発光層/緑〜赤色系発光層 電子輸送層（/電 子注入層） ノ陰極
(7) 陽極ノ （正孔注入層 Z) 正孔輸送層 青色系発光層ノ緑〜赤 色系発光層/電子輸送層 （ 電子注入層） 陰極
(8) 陽極ノ （正孔注入層 ） 正孔輸送層/白色系発光層 Z緑〜赤 色系発光層 Z電子輸送層 （Z電子注入層） /陰極
(9) 陽極 Z (正孔注入層/) 正孔輸送層 Z青色系発光層/白色系 発光層 Z電子輸送層 （/電子注入層） ノ陰極
等が挙げられ、 特に、 （6) 〜（9) の素子構成が好ましく 、 青色系 発光層を陽極側、緑〜赤色系発光層を陰極側に積層した（6) の素 子構成がさ らに好ま しい。 なお、 白色系発光層とは白色も しく は C I E色度座標での白色領域の発光を有する発光層を意味する。 なお、 白色系発光層とは、 半値幅の広い （ 8 0 n m以上） もし く は C I E色度座標における白色領域の発光を有する発光層を 意味する。 第 2図に白色光の定義を C I E座標にて示した。 具体 例と しては、 先に記載した 「青色系発光層 Z緑〜赤色発光層」 や
「緑〜赤色発光層/青色発光層」等の積層型ゃ特開平 8 — 3 1 5 9 8 3号公報記載のよ う な発光の半値幅の広い発光材料又は ド 一パン トを発光層に用いたものなどが挙げられる。
以上のよ うな素子構成において、 本発明の有機 E L素子は、 そ れぞれの発光層に含まれるホス ト化合物のエネルギーギヤ ップ E g (H o s t - i ) が下記式 （ I ) を満たし、
2. 9 e V≤ E g (H o s t - i ) · · ( I )
(式中、 E g (H o s t — i ) は、 電子輸送層側から数えて i 層 目 （ i は 1 から nの整数） の発光層に含まれるホス ト化合物のェ ネルギーギャップを表わす。 ） かつ、 電子輸送層に含まれる含窒 素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のエネルギーギャ ップ (E g ( E TM) ) が下記式 （II) を満たし、
2. 9 e V < E g (E TM) . . (II) かつ、電子輸送層に接する発光層に含まれるホス ト化合物のィォ ン化ポテンシャル （ I p (H o s t — 1 ) ) と電子輸送層に含ま れる含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のイオン化ポ テンシャル （ I p ( E TM) ) が下記式（III)
I p (E TM) ≤ I p (H o s t— 1 ) + 0. 3 e V · - (III) の関係を満たすものである。
また、 E g (H o s t — i ) く 3. 2 e V N E g ( E TM) < 3. 2 e Vであると好ましい。
前記エネルギーギャップは、 対象有機物の希薄溶液 （濃度 1 0 一5 M程度） を作成し、 その吸収スペク トル最長端よ り算出でき る。
前記イオン化ポテンシャルは、対象有機物にモノク 口メーター で分光した重水素ランプの光を照射し、放出された光電子放出を エレク トロメータで測定し、得られた光電子放出の照射光子エネ ルギ一曲線からの光電子放出の閾値を外揷法によ り求める等の 方法で測定することができる。
本発明の有機 E L素子は、発光層のホス ト化合物が上記式（ I ) を満たし、電子輸送層の含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘 導体が上記式 （II) を満たし、 特に、 電子輸送層に接する発光層 に含まれるホス ト化合物のイオン化ポテンシャルと電子輸送層 に含まれる含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のィォ ン化ポテンシャルが上記式（III) を満たすこ とによ り、正孔障壁 が大きすぎたり小さすぎたりするこ とが無く最適化され、正孔及 ぴ電子注入性が低下することが無く 、正孔と電子が極めて効率的 に発光層内で再結合することから、低電圧であり ながら発光効率 が高く 、 寿命が長く 、 色度変化を起こさないのである。
式（III) は、 I p (E TM) ≤ I p (H o s t — 1 ) + 0. 2 e Vである と好ましく 、 I p ( E TM) ≤ I p (H o s t— l ) + 0. 1 e Vであると さらに好ましい。
本発明の有機 E L素子は、 上記式 （ I ) 〜（III) に加え、 それ ぞれの発光層に含まれるホス ト化合物のエネルギーギヤップ E g (H o s t一 i ) 及び電子輸送層に含まれる含窒素複素環誘導 体又は含珪素複素環誘導体のエネルギーギャ ップ （ E g ( E T M) ) が下記式 （IV)
2. 9 e Vく E g (E TM) ≤ E g (H o s t— i ) · · (IV) の関係を満たすと好ましい。
本発明の有機 E L素子は、 少なく と も 1つの発光層が 2. 9 e V以下のエネルギーギャップ E g ( D o p - i ) ( i は 1力、ら n の整数） を有する ドーパン トを含むことが好ましく 、 特に、 電子 輸送層と界面を形成する発光層のエネルギーギャップ E gが 2. 6 5 e V未満である力 又は電子輸送層と界面を形成していない 電子輸送層と界面を形成していない i が 2以上である発光層の う ち少なく とも 1層が ドーパン トを含有し、 下記式 （ V )
2. 6 5 e V < E g (D o p — i ) ≤ 2. 9 e V * · · (V) の関係を満たすと好ましく 、これによ り安定的に素子を発光させ ることができる。
ここで、発光層への ドーパン トの ドーピング濃度には特に制限 はないが、好ましく は 0. 0 5〜 1 5重量。 /0、より好ましく は 0. ：! 〜 1 0重量％である。 また、 1つの発光層に複数の種類の ドー パン トを ドーピングしてもよい。
特に、 白色発光素子では、 2色又は 3色の発光層の重ねあわせ であり 、そのためには少なく とも一種の ドーパン トを添加するこ とが必要である。 そして、 電子輸送層と界面を形成していない i が 2以上である発光層の う ち少なく と も 1層における ドーパン トのエネルギーギャップが、 上記 （ V ) 式を満たすことによ り、 陽極側に光が取り 出される際に ドーパン トでの再吸収発光等に よ り色味の変化を小さくすることができる。
ここで、本発明における各発光層に含有する ドーパン トは高効 率化や色味調整のために必ずしも 1種である必要はなく 、必要に 応じて複数の ドーパン トを有してもよい。 その形態と しては、 ① 同一ホス ト化合物の部分ドーピングの形態や、②異なるホス ト化 合物かつ異なる ドーパン トの組み合わせ、①及び②の組み合わせ 等が挙げられる。
また、 本発明の有機 E L素子は、 発光ピーク波長の異なる発光 層を 2層以上有すると好ましく 、これら各層が前記ドーパン トを 含有すると さ らに好ましい。 さらに、 本発明の有機 E L素子は、 最大発光ピーク波長と 2番目発光ピーク波長の差が 5 O n m以 上であると好ま しい。
また、 白色有機 E L素子の低電圧駆動 ·高効率化のために、 前 記電子輸送又は前記電子輸送層と陰極との界面領域に、仕事関数 2 . 8 e V以下の金属又はその金属の化合物を設けると良い。 そ のよ うな金属と しては、 アル力 リ金属又はアル力 リ土類金属、 例 えば N a , K , R b , C s , C a , S r又は B aが挙げられる。 更にまた、 有機 E L素子の安定発光や発光効率向上の目的で、 電子輸送層を複数設けたり 、陽極と発光層の間も しく は陰極と電 子輸送層との間に無機化合物層を設けてもよい。無機化合物層に 使用される無機化合物と しては、 アルカ リ金属酸化物、 アルカ リ 土類酸化物、 希土類酸化物、 アルカ リ金属ハロゲン化物、 アル力 リ土類ハロゲン化物、 希土類ハロゲン化物、 S i O X 、 A 1 O X 、 S i N χ 、 S i O N、 A 1 0 N、 G e O x 、 L i O x 、 L i O N、 T i O x 、 T i O N、 T a O x 、 T a O N、 T a N x 、 C、 L i F、 M g F 2 、 C a F 2 、 M g F 2 、 N a Fなど各種 酸化物、 窒化物、 酸化窒化物、 ハロゲン化物を挙げるこ とができ る。
陽極と発光層の間に設ける層と しては、 S i ◦ x 、 A 1 O X 、 S i Ν χ 、 S i O N、 A 1 0 N、 G e O x 、 Cが好ま しい。 ま た、 陰極と電子輸送層の間に設ける層と しては、 L i F、 M g F 2 、 C a F 2 、 M g F 2 、 N a Fが好ま しい。
また、陽極に接する有機層には、酸化剤を添加していてもよい。 好ま しい酸化剤は電子吸引性または電子ァクセプター性の酸化 剤である。 ルイ ス酸、 各種キノン誘導体、 ジシァノキノ ジメタン 誘導体、芳香族アミ ンとルイス酸で形成された塩類等が挙げられ る。 ルイ ス酸と しては、 塩化鉄、 塩化アンチモン、 塩化アルミな どが挙げられる。 陰極に接する有機層には、 還元剤を添加しても 良い。 還元剤と しては、 アルカ リ金属、 アルカ リ土類金属、 アル 力 リ金属酸化物、 アル力 リ 土類酸化物、 希土類酸化物、 アル力 リ 金属ハロ ゲン化物、 アルカ リ土類ハロゲン化物、 希土類ハロ ゲン 化物が拳げられる。 好ま しいアルカ リ金属は C s 、 L i 、 N a、 Kである。
本発明において、 発光層に用いることができる発光材料 （ホス ト材料） と しては、 上記式 （ I ) を満たすものであればよく 限定 されない。 具体例には、 一般に使用される青色系発光材料が挙げ られる。 また、 これら発光材料の発光特性は限定されるものでは なく 、 公知の蛍光性材料でも燐光性材料でもよい。
さ らに具体例な青色系発光材料と しては、アン トラセン誘導体、 スチ リ ル誘導体、 芳香族ァミ ン、 混合配位子アルミ ニ ウムキレ一 ト、 カルパゾール誘導体が挙げられる。
前記アン トラセン誘導体と しては、フエ二ルアン トラセン骨格 を有する化合物が好ま しい。
前記スチリ ル誘導体と しては、 ジスチリル誘導体、 ト リ スチリ ル誘導体、テ トラスチリ ル誘導体及びスチリルアミ ン誘導体が好 ましい。
前記芳香族アミ ンと しては、芳香族置換された窒素原子を 2〜 4個有する化合物が好ま しく、芳香族置換された窒素原子を 2〜 4個有し、かつアルケニル基を少なく と も一つ有する化合物が特 に好ましい。
混合配位子アルミユウムキレー ト と しては、 例えば下記式 〔V i i i〕 で示されるビス （R s — 8 —キノ リ ノラ ト） （フヱノ ラ ト） アルミニウム（i ll) キレー トを挙げることができる。
( R s 一 Q ) 2 - A 1 - O - L 〔vi i i〕 式中、 Qは、 置換 8 —キノ リ ノ ラ ト配位子であり 、 R s は 8 一キノ リ ノ ラ ト環置換基であり、 O— Lはフエノラ ト配位子であ り 、 そして Lはァリール部を含む炭化水素基である。
混合配位子アルミニウムキレー ト と しては、下記の化合物等が 好ましい。
Figure imgf000011_0001
Eg(ETM) = 3.0eV Eg(ETM) = 3.0eV また、 力ルバゾール誘導体と しては、 下記の化合物等が好ま し い
Figure imgf000012_0001
Eg(ETM)= 3 . 6 e V 前記アン トラセン誘導体と しては、 例えば、 下記一般式 〔 i 〕 〜 〔 v〕 で示される化合物を挙げるこ とができる。
Figure imgf000012_0002
〔式中、 R 1 '〜 R 1 ° ' は、 それぞれ独立に、 水素原子、 ハロゲ ン原子、 シァノ基、 ニ トロ基、 置換もしく は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルコキシル基、置換もしく は無置換の炭素原子数 6〜 3 0 のァリールォキシ基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルキルチオ基、置換もしく は無置換の炭素原子数 6 〜 3 0の ァリールチオ基、置換もしく は無置換の炭素原子数 7〜 3 0のァ リ ールアルキル基、 無置換の炭素原子数 5〜 3 0の単瑗基、 置換 も しく は無置換の炭素原子数 1 0〜 3 0の縮合多環基又は置換 も しく は無置換の炭素原子数 5 〜 3 0のへテロァ リ ール基であ る。
A r 1 '及び A r 2'は、 それぞれ独立に、 置換も しく は無箧換 の炭素原子数 6〜 3 0のァ リール基又は置換も しく は無置換の 炭素原子数 1 〜 2 0のアルケニル基であり、 置換基と しては、 置 換も しく は無置換の炭素原子数 1〜 2 0のアルキル基、置換も し く は無置換の炭素原子数 1〜 2 0のアルコキシル基、置換も しく は無置換の炭素原子数 6〜 3 0のァリールォキシ基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1〜 2 0のアルキルチオ基、置換もしく は 無置換の炭素原子数 6〜 3 0のァリールチオ基、置換も しく は無 置換の炭素原子数 7〜 3 0のァリールアルキル基、無置換の炭素 原子数 5〜 3 0の単環基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1 0 〜 3 0の縮合多環基又は置換も しく は無置換の炭素原子数 5〜 3 0のへテロァリール基である。 〕
〔ii〕
Figure imgf000013_0001
〔式中、 尺 1'〜！^ 1。' は、 前記と同じである。
A r 3'及び A r 4，は、 それぞれ独立に、 置換も しく は無置換 の炭素原子数 6〜 3 0のァリール基又は置換も しく は無置換の 炭素原子数 1〜 2 0のアルケニル基であり、 置換基と しては、 置 換も しく は無置換の炭素原子数 1 ~ 2 0のアルキル基、置換も し く は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルコキシル基、置換も しく は無置換の炭素原子数 6〜 3 0のァ リ ールォキシ基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルキルチオ基、置換も しく は 無置換の炭素原子数 6〜 3 0のァ リ ールチオ基、置換も しく は無 置換の炭素原子数 7〜 3 0 のァ リ ールアルキル基、無置換の炭素 原子数 5〜 3 0の単環基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1 0 〜 3 0 の縮合多環基、置換も しく は無置換の炭素原子数 5〜 3 0 のへテロァ リ ール基又は置換も しく は無置換の炭素原子数 4〜 4 0 のアルケニル基である。 n ' は 1 〜 3 、 m ' は ：！ 〜 3 、 かつ n ' + m ' ≥ 2 である。 〕
〔出〕
Figure imgf000014_0001
〔式中、 R i ' R S' A r 3'及び A r 4，は、前記と同 じである。 〕
Figure imgf000014_0002
〔式中、 式中、 R 1'' 〜R I D'，は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無置換の炭素原子数 1〜 2 0のアルケニル基、置換 も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素原子数 3〜 2 0のシクロアルキル基、置換もしく は無置換の炭素原子数 6〜 3 0のァリール基、置換も しく は無置 換の炭素原子数 1〜 2 0のアルコキシル基、置換も しく は無置換 の炭素原子数 6〜 3 0のァ リールォキシ基、置換も しく は無置換 の炭素原子数 1 〜 2 0のアルキルアミ ノ基、置換も しく は無置換 の炭素原子数 1〜 4 0ァ リ ールアミ ノ基又は置換も しく は無置 換の炭素原子数 5〜 3 0のへテロァリール基を示し、 a及び bは それぞれ 1 〜 5の整数を示し、 それらが 2以上の場合、 R 1' ' 同士又は R 2' ' 同士は、 それぞれ、 同一でも異なっていてもよ く 、 また R 1 ' ' 同士又は R 2' '同士が結合して環を形成していて もよいし、 R 3 ， と R 4，， 、 R 5， ' と R 6'， 、 R 7，， と R s'， 、 R 9，， と R 1 ° 'がたがいに結合して環を形成していてもよい。 L 1 は単結合 — O—、 一 S—、 - N ( R ) 一 （Rはアルキル 基又は置換してもよいァリール基である〉又はァリーレン基を示 す。 〕
〔v〕
Figure imgf000015_0001
〔式中、 1 1， ， 〜 ！^ 2 。， ，は、 それぞれ独立に、 R 1 ' ' 〜 1。， ' と同様であり 、 c 、 d 、 e及ぴ f は、 それぞれ 1 〜 5 の整数を示 し、 それらが 2 以上の場合、 R 1 1， '同士、 R 1 2 '，同士、 R 1 6 '， 同士又は R 1 7 ' '同士は、 それぞれにおいて、 同一でも異なって いてもよく 、 また R 1 1 '，同士、 R 1 2， '同士、 R 1 6 ' '同士又は R 1 7 '，同士が結合して環を形成していてもよい し、 R 1 3 ' ' と R 1 4， ' 、 R 1 8" と R 1 9'，がたがいに結合して環を形成していてもよい。 L 2 は 1 と同様である。 〕
上記一般式 （ i ) 〜 （ V ) における、 各基の具体例と しては以 下のよ う である。
アルキル基と しては、 例えば、 メチル基、 ェチル基、 プロ ピル 基、 イ ソプロ ピル基、 n —プチル基、 s —プチル基、 イ ソプチル 基、 t 一ブチル基、 n —ペンチル基、 n —へキシル基、 n —ヘプ チル基、 n —ォクチル基、 ヒ ドロキシメチル基、 1 ーヒ ドロキシ ェチル基、 2 —ヒ ドロキシェチル基、 2 —ヒ ドロキシイ ソブチル 基、 1 , 2 —ジヒ ドロキシェチル基、 1 ， 3 —ジヒ ドロキシイ ソ プロ ピル基、 2 ， 3 —ジヒ ドロキシー t —ブチル基、 1 ， 2 ， 3 一 ト リ ヒ ドロキシプロ ピル基、 ク ロ ロメチル基、 1 一ク ロ ロェチ /レ基、 2 —クロ ロェチノレ基、 2 —ク ロ 口イ ソブチ/レ基、 1 ， 2 - ジク ロ ロェチル基、 1 ， 3 —ジク ロ 口イ ソプロ ピル基、 2 , 3 — ジク ロ ロ 一 t 一ブチル基、 1 ， 2 , 3 — ト リ ク ロ 口プロ ピル基、 ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2 —プロモェチル基、 2 一ブロモイ ソブチル基、 1 ， 2 —ジプロモェチル基、 1 ， 3 —ジ プロモイ ソプロ ピル基、 2 ， 3 —ジブ口モー t 一ブチル基、 1 ， 2 , 3 — ト リ プロモプロ ピル基、 ョー ドメチル基、 1 ー ョー ドエ チル基、 2 —ョ一 ドエチル基、 2 — ョー ドイ ソプチル基、 1 ， 2 一ジョー ドエチル基、 1 , 3 —ジョー ドイ ソプロ ピノレ基、 2 , 3 一ジョー ドー t 一プチル基、 1 , 2 ， 3 — ト リ ョー ドプロ ピル基、 ア ミ ノ メチル基、 1 一アミ ノエチル基、 2 —アミ ノエチル基、 2 ーァ ミ ノイ ソプチル基、 1 ， 2 —ジアミ ノエチル基、 1 ， 3 —ジ ァ ミ ノイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジアミ ノ ー t 一プチル基、 1 ， 2 ， 3 — ト リ アミ ノプロ ピル基、 シァノ メチル基、 1 ーシァノエ チル基、 2 —シァノエチル基、 2 —シァノイ ソプチル基、 1 , 2 一ジシァノエチル基、 1 , 3 —ジシァノイ ソプロ ピル基、 2 ， 3 一ジシァノ ー t 一プチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ シアノプロ ピル基、 ニ ト ロメチル基、 1 —エ ト ロェチル基、 2 —二 ト ロェチル基、 2 —ニ ト ロイ ソプチル基、 1 ， 2 —ジニ ト ロェチル基、 1 , 3 —ジ - ト ロイ ソプロ ピル基、 2 ， 3 —ジニ ト ロ一 t —ブチル基、 1 ， 2 , 3 — ト リ ニ ト ロプロ ピル基等が挙げられる。
アルコキシル基は一 O Yで表される基であり 、 Y と しては前記 アルキル基と同様である。
アルキルチオ基は一 S Yで表される基であり 、Υ と しては前記 アルキル基と同様である。
ァ リ ール基と しては、 例えば、 フエニル基、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチル基、 1 —アン ト リ ル基、 2 —アン ト リ ル基、 9 —ァ ン ト リル基、 1 —フヱナン ト リル基、 2 —フエナン ト リル基、 3 —フエナン ト リ ル基、 4 —フエナン ト リ ル基、 9 一フエナン ト リ ル基、 1 一ナフタセニル基、 2 —ナフタセニル基、 9 一ナフタセ ニル基、 1 —ピレ-ル基、 2 — ピレ-ル基、 4 ーピレニル基、 2 —ビフエ二ルイル基、 3 —ビフエ二/レイル基、 4 ービフエニノレイ ノレ基、 ρ —ターフェニノレー 4 —イノレ基、 ρ —ターフェ二ノレ一 3 — ィ ル基、 ρ —ターフ ェニル一 2 —ィノレ基、 m—ターフ ェニノレー 4 —イ ノレ基、 m—ターフ ェ 二ノレ一 3 —ィ ノレ基、 m—ターフ ェ -ノレ一 2 —ィ ル基、 o — ト リ ル基、 m— ト リ ル基、 r> ト リ ル基、 P 一 t —ブチノレフエ二ノレ基、 p — （ 2 —フエ二ノレプロ ピゾレ） フエ- 7レ 基、 3 —メチルー 2 —ナフチル基、 4 ーメチルー 1 一ナフチル基、 4 —メチルー 1 一アン ト リル基、 4 ' 一メチルビフエ -ルイル基、 4 " 一 t 一プチルー p —ターフェ-ルー 4 一ィル基等が挙げられ る。
ァ リールォキシ基は一 O Z ' で表される基であり 、 Z ， と して は前記ァ リ ール基と同様である。
アルキルチオ基は一 S Z ' で表される基であ り 、 Z ' と しては 前記ァ リール基と同様である。
了 リ ールアルキル基と しては、 ベンジル基、 1 —フエ二ルェチ ル基、 2 — フ エ ニノレエチ /レ基、 1 一 フ エ 二ノレイ ソプロ ピル基、 2 —フエ -ノレイ ソプロ ピ 7レ基、 フエニノレー t 一プチノレ基、 α —ナフ チノレメチル基、 1 一 ひ 一ナフチルェチル基、 2 — 一ナフチルェ チノレ基、 1 一 ひ 一ナフチノレイ ソプロ ピル基、 2 — α —ナフチルイ ソプロ ピル基、 一ナフチルメチル基、 1 一 —ナフチルェチル 基、 2 —；8 —ナフチルェチル基、 1 一 一ナフチルイ ソプロ ピル 基、 2 — —ナフチルイ ソプロ ピル基、 1 一ピロ リ ルメチル基、 2 — ( 1 —ピロ リ ノレ） ェチル基、 ρ —メチルベンジル基、 m—メ チ /レベンジ/レ基、 o ーメチ/レベンジル基、 p —ク 口 口べンジ /レ基、 m—ク ロ口べンジノレ基、 o —ク ロ 口べンジノレ基、 p —ブロモベン ジノレ基、 m—ブロモベンジル基、 o —プロモベンジル基、 p —ョ 一 ドベンジル基、 m—ョー ドベンジル基、 o — ョー ドベンジル基、 p —ヒ ドロキシベンジノレ基、 m—ヒ ドロキシベンジ 7レ基、 o —ヒ ドロキシベンジル基、 p —アミ ノベンジル基、 m—アミ ノベンジ ノレ基、 o —ァミ ノべンジノレ基、 p —ニ ト ロべンジノレ基、 m—ュ ト 口べンジノレ基、 o —ニ ト ロべンジ /レ基、 ρ —シァノベンジノレ基、 m—シァノベンジル基、 o —シァノベンジル基、 1 ー ヒ ドロキシ — 2 —フエニノレイ ソプロ ピル基、 1 —ク ロ ロ一 2 —フエ二ルイ ソ プロ ピル基等が挙げられる。
単環基と しては、 シク ロペンタン、 シク ロへキサン、 シク ロへ フタン等が挙げられる。
縮合多環基と しては、 例えば、 アン トラセン、 ナフタ レン、 フ ェナン ト レン、 ピレン、 テ ト ラセン、 コロネン、 タ リ セン、 フル ォレセイ ン、 ペリ レン等が挙げられる。
ヘテロァ リ ール基と しては、 1 ーァザーィ ン ドリ ジン一 2 —ィ ル基、 1 ーァザ—イ ン ドリ ジン一 3 —ィル基、 1 ーァザ—イ ン ド リ ジン一 5 —イノレ基、 1 —ァザ一イ ン ドリ ジン一 6 —ィル基、 1 ーァザ一ィ ン ドリ ジン— 7 —ィル基、 1 ーァザーィン ドリ ジン一 8 —ィル基、 2 —ァザーイ ン ドリ ジン一 1 ーィル基、 2 —ァザ一 イ ン ドリ ジン一 3 —ィル基、 2 —ァザーイ ン ドリ ジン一 5 —ィル 基、 2 —ァザーイ ン ドリ ジン一 6 —ィル基、 2 —ァザーイ ン ドリ ジン一 7 —ィル基、 2 —ァザーイ ン ドリ ジン一 8 —ィル基、 6 — ァザ一イン ドリ ジン一 1 —ィル基、 6 —ァザーイ ン ドリ ジン一 2 ーィル基、 6 —ァザ—イ ン ドリ ジン— 3 —ィル基、 6 —ァザーィ ン ドリ ジン一 5 —ィル基、 6 —ァザーイ ン ドリ ジン一 7 —ィル基 6 —ァザ一イ ン ドリ ジン一 8 —ィル基、 7 —ァザ一イ ン ドリ ジン 一 1 —ィル基、 7 —ァザーイ ン ドリ ジン— 2 —ィル基、 7 —ァザ —イ ン ドリ ジン一 3 —ィル基、 7 —ァザーイ ン ドリ ジン一 5 —ィ ル基、 7 —ァザーイ ン ドリ ジン— 6 —ィル基、 7 —ァザーイ ン ド リ ジン一 7 —ィル基、 7 —ァザ一イ ン ドリ ジン一 8 —ィル基、 8 ーァザ一ィ ン ドリ ジン— 1 ーィル基、 8 ーァザーィン ドリ ジン一 2 —ィル基、 8 —ァザーイシ ドリ ジン一 3 —ィル基、 8 —ァザ— イ ン ドリ ジン一 5 —ィル基、 8 —ァザーイ ン ドリ ジン一 6 —ィル 基、 8 —ァザーイン ドリ ジン一 7 —ィル基、 1 —イ ン ドリ ジ-ル 基、 2 —イ ン ドリ ジ-ル基、 3 —イ ン ドリ ジニル基、 5 —イ ン ド リ ジニル基、 6 —イ ン ドリ ジニル基、 7 —イ ン ドリ ジニル基、 8 一イ ン ドリ ジニル基、 1 一ピロ リル基、 2 —ピロ リル基、 3 —ピ 口 リ ル基、ピラジュル基、 2 —ピリ ジニル基、 3 —ピリ ジニル基、 4 一ピリ ジニル基、 1 一イ ン ドリ ル基、 2 —イ ン ドリル基、 3 — イ ン ド リ ル基、 4 一イ ン ド リ ル基、 5 —イ ン ドリル基、 6 —イ ン ド リ ル基、 7 —イ ン ド リ ル基、 1 一イ ソイ ン ド リ ル基、 2 —イ ソ イ ン ド リ ル基、 3 —イ ソイ ン ドリ ル基、 4 一イ ソイ ン ド リ ル基、 5 —イ ソイ ン ド リ ル基、 6 —イ ソイ ン ドリ ル基、 7 —イ ソイ ン ド リ ル基、 2 —フ リル基、 3 —フ リル基、 2 —べンゾフラニル基、 3 —ベンゾフラ二ノレ基、 4 一べンゾフラ -ノレ基、 5 —ペンゾフラ ニル基、 6 —べンゾフラエル基、 7 —ベンゾフラニル基、 1 —ィ ソベンゾフラニル基、 3 —イ ソべンゾフラエル基、 4 一イ ソベン ゾフラニル基、 5 —イ ソべンゾフラ -ル基、 6 —イ ソベンゾフラ ニル基、 7 —イ ソべンゾフラ -ル基、 2 —キノ リル基、 3 —キノ リル基、 4 一キノ リル基、 5 —キノ リル基、 6 _キノ リル基、 7 一キノ リル基、 8 —キノ リル基、 1 一イ ソキノ リル基、 3 —イ ソ キノ リル基、 4 一イ ソキノ リル基、 5 —イ ソキノ リル基、 6 —ィ ソキノ リル基、 7 —イ ソキノ リル基、 8 —イ ソキノ リル基、 2 — キノ キサリ ニル基、 5 —キノ キサリ -ル基、 6 —キノ キサリ -ル 基、 1 一力ルバゾリル基、 2 —力ルパゾリ ル基、 3 —力ルバゾリ ル基、 4 一力ノレパゾリル基、 9 一力ルバゾリル基、 1 一フエナン ス リ ジニル基、 2 —フエナンス リ ジ-ル基、 3 —フエナンス リ ジ 二ノレ基、 4 一フエナンス リ ジ-ル基、 6 一フエナンス リ ジュノレ基、 7 —フエナンス リ ジニル基、 8 —フエナンス リ ジニル基、 9 ーフ ェナンス リ ジニル基、 1 0 —フエナンス リ ジニル基、 1 一ァク リ ジ-ル基、 2 —アタ リ ジニル基、 3 —アタ リ ジ-ル基、 4 —ァク リ ジニル基、 9 一アタ リ ジエル基、 1 , 7 — フエナンス ロ リ ン一 2 —ィ ノレ基、 1， 7 —フ エナンス ロ リ ン一 3 —ィノレ基、 1， 7 — フエナンス ロ リ ン一 4 ーィ /レ基、 1， 7 —フエナンス ロ リ ン一 5 ーィル基、 1 , 7 —フ エナンス ロ リ ン一 6 —ィル基、 1， 7 —フ ェナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 1， 7 —フエナンス ロ リ ン一 9 一 ィル基、 1 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 1 0 —ィル基、 1 , 8 — フ ェナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 3 — イ ノレ基、 1， 8 —フエナンス ロ リ ン一 4 ーィノレ基、 1， 8 —フエ ナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 1 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 6 —ィ ル基、 1， 8 —フエナンス ロ リ ン一 7 —ィル基、 1 , 8 —フエナ ンス ロ リ ン一 9 —ィ /レ基、 1 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 1 0 —ィ ル基、 1 , 9 一フエナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1， 9 一フ エナ ンス ロ リ ン一 3 —ィノレ基、 1， 9 —フエナンス ロ リ ン一 4 —イ スレ 基、 1 , 9 一フエナンス ロ リ ン一 5 —ィ /レ基、 1 , 9 一フエナン ス ロ リ ン一 6 —ィノレ基、 1 , 9 一フエナンス 口 リ ン一 7 —ィ ,レ基、 1， 9 —フエナンス ロ リ ン一 8 —ィノレ基、 1， 9 —フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィノレ基、 1 , 1 0 —フエナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1， 1 0 —フエナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 1 , 1 0 —フ エナン ス ロ リ ン一 4 —ィ /レ基、 1， 1 0 —フエナンス ロ リ ン一 5 —ィノレ 基、 2， 9 —フ エナンス ロ リ ン一 1 ーィル基、 2 , 9 —フエナン ス ロ リ ン一 3 —ィル基、 2， 9 一フエナンス ロ リ ン一 4 ーィル基、 2， 9 一フエナンス ロ リ ン一 5 —ィノレ基、 2， 9 一 フエナンス ロ リ ン一 6 —ィル基、 2， 9 —フ エナンス ロ リ ン一 7 —ィル基、 2， 9 —フエナンス ロ リ ン一 8 —ィノレ基、 2， 9 ーフヱナンス ロ リ ン — 1 0 —ィル基、 2， 8 —フエナンス ロ リ ン一 1 ーィノレ基、 2， 8 —フ エナンス ロ リ ン一 3 —ィノレ基、 2， 8 _フエナンス ロ リ ン — 4 —ィル基、 2 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 5 —ィ /レ基、 2， 8 一フエナンスロ リ ン一 6—ィル基、 2 , 8—フエナンスロ リ ンー 7—ィル基、 2 , 8—フエナンスロ リ ン一 9—ィル基、 2 , 8— フエナンスロ リ ン一 1 0—ィル基、 2 , 7—フエナンス ロ リ ン一 1 —ィル基、 2， 7—フエナンスロ リ ン一 3—ィル基、 2 , 7 - フエナンスロ リ ン一 4 —ィノレ基、 2 , 7—フエナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 2， 7—フエナンス ロ リ ン一 6—ィ /レ基、 2 , 7—フ ェナンスロ リ ン一 8—ィル基、 2 , 7—フエナンスロ リ ン一 9一 イ ノレ基、 2， 7—フエナンスロ リ ン一 1 0—ィノレ基、 1一フエナ ジニル基、 2 —フエナジニル基、 1一フエノチアジ-ル基、 2— フエノチアジニル基、 3 —フエノチアジ-ル基、 4 —フエノチア ジニル基、 1 0 —フエノチアジ-ル基、 1一フエノキサジ-ル基、 2—フエノ キサジュル基、 3—フエノキサジニル基、 4 ーフエノ キサジュル基、 1 0 —フエノキサジニル基、 2 —ォキサゾリ ル基、 4 ーォキサゾリ ル基、 5—ォキサゾリ ル基、 2—ォキサジァゾリ ル基、 5—ォキサジァゾリ ル基、 3 —フラザニル基、 2—チェ- ル基、 3—チェ-ル基、 2—メチルビロール一 1 ーィル基、 2— メチノレ ピ ロ一ノレ一 3 ーィ ノレ基、 2—メチノレ ピ ロ一ルー 4—イ ノレ基 2一メチノレピロ一ノレ一 5 —イ ノレ基、 3 ーメチノレピロ一ノレー 1 —ィ /レ基、 3—メチノレ ピ ロ一ノレ一 2 —ィ ル基、 3—メチノレ ピ ロ一/レー 4 ーィル基、 3—メチルビロール一 5—ィル基、 2— t—ブチル ピロ一ノレ一 4 ーィノレ基、 3— ( 2—フエ二ノレプロ ピノレ） ピロ一ノレ 一 1 ーィ ル基、 2—メチルー 1一イ ン ド リ ル基、 4 ーメチルー 1 —イ ン ドリ ル基、 2—メチル一 3—イ ン ドリル基、 4 ーメチルー 3—イ ン ド リ ノレ基、 2— t ーブチノレ 1一イ ン ド リ ノレ基、 4— t一 ブチル 1 —イ ン ドリル基、 2— t—ブチル 3—イン ドリル基、 4 - t—ブチル 3 —イ ン ドリル基等が挙げられる。
ァルケ-ル基と しては、ビュル基、ァリル基、 1 ーブテニル基、 2 —ブテニル基、 3 —ブテニル基、 1 , 3 —ブタンジェニル基、 1 —メチノレビ二ノレ基、スチリル基、 2 , 2 —ジフエ -ルビ-ル基、 2 , 2 —ジ ト リ ルビエル基、 1， 2 —ジ ト リ ルビニル基、 1 ーメ チルァ リ ル基、 1 —ジメチルァ リル基、 2 —メチルァ リ ル基、 1 一フ エ -ノレァ リ ル基、 2 — フ エュルァ リ ル基、 3 — フ エニノレア リ ル基、 3， 3 —ジフヱニルァ リル基、 1 , 2 —ジメチルァ リル基、 1 — フ エ二ルー 1 ーブテュル基、 3 — フ エニノレー 1 一ブテニノレ基 等が挙げられる。
シク ロアルキル基と しては、 シク ロプロ ピル基、 シク ロプチル 基、 シク ロペンチノレ基、 シク ロへキシノレ基、 4 —メチノレシク ロへ キシル基等が挙げられる。
ァ リ ールアミ ノ基と しては、 例えば、 ジフエニルァミ ノ基， ジ ト リルアミ ノ基， ジナフチルァミ ノ基, ナフチルフエニルァ ミ ノ 基等が挙げられる。
アルキルア ミ ノ基と しては、 例えば、 ジメチルァミ ノ基、 ジェ チルァ ミ ノ基、 ジへキシルァ ミ ノ基等が挙げられる。
上記スチリ ル誘導体及び芳香族ァミ ンと しては、例えば下記一 般式 〔v i〕 〜 〔 V i i〕 で示される化合物を挙げることができる。
Figure imgf000023_0001
〔式中、 A r 5 '， A r 6 '及び A r 7 'は、 それぞれ独立に、 置換 も しく は無置換の炭素原子数 6〜4 0の芳香族基を示し、それら の中の少なく と も一つはスチリル基を含んでいてもよ く 、 g は 1 4の整数を示す。 〕
Figure imgf000024_0001
Vll
〔式中、 A r ^ ' A r ^ ' A r 1 1' ， A r 1 3， 及ぴ A r 1 4， は、 それぞれ独立に、置換もしく は無置換の炭素原子数 6〜4 0の一 価の芳香族基を示し、 A r 1 D'及び A r 1 2' は、それぞれ独立に、 置換も しく は無置換の炭素原子数 6〜4 0の二価の芳香族基を 示し、 A8'〜A r 1 4' の少なく と も一つはスチリル基又はスチ リ レン基を含んでいてもよく 、 h及び kは、 それぞれ 0〜 2 の整 数である。 〕
芳香族基と しては、 例えば、 ベンゼン、 ナフタ レン、 アン トラ セン、 フエナン ト レン、 ピレン、 コ ロネン、 ビフエニル、 ターフ ェニル、 ピロ一ノレ、 フラ ン、 チォフェン、 ベンゾチ才フェ ン、 才 キサジァゾリ ン、 ジフエ二ルアン ト ラセン、 イ ン ドリ ン、 カルパ ゾーノレ、 ピ リ ジン、 ベンゾキノ ン、 フノレオラ ンテン、 ァセナブ ト フルオランテンなどを挙げるこ とができる。
次に、 本発明の有機 E L素子において、 発光層に添加すること ができる ドーパントについて説明する。このよ うな ドーパン ト と しては、青色系 ドーパン トや黄色〜赤色系 ドーパン ト等が挙げら れる。
青色系 ドーパン ト と しては、 特に制限はないが、 上記式 （V) を満たすものであるこ とが好ましい。
具体例な青色系 ドーパン トの例と しては、 スチリルアミ ン、 ァ ミ ン置換スチ リ ル化合物及び縮合芳香族環含有化合物等を挙げ るこ とができる。
スチリルァミ ン及びァミン置換スチリル化合物と しては、例え ば、 下記一般式 〔i x〕 〜 〔 X〕 で示される化合物を、 縮合芳香族 環含有化合物と しては、 例えば、 下記一般式 〔i x〕 で示される化 合物を挙げることができる。
Figure imgf000025_0001
〔式中、 A r 1，， ， A r 2 ' ' 及び A r 3 '， は、 それぞれ独立に、 炭素原子数 6〜 4 0の置換もしく は無置換の芳香族基を示し、そ れらの中の少なく とも一つはスチリル基を含み、 p ， は 1〜 3の 整数を示す。 〕
芳香族基の具体例と しては、 前記したもの等が挙げられる。
Figure imgf000025_0002
X 〔式中、 A r 4 " 及ぴ A r 5 " は、 それぞれ独立に、 炭素原子数
6〜 3 0のァリーレン基、 E 1 及び E は、それぞれ独立に、 炭素原子数 6〜 3 0のァリ ール基もしくはアルキル基、水素原子又 はシァノ基を示し、 q ' は 1〜 3の整数を示す。 U及び 又は Vは ァミ ノ基を含む置換基であり 、該ァミノ基がァリ一ルァミノ基であ ると好ましい。〕
ァリーレン基の具体例と しては、前記したァリール基の具体例 を 2価の基と したもの等が挙げられ、 ァリール基、 アルキル基及 ぴァリールァミ ノ基の具体例と しては、前記したもの等が挙げら れる。
( A) r 一 B Cxi)
〔式中、 Aは、 炭素原子数 1 〜 1 6のアルキル基も しく はアルコ キシル基、炭素原子数 6〜 3 0の置換も しく は無置換のァリ ール 基、炭素原子数 6〜 3 0の置換もしく は無置換のアルキルアミ ノ 基、又は炭素原子数 6〜 3 0の置換も しく は無置換のァリールァ ミ ノ基、 Bは炭素原子数 1 0〜 4 0の縮合芳香族環基を示し、 r は 1 ~ 4の整数を示す。 〕
アルキル基、 アルコキシル基、 ァ リ ール基、 アルキルア ミ ノ 基 及びァリールァミ ノ基の具体例と しては、前記したもの等が挙げ られる。
また、 その他化合物と して、 フルォレセイ ン誘導体， ペ リ レン 誘導体又はタマリ ン誘導体なども使用できる。
さ らに、 下記の錯体も ドーパン ト と して好ま しい。
Figure imgf000027_0001
緑色〜赤色系 ドーパン ト と しては、 特に制限はないが、 そのェ ネルギーギャップ E g力 S 2 . 6 5 e V未満であるものが好ま しい, このよ うな緑色〜赤色系 ドーパン ト しては、フルオランテン骨格 又はペリ レン骨格を有する蛍光性化合物が拳げられる。好ま しく は、 下記一般式 〔 1 〕 〜 〔 1 8〕 で示される化合物を挙げるこ と ができる。
Figure imgf000028_0001
26 螯眷ぇ 弒 (¾||2β)
Figure imgf000029_0001
Figure imgf000030_0001
Figure imgf000030_0002
Figure imgf000030_0003
28 差簪ぇ用紙（ l§26)
Figure imgf000031_0001
Figure imgf000031_0002
Figure imgf000031_0003
〔一般式 〔 1 〕 〜 〔 1 6 〕 式中、 X 1 〜 X 2。は、 それぞれ独立 に、 水素原子、 直鎖、 分岐も しく は環状の置換も しく は無置換の 炭素原子数 1 〜 2 0のアルキル基、 直鎖、 分岐も し く は環状の置 換も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0 のアルコキシル基、置換 も しく は無置換の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ール基、置換も しく は無置換の炭素原子数 6 〜 3 0 のァ リ ールォキシ基、置換も しく は無置換の炭素原子数 6〜 3 0 のァ リ ールア ミ ノ基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 3 0 のアルキルア ミ ノ基、置換も しく は無置換の炭素原子数 7 〜 3 0 のァ リ ールアルキルア ミ ノ基又 は置換も しく は無置換炭素原子数 8 〜 3 0 のアルケニル基であ り、 隣接する置換基及び X 1 〜： X 2。は結合して環状構造を形成 していてもよい。 隣接する置换基がァリール基の時は、 置換基は 同一であってもよい。 〕
アルキル基、 アルコキシル基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールアミ ノ基、 アルキルアミ ノ基、 アルケニル基の具体例とし ては、 前記したもの等が挙げられる。 ァリールアルキルアミノ基の 具体例と しては、ァミノ基の水素を前記したアルキル基及ぴァリ一 ル基で置換したもの等が挙げられる。
〔17〕
Figure imgf000032_0001
Π8〕
Figure imgf000032_0002
〔一般式 〔 1 7〕 〜 〔 1 8〕 式中、 R 1' ' ' !^ 4' ' 'は、 それぞ れ独立に、置換も しく は無置換の炭素原子数 1〜 2 0のアルキル 基、置換も しく は無置換の炭素原子数 6〜 3 0のァリール基であ り 、 Rい ' ' と R 2' ' '及びノ又は R 3' ' ' と R 4' "は、 炭素一炭素 結合又は一 O—， 一 S—を介して結合していてもよい。 R 5，' ' 〜 R i e' ' ' は、 水素原子、 直鎖、 分岐も しく は環状の置換も し く は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルキル基、 直鎖、 分岐もし く は環状の置換も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 2 0のアルコ キシル基、置換もしく は無置換の炭素原子数 6 ~ 3 0のァリール 基、置換も しく は無置換の炭素原子数 6〜 3 0のァリールォキシ 基、置換も しく は無置換の炭素原子数 6 〜 3 0のァリ ールァミ ノ 基、置換も しく は無置換の炭素原子数 1 〜 3 0 のアルキルア ミ ノ 基、置換も しく は無置換の炭素原子数 7〜 3 0のァリールアルキ ルアミ ノ基又は置換も しく は無置換の炭素原子数 8 〜 3 0のァ ルケニル基であり 、 隣接する置換基及び R 5' ' '〜 R 1 6' ' ' は結 合して環状構造を形成していてもよい。 各式中の置換基 R 5' ' ' 〜 R 1 6'， ' の少なく と も一つがァミ ン又はアルケニル基を含有 する と好ましい。 〕
アルキル基、アルコキシル基、ァリール基、ァリールォキシ基、 ァ リ ールアミ ノ基、 アルキルアミ ノ基、 アルケニル基の具体例と しては、 前記したもの等が挙げられる。 ァ リ ールアルキルアミ ノ 基の具体例と しては、アミ ノ基の水素を前記したアルキル基及び ァリール基で置換したもの等が挙げられる。
また、黄色〜赤色.系 ドーパン ト と して使用できるその他の化合 物と して、例えばヨーロ ッパ公開特許第 0 2 8 1 3 8 1号公報に 記載されている赤色系発進レーザー色素と して用いられるジシ ァノ メチレンピラン誘導体、ジシァノ メチレンチォピラン誘導体 フルォレセイ ン誘導体、ペリ レン誘導体及びタマリ ン誘導体も好 ま しい。 具体的な化合物と しては、
Figure imgf000034_0001
(ルモゲン Fレツド）
Figure imgf000034_0002
(ジシァノメチレンピラン）
Figure imgf000034_0003
(フエノキサゾン）
Figure imgf000034_0004
(ルブレン）
ルモゲン Fレツド Eg讓) =2·0Εν ルブレン Eg(ETM)=2.2eV
32 差替え^弒 闢§26) が挙げられ、 さらに他の化合物と して、
Figure imgf000035_0001
も挙げられる。
以下、本発明における電子輸送層に含まれる含窒素複素環化合 物について ί説明する。
本発明の有機 E L素子における前記電子輸送層は、下記一般式 ( 1 )
HA r - L - A r ' - A r 2 ( 1 )
(式中、 H A r は置換もしく は無置換の含窒素複素環基、 A r 1 は置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0の 2価の芳香族炭化 水素基、 A て 2 は置換もしく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリ ール基又は置換も しく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロァリ ール基、 Lは単結合又は置換も しく は無置換のァリーレン基を示 す。 ） で表される含窒素複素環誘導体を含むと好ま しい。
一般式 （ 1 ) において、 前記 HA r は、 下記一般式 （ 2 ) 〜 （ 2 4 ) 、 ( A) のいずれかで表される含窒素複素環基、
Figure imgf000036_0001
(20) (21) (22)
Figure imgf000036_0002
(23) (式中、 Rは、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリール 基、 置換もしく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロァリ ール基、 置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルキル基又は置換も しく は無置換の炭素数 1〜 2 0のアルコキシル基であり、 nは 0 〜 5の整数であり、 nが 2以上の場合、 複数の Rは互いに同一で も異なっていてもよく 、複数の R同士が結合して環構造を形成し ても よい。 ）
Figure imgf000037_0001
(式中、 R 1 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 ハロゲン原子、 置換も し く は無置換の炭素数 1〜 2 0のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリール基、置換も しく は無置換の 炭素数 3〜 4 0のへテロァリール基、又は縮合芳香環形成基であ り 、 Zは、 酸素原子、 硫黄原子又は N R ' (R ' は前記 R 1 と 同様である。 ） であり、 Xは 2〜 8の整数である。 ） 又は置換も しく は無置換のカルバゾリル基であると好ましい。
ァ リ ール基、 ヘテ ロァ リ ール基、 アルキル基及ぴアルコキシル 基の具体例と しては、 前記したもの等が挙げられる。
また、 力ルバゾリル基の置換基と しては、 前記 R ' と同様のも のが挙げられる。
前記 HA r は、 下記 （ 2 5 ) 〜 （ 4 4 )
Figure imgf000038_0001
のいずれかで表される基であると さ らに好ましい。
—般式 （ 1 ) において、 前記 Lは、 下記一般式 （ 4 5 ) 又は （ 4 6 )
Figure imgf000039_0001
(45) (46)
(式中、 R 2 は、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリ ール基、置換も しく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテ ロァ リ ール 基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルキル基又は置換 もしく は無置換の炭素数 1〜 2 0のアルコキシル基であり、 mは 0〜 4の整数であり 、 mが 2以上の場合、 複数の R 2 は互いに 同一でも異なっていてもよく 、 複数の R 2 同士が結合して環構 造を形成してもよい。 ） で表される基であると好ましい。
ァリール基、 ヘテロァリール基、 アルキル基及びアルコキシル 基の具体例と しては、 前記したもの等が挙げられる。
一般式 （ 1 ) において、 前記 A r 2 は、 下記一般式 （ 4 7 ) 〜 （ 5 3 )
Figure imgf000040_0001
(51) (52) (53)
(式中、 R 3 は、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリ ール基、置換も しく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロ ア リ ール 基、置換も しく は無置換の炭素数 1〜 2 0のアルキル基又は置換 もしく は無置換の炭素数 1〜 2 0のアルコキシル基であり 、 pは 0〜 9の整数、 qは 0〜 5の整数であり、 p又は p + q力 以上 の場合、 複数の R 3 は互いに同一でも異なっていてもよく 、 複 数の R 3 同士が結合して環構造を形成してもよい。 ） のいずれ かで表される基であると好まじい。
ァ リ ール基、 ヘテ ロァ リ ール基、 アルキル基及ぴアルコキシル 基の具体例と しては、 前記したもの等が挙げられる。
一般式 （ 1 ) において、 前記 A r 1 が、 下記一般式 （ 5 4 ) 又は （ 5 5 )
Figure imgf000041_0001
(54) (55)
(式中、 R 4 ~ R 1 7は、 それぞれ独立に、 水素原子、 ハロゲン 原子、 置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 4 0のァリール基、 置換 も しく は無置換の炭素数 6 〜 4 0のァリールォキシ基、置換もし く は無置換の炭素数 3 〜 4 0のへテロァリール基、置換も しく は 無置換の炭素数 1 〜 2 0 のアルキル基又は置換も しく は無置換 の炭素数 1 〜 2 0 のアルコキシル基であり 、 A r 3 及ぴ A r 4 は、置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 4 0のァリール基又は置換 も しく は無置換の炭素数 3 〜 4 0 のへテロァリール基である。 ） で表される基であると好ましい。
ァ リ ール基、 ヘテ ロァ リ ール基、 アルキル基及びアルコキシル 基の具体例と しては、 前記したもの等が挙げられる。 ハロゲン原 子と しては、 フッ素、 塩素、 臭素、 ヨ ウ素等が挙げられる。
また、本発明における電子輸送層に含まれる含珪素複素環誘導 体の具体例と しては、特開平 0 9 — 1 9 4 4 8 7号公報に記載の 化合物等が挙げられる。
例えば、下記に示すよ うなシラシク口ペンタジェン誘導体等が 挙げられる。
Figure imgf000042_0001
[式中、 X及び Yは、 それぞれ独立に、 炭素数 1 から 6 までの飽 和も しく は不飽和の炭化水素基、 アルコキシ基、 ァルケ-ルォキ シ基、 アルキニルォキシ基、 置換も しく は無置換のァ リ ール基、 置換も しく は無置換のへテロ環又は X と Υが結合して飽和も し く は不飽和の環を形成した構造であ り 、 R i 〜 R 4 は、 それぞ れ独立に、 水素原子、 ハロゲン原子、 置換も しく は無置換の炭素 数 1〜 6 までのアルキル基、 アルコキシ基、 ァ リ ールォキシ基、 パーフルォロアルキル基、パーフルォロアルコキシ基、アミ ノ基、 アルキルカルボ-ノレ基、 ァ リ ールカルボニル基、 アノレコキシ力ノレ ポニル基、 ァリ ールォキシカルボニル基、 ァゾ基、 アルキルカル ポ-ルォキシ基、 ァ リ ールカルボニノレオキシ基、 アルコキシカル ボュノレ才キシ基、 了 リ一/レオキシカノレポ二/レオキシ基、 スルフィ 二ノレ基、 スノレフォ ニ zレ基、 スノレフ ァ ュノレ基、 シ リ ノレ基、 力ノレノ モ ィル基、 ァ リール基、ヘテロ環基、アルケニル基、 アルキニル基、 ニ ト ロ基、 ホノレミノレ基、 ニ ト ロ ソ基、 ホルミノレオキシ基、 イ ソシ ァノ基、 シァネー ト基、 イ ソシァネー ト基、 チオシァネー ト基、 ィ ソチオシァネー ト基、も しく はシァノ基又は隣接した場合には 置換も しく は無置換の環が縮合した構造である （ただし、 及 び R 4 がフエニル基の場合、 X及び Yは、 アルキル基及びフエ ニル基ではなく 、 及ぴ1 4 がチェ-ル基の場合、 X及び Y は、 一価炭化水素基を、 R 2 及び R 3 は、 アルキル基、 ァリ ー ル基、 アルケニル基又は R 2 と R 3 が結合して環を形成する脂 肪族基を同時に満たさない構造であり、 及び R 4 がシリル 基の場合、 R 2 、 R 3 、 X及び Yは、 それぞれ独立に、 炭素数 1 〜 6の一価炭化水素基又は水素原子でなく 、 R i 及ぴ R 2 で ベンゼン環が縮合した構造の場合、 X及び Yは、 アルキル基及び フエニル基ではない） 。 ]
本発明の有機 E L素子構成においては、正孔注入層や電子注入 層は、 必ずしも必要ではないが、 これらの層を有する素子は発光 性能が向上する利点を有している。 また、 一対の電極間に、 正孔 輸送層 （正孔注入層） 、 発光層、 電子注入層を混合させた形で挟 持させてもよい。 さ らに、 各構成成分を安定に存在させるため、 高分子化合物などのバイ ンダーを用いて混合層を作製してもよ レヽ o
ここでは'、陽極/正孔輸送層 z発光層 z電子輸送層 陰極型を 例と して、 本発明の有機 E L素子について説明する。 本発明の有 機 E L素子は、 基板に支持されていることが好ま しい。 この基板 については、 特に制限はなく、 従来から有機 E L素子に慣用され ているものであればよく 、 例えば、 ガラス、 透明プラスチック、 石英などからなるものを用いることができる。
この有機 E L素子における陽極と しては、 仕事関数の大きい ( 4 e V以上） 金属、 合金、 電気伝導性化合物及ぴこれらの混合 物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このよ うな電極 物質の具体例と しては、 A uなどの金属、 C u l 、 I T O、 S n 0 2、 Z n Oなどの導電性透明材料が挙げられる。 陽極は、 これ らの電極物質を蒸着ゃスパッタ リ ングなどの方法によ り、薄膜を 形成させることによ り作製することができる。陽極側よ り発光を 取り 出す場合には、透過率を 1 0 %よ り大きくすることが望ま し く 、 また、 電極と してのシー ト抵抗は、 数百 口以下であるこ とが好ましい。 さ らに、 陽極の膜厚は材料にもよるが、 通常 1 0 n m〜 l μ ιη、 好ま しく は 1 0〜 2 0 O n mの範囲で選ばれる。 陰極と しては、 仕事関数の小さい （ 4 e V以下） 金属、 合金、 電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが 用いられる。このよ うな電極物質の具体例と しては、ナ ト リ ゥム、 ナ ト リ ゥムーカ リ ゥム合金、 マグネシウム、 マグネシウム一銀合 金、 リ チウム、 マグネシウム Z銅混合物、 マグネシウム一インジ ゥム合金、 A 1 / A 1 2 O 3、 インジウム、 アルミニウムーリ チ ゥム合金などが挙げられる。 該陰極は、 これらの電極物質を蒸着 ゃスパッタ リ ングなどの方法により、薄膜を形成させるこ とによ り 、 作製することができる。 また、 電極と してのシー ト抵抗は、 数百 Ω Ζ口以下が好ま しく、 膜厚は、 通常 1 0〜 5 0 O n m、 好 ましく は 5 0〜 2 0 0 n mの範囲で選ばれる。 なお、 発光を透過 させるため、有機 E L素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明 又は半透明であれば、 発光効率が向上し好都合である。
本発明の有機 E L素子における発光層を構成する発光材料と しては、 上記したよ うなホス ト材料を用いる。 ホス ト材料には前 記した ドーパン ドの他に、従来公知の発光材料の中から任意のも のを選択して用いることができる。このよ うな発光材料と しては 例えば、 多環縮合芳香族化合物、 ベンゾォキサゾール系、 ベンゾ チアゾール系、 ベンゾィ ミダゾール系などの蛍光增白剤、 金属キ レー ト化ォキサノィ ド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物など の薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。 ここで、 上記 多環縮合芳香族化合物と しては、 例えば、 アン トラセン、 ナフタ レン、 フエナン ト レン、 ピレン、 タ リ セン、 ペリ レン骨格を含む 縮合環発光物質や、約 8個の縮合環を含む他の縮合環発光物質な どを挙げるこ とができる。 具体的には、 1 ， 1 , 4 , 4ーテ トラ フエ二ルー 1 ， 3 —ブタジエン、 4 ， 4， 一 （ 2 ， 2—ジフエ二 ルビニル）ビブェュルなどを用いるこ とができる。この発光層は、 これらの発光材料の 1種又は 2種以上からなる 1層で構成され てもよいし、あるいは該発光層とは別種の化合物からなる発光層 を積層したものであってもよい。
本発明の有機 E L素子における正孔輸送層 （正孔注入層） は、 正孔伝達化合物からなるものであって、陽極よ り注入された正孔 を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層を陽極と発光層 との間に介在させることによ り、よ り低い電界印加で多く の正孔 が発光層に注入される。 そのうえ、 発光層に陰極又は電子注入層 よ り注入された電子は、 発光層と正孔輸送層 （正孔注入層） の界 面に存在する電子の障壁によ り、 発光層内の界面に累積され、 発 光効率が向上するなど発光性能の優れた素子が得られる。このよ うな正孔輸送層 （正孔注入層） に用いられる正孔伝達化合物は、 電界が印加された 2個の電極間に配置されて、陽極から正孔が注 入されたときに、 正孔を適切に発光層へ伝達しう るものであり 、 例えば、 1 0 4 〜 1 0 6 V / c mの電界印加時に少なく とも 1 0一 6 c m 2 / V · 秒の正孔移動度を有するものが好適である。 この 正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有するもので あれば特に制限はなく 、 従来、 光導伝材料において、 正孔の電荷 注入 ·輸送材料と して慣用されているものや、 有機 E L素子の正 孔輸送層 （正孔注入層） に使用される公知のものの中から任意の ものを選択して用いるこ とができる。
前記正孔伝達化合物と しては、 例えば、 銅フタロシアニンや、 N , N , N ' , N ' ーテ トラフヱ二ルー 4 , 4 ' ージァ ミ ノ フエ ニグレ、 N , N ' —ジフ エ 二ノレ一 N , N ' ージ （ 3—メチノレフ エ - ル） 一 4， 4 ， ージアミ ノ ビフエ -ル （ T P D A ) 、 2 , 2 —ビ ス （ 4ージ一 ！ 一 ト リルァミ ノ フエ -ル） プロノ ン、 1， 1 ー ビ ス （ 4ージ一 ： — ト リルァミ ノ フエニル） シク ロへキサン、 N, N , N ' , N ' ーテ トラー p — ト リ ル一 4 , 4 ' ージアミ ノ ビフ ェニルなどが挙げられる。 また、 S i、 S i C、 C d Sなどの無 機物半導体の結晶、 非晶材料も用いることができる。 この正孔注 入層は、これらの正孔注入材料 1種又は 2種以上からなる 1層で 構成されてもよいし、 あるいは、 前記正孔注入層とは別種の化合 物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
本発明の有機 E L素子の好ましい実施形態と して、電子を輸送 する領域又は陰極と有機化合物層の界面領域に、還元性ドーパン トを含有する素子がある。 本発明では、 本発明化合物に還元性ド 一パン トを含有する有機 E L素子が好ましい。 ここで、 還元性ド 一パン ト とは、電子輸送性化合物を還元できる物質と定義される, 従って、一定の還元性を有するものであれば様々なものを用いる ことができ、 例えば、 アルカリ金属、 アルカ リ土類金属、 希土類 金属、 アルカ リ金属の酸化物、 アルカ リ金属のハロゲン化物、 ァ ルカリ 土類金属の酸化物、 アルカ リ 土類金属のハロゲン化物、 希 土類金属の酸化物、 希土類金属のハロゲン化物、 アルカ リ金属の 有機錯体、アル力 リ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯 体からなる群から選択される少なく とも一種類の物質であるこ とが好ま しい。
また、 好ましい還元性ドーパン ト と しては仕事関数が 2. 9 e V以下のものが好ましく 、より具体的には、 N a (仕事関数： 2 . 3 6 e V) 、 K (仕事関数 ： 2 . 2 8 e V) 、 R b (仕事関数 ： 2 . 1 6 e V) 及び C s (仕事関数 ： 1 . 9 5 e V) からなる群 から選択される 1種又は 2種以上のアルカリ金属や、 C a (仕事 ： 2 . 9 e V) 、 S r (仕事関数 ： 2. 0〜 2. 5 e V) 及 ぴ B a (仕事関数： 2. 5 2 e V) からなる群から選択される 1 種又は 2種以上のアルカ リ土類金属が挙げられる。これらのう ち よ り好ま しい還元性ドーパン トは、 K、 R b及び C s からなる群 から選択される 1種又は 2種以上のアル力 リ金属であり 、さ らに 好ま しく は R b又は C s であり、 最も好ましいのは C s である。 これらのアル力 リ金属は、 特に還元能力が高く 、 電子注入域への 比較的少量の添加によ り、有機 E L素子における発光輝度の向上 や長寿命化を達成することができる。 また、 仕事関数が 2 . 9 e V以下の還元性 ドーパン ト と して、これら 2種以上のアル力 リ金 属の組み合わせも好ま しく 、 特に、 C s を含んだ組み合わせ、 例 えば、 C s と N a 、 C s と K、 C s と R b あるレヽは C s と N a と Kとの組み合わせであることが好ま しい。 C s を組み合わせて含 むこ とによ り、 還元能力を効率的に発揮させることができ、 電子 注入域への添加によ り、有機 E L素子における発光輝度の向上や 長寿命化が達成される。 また、 アルカ リ金属の他にアルカ リ金属 カルコゲナイ ド、 アルカ リ土類金属カルコゲナイ ド、 アルカ リ金 属のハロゲン化物及びアル力 リ 土類金属のハロゲン化物からな る群から選択される 1種又は 2種以上の金属化合物を使用 して も同様の効果が得られるし、 アルカ リ金属有機錯体、 アルカ リ 土 類金属有機錯体を用いても同様の効果が得られる。
本発明の有機 E L素子においては、陰極と有機層の間に絶縁体 や半導体で構成される電子注入層をさ らに設けてもよい。電子注 入層を設けるこ とによ り、 電流のリークを有効に防止して、 電子 注入性を向上させることができる。 このよ うな絶縁体と しては、 アルカ リ金属カルコゲナイ ド、アルカ リ 土類金属カルコゲナイ ド. アル力 リ金属のハロゲン化物及びアル力リ土類金属のハロゲン 化物からなる群から選択される 1種又は 2種以上の金属化合物 を使用することが好ましい。電子注入層がこれらの金属化合物で 構成されていれば、電子注入性をさらに向上させるこ とができる 点で好ましい。 好ましいアルカ リ金属カルコゲナイ ドと しては、 具体的には、 例えば、 L i 2 O、 L i O、 N a 2 S、 N a 2 S e及 び N a Oが拳げられる。好ま しいアル力 リ土類金属カルコゲナイ ドと しては、 例えば、 C a O、 B a O、 S r O、 B e O、 B a S 及び。 a S eが挙げられる。 また、 好ま しいアル力 リ金属のハロ ゲン化物と しては、 例えば、 L i F、 N a F、 K F、 L i C 1 、 K C 1 及び N a C 1 等が挙げられる。好ましいアルカ リ土類金属 のノヽロゲン化物と しては、例えば、 c a F 2、 B a F 2、 S r F 2、 M g F 2及ぴ B e F 2などのフッ化物や、 フッ化物以外のハロゲ ン化物が挙げられる。
また、 電子注入層を構成する半導体と しては、 B a 、 C a 、 S r 、 Y b、 A l 、 G a 、 I n、 L i 、 N a 、 C d、 M g 、 S i 、 T a 、 S b及び Z nからなる群から選択される 1種又は 2種以上 の元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の 1種単独又は 2 種以上の組み合わせが挙げられる。 また、 電子注入層を構成する 無機化合物は、微結晶性又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好 ましい。 電子注入層がこれらの無機化合物で構成されていれば、 よ り均質な薄膜が形成できるため、ダーク スポッ ト等の画素欠陥 を減少させることができる。 なお、 このよ うな無機化合物と して は、 上述したアルカ リ金属カルコゲナイ ド、 アルカ リ土類金属力 ルコゲナイ ド、アル力 リ金属のハ口ゲン化物及びアル力リ土類金 属のハロゲン化物等が挙げられる。
次に、 本発明の有機 E L素子の作製方法について説明する。 好 適な例と して、前記の陽極 正孔輸送層 Z発光層/電子輸送層/ 陰極型の有機 E L素子の作製法について説明する。 まず、 適当な 基板上に所望の電極物質、 例えば、 陽極用物質からなる薄膜を、 1 μ πι以下、好ましく は 1 0〜 2 0 0 n mの範囲の膜厚になるよ う に、 蒸着ゃスパッタ リ ングなどの方法によ り形成し、 陽極とす る。 次に、 この上に E L素子構成要素である正孔輸送層、 複数の 発光層、 電子輸送層を、 順次、 各構成材料からなる薄膜を形成す ることによ り積層して作製する。ここで用いる薄膜形成方法と し ては、 前記のよ うなス ピンコー ト法、 キャス ト法、 蒸着法などが あるが、 均質な膜が得られやすく、 かつピンホールが生成しにく いなどの点から真空蒸着法が好ましい。 この薄膜化に、 真空蒸着 法を採用する場合、 その蒸着条件は使用する化合物の種類、 分子 堆積膜の目的とする結晶構造、 会合構造などによ り異なるが、一 般に、 ポー ト加熱温度 5 0〜 4 0 0 °C、 真空度 1 0— 6〜 1 0一3 P a 、 蒸着速度 0. 0 1〜 5 Ο η πιΖ秒、 基板温度— 5 0〜 3 0 0 °C、膜厚 5 n m〜 5 /^ mの範囲で適宜選択するこ とが望ましい < これらの層の形成後、 その上に、 例えば、 蒸着やスパッタ リ ング などの方法によ り 、 陰極用物質からなる、 膜厚 1 m以下、 好ま しく は 5 0〜 2 0 0 n mの範囲の薄膜を形成し、陰極とするこ と によ り、 所望の有機 E L素子が得られる。 なお、 この有機 E L素 子の作製においては、 作製順序を逆にして、 陰極、 電子輸送層、 発光層、 正孔輸送層、 陽極の順に作製するこ と もできる。
【実施例】
次に、 実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、 本発 明はこれらに限定されるものではない。
なお、化合物のエネルギーギャップ及ぴイオン化ポテンシャル は、 以下のよ う にして測定した。
( 1 ) エネルギーギャップ （E g ) の測定 励起 1重項エネルギーギャ ップの値を測定した。 すなわち、 試 料の トルエン溶液 （ 1 0— 5モル リ ッ トル） を用い日立社製紫 外可視吸光計を用い吸収スぺク トルを測定した。スぺク トルの長 波長側の立ち上り に対し接線を引き横軸との交点である波長（吸 収端） を求めた。 この波長をエネルギー値に換算した。
( 2 ) イオン化ポテンシャル （ I p ) の測定
理研計器社製、 大気下光電子分光装置 A C— 1 を用い、 測定化 合物について得られた光電子放出の照射光子エネルギー曲線か らの光電子放出の閾値を外挿法によ り求めた。 実施例 1 (青色系発光層ノ黄色系発光層の積層型有機 E L素子の 作製）
2 5 m m X 7 5 m m X 1 . 1 mm厚の I T O透明電極付きガラ ス基板 （ジォマティ ック社製） をイソプロ ピルアルコール中で超 音波洗浄を 5分間行なった後、 U Vオゾン洗浄を 3 0分間行なつ た。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基 板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の 面上に前記透明電極を覆う よ う にして膜厚 6 0 n mの Ν, Ν ' — ビス （Ν， Ν ' ージフエ -ノレ一 4 —ァ ミ ノ フエニル） - Ν , Ν— ジフエ二ルー 4， 4， ージア ミ ノ ー 1 , 1 ' ー ビフエニル膜 （以 下 「T P D 2 3 2膜」 と略記する。 ） を成膜した。 この T P D 2 3 2膜ば、 正孔注入層と して機能する。 この T P D 2 3 2膜上に 膜厚 2 0 n mの N, N , Ν' , Ν ' —テ トラ （ 4ービフエニル） 一 ジアミ ノ ビフエニル膜 （以下 Γ Τ Β Τ Β膜」 と略記する。 ： I ρ = 5 . 5 e V , E g = 3 . 1 e V ) を成膜した。 この T B T B膜 は正孔輸送層と して機能する。 さ らに、 T B T B膜上に、 膜厚 1 O n mにてスチリ ル誘導体と して 4 ' , 4 " 一ビス （ 2， 2 —ジ フエ二ルビニル） 一 9， 1 0—ジフ エ二ルアン ト ラセン （D P V D P AN) ( I p = 5 . 7 e V , E g = 3 . 0 e V) と下記化合 物 B 1 (発光ピーク 4 7 0 n m， I p = 5 . 5 e V , Ε g = 2. 8 e V) を ドーパン ト化合物と して 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸着し て成膜し、 第一発光層 （青色系発光層） と した。 さ らに、 膜厚 3 O n mにてスチ リ ル誘導体 D P V D P A N ( I p = 5 . 7 e V , E g = 3 . 0 e V) と下記化合物 R l (発光ピーク 5 6 0 n m, I p = 5 . 6 e V , E g = 2. 6 e V) を ドーパン ト化合物と し て 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸着し成膜し、 第二発光層 （黄色系発光 層） と した。 この膜上に電子輸送層と して膜厚 2 0 11 !11の £丁]\ 2 0 ( I p = 5. 7 e V , E g = 3 . 0 e V) を成膜した。 この 後、 L i Fを膜厚 1 n mにて抵抗加熱蒸着させ、 電子注入陰極を 形成した。この薄膜上に金属 A 1 を 1 5 0 n m蒸着させ金属陰極 を形成し白色系有機 E L素子を作製した。
得られた有機 E L素子について、 通電試験を行なったと ころ、 電圧 5 . 0 V、 電流密度 1 1 . 0 m A / c m 2 にて.、 発光輝度 1 0 0 0 n i t の白色発光が得られ、色度座標は（ 0. 3 3 , 0 . 3 3 ) 、 発光効率は 9 . l c d /A、 5. 7ルーメ ン/ Wであつ た。 また、 初期輝度 1 0 0 0 n i t にて室温下、 1 5 0 0時間駆 動後の輝度を測定したと ころ 7 0 O n i であった。
Figure imgf000052_0001
Bl Rl
Figure imgf000052_0002
ETM20
実施例 2 (青色系発光層/黄色系発光層/青色系発光層の積層型 有機 E L素子の作製）
実施例 1 において、発光層を以下のよ うにして形成した以外は 同様にして、 白色系有機 E L素子を作製した。
すなわち、 T B T B膜上に、 膜厚 1 0 n mにてスチリル誘導体 D P V D P AN ( I p = 5. 7 e V , E g = 3. 0 e V) と上記 化合物 B l (発光ピーク 4 7 0 n m, I p = 5 . 5 e V , Ε g = 2 . 8 e V) を ドーパント化合物と して 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸 着して成膜し、 第一発光層 （青色系発光層） と した。 さ らに、 膜 厚 1 O n mにてスチリル誘導体 D P V D P AN ( I p = 5. 7 e V, E g = 3. 0 e V) と上記化合物 R l (発光ピーク 5 6 0 η m， I p = 5. 6 e V , E g = 2. 6 e V) を ドーノ ン ト化合物 と して 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸着し成膜し、 第二発光層 （黄色系 発光層） と した。 この後、 膜厚 2 O n mにてスチリル誘導体 D P V D P A N ( I p = 5. 7 e V , E g = 3. 0 e V ) と上記化合 物 B l (発光ピーク 4 7 0 n m， I p = 5. 5 e V , E g = 2. 8 e V) を ドーパン ト化合物と して 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸着し て成膜し、 第三発光層 （青色系発光層） と した。
得られた有機 E L素子について、 通電試験を行なったところ、 電圧 4. 5 V、 電流密度 1 0. O mAZ c m2 にて、 発光輝度 1 0 0 O n i t の白色発光が得られ、色度座標は（ 0. 2 8 , 0. 3 5 ) 、 発光効率は 1 0. O c d ZA、 7. 0ルーメ ン /Wであ つた。 また、 初期輝度 l O O O n i t にて室温下、 1 5 0 0時間 駆動後の輝度を測定したところ 6 0 0 n i であった。 実施例 3 (黄色系発光層/青色系発光層 黄色系発光層の積層型 有機 E L素子の作製）
実施例 1 において、発光層を以下のよ うにして形成した以外は 同様にして、 白色系有機 E L素子を作製した。
すなわち、 T B T B膜上に、 膜厚 1 O n mにてスチリル誘導体 D P V D P AN ( I p = 5. 7 e V , E g = 3. 0 e V) と上記 化合物 R l (発光ピーク 5 6 0 n m, I p = 5. 6 e V , E g = 2. 6 e V ) を ドーパン ト化合物と して 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸 着し成膜し、 第一発光層 （黄色系発光層） と した。 さ らに、 膜厚 1 O n mにてスチリル誘導体 D P VD P AN( I p = 5. 7 e V, E g = 3. 0 e V) と上記化合物 B l (発光ピーク 4 7 0 n m, I ρ = 5. 5 e V , E g = 2. 8 e V) を ドーノ ン ト化合物と し て 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸着して成膜し、 第二発光層 （青色系発 光層） と した。 この後、 膜厚 2 0 n mにてスチリル誘導体 D P V D P AN ( I p = 5. 7 e V , E g = 3. 0 e V) と上記化合物 R 1 ( I p = 5. 6 e V , E g = 2. 6 e V ) を ド ー ノヽ。ン ト化合 物と して 4 0 ： 2の膜厚比で共蒸着し成膜し、 第三発光層 （黄色 系発光層） と した。
得られた有機 E L素子について、 通電試験を行なったところ、 電圧 5. 3 V、 電流密度 1 1 . O mA/ c m 2 にて、 発光輝度 1 0 0 O n i t の白色発光が得られ、色度座標は（ 0. 3 2， 0. 3 5 ) 、 発光効率は 9. 1 c dノ A、 5. 4ルーメ ン ZWであつ た。 また、 初期輝度 1 0 0 0 n i t にて室温下、 1 5 0 0時間駆 動後の輝度を測定したところ 8 0 0 n i であった。 比較例 1 (青色系発光層ノ緑色〜赤色系発光層の積層型有機 E L 素子の作製）
2 5 m m X 7 5 m m X 1 . 1 mm厚の I T O透明電極付きガラ ス基板 （ジォマティ ック社製） をィ ソプロ ピルアルコール中で超 音波洗浄を 5分間行なった後、 U Vオゾン洗浄を 3 0分間行なつ た。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基 板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の 面上に前記透明電極を覆う よ う にして膜厚 6 0 n mの T P D 2 3 2膜を成膜した。 この T P D 2 3 2膜は、 正孔注入層と して機 能する。 この T P D 2 3 2膜上に膜厚 2 0 η ηαの 4， 4， 一ビス [N— （ 1 一ナフチル） — N—フエエルア ミ ノ ] ビフエ -ル膜（以 下 「N P D膜」 と略記する。 ） を成膜した。 この N P D膜は正孔 輸送層と して機能する。 さらに、 N P D膜上に、 膜厚 2 0 n mに てスチリル誘導体 D P V P D AN( I p = 5. 7 e V , E g = 3 . 0 e V) と上記化合物 B l ( I p = 5. 5 e V , E g = 2. 8 e V) を 2 0 ： 1 . 5の膜厚比で蒸着し成膜し、 青色系発光層と し た。 次いで、 2 O n mにてスチリル誘導体 D P V P D ANと上記 化合物 R 1 を 2 0 : 1の膜 比で蒸着し成膜し、 緑色〜赤色系発 光層と した。この膜上に電子輸送層と して膜厚 2 0 n mの下記 t 一 B u P B D ( I p = 6. 1 e V , E g = 3. 1 e V) を成膜し た。 こ 後、 L i F ( L i源： サエスゲッター社製） を 1 n m成 膜した。この薄膜上に金属 A 1 を 1 5 0 n m蒸着させ金属陰極を 形成し有機 E L素子を作製した。
得られた有機 E L素子について、 通電試験を行なったと ころ、 電圧 Ί V、 電流密度 2. 0 m A/ c m 2 にて、 発光輝度 1 1 0 n i tの発光が得られ、 色度座標は （ 0. 2 5 , 0. 3 3 ) 、 発 光効率は 5. 5 c d / A , 2. 5ルーメ ン/ Wであった。 また、 初期輝度 l O O O n i t にて室温下、 1 5 0 0時間駆! ¾後の輝度 を測定したところ 3 0 0 n i tであった。
Figure imgf000055_0001
t - BuPBD (t-Buは t-ブチル基）
実施例 4 (青色系発光層 Z黄色系発光層の積層型有機 E L素子の 作製） 実施例 1 において、電子輸送層と して ETM2 0の代わりに ETM 3 0 (ペン イミダゾール系） （ Ι ρ = 5 · 7 e V , E g = 3. 0 e V) を用いた以外は全く 同様に白色系有機 E L素子を作製した。
得られた有機 EL素子について、 通電試験を行ったところ、 電圧 5. 3 V、 電流密度 1 0 mAノ c m2 にて、 発光輝度 1 1 5 0 n i tの白色発光が得られ、 色度座標は （ 0. 2 8、 0. 3 3 )、 発光 効率は 1 1 . 5 c d/A、 6. 8ルーメ ン ロであった。 また初期 輝度 1 0 0 0 n i tにて室温下、 定電流駆動時、 1 5 0 0時間後の 輝度は 7 8 O n i. であった。
Figure imgf000056_0001
比較例 2 (青色系発光層 Z緑色〜赤色系発光層の積層型有機 E L 素子の作製）
実施例 1 と第二発光層の蒸着までは全く同様と し、 この後、 電子 輸送層と して T P B I ( I p = 6. l e V, E g = 3. 6 e V) を 膜厚 1 0 n m積層し、この後サエスゲッターズ社製アル力リデイス ペンサ一から、 N aを膜厚 0. 5 n m蒸着させ、 電子注入陰極を形 成した。 その後は実施例 1 と同様、 金属 A 1 を 1 5 0 n m蒸着させ 金属陰極を形成し白色系有機 E L素子を作製した。
得られた有機 E L素子について、 通電試験を行ったところ、 電圧 5. 0 V、 電流密度 1 O mA/ c m2にて、 発光輝度 1 0 5 0 n i tの白色発光が得られ、 色度座標は （ 0. 2 7， 0. 3 3 )、 発光 効率は 1 0. S c d ZA 6. 6ルーメン/ Wであった。 また初期 輝度 1 0 0 0 n i tにて室温下、 定電流駆動時、 時間後の輝度は 3 0 0 n i tであった。
Figure imgf000057_0001
実施例 5 (青色系発光層 Z黄色系発光層ノ青色系発光層の積層型 有機 E L素子の作製）
実施例 1 と第二発光層の蒸着までは全く 同様と し、 この後、 電子 輸送層と して E TM 3 0 ( I p = 5. 7 e V , E g = 3. 0 e V) を膜厚 1 0 n m積層し、この後サエスゲッターズ社製アル力リディ スペンサ一から、 N a を膜厚 0. 5 n m蒸着させ、 電子注入陰極を 形成した。
その後は実施例 1 と同様、金属 A 1 を 1 5 0 n m蒸着させ金属陰 極を形成し白色系有機 E L素子を作製した。
得られた有機 E L素子について電流密度 1 O mA/ c m2にて 通電試験を行い、 初期輝度 l O O O n i tからの寿命試験を行い、 表 1 に示す結果を得た。
実施例 6 (青色系発光層 Z黄色系発光層 Z青色系発光層の積層型 有機 E L素子の作製）
実施例 1 と第二発光層の蒸着までは全く同様と し、 この後、 電 子輸送層と して E TM 3 0を膜厚 1 0 n m積層し、さらにその上に
E TM 3 0を 1. OAZ sにて、 同時に C sを 0. l AZ sにてサ エスゲッターズ社製ァルカリディスペンサーで共蒸着を行い、膜厚
1 0 n mの電子注入混合陰極を形成した。その後は実施例 1 と同様 金属 A 1 を 1 5 0 n m蒸着させ金属陰極を形成し白色系有機 E L 素子を作製した。
得られた有機 E L素子について電流密度 1 O mA/ c m2にて 通電試験を行い、 初期輝度 1 0 0 0 n i tからの寿命試験を行い、 表 1 に示す結果を得た。
比較例 3 (青色系発光層/緑色〜赤色系発光層の積層型有機 E L 素子の作製）
実施例案 1において、 電子輸送層と して E TM 2 0の代わりに B C Pを用いた以外は全く同様に白色系有機 E L素子を作製した。
得られた有機 E L素子について通電試験および寿命試験を行い 表 1 に示す結果を得た。
Figure imgf000058_0001
表 1 . lOmA/cm2の初期性能および寿命性能
Figure imgf000059_0001
表 1から明らかなように、本発明の要件（ I )、 （Π )及び（ΠΙ )を満たしてい る実施例 1 4では駆動 1 5 0 0時間後の輝度はいずれも 6 0 0 n i t以上であり、 要件 （ΙΠ)を満たしていない比較例 1 2における 3 0 0 n i t の 2倍以上になっていたことが分かる。特に実施例 4では電 子輸送層と して E T M 3 0が優れていることが判明した。
また、 実施例 5では本発明の要件（ 1 )、 （Π )及び（1Π )を満たした上 で電子注入陰極と して N a を用いたものが駆動 1 5 0 0時間後の 輝度が 8 5 O n i t と更に優れた特性値を示し、比較例 2では電子 注入陰極と して N a を用いても、 要件 （ΙΠ)を満たしていない場合には 駆動 1 5 0 0時間後の輝度が実用的でないことが判明した。
また、実施例 6では本発明の要件（ I )、 （Π )及び（ΙΠ )を満たした上で 電子注入陰極と して C s を用いたものが駆動 1 5 0 0時間後の輝 度が 8 6 0 n i t と更に優れた特性値を示し、比較例 3では電子注 入陰極と して c s を用いても、 要件 （m)を満たしていない場合には駆 動 1 5 0 0時間後の輝度が実用的でないことが判明した。 産業上の利用可能性
本発明の白色系有機 E L素子は、低電圧であり ながら発光効率 が高く 、 寿命が長く 、 色度変化を起こさない。 このため、 本発明 の白色系有機 E L素子は、 実用性が高く 、 各種電子機器の光源等 と して極めて有用である。

Claims

請求の範囲
1. 一対の電極間に、 2層以上の発光層と、 含窒素複素環誘導 体又は含珪素複素環誘導体からなる電子輸送層を有する 白色系 有機エレク ト口ルミ ネッセンス素子であって、 - それぞれの発光層に含まれるホス ト化合物のエネルギーギヤ ッ プ E g (H o s t - i ) が下記式 （ I ) を満たし、
2. 9 e V≤ E g (H o s t - i ) · · ( I )
(式中、 E g (H o s t - i ) は、 電子輸送層側から数えて i 層 目 （ i は 1 から nの整数） の発光層に含まれるホス ト化合物のェ ネルギーギャ ップを表わす。 ） かつ、 電子輸送層に含まれる含窒 素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のエネルギーギャップ
(E g ( E TM) ) が下記式 （II) を満たし、
2. 9 e V < E g (E TM) · · (II) かつ、電子輸送層に接する発光層に含まれるホス ト化合物のィォ ン化ポテンシャル （ I p (H o s t - 1 ) ) と電子輸送層に含ま れる含窒素複素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のイオン化ポ テンシャル （ I p (E TM) ) が下記式（III)
1 p ( E TM) ≤ I p (H o s t — 1 ) + 0. 3 e V · - (III) の関係を満たすこ とを特徴とする白色系有機エレク ト ロルミネ ッセンス素子。
2. それぞれの発光層に含まれるホス ト化合物のエネルギーギ ヤ ップ E g (H o s t 一 i ) 及び電子輸送層に含まれる含窒素複 素環誘導体又は含珪素複素環誘導体のエネルギーギャ ップ（E g
( E TM) ) が、 下記式 （IV)
2. 9 e V < E g (E TM) ≤ E g (H o s t — i ) · · (IV) の関係を満たす請求項 1 に記載の白色系有機エレク ト ロルミネ ッセンス素子。
3. 少なく とも 1つの発光層が、 2. 9 e V以下のエネルギー ギャップを有する ドーパン トを含む請求項 1又は 2に記載の白 色系有機エレク ト ロルミ ネ ッセンス素子。
4. 発光ピーク波長の異なる発光層を 2層以上有する請求項 1 又は 2に記載の白色系有機エレク ト口ルミ ネ ッセンス素子。
5. 最大発光ピーク波長と 2番目発光ピーク波長の差が 5 O n m以上である請求項 1又は 2 に記載の白色系有機エレク トロル ミ ネ ッセンス素子。
6. 前記電子輸送層又は前記電子輸送層と陰極との界面領域に 仕事関数 2. 8 e V以下の金属又はその金属の化合物を含有する 請求項 1 に記載の白色系有機エレク トロルミ ネッセンス素子。
7. 前記金属が N a， K , R b， C s , C a , S r又は B a で ある請求項 6 に記載の白色系有機エ レク ト 口ルミ ネ ッセンス素 子。
8. 前記電子輸送層が、 下記一般式 （ 1 )
HA r - L -A r 1 - A r 2 ( 1 )
(式中、 H A r は置換も しく は無置換の含窒素複素環基、 A r 1 は置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 4 0の 2価の芳香族炭化 水素基、 A r 2 は置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァ リ ール基又は置換も しく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロァリ ール基、 Lは単結合又は置換もしく は無置換のァリーレン基を示 す。 ）
で表される含窒素複素環誘導体を含む請求項 1 又は 2 に記載の 白色系有機ヱ レク トロルミネ ッセンス素子。
9. 前記 H A r が、 下記一般式 （ 2 ) 〜 （ 2 4 ) 、 （A) のい ずれかで表される含窒素複素環基、
Figure imgf000064_0001
(式中、 Rは、 置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 4 0のァリール 基、 置換も しく は無置換の炭素数 3 〜 4 0のへテロァリール基、 置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルキル基又は置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルコキシル基であり、 ηは 0 〜 5の整数であり 、 ηが 2以上の場合、 複数の Rは互いに同一で も異なっていてもよく 、複数の R同士が結合して環構造を形成し てもよい。 ）
Figure imgf000065_0001
(式中、 R 1 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 ハロゲン原子、 置換もしく は無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリール基、置換も しく は無置換の 炭素数 3〜 4 0 のへテロアリール基、又は縮合芳香環形成基であ り 、 Ζは、 酸素原子、 硫黄原子又は N R ' ( R ' は前記 R 1 と 同様である。 ） であり、 Xは 2〜 8 の整数である。 ） 又は置換も しく は無置換のカルパゾリル基である請求項 8 に記載の白色系 有機エ レク ト ロルミ ネ ッセンス素子。
0 前記 HA r が、 下記 （ 2 5 ) 〜 （ 4 4 )
Figure imgf000066_0001
のいずれかで表される基である請求項 8 に記載の白色系有機ェ レク ト ロノレミ ネ ッセンス素子。
1 1. 前記 Lが、 下記一般式 （ 4 5 ) 又は （ 4 6 ) O 2005/006816
Figure imgf000067_0001
(式中、 R 2 は、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリ ール基、置換も しく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロァ リ ール 基、置換もしく は無置換の炭素数 1〜 2 0のアルキル基又は置換 も しく は無置換の炭素数 1 ~ 2 0のアルコキシル基であり 、 mは 0〜 4の整数であり 、 mが 2以上の場合、 複数の R 2 は互いに 同一でも異なっていてもよく 、 複数の R 2 同士が結合して環構 造を形成してもよい。 ）
で表される基である請求項 8 に記載の白色系有機エ レク ト ロル ミ ネ ッセンス素子。
2 前記 A r 2 が、 下記一般式 （ 4 7 ) ( 5 3 )
Figure imgf000068_0001
(51) (52) (53)
(式中、 R 3 は、 置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリ ール基、置換も しく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロァリール 基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルキル基又は置換 も しく は無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルコキシル基であり、 p は 0〜 9の整数、 qは 0〜 5の整数であり、 p又は p + qが 2以上 の場合、 複数の R 3 は互いに同一でも異なっていてもよく 、 複 数の R 3 同士が結合して環構造を形成してもよい。 )
のいずれかで表される基である請求項 8に記載の白色系有機ェ レク トロルミ ネ ッセンス素子。
1 3. 前記 A r 1 が、 下記一般式 （ 5 4 ) 又は （ 5 5 )
Figure imgf000069_0001
(54) (55)
(式中、 R 4 〜R 17は、 それぞれ独立に、 水素原子、 ハロゲン 原子、 置換もしく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリール基、 置換 もしく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリールォキシ基、置換もし く は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロァリール基、置換も しく は 無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルキル基又は置換も しく は無置換 の炭素数 1〜 2 0のアルコキシル基であり 、 A r 3 及び A r 4 は、置換も しく は無置換の炭素数 6〜 4 0のァリール基又は置換 も しく は無置換の炭素数 3〜 4 0のへテロァリール基である。 ） で表される基である請求項 8 に記載の白色系有機エ レク ト ロル ミネ ッセンス素子。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007063993A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007250296A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
JP2008133277A (ja) * 2006-11-24 2008-06-12 Samsung Sdi Co Ltd イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子
JP2008222706A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Samsung Sdi Co Ltd イミダゾピリミジン系化合物及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子
JP2008270190A (ja) * 2007-03-29 2008-11-06 Konica Minolta Holdings Inc 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
JP2010045033A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Samsung Mobile Display Co Ltd 光効率改善層を具備した有機発光素子
WO2012099241A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013093593A (ja) * 2005-12-15 2013-05-16 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
TWI487157B (zh) * 2007-12-11 2015-06-01 Global Oled Technology Llc 具有藍光發射層之白光有機發光二極體
JP2016012575A (ja) * 2007-09-27 2016-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1789994A1 (de) * 2004-08-13 2007-05-30 Novaled AG Schichtanordnung für ein lichtemittierendes bauelement
US7202599B2 (en) * 2004-10-21 2007-04-10 Luminoso Photoelectric Techtology Co., Ltd. White light light-emitting device
US7560862B2 (en) * 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
TWI320294B (en) * 2005-02-23 2010-02-01 Organic semiconductor light-emitting element and display device
US20060269781A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Jun-Liang Lai Diarylamino substituted compounds and an electroluminescent device having the compounds
US20070126350A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Lee Jeong I White organic light emitting device
CN101461073B (zh) * 2006-06-01 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
KR100903102B1 (ko) * 2006-11-24 2009-06-16 삼성모바일디스플레이주식회사 이미다조피리딘계 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한유기 발광 소자
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8541111B2 (en) * 2007-05-21 2013-09-24 Sony Corporation Organic electroluminescent device and display apparatus
FR2912553A1 (fr) * 2007-06-12 2008-08-15 Thomson Licensing Sas Diode organique electroluminescente comprenant une pluralite de couches electroluminescentes empilees
US8574725B2 (en) * 2007-11-22 2013-11-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el element and solution containing organic el material
US8759819B2 (en) * 2007-11-22 2014-06-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP5593621B2 (ja) * 2008-04-03 2014-09-24 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
JP2010244868A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
WO2012122387A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-13 Marshall Cox Graphene electrodes for electronic devices
JP5753027B2 (ja) * 2011-08-22 2015-07-22 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、化合物、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
DE102011117357A1 (de) * 2011-10-29 2013-05-02 Karlsruher Institut für Technologie Ein Verfahren zur n-Dotierung von organischen Halbleitern mit Alkalimetallen aus der Flüssigphase
US8835912B2 (en) * 2012-10-18 2014-09-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Organic light-emitting diode and display device having the same
JP6158937B2 (ja) * 2012-11-21 2017-07-05 エルジー・ケム・リミテッド フルオランテン化合物およびそれを含む有機電子素子
TWI697485B (zh) * 2015-07-21 2020-07-01 日商捷恩智股份有限公司 含唑啉環的化合物、含有其的電子輸送/注入層用材料、使用其的有機電致發光元件、顯示裝置及照明裝置
KR102518723B1 (ko) * 2019-10-04 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 장치
CN111952454B (zh) * 2020-07-28 2022-04-12 电子科技大学 一种基于混合型电子传输层的有机光电探测器及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002216969A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2002231455A (ja) * 1998-04-08 2002-08-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002343571A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2003086380A (ja) * 2001-08-15 2003-03-20 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオードデバイス
JP2003187978A (ja) * 2001-10-18 2003-07-04 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 白色光投射可能な有機発光装置及びその製造方法
JP2004221045A (ja) * 2002-11-18 2004-08-05 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3949214B2 (ja) * 1997-03-18 2007-07-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3266573B2 (ja) 1998-04-08 2002-03-18 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4255610B2 (ja) * 1999-12-28 2009-04-15 出光興産株式会社 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
US6507026B2 (en) * 2000-01-12 2003-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Planar X-ray detector
US6605904B2 (en) * 2000-01-31 2003-08-12 University Of Rochester Tunable multicolor electroluminescent device
JP4094203B2 (ja) * 2000-03-30 2008-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
US6998487B2 (en) 2001-04-27 2006-02-14 Lg Chem, Ltd. Double-spiro organic compounds and organic electroluminescent devices using the same
US20030215667A1 (en) * 2001-11-02 2003-11-20 Shuang Xie Electroluminescent devices
KR100691543B1 (ko) * 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US20060257684A1 (en) * 2002-10-09 2006-11-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US6967062B2 (en) * 2003-03-19 2005-11-22 Eastman Kodak Company White light-emitting OLED device having a blue light-emitting layer doped with an electron-transporting or a hole-transporting material or both
US7037601B2 (en) * 2003-05-28 2006-05-02 Eastman Kodak Company White light-emitting device structures
JP4970934B2 (ja) 2004-03-19 2012-07-11 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231455A (ja) * 1998-04-08 2002-08-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002216969A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2002343571A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2003086380A (ja) * 2001-08-15 2003-03-20 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオードデバイス
JP2003187978A (ja) * 2001-10-18 2003-07-04 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 白色光投射可能な有機発光装置及びその製造方法
JP2004221045A (ja) * 2002-11-18 2004-08-05 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1651012A4 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007063993A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013093593A (ja) * 2005-12-15 2013-05-16 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2007250296A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
JP2008133277A (ja) * 2006-11-24 2008-06-12 Samsung Sdi Co Ltd イミダゾピリジン系化合物、及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子
JP2008222706A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Samsung Sdi Co Ltd イミダゾピリミジン系化合物及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子
JP2008270190A (ja) * 2007-03-29 2008-11-06 Konica Minolta Holdings Inc 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
US10115926B2 (en) 2007-09-27 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
JP2016012575A (ja) * 2007-09-27 2016-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
US9685623B2 (en) 2007-09-27 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
US10636992B2 (en) 2007-09-27 2020-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
US11108009B2 (en) 2007-09-27 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
US11462704B2 (en) 2007-09-27 2022-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
TWI487157B (zh) * 2007-12-11 2015-06-01 Global Oled Technology Llc 具有藍光發射層之白光有機發光二極體
JP2010045033A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Samsung Mobile Display Co Ltd 光効率改善層を具備した有機発光素子
WO2012099241A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8847218B2 (en) 2011-01-20 2014-09-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element

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