JP2003187978A - 白色光投射可能な有機発光装置及びその製造方法 - Google Patents
白色光投射可能な有機発光装置及びその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 46
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 136
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- ZNJRONVKWRHYBF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(1-azatricyclo[7.3.1.05,13]trideca-5,7,9(13)-trien-7-yl)ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1C=CC1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 claims description 2
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 9
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N perylene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 2,3,6,7 -Tetra-hydro-1H, 5H-benzo [Ij] quinolizin-8-yl Chemical group 0.000 description 1
- ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-dinaphthalen-1-yl-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C23C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=C1 ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUVGDBMRJYKPEA-UHFFFAOYSA-N CC(=O)NCCCCCCN1C=CC(=O)C(O)=C1C Chemical compound CC(=O)NCCCCCCN1C=CC(=O)C(O)=C1C AUVGDBMRJYKPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910011763 Li2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- NBDFMTBYKCBTSW-UHFFFAOYSA-N chembl2148074 Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1C1=CNN=N1 NBDFMTBYKCBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N monocrotophos Chemical compound CNC(=O)\C=C(/C)OP(=O)(OC)OC KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 白色光投射可能な有機発光装置及びその製造
方法の提供。 【解決手段】 相互に対応するアノードとカソード間に
少なくとも一つの正孔伝送層、発光層及び電子伝送層を
設け、そのうち発光層（ＤＰＶＢｉ）内に第１ドーパン
ト（ＤＣＭ２）をドープし、電子伝送層内に第２ドーパ
ント（Ｃ６）をドープし、カソード及びアノードが印加
電圧作用を受ける時、発光層、第１ドーパント及び第２
ドーパントが個別に相互に対応する第３光（Ｂ）、第１
光（Ｒ）、及び第２光（Ｇ）を投射し、赤緑青の三原色
の組合せにより、直接且つ簡易に三波長特性を有する連
続全波段白色光を獲得する。
方法の提供。 【解決手段】 相互に対応するアノードとカソード間に
少なくとも一つの正孔伝送層、発光層及び電子伝送層を
設け、そのうち発光層（ＤＰＶＢｉ）内に第１ドーパン
ト（ＤＣＭ２）をドープし、電子伝送層内に第２ドーパ
ント（Ｃ６）をドープし、カソード及びアノードが印加
電圧作用を受ける時、発光層、第１ドーパント及び第２
ドーパントが個別に相互に対応する第３光（Ｂ）、第１
光（Ｒ）、及び第２光（Ｇ）を投射し、赤緑青の三原色
の組合せにより、直接且つ簡易に三波長特性を有する連
続全波段白色光を獲得する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種の発光装置に係
り、特に、直接白色光を投射できる有機発光装置（Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉ
ｃｅ：ＯＬＥＤ）及びその製造方法であって、直接３波
長特性を有する連続全波段白色光を獲得でき、且つ製造
フローを簡素化でき、発光効率を高めることができる、
発光装置及びその製造方法に関する。
り、特に、直接白色光を投射できる有機発光装置（Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉ
ｃｅ：ＯＬＥＤ）及びその製造方法であって、直接３波
長特性を有する連続全波段白色光を獲得でき、且つ製造
フローを簡素化でき、発光効率を高めることができる、
発光装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機発光装置は、１９８７年コダック社
のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ及びＳ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅが真
空蒸着方式でＡｌｑ3及びＨＴＭ２でヘテロ構造の実施
可能なＯＬＥＤ素子を形成した後、その有するセルフ発
光性、高い応答速度、重力が軽いこと、厚さが薄いこ
と、低い消耗電力、広視覚、高輝度、フルカラー化及び
製造工程が簡単である長所により、ディスプレイ産業の
大改革及び消費者の期待を引き起こし、近い将来、フル
カラーディスプレイ或いは白色光の投射に、現在使用さ
れている蛍光灯、バルブ等の白色光照明設備の代わりに
採用されて、真に緑色環境保護及び節電機能の照明の理
想の境界を達成することが期待されている。
のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ及びＳ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅが真
空蒸着方式でＡｌｑ3及びＨＴＭ２でヘテロ構造の実施
可能なＯＬＥＤ素子を形成した後、その有するセルフ発
光性、高い応答速度、重力が軽いこと、厚さが薄いこ
と、低い消耗電力、広視覚、高輝度、フルカラー化及び
製造工程が簡単である長所により、ディスプレイ産業の
大改革及び消費者の期待を引き起こし、近い将来、フル
カラーディスプレイ或いは白色光の投射に、現在使用さ
れている蛍光灯、バルブ等の白色光照明設備の代わりに
採用されて、真に緑色環境保護及び節電機能の照明の理
想の境界を達成することが期待されている。
【０００３】図１は、周知のＯＬＥＤの構造断面図であ
る。この構造は１９８８年米国パテント第４，７６９，
２９２号に記載された米国コダック社所有の「ＥＬＥＣ
ＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＴ ＤＥＶＩＣＥ ＷＩＴ
Ｈ ＭＯＤＩＦＩＥＤ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＬＵＭＩ
ＮＥＳＣＥＮＴ ＺＯＮＥ」の特許に記載されたもので
ある。このＯＬＥＤ１０は透明基板１１上に透明な導電
性のアノード（ＩＴＯ）１３が蒸着形成され、並びにこ
のＩＴＯアノード１３の上にさらに順に正孔伝送層１
５、発光層１７及び金属カソード１９が形成され、別に
発光層１７内に蛍光物質（表示せず）がドープされ、ア
ノード１３とカソード１９が印加バイアス電圧作用を受
ける時、正孔がＩＴＯアノード１３より正孔伝送層１５
を透過して発光層１５に伝送され、電子も相対的にカソ
ード１９より発光層１７に伝送され、発光層１７内の電
子と正孔が再結合（Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）して
シングレット（ｓｉｎｇｌｅｔ）を発生し、シングレッ
トがエネルギーを釈放して基態に戻る時に、自動的に発
光層１７内にあって発光するか、或いはさらにドープさ
れた蛍光物質を励起して励起状態となし設定された特定
範囲長の光を投射させる。
る。この構造は１９８８年米国パテント第４，７６９，
２９２号に記載された米国コダック社所有の「ＥＬＥＣ
ＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＴ ＤＥＶＩＣＥ ＷＩＴ
Ｈ ＭＯＤＩＦＩＥＤ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＬＵＭＩ
ＮＥＳＣＥＮＴ ＺＯＮＥ」の特許に記載されたもので
ある。このＯＬＥＤ１０は透明基板１１上に透明な導電
性のアノード（ＩＴＯ）１３が蒸着形成され、並びにこ
のＩＴＯアノード１３の上にさらに順に正孔伝送層１
５、発光層１７及び金属カソード１９が形成され、別に
発光層１７内に蛍光物質（表示せず）がドープされ、ア
ノード１３とカソード１９が印加バイアス電圧作用を受
ける時、正孔がＩＴＯアノード１３より正孔伝送層１５
を透過して発光層１５に伝送され、電子も相対的にカソ
ード１９より発光層１７に伝送され、発光層１７内の電
子と正孔が再結合（Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）して
シングレット（ｓｉｎｇｌｅｔ）を発生し、シングレッ
トがエネルギーを釈放して基態に戻る時に、自動的に発
光層１７内にあって発光するか、或いはさらにドープさ
れた蛍光物質を励起して励起状態となし設定された特定
範囲長の光を投射させる。
【０００４】上述の第１種の従来のＯＬＥＤ構造及び技
術は、単色光源のの良好な発光効率及び使用寿命を達成
することができる。しかし、それは僅かに単色光を投射
できるだけで白色光投射或いはフルカラー化の最終目標
を達成し得なかった。
術は、単色光源のの良好な発光効率及び使用寿命を達成
することができる。しかし、それは僅かに単色光を投射
できるだけで白色光投射或いはフルカラー化の最終目標
を達成し得なかった。
【０００５】図２はもう一種類の周知のＯＬＥＤの各素
子のエネルギーバンド表示図である。この構造は１９９
６年米国パテント出願第０８／６６０，０１４号の、米
国モトローラ社の所有の「ＯＲＧＡＮＩＣ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＴＤＥＶＩＣＥ ＷＩＴＨ
ＥＭＩＳＳＩＯＮ ＦＲＯＭ ＨＯＬＥ ＴＲＡＮＳＰ
ＯＲＴＩＮＧ ＬＡＹＥＲ」特許中に記載のものであ
る。この技術はＩＴＯアノード２２、電子伝送層２４及
びカソード２５のほかに、さらにアノード２２と電子伝
送層２４間に介在する正孔伝送層２３を具え、電子伝送
層２４と正孔伝送層２３の材質の選択組合せにより、電
子伝送層２４及び正孔伝送層２３の価電子帯間のエネル
ギーレベル差（Ｅc1−Ｅc2）が両者の伝導帯間のエネル
ギーレベル差（ＥV1−ＥV2）より小さく、これにより、
電子伝送層２４内の正孔伝送層２３に送られる電子数量
が反対方向に電子伝送層２４に送られる正孔の数量を遙
に超過し、これにより電子と正孔の再結合及び光源投射
の位置が正孔伝送層２３において発生する。このほか、
正孔がアノード２２より伝送され並びに正孔伝送層２３
中に注入しやすいように、パテント中においてアノード
２２と正孔伝送層２３の間に設けられた正孔注入層が記
載されている。
子のエネルギーバンド表示図である。この構造は１９９
６年米国パテント出願第０８／６６０，０１４号の、米
国モトローラ社の所有の「ＯＲＧＡＮＩＣ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＴＤＥＶＩＣＥ ＷＩＴＨ
ＥＭＩＳＳＩＯＮ ＦＲＯＭ ＨＯＬＥ ＴＲＡＮＳＰ
ＯＲＴＩＮＧ ＬＡＹＥＲ」特許中に記載のものであ
る。この技術はＩＴＯアノード２２、電子伝送層２４及
びカソード２５のほかに、さらにアノード２２と電子伝
送層２４間に介在する正孔伝送層２３を具え、電子伝送
層２４と正孔伝送層２３の材質の選択組合せにより、電
子伝送層２４及び正孔伝送層２３の価電子帯間のエネル
ギーレベル差（Ｅc1−Ｅc2）が両者の伝導帯間のエネル
ギーレベル差（ＥV1−ＥV2）より小さく、これにより、
電子伝送層２４内の正孔伝送層２３に送られる電子数量
が反対方向に電子伝送層２４に送られる正孔の数量を遙
に超過し、これにより電子と正孔の再結合及び光源投射
の位置が正孔伝送層２３において発生する。このほか、
正孔がアノード２２より伝送され並びに正孔伝送層２３
中に注入しやすいように、パテント中においてアノード
２２と正孔伝送層２３の間に設けられた正孔注入層が記
載されている。
【０００６】上述のモトローラ特許技術中、速度移動が
比較的速い正孔が正孔伝送層２３中に保留されて電子と
再結合するプロセスにより発光効率を高める。しかし、
これもまた僅かに単色光しか投射できず、且つ同様に白
色光投射ができず或いはフルカラー化の最終目標を達成
できなかった。
比較的速い正孔が正孔伝送層２３中に保留されて電子と
再結合するプロセスにより発光効率を高める。しかし、
これもまた僅かに単色光しか投射できず、且つ同様に白
色光投射ができず或いはフルカラー化の最終目標を達成
できなかった。
【０００７】ＯＬＥＤを白色光源に用い及びフルカラー
化の最終目標を達成するため、業界では各種の解決のた
めの技術を研究しており、現在主要なフルカラー効果達
成の解決策には以下の三種類がある。 １．光色変換法（Ｃｏｌｏｒ Ｃｏｎｖｅｓｉｏｎ）：
青色光を発射源として利用し、さらにこの青色光で光色
変換薄膜を励起してＲＧＢ三原色可視光を取得し、並び
にこれによりフルカラー化或いは白色光投射の目的を達
成する。しかしこのような技術にあって、光色変換薄膜
の光色純度及び発光効率は満足いくものではなく、且つ
色変換材料が環境の青色光（或いは紫外光）を吸収し、
潜在のコントラスト及び画素問題を形成し、フルカラー
ディスプレイ中に使用するのが難しかった。このほか、
この方法は二長方式で進行され、このため光色不均一の
弊害及び偏色現象（偏黄或いは偏青）の問題を有してい
た。且つそのキー術はいずれも日本出光興産株式会社の
特許に係わる。 ２．カラーフィルタ法（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）：
白色有機発光材料をバックライトソースとして利用し、
すでにＬＣＤに使用されているカラーフィルタを組合
せ、フルカラーの効果を達成する。このような技術のキ
ーポイントは白色光源をいかに取得し、且つ白色光が全
波段であるか否か及びいかに発光効率を高めるかにあ
り、それが突破を要する重点であった。 ３．ＲＧＢ三色独立発光法：ＲＧＢ三原色を各自発光さ
せ、直接フルカラー効果を取得するか、或いは、組み合
わせて白色光源となす。しかし、三原色は独立して各自
発光する必要があり、ＲＧＢ三画素がそれぞれ異なる駆
動電圧を必要とし、例えば米国パテント第５，７０３，
４３６号のアメリカプリンストン大学所有の「ＴＲＡＮ
ＳＰＡＲＥＮＴ ＣＯＮＴＣＴＳ ＦＯＲ ＯＲＧＡＮ
ＩＣ ＤＥＶＥＣＥ」の特許によると、製造工程上、相
当に困難で、且つ比較的体積が大きく場所をとった。
化の最終目標を達成するため、業界では各種の解決のた
めの技術を研究しており、現在主要なフルカラー効果達
成の解決策には以下の三種類がある。 １．光色変換法（Ｃｏｌｏｒ Ｃｏｎｖｅｓｉｏｎ）：
青色光を発射源として利用し、さらにこの青色光で光色
変換薄膜を励起してＲＧＢ三原色可視光を取得し、並び
にこれによりフルカラー化或いは白色光投射の目的を達
成する。しかしこのような技術にあって、光色変換薄膜
の光色純度及び発光効率は満足いくものではなく、且つ
色変換材料が環境の青色光（或いは紫外光）を吸収し、
潜在のコントラスト及び画素問題を形成し、フルカラー
ディスプレイ中に使用するのが難しかった。このほか、
この方法は二長方式で進行され、このため光色不均一の
弊害及び偏色現象（偏黄或いは偏青）の問題を有してい
た。且つそのキー術はいずれも日本出光興産株式会社の
特許に係わる。 ２．カラーフィルタ法（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）：
白色有機発光材料をバックライトソースとして利用し、
すでにＬＣＤに使用されているカラーフィルタを組合
せ、フルカラーの効果を達成する。このような技術のキ
ーポイントは白色光源をいかに取得し、且つ白色光が全
波段であるか否か及びいかに発光効率を高めるかにあ
り、それが突破を要する重点であった。 ３．ＲＧＢ三色独立発光法：ＲＧＢ三原色を各自発光さ
せ、直接フルカラー効果を取得するか、或いは、組み合
わせて白色光源となす。しかし、三原色は独立して各自
発光する必要があり、ＲＧＢ三画素がそれぞれ異なる駆
動電圧を必要とし、例えば米国パテント第５，７０３，
４３６号のアメリカプリンストン大学所有の「ＴＲＡＮ
ＳＰＡＲＥＮＴ ＣＯＮＴＣＴＳ ＦＯＲ ＯＲＧＡＮ
ＩＣ ＤＥＶＥＣＥ」の特許によると、製造工程上、相
当に困難で、且つ比較的体積が大きく場所をとった。
【０００８】さらに、ＲＧＢ三原色の画素の精密度要求
は相対的に非常に重要であり、図３に示されるように、
１９９９年の米国パテント第５，９５２，０３７号の日
本パイオニア社の所有の「ＯＲＧＡＮＩＣ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＴＤＩＳＰＬＡＹ ＰＡＮＥ
Ｌ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＭＡＮＵＦＡＣＴ
ＵＲＩＮＧ ＴＨＥ ＳＡＭＥ」特許中、一つの基板３
０上に複数のアノード３２を形成し、アノード３２の一
部表面にまず絶縁隔離リブ３４、絶縁リブ３８及び突出
部３８５を形成し、並びに絶縁リブ３８及び突出部３８
５の組合せ下で、蒸着或いは斜向拡散法で精密度が要求
を達成する各有機層３６及びカソード３７を取得する。
は相対的に非常に重要であり、図３に示されるように、
１９９９年の米国パテント第５，９５２，０３７号の日
本パイオニア社の所有の「ＯＲＧＡＮＩＣ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＴＤＩＳＰＬＡＹ ＰＡＮＥ
Ｌ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＭＡＮＵＦＡＣＴ
ＵＲＩＮＧ ＴＨＥ ＳＡＭＥ」特許中、一つの基板３
０上に複数のアノード３２を形成し、アノード３２の一
部表面にまず絶縁隔離リブ３４、絶縁リブ３８及び突出
部３８５を形成し、並びに絶縁リブ３８及び突出部３８
５の組合せ下で、蒸着或いは斜向拡散法で精密度が要求
を達成する各有機層３６及びカソード３７を取得する。
【０００９】上述の方法は、製造工程が非常に面倒で、
且つ三つの異なる色彩の有機物質を独立発光させ、その
発光効率、使用寿命及び制御の難易度もそれぞれ異な
り、例えば赤色光源は純赤の境界を達成しがたく、オレ
ンジ色に偏り、且つ赤色光源寿命は非常に短く、大幅に
全体のディスプレイの使用状態に影響を与えた。そのほ
か、得られる光源もまた二波長の不連続光であり、純色
に関して言えば、良好な効果ではなかった。
且つ三つの異なる色彩の有機物質を独立発光させ、その
発光効率、使用寿命及び制御の難易度もそれぞれ異な
り、例えば赤色光源は純赤の境界を達成しがたく、オレ
ンジ色に偏り、且つ赤色光源寿命は非常に短く、大幅に
全体のディスプレイの使用状態に影響を与えた。そのほ
か、得られる光源もまた二波長の不連続光であり、純色
に関して言えば、良好な効果ではなかった。
【００１０】このため、以下に上述の周知の有機発光装
置の発生する問題及び不足のところに対して解決方法を
提供し、簡単な製造工程で三波長の全波段白色光源を達
成し、白色光及びフルカラーの最終目標を達成するかが
課題とされている。
置の発生する問題及び不足のところに対して解決方法を
提供し、簡単な製造工程で三波長の全波段白色光源を達
成し、白色光及びフルカラーの最終目標を達成するかが
課題とされている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、一種の白色光投射可能な有機発光装置を提供し、発
光層、電子伝送層及びドーパント材質の組合せ応用によ
り、三波長の全波段白色光を獲得し良好な光色均一特性
を得られ、且つ発光効率を高められるようにすることに
ある。
は、一種の白色光投射可能な有機発光装置を提供し、発
光層、電子伝送層及びドーパント材質の組合せ応用によ
り、三波長の全波段白色光を獲得し良好な光色均一特性
を得られ、且つ発光効率を高められるようにすることに
ある。
【００１２】本発明の次の目的は、一種の白色光投射可
能な有機発光装置を提供し、効率が良好な白色光源を提
供することにより、良好なフルカラー効果を取得できる
ようにすることにある。
能な有機発光装置を提供し、効率が良好な白色光源を提
供することにより、良好なフルカラー効果を取得できる
ようにすることにある。
【００１３】本発明のまた一つの目的は、一種の白色光
投射可能な有機発光装置を提供し、三色独立発光を使用
しない状況下で、バイアス電圧を印加して自動的にＲＧ
Ｂ三原色を投射できるようにし、これにより製造工程を
簡素化して製造コストを減らし、発光効率を高め装置体
積を減少できるようにすることにある。
投射可能な有機発光装置を提供し、三色独立発光を使用
しない状況下で、バイアス電圧を印加して自動的にＲＧ
Ｂ三原色を投射できるようにし、これにより製造工程を
簡素化して製造コストを減らし、発光効率を高め装置体
積を減少できるようにすることにある。
【００１４】本発明のさらに一つの目的は、一種の白色
光投射可能な有機発光装置を提供し、直接白色光を提供
して大幅に電力消耗にかかる支出を減らし、また液体漿
などの有害物質を省略し環境保護概念に符合するように
することにある。
光投射可能な有機発光装置を提供し、直接白色光を提供
して大幅に電力消耗にかかる支出を減らし、また液体漿
などの有害物質を省略し環境保護概念に符合するように
することにある。
【００１５】本発明のさらにまた一つの目的は、一種の
白色光投射可能な有機発光装置の製造方法を提供し、簡
単なドープ技術及び材質の組合せ選択により三波長の全
波段白色光源を得られるようにすることにある。
白色光投射可能な有機発光装置の製造方法を提供し、簡
単なドープ技術及び材質の組合せ選択により三波長の全
波段白色光源を得られるようにすることにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、白色
光投射可能な有機発光装置において、アノードと、該ア
ノードの上に形成された少なくとも一つの正孔伝送層
と、該正孔伝送層の上に形成され、第１ドーパントがド
ープされた少なくとも一つの発光層と、該発光層の上に
形成され、第２ドーパントがドープされた少なくとも一
つの電子伝送層と、該電子伝送層の上に設けられ、バイ
アス電圧が印加される時、第１ドーパントに第１光を投
射させ、第２ドーパントに第２光を投射させ、該発光層
に第３光を投射させる、カソードと、を具えたことを特
徴とする、白色光投射可能な有機発光装置としている。
請求項２の発明は、前記第２光と第３光の投射強度が第
１ドーパント対発光層の容積比率と反比例をなすことを
特徴とする、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発
光装置としている。請求項３の発明は、前記第１ドーパ
ントの発光層に対する容積比率範囲が０．０４％から
０．０１％とされたことを特徴とする、請求項２に記載
の白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項４
の発明は、前記第１ドーパントの発光層に対する容積比
率範囲が０．０２５％とされたことを特徴とする、請求
項３に記載の白色光投射可能な有機発光装置としてい
る。請求項５の発明は、前記第３光の投射強度と発光層
の厚さが正比例をなし、第２光の投射強度が該発光層の
厚さと反比例をなすことを特徴とする、請求項１に記載
の白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項６
の発明は、前記発光層の厚さが２０Åから１５０Åとさ
れたことを特徴とする、請求項１に記載の白色光投射可
能な有機発光装置としている。請求項７の発明は、前記
第１光が赤色光とされ、第２光が緑色光とされ、第３光
が青色光とされたことを特徴とする、請求項１に記載の
白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項８の
発明は、前記第１ドーパントが蛍光物質、りん光物質及
びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、請
求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置としてい
る。請求項９の発明は、前記蛍光物質が、ＤＣＭ２、Ｄ
ＣＭ１、ＤＣＪＴＢ、Ｃｏｕｍａｒｉｎ ５４５Ｔ、Ｐ
ｅｒｙｌｅｎｅ及びそれらを任意に組み合わせたものの
いずれかとされることを特徴とする、請求項８に記載の
白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項１０
の発明は、前記第２ドーパントが蛍光物質、りん光物質
及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、
請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置として
いる。請求項１１の発明は、前記蛍光物質がＣ6 とされ
たことを特徴とする、請求項１０に記載の白色光投射可
能な有機発光装置としている。請求項１２の発明は、前
記第２ドーパントの電子伝送層に対する容積比率が０．
０５％から０．２％とされたことを特徴とする、請求項
１０に記載の白色光投射可能な有機発光装置としてい
る。請求項１３の発明は、前記発光層がＤＰＶＢｉ、Ｂ
ａｌｑ、ＰＶＫ、Ｚｎ（ＯＤＺ）２及びそれらを任意に
組み合わせたもののいずれかとされたことを特徴とす
る、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置と
している。請求項１４の発明は、前記アノードと正孔伝
送層間に正孔注入層を具えたことを特徴とする、請求項
１に記載の白色光投射可能な有機発光装置としている。
請求項１５の発明は、前記電子伝送層とカソードの間に
被覆層として用いられる第２の電子伝送層を具えたこと
を特徴とする、請求項１に記載の白色光投射可能な有機
発光装置としている。請求項１６の発明は、前記電子伝
送層とカソードの間に電子注入層を具えたことを特徴と
する、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置
としている。請求項１７の発明は、前記アノードの底縁
に透明基板が設けられ、該透明基板がガラス及びプラス
チックのいずれかとされたことを特徴とする、請求項１
に記載の白色光投射可能な有機発光装置としている。請
求項１８の発明は、白色光投射可能な有機発光装置の製
造方法において、相互に対応するアノードとカソード間
に、正孔伝送層、発光層及び電子伝送層を設け、該発光
層内に第１ドーパントをドープし、該電子伝送層内に第
２ドーパントをドープし、カソード及びアノードが印加
バイアス電圧作用を受ける時、該発光層、第１ドーパン
ト及び第２ドーパントがそれぞれ第３光、第１光、第２
光を投射するようにし、並びに第１光、第２光及び第３
光の組合せにより直接白色光を得られるようにすること
を特徴とする、白色光投射可能な有機発光装置の製造方
法としている。請求項１９の発明は、前記発光層が青色
光を投射できるＤＰＶＢｉとされ、第１ドーパントが赤
色光を投射できるＤＣＭ２とされ、第２ドーパントが緑
色光を投射できるＣ6とされたことを特徴とする、請求
項１８に記載の白色光投射可能な有機発光装置の製造方
法としている。請求項２０の発明は、前記ＤＣＭ２のＤ
ＰＶＢｉに対する容積比率の大きさにより、青色光及び
緑色光の投射強度を制御できることを特徴とする、請求
項１９に記載の白色光投射可能な有機発光装置の製造方
法としている。請求項２１の発明は、前記発光層の厚さ
の変化により第３光及び第２光の投射強度を制御し、発
光層の厚さが大きくなるほど、第３光投射強度が強くな
り、第２光投射強度が相対的に弱くなることを特徴とす
る、請求項１８に記載の白色光投射可能な有機発光装置
の製造方法としている。
光投射可能な有機発光装置において、アノードと、該ア
ノードの上に形成された少なくとも一つの正孔伝送層
と、該正孔伝送層の上に形成され、第１ドーパントがド
ープされた少なくとも一つの発光層と、該発光層の上に
形成され、第２ドーパントがドープされた少なくとも一
つの電子伝送層と、該電子伝送層の上に設けられ、バイ
アス電圧が印加される時、第１ドーパントに第１光を投
射させ、第２ドーパントに第２光を投射させ、該発光層
に第３光を投射させる、カソードと、を具えたことを特
徴とする、白色光投射可能な有機発光装置としている。
請求項２の発明は、前記第２光と第３光の投射強度が第
１ドーパント対発光層の容積比率と反比例をなすことを
特徴とする、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発
光装置としている。請求項３の発明は、前記第１ドーパ
ントの発光層に対する容積比率範囲が０．０４％から
０．０１％とされたことを特徴とする、請求項２に記載
の白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項４
の発明は、前記第１ドーパントの発光層に対する容積比
率範囲が０．０２５％とされたことを特徴とする、請求
項３に記載の白色光投射可能な有機発光装置としてい
る。請求項５の発明は、前記第３光の投射強度と発光層
の厚さが正比例をなし、第２光の投射強度が該発光層の
厚さと反比例をなすことを特徴とする、請求項１に記載
の白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項６
の発明は、前記発光層の厚さが２０Åから１５０Åとさ
れたことを特徴とする、請求項１に記載の白色光投射可
能な有機発光装置としている。請求項７の発明は、前記
第１光が赤色光とされ、第２光が緑色光とされ、第３光
が青色光とされたことを特徴とする、請求項１に記載の
白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項８の
発明は、前記第１ドーパントが蛍光物質、りん光物質及
びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、請
求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置としてい
る。請求項９の発明は、前記蛍光物質が、ＤＣＭ２、Ｄ
ＣＭ１、ＤＣＪＴＢ、Ｃｏｕｍａｒｉｎ ５４５Ｔ、Ｐ
ｅｒｙｌｅｎｅ及びそれらを任意に組み合わせたものの
いずれかとされることを特徴とする、請求項８に記載の
白色光投射可能な有機発光装置としている。請求項１０
の発明は、前記第２ドーパントが蛍光物質、りん光物質
及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とする、
請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置として
いる。請求項１１の発明は、前記蛍光物質がＣ6 とされ
たことを特徴とする、請求項１０に記載の白色光投射可
能な有機発光装置としている。請求項１２の発明は、前
記第２ドーパントの電子伝送層に対する容積比率が０．
０５％から０．２％とされたことを特徴とする、請求項
１０に記載の白色光投射可能な有機発光装置としてい
る。請求項１３の発明は、前記発光層がＤＰＶＢｉ、Ｂ
ａｌｑ、ＰＶＫ、Ｚｎ（ＯＤＺ）２及びそれらを任意に
組み合わせたもののいずれかとされたことを特徴とす
る、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置と
している。請求項１４の発明は、前記アノードと正孔伝
送層間に正孔注入層を具えたことを特徴とする、請求項
１に記載の白色光投射可能な有機発光装置としている。
請求項１５の発明は、前記電子伝送層とカソードの間に
被覆層として用いられる第２の電子伝送層を具えたこと
を特徴とする、請求項１に記載の白色光投射可能な有機
発光装置としている。請求項１６の発明は、前記電子伝
送層とカソードの間に電子注入層を具えたことを特徴と
する、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置
としている。請求項１７の発明は、前記アノードの底縁
に透明基板が設けられ、該透明基板がガラス及びプラス
チックのいずれかとされたことを特徴とする、請求項１
に記載の白色光投射可能な有機発光装置としている。請
求項１８の発明は、白色光投射可能な有機発光装置の製
造方法において、相互に対応するアノードとカソード間
に、正孔伝送層、発光層及び電子伝送層を設け、該発光
層内に第１ドーパントをドープし、該電子伝送層内に第
２ドーパントをドープし、カソード及びアノードが印加
バイアス電圧作用を受ける時、該発光層、第１ドーパン
ト及び第２ドーパントがそれぞれ第３光、第１光、第２
光を投射するようにし、並びに第１光、第２光及び第３
光の組合せにより直接白色光を得られるようにすること
を特徴とする、白色光投射可能な有機発光装置の製造方
法としている。請求項１９の発明は、前記発光層が青色
光を投射できるＤＰＶＢｉとされ、第１ドーパントが赤
色光を投射できるＤＣＭ２とされ、第２ドーパントが緑
色光を投射できるＣ6とされたことを特徴とする、請求
項１８に記載の白色光投射可能な有機発光装置の製造方
法としている。請求項２０の発明は、前記ＤＣＭ２のＤ
ＰＶＢｉに対する容積比率の大きさにより、青色光及び
緑色光の投射強度を制御できることを特徴とする、請求
項１９に記載の白色光投射可能な有機発光装置の製造方
法としている。請求項２１の発明は、前記発光層の厚さ
の変化により第３光及び第２光の投射強度を制御し、発
光層の厚さが大きくなるほど、第３光投射強度が強くな
り、第２光投射強度が相対的に弱くなることを特徴とす
る、請求項１８に記載の白色光投射可能な有機発光装置
の製造方法としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、図４に示されるのは、本発
明の好ましい実施例の構造断面図である。図示されるよ
うに、本発明のこの実施例において、ＯＬＥＤ４０は、
蒸着法（ｖａｐｏｒ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）或いはスパ
ッタ法でＩＴＯ、Ａｕ、ＣｕＩ、ＳｎＯ2或いはＺｎＯ
等透明導電性の金属、合金、化合物或いは混合物をプラ
スチック或いはガラスで製造した透明基板４１の表面に
設けて、アノード４２として使用する。ＩＴＯアノード
４２の表面にさらに順に真空蒸着法でＣｕＰｃ等の正孔
注入材質で形成した正孔注入層４３、Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ
−（１−ｎａｐｈｔｈｙ）−Ｎ，Ｎ’ｄｉｐｈｅｎｙｌ
−１，１’ｊ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−４’−ｄｉａｍ
ｉｎｅ（ＮＰＢ）、ＴＰＤ、Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ、Ｓｐ
ｉｒｏ−ＴＡＤ、或いはｍ−ＭＴＤＡＴＡで形成された
正孔伝送層４４、１，４−ＢＩＳ（２，２’−ｄｉｐｈ
ｅｎｙｌｖｉｎｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ（ＤＰＶＢ
ｉ）、Ｂａｌｑ、ＰＶＫ、或いはＺｎ（ＯＤＺ）２で形
成された発光層４５を形成し、発光層４５内に蛍光物質
或いはりん光物質等の第１ドーパント４５５をドープ
し、Ａｌｑ 3 ４６（或いはＴＡＺ、ＰＢＤ或いはＺｎ
（ＯＤＺ）２で形成した電子伝送層４６を形成し、電子
伝送層４６内に蛍光物質或いはりん光物質等の第２ドー
パント４６５をドープし、Ａｌｑ3 ４６（或いＴＡＺ、
ＰＢＤ或いはＺｎ（ＯＤＺ）２で形成した被覆層４７
（第２電子伝送層）を形成した後、さらに、第２電子伝
送層４７の表面に、ＬｉＦ、Ｍｇ／Ａｇ、Ａｌ／Ｌｉ、
Ａｌ／Ｌｉ2 Ｏ、Ｃａ、Ａｌ或いはそれらを組み合わせ
た金属、合金、導電性混合物、化合物で形成した正孔注
入層４８及びカソード４９を形成する。
明の好ましい実施例の構造断面図である。図示されるよ
うに、本発明のこの実施例において、ＯＬＥＤ４０は、
蒸着法（ｖａｐｏｒ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）或いはスパ
ッタ法でＩＴＯ、Ａｕ、ＣｕＩ、ＳｎＯ2或いはＺｎＯ
等透明導電性の金属、合金、化合物或いは混合物をプラ
スチック或いはガラスで製造した透明基板４１の表面に
設けて、アノード４２として使用する。ＩＴＯアノード
４２の表面にさらに順に真空蒸着法でＣｕＰｃ等の正孔
注入材質で形成した正孔注入層４３、Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ
−（１−ｎａｐｈｔｈｙ）−Ｎ，Ｎ’ｄｉｐｈｅｎｙｌ
−１，１’ｊ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−４’−ｄｉａｍ
ｉｎｅ（ＮＰＢ）、ＴＰＤ、Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ、Ｓｐ
ｉｒｏ−ＴＡＤ、或いはｍ−ＭＴＤＡＴＡで形成された
正孔伝送層４４、１，４−ＢＩＳ（２，２’−ｄｉｐｈ
ｅｎｙｌｖｉｎｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ（ＤＰＶＢ
ｉ）、Ｂａｌｑ、ＰＶＫ、或いはＺｎ（ＯＤＺ）２で形
成された発光層４５を形成し、発光層４５内に蛍光物質
或いはりん光物質等の第１ドーパント４５５をドープ
し、Ａｌｑ 3 ４６（或いはＴＡＺ、ＰＢＤ或いはＺｎ
（ＯＤＺ）２で形成した電子伝送層４６を形成し、電子
伝送層４６内に蛍光物質或いはりん光物質等の第２ドー
パント４６５をドープし、Ａｌｑ3 ４６（或いＴＡＺ、
ＰＢＤ或いはＺｎ（ＯＤＺ）２で形成した被覆層４７
（第２電子伝送層）を形成した後、さらに、第２電子伝
送層４７の表面に、ＬｉＦ、Ｍｇ／Ａｇ、Ａｌ／Ｌｉ、
Ａｌ／Ｌｉ2 Ｏ、Ｃａ、Ａｌ或いはそれらを組み合わせ
た金属、合金、導電性混合物、化合物で形成した正孔注
入層４８及びカソード４９を形成する。
【００１８】そのうち、第１ドーパント４５５及び第２
ドーパント４６５には４−Ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｌｅ
ｎｅ−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−〔２−（２，３，６，７
−ｔｅｔｒａ−ｈｙｄｒｏ−１Ｈ，５Ｈ−ｂｅｎｚｏ
〔ｉｊ〕ｑｕｉｎｏｌｉｚｉｎ−８−ｙｌ）ｖｉｎｙ
ｌ〕−４Ｈ−ｐｙｒａｎ（ＤＣＭ２）、ＤＣＭ１、ＤＣ
ＪＴＢ、Ｃｏｕｍａｒｉｎ ５４５Ｔ、Ｐｅｒｙｌｅｎ
ｅ等の蛍光物質或いはＰｔＯＥＯＰ等のりん光物質が選
択使用される。
ドーパント４６５には４−Ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｌｅ
ｎｅ−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−〔２−（２，３，６，７
−ｔｅｔｒａ−ｈｙｄｒｏ−１Ｈ，５Ｈ−ｂｅｎｚｏ
〔ｉｊ〕ｑｕｉｎｏｌｉｚｉｎ−８−ｙｌ）ｖｉｎｙ
ｌ〕−４Ｈ−ｐｙｒａｎ（ＤＣＭ２）、ＤＣＭ１、ＤＣ
ＪＴＢ、Ｃｏｕｍａｒｉｎ ５４５Ｔ、Ｐｅｒｙｌｅｎ
ｅ等の蛍光物質或いはＰｔＯＥＯＰ等のりん光物質が選
択使用される。
【００１９】図５は本発明の各素子のエネルギーレベル
表示図である。本発明の主要な構成素子中、Ｅｘｃはバ
キュームレベルとＸＣ素子伝導エネルギーレベル（Ｘは
４２〜４８素子の代表番号）のエネルギーレベル差を代
表し、これはまた該素子の電子親和力（ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ ａｆｆｉｎｉｔｉｅｓ）を代表しうる。Ｅｘｖはバ
キュームレベルとＸＶ素子価電子帯エネルギーレベル
（Ｘは４２〜４８素子の代表番号）のエネルギーレベル
差を代表し、これはまた該素子のイオン電位（ｉｏｎｉ
ｚａｔｉｏｎ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を代表しうる。
表示図である。本発明の主要な構成素子中、Ｅｘｃはバ
キュームレベルとＸＣ素子伝導エネルギーレベル（Ｘは
４２〜４８素子の代表番号）のエネルギーレベル差を代
表し、これはまた該素子の電子親和力（ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ ａｆｆｉｎｉｔｉｅｓ）を代表しうる。Ｅｘｖはバ
キュームレベルとＸＶ素子価電子帯エネルギーレベル
（Ｘは４２〜４８素子の代表番号）のエネルギーレベル
差を代表し、これはまた該素子のイオン電位（ｉｏｎｉ
ｚａｔｉｏｎ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を代表しうる。
【００２０】図示されるように、電子親和力値（Ｅｘ
ｃ）が大きくなり且つ二つの素子間のエネルギーレベル
差が小さくなるほど、電子を注入しやすく、これによ
り、電力供給装置の印加バイアス電圧４２９が作用する
時、電子が容易にカソード４８のＥM2より電子伝送層４
６を通過し発光層４５に至り、且つ発光層４５の伝導帯
エネルギーレベルＥ5Cから正孔伝送層44の伝導帯エネル
ギーレベルＥ4Cのエネルギーレベル差が前者Ｅ6CからＥ
5Cより非常に大きいため、ゆえに電子が発光層４５を飛
び越えて正孔伝送層４４に至る確率は相対的に小さくな
り、これにより注入電子のほとんどが電子伝送層４６及
び発光層４５に保留される。
ｃ）が大きくなり且つ二つの素子間のエネルギーレベル
差が小さくなるほど、電子を注入しやすく、これによ
り、電力供給装置の印加バイアス電圧４２９が作用する
時、電子が容易にカソード４８のＥM2より電子伝送層４
６を通過し発光層４５に至り、且つ発光層４５の伝導帯
エネルギーレベルＥ5Cから正孔伝送層44の伝導帯エネル
ギーレベルＥ4Cのエネルギーレベル差が前者Ｅ6CからＥ
5Cより非常に大きいため、ゆえに電子が発光層４５を飛
び越えて正孔伝送層４４に至る確率は相対的に小さくな
り、これにより注入電子のほとんどが電子伝送層４６及
び発光層４５に保留される。
【００２１】一方で、アノード４２より正孔注入層４３
及び正孔伝送層４４に注入される正孔は価電子帯エネル
ギーレベルが順に下がる（ＥM1、Ｅ3V、Ｅ4V、Ｅ5V）こ
とにより、順調に発光層４５に至り保留される。このと
き、注入される電子及び正孔はこの発光層４５にあって
再結合してシングレット（ｓｉｎｇｌｅｔ）を発生し、
一部のシングレットが更に基態に戻る時にエネルギーを
釈放し、直接ＤＰＶＢｉ材質により青色光（Ｂ）を発射
し、一部のシングレットが釈放するエネルギーが転移さ
れ励起エネルギーレベル差（Ｅ55C、Ｅ55V）がＤＰＶＢ
ｉエネルギーレベル差（Ｅ5C、Ｅ5V）より小さい第１ド
ーパント（ＤＣＭ２）４５５に至り、並びに、並びにＤ
ＣＭ２に赤色光（Ｒ）を発射させる。
及び正孔伝送層４４に注入される正孔は価電子帯エネル
ギーレベルが順に下がる（ＥM1、Ｅ3V、Ｅ4V、Ｅ5V）こ
とにより、順調に発光層４５に至り保留される。このと
き、注入される電子及び正孔はこの発光層４５にあって
再結合してシングレット（ｓｉｎｇｌｅｔ）を発生し、
一部のシングレットが更に基態に戻る時にエネルギーを
釈放し、直接ＤＰＶＢｉ材質により青色光（Ｂ）を発射
し、一部のシングレットが釈放するエネルギーが転移さ
れ励起エネルギーレベル差（Ｅ55C、Ｅ55V）がＤＰＶＢ
ｉエネルギーレベル差（Ｅ5C、Ｅ5V）より小さい第１ド
ーパント（ＤＣＭ２）４５５に至り、並びに、並びにＤ
ＣＭ２に赤色光（Ｒ）を発射させる。
【００２２】このほか、正孔の移動速度は電子の移動速
度に較べて非常に遅いため、さらに一部の正孔が浸透等
の方式で電子伝送層４６中に注入され、並びに電子伝送
層４６に保留された電子と再結合プロセスを実行し、並
びにエネルギーレベル差の比較的低い第２ドーパント
（Ｃ6： Ｅ65C、Ｅ65V）を励起し緑色光（Ｇ）を投射
する。これにより、ＯＬＥＤ４０が独立三原色発光源の
駆動電圧を必要とせずに自分で３原色（ＲＧＢ）を発生
し、三波長の連続全波段白色光源とされる。
度に較べて非常に遅いため、さらに一部の正孔が浸透等
の方式で電子伝送層４６中に注入され、並びに電子伝送
層４６に保留された電子と再結合プロセスを実行し、並
びにエネルギーレベル差の比較的低い第２ドーパント
（Ｃ6： Ｅ65C、Ｅ65V）を励起し緑色光（Ｇ）を投射
する。これにより、ＯＬＥＤ４０が独立三原色発光源の
駆動電圧を必要とせずに自分で３原色（ＲＧＢ）を発生
し、三波長の連続全波段白色光源とされる。
【００２３】本発明の好ましい実施例の製造フロー及び
実験結果は以下のとおりである。 １．蒸着法或いはスパッタ法で、ＩＴＯアノード４２を
抵抗加熱法を透過し透明ガラス４１の表面に堆積させ、
その厚さは約１５０ｎｍである。 ２．周知の伝統的な洗浄法、例えばイソプロピルアルコ
ールで、５分間超音波洗浄し、純水で５分間洗浄し、イ
ソプロピルアルコールでさらに５分間洗浄した後、乾燥
窒素ガス或いは鈍化ガスを吹き込み、イソプロピルアル
コールを基板表面より除去し、最後に紫外線及び又はオ
ゾンの洗浄プロセスを行う。 ３．真空蒸着法により、真空室内を５×１０-6Ｔｏｒｒ
に設定した状況下で、ＣｕＰｃの正孔注入材質をアノー
ド４２上に設け、約１２０Åとし、正孔注入層４３とな
す。並びに正孔伝送層４４（ＮＰＢ）を正孔注入層４３
の上に約５００Å設ける。 ４．内部に第１ドーパンツ（ＤＣＭ２）４５５をドープ
した発光層４５（ＤＰＶＢｉ）を正孔伝送層４４表面に
約２０Åから１５０Å設ける。第１ドーパント（ＤＣＭ
２）４５５の発光層４５に対する容積比率は０．０４％
から０．０１％の範囲に設定する。 ５．内部に第２ドーパント（Ｃ6）４６５をドープした
電子伝送層４６（Ａｌｑ3）を発光層４５の上に、約５
０Å設ける。第２ドーパント（Ｃ6）４６５の電子伝送
層４６に対する容積比率は、０．０５％から０．２％の
範囲に設定される。 ６．Ａｌｑ3をさらに第１の電子伝送層４６の上表面に
約２００Å設け、第２の電子伝送層４７となし、被覆層
（ｃａｐ ｌａｙｅｒ）となし、上述の各ステップに使
用される堆積率は、この実施例では１Å／秒から５Å／
秒の範囲に設定される。 ７．さらに第２の電子伝送層４７の表面に蒸着或いはス
パッタ方式で電子注入層（ＬｉＦ）４８及び酸素ガス或
いは湿気破壊を隔離可能な有機物質のカソード（Ａｌ）
４９を形成し、その厚さはそれぞれ５Å及び２００Åに
設定される。
実験結果は以下のとおりである。 １．蒸着法或いはスパッタ法で、ＩＴＯアノード４２を
抵抗加熱法を透過し透明ガラス４１の表面に堆積させ、
その厚さは約１５０ｎｍである。 ２．周知の伝統的な洗浄法、例えばイソプロピルアルコ
ールで、５分間超音波洗浄し、純水で５分間洗浄し、イ
ソプロピルアルコールでさらに５分間洗浄した後、乾燥
窒素ガス或いは鈍化ガスを吹き込み、イソプロピルアル
コールを基板表面より除去し、最後に紫外線及び又はオ
ゾンの洗浄プロセスを行う。 ３．真空蒸着法により、真空室内を５×１０-6Ｔｏｒｒ
に設定した状況下で、ＣｕＰｃの正孔注入材質をアノー
ド４２上に設け、約１２０Åとし、正孔注入層４３とな
す。並びに正孔伝送層４４（ＮＰＢ）を正孔注入層４３
の上に約５００Å設ける。 ４．内部に第１ドーパンツ（ＤＣＭ２）４５５をドープ
した発光層４５（ＤＰＶＢｉ）を正孔伝送層４４表面に
約２０Åから１５０Å設ける。第１ドーパント（ＤＣＭ
２）４５５の発光層４５に対する容積比率は０．０４％
から０．０１％の範囲に設定する。 ５．内部に第２ドーパント（Ｃ6）４６５をドープした
電子伝送層４６（Ａｌｑ3）を発光層４５の上に、約５
０Å設ける。第２ドーパント（Ｃ6）４６５の電子伝送
層４６に対する容積比率は、０．０５％から０．２％の
範囲に設定される。 ６．Ａｌｑ3をさらに第１の電子伝送層４６の上表面に
約２００Å設け、第２の電子伝送層４７となし、被覆層
（ｃａｐ ｌａｙｅｒ）となし、上述の各ステップに使
用される堆積率は、この実施例では１Å／秒から５Å／
秒の範囲に設定される。 ７．さらに第２の電子伝送層４７の表面に蒸着或いはス
パッタ方式で電子注入層（ＬｉＦ）４８及び酸素ガス或
いは湿気破壊を隔離可能な有機物質のカソード（Ａｌ）
４９を形成し、その厚さはそれぞれ５Å及び２００Åに
設定される。
【００２４】上述の製造フローで製造したＯＬＥＤは、
三波長の全波段白色光を投射でき、且つその発光効率及
び色彩輝度方面でも本発明が先に掲げた理想及び目標を
達成できる。
三波長の全波段白色光を投射でき、且つその発光効率及
び色彩輝度方面でも本発明が先に掲げた理想及び目標を
達成できる。
【００２５】図６を参照されたい。これは本発明の波長
対発光強度の実験結果図である。図中あきらかに本発明
が三原色（ＲＧＢ）の明らかな波長ピーク値（５６０ｎ
ｍ、５１５ｎｍ、４５０ｎｍ）及び三波長の全波段色度
を有することが分かり、これにより良好な白色光源及び
フルカラー化ディスプレイの効果を獲得できる。
対発光強度の実験結果図である。図中あきらかに本発明
が三原色（ＲＧＢ）の明らかな波長ピーク値（５６０ｎ
ｍ、５１５ｎｍ、４５０ｎｍ）及び三波長の全波段色度
を有することが分かり、これにより良好な白色光源及び
フルカラー化ディスプレイの効果を獲得できる。
【００２６】このほか、本発明に記載の技術操作は各実
験結果中において、ＤＣＭ２が発光層（ＤＰＶＢｉ）４
５にあって、容積比率は三原色発光強度に対して莫大な
影響を有することが分かり、実験結果はＤＣＭ２の容積
比率が高くなるほど、青色光及び緑色光の投射強度の下
降幅がさらに明らかになることを示し、これにより、良
好な白色光純度を達成でき、即ち約０．０２５％が最も
好ましい。また、ＤＰＶＢｉの厚さが青色光投射強度と
正比例をなし、緑色光投射強度と反比例をなし、しかし
もし良好な白色光純度を得る必要があるなら、その厚さ
は約９０Åが最良である。
験結果中において、ＤＣＭ２が発光層（ＤＰＶＢｉ）４
５にあって、容積比率は三原色発光強度に対して莫大な
影響を有することが分かり、実験結果はＤＣＭ２の容積
比率が高くなるほど、青色光及び緑色光の投射強度の下
降幅がさらに明らかになることを示し、これにより、良
好な白色光純度を達成でき、即ち約０．０２５％が最も
好ましい。また、ＤＰＶＢｉの厚さが青色光投射強度と
正比例をなし、緑色光投射強度と反比例をなし、しかし
もし良好な白色光純度を得る必要があるなら、その厚さ
は約９０Åが最良である。
【００２７】最後に以下の実験データ比較表を参照され
たい。その最も主要であることは、ＤＰＶＢｉの厚さが
９０Åに設定され、且つＤＣＭ２の容積比率が０．０２
５％の時、検出されるその白色投射光が輝度１００ｃｄ
／ｍ2及び１０００ｃｄ／ｍ2の輝度座標値（ｃｈｒｏｍ
ａｔｉｃｉｔｙ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ）にあることで
ある。
たい。その最も主要であることは、ＤＰＶＢｉの厚さが
９０Åに設定され、且つＤＣＭ２の容積比率が０．０２
５％の時、検出されるその白色投射光が輝度１００ｃｄ
／ｍ2及び１０００ｃｄ／ｍ2の輝度座標値（ｃｈｒｏｍ
ａｔｉｃｉｔｙ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ）にあることで
ある。
【表１】
【００２８】以上の比較表から分かるように、ＤＣＭ２
の容積比率が０．０２５％に設定され、且つ厚さが９０
Åとされた状況下では（Ｘ＝０．３０，Ｙ＝０．３６）
の座標値が得られ、このような数値と〔Ｃｏｍｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ ｄｅ ｌ’Ｅ
ｃｌａｉｒａｇｅ １９３１〕の示す標準白色光座標値
（Ｘ＝０．３０，Ｙ＝０．３６）の座標値は同じか或い
は類似し、これにより本発明の好ましい実施例は確実に
完全な白色光源を得られることが分かる。
の容積比率が０．０２５％に設定され、且つ厚さが９０
Åとされた状況下では（Ｘ＝０．３０，Ｙ＝０．３６）
の座標値が得られ、このような数値と〔Ｃｏｍｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ ｄｅ ｌ’Ｅ
ｃｌａｉｒａｇｅ １９３１〕の示す標準白色光座標値
（Ｘ＝０．３０，Ｙ＝０．３６）の座標値は同じか或い
は類似し、これにより本発明の好ましい実施例は確実に
完全な白色光源を得られることが分かる。
【００２９】上述の数値は作業電圧が２．５Ｖの状況下
で得られ、もし作業電圧が９Ｖの状況では、その輝度は
８８００ｃｄ／ｍ2で最高の効率は５１ｍ／ｗである。
で得られ、もし作業電圧が９Ｖの状況では、その輝度は
８８００ｃｄ／ｍ2で最高の効率は５１ｍ／ｗである。
【００３０】
【発明の効果】総合すると、本発明は一種の有機発光装
置に係り、特に直接白色光投射可能な有機発光装置及び
その製造方法であり、直接三波長の連続全波段白色光を
獲得でき、且つ製造工程を簡素化し及び発光効率を高め
ることができる。ゆえに本発明は新規性、進歩性及び産
業上の利用価値を有し、特許の要件に符合する。なお、
本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いず
れも本発明の請求範囲に属するものとする。
置に係り、特に直接白色光投射可能な有機発光装置及び
その製造方法であり、直接三波長の連続全波段白色光を
獲得でき、且つ製造工程を簡素化し及び発光効率を高め
ることができる。ゆえに本発明は新規性、進歩性及び産
業上の利用価値を有し、特許の要件に符合する。なお、
本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いず
れも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図１】周知のＯＬＥＤの構造断面図である。
【図２】もう一種の周知のＯＬＥＤの各素子のエネルギ
ーレベル表示図である。
ーレベル表示図である。
【図３】さらにもう一種の周知のＯＬＥＤの斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明のＯＬＥＤの好ましい実施例の構造断面
図である。
図である。
【図５】本発明のＯＬＥＤの各素子のエネルギーレベル
表示図である。
表示図である。
【図６】本発明の波長対発光強度の実験対照図である。
１０ ＯＬＥＤ １１ 透明基板
１３ アノード １５ 正孔伝送層
１７ 発光層 １９ カソード
２２ アノード ２３ 正孔伝送層
２４ 電子伝送層 ２５ カソード
３０ 基板 ３２ アノード
３４ 絶縁隔離リブ ３６ 有機層
３７ カソード ３８ 絶縁リブ
３８５ 突出部 ４０ ＯＬＥＤ
４１ 基板 ４２ アノード
４２９ 印加バイアス電圧 ４３ 正孔注入層
４４ 正孔伝送層 ４５ 発光層
４５５ 第１ドーパント ４６ 電子伝送層
４６５ 第２ドーパント ４７ 被覆層
４８ 電子注入層 ４９ カソード
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｃ０９Ｋ 11/06
(72)発明者 莊 豐如
台湾新竹市竹光路78巷11弄23號
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB04 AB18 DB03 FA01
Claims (21)
- 【請求項１】 白色光投射可能な有機発光装置におい
て、 アノードと、 該アノードの上に形成された少なくとも一つの正孔伝送
層と、 該正孔伝送層の上に形成され、第１ドーパントがドープ
された少なくとも一つの発光層と、 該発光層の上に形成され、第２ドーパントがドープされ
た少なくとも一つの電子伝送層と、 該電子伝送層の上に設けられ、バイアス電圧が印加され
る時、第１ドーパントに第１光を投射させ、第２ドーパ
ントに第２光を投射させ、該発光層に第３光を投射させ
る、カソードと、 を具えたことを特徴とする、白色光投射可能な有機発光
装置。 - 【請求項２】 前記第２光と第３光の投射強度が第１ド
ーパント対発光層の容積比率と反比例をなすことを特徴
とする、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装
置。 - 【請求項３】 前記第１ドーパントの発光層に対する容
積比率範囲が０．０４％から０．０１％とされたことを
特徴とする、請求項２に記載の白色光投射可能な有機発
光装置。 - 【請求項４】 前記第１ドーパントの発光層に対する容
積比率範囲が０．０２５％とされたことを特徴とする、
請求項３に記載の白色光投射可能な有機発光装置。 - 【請求項５】 前記第３光の投射強度と発光層の厚さが
正比例をなし、第２光の投射強度が該発光層の厚さと反
比例をなすことを特徴とする、請求項１に記載の白色光
投射可能な有機発光装置。 - 【請求項６】 前記発光層の厚さが２０Åから１５０Å
とされたことを特徴とする、請求項１に記載の白色光投
射可能な有機発光装置。 - 【請求項７】 前記第１光が赤色光とされ、第２光が緑
色光とされ、第３光が青色光とされたことを特徴とす
る、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置。 - 【請求項８】 前記第１ドーパントが蛍光物質、りん光
物質及びその組合せのいずれかとされたことを特徴とす
る、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装置。 - 【請求項９】 前記蛍光物質が、ＤＣＭ２、ＤＣＭ１、
ＤＣＪＴＢ、Ｃｏｕｍａｒｉｎ ５４５Ｔ、Ｐｅｒｙｌ
ｅｎｅ及びそれらを任意に組み合わせたもののいずれか
とされることを特徴とする、請求項８に記載の白色光投
射可能な有機発光装置。 - 【請求項１０】 前記第２ドーパントが蛍光物質、りん
光物質及びその組合せのいずれかとされたことを特徴と
する、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光装
置。 - 【請求項１１】 前記蛍光物質がＣ6とされたことを特
徴とする、請求項１０に記載の白色光投射可能な有機発
光装置。 - 【請求項１２】 前記第２ドーパントの電子伝送層に対
する容積比率が０．０５％から０．２％とされたことを
特徴とする、請求項１０に記載の白色光投射可能な有機
発光装置。 - 【請求項１３】 前記発光層がＤＰＶＢｉ、Ｂａｌｑ、
ＰＶＫ、Ｚｎ（ＯＤＺ）２及びそれらを任意に組み合わ
せたもののいずれかとされたことを特徴とする、請求項
１に記載の白色光投射可能な有機発光装置。 - 【請求項１４】 前記アノードと正孔伝送層間に正孔注
入層を具えたことを特徴とする、請求項１に記載の白色
光投射可能な有機発光装置。 - 【請求項１５】 前記電子伝送層とカソードの間に被覆
層として用いられる第２の電子伝送層を具えたことを特
徴とする、請求項１に記載の白色光投射可能な有機発光
装置。 - 【請求項１６】 前記電子伝送層とカソードの間に電子
注入層を具えたことを特徴とする、請求項１に記載の白
色光投射可能な有機発光装置。 - 【請求項１７】 前記アノードの底縁に透明基板が設け
られ、該透明基板がガラス及びプラスチックのいずれか
とされたことを特徴とする、請求項１に記載の白色光投
射可能な有機発光装置。 - 【請求項１８】 白色光投射可能な有機発光装置の製造
方法において、相互に対応するアノードとカソード間
に、正孔伝送層、発光層及び電子伝送層を設け、該発光
層内に第１ドーパントをドープし、該電子伝送層内に第
２ドーパントをドープし、カソード及びアノードが印加
バイアス電圧作用を受ける時、該発光層、第１ドーパン
ト及び第２ドーパントがそれぞれ第３光、第１光、第２
光を投射するようにし、並びに第１光、第２光及び第３
光の組合せにより直接白色光を得られるようにすること
を特徴とする、白色光投射可能な有機発光装置の製造方
法。 - 【請求項１９】 前記発光層が青色光を投射できるＤＰ
ＶＢｉとされ、第１ドーパントが赤色光を投射できるＤ
ＣＭ２とされ、第２ドーパントが緑色光を投射できるＣ
6とされたことを特徴とする、請求項１８に記載の白色
光投射可能な有機発光装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記ＤＣＭ２のＤＰＶＢｉに対する容
積比率の大きさにより、青色光及び緑色光の投射強度を
制御できることを特徴とする、請求項１９に記載の白色
光投射可能な有機発光装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記発光層の厚さの変化により第３光
及び第２光の投射強度を制御し、発光層の厚さが大きく
なるほど、第３光投射強度が強くなり、第２光投射強度
が相対的に弱くなることを特徴とする、請求項１８に記
載の白色光投射可能な有機発光装置の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090125754A TW519852B (en) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | Organic light emitting device capable of projecting white light source and its manufacturing method |
| CN01136196.4A CN1271464C (zh) | 2001-10-18 | 2001-11-23 | 可发射白色光源的有机发光装置及其制作方法 |
| US09/993,682 US6759145B2 (en) | 2001-10-18 | 2001-11-27 | White light emitting organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
| JP2001378221A JP2003187978A (ja) | 2001-10-18 | 2001-12-12 | 白色光投射可能な有機発光装置及びその製造方法 |
| DE10206981A DE10206981B4 (de) | 2001-10-18 | 2002-02-20 | Weißes Licht emittierende organische Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090125754A TW519852B (en) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | Organic light emitting device capable of projecting white light source and its manufacturing method |
| CN01136196.4A CN1271464C (zh) | 2001-10-18 | 2001-11-23 | 可发射白色光源的有机发光装置及其制作方法 |
| US09/993,682 US6759145B2 (en) | 2001-10-18 | 2001-11-27 | White light emitting organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
| JP2001378221A JP2003187978A (ja) | 2001-10-18 | 2001-12-12 | 白色光投射可能な有機発光装置及びその製造方法 |
| DE10206981A DE10206981B4 (de) | 2001-10-18 | 2002-02-20 | Weißes Licht emittierende organische Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003187978A true JP2003187978A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=32777240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001378221A Pending JP2003187978A (ja) | 2001-10-18 | 2001-12-12 | 白色光投射可能な有機発光装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6759145B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003187978A (ja) |
| CN (1) | CN1271464C (ja) |
| DE (1) | DE10206981B4 (ja) |
| TW (1) | TW519852B (ja) |
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-
2001
- 2001-10-18 TW TW090125754A patent/TW519852B/zh active
- 2001-11-23 CN CN01136196.4A patent/CN1271464C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-27 US US09/993,682 patent/US6759145B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-12 JP JP2001378221A patent/JP2003187978A/ja active Pending
-
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- 2002-02-20 DE DE10206981A patent/DE10206981B4/de not_active Expired - Fee Related
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| US8436346B2 (en) | 2006-11-30 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device employing the same |
| KR100866359B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2008-10-31 | 한국생산기술연구원 | 백색 유기 발광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10206981A1 (de) | 2003-08-28 |
| US6759145B2 (en) | 2004-07-06 |
| CN1271464C (zh) | 2006-08-23 |
| CN1352407A (zh) | 2002-06-05 |
| DE10206981B4 (de) | 2006-06-01 |
| TW519852B (en) | 2003-02-01 |
| US20030099860A1 (en) | 2003-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050330 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050906 |