KR100592747B1 - 유기 전계 발광 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 3 파장 발광 특징을 갖는 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다. 이 유기 전계 발광 디바이스에서는 홀 수송층, 전자 차단층, 제1 호스트 재료층, 제2 호스트 재료층, 홀 차단층 및 전자 수송층이 애노드와 캐소드 사이에 이어서 배치된다. 이 배치에 있어서, 제1 호스트 재료층은 혼입된 제1 게스트 발광 물질을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제1 컬러 광원(B)을 투사하고, 제2 호스트 재료층은 혼입된 제2 발광 게스트 발광 물질과 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 제2 컬러 광원(G) 및 제3 컬러 광원(R)을 각각 투사하며, 상기 제2 게스트 발광 물질 또는 상기 제3 게스트 발광 물질은 인광 물질일 수 있다. 따라서, 3 파장을 특징으로 하는 연속적인 전(全)대역, 전(全)컬러의 광원을 RGB 컬러의 조합에 의해 직접 취득할 수 있을 뿐만 아니라, 인광 재료를 효율적으로 사용할 수 있으며, 그에 따라 매우 향상된 발광 효율을 얻을 수 있다.

Description

유기 전계 발광 디바이스 및 그 제조 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCNET DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
도 1은 종래의 유기 전계 발광 디바이스의 구조 단면도.
도 2는 다른 종래의 유기 전계 발광 디바이스의 구조 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 종래의 유기 전계 발광 디바이스의 스펙트럼 다이어그램.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 디바이스의 구조 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4에 도시된 유기 전계 발광 디바이스의 스펙트럼 다이어그램.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 유기 전계 발광 디바이스(OLED)
11 : 광투명 기판
13 : 애노드
15 : 홀 수송층
17 : 발광층
19 : 캐소드
21 : 기판
23 : 애노드
25 : 홀 수송층
26 : 발광층
261 : 제1 발광층
261 : 제2 발광층
27 : 전자 수송층
28 : 여기자(exciton) 차단층
29 : 캐소드
295 : 보호층
30 : 유기 전계 발광 디바이스(OLED)
31 : 기판
33 : 제1 도전층
35 : 홀 수송층(제1 캐리어 차단층)
37 : 제2 캐리어 수송층
39 : 캐소드(제2 도전층)
41 : 제1 호스트 재료층
43 : 제2 호스트 재료층
45 : 제1 캐리어 차단층
47 : 제2 캐리어 차단층
53 : 제1 캐리어 주입층
57 : 제2 캐리어 주입층
본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이고, 특히 3 파장으로 백색광이 방출되는 특징을 갖는 유기 전계 발광(EL: Electroluminescent) 디바이스 및 이를 생산하는 방법에 관한 것이다.
Kodak Company의 C.W. Tang 및 S. A. VanSlyke가 1987년에 제시한 유기 전계 발광 디바이스(OLED; Organic ElectroLuminescent Device)는, 홀(hole) 수송 물질 및 전자 수송 물질(예컨대 Alq3)을 광-투명 인듐-주석 산화물(ITO) 유리상에 각각 증착시킨 후 금속 전극을 기상 증착시키는 진공 기상 증착 방법에 의해 제조되어 OLED 디바이스를 형성하게 되는 바, 이 디바이스는 자기 발광, 빠른 응답 속도, 경량, 얇은 두께, 낮은 전력 소모, 큰 시야각, 고휘도 및 완전한 색채 표현 등의 특징을 갖는다. 이후 OLED는 환경 보호 및 에너지 절약의 두 기능을 모두 고려하는 이상적인 상태의 조명을 달성하기 위해, 모니터 업계에서 또는 모든 서클(circle)로 백색광을 투사하는 데 인기 제품으로 간주되어 왔다.
도 1을 참조하자면, 동 도면에는 미국 Eastman Kodak Company의 1998년에 개시된 발명의 명칭이 "ELECTROLUMINESCENT DEVICE WITH MODIFIED THIN FILM LUMINESCENT ZONE"인 미국 특허 제4,769,292호에 기술된 바 있는 종래 OLED의 구조 단면도가 도시되어 있다. OLED(10)은 본질적으로 투명 기판(11) 상에 투명 도전 애노드(anode)(ITO)(13)를 증착함으로써 형성되며, 금속 캐소드(cathode)(19)뿐 아니라 홀 수송층(HTL)(15), 방출층(EML)(17)가 다시 ITO 애노드(13)상에 형성될 수 있다. 또한 형광 물질(도시하지 않음)을 방출층(17)에 도핑(doping)시킨다. 외부 바이어스 전압을 애노드(13) 및 캐소드(19)에 인가함에 따라, 홀이 애노드(13)로부터 홀 수송층(15)을 통해 방출층(17)으로 전달될 수 있고 전자 또한 마찬가지로 캐소드(19)로부터 방출층(17)으로 전달될 수 있다. 재결합에 의해 방출층(17)에 있는 전자 및 홀로부터 여기자(exciton)가 생성될 수 있다. 일단 에너지가 방출되고 여기자가 자신의 바닥 상태로 돌아가면, 방출층(17) 내에서 빛이 스스로 방출되거나, 또는 도핑된 형광 물질이 그 후에 여기 상태로 여기됨에 따라 미리 지정된 파장 영역을 갖는 광원이 투사된다.
투사 광원은 전술한 제1 종래의 OLED 구조 및 기술을 통해 획득할 수 있으나, 단색광만이 투사될 수 있으며, 최종 목적인 풀 컬러 백색광의 투사는 달성될 수 없다.
또한, 유기 전계 발광 디바이스는 단일 형광 및 삼중 인광(triplet phosphorescence)을 포함하는 2가지 유형으로 나타낼 수 있으며, 종래의 유기 전계 발광 디바이스에서 대부분의 게스트 발광 물질은 후자를 무시하고 전자의 형광 염료 물질을 이용하도록 구성될 수 있으며, 이는 삼중 인광의 여기자가 복사 방출될 수 없고, 이의 발광이 느릴 뿐만 아니라 불충분하며, 도전성 호스트 물질층으로부터 게스트 발광 물질로 발생되는 삼중 에너지 전달이 단일 에너지 전달보다 느리며, 삼중 인광의 발광 효율이 고밀도 전류 하에서 급속하게 감소될 수 있다는 물리적 특성에 기인한다. 그러나, 모든 여기자에 있어, 에너지의 75%는 삼중으로 공급되며, 단지 25%만이 단일 공급된다. 이는 총 발광 효율에 상당한 영향을 미칠 만큼 에너지의 대부분, 즉 전자의 에너지가 무시된다는 것을 의미한다.
삼중 인광 물질을 이용하기 위해서, 예컨대 발명의 명칭이 "INTERSYSTEM CROSSING AGENTS FOR EFFICIENT UTILIZATION OF EXCITONS IN ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES"(Princeton University and University of Southern California)인 미국 특허 제6,310,360호와 같은 제2 종래의 유기 전계 발광 디바이스가 개발되었다. 도 2에 도시된 바와 같이, 그 필수적 구조는, 유리 기판(21) 상에서 성장된, ITO 애노드(23), TPD 홀 수송층(HTL)(25), CBP 방출층(EMP)(26), BCP 여기자 차단층(28), Alq3 전자 수송층(ETL)(27), 캐소드(29) 및 보호층(295)을 차례로 포함하며, 방출층(26)은 DCM(2)(형광 물질)로 도핑된 제1 방출층(261)과 Ir(PPy)(인 물질)3로 도핑된 제2 방출층(262)을 포함하며, 이들 두 층은 연속 적층되어 인터레이스(interlace) 층을 형성할 수 있다. 외부 바이어스 전압이 애노드(23)와 캐소드(29) 사이에 인가되면, Ir(PPy)3은 단일 및 삼중을 교차시켜서 보다 많은 양의 삼중 여기자(exciton) 에너지가 단일 여기자 에너지로 전이되도록 하는 시스템 상호간 교차제(intersystem crossing agent)로서 기능할 것이며, 따라서 삼중의 비소모(non-wasting) 및 총 발광 효율의 효율적 증대라는 목적을 얻을 수 있다.
삼중 여기자(triplet exciton)를 효율적으로 이용하고 발광 효율(luminescence efficiency)을 효율적으로 상승시키기 위한 성능은 전술한 특허 문헌의 기술에서 실현될 수 있다. 그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 2 개의 파장 으로 이루어진 투사 광원(Projection Light Source)은 본질적으로 Ir(PPy)3에 의해 발생된 녹색광과 DCM(2)에 의해 발생된 적색광을 포함한다. 즉, 투사 광원은 2 개의 파장에 의해 형성된 스펙트럼도이다. 전술한 바와 같이, 백색 광원이나 또는 풀컬러(full color) 제품의 요구 조건이 필요한 경우라면, 비연속 광원 뿐만 아니라 색 불균일성(light color uneveness)이나 색 편차 현상(color bias phenomenon)(녹색 바이어스 또는 적색 바이어스)이 발생하기 쉽게 됨에 따라서 백색 광원이나 또는 풀컬러 제품을 선택하는 데는 적합하지 않다고 하는 문제점이 있었다.
더욱이, 상기 백색 광원 및 풀컬러성에 대해 OLED를 적용하는 최종의 목적을 실현하기 위해서 이 기술 분야에서 현재 이용하고 있는 3 가지 방법으로는 다음과 같이 색 변환, 색 필터 막, RGB 독립 발광법이 있다. 그러나, 전술한 방법에 의해서는 각각 색 불균일성이나 색 바이어스 현상에 의해 백색 광원을 구하고 발광 효율을 상승시키는 방법에 어려움이 있고, 적색 광원으로부터 순수색(pure color)을 얻는 데에도 어려움이 있으며, 또한 짧은 서비스 수명을 제공하게 되는 단점이 있다. 특히, 이들 3 가지 방법 모두는 2 파장의 발광 방법과 관련이 있고, 그에 따라서 백색 광원 및 풀컬러 제품의 요구 조건에는 적합하지 않게 된다.
그 때문에, 전술한 종래의 유기 전계 발광 디바이스의 문제점 및 결점을 해결하기 위해서, 풀컬러 광원의 최상의 분포를 실현함과 아울러, 백색 광원 및 풀컬러의 최종 목적을 손쉽게 달성하기 위한 3 파장 투사 광원을 제안하고 있다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 3 파장 투사 광원에 의해 백색광 및 풀컬러성 의 최종 제품 요구 조건을 손쉽게 실현하기 위해서 최상의 균일한 색 분포를 얻을 수 있는 유기 전계 발광 디바이스를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 목적은 장시간동안 백색 광원이나 또는 풀컬러 제품의 생산에 관해서 결점을 해결할 수 있는 유기 전계 발광 디바이스를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 호스트 물질을 게스트 발광 물질과 함께 협력시킴으로써 발광 효율 및 서비스 수명을 효율적으로 상승시키기 위한 유기 전계 발광 디바이스를 제공하는 데 있다.
삭제
삼중 여기자를 소모시키지 않을 뿐만 아니라 최상위 비율로 삼중 여기자를 효율적으로 이용하는 것에 의해 발광 효율을 상승시키기 위한 유기 전계 발광 디바이스를 제공하는 데 있다.
우선, 도 4를 참조하면, 도 4에는 본 발명의 일 실시예에 따른 구조 단면도가 도시된다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스(30)는 기상 증착, 스퍼터링 증착 등에 의해 광 투명 기판(31)의 최상부 측 상에 제1 도전층 (33 : 예를 들면, 애노드)을 형성하는 단계를 필수적으로 포함하고, 그 후에, 그 애노드(33)의 최상부 측상에는 홀 주입층(53)(HIL ; 제1 캐리어 주입층), 홀 수송층 (35)(HTL : 제1 캐리어 수송층) 및 처리될 제2 캐리어(전자)를 차단하는 전자 차단층(47)이 차례로 형성될 수 있다. 그 전자 차단층(47)의 최상부 측상에는 제1 호스트 재료층(41 : 호스트 1) 및 제2 호스트 재료층(43 : 호스트 2)이 차례로 더 형성될 수 있고, 제2 호스트 재료층(43)의 최상부 측이, 처리될 홀(제1 캐리어)를 차단하는 홀 차단층(45)와 전자 수송층(37)(ETL ; 제2 캐리어 수송층), 전자 주입층(57)(EIL ; 제2 캐리어 주입층) 및 캐소드(39)로 더 형성될 수 있다.
캐소드(39)로부터 생성된 전자는 전자 차단층(47)에 의해 홀 수송층(35)의 최상부 측 상에서 차단될 수 있다. 즉, 그 전자들은 호스트 2(43) 및 호스트 1(41) 내에서 제한되고, 더욱이, 애노드(33)로부터 생성된 홀들은 홀 차단층(45)에 의해 전자 수송층(37)의 바닥측에서 차단될 수 있다. 다시 말하면, 그 홀들은 호스트 1(41) 및 호스트 2(43) 내에서 균일하게 제한된다. 대부분의 전자 및 홀들이 호스트 1 및 호스트 2의 영역 내로 이끌리고 제한된다. 전자-홀 쌍의 재결합은 상대적으로 높은 확률을 갖는 개별 호스트 재료 내에서 발생하고, 이에 따라, 각 호스트 재료층의 발광 효율이 효과적으로 증대될 수 있다.
제1 게스트 발광 물질(게스트 1)이 제1 호스트 재료층(41)에 혼입되고, 대응하는 제2 발광 물질(게스트 2) 및 제3 발광 물질(게스트 3)이 제2 호스트 재료층(43)에 혼입된다. 이들 게스트 발광 물질은 모두 형광 물질, 인광 물질 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되고, 여기 에너지를 방출하기 위하여 홀에 전자를 재결합시킬 때, 대응적으로 다른 색상의 빛을 투사하기 위하여 대응적으로 조절되어야 할 필요가 있다. 이 실시예에서, 예컨대 청색광(B)은 게스트 1에 의해서 투사될 수 있고, 녹색광(G)은 게스트 2에 의해서 투사될 수 있고, 적색광(R)은 게스트 3에 의해서 투사될 수 있다. 이 경우 3-대역의 RGB 색상이 생성되고, 그 후 백색광원 또는 전체 색상 제품으로 전체-대역 연속 스펙트럼을 형성하도록 조합된다. 비교적 간단한 제조 공정 뿐만 아니라 효과적으로 증가된 발광 효력이 얻어질 수 있다.
우선, 홀 수송층(35)의 최상부 측에 게스트 2와 게스트 3이 혼입된 제2 호스트 재료층(43)을 형성하고, 이어서 제2 호스트 재료층(43)의 최상부 측에 게스트 1이 혼입된 제1 호스트 재료층(41)을 형성하는 것도 물론 가능하다. 그렇게 했을 때, 외부 바이어스 전압이 인가되는 경우 3 파장 투사 광원이 달성될 수 있도록, 제2색 광원, 제3색 광원 및 제1색 광원이 동등하게 연속적으로 생성된다. 따라서, 호스트 1과 호스트 2 사이의 업/다운 순서는 절대적인 것이 아니고, 필요한 에너지 레벨 사이의 조절일 뿐이다.
또한, 본 발명의 실험 결과에서 기본적으로 예컨대 인듐-주석 산화물(ITO)과 같은 광투명 도전 물질로 구성된 애노드(33)가 기상 증착 또는 스퍼터링 증착 등에 의해서 유리, 수정 또는 플라스틱으로 제조된 광투명 기판(31) 상에 형성되어 있다. 이어서, ITO(33)의 최상부면 상에 차례로 CuPc로 구성된 홀 주입층(HIL; 53), NPB로 구성된 홀 수송층(HTL; 35), LiF로 구성된 전자 차단층(47), DPVBi로 구성된 제1 호스트 재료층(41), CBP로 구성된 제2 호스트 재료층(43), BCP로 구성된 홀 차단층(45), Alq3으로 구성된 전자 수송층(ETL; 37), LiF로 구성된 전자 주입층(EIL; 57), 및 도전 재료로 구성된 캐소드(39)가 형성될 수 있다.
청색광을 투사하는데 사용하는 적어도 하나의 DSA가 제1 호스트 재료층(41)의 DPVBi에 혼입될 수 있고, 녹색광을 투사하는데 사용하는 적어도 하나의 Ir(PPy) 3이 적색광을 투과하는데 사용되는 DCM2와 함께 제2 호스트 재료층(43)의 CBP에 혼입될 수 있다.
전술한 호스트 재료층(호스트)의 에너지 레벨에 대한 구성에 있어서, 홀 차단층(45) 및 전자 차단층(47)의 차단 효과에 의해 DPVBi(41) 및 CBP(43)의 영역 내에 제한된 전자-홀 쌍은 일반적으로 각 호스트 재료층(41, 43)에 분포될 것이다. 외부 바이어스를 인가하면, RGB 컬러를 갖는 광원은 완전한 3 파장 투사 광원 시스템을 형성하도록 투사 가능하고, 도 5에 도시한 바와 같이 풀 대역 백색 광원 또는 풀 컬러 제품을 얻을 수 있어야 한다.
추가로, 이 실시예에 있어서, 인광 물질 Ir(PPy)3은 RGB 컬러 시스템에서 녹색광을 투사하는 게스트 2에 이용된다. 3중 여기자의 상당 비율을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 발광 효율을 크게 증가시킬 수 있다.
게다가, 재료 선택의 관점에 있어서, 적색광을 삼중으로 방출할 수 있는 PtOEP와 같은 제1 인광 물질을 게스트 1로서 선택할 수 있고, 청색광을 단일로 투사할 수 있는 DSA와 같은 제2 형광 물질을 게스트 2로서 선택할 수 있으며, 녹색광을 단일로 투사할 수 있는 C6과 같은 제3 형광 물질을 게스트 3으로서 선택할 수 있다. 이와 달리, 녹색광을 삼중으로 방출할 수 있는 Ir(PPy)3과 같은 제1 인광 물질을 게스트 1로서 선택할 수 있고, 청색광을 단일로 투사할 수 있는 DSA와 같은 제2 형광 물질을 게스트 2로서 선택할 수 있으며, 적색광을 삼중으로 투사할 수 있는 PtOEP와 같은 제3 형광 물질을 게스트 3으로서 선택할 수 있다. 이와 달리, 청색광을 단일로 투사할 수 있는 DSA와 같은 제1 형광 물질을 게스트 1로서 선택할 수 있고, 녹색광을 삼중으로 투사할 수 있는 Ir(PPy)3과 같은 제2 인광 물질을 게스트 2로서 선택할 수 있으며, 적색광을 삼중으로 투사할 수 있는 PtOEP와 같은 제3 인광 물질을 게스트 3으로서 선택할 수 있다. 이와 같이, 외부 바이어스를 인가할 때 3 파장 RGB 컬러, 즉 적색광, 청색광 및 녹색광을 각각 투사하는 목적을 동일하게 성취할 수 있다.
물론 상기 실시예에 있어서, 각 층의 재료를 다양하게 선택할 수도 있다. 참고로 후술하는 특허에 개시되어 있는 재료도 적용 가능하다. 이를테면, 미국 특허 제5,294,870호에는 ETL층 또는 HTL층의 재료가 개시되어 있고, 미국 특허 제5,061,569호 및 제5,256,945호에는 HTL층의 재료가 개시되어 있고, 미국 특허 제4,539,507호 및 제5,886,464호에는 ETL층의 재료가 개시되어 있고, 미국 특허 제3,935,031호 및 제4,356,429호에는 HIL층의 재료가 재시되어 있고, 미국 특허 제5,773,929호에는 애노드의 재료가 개시되어 있으며, 미국 특허 제4,539,507호에는 EIL층의 재료가 개시되어 있다.
요컨대, 본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이며, 구체적으로는 3 파장 발광을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스와 그 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 3 파장을 특징으로 하는 연속적인 전(全)대역, 전(全)색상의 광원을 바로 취득할 수 있을 뿐만 아니라, 인광 물질을 효율적으로 사용할 수 있으며, 그에 따라 매우 향상된 발광 효율을 얻을 수 있다.
전술한 내용은 단지 본 발명의 일 실시예일 뿐이며, 제한적인 것으로서 간주 되어서는 안된다. 첨부하는 특허청구범위에 따른 프로세스, 방법, 특징 및 기술 사상에 있어서의 모든 등가의 변경 및 변형 실시예를 본 발명의 범위로부터 어떤 식으로도 벗어나지 않으면서 실행할 수 있다.

Claims (32)

  1. 제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과;
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제1 게스트 발광 물질(guest luminous substance)을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제1 컬러 광원을 투사하는, 제1 호스트 재료(host material)층과;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제2 게스트 발광 물질 및 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제2 컬러 광원 및 제3 컬러 광원을 투사하는, 제2 호스트 재료층과;
    제2 도전 타입을 가지며 상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제2 도전층
    을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  2. 제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과;
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되는 제2 캐리어 차단층과;
    상기 제2 캐리어 차단층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제1 게스트 발광 물질을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제1 컬러 광원을 투사하는, 제1 호스트 재료층과;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제2 게스트 발광 물질 및 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제2 컬러 광원 및 제3 컬러 광원을 투사하는, 제2 호스트 재료층과;
    제2 도전 타입을 가지며 상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제2 도전층
    을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  3. 제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과;
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제1 게스트 발광 물질을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제1 컬러 광원을 투사하는 제1 호스트 재료층과;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제2 게스트 발광 물질 및 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제2 컬러 광원 및 제3 컬러 광원을 투사하는 제2 호스트 재료층과;
    상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제1 캐리어 차단층과;
    제2 도전 타입을 가지며 상기 제1 캐리어 차단층의 최상부 측에 배치되는 제2 도전층
    을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 호스트 재료층은 DPVBi층이고, 상기 제2 호스트 재료층은 CBP층인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 호스트 재료층은 DPVBi층이고, 상기 제1 게스트 발광 물질은 DSA인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제2 호스트 재료층은 CBP층이고 상기 제2 게스트 발광 물질은 Ir(PPy)3이며, 상기 제3 게스트 발광 물질은 DCM2인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제1 게스트 발광 물질은 형광 물질, 인광 물질, 또는 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제2 게스트 발광 물질은 형광 물질, 인광 물질, 또는 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  9. 제3항에 있어서, 상기 제3 게스트 발광 물질은 형광 물질, 인광 물질, 또는 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  10. 제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과;
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되는 제2 캐리어 차단층과;
    상기 제2 캐리어 차단층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제1 게스트 발광 물질을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제1 컬러 광원을 투사하는 제1 호스트 재료층과;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제2 게스트 발광 물질 및 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향 하에서 제2 컬러 광원 및 제3 컬러 광원을 투사하는 제2 호스트 재료층과;
    상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제1 캐리어 차단층과;
    제2 도전 타입을 가지며 상기 제1 캐리어 차단층의 상측에 배치되는 제2 도전층
    을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  11. 유기 전계 발광(EL) 디바이스로서,
    제1 도전 타입의 제1 도전층과,
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제2 게스트 발광 물질과 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향하에서 제2 컬러 광원과 제3 컬러 광원을 투사하는 제2 호스트 재료층과,
    상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제1 게스트 발광 물질을 보유하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향하에 제1 컬러 광원을 투사하는 제1 호스트 재료층과,
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되며, 제2 도전 타입을 갖는 제2 도전층
    을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  12. 유기 전계 발광(EL) 디바이스로서,
    제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과,
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되는 제1 캐리어 수송층과,
    상기 제 1 캐리어 수송층의 최상부 측에 배치되는 제2 캐리어 차단층과;
    상기 제2 캐리어 차단층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제2 게스트 발광 물질과 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에 제2 컬러 광원과 제3 컬러 광원을 투사하는, 제2 호스트 재료층과,
    상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제1 게스트 발광 물질을 보유하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향하에 제1 컬러 광원을 투사하는, 제1 호스트 재료층과,
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제1 캐리어 차단층과,
    상기 제1 캐리어 차단층의 최상부 측에 배치되며 제2 도전 타입을 갖는 제2 도전층
    을 포함하는, 유기 전계 발광 디바이스.
  13. 유기 전계 발광(EL) 디바이스로서,
    애노드와,
    상기 애노드의 최상부 측에 배치되는 홀 수송층과,
    상기 홀 수송층의 최상부 측에 배치되는 전자 차단층과,
    상기 전자 차단층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제1 게스트 발광 물질을 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에 제1 컬러 광원을 투사하는, 제1 호스트 재료층과,
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제2 게스트 발광 물질과 제3 게스트 발광 물질을 보유하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향하에 제2 컬러 광원 및 제3 컬러 광원을 투사하는 제2 호스트 재료층과,
    상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 홀 차단층과,
    상기 홀 차단층의 최상부 측에 배치되는 전자 수송층과,
    상기 전자 수송층의 최상부 측에 배치되는 캐소드
    를 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  14. 제13항에 있어서, 상기 애노드의 바닥측은 추가로 광투명 기판과 함께 배치되는 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 컬러 광원은 청색이며, 상기 제2 컬러 광원은 녹색이고, 상기 제3 컬러 광원은 적색인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 게스트 발광 물질, 상기 제2 게스트 발광 물질 및 상기 제3 게스트 발광 물질은 형광 물질, 인광 물질, 또는 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  17. 제13항에 있어서, 상기 홀 차단층은 BCP층인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  18. 제13항에 있어서, 상기 전자 차단층은 LiF층인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  19. 유기 전계 발광(EL) 디바이스로서,
    광투명 기판과,
    상기 광투명 기판의 최상부 측에 놓인 애노드와,
    상기 애노드의 최상부 측에 배치되는 홀 주입층과,
    상기 홀 주입층의 최상부 측에 배치되는 홀 수송층과,
    상기 홀 수송층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 DSA를 보유하여 외부 바이어스 전압의 영향 하에 청색 광원을 투사하는 DPVBi층과,
    상기 DPVBi층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 Ir(PPy)3과 DCM2를 구비하여 상기 외부 바이어스 전압의 영향 하에 녹색 광원과 적색 광원을 투사하는 CBP층과,
    상기 CBP층의 최상부 측에 배치되는 전자 수송층과,
    상기 전자 수송층의 최상부 측에 배치되는 전자 주입층과,
    상기 전자 주입층의 최상부 측에 배치되는 캐소드
    를 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  20. 제19항에 있어서, 상기 홀 주입층은 CuPc층인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  21. 제19항에 있어서, 상기 전자 주입층은 Alq 층인 것인 유기 전계 발광 디바이스.
  22. 유기 전계 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법으로,
    제1 도전층의 최상부 측 상에 제1 호스트 재료층을 형성하는 단계로서, 상기 제1 호스트 재료층에는 제1 발광 물질이 혼입되는, 제1 호스트 재료층 형성 단계와;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측 상에 제2 호스트 재료층을 형성하는 단계로서, 상기 제2 호스트 재료층에는 제2 게스트 발광 물질과 제3 게스트 발광 물질이 혼입되는, 제2 호스트 재료층 형성 단계와;
    상기 제2 호스트 재료층의 최상부측 상에 제2 도전층을 형성하고, 상기 제1 게스트 발광 물질에서 투사된 제1 컬러 광원과, 상기 제2 게스트 발광 물질로부터 투사된 제2 컬러 광원과, 상기 제3 게스트 발광 물질로부터 투사된 제3 컬러 광원을 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 인가된 외부 바이어스 전압의 영향 하에 형성하는 단계
    를 포함하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제1 도전층의 최상부측 상에 전자 차단층을 형성하고, 그 후에 상기 전자 차단층의 최상부 측 상에 상기 제1 호스트 재료층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측 상에 홀 차단층을 형성하고, 그 후에 상기 홀 차단층의 최상부 측 상에 상기 제2 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 제1 도전층의 최상부 측 상에 홀 수송층을 형성하고, 그 후에 상기 홀 수송층의 최상부 측 상에 상기 제1 호스트 재료층, 상기 제2 호스트 재료층, 및 상기 제2 도전층을 차례로 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
  26. 제22항에 있어서, 상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측 상에 전자 수송층을 형성하고, 그 후에 상기 전자 수송층의 최상부 측 상에 상기 제2 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
  27. 제22항에 있어서, 상기 제1 게스트 발광 물질, 상기 제2 게스트 발광 물질 및 상기 제3 게스트 발광 물질은 형광 물질, 인광 물질, 또는 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 방법.
  28. 제22항에 있어서, 상기 제1 호스트 재료층은 DPVBi층이고, 상기 제1 게스트 발광 물질은 DSA이며, 상기 제2 호스트 재료층은 CBP층이고, 상기 제2 게스트 발광 물질은 Ir(PPy)3이며, 상기 제3 게스트 발광 물질은 DCM2인 것인 방법.
  29. 애노드의 최상부 측 상에 배치되고, 제2 게스트 발광 물질 및 제3 게스트 발광 물질이 혼입된 제2 호스트 재료층을 형성하는 단계와;
    상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측 상에 배치되고, 제1 게스트 발광 물질이 혼입된 제1 호스트 재료층을 형성하는 단계와;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측 상에 캐소드를 형성하고, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 인가된 외부 바이어스 전압의 영향 하에서, 제1 컬러 광원이 상기 제1 게스트 발광 물질로부터 투사되고, 제2 컬러 광원이 상기 제2 게스트 발광 물질로부터 투사되며, 제3 컬러 광원이 상기 제3 게스트 발광 물질로부터 투사되는 것인 유기 전계 발광 디바이스의 제조 방법.
  30. 제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과;
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 인광 물질을 보유하여 적색광을 투사하는 제1 호스트 재료층과;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되고, 혼입된 제2 형광 물질 및 제3 인광 물질을 보유하여 청색광 및 녹색광을 각각 투사하는 제2 호스트 재료층과;
    제2 도전 타입을 가지며 상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제2 도전층
    을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  31. 제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과;
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 인광 물질을 보유하여 녹색광을 투사하는 제1 호스트 재료층과;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제2 형광 물질 및 제3 인광 물질을 보유하여 청색광 및 적색광을 각각 투사하는 제2 호스트 재료층과;
    제2 도전 타입을 가지며 상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제2 도전층
    을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
  32. 제1 도전 타입을 갖는 제1 도전층과;
    상기 제1 도전층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 형광 물질을 보유하여 청색광을 투사하는 제1 호스트 재료층과;
    상기 제1 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되며, 혼입된 제2 인광 물질 및 제3 인광 물질을 보유하여 녹색광 및 적색광을 각각 투사하는 제2 호스트 재료층과;
    제2 도전 타입을 가지며 상기 제2 호스트 재료층의 최상부 측에 배치되는 제2 도전층을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스.
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