TW556446B - Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof - Google Patents
Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TW556446B TW556446B TW091120668A TW91120668A TW556446B TW 556446 B TW556446 B TW 556446B TW 091120668 A TW091120668 A TW 091120668A TW 91120668 A TW91120668 A TW 91120668A TW 556446 B TW556446 B TW 556446B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- upper side
- light
- substance
- material layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 121
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 77
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 6
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002964 excitative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
- H10K50/181—Electron blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
556446 五、發明說明(1) 本發明係有關於一種發光裝置,尤指一種具有三波& 發白光特性之有機電激發光裝置及其製作方法。 / 有機電激發光裝置(Organic Light Emitting Deviee ;OLED)自從1987年由柯達公司的C.W.Tang及S.A.VanSlyk
e利用真空蒸鍍方式,分別將電洞傳輸材料及電子傳輸材 料,如Alq3,鍍覆於透明之IT0玻璃上,其後再蒸錄一金 屬電極形成具有自發光性、高應答速度、重量輕、' ^度薄 、低耗電、廣視角、高亮度及可全彩化的有機電激發光元 件(0LED)。此後,有機電激發光元件被視為是顯示器產業 之明星產品’大家莫不希望其可早日運用於全彩化顯示^ 或投射出白色光源,以達到真正可兼具綠色環保及省電功 效之照明理想境界。 請參閱第1圖,係為習用0LED之構造剖視圖,此構造 係揭露於1 988年美國專利第4, 76 9, 292號,由美國柯達公
司所揭露之「ELECTROLUMINESCENT DEVICE WITH M0DIFIE
D THIN FILM LUMINESCENT ZONE」專利中;該有機電激發 光裝置(OLED)IO主要係在一透光基板u上蒸鍍形成一透A 可導電性之陽極(I το) 13,並於該IT0陽極13上再依序形成 一電洞傳輸層(HTL)15、發光層(EML)17及一金屬陰極19, 1外於發光層17内摻雜(Doping) —螢光物質(未顯示),當 陽極1 3及陰極1 9受到外加偏壓作用時,電洞將可自〖τ〇陽 極1 3經由電洞傳輸層丨5傳輸至發光層丨5,而電子也相對可 從陰極19傳輸至發光層17,發光層17内的電子及電洞將可 因為再結合作用(Recombinati〇n)而產生激態分子(exci 第4頁 556446 五、發明說明(2) n )’激態分子在釋放出能量而再回至基態時即可自行在發 光層1 7内發光,或再激發攙雜之螢光物質成激發狀態並投 射出所設定之特定範圍波長光源。 上述第一種習用之OLED構造及技術雖然可達到投射光 源之效果。惟,其僅可投射單色光源而無法達到投射白色 光源或全彩化之終極目標。 另外’在有機電激發光元件中,光的呈現方式雖然是 可包括有單重項態(Sing let)之螢光及三重項態(Triplet) 之磷光兩種類型,但三重項態之磷光由於其激態分子無法 幸畜射性釋放、發光緩慢而不足、導電主體材料層至客發光 體物質之Triplet能量轉移比Singlet慢、及發光效率在高 密度電流下會快速降低之物理特性,因此習用有機電激發 光裝置之客發光體物質絕大部分皆是採用單重項態之螢光 染料物質,而將三重項態之填光部分予以忽略不用。惟, 在所有之激態分子中,Triplet能量佔有75%,而Singlet 能量僅佔有25%,如此將忽略佔有絕大部分之Trip let能量 ,其對整體發光效率之嚴重影響可見一般。 為了有效利用三重項態之磷光物質,於是發展出第二 種習用有機電激發光裝置,如美國專利案第6,3 1 0,3 6 0號 ,由美國普林斯頓大學及南加州大學所揭露之「I ΝΤΕRSYS TEM CROSSING AGENTS FOR EFFICIENT UTILIZATION OF EXCITONS IN ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES」,如第 2圖所示,其主要構造係在一玻璃基板21上依序成長有it 0陽極23、TPD電洞傳輸層25(HTL)、CBP發射層26(EMP)、
五、發明說明(3) BCP激子阻隔層28、Alq3電子傳輸層27(ETL)、陰極29及保 濩層295,其中,發射層26又可分為摻設有%…(螢光材料 )之第一發射層261及摻設有lr(ppy)3 (磷光材料)之第二 發射層262 ,且可連續疊加成交錯混合層》當陽極23及陰 ,29間存在一外加偏壓時,Ir(ppy)3將被當作為一系統間 ~接劑而進行SingIet及Triplet間跨接,如此即可將數量 ,大之Triput激態分子能量轉移成為以叩丨以激態分子, ,匕乂達到不浪費Triplet之目的及有效提升整體發光效 雖然上述 態分子及提升 長所組合而成 Py)3所形成之 二波長所形成 產品要求,不 偏色現象(偏 全彩化產品之 另外,為 目標,目前業 r Conversion 三色獨立發光 色現象、如何 以達到純色及 波長發光方式 利用T r i p 1 e t激 射光源係為二段 係包括有由Ir(P ,換言之,即為 色光源或全彩化 發生光色不均或 作為白色光源或 之專利技術中,可達到有效 發光效率之功效;惟,其投 者,如第3圖所示,其主要 綠光及由DCM2所形成之紅光 之光譜圖,如此若要構成白 僅其為不連續光源,且容易 綠或偏紅),因此並不適合 選擇。 及全彩化之終極 色轉換法(Colo ilter)及紅藍綠 有光色不均及偏 率、紅色光源難 要的是其皆為二 彩化產品要求。 了達到0LED可用於白色光源 界一般係採用三種方式··光 )、彩色濾光膜法(Col〇r F 法,但上述方法又分別存在 取得^色光源及提升發光效 使用壽命較短之弊端,最重 ,並不適用於白色光源及全 556446 發明說明(4) 因此,如何針對上述習用有機電激發光裝置所發生之 問題及缺慽提出-種解決m可藉由三波長投射光源方 式以達到最佳之全彩光源分佈,且輕易完成白光及全彩之 終極目標。爰是 本發明之主要目的,在於提供一種有機電激發光裝置 ,可藉由三波長之光源投射方式以取得最佳之光色均句分 佈’以輕易達到白光及全彩之終極產品要求。 ^發明之次要目的,在於提供一種有機電激發光裝置 ’可有效解決長久以來製作白色光源或全彩產品之弊端者 本發明之又一目的,在於提供一 本發明之又一目的,在於提供一 比例較大之三重項 態分子,且可有效 查委員對本發明之 瞭解與認識,謹佐 說明如后: 第4圖,係為本發 示,本發明有機電 上側以蒸鑛或賤鍛 )’而在陽極33之 第一載子注入層) 層與客發光體物質 用哥命者。 ,可藉由主體材料 提高發光效率及使 ,可有效利用數量 會浪費三重項態激 茲為使 貴審 功效有更進一步之 配合詳細之說明, 首先,請參閱 造截面圖;如圖所 在一透光基板31之 導電層33 (如陽極 洞注入層5 3 (Η I L ; 種有機電激發光裝置 之搭配使用,以有效 種有機電激發光裝置 態激態分子,不僅不 提升發光效率者。 結構特徵及所達成之 以較佳之實施例圖及 明一較佳實施例之構 激發光裝置30主要係 等方式以形成一第一 上侧再依序形成一電 、電洞傳輪層35 (ΗΤ
556446
’ 一載子傳輪層)及一具有阻隔第二載子(電子)前進之 47之(6ΐ“ίΓ〇η M〇Cking,電子阻隔層 卜* 依序形成有一第一主體材料層41 (Host "及 (Host 2) ’且於第二主體材料層43之 mm 可阻隔電洞(第一載子)前進之電洞阻隔 曰番 i = e bl〇cklng layer)、電子傳輸層 37 (ETL· ;第 輸層)、電子注入層57(EIL;第二載子注入層) 、藉由電子阻隔層47,可將來自於陰極39之電子阻隔於 輪層3 5之上側’換言之,即是將電子限制於第Hos t 及H〇St 1 (41 )内;另外,藉由電洞阻隔層45,可 將來自於陽極33之電洞阻隔於電子傳輸層37之底側,換言 之’即是將電洞同樣限制於Host i (41 )及 内。由於大部分的電子及電洞將被引導且被限制在H〇st i 及Host 2範圍内,因此電子電洞對在此相對亦有較大的機 率於各主體材料層内進形再結合動作,藉此以有效提高各 主體材料層之發光效率者。 在第一主體材料層41内混雜(mixing)設有一第一客發 光體物質(Guest 1),第二主體材料層43内亦混雜設有一 $對應之第二客發光體物質(Guest 2 )及第三客發光體物 質(Guest 3 ),這些客發光體物質係可選擇一可相對應搭 配之螢光物質、磷光物質或兩者之混合物,其可在電子電 洞對再結合時,受到激態分子之能量釋放而投射出相對應 之不同色光源,例如在此實施例中,Guest 1可投射藍光
556446 五、發明說明(6) (B),GueSt 2投射綠光(G),而Guest 3投射紅光(R),如 此即可因此產出RGB三波段之三原色,並組合成一全波段 連續光譜之白色光源或全彩化產品,不僅製程相對簡單, 且可有效增加其發光效率。 當然’於電洞傳輸層35之上側亦可先形成混雜有Gues t 2及Guest 3之第二主體材料層43,之後再於第二主體材 料層43之上側形成混雜有Guest 1之第一主體材料層41, 同樣可在受到一外加偏壓作用時,順利產出第二色光源、 第三色光源及第一色光源,以完成三波長之投射組合光源 ,因此,Host 1或Host 2之上丁次序並無絕對性,只需其 能階搭配相對可行即可。 μ 又’在本發明之一貫驗結果中,其主要係在一可由玻 璃、石英或塑膠製成之透光基板31上以蒸鍍或濺鍍等方式 形成一可由銦錫氧化物(ΙΤ0)等具透光導電性材質所構成 之陽極33。接續,ΙΤ0 33之上表面再依續形成一可由CuPc 所構成之電洞注入層(Η I L ) 5 3、由N PB所構成之電洞傳輸層 (HTL ) 35、由LiF所構成之電子阻隔層47、由DpvBi所構成 之第一主體材料層41、由CBP所構成之第二主體材料層43 由BCP所構成之電洞阻隔層45、由Aiq3所構成之電子傳 輸層(ETL)37、由LiF所構成之電子注入層(EIL) 57、及一 可由具導電性材質所構成之陰極3 9。 其中’第一主體材料層41之DP VB i中混雜設有至少一 可投射出藍光之DSA物質,第二主體材料層43iCBp中混雜 設有至少一可投射出綠光之Ir(ppy)3物質及可投射出紅光
556446 五、發明說明(7) 之DCM2物質,藉由上述各主體材料層(H〇sts)之能階位置 女排,致使因為電洞阻隔層4 5及電子阻隔層4 7之阻隔作用 而被受限於DPVBi 41及CBP 43範圍内之電子電洞對將可普 遍分佈於各個主體材料層41、43中。當一外加偏壓作用時 ,可投射出紅2藍、綠三原色光源,形成一個完整之三波 長投射光源體系,而可達成全波段之白色光源或全彩化產 品,如第5圖所示。 另外’由於在此實施例中,Guest 2係採用磷光物質 之Ir(PPy)3 ’並可因此而投射出三原色體系之綠色,不僅 除了可善用數量比例龐大之Triplet激態分子外,亦可大 幅提升整體之發光效率。 又’鑒於材料之選擇,Guest 1亦可選用Triplet中可 發紅色光源之第一磷光物質,如Pt〇EP,而Guest 2選用Si nglet中可投射藍光之第二螢光物質,如DSA,Guest 3選 用Sing let中可投射綠光之第三螢光物質,如c6。或者, Guest 1亦可選用Triplet中可發綠色光源之第一磷光物質 ,如Ir(PPy)3,而Guest 2選用Singlet中可投射藍光之第 二螢光物質,如DSA,Guest 3選用Triplet中可投射紅光 之第三填光物質,如PtOEP。或者,Guest 1亦可選用Sing let中可投射藍光之第一螢光物質,如dsa,而Guest 2選 用Triplet中可投射綠色光源之第二磷光物質,如Ir(PPy) 3,Guest 3則選用Triplet中可投射紅光之第三磷光物質 ,如PtOEP ,同樣可達到在一外加偏壓作用下以分別投射 出紅光、藍光、綠光等三原色三波長之目的。
第10頁
556446 五、發明說明(8) $然:本發明上述實施例中,各層部分所選用之 I夕種變化’下列所述專利所揭露之材料物質亦可用 參考HETL層或HTL層材料可參考美國專利案用 4楚870號,HTL層材料可參考美國專利案第5,〇61,569號、9 弟5, 256, 945號,ETL層材料可參考美國專利案第4, 5 \ 7號、第5, 886, 464號,HIL層材料可參考美國專利案第^ g 35, 03 1號、第4, 356, 429號,陽極可參考美國專利案第 73,92j號,EIL層材料可參考美國專利案第4,539,5〇7號’。 綜上所述,本發明係有關於一種發光裝置,尤指一種 具有二波長發光特性之有機電激發光裝置及其製作方法, =、了 I得以直接獲得一具有三波長特性之連續全波段全彩 、u 還可有效利用磷光物質而可大幅提升發光效率者 。故本發明實為一具有新㈣、進步性及可供產J = J 者,應符合我國專利法專利申請要件無疑,爱依法提出發 明專利申請,祈鈞局早曰賜准專利,至感為禱。 准以上所述者,僅為本發明之一較佳實施例而已,並 非用來限定本發明實施之範圍,舉凡依本發明申請專利範 圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾 ’均應包括於本發明之申請專利範圍内。 11 透光基板 15 電洞傳輸層 19 陰極
圖號對照說明 10 OLED 13 陽極 17 發光層 第11頁 556446
第12頁 五、發明說明(9) 21 基 板 23 陽 極 25 電 洞 傳 輸 層 26 發 射 層 261 第 一 發 射 層 262 第 二 發 射 層 27 電 子 傳 輸 層 28 激 子 阻 斷 層 29 陰 極 295 保 護 層 30 OLED 31 基 板 33 第 一 導 電 層 35 第 一 載 子 阻 隔 層 37 第 二 載 子 傳 層 39 第 二 導 電 層 41 第 _ 一 主 體 材 料 層 43 第 二 主 體 材 料 層 45 第 _| 一 載 子 阻 隔 層 47 第 二 載 子 阻 隔 層 53 第 一 載 子 注 入 層 57 第 二 載 子 注 入 層 556446 圖式簡單說明 第1圖:係習用有機電激發光裝皇之構造剖視圖; 第2圖:係另一種習用有機電激發光裝置之構造剖視圖; 第3圖:係如第2圖所示習用有機電激發光裝置之光譜圖 第4圖:係本發明有機電激發光裝置之一較佳實施例之構 造截面圖;及 第5圖:係本發明如第4圖所示實施例之光譜圖。
第13頁
Claims (1)
- 556446 六、申請專利範圍 1 · 一種有機電激發光裝置,其主要構造至少係包括有·· 一具有第一型導電性之第一導電層; 一設於該第一導電層上側之第一主體材料層,内混雜 设有一第一客發光體物質’可於一外加偏壓作用下 投射出一第一色光源; 一設於該第一主體材料層上側之第二主體材料層,内 混雜設有一第二客發光體物質及第三客發光體物質 ,可於該外加偏壓作用下投射出一第二色光源及第 三色光源,及一具有第二型導電性之第二導電層,設於該第二主體 材料層之上側。 2 · —種有機電激發光裝置,其主要構造至少係包括有: 一具有第一型導電性之第一導電層; 一設於該第一導電層上側之第二載子阻隔層; 一设於3亥第^一載子阻隔層上側之第一^主體材料層,内 混雜設有一第一客發光體物質,可於一外加偏壓作 用下投射出一第一色光源;一設於該第一主體材料層上側之第二主體材料層,内 混雜設有一第二客發光體物質及第三客發光體物質 ,可於該外加偏壓作用下投射出一第二色光源及第 三色光源;及 一具有第二型導電性之第二導電層,設於該第二主體 材料層之上側。 3 · —種有機電激發光裝置,其主要構造至少係包括有:第14頁 556446 六、申請專利範圍 一具有第一型導電性之第一導電層; 一設於該第一導電層上側之第一主體材料層,内混雜 設有一第一客發光體物質,可於一外加偏壓作用下 投射出一第一色光源; 一設於該第一主體材料層上側之第二主體材料層,内 混雜設有一第二客發光體物質及第三客發光體物質 ,可於該外加偏壓作用下投射出一第二色光源及第 三色光源; 一設於該第二主體材料層上側之第一載子阻隔層;及 一具有第二型導電性之第二導電層,設於該第一載子 阻隔層之上側。 4 ·申請專利範圍第3項所述之有機電激發光裝置,其中 該第一主體材料層係為一DPVBi層,而第二主體材料 層係為一CBP層。 5 ·如申請專利範圍第3項所述之有機電激發光裝置,其 中該第一主體材料層係為一DPVBi層,而第一客發光 體物質則為一DSA。 6 ·如申請專利範圍第3項所述之有機電激發光裝置,其 中該第二主體材料層係為一CBp層,而第二客發光體 物質為一Ir(PPy)3,第三客發光體物質則為DCM2。 7 ·如申請專利範圍第3項所述之有機電激發光裝置,其 中該第一客發光體物質係可選擇螢光物質、磷光物質 及其組合式之其中之一者。 8 ·如申請專利範圍第3項所述之有機電激發光裝置,其第15頁 556446 六、申請專利範圍 中該第二 及其組合 9 ·如申請專 中該第三 10 客發光 式之其 利範圍 客發光 及其組合式之其 一種有機電激發 一具有第一型導 一設於該 一設於該 體物質係可選擇螢光物質、磷光物質 中之一者 第3項所 體物質係 中之一者 光裝置, 電性之第一導電層 電層上側 述之有機 可選擇螢 電激發光裝置,其 光物質 '鱗光物質 其主要構造至少係包括有: 第一導 第二載子阻隔層 混雜設有一第 用下投射出一 一設於該第一主 一客發光 第一色光 混雜設 ,可於 三色光 該外加 源; 一設於該第二主 一具有第二型導 阻隔層之上側 11 · 一種有機電激發 一具有第一型導 一設於該第一導 設有, 體材料層 有一第二客發光 偏壓作用 之第二載 上側之第 體物質, 源; 上側之第 體物質及 下投射出 於該外 光源; 第二客 加偏壓 體材料層上側之第 電性之第二導電層 〇 光裝置,其主要構 電性之第一導電層 電層上側之第二主 發光體物質及第三 作用下投射出一第 一主體材料層,内 可於一外加偏壓作 二主體材料層,内 第三客發光體物質 一第二色光源及第 一載子阻隔層;及 ,設於該第一載子 造至少係包括有: 體材料層,内混雜 客發光體物質,可 一色光源及第三色第16頁 556446 六、申請專利範圍 一設於該第二主體材料層上側之第一主體材料層,内 混雜設有一第一客發光體物質,可於一外加偏壓作 用下投射出一第一色光源;及 一具有第二型導電性之第二導電層,設於該第一主體 材料層之上側。 1 2 · —種有機電激發光裝置,其主要構造至少係包括有: 一具有第一型導電性之第一導電層; 一設於該第一導電層上側之第一載子傳輸層; 一設於該第一載子傳輸層上側之第二載子阻隔層; 一設於該第二載子阻隔層上側之第二主體材料層,内 混雜設有一第二客發光體物質及第三客發光體物質 ,可於該外加偏壓作用下投射出一第二色光源及第 三色光源; 一設於該第二主體材料層上側之第一主體材料層,内 混雜設有一第一客發光體物質,可於一外加偏壓作 用下投射出一第一色光源; 一設於該第一主體材料層上側之第一載子阻隔層·,及 一具有第二型導電性之第二導電層,設於該第二載子 阻隔層之上側。 1 3 · —種有機電激發光裝置,其主要構造至少係包括有: 一陽極, 一設於該陽極上側之電洞傳輸層; 一設於該電洞傳輸層上側之電子阻隔層; 一設於該電子阻隔層上側之第一主體材料層,内混雜第17頁 556446外加偏壓作用下 6又有一第一客發光體物質,可於 投射出一第一色光源; 設於該第一主體材料層上側之第二主體材料層,内 混雜設有一第二客發光體物質及第三色光源,可於 該外加偏壓作用下投射出一第二色光源及第三色光 源; 一 一設於該第三主體材料層上側之電洞阻隔層; 一設於該電洞阻隔層上側之電子傳輸層;及 一設於該電子傳輸層上侧之陰極。 1 4 ·申請專利範圍第丨3項所述之有機電激發光裝置,其中 該陽極之下側尚可設有一透光基板。 15 ·如申請專利範圍第13項所述之有機電激發光裝置,其 中該第一色光源係為藍光,第二色光源係為綠光,而 第三色光源則為紅光。 1 6 ·如申請專利範圍第丨3項所述之有機電激發光裝置,其 中該第一客發光體物質、第二客發光體物質及第三客 發光體物質係可個別選擇為一螢光物質、磷光物質及 其組合式之其中之一者。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光裝置,其 中該電洞阻隔層係由一BCP層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光裝置,其 中該電子阻隔層係由一 L i F層。 19 · 一種有機電激發光裝置,其主要構造至少係包括有: 一透光基板;556446 六、申請專利範圍 一設於該透光基板上側之陽極; 一設於 一設於 一設於 DSA 該陽極上侧之電洞注入層; 該電洞注入層上側之電洞傳輸層; 該電洞傳輸層上側之DPVBi層,内混雜設有一 物質’可於一外加偏壓作用下投射出一藍色光 源; 一設於 )3物 出一 一設於 一設於 一設於 2 0 ·如申請 中該電 21 ·如申請 中該電 22 · —種有 括有: 該DPVBi層上側之CBP層,内混雜設有一lr(PPy 質及一DCM2物質,可於該外加偏壓作用下投射 綠色光源及紅色光源; 該第CBP層上側之電子傳輸層; 該電子傳輸層上侧之電子注入層;及 該電子注入層上側之陰極。 專利範圍第19項所述之有機電激發光裝置,其 洞注入層係可為一CuPc層。 專利範圍第19項所述之有機電激發光裝置,其 子注入層係可為一 A1 q層。 機電激發光裝置之製作方法,其主要步驟係包 形成一第一主體材料層於一導電層之上側,而該第一 主體材料層内可混雜設有一第一客發光體物質; 形成一第二主體材料層於該第一主體材料層之上側, 而該第二主體材料層内玎混雜設有一第二客發光體 物質及第三客發光體物質;及 形成一第二導電層於該第二主體材料層之上側,而當第19頁 556446 六、申請專利範圍 '— -- ^\導電層與第二導電層之間受到一外加偏壓作 用時,致使該第一主客發光體物質將投射出一第一 色光源,該第二客發光體物質將投射第二色光源, 且該第三客發光體物質將投射第三色光源者。 23 ·如申請專利範圍第22項所述之製作方法,尚可包括有 下列步驟: 形成一電子阻隔層於該第一導電層之上側,再於該電 子阻隔層之上側依序形成該第一主體材料層及第二主 體材料層。2 4 ·如申睛專利範圍第2 2項所述之製作方法,尚可包括有 下列步驟: 形成一電洞阻隔層於該第二主體材料層之上側,再於 該電洞阻隔層之上側形成該第二導電層。 25 ·如申請專利範圍第22項所述之製作方法,尚可包括有 下列步驟: 形成一電洞傳輸層於該第一導電層之上側,再於該電 洞傳輸層之上側依序形成該第一主體材料層、第二主 體材料層及第二導電層。2 6 ·如申請專利範圍第2 2項所述之製作方法,尚可包括有 下列步驟: 形成一電子傳輸層於該第二主體材料層之上側,再於 該電子傳輸層之上側形成該第二導電層。 27 ·如申請專利範圍第22項所述之製作方法,其中該第一 客發光體物質、第二客發光體物質、第三客發光體物第20頁 556446 丄----- 六、申請專利範圍 質及其組合式 ’其中該第一 光體物質係為 層,第二客發 質係可個別選擇為一螢光物質、 物 28 之其中之一者。 如申請專利範圍第2 2項所述之製作方法 主體材料層係為一DPVBi層,第一客發 = dsa,而該第二主體材料層係為一CBp 光體物質係為—Ir(ppy)3,第三客發光體物質係 DCM2。 29 主要步驟係包 一種有機電激發光裝置之製作方法,其 括有: 30 形成一第二 體材料層 客發光體 形成一第一 而該第一 物質;及 陽極之上側 第一客發光 主體材料層於 内可混雜設有 物質; 主體材料層於該第二主體材料層之上側, 主體材料層内可混雜設有一第一客發光體 ,而該第二主 體物質及第三 形成一陰極於該第 間受到 物質將 將投射 第三色 激發光 型導電 與陰極之 客發光體 光體物質 質將投射 種有機電 具有第一 一主體材料層之上側 一外加偏壓作用時, 設於該第一導電 設有一可投射紅 投射出一第一色光源 第二色光源,且該第三 光源者。 裝置,其主要構造至 性之第一導電層; 層上側之第一主體材 光之第 鱗光物質; ,而當該陽極 致使該第一主 ,該第二客發 客發光體物 少係包括有: 料層,内混雜556446 六、申請專利範圍 一設於該第一主體 混雜設有一可投 31 光之第三螢光物 一具有第二型導電 材料層之上側。 電激發光裝置,其主 材料層上側 射藍光之第 質;及 性之第二導電層,設於該第二主體 之第二主體材料層,内 二螢光物質及可投射綠 要構造至少係包括有: 性之第一導電層; 一主體材料層,内混雜 設有一可投射綠光之第一填光物質; 之第二主體材料層,内 二螢光物質及可投射紅 種有機 具有第 設於該 一型導電 第一導電層上側之第 一設於該第一主體 有一可投 混雜設 光之第 32 三磷光物 具有第二型導電 材料層之上側。 電激發光裝置,其主 材料層上側 射藍光之第 質;及 性之第二導電層,設於該第二主體 要構造至少係包括有: 性之第一導電層; 一主體材料層,内混雜 設有一可投射藍光之第一螢光物質; 之第二主體材料層,内 二磷光物質及可投射紅 一種有機 一具有第一型導電 一設於該第一導電層上側之第 一設於該 混雜設 第 有 主體 可投 光之第三磷光物 一具有第二型導電 材料層之上側。 材料層上側 射綠光之第 質;及 性之第二導 電層,設於該第二主體第22頁
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW091120668A TW556446B (en) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof |
US10/657,170 US6933522B2 (en) | 2002-09-11 | 2003-09-09 | Organic electroluminescent device and method for producing the same |
KR1020030063380A KR100592747B1 (ko) | 2002-09-11 | 2003-09-09 | 유기 전계 발광 디바이스 및 그 제조 방법 |
DE10341756A DE10341756A1 (de) | 2002-09-11 | 2003-09-10 | Organische Elektrolumineszensvorrichtung und Verfahren ihrer Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW091120668A TW556446B (en) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW556446B true TW556446B (en) | 2003-10-01 |
Family
ID=31974938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091120668A TW556446B (en) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6933522B2 (zh) |
KR (1) | KR100592747B1 (zh) |
DE (1) | DE10341756A1 (zh) |
TW (1) | TW556446B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005228742A (ja) * | 2004-02-11 | 2005-08-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7474049B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-01-06 | Au Optronics Corp. | Organic electroluminescent device |
CN103022365A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-04-03 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 白色有机电致发光器件及其制备方法 |
TWI492668B (zh) * | 2008-03-18 | 2015-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 發光元件,發光裝置與電子裝置 |
TWI609873B (zh) * | 2013-03-20 | 2018-01-01 | Udc愛爾蘭責任有限公司 | 白色有機發光裝置 |
TWI634683B (zh) * | 2012-04-06 | 2018-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備 |
TWI641286B (zh) * | 2006-06-05 | 2018-11-11 | 美國普林斯頓大學信託會 | 具有對磷光體敏感之螢光發射層之有機發光裝置 |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6876144B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-04-05 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device having host material layer intermixed with luminescent material |
JP4531342B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 白色有機発光素子および発光装置 |
US20050136289A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-23 | Chu Hye Y. | White organic light emitting device |
KR100712098B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2007-05-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치 |
KR100712096B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치의 제조방법 |
KR100721551B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치 |
CN1934906A (zh) * | 2004-03-19 | 2007-03-21 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件 |
KR101215860B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2012-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 및 그 소자를 사용하는 발광 장치 |
US7288330B2 (en) * | 2004-07-01 | 2007-10-30 | Eaastman Kodak Company | High performance white light-emitting OLED device |
US7540978B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
JP2008509565A (ja) * | 2004-08-13 | 2008-03-27 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 発光成分用積層体 |
EP1648042B1 (en) | 2004-10-07 | 2007-05-02 | Novaled AG | A method for doping a semiconductor material with cesium |
JP4496949B2 (ja) | 2004-12-13 | 2010-07-07 | 株式会社豊田自動織機 | 有機el素子 |
DE502005002342D1 (de) * | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
US8017251B2 (en) * | 2005-03-28 | 2011-09-13 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
US9070884B2 (en) * | 2005-04-13 | 2015-06-30 | Universal Display Corporation | Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters |
EP2264806B1 (de) | 2005-04-13 | 2019-03-27 | Novaled GmbH | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
EP1727221B1 (de) * | 2005-05-27 | 2010-04-14 | Novaled AG | Transparente organische Leuchtdiode |
EP2045843B1 (de) * | 2005-06-01 | 2012-08-01 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
US7474048B2 (en) * | 2005-06-01 | 2009-01-06 | The Trustees Of Princeton University | Fluorescent filtered electrophosphorescence |
TWI471058B (zh) * | 2005-06-01 | 2015-01-21 | Univ Princeton | 螢光之經過濾電磷光作用 |
TWI429327B (zh) * | 2005-06-30 | 2014-03-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備 |
EP1739765A1 (de) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
US20070126350A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Lee Jeong I | White organic light emitting device |
EP1806795B1 (de) * | 2005-12-21 | 2008-07-09 | Novaled AG | Organisches Bauelement |
US7977862B2 (en) * | 2005-12-21 | 2011-07-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
DE602006001930D1 (de) * | 2005-12-23 | 2008-09-04 | Novaled Ag | tur von organischen Schichten |
EP1808909A1 (de) | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
TWI333803B (en) * | 2006-01-13 | 2010-11-21 | Au Optronics Corp | Organic electro-luminescence device |
US8518556B2 (en) * | 2006-01-27 | 2013-08-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Electroluminescent element |
US7453200B2 (en) * | 2006-04-07 | 2008-11-18 | National Tsing Hua University | White-light organic light-emitting diode (OLED) and its fabrication method |
KR20070101984A (ko) * | 2006-04-13 | 2007-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전하분리층을 구비한 유기 전기발광 소자 |
EP1848049B1 (de) * | 2006-04-19 | 2009-12-09 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauelement |
US8330351B2 (en) | 2006-04-20 | 2012-12-11 | Universal Display Corporation | Multiple dopant emissive layer OLEDs |
US20070247061A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Vadim Adamovich | Multiple dopant emissive layer OLEDs |
TW200740955A (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Wintek Corp | Organic electroluminescent device |
DE102006059509B4 (de) * | 2006-12-14 | 2012-05-03 | Novaled Ag | Organisches Leuchtbauelement |
JP2008159629A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 光通信用半導体素子 |
JP4254856B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2009-04-15 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
TWI326923B (en) * | 2007-03-07 | 2010-07-01 | Lite On Technology Corp | White light emitting diode |
EP1973386B8 (en) * | 2007-03-23 | 2016-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
DE102007019260B4 (de) * | 2007-04-17 | 2020-01-16 | Novaled Gmbh | Nichtflüchtiges organisches Speicherelement |
KR101375331B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2014-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기발광소자 및 그를 포함하는 표시장치와 조명장치 |
DE102007058005B4 (de) * | 2007-09-25 | 2018-05-17 | Osram Oled Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
FR2926677B1 (fr) * | 2008-01-18 | 2014-04-25 | Astron Fiamm Safety | Diode et procede de realisation d'une diode electroluminescente organique a microcavite incluant des couches organiques dopees |
KR100924145B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2009-10-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
DE102008036062B4 (de) | 2008-08-04 | 2015-11-12 | Novaled Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor |
DE102008036063B4 (de) | 2008-08-04 | 2017-08-31 | Novaled Gmbh | Organischer Feldeffekt-Transistor |
DE102008063589A1 (de) | 2008-10-07 | 2010-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
DE102009012346B4 (de) * | 2009-03-09 | 2024-02-15 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
EP2395571B1 (en) * | 2010-06-10 | 2013-12-04 | Novaled AG | Organic electronic device comprising an organic semiconducting material |
CN101877388B (zh) * | 2010-06-12 | 2011-12-28 | 陕西科技大学 | 一种白光oled的制备方法 |
TWI425867B (zh) * | 2010-11-19 | 2014-02-01 | Au Optronics Corp | 有機電激發光顯示元件及其製造方法 |
WO2013078590A1 (zh) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物电致发光器件及其制备方法 |
JP6158542B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
TWI651878B (zh) | 2012-08-03 | 2019-02-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備 |
US9917281B2 (en) * | 2012-09-07 | 2018-03-13 | Nitto Denko Corporation | Top-emitting white organic light-emitting diodes having improved efficiency and stability |
WO2014069831A1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 에스에프씨 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조방법 |
KR101413461B1 (ko) | 2012-10-31 | 2014-07-01 | 에스에프씨 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조방법 |
CN102969455B (zh) * | 2012-12-18 | 2015-08-05 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 白色有机电致发光器件及其制备方法 |
JP5905916B2 (ja) | 2013-12-26 | 2016-04-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器 |
KR102126027B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
CN105895819B (zh) * | 2016-04-28 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、oled显示面板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6310360B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
-
2002
- 2002-09-11 TW TW091120668A patent/TW556446B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-09-09 US US10/657,170 patent/US6933522B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-09 KR KR1020030063380A patent/KR100592747B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-10 DE DE10341756A patent/DE10341756A1/de not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005228742A (ja) * | 2004-02-11 | 2005-08-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7474049B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-01-06 | Au Optronics Corp. | Organic electroluminescent device |
TWI641286B (zh) * | 2006-06-05 | 2018-11-11 | 美國普林斯頓大學信託會 | 具有對磷光體敏感之螢光發射層之有機發光裝置 |
TWI492668B (zh) * | 2008-03-18 | 2015-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 發光元件,發光裝置與電子裝置 |
US9192017B2 (en) | 2008-03-18 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
TWI634683B (zh) * | 2012-04-06 | 2018-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備 |
CN103022365A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-04-03 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 白色有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103022365B (zh) * | 2012-12-18 | 2015-08-05 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 白色有机电致发光器件及其制备方法 |
TWI609873B (zh) * | 2013-03-20 | 2018-01-01 | Udc愛爾蘭責任有限公司 | 白色有機發光裝置 |
TWI637959B (zh) * | 2013-03-20 | 2018-10-11 | 愛爾蘭商Udc愛爾蘭責任有限公司 | 白色有機發光裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6933522B2 (en) | 2005-08-23 |
KR20040023781A (ko) | 2004-03-18 |
DE10341756A1 (de) | 2004-04-01 |
US20040104394A1 (en) | 2004-06-03 |
KR100592747B1 (ko) | 2006-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW556446B (en) | Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof | |
JP4327425B2 (ja) | 有機発光ダイオードデバイス | |
US7901795B2 (en) | OLEDs doped with phosphorescent compounds | |
TWI487157B (zh) | 具有藍光發射層之白光有機發光二極體 | |
TWI338032B (en) | White light-emitting device structures | |
CN103443951B (zh) | 有机电致发光元件和照明器具 | |
US20100187552A1 (en) | Hybrid white organic light emitttng device and method of manufacturing the same | |
US6287712B1 (en) | Color-tunable organic light emitting devices | |
KR20100018503A (ko) | 고성능 탠덤 백색 oled | |
CN105720201A (zh) | 色彩稳定的有机发光二极管堆叠 | |
CN104167428A (zh) | 有机发光二极管阵列基板及显示装置 | |
JP5458554B2 (ja) | 有機電界発光素子および表示装置 | |
KR20130006937A (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR20130070771A (ko) | 유기발광소자 | |
KR20100073417A (ko) | 유기전계발광소자 | |
EP3772758A2 (en) | Organic light emitting device | |
KR20100072644A (ko) | 유기전계발광소자 | |
JP2001155862A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
CN101361206B (zh) | 发光元件 | |
KR101259532B1 (ko) | 2종의 유기층을 이용하는 백색 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
TWI245579B (en) | Organic light-emitting device and fabrication method thereof | |
KR100594775B1 (ko) | 백색 유기발광소자 | |
WO2009028832A2 (en) | Hybrid white organic light emitting device and method of manufacturing the same | |
TW200805729A (en) | Tandem organic electroluminescent elements and uses of the same | |
TWI229569B (en) | Light emitting device and method for producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |