JP2006173588A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 280
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 144
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims abstract description 68
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 53
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 401
- -1 platinum ion Chemical class 0.000 claims description 288
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 184
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 182
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 156
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 126
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 110
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 108
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 98
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 29
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 21
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 14
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N benzopyrrole Natural products C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 510
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 161
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 83
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 71
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 71
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 44
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 30
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 150000002829 nitrogen Chemical group 0.000 description 26
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 26
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 24
- 0 CCCCCCCCCCCc1*(C)c(CCCCCCCCCC)*nn1 Chemical compound CCCCCCCCCCCc1*(C)c(CCCCCCCCCC)*nn1 0.000 description 22
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 19
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 19
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 16
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 14
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 11
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 11
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 11
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 10
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 9
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 9
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 9
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 9
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 8
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 7
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 7
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 7
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 7
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 6
- 125000004466 alkoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 6
- 125000005162 aryl oxy carbonyl amino group Chemical group 0.000 description 6
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 6
- 125000006626 methoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000005030 pyridylthio group Chemical group N1=C(C=CC=C1)S* 0.000 description 6
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 6
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 6
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 6
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 5
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical class C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 5
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 5
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000005936 piperidyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000005554 pyridyloxy group Chemical group 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 125000006296 sulfonyl amino group Chemical group [H]N(*)S(*)(=O)=O 0.000 description 5
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 5
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropan-1-one Chemical group CC(C)(C)[C]=O YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006164 6-membered heteroaryl group Chemical group 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002785 azepinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 4
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 4
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 4
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 4
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- AOJFQRQNPXYVLM-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC=[NH+]C=C1 AOJFQRQNPXYVLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 4
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 4
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 4
- 125000002088 tosyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[3-(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenylsilol-1-yl)propyl]azanium;iodide Chemical class [I-].C[N+](C)(C)CCC[Si]1(C)C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 3
- NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3,3-dimethyl-7-nitro-4h-isoquinolin-1-one Chemical compound C1=C([N+]([O-])=O)C=C2C(=O)N(O)C(C)(C)CC2=C1 NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006163 5-membered heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- MHDLAWFYLQAULB-UHFFFAOYSA-N anilinophosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)NC1=CC=CC=C1 MHDLAWFYLQAULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 description 3
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- NBAUUSKPFGFBQZ-UHFFFAOYSA-N diethylaminophosphonic acid Chemical compound CCN(CC)P(O)(O)=O NBAUUSKPFGFBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- RJOJUSXNYCILHH-UHFFFAOYSA-N gadolinium(3+) Chemical compound [Gd+3] RJOJUSXNYCILHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- XJGVXQDUIWGIRW-UHFFFAOYSA-N loxapine Chemical compound C1CN(C)CCN1C1=NC2=CC=CC=C2OC2=CC=C(Cl)C=C12 XJGVXQDUIWGIRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 3
- PTMHPRAIXMAOOB-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid amide group Chemical group P(N)(O)(O)=O PTMHPRAIXMAOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000213 sulfino group Chemical group [H]OS(*)=O 0.000 description 3
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 3
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKAXDAMWMOBXMP-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=C1 WKAXDAMWMOBXMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dipyridin-2-ylpyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=N1 JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYWOHQHCILHGGW-UHFFFAOYSA-N 2-[6-[6-(2-hydroxyphenyl)pyridin-2-yl]pyridin-2-yl]phenol Chemical group OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2N=C(C=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)O)=N1 CYWOHQHCILHGGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 2-amino-9-[(2r,4s,5r)-4-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-3h-purine-6-thione Chemical compound C1=2NC(N)=NC(=S)C=2N=CN1[C@H]1C[C@H](O)[C@@H](CO)O1 SCVJRXQHFJXZFZ-KVQBGUIXSA-N 0.000 description 2
- HPDNGBIRSIWOST-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-ylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 HPDNGBIRSIWOST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RASCYALPQVJIRT-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-2-pyridin-2-ylpyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=N1 RASCYALPQVJIRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002373 5 membered heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100361281 Caenorhabditis elegans rpm-1 gene Proteins 0.000 description 2
- DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N Chalcone Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 2
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000738 acetamido group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)N([H])[*] 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical class COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 125000000043 benzamido group Chemical group [H]N([*])C(=O)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000005513 chalcones Nutrition 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000004833 diarylthioethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N lead(2+) Chemical compound [Pb+2] RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- UNQNIRQQBJCMQR-UHFFFAOYSA-N phosphorine Chemical group C1=CC=PC=C1 UNQNIRQQBJCMQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000007970 thio esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ROEQGIFOWRQYHD-UHFFFAOYSA-N (2-methoxyphenyl)boronic acid Chemical class COC1=CC=CC=C1B(O)O ROEQGIFOWRQYHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNAYQUPZDRKNOZ-UHFFFAOYSA-N (2-pyridin-2-ylpyridin-3-yl)boronic acid Chemical class OB(O)C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=N1 ZNAYQUPZDRKNOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBFXKAIEVBCRHF-UHFFFAOYSA-N (5-fluoro-2-methoxyphenyl)boron Chemical compound [B]C1=CC(F)=CC=C1OC NBFXKAIEVBCRHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical group C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical compound C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- HTDQSWDEWGSAMN-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC=C1Br HTDQSWDEWGSAMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIPWUFMFHBIKQI-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(F)C=C1 VIPWUFMFHBIKQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJMUYABFXCIYSC-UHFFFAOYSA-N 1H-phosphole Chemical group C=1C=CPC=1 DJMUYABFXCIYSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNLGXYVSHITTGT-UHFFFAOYSA-N 2,9-dibromo-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=C(Br)N=C2C3=NC(Br)=CC=C3C=CC2=C1 QNLGXYVSHITTGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBQNZVQSGUEKHI-UHFFFAOYSA-N 2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-6-[6-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)pyridin-2-yl]pyridine Chemical group O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC=CC(C=2N=C(C=CC=2)B2OC(C)(C)C(C)(C)O2)=N1 WBQNZVQSGUEKHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHOHFZRSDNFJAC-UHFFFAOYSA-N 2-[9-(2-hydroxyphenyl)-1,10-phenanthrolin-2-yl]phenol Chemical compound Oc1ccccc1-c1ccc2ccc3ccc(nc3c2n1)-c1ccccc1O XHOHFZRSDNFJAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLHHRZSJZXBQDW-UHFFFAOYSA-N 2-[9-(2-hydroxyphenyl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin-2-yl]phenol Chemical compound Oc1ccccc1-c1cc(-c2ccccc2)c2ccc3c(cc(nc3c2n1)-c1ccccc1O)-c1ccccc1 CLHHRZSJZXBQDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNFFBZUXRITRAA-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-[6-[6-(5-tert-butyl-2-hydroxyphenyl)pyridin-2-yl]pyridin-2-yl]phenol Chemical group CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(C=2N=C(C=CC=2)C=2N=C(C=CC=2)C=2C(=CC=C(C=2)C(C)(C)C)O)=C1 QNFFBZUXRITRAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001659321 ANME-2 cluster Species 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGLMVXWAHNTPRF-CMDGGOBGSA-N CCN1N=C(C)C=C1C(=O)NC1=NC2=CC(=CC(OC)=C2N1C\C=C\CN1C(NC(=O)C2=CC(C)=NN2CC)=NC2=CC(=CC(OCCCN3CCOCC3)=C12)C(N)=O)C(N)=O Chemical compound CCN1N=C(C)C=C1C(=O)NC1=NC2=CC(=CC(OC)=C2N1C\C=C\CN1C(NC(=O)C2=CC(C)=NN2CC)=NC2=CC(=CC(OCCCN3CCOCC3)=C12)C(N)=O)C(N)=O JGLMVXWAHNTPRF-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Cc1ccccc1 Chemical compound Cc1ccccc1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2 Chemical compound c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- SKOLWUPSYHWYAM-UHFFFAOYSA-N carbonodithioic O,S-acid Chemical compound SC(S)=O SKOLWUPSYHWYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000000973 dialkylether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003990 diarylether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001987 diarylethers Chemical class 0.000 description 1
- QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(Cl)Cl QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical group C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007759 kiss coating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical class C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003419 tautomerization reaction Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005323 thioketone group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Abstract
【課題】低駆動電圧及び／又は駆動耐久性の高い有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、正孔輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎとしたときに、下記式（１）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子等である。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
【選択図】なし
【解決手段】一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、正孔輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎとしたときに、下記式（１）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子等である。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
【選択図】なし
Description
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子にする。特に低電圧駆動が可能で、高い駆動耐久性を持つ有機電界発光素子に関する。
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
一般に有機電界発光素子は、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、これを挟む一対の電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合して励起子が生成し、発光する。
しかしながら、この有機電界発光素子は無機ＬＥＤ素子や、蛍光管に比べ発光効率が低く問題となっている。さらに一層の発光効率向上および輝度向上が強く求められている。また、有機発光素子は携帯機器の表示部にも用いるためには、消費電力を低減させることが好ましい。この観点から、さらに駆動電圧を下げることが望まれている。
一般に有機電界発光素子は、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、これを挟む一対の電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合して励起子が生成し、発光する。
しかしながら、この有機電界発光素子は無機ＬＥＤ素子や、蛍光管に比べ発光効率が低く問題となっている。さらに一層の発光効率向上および輝度向上が強く求められている。また、有機発光素子は携帯機器の表示部にも用いるためには、消費電力を低減させることが好ましい。この観点から、さらに駆動電圧を下げることが望まれている。
上記課題を解決するため、耐久性を改良するために、例えば、特許文献１では、陽極と発光層の界面および陰極と発光層の界面の何れかもしくは両方に複数層のキャリヤー注入層を挿入することにより、耐久性に優れた有機薄膜ＥＬ素子が達成されることが記載されている。特許文献２では、不純物を添加した荷電粒子伝導層と、発光層との間に、有機材料からなる防御層を配備することが主に開示されている。
発光材料については、例えば、特許文献３には、４座配位子を有する錯体を発光材料として用いた素子が開示されている。
特開平６−３１４５９４号公報
特表２００４−５１４２５７号公報
米国特許第６，６５３，６５４Ｂ１号明細書
本発明は、低電圧駆動及び／又は駆動耐久性の高い有機電界発光素子を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意検討したところ、発光材料として３座以上の配位子を持つ金属錯体を用い、発光層と複数の電荷輸送層とを設け、さらに、発光層及び複数の電荷輸送層の間におけるイオン化ポテンシャル及び／又は電子親和力を、所定の関係を満たすように制御することにより、駆動耐久性を向上させ得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
上記課題は、下記＜１＞〜＜２１＞の有機電界発光素子により解決される。
＜１＞ 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎとしたときに、下記式（１）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
＜１＞ 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎとしたときに、下記式（１）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
＜２＞ 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
電子輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層の電子親和力をＥａ０、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
電子輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層の電子親和力をＥａ０、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
＜３＞ 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、正孔輸送層、及び電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層及び電子輸送層は、各々発光層に隣接した層を含む２以上の層からなり、
発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
正孔輸送層及び電子輸送層は、各々発光層に隣接した層を含む２以上の層からなり、
発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む第１及び第２発光層、正孔輸送層、並びに電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層は第１発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、電子輸送層は第２発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
第１及び第２発光層は、各々異なるホスト材料と、発光性材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
正孔輸送層は第１発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、電子輸送層は第２発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
第１及び第２発光層は、各々異なるホスト材料と、発光性材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
＜５＞ 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む第１及び第２発光層、正孔輸送層、並びに電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層は第１発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、電子輸送層は第２発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
第１及び第２発光層は、各々異なるホスト材料と、発光性材料として３座以上の配位子を有する金属錯体と、を含有しており、
かつ、第１発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、第１発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、第１発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、第２発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、第２発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、第２発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、前記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする＜４＞に記載の有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
正孔輸送層は第１発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、電子輸送層は第２発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
第１及び第２発光層は、各々異なるホスト材料と、発光性材料として３座以上の配位子を有する金属錯体と、を含有しており、
かつ、第１発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、第１発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、第１発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、第２発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、第２発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、第２発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、前記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする＜４＞に記載の有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
＜６＞ 前記式（１）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｉｐ０−Ｉｐ１≦０．４ｅＶ、かつ、Ｉｐ１−Ｉｐ２≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｉｐｎ−１−Ｉｐｎ≦０．４ｅＶの関係を満たすことを特徴とする前記＜１＞、＜３＞、又は＜５＞に記載の有機電界発光素子。
＜７＞ 前記式（２）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．４ｅＶ、かつ、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．４ｅＶの関係を満たすことを特徴とする前記＜２＞、＜３＞又は＜５＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜７＞ 前記式（２）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．４ｅＶ、かつ、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．４ｅＶの関係を満たすことを特徴とする前記＜２＞、＜３＞又は＜５＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜８＞ 前記式（１）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｉｐ０−Ｉｐ１≦０．２ｅＶ、又は、Ｉｐ１−Ｉｐ２≦０．２ｅＶ、…、又は、Ｉｐｎ−１−Ｉｐｎ≦０．２ｅＶの関係を満たすことを特徴とする前記＜６＞に記載の有機電界発光素子。
＜９＞ 前記式（２）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．２ｅＶ、又は、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．２ｅＶ、…、又は、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．２ｅＶの関係を満たすことを特徴とする前記＜７＞に記載の有機電界発光素子。
＜９＞ 前記式（２）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．２ｅＶ、又は、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．２ｅＶ、…、又は、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．２ｅＶの関係を満たすことを特徴とする前記＜７＞に記載の有機電界発光素子。
＜１０＞ 前記金属錯体が有する３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする前記＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１１＞ 前記金属錯体が、下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする前記＜１０＞に記載の有機電界発光素子。
＜１１＞ 前記金属錯体が、下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする前記＜１０＞に記載の有機電界発光素子。
上記一般式（I）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11〜Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11とＬ14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11〜Ｙ13は、それぞれ独立に、連結基、単結合、又は二重結合を表す。Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基を表す場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、単結合又は二重結合を表す。ｎ11は０〜４の整数を表す。
＜１２＞ 前記金属錯体が、下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする前記＜１０＞に記載の有機電界発光素子。
上記一般式（II）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合又は連結基を表す。
＜１３＞ 前記金属錯体が有する配位子が、環状配位子であることを特徴とする＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１４＞ 前記金属錯体が、下記一般式（III）で表される化合物であることを特徴とする前記＜１３＞に記載の有機電界発光素子。
＜１４＞ 前記金属錯体が、下記一般式（III）で表される化合物であることを特徴とする前記＜１３＞に記載の有機電界発光素子。
上記一般式（III）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、及びＺ13は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有してもよい金属イオンを表す。
＜１５＞ 前記金属錯体中の金属イオンが、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、及び銅イオンからなる群から選ばれることを特徴とする前記＜１＞〜＜１４＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１６＞ 前記金属錯体が有する３座以上の配位子が、下記群Ａからなる配位子を除いた少なくとも３座の配位子である＜１＞〜＜１５＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
群Ａ： ビピリジル又はフェナントロリンを部分構造に含む４座配位子、シッフ塩基型４座配位子、フェニルビピリジル３座配位子、ジフェニルピリジン３座配位子、及びターピリジン３座配位子。
群Ａ： ビピリジル又はフェナントロリンを部分構造に含む４座配位子、シッフ塩基型４座配位子、フェニルビピリジル３座配位子、ジフェニルピリジン３座配位子、及びターピリジン３座配位子。
＜１７＞ 前記正孔輸送層は３層以上であることを特徴とする＜１＞、及び、＜３＞〜＜１６＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１８＞ 前記電子輸送層は３層以上であることを特徴とする＜２＞〜＜１６＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１９＞ 前記正孔輸送層は３層以上であり、かつ前記電子輸送層は３層以上であることを特徴とする＜３＞〜＜１６＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１８＞ 前記電子輸送層は３層以上であることを特徴とする＜２＞〜＜１６＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１９＞ 前記正孔輸送層は３層以上であり、かつ前記電子輸送層は３層以上であることを特徴とする＜３＞〜＜１６＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜２０＞ 前記正孔輸送層のうち、少なくとも１つの層に、アゼピン化合物、アミン化合物、カルバゾール化合物、ピロール化合物、及びインドール化合物からなる群より選択される化合物を含むことを特徴とする＜１＞、及び、＜３＞〜＜１９＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜２１＞
前記正孔輸送層のうち、発光層に隣接する層に、アゼピン化合物、アミン化合物、カルバゾール化合物、ピロール化合物、及びインドール化合物からなる群より選択される化合物を含むことを特徴とする＜２０＞に記載の有機電界発光素子。
＜２１＞
前記正孔輸送層のうち、発光層に隣接する層に、アゼピン化合物、アミン化合物、カルバゾール化合物、ピロール化合物、及びインドール化合物からなる群より選択される化合物を含むことを特徴とする＜２０＞に記載の有機電界発光素子。
本発明によれば、低駆動電圧及び／又は駆動耐久性の高い有機電界発光素子を提供することが提供できる。
また、本発明においては、３座以上の配位子を有する金属錯体の種類を適宜選択することにより、さらに、色純度の改善、多色発光（赤色、緑色、及び／又は青色等）が可能となるなど、低電圧駆動、高い駆動耐久性、及び発光効率に優れた有機電界発光素子を提供することができる。
また、本発明においては、３座以上の配位子を有する金属錯体の種類を適宜選択することにより、さらに、色純度の改善、多色発光（赤色、緑色、及び／又は青色等）が可能となるなど、低電圧駆動、高い駆動耐久性、及び発光効率に優れた有機電界発光素子を提供することができる。
以下、本発明の有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」又は「発光素子」とも称する。）について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本発明の第１の態様は、一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、正孔輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ0、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ1、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐnとしたときに、下記式（１）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子である。
上記構成としたことにより、高い駆動耐久性を持つ有機電界発光素子が得られる。
上記構成としたことにより、高い駆動耐久性を持つ有機電界発光素子が得られる。
本発明の第１の態様では、安定性（化学的安定性、特に分解し難い等の性質に優れる。）の高い３座以上の配位子を有する金属錯体を用いるとともに、発光層に隣接する層を含む２層以上の正孔輸送層を設け、さらに、発光層及び２層以上の正孔輸送層の間におけるイオン化ポテンシャルの関係を制御したことによって、電荷（正孔）の注入が促進されて高い駆動耐久性が発揮されるものと推測される。
また、本発明においては、発光層に隣接する層として２層以上存在する正孔輸送層のうち、最もイオン化ポテンシャルが大きい層を設けたことがその特徴の１つであるが、このような構成を採ることにより、電荷注入障壁が低下することになり層界面での電荷の滞留が抑制されることから、その結果として材料の劣化が抑制され、３座以上の配位子を有する金属錯体を用いる効果と相俟って、駆動耐久性の著しい向上に寄与しているものと推測される。
本発明の第２の態様は、一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、電子輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、かつ、発光層の電子親和力をＥａ０、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子である。
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
上記構成としたことにより、高い駆動耐久性を持つ有機電界発光素子が得られる。
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
上記構成としたことにより、高い駆動耐久性を持つ有機電界発光素子が得られる。
上記構成に起因する作用は必ずしも明確ではないが、前記安定性の高い３座以上の配位子を有する金属錯体を用いるとともに、発光層及び２層以上存在する電子輸送層の間における電子親和力の関係を制御したことによって、電荷（電子）の注入が促進されて高い駆動耐久性が発揮されるものと推測される。
また、本発明の第３の態様は、一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、正孔輸送層、及び電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、正孔輸送層及び電子輸送層は、各々発光層に隣接した層を含む２以上の層からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子である。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
上記第３の態様のごとく、発光層に２層以上の正孔輸送層及び電子輸送層を隣接させ、更に各層におけるイオン化ポテンシャル及び電子親和力の関係を制御することにより、さらに高い駆動耐久性を発揮することができる。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
上記第３の態様のごとく、発光層に２層以上の正孔輸送層及び電子輸送層を隣接させ、更に各層におけるイオン化ポテンシャル及び電子親和力の関係を制御することにより、さらに高い駆動耐久性を発揮することができる。
また、本発明の有機電界発光素子としては、駆動耐久性を更に向上させる観点から、発光層をホスト材料の異なる２層に構成してもよく、本発明の第４及び第５の態様はかかる構成を採る有機電界発光素子である。即ち、本発明の第４及び第５の態様は、一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む第１及び第２発光層、正孔輸送層、並びに電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、正孔輸送層は第１発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、電子輸送層は第２発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、第１及び第２発光層は、各々異なるホスト材料と、発光性材料として３座以上の配位子を有する金属錯体と、を含有している。本発明の第５の態様ではさらに、第１発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、第１発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、第１発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、第２発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、第２発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、第２発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子である。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
本発明の発光素子における各層のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）とは、その層に１０質量％以上含まれる材料の中で最もイオン化ポテンシャルが小さい材料のイオン化ポテンシャルを意味する。本明細書におけるイオン化ポテンシャルは、ＡＣ−１（理研計器（株）製）を用いて室温（１５度以上２５度以下の範囲が好ましい）・大気下で測定した値を採用した。ＡＣ−１の測定原理については、安達千波矢等著「有機薄膜仕事関数データ集」シーエムシー出版社２００４年発行に記載されている。
本発明の発光素子における各層の電子親和力（Ｅａ）とは、その層に１０質量％以上含まれる材料の中で最も電子親和力が大きい材料の電子親和力を意味する。本発明における電子親和力は、イオン化ポテンシャル測定に用いた膜の紫外可視吸収スペクトルを測定（１５度以上２５度以下の範囲が好ましい）し、吸収スペクトルの長波長端のエネルギーから励起エネルギーを求めた。励起エネルギーと前記イオン化ポテンシャルの値から電子親和力を算出した。本明細書においては、紫外可視吸収スペクトルを、島津製作所製のＵＶ３１００型分光光度計で測定した値を採用した
本発明の各発光素子においては、発光層、発光層に隣接する正孔輸送層、他の正孔輸送層のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）の関係、及び／又は、発光層、発光層に隣接する電子輸送層、他の電子輸送層の電子親和力（Ｅａ）の関係が所定の関係を満たすことが必要である。即ち、第１の態様においては下記式（１）で表される関係を満たすこと、第２の態様においては下記式（２）で表される関係を満たすこと、第３及び第４の態様においては、下記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことが必要である。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
本発明の発光素子は、電子輸送層及び／又は正孔輸送層を、２層以上有することが必要でありる。正孔輸送層については、層間のポテンシャル障壁を減少させる観点から、３層以上であることが好ましく、製造の容易さの観点からは４層以下であることが好ましい。また、電子輸送層についても、層間のポテンシャル障壁を減少させる観点から、３層以上であることが好ましく、製造の容易さの観点からは４層以下であることが好ましい。
第１、第２、及び第３の態様のごとく、発光層が１層である場合は、発光層のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ０）は６．４ｅＶ以下が好ましく、６．３ｅＶ以下がより好ましく、６．２ｅＶ以下が特に好ましい。発光層の電子親和力（Ｅａ０）は、２．１ｅＶ以上が好ましく、２．２ｅＶ以上がより好ましく、２．３ｅＶ以上が特に好ましい。
発光層に隣接する正孔輸送層のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ１）は６．２〜５．３ｅＶが好ましく、６．１〜５．４ｅＶがより好ましく、６．０〜５．５ｅＶが特に好ましい。
他の正孔輸送層のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ２、３、…）は５．８ｅＶ以下が好ましく、５．７ｅＶ以下がより好ましく、５．６ｅＶ以下が特に好ましい。
他の正孔輸送層のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ２、３、…）は５．８ｅＶ以下が好ましく、５．７ｅＶ以下がより好ましく、５．６ｅＶ以下が特に好ましい。
発光層に隣接する電子輸送層の電子親和力（Ｅａ１）は２．２〜３．１ｅＶが好ましく、２．３〜３．０ｅＶがより好ましく、２．４〜２．９ｅＶが特に好ましい。
他の電子輸送層の電子親和力（Ｅａ２、３、…）は２．６ｅＶ以上が好ましく、２．７ｅＶ以上がより好ましく、２．８ｅＶ以上が特に好ましい。
他の電子輸送層の電子親和力（Ｅａ２、３、…）は２．６ｅＶ以上が好ましく、２．７ｅＶ以上がより好ましく、２．８ｅＶ以上が特に好ましい。
本発明におけるイオン化ポテンシャル又は電子親和力の関係は、各層を構成する材料の中から、上記したイオン化ポテンシャル又は電子親和力を示す材料を選択して組み合わせることにより制御される。
また、陰極と発光層と間に２層以上存在する電子輸送層における各層間の電子親和力の関係については、駆動電圧低減の観点から、隣接する層における電子親和力の差が０．４ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることが更に好ましい。
具体的には、前記式（２）の関係を満たす場合において、発光層及び電子輸送層の各層間の電子親和力の関係が、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．４ｅＶ、かつ、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．４ｅＶの関係を満たすことが好ましく、さらに、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．２ｅＶ、又は、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．２ｅＶ、…、又は、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．２ｅＶの関係を満たすことが好ましい。
具体的には、前記式（２）の関係を満たす場合において、発光層及び電子輸送層の各層間の電子親和力の関係が、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．４ｅＶ、かつ、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．４ｅＶの関係を満たすことが好ましく、さらに、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．２ｅＶ、又は、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．２ｅＶ、…、又は、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．２ｅＶの関係を満たすことが好ましい。
なお、電子輸送層において全ての隣接する層の電子親和力の差を０．２ｅＶ以下とすると、ホスト材料・電極材料の組み合わせによっては、電子輸送層の層数が多くなる場合がある。このような場合には、電子輸送層の層数及び層間の電子親和力の差の双方に留意して、所望の効果が得られるように、発光素子の構成を決めることが必要である。
他方、陽極と発光層と間に２層以上存在する正孔輸送層における各層間のイオン化ポテンシャルの関係については、駆動電圧低減の観点から、隣接する層におけるイオン化ポテンシャルの差が０．４ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることが更に好ましい。
具体的には、前記式（１）の関係を満たす場合において、発光層及び正孔輸送層の各層間のイオン化ポテンシャルの関係が、Ｉｐ０−Ｉｐ１≦０．４ｅＶ、かつ、Ｉｐ１−Ｉｐ２≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｉｐｎ−１−Ｉｐｎ≦０．４ｅＶの関係を満たすことが好ましく、さらに、Ｉｐ０−Ｉｐ１≦０．２ｅＶ、又は、Ｉｐ１−Ｉｐ２≦０．２ｅＶ、…、又は、Ｉｐｎ−１−Ｉｐｎ≦０．２ｅＶの関係を満たすことが好ましい。
具体的には、前記式（１）の関係を満たす場合において、発光層及び正孔輸送層の各層間のイオン化ポテンシャルの関係が、Ｉｐ０−Ｉｐ１≦０．４ｅＶ、かつ、Ｉｐ１−Ｉｐ２≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｉｐｎ−１−Ｉｐｎ≦０．４ｅＶの関係を満たすことが好ましく、さらに、Ｉｐ０−Ｉｐ１≦０．２ｅＶ、又は、Ｉｐ１−Ｉｐ２≦０．２ｅＶ、…、又は、Ｉｐｎ−１−Ｉｐｎ≦０．２ｅＶの関係を満たすことが好ましい。
なお、正孔輸送層において全ての隣接する層のイオン化ポテンシャルの差を０．２ｅＶ以下とすると、ホスト材料・電極材料の組み合わせによっては、正孔輸送層の層数が多くなる場合がある。このよう場合には、正孔輸送層の層数及び層間のイオン化ポテンシャルの差の双方に留意して、所望の効果が得られるように、発光素子の構成を決めることが必要である。
本発明の発光素子は、発光層に３座以上の配位子を有する金属錯体（以下、単に「金属錯体」と称する場合がある。）を含有することを特徴とする。
本発明における金属錯体としては、鎖状配位子又は環状配位子のいずれを有するものであってもよいが、３座以上８座以下の鎖状配位子を有する金属錯体が好ましく、３座以上６座以下の鎖状配位子を有する金属錯体がより好ましく、３座又は４座の鎖状配位子を有する金属錯体がさらに好ましく、４座の鎖状配位子を有する金属錯体が特に好ましい。
鎖状配位子は、中心金属（例えば、後述する一般式（I）で表される化合物の場合であればＭ11を表す。）に、窒素で配位する含窒素へテロ環（例えば、ピリジン環、キノリン環、ピロール環など）を少なくとも一つ有することが好ましい。該含窒素ヘテロ環としては、含窒素６員ヘテロ環であることがより好ましい。
なお、前記金属錯体が有する３座以上の配位子としては、下記群Ａからなる配位子を除いた少なくとも３座の配位子であることが好ましい。
群Ａ： ビピリジル又はフェナントロリンを部分構造に含む４座配位子、シッフ塩基型４座配位子、フェニルビピリジル３座配位子、ジフェニルピリジン３座配位子、及びターピリジン３座配位子。
本発明における金属錯体としては、鎖状配位子又は環状配位子のいずれを有するものであってもよいが、３座以上８座以下の鎖状配位子を有する金属錯体が好ましく、３座以上６座以下の鎖状配位子を有する金属錯体がより好ましく、３座又は４座の鎖状配位子を有する金属錯体がさらに好ましく、４座の鎖状配位子を有する金属錯体が特に好ましい。
鎖状配位子は、中心金属（例えば、後述する一般式（I）で表される化合物の場合であればＭ11を表す。）に、窒素で配位する含窒素へテロ環（例えば、ピリジン環、キノリン環、ピロール環など）を少なくとも一つ有することが好ましい。該含窒素ヘテロ環としては、含窒素６員ヘテロ環であることがより好ましい。
なお、前記金属錯体が有する３座以上の配位子としては、下記群Ａからなる配位子を除いた少なくとも３座の配位子であることが好ましい。
群Ａ： ビピリジル又はフェナントロリンを部分構造に含む４座配位子、シッフ塩基型４座配位子、フェニルビピリジル３座配位子、ジフェニルピリジン３座配位子、及びターピリジン３座配位子。
ここで、金属錯体の配位子が鎖状であるとは、金属錯体の配位子が環状構造をとらないことを意味する。例えば、鎖状配位子を有する金属錯体である、後に詳述する一般式(Ｉ)で表される化合物を例に説明すると、Ｌ11、Ｌ14がＹ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、Ｍ11を介さずに連結することがない配位子である。Ｌ11、Ｙ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、Ｌ14に環構造（例えば、ベンゼン、ピリジン、キノリンなど）が含まれていても、Ｌ11とＬ14がＹ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、Ｍ11を介さずに連結していなければ、その配位子を鎖状配位子と呼ぶ。Ｌ11とＹ12の間、Ｙ12とＬ12の間、Ｌ12とＹ11の間、Ｙ11とＬ13の間、Ｌ13とＹ13の間、Ｙ13とＬ14の間にさらに原子群が存在して環を形成してもよい。
また、金属錯体の配位子が環状であるとは、金属錯体中の複数の配位子が互いに結合して、閉じた構造形成することを意味する（例えば、フタロシアニン配位子、クラウンエーテル配位子など。）。
また、金属錯体の配位子が環状であるとは、金属錯体中の複数の配位子が互いに結合して、閉じた構造形成することを意味する（例えば、フタロシアニン配位子、クラウンエーテル配位子など。）。
金属錯体において金属イオンに配位する原子は特に限定されないが、酸素原子、窒素原子、炭素原子、硫黄原子又はリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子又は炭素原子がより好ましく、窒素原子又は炭素原子が更に好ましい。
金属錯体中の金属イオンは、特に限定されないが、発光効率向上、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、遷移金属イオン、希土類金属イオンであることが好ましく、より好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、オスミウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、銅イオン、コバルトイオン、亜鉛イオン、ニッケルイオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、希土類金属イオン（例えば、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンなど）が好ましく、更に好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンであり、該金属錯体を発光材料として用いる場合には、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが特に好ましく、該金属錯体を電荷輸送材料や発光層中のホスト材料として用いる場合には、イリジウムイオン、白金イオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオンが特に好ましい。
本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、２種以上の発光材料を用いる場合であれば、３座以上の配位子を有する金属錯体と、これ以外の他の発光材料とを併用してもよい。本発明に用いうる他の発光材料（３座以上の配位子を有する金属錯体以外の発光材料）としては、例えば、蛍光発光材料及び／又はリン光発光材料が挙げられる。本発明においては、発光材料のうち、少なくとも１種が３座以上の配位子を有する金属錯体であればよく、該発光材料の総てが、３座以上の配位子を有する金属錯体であることが好ましい。
また、２種以上の発光材料を用いる場合であれば、３座以上の配位子を有する金属錯体と、これ以外の他の発光材料とを併用してもよい。本発明に用いうる他の発光材料（３座以上の配位子を有する金属錯体以外の発光材料）としては、例えば、蛍光発光材料及び／又はリン光発光材料が挙げられる。本発明においては、発光材料のうち、少なくとも１種が３座以上の配位子を有する金属錯体であればよく、該発光材料の総てが、３座以上の配位子を有する金属錯体であることが好ましい。
本発明における発光材料は、蛍光を発する化合物であっても燐光を発する化合物であってもよいが、燐光を発する化合物であるのが好ましい。（より好ましくは、−３０℃以上において燐光を発し、さらに好ましくは−１０℃以上において燐光を発し、さらに好ましくは０℃以上において燐光を発し、特に好ましくは１０℃以上において燐光を発するものが好ましい。）燐光を発する化合物を用いる場合、蛍光を同時に発するものでもよいが、２０℃における燐光強度が蛍光強度に比べて２倍以上である化合物が好ましく、１０倍以上である化合物がより好ましく、１００倍以上である化合物がさらに好ましい。
本発明における発光材料は、２０℃での発光量子収率（燐光または蛍光）が１０％以上の材料が好ましく、２０℃での発光量子収率が １５％以上がより好ましく、２０℃での発光量子収率が２０％以上の材料がさらに好ましい。
本発明における発光材料の総含有量としては、発光層の質量に対して、０．１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．３質量％〜４０質量％であることがより好ましく、０．５質量％〜２０質量％であることがさらにより好ましい。
発光層に、発光材料が少なくとも２種類含有される場合の含有比としては、特に限定されないが、発光スペクトルの由来となる発光材料／その他の発光材料の比は、１００／１〜１／１０が好ましく、２０／１〜１／５がより好ましく、５／１〜１／２が更に好ましい。この場合、発光スペクトルの由来となる発光材料／その他の発光材料の双方が、３座以上の配位子を有する金属錯体であってもよいし、いずれか一方が３座以上の配位子を有する金属錯体であってもよい。
以下、本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体について詳細に説明する。なお、本発明の発光素子におけるその他の構成要素については、３座以上の配位子を有する金属錯体の説明の後に詳述する。
本発明における金属錯体が有する配位子が鎖状配位子である場合、該金属錯体は、以下に詳述する一般式（Ｉ）または一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
先ず、一般式（Ｉ）で表される化合物について説明する。
一般式（Ｉ）中、Ｍ１１は金属イオンを表し、Ｌ１１〜Ｌ１５はそれぞれＭ１１に配位する配位子を表す。Ｌ１１とＬ１４との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ１５はＬ１１及びＬ１４の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３はそれぞれ連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Ｙ１１、Ｙ１２、又はＹ１３が連結基である場合、Ｌ１１とＹ１２、Ｙ１２とＬ１２、Ｌ１２とＹ１１、Ｙ１１とＬ１３、Ｌ１３とＹ１３、Ｙ１３とＬ１４の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ１１は０〜４を表す。Ｍ１１とＬ１１〜Ｌ１５との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
一般式（Ｉ）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｉ）中、Ｍ１１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、イリジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。
一般式（Ｉ）中、Ｍ１１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、イリジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。
一般式（Ｉ）中、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４は、それぞれ独立に、Ｍ１１に配位する配位子を表す。Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４に含まれ、かつ、Ｍ１１に配位する原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子、又はリン原子が好ましく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又は炭素原子がより好ましく、窒素原子、酸素原子、又は炭素原子が更に好ましい。
Ｍ１１とＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４でそれぞれ形成される結合は、それぞれ独立に、共有結合であってもイオン結合であっても配位結合であってもよい。本発明における配位子とは、説明の便宜上、配位結合のみならず他のイオン結合、共有結合により形成された場合においても用いるものとする。
Ｌ１１、Ｙ１２、Ｌ１２、Ｙ１１、Ｌ１３、Ｙ１３、及びＬ１４から成る配位子は、アニオン性配位子（少なくとも一つのアニオンが金属と結合する配位子）であることが好ましい。アニオン性配位子中のアニオンの数は、１〜３が好ましく、１、２がより好ましく、２がさらに好ましい。
Ｌ１１、Ｙ１２、Ｌ１２、Ｙ１１、Ｌ１３、Ｙ１３、及びＬ１４から成る配位子は、アニオン性配位子（少なくとも一つのアニオンが金属と結合する配位子）であることが好ましい。アニオン性配位子中のアニオンの数は、１〜３が好ましく、１、２がより好ましく、２がさらに好ましい。
Ｍ１１に炭素原子で配位するＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４としては、特に限定されないが、それぞれ独立にイミノ配位子、芳香族炭素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばチオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など）およびこれらの互変異性体）が挙げられる。
Ｍ１１に窒素原子で配位するＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、含窒素へテロ環配位子（例えば、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体（なお、本発明では通常の異性体以外に次のような例も互変異性体と定義する。例えば、後述する化合物（２４）の５員ヘテロ環配位子、化合物（６４）の末端５員ヘテロ環配位子、化合物（１４５）の５員ヘテロ環配位子もピロール互変異性体と定義する。）など、アミノ配位子（アルキルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノなどが挙げられる。）、アリールアミノ配位子（例えばフェニルアミノなどが挙げられる。）、アシルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ配位子など）が挙げられる。これらの配位子はさらに置換されていてもよい。
Ｍ１１に酸素原子で配位するＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル配位子（例えばケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子など）、エーテル配位子（例えばジアルキルエーテル配位子、ジアリールエーテル配位子、フリル配位子など）などが挙げられる。
Ｍ１１に硫黄原子で配位するＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル配位子（例えばチオケトン配位子、チオエステル配位子など）、又はチオエーテル配位子（例えばジアルキルチオエーテル配位子、ジアリールチオエーテル配位子、チオフリル配位子など）などが挙げられる。これらの置換配位子は更に置換されてもよい。
Ｍ１１にリン原子で配位するＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基は更に置換されてもよい。
Ｍ１１にリン原子で配位するＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＬ１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基は更に置換されてもよい。
Ｌ１１及びＬ１４は、それぞれ独立に、芳香族炭素環配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、含窒素へテロ環配位子（例えばピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体など）が好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、イミダゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、キノキサリン配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体がより好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、又はアリールアミノ配位子がさらに好ましく、芳香族炭素環配位子、又はアリールオキシ配位子が特に好ましい。
Ｌ１２及びＬ１３は、それぞれ独立に、Ｍ１１と配位結合を形成する配位子が好ましく、Ｍ１１と配位結合を形成する配位子としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズピロールなど）、及び、これらの互変異性体がより好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）がさらに好ましく、ピリジン環、及び、ピリジン環を含む縮環体（例えば、キノリン環など）が特に好ましい。
一般式（Ｉ）中、Ｌ１５はＭ１１に配位する配位子を表す。Ｌ１５は１〜４座の配位子が好ましく、１〜４座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜４座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ１１、Ｙ１２、Ｌ１２、Ｙ１１、Ｌ１３、Ｙ１３、Ｌ１４で形成される４座配位子が好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えばピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ１１、Ｙ１２、Ｌ１２、Ｙ１１、Ｌ１３、Ｙ１３、Ｌ１４で形成される４座配位子がより好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）がさらに好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）が特に好ましい。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。但し、Ｌ１５はＬ１１及びＬ１４の両方と結合して環状配位子を形成することはない。
一般式（Ｉ）中、Ｙ１１、Ｙ１２、及びＹ１３は、それぞれ独立に、連結基、単結合、または二重結合を表す。連結基としては、特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、珪素原子連結基、硫黄原子連結基、又は、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。また、Ｙ１１、Ｙ１２、又はＹ１３が連結基である場合、Ｌ１１とＹ１２、Ｙ１２とＬ１２、Ｌ１２とＹ１１、Ｙ１１とＬ１３、Ｌ１３とＹ１３、Ｙ１３とＬ１４の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。
このような連結基の具体例としては、例えば下記のものが挙げられる。
このような連結基の具体例としては、例えば下記のものが挙げられる。
Ｙ１１、Ｙ１２、及びＹ１３は、それぞれ独立に、単結合、二重結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましい。Ｙ１１は、単結合、アルキレン基がより好ましく、アルキレン基がさらに好ましい。Ｙ１２及びＹ１３は、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
Ｙ１２、Ｌ１１、Ｌ１２、及びＭ１１で形成される環、Ｙ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＭ１１で形成される環、Ｙ１３、Ｌ１３、Ｌ１４、及びＭ１１で形成される環は、それぞれ環員数４〜１０が好ましく、環員数５〜７がより好ましく、環員数５又は６がさらに好ましい。
一般式（Ｉ）中、ｎ１１は０〜４を表す。Ｍ１１が配位数４の金属の場合、ｎ１１は０であり、Ｍ１１が配位数６の金属の場合、ｎ１１は１、２が好ましく、１がより好ましい。Ｍ１１が配位数６でｎ１１が１の場合Ｌ１５は２座配位子を表し、Ｍ１１が配位数６でｎ１１が２の場合Ｌ１５は単座配位子を表す。Ｍ１１が配位数８の金属の場合、ｎ１１は１〜４が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ１１が配位数８でｎ１１が１の場合Ｌ１５は４座配位子を表し、Ｍ１１が配位数８でｎ１１が２の場合Ｌ１５は２座配位子を表す。ｎ１１が複数のときは、複数のＬ１５は同じであっても異なっていてもよい。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、以下に挙げる一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、及び一般式（４）で表される各化合物である。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、以下に挙げる一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、及び一般式（４）で表される各化合物である。
一般式（１）で表される化合物について説明する。
一般式（１）中、Ｍ２１は金属イオンを表し、Ｙ２１は連結基、単結合、または二重結合を表す。Ｙ２２、Ｙ２３はそれぞれ単結合または連結基を表す。Ｑ２１、Ｑ２２はそれぞれ含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ２１で形成される環とＹ２１の間の結合およびＱ２２で形成される環とＹ２１の間の結合は、単結合または二重結合を表す。Ｘ２１、Ｘ２２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子を表す。Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ２１及びＲ２２並びにＲ２３及びＲ２４は各々結合して環を形成してもよい。Ｌ２５はＭ２１に配位する配位子を表す。ｎ２１は０〜４の整数を表す。
一般式（１）について詳細に説明する。
一般式（１）中、Ｍ２１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（１）中、Ｍ２１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ２１、Ｑ２２は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ２１に配位する窒素を含む環）を形成する原子群を表す。Ｑ２１、Ｑ２２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズチアゾール環、インドール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。
Ｘ２１、Ｘ２２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子であり、酸素原子、硫黄原子、置換された窒素原子がより好ましく、酸素原子、硫黄原子がさらに好ましく、酸素原子が特に好ましい。
Ｙ２１は、前記一般式（Ｉ）におけるＹ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｙ２２、Ｙ２３は、それぞれ独立に、単結合、連結基を表し、単結合が好ましい。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、珪素連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
Ｙ２２又はＹ２３として表される連結基としては、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン連結基が好ましく、カルボニル連結基、アルケニレン連結基がより好ましく、カルボニル連結基がさらに好ましい。
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、
リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、Ｒ２１とＲ２２またはＲ２３とＲ２４が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、Ｒ２１とＲ２２又はＲ２３とＲ２４が結合して環構造（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましい。
Ｌ２５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。
ｎ２１は前記一般式（Ｉ）におけるｎ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（１）において、Ｑ２１、Ｑ２２が形成する環がピリジン環のとき、Ｙ２１は連結基を表す金属錯体であること、Ｑ２１、Ｑ２２が形成する環がピリジン環で、Ｙ２１が単結合または二重結合で、Ｘ２１、Ｘ２２が硫黄原子、置換または無置換の窒素原子を表す金属錯体であること、或いは、Ｑ２１、Ｑ２２が形成する環が含窒素ヘテロ５員環、または、窒素原子を２つ以上含む含窒素６員環を表す金属錯体であることが好ましい。
前記一般式（１）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１−Ａ）について説明する。
一般式（１−Ａ）中、Ｍ３１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（１−Ａ）中、Ｍ３１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｚ３１、Ｚ３２、Ｚ３３、Ｚ３４、Ｚ３５、及びＺ３６は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ２１で説明した基が挙げられ、また、Ｚ３１とＺ３２、Ｚ３２とＺ３３、Ｚ３３とＺ３４、Ｚ３４とＺ３５、Ｚ３５とＺ３６が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよく、Ｚ３１とＴ３１、Ｚ３６とＴ３８が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよい。
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。
Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３、Ｔ３４、Ｔ３５、Ｔ３６、Ｔ３７、及びＴ３８は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ２１で説明した基が挙げられ、また、Ｔ３１とＴ３２、Ｔ３２とＴ３３、Ｔ３３とＴ３４、Ｔ３５とＴ３６、Ｔ３６とＴ３７、Ｔ３７とＴ３８が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子がより好ましく、アリール基、ハロゲン原子がさらに好ましく、アリール基が特に好ましい。
Ｘ３１、Ｘ３２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＸ２１、Ｘ２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（２）で表される化合物について説明する。
一般式（２）中、Ｍ５１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ５１、Ｑ５２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＱ２１、Ｑ２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ５３、Ｑ５４は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ５１に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ５３、Ｑ５４で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（２９）のヘテロ５員環配位子など）、チアゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（３０）のヘテロ５員環配位子など）、オキサゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（３１）のヘテロ５員環配位子など）が好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体、チアゾール誘導体の互変異性体がより好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体がさらに好ましく、ピロール誘導体の互変異性体が特に好ましい。
Ｙ５１は前記一般式（Ｉ）におけるＹ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｌ５５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。
ｎ５１は前記ｎ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｗ５１、Ｗ５２は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、無置換の炭素原子、窒素原子が好ましく、無置換の炭素原子がより好ましい。
一般式（３）で表される化合物について説明する。
一般式（３）中、ＭＡ１、ＱＡ１、ＱＡ２、ＹＡ１、ＹＡ２、ＹＡ３、ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、ＲＡ４、ＬＡ５、ｎＡ１は、前記一般式（１）におけるＭ２１、Ｑ２１、Ｑ２２、Ｙ２１、Ｙ２２、Ｙ２３、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｌ２５、ｎ２１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
前記一般式（３）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（３−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（３−Ａ）で表される化合物について説明する
先ず、一般式（３−Ａ）で表される化合物について説明する
一般式（３−Ａ）中、Ｍ６１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ６１、Ｑ６２は、それぞれ独立に、環を形成する基を表す。Ｑ６１、Ｑ６２で形成される環としては特に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、チオフェン環、イソチアゾール環、フラン環、イソオキサゾ−ル環、及び、その縮環体が挙げられる。
Ｑ６１、Ｑ６２で形成される環は、好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、チオフェン環、チアゾール環、及び、その縮環体であり、ベンゼン環、ピリジン環、及び、その縮環体がより好ましく、ベンゼン環、及び、その縮環体がさらに好ましい。
Ｙ６１は前記一般式（Ｉ）におけるＹ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｙ６２、Ｙ６３は、それぞれ独立に、連結基または単結合を表す。連結基としてはとくに限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、珪素原子、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
Ｙ６２、Ｙ６３は、それぞれ独立に、単結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましく、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
Ｌ６５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。
ｎ６１は前記一般式（Ｉ）におけるｎ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｚ６１、Ｚ６２、Ｚ６３、Ｚ６４、Ｚ６５、Ｚ６６、Ｚ６７、及びＺ６８は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ２１で説明した基が挙げられ、また、Ｚ６１とＺ６２、Ｚ６２とＺ６３、Ｚ６３とＺ６４、Ｚ６５とＺ６６、Ｚ６６とＺ６７、Ｚ６７とＺ６８が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。Ｑ６１、Ｑ６２で形成される環がそれぞれＺ６１、Ｚ６８と連結基を介して結合し、環を形成してもよい。
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。
一般式（３−Ｂ）で表される化合物について説明する。
一般式（３−Ｂ）中、Ｍ７１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｙ７１、Ｙ７２、Ｙ７３は、それぞれ独立に、前記一般式（３−Ａ）におけるＹ６１、Ｙ６２、Ｙ６３と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｌ７５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。
ｎ７１は前記一般式（Ｉ）におけるｎ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｚ７１、Ｚ７２、Ｚ７３、Ｚ７４、Ｚ７５、及びＺ７６は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ２１で説明した基が挙げられる。また、Ｚ７１とＺ７２、Ｚ７２とＺ７３、Ｚ７３とＺ７４、Ｚ７４とＺ７５、Ｚ７５とＺ７６は連結基を介して結合し、環（例えばベンゼン環、ピリジン環）を形成してもよい。Ｒ７１〜Ｒ７４は前記一般式（１）におけるＲ２１〜Ｒ２４の置換基と同義であり、好ましい範囲も同じである。
前記一般式（３−Ｂ）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（３−Ｃ）で表される化合物について説明する。
一般式（３−Ｃ）で表される化合物について説明する。
一般式（３−Ｃ）中、ＲＣ１、ＲＣ２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ２１ないしＲ２４の置換基として説明したアルキル基、アリール基を表す。ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５、及びＲＣ６が表す置換基も前記一般式（１）におけるＲ２１ないしＲ２４の置換基と同義である。ｎＣ３、ｎＣ６は０〜３の整数、ｎＣ４、ｎＣ５は０〜４の整数を表し、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５、ＲＣ６をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５、ＲＣ６は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５、ＲＣ６は、好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子である。
一般式（４）で表される化合物について説明する。
一般式（４）中、ＭＢ１、ＹＢ２、ＹＢ３、ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、ＲＢ４、ＬＢ５、ｎＢ３、ＸＢ１、ＸＢ２は、前記一般式（１）におけるＭ２１、Ｙ２２、Ｙ２３、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｌ２５、ｎ２１、Ｘ２１、Ｘ２２とそれぞれ同義であり好ましい範囲も同様である。
ＹＢ１は連結基を表し、前記一般式（１）におけるＹ２１と同様であり、好ましくは１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数２〜８のアルキレン基を表す。
ＲＢ５、ＲＢ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、置換基としては前記一般式（１）におけるＲ２１ないしＲ２４の置換基として説明したアルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。ただし、ＹＢ１はＲＢ５またはＲＢ６と連結することはない。ｎＢ１、ｎＢ２は、それぞれ独立に、０ないし１の整数を表す。
前記一般式（４）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（４−Ａ）で表される化合物である。
一般式（４−Ａ）で表される化合物について説明する。
一般式（４−Ａ）で表される化合物について説明する。
一般式（４−Ａ）中、ＲＤ３、ＲＤ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、ＲＤ１、ＲＤ２はそれぞれ置換基を表す。ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、及びＲＤ４が表す置換基としては、前記一般式（４）におけるＲＢ５、ＲＢ６が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。ｎＤ１、ｎＤ２は０〜４の整数を表し、ＲＤ１、ＲＤ２をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲＤ１、ＲＤ２は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。ＹＤ１は１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数１〜８のアルキレン基を表す。
本発明における３座配位子を有する金属錯体の好ましい形態は、下記一般式（５）で表される化合物である。
一般式（５）で表される化合物について説明する。
一般式（５）で表される化合物について説明する。
一般式（５）中、Ｍ８１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｌ８１、Ｌ８２、及びＬ８３は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１４と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｙ８１、Ｙ８２は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＹ１１、Ｙ１２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｌ８５はＭ８１に配位する配位子を表す。Ｌ８５は１〜３座の配位子が好ましく、１〜３座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜３座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、Ｌ８１、Ｙ８１、Ｌ８２、Ｙ８２、Ｌ８３で形成される３座配位子が好ましく、Ｌ８１、Ｙ８１、Ｌ８２、Ｙ８２、Ｌ８３で形成される３座配位子がより好ましい。Ｌ８５が金属を介さずにＬ８１、Ｌ８３と連結することはない。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。
ｎ８１は０〜５を表す。Ｍ８１が配位数４の金属の場合、ｎ８１は１であり、Ｌ８５は単座配位子を表す。Ｍ８１が配位数６の金属の場合、ｎ８１は１〜３が好ましく、１、３がより好ましく、１がさらに好ましい。Ｍ８１が配位数６でｎ８１が１の場合Ｌ８５は３座配位子を表し、Ｍ８１が配位数６でｎ８１が２の場合Ｌ８５は単座配位子１つと２座配位子１つを表し、Ｍ８１が配位数６でｎ８１が３の場合Ｌ８５は単座配位子を表す。Ｍ８１が配位数８の金属の場合、ｎ８１は１〜５が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ８１が配位数８でｎ８１が１の場合Ｌ８５は５座配位子を表し、ｎ８１が２の場合Ｌ８５は３座配位子１つと２座配位子１つを表し、ｎ８１が３の場合Ｌ８５は３座配位子１つと単座配位子２つ、または、２座配位子２つと単座配位子１つを表し、ｎ８１が４の場合Ｌ８５は２座配位子１つと単座配位子３つを表し、ｎ８１が５の場合Ｌ８５は単座配位子５つを表す。ｎ８１が複数のときは、複数のＬ８５は同じであっても異なっていてもよい。
前記一般式（５）の好ましい形態は、前記一般式（５）のＬ８１、Ｌ８２、Ｌ８３が炭素原子でＭ８１に配位する芳香族炭素環またはヘテロ環、または窒素原子でＭ８１に配位する含窒素ヘテロ環を表し、Ｌ８１、Ｌ８２、Ｌ８３のうち少なくとも一つが含窒素ヘテロ環である。これら炭素原子で配位する芳香族炭素環、ヘテロ環および窒素原子で配位する含窒素ヘテロ環は前記一般式（Ｉ）で説明したＭ１１に炭素原子で配位する配位子および窒素原子で配位する例が挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｙ８１、Ｙ８２は好ましくは単結合ないしはメチレン基を表す。
前記一般式（５）で表される化合物の他の好ましい形態は、下記一般式（５−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（５−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（５−Ａ）で表される化合物について説明する。
前記一般式（５）で表される化合物の他の好ましい形態は、下記一般式（５−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（５−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（５−Ａ）で表される化合物について説明する。
一般式（５−Ａ）中、Ｍ９１は前記一般式（５）におけるＭ８１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ９１、Ｑ９２は含窒素へテロ環（Ｍ９１に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ９１、Ｑ９２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。
Ｑ９１、Ｑ９２で形成される含窒素ヘテロ環は、好ましくは、ピリジン環、ピラゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズチアゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）、及び、これらの互変異性体、さらに好ましくは、ピリジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。
Ｑ９３は含窒素へテロ環（Ｍ９１に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ９３で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環の互変異性体、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロールなど）が好ましく、ピロール環の互変異性体及びピロール環を含む縮環体（例えばベンズピロールなど）の互変異性体がより好ましい。
Ｗ９１、Ｗ９２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＷ５１、Ｗ５２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｌ９５は前記一般式（５）におけるＬ８５と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｎ９１は前記一般式（５）におけるｎ８１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（５−Ｂ）で表される化合物について説明する。
一般式（５−Ｂ）中、Ｍ１０１は、前記一般式（５）におけるＭ８１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ１０２は、前記一般式（１）におけるＱ２１と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｑ１０１は前記一般式（５−Ａ）におけるＱ９１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ１０３は芳香環を形成する基を表す。Ｑ１０３で形成される芳香環としては特に限定されないが、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、ナフタレン環など）が好ましく、ベンゼン環及びベンゼン環を含む縮環体（例えば、ナフタレン環など）がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。
Ｙ１０１、Ｙ１０２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＹ２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｌ１０５は前記一般式（５）におけるＬ８５と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｎ１０１は前記一般式（５）におけるｎ８１と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｘ１０１は前記一般式（１）におけるＸ２１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
次に、一般式（ＩＩ）で表される化合物について説明する。
一般式（ＩＩ）中、ＭＸ１は金属イオンを表す。ＱＸ１１〜ＱＸ１６はＭＸ１に配位する原子またはＭＸ１に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬＸ１１〜ＬＸ１４は単結合、二重結合または連結基を表す。
すなわち、一般式（ＩＩ）においては、ＱＸ１１−ＬＸ１１−ＱＸ１２−ＬＸ１２−ＱＸ１３からなる原子群、及びＱＸ１４−ＬＸ１３−ＱＸ１５−ＬＸ１４−ＱＸ１６からなる原子群が、それぞれ三座の配位子を形成する。
また、ＭＸ１とＱＸ１１〜ＱＸ１６との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
すなわち、一般式（ＩＩ）においては、ＱＸ１１−ＬＸ１１−ＱＸ１２−ＬＸ１２−ＱＸ１３からなる原子群、及びＱＸ１４−ＬＸ１３−ＱＸ１５−ＬＸ１４−ＱＸ１６からなる原子群が、それぞれ三座の配位子を形成する。
また、ＭＸ１とＱＸ１１〜ＱＸ１６との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
一般式（ＩＩ）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（ＩＩ）中、ＭＸ１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、１価〜３価の金属イオンが好ましく、２価又は３価の金属イオンがより好ましく、３価の金属イオンがさらに好ましい。具体的には、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、イリジウムイオンがさらに好ましい。
一般式（ＩＩ）中、ＭＸ１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、１価〜３価の金属イオンが好ましく、２価又は３価の金属イオンがより好ましく、３価の金属イオンがさらに好ましい。具体的には、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、イリジウムイオンがさらに好ましい。
ＱＸ１１〜ＱＸ１６は、ＭＸ１に配位する原子又はＭＸ１に配位する原子を含んだ原子群を表す。
ＱＸ１１〜ＱＸ１６がＭＸ１に配位する原子を表す場合、その具体的な原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、リン原子、硫黄原子などが挙げられ、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子である。
ＱＸ１１〜ＱＸ１６がＭＸ１に配位する原子を含んだ原子群を表す場合、ＭＸ１に炭素原子で配位するものとしては、例えば、イミノ基、芳香族炭化水素環基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）およびこれらを含む縮合環、およびこれらの互変異性体が挙げられる。
ＱＸ１１〜ＱＸ１６がＭＸ１に配位する原子を表す場合、その具体的な原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、リン原子、硫黄原子などが挙げられ、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子である。
ＱＸ１１〜ＱＸ１６がＭＸ１に配位する原子を含んだ原子群を表す場合、ＭＸ１に炭素原子で配位するものとしては、例えば、イミノ基、芳香族炭化水素環基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）およびこれらを含む縮合環、およびこれらの互変異性体が挙げられる。
ＭＸ１に窒素原子で配位するものとしては、例えば、含窒素ヘテロ環基（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）、アミノ基（アルキルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノ）、アリールアミノ基（例えばフェニルアミノ）などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ基などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていてもよい。
ＭＸ１に酸素原子で配位するものとしては、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル基（例えばケトン基、エステル基、アミド基など）、エーテル基（例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など）などが挙げられる。
ＭＸ１に珪素原子で配位するものとしては、アルキルシリル基（好ましくは炭素数３〜３０であり、たとえば、トリメチルシリル基などが挙げられる。）、アリールシリル基（好ましくは炭素数１８〜３０であり、例えば、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。
ＭＸ１に硫黄原子で配位するものとしては、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル基（例えばチオケトン基、チオエステル基など）、チオエーテル基（例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、チオフリル基など）などが挙げられる。
ＭＸ１にリン原子で配位するものとしては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。
ＱＸ１１〜ＱＸ１６で表される原子群として好ましくは、ＭＸ１に、炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ジアルキルホスフィノ基であり、より好ましくは炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基である。
ＭＸ１とＱＸ１１〜ＱＸ１６との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
ＭＸ１とＱＸ１１〜ＱＸ１６との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
一般式（ＩＩ）中、ＬＸ１１〜ＬＸ１４は、単結合、二重結合、又は連結基を表す。連結基としては特に限定されないが、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましい。該連結の具体例を下記に示すが、これらに限定されることはない。
これらの連結基はさらに置換されてもよく、置換基としては前記一般式（１）におけるＲ２１〜Ｒ２４で表される置換基として挙げたものが適用でき、好ましい範囲も同様である。ＬＸ１１〜ＬＸ１４として好ましくは、単結合、ジメチルメチレン基、ジメチルシリレン基である。
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物のうち、より好ましくは下記一般式（Ｘ２）で表される化合物であり、更に好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
先ず、一般式（Ｘ２）で表される化合物について説明する。
先ず、一般式（Ｘ２）で表される化合物について説明する。
一般式（Ｘ２）中、ＭＸ２は金属イオンを表す。ＹＸ２１〜ＹＸ２６はＭＸ２に配位する原子を表し、ＱＸ２１〜ＱＸ２６は、それぞれＹＸ２１〜ＹＸ２６と共に芳香環もしくは芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。ＬＸ２１〜ＬＸ２４は単結合、二重結合または連結基を表す。ＭＸ２とＹＸ２１〜ＹＸ２６との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
一般式（Ｘ２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｘ２）中、ＭＸ２は、前記一般式（ＩＩ）におけるＭＸ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹＸ２１〜ＹＸ２６はＭＸ２に配位する原子を表す。ＹＸ２１〜ＹＸ２６とＭＸ２との結合は配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。ＹＸ２１〜ＹＸ２６としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、りん原子、ケイ素原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。ＱＸ２１〜ＱＸ２６は、それぞれＹＸ２１〜ＹＸ２６を含んで芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。この場合に形成する芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、トリアゾール環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。これらはさらに縮環を有していても置換基を有していても良い。
一般式（Ｘ２）中、ＭＸ２は、前記一般式（ＩＩ）におけるＭＸ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹＸ２１〜ＹＸ２６はＭＸ２に配位する原子を表す。ＹＸ２１〜ＹＸ２６とＭＸ２との結合は配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。ＹＸ２１〜ＹＸ２６としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、りん原子、ケイ素原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。ＱＸ２１〜ＱＸ２６は、それぞれＹＸ２１〜ＹＸ２６を含んで芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。この場合に形成する芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、トリアゾール環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。これらはさらに縮環を有していても置換基を有していても良い。
ＬＸ２１〜ＬＸ２４は前記一般式（ＩＩ）におけるＬＸ１１〜ＬＸ１４と同義であり好ましい範囲も同様である。
前記一般式（ＩＩ）で表される化合物は、さらに好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
一般式（Ｘ３）について説明する。
一般式（Ｘ３）について説明する。
一般式（Ｘ３）中、ＭＸ３は金属イオンを表す。ＹＸ３１〜ＹＸ３６は、炭素原子、窒素原子、リン原子を表す。ＬＸ３１〜ＬＸ３４は単結合、二重結合または連結基を表す。ＭＸ３とＹＸ３１〜ＹＸ３６との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
ＭＸ３は前記一般式（ＩＩ）におけるＭＸ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹＸ３１〜ＹＸ３６はＭＸ３に配位する原子を表す。ＹＸ３１〜ＹＸ３６とＭＸ３との結合は配位結合でも共有結合でも良い。ＹＸ３１〜ＹＸ３６としては、炭素原子、窒素原子、りん原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。ＬＸ３１〜ＬＸ３４は前記一般式（ＩＩ）におけるＬＸ１１〜ＬＸ１４と同義であり好ましい範囲も同様である。
前記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、及び一般式（５）で表される化合物の具体例としては、特願２００４−１６２８４９号明細書に記載の化合物（１）〜化合物（２４２）や化合物（２４３）〜（２４６）（以下に構造を示す。）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
（本発明における金属錯体の合成方法）
本発明における金属錯体〔前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（５−Ａ）、及び（５−Ｂ）、並びに前記一般式（ＩＩ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物〕は、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
本発明における金属錯体〔前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（５−Ａ）、及び（５−Ｂ）、並びに前記一般式（ＩＩ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物〕は、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
本発明の金属錯体を合成する際の反応時間は反応原料の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下がさらに好ましい。
本発明の金属錯体合成の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。
本発明の金属錯体は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子を適宜選択することで、前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（５−Ａ）、及び（５−Ｂ）、並びに前記一般式（ＩＩ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）は合成できる。
例えば、一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成する際は、６，６’−ビス（２−ヒ
ドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子またはその誘導体（例えば、２，９−
ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１，１０−フェナントロリン配位子、２，９−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン配位子、６，６’−ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子など）などを、金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜１０当量、より好ましくは０．３当量〜６当量、さらに好ましくは０．５当量〜４当量加えて合成できる。一般式（１−Ａ）で表される化合物の合成方法において、反応溶媒、反応時間、反応温度の各々は、上記本発明の金属錯体の合成方法で述べた事項と同様である。
例えば、一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成する際は、６，６’−ビス（２−ヒ
ドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子またはその誘導体（例えば、２，９−
ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１，１０−フェナントロリン配位子、２，９−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン配位子、６，６’−ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子など）などを、金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜１０当量、より好ましくは０．３当量〜６当量、さらに好ましくは０．５当量〜４当量加えて合成できる。一般式（１−Ａ）で表される化合物の合成方法において、反応溶媒、反応時間、反応温度の各々は、上記本発明の金属錯体の合成方法で述べた事項と同様である。
６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子の誘導体は種々の公知の方法を用いて合成することができる。
例えば、２，２’−ビピリジル誘導体（例えば、１，１０−フェナントロリンなど）と
アニソール誘導体（例えば、４−フルオロアニソールなど）をＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ７４１， １１，（１９４６）に記載の方法で反応させることにより合成することができる。また、ハロゲン化された２，２’−ビピリジ
ル誘導体（例えば、２，９−ジブロモ−１，１０−フェナントロリンなど）と２−メトキシフェニルボロン酸誘導体など（例えば、２−メトキシ−５−フルオロフェニルボロン酸など）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ７４１， １１，（１９４６）に記載の方法、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことにより合成することができる。また、２，２’−ビピリジルボロン酸誘導体（例えば６，６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロリル）−２，２’−ビピリジルなど）とハロゲン化されたアニソール誘導体（例えば２−ブロモアニソールなど）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ７４１， １１，（１９４６）に記載の方法、または、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことによっても合成することができる。
例えば、２，２’−ビピリジル誘導体（例えば、１，１０−フェナントロリンなど）と
アニソール誘導体（例えば、４−フルオロアニソールなど）をＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ７４１， １１，（１９４６）に記載の方法で反応させることにより合成することができる。また、ハロゲン化された２，２’−ビピリジ
ル誘導体（例えば、２，９−ジブロモ−１，１０−フェナントロリンなど）と２−メトキシフェニルボロン酸誘導体など（例えば、２−メトキシ−５−フルオロフェニルボロン酸など）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ７４１， １１，（１９４６）に記載の方法、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことにより合成することができる。また、２，２’−ビピリジルボロン酸誘導体（例えば６，６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロリル）−２，２’−ビピリジルなど）とハロゲン化されたアニソール誘導体（例えば２−ブロモアニソールなど）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ７４１， １１，（１９４６）に記載の方法、または、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことによっても合成することができる。
本発明における金属錯体の配位子が前述の通り環状配位子である場合、該金属錯体は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
以下、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物について説明する。
一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ１１は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ１３はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭＹ１は更に配位子を有しても良い金属イオンを表す。
一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ１１は、Ｑ１１が結合する炭素原子２つとこれらの炭素原子に直接結合している窒素原子とを含んで、含窒素へテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ１１で形成される含窒素へテロ環の環員数としては特に限定されないが、環員数１２〜２０が好ましく、環員数１４〜１６がより好ましく、環員数１６がさらに好ましい。
Ｚ１１、Ｚ１２、及びＺ１３はそれぞれ独立に、置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ１１、Ｚ１２、及びＺ１３の組合せとしては、Ｚ１１、Ｚ１２、及びＺ１３の少なくとも１つが窒素原子であることが好ましい。
炭素原子上の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、
シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
これらの置換基の中でも、炭素原子上の置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、より好ましくはアリール基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはフェニル基、フッ素原子である。
これらの置換基の中でも、炭素原子上の置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、より好ましくはアリール基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはフェニル基、フッ素原子である。
窒素原子上の置換基としては、前記炭素原子上の置換基として例示した置換基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
一般式（ＩＩＩ）中、ＭＹ１は配位子を更に有してもよい金属イオンを表し、他に配位子を有さない金属イオンがより好ましい。
ＭＹ１で表される金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンが好ましく、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、鉛イオンがより好ましく、銅イオン、白金イオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。ＭＹ１は、Ｑ１１に含まれる原子と結合していても結合していなくてもよく、結合している方が好ましい。
ＭＹ１が、さらに有していてもよい配位子としては、特に限定されないが、単座、もしくは、２座の配位子が好ましく、２座の配位子がより好ましい。配位する原子としては、特に限定されないが、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素原子、りん原子が好ましく、酸素原子、窒素原子、炭素原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましい。
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の好ましい例は、下記一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物、又はそれらの互変異性体である。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物はとしては、一般式（ａ）及び一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましい。
また、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、一般式（ｃ）または一般式（ｇ）で表される化合物も好ましい。
一般式（ｃ）で表される化合物としては、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｆ）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体がさらに好ましい。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物はとしては、一般式（ａ）及び一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましい。
また、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、一般式（ｃ）または一般式（ｇ）で表される化合物も好ましい。
一般式（ｃ）で表される化合物としては、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｆ）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体がさらに好ましい。
一般式（ｇ）で表される化合物としては、一般式（ｈ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｊ）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく、一般式（ｈ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｈ）表される化合物またはその互変異性体がさらに好ましい。
以下、一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（ａ）で表される化合物について説明する。
一般式（ａ）中、Ｚ２１、Ｚ２２、Ｚ２３、Ｚ２４、Ｚ２５、Ｚ２６、Ｍ２１はそれぞれ対応する前記一般式（ＩＩＩ）におけるＺ１１、Ｚ１２、Ｚ１３、Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ１３、ＭＹ１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（ａ）中、Ｚ２１、Ｚ２２、Ｚ２３、Ｚ２４、Ｚ２５、Ｚ２６、Ｍ２１はそれぞれ対応する前記一般式（ＩＩＩ）におけるＺ１１、Ｚ１２、Ｚ１３、Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ１３、ＭＹ１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｑ２１、Ｑ２２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表す。Ｑ２１、Ｑ２２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロール）、及び、これらの互変異性体（例えば、後述の一般式（ｂ）において、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６が置換している含窒素５員環はピロールの互変異性体と定義する）が好ましく、ピロール環及びピロール環を含む縮環体（例えば、ベンズピロール）がより好ましい。
Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３、Ｘ２４は、それぞれ独立に、置換または無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、無置換の炭素原子、窒素原子が好ましく、窒素原子がより好ましい。
一般式（ｂ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｂ）中、Ｚ４１、Ｚ４２、Ｚ４３、Ｚ４４、Ｚ４５、Ｚ４６、Ｘ４１、Ｘ４２、Ｘ４３、Ｘ４４、Ｍ４１は前記一般式（ａ）におけるＺ２１、Ｚ２２、Ｚ２３、Ｚ２４、Ｚ２５、Ｚ２６、Ｘ２１、Ｘ２２、Ｘ２３、Ｘ２４、Ｍ２１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６はそれぞれ独立に水素原子、または前記一般式（ＩＩＩ）におけるＺ１１又はＺ１２上の置換基として例示したアルキル基、アリール基、Ｒ４３とＲ４４またはＲ４５とＲ４６が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、アルキル基、アリール基、Ｒ４３とＲ４４またはＲ４５とＲ４６が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、Ｒ４３とＲ４４またはＲ４５とＲ４６が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましい。
Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。置換基としては前記一般式（ＩＩＩ）におけるＺ１１又はＺ１２について炭素原子上の置換基で説明した基が挙げられる。
一般式（ｃ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｃ）中、Ｚ１０１、Ｚ１０２、Ｚ１０３はそれぞれ独立に置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ１０１、Ｚ１０２、Ｚ１０３の少なくとも一つが窒素原子であることが好ましい。
Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、含窒素ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、硫黄原子連結基、珪素原子連結基、アミノ連結基、イミノ連結基、カルボニル連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４はそれぞれ独立に単結合、アルキレン基、アルケニレン基、アミノ連結基、イミノ連結基が好ましく、単結合、アルキレン連結基、アルケニレン連結基、イミノ連結基がより好ましく、単結合、アルキレン連結基がさらに好ましい。
Ｑ１０１、Ｑ１０３はそれぞれ独立にＭ１０１に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、りん原子で配位する基、酸素原子で配位する基、または、硫黄原子で配位する基を表す。
Ｍ１０１に炭素原子で配位する基としては、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する６員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基がさらに好ましい。
Ｍ１０１に窒素原子で配位する基としては、窒素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましい。
Ｍ１０１にりん原子で配位する基としては、りん原子で配位するアルキルホスフィン基、りん原子で配位するアリールホスフィン基、りん原子で配位するアルコキシホスフィン基、りん原子で配位するアリールオキシホスフィン基、りん原子で配位するヘテロアリールオキシホスフィン基、りん原子で配位するホスフィニン基、りん原子で配位するホスホール基が好ましく、りん原子で配位するアルキルホスフィン基、りん原子で配位するアリールホスフィン基がより好ましい。
Ｍ１０１に酸素原子で配位する基としては、オキシ基、酸素原子で配位するカルボニル基が好ましく、オキシ基がさらに好ましい。
Ｍ１０１に硫黄原子で配位する基としては、スルフィド基、チオフェン基、チアゾール基が好ましく、チオフェン基がより好ましい。
Ｑ１０１、Ｑ１０３はＭ１０１に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、酸素原子で配位する基が好ましく、炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基がより好ましく、炭素原子で配位する基がさらに好ましい。
Ｑ１０２はＭ１０１に窒素原子で配位する基、りん原子で配位する基、酸素原子で配位する基、または、硫黄原子で配位する基を表し、窒素原子で配位する基がより好ましい。
Ｍ１０１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（ｄ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｄ）中、Ｚ２０１、Ｚ２０２、Ｚ２０３、Ｚ２０７、Ｚ２０８、Ｚ２０９、Ｌ２０１、Ｌ２０２、Ｌ２０３、Ｌ２０４、Ｍ２０１はそれぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ１０１、Ｚ１０２、Ｚ１０３、Ｚ１０１、Ｚ１０２、Ｚ１０３、Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、Ｍ１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｚ２０４、Ｚ２０５、Ｚ２０６、Ｚ２１０、Ｚ２１１、Ｚ２１２はそれぞれ置換または無置換の炭素原子又は窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。
一般式（ｅ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｅ）中、Ｚ３０１、Ｚ３０２、Ｚ３０３、Ｚ３０４、Ｚ３０５、Ｚ３０６、Ｚ３０７、Ｚ３０８、Ｚ３０９、Ｚ３１０、Ｌ３０１、Ｌ３０２、Ｌ３０３、Ｌ３０４、Ｍ３０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ２０１、Ｚ２０２、Ｚ２０３、Ｚ２０４、Ｚ２０６、Ｚ２０７、Ｚ２０８、Ｚ２０９、Ｚ２１０、Ｚ２１２、Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、Ｍ１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（ｆ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｆ）中、Ｚ４０１、Ｚ４０２、Ｚ４０３、Ｚ４０４、Ｚ４０５、Ｚ４０６、Ｚ４０７、Ｚ４０８、Ｚ４０９、Ｚ４１０、Ｚ４１１、Ｚ４１２、Ｌ４０１、Ｌ４０２、Ｌ４０３、Ｌ４０４、Ｍ４０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ２０１、Ｚ２０２、Ｚ２０３、Ｚ２０４、Ｚ２０５、Ｚ２０６、Ｚ２０７、Ｚ２０８、Ｚ２０９、Ｚ２１０、Ｚ２１１、Ｚ２１２、Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、Ｍ１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｘ４０１、Ｘ４０２はそれぞれ独立に酸素原子、置換又は無置換の窒素原子、硫黄原子を表し、酸素原子、置換窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
Ｘ４０１、Ｘ４０２はそれぞれ独立に酸素原子、置換又は無置換の窒素原子、硫黄原子を表し、酸素原子、置換窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
一般式（ｇ）で表される化合物について説明する
一般式（ｇ）中、Ｚ５０１、Ｚ５０２、Ｚ５０３、Ｌ５０１、Ｌ５０２、Ｌ５０３、Ｌ５０４、Ｑ５０１、Ｑ５０２、Ｑ５０３、Ｍ５０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ１０１、Ｚ１０２、Ｚ１０３、Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、Ｑ１０１、Ｑ１０３、Ｑ１０２、Ｍ１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（ｈ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｈ）中、Ｚ６０１、Ｚ６０２、Ｚ６０３、Ｚ６０４、Ｚ６０５、Ｚ６０６、Ｚ６０７、Ｚ６０８、Ｚ６０９、Ｚ６１０、Ｚ６１１、Ｚ６１２、Ｌ６０１、Ｌ６０２、Ｌ６０３、Ｌ６０４、Ｍ６０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ２０１、Ｚ２０２、Ｚ２０３、Ｚ２０７、Ｚ２０８、Ｚ２０９、Ｚ２０４、Ｚ２０５、Ｚ２０６、Ｚ２１０、Ｚ２１１、Ｚ２１２、Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、Ｍ１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（ｉ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｉ）中、Ｚ７０１、Ｚ７０２、Ｚ７０３、Ｚ７０４、Ｚ７０５、Ｚ７０６、Ｚ７０７、Ｚ７０８、Ｚ７０９、Ｚ７１０、Ｌ７０１、Ｌ７０２、Ｌ７０３、Ｌ７０４、Ｍ７０１はそれぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ２０１、Ｚ２０２、Ｚ２０３、Ｚ２０７、Ｚ２０８、Ｚ２０９、Ｚ２０４、Ｚ２０６、Ｚ２１０、Ｚ２１２、Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、Ｍ１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（ｊ）で表される化合物について説明する。
一般式（ｊ）中、Ｚ８０１、Ｚ８０２、Ｚ８０３、Ｚ８０４、Ｚ８０５、Ｚ８０６、Ｚ８０７、Ｚ８０８、Ｚ８０９、Ｚ８１０、Ｚ８１１、Ｚ８１２、Ｌ８０１、Ｌ８０２、Ｌ８０３、Ｌ８０４、Ｍ８０１、Ｘ８０１、Ｘ８０２は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）、（ｆ）におけるＺ２０１、Ｚ２０２、Ｚ２０３、Ｚ２０７、Ｚ２０８、Ｚ２０９、Ｚ２０４、Ｚ２０５、Ｚ２０６、Ｚ２１０、Ｚ２１１、Ｚ２１２、Ｌ１０１、Ｌ１０２、Ｌ１０３、Ｌ１０４、Ｍ１０１、Ｘ４０１、Ｘ４０２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例としては、特願２００４−８８５７５記載の化合物（２）〜化合物（８）、化合物（１５）〜化合物（２０）、化合物（２７）〜化合物（３２）、化合物（３６）〜化合物（３８）、化合物（４２）〜化合物（４４）、化合物（５０）〜化合物（５２）、及び、化合物（５７）〜化合物（１５４）（以下に構造を示す。）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
さらに、本発明における金属錯体の好ましい例としては、下記一般式（Ａ−１）、下記一般式（Ｂ−１）、下記一般式（Ｃ−１）、下記一般式（Ｄ−１）、下記一般式（Ｅ−１）、及び下記一般式（Ｆ−１）で表される各化合物が挙げられる。
一般式（Ａ−１）について説明する。
一般式（Ａ−１）について説明する。
一般式（Ａ−１）中、ＭＡ１は金属イオンを表す。ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５およびＹＡ１８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６およびＹＡ１７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４は連結基を表し、これらの連結基は、同一構造であっても異なる構造であっても良い。ＱＡ１１、ＱＡ１２はＭＡ１に結合する原子を含有する部分構造を表す。
一般式（Ａ−１）で表される化合物について、詳細に説明する。
ＭＡ１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されることはないが、２価の金属イオンが好ましく、Ｐｔ２＋、Ｐｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｃｏ２＋、Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋、Ｐｂ２＋が好ましく、Ｐｔ２＋、Ｃｕ２＋がより好ましく、Ｐｔ２＋が特に好ましい。
ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５およびＹＡ１８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５およびＹＡ１８として好ましくは、炭素原子である。
ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６およびＹＡ１７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６およびＹＡ１７として好ましくは、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子である。
ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４は二価の連結基を表す。ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基としては、それぞれ独立に単結合のほか、炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素、ゲルマニウム、リン等で構成される連結基であり、より好ましくは、単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、酸素原子、硫黄原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、さらに好ましくは単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、単結合、置換または無置換のメチレン基である、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ＭＡ１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されることはないが、２価の金属イオンが好ましく、Ｐｔ２＋、Ｐｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｃｏ２＋、Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋、Ｐｂ２＋が好ましく、Ｐｔ２＋、Ｃｕ２＋がより好ましく、Ｐｔ２＋が特に好ましい。
ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５およびＹＡ１８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５およびＹＡ１８として好ましくは、炭素原子である。
ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６およびＹＡ１７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６およびＹＡ１７として好ましくは、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子である。
ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４は二価の連結基を表す。ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基としては、それぞれ独立に単結合のほか、炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素、ゲルマニウム、リン等で構成される連結基であり、より好ましくは、単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、酸素原子、硫黄原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、さらに好ましくは単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、単結合、置換または無置換のメチレン基である、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基は、さらに置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、
ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、
スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、
ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。
これらの置換基は更に置換されてもよい。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、フッ素原子である。
ＱＡ１１、ＱＡ１２はＭＡ１に結合する原子を含有する部分構造を表す。ＱＡ１１、ＱＡ１２はそれぞれ独立にＭＡ１に炭素原子で結合する基、窒素原子で結合する基、珪素原子で結合する基、リン原子で結合する基、酸素原子で結合する基、硫黄原子で結合する基が好ましく、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子で結合する基がより好ましく、炭素原子、窒素原子で結合する基がさらに好ましく、炭素原子で結合する基が特に好ましい。
炭素原子で結合する基としては、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する六員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する含窒素五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する含窒素六員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で結合するアリール基が特に好ましい。
窒素原子で結合する基としては、置換アミノ基、窒素原子で結合する含窒素へテロ五員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で結合する含窒素へテロ五員環へテロアリール基が特に好ましい。
リン原子で結合する基としては、置換ホスフィノ基が好ましい。珪素原子で結合する基としては、置換シリル基が好ましい。酸素原子で結合する基としてはオキシ基、硫黄原子で結合する基としてはスルフィド基が好ましい。
前記一般式（Ａ−１）で表される化合物は、より好ましくは一般式（Ａ−２）、一般式（Ａ−３）、又は一般式（Ａ−４）で表される化合物である。
一般式（Ａ−２）中、ＭＡ２は金属イオンを表す。ＹＡ２１、ＹＡ２４、ＹＡ２５およびＹＡ２８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＡ２２、ＹＡ２３、ＹＡ２６およびＹＡ２７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＡ２１、ＬＡ２２、ＬＡ２３、ＬＡ２４は連結基を表す。ＺＡ２１、ＺＡ２２、ＺＡ２３、ＺＡ２４、ＺＡ２５およびＺＡ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ａ−３）中、ＭＡ３は金属イオンを表す。ＹＡ３１、ＹＡ３４、ＹＡ３５およびＹＡ３８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＡ３２、ＹＡ３３、ＹＡ３６およびＹＡ３７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＡ３１、ＬＡ３２、ＬＡ３３、ＬＡ３４は連結基を表す。ＺＡ３１、ＺＡ３２、ＺＡ３３およびＺＡ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ａ−４）中、ＭＡ４は金属イオンを表す。ＹＡ４１、ＹＡ４４、ＹＡ４５およびＹＡ４８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＡ４２、ＹＡ４３、ＹＡ４６およびＹＡ４７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＡ４１、ＬＡ４２、ＬＡ４３、ＬＡ４４は連結基を表す。ＺＡ４１、ＺＡ４２、ＺＡ４３、ＺＡ４４、ＺＡ４５およびＺＡ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸＡ４１、ＸＡ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
一般式（Ａ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭＡ２、ＹＡ２１、ＹＡ２４、ＹＡ２５、ＹＡ２８、ＹＡ２２、ＹＡ２３、ＹＡ２６、ＹＡ２７、ＬＡ２１、ＬＡ２２、ＬＡ２３、ＬＡ２４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＡ２１、ＺＡ２２、ＺＡ２３、ＺＡ２４、ＺＡ２５およびＺＡ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＡ２１、ＺＡ２２、ＺＡ２３、ＺＡ２４、ＺＡ２５およびＺＡ２６として好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＭＡ２、ＹＡ２１、ＹＡ２４、ＹＡ２５、ＹＡ２８、ＹＡ２２、ＹＡ２３、ＹＡ２６、ＹＡ２７、ＬＡ２１、ＬＡ２２、ＬＡ２３、ＬＡ２４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＡ２１、ＺＡ２２、ＺＡ２３、ＺＡ２４、ＺＡ２５およびＺＡ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＡ２１、ＺＡ２２、ＺＡ２３、ＺＡ２４、ＺＡ２５およびＺＡ２６として好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ａ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭＡ３、ＹＡ３１、ＹＡ３４、ＹＡ３５、ＹＡ３８、ＹＡ３２、ＹＡ３３、ＹＡ３６、ＹＡ３７、ＬＡ３１、ＬＡ３２、ＬＡ３３、ＬＡ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＡ３１、ＺＡ３２、ＺＡ３３、およびＺＡ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＡ３１、ＺＡ３２、ＺＡ３３、およびＺＡ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＭＡ３、ＹＡ３１、ＹＡ３４、ＹＡ３５、ＹＡ３８、ＹＡ３２、ＹＡ３３、ＹＡ３６、ＹＡ３７、ＬＡ３１、ＬＡ３２、ＬＡ３３、ＬＡ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＡ３１、ＺＡ３２、ＺＡ３３、およびＺＡ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＡ３１、ＺＡ３２、ＺＡ３３、およびＺＡ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ａ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭＡ４、ＹＡ４１、ＹＡ４４、ＹＡ４５、ＹＡ４８、ＹＡ４２、ＹＡ４３、ＹＡ４６、ＹＡ４７、ＬＡ４１、ＬＡ４２、ＬＡ４３、ＬＡ４４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＡ４１、ＺＡ４２、ＺＡ４３、ＺＡ４４、ＺＡ４５およびＺＡ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＡ４１、ＺＡ４２、ＺＡ４３、ＺＡ４４、ＺＡ４５およびＺＡ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸＡ４１、ＸＡ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＡ４１、ＸＡ４２として好ましくはそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
ＭＡ４、ＹＡ４１、ＹＡ４４、ＹＡ４５、ＹＡ４８、ＹＡ４２、ＹＡ４３、ＹＡ４６、ＹＡ４７、ＬＡ４１、ＬＡ４２、ＬＡ４３、ＬＡ４４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＡ４１、ＺＡ４２、ＺＡ４３、ＺＡ４４、ＺＡ４５およびＺＡ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＡ４１、ＺＡ４２、ＺＡ４３、ＺＡ４４、ＺＡ４５およびＺＡ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸＡ４１、ＸＡ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＡ４１、ＸＡ４２として好ましくはそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
一般式（Ａ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物である。
一般式（Ｂ−１）中、ＭＢ１は金属イオンを表す。ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５およびＹＢ１８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６およびＹＢ１７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４は連結基を表す。ＱＢ１１、ＱＢ１２はＭＢ１に結合する原子を含有する部分構造を表す。
一般式（Ｂ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−１）中、ＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４、ＱＢ１１、ＱＢ１２は、それぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中における、ＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４、ＱＡ１１、ＱＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｂ−１）中、ＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４、ＱＢ１１、ＱＢ１２は、それぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中における、ＭＡ１、ＹＡ１１、ＹＡ１４、ＹＡ１５、ＹＡ１８、ＹＡ１２、ＹＡ１３、ＹＡ１６、ＹＡ１７、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４、ＱＡ１１、ＱＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｂ−１）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ｂ−２）、一般式（Ｂ−３）、又は一般式（Ｂ−４）で表される化合物である。
一般式（Ｂ−２）中、ＭＢ２は金属イオンを表す。ＹＢ２１、ＹＢ２４、ＹＢ２５およびＹＢ２８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＢ２２、ＹＢ２３、ＹＢ２６およびＹＢ２７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＢ２１、ＬＢ２２、ＬＢ２３、ＬＢ２４は連結基を表す。ＺＢ２１、ＺＢ２２、ＺＢ２３、ＺＢ２４、ＺＢ２５およびＺＢ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ｂ−３）中、ＭＢ３は金属イオンを表す。ＹＢ３１、ＹＢ３４、ＹＢ３５およびＹＢ３８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＢ３２、ＹＢ３３、ＹＢ３６およびＹＢ３７は、それぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＢ３１、ＬＢ３２、ＬＢ３３、ＬＢ３４は連結基を表す。ＺＢ３１、ＺＢ３２、ＺＢ３３およびＺＢ３４は、それぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ｂ−４）中、ＭＢ４は金属イオンを表す。ＹＢ４１、ＹＢ４４、ＹＢ４５およびＹＢ４８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹＢ４２、ＹＢ４３、ＹＢ４６およびＹＢ４７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬＢ４１、ＬＢ４２、ＬＢ４３、ＬＢ４４は連結基を表す。ＺＢ４１、ＺＢ４２、ＺＢ４３、ＺＢ４４、ＺＢ４５およびＺＢ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸＢ４１、ＸＢ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
一般式（Ｂ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−２）中、ＭＢ２、ＹＢ２１、ＹＢ２４、ＹＢ２５、ＹＢ２８、ＹＢ２２、ＹＢ２３、ＹＢ２６、ＹＢ２７、ＬＢ２１、ＬＢ２２、ＬＢ２３、ＬＢ２４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＢ２１、ＺＢ２２、ＺＢ２３、ＺＢ２４、ＺＢ２５およびＺＢ２６は、それぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＢ２１、ＺＢ２２、ＺＢ２３、ＺＢ２４、ＺＢ２５およびＺＢ２６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ｂ−２）中、ＭＢ２、ＹＢ２１、ＹＢ２４、ＹＢ２５、ＹＢ２８、ＹＢ２２、ＹＢ２３、ＹＢ２６、ＹＢ２７、ＬＢ２１、ＬＢ２２、ＬＢ２３、ＬＢ２４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＢ２１、ＺＢ２２、ＺＢ２３、ＺＢ２４、ＺＢ２５およびＺＢ２６は、それぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＢ２１、ＺＢ２２、ＺＢ２３、ＺＢ２４、ＺＢ２５およびＺＢ２６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ｂ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−３）中、ＭＢ３、ＹＢ３１、ＹＢ３４、ＹＢ３５、ＹＢ３８、ＹＢ３２、ＹＢ３３、ＹＢ３６、ＹＢ３７、ＬＢ３１、ＬＢ３２、ＬＢ３３、ＬＢ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＢ３１、ＺＢ３２、ＺＢ３３、およびＺＢ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＢ３１、ＺＢ３２、ＺＢ３３、およびＺＢ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ｂ−３）中、ＭＢ３、ＹＢ３１、ＹＢ３４、ＹＢ３５、ＹＢ３８、ＹＢ３２、ＹＢ３３、ＹＢ３６、ＹＢ３７、ＬＢ３１、ＬＢ３２、ＬＢ３３、ＬＢ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＢ３１、ＺＢ３２、ＺＢ３３、およびＺＢ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＢ３１、ＺＢ３２、ＺＢ３３、およびＺＢ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ｂ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−４）中、ＭＢ４、ＹＢ４１、ＹＢ４４、ＹＢ４５、ＹＢ４８、ＹＢ４２、ＹＢ４３、ＹＢ４６、ＹＢ４７、ＬＢ４１、ＬＢ４２、ＬＢ４３、ＬＢ４４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＢ４１、ＺＢ４２、ＺＢ４３、ＺＢ４４、ＺＢ４５およびＺＢ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＢ４１、ＺＢ４２、ＺＢ４３、ＺＢ４４、ＺＢ４５およびＺＢ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸＢ４１、ＸＢ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＢ４１、ＸＢ４２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
一般式（Ｂ−４）中、ＭＢ４、ＹＢ４１、ＹＢ４４、ＹＢ４５、ＹＢ４８、ＹＢ４２、ＹＢ４３、ＹＢ４６、ＹＢ４７、ＬＢ４１、ＬＢ４２、ＬＢ４３、ＬＢ４４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭＢ１、ＹＢ１１、ＹＢ１４、ＹＢ１５、ＹＢ１８、ＹＢ１２、ＹＢ１３、ＹＢ１６、ＹＢ１７、ＬＢ１１、ＬＢ１２、ＬＢ１３、ＬＢ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＢ４１、ＺＢ４２、ＺＢ４３、ＺＢ４４、ＺＢ４５およびＺＢ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＢ４１、ＺＢ４２、ＺＢ４３、ＺＢ４４、ＺＢ４５およびＺＢ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸＢ４１、ＸＢ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＢ４１、ＸＢ４２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
一般式（Ｂ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、一般式（Ｃ−１）で表される化合物である。
一般式（Ｃ−１）中、ＭＣ１は金属イオンを表す。ＲＣ１１、ＲＣ１２は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、または互いに連結することの無い置換基を表す。ＲＣ１３、ＲＣ１４は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、または互いに連結することの無い置換基を表す。ＧＣ１１、ＧＣ１２は、それぞれ独立に、窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。ＬＣ１１、ＬＣ１２は連結基を表す。ＱＣ１１、ＱＣ１２はＭＣ１に結合する原子を含有する部分構造を表す。
一般式（Ｃ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−１）中、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＱＣ１１、ＱＣ１２はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭＡ１、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＱＡ１１、ＱＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧＣ１１、ＧＣ１２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは窒素原子、無置換の炭素原子であり、より好ましくは窒素原子である。
ＲＣ１１、ＲＣ１２はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲＣ１１、ＲＣ１２は互いに連結して五員環を形成してもよい。ＲＣ１３、ＲＣ１４はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲＣ１３、ＲＣ１４は互いに連結して五員環を形成してもよい。
一般式（Ｃ−１）中、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＱＣ１１、ＱＣ１２はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭＡ１、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＱＡ１１、ＱＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧＣ１１、ＧＣ１２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは窒素原子、無置換の炭素原子であり、より好ましくは窒素原子である。
ＲＣ１１、ＲＣ１２はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲＣ１１、ＲＣ１２は互いに連結して五員環を形成してもよい。ＲＣ１３、ＲＣ１４はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲＣ１３、ＲＣ１４は互いに連結して五員環を形成してもよい。
ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３およびＲＣ１４で表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、
ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。
ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３およびＲＣ１４で表される置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ＲＣ１１とＲＣ１２、ＲＣ１３とＲＣ１４が互いに結合して五員環を形成する基であり、特に好ましくはＲＣ１１とＲＣ１２、ＲＣ１３とＲＣ１４が互いに結合して五員環を形成する基である。
一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、より好ましくは一般式（Ｃ−２）で表される化合物である。
一般式（Ｃ−２）中、ＭＣ２は金属イオンを表す。
ＹＣ２１、ＹＣ２２、ＹＣ２３およびＹＣ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧＣ２１、ＧＣ２２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬＣ２１、ＬＣ２２は連結基を表す。ＱＣ２１、ＱＣ２２はＭＣ２に結合する原子を含有する部分構造を表す。
ＹＣ２１、ＹＣ２２、ＹＣ２３およびＹＣ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧＣ２１、ＧＣ２２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬＣ２１、ＬＣ２２は連結基を表す。ＱＣ２１、ＱＣ２２はＭＣ２に結合する原子を含有する部分構造を表す。
一般式（Ｃ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−２）中、ＭＣ２、ＬＣ２１、ＬＣ２２、ＱＣ２１、ＱＣ２２、ＧＣ２１、ＧＣ２２はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）におけるＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＱＣ１１、ＱＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。
ＹＣ２１、ＹＣ２２、ＹＣ２３およびＹＣ２４は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
一般式（Ｃ−２）中、ＭＣ２、ＬＣ２１、ＬＣ２２、ＱＣ２１、ＱＣ２２、ＧＣ２１、ＧＣ２２はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）におけるＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＱＣ１１、ＱＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。
ＹＣ２１、ＹＣ２２、ＹＣ２３およびＹＣ２４は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
一般式（Ｃ−２）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｃ−３）、一般式（Ｃ−４）又は一般式（Ｃ−５）で表される化合物である。
一般式（Ｃ−３）中、ＭＣ３は金属イオンを表す。
ＹＣ３１、ＹＣ３２、ＹＣ３３およびＹＣ３４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧＣ３１、ＧＣ３２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬＣ３１、ＬＣ３２は連結基を表す。ＺＣ３１、Ｚ Ｃ３２、Ｚ Ｃ３３、Ｚ Ｃ３４、Ｚ Ｃ３５およびＺ Ｃ３６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＹＣ３１、ＹＣ３２、ＹＣ３３およびＹＣ３４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧＣ３１、ＧＣ３２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬＣ３１、ＬＣ３２は連結基を表す。ＺＣ３１、Ｚ Ｃ３２、Ｚ Ｃ３３、Ｚ Ｃ３４、Ｚ Ｃ３５およびＺ Ｃ３６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ｃ−４）中、ＭＣ４は金属イオンを表す。 ＹＣ４１、ＹＣ４２、ＹＣ４３およびＹＣ４４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧＣ４１、ＧＣ４２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬＣ４１、ＬＣ４２は連結基を表す。ＺＣ４１、ＺＣ４２、ＺＣ４３およびＺＣ４４はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ｃ−５）中、ＭＣ５は金属イオンを表す。
ＹＣ５１、ＹＣ５２、ＹＣ５３およびＹＣ５４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧＣ５１、ＧＣ５２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬＣ５１、ＬＣ５２は連結基を表す。ＺＣ５１、ＺＣ５２、ＺＣ５３、ＺＣ５４、ＺＣ５５およびＺＣ５６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸＣ５１、ＸＣ５２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
ＹＣ５１、ＹＣ５２、ＹＣ５３およびＹＣ５４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧＣ５１、ＧＣ５２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬＣ５１、ＬＣ５２は連結基を表す。ＺＣ５１、ＺＣ５２、ＺＣ５３、ＺＣ５４、ＺＣ５５およびＺＣ５６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸＣ５１、ＸＣ５２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
一般式（Ｃ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−３）中、ＭＣ３、ＬＣ３１、ＬＣ３２、ＧＣ３１、ＧＣ３２はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）における、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＣ３１、ＺＣ３２、ＺＣ３３、ＺＣ３４、ＺＣ３５およびＺＣ３６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＣ３１、ＺＣ３２、ＺＣ３３、ＺＣ３４、ＺＣ３５およびＺＣ３６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
一般式（Ｃ−３）中、ＭＣ３、ＬＣ３１、ＬＣ３２、ＧＣ３１、ＧＣ３２はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）における、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＣ３１、ＺＣ３２、ＺＣ３３、ＺＣ３４、ＺＣ３５およびＺＣ３６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＣ３１、ＺＣ３２、ＺＣ３３、ＺＣ３４、ＺＣ３５およびＺＣ３６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
一般式（Ｃ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−４）中、ＭＣ４、ＬＣ４１、ＬＣ４２、ＧＣ４１、ＧＣ４２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＣ４１、ＺＣ４２、ＺＣ４３、およびＺＣ４４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＣ４１、ＺＣ４２、ＺＣ４３、およびＺＣ４４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
一般式（Ｃ−４）中、ＭＣ４、ＬＣ４１、ＬＣ４２、ＧＣ４１、ＧＣ４２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＣ４１、ＺＣ４２、ＺＣ４３、およびＺＣ４４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＣ４１、ＺＣ４２、ＺＣ４３、およびＺＣ４４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
一般式（Ｃ−５）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭＣ５、ＬＣ５１、ＬＣ５２、ＧＣ５１、ＧＣ５２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＣ５１、ＺＣ５２、ＺＣ５３、ＺＣ５４、ＺＣ５５およびＺＣ５６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＣ５１、ＺＣ５２、ＺＣ５３、ＺＣ５４、ＺＣ５５およびＺＣ５６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸＣ５１、ＸＣ５２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＣ５１、ＸＣ５２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
ＭＣ５、ＬＣ５１、ＬＣ５２、ＧＣ５１、ＧＣ５２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、ＭＣ１、ＬＣ１１、ＬＣ１２、ＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＣ５１、ＺＣ５２、ＺＣ５３、ＺＣ５４、ＺＣ５５およびＺＣ５６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＣ５１、ＺＣ５２、ＺＣ５３、ＺＣ５４、ＺＣ５５およびＺＣ５６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸＣ５１、ＸＣ５２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＣ５１、ＸＣ５２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
一般式（Ｃ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｄ−１）で表される化合物である。
一般式（Ｄ−１）中、ＭＤ１は金属イオンを表す。
ＧＤ１１、ＧＤ１２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。ＪＤ１１、ＪＤ１２、ＪＤ１３およびＪＤ１４は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＬＤ１１、ＬＤ１２は連結基を表す。
ＧＤ１１、ＧＤ１２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。ＪＤ１１、ＪＤ１２、ＪＤ１３およびＪＤ１４は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＬＤ１１、ＬＤ１２は連結基を表す。
一般式（Ｄ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−１）中、ＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭＡ１、ＬＡ１１、ＬＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧＤ１１、ＧＤ１２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪＤ１１、ＪＤ１２、ＪＤ１３およびＪＤ１４は、これらが結合している原子群と共に、含窒素へテロ五員環を形成するのに必要な原子群を表す。
一般式（Ｄ−１）中、ＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭＡ１、ＬＡ１１、ＬＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧＤ１１、ＧＤ１２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪＤ１１、ＪＤ１２、ＪＤ１３およびＪＤ１４は、これらが結合している原子群と共に、含窒素へテロ五員環を形成するのに必要な原子群を表す。
一般式（Ｄ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｄ−２）、一般式（Ｄ−３）、又は一般式（Ｄ−４）で表される化合物である。
一般式（Ｄ−２）中、ＭＤ２は金属イオンを表す。
ＧＤ２１、ＧＤ２２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−を表す。
ＲＤ２１、ＲＤ２２およびＲＤ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬＤ２１、ＬＤ２２は連結基を表す。
ＧＤ２１、ＧＤ２２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−を表す。
ＲＤ２１、ＲＤ２２およびＲＤ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬＤ２１、ＬＤ２２は連結基を表す。
一般式（Ｄ−３）中、ＭＤ３は金属イオンを表す。
ＧＤ３１、ＧＤ３２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹＤ３１、ＹＤ３２、ＹＤ３３およびＹＤ３４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸＤ３１、ＸＤ３２、ＸＤ３３およびＸＤ３４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ３１−、−Ｃ（ＲＤ３２）ＲＤ３３−を表す。
ＲＤ３１、ＲＤ３２およびＲＤ３３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬＤ３１、ＬＤ３２は連結基を表す。
ＧＤ３１、ＧＤ３２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹＤ３１、ＹＤ３２、ＹＤ３３およびＹＤ３４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸＤ３１、ＸＤ３２、ＸＤ３３およびＸＤ３４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ３１−、−Ｃ（ＲＤ３２）ＲＤ３３−を表す。
ＲＤ３１、ＲＤ３２およびＲＤ３３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬＤ３１、ＬＤ３２は連結基を表す。
一般式（Ｄ−４）中、ＭＤ４は金属イオンを表す。
ＧＤ４１、ＧＤ４２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹＤ４１、ＹＤ４２、ＹＤ４３およびＹＤ４４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸＤ４１、ＸＤ４２、ＸＤ４３およびＸＤ４４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ４１−、−Ｃ（ＲＤ４２）ＲＤ４３−を表す。ＲＤ４１、ＲＤ４２およびＲＤ４３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬＤ４１、ＬＤ４２は連結基を表す。
ＧＤ４１、ＧＤ４２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹＤ４１、ＹＤ４２、ＹＤ４３およびＹＤ４４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸＤ４１、ＸＤ４２、ＸＤ４３およびＸＤ４４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ４１−、−Ｃ（ＲＤ４２）ＲＤ４３−を表す。ＲＤ４１、ＲＤ４２およびＲＤ４３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬＤ４１、ＬＤ４２は連結基を表す。
一般式（Ｄ−２）について詳細に説明する。
ＭＤ２、ＬＤ２１、ＬＤ２２、ＧＤ２１、ＧＤ２２は、一般式（Ｄ−１）におけるＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２、ＧＤ１１、ＧＤ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−を表し、好ましくは硫黄原子、−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−であり、より好ましくは−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−であり、さらに好ましくは−ＮＲＤ２１−である。
ＲＤ２１、ＲＤ２２およびＲＤ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲＤ２１、ＲＤ２２およびＲＤ２３で表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、
ＭＤ２、ＬＤ２１、ＬＤ２２、ＧＤ２１、ＧＤ２２は、一般式（Ｄ−１）におけるＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２、ＧＤ１１、ＧＤ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−を表し、好ましくは硫黄原子、−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−であり、より好ましくは−ＮＲＤ２１−、−Ｃ（ＲＤ２２）ＲＤ２３−であり、さらに好ましくは−ＮＲＤ２１−である。
ＲＤ２１、ＲＤ２２およびＲＤ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲＤ２１、ＲＤ２２およびＲＤ２３で表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、
ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）等が挙げられる。ＲＤ２１、ＲＤ２２およびＲＤ２３は好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好ましくはアリール基である。
一般式（Ｄ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−３）中、ＭＤ３、ＬＤ３１、ＬＤ３２、ＧＤ３１、ＧＤ３２は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−１）におけるＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２、ＧＤ１１、ＧＤ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸＤ３１、ＸＤ３２、ＸＤ３３およびＸＤ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹＤ３１、ＹＤ３２、ＹＤ３３およびＹＤ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｄ−３）中、ＭＤ３、ＬＤ３１、ＬＤ３２、ＧＤ３１、ＧＤ３２は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−１）におけるＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２、ＧＤ１１、ＧＤ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸＤ３１、ＸＤ３２、ＸＤ３３およびＸＤ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹＤ３１、ＹＤ３２、ＹＤ３３およびＹＤ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｄ−４）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−４）中、ＭＤ４、ＬＤ４１、ＬＤ４２、ＧＤ４１、ＧＤ４２は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−１）におけるＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２、ＧＤ１１、ＧＤ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸＤ４１、ＸＤ４２、ＸＤ４３およびＸＤ４４は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−２）におけるＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹＤ４１、ＹＤ４２、ＹＤ４３およびＹＤ４４は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｄ−４）中、ＭＤ４、ＬＤ４１、ＬＤ４２、ＧＤ４１、ＧＤ４２は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−１）におけるＭＤ１、ＬＤ１１、ＬＤ１２、ＧＤ１１、ＧＤ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸＤ４１、ＸＤ４２、ＸＤ４３およびＸＤ４４は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−２）におけるＸＤ２１、ＸＤ２２、ＸＤ２３およびＸＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹＤ４１、ＹＤ４２、ＹＤ４３およびＹＤ４４は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹＤ２１、ＹＤ２２、ＹＤ２３およびＹＤ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｄ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である。
一般式（Ｅ−１）中、ＭＥ１は金属イオンを表す。ＪＥ１１、ＪＥ１２は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＧＥ１１、ＧＥ１２、ＧＥ１３およびＧＥ１４は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹＥ１１、ＹＥ１２、ＹＥ１３およびＹＥ１４はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ｅ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−１）中、ＭＥ１は一般式（Ａ−１）におけるＭＡ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＧＥ１１、ＧＥ１２、ＧＥ１３およびＧＥ１４は一般式（Ｃ−１）におけるＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪＥ１１、ＪＥ１２は、一般式（Ｄ−１）におけるＪＤ１２〜ＪＤ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹＥ１１、ＹＥ１２、ＹＥ１３およびＹＥ１４はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−２）におけるＹＣ２１〜ＹＣ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｅ−１）中、ＭＥ１は一般式（Ａ−１）におけるＭＡ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＧＥ１１、ＧＥ１２、ＧＥ１３およびＧＥ１４は一般式（Ｃ−１）におけるＧＣ１１、ＧＣ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪＥ１１、ＪＥ１２は、一般式（Ｄ−１）におけるＪＤ１２〜ＪＤ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹＥ１１、ＹＥ１２、ＹＥ１３およびＹＥ１４はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−２）におけるＹＣ２１〜ＹＣ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｅ−２）、又は一般式（Ｅ−３）で表される化合物である。
一般式（Ｅ−２）中、ＭＥ２は金属イオンを表す。ＧＥ２１、ＧＥ２２、ＧＥ２３およびＧＥ２４はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹＥ２１、ＹＥ２２、ＹＥ２３、ＹＥ２４、ＹＥ２５およびＹＥ２６はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸＥ２１およびＸＥ２２は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＥ２１−、−Ｃ（ＲＥ２２）ＲＥ２３−を表す。ＲＥ２１、ＲＥ２２およびＲＥ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
ＸＥ２１およびＸＥ２２は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＥ２１−、−Ｃ（ＲＥ２２）ＲＥ２３−を表す。ＲＥ２１、ＲＥ２２およびＲＥ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
一般式（Ｅ−３）中、ＭＥ３は金属イオンを表す。ＧＥ３１、ＧＥ３２、ＧＥ３３およびＧＥ３４はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹＥ３１、ＹＥ３２、ＹＥ３３、ＹＥ３４、ＹＥ３５およびＹＥ３６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸＥ３１およびＸＥ３２は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲＥ３１−、−Ｃ（ＲＥ３２）ＲＥ３３−を表す。ＲＥ３１、ＲＥ３２およびＲＥ３３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
一般式（Ｅ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−２）中、ＭＥ２、ＧＥ２１、ＧＥ２２、ＧＥ２３、ＧＥ２４、ＹＥ２１、ＹＥ２２、ＹＥ２３、ＹＥ２４は、それぞれ対応する一般式（Ｅ−１）におけるＭＥ１、ＧＥ１１、ＧＥ１２、ＧＥ１３、ＧＥ１４、ＹＥ１１、ＹＥ１２、ＹＥ１３、ＹＥ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸＥ２１、ＸＥ２２は一般式（Ｄ−２）におけるＸＤ２１、ＸＤ２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｅ−２）中、ＭＥ２、ＧＥ２１、ＧＥ２２、ＧＥ２３、ＧＥ２４、ＹＥ２１、ＹＥ２２、ＹＥ２３、ＹＥ２４は、それぞれ対応する一般式（Ｅ−１）におけるＭＥ１、ＧＥ１１、ＧＥ１２、ＧＥ１３、ＧＥ１４、ＹＥ１１、ＹＥ１２、ＹＥ１３、ＹＥ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸＥ２１、ＸＥ２２は一般式（Ｄ−２）におけるＸＤ２１、ＸＤ２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｅ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−３）中、ＭＥ３、ＧＥ３１、ＧＥ３２、ＧＥ３３、ＧＥ３４、ＹＥ３１、ＹＥ３２、ＹＥ３３、ＹＥ３４は、それぞれ対応する、一般式（Ｅ−１）におけるＭＥ１、ＧＥ１１、ＧＥ１２、ＧＥ１３、ＧＥ１４、ＹＥ１１、ＹＥ１２、ＹＥ１３、ＹＥ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸＥ３１、ＸＥ３２は対応する、一般式（Ｅ−２）におけるＸＥ２１、ＸＥ２２と同義であり、また好ましい
範囲も同様である。
一般式（Ｅ−３）中、ＭＥ３、ＧＥ３１、ＧＥ３２、ＧＥ３３、ＧＥ３４、ＹＥ３１、ＹＥ３２、ＹＥ３３、ＹＥ３４は、それぞれ対応する、一般式（Ｅ−１）におけるＭＥ１、ＧＥ１１、ＧＥ１２、ＧＥ１３、ＧＥ１４、ＹＥ１１、ＹＥ１２、ＹＥ１３、ＹＥ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸＥ３１、ＸＥ３２は対応する、一般式（Ｅ−２）におけるＸＥ２１、ＸＥ２２と同義であり、また好ましい
範囲も同様である。
一般式（Ｅ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｆ−１）で表される化合物である。
一般式（Ｆ−１）中、ＭＦ１は金属イオンを表す。ＬＦ１１、ＬＦ１２およびＬＦ１３は連結基を表す。ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１２とＲＦ１３、ＲＦ１３とＲＦ１４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１３とＲＦ１４が形成する環は五員環である。ＱＦ１１、ＱＦ１２はＭＦ１に結合する原子を含有する部分構造を表す。
一般式（Ｆ−１）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−１）中、ＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＱＦ１１、ＱＦ１２はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）におけるＭＡ１、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＱＡ１１、ＱＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１２とＲＦ１３、ＲＦ１３とＲＦ１４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１３とＲＦ１４が形成する環は五員環である。ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４で表される置換基としては、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＲＣ１１〜ＲＣ１４で表される置換基として挙げたものが適用できる。ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４として好ましくは、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１３とＲＦ１４が互いに結合して五員環を形成する基もしくは、ＲＦ１２とＲＦ１３が互いに結合して芳香環を形成する基である。
一般式（Ｆ−１）中、ＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＱＦ１１、ＱＦ１２はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）におけるＭＡ１、ＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＱＡ１１、ＱＡ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１２とＲＦ１３、ＲＦ１３とＲＦ１４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１３とＲＦ１４が形成する環は五員環である。ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４で表される置換基としては、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＲＣ１１〜ＲＣ１４で表される置換基として挙げたものが適用できる。ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４として好ましくは、ＲＦ１１とＲＦ１２、ＲＦ１３とＲＦ１４が互いに結合して五員環を形成する基もしくは、ＲＦ１２とＲＦ１３が互いに結合して芳香環を形成する基である。
一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｆ−２）、一般式（Ｆ−３）、又は一般式（Ｆ−４）で表される化合物である。
一般式（Ｆ−２）中、ＭＦ２は金属イオンを表す。ＬＦ２１、ＬＦ２２およびＬＦ２３は連結基を表す。ＲＦ２１、ＲＦ２２、ＲＦ２３およびＲＦ２４は置換基を表し、ＲＦ２１とＲＦ２２、ＲＦ２２とＲＦ２３、ＲＦ２３とＲＦ２４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲＦ２１とＲＦ２２、ＲＦ２３とＲＦ２４が形成する環は五員環である。ＺＦ２１、ＺＦ２２、ＺＦ２３、ＺＦ２４、ＺＦ２５およびＺＦ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ｆ−３）中、ＭＦ３は金属イオンを表す。ＬＦ３１、ＬＦ３２およびＬＦ３３は連結基を表す。ＲＦ３１、ＲＦ３２、ＲＦ３３およびＲＦ３４は置換基を表し、ＲＦ３１とＲＦ３２、ＲＦ３２とＲＦ３３、ＲＦ３３とＲＦ３４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲＦ３１とＲＦ３２、ＲＦ３３とＲＦ３４が形成する環は五員環である。ＺＦ３１、ＺＦ３２、ＺＦ３３およびＺＦ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
一般式（Ｆ−４）中、ＭＦ４は金属イオンを表す。ＬＦ４１、ＬＦ４２およびＬＦ４３は連結基を表す。ＲＦ４１、ＲＦ４２、ＲＦ４３およびＲＦ４４は置換基を表し、ＲＦ４１とＲＦ４２、ＲＦ４２とＲＦ４３、ＲＦ４３とＲＦ４４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲＦ４１とＲＦ４２、ＲＦ４３とＲＦ４４が形成する環は五員環である。ＺＦ４１、ＺＦ４２、ＺＦ４３、ＺＦ４４、ＺＦ４５、およびＺＦ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸＦ４１、ＸＦ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
一般式（Ｆ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭＦ２、ＬＦ２１、ＬＦ２２、ＬＦ２３、ＲＦ２１、ＲＦ２２、ＲＦ２３およびＲＦ２４はそれぞれ対応する一般式（Ｆ−１）におけるＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＦ２１、ＺＦ２２、ＺＦ２３、ＺＦ２４、ＺＦ２５およびＺＦ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＦ２１、ＺＦ２２、ＺＦ２３、ＺＦ２４、ＺＦ２５およびＺＦ２６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＭＦ２、ＬＦ２１、ＬＦ２２、ＬＦ２３、ＲＦ２１、ＲＦ２２、ＲＦ２３およびＲＦ２４はそれぞれ対応する一般式（Ｆ−１）におけるＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＦ２１、ＺＦ２２、ＺＦ２３、ＺＦ２４、ＺＦ２５およびＺＦ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＦ２１、ＺＦ２２、ＺＦ２３、ＺＦ２４、ＺＦ２５およびＺＦ２６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ｆ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−３）中、ＭＦ３、ＬＦ３１、ＬＦ３２、ＬＦ３３、ＲＦ３１、ＲＦ３２、ＲＦ３３およびＲＦ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｆ−１）におけるＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＺＦ３１、ＺＦ３２、ＺＦ３３およびＺＦ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＦ３１、ＺＦ３２、ＺＦ３３およびＺＦ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ｆ−３）中、ＭＦ３、ＬＦ３１、ＬＦ３２、ＬＦ３３、ＲＦ３１、ＲＦ３２、ＲＦ３３およびＲＦ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｆ−１）におけるＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＺＦ３１、ＺＦ３２、ＺＦ３３およびＺＦ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＦ３１、ＺＦ３２、ＺＦ３３およびＺＦ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
一般式（Ｆ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−４）中、ＭＦ４、ＬＦ４１、ＬＦ４２、ＬＦ４３、ＲＦ４１、ＲＦ４２、ＲＦ４３およびＲＦ４４は一般式（Ｆ−１）におけるＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＦ４１、ＺＦ４２、ＺＦ４３、ＺＦ４４、ＺＦ４５およびＺＦ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＦ４１、ＺＦ４２、ＺＦ４３、ＺＦ４４、ＺＦ４５およびＺＦ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸＦ４１、ＸＦ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＦ４１、ＸＦ４２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
一般式（Ｆ−４）中、ＭＦ４、ＬＦ４１、ＬＦ４２、ＬＦ４３、ＲＦ４１、ＲＦ４２、ＲＦ４３およびＲＦ４４は一般式（Ｆ−１）におけるＭＦ１、ＬＦ１１、ＬＦ１２、ＬＦ１３、ＲＦ１１、ＲＦ１２、ＲＦ１３およびＲＦ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺＦ４１、ＺＦ４２、ＺＦ４３、ＺＦ４４、ＺＦ４５およびＺＦ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺＦ４１、ＺＦ４２、ＺＦ４３、ＺＦ４４、ＺＦ４５およびＺＦ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬＡ１１、ＬＡ１２、ＬＡ１３、ＬＡ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸＦ４１、ＸＦ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸＦ４１、ＸＦ４２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
一般式（Ｆ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
前記一般式（Ａ−１）〜（Ｆ−１）で表される化合物は公知の方法により合成することができる。
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に、発光層と２層以上の正孔輸送層及び／又は電子輸送層とを含む複数の有機化合物層を形成した素子であり、これらの層の他に、発光層のほか正孔注入層、電子注入層、保護層などを有してもよい。またこれらの各層は、それぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
本発明の有機電界発光素子を構成する要素について更に説明する。
有機電界発光素子は、ボトムエミッション方式とトップエミッション方式とに大別される。本発明はいずれの方式にも好ましく適用することができる。以下では、ボトムエミッション方式を例に取り、本発明を詳しく説明する。ボトムエミッション方式の有機電界発光素子は、通常、基板側から陽極／正孔輸送層／発光層／陰極の構成、又は、基板側から陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極の構成となっている。本発明においては、発光層と該発光層に隣接した層を含む複数の正孔輸送層とを有する構成であるか、及び／又は、発光層と該発光層に隣接した層を含む複数の電子輸送層とを有する構成であることが必要である。さらに各層は、複数の二次層に分かれていてもよい。
また、発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。通常の場合、陽極が透明である。
有機電界発光素子は、ボトムエミッション方式とトップエミッション方式とに大別される。本発明はいずれの方式にも好ましく適用することができる。以下では、ボトムエミッション方式を例に取り、本発明を詳しく説明する。ボトムエミッション方式の有機電界発光素子は、通常、基板側から陽極／正孔輸送層／発光層／陰極の構成、又は、基板側から陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極の構成となっている。本発明においては、発光層と該発光層に隣接した層を含む複数の正孔輸送層とを有する構成であるか、及び／又は、発光層と該発光層に隣接した層を含む複数の電子輸送層とを有する構成であることが必要である。さらに各層は、複数の二次層に分かれていてもよい。
また、発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。通常の場合、陽極が透明である。
本発明のボトムエミッション発光素子としての典型的な構成は、基板側から、（１）透明陽極／複数の正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極の構成（第１の態様）、（２）透明陽極／正孔輸送層／発光層／複数の電子輸送層／陰極の構成（第２の態様）、又は、（３）透明陽極／複数の正孔輸送層／単層又は２層の発光層／複数の電子輸送層／陰極の構成（第３及び第４の態様）、をとる。
＜基板＞
本発明で使用する基板は、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させないことが好ましい。その具体例としては、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルやポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
本発明で使用する基板は、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させないことが好ましい。その具体例としては、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルやポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
基板の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、形状としては板状である。構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
基板は無色透明であっても有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させることがない点で、無色透明で有ることが好ましい。
基板は無色透明であっても有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させることがない点で、無色透明で有ることが好ましい。
基板には、その表面又は裏面（透明電極側）に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。該透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。熱可塑性基板には、更に必要に応じてハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
＜陽極＞
陽極としては、通常、有機化合物層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、又はこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。
陽極としては、通常、有機化合物層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、又はこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って基板上に形成することができる。例えば、透明陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、該透明陽極の形成は、直流あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。また、透明陽極の材料として有機導電性化合物を選択する場合には、湿式成膜法に従って行うことができる。
発光素子における陽極の形成位置としては、特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全体に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。なお、陽極のパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陽極の厚みは材料により適宜選択することができ、通常１０ｎｍ〜５０μｍであり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。透明陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。
陽極を透明陽極として設け、該陽極側から発光を取り出す場合、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。この透過率は、分光光度計を用いた公知の方法に従って測定することができる。また、この場合、陽極は無色透明であっても、有色透明であってもよい。なお、陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、これらを本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０度以下の低温で成膜した陽極が好ましい。
＜陰極＞
陰極としては、通常、有機化合物層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途・目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
陰極としては、通常、有機化合物層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途・目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例としては、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えば、Ｍｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、又はアルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しくは混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されている。
陰極の形成法は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
陰極のパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等によって行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
電極と有機化合物層とを積層して得られる積層体（発光積層体）における陰極の形成位置としては、特に制限はなく、有機化合物層上の全体に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と有機化合物層との間にアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は一種の電子注入層と見る事もできる。該誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって形成することができる。
陰極の厚みとしては、材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍであり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚みに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
＜有機化合物層＞
−有機化合物層の形成−
本発明における有機化合物層の形成方法は特に限定されないが、抵抗加熱蒸着法、電子写真法、電子ビーム法、スパッタリング法、分子積層法、塗布法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法等の方法が可能である。中でも素子の特性、製造の容易さ、コスト等を勘案すると、抵抗加熱蒸着法、塗布法、転写法が好ましい。発光素子が２層以上の積層構造を有する場合、上記方法を組み合わせて製造することも可能である。
−有機化合物層の形成−
本発明における有機化合物層の形成方法は特に限定されないが、抵抗加熱蒸着法、電子写真法、電子ビーム法、スパッタリング法、分子積層法、塗布法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法等の方法が可能である。中でも素子の特性、製造の容易さ、コスト等を勘案すると、抵抗加熱蒸着法、塗布法、転写法が好ましい。発光素子が２層以上の積層構造を有する場合、上記方法を組み合わせて製造することも可能である。
塗布方法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
−正孔輸送層、正孔注入層−
正孔輸送層又は正孔注入層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。本発明における正孔輸送層には、一般に、正孔注入層といわれている層も含む。
正孔輸送層又は正孔注入層の材料の具体例としては、カルバゾール、イミダゾール、ジベンゾアゼピン、トリベンゾアゼピン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機金属錯体、遷移金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層又は正孔注入層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。本発明における正孔輸送層には、一般に、正孔注入層といわれている層も含む。
正孔輸送層又は正孔注入層の材料の具体例としては、カルバゾール、イミダゾール、ジベンゾアゼピン、トリベンゾアゼピン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機金属錯体、遷移金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。
本発明においては、駆動電圧の低減、耐久性の向上の観点から、正孔輸送層のうち、少なくとも１つの層に、アゼピン化合物、アミン化合物、カルバゾール化合物、ピロール化合物、及びインドール化合物からなる群より選択される化合物のいずれかを含むことが好ましい。正孔輸送層のうち、発光層に隣接する層に、アゼピン化合物、アミン化合物、カルバゾール化合物、ピロール化合物、及びインドール化合物からなる群より選択される化合物を含むことが好ましい。
本発明において、発光層に隣接した正孔輸送層の材料としては、上記した中でも、カルバゾール、フェニレンジアミン、アリールアミン、芳香族第三級アミン化合物、ジベンゾアゼピン、トリベンゾアゼピンが好ましく、カルバゾール、芳香族第三級アミン化合物、トリベンゾアゼピンがより好ましい。
また、他の正孔輸送層の材料としては、上記した中でも、カルバゾール、フェニレンジアミン、アリールアミン、芳香族第三級アミン化合物、ジベンゾアゼピン、トリベンゾアゼピンが好ましく、カルバゾール、芳香族第三級アミン化合物、トリベンゾアゼピンがより好ましい。
また、他の正孔輸送層の材料としては、上記した中でも、カルバゾール、フェニレンジアミン、アリールアミン、芳香族第三級アミン化合物、ジベンゾアゼピン、トリベンゾアゼピンが好ましく、カルバゾール、芳香族第三級アミン化合物、トリベンゾアゼピンがより好ましい。
本発明の第１、第３及び第５の態様においては、前述したごとく、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎとしたときに、下記式（１）で表される関係を満たすことが必要である。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
２層以上存在する正孔輸送層を構成する材料の選択にあたっては、発光層に含まれる材料との関係が考慮される。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
２層以上存在する正孔輸送層を構成する材料の選択にあたっては、発光層に含まれる材料との関係が考慮される。
正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
また、正孔注入層、正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用でき、具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのルイス酸化合物を好適に用いることができる。
有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フレーレンなどを好適に用いることができる。
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層又は正孔注入層に含まれる材料に対して、０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
−電子輸送層、電子注入層−
電子輸送層又は電子注入層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。本発明における電子輸送層には、一般に電子注入層といわれている層も含む。
電子輸送層又は電子注入層の材料の具体例としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、オキサゾール、フェナントロリン、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、シロール、イミダゾピリジン、ナフタレンペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。
電子輸送層又は電子注入層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。本発明における電子輸送層には、一般に電子注入層といわれている層も含む。
電子輸送層又は電子注入層の材料の具体例としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、オキサゾール、フェナントロリン、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、シロール、イミダゾピリジン、ナフタレンペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。
本発明において、発光層に隣接した電子輸送層の材料としては、上記した中でも、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、オキサジアゾール、イミダゾール、シロール、イミダゾピリジンが好ましく、トリアジン、オキサジアゾール、イミダゾール、イミダゾピリジンがより好ましい。
また、他の電子輸送層の材料としては、上記した中でも、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、オキサジアゾール、イミダゾール、シロール、イミダゾピリジンが好ましく、トリアジン、フェナントロリン、オキサジアゾール、イミダゾール、シロール、イミダゾピリジンがより好ましい。
また、他の電子輸送層の材料としては、上記した中でも、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、オキサジアゾール、イミダゾール、シロール、イミダゾピリジンが好ましく、トリアジン、フェナントロリン、オキサジアゾール、イミダゾール、シロール、イミダゾピリジンがより好ましい。
本発明の第２、第３及び第５の態様においては、前述したごとく、発光層の電子親和力をＥａ０とし、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力ををＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（２）で表される関係を満たすことが必要である。
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
２層以上存在する電子輸送層を構成する材料の選択にあたっては、発光層に含まれる材料との関係が考慮される。
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数）
２層以上存在する電子輸送層を構成する材料の選択にあたっては、発光層に含まれる材料との関係が考慮される。
電子注入層、電子輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
また、電子注入層、電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層又は電子注入層に含まれる材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
−発光層−
本発明における発光層は、発光材料とホスト材料とを含む層である。
ホスト材料は、電圧印加時に正孔輸送層又は正孔注入層から正孔を受け取ると共に、電子注入層又は電子輸送層から電子を受け取る機能、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して励起子を生成させる機能、励起エネルギーを移動させる機能を有する材料である。
本発明における発光層は、発光材料とホスト材料とを含む層である。
ホスト材料は、電圧印加時に正孔輸送層又は正孔注入層から正孔を受け取ると共に、電子注入層又は電子輸送層から電子を受け取る機能、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して励起子を生成させる機能、励起エネルギーを移動させる機能を有する材料である。
本発明に用いうるホスト材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、ポリフェニル、クマリン、オキサジアゾール、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、芳香族ジメチリディン化合物、カルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、フルオレノン、ヒドラゾン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。ホスト材料は単一であっても複数種の混合物であってもよい。
発光層におけるホスト材料の総含有量としては、発光層の質量に対して、５０質量％〜９９．９質量％であることが好ましく、６０質量％〜９９．７質量％であることがより好ましく、８０質量％〜９９．５質量％であることがさらにより好ましい。
なお、本発明の第４及び第５の態様においては、第１発光層及び第２発光層の各々に、異なる特定ホスト材料を含有することが必要である。
また、発光層に含まれる発光材料として好ましい材料は前述した通りである。
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
また、第４又は第５の態様のごとく、複数の発光層を設ける場合についても、各発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、各々、１ｎｍ〜２５０ｎｍであるのが好ましく、２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
また、発光層が複数の層である場合、各々の発光層に含まれる発光材料は同じであっても異なっていても良い。積層される発光層の数は特に限定されないが、２〜３層が好ましい。
更に、相異なる二種類あるいは三種類以上の発光材料を用いることにより、任意の色の発光素子を得ることもできる。例えば、青色発光／黄色発光や水色発光／橙色発光、緑色発光／紫色発光のように、補色関係にある色を発光する発光材料を用いて白色を発光させることもできる。また、青色発光／緑色発光／赤色発光の発光材料を用いて白色発光させることもできる。
なお、ホスト材料が発光材料の機能を兼ねて発光してもよい。例えば、ホスト材料の発光と発光材料の発光によって、素子を白色発光させてもよい。
また、第４又は第５の態様のごとく、複数の発光層を設ける場合についても、各発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、各々、１ｎｍ〜２５０ｎｍであるのが好ましく、２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
また、発光層が複数の層である場合、各々の発光層に含まれる発光材料は同じであっても異なっていても良い。積層される発光層の数は特に限定されないが、２〜３層が好ましい。
更に、相異なる二種類あるいは三種類以上の発光材料を用いることにより、任意の色の発光素子を得ることもできる。例えば、青色発光／黄色発光や水色発光／橙色発光、緑色発光／紫色発光のように、補色関係にある色を発光する発光材料を用いて白色を発光させることもできる。また、青色発光／緑色発光／赤色発光の発光材料を用いて白色発光させることもできる。
なお、ホスト材料が発光材料の機能を兼ねて発光してもよい。例えば、ホスト材料の発光と発光材料の発光によって、素子を白色発光させてもよい。
更にまた、相異なる二種類以上の発光材料を同一発光層に含んでいてもよく、また、例えば、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層、あるいは青色発光層／黄色発光層のようにそれぞれの発光材料を含む層を積層した構造であってもよい。
本発明の有機電界発光素子は、発光効率を向上させるため、発光層が複数である場合には、電荷発生層を設けた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を隣接層に注入させる機能を有する層である。
前記電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば特に制限はなく、単一化合物であってもよいし、複数の化合物であってもよい。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機化合物層のように半導電性を有するものであってもよい。また、電気絶縁性を有するものであってもよい。例えば、特開平１１−３２９７４８号公報、特開２００３−２７２８６０号公報、特開２００４−３９６１７号公報に記載の材料が挙げられる。
尚、本発明の有機電界発光素子が、陽極・陰極間に電荷発生層等を有する素子である場合、電極と電荷発生層との間におけるユニット、又は、電荷発生層間における各ユニットに対して、本発明の構成を適用することが好ましい。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を隣接層に注入させる機能を有する層である。
前記電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば特に制限はなく、単一化合物であってもよいし、複数の化合物であってもよい。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機化合物層のように半導電性を有するものであってもよい。また、電気絶縁性を有するものであってもよい。例えば、特開平１１−３２９７４８号公報、特開２００３−２７２８６０号公報、特開２００４−３９６１７号公報に記載の材料が挙げられる。
尚、本発明の有機電界発光素子が、陽極・陰極間に電荷発生層等を有する素子である場合、電極と電荷発生層との間におけるユニット、又は、電荷発生層間における各ユニットに対して、本発明の構成を適用することが好ましい。
＜保護層＞
本発明において、発光素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。保護層の材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
本発明において、発光素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。保護層の材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
＜封止＞
さらに、本発明においては、封止容器を用いて本発明の素子全体を封止してもよい。また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
さらに、本発明においては、封止容器を用いて本発明の素子全体を封止してもよい。また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
＜素子の駆動＞
本発明の発光素子は、透明陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜４０ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。本発明の発光素子の駆動については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号等の各公報、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号、日本特許第２７８４６１５号等の各明細書に記載の方法を利用することができる。
本発明の発光素子は、透明陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜４０ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。本発明の発光素子の駆動については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号等の各公報、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号、日本特許第２７８４６１５号等の各明細書に記載の方法を利用することができる。
以下に、本発明の有機電界発光素子について、実施例を挙げて説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
１．有機電界発光素子の作製
（１）比較例の有機電界発光素子（素子１）の作製
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
本発明の実施例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．２ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。以下に記載の膜厚も水晶振動子を用いて測定したものである。
なお、素子１における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（１）比較例の有機電界発光素子（素子１）の作製
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
本発明の実施例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．２ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。以下に記載の膜厚も水晶振動子を用いて測定したものである。
なお、素子１における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚４５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
ＮＰＤ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚４５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
以下に、上記ＮＰＤ、ｍＣＰ、ＢＰＭ−１、及びＢＡｌｑの構造を示す。
最後に金属アルミニウムを１００ｎｍ蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例の有機電界発光素子（素子１）を得た。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例の有機電界発光素子（素子１）を得た。
（２）実施例の有機電界発光素子（素子２）の作製
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で、実施例の有機電界発光素子（素子２）を作製した。素子２における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で、実施例の有機電界発光素子（素子２）を作製した。素子２における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（第1正孔輸送層）
ＣｕＰｃ：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
ＣｕＰｃ：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
上記ＮＰＤ、ｍＣＰ、ＢＰＭ−１、及びＢＡｌｑの構造は前記の通りである。以下に、ＣｕＰｃ、及びＡｌｑの構造を示す。
（３）実施例の有機電界発光素子（素子３）作製
有機化合物層構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で実施例の有機電界発光素子（素子３）を作製した。素子３における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
有機化合物層構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で実施例の有機電界発光素子（素子３）を作製した。素子３における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（第1正孔輸送層）
ｍ−ＭＴＤＡＴＡ：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：１．９ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
ｍ−ＭＴＤＡＴＡ：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：１．９ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
上記ＮＰＤ、ｍＣＰ、ＢＰＭ−１、ＢＡｌｑ及びＡｌｑの構造は前記の通りである。以下に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡの構造を示す。
（４）実施例の有機電界発光素子（素子４）の作製
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子４）を作製した。素子４における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子４）を作製した。素子４における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（第１正孔輸送層）
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−１：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：２．２ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−１：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：２．２ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
上記銅フタロシアニン、ＮＰＤ、ｍＣＰ、ＢＰＭ−１、ＢＡｌｑ、及びＡｌｑの構造は前記の通りである。以下に、ＨＴＭ−１の構造を示す。
（５）実施例の有機電界発光素子（素子５）の作製
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子５）を作製した。素子５における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子５）を作製した。素子５における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（第1正孔輸送層）
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−１：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：２．２ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＥＴＭ−１：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．５ｅＶ
（第２電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第３電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−１：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：２．２ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＥＴＭ−１：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．５ｅＶ
（第２電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第３電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
上記銅フタロシアニン、ＮＰＤ、ＨＴＭ−１、ｍＣＰ、ＢＰＭ−１、ＢＡｌｑ、及びＡｌｑの構造は前記の通りである。以下に、ＥＴＭ−１の構造を示す。
（６）実施例の有機電界発光素子（素子６）の作製
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子６）を作製した。素子６における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子６）を作製した。素子６における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（第１正孔輸送層）
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−２：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．７ｅＶ、 電子親和力：２．３ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−２：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．７ｅＶ、 電子親和力：２．３ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
上記銅フタロシアニン、ＮＰＤ、ｍＣＰ、ＢＰＭ−１、ＢＡｌｑ、及びＡｌｑの構造は前記の通りである。以下に、ＨＴＭ−２の構造を示す。
（７）実施例の有機電界発光素子（素子７）の作製
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子７）を作製した。素子７における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子７）を作製した。素子７における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（第１正孔輸送層）
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−２：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．７ｅＶ、 電子親和力：２．３ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＥＴＭ−１：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．５ｅＶ
（第２電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第３電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−２：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．７ｅＶ、 電子親和力：２．３ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＢＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＥＴＭ−１：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．５ｅＶ
（第２電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第３電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚３５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
上記銅フタロシアニン、ＮＰＤ、ＨＴＭ−２、ｍＣＰ、ＢＰＭ−１、ＥＴＭ−１、ＢＡｌｑ、及びＡｌｑの構造は前記の通りである。
（８）実施例の有機電界発光素子（素子８及び素子９）の作製
素子６に用いたＨＴＭ−２を下記に示すＨＴＭ−３に換えた以外は、実施例の有機電界発光素子（素子７）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子８）を作製した。
また、素子７に用いたＨＴＭ−２を下記に示すＨＴＭ−３に換えた以外は、実施例の有機電界発光素子（素子７）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子９）を作製した。
尚、ＨＴＭ−３のイオン化ポテンシャルは５．８ｅＶ、電子親和力は２．５ｅＶである。
素子６に用いたＨＴＭ−２を下記に示すＨＴＭ−３に換えた以外は、実施例の有機電界発光素子（素子７）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子８）を作製した。
また、素子７に用いたＨＴＭ−２を下記に示すＨＴＭ−３に換えた以外は、実施例の有機電界発光素子（素子７）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子９）を作製した。
尚、ＨＴＭ−３のイオン化ポテンシャルは５．８ｅＶ、電子親和力は２．５ｅＶである。
（９）実施例の有機電界発光素子（素子１０〜素子１５）の作製
素子４〜素子９に用いたＢＰＭ−１を、それぞれ下記に示すＢＰＭ−２に換えた以外は、実施例の有機電界発光素子（素子４〜素子９）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子１０〜素子１５）を作製した。
素子４〜素子９に用いたＢＰＭ−１を、それぞれ下記に示すＢＰＭ−２に換えた以外は、実施例の有機電界発光素子（素子４〜素子９）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子１０〜素子１５）を作製した。
（１０）比較例の有機電界発光素子（素子１６）の作製
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、素子１と同様の方法で比較例の有機電界発光素子（素子１６）を作製した。素子１６における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
有機化合物層の構成を下記のように変更した以外は、素子１と同様の方法で比較例の有機電界発光素子（素子１６）を作製した。素子１６における各有機化合物層のイオン化ポテンシャル及び電子親和力の値を各層の構成中に併記する。
（第1正孔輸送層）
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−１：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：２．２ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
ＣＢＰ＝９５質量％、Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．７ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．１ｅＶ、 電子親和力：３．４ｅＶ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚２５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．４ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
（第３正孔輸送層）
ＨＴＭ−１：５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：２．２ｅＶ
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
ＣＢＰ＝９５質量％、Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．７ｅＶ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚５ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．９ｅＶ、 電子親和力：２．９ｅＶ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚４０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：５．８ｅＶ、 電子親和力：３．０ｅＶ
ＮＰＤ、ｍＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑの構造は前記の通りである。以下に、ＣＢＰ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の構造を示す。
（１１）実施例の有機電界発光素子（素子１７）の作製
比較例の有機電界発光素子（素子１６）において、発光層を下記に変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１６）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子１７）を作製した。
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＧＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
ＣＢＰ＝９５質量％、ＧＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．７ｅＶ
ＧＰＭ−１の構造を以下に示す。
比較例の有機電界発光素子（素子１６）において、発光層を下記に変更した以外は、比較例の有機電界発光素子（素子１６）と同様の方法で本発明の有機電界発光素子（素子１７）を作製した。
（発光層）
ｍＣＰ＝９５質量％、ＧＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．０ｅＶ、 電子親和力：２．４ｅＶ
ＣＢＰ＝９５質量％、ＧＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚３０ｎｍ
イオン化ポテンシャル：６．１ｅＶ、 電子親和力：２．７ｅＶ
ＧＰＭ−１の構造を以下に示す。
なお、素子１７において、発光層を下記に変更することにより、本発明の白色発光素子を得ることもできる。
（発光層）
ＣＢＰ＝９０質量％、ＢＰＭ−１＝１０質量％の混合層：膜厚２０ｎｍ
ＣＢＰ＝９５質量％、ＲＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚２０ｎｍ
ＲＰＭ−１の構造を以下に示す。
（発光層）
ＣＢＰ＝９０質量％、ＢＰＭ−１＝１０質量％の混合層：膜厚２０ｎｍ
ＣＢＰ＝９５質量％、ＲＰＭ−１＝５質量％の混合層：膜厚２０ｎｍ
ＲＰＭ−１の構造を以下に示す。
２．素材物性の評価
（１）イオン化ポテンシャル
ガラス基板上に、有機化合物層に用いた各化合物を、５０ｎｍの厚みになるように蒸着した。この膜を常温常圧下、理研計器（株）製の紫外線光電子分析装置ＡＣ−１によりイオン化ポテンシャルを測定した。結果を表１に示す。
（１）イオン化ポテンシャル
ガラス基板上に、有機化合物層に用いた各化合物を、５０ｎｍの厚みになるように蒸着した。この膜を常温常圧下、理研計器（株）製の紫外線光電子分析装置ＡＣ−１によりイオン化ポテンシャルを測定した。結果を表１に示す。
（２）電子親和力
イオン化ポテンシャル測定に用いた膜の紫外可視吸収スペクトルを、島津製作所製のＵＶ３１００型分光光度計で測定し、吸収スペクトルの長波長端のエネルギーから励起エネルギーを求めた。励起エネルギーと前記イオン化ポテンシャルの値から電子親和力を算出した。結果を表１に示す。
イオン化ポテンシャル測定に用いた膜の紫外可視吸収スペクトルを、島津製作所製のＵＶ３１００型分光光度計で測定し、吸収スペクトルの長波長端のエネルギーから励起エネルギーを求めた。励起エネルギーと前記イオン化ポテンシャルの値から電子親和力を算出した。結果を表１に示す。
３．有機電界発光素子の評価
上記で得られた有機電界発光素子（素子１〜素子１７）の駆動耐久性を以下の方法により評価した。
得られた有機電界発光素子（素子１〜素子１７）を、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2で定電流駆動を行い、輝度が１５０ｃｄ／ｍ2になるまでに要する時間（ｔ0.5）を測定し、耐久性の指標とした。
上記で得られた有機電界発光素子（素子１〜素子１７）の駆動耐久性を以下の方法により評価した。
得られた有機電界発光素子（素子１〜素子１７）を、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2で定電流駆動を行い、輝度が１５０ｃｄ／ｍ2になるまでに要する時間（ｔ0.5）を測定し、耐久性の指標とした。
素子１〜素子１５に対しては、素子１のｔ0.5を１としたとき、３．５倍以上のものをＡ、１．５倍以上３．５倍未満のものをＢ、１．５倍以下のものをＣとして評価した。結果を表２に示す。
また、素子１６及び素子１７に対しては、素子１６のｔ0.5を１としたとき、３．５倍以上のものをＡ、１．５倍以上３．５倍未満のものをＢ、１．５倍以下のものをＣとして評価した。結果を表３に示す。
また、素子１６及び素子１７に対しては、素子１６のｔ0.5を１としたとき、３．５倍以上のものをＡ、１．５倍以上３．５倍未満のものをＢ、１．５倍以下のものをＣとして評価した。結果を表３に示す。
表２に示されるように、実施例の有機電界発光素子（素子２〜素子１５）は、比較例の有機電界発光素子（素子１）に比べて、駆動耐久性が高いことがわかる。
また、表３に示されるように、実施例の有機電界発光素子（素子１７）は、比較例の有機電界発光素子（素子１６）に比べて、駆動耐久性が高いことがわかる。
また、表３に示されるように、実施例の有機電界発光素子（素子１７）は、比較例の有機電界発光素子（素子１６）に比べて、駆動耐久性が高いことがわかる。
また、上記で得た実施例の各素子において、ＢＰＭ−１、ＢＰＭ−２又はＧＰＭ−１を、一般式（II）又は一般式（III）で表される化合物に換えた以外は同様の素子を作製して評価した場合においても、駆動耐久性に優れた素子が得られた。
Claims (18)
- 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎとしたときに、下記式（１）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数） - 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、及び電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
電子輸送層は発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層の電子親和力をＥａ０、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数） - 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む発光層、正孔輸送層、及び電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層及び電子輸送層は、各々発光層に隣接した層を含む２以上の層からなり、
発光層は発光材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有し、
かつ、発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数） - 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む第１及び第２発光層、正孔輸送層、並びに電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層は第１発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、電子輸送層は第２発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
第１及び第２発光層は、各々異なるホスト材料と、発光性材料として３座以上の配位子を有する金属錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極間に、少なくとも、発光材料とホスト材料とを含む第１及び第２発光層、正孔輸送層、並びに電子輸送層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、
正孔輸送層は第１発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、電子輸送層は第２発光層に隣接した層を含む２層以上からなり、
第１及び第２発光層は、各々異なるホスト材料と、発光性材料として３座以上の配位子を有する金属錯体と、を含有しており、
かつ、第１発光層のイオン化ポテンシャルをＩｐ０、正孔輸送層のうち、第１発光層に隣接した正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐ１、第１発光層側からｎ番目に位置する正孔輸送層のイオン化ポテンシャルをＩｐｎ、第２発光層の電子親和力をＥａ０、電子輸送層のうち、第２発光層に隣接した電子輸送層の電子親和力をＥａ１、第２発光層側からｍ番目に位置する電子輸送層の電子親和力をＥａｍとしたときに、下記式（１）及び下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
式（１）：Ｉｐ０＞Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞…＞Ｉｐｎ−１＞Ｉｐｎ （ｎは２以上の整数）
式（２）：Ｅａ０＜Ｅａ１＜Ｅａ２＜…＜Ｅａｍ−１＜Ｅａｍ （ｍは２以上の整数） - 前記式（１）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｉｐ０−Ｉｐ１≦０．４ｅＶ、かつ、Ｉｐ１−Ｉｐ２≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｉｐｎ−１−Ｉｐｎ≦０．４ｅＶの関係を満たすことを特徴とする請求項１、請求項３、又は請求項５に記載の有機電界発光素子。
- 前記式（２）で表される関係を満たす場合において、更に、Ｅａ１−Ｅａ０≦０．４ｅＶ、かつ、Ｅａ２−Ｅａ１≦０．４ｅＶ、…、かつ、Ｅａｍ−Ｅａｍ−１≦０．４ｅＶの関係を満たすことを特徴とする請求項２、請求項３、又は請求項５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属錯体が有する３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属錯体が、下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属錯体が、下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属錯体が有する配位子が、環状配位子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属錯体が、下記一般式（III）で表される化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属錯体中の金属イオンが、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、及び銅イオンからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記正孔輸送層は３層以上であることを特徴とする請求項１、及び、請求項３〜請求項１３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記電子輸送層は３層以上であることを特徴とする請求項２〜請求項１３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記正孔輸送層は３層以上であり、かつ前記電子輸送層は３層以上であることを特徴とする請求項３〜請求項１３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記正孔輸送層のうち、少なくとも１つの層に、アゼピン化合物、アミン化合物、カルバゾール化合物、ピロール化合物、及びインドール化合物からなる群より選択される化合物を含むことを特徴とする請求項１、及び、請求項３〜請求項１６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
- 前記正孔輸送層のうち、発光層に隣接する層に、アゼピン化合物、アミン化合物、カルバゾール化合物、ピロール化合物、及びインドール化合物からなる群より選択される化合物を含むことを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004333263 | 2004-11-17 | ||
| JP2004333263 | 2004-11-17 | ||
| JP2005333096A JP4969086B2 (ja) | 2004-11-17 | 2005-11-17 | 有機電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006173588A true JP2006173588A (ja) | 2006-06-29 |
| JP4969086B2 JP4969086B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=36673947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005333096A Active JP4969086B2 (ja) | 2004-11-17 | 2005-11-17 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4969086B2 (ja) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4969086B2 (ja) | 2012-07-04 |
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| JP2010140950A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4762527B2 (ja) | 有機電界発光素子 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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