JP2001331120A - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチック基板を用いて高性能な表示装置
を作製するための技術を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１０１上に剥離層１０２を形
成し、さらにその上に発光素子１０４を形成した後、発
光素子１０４の上に封止材１０５によりプラスチック基
板１０６を貼り合わせる。この状態で剥離層１０２の露
出面に対して高圧に加圧された流体１０８を吹きつけ、
剥離層１０２を崩壊させる。これによりガラス基板１０
１と絶縁膜１０３を分離し、その後、プラスチック基板
を絶縁膜１０３に貼り合わせる。
を作製するための技術を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１０１上に剥離層１０２を形
成し、さらにその上に発光素子１０４を形成した後、発
光素子１０４の上に封止材１０５によりプラスチック基
板１０６を貼り合わせる。この状態で剥離層１０２の露
出面に対して高圧に加圧された流体１０８を吹きつけ、
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を絶縁膜１０３に貼り合わせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に発光性材
料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置
（以下、発光装置という）もしくは電極間に液晶を挟ん
だ素子（以下、液晶素子という）を有する装置（以下、
液晶表示装置という）の作製方法に関する。なお、有機
ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Or
ganic Light Emitting Diode）は本発明の発光装置に含
まれる。
料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置
（以下、発光装置という）もしくは電極間に液晶を挟ん
だ素子（以下、液晶素子という）を有する装置（以下、
液晶表示装置という）の作製方法に関する。なお、有機
ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Or
ganic Light Emitting Diode）は本発明の発光装置に含
まれる。
【０００２】また、本明細書中では、発光装置及び液晶
表示装置を総称して表示装置（電気光学装置）と呼ぶ。
表示装置を総称して表示装置（電気光学装置）と呼ぶ。
【０００３】また、本発明に用いることのできる発光性
材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励
起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべ
ての発光性材料を含む。
材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励
起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべ
ての発光性材料を含む。
【０００４】
【従来の技術】近年、ＥＬ（Electro Luminescence）が
得られる発光性材料（以下、ＥＬ材料という）を利用し
た発光素子（以下、ＥＬ素子という）を用いた発光装置
（以下、ＥＬ発光装置という）の開発が進んでいる。Ｅ
Ｌ発光装置は、陽極と陰極との間にＥＬ材料を挟んだ構
造のＥＬ素子を有した構造からなる。この陽極と陰極と
の間に電圧を加えてＥＬ材料中に電流を流することによ
りキャリアを再結合させて発光させる。即ち、ＥＬ発光
装置は発光素子自体に発光能力があるため、液晶表示装
置に用いるようなバックライトが不要である。さらに視
野角が広く、軽量であり、且つ、低消費電力という利点
をもつ。
得られる発光性材料（以下、ＥＬ材料という）を利用し
た発光素子（以下、ＥＬ素子という）を用いた発光装置
（以下、ＥＬ発光装置という）の開発が進んでいる。Ｅ
Ｌ発光装置は、陽極と陰極との間にＥＬ材料を挟んだ構
造のＥＬ素子を有した構造からなる。この陽極と陰極と
の間に電圧を加えてＥＬ材料中に電流を流することによ
りキャリアを再結合させて発光させる。即ち、ＥＬ発光
装置は発光素子自体に発光能力があるため、液晶表示装
置に用いるようなバックライトが不要である。さらに視
野角が広く、軽量であり、且つ、低消費電力という利点
をもつ。
【０００５】このようなＥＬ発光装置を利用したアプリ
ケーションは様々なものが期待されているが、特にＥＬ
発光装置の厚みが薄いこと、従って軽量化が可能である
ことにより携帯機器への利用が注目されている。そのた
め、フレキシブルなプラスチックフィルムの上に発光素
子を形成することが試みられている。
ケーションは様々なものが期待されているが、特にＥＬ
発光装置の厚みが薄いこと、従って軽量化が可能である
ことにより携帯機器への利用が注目されている。そのた
め、フレキシブルなプラスチックフィルムの上に発光素
子を形成することが試みられている。
【０００６】しかしながら、プラスチックフィルムの耐
熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせざるを得
ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気
特性のＴＦＴを形成できないのが現状である。そのた
め、プラスチックフィルムを用いた高性能な表示装置は
実現されていない。
熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせざるを得
ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気
特性のＴＦＴを形成できないのが現状である。そのた
め、プラスチックフィルムを用いた高性能な表示装置は
実現されていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本願発明はプラスチッ
ク支持体（可撓性のプラスチックフィルムもしくはプラ
スチック基板を含む。）を用いて高性能な表示装置を作
製するための技術を提供することを課題とする。
ク支持体（可撓性のプラスチックフィルムもしくはプラ
スチック基板を含む。）を用いて高性能な表示装置を作
製するための技術を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラスチック
に比べて耐熱性のある基板（ガラス基板、石英基板、シ
リコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板）の上
に必要な素子を形成し、後にそれらの素子を室温の処理
によりプラスチック基板（プラスチックフィルムも含
む）に移すことを特徴とする。
に比べて耐熱性のある基板（ガラス基板、石英基板、シ
リコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板）の上
に必要な素子を形成し、後にそれらの素子を室温の処理
によりプラスチック基板（プラスチックフィルムも含
む）に移すことを特徴とする。
【０００９】なお、前記必要な素子とは、アクティブマ
トリクス型の表示装置ならば画素のスイッチング素子と
して用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭ
ＩＭ素子並びに発光素子もしくは液晶素子を指す。ま
た、パッシブ型の表示装置ならば発光素子もしくは液晶
素子を指す。なお、本明細書中では半導体素子やＭＩＭ
素子を能動素子と呼び、発光素子や液晶素子を受動素子
と呼ぶ。
トリクス型の表示装置ならば画素のスイッチング素子と
して用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭ
ＩＭ素子並びに発光素子もしくは液晶素子を指す。ま
た、パッシブ型の表示装置ならば発光素子もしくは液晶
素子を指す。なお、本明細書中では半導体素子やＭＩＭ
素子を能動素子と呼び、発光素子や液晶素子を受動素子
と呼ぶ。
【００１０】また、プラスチック基板としてはポリイミ
ド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＳ（ポリエチレ
ンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリ
エチレンナフタレート）からなる基板もしくはフィルム
を用いることができる。
ド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＳ（ポリエチレ
ンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリ
エチレンナフタレート）からなる基板もしくはフィルム
を用いることができる。
【００１１】本発明では上記素子を剥離層の上に形成し
ておき、後にその剥離層に向けて流体を吹きつけること
により素子が形成された基板を分離し、新たにプラスチ
ック基板を貼り付けることを特徴としている。剥離層と
しては、多孔質シリコン層又は水素、酸素、窒素もしく
は希ガスを添加したシリコン層を用いる。
ておき、後にその剥離層に向けて流体を吹きつけること
により素子が形成された基板を分離し、新たにプラスチ
ック基板を貼り付けることを特徴としている。剥離層と
しては、多孔質シリコン層又は水素、酸素、窒素もしく
は希ガスを添加したシリコン層を用いる。
【００１２】また、流体の吹きつけ方法としては、高圧
の水流をノズルから噴射して吹きつける方法（ウォータ
ージェット法と呼ばれる）や高圧のガス流を噴射して吹
きつける方法を用いることができる。このとき、水の代
わりに有機溶媒、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液を用
いても良い。また、ガスとしては空気、窒素ガス、炭酸
ガスもしくは希ガスを用いても良いし、これらのガスを
プラズマ化したものであっても良い。
の水流をノズルから噴射して吹きつける方法（ウォータ
ージェット法と呼ばれる）や高圧のガス流を噴射して吹
きつける方法を用いることができる。このとき、水の代
わりに有機溶媒、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液を用
いても良い。また、ガスとしては空気、窒素ガス、炭酸
ガスもしくは希ガスを用いても良いし、これらのガスを
プラズマ化したものであっても良い。
【００１３】これらの流体を剥離層に吹きつけると、剥
離層が脆性により崩壊するか化学的に除去される。これ
により素子が形成された基板と、その素子の下地として
設けられていた絶縁膜とが分離されることになる。剥離
層の崩壊により分離させた場合、残存した剥離層は改め
てエッチングにより除去すれば良い。
離層が脆性により崩壊するか化学的に除去される。これ
により素子が形成された基板と、その素子の下地として
設けられていた絶縁膜とが分離されることになる。剥離
層の崩壊により分離させた場合、残存した剥離層は改め
てエッチングにより除去すれば良い。
【００１４】こうして素子の下地となる絶縁膜を露出さ
せ、新しくプラスチックからなる基板もしくはフィルム
を貼り付ける。貼り付ける際には、光硬化性樹脂、熱硬
化性樹脂もしくはエポキシ系樹脂を接着剤として用いる
ことができる。
せ、新しくプラスチックからなる基板もしくはフィルム
を貼り付ける。貼り付ける際には、光硬化性樹脂、熱硬
化性樹脂もしくはエポキシ系樹脂を接着剤として用いる
ことができる。
【００１５】以上のように、本発明ではまずプラスチッ
クよりも耐熱性の高い基板（素子形成基板）上に半導体
素子やＭＩＭ素子といった能動素子もしくは発光素子や
液晶素子といった受動素子を形成し、最後に前記素子形
成基板をプラスチックからなる基板に貼り替える。その
貼り替えの際に高圧水もしくは高圧ガスを用いて基板の
分離を行う点に特徴がある。
クよりも耐熱性の高い基板（素子形成基板）上に半導体
素子やＭＩＭ素子といった能動素子もしくは発光素子や
液晶素子といった受動素子を形成し、最後に前記素子形
成基板をプラスチックからなる基板に貼り替える。その
貼り替えの際に高圧水もしくは高圧ガスを用いて基板の
分離を行う点に特徴がある。
【００１６】また、高圧の流体を複合部材の側面に吹き
つけて該複合部材を分離する手段およびそのための装置
として、特開平１１−４５８４０号公報、特開平１１−
５０６４号公報、特開平１１−１９５５６３号公報、特
開平１１−１９５５６８号公報、特開平１１−１９５５
６９号公報、特開平１１−１９５５７０号公報を本発明
に引用することは可能である。
つけて該複合部材を分離する手段およびそのための装置
として、特開平１１−４５８４０号公報、特開平１１−
５０６４号公報、特開平１１−１９５５６３号公報、特
開平１１−１９５５６８号公報、特開平１１−１９５５
６９号公報、特開平１１−１９５５７０号公報を本発明
に引用することは可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。図１は本発明の概略図であり、１０１はガラス基
板、１０２は剥離層、１０３は下地となる絶縁膜、１０
４は絶縁膜１０３上に形成された素子、１０５は樹脂か
らなる絶縁膜、１０６はプラスチックフィルムである。
する。図１は本発明の概略図であり、１０１はガラス基
板、１０２は剥離層、１０３は下地となる絶縁膜、１０
４は絶縁膜１０３上に形成された素子、１０５は樹脂か
らなる絶縁膜、１０６はプラスチックフィルムである。
【００１８】ガラス基板１０１は石英基板、金属基板も
しくはセラミックス基板であっても良い。また、剥離層
１０２はここでは多孔質シリコン膜を用いるが、水素、
酸素、窒素もしくは希ガスを添加したシリコン層であっ
ても良い。多孔質シリコン膜を用いる場合、非晶質シリ
コン膜もしくは多結晶シリコン膜を陽極化成処理により
多孔質化して用いれば良い。なお、剥離層１０２の膜厚
は０．１〜９００μm（好ましくは０．５〜１０μm）で
良い。
しくはセラミックス基板であっても良い。また、剥離層
１０２はここでは多孔質シリコン膜を用いるが、水素、
酸素、窒素もしくは希ガスを添加したシリコン層であっ
ても良い。多孔質シリコン膜を用いる場合、非晶質シリ
コン膜もしくは多結晶シリコン膜を陽極化成処理により
多孔質化して用いれば良い。なお、剥離層１０２の膜厚
は０．１〜９００μm（好ましくは０．５〜１０μm）で
良い。
【００１９】また、絶縁膜１０３は珪素を含む絶縁膜を
用いれば良い。珪素を含む絶縁膜としては、酸化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜もしくは炭
化シリコン膜を用いることができる。さらにその上に形
成される素子１０４は半導体素子やＭＩＭ素子などの能
動素子と発光素子や液晶素子などの受動素子を組み合わ
せたものであっても良いし、発光素子や液晶素子であっ
ても良い。
用いれば良い。珪素を含む絶縁膜としては、酸化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜もしくは炭
化シリコン膜を用いることができる。さらにその上に形
成される素子１０４は半導体素子やＭＩＭ素子などの能
動素子と発光素子や液晶素子などの受動素子を組み合わ
せたものであっても良いし、発光素子や液晶素子であっ
ても良い。
【００２０】樹脂からなる絶縁膜１０５は素子１０４を
外気から保護するための封止材としての役割とプラスチ
ックフィルム１０６を貼り付ける接着材としての役割の
両方を持つ。代表的には紫外線硬化樹脂を用いれば良
い。また、プラスチックフィルム１０６の代わりにガラ
ス基板を用いても良い。
外気から保護するための封止材としての役割とプラスチ
ックフィルム１０６を貼り付ける接着材としての役割の
両方を持つ。代表的には紫外線硬化樹脂を用いれば良
い。また、プラスチックフィルム１０６の代わりにガラ
ス基板を用いても良い。
【００２１】以上のような構造を含む表示装置を、中心
を軸にして矢印のように回転させ、さらにノズル１０７
から流体１０８を噴射させる。ノズル１０７からは１×
１０ 7〜１×１０9Ｐａ（好ましくは３×１０7〜５×１
０8Ｐａ）の圧力が加わった流体が噴射されて剥離層１
０２の側面に吹きつけられる。流体１０８は試料が回転
しているため剥離層１０２の露出面に沿って吹きつけら
れていく。その衝撃により剥離層１０２は崩壊もしくは
除去され、ガラス基板１０１と絶縁膜１０３とが分離さ
れる。
を軸にして矢印のように回転させ、さらにノズル１０７
から流体１０８を噴射させる。ノズル１０７からは１×
１０ 7〜１×１０9Ｐａ（好ましくは３×１０7〜５×１
０8Ｐａ）の圧力が加わった流体が噴射されて剥離層１
０２の側面に吹きつけられる。流体１０８は試料が回転
しているため剥離層１０２の露出面に沿って吹きつけら
れていく。その衝撃により剥離層１０２は崩壊もしくは
除去され、ガラス基板１０１と絶縁膜１０３とが分離さ
れる。
【００２２】なお、流体１０８は水、有機溶媒、酸性溶
液もしくはアルカリ性溶液といった液体を用いても良
い、空気、窒素ガス、炭酸ガスもしくは希ガスといった
気体を用いても良い。さらにこれらのガスをプラズマ化
したものでも良い。
液もしくはアルカリ性溶液といった液体を用いても良
い、空気、窒素ガス、炭酸ガスもしくは希ガスといった
気体を用いても良い。さらにこれらのガスをプラズマ化
したものでも良い。
【００２３】図１の状態を上面から見ると図２に示すよ
うになる。なお、図２（Ａ）は素子を形成する母体基板
として丸い基板を用いた試料２０１であり、試料２０１
には２０２で示される単位で表示装置が形成されてい
る。これは一枚の基板から複数の表示装置を作製する場
合の例である。また、同様に図２（Ｂ）は四角い基板を
用いた試料２０３であり、試料２０３には２０４で示さ
れる単位で表示装置が形成されている。
うになる。なお、図２（Ａ）は素子を形成する母体基板
として丸い基板を用いた試料２０１であり、試料２０１
には２０２で示される単位で表示装置が形成されてい
る。これは一枚の基板から複数の表示装置を作製する場
合の例である。また、同様に図２（Ｂ）は四角い基板を
用いた試料２０３であり、試料２０３には２０４で示さ
れる単位で表示装置が形成されている。
【００２４】このとき、ノズル１０７の噴出口は長楕円
形状もしくは長方形状となっており、流体１０８の断面
形状はノズルの形状とほぼ一致している。円形状や四角
形状としても構わないが、長楕円形状もしくは長方形状
とした方が処理効率は高い。
形状もしくは長方形状となっており、流体１０８の断面
形状はノズルの形状とほぼ一致している。円形状や四角
形状としても構わないが、長楕円形状もしくは長方形状
とした方が処理効率は高い。
【００２５】また、ここではノズルを一つしか図示して
いないが、二つ以上のノズルを設けても良い。その際、
基板の一辺に対して複数並べて設けても良いし、基板の
各辺ごとに一つ乃至複数のノズルを設けても良い。
いないが、二つ以上のノズルを設けても良い。その際、
基板の一辺に対して複数並べて設けても良いし、基板の
各辺ごとに一つ乃至複数のノズルを設けても良い。
【００２６】次に、本発明において流体１０８を噴射す
る装置（以下、分離装置という）の概略の構造を図３に
示す。図３に示す分離装置では図１に示すような構造を
含む試料３０１が基板保持体３０２、３０３により保持
されている。基板保持体３０２、３０３は各々真空吸着
により試料３０１を保持している。
る装置（以下、分離装置という）の概略の構造を図３に
示す。図３に示す分離装置では図１に示すような構造を
含む試料３０１が基板保持体３０２、３０３により保持
されている。基板保持体３０２、３０３は各々真空吸着
により試料３０１を保持している。
【００２７】また、基板保持体３０２、３０３は互いに
同一回転軸上に配置され、回転しうるように設けられて
いる。また、基板保持体３０２はベアリング３０４、３
０５に嵌合されて支持台３０６に支持される。さらに、
基板保持体３０２はモータ３０７に連結されており、回
転スピードの調節が行えるようになっている。
同一回転軸上に配置され、回転しうるように設けられて
いる。また、基板保持体３０２はベアリング３０４、３
０５に嵌合されて支持台３０６に支持される。さらに、
基板保持体３０２はモータ３０７に連結されており、回
転スピードの調節が行えるようになっている。
【００２８】一方、基板保持体３０３はベアリング３０
８、３０９に嵌合されて支持台３１０に支持される。ま
た、基板保持体３０３は圧縮バネ３１１により右方向に
引っ張られた状態となっており、その力と基板保持体３
０３の吸着力とを釣り合わせることにより試料３０１を
保持している。
８、３０９に嵌合されて支持台３１０に支持される。ま
た、基板保持体３０３は圧縮バネ３１１により右方向に
引っ張られた状態となっており、その力と基板保持体３
０３の吸着力とを釣り合わせることにより試料３０１を
保持している。
【００２９】この状態でポンプ３１５からノズル３１６
へと高圧の流体が送り込まれ、この流体３１７が試料３
０１の内部に設けられた剥離層１０２に向けて噴射され
る構成となっている。流体３１７が噴射されている間、
基板保持体３０２、３０３は試料３０１を挟んだまま回
転する。
へと高圧の流体が送り込まれ、この流体３１７が試料３
０１の内部に設けられた剥離層１０２に向けて噴射され
る構成となっている。流体３１７が噴射されている間、
基板保持体３０２、３０３は試料３０１を挟んだまま回
転する。
【００３０】こうして剥離層１０２に流体３１７が吹き
つけられると剥離層１０２の崩壊が始まり、ガラス基板
１０１とプラスチック基板１０６との間が徐々に押し広
げられていく。さらに、圧縮バネ３１１により基板保持
体３０３には右方向への力が加わっているため、剥離層
１０２の崩壊が進むと最終的にはガラス基板１０１とプ
ラスチック基板１０６とが分離される。
つけられると剥離層１０２の崩壊が始まり、ガラス基板
１０１とプラスチック基板１０６との間が徐々に押し広
げられていく。さらに、圧縮バネ３１１により基板保持
体３０３には右方向への力が加わっているため、剥離層
１０２の崩壊が進むと最終的にはガラス基板１０１とプ
ラスチック基板１０６とが分離される。
【００３１】なお、本発明の実施の形態では、試料３０
１を回転させる例を示しているが、ノズル３１６が試料
３０１の側面に沿って回転し、高圧の流体を噴射する構
成とすることも可能である。
１を回転させる例を示しているが、ノズル３１６が試料
３０１の側面に沿って回転し、高圧の流体を噴射する構
成とすることも可能である。
【００３２】
【実施例】〔実施例１〕本実施例ではＥＬ発光装置の画
素部の作製工程について図４、５を用いて説明する。ま
た、本実施の形態によって作製される画素の上面図を図
６に示す。なお、図６に用いた符号は図４、５で用いた
符号に対応している。
素部の作製工程について図４、５を用いて説明する。ま
た、本実施の形態によって作製される画素の上面図を図
６に示す。なお、図６に用いた符号は図４、５で用いた
符号に対応している。
【００３３】まずガラス基板４０１上に多孔質シリコン
膜からなる剥離層４０２を１μmの厚さに形成する。多
孔質シリコン膜は非晶質シリコン膜を成膜して、該非晶
質シリコン膜を、フッ酸：水：エタノールを１：１：１
の割合で混合した溶液中で陽極化成処理を行って形成す
れば良い。
膜からなる剥離層４０２を１μmの厚さに形成する。多
孔質シリコン膜は非晶質シリコン膜を成膜して、該非晶
質シリコン膜を、フッ酸：水：エタノールを１：１：１
の割合で混合した溶液中で陽極化成処理を行って形成す
れば良い。
【００３４】次に、剥離層４０２の上に下地膜４０３と
して窒化酸化シリコン膜を２００ｎｍの厚さに形成す
る。下地膜４０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。
して窒化酸化シリコン膜を２００ｎｍの厚さに形成す
る。下地膜４０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。
【００３５】次に、下地膜１０３の上に後に結晶質シリ
コン膜４０４を５０ｎｍの厚さに形成する。結晶質シリ
コン膜４０４の形成方法としては公知の手段を用いるこ
とが可能である。固体レーザーもしくはエキシマレーザ
ーを用いて非晶質シリコン膜をレーザー結晶化させても
良いし、非晶質シリコン膜を加熱処理（ファーネスアニ
ール）により結晶化させても良い。
コン膜４０４を５０ｎｍの厚さに形成する。結晶質シリ
コン膜４０４の形成方法としては公知の手段を用いるこ
とが可能である。固体レーザーもしくはエキシマレーザ
ーを用いて非晶質シリコン膜をレーザー結晶化させても
良いし、非晶質シリコン膜を加熱処理（ファーネスアニ
ール）により結晶化させても良い。
【００３６】次に、図４（Ｂ）に示すように、結晶質シ
リコン膜４０４をパターニングしてパターン化した結晶
質シリコン膜４０５、４０６を形成する。そしてパター
ン化した結晶質シリコン膜を覆って酸化シリコン膜から
なるゲート絶縁膜４０７を８０ｎｍの厚さに形成する。
さらに、ゲート絶縁膜４０７の上にゲート電極４０８、
４０９を形成する。本実施例ではゲート電極４０８、４
０９の材料として、３５０ｎｍ厚のタングステン膜もし
くはタングステン合金膜を用いる。勿論、ゲート電極の
材料としては他の公知の材料を用いることができる。
リコン膜４０４をパターニングしてパターン化した結晶
質シリコン膜４０５、４０６を形成する。そしてパター
ン化した結晶質シリコン膜を覆って酸化シリコン膜から
なるゲート絶縁膜４０７を８０ｎｍの厚さに形成する。
さらに、ゲート絶縁膜４０７の上にゲート電極４０８、
４０９を形成する。本実施例ではゲート電極４０８、４
０９の材料として、３５０ｎｍ厚のタングステン膜もし
くはタングステン合金膜を用いる。勿論、ゲート電極の
材料としては他の公知の材料を用いることができる。
【００３７】そして、ゲート電極４０８、４０９をマス
クとして周期表の１３族に属する元素（代表的にはボロ
ン）を添加する。添加方法は公知の手段を用いれば良
い。こうしてｐ型の導電型を示す不純物領域（以下、ｐ
型不純物領域という）４１０〜４１４が形成される。ま
た、ゲート電極の直下にはチャネル形成領域４１５〜４
１７が画定する。なお、ｐ型不純物領域４１０〜４１４
はＴＦＴのソース領域もしくはドレイン領域となる。
クとして周期表の１３族に属する元素（代表的にはボロ
ン）を添加する。添加方法は公知の手段を用いれば良
い。こうしてｐ型の導電型を示す不純物領域（以下、ｐ
型不純物領域という）４１０〜４１４が形成される。ま
た、ゲート電極の直下にはチャネル形成領域４１５〜４
１７が画定する。なお、ｐ型不純物領域４１０〜４１４
はＴＦＴのソース領域もしくはドレイン領域となる。
【００３８】次に、図４（Ｃ）に示すように、窒化シリ
コン膜４１８を５０ｎｍの厚さに形成し、その後、加熱
処理を行って添加された周期表の１３族に属する元素の
活性化を行う。この活性化はファーネスアニール、レー
ザーアニールもしくはランプアニールにより行うか、又
はそれらを組み合わせて行えば良い。本実施例では５０
０℃４時間の加熱処理を窒素雰囲気で行う。
コン膜４１８を５０ｎｍの厚さに形成し、その後、加熱
処理を行って添加された周期表の１３族に属する元素の
活性化を行う。この活性化はファーネスアニール、レー
ザーアニールもしくはランプアニールにより行うか、又
はそれらを組み合わせて行えば良い。本実施例では５０
０℃４時間の加熱処理を窒素雰囲気で行う。
【００３９】活性化が終了したら、水素化処理を行うと
効果的である。水素化処理は公知の水素アニール技術も
しくはプラズマ水素化技術を用いれば良い。
効果的である。水素化処理は公知の水素アニール技術も
しくはプラズマ水素化技術を用いれば良い。
【００４０】次に、図４（Ｄ）に示すように、酸化シリ
コン膜からなる第１層間絶縁膜４１９を８００ｎｍの厚
さに形成し、コンタクトホールを形成して配線４２０〜
４２３を形成する。第１層間絶縁膜４１９としては他の
無機絶縁膜を用いても良いし、樹脂（有機絶縁膜）を用
いても良い。本実施の形態では配線４２０〜４２３とし
てチタン／アルミニウム／チタンの三層構造からなる金
属配線を用いる。勿論、導電膜であれば如何なる材料を
用いても良い。配線４２０〜４２３はＴＦＴのソース配
線もしくはドレイン配線となる。
コン膜からなる第１層間絶縁膜４１９を８００ｎｍの厚
さに形成し、コンタクトホールを形成して配線４２０〜
４２３を形成する。第１層間絶縁膜４１９としては他の
無機絶縁膜を用いても良いし、樹脂（有機絶縁膜）を用
いても良い。本実施の形態では配線４２０〜４２３とし
てチタン／アルミニウム／チタンの三層構造からなる金
属配線を用いる。勿論、導電膜であれば如何なる材料を
用いても良い。配線４２０〜４２３はＴＦＴのソース配
線もしくはドレイン配線となる。
【００４１】この状態でスイッチング用ＴＦＴ５０１及
び電流制御用ＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）５０２が完成す
る。本実施の形態ではどちらのＴＦＴもｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成される。但し、スイッチング用ＴＦＴ５０１
はゲート電極がパターン化された結晶質シリコン膜を二
カ所で横切るように形成されており、二つのチャネル形
成領域が直列に接続された構造となっている。このよう
な構造とすることでオフ電流値（ＴＦＴがオフされた時
に流れる電流）を抑制することができる。
び電流制御用ＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）５０２が完成す
る。本実施の形態ではどちらのＴＦＴもｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成される。但し、スイッチング用ＴＦＴ５０１
はゲート電極がパターン化された結晶質シリコン膜を二
カ所で横切るように形成されており、二つのチャネル形
成領域が直列に接続された構造となっている。このよう
な構造とすることでオフ電流値（ＴＦＴがオフされた時
に流れる電流）を抑制することができる。
【００４２】また、同時に図６（Ｂ）に示すように保持
容量６０１が形成される。保持容量６０１は活性層と同
時に形成された半導体層６０２、ゲート絶縁膜４０７及
びゲート電極４０９で形成される下側保持容量と、ゲー
ト電極４０９、第１層間絶縁膜４１９及び配線４２３で
形成される上側保持容量とで形成される。また、半導体
層６０２は配線４２３と電気的に接続されている。
容量６０１が形成される。保持容量６０１は活性層と同
時に形成された半導体層６０２、ゲート絶縁膜４０７及
びゲート電極４０９で形成される下側保持容量と、ゲー
ト電極４０９、第１層間絶縁膜４１９及び配線４２３で
形成される上側保持容量とで形成される。また、半導体
層６０２は配線４２３と電気的に接続されている。
【００４３】次に、図４（Ｅ）に示すように、酸化物導
電膜（本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した
導電膜）を１００ｎｍの厚さに形成し、パターニングに
より画素電極４２４を形成する。このとき、配線４２２
と画素電極４２４とはオーミック接触をする。従って、
画素電極４２４と電流制御用ＴＦＴ５０２とは電気的に
接続される。また、画素電極４２４はＥＬ素子の陽極と
して機能する。
電膜（本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した
導電膜）を１００ｎｍの厚さに形成し、パターニングに
より画素電極４２４を形成する。このとき、配線４２２
と画素電極４２４とはオーミック接触をする。従って、
画素電極４２４と電流制御用ＴＦＴ５０２とは電気的に
接続される。また、画素電極４２４はＥＬ素子の陽極と
して機能する。
【００４４】画素電極４２４を形成したら、酸化シリコ
ン膜からなる第２層間絶縁膜４２５を３００ｎｍの厚さ
に形成する。そして、開口部４２６を形成し、７０ｎｍ
厚の有機ＥＬ層４２７及び３００ｎｍ厚の陰極４２８を
蒸着法により形成する。本実施例では有機ＥＬ層４２７
として２０ｎｍ厚の正孔注入層及び５０ｎｍ厚の発光層
を積層した構造を用いる。勿論、発光層に正孔注入層、
正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層もし
くは電子阻止層を組み合わせた公知の他の構造を用いて
も良い。
ン膜からなる第２層間絶縁膜４２５を３００ｎｍの厚さ
に形成する。そして、開口部４２６を形成し、７０ｎｍ
厚の有機ＥＬ層４２７及び３００ｎｍ厚の陰極４２８を
蒸着法により形成する。本実施例では有機ＥＬ層４２７
として２０ｎｍ厚の正孔注入層及び５０ｎｍ厚の発光層
を積層した構造を用いる。勿論、発光層に正孔注入層、
正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層もし
くは電子阻止層を組み合わせた公知の他の構造を用いて
も良い。
【００４５】本実施例では、正孔注入層としてＣｕＰｃ
（銅フタロシアニン）を用いる。この場合、まず全ての
画素電極を覆うように銅フタロシアニンを形成し、その
後、赤色、緑色及び青色に対応する画素ごとに各々赤色
の発光層、緑色の発光層及び青色の発光層を形成する。
形成する領域の区別は蒸着時にシャドーマスクを用いて
行えば良い。このようにすることでカラー表示が可能と
なる。
（銅フタロシアニン）を用いる。この場合、まず全ての
画素電極を覆うように銅フタロシアニンを形成し、その
後、赤色、緑色及び青色に対応する画素ごとに各々赤色
の発光層、緑色の発光層及び青色の発光層を形成する。
形成する領域の区別は蒸着時にシャドーマスクを用いて
行えば良い。このようにすることでカラー表示が可能と
なる。
【００４６】なお、本実施例では緑色の発光層の母体材
料としてＡｌｑ3（トリス−８−キノリノラトアルミニ
ウム錯体）を用い、キナクリドンもしくはクマリン６を
ドーパントとして添加する。また、赤色の発光層の母体
材料としてＡｌｑ3を用い、ＤＣＪＴ、ＤＣＭ１もしく
はＤＣＭ２をドーパントとして添加する。また、青色の
発光層の母体材料としてＢＡｌｑ3（２−メチル−８−
キノリノールとフェノール誘導体の混合配位子を持つ５
配位の錯体）を用い、ペリレンをドーパントとして添加
する。
料としてＡｌｑ3（トリス−８−キノリノラトアルミニ
ウム錯体）を用い、キナクリドンもしくはクマリン６を
ドーパントとして添加する。また、赤色の発光層の母体
材料としてＡｌｑ3を用い、ＤＣＪＴ、ＤＣＭ１もしく
はＤＣＭ２をドーパントとして添加する。また、青色の
発光層の母体材料としてＢＡｌｑ3（２−メチル−８−
キノリノールとフェノール誘導体の混合配位子を持つ５
配位の錯体）を用い、ペリレンをドーパントとして添加
する。
【００４７】勿論、本願発明では上記有機材料に限定す
る必要はなく、公知の低分子系有機ＥＬ材料、高分子系
有機ＥＬ材料もしくは無機ＥＬ材料を用いることが可能
である。高分子系有機ＥＬ材料を用いる場合は塗布法を
用いることもできる。
る必要はなく、公知の低分子系有機ＥＬ材料、高分子系
有機ＥＬ材料もしくは無機ＥＬ材料を用いることが可能
である。高分子系有機ＥＬ材料を用いる場合は塗布法を
用いることもできる。
【００４８】以上のようにして、画素電極（陽極）４２
４、有機ＥＬ層４２７及び陰極４２８からなるＥＬ素子
（図６（Ｂ）において６０２で示される）が形成され
る。本実施例ではこのＥＬ素子が発光素子として機能す
る。
４、有機ＥＬ層４２７及び陰極４２８からなるＥＬ素子
（図６（Ｂ）において６０２で示される）が形成され
る。本実施例ではこのＥＬ素子が発光素子として機能す
る。
【００４９】次に、図５（Ａ）に示すように、封止材４
２９によりプラスチック基板４３０を貼り合わせる。本
実施例ではプラスチック基板４３０として可撓性のプラ
スチックフィルムを用いる。また、封止材４２９として
は、樹脂からなる絶縁膜を用いることができ、本実施例
ではポリイミドを用いる。そのほかにもアクリル樹脂、
ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良い。
２９によりプラスチック基板４３０を貼り合わせる。本
実施例ではプラスチック基板４３０として可撓性のプラ
スチックフィルムを用いる。また、封止材４２９として
は、樹脂からなる絶縁膜を用いることができ、本実施例
ではポリイミドを用いる。そのほかにもアクリル樹脂、
ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良い。
【００５０】図５（Ａ）のプロセスを行うことによりＥ
Ｌ素子を完全に大気から遮断することができる。これに
より酸化による有機ＥＬ材料の劣化をほぼ完全に抑制す
ることができ、ＥＬ素子の信頼性を大幅に向上させるこ
とができる。
Ｌ素子を完全に大気から遮断することができる。これに
より酸化による有機ＥＬ材料の劣化をほぼ完全に抑制す
ることができ、ＥＬ素子の信頼性を大幅に向上させるこ
とができる。
【００５１】次に、図５（Ｂ）に示すように、ＥＬ素子
の形成された基板からガラス基板１０１を分離する。こ
の分離工程は、図１〜３に説明した本発明の分離装置を
用いて行えば良い。本実施例では、長楕円形状のノズル
から３×１０7Ｐａの圧力で水流を噴射し、剥離層４０
２を崩壊させる。その後、下地膜４０３に残存した剥離
層４０２をフッ酸と過酸化水素水との混合溶液で除去す
る。この溶液は多孔質シリコン膜からなる剥離層４０２
を選択的に除去することが可能である。
の形成された基板からガラス基板１０１を分離する。こ
の分離工程は、図１〜３に説明した本発明の分離装置を
用いて行えば良い。本実施例では、長楕円形状のノズル
から３×１０7Ｐａの圧力で水流を噴射し、剥離層４０
２を崩壊させる。その後、下地膜４０３に残存した剥離
層４０２をフッ酸と過酸化水素水との混合溶液で除去す
る。この溶液は多孔質シリコン膜からなる剥離層４０２
を選択的に除去することが可能である。
【００５２】こうしてプラスチック基板４３０にＴＦＴ
及びＥＬ素子を移したら、図５（Ｃ）に示すように、接
着剤４３１を形成し、プラスチックフィルム４３２を貼
り合わせる。接着剤４３１としては樹脂からなる絶縁膜
（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしく
はエポキシ樹脂）を用いても良いし、無機絶縁膜（代表
的には酸化シリコン膜）を用いても良い。
及びＥＬ素子を移したら、図５（Ｃ）に示すように、接
着剤４３１を形成し、プラスチックフィルム４３２を貼
り合わせる。接着剤４３１としては樹脂からなる絶縁膜
（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしく
はエポキシ樹脂）を用いても良いし、無機絶縁膜（代表
的には酸化シリコン膜）を用いても良い。
【００５３】こうしてガラス基板４０１からプラスチッ
クフィルム４３２へとＴＦＴ及びＥＬ素子が移される。
その結果、二枚のプラスチックフィルム４３０、４３２
によって挟まれたフレキシブルなＥＬ発光装置を得るこ
とができる。
クフィルム４３２へとＴＦＴ及びＥＬ素子が移される。
その結果、二枚のプラスチックフィルム４３０、４３２
によって挟まれたフレキシブルなＥＬ発光装置を得るこ
とができる。
【００５４】なお、本実施例において、このように発光
素子の上に設けた支持用のプラスチックフィルム４３０
と貼り合わせ用のプラスチックフィルム４３２を同一材
料した理由は熱膨張係数を揃えるためである。熱膨張係
数が等しいと、温度変化による基板の応力歪みのバラン
スがとれ、発光素子に与える影響を抑制することができ
るので好ましい。
素子の上に設けた支持用のプラスチックフィルム４３０
と貼り合わせ用のプラスチックフィルム４３２を同一材
料した理由は熱膨張係数を揃えるためである。熱膨張係
数が等しいと、温度変化による基板の応力歪みのバラン
スがとれ、発光素子に与える影響を抑制することができ
るので好ましい。
【００５５】また、本実施例により作製されたＥＬ発光
装置は、フォトリソグラフィに必要なマスク枚数がトー
タルで６枚と非常に少なく、高い歩留まりと低い製造コ
ストを達成することができる。また、こうして形成され
たＥＬ発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限さ
れることなく形成されたＴＦＴを能動素子として用いる
ことができるので高性能なものとすることができる。
装置は、フォトリソグラフィに必要なマスク枚数がトー
タルで６枚と非常に少なく、高い歩留まりと低い製造コ
ストを達成することができる。また、こうして形成され
たＥＬ発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限さ
れることなく形成されたＴＦＴを能動素子として用いる
ことができるので高性能なものとすることができる。
【００５６】なお、本実施例では、ＴＦＴの例としてト
ップゲート構造のＴＦＴ（具体的にはプレーナ型ＴＦ
Ｔ）を示したが、ボトムゲート構造のＴＦＴ（典型的に
は逆スタガ型ＴＦＴ）としても良い。
ップゲート構造のＴＦＴ（具体的にはプレーナ型ＴＦ
Ｔ）を示したが、ボトムゲート構造のＴＦＴ（典型的に
は逆スタガ型ＴＦＴ）としても良い。
【００５７】〔実施例２〕実施例１において、ゲート電
極を形成するところまでの作製工程として本出願人によ
る特開平９−３１２２６０号公報、特開平１０−２４７
７３５号公報、特開平１０−２７０３６３号公報もしく
は特開平１１−１９１６２８号公報のいずれかに記載の
発明を用いることは有効である。
極を形成するところまでの作製工程として本出願人によ
る特開平９−３１２２６０号公報、特開平１０−２４７
７３５号公報、特開平１０−２７０３６３号公報もしく
は特開平１１−１９１６２８号公報のいずれかに記載の
発明を用いることは有効である。
【００５８】上記公報に記載された技術はいずれも非常
に高い結晶性を有する結晶質シリコン膜を形成するため
の技術であり、これらの技術を用いることで高性能なＴ
ＦＴを形成することが可能である。これらの技術はいず
れも５５０℃以上の加熱処理を含むが、本発明の技術を
用いることで、素子形成基板として耐熱性の低いプラス
チック基板を用いることが可能となる。
に高い結晶性を有する結晶質シリコン膜を形成するため
の技術であり、これらの技術を用いることで高性能なＴ
ＦＴを形成することが可能である。これらの技術はいず
れも５５０℃以上の加熱処理を含むが、本発明の技術を
用いることで、素子形成基板として耐熱性の低いプラス
チック基板を用いることが可能となる。
【００５９】なお、本実施例の構成は、実施例１の構成
と自由に組み合わせて実施することが可能である。
と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００６０】〔実施例３〕本実施例では本発明を液晶表
示装置に用いた場合の例について説明する。説明には図
７を用いる。
示装置に用いた場合の例について説明する。説明には図
７を用いる。
【００６１】図７（Ａ）において、７０１はガラス基
板、７０２は非晶質シリコン層に１×１０16〜１×１０
17atoms/cm3の濃度で水素を含む剥離層、７０３は窒化
酸化シリコン膜からなる下地膜、７０４は画素ＴＦＴで
ある。画素ＴＦＴ７０４は実施例１に説明した工程に従
って作製されたｐチャネル型ＴＦＴであり、本実施例で
は液晶に加えられる電圧を制御するためのスイッチング
素子として用いる。また、７０５は画素ＴＦＴ７０４に
電気的に接続された酸化物導電膜からなる画素電極であ
る。
板、７０２は非晶質シリコン層に１×１０16〜１×１０
17atoms/cm3の濃度で水素を含む剥離層、７０３は窒化
酸化シリコン膜からなる下地膜、７０４は画素ＴＦＴで
ある。画素ＴＦＴ７０４は実施例１に説明した工程に従
って作製されたｐチャネル型ＴＦＴであり、本実施例で
は液晶に加えられる電圧を制御するためのスイッチング
素子として用いる。また、７０５は画素ＴＦＴ７０４に
電気的に接続された酸化物導電膜からなる画素電極であ
る。
【００６２】以上に説明した構造までは実施例１で説明
した作製工程に従えば良い。勿論、ＴＦＴの構造はボト
ムゲート型（代表的には逆スタガ型）とすることも可能
であり、ＴＦＴの作製工程を実施例１の工程に限定する
必要はない。
した作製工程に従えば良い。勿論、ＴＦＴの構造はボト
ムゲート型（代表的には逆スタガ型）とすることも可能
であり、ＴＦＴの作製工程を実施例１の工程に限定する
必要はない。
【００６３】画素ＴＦＴ７０４及び画素電極７０５を形
成したら、樹脂からなる配向膜７０６を形成する。配向
膜７０６は印刷法により形成すれば良い。また、膜厚は
６０ｎｍとする。
成したら、樹脂からなる配向膜７０６を形成する。配向
膜７０６は印刷法により形成すれば良い。また、膜厚は
６０ｎｍとする。
【００６４】次に、プラスチックフィルムからなる対向
基板７０７を用意し、その上にスパッタ法によりチタン
からなる遮光膜７０８を１２０ｎｍの厚さに、酸化物導
電膜からなる対向電極７０９を１１０ｎｍの厚さに形成
する。その上には配向膜７１０を６０ｎｍの厚さに形成
する。
基板７０７を用意し、その上にスパッタ法によりチタン
からなる遮光膜７０８を１２０ｎｍの厚さに、酸化物導
電膜からなる対向電極７０９を１１０ｎｍの厚さに形成
する。その上には配向膜７１０を６０ｎｍの厚さに形成
する。
【００６５】次に、ＴＦＴの形成された基板側の配向膜
７０６の上にシール材（図示せず）をディスペンサー等
の手段により形成し、配向膜７０６と対向基板側の配向
膜７１０とを向かい合わせて貼り合わせ、加圧プレスし
て接着する。さらに、シール材に囲まれた領域に真空注
入法を用いて液晶７１１を注入し、シール材の注入口を
樹脂で塞いで液晶素子（液晶セルと言っても良い）を完
成させる。これらの工程は公知の液晶セルの作製工程を
実施すれば良い。このとき、シール材としてはポリイミ
ド、アクリルもしくはエポキシ樹脂を用いる。このシー
ル剤は図５（Ａ）の封止材４２９と同様に接着剤として
の役割を果たす。
７０６の上にシール材（図示せず）をディスペンサー等
の手段により形成し、配向膜７０６と対向基板側の配向
膜７１０とを向かい合わせて貼り合わせ、加圧プレスし
て接着する。さらに、シール材に囲まれた領域に真空注
入法を用いて液晶７１１を注入し、シール材の注入口を
樹脂で塞いで液晶素子（液晶セルと言っても良い）を完
成させる。これらの工程は公知の液晶セルの作製工程を
実施すれば良い。このとき、シール材としてはポリイミ
ド、アクリルもしくはエポキシ樹脂を用いる。このシー
ル剤は図５（Ａ）の封止材４２９と同様に接着剤として
の役割を果たす。
【００６６】次に、図７（Ｂ）に示すように、液晶素子
の形成された基板からガラス基板７０１を分離する。こ
の分離工程は、図１〜３に説明した本発明の分離装置を
用いて行えば良い。本実施例では、長楕円形状のノズル
から５×１０7Ｐａの圧力で水流を噴射し、剥離層７０
２を崩壊させる。
の形成された基板からガラス基板７０１を分離する。こ
の分離工程は、図１〜３に説明した本発明の分離装置を
用いて行えば良い。本実施例では、長楕円形状のノズル
から５×１０7Ｐａの圧力で水流を噴射し、剥離層７０
２を崩壊させる。
【００６７】その後、下地膜７０３に残存した剥離層７
０２を、フッ化ハロゲンを含むガス中で除去する。フッ
化ハロゲンを含むガスとしては、窒素ガスと三フッ化塩
素ガスを混合させたガスを用いる。この処理は室温で行
うことができる。
０２を、フッ化ハロゲンを含むガス中で除去する。フッ
化ハロゲンを含むガスとしては、窒素ガスと三フッ化塩
素ガスを混合させたガスを用いる。この処理は室温で行
うことができる。
【００６８】こうして最終的には剥離層７０２が完全に
除去され、窒化酸化シリコン膜からなる下地膜７０３が
露呈する。そして最後に、アクリル膜からなる接着剤７
１２を用いてプラスチックフィルム７１３を接着する。
除去され、窒化酸化シリコン膜からなる下地膜７０３が
露呈する。そして最後に、アクリル膜からなる接着剤７
１２を用いてプラスチックフィルム７１３を接着する。
【００６９】以上のように、本発明を液晶表示装置に用
いる場合は液晶の注入工程までを完了させて一旦液晶表
示装置を完成させ、その後に対向基板で素子を固定しつ
つ剥離層の除去工程を行うことができる。そのため、特
に煩雑な工程を増やすことなく、高性能なＴＦＴをプラ
スチック基板の上に形成できる。なお、本実施例の構成
に実施例２の構成を組み合わせて実施することは可能で
ある。
いる場合は液晶の注入工程までを完了させて一旦液晶表
示装置を完成させ、その後に対向基板で素子を固定しつ
つ剥離層の除去工程を行うことができる。そのため、特
に煩雑な工程を増やすことなく、高性能なＴＦＴをプラ
スチック基板の上に形成できる。なお、本実施例の構成
に実施例２の構成を組み合わせて実施することは可能で
ある。
【００７０】〔実施例４〕本実施例では本発明を単純マ
トリクス型ＥＬ発光装置に用いた場合の例について説明
する。説明には図８を用いる。
トリクス型ＥＬ発光装置に用いた場合の例について説明
する。説明には図８を用いる。
【００７１】図８（Ａ）において、８０１はガラス基
板、８０２は多孔質シリコン膜からなる剥離層、８０３
は酸化シリコン膜からなる下地膜、８０４は第１のスト
ライプ電極であり、本実施例では酸化物導電膜からなる
陽極である。この陽極８０４は紙面と平行な方向にスト
ライプ状に複数本形成されている。
板、８０２は多孔質シリコン膜からなる剥離層、８０３
は酸化シリコン膜からなる下地膜、８０４は第１のスト
ライプ電極であり、本実施例では酸化物導電膜からなる
陽極である。この陽極８０４は紙面と平行な方向にスト
ライプ状に複数本形成されている。
【００７２】陽極８０４上には素子分離用絶縁膜８０５
及び樹脂膜からなるバンク８０６がストライプ状に複数
本形成される。なお、このバンプ８０６は二層の樹脂膜
を積層して形成されており、上層側よりも下層側の方が
内側に狭い形状となっている。このような構造は二層の
樹脂膜のエッチングレートの差を利用して形成すること
ができる。
及び樹脂膜からなるバンク８０６がストライプ状に複数
本形成される。なお、このバンプ８０６は二層の樹脂膜
を積層して形成されており、上層側よりも下層側の方が
内側に狭い形状となっている。このような構造は二層の
樹脂膜のエッチングレートの差を利用して形成すること
ができる。
【００７３】これらは前述の陽極８０４と直交するよう
に形成される。こうして素子分離用絶縁膜８０５及び樹
脂膜からなるバンク８０６を形成したら、有機ＥＬ層８
０７、第２のストライプ電極（本実施例では金属膜から
なる陰極）８０８を蒸着法により形成する。陰極８０８
はバンク８０６によってストライプ状に分離されて形成
されるため、陽極８０４と直交するように形成される。
に形成される。こうして素子分離用絶縁膜８０５及び樹
脂膜からなるバンク８０６を形成したら、有機ＥＬ層８
０７、第２のストライプ電極（本実施例では金属膜から
なる陰極）８０８を蒸着法により形成する。陰極８０８
はバンク８０６によってストライプ状に分離されて形成
されるため、陽極８０４と直交するように形成される。
【００７４】この時、陽極８０４、有機ＥＬ層８０７及
び陰極８０８で形成されるコンデンサがＥＬ素子とな
る。勿論、陽極８０４、有機ＥＬ層８０７及び陰極８０
８の形成方法もしくは形成材料は公知のものを用いるこ
とができる。
び陰極８０８で形成されるコンデンサがＥＬ素子とな
る。勿論、陽極８０４、有機ＥＬ層８０７及び陰極８０
８の形成方法もしくは形成材料は公知のものを用いるこ
とができる。
【００７５】ＥＬ素子が形成されたら、封止材（本実施
例ではアクリル樹脂）８０９を用いてプラスチックフィ
ルム８１０を接着する。こうしてＥＬ素子が完全に大気
から遮断された状態とすることができる。
例ではアクリル樹脂）８０９を用いてプラスチックフィ
ルム８１０を接着する。こうしてＥＬ素子が完全に大気
から遮断された状態とすることができる。
【００７６】次に、ＥＬ素子の形成された基板を、三フ
ッ化塩素ガスを含む窒素雰囲気に晒し、剥離層８０２を
エッチングして除去する。そして、ＥＬ素子と素子形成
基板８０１とを分離させる。次に、接着剤８１１を用い
てプラスチックフィルム８１２を接着する。本実施例で
は接着剤８１１としてポリイミド膜を用いる。
ッ化塩素ガスを含む窒素雰囲気に晒し、剥離層８０２を
エッチングして除去する。そして、ＥＬ素子と素子形成
基板８０１とを分離させる。次に、接着剤８１１を用い
てプラスチックフィルム８１２を接着する。本実施例で
は接着剤８１１としてポリイミド膜を用いる。
【００７７】本実施例により作製されたＥＬ発光装置
は、フォトリソグラフィに必要なマスク枚数がトータル
で２枚と非常に少なく、高い歩留まりと低い製造コスト
を達成することができる。また、陽極および陰極に信号
を入力する駆動回路として外付けのＩＣチップや特開平
８−２６２４７４号公報に記載された駆動回路（スティ
ックドライバ）を用いても構わない。また、本実施例の
構成は実施例２と組み合わせて実施することも可能であ
る。
は、フォトリソグラフィに必要なマスク枚数がトータル
で２枚と非常に少なく、高い歩留まりと低い製造コスト
を達成することができる。また、陽極および陰極に信号
を入力する駆動回路として外付けのＩＣチップや特開平
８−２６２４７４号公報に記載された駆動回路（スティ
ックドライバ）を用いても構わない。また、本実施例の
構成は実施例２と組み合わせて実施することも可能であ
る。
【００７８】〔実施例５〕本実施例では最後に貼り合わ
せるプラスチック基板に予めカラーフィルタを設けてお
く例を示す。なお、本実施例ではパッシブマトリクス型
ＥＬ発光装置を例に挙げているが、アクティブマトリク
ス型ＥＬ発光装置に対して実施することも可能である。
せるプラスチック基板に予めカラーフィルタを設けてお
く例を示す。なお、本実施例ではパッシブマトリクス型
ＥＬ発光装置を例に挙げているが、アクティブマトリク
ス型ＥＬ発光装置に対して実施することも可能である。
【００７９】まず実施例４に従って図８（Ｂ）の状態を
得る。但し、本実施例では有機ＥＬ層８０７の代わりに
白色発光の有機ＥＬ層９００を形成する。具体的には、
発光層として、特開平８−９６９５９号公報または特開
平９−６３７７０号公報に記載された材料を用いれば良
い。また、ガラス基板の分離には図３で説明した構成の
分離装置を用いれば良い。（図９（Ａ））
得る。但し、本実施例では有機ＥＬ層８０７の代わりに
白色発光の有機ＥＬ層９００を形成する。具体的には、
発光層として、特開平８−９６９５９号公報または特開
平９−６３７７０号公報に記載された材料を用いれば良
い。また、ガラス基板の分離には図３で説明した構成の
分離装置を用いれば良い。（図９（Ａ））
【００８０】そして、予めカラーフィルタ（Ｒ）（赤色
光を抽出するカラーフィルタ）９０１、カラーフィルタ
（Ｇ）（緑色光を抽出するカラーフィルタ）９０２及び
カラーフィルタ（Ｂ）（青色光を抽出するカラーフィル
タ）９０３を設けたプラスチックフィルム９０４を、樹
脂からなる接着剤９０５を用いて貼り合わせる。
光を抽出するカラーフィルタ）９０１、カラーフィルタ
（Ｇ）（緑色光を抽出するカラーフィルタ）９０２及び
カラーフィルタ（Ｂ）（青色光を抽出するカラーフィル
タ）９０３を設けたプラスチックフィルム９０４を、樹
脂からなる接着剤９０５を用いて貼り合わせる。
【００８１】このとき、各カラーフィルタ９０１〜９０
３はスピンコート法もしくはインクジェット法とフォト
リソグラフィ技術との組み合わせまたは印刷法を用いて
形成することができるため、問題なくプラスチックフィ
ルム９０４上に形成することができる。（図９（Ｂ））
３はスピンコート法もしくはインクジェット法とフォト
リソグラフィ技術との組み合わせまたは印刷法を用いて
形成することができるため、問題なくプラスチックフィ
ルム９０４上に形成することができる。（図９（Ｂ））
【００８２】本実施例の場合、有機ＥＬ層９００から発
した白色光をカラーフィルタ９０１〜９０３に通すこと
で、赤色光、緑色光もしくは青色光を抽出する。この方
式では有機ＥＬ層を１回形成すれば良いので製造プロセ
スが簡単になるという利点が得られる。なお、本実施例
の構成は、実施例１〜実施例３の構成と組み合わせて実
施することも可能である。
した白色光をカラーフィルタ９０１〜９０３に通すこと
で、赤色光、緑色光もしくは青色光を抽出する。この方
式では有機ＥＬ層を１回形成すれば良いので製造プロセ
スが簡単になるという利点が得られる。なお、本実施例
の構成は、実施例１〜実施例３の構成と組み合わせて実
施することも可能である。
【００８３】〔実施例６〕本発明において、素子を固定
するための基板及び／又は貼り合わせのためのプラスチ
ック基板の片面もしくは両面に炭素膜、好ましくはＤＬ
Ｃ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を形成しておくこ
とは有効である。但し、膜厚が厚すぎると透過率が落ち
るので、膜厚は５０ｎｍ以下（好ましくは１０〜２０ｎ
ｍ）とすることが好ましい。
するための基板及び／又は貼り合わせのためのプラスチ
ック基板の片面もしくは両面に炭素膜、好ましくはＤＬ
Ｃ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を形成しておくこ
とは有効である。但し、膜厚が厚すぎると透過率が落ち
るので、膜厚は５０ｎｍ以下（好ましくは１０〜２０ｎ
ｍ）とすることが好ましい。
【００８４】ＤＬＣ膜の特徴としては、１５５０ｃｍ-1
くらいに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ-1くらい
に肩をもつラマンスペクトル分布を有する。また、微小
硬度計で測定した時に１５〜２５ＧＰａの硬度を示すと
いう特徴をもつ。このようなＤＬＣ膜はプラスチック支
持体に比べて硬度が大きく、表面保護のための保護膜と
して設けておくことが有効である。
くらいに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ-1くらい
に肩をもつラマンスペクトル分布を有する。また、微小
硬度計で測定した時に１５〜２５ＧＰａの硬度を示すと
いう特徴をもつ。このようなＤＬＣ膜はプラスチック支
持体に比べて硬度が大きく、表面保護のための保護膜と
して設けておくことが有効である。
【００８５】また、ＤＬＣ膜は水分や酸素に対するパッ
シベーション効果が高く、これらを透過しない性質を持
っている。そのため、水分や酸素に弱い有機ＥＬ層を用
いた発光素子を形成する場合には、特に有効である。
シベーション効果が高く、これらを透過しない性質を持
っている。そのため、水分や酸素に弱い有機ＥＬ層を用
いた発光素子を形成する場合には、特に有効である。
【００８６】ＤＬＣ膜は、プラスチック基板を貼り付け
る前に予め成膜しておくこともできるし、プラスチック
基板を貼り付けた後に成膜することも可能である。いず
れにしてもＤＬＣ膜の成膜はスパッタ法もしくはＥＣＲ
プラズマＣＶＤ法を用いれば良い。
る前に予め成膜しておくこともできるし、プラスチック
基板を貼り付けた後に成膜することも可能である。いず
れにしてもＤＬＣ膜の成膜はスパッタ法もしくはＥＣＲ
プラズマＣＶＤ法を用いれば良い。
【００８７】なお、本実施例の構成は実施例１〜５のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。
【００８８】〔実施例７〕実施例１、２、４〜６では発
光素子としてＥＬ素子を用いた表示装置を例にして説明
してきたが、本発明はＥＣ（エレクトロクロミクス）表
示装置、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）または半導体を用いた発光ダイオードを有する表示
装置に用いることも可能である。
光素子としてＥＬ素子を用いた表示装置を例にして説明
してきたが、本発明はＥＣ（エレクトロクロミクス）表
示装置、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）または半導体を用いた発光ダイオードを有する表示
装置に用いることも可能である。
【００８９】〔実施例８〕本実施例では、図１、図２に
示した構成とは異なる構成により素子が形成された基板
を分離する方法について説明する。説明には図１０
（Ａ）〜図１０（Ｃ）を用いることとする。
示した構成とは異なる構成により素子が形成された基板
を分離する方法について説明する。説明には図１０
（Ａ）〜図１０（Ｃ）を用いることとする。
【００９０】まず、図１０（Ａ）は角基板を２枚貼り合
わせた試料１１から素子を形成する際に母体基板として
用いたガラス基板を分離する例を示す。なお、試料１１
には１２で示される単位でＥＬ発光装置が形成されてい
る。このＥＬ発光装置の作製方法に関しては実施例１、
実施例４を参考にすれば良い。
わせた試料１１から素子を形成する際に母体基板として
用いたガラス基板を分離する例を示す。なお、試料１１
には１２で示される単位でＥＬ発光装置が形成されてい
る。このＥＬ発光装置の作製方法に関しては実施例１、
実施例４を参考にすれば良い。
【００９１】図１０（Ａ）の場合、ノズル１３が試料１
１の一辺に沿って平行に移動し、その動きに従って流体
１４も平行に移動する。即ち、試料１１の一辺に沿って
流体１４が移動することにより剥離層を崩壊させること
ができる。
１の一辺に沿って平行に移動し、その動きに従って流体
１４も平行に移動する。即ち、試料１１の一辺に沿って
流体１４が移動することにより剥離層を崩壊させること
ができる。
【００９２】次に、図１０（Ｂ）の場合、ノズル１３が
試料１１の一辺に沿って平行に移動し、かつ、ノズル１
５がノズル１３に対向する一辺に沿って平行に移動する
ように設けられている。そして、各々のノズルの動きに
従って流体１４、１６も平行に移動する。即ち、試料１
１を挟むように、二辺に沿って流体１４、１６が移動す
ることにより剥離層を崩壊させることができる。このこ
とはスループットの向上に寄与する。
試料１１の一辺に沿って平行に移動し、かつ、ノズル１
５がノズル１３に対向する一辺に沿って平行に移動する
ように設けられている。そして、各々のノズルの動きに
従って流体１４、１６も平行に移動する。即ち、試料１
１を挟むように、二辺に沿って流体１４、１６が移動す
ることにより剥離層を崩壊させることができる。このこ
とはスループットの向上に寄与する。
【００９３】なお、図１０（Ｂ）の場合において、ノズ
ルは二辺だけでなく、三辺もしくは四辺に設けられても
良いし、二辺に設ける場合においても、隣接する辺に設
ける構成としても良い。
ルは二辺だけでなく、三辺もしくは四辺に設けられても
良いし、二辺に設ける場合においても、隣接する辺に設
ける構成としても良い。
【００９４】次に、図１０（Ｃ）の場合、ノズル１７が
試料１１の一辺とほぼ同じ長さの噴射口を有している。
即ち、ノズルを移動させることなく試料１１の一辺全体
に流体１８を噴射させることができるため、ノズルの移
動機構を設ける必要がなくなる。このことは分離装置の
小型化に寄与する。
試料１１の一辺とほぼ同じ長さの噴射口を有している。
即ち、ノズルを移動させることなく試料１１の一辺全体
に流体１８を噴射させることができるため、ノズルの移
動機構を設ける必要がなくなる。このことは分離装置の
小型化に寄与する。
【００９５】なお、図１０（Ａ）〜（Ｃ）の図面では、
各辺に対応して一つのノズルが設けられた構成を示して
いるが、一辺につき二つ以上の噴射口を有するノズルを
用いることも可能である。
各辺に対応して一つのノズルが設けられた構成を示して
いるが、一辺につき二つ以上の噴射口を有するノズルを
用いることも可能である。
【００９６】〔実施例９〕本発明を実施して形成された
表示装置は様々な電気器具の表示部として用いることが
できる。そのような本発明の電気器具としては、ビデオ
カメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘ
ッドマウントディスプレイ）、カーナビゲーション、カ
ーオーディオ、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録媒体を備え
た画像再生装置（具体的には記録媒体を再生し、その画
像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げ
られる。それら電気器具の具体例を図１１に示す。
表示装置は様々な電気器具の表示部として用いることが
できる。そのような本発明の電気器具としては、ビデオ
カメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘ
ッドマウントディスプレイ）、カーナビゲーション、カ
ーオーディオ、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録媒体を備え
た画像再生装置（具体的には記録媒体を再生し、その画
像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げ
られる。それら電気器具の具体例を図１１に示す。
【００９７】図１１（Ａ）はデジタルカメラであり、本
体２００１、表示部２００２、接眼部部２００３、操作
スイッチ２００４を含む。本発明の表示装置は表示部２
００２に用いることができる。
体２００１、表示部２００２、接眼部部２００３、操作
スイッチ２００４を含む。本発明の表示装置は表示部２
００２に用いることができる。
【００９８】図１１（Ｂ）は頭部取り付け型のＥＬディ
スプレイの一部（右片側）であり、本体２１０１、信号
ケーブル２１０２、頭部固定バンド２１０３、表示部２
１０４、光学系２１０５、表示装置２１０６を含む。本
発明は表示装置２１０６に用いることができる。
スプレイの一部（右片側）であり、本体２１０１、信号
ケーブル２１０２、頭部固定バンド２１０３、表示部２
１０４、光学系２１０５、表示装置２１０６を含む。本
発明は表示装置２１０６に用いることができる。
【００９９】図１１（Ｃ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、受像部
２３０３、操作スイッチ２３０４、メモリスロット２３
０５を含む。本発明の表示装置は表示部２３０２に用い
ることができる。この携帯型コンピュータはフラッシュ
メモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を
記録したり、それを再生したりすることができる。
ュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、受像部
２３０３、操作スイッチ２３０４、メモリスロット２３
０５を含む。本発明の表示装置は表示部２３０２に用い
ることができる。この携帯型コンピュータはフラッシュ
メモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を
記録したり、それを再生したりすることができる。
【０１００】図１１（Ｄ）は電子書籍（携帯書籍）であ
り、本体２４０１、表示部２４０２、操作スイッチ２４
０３を含む。本発明の表示装置は表示部２４０２に用い
ることができる。また、この電子書籍に記録媒体を挿入
するためのスロットを設けることも可能である。
り、本体２４０１、表示部２４０２、操作スイッチ２４
０３を含む。本発明の表示装置は表示部２４０２に用い
ることができる。また、この電子書籍に記録媒体を挿入
するためのスロットを設けることも可能である。
【０１０１】ところで、表示部に対してＥＬ発光装置を
用いる場合、ＥＬ発光装置は発光している部分が電力を
消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を
表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に
携帯電話や電子書籍のような文字情報を主とする表示部
にＥＬ発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景と
して文字情報を発光部分で形成するように駆動すること
が望ましい。
用いる場合、ＥＬ発光装置は発光している部分が電力を
消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を
表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に
携帯電話や電子書籍のような文字情報を主とする表示部
にＥＬ発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景と
して文字情報を発光部分で形成するように駆動すること
が望ましい。
【０１０２】ここで図１１（Ｅ）は携帯電話であり、本
体２５０１、音声出力部２５０２、音声入力部２５０
３、表示部２５０４、操作スイッチ２５０５、アンテナ
２５０６を含む。本発明の表示装置は表示部２５０４に
用いることができる。なお、表示部２５０４にＥＬ発光
装置を用いる場合は黒色の背景に白色の文字を表示する
ことで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
体２５０１、音声出力部２５０２、音声入力部２５０
３、表示部２５０４、操作スイッチ２５０５、アンテナ
２５０６を含む。本発明の表示装置は表示部２５０４に
用いることができる。なお、表示部２５０４にＥＬ発光
装置を用いる場合は黒色の背景に白色の文字を表示する
ことで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０１０３】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜７の構成を
自由に組み合わせた表示装置を用いることで得ることが
できる。
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜７の構成を
自由に組み合わせた表示装置を用いることで得ることが
できる。
【０１０４】
【発明の効果】本発明では、半導体素子もしくはＭＩＭ
素子といった能動素子の作製過程において、母体基板と
してプラスチックよりも耐熱性の高い基板を用いるた
め、電気特性の良好な能動素子を作製することができ
る。さらに、能動素子並びに発光素子もしくは液晶素子
を形成した後で前記母体基板を剥離し、プラスチック基
板を支持基板として貼り合わせる。
素子といった能動素子の作製過程において、母体基板と
してプラスチックよりも耐熱性の高い基板を用いるた
め、電気特性の良好な能動素子を作製することができ
る。さらに、能動素子並びに発光素子もしくは液晶素子
を形成した後で前記母体基板を剥離し、プラスチック基
板を支持基板として貼り合わせる。
【０１０５】そのため、プラスチック基板を支持基板と
し、且つ、高性能な表示装置を作製することが可能とな
る。また、支持基板がプラスチックであるため、フレキ
シブルな表示装置にすることもでき、且つ、薄型で軽量
な表示装置とすることが可能である。
し、且つ、高性能な表示装置を作製することが可能とな
る。また、支持基板がプラスチックであるため、フレキ
シブルな表示装置にすることもでき、且つ、薄型で軽量
な表示装置とすることが可能である。
【図１】 基板を分離する過程を断面から見た図。
【図２】 基板を分離する過程を上面から見た図。
【図３】 本発明に用いる分離装置の概略図。
【図４】 ＥＬ発光装置の作製工程を示す図。
【図５】 ＥＬ発光装置の作製工程を示す図。
【図６】 ＥＬ発光装置の上面構造および回路構成を
示す図。
示す図。
【図７】 液晶表示装置の作製工程を示す図。
【図８】 ＥＬ発光装置の作製工程を示す図。
【図９】 ＥＬ発光装置の作製工程を示す図。
【図１０】 基板を分離する過程を上面から見た図。
【図１１】 電気器具の一例を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ３６５ ３６５Ｚ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０５Ｂ 33/10 21/336 33/14 Ａ Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２６Ｃ 33/14 ６２７Ｄ
Claims (9)
- 【請求項１】第１の基板上に剥離層を形成し、該剥離層
の上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上方に受動素子を形
成し、該受動素子の上方に第２の基板を貼り合わせ、該
第２の基板を貼り合わせた後に前記剥離層に対して流体
を噴射することにより前記第１の基板と前記絶縁膜とを
分離し、前記絶縁膜にプラスチックからなる第３の基板
を貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項２】第１の基板上に剥離層を形成し、該剥離層
の上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上方に能動素子を形
成し、該能動素子に電気的に接続する受動素子を形成
し、該受動素子の上方に第２の基板を貼り合わせ、該第
２の基板を貼り合わせた後に前記剥離層に対して流体を
噴射することにより前記第１の基板と前記絶縁膜とを分
離し、前記絶縁膜にプラスチックからなる第３の基板を
貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、前記剥
離層は非晶質シリコン膜を陽極化成することにより形成
されることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか一におい
て、前記剥離層は多孔質シリコン膜であることを特徴と
する表示装置の作製方法。 - 【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一におい
て、前記受動素子は発光素子もしくは液晶素子であるこ
と特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一におい
て、前記流体は圧力が加えられた液体もしくは気体であ
ること特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
て、前記第２の基板はプラスチックであることを特徴と
する表示装置の作製方法。 - 【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれか一におい
て、前記第３の基板に予めカラーフィルターを形成する
工程を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか一におい
て、前記第２の基板もしくは前記第３の基板に炭素膜を
形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001072959A JP4884592B2 (ja) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071673 | 2000-03-15 | ||
| JP2000071673 | 2000-03-15 | ||
| JP2000-71673 | 2000-03-15 | ||
| JP2001072959A JP4884592B2 (ja) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001331120A true JP2001331120A (ja) | 2001-11-30 |
| JP2001331120A5 JP2001331120A5 (ja) | 2009-08-20 |
| JP4884592B2 JP4884592B2 (ja) | 2012-02-29 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001072959A Expired - Fee Related JP4884592B2 (ja) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP4884592B2 (ja) |
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