JP2003109756A

JP2003109756A - 発光装置の作製方法

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Publication number: JP2003109756A
Application number: JP2002232928A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-07-03
Filing date: 2002-08-09
Publication date: 2003-04-11
Anticipated expiration: 2022-07-01
Also published as: JP4190825B2

Abstract

(57)【要約】【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが
可能な、プラスチック基板上に形成された発光素子を有
する発光装置の作製方法の提供を課題とする。【解決手段】本発明は発光素子を密封する際、少なく
とも酸素や水分の透過を防ぐことができる無機絶縁膜
と、無機絶縁膜よりも内部応力の小さい有機絶縁膜とが
内側に積層された、プラスチックのフィルムを用いて真
空封止する。無機絶縁膜に比べて内部応力が小さい有機
絶縁膜を、無機絶縁膜の間に挟むことで、内部応力を緩
和することができる。複数の無機絶縁膜を積層すること
で、無機絶縁膜にクラックが生じても、他の無機絶縁膜
で水分や酸素が有機発光層に入り込むのを効果的に防ぐ
ことができる。また、封止膜全体の応力を緩和すること
ができ、応力によるクラックが入りにくい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】半導体装置の作製方法に関
し、特に、プラスチック基板上に形成された発光素子、
例えば有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitti
ng Device）を有する発光装置に関する。また、該ＯＬ
ＥＤパネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した、Ｏ
ＬＥＤモジュールに関する。なお本明細書において、Ｏ
ＬＥＤパネル及びＯＬＥＤモジュールを共に発光装置と
総称する。本発明はさらに、該発光装置を用いた電子機
器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、基板上にＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリ
クス型表示装置への応用開発が進められている。特に、
ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファス
シリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビ
リティともいう）が高いので、高速動作が可能である。
そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の
制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行う
ことが可能となっている。

【０００３】このようなアクティブマトリクス型表示装
置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで
製造コストの低減、表示装置の小型化、歩留まりの上
昇、スループットの低減など、様々な利点が得られる。

【０００４】そしてさらに、自発光型素子としてＯＬＥ
Ｄを有したアクティブマトリクス型発光装置（以下、単
に発光装置と呼ぶ）の研究が活発化している。発光装置
は有機発光装置（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は
有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Orga
nic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。

【０００５】ＯＬＥＤは自ら発光するため視認性が高
く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要
らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無
い。そのため、近年ＯＬＥＤを用いた発光装置は、ＣＲ
ＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。

【０００６】ＯＬＥＤは、電場を加えることで発生する
ルミネッセンス（Electroluminescence）が得られる有
機化合物（有機発光材料）を含む層（以下、有機発光層
と記す）と、陽極層と、陰極層とを有している。有機化
合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明
の発光装置は、上述した発光のうちの、いずれか一方の
発光を用いていても良いし、または両方の発光を用いて
いても良い。

【０００７】なお、本明細書では、ＯＬＥＤの陽極と陰
極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。
有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注
入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に
ＯＬＥＤは、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造
を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／
発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送
層／陰極等の順に積層した構造を有していることもあ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このような発光装置を
利用したアプリケーションは、様々なものが期待されて
いるが、特に発光装置の厚みが薄いこと、従って軽量化
が可能であることにより携帯機器への利用が注目されて
いる。そのため、フレキシブルなプラスチックフィルム
の上にＯＬＥＤを形成することが試みられている。

【０００９】プラスチックフィルム等の可撓性を有する
基板の上にＯＬＥＤが形成された発光装置は、厚みが薄
く軽量であるということに加えて、曲面を有するディス
プレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることがで
きる。よって、その用途は携帯機器のみに限られず、応
用範囲は非常に広い。

【００１０】しかし、プラスチックからなる基板は、一
般的に水分や酸素を透過しやすく、有機発光層はこれら
のものによって劣化が促進されるので、発光装置の寿命
が短くなりやすい。そこで従来では、プラスチック基板
とＯＬＥＤの間に窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜
を設け、水分や酸素の有機発光層への混入を防いでい
た。

【００１１】しかし、プラスチックフィルム等の基板は
一般的に熱に弱く、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁
膜の成膜温度を高くしすぎると、基板が変形しやすくな
る。しかし成膜温度が低すぎると膜質の低下につなが
り、水分や酸素の透過を十分防ぐことが難しくなる。

【００１２】さらに、水分や酸素の透過を防ぐために、
窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の膜厚を厚くする
と、内部応力が大きくなり、クラック（亀裂）が入りや
すくなる。また、膜厚を厚くすると、基板を曲げたとき
に膜にクラックが入りやすくなする。

【００１３】本発明は上記問題に鑑み、水分や酸素の透
過による劣化を抑えることが可能な、プラスチック基板
上に形成されたＯＬＥＤを有する発光装置の提供を課題
とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁表面を有
する基板上に設けられたＯＬＥＤを密封する技術に関す
るものである。本発明はＯＬＥＤを密封する際、少なく
とも酸素や水分の透過を防ぐことができる無機材料から
なる絶縁膜（以下、無機絶縁膜と呼ぶ）と、無機絶縁膜
よりも内部応力の小さい有機材料からなる絶縁膜（以
下、有機絶縁膜と呼ぶ）とが内側に積層された、プラス
チックのフィルムを用いて真空封止する。

【００１５】具体的には、無機絶縁膜を２層以上設け
て、さらに該２層の無機絶縁膜の間に樹脂を有する有機
絶縁膜を設ける。そして、該３層以上の絶縁膜が内側に
積層された袋状のプラスチックフィルムの内部に、ＯＬ
ＥＤが設けられた基板を入れて密封することにより、発
光装置を形成する。

【００１６】なお、無機絶縁膜が成膜されたプラスチッ
クフィルムの柔軟性を高めるため、無機絶縁膜を成膜す
る際に反応ガスに希ガス元素を加え、膜の内部応力を緩
和させても良い。

【００１７】本発明では、複数の無機絶縁膜を積層する
ことで、無機絶縁膜にクラックが生じても、他の無機絶
縁膜で水分や酸素が有機発光層に入り込むのを効果的に
防ぐことができる。さらに、無機絶縁膜の成膜温度が低
いために無機絶縁膜の膜質が低下するようなことがあっ
ても、複数の無機絶縁膜を積層することで、水分や酸素
の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。

【００１８】また、無機絶縁膜に比べて内部応力が小さ
い有機絶縁膜を、有機絶縁膜の間に挟むことで、内部応
力を緩和することができる。よって、トータルの無機絶
縁膜の厚さは同じであっても、１層のみの無機絶縁膜に
比べて、有機絶縁膜を間に挟んだ無機絶縁膜は、内部応
力によるクラックが入りにくい。

【００１９】また、無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層によ
り、よりフレキシブルになり、曲げたときのクラックを
防ぐことができる。

【００２０】また、前記無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層
した膜（以下、封止膜と呼ぶ）は、真空圧着によりＯＬ
ＥＤが形成された基板と密接して設けられる。従って、
前記封止膜はある程度の柔軟性を有し、且つ可視光に対
して透明もしくは半透明な膜である。

【００２１】また、本明細書において、可視光に対して
透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを
指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０
〜８０％であることを指す。

【００２２】また、上記構成において、上記ＯＬＥＤの
劣化を抑えるために、ＯＬＥＤが形成された基板と、真
空で封止されたプラスチックフィルムの間に乾燥剤を設
けることが好ましい。乾燥剤は酸化バリウム、シリカゲ
ルなどが好適である。乾燥剤は、フレキシブルプリント
基板を貼りつける前後に設置すればよい。また、フレキ
シブルプリント基板のフレキシブルフィルムに乾燥剤を
設置した後、フレキシブルプリント基板を貼りつけても
よい。また、設置する箇所は、プラスチックフィルムで
真空圧着する箇所の近傍に設置することが好ましい。

【００２３】なお、本明細書では、プラスチックフィル
ムで封止されて、はじめてＯＬＥＤパネルとして完成す
るが、プラスチックフィルムで封止する前の状態のパネ
ルをＯＬＥＤパネルと呼んでも良い。

【００２４】

【発明の実施の形態】まず、プラスチック基板を用いて
形成されたＯＬＥＤパネル１０１に、電源の電圧や各種
信号を供給するためのＦＰＣ１０３を実装する。また、
ＯＬＥＤが酸素や水分等によって劣化するのを防止する
ため、乾燥剤１０４を設ける。乾燥剤１０４は、吸湿性
物質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着し
うる物質を用いる。ここでは、後の真空圧着の工程で封
止膜及びプラスチックフィルムが破壊されないように、
乾燥剤１０４をＦＰＣ１０３と基板１０１の端面とに接
する箇所に設け、封止膜及びプラスチックフィルムが局
所的に延伸されないようにする。

【００２５】次いで、内部にガスバリアー性を有する封
止膜１０９が形成された、袋状のプラスチックフィルム
１０５の中にＯＬＥＤパネル１０１を乾燥剤１０４と共
に入れる。このときＦＰＣ１０３とＯＬＥＤパネル１０
１が接続している部分をプラスチックフィルム１０５の
中に配置する（図１（Ａ））。

【００２６】封止膜１０９は、２層以上の無機絶縁膜
と、該無機絶縁膜の間に設けられた有機絶縁膜とからな
る。無機絶縁膜は、酸素や水分の透過を防ぐことができ
る無機材料を有する絶縁膜であり、有機絶縁膜は無機絶
縁膜よりも内部応力の小さい有機材料を有する絶縁膜を
用いる。

【００２７】例えば本実施の形態では、プラスチックフ
ィルム１０５に接する無機絶縁膜１０６と、無機絶縁膜
１０６に接する有機絶縁膜１０７と、有機絶縁膜１０７
に接する無機絶縁膜１０８とを、封止膜１０９として用
いる。

【００２８】なお、無機絶縁膜は２層以上設けていれば
良い。そして無機絶縁膜は、例えば窒化珪素、窒化酸化
珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化
アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳ
ｉＯＮ）を用いることができる。窒化酸化珪化アルミニ
ウムは熱伝導度が比較的高いので、無機絶縁膜に用いる
ことで、素子で発生した熱を効率良く放熱することがで
きる。

【００２９】無機絶縁膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範
囲であることが望ましい。なお、無機絶縁膜の成膜方法
はプラズマＣＶＤ法のみに限定されず、実施者が適宜設
定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、スパッタ
法等を用いて成膜しても良い。

【００３０】また、有機絶縁膜には、透光性を有し、無
機絶縁膜よりも内部応力が小さく、なおかつ後の工程の
熱処理に耐えうる有機絶縁膜を形成することができる材
料を用いることができる。例えば代表的には、ポリイミ
ド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾ
シクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可
能である。なお、上述した以外の樹脂を用いることもで
きる。

【００３１】有機絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍ
の範囲であることが望ましい。

【００３２】そして、袋状のプラスチックフィルム１０
５の中を真空に引き、袋の入り口を接着剤１０２で封止
することで、プラスチックフィルム１０５の内部におい
て、ＯＬＥＤパネル１０１が封止膜１０９に囲まれた状
態で密封される。なお、ＦＰＣ１０３の一部は、電源の
電圧や各種信号を供給するためにプラスチックフィルム
１０５の外部に出しておく。

【００３３】図１（Ｂ）に真空圧着後の発光装置の断面
図を、図１（Ｃ）に上面図を示す。図１（Ｂ）は、図１
（Ｃ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。なお、プ
ラスチックフィルム１０５及び封止膜１０９は、可視光
に対して透明もしくは半透明であることが肝要である。
さらに、プラスチックフィルム１０５は、真空圧着が可
能な材料であれば良い。

【００３４】なお、本実施の形態では接着剤を用いてプ
ラスチックフィルムを封止しているが、プラスチックフ
ィルムの内部を一部封止膜で覆わない領域を設け、該領
域においてプラスチックフィルムを熱圧着するようにし
ても良い。また、熱圧着後に圧着部分を接着剤でさらに
封止を強化してもよい。なお、熱圧着の際、ＦＰＣのフ
レキシブルテープとも接着されるようなフィルム材料で
あることが好ましい。

【００３５】プラスチックフィルムの材料としては、熱
可塑性の樹脂材料（ポリエステル、ポリプロピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ弗化ビニル、ポリスチレン、ポリア
クリロニトリル、ポリエチレンテレフタレート、ナイロ
ン等）、代表的には、ＰＶＦ（ポリ弗化ビニル）フィル
ム、マイラーフィルム、またはアクリル樹脂フィルムを
用いればよい。

【００３６】ここではプラスチックフィルムとして袋
状、空箱状のものを用いたが、２枚のシート状のものを
重ねて四辺を全て接着剤で封止するか、熱圧着で封止す
るようにしてもよい。

【００３７】また、基板上にＯＬＥＤを形成した後は、
可能な限りＯＬＥＤが外気に曝されないように上記工程
を行うことが望ましい。

【００３８】こうして、本発明により、水分、酸素等に
よる劣化が低減され、信頼性の高いＯＬＥＤを用いた発
光装置を提供することができる。

【００３９】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。

【００４０】（実施例１）本実施例では、袋状のプラス
チックフィルムの内部に封止膜を成膜する方法について
説明する。

【００４１】図２に、プラズマＣＶＤを用いた封止膜の
成膜装置の構成を示す。チャンバー２０１内にＲＦ電源
２０２に接続された電極２０３と、接地されている電極
２０４とが設けられている。

【００４２】そして、電極２０３は袋状のプラスチック
フィルム２０５の外側を覆うように配置されており、電
極２０４は袋状のプラスチックフィルム２０５の内部に
配置されている。なお、電極２０３とプラスチックフィ
ルム２０５の距離と、電極２０４とプラスチックフィル
ム２０５の距離は、プラスチックフィルム２０５の外側
よりも内側に積極的に封止膜が成膜されるように設定す
ることが肝要である。具体的には、電極２０３とプラス
チックフィルム２０５の距離が、電極２０４とプラスチ
ックフィルム２０５の距離よりも長くなるように配置す
る。さらには、電極２０３とプラスチックフィルム２０
５の距離が３ｍｍ以上、さらには１０ｍｍ以上離れてい
ることが望ましい。

【００４３】プラスチックフィルム２０５は、その位置
がホルダー２０６で固定されている。ホルダー２０６
は、袋状のプラスチックフィルム２０５の入り口を封じ
てしまわないような構成を有している。

【００４４】なお、封止膜を成膜する際に、プラスチッ
クフィルム２０５の内側の一部にホルダー２０６を密着
させることで、プラスチックフィルム２０５の内側に、
封止膜が成膜されずにプラスチックフィルムが露出して
いる領域を作ることが可能である。そして、ＯＬＥＤパ
ネルを熱圧着により封止するとき、プラスチックフィル
ムが露出している領域において熱圧するようにしても良
い。

【００４５】本実施例では、プラスチックフィルム２０
５の内側に、２層以上の無機絶縁膜と、該無機絶縁膜の
間に設けられた有機絶縁膜とからなる封止膜２０８を成
膜する例について説明する。

【００４６】無機絶縁膜は、酸素や水分の透過を防ぐこ
とができる無機材料を有する絶縁膜であり、有機絶縁膜
は無機絶縁膜よりも内部応力の小さい有機材料を有する
絶縁膜を用いる。本実施例では具体的に、ＰＥＴからな
るプラスチックフィルム２０５に接するように、窒化酸
化珪素からなる無機絶縁膜２０９を成膜し、前記無機絶
縁膜２０９に接するようにポリエチレンからなる有機絶
縁膜２１０を成膜し、有機絶縁膜２１０に接するように
窒化酸化珪素からなる無機絶縁膜２１１を成膜する。

【００４７】なお、プラスチックフィルムと、無機絶縁
膜の材料はこれに限定されない。プラスチックフィルム
と、無機絶縁膜の材料は、実施の形態に示した材料を自
由に選択して用いることが可能である。ただし、本実施
例ではプラズマＣＶＤ法を用いて封止膜を成膜するの
で、無機絶縁膜の材料は、プラズマＣＶＤによって成膜
が可能な材料であることが必要である。

【００４８】また、有機絶縁膜の材料はポリエチレンに
限定されず、透光性を有し、無機絶縁膜よりも内部応力
が小さく、なおかつ後の工程の熱処理に耐えうる有機絶
縁膜を形成することができる材料であれば良い。ただ
し、本実施例ではプラズマＣＶＤ法を用いて封止膜を成
膜するので、有機絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法によって
成膜が可能な材料であることが肝要である。例えば、ポ
リエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレ
ン、ベンゾシクロブテン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ塩化ビニル、ポリパラキシリレン系樹脂等を
用いることが可能である。

【００４９】まず、チャンバー２０１内を真空排気した
後、反応ガスとしてＳｉＨ₄、ＮＨ₃、及びＮ₂Ｏをチャ
ンバー２０１内に導入し、プラズマＣＶＤ法を用いて窒
化酸化珪素からなる無機絶縁膜２０９を成膜する。

【００５０】次に、再びチャンバー２０１内を真空排気
した後、反応ガスとしてエチレンをチャンバー２０１内
に導入し、プラズマＣＶＤ法を用いてポリエチレンから
なる有機絶縁膜２１０を成膜する。

【００５１】次に、再びチャンバー２０１内を真空排気
した後、反応ガスとしてＳｉＨ₄、ＮＨ₃、及びＮ₂Ｏを
チャンバー２０１内に導入し、プラズマＣＶＤ法を用い
て窒化酸化珪素からなる無機絶縁膜２１１を成膜する。

【００５２】なお、予め内壁に保護絶縁膜２０７を設け
ておくことで、チャンバー２０１の内壁に封止膜の原料
が成膜されるのを防ぎ、プラスチックフィルム２０５に
積極的に封止膜２０８が成膜されるようにすることがで
きる。

【００５３】なお本実施例では、封止膜２０８をプラズ
マＣＶＤ法を用いて成膜しているが、封止膜の成膜方法
はこれに限定されない。例えば、熱ＣＶＤ法、蒸着法、
スパッタ法、減圧熱ＣＶＤ法等を用いて成膜しても良
い。

【００５４】（実施例２）本実施例では、プラスティッ
クフィルムを用いたＯＬＥＤパネルの封止方法について
説明する。

【００５５】図３に、袋状のプラスティックフィルムの
内部にＯＬＥＤパネルを封止する装置（封止装置）の構
成を示す。封止装置は仕切り膜３０１で仕切られた２つ
のチャンバーＡ３０２、チャンバーＢ３０３を有してい
る。仕切り膜３０１は弾性を有しており、外力によって
ひずみ(変形)を受けても、そのひずみをもとにもどそう
とする力を生ずる性質を有している。

【００５６】チャンバーＡ３０２とチャンバーＢ３０３
はそれぞれ個別に排気系を有している。そして、チャン
バーＢ３０３は、ヒーター３０４と、冷却器３０５を有
している。

【００５７】まず、図３（Ａ）に示すように、袋状のプ
ラスチックフィルム３０６の内部にＯＬＥＤパネル３０
７を入れ、チャンバーＢ３０３内に配置する。このとき
ＯＬＥＤパネル３０７にＦＰＣ３１０が実装されてお
り、袋状のプラスチックフィルム３０６の入り口付近に
接着剤３０８が配置されている。

【００５８】次に、チャンバーＡ３０２とチャンバーＢ
３０３の内部を真空排気した後、チャンバーＢ３０３内
に不活性ガス（本実施例ではＡｒ）を流し、再び真空排
気することでチャンバーＢ３０３内の酸素や水分を除去
する。

【００５９】次に、ヒーター３０４を用いて接着剤３０
８を溶解する。なお本実施例では、接着剤３０８には加
熱溶融により接着するホットメルト接着剤を用いる。代
表的には、エチレン‐酢酸ビニル共重合体，ポリアミ
ド，ポリエステルなどを主剤とする接着剤を用いること
が可能である。

【００６０】次に、接着剤３０８を加熱溶融させた状態
のまま、図３（Ｂ）に示すように、チャンバーＢ３０３
がチャンバーＡ３０２に押しつすように、大気開放など
してチャンバーＡ３０２内の圧力を高める。その結果、
弾性を有する仕切り膜３０１によってプラスチックフィ
ルム３０６が圧迫される。そして、溶融した接着剤３０
８も圧迫されるので、結果的にプラスチックフィルム３
０６内部にＯＬＥＤパネル３０７が真空密封される。

【００６１】そしてこの状態のまま、冷却器３０５を用
いて接着剤３０８を冷却し、プラスチックフィルム３０
６内部にＯＬＥＤパネル３０７が真空密封された状態
で、接着剤３０８を固化させる。

【００６２】次に、図３（Ｃ）に示すようにチャンバー
Ｂ３０３内の圧力を高め、仕切り膜３０１を封止された
ＯＬＥＤパネル３０７から離す。

【００６３】上述した方法により、ＯＬＥＤパネル３０
７を袋状のプラスチックフィルム内に真空封止すること
ができる。

【００６４】なお、ＯＬＥＤパネルの封止の仕方は本実
施例に示した方法に限定されない。

【００６５】本実施例は、実施例１と自由に組み合わせ
て実施することが可能である。

【００６６】（実施例３）本実施例では、プラスチック
基板上にＯＬＥＤを有する、本発明のＯＬＥＤパネルの
作製方法について説明する。なお、図４、図５に示した
のは、画素部及び駆動回路における作製工程を示す断面
図である。

【００６７】図４（Ａ）において、第１基板１１０１上
に、非晶質珪素膜からなる第１接着層１１０２が１００
〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の厚さに形成
される。本実施例では第１基板１１０１としてガラス基
板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もし
くはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板１
１０１は、後の作製工程における処理温度に耐えうる材
料であれば良い。

【００６８】また、第１接着層１１０２の成膜は減圧熱
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着
法を用いれば良い。第１接着層１１０２の上には酸化珪
素膜からなる絶縁膜１１０３が２００ｎｍの厚さに形成
される。絶縁膜１１０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラ
ズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良
い。絶縁膜１１０３は、第１接着層１１０２を除去して
第１基板１１０１を剥離させるときに、第１基板１１０
１上に形成されている素子を保護する効果がある。

【００６９】次に、絶縁膜１１０３の上に素子を形成す
る（図４（Ｂ））。ここで素子とは、アクティブマトリ
クス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として
用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ
素子並びにＯＬＥＤ等を指す。また、パッシブ型の発光
装置ならばＯＬＥＤを指す。図４（Ｂ）では、代表的な
素子として、駆動回路１１０６のＴＦＴ１１０４ａと、
画素部のＴＦＴ１１０４ｂ、１１０４ｃ及びＯＬＥＤ１
１０５とを示した。

【００７０】そして、これらの素子を覆って、絶縁膜１
１０８を形成する。絶縁膜１１０８は、成膜後の表面が
より平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜１１０８
は必ずしも設ける必要はない。

【００７１】次に、図４（Ｃ）に示すように、第２接着
層１１０９により第２基板１１１０を貼り合わせる。本
実施例では第２基板１１１０としてプラスチック基板を
用いる。具体的には、第２基板として、厚さ１０μｍ以
上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホ
ン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレ
ンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフ
タレート）を用いることができる。

【００７２】また、第２接着層１１０９としては、後に
第１接着層１１０２を除去する際に選択比のとれる材料
を用いる必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を
用いることができ、本実施例ではポリイミドを用いる
が、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用い
ても良い。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側（発光装置
の使用者側）に位置する場合は、光を透過する材料であ
ることが必要である。

【００７３】次に、図５（Ａ）に示すように、第１基板
１１０１、第２基板１１１０及び第１基板１１０１と第
２基板１１１０の間に形成された全ての素子や膜全体
を、フッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、第１接着層１
１０２の除去を行う。本実施例ではフッ化ハロゲンとし
て三フッ化塩素（ＣｌＦ₃）を用い、希釈ガスとして窒
素を用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムも
しくはネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃ
ｍ（８．３５×１０^-6ｍ³／ｓ）とし、反応圧力は１〜
１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０²〜１．３×１０³Ｐａ）と
すれば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜
２７℃）で良い。

【００７４】この場合、珪素膜はエッチングされるが、
プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸
化珪素膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガ
スに晒すことで第１接着層１１０２が選択的にエッチン
グされ、最終的には完全に除去される。なお、同じく珪
素膜で形成されているＴＦＴの活性層は表面に露出して
いないため、三フッ化塩素ガスに晒されることがなく、
エッチングされることはない。

【００７５】本実施例の場合、第１接着層１１０２は露
呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除
去された時点で第１基板１１０１と絶縁膜１１０３が分
離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層
して形成されているが、第２基板１１１０に移された形
で残る。

【００７６】なお、ここでは第１接着層１１０２が端部
からエッチングされていくことになるが、第１基板１１
０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長く
なり好ましいものではない。従って、本実施例は第１基
板１１０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１イン
チ以下）の場合に実施することが望ましい。

【００７７】こうして第１基板１１０１を剥離したら、
図５（Ｂ）に示すように、第３接着層１１１３を形成
し、第３基板１１１２を貼り合わせる。本実施例では第
３基板１１１２としてプラスチック基板を用いる。具体
的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基
板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポ
リカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用
いることができる。

【００７８】第３接着層１１１３として、樹脂からなる
絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミド
もしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、
ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過
する材料であることが必要である。

【００７９】こうして、二枚の可撓性を有する基板１１
１０、１１１２によって挟まれたフレキシブルなＯＬＥ
Ｄパネル（発光装置）を得ることができる。なお、第２
基板１１１０と第３基板１１１２とを同一材料にする
と、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による内部
応力歪みの影響を受けにくくすることができる。

【００８０】次に、図５（Ｃ）に示すように、封止膜１
１１９が成膜されたプラスチックフィルム１１１８で、
ＯＬＥＤパネルを封止する。なお封止の際、封止膜１１
１９がプラスチックフィルム１１１８とＯＬＥＤ１１０
５との間に配置されるようにする。

【００８１】なお本実施例では、封止膜１１１９とし
て、プラスチックフィルム１１１８に近い側から無機絶
縁膜１１１９ａ、有機絶縁膜１１１９ｂ、無機絶縁膜１
１１９ｃが形成されている。

【００８２】本実施例に基づいて作製された発光装置
は、プラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、
半導体を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することが
できるので、非常に高性能なものとすることができる。

【００８３】なお、本実施例では、第１接着層１１０２
として非晶質珪素を用い、該第１接着層１１０２をフッ
化ハロゲンを含むガスで除去しているが、本発明はこの
構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の
仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着
層以外の、除去するのを目的としない基板、素子及び膜
が、第１接着層と共に除去されることで、発光装置の動
作に支障をきたすことがないように、第１接着層の材料
及びその除去の仕方を設定することが肝要である。ま
た、第１接着層の材料は、第１接着層を除去する工程以
外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であ
ることが肝要である。

【００８４】例えば、第１接着層として、照射するレー
ザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良
い。また、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有
するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用い
る場合、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収さ
せるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤
を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただ
し、第１接着層は素子形成工程における熱処理によって
気化しないものを用いる。

【００８５】また、第１、第２または第３接着層は単層
であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にア
モルファスシリコン膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよ
い。

【００８６】また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成
し、後の工程で、この第１接着層にレーザー光を照射す
ることにより第１基板を剥離してもよい。この場合、第
１基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質
珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射する
ことにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するの
で、第１基板が剥離しやすくなる。

【００８７】レーザー光としては、パルス発振型または
連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶ
Ｏ₄レーザーを用いることができる。レーザー光を第１
基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層の
みを気化させて第１基板を剥離する。従って、第１基板
としては少なくとも照射するレーザー光が通過する基
板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基
板、石英基板等を用い、さらに第２、第３基板よりも厚
さの厚いものが好ましい。

【００８８】本発明においては、レーザー光が第１基板
を通過させるため、レーザー光の種類と第１基板を適宜
選択する必要がある。例えば、第１基板として石英基板
を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６
４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３
５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシ
マレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形
成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレ
ーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１基板と
してガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基
本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましく
は第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを
形成し、ガラス基板を通過させればよい。

【００８９】また、例えば、第１接着層に対して流体
（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射すること
により第１基板を分離する方法（代表的にはウォーター
ジェット法）を用いてもよい。

【００９０】また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成し
た場合、第１接着層をヒドラジン（hydrazine）を用い
て除去するようにしても良い。

【００９１】また、例えば、特開平８−２８８５２２号
公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法
を用いても良い。具体的には、第１接着層に、塗布珪素
酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するよ
うにしても良い。この場合、除去することを目的としな
い珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密
な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比
が取れるようにすることが肝要である。

【００９２】このような構成とすることによって、第２
及び第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ
〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚
さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ること
ができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、こ
のように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難
であったが、本発明は第１基板に貼り合わせて素子形成
を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板
を用いた製造装置を使用することができる。

【００９３】また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を
用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果
的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたとき
のクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実
現することが可能になる。

【００９４】本実施例は、実施例１または実施例２と自
由に組み合わせて実施することが可能である。

【００９５】（実施例４）本実施例では、プラスチック
基板上にＯＬＥＤを有する、本発明のＯＬＥＤパネルの
実施例３とは異なる作製方法について説明する。なお、
図６、図７に示したのは、画素部及び駆動回路における
作製工程を示す断面図である。

【００９６】図６（Ａ）において、第１基板１２０１上
に、非晶質珪素膜からなる第１接着層１２０２が１００
〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の厚さに形成
される。本実施例では第１基板１２０１としてガラス基
板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もし
くはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板１
２０１は、後の作製工程における処理温度に耐えうる材
料であれば良い。

【００９７】また、第１接着層１２０２の成膜は減圧熱
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着
法を用いれば良い。第１接着層１２０２の上には酸化珪
素膜からなる絶縁膜１２０３が２００ｎｍの厚さに形成
される。絶縁膜１２０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラ
ズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良
い。絶縁膜１２０３は、第１接着層１２０２を除去して
第１基板１２０１を剥離させるときに、第１基板１２０
１上に形成されていた素子を保護する効果がある。

【００９８】次に、絶縁膜１２０３の上に素子を形成す
る（図６（Ｂ））。ここで素子とは、アクティブマトリ
クス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として
用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ
素子並びにＯＬＥＤ等を指す。また、パッシブ型の発光
装置ならばＯＬＥＤを指す。図６（Ｂ）では、代表的な
素子として、駆動回路１２０６のＴＦＴ１２０４ａと、
画素部のＴＦＴ１２０４ｂ、１２０４ｃ及びＯＬＥＤ１
２０５とを示した。

【００９９】そして、これらの素子を覆って、絶縁膜１
２０８を形成する。絶縁膜１２０８は、成膜後の表面が
より平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜１２０８
は必ずしも設ける必要はない。

【０１００】次に、図６（Ｃ）に示すように、第２接着
層１２０９により第２基板１２１０を貼り合わせる。本
実施例では第２基板１２１０としてガラス基板を用いる
が、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミ
ックス基板を用いても構わない。第２基板１２１０は、
後の作製工程における処理温度に耐えうる材料であれば
良い。

【０１０１】第２接着層１２０９としては、後に第１接
着層１２０２を除去する際に選択比のとれる材料を用い
る必要がある。さらに後に、第３基板を貼り合わせるた
めの第３接着層が、第２接着層と一緒に除去され第３基
板が剥がれることのないような材料であることが必要で
ある。本実施例では、特開平５−３１５６３０号に記載
されている、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミッ
ク酸溶液を用いる。具体的には、第２接着層１２０９と
して未硬化の樹脂であるポリアミック酸溶液を１０〜１
５μｍの厚さで成膜した後、熱圧着により第２基板１２
１０と層間絶縁膜１２０８とを貼り合わせる。そして、
加熱することで仮硬化を行う。

【０１０２】なお、本実施例において、第２接着層の材
料はポリアミック酸溶液に限定されない。後に第１接着
層１２０２を除去する際に選択比のとれる材料であり、
なおかつ、第３基板を貼り合わせるための第３接着層
が、第２接着層と一緒に除去され第３基板が剥がれるこ
とのないような材料であれば良い。また、第２接着層を
除去する工程以外の工程において、除去されないような
材料であることが肝要である。

【０１０３】次に、図６（Ｄ）に示すように、第１基板
１２０１、第２基板１２１０及び第１基板１２０１と第
２基板１２１０の間に形成された全ての素子や膜全体
を、フッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、第１接着層１
２０２の除去を行う。本実施例ではフッ化ハロゲンとし
て三フッ化塩素（ＣｌＦ₃）を用い、希釈ガスとして窒
素を用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムも
しくはネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃ
ｍ（８．３５×１０^-6ｍ³／ｓ）とし、反応圧力は１〜
１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０²〜１．３×１０³Ｐａ）と
すれば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜
２７℃）で良い。

【０１０４】この場合、珪素膜はエッチングされるが、
プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸
化珪素膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガ
スに晒すことで第１接着層１２０２が選択的にエッチン
グされ、最終的には完全に除去される。なお、同じく珪
素膜で形成されているＴＦＴの活性層は表面に露出して
いないため、三フッ化塩素ガスに晒されることがなく、
エッチングされることはない。

【０１０５】本実施例の場合、第１接着層１２０２は露
呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除
去された時点で第１基板１２０１と絶縁膜１２０３が分
離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層
して形成されているが、第２基板１２１０に移された形
で残る。

【０１０６】なお、ここでは第１接着層１２０２が端部
からエッチングされていくことになるが、第１基板１２
０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長く
なり好ましいものではない。従って、本実施例は第１基
板１２０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１イン
チ以下）の場合に実施することが望ましい。

【０１０７】こうして第１基板１２０１を剥離したら、
図７（Ａ）に示すように、第３接着層１２１３を形成
し、第３基板１２１２を貼り合わせる。本実施例では第
３基板１２１０としてプラスチック基板を用いる。具体
的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基
板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポ
リカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用
いることができる。

【０１０８】第３接着層１２１３として、樹脂からなる
絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミド
もしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、
ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過
する材料であることが必要である。

【０１０９】次に、図７（Ｂ）に示すように、第２接着
層１２０９を除去することで、第２基板１２１０を剥離
する。具体的には、水に約１時間ほど浸すことで第２接
着層１２０９が除去され、第２基板１２１０を剥離する
ことができる。

【０１１０】なお、第２接着層１２０９の剥離の仕方
は、第２接着層の材料、素子や膜の材料、基板の材料等
によって使い分けることが肝要である。

【０１１１】こうして、一枚のプラスチック基板１２１
２を用いたフレキシブルなＯＬＥＤパネル（発光装置）
を得ることができる。

【０１１２】次に、図７（Ｃ）に示すように、封止膜１
２１９が成膜されたプラスチックフィルム１２１８で、
ＯＬＥＤパネルを封止する。なお封止の際、封止膜１２
１９がプラスチックフィルム１２１８とＯＬＥＤ１２０
５との間に配置されるようにする。

【０１１３】なお本実施例では、封止膜１２１９とし
て、プラスチックフィルム１２１８に近い側から無機絶
縁膜１２１９ａ、有機絶縁膜１２１９ｂ、無機絶縁膜１
２１９ｃが形成されている。

【０１１４】本実施例により作製された発光装置は、プ
ラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体
を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができる
ので、非常に高性能なものとすることができる。

【０１１５】なお、本実施例では、第１接着層１２０２
として非晶質珪素を用い、該第１接着層１２０２をフッ
化ハロゲンを含むガスで除去しているが、本発明はこの
構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の
仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着
層以外の、除去するのを目的としない基板、他の接着
層、素子及び膜が、第１接着層と共に除去されること
で、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、
第１接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが
肝要である。また、第１接着層の材料は、第１接着層を
除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されること
のない材料であることが肝要である。

【０１１６】また、本実施例では、第２接着層１２０９
としてポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸溶
液を用い、該第２接着層１２０９を水で除去している
が、本発明はこの構成に限定されない。第２接着層の材
料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能
である。第２接着層以外の、除去するのを目的としない
基板、他の接着層、素子及び膜が、第２接着層と共に除
去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことが
ないように、第２接着層の材料及びその除去の仕方を設
定することが肝要である。また、第２接着層の材料は、
第２接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除
去されることのない材料であることが肝要である。

【０１１７】例えば、第１または第２接着層として、照
射するレーザー光で全部または一部が気化する有機物を
用いても良い。また、第１または第２接着層がレーザー
光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザ
ーの第２高調波を用いる場合、効率よく第１または第２
接着層のみにレーザー光を吸収させるために、有色、あ
るいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）のも
のを用いることが望ましい。ただし、第１または第２接
着層は素子形成工程における熱処理によって気化しない
ものを用いる。

【０１１８】また、第１、第２または第３接着層は単層
であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にア
モルファスシリコン膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよ
い。

【０１１９】また、第１または第２接着層を非晶質珪素
膜で形成し、後の工程で、この第１または第２接着層に
レーザー光を照射することにより基板を剥離してもよ
い。この場合、基板を剥離しやすくするため、水素を多
く含む非晶質珪素膜を用いることが好ましい。レーザー
光を照射することにより非晶質珪素膜に含まれる水素を
気化するので、基板が剥離しやすくなる。

【０１２０】レーザー光としては、パルス発振型または
連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶ
Ｏ₄レーザーを用いることができる。第１基板を剥離す
る場合、レーザー光を第１基板を通過させて第１接着層
に照射して、第１接着層のみを気化させて第１基板を剥
離する。第２基板を剥離する場合、レーザー光を第２基
板を通過させて第２接着層に照射して、第２接着層のみ
を気化させて第２基板を剥離する。従って、第１または
第２基板としては、少なくとも照射するレーザー光が通
過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガ
ラス基板、石英基板等を用い、さらに第３基板よりも厚
さの厚いものが好ましい。

【０１２１】本発明においては、レーザー光が第１また
は第２基板を通過させるため、レーザー光の種類と基板
の種類を適宜選択する必要がある。例えば、石英基板を
用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４
ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５
５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシマ
レーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成
し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレー
ザーはガラス基板を通過しない。従って、ガラス基板を
用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調
波、または第３高調波を用い、好ましくは第２高調波
（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、ガラ
ス基板を通過させればよい。

【０１２２】また、例えば、接着層に対して流体（圧力
が加えられた液体もしくは気体）を噴射することにより
基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット
法）を用いてもよい。

【０１２３】また、接着層を非晶質珪素膜で形成した場
合、接着層をヒドラジン（hydrazine）を用いて除去す
るようにしても良い。

【０１２４】また、例えば、特開平８−２８８５２２号
公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法
を用いても良い。具体的には、第１または第２接着層
に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用い
て除去するようにしても良い。この場合、除去すること
を目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法
を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１または第２接着
層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要
である。

【０１２５】このような構成とすることによって、第３
基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００
μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板
を用いても、信頼性の高い発光装置を得ることができ
る。また、従来ある公知の製造装置を用いて、このよう
に厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であっ
たが、本発明は第１基板及び第２基板に貼り合わせて素
子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚
い基板を用いた製造装置を使用することができる。

【０１２６】また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を
用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果
的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたとき
のクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実
現することが可能になる。

【０１２７】なお、実施例１及び実施例２において、Ｏ
ＬＥＤが有する陽極を画素電極として用いても良いし、
陰極を画素電極として用いても良い。

【０１２８】本実施例は、実施例１または実施例２と自
由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１２９】（実施例５）本実施例では、本発明の封止
前の発光装置の外観と、ＦＰＣとの接続について説明す
る。

【０１３０】図８（Ａ）に、実施例３に示した、封止前
の発光装置の外観図の一例を示す。１３０１は第２基
板、１３０２は第３基板であり、共に可撓性を有するプ
ラスチック基板である。第２基板１３０１と第３基板１
３０２の間に画素部１３０３と、駆動回路（ソース側駆
動回路１３０４、ゲート側駆動回路１３０５）が設けら
れている。

【０１３１】なお、図８（Ａ）では、ソース側駆動回路
１３０４とゲート側駆動回路１３０５を画素部１３０３
と同じ基板上に作製された例を示しているが、ソース側
駆動回路１３０４とゲート側駆動回路１３０５とに代表
される駆動回路を画素部とは異なる基板上に形成し、Ｆ
ＰＣ等を介して接続するようにしても良い。

【０１３２】またソース側駆動回路１３０４とゲート側
駆動回路１３０５の数及びその配置は、図８（Ａ）に示
した構成に限定されない。

【０１３３】１３０６はＦＰＣであり、ＦＰＣ１３０６
を介して、画素部１３０３、ソース側駆動回路１３０４
及びゲート側駆動回路１３０５に、コントローラを含む
ＩＣからの信号や電源電圧が供給される。

【０１３４】図８（Ａ）に示した、ＦＰＣ１３０６と第
２基板１３０１とが接続されている点線で囲んだ部分の
拡大図を、図８（Ｂ）に示す。図８（Ｃ）は、図８
（Ｂ）のＡ−Ａ’における断面図である。

【０１３５】第２基板１３０１と第３基板１３０２の間
に、画素部１３０３と、ソース側駆動回路１３０４と、
ゲート側駆動回路１３０５とに、信号や電源電圧を供給
するために引きまわされた配線１３１０が設けられてい
る。また、ＦＰＣ１３０６には端子１３１１が設けられ
ている。

【０１３６】なお、１３１４は乾燥剤であり、酸素や水
分など劣化を促進させる物質がＯＬＥＤ（図示せず）に
入り込むのを防ぐ効果がある。

【０１３７】第２基板１３０１と、第２基板１３０１と
引きまわしの配線１３１０の間に設けられた絶縁膜など
の各種の膜が、一部レーザー等によって取り除かれるこ
とで、コンタクトホール１３１３が設けられている。よ
って、複数の引きまわしの配線１３１０は、コンタクト
ホール１３１３において露出しており、異方性を有する
導電性の樹脂１３１２によって、端子１３１１とそれぞ
れ電気的に接続されている。

【０１３８】なお、図８では第２基板１３０１側から引
きまわしの配線の一部を露出させる例について説明した
が、本発明はこれに限定されない。第３基板１３０２側
から引きまわしの配線の一部を露出させるようにしても
良い。

【０１３９】図９（Ａ）に、図８（Ａ）に示した発光装
置を撓めた様子を示す。実施例３に示した発光装置は、
第２基板と第３基板とが共に可撓性を有しているので、
図９（Ａ）に示すように、ある程度撓めることが可能で
ある。よって、曲面を有するディスプレイや、ショーウ
ィンドウ等などにも用いることができ、その応用範囲は
非常に広い。なお実施例３に示した発光装置に限らず、
実施例４で示した発光装置も、同様に撓めることが可能
である。

【０１４０】図９（Ｂ）に、図９（Ａ）に示した発光装
置の断面図を示す。第２基板１３０１と第３基板１３０
２との間に、複数の素子が形成されている。ここでは代
表的に、ＴＦＴ１３２０ａ、１３２０ｂ、１３２０ｃ
と、ＯＬＥＤ１３２２とを図示した。なお、破線１３２
３は、第２基板１３０１と第３基板１３０２との中心線
である。

【０１４１】第２基板１３０１は、封止膜１３２１を間
に挟んでプラスチックフィルム１３２４に覆われてい
る。また、第３基板１３０２も、封止膜１３２１を間に
挟んでプラスチックフィルム１３２４に覆われている。

【０１４２】封止膜１３２１は、プラスチックフィルム
１３２４に接している無機絶縁膜１３２１ａと、無機絶
縁膜１３２１ａに接している有機絶縁膜１３２１ｂと、
有機絶縁膜１３２１ｂに接している無機絶縁膜１３２１
ｃとを有している。

【０１４３】次に、実施例４で示した封止前の発光装置
の、ＦＰＣとの接続について説明する。図１０に、実施
例４で示した封止前の発光装置とＦＰＣとが接続してい
る部分の断面図を示す。

【０１４４】第３基板１４０１上には、引きまわしのた
めの配線１４０３が設けられている。

【０１４５】第３基板１４０１と、引きまわしの配線１
４０３との間に設けられた絶縁膜などの各種の膜が、一
部レーザー等によって取り除かれることで、コンタクト
ホールが設けられている。そして、引きまわしの配線１
４０３は、該コンタクトホールにおいて露出しており、
異方性を有する導電性の樹脂１４０６によって、ＦＰＣ
１４０４が有する端子１４０５と電気的に接続されてい
る。

【０１４６】なお、図１０では引きまわしの配線１４０
３上の絶縁膜の一部を除去して、引きまわしの配線１４
０３の一部を露出させる例について説明したが、本発明
はこれに限定されない。第３基板１４０１側から引きま
わしの配線１４０３の一部を露出させるようにしても良
い。

【０１４７】本実施例は、実施例１または実施例２と自
由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１４８】（実施例６）本実施例では、本発明の発光
装置の作製方法の一例について説明する。

【０１４９】図１１（Ａ）において、第１基板５０１上
に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）からなる第１接着層５０
２が１００〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の
厚さに形成される。本実施例では第１基板５０１として
ガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属
基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第
１基板５０１は、後の作製工程における処理温度に耐え
うる材料であれば良い。

【０１５０】また、塗布珪素酸化膜は、ＳＯＧ溶液にヨ
ウ素液をスピンコートにより添加し、乾燥させてヨウ素
を離脱させる。その後４００℃程度の熱処理を行って成
膜する。本実施例では膜厚１００ｎｍのＳＯＧを形成し
た。なお、第１接着層５０２としてのＳＯＧの作製方法
は、上記方法に限定されない。また、ＳＯＧは有機ＳＯ
Ｇでも無機ＳＯＧでも良い。後の工程において、弗化水
素により除去することができるＳＯＧであれば良い。そ
して、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパ
ッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で
第１接着層を除去する際の選択比が取れるようにするこ
とが肝要である。

【０１５１】次に、第１接着層５０２上に、減圧熱ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を
用いて、Ａｌからなる保護膜を成膜する。本実施例で
は、スパッタ法を用いて第１接着層５０２の上に、Ａｌ
からなる保護膜５０３を２００ｎｍの厚さに成膜した。

【０１５２】なお、本実施例では保護膜５０３の材料と
してＡｌを用いたが、本発明はこれに限定されない。保
護膜５０３は、第１接着層５０２を除去する際に一緒に
除去されないような材料で、なおかつ保護膜５０３を除
去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることの
ない材料であることが肝要である。さらに、保護膜５０
３を除去する工程において、他の膜や基板を除去するこ
とがないような材料であることが肝要である。保護膜５
０３は、第１接着層５０２を除去して第１基板５０１を
剥離させるときに、第１基板５０１上に形成されていた
素子を保護する効果がある。

【０１５３】次に、保護膜５０３の上に素子を形成する
（図１１（Ｂ））。図１１（Ｂ）では、代表的に、駆動
回路のＴＦＴ５０４ａ、５０４ｂを示した。

【０１５４】そして本実施例では、５０４ａはｎチャネ
ル型ＴＦＴであり、５０４ｂはｐチャネル型ＴＦＴであ
る。そしてＴＦＴ５０４ａ、５０４ｂは、ＣＭＯＳを形
成している。

【０１５５】ＴＦＴ５０４ａは、保護膜５０３の上に形
成された第１の電極５５０と、前記第１の電極５５０を
覆って形成されている絶縁膜５５１と、前記絶縁膜５５
１に接して形成されている半導体膜５５２と、前記半導
体膜５５２に接して形成されている絶縁膜５５３と、前
記絶縁膜５５３に接している第２の電極５５４とを有し
ている。

【０１５６】ＴＦＴ５０４ｂは、保護膜５０３の上に形
成された第１の電極５６０と、前記第１の電極５６０を
覆って形成されている絶縁膜５５１と、前記絶縁膜５５
１に接して形成されている半導体膜５６２と、前記半導
体膜５６２に接して形成されている絶縁膜５５３と、前
記絶縁膜５５３に接している第２の電極５６４とを有し
ている。

【０１５７】なお、保護膜５０３の上には、第１の電極
５５０、５６０と同時に形成された、端子５７０が設け
られている。

【０１５８】また、ＴＦＴ５０４ａとＴＦＴ５０４ｂと
を覆って絶縁膜５６５が形成されている。そして、絶縁
膜５６５と、絶縁膜５５１と、絶縁膜５５３とに形成さ
れたコンタクトホールを介して、半導体膜５５２及び端
子５７０に接する配線５７１と、半導体膜５５２及び半
導体膜５６２に接する配線５７２と、半導体膜５６２に
接する配線５７３とを形成する。

【０１５９】さらに絶縁膜５６５上には、図示していな
いがＯＬＥＤが形成されている。そして、配線５７１、
配線５７２、配線５７３、絶縁膜５６５及びＯＬＥＤを
覆って、絶縁膜５７４が形成されている。絶縁膜５７４
は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。な
お、絶縁膜５７４は必ずしも設ける必要はない。

【０１６０】次に、図１１（Ｃ）に示すように、第２接
着層５０９により第２基板５１０を貼り合わせる。本実
施例では第２基板５１０としてプラスチック基板を用い
る。具体的には、第２基板として、厚さ１０μｍ以上の
樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、Ｐ
Ｃ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）を用いることができる。

【０１６１】また、第２接着層５０９としては、後に第
１接着層５０２を除去する際に選択比のとれる材料を用
いる必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を用い
ることができ、本実施例ではポリイミドを用いるが、ア
クリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良
い。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側（発光装置の使用
者側）に位置する場合は、光を透過する材料であること
が必要である。

【０１６２】次に、図１１（Ｄ）に示すように、弗化水
素を用いて第１接着層５０２の除去を行う。本実施例で
は、第１基板５０１、第２基板５１０及び第１基板５０
１と第２基板５１０の間に形成された全ての素子や膜全
体を緩衝フッ化水素酸（ＨＦ／ＮＨ₄ Ｆ＝０．０１〜
０．２、例えば、０．１）に浸して、第１接着層５０２
の除去を行う。

【０１６３】このとき、除去することを目的としない珪
素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜
で形成されているので、弗化水素で第１接着層のみが除
去される。

【０１６４】本実施例の場合、第１接着層５０２は露呈
した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去
された時点で第１基板５０１と保護膜５０３が分離され
る。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層して形
成されているが、第２基板５１０に移された形で残る。

【０１６５】なお、ここでは第１接着層５０２が端部か
らエッチングされていくことになるが、第１基板５０１
が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり
好ましいものではない。従って、本実施例は第１基板５
０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１インチ以
下）の場合に実施することが望ましい。

【０１６６】次に、図１２（Ａ）に示すように、保護膜
５０３を除去する。本実施例では、リン酸系のエッチン
グ溶液によるウェットエッチングで、Ａｌで形成された
保護膜５０３を除去し、端子５７０、第１電極５５０、
５６０を露出させる。

【０１６７】そして、図１２（Ｂ）に示すように、異方
性を有する導電性の樹脂からなる第３接着層５１３を形
成し、第３基板５１２を端子５７０、第１電極５５０、
５６０が露出している側に貼り合わせる。

【０１６８】本実施例では第３基板５１２としてプラス
チック基板を用いる。具体的には、第３基板として、厚
さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテ
ルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチ
レンナフタレート）を用いることができる。

【０１６９】第３接着層５１３として、樹脂からなる絶
縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドも
しくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、Ｏ
ＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過す
る材料であることが必要である。

【０１７０】なお、第３基板５１２を接着させる前に、
第３基板５１２にレーザー等でコンタクトホールを形成
し、第３基板５１２の該コンタクトホールが形成されて
いる部分と、その周辺にＡｌを蒸着させることで、第３
基板５１２の両面に電気的に接続された端子５８０と５
８１がそれぞれ形成されてる。なお、端子５８０と５８
１の形成の仕方は上記構成に限定されない。

【０１７１】第３基板５１２に形成された端子５８０
は、第１電極５５０、５６０と同時に形成された端子５
７０と、第３接着層５１３を介して電気的に接続されて
いる。

【０１７２】こうして、二枚のプラスチック基板５１
０、５１２によって挟まれたフレキシブルな発光装置を
得ることができる。なお、第２基板５１０と第３基板５
１２とを同一材料にすると、熱膨張係数が等しくなるの
で、温度変化による内部応力歪みの影響を受けにくくす
ることができる。

【０１７３】そして、図１２（Ｃ）に示すように、第３
接着層５１３に接しておらず、なおかつ第３基板５１２
に接して形成された端子５８１と、ＦＰＣ５９０が有す
る端子５９１とを、異方性を有する導電性の樹脂からな
る第４接着層５９２を介して接続する。

【０１７４】次に、図１２（Ｃ）に示すように、封止膜
５２０が成膜されたプラスチックフィルム５２１で、Ｏ
ＬＥＤパネルを封止する。なお封止の際、封止膜５２０
がプラスチックフィルム５２１とＯＬＥＤ（図示せず）
との間に配置されるようにする。

【０１７５】なお本実施例では、封止膜５２０として、
プラスチックフィルム５２１に近い側から無機絶縁膜５
２０ａ、有機絶縁膜５２０ｂ、無機絶縁膜５２０ｃが形
成されている。

【０１７６】本実施例により作製された発光装置は、プ
ラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体
を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができる
ので、非常に高性能なものとすることができる。

【０１７７】なお、本実施例では、第１接着層５０２と
してＳＯＧを用い、該第１接着層５０２を弗化水素を用
いて除去しているが、本発明はこの構成に限定されな
い。第１接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が
設定することが可能である。第１接着層以外の、除去す
るのを目的としない基板、素子及び膜が、第１接着層と
共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたす
ことがないように、第１接着層の材料及びその除去の仕
方を設定することが肝要である。また、第１接着層の材
料は、第１接着層を除去する工程以外のプロセスにおい
て、除去されることのない材料であることが肝要であ
る。

【０１７８】例えば、第１接着層として、照射するレー
ザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良
い。また、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有
するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用い
る場合、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収さ
せるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤
を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただ
し、第１接着層は素子形成工程における熱処理によって
気化しないものを用いる。

【０１７９】また、第１、第２または第３接着層は単層
であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にア
モルファスシリコン膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよ
い。

【０１８０】また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成
し、後の工程で、この第１接着層にレーザー光を照射す
ることにより第１基板を剥離してもよい。この場合、第
１基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質
珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射する
ことにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するの
で、第１基板が剥離しやすくなる。

【０１８１】レーザー光としては、パルス発振型または
連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶ
Ｏ₄レーザーを用いることができる。レーザー光を第１
基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層の
みを気化させて第１基板を剥離する。従って、第１基板
としては少なくとも照射するレーザー光が通過する基
板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基
板、石英基板等を用い、さらに第２、第３基板よりも厚
さの厚いものが好ましい。

【０１８２】本発明においては、レーザー光が第１基板
を通過させるため、レーザー光の種類と第１基板を適宜
選択する必要がある。例えば、第１基板として石英基板
を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６
４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３
５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシ
マレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形
成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレ
ーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１基板と
してガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基
本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましく
は第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを
形成し、ガラス基板を通過させればよい。

【０１８３】また、第１接着層に対して流体（圧力が加
えられた液体もしくは気体）を噴射することにより第１
基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット
法）を用いてもよいし、これらを組み合わせて用いても
よい。

【０１８４】また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成し
た場合、第１接着層をヒドラジン（hydrazine）を用い
て除去するようにしても良い。

【０１８５】また、例えば、特開平８−２８８５２２号
公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法
を用いても良い。具体的には、第１接着層に、塗布珪素
酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するよ
うにしても良い。この場合、除去することを目的としな
い珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密
な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比
が取れるようにすることが肝要である。

【０１８６】このような構成とすることによって、第２
及び第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ
〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚
さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ること
ができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、こ
のように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難
であったが、本発明は第１基板に貼り合わせて素子形成
を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板
を用いた製造装置を使用することができる。

【０１８７】また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を
用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果
的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたとき
のクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実
現することが可能になる。

【０１８８】本実施例は、実施例１または実施例２と自
由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１８９】（実施例７）本実施例では、本発明の発光
装置の画素部とその周辺に設けられる駆動回路部（ソー
ス信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路）のＴＦ
Ｔを同時に作製する方法について説明する。但し、説明
を簡単にするために、駆動回路部に関しては基本単位で
あるＣＭＯＳ回路を図示することとする。

【０１９０】まず、図１３（Ａ）に示すように、コーニ
ング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代
表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホ
ウケイ酸ガラスなどのガラスから成る第１基板５０００
上に、非晶質珪素膜からなる第１接着層５００１が１０
０〜５００ｎｍ（本実施例では３００ｎｍ）の厚さに形
成される。第１接着層５００１の成膜は減圧熱ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用
いれば良い。本実施例ではスパッタ法を用いて成膜し
た。

【０１９１】次に、第１接着層５００１上に、酸化シリ
コン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜など
の絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。下地膜５
００２は、第１接着層５００１を除去して基板５０００
を剥離させるときに、基板５０００上に形成されていた
素子を保護する効果がある。例えば、プラズマＣＶＤ法
でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シリ
コン膜を１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）
形成し、同様にＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化
水素化シリコン膜を５０〜２００nm（好ましくは１００
〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では下地
膜５００２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単
層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良
い。

【０１９２】島状半導体層５００３〜５００６は、非晶
質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱
結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。
この島状半導体層５００３〜５００６の厚さは２５〜８
０nm（好ましくは３０〜６０nm）の厚さで形成する。結
晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコ
ンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで
形成すると良い。

【０１９３】レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製
するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレ
ーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザーを用いる。
これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器か
ら放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施
者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用
いる場合はパルス発振周波数３００Hzとし、レーザーエ
ネルギー密度を１００〜４００mJ/cm²(代表的には２０
０〜３００mJ/cm²)とする。また、ＹＡＧレーザーを用
いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数３
０〜３００kHzとし、レーザーエネルギー密度を３００
〜６００mJ/cm²(代表的には３５０〜５００mJ/cm²)とす
ると良い。そして幅１００〜１０００μm、例えば４０
０μmで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って
照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オー
バーラップ率）を５０〜９０％として行う。

【０１９４】次いで、島状半導体層５００３〜５００６
を覆うゲート絶縁膜５００７を形成する。ゲート絶縁膜
５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、
厚さを４０〜１５０nmとしてシリコンを含む絶縁膜で形
成する。本実施例では、１２０nmの厚さで酸化窒化シリ
コン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸
化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコ
ンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良
い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズ
マＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）と
Ｏ₂とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４
００℃とし、高周波（１３．５６MHz）、電力密度０．
５〜０．８W/cm²で放電させて形成することが出来る。
このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４
００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として
良好な特性を得ることが出来る。

【０１９５】そして、ゲート絶縁膜５００７上にゲート
電極を形成するための第１の導電膜５００８と第２の導
電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電
膜５００８をＴａで５０〜１００nmの厚さに形成し、第
２の導電膜５００９をＷで１００〜３００nmの厚さに形
成する。

【０１９６】Ｔａ膜はスパッタ法で、Ｔａのターゲット
をＡｒでスパッタすることにより形成する。この場合、
Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力
を緩和して膜の剥離を防止することが出来る。また、α
相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩcm程度でありゲート電極
に使用することが出来るが、β相のＴａ膜の抵抗率は１
８０μΩcm程度でありゲート電極とするには不向きであ
る。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い
結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０nm程度の厚さ
でＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得
ることが出来る。

【０１９７】Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲット
としたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タング
ステン（ＷＦ₆）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも
出来る。いずれにしてもゲート電極として使用するため
には低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μ
Ωcm以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きく
することで低抵抗率化を図ることが出来るが、Ｗ中に酸
素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高
抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純
度９９．９９９９または純度９９．９９％のＷターゲ
ットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入
がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、
抵抗率９〜２０μΩcmを実現することが出来る。

【０１９８】なお、本実施例では、第１の導電膜５００
８をＴａ、第２の導電膜５００９をＷとしたが、特に限
定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ
などから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする
合金材料もしくは化合物材料で形成してもよい。また、
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜
に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の
他の組み合わせの一例で望ましいものとしては、第１の
導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第
２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電
膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の
導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜
５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導
電膜５００９をＣｕとする組み合わせが挙げられる。

【０１９９】次に、レジストによるマスク５０１０を形
成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング
処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Couple
d Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、
エッチング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂を混合し、１Paの圧力
でコイル型の電極に５００WのＲＦ（１３．５６MHz）電
力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ス
テージ）にも１００WのＲＦ（１３．５６MHz）電力を投
入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ
₄とＣｌ₂を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度
にエッチングされる。

【０２００】上記エッチング条件では、レジストによる
マスクの形状を適したものとすることにより、基板側に
印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第
２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の
角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残
すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度
の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対
する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には
３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化
窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０nm程度エッチ
ングされることになる。こうして、第１のエッチング処
理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形
状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層５０１１
ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１６
ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７にお
いては、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆わ
れない領域は２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなっ
た領域が形成される。（図１３（Ａ））

【０２０１】そして、第１のドーピング処理を行いＮ型
を付与する不純物元素を添加する。ドーピングの方法は
イオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イ
オンドープ法の条件はドーズ量を１×１０¹³〜５×１０
¹⁴atoms/cm²とし、加速電圧を６０〜１００keVとして行
う。Ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元
素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる
が、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層５
０１１〜５０１５がＮ型を付与する不純物元素に対する
マスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域５０１７
〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１７〜
５０２５には１×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³の濃度
範囲でＮ型を付与する不純物元素を添加する。（図１３
（Ｂ））

【０２０２】次に、図１３（Ｃ）に示すように、レジス
トマスクは除去しないまま、第２のエッチング処理を行
う。エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂とを用い、Ｗ
膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチン
グ処理により第２の形状の導電層５０２６〜５０３１
（第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａと第２の導電層
５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。このとき、ゲー
ト絶縁膜５００７においては、第２の形状の導電層５０
２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０nm
程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。

【０２０３】Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ₄とＣｌ₂の混合ガスに
よるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオ
ン種と反応生成物の蒸気圧から推測することが出来る。
ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗ
のフッ化物であるＷＦ₆が極端に高く、その他のＷＣ
ｌ₅、ＴａＦ₅、ＴａＣｌ₅は同程度である。従って、Ｃ
Ｆ₄とＣｌ₂の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチン
グされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ₂を添加す
るとＣＦ₄とＯ₂が反応してＣＯとＦになり、Ｆラジカル
またはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物
の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一
方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増
加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすい
ので、Ｏ₂を添加することでＴａの表面が酸化される。
Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴ
ａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ
膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜
のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能
となる。

【０２０４】そして、図１４（Ａ）に示すように第２の
ドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処
理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてＮ
型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加
速電圧を７０〜１２０keVとし、１×１０¹³atoms/cm²の
ドーズ量で行い、図１３（Ｂ）で島状半導体層に形成さ
れた第１の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成
する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５
０３０を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の
導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域にも不純物
元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第
３の不純物領域５０３２〜５０３６が形成される。この
第３の不純物領域５０３２〜５０３６に添加されたリン
（Ｐ）の濃度は、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａ
のテーパー部の膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有して
いる。なお、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテ
ーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層５０
２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の端部から内側に向か
って若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同
程度の濃度である。

【０２０５】図１４（Ｂ）に示すように第３のエッチン
グ処理を行う。エッチングガスにＣＨＦ₆を用い、反応
性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いて行う。第３
のエッチング処理により、第１の導電層５０２６ａ〜５
０３１ａのテーパー部を部分的にエッチングして、第１
の導電層が半導体層と重なる領域が縮小される。第３の
エッチング処理によって、第３の形状の導電層５０３７
〜５０４２（第１の導電層５０３７ａ〜５０４２ａと第
２の導電層５０３７ｂ〜５０４２ｂ）を形成する。この
とき、ゲート絶縁膜５００７においては、第３の形状の
導電層５０３７〜５０４２で覆われない領域はさらに２
０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成さ
れる。

【０２０６】第３のエッチング処理によって、第３の不
純物領域５０３２〜５０３６においては、第１の導電層
５０３７ａ〜５０４１ａと重なる第３の不純物領域５０
３２ａ〜５０３６ａと、第１の不純物領域と第３の不純
物領域との間の第２の不純物領域５０３２ｂ〜５０３６
ｂとが形成される。

【０２０７】そして、図１４（Ｃ）に示すように、Ｐチ
ャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００４、５０
０６に第1の導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域
５０４３〜５０５４を形成する。第３の形状の導電層５
０３８ｂ、５０４１ｂを不純物元素に対するマスクとし
て用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このと
き、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００
３、５００５および配線部５０４２はレジストマスク５
２００で全面を被覆しておく。不純物領域５０４３〜５
０５４にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されている
が、ジボラン（Ｂ ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法で形成
し、そのいずれの領域においても不純物濃度が２×１０
²⁰〜２×１０²¹atoms/cm³となるようにする。

【０２０８】以上までの工程でそれぞれの島状半導体層
に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第３
の形状の導電層５０３７〜５０４１がゲート電極として
機能する。また、５０４２は島状のソース信号線として
機能する。

【０２０９】レジストマスク５２００を除去した後、導
電型の制御を目的として、それぞれの島状半導体層に添
加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程
はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。
その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマ
ルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することが出来る。熱
アニール法では酸素濃度が１ppm以下、好ましくは０．
１ppm以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的
には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では
５００℃で４時間の熱処理を行う。ただし、第３の形状
の導電層５０３７〜５０４２に用いた配線材料が熱に弱
い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコ
ンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが
好ましい。

【０２１０】さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気
中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行
い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は
熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボ
ンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、
プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用い
る）を行っても良い。

【０２１１】次いで、図１５（Ａ）に示すように、第１
の層間絶縁膜５０５５を酸化窒化シリコン膜から１００
〜２００nmの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料
から成る第２の層間絶縁膜５０５６を形成した後、第１
の層間絶縁膜５０５５、第２の層間絶縁膜５０５６、お
よびゲート絶縁膜５００７に対してコンタクトホールを
形成し、各配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜
５０６２、５０６４をパターニング形成した後、接続配
線５０６２に接する画素電極５０６３をパターニング形
成する。

【０２１２】第２の層間絶縁膜５０５６としては、樹脂
を材料とする膜を用い、その樹脂としてはポリイミド、
ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）
等を使用することが出来る。特に、第２の層間絶縁膜５
０５６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れた
アクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成
される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形
成する。好ましくは１〜５μm（さらに好ましくは２〜
４μm）とすれば良い。

【０２１３】コンタクトホールの形成は、ドライエッチ
ングまたはウエットエッチングを用い、Ｎ型の不純物領
域５０１７、５０１８、５０２１、５０２３またはＰ型
の不純物領域５０４３〜５０５４に達するコンタクトホ
ール、配線５０４２に達するコンタクトホール、電源供
給線に達するコンタクトホール（図示せず）、およびゲ
ート電極に達するコンタクトホール（図示せず）をそれ
ぞれ形成する。

【０２１４】また、配線（接続配線、信号線を含む）５
０５７〜５０６２、５０６４として、Ｔｉ膜を１００n
m、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００nm、Ｔｉ膜１５
０nmをスパッタ法で連続形成した３層構造の積層膜を所
望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、他の
導電膜を用いても良い。

【０２１５】また、本実施例では、画素電極５０６３と
してＩＴＯ膜を１１０nmの厚さに形成し、パターニング
を行った。画素電極５０６３を接続配線５０６２と接し
て重なるように配置することでコンタクトを取ってい
る。また、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素
電極５０６３がＯＬＥＤの陽極となる。（図１５
（Ａ））

【０２１６】次に、図１５（Ｂ）に示すように、珪素を
含む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５００nmの厚
さに形成し、画素電極５０６３に対応する位置に開口部
を形成して、バンクとして機能する第３の層間絶縁膜５
０６５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッ
チング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とす
ることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかでない
と段差に起因する有機発光層の劣化が顕著な問題となっ
てしまうため、注意が必要である。

【０２１７】次に、有機発光層５０６６および陰極（Ｍ
ｇＡｇ電極）５０６７を、真空蒸着法を用いて大気解放
しないで連続形成する。なお、有機発光層５０６６の膜
厚は８０〜２００nm（典型的には１００〜１２０nm）、
陰極５０６７の厚さは１８０〜３００nm（典型的には２
００〜２５０nm）とすれば良い。

【０２１８】この工程では、赤色に対応する画素、緑色
に対応する画素および青色に対応する画素に対して順
次、有機発光層および陰極を形成する。但し、有機発光
層は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ
技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そ
こでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要
箇所だけ選択的に有機発光層および陰極を形成するのが
好ましい。

【０２１９】即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て
隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光の
有機発光層を選択的に形成する。次いで、緑色に対応す
る画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを
用いて緑色発光の有機発光層を選択的に形成する。次い
で、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクを
セットし、そのマスクを用いて青色発光の有機発光層を
選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを
用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわし
ても構わない。

【０２２０】ここではＲＧＢに対応した３種類のＯＬＥ
Ｄを形成する方式を用いたが、白色発光のＯＬＥＤとカ
ラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光
のＯＬＥＤと蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを
組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用
してＲＧＢに対応したＯＬＥＤを重ねる方式などを用い
ても良い。

【０２２１】なお、有機発光層５０６６としては公知の
材料を用いることが出来る。公知の材料としては、駆動
電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例え
ば正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子注入層で
なる４層構造を有機発光層とすれば良い。

【０２２２】次に、同じゲート信号線にゲート電極が接
続されたスイッチング用ＴＦＴを有する画素（同じライ
ンの画素）上に、メタルマスクを用いて陰極５０６７を
形成する。なお本実施例では陰極５０６７としてＭｇＡ
ｇを用いたが、本発明はこれに限定されない。陰極５０
６７として他の公知の材料を用いても良い。

【０２２３】最後に、樹脂でなる平坦化膜５０６８を３
００nmの厚さに形成する。平坦化膜５０６８を形成して
おくことで、有機発光層５０６６を水分等から保護する
ことができ、ＯＬＥＤの信頼性をさらに高めることが出
来る。

【０２２４】こうして図１５（Ｂ）に示すような状態ま
で完成する。そして、図示しないが、実施例３に記載の
作製方法に従うならば、封止膜が設けられた第２基板
が、平坦化膜５０６８に第２接着層を用いて張り合わさ
れる。そして、以下の工程は、実施の形態１に示した方
法に従って行えば良い。また、実施例４に記載の作製方
法に従うならば、第２基板が平坦化膜５０６８に第２接
着層を用いて張り合わされる。そして、以下の工程は、
実施の形態２に示した方法に従って行えば良い。

【０２２５】なお、本実施例における発光装置の作製工
程においては、回路の構成および工程の関係上、ゲート
電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソース
信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している
配線材料であるＡｌによってゲート信号線を形成してい
るが、異なる材料を用いても良い。

【０２２６】ところで、本実施例の発光装置は、画素部
だけでなく駆動回路部にも最適な構造のＴＦＴを配置す
ることにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向
上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を
添加し、結晶性を高めることも可能である。それによっ
て、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０MHz以上
にすることが可能である。

【０２２７】まず、極力動作速度を落とさないようにホ
ットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、
駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のＮチャネル型ＴＦ
Ｔとして用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、
シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動
におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッショ
ンゲートなどが含まれる。

【０２２８】本実施例の場合、Ｎチャネル型ＴＦＴの活
性層は、ソース領域、ドレイン領域、ゲート絶縁膜を間
に挟んでゲート電極と重なるオーバーラップＬＤＤ領域
（Ｌ _OV領域）、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と
重ならないオフセットＬＤＤ領域（Ｌ_OFF領域）および
チャネル形成領域を含む。

【０２２９】また、ＣＭＯＳ回路のＰチャネル型ＴＦＴ
は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならない
ので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、Ｎチ
ャネル型ＴＦＴと同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャ
リア対策を講じることも可能である。

【０２３０】その他、駆動回路において、チャネル形成
領域を双方向に電流が流れるようなＣＭＯＳ回路、即
ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるよう
なＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成
するＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイ
ドにチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成する
ことが好ましい。このような例としては、点順次駆動に
用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられ
る。また駆動回路において、オフ電流を極力低く抑える
必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回
路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、Ｌ_OV領域を有して
いることが好ましい。このような例としては、やはり、
点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなど
が挙げられる。

【０２３１】また、本実施例で示す工程に従えば、発光
装置の作製に必要なフォトマスクの数を抑えることが出
来る。その結果、工程を短縮し、製造コストの低減及び
歩留まりの向上に寄与することが出来る。

【０２３２】本実施例は、実施例１〜５と組み合わせて
実施することが可能である。

【０２３３】（実施例８）本実施例では、逆スタガ型の
ＴＦＴを用いた本発明の発光装置の構造について説明す
る。

【０２３４】図１６に本発明の発光装置の断面図を示
す。可撓性を有する第２基板６０２及び第３基板６７２
を覆って封止膜６０１が形成されている。そして、封止
膜６０１を覆ってプラスチックフィルム６７１が設けら
れている。封止膜６０１は、無機絶縁膜６０１ａ、有機
絶縁膜６０１ｂ、無機絶縁膜６０１ｃを有している。

【０２３５】第２基板６０２と第３基板６７２の間に
は、ＴＦＴ、ＯＬＥＤ、その他の素子が形成されてい
る。本実施例では、駆動回路６１０が有するＴＦＴ６０
４ａと、画素部６１１が有するＴＦＴ６０４ｂ、６０４
ｃを代表例として示す。

【０２３６】ＯＬＥＤ６０５は、画素電極６４０と、有
機発光層６４１と、陰極６４２とを有している。

【０２３７】ＴＦＴ６０４ａは、ゲート電極６１３、６
１４と、ゲート電極６１３、６１４に接して形成された
絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接して形成された半導
体膜６１５とを有している。またＴＦＴ６０４ｂは、ゲ
ート電極６２０、６２１と、ゲート電極６２０、６２１
に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接
して形成された半導体膜６２２とを有している。またＴ
ＦＴ６０４ｃは、ゲート電極６３０と、ゲート電極６３
０に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に
接して形成された半導体膜６３１とを有している。

【０２３８】なお、本実施例では実施例３に従って作製
された発光装置に、逆スタガ型のＴＦＴを用いた例につ
いて説明しているが、本実施例はこの構成に限定されな
い。実施例４に従って作製された発光装置に、逆スタガ
型のＴＦＴを用いていても良い。

【０２３９】本実施例は、実施例１〜５と自由に組み合
わせて実施することが可能である。

【０２４０】（実施例９）本実施例では、流体を吹きつ
けることにより接着層を除去する例について説明する。

【０２４１】流体の吹きつけ方法としては、高圧の水流
をノズルから噴射して吹きつける方法（ウォータージェ
ット法と呼ばれる）や高圧のガス流を噴射して吹きつけ
る方法を用いることができる。このとき、水の代わりに
有機溶媒、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液を用いても
良い。また、ガスとしては空気、窒素ガス、炭酸ガスも
しくは希ガスを用いても良いし、これらのガスをプラズ
マ化したものであっても良い。ただし、除去することを
目的としない膜や基板が共に除去されてしまわないよう
に、接着層の材料と、除去することを目的としない膜及
び基板の材料によって、適切な流体を選択することが肝
要である。

【０２４２】そして、接着層としては、多孔質シリコン
層又は水素、酸素、窒素もしくは希ガスを添加したシリ
コン層を用いる。また、多孔質シリコン膜を用いる場
合、非晶質シリコン膜もしくは多結晶シリコン膜を陽極
化成処理により多孔質化して用いても良い。

【０２４３】図１７に、ウォータージェット法を用いて
接着層を除去している様子を示す。基板１６０１と基板
１６０２の間に、ＯＬＥＤ１６０４が設けられている。
ＯＬＥＤ１６０４は絶縁膜１６０３で覆われている。

【０２４４】また、基板１６０１とＯＬＥＤ１６０４と
の間には、絶縁膜１６０５と接着層１６０６が設けられ
ている。そして接着層１６０６は基板１６０１に接して
いる。なおここでは代表的にＯＬＥＤだけを示している
が、通常はＴＦＴやその他の素子も絶縁膜１６０５と絶
縁膜１６０３の間に設けられている。

【０２４５】なお、接着層１６０６の膜厚は０．１〜９
００μm（好ましくは０．５〜１０μm）で良い。本実施
例では、接着層１６０６として１μｍの膜厚のＳＯＧを
用いる。

【０２４６】そして、ノズル１６０８から流体１６０７
を接着層１６０６に吹きつける。なお、接着層１６０６
の露出している部分全てに、効率良く流体１６０７を吹
き付けるために、基板と垂直な中心線を軸に接着層１６
０６を矢印のように回転させながら流体を吹き付けると
良い。

【０２４７】ノズル１６０８からは１×１０⁷〜１×１
０⁹Ｐａ（好ましくは３×１０⁷〜５×１０⁸Ｐａ）の圧
力が加わった流体１６０７が噴射されて、接着層１６０
６の露出している部分に吹きつけられる。流体１６０７
は試料が回転しているため接着層１６０６の露出面に沿
って吹きつけられていく。

【０２４８】ノズル１６０８から噴射される流体が接着
層１６０６に吹きつけられると、その衝撃により接着層
が脆性により崩壊して除去されるか、化学的に除去され
る。これにより、接着層１６０６は崩壊もしくは除去さ
れ、基板１６０１と絶縁膜１６０５とが分離される。接
着層の崩壊により分離させた場合、残存した接着層は改
めてエッチングにより除去すれば良い

【０２４９】なお、流体１６０７は水、有機溶媒、酸性
溶液もしくはアルカリ性溶液といった液体を用いても良
い、空気、窒素ガス、炭酸ガスもしくは希ガスといった
気体を用いても良い。さらにこれらのガスをプラズマ化
したものでも良い。

【０２５０】本実施例は、実施例１〜８と組み合わせて
実施することが可能である。

【０２５１】（実施例１０）本発明において、三重項励
起子からの燐光を発光に利用できる有機発光材料を用い
ることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させること
ができる。これにより、ＯＬＥＤの低消費電力化、長寿
命化、および軽量化が可能になる。

【０２５２】ここで、三重項励起子を利用し、外部発光
量子効率を向上させた報告を示す。(T.Tsutsui, C.Adac
hi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized
Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub.,
Tokyo,1991) p.437.)

【０２５３】上記の論文により報告された有機発光材料
（クマリン色素）の分子式を以下に示す。

【０２５４】

【化１】

【０２５５】(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson,S.R.Forrest, Nature
395 (1998) p.151.)

【０２５６】上記の論文により報告された有機発光材料
（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。

【０２５７】

【化２】

【０２５８】(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows,
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu
ra,T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma
yaguchi, Jpn.Appl.Phys.,38 (12B) (1999) L1502.)

【０２５９】上記の論文により報告された有機発光材料
（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。

【０２６０】

【化３】

【０２６１】以上のように三重項励起子からの燐光発光
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。

【０２６２】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例９のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０２６３】（実施例１１）有機発光材料は、一般的に
インクジェット法、スピンコート法、蒸着法を用いて成
膜されている。本実施例では、上記方法以外の、有機発
光層の成膜方法について説明する。

【０２６４】本実施例では、有機発光材料を構成してい
る分子の集合体を分散させたコロイド溶液（ゾルとも呼
ぶ）を用いたスプレー噴射により、不活性ガス雰囲気下
で基板上に有機発光材料の分子の集合体を含む膜を形成
する。なお、有機発光材料は、液体中に数個の分子が集
合した粒子として存在している。

【０２６５】図１８に、有機発光材料であるイリジウム
錯体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉ
ｒ（ｐｐｙ）₃）と、ホストとなる有機発光材料（以
下、ホスト材料という）であるバソキュプロイン（ＢＣ
Ｐ）とをトルエンに分散させた組成物を、不活性ガス
（本実施例では窒素ガス）でノズル（図示しない）から
噴射させて、有機発光層６５０を成膜している様子を示
す。

【０２６６】なお、図１８では、マスク６５１を用いて
選択的に有機発光層６５０を２５〜４０ｎｍの膜厚で成
膜する。イリジウム錯体はトルエンに不溶であり、また
ＢＣＰもトルエンに不溶である。

【０２６７】実際には、有機発光層は単層で用いる場合
と、複数の層を積層して用いる場合とがある。複数の層
を積層して用いる場合、有機発光層６５０を成膜した後
に、別の有機発光層を同様に成膜して積層する。この場
合、積層された全ての有機発光層をまとめて有機発光層
と総称する。

【０２６８】本実施例の成膜方法では、液体中の有機発
光材料がどのような状態であろうとも成膜可能な手段で
あり、特に溶解しにくい有機発光材料を用いて良質な有
機発光層を形成するのに有効な方法である。そして、キ
ャリアガスを用いて有機発光材料を含む液体を噴射（ス
プレー）させて成膜を行うため、短時間で成膜が可能で
ある。また、噴射させる有機発光材料を含む液体の作製
方法は、非常に単純なものとすることができる。また、
本実施例は、所望のパターンの膜を形成する場合には、
マスクを用い、マスクの開口部を通過させて成膜を行
う。また、高価な有機発光材料を効率よく使用するた
め、マスクに付着した有機発光材料を収集し、再度利用
することも可能である。

【０２６９】インクジェット法及びスピンコート法で
は、溶媒に対する溶解度が高い有機発光材料は用いるこ
とができないという制約があった。また蒸着法では、蒸
着させる前に有機発光材料自体が分解してしまう有機発
光材料は、用いることができないという制約があった。
しかし本実施例の成膜方法は、上述した制約にしばられ
ない。

【０２７０】本実施例の成膜方法に適している有機発光
材料として、キナクリドン、トリス（２−フェニルピリ
ジン）イリジウム、バソキュプロイン、ポリ（１，４−
フェニレンビニレン）、ポリ（１，４−ナフタレンビニ
レン）、ポリ（２−フェニル−１，４−フェニレンビニ
レン）、ポリチオフェン、ポリ（３−フェニルチオフェ
ン）、ポリ（１，４−フェニレン）、ポリ（２，７−フ
ルオレン）等が挙げられる。

【０２７１】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例１０のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施する
ことが可能である。

【０２７２】（実施例１２）本実施例では、本発明の発
光装置の、画素部の詳細な上面構造を図１９（Ａ）に、
回路図を図１９（Ｂ）に示す。図１９（Ａ）及び図１９
（Ｂ）では共通の符号を用いるので互いに参照すれば良
い。

【０２７３】スイッチング用ＴＦＴ８０２のソース領域
とドレイン領域は、一方ははソース配線８１５に電気的
に接続され、他方はドレイン配線８０５に電気的に接続
される。また、ドレイン配線８０５は電流制御用ＴＦＴ
８０６のゲート電極８０７に電気的に接続される。ま
た、電流制御用ＴＦＴ８０６のソース領域とドレイン領
域は、一方は電流供給線８１６に電気的に接続され、他
方はドレイン配線８１７に電気的に接続される。また、
ドレイン配線８１７は点線で示される画素電極８１８に
電気的に接続される。

【０２７４】このとき、８１９で示される領域には保持
容量が形成される。保持容量８１９は、電流供給線８１
６と電気的に接続された半導体膜８２０、ゲート絶縁膜
と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極８０７と
の間で形成される。また、ゲート電極８０７、第１層間
絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電流供給線８１６で
形成される容量も保持容量として用いることが可能であ
る。

【０２７５】本実施例は、実施例１〜１１と組み合わせ
ることが可能である。

【０２７６】（実施例１３）本実施例では本発明の発光
装置の回路構成例を図２０に示す。なお、本実施例では
デジタル駆動を行うための回路構成を示す。本実施例で
は、ソース側駆動回路９０１、画素部９０６及びゲート
側駆動回路９０７を有している。

【０２７７】ソース側駆動回路９０１は、シフトレジス
タ９０２、ラッチ（Ａ）９０３、ラッチ（Ｂ）９０４、
バッファ９０５を設けている。なお、アナログ駆動の場
合はラッチ（Ａ）、（Ｂ）の代わりにサンプリング回路
（トランスファゲート）を設ければ良い。また、ゲート
側駆動回路９０７は、シフトレジスタ９０８、バッファ
９０９を設けている。バッファ９０９は必ずしも設ける
必要はない。

【０２７８】また、本実施例において、画素部９０６は
複数の画素を含み、その複数の画素にＯＬＥＤが設けら
れている。このとき、ＯＬＥＤの陰極は電流制御ＴＦＴ
のドレインに電気的に接続されていることが好ましい。

【０２７９】これらソース側駆動回路９０１およびゲー
ト側駆動回路９０７は実施例２〜４で得られるｎチャネ
ル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴで形成されてい
る。

【０２８０】なお、図示していないが、画素部９０６を
挟んでゲート側駆動回路９０７の反対側にさらにゲート
側駆動回路を設けても良い。この場合、双方は同じ構造
でゲート配線を共有しており、片方が壊れても残った方
からゲート信号を送って画素部を正常に動作させるよう
な構成とする。

【０２８１】本実施例は、実施例１〜１２と組み合わせ
ることが可能である。

【０２８２】（実施例１４）発光装置は自発光型である
ため、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性
に優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示
部に用いることができる。

【０２８３】本発明の発光装置を用いた電子機器とし
て、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音響再生装置（カーオーディをディオコン
ポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌｖ
ｅｒｓａｔｉｌｅｄｉｓｃ）等の記録媒体を再生し、
その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）など
が挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多
い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、
発光装置を用いることが望ましい。それら電子機器の具
体例を図２１に示す。

【０２８４】図２１（Ａ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２１０
２に用いることができる。

【０２８５】図２１（Ｂ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いることが
できる。

【０２８６】図２１（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０
１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明
の発光装置は表示部２５０２に用いることができる。

【０２８７】ここで図２１（Ｄ）は携帯電話であり、本
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明の発光装置は表示部２７０３に用いることができ
る。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を
表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができ
る。

【０２８８】なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が
高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡
大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクター
に用いることも可能となる。

【０２８９】また、上記電子機器はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機発光材料の応
答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好まし
い。

【０２９０】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。

【０２９１】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１３に示し
たいずれの構成の発光装置を用いても良い。

【０２９２】（実施例１５）ＯＬＥＤに用いられる有機
発光材料は低分子系と高分子系に大別される。本発明の
発光装置は、低分子系の有機発光材料でも高分子系の有
機発光材料でも用いることができる。

【０２９３】低分子系の有機発光材料は、蒸着法により
成膜される。したがって積層構造をとりやすく、ホール
輸送層、電子輸送層などの機能が異なる膜を積層するこ
とで高効率化しやすい。

【０２９４】低分子系の有機発光材料としては、キノリ
ノールを配位子としたアルミニウム錯体Ａｌｑ₃、トリ
フェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等が挙げられる。

【０２９５】一方、高分子系の有機発光材料は低分子系
に比べて物理的強度が高く、素子の耐久性が高い。また
塗布により成膜することが可能であるので、素子の作製
が比較的容易である。

【０２９６】高分子系の有機発光材料を用いた発光素子
の構造は、低分子系の有機発光材料を用いたときと基本
的には同じであり、陰極／有機発光層／陽極となる。し
かし、高分子系の有機発光材料を用いた有機発光層を形
成する際には、低分子系の有機発光材料を用いたときの
ような積層構造を形成させることは難しく、知られてい
る中では２層の積層構造が有名である。具体的には、陰
極（Ａｌ合金／発光層／正孔輸送層／陽極（ＩＴＯ）と
いう構造である。なお、高分子系の有機発光材料を用い
た発光素子の場合には、陰極材料としてＣａを用いるこ
とも可能である。

【０２９７】なお、素子の発光色は、発光層を形成する
材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光
を示す発光素子を形成することができる。発光層の形成
に用いることができる高分子系の有機発光材料は、ポリ
パラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポ
リチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。

【０２９８】ポリパラフェニレンビニレン系には、ポリ
（パラフェニレンビニレン） [ＰＰＶ] の誘導体、ポリ
（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレ
ン） [ＲＯ−ＰＰＶ]、ポリ（２−（２'−エチル−ヘキ
ソキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレ
ン）[ＭＥＨ−ＰＰＶ]、ポリ（２−（ジアルコキシフェ
ニル）−１,４−フェニレンビニレン）[ＲＯＰｈ−ＰＰ
Ｖ]等が挙げられる。

【０２９９】ポリパラフェニレン系には、ポリパラフェ
ニレン［ＰＰＰ］の誘導体、ポリ（２，５−ジアルコキ
シ−１，４−フェニレン）[ＲＯ−ＰＰＰ]、ポリ（２，
５−ジヘキソキシ−１，４−フェニレン）等が挙げられ
る。

【０３００】ポリチオフェン系には、ポリチオフェン
［ＰＴ］の誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）
［ＰＡＴ］、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）［ＰＨ
Ｔ］、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン）［ＰＣＨ
Ｔ］、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェ
ン）［ＰＣＨＭＴ］、ポリ（３，４−ジシクロヘキシル
チオフェン）［ＰＤＣＨＴ］、ポリ［３−（４−オクチ
ルフェニル）−チオフェン］［ＰＯＰＴ］、ポリ［３−
（４−オクチルフェニル）−２，２ビチオフェン］［Ｐ
ＴＯＰＴ］等が挙げられる。

【０３０１】ポリフルオレン系には、ポリフルオレン
［ＰＦ］の誘導体、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレ
ン）［ＰＤＡＦ］、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレ
ン）［ＰＤＯＦ］等が挙げられる。

【０３０２】なお、正孔輸送性の高分子系の有機発光材
料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の間に挟ん
で形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させること
ができる。一般にアクセプター材料と共に水に溶解させ
たものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶
媒には不溶であるため、上述した発光性の有機発光材料
との積層が可能である。

【０３０３】正孔輸送性の高分子系の有機発光材料とし
ては、ＰＥＤＯＴとアクセプター材料としてのショウノ
ウスルホン酸（ＣＳＡ）の混合物、ポリアニリン［ＰＡ
ＮＩ］とアクセプター材料としてのポリスチレンスルホ
ン酸［ＰＳＳ］の混合物等が挙げられる。

【０３０４】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例１４のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施する
ことが可能である。

【０３０５】

【発明の効果】本発明では、封止膜を有するプラスチッ
クフィルムでＯＬＥＤが設けられている基板全体を真空
封止することによって、水分や酸素によるＯＬＥＤの劣
化を防ぐ効果が増し、ＯＬＥＤの安定性を高めることが
できる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることがで
きる。

【０３０６】本発明では、複数の無機絶縁膜を積層する
ことで、無機絶縁膜にクラックが生じても、他の無機絶
縁膜で水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐ
ことができる。さらに、成膜温度が低いために無機絶縁
膜の膜質が低下するようなことがあっても、複数の無機
絶縁膜を積層することで、水分や酸素の有機発光層への
混入を効果的に防ぐことができる。

【０３０７】また、無機絶縁膜に比べて内部応力が小さ
い有機絶縁膜を、有機絶縁膜の間に挟むことで、絶縁膜
全体の内部応力を緩和することができる。よって、トー
タルの無機絶縁膜の厚さは同じであっても、１層のみの
無機絶縁膜に比べて、有機絶縁膜を間に挟んだ無機絶縁
膜は、内部応力によるクラックが入りにくい。

【０３０８】したがって、１層のみの無機絶縁膜に比べ
て、トータルの無機絶縁膜の膜厚は同じであっても、水
分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことがで
き、さらに、内部応力によるクラックが入りにくい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光装置の上面図及び断面図を示
す図。

【図２】封止膜の成膜装置の図。

【図３】本発明の発光装置の封止の仕方を示す図。

【図４】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図５】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図６】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図７】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図８】本発明の封止前の発光装置の外観図と、Ｆ
ＰＣとの接続部分の拡大図と断面図。

【図９】本発明の発光装置を撓めた様子を示す図
と、その断面図。

【図１０】本発明の封止前の発光装置のＦＰＣとの接
続部分の断面図。

【図１１】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図１２】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図１３】本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの
作製工程を示す図。

【図１４】本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの
作製工程を示す図。

【図１５】本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの
作製工程を示す図。

【図１６】本発明の発光装置の断面図。

【図１７】ウォータージェット法で接着層を除去して
いる様子を示す図。

【図１８】スプレー噴射により有機発光層を成膜して
いる様子を示す図。

【図１９】画素の上面図及び画素の回路図。

【図２０】発光装置の回路構成を示す図。

【図２１】本発明の発光装置を用いた電子機器の図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】間に発光素子が形成された第１のプラスチ
ック基板と第２のプラスチック基板を、複数の絶縁膜が
内側に積層された、可撓性を有する袋状のプラスチック
フィルムの内部に入れ、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項２】一方の面に発光素子が形成されたプラスチ
ック基板を、複数の絶縁膜が内側に積層された、可撓性
を有する袋状のプラスチックフィルムの内部に入れ、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項３】請求項１または請求項２において、前記プ
ラスチック基板は、ポリエーテルスルホン、ポリカーボ
ネート、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレ
ンナフタレートを有することを特徴とする発光装置の作
製方法。
【請求項４】第１の基板上に第１接着層を形成し、前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に発光素子を形成し、前記発光素子を覆って第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜に第２の基板を第２接着層で貼り合わ
せ、前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取
り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、第３の基板と、前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り
合わせ、積層された複数の絶縁膜で前記第２の基板及び前記第３
の基板を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内
側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフ
ィルムを設け、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記第２の基板及び前記第３の基板はプラスチックで形
成されており、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項５】第１の基板上に第１接着層を形成し、前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び
配線を形成し、前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２
の絶縁膜を形成し、第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合
わせ、前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取
り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合
わせ、前記第２の基板、前記第２の絶縁膜及び前記第２接着層
の一部を除去することで前記配線の一部を露出させ、異
方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦ
ＰＣが有する端子とを電気的に接続し、積層された複数の絶縁膜で前記第２の基板及び前記第３
の基板を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内側に形成された、可撓
性を有する袋状のプラスチックフィルムを設け、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記第２の基板及び前記第３の基板はプラスチックで形
成されており、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項６】第１の基板上に第１接着層を形成し、前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び
配線を形成し、前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２
の絶縁膜を形成し、第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合
わせ、前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取
り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合
わせ、前記第３の基板、前記第１の絶縁膜及び前記第３接着層
の一部を除去することで前記配線の一部を露出させ、異
方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦ
ＰＣが有する端子とを電気的に接続し、積層された複数の絶縁膜で前記第２の基板及び前記第３
の基板を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が内
側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチックフ
ィルムを設け、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記第２の基板及び前記第３の基板はプラスチックで形
成されており、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項７】請求項４乃至請求項６のいずれか１項にお
いて、前記第１接着層に対して流体を噴射することによ
り、前記第１接着層を除去することを特徴とする発光装
置の作製方法。
【請求項８】請求項４乃至請求項６のいずれか１項にお
いて、前記第１接着層は、シリコンを有することを特徴
とする発光装置の作製方法。
【請求項９】請求項８において、前記第１接着層をフッ
化ハロゲンを用いて除去することを特徴とする発光装置
の作製方法。
【請求項１０】請求項４乃至請求項６のいずれか１項に
おいて、前記第１接着層は、ＳＯＧを有することを特徴
とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】請求項１０において、前記第１接着層を
弗化水素を用いて除去することを特徴とする発光装置の
作製方法。
【請求項１２】請求項４乃至請求項６のいずれか１項に
おいて、前記第１接着層をレーザー光を用いて除去する
ことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】請求項１２において、前記レーザー光
は、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザ
ー、ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ₄レーザーであること
を特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】請求項１２において、前記レーザー光
は、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波または第３高
調波であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】請求項４乃至請求項１４のいずれか１項
において、前記第２の基板、前記第３の基板または前記
プラスチックフィルムは、ポリエーテルスルホン、ポリ
カーボネート、ポリエチレンテレフタレートまたはポリ
エチレンナフタレートを有することを特徴とする発光装
置の作製方法。
【請求項１６】請求項４乃至請求項１５のいずれか１項
において、前記プラスチックフィルムは、ポリエステ
ル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ弗化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレ
ンテレフタレートまたはナイロンを有することを特徴と
する発光装置の作製方法。
【請求項１７】第１の基板上に第１接着層を形成し、前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に発光素子を形成し、前記発光素子を覆って第２の絶縁膜を形成し、第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合
わせ、前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取
り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合
わせ、前記第２接着層を除去することで、前記第２の基板を取
り除いて前記第２の絶縁膜を露出させ、積層された複数の絶縁膜で前記第３の基板及び前記第２
の絶縁膜を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が
内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチック
フィルムを設け、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記第３の基板はプラスチックで形成されており、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項１８】第１の基板上に第１接着層を形成し、前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び
配線を形成し、前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２
の絶縁膜を形成し、第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合
わせ、前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取
り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合
わせ、前記第２接着層を除去することで、前記第２の基板を取
り除いて前記第２の絶縁膜を露出させ、前記第２の絶縁膜の一部を除去することで前記配線の一
部を露出させ、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前
記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続
し、積層された複数の絶縁膜で前記第３の基板及び前記第２
の絶縁膜を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が
内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチック
フィルムを設け、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記第３の基板はプラスチックで形成されており、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項１９】第１の基板上に第１接着層を形成し、前記第１接着層上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び
配線を形成し、前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２
の絶縁膜を形成し、第２の基板と前記第２の絶縁膜とを第２接着層で貼り合
わせ、前記第１接着層を除去することで、前記第１の基板を取
り除いて前記第１の絶縁膜を露出させ、第３の基板と前記第１の絶縁膜とを第３接着層で貼り合
わせ、前記第２接着層を除去することで、前記第２の基板を取
り除いて前記第２の絶縁膜を露出させ、前記第３の基板、前記第１の絶縁膜及び前記第３接着層
の一部を除去することで前記配線の一部を露出させ、異
方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦ
ＰＣが有する端子とを電気的に接続し、積層された複数の絶縁膜で前記第３の基板及び前記第２
の絶縁膜を覆うように、前記積層された複数の絶縁膜が
内側に形成された、可撓性を有する袋状のプラスチック
フィルムを設け、前記プラスチックフィルムの内部を排気し、前記プラスチックフィルムの口を封じる発光装置の作製
方法であって、前記第３の基板はプラスチックで形成されており、前記複数の絶縁膜のうち、少なくとも１つの絶縁膜は他
の絶縁膜よりも内部応力が小さいことを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項２０】請求項１７乃至請求項１９のいずれか１
項において、前記第１接着層または前記第２接着層のい
ずれか一方が、流体を噴射することにより除去されるこ
とを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２１】請求項１７乃至請求項１９のいずれか１
項において、前記第１接着層は、シリコンを有すること
を特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２２】請求項２１において、前記第１接着層を
フッ化ハロゲンを用いて除去することを特徴とする発光
装置の作製方法。
【請求項２３】請求項１７乃至請求項１９のいずれか１
項において、前記第１接着層は、ＳＯＧを有することを
特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２４】請求項２３において、前記第１接着層を
弗化水素を用いて除去することを特徴とする発光装置の
作製方法。
【請求項２５】請求項１７乃至請求項１９のいずれか１
項において、前記第１接着層または前記第２接着層のい
ずれか一方が、レーザー光を用いて除去されることを特
徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２６】請求項２５において、前記レーザー光
は、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザー
や、ＹＡＧレーザーや、ＹＶＯ₄レーザーであることを
特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２７】請求項２５において、前記レーザー光
は、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波または第３高
調波であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２８】請求項１７乃至請求項２７のいずれか１
項において、前記第３の基板は、ポリエーテルスルホ
ン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートま
たはポリエチレンナフタレートを有することを特徴とす
る発光装置の作製方法。
【請求項２９】請求項１７乃至請求項２８のいずれか１
項において、前記プラスチックフィルムは、ポリエステ
ル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ弗化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレ
ンテレフタレートまたはナイロンを有することを特徴と
する発光装置の駆動方法。
【請求項３０】請求項５乃至請求項２９のいずれか１項
において、前記複数の絶縁膜のうち、前記少なくとも１
つの絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポ
リイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ
樹脂を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３１】請求項５乃至請求項３０のいずれか１項
において、前記複数の絶縁膜のうち、前記少なくとも１
つの絶縁膜は、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチ
レン、ポリスチレン、ベンゾシクロブテン、ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリ塩化ビニルまたはポリパラ
キシリレン系樹脂を有することを特徴とする発光装置の
作製方法。
【請求項３２】請求項５乃至請求項３１のいずれか１項
において、前記複数の絶縁膜のうち、前記他の絶縁膜
は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化
アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪
化アルミニウムを有することを特徴とする発光装置の作
製方法。