JPH10239675A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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Abstract
造方法を提供する。 【解決手段】耐熱性を有する耐熱性基板10に、照明光
の照射により剥離を生ずる剥離層11を形成し、剥離層
11に、薄膜素子を設けた薄膜素子層12を形成し、剥
離層11に対し、前記耐熱性基板10側から照射光を照
射して当該剥離層11に剥離を生じさせ、剥離された前
記薄膜素子層12を、前記耐熱性基板10より薄い第1
の透明基板14に接着し、該第1の透明基板14と薄膜
素子が設けられていない第2の透明基板20との間にゲ
ストホスト液晶層を挟持して液晶デバイスを形成する。
そして、色の異なる複数の上記ゲストホスト液晶デバイ
スを積層し貼り合わせることによりカラー液晶表示装置
を製造する。
Description
装置に係り、特に、薄く、明るく、また、色ズレを生ず
ることがないカラーの液晶表示装置の製造方法に関す
る。
可能な反射型カラー液晶表示装置を求めて、従来から種
々の方式が提案されてきた。その中でも、文献(SID
96DIGEST、p103〜106)に示された方式
が、表示面を暗くする偏光板やカラーフィルター層を使
用しないため最もカラー表示画質(明るさ、色純度、コ
ントラスト比)が優れている方式として期待されてい
る。
イエローの各原色を示す二色性色素を各々含む複数のゲ
ストホスト液晶セルを用意し、それら複数の液晶セルを
積み重ね、垂直な方向から観察した時に全てのセルに於
いて各原色の対応する画素が重なり合うように位置を合
わせて貼り合わされる。しかる後、各ゲストホスト液晶
セルを独立して駆動すれば、3原色が合成されてカラー
表示が行われる。
ンダ、イエロー各色のゲストホスト液晶セルを用いた表
示装置を製造する際、各セルを重ねてカラー表示用液晶
表示装置を構成すると、色ズレを生ずる可能性があっ
た。
基板上にTFT等の素子を形成するには、基板を400
℃以上の高温の雰囲気下におかなければならない。この
高い温度に耐えるために、基板には厚いガラスを用いる
必要がある。このため、この厚いガラス基板を用いた各
原色からなるゲストホスト液晶セルを重ね合わせて、カ
ラー表示用液晶表示装置を製造すると、ゲストホスト液
晶層間にガラス基板が入り込むため、ゲストホスト液晶
層間の距離が大きくなる。
直な方向から観察すれば、各原色の対応する画素は重な
って見えるため、適正なカラー表示が行われる。ところ
が、わずかでもずれた方向から観察すると、各原色の見
える位置も異なってくる。このため、カラー表示に色ズ
レが生じてしまうのである。
見る角度によって色ズレの生じない表示装置を製造する
必要がある。
を形成する限り、素子を設けた駆動基板は常に一定の厚
さを有することになる。このことは軽く、薄いフィルム
状の表示装置を製造する上で妨げになる。
色ズレの生じないカラーの液晶表示装置の製造方法を提
供することを課題とする。
示装置の製造方法は、(a) 耐熱性を有する耐熱性基板
に、照明光の照射により剥離を生ずる剥離層を形成する
剥離層形成工程と、(b) 前記剥離層形成工程により形
成された剥離層に、薄膜素子を設けた薄膜素子層を形成
する薄膜素子形成工程と、(c) 前記薄膜素子形成工程
により形成された薄膜素子層に、前記耐熱性基板より厚
みの薄い薄厚基板を形成する薄厚基板形成工程と、(d)
前記剥離層に対し、前記耐熱性基板側から照射光を照
射して当該剥離層に剥離を生じさせ、前記薄厚基板が形
成された薄膜素子層を分離する照射分離工程と、(e)
分離された前記薄膜素子層の薄膜素子により駆動される
二色性色素を含むゲストホスト液晶デバイスを製造する
液晶デバイス製造工程と、を備える。
では、前記薄膜素子形成工程は、薄膜素子自体を形成す
る工程と、当該薄膜素子に樹脂層を形成する工程と、を
備える。
では、前記液晶デバイス製造工程は、(a)前記薄厚基
板が形成された薄膜素子層と透明基板とを、所定の間隙
をおいて接着する接着工程と、(b)前記接着工程で接
着された前記薄膜素子層と透明基板との間隙に、液晶お
よび二色性色素の混合液を充填する充填工程と、を備え
る。
は、前記液晶デバイス製造工程により複数の原色に対応
するゲストホスト液晶デバイスを各々製造し、さらに各
前記複数のゲストホスト液晶デバイスを貼り合わせて液
晶表示装置を製造する液晶表示装置製造工程を備える。
する薄膜素子層の形成時には、耐熱基板上で薄膜素子の
形成が行われた後、厚みが耐熱性基板より薄い透明基板
に貼り替えられる。この薄い透明基板ともう一つの透明
基板との間に、シアン、マゼンダ、又はイエロー等から
なる各原色毎の二色性色素と液晶とからなるゲストホス
ト液晶層を挟持して貼り合わせれば、各原色毎に薄いゲ
ストホスト液晶デバイスが製造できる。
トホスト液晶デバイスを積層してカラー表示用の液晶表
示装置を構成した場合、デバイス間はより薄い透明基板
により隔てられる。この液晶表示装置を斜めの方向から
観察しても、各デバイス間の距離が短いため、色ズレが
生じない。また、透明基板を薄くできるので薄型、軽量
化が図れる他、反射光の光量を多くでき、明るいカラー
表示が行える。
を、図面を参照して説明する。
の製造方法の各工程における層構造の断面図を示す。本
実施形態の製造方法を概説すれば、最初に耐熱性のある
基板に剥離層を介してトランジスタ薄膜層を形成した
後、当該剥離層に剥離を生じさせてトランジスタ薄膜層
を分離し、これを薄い透明基板に張り替えてから、液晶
表示装置を形成するものである。以下、これを具体的に
説明する。
ラス基板10に剥離層11を形成する。薄膜素子である
薄膜トランジスタを形成するには、少なくとも400度
以上の高温の雰囲気が必要とされる。このトランジスタ
を形成する基台である基板10としては、このような高
温に耐え、物理的、化学的変性が生ぜず、変形はもとよ
り、ある程度の機械的強度を有する材料であることが望
まれる。光透過性は10%以上あることが好ましい。光
透過率が低すぎると、後に述べる照射光の減衰が大きく
なるからである。ただし、この基板は、分離後は再利用
されるものなので、価格を考慮する必要もない。このよ
うな材料としては、石英ガラス、ソーダガラス、耐熱ガ
ラス等があげられる。基板厚としては、0.1mm〜5
mm程度、好ましくは0.5mm〜1.5mm程度とす
る。基板が厚すぎると剥離のための照射光の減衰が多く
なり、薄すぎると、十分な機械的強度が保てなくなるか
らである。
層内や界面において剥離を生ずるものである。すなわ
ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質の
原子間または分子間の結合力が消失しまたは減少し、ア
ブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こ
す。このような剥離層11の組成としては、以下が考え
られる。
非結晶シリコン(a−Si) 2) 酸化ケイ素若しくはケイ酸化合物、酸化チタン若
しくはチタン酸化合物、酸化ジルコニウム若しくはジル
コン酸化合物、酸化ランタン若しくはランタン酸化合物
等の各種酸化物セラミックス、または誘電体あるいは半
導体 3) ジルコン酸チタン(PZT)、PLZT、PLLZ
T、PBZT等のセラミックスまたは誘電体 4) 窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物
セラミックス 5) ―CH2―、―CO−,−CONH−、−NH−
等の有機高分子材料 6) Al、Li、Ti、Mn,In,Sn,Y,L
a,Ce,Nd,Pr,Gd若しくはSm、またはこれ
らのうち少なくとも一種を含む合金 剥離層11の厚さとしては、通常1nm〜10μm程
度、より好ましくは40nm〜1μm程度にする。膜厚
が薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われ、膜厚
が厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワーを上
げる必要があったり、また、剥離後に剥離層の残渣を除
去するのに時間を要したりするからである。
低圧CVDやプラズマCVDにより成膜するのが好まし
い。この他、MOCVD、ECR−CVD、蒸着、分子
線蒸着、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
PVD法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッ
キ、無電解メッキ法、ラングミュア・ブロジェット法、
スピンコート、スプレーコート、ロールコート法等の塗
布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジ
ェット法等に適用できる。これらのうち2種以上の方法
を組み合わせてもよい。
離層11の上に酸化ケイ素等の絶縁層を設けてもよい。
絶縁層は、剥離層11に照射光照射時の断熱を行う。
(b)): 剥離層11の形成後、薄膜トランジスタ(TF
T)121の形成を行う。薄膜トランジスタは、画素ご
とに一つ形成される。そのドレインには、透明電極12
2が形成される。薄膜トランジスタ121および透明電
極122各一個で、一つの画素要素120を構成する。
画素要素120を形成した層をトランジスタ薄膜層12
とする。ガラス基板10は十分な耐熱性があるため、高
温下でトランジスタ薄膜の形成が行える。
M等の液晶表示装置を駆動するに足りる能動素子が適用
可能である。薄膜素子は、耐熱性のあるガラス基板10
上で形成されるため、通常の成膜方法で形成できる素子
なら適用が可能である。透明電極122としては、ある
程度の光透過性のある材料であることが必要とされる。
このような材料としてITO膜が挙げられる。膜厚は、
光透過性を損なわず、かつ表示駆動に足る導電性を確保
するため、例えば900Å程度とする。
ク、露光、現像およびエッチング等の公知のパターン成
形技術を用いて行う。
タ薄膜層12の上に樹脂層13を形成する。この樹脂層
は、プラスチック基板14を貼り合わせ易くするため
に、トランジスタ薄膜層12の凹凸を吸収し、かつ、プ
ラスチック基板14の接合が可能な表面とするため用い
る。樹脂層13の組成としては、すでにトランジスタ薄
膜層が設けられ、高温化にさらされることがないので、
絶縁性を有し、良好な光透過性を備えたものならばよ
い。例えば、2Pモノマー樹脂等を使用できる。又、樹
脂層13としてホットメルト接着性を有する樹脂材を使
用すれば次工程であるプラスチック基板の接着がより容
易になる。
樹脂層13の表面にプラスチック基板14を貼りつけ
る。この基板14は、表示デバイスのゲストホスト液晶
層を挟み込む基板の一方となる。すでにトランジスタ薄
膜層12の形成が終わっているので、可能な限り厚みの
薄い基板を用いることができる。すなわち、トランジス
タ薄膜層を形成するには組成や機械的強度の点で問題が
あり、使用できなかった基板であっても、ここで使用す
ることができる。なお、プラスチック基板の代わりに、
ガラス等の組成であっても極力厚みを薄くしたもの、さ
らには可撓性のあるプラスチックフィルム等に貼り合わ
せが可能である。例えば、プラスチックフィルムは耐熱
が200度程度であるが、これでも十分使用が可能であ
る。
るものである必要がある。その膜厚は、5μm〜0.4
mm程度が好ましい。膜厚が厚すぎると光透過性が悪く
なるとともに、本発明の目的である色ズレの防止ができ
なくなり、膜厚が薄すぎると製造工程で必要とされる最
低限の機械的強度を担保できないからである。
14が貼り合わせられたら、ガラス基板10側からレー
ザ光40等を照射する。レーザ光40は基板10を透過
し、剥離層11に照射される。剥離層11は、これによ
り、基板との界面あるいはその層内において、原子間あ
るいは分子間の結合力が減少あるいは消滅する。レーザ
光40の照射時、剥離層11の組成にはアブレーション
が生じ、また剥離層内部のガスの放出、レーザ光40に
よる融解、蒸散等の相変化が生じていると推測される。
離を生じさせるものであればよい。特にアブレーション
を生じさせ易いという点で、波長248nmまたは30
8nmのエキシマーレーザ(excimer lase
r)光を用いるのが好ましい。照射されるレーザ光のエ
ネルギー密度は、上記エキシマーレーザ光の場合、10
〜5000mJ/cm2程度、照射時間は、1〜1000ns
ec程度、好ましくは10〜100nsec程度とす
る。エネルギー密度が低すぎたり短かすぎたりすれば十
分なアブレーションを生じさせることができず、エネル
ギー密度が高すぎたり照射時間が長すぎたりすれば、剥
離層ばかりかトランジスタ薄膜層12に悪影響を与えた
り、破壊したりするからである。
に、複数回に分けて照射光を照射したり同一個所に2回
以上照射してもよい。さらに、照射光におけるレーザ光
の種類、その波長等を異ならせてもよい。
ラス基板10およびトランジスタ薄膜層12には剥離層
11の残渣が付着しているので、洗浄、エッチング、ア
ッシング、研磨等の方法でこれを除去する。分離したガ
ラス基板10は再利用に回される。
トランジスタ薄膜層12に貼り合わせられたプラスチッ
ク基板14は、透明電極21が設けられた他のプラスチ
ック基板20と、所定の間隙をおいて貼り合わせられ
る。貼り合わせは、エポキシ樹脂等の接着剤を用いる。
この接着剤は、両基板を接着する他、後に形成するゲス
トホスト液晶層の厚みを保持すると共に、水分、気泡、
その他各種汚染物が侵入するのを防止する役割を果たす
周囲シール部33となる。
(c)):シアン、マゼンダ、イエロー等の各二色性色
素と液晶材との混合物からなる各原色毎のゲストホスト
液晶を各々用意し、上記貼り合せ工程により接着された
両基板の間隙に上記ゲストホスト液晶34Aを各々注入
し各色のゲストホスト液晶デバイスを作成する。ゲスト
ホスト液晶デバイス貼り合わ工程(図3(a)(b)):
上記工程により、マゼンダ色液晶デバイス61、シアン
色液晶デバイス62およびイエロー色液晶デバイス63
を形成したら、これらをそれぞれ貼り合わせる。この貼
り合せは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の接着剤70
により行う。貼り合せにあたって、当該液晶デバイスの
層面に垂直な方向から見て、各液晶デバイスに設けられ
た同一アドレスに係る画素要素120が互いに同一直線
上に並ぶように注意して貼り合わせる。その後で、貼り
合わされた液晶デバイスの最下面に白色反射板100
(白色紙、白布、酸化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、又はアルミニウム、銀等からなる鏡面上に光散乱板
を配したものなどが良い)を配置する。
液晶表示装置60が完成する。この液晶表示装置60に
対し、各液晶デバイスの透明電極21を共通電極として
電気的に接続し、各液晶デバイスの薄膜トランジスタ1
21のゲートに各画素の各原色の制御出力端子を接続す
れば、液晶表示が行えるようになる。
造したゲストホスト液晶デバイスの断面図を示し表示原
理を説明する。符号はいづれも共通部材については前図
面と共通の符号を使用している。14は前述した方法に
より形成された薄厚基板で内面に透明電極122および
薄膜トランジスタ121を有する。20は同様にプラス
チック基板で、やはり内面に透明電極21を有する。3
4Aは、シアン、マゼンダ、又はイエロー等のゲストホ
スト液晶層で、液晶分子98及び二色性色素99を少な
くとも含む混合物からなる。ここでは領域55は無電圧
(V0)(すなわち、電位差がゼロ)の領域であり、領
域54は、電圧(V1)が印加されている領域である。
まず、無電圧領域55に於いては基板近傍を除く大部分
の液晶分子98はラセン構造を取り、液晶分子の長軸は
両基板14及び20の面に略平行な方位を取る。従っ
て、二色性色素99も同様にゲストホスト効果に従い略
平行な方位を取る。この結果、入射光51は該二色性色
素99により光吸収される。ここで今、該二色性色素9
9がシアン色の場合には、シアン色を呈する波長光のみ
が透過し、他の波長光は吸収される。透過したシアン色
の波長光は下部に配置された白色反射板100によって
反射され前面に戻る。従って、該領域55に於いてはシ
アン色の外観が得られる。同様に、二色性色素99がイ
エロー色の場合にはイエロー色が、マゼンダ色の場合に
はマゼンダ色の外観が得られる。
印加されている。ここで液晶分子98の誘電異方性(△
ε)を正にしておけば液晶分子98は前記両基板14、
20の面に対して略垂直に配向する。従ってゲストホス
ト効果により二色性色素99も同様に略垂直に配向する
ため入射光50に対して光吸収性が殆ど失われ入射光5
0はそのまま白色反射板100に達しそこで反射されて
前面に戻るため略白色の外観が得られる。このようにし
て二色性色素の方位を電圧の有無により変えることによ
って色素の色と白色とを切り替えて表示することができ
る。
理であるが、液晶分子の基板面近傍の配向、中間部のラ
セン状の液晶分子配列の方法等、さらに詳しい説明につ
いては文献(液晶デバイスハンドブック、日本学術振興
会、第142委員会編、日刊工業新聞社発行、p315
〜329)等に記されている。
液晶材料98と二色性色素99との混合物からなるとし
たが、電圧無印加時に液晶分子がラセン配向を取るよう
に0.1〜3%程度のコレステリック液晶も加えた方が
よい。また更に、光硬化性樹脂のモノマーも適量加え、
上記ゲストホスト液晶を注入した後、光硬化させたもの
をゲストホスト液晶層34Aとして用いれば、表示駆動
電圧が低減できる他、0N,OFF切替時におけるヒス
テリシス現象の発生を押さえる効果もある。
造した各色のゲストホスト液晶デバイスを積層した反射
型カラー液晶表示装置動作原理を説明する断面図を示
す。
晶デバイスの2つの画素要素120について拡大してあ
る。領域54における各液晶デバイスの透明電極122
および透明電極21間には、所定の電圧V1が印加して
ある。電圧印加領域54では、前述したように液晶分子
が基板面に略垂直に配向する。このため、同様に二色性
色素も略垂直に配向する。よって、入射光58は、二色
性色素に殆ど吸収されること無く、すべての液晶デバイ
スを透過し、最下面の白色反射板100に達し、そこで
反射されて再度、前面に反射光56となって戻ってく
る。よって、この領域54では液晶表示装置60の表示
面は明るく(白く)見える。
透明電極122および透明電極21間の電位差は、無電
圧V0(すなわち、電位差がゼロ)に設定されている。電
圧が印加されないため、液晶分子及び二色性色素が前述
したようにラセン構造をとり層面にほぼ水平に配向す
る。このため、入射光57は、それぞれの液晶デバイス
の二色性色素により各色素に対応する波長光が吸収され
る。(緑色光53はマゼンダ色の二色性色素を含むゲス
トホスト液晶デバイス61で吸収され、赤色光52はシ
アン色の二色性色素を含むゲストホスト液晶デバイス6
2で吸収され、青色光51はイエロー色の二色性色素を
含むゲストホスト液晶デバイス63で吸収される。)よ
って、すべての原色光(51、52、53)が吸収される
のであるから、この状態では液晶表示装置60の表示面
は暗く(黒く)見える。
1のみ無電圧V0とし、他のゲストホスト液晶デバイス
62、63には電圧V1を印加した場合には、マゼンダ
色のみ透過し他の色波長光は吸収されるためマゼンダ色
の表示外観を呈する。同様にシアン色のゲストホスト液
晶デバイス62のみ無電圧V0とし、他のゲストホスト
液晶デバイス61、63には電圧V1を印加した場合に
は、シアン色のみ透過し他の色波長光は吸収されるため
シアン色の表示外観を呈する。更に同様に、イエロー色
のゲストホスト液晶デバイス63のみ無電圧V0とし、
他のゲストホスト液晶デバイス61、62には電圧V1
を印加した場合には、イエロー色のみ透過し他の色波長
光は吸収されるためイエロー色の表示外観を呈する。す
なわち、液晶デバイスごとに駆動電圧の有無を制御すれ
ば、カラー表示ができる。
液晶デバイスの基板の厚さを従来より薄くしているの
で、液晶表示装置全体の膜厚が薄くなっているととも
に、各ゲストホスト液晶層間の基板が薄くなっているた
め該層間の間隔が狭くなっている。このため、明るいば
かりか、垂直方向からややずれた方向から観察しても、
色ズレが生じにくい。実際に表示装置として使用する際
には、見る角度が浅くなる画面の周辺においても色ズレ
が生じにくくなる。
ガラス基板上にトランジスタ薄膜を形成した後、これを
剥離し、代わりに厚みの薄いプラスチック基板を接着
し、これを用いて各色ゲストホスト液晶デバイスを積み
重ねて液晶表示装置を製造するので、厚みが薄く明る
く、また、色ズレの生じにくいカラー液晶表示装置を提
供できる。
わらず種々に適用可能なものである。例えば、上記実施
形態では、ゲストホスト液晶を用いた液晶表示装置につ
いて説明したが、他の液晶表示装置に適用することもで
きる。
に薄膜素子を形成した後、これを剥離し、厚みの薄い薄
厚基板を形成するので、他の製造方法で製造された駆動
素子を設けた基板に比べ、厚みの薄い駆動基板を製造で
きる。従って、この駆動基板によって駆動される公知の
液晶表示機構を有する液晶表示装置を製作すれば、従来
より軽く、薄い液晶表示装置を提供できることになる。
示装置を製造する際に有効な液晶表示装置の製造方法を
提供できる。
ば、耐熱性を有する耐熱性基板に剥離層を形成し、該剥
離層上に薄膜素子を設けた薄膜素子層を形成し、該薄膜
素子層上に更に厚みの薄い薄厚基板を形成した後、耐熱
性基板側から照射光を照射して剥離層に剥離を生じさせ
るので、薄膜素子製造に使用できないような耐熱性の低
い薄い基板を薄膜素子層の基台にできる。
示装置を製造できる。そして明るく、かつ特に、複数の
原色のカラー液晶デバイスを重ねたカラー液晶表示装置
の色ズレを生じさせないものである。
は、薄膜素子に樹脂層を形成するので、薄膜素子形成
後、薄膜基板との貼り合せが容易であり、従来より薄い
液晶表示装置を製造できる。これは、フィルム状の液晶
表示装置を製造する時に有利である。
より、より薄い、複数の、原色のゲストホスト液晶デバ
イスを貼り合せてカラー液晶表示装置を製造するため、
全体として従来より薄い液晶表示装置が製造できる。こ
れにより、薄く、軽く、明るく、かつ特に、色ズレを生
じさせない美しいカラー表示画像が得られるカラー液晶
表示装置が実現できる。
(前半)。
(後半)。
原理説明図。
Claims (4)
- 【請求項1】耐熱性を有する耐熱性基板に、照明光の照
射により剥離を生ずる剥離層を形成する剥離層形成工程
と、 前記剥離層形成工程により形成された剥離層に、薄膜素
子を設けた薄膜素子層を形成する薄膜素子形成工程と、 前記薄膜素子形成工程により形成された薄膜素子層に、
前記耐熱性基板より厚みの薄い薄厚基板を形成する薄厚
基板形成工程と、 前記剥離層に対し、前記耐熱性基板側から照射光を照射
して当該剥離層に剥離を生じさせ、前記薄板基板が形成
された薄膜素子層を分離する照射分離工程と、 分離された前記薄膜素子層の薄膜素子により駆動される
二色性色素を含むゲストホスト液晶デバイスを製造する
液晶デバイス製造工程と、を備えたことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項2】前記薄膜素子形成工程は、薄膜素子自体を
形成する工程と、当該薄膜素子に樹脂層を形成する工程
と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記液晶デバイス製造工程は、 前記薄厚基板が形成された薄膜素子層と透明基板とを、
所定の間隙をおいて接着する接着工程と、 前記接着工程で接着された前記薄膜素子層と透明基板と
の間隙に、液晶および二色性色素の混合液を充填する充
填工程と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記液晶デバイス形成工程において、複
数の原色に対応するにゲストホスト液晶デバイスを各々
製造し、 さらに各前記複数のゲストホスト液晶デバイスを貼り合
わせて液晶表示装置を製造する液晶表示装置製造工程を
備えたこと、を特徴とする請求項3に記載の液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4440097A JP4146526B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4440097A JP4146526B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10239675A true JPH10239675A (ja) | 1998-09-11 |
JP4146526B2 JP4146526B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=12690471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4440097A Expired - Lifetime JP4146526B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4146526B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001331120A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
JPWO2004064018A1 (ja) * | 2003-01-15 | 2006-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及びその剥離方法を用いた表示装置の作製方法 |
JP2007173845A (ja) * | 2003-01-15 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 |
JP2008515015A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッド | 大規模液晶構造 |
US9397001B2 (en) | 2014-12-11 | 2016-07-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic device comprising a resin substrate and an electronic component |
JP2016131162A (ja) * | 2016-04-25 | 2016-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
JP2017010943A (ja) * | 2016-10-03 | 2017-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
JP2022095706A (ja) * | 2016-07-27 | 2022-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2023282034A1 (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | コニカミノルタ株式会社 | 支持体フィルムのリユース可否判定方法、支持体フィルムの洗浄方法、支持体フィルムのリユース方法、支持体フィルムロールの製造方法、転写性積層フィルムロールの製造方法、支持体フィルムのリユース可否判定プログラム、及び支持体フィルムのリユース可否判定システム |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP4440097A patent/JP4146526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001331120A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
US8508682B2 (en) | 2003-01-15 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method |
JP2010266873A (ja) * | 2003-01-15 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2014142642A (ja) * | 2003-01-15 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US9013650B2 (en) | 2003-01-15 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method |
US8830413B2 (en) | 2003-01-15 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method |
JP4637588B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP4637970B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2012104500A (ja) * | 2003-01-15 | 2012-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US8228454B2 (en) | 2003-01-15 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method |
JPWO2004064018A1 (ja) * | 2003-01-15 | 2006-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及びその剥離方法を用いた表示装置の作製方法 |
JP2016048701A (ja) * | 2003-01-15 | 2016-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2007173845A (ja) * | 2003-01-15 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 |
US7714950B2 (en) | 2003-01-15 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method |
JP2015129942A (ja) * | 2003-01-15 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法及び発光装置 |
US9299879B2 (en) | 2003-01-15 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method |
JP2008515015A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッド | 大規模液晶構造 |
US9397001B2 (en) | 2014-12-11 | 2016-07-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic device comprising a resin substrate and an electronic component |
JP2016131162A (ja) * | 2016-04-25 | 2016-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
JP2022095706A (ja) * | 2016-07-27 | 2022-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2017010943A (ja) * | 2016-10-03 | 2017-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
WO2023282034A1 (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | コニカミノルタ株式会社 | 支持体フィルムのリユース可否判定方法、支持体フィルムの洗浄方法、支持体フィルムのリユース方法、支持体フィルムロールの製造方法、転写性積層フィルムロールの製造方法、支持体フィルムのリユース可否判定プログラム、及び支持体フィルムのリユース可否判定システム |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060131 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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