JPS61262782A - 表示装置及びその作製方法 - Google Patents
表示装置及びその作製方法Info
- Publication number
- JPS61262782A JPS61262782A JP10369085A JP10369085A JPS61262782A JP S61262782 A JPS61262782 A JP S61262782A JP 10369085 A JP10369085 A JP 10369085A JP 10369085 A JP10369085 A JP 10369085A JP S61262782 A JPS61262782 A JP S61262782A
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- Japan
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- substrate
- display device
- display element
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示装置及びその製法に係)、特に特定膜上
に高精細な画素メタンの表示素子を形成した表示装置及
びその作製方法に関する。
に高精細な画素メタンの表示素子を形成した表示装置及
びその作製方法に関する。
従来、平面表示装置は、薄膜mIJ表示装置を例にとる
と、文献〔小沢口、大協、仕出及び村瀬(1i、Kog
awaguchi 、 J、Ohwaki 、 B、T
sujiyama。
と、文献〔小沢口、大協、仕出及び村瀬(1i、Kog
awaguchi 、 J、Ohwaki 、 B、T
sujiyama。
LMurase ) プロシーディンゲス オブ ザ
B X D (ProcescLingg of th
e Bより)第23/3巻、第181〜186頁(19
82)]に述べられているように、第2図に示す方法に
よシ作製されている。すなわち第2図は従来の平面表示
装置の作製方法を説明した工程図である。
B X D (ProcescLingg of th
e Bより)第23/3巻、第181〜186頁(19
82)]に述べられているように、第2図に示す方法に
よシ作製されている。すなわち第2図は従来の平面表示
装置の作製方法を説明した工程図である。
第2図において、符号1は基板、2は透明導電膜パタン
、3は381発光膜、4は絶縁膜モして5は金属膜パタ
ンを意味する。まず第2図(a)に示すように1ガラス
基板1上に工Toなどの透明導電膜パタン2を形成する
。次に、第2図(1))に示すように、B′L発光膜5
、絶縁膜4を続けて形成する。次に、第2図(Q)に示
すように、金属膜パタン5を形成し、平面表示装置の作
製を完了する。透明導電膜パタン2及び金属膜バタ 。
、3は381発光膜、4は絶縁膜モして5は金属膜パタ
ンを意味する。まず第2図(a)に示すように1ガラス
基板1上に工Toなどの透明導電膜パタン2を形成する
。次に、第2図(1))に示すように、B′L発光膜5
、絶縁膜4を続けて形成する。次に、第2図(Q)に示
すように、金属膜パタン5を形成し、平面表示装置の作
製を完了する。透明導電膜パタン2及び金属膜バタ 。
ン5は、通常、蒸着マスクを用いる方法、又は、フォト
リソグラフィを用いて形成される。これらの電極パタン
を高精細に形成するためには、蒸着マスクを用いる場合
は、蒸着マスクを基板1又は絶縁膜4に密着させなけれ
ばならない。
リソグラフィを用いて形成される。これらの電極パタン
を高精細に形成するためには、蒸着マスクを用いる場合
は、蒸着マスクを基板1又は絶縁膜4に密着させなけれ
ばならない。
また、フォトリングラフィを用いる場合は、解偉度の高
いフォトレジストパタンを得るために、基板1が高い平
面度を有していることが要求される。したがって、高精
細な画素パタンを有する大面積平面表示装置を実現する
ためには、いずれの電極パタン形成法を用いる場合でも
、基板1の材料は、平面度を高くできる剛体透明材料で
なければならない。以上では、薄膜Ill′L表示装置
の場合を例にとシ説明したが、他の平面表示装置の作製
においても、電極パタンを高精細に形成するには、全く
同様のことが基板1に対して要求される。このような要
求を満足できる材料は、現実的には各種ガラス材料しか
なく、従来、平面表示装置は、各種ガラス材料を基板に
用いて作製されてきた。
いフォトレジストパタンを得るために、基板1が高い平
面度を有していることが要求される。したがって、高精
細な画素パタンを有する大面積平面表示装置を実現する
ためには、いずれの電極パタン形成法を用いる場合でも
、基板1の材料は、平面度を高くできる剛体透明材料で
なければならない。以上では、薄膜Ill′L表示装置
の場合を例にとシ説明したが、他の平面表示装置の作製
においても、電極パタンを高精細に形成するには、全く
同様のことが基板1に対して要求される。このような要
求を満足できる材料は、現実的には各種ガラス材料しか
なく、従来、平面表示装置は、各種ガラス材料を基板に
用いて作製されてきた。
〔発明が解決しようとする問題点3
以上で説明した、従来の作製法による平面表示装置では
、基板1に各種ガラス材料を用いることに起因して、機
械的強度が劣る、重量が大である、更には価格が高くな
る、などの欠点があった。このような欠点のため、平面
表示装置の用途が限定されるという問題があった。
、基板1に各種ガラス材料を用いることに起因して、機
械的強度が劣る、重量が大である、更には価格が高くな
る、などの欠点があった。このような欠点のため、平面
表示装置の用途が限定されるという問題があった。
本発明の目的は、各種ガラス基板を用いることに起因す
る従来の平面表示装置の欠点を解決するため、改良した
表示装置及びそれを製作する方法を提供することにある
。
る従来の平面表示装置の欠点を解決するため、改良した
表示装置及びそれを製作する方法を提供することにある
。
本発明を概説すれば、本発明の第1の発明は表示装置に
関する発明であって、フレキ7ビリテイを有する膜上に
、表示素子が形成されていることを特徴とする。
関する発明であって、フレキ7ビリテイを有する膜上に
、表示素子が形成されていることを特徴とする。
そして、本発明の第2の発明は表示装置の作製方法に関
する発明であって、基板上に第1の膜を形成する工程、
該第1の膜上に表示素子を形成する工程、該表示素子上
に7レキクビリテイを有する第2の膜を形成する工程、
及び該基板から該表示素子を含む部分を分離する工程の
各工程を包含することを特徴とする。
する発明であって、基板上に第1の膜を形成する工程、
該第1の膜上に表示素子を形成する工程、該表示素子上
に7レキクビリテイを有する第2の膜を形成する工程、
及び該基板から該表示素子を含む部分を分離する工程の
各工程を包含することを特徴とする。
本発明の作製方法では、剛体基板上に表示素子を形成し
た後、フレキシビリティを有する膜を付着し、最後に剛
体基板から表示素子を含む部分を分離することを最も主
要な特徴とする。
た後、フレキシビリティを有する膜を付着し、最後に剛
体基板から表示素子を含む部分を分離することを最も主
要な特徴とする。
従来の技術とは、高精細なtiパタン加工は剛体基板上
で行い、最終的にはフレキシビリティを有する膜上に表
示素子部分を移す点が異なる。
で行い、最終的にはフレキシビリティを有する膜上に表
示素子部分を移す点が異なる。
以下、本発明を図面に基づいて具体的に説明する。第1
図は、本発明の1実施の態様を示す工程図でちる。第1
@において符号1〜5は第2図と同義であ夛、6は第1
の膜モして7は第2の膜を意味する。
図は、本発明の1実施の態様を示す工程図でちる。第1
@において符号1〜5は第2図と同義であ夛、6は第1
の膜モして7は第2の膜を意味する。
まず、基板1上に第1の膜6を形成し、第1図(a)に
示す構造を得る。基板1は平面の高い剛体であれば良く
、必ずしも透明である必要はない。したがって、基板1
の材料として、各種ガラスのほか、シリコンやステンレ
スも使用することができる。第1の膜は、基板との密着
性が比較的良くない材料、又は、溶液を用いて選択的に
溶解除去できる材料を選択する。具体的には、前者の場
合、フッ化ビニリデン含有高分子材料等が適し、後者の
場合、モリブデン等が適している。次に、第1の膜6上
に工TO等からなる透明電極パタン2を、蒸着マスク法
又はフォトリングラフィを用いて形成し、第1図(1)
)に示す構造を得る。次に、EL発光膜3及び絶縁膜4
を続けて形成し、第1図(C)の構造を得る。
示す構造を得る。基板1は平面の高い剛体であれば良く
、必ずしも透明である必要はない。したがって、基板1
の材料として、各種ガラスのほか、シリコンやステンレ
スも使用することができる。第1の膜は、基板との密着
性が比較的良くない材料、又は、溶液を用いて選択的に
溶解除去できる材料を選択する。具体的には、前者の場
合、フッ化ビニリデン含有高分子材料等が適し、後者の
場合、モリブデン等が適している。次に、第1の膜6上
に工TO等からなる透明電極パタン2を、蒸着マスク法
又はフォトリングラフィを用いて形成し、第1図(1)
)に示す構造を得る。次に、EL発光膜3及び絶縁膜4
を続けて形成し、第1図(C)の構造を得る。
次に、ムtなどの金属膜パタン5を、蒸着マスク法又は
フォトリソグラフィを用いて形成し、第1図(d)に示
す構造を得る。以上の工程によシ表示素子が完成する。
フォトリソグラフィを用いて形成し、第1図(d)に示
す構造を得る。以上の工程によシ表示素子が完成する。
透明導電膜パタン2の形、成から金属膜パタン5の形成
に至る加工々程は、全て平面度が高く、剛性を有する基
板1上で行われるため、精細度の高い加工が可能である
。
に至る加工々程は、全て平面度が高く、剛性を有する基
板1上で行われるため、精細度の高い加工が可能である
。
次に、フレキシビリティを有する樹脂などからなる第2
のgX7を形成し、第1図(e)に示す構造を得る。第
2の膜7の材料として、表示素子部分との密着性が優れ
た材料を用いることが望ましく、例えば、ポリイミド樹
脂やエポキシ樹脂等が適している。次に、基板1と表示
素子を含む部分を分離する。第1の膜6として、基板1
との密着性が比較的良くないフッ化ビニリデン含有高分
子物質等を用いた場合は、第1図(f)に示すように、
機械的な力を加えることによル基板1と表示素子を含む
部分を分離することができる。また、第1の膜として選
択的溶解除去が可能な材料、例えばモリブデンを用いた
場合、過酸化水、素水に基板1及び表示素子を含む部分
が一体となったものを浸漬するととくよジモリブデンの
みを選択的(溶解除去し、基板1と表示素子を含む部分
を分離することができる。以上の工程によル、7レキシ
ビリテイを有する第2の膜7上(高精細な画素メタンを
有する表示素子を配置した平面表示装置を実現すること
ができる。なお、上記工程において、基板1は全く消耗
しないから、繰返し、何度も使用するととができる。ま
た、以上では、表示素子としてEL表示素子を用いる場
合について説明したが、本発明はその他、様々な表示素
子を用いる場合でも適用可能である。更にまた曲面に密
着した表示装置も実現することができる。
のgX7を形成し、第1図(e)に示す構造を得る。第
2の膜7の材料として、表示素子部分との密着性が優れ
た材料を用いることが望ましく、例えば、ポリイミド樹
脂やエポキシ樹脂等が適している。次に、基板1と表示
素子を含む部分を分離する。第1の膜6として、基板1
との密着性が比較的良くないフッ化ビニリデン含有高分
子物質等を用いた場合は、第1図(f)に示すように、
機械的な力を加えることによル基板1と表示素子を含む
部分を分離することができる。また、第1の膜として選
択的溶解除去が可能な材料、例えばモリブデンを用いた
場合、過酸化水、素水に基板1及び表示素子を含む部分
が一体となったものを浸漬するととくよジモリブデンの
みを選択的(溶解除去し、基板1と表示素子を含む部分
を分離することができる。以上の工程によル、7レキシ
ビリテイを有する第2の膜7上(高精細な画素メタンを
有する表示素子を配置した平面表示装置を実現すること
ができる。なお、上記工程において、基板1は全く消耗
しないから、繰返し、何度も使用するととができる。ま
た、以上では、表示素子としてEL表示素子を用いる場
合について説明したが、本発明はその他、様々な表示素
子を用いる場合でも適用可能である。更にまた曲面に密
着した表示装置も実現することができる。
以下、本発明を実施例によシ更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例1
第1図に示した工程図に従って本発明の1例である平面
表示装置を作製した。
表示装置を作製した。
まず、石英ガラス基板上に、第1の膜として、ポリフッ
化ビニリデンの膜を形成する。次に該第1の膜上に工T
oからなる透明電極を蒸着マスク法で形成させる。次に
11発光膜としてマンガンをドープした硫化亜鉛を用い
絶縁膜として5酸化タンタルの膜を形成する。次にムt
の金属バタンを蒸着マスク法で形成させて表示素子を得
る。次に第2の膜としてポリイミド樹脂の膜を形成させ
る。最後に機械的な力を加えて基板から表示素子を含む
部分を分離して本発明の表示装置を得た。
化ビニリデンの膜を形成する。次に該第1の膜上に工T
oからなる透明電極を蒸着マスク法で形成させる。次に
11発光膜としてマンガンをドープした硫化亜鉛を用い
絶縁膜として5酸化タンタルの膜を形成する。次にムt
の金属バタンを蒸着マスク法で形成させて表示素子を得
る。次に第2の膜としてポリイミド樹脂の膜を形成させ
る。最後に機械的な力を加えて基板から表示素子を含む
部分を分離して本発明の表示装置を得た。
実施例2
実施例1において、第1の膜としてモリブデンを用い、
基板との分離には、全体を過酸化水素水に浸漬して行っ
た以外は実施例1と同じ材料と操作を用いて表示装置を
得た。
基板との分離には、全体を過酸化水素水に浸漬して行っ
た以外は実施例1と同じ材料と操作を用いて表示装置を
得た。
以上説明したように、本発明によれば、7レキシビリテ
イを有する膜上に高精細な画素バタンからなる表示素子
を形成できるため、機械的強度に優れ、かつ軽量、廉価
な平面表示装置を実現できるという利点がちる。また、
平面のみならず、曲面に密着した表示装置を実現できる
利点もある。本発明は、低価格性はもとよシ、強じん性
、軽量性が強く要求される各種通信機器端末用表示装置
や、航空機等の乗物内の表示装置の作製に適用すれば、
上記利点を有効に活かせる。
イを有する膜上に高精細な画素バタンからなる表示素子
を形成できるため、機械的強度に優れ、かつ軽量、廉価
な平面表示装置を実現できるという利点がちる。また、
平面のみならず、曲面に密着した表示装置を実現できる
利点もある。本発明は、低価格性はもとよシ、強じん性
、軽量性が強く要求される各種通信機器端末用表示装置
や、航空機等の乗物内の表示装置の作製に適用すれば、
上記利点を有効に活かせる。
第1図は本発明の1実施の態様における平面表示装置の
作製方法を説明した工程図、第2図は従来の平面表示装
置の作製方法を説明した工程図である。 1:基板、2:透明導電膜バタン、3:11発光膜、4
:絶縁膜、5:金属膜バタン、6:第1の膜、7:第2
の膜
作製方法を説明した工程図、第2図は従来の平面表示装
置の作製方法を説明した工程図である。 1:基板、2:透明導電膜バタン、3:11発光膜、4
:絶縁膜、5:金属膜バタン、6:第1の膜、7:第2
の膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、フレキシビリテイを有する膜上に、表示素子が形成
されていることを特徴とする表示装置。 2、基板上に第1の膜を形成する工程、該第1の膜上に
表示素子を形成する工程、該表示素子上にフレキシビリ
テイを有する第2の膜を形成する工程、及び該基板から
該表示素子を含む部分を分離する工程の各工程を包含す
ることを特徴とする表示装置の作製方法。 3、該基板から該表示素子を含む部分を分離する工程が
、該第1の膜を除去してフレキシブルな表示装置を得る
工程である特許請求の範囲第2項記載の表示装置の作製
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10369085A JPS61262782A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 表示装置及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10369085A JPS61262782A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 表示装置及びその作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61262782A true JPS61262782A (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=14360772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10369085A Pending JPS61262782A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 表示装置及びその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61262782A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001331120A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP10369085A patent/JPS61262782A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001331120A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
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