JP2017533593A - 赤色有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 163
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 59
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 64
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 64
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 36
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 claims description 31
- -1 9,9-dimethyl-9H-fluorene-2- Yl Chemical class 0.000 claims description 21
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- UFWDOFZYKRDHPB-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[6-(3-carbazol-9-ylphenyl)pyridin-2-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=CC=C(N=2)C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 UFWDOFZYKRDHPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N europium;1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- UXJDSNKBYFJNDO-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[2-[2-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UXJDSNKBYFJNDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 6
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCXVSALYSBZZBB-UHFFFAOYSA-K [Ir+3].CC=1C=C(C=CC1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-].CC=1C=C(C=CC1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-].CC=1C=C(C=CC1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-] Chemical compound [Ir+3].CC=1C=C(C=CC1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-].CC=1C=C(C=CC1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-].CC=1C=C(C=CC1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-] HCXVSALYSBZZBB-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3-(3,5-dipyridin-3-ylphenyl)phenyl]-5-pyridin-3-ylphenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IZOWAAYDURJWLW-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C(=CC(=C1C=1C=NC=CC=1)C)C)B Chemical compound CC1=C(C(=CC(=C1C=1C=NC=CC=1)C)C)B IZOWAAYDURJWLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 4
- WTEWXIOJLNVYBZ-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(4-ethenyl-n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-(4-ethenylphenyl)naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(C=C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(C=C)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 WTEWXIOJLNVYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 4
- ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-dinaphthalen-1-yl-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C23C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=C1 ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 3
- GFMFFNAOXIHABA-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[2-[3-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C(C=CC=1)C=1C(=CC=CC=1)C=1C(=CC=CC=1)C=1C=C(C=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 GFMFFNAOXIHABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJEQVQJWXVHKGT-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-2-n,7-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,7-n-diphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC(N(C=4C=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 KJEQVQJWXVHKGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-di(carbazol-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1 DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N N-Phenyl-1-naphthylamine Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1NC1=CC=CC=C1 XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- NFZUWPDINLFCGG-UHFFFAOYSA-N 2-n,7-n-bis(3-methylphenyl)-2-n,7-n,9,9-tetraphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NFZUWPDINLFCGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YUBXDAMWVRMLOG-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-2-n,7-n-bis(3-methylphenyl)-2-n,7-n-diphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C)(C)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 YUBXDAMWVRMLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PKQHEBAYOGHIPX-UHFFFAOYSA-N n-[4-[9-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]fluoren-9-yl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC=C(C=C3)C3(C=4C=CC(=CC=4)N(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=CC=C4C=4C3=CC=CC=4)=CC=C21 PKQHEBAYOGHIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XFFLUQVYZHRJOA-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(2-phenylphenyl)silane Chemical group C1(=CC=CC=C1)[Si](C1=C(C=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 XFFLUQVYZHRJOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VEXRUVDHAUUTDC-UHFFFAOYSA-N 1-N',1-N'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-1',2',7'-triamine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=2C3=CC=C(C=C3C3(C1=2)C1=CC=CC=C1C=1C=CC=CC=13)N)N VEXRUVDHAUUTDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 249
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical group [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 50
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MAIALRIWXGBQRP-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MAIALRIWXGBQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N [9-(4-tert-butylphenyl)-6-triphenylsilylcarbazol-3-yl]-triphenylsilane Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1N1C2=CC=C([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C=C2C2=CC([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=C21 WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910016460 CzSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- WSNMPAVSZJSIMT-UHFFFAOYSA-N COc1c(C)c2COC(=O)c2c(O)c1CC(O)C1(C)CCC(=O)O1 Chemical compound COc1c(C)c2COC(=O)c2c(O)c1CC(O)C1(C)CCC(=O)O1 WSNMPAVSZJSIMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPCMOBNYWCFYEH-UHFFFAOYSA-N 1-(3-methylphenyl)-2-N,7-N,9,9-tetraphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC=1C=C(C=CC=1)C1=C(C=CC=2C3=CC=C(C=C3C(C1=2)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 XPCMOBNYWCFYEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONPNQWLJWUSKGK-UHFFFAOYSA-N 1-thiophen-2-ylpyridin-1-ium Chemical compound C1=CSC([N+]=2C=CC=CC=2)=C1 ONPNQWLJWUSKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZSHGMURFSSXRP-UHFFFAOYSA-N 2-N,2-N,2-N',2-N',7-N,7-N,7-N',7-N'-octakis-phenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2,2',2',7,7',7'-hexamine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1(C=C2C3(C4=CC(C=CC4=C2C=C1)(N)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)N UZSHGMURFSSXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-bis(3-methylphenyl)-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQCAURRJHOJJNQ-UHFFFAOYSA-N 2-n,7-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,7-n,9,9-tetraphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C2(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=C1 PQCAURRJHOJJNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-naphthalen-1-ylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMUFEHJFCFYBOT-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-1-(3-methylphenyl)-2-N,7-N-diphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC=1C=C(C=CC=1)C1=C(C=CC=2C3=CC=C(C=C3C(C1=2)(C)C)NC1=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 SMUFEHJFCFYBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMHYAHMPDIUHMB-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C1=C(C=CC=C1)C1=CC(=CC=2C3=CC(=CC=C3NC12)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C(CCC)C1=C(C=CC=C1)C1=CC(=CC=2C3=CC(=CC=C3NC12)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 DMHYAHMPDIUHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVVZWZUPRBAMCZ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=C(C=CC=2C3=CC=C(C=C3C3(C12)C1=CC=CC=C1C=1C=CC=CC13)NC1=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=C(C=CC=2C3=CC=C(C=C3C3(C12)C1=CC=CC=C1C=1C=CC=CC13)NC1=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 VVVZWZUPRBAMCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTFAAANEVUFEHQ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Si](C1(CC=C(C=C1)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical group C1(=CC=CC=C1)[Si](C1(CC=C(C=C1)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 QTFAAANEVUFEHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWFGARXUJNKOMY-UHFFFAOYSA-N [3,5-di(carbazol-9-yl)phenyl]-triphenylsilane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=C(C=C(C=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 GWFGARXUJNKOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
Description
基板と、
前記基板に積層された陽極層と、
前記陽極層に積層された陽極修飾層と、
前記陽極修飾層に積層された正孔輸送−電子阻止層と、
前記正孔輸送−電子阻止層に積層された正孔支配型発光層と、
前記正孔支配型発光層に積層された電子支配型発光層と、
前記電子支配型発光層に積層された正孔阻止−電子輸送層と、
前記正孔阻止−電子輸送層に積層された陰極修飾層と、
前記陰極修飾層に積層された陰極層と、
を含み、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、赤色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、トリス(ジベンゾイルメタナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウム及びトリス(テノイルトリフルオロアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウムのうちから選択される1種又は2種であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料に対して0.1wt %〜0.5wt %である、赤色有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
前記赤色有機発光材料は、ジ(2−フェニルキノリナト)−(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)イリジウム、ジ(2−ベンゾ[b]2−チエニルピリジナト)アセチルアセトナトイリジウム、トリス(1−フェニルイソキノリナト)イリジウム、ジ(1−フェニルイソキノリナト)(アセチルアセトナト)イリジウム、ジ[1−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−イソキノリナト](アセチルアセトナト)イリジウム、ジ[2−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)キノリナト](アセチルアセトナト)イリジウム、ジ(2−フェニルキノリナト)(2−(3−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム、トリス[2−フェニル−4−メチルキノリナト]イリジウム、ビス(フェニルイソキノリナト)(2,2,6,6−テトラメチルヘキサン−3,5−ジオナト)イリジウム、ジ(2−メチルジベンゾ[f,h]キノキサリナト)(アセチルアセトナト)イリジウム及びジ[2−(2−メチルフェニル)−7−メチル−キノリナト](アセチルアセトナト)イリジウムからなる群より選ばれる1種又は2種以上である。
基板上の陽極層をエッチングし、乾燥した後に前記陽極層上に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、正孔阻止−電子輸送層、陰極修飾層及び陰極層を順次に蒸着し、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、赤色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、トリス(ジベンゾイルメタナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウム及びトリス(テノイルトリフルオロアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウムのうちから選択される1種又は2種以上である、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料の0.1wt%〜0.5wt%である、赤色有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
基板と、
前記基板に積層された陽極層と、
前記陽極層に積層された陽極修飾層と、
前記陽極修飾層に積層された正孔輸送−電子阻止層と、
前記正孔輸送−電子阻止層に積層された正孔支配型発光層と、
前記正孔支配型発光層に積層された電子支配型発光層と、
前記電子支配型発光層に積層された正孔阻止−電子輸送層と、
前記正孔阻止−電子輸送層に積層された陰極修飾層と、
前記陰極修飾層に積層された陰極層と、
を含み、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、赤色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、トリス(ジベンゾイルメタナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウム及びトリス(テノイルトリフルオロアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウムのうちから選択される1種又は2種であり、
前記有機増感材料は、電子型有機ホスト材料に対して0.1wt%〜0.5wt%である、赤色有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
基板上の陽極層をエッチングし、乾燥した後に前記陽極層上に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、正孔阻止−電子輸送層、陰極修飾層及び陰極層を順次に蒸着し、
前記正孔支配型発光層は、赤色有機発光材料及び正孔型有機ホスト材料から構成され、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、赤色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、式(IX)の構造を有するトリス(ジベンゾイルメタナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウム、及び式(X)の構造を有するトリス(テノイルトリフルオロアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウムのうちから選択される1種又は2種以上である、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料の0.1wt%〜0.5wt%である、赤色有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
まず、基板上の陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて10〜20min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させ、
乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度8〜15Paの雰囲気下で350〜500Vの電圧により1〜10minの低圧プラズマ処理を行った後に有機蒸着室へ移送し、
真空度1〜2×10−5Paとなると、陽極層に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、及び正孔阻止−電子輸送層をこの順に蒸着し、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で蒸着陰極修飾層及び金属陰極層を順次に蒸着する。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのPQ2Ir(dpm)ドープTcTaの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのTb(acac)3phenとPQ2Ir(dpm)共ドープCzSiの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTmPyPB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/PQ2Ir(dpm)(4%):TcTa/Eu(TTA)3phen(0.2%):PQ2Ir(dpm)(4%):CzSi/TmPyPB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてPQ2Ir(dpm)及びTcTaの蒸発速度がそれぞれ0.002nm/s及び0.05nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてEu(TTA)3phen、PQ2Ir(dpm)及びCzSiの蒸発速度がそれぞれ0.0001nm/s、0.002nm/s及び0.05nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてTmPyPBの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.0nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのPQ2Ir(dpm)ドープmCPの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのEu(TTA)3phenとPQ2Ir(dpm)共ドープ26DCzPPyの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTmPyPB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/PQ2Ir(dpm)(4%):mCP/Eu(TTA)3phen(0.2%):PQ2Ir(dpm)(4%):26DCzPPy/TmPyPB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてPQ2Ir(dpm)及びmCPの蒸発速度がそれぞれ0.002nm/s及び0.05nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてEu(TTA)3phen、PQ2Ir(dpm)及び26DCzPPyの蒸発速度がそれぞれ0.0001nm/s、0.002nm/s及び0.05nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてTmPyPBの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.0nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのPQ2Ir(dpm)ドープTcTaの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのEu(DBM)3phenとPQ2Ir(dpm)共ドープ26DCzPPyの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTmPyPB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/PQ2Ir(dpm)(4%):TcTa/Eu(DBM)3phen(0.3%):PQ2Ir(dpm)(4%):26DCzPPy/TmPyPB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてPQ2Ir(dpm)及びTcTaの蒸発速度がそれぞれ0.003nm/s及び0.05nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてEu(DBM)3phen、PQ2Ir(dpm)及び26DCzPPyの蒸発速度がそれぞれ0.0003nm/s、0.004nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてTmPyPBの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.0nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ5nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ30nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ15nmのIr(dmpq)3(acac)ドープmCPの正孔支配型発光層5、厚さ15nmのEu(DBM)3phenとIr(dmpq)3(acac)共ドープ26DCzPPyの電子支配型発光層6及び厚さ35nmの3TPYMB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.1nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ250nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/Ir(dmpq)3(acac)(2%):mCP/Eu(DBM)3phen(0.1%):Ir(dmpq)3(acac)(3%):26DCzPPy/3TPYMB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.06nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてIr(dmpq)3(acac)及びmCPの蒸発速度がそれぞれ0.002nm/s及び0.1nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてEu(DBM)3phen、Ir(dmpq)3(acac)及び26DCzPPyの蒸発速度がそれぞれ0.0001nm/s、0.003nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7において3TPYMBの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.01nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が0.9nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ6nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ50nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ12nmのIr(MDQ)2(acac)ドープTCPの正孔支配型発光層5、厚さ16nmのEu(DBM)3phenとIr(MDQ)2(acac)共ドープUGH2の電子支配型発光層6及び厚さ45nmのBmPyPhB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.1nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ240nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/Ir(MDQ)2(acac)(3%):TCP/Eu(DBM)3phen(0.3%):Ir(MDQ)2(acac)(3%):UGH2/BmPyPhB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてIr(MDQ)2(acac)及びTCPの蒸発速度がそれぞれ0.003nm/s及び0.1nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてEu(DBM)3phen、Ir(MDQ)2(acac)及びUGH2の蒸発速度がそれぞれ0.0003nm/s、0.003nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてBmPyPhBの蒸発速度が0.09nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.012nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.2nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのIr(dpm)(piq)2ドープBSBの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのTb(acac)3phenとIr(dpm)(piq)2共ドープBCBPの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTPBi正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/Ir(dpm)(piq)2(4%):BSB/Eu(TTA)3phen(0.3%):Ir(dpm)(piq)2(4%):BCBP/TPBi/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.02nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてIr(dpm)(piq)2及びBSBの蒸発速度がそれぞれ0.004nm/s及び0.1nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてIr(dpm)(piq)2、Eu(TTA)3phen及びBCBPの蒸発速度がそれぞれ0.004nm/s、0.0003nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてTPBiの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.5nm/sに制御された。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板に積層された陽極層と、
前記陽極層に積層された陽極修飾層と、
前記陽極修飾層に積層された正孔輸送−電子阻止層と、
前記正孔輸送−電子阻止層に積層された正孔支配型発光層と、
前記正孔支配型発光層に積層された電子支配型発光層と、
前記電子支配型発光層に積層された正孔阻止−電子輸送層と、
前記正孔阻止−電子輸送層に積層された陰極修飾層と、
前記陰極修飾層に積層された陰極層と、
を含み、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、赤色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、トリス(ジベンゾイルメタナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウム及びトリス(テノイルトリフルオロアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウムのうちから選択される1種又は2種であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料に対して0.1wt%〜0.5wt%であることを特徴とする赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記赤色有機発光材料の含有量は、前記電子型有機ホスト材料に対して2wt%〜5wt%である、ことを特徴とする請求項1に記載の赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記赤色有機発光材料は、ジ(2−フェニルキノリナト)−(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)イリジウム、ジ(2−ベンゾ[b]2−チエニルピリジナト)アセチルアセトナトイリジウム、トリス(1−フェニルイソキノリナト)イリジウム、ジ(1−フェニルイソキノリナト)(アセチルアセトナト)イリジウム、ビス[1−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−イソキノリナト](アセチルアセトナト)イリジウム、ジ[2−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)キノリナト](アセチルアセトナト)イリジウム、ジ(2−フェニルキノリナト)(2−(3−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム、トリス[2−フェニル−4−メチルキノリナト]イリジウム、ビス(フェニルイソキノリナト)(2,2,6,6−テトラメチルヘキサン−3,5−ジオナト)イリジウム、ジ(2−メチルジベンゾ[f,h]キノキサリナト)(アセチルアセトナト)イリジウム及びジ[2−(2−メチルフェニル)−7−メチル−キノリナト](アセチルアセトナト)イリジウムからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1或2に記載の赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子型有機ホスト材料は、2,6−ビス[3−(9H−9−カルバゾリル)フェニル]ピリジン、1,4−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、2,2’−ビス(4−(9−カルバゾリル)フェニル)ビフェニル、[2,4,6−トリメチル−3−(3−ピリジル)フェニル]ボラン、1,3,5−トリス[(3−ピリジル)−3−フェニル]ベンゼン、1,3−ビス[3,5−ジ(3−ピリジル)フェニル]ベンゼン、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン、9−(4−t−ブチルフェニル)−3,6−ビス(トリフェニルシリル)−9H−カルバゾール及び9−(8−ジフェニルホスホリル)−ジベンゾ[b,d]フラン−9H−カルバゾールからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記正孔支配型発光層は、赤色有機発光材料及び正孔型有機ホスト材料から構成され、前記赤色有機発光材料は、前記正孔型有機ホスト材料に対して2.0wt%〜5.0wt%であり、
前記赤色有機発光材料は、ジ(2−フェニルキノリナト)−(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)イリジウム、ジ(2−ベンゾ[b]2−チエニルピリジナト)アセチルアセトナトイリジウム、トリス(1−フェニルイソキノリナト)イリジウム、ジ(1−フェニルイソキノリナト)(アセチルアセトナト)イリジウム、ビス[1−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−イソキノリナト](アセチルアセトナト)イリジウム、ジ[2−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)キノリナト](アセチルアセトナト)イリジウム、ジ(2−フェニルキノリナト)(2−(3−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム、トリス[2−フェニル−4−メチルキノリナト]イリジウム、ビス(フェニルイソキノリナト)(2,2,6,6−テトラメチルヘキサン−3,5−ジオナト)イリジウム、ジ(2−メチルジベンゾ[f,h]キノキサリナト)(アセチルアセトナト)イリジウム及びジ[2−(2−メチルフェニル)−7−メチル−キノリナト](アセチルアセトナト)イリジウムからなる群より選ばれる1種又は2種以上であり、
前記正孔型有機ホスト材料は、4,4’−N,N’−ジカルバゾールジフェニル、1,3−ジ(カルバゾール−9−イル)ベンゼン、9,9’−(5−(トリフェニルシリル)−1,3−フェニル)ジ−9H−カルバゾール、1,3,5−トリス(9−カルバゾリル)ベンゼン、4,4’,4’ ’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン及び1,4−ビス(トリフェニルシリル)ビフェニルからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記正孔輸送−電子阻止層の材料は、4,4’−シクロヘキシルジ[N,N−ジ(4−メチルフェニル)アニリン]、ジピラジノ[2,3−f:2’,3’−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル、N4,N4’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N4,N4’−ビス(4−ビニルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−2,7−ジアミン−9,9−スピロビフルオレン、N,N,N’,N’−テトラ−(3−メチルフェニル)−3−3’−ジメチルp−ジアミノビフェニル、2,2’−ジ(3−(N,N−ジ−p−トリルアミノ)フェニル)ビフェニル、N,N’−ジ(ナフタレン−2−イル)−N,N’−ジ(フェニル)ジアミノビフェニル、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチルフルオレン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチルフルオレン、N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジフェニルフルオレン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジフェニルフルオレン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,2’−ジメチルジアミノビフェニル、2,2’,7,7’−テトラ(N,N−ジフェニルアミノ)−2,7−ジアミノ−9,9−スピロビフルオレン、9,9−ジ[4−(N,N−ジナフタレン−2−イル−アミノ)フェニル]−9H−フルオレン、9,9−[4−(N−ナフタレン−1−イル−N−フェニルアミン)−フェニル]−9H−フルオレン、2,2’−ジ[N,N−ジ(4−フェニル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン、2,2’−ビス(N,N−フェニルアミノ)−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ジフェニル−N,N’−(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、及び4,4’−ジ[N−(p−トリル)−N−フェニル−アミノ]ジフェニルからなる群より選ばれる1種又は2種以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記正孔阻止−電子輸送層の材料は、トリス([2,4,6−トリメチル−3−(3−ピリジル)フェニル]ボラン、1,3,5−トリス[(3−ピリジル)−3−フェニル]ベンゼン、1,3−ビス[3,5−ジ(3−ピリジル)フェニル]ベンゼン、及び1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼンからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記陽極修飾層の厚さが1〜10nmであり、前記正孔輸送−電子阻止層の厚さが30〜60nmであり、前記正孔支配型発光層の厚さが5〜20nmであり、前記電子支配型発光層の厚さが5〜20nmであり、前記正孔阻止−電子輸送層の厚さが30〜60nmであり、前記陰極修飾層の厚さが0.8〜1.2nmであり、前記陰極層の厚さが90〜300nmである、ことを特徴とする請求項1に記載の赤色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 基板上の陽極層をエッチングし、乾燥した後に前記陽極層上に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、正孔阻止−電子輸送層、陰極修飾層及び陰極層を順次に蒸着し、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、赤色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、トリス(ジベンゾイルメタナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウム及びトリス(テノイルトリフルオロアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ユウロピウムのうちから選択される1種又は2種以上であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料の0.1wt%〜0.5wt%である赤色有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記陽極修飾層の蒸発速度が0.01〜0.05nm/sであり、前記正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層及び正孔阻止−電子輸送層におけるホスト材料の蒸発速度が0.05〜0.1nm/sであり、前記電子支配型発光層における有機増感材料の蒸発速度が0.00005〜0.0005nm/sであり、前記電子支配型発光層および正孔支配型発光層における赤色発光材料の蒸発速度が0.001〜0.005nm/sであり、前記陰極修飾層の蒸発速度が0.005〜0.05nm/sであり、前記陰極層の蒸発速度が0.5〜2.0nm/sであることを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410605638.8A CN104393181B (zh) | 2014-10-30 | 2014-10-30 | 一种红色有机电致发光器件及其制备方法 |
CN201410605638.8 | 2014-10-30 | ||
PCT/CN2014/091779 WO2016065677A1 (zh) | 2014-10-30 | 2014-11-20 | 一种红色有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017533593A true JP2017533593A (ja) | 2017-11-09 |
JP6385575B2 JP6385575B2 (ja) | 2018-09-05 |
Family
ID=52611050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017523398A Active JP6385575B2 (ja) | 2014-10-30 | 2014-11-20 | 赤色有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10355230B2 (ja) |
EP (1) | EP3214665B1 (ja) |
JP (1) | JP6385575B2 (ja) |
CN (1) | CN104393181B (ja) |
WO (1) | WO2016065677A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI569492B (zh) * | 2014-12-22 | 2017-02-01 | 昱鐳光電科技股份有限公司 | 有機發光元件 |
CN104844587B (zh) * | 2015-04-29 | 2018-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 含有吩恶噻结构的共轭化合物及其制备方法与有机电致发光二极管器件 |
CN104900815A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双层掺杂磷光发光器件及其制备方法 |
CN106816542B (zh) * | 2017-01-16 | 2018-10-16 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种白色有机电致发光器件及其制备方法 |
CN109810083A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 上海自旭光电科技有限公司 | 用于有机发光二极管显示器件的化合物 |
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CN111377969B (zh) * | 2018-12-27 | 2020-12-04 | 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 | 一种有机金属化合物及其应用 |
CN113402564A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-17 | 昆明贵金属研究所 | 一种铱(ⅲ)配合物、制备方法及深红光oled器件 |
CN114335373A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 合肥福纳科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
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CN103555318B (zh) | 2013-10-21 | 2016-03-23 | 南京邮电大学 | 一种红光材料及其制备方法与应用 |
-
2014
- 2014-10-30 CN CN201410605638.8A patent/CN104393181B/zh active Active
- 2014-11-20 WO PCT/CN2014/091779 patent/WO2016065677A1/zh active Application Filing
- 2014-11-20 JP JP2017523398A patent/JP6385575B2/ja active Active
- 2014-11-20 EP EP14904828.2A patent/EP3214665B1/en active Active
- 2014-11-20 US US15/522,581 patent/US10355230B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104393181B (zh) | 2017-02-01 |
EP3214665A4 (en) | 2018-07-25 |
EP3214665A1 (en) | 2017-09-06 |
JP6385575B2 (ja) | 2018-09-05 |
US20170317307A1 (en) | 2017-11-02 |
EP3214665B1 (en) | 2019-12-18 |
WO2016065677A1 (zh) | 2016-05-06 |
US10355230B2 (en) | 2019-07-16 |
CN104393181A (zh) | 2015-03-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180709 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6385575 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |